KR100741046B1 - 리소그래피 장치의 편광된 방사선 및 디바이스 제조방법 - Google Patents

리소그래피 장치의 편광된 방사선 및 디바이스 제조방법 Download PDF

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Abstract

리소그래피 장치는 노광 관용도와 같은 묘화 특성들을 개선시키는 한편, 리소그래피 장치의 조명시스템의 수명을 유지 및 연장시키기 위하여 편광된 광을 사용한다.

Description

리소그래피 장치의 편광된 방사선 및 디바이스 제조방법{POLARIZED RADIATION IN LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
이하, 본 발명의 실시예들을, 대응되는 참조부호들이 대응되는 부분들을 나타내는 개략적인 첨부도면을 참조하여 예시의 방법으로 설명할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도;
도 2는, 본 발명의 일 실시예에 따라, 2개의 이분-파장 플레이트를 갖는 환형 조명 모드의 선형 편광을 서로 실질적으로 수직한 제1 및 제2방향으로 편광된 광으로 전환하는 것에 대해 나타낸 도;
도 3a-3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 장치의 2개의 이분-파장 플레이트들의 장치를 나타낸 도;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라, 이미지 콘트라스트를 나타내는 편광 효과들이 TE 편광된 광의 부분을 최대화시킴으로써 증가되는 것에 대해 나타낸 도;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이중극 조명에서의 편광된 광의 이미지를 나타낸 도;
도 6은, 편광 방사선 및 비편광 방사선 둘 모두에 대해 도 5의 이중극 조명이 사용되는 비편광 방사선 및 편광 방사선을 위해 감쇠된 위상 시프트 마스크에 대한 노광 관용도(EL) 대 개구수(NA)이며, 편광 방향은 도면의 Y방향과 평행하게 선택되는 것을 나타낸 도;
도 7a 및 7b는 편광 정도(degree of polarization:DOP) 및 편광 퓨리티(PP)를 나타낸 다이어그램;
도 8은 편광 정도(DOP)와 편광 퓨리티를 조합하여 원하는 편광 상태(IPS)의 세기를 만드는 상기 편광 정도(DOP)와 편광 퓨리티를 나타내는 테이블이며, 상기 IPS는 선택된 편광 방향의 세기를 측정하는 것을 나타낸 도;
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 상이한 일루미네이터 재료들에 대한 복굴절성 대 수명의 그래프를 나타낸 도;
도 10은 X-편광 광에 의한 복굴절성의 번(burn)을 나타낸 도;
도 11은 IPS의 변화가 노광 관용도(EL)에 어떻게 충격을 주는지를 나타낸 도;
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 다양한 조명 모드들을 나타낸 도;
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 추가 조명 모드들을 나타낸 도;
도 14는, 본 발명의 실시예들에 따른 편광 광에 대한 편광 수명 효과, 및 스캐닝 방향에 대해 45°의 각을 이루는 편광 방향을 갖는 편광 광을 지니는 통상적인 조명에 대한 수명 효과를 나타낸 도;
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 장치의 2개의 이분-파장 플레이트 및 추가적인 2개의 이분-파장 플레이트들의 구성을 나타낸 도이다.
본 발명은 리소그래피 장치 및 예를 들어, 집적회로(IC)와 같은 디바이스의 제조에 장기 장치를 사용하는 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은, 묘화(imaging) 특성, 예를 들어 노광 관용도를 향상시키기 위해 편광된 광을 사용하는 한편, 리소그래피 장치의 조명시스템의 수명을 연장시키는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판, 통상적으로는 기판의 타겟부상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 예에서, 대안적으로는 마스크 또는 레티클이라 지칭되는 패터닝장치가 IC의 개별층상에 형성될 회로 패턴을 생성시키는데 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘웨이퍼)상의 (예를 들어, 1 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부상에 전사(transfer)될 수 있다. 통상적으로, 패턴의 전사는 기판상에 제공되는 방사선 감응재(레지스트)의 층상으로 묘화를 통해 이루어진다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 전체패턴을 한번에 타겟부상에 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 스캐너를 포함한다. 패턴을 기판상에 임프린팅(imprint)함으로써 패터닝장치로부터 기판으로 패턴을 전사하는 것도 가능하다.
본 명세서에서 인용 참조되는 미국특허 6,392,800은, 엔터링 빔(entering beam)이 회전에 의해 본질적으로 반경 방향으로 선형 편광되는 광의 전체 단면을 갖는 엑시팅 빔(exiting beam)으로 전환되는 광학 장치에 대해 개시하고 있다.
본 명세서에서 인용 참조되는 미국특허출원 공보 2001/0019404 A1은, 레지스트상의 입사 평면에 대해 수직한 광의 편광에 의해 콘트라스트의 증가를 달성하는 고도의 어퍼처(high aperture)에서의 마이크로리소그래피 투영 노광을 위한 방법 및 장치에 대해 개시하고 있다.
본 발명의 일 실시형태는 리소그래피 장치의 일루미네이터의 수명을 유지 및 연장시키는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 리소그래피 장치는, 방사선 빔을 콘디셔닝하도록 구성되는 조명시스템; 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사선 빔을 형성하도록 구성되는 패터닝장치를 지지하도록 구성되는 지지부; 기판을 잡아주도록 구성되는 기판테이블; 및 상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하도록 구성되는 투영시스템을 포함하며, 상기 리소그래피 장치는, 광학 활성 요소(optical active element)를 포함하고, 상기 광학 활성 요소는 방사선 빔의 제1부분에 제1방향으로의 선형 편광을 제공할 수 있거나, 또는 상기 방사선 빔의 제1부분에 제1방향으로의 선형 편광을 제공할 수 있고 상기 방사선 빔의 제2부분에 상기 제1방향과 실질적으로 수직한 제2방향으로의 선형 편광을 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 방식으로 방사선 빔을 편광하는 것은 편광된 광을 사용하는 동안 조명시스템의 수명을 유지 및 연장시킨다는 것이 밝혀져 왔다. 각각, 제1 및 제2방향(제1 및 제2방향은 상호 수직함)으로 선형 편광을 갖는 부분들을 구비한 본 발명의 편광된 빔은 대체로 XY 편광 방사선이라 지칭된다. 따라서, 이후의 XY 편광 방사선에 대한 언급은, 제1 및 제2방향으로 각각 선형 편광을 갖는 부분들을 구비한 방사선을 의미하는 것으로 이해해야 하며, 상기 제1 및 제2방향은 상호 수직하다.
기판테이블이 패터닝장치에 대해 스캐닝방향으로 이동가능한 리소그래피 장치에서는, 편광의 제1방향이 스캐닝 방향에 대해 평행하거나 수직할 수 있다.
적절한 조명 모드가 조명시스템에서 사용될 수 있다. 상기 조명 모드들은 다중극 조명을 가질 수 있다. 다중극 조명의 극들은 퓨필내에 회절된 방사선의 양을 최소화시키도록 선택될 수 있는 한편, 극 당 X 또는 Y 편광된 광 중 어느 하나를 갖는 선택은 TE(즉, transverse electric) 편광의 함량(content)를 최소화시켜, 콘트라스트를 최대화시킬 수 있다.
조명 모드는 분할된(segmented) 점대칭 조명 모드 또는 비대칭 조명 모드일 수도 있다. 예를 들어, 조명 모드는 다음의 것: 즉, 통상적인 것, 이중극, 비대칭, 사중극, 육중극(즉, 6개의 극들) 및 환형 중 어느 것을 포함한다.
실질적으로 방사선 빔 모두는 편광의 제1 또는 제2방향 모드들 중 어느 하나로 편광된다. 방사선 빔의 95%이상은 제1 또는 제2방향 중 어느 하나로 편광되는 것이 바람직하다. 제1 및 제2방향으로 편광되는 방사선 상기 방사선간의 비는 광학 디바이스의 편광 특성에 달려 있다. 일반적으로 방사선이 대략 50%는 제1방향으로 편광되고, 대략 50%는 제2방향으로 편광될 수 있다. 대안적으로, 제1 또는 제2방향으로의 편광 어느 하나가 지배적일 수도 있다.
광학 활성 요소는 2개의 이분-파장(half-wavelength) 플레이트를 포함할 수 있다.
상기 이분-파장 플레이트들은 콘덴서(CO), 조정기구(AD) 및/또는 인티그레이터(IN) 중 어느 것에 있을 수 있다. 통상적으로, 이분-파장 플레이트들은 콘덴서(CO), 조정기구(AD) 및/또는 인티그레이터 둘 모두에 있을 수 있다. 이분-파장 플레이트들은 콘덴서(CO), 조정기구(AD) 및/또는 인티그레이터(IN) 중 어느 것의 퓨필평면 또는 그 부근에 있을 수 있다. 대안적으로, 콘덴서(CO), 조정기구(AD) 및/또는 인티그레이터(IN) 중 어느 것에 하나의 이분-파장 플레이트가 존재할 수도 있다.
이분-파장 플레이트들은 쿼츠 실리카(quartz silica) 또는 화학선(actinic) 파장에서 본질적 또는 외부적으로 유도되는 복굴절성 광학 특성을 갖는 여느 다른 재료로부터 형성될 수 있다. 이분-파장 경로들은, 그들이 입사 방사선 상에 요구되는 광학 편광 로테이션을 부과하도록 배향될 수 있다. 편광 방위의 로테이션은 선형 복굴절성(이분-파장 플레이트들) 또는 원형 복굴절성(광학적 로터리 활동)의 물리적인 원리를 기초로 할 수 있다.
선형 복굴절 단축 결정 재료(linearly birefringent uniaxial crystalline material)들은, 결정내에 광 빔의 전파시 제약들을 부과하는 광학 축선이라 불리는 유일 대칭 축선을 갖는 것을 특징으로 한다. 광학 축선에 수직한 평면으로 편광되는 보통의(ordinary) 빔, 또는 광학 축선을 포함하는 평면에서 편광되는 보통이 아닌(extraordinary) 빔 중 어느 하나로서 2개의 모드들이 허용된다. 빔들 각각은 전기장 (웨이브 노멀(wave normal)) 속도 및 굴절의 빔 (광선) 각도가 상이하도록 연관된 굴절 지수를 갖는다. 이 후자의 특성은, 적절하게 커팅되고 배향된 복굴절성 재료의 프리즘이 지연기(retarder), 로테이터(rotator), 편광기(polarizer) 및 편광 빔 스플리터로서 작용하도록 하는 것이다.
평면 편광 빔이 원형 복굴절성을 나타내는 재료의 광학 축선 아래로 전파된다면, 그것은 동일직선상의 2개의 원형 편광 빔들로 분해되며, 그 각각은 약간 상이한 속도로 전파된다. 이들 두 구성요소들이 상기 재료로부터 나오는 경우, 그들은 편광 평면이 입사 빔의 평면으로부터 회전되는 평면 편광 빔으로 재결합된다. 경로길이를 갖는 편광 평면의 점진적 로테이션을 생성하는 효과는 광학 활동(optical activity)이라 불리며 광학 로테이터들을 생성시키는데 사용된다.
통상적으로, 개선될 묘화 특성들로는: 이미지 콘트라스트의 개선, 노광 관용도의 증분(increment) 향상, 낮은 MEEF(mask error enhancement factor) 및 저감된 라인-에지 거칠기 중 어느 것을 포함할 수 있다.
조명시스템의 수명은, 대략 30X109 샷(즉, 30G 샷), 또는 대략 35X109 샷(즉, 35G 샷), 대략 40X109 샷(즉, 40G 샷) 또는 최대 대략 110X109 샷(즉, 110G 샷)까지 연장될 수도 있다. 45°편광을 사용하면(즉 서로에 대해 45°인 2개의 편광이 존재), 일루미네이터의 수명은 20X109 샷(즉, 20G 샷)보다 적어질 수도 있다. 조명시스템의 수명은 본질적으로 무한한 것이 바람직하다. 따라서, 특정 회수의 샷 후에, 조명시스템을 형성하는 재료는 매우 낮게 유도된 복굴절성에서 효과적으로 포화될(saturate) 수도 있다.
리소그래피 장치는 대략 1.0보다 큰 개구수(NA)를 포함할 수 있다.
리소그래피 장치의 적어도 일부는 물과 같은 침지 유체(immersion fluid)에서 침지될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 리소그래피 장치는, 방사선 빔의 제1부분에 제1방향으로의 선형 편광을 제공할 수 있는 광학 활성 요소, 또는 방사선 빔의 제1부분에 제1방향으로의 선형 편광을 제공할 수 있고 방사선 빔의 제2부분에 제2방향으로의 선형 편광을 제공할 수 있는 광학 활성 요소를 포함하며, 상기 제2방향은 상기 제1방향에 대해 실질적으로 수직하다.
본 발명의 추가 실시예에서, 리소그래피 장치는, 방사선 소스와 일루미네이터 사이에 배치되는 광학 활성 요소를 포함하고, 상기 리소그래피 장치에는 일루미네이터와 투영시스템 사이에 배치되는 추가 광학 활성 요소가 제공되며, 상기 추가 광학 요소는 방사선 빔의 제1부분으로부터의 편광 상태를 상이한 편광으로 변화시킬 수 있다. 예를 들어, 추가 광학 활성 요소는 이분-파장 플레이트 또는 사분-파장 플레이트를 포함할 수도 있다.
본 발명의 추가 실시예에 따르면, 디바이스 제조방법은, 방사선 빔의 제1부 분에 제1방향으로의 선형 편광을 제공하거나, 또는 방사선 빔의 제1부분에 제1방향으로의 선형 편광을 제공하고, 방사선 빔의 제2부분에 상기 제1방향에 대해 실질적으로 수직한 제2방향으로의 선형 편광을 제공하는 단계; 상기 방사선 빔을 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 디바이스 제조방법은, 방사선 빔의 제1부분에 제1방향으로의 선형 편광을 제공하는 단계; 또는 방사선 빔의 제1부분에 제1방향으로의 선형 편광을 제공하고, 방사선 빔의 제2부분에 상기 제1방향에 대해 실질적으로 수직한 제2방향으로의 선형 편광을 제공하는 단계; 상기 방사선 빔을 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판상으로 투영하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 추가 실시예에 따르면, 디바이스 제조방법은, 방사선 빔의 제1부분에 제1방향으로의 선형 편광을 제공하거나, 또는 방사선 빔의 제1부분에 제1방향으로의 선형 편광을 제공하고, 방사선 빔의 제2부분에 상기 제1방향에 대해 실질적으로 수직한 제2방향으로의 선형 편광을 제공하는 단계; 상기 방사선 빔을 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하는 단계를 포함한다.
제조된 디바이스의 예로는, 집적회로(IC), 집적 광학시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출 패턴, 액정디스플레이(LCD) 및 박막 자기 헤드가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시 하고 있다. 상기 장치는, 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 또는 DUV 방사선)을 콘디셔닝하도록 구성된 조명시스템(일루미네이터)(IL)을 포함한다. 지지부(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 패터닝장치(MA)(예를 들어, 마스크)를 지지하고, 특정 파라미터들에 따라 패터닝장치를 정확히 위치시키도록 구성되는 제1위치설정수단(PM)에 연결되도록 구성된다. 기판테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT)은 기판(W)(예를 들어, 레지스트코팅된 웨이퍼)을 잡아주고, 특정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시킬 수 있게 이루어진 제2위치설정수단(PW)에 연결되도록 구성된다. 투영시스템(예를 들어, 굴절형 투영렌즈 시스템)(PS)은 패터닝장치(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함함)상에 투영하도록 구성된다.
조명시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어시키기 위하여 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 및 여타 유형의 광학 구성요소, 또는 그들의 조합과 같은 다양한 종류의 광학 구성요소를 포함할 수도 있다.
지지부는, 패터닝장치(MA)의 무게를 지지, 즉 지탱한다. 지지부는, 패터닝장치의 방위, 리소그래피 장치의 디자인 및 예를 들어 패터닝장치가 진공 환경내에서 유지되는지의 여부와 같은 여타 조건들에 종속적인 방식으로 패터닝장치를 유지시킨다. 지지부는 패터닝장치를 유지시키기 위하여 기계적, 진공, 정전기 또는 여타의 클램핑 기술을 사용할 수 있다. 지지부는 필요에 따라 고정되거나 이동할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 상기 지지부는, 패터닝장치가 예를 들어 투영시스템에 대해 원하는 위치에 있을 수 있도록 한다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마 스크"라는 어떠한 용어의 사용도 "패터닝장치"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
여기서 사용되는 "패터닝장치(patterning device)"라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 장치를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 예를 들어, 패턴이 위상-시프팅 피처 또는 소위 어시스트 피처들을 포함하는 경우 방사선 빔에 부여된 패턴은 기판의 타겟부내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것에 유의해야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정기능층에 해당할 것이다.
패터닝장치는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝장치의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광방사선에 대하여, 또는 침지 유체(immersion fluid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자에 대하여 적절하다면, 굴절광학시스템, 반사광학시스템, 카타디옵트릭시스템, 자기시스템, 전자기시스템 및 정전기 광학시스템 또는 그들의 조합을 포함하는 소 정 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과형 마스크를 채용한) 투과형이다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 상술된 바와 같은 형태의 프로그램가능한 거울 어레이를 채용하거나, 반사형 마스크를 채용한) 반사형일 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼스테이지)이상의 기판테이블(및/또는 2이상의 마스크테이블)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광을 위해 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 투영장치에서는, 투영시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해 기판의 적어도 일부분이, 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체, 예를 들어, 물로 덮히는 형태로 이루어질 수도 있다. 리소그래피 장치의 여타 공간, 예를 들어 마스크와 투영시스템 사이에 침지 액체가 적용될 수도 있다. 침지 기술들은 당업계에서 투영시스템의 개구수를 증가시키는 것으로 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지(immersion)"라는 용어는, 기판과 같은 구조체가 액체내에 잠겨야한다는 것을 의미하는 것이 아니라, 노광 동안에 투영시스템과 기판 사이에 액체가 배치된다는 것을 의미하는 것이다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선소스(S0)로부터 방사선의 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래 피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피장치의 부분을 형성하는 것으로 간주되지는 않으며, 상기 방사선은 예를 들어, 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스펜더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 상기 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 여타의 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요하다면 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라 칭해질 수도 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도세기분포를 조정하는 조정기구(AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필평면내의 세기분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터 및 콘덴서와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 콘디셔닝하는데 사용될 수도 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지부(예를 들어, 마스크테이블(MT))상에서 유지되어 있는 패터닝장치(예를 들어, 마스크(MA))상에 입사되며, 패터닝장치에 의해 패터닝된다. 상기 방사선 빔(B)은, 마스크(MA)를 가로질러 투영시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)상에 상기 빔을 포커스한다. 제2위치설정장치(PW) 및 위치센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 선형 인코더(linear encoder) 또는 캐퍼서티 센서(capacitive sensor))의 도움으로, 기판테이블(WT)은, 방사선 빔(B)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1위치설정장치(PM) 및 또 다른 위치센서(IF1)(도 1에 명확히 도시되지는 않았으나, 간섭계 디바이스나, 선형 인코더 또는 캐패서티 센서일 수 있음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 제1위치설정장치(PM)의 일부를 형성한다. 이와 유사하게, 기판테이블(WT)의 이동은 제2위치설정장치(PW)의 일부를 형성하는 긴 행정 모듈 및 짧은 행정 모듈을 사용하여 실현될 수도 있다. 스캐너와는 대조적으로 스테퍼의 경우, 상기 마스크테이블(MT)은 단지 짧은 행정 액츄에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1, M2) 및 기판 정렬마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수도 있다. 예시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 할당된 타겟부를 점유하기는 하나, 그들은 타겟부들 사이의 공간들에 배치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있음). 이와 유사하게, 1이상의 다이가 마스크(MA)상에 제공되는 상황에서는, 다이 사이에 마스크 정렬마크들이 배치될 수도 있다.
상술된 장치는 다음의 바람직한 모드들 중 1이상에서 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT) 및 기판테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C)상에 투영된다{즉, 단일 정적 노광(single static exposure)}. 그런 후, 기판테이블(WT)은 X 및/또는 Y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있다. 스텝 모드에서, 노광필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 묘화되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서는, 마스크테이블(MT)과 기판테이블(WT)은 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다{즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)}. 마스크테이블(MT)에 대한 기판테이블(WT)의 속도 및 방향은 확대(축소) 및 투영시스템(PS)의 이미지 반전 특성에 의하여 판정된다. 스캔 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일 동적노광시 타켓부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서는, 마스크테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝장치를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안, 기판테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 프로그램가능한 패터닝장치는 기판테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔중에 계속되는 방사선펄스 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 종류의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝장치를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들이 채용될 수도 있다.
본 발명에 따른 편광 방사선을 사용하면 이미지 콘트라스트를 개선시킨다. 노광 관용도(EL)의 증분 향상, 낮은 MEEF(mask error enhancement factor) 및 저감된 라인-에지 거칠기 또한 얻을 수 있다.
당 기술에 존재하는 문제는, 편광 유발 컴팩션으로 인하여, 복굴절성이 조명시스템의 일부를 형성하는 퓨즈 실리카 재료(fused silica material)로 버닝(burn)된다는 것이다. 편광 방위가 복굴절성 방위와 평행 또는 직교하지 않는다면, 편광 방위가 변하여, 임계 치수(CD) 오차들을 야기한다는 것이 밝혀져 왔다. 따라서, 본 발명에 기술된 것으로서 서로에 대해 실질적으로 수직하지 않은 편광 상태들의 믹스가 조명시스템의 수명을 제한하고 있다는 것이 밝혀져 왔다.
따라서, 본 발명은, 제1방향으로 편광되거나 또는 제1방향 및 상기 제1방향에 대해 실질적으로 수직한 제2방향으로 편광되는, 선형으로 편광되는 방사선을 형성하는 방법과 관련되어 있다. 마지막 유형의 방사선은, 이미 상술된 바와 같이 일반적으로 XY 편광 방사선이라 언급될 수 있다. 특히, 본 발명은 제1 및 제2방향으로 편광되는 방사선을 이용하는 환형 조명 모드에 관한 것이다. 편광의 제1방향은 스캐닝 방향과 평행하거나 그에 대해 수직할 수 있다. 이 적용례에서, 제1방향은 X-방향이라 언급되고, 제2방향은 Y-방향이라 언급된다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 제1 및 제2방향으로의 방사선을 이용하는 환형 조명이 형성되며, 상기 제1 및 제2방향은 서로에 대해 실질적으로 수직하다. 편광 방사선의 제1방향과 제2방향간의 비는 1:1이다. 방사선의 95%이상은 제1 및 제2방향으로 편광된다.
도 3a는 본 발명에 따른 장치의 콘덴서(CO)의 2개의 이분-파장 플레이트(즉, 로테이터)를 도시하고 있다. 도 3b는 조정기구(AD)의 2개의 이분-파장 플레이트(즉, 로테이터)를 도시하고 있다. 도 3c은 인티그레이터(IN)의 2개의 이분-파장 플레이트를 나타내고 있다.
도 4는 높은 개구수(NA)를 가지면 상당히 큰 묘화 편광 효과를 갖는다는 것을 나타내는 편광 효과를 도시하고 있다. 도 4는, TE(transverse electric) 편광에 대해서는 개구수(NA)가 증가하여도 이미지 콘트라스트가 감소되지 않는다는 것을 나타내고 있다. 하지만, 도 4는 비편광 및 TM(transverse magnetic) 편광에 대해서는, 개구수(NA)가 증가하면 이미지 콘트라스트가 저감된다는 것을 나타내고 있다. 따라서, 도 4는 TE 편광을 사용하는 경우 이미지 콘트라스트의 향상 및 MEF(mask error factor)의 향상이 있을 수 있다는 것을 나타내고 있다.
도 5는 감쇠 위상 시프트 마스크(att-PSM)를 사용하는 본 발명의 일 실시예에 따른 이중극 조명 모드에 대한 퓨필 이미지를 나타내고 있다.
도 6은 비편광 광과 비교하여 편광 광에 대해 노광 관용도(EL)가 더 높다는 것을 나타내고 있다. 편광 광 및 비편광 광 둘 모두에 대하여, 도 5의 이중극이 사용되며, 편광 방향은 도 5의 Y방향과 평행하게 선택된다.
도 7a 및 7b는 편광 광의 내용을 예시한 일반적인 표현들이다. 편광 광의 질은 2개의 값을 이용하여 정의될 수 있다. 먼저, 편광되는 광의 프랙션을 기술하는 편광 광을 정량화(quantify)하는데 편광 정도(DOP)가 사용될 수 있다. 두번째로, 정확한 방향으로의 편광 광의 프랙션과 관련된 편광 퓨리티(PP)가 사용될 수 있다.
도 8은 상이한 편광 정도(DOP) 및 편광 퓨리티(PP)를 갖는 상이한 편광 상황 들에 대한 테이블을 나타내고 있다. 이 테이블에서, 편광 정도(DOP) 및 편광 퓨리티(PP)는 원하는 편광 상태(IPS)의 세기를 형성하기 위해 조합된다. 상기 IPS는 선택된 편광 방향의 세기를 측정한다.
도 9는 편광된 방사선을 사용하는 상이한 일루미네이터 재료에 대한 수년에 걸친 복굴절성 대 수명의 그래프를 나타낸다. 상기 도는 상이한 재료 등급들의 함수로서 상이한 퓨즈 실리카 열화(즉, 복굴절성 버닝(burn in))를 나타내고 있다.
도 10은 X-편광 광에 의한 복굴절성의 번을 나타내고 있다.
도 11은 IPS의 변화가 노광 관용도에 어떠한 충격을 주는지를 나타내고 있다. 완전한(perfact) 편광(IPS 변화 = 0)에 대하여, 편광을 사용함으로써 EL의 특정한 이득이 존재한다. 이미지 필드에 걸쳐 IPS 변화가 존재하는 경우, 피처를 노광하는데에는 필드 포인트 당 상이한 절대 에너지가 필요하다. 이는, 변화 없이, 최대 이득 보다 작은 모든 필트 포인트들의 오버래핑 노광 윈도우를 가져온다.
도 12는 통상적인 것, 이중극, 사중극, 환형 및 비대칭형과 같은 본 발명에 따른 상이한 조명 모드들을 나타내고 있다. 통상적인 조명 모드는 제1방향, 즉 X-방향 또는 상기 제1방향에 대해 수직한 제2방향, 즉 Y-방향으로 지향되는 선형 편광을 가진다. 이중극 조명 모드는 X-방향으로의 축선상에 배치되는 2개의 조명 극들을 가지므로, 조명 극들의 선형 편광의 방향은 Y-방향과 평행하다. 다른 이중극 모드는 Y-방향으로의 축선상에 배치되는 2개의 조명 극들을 가지므로, 조명 극들의 선형 편광의 방향은 X-방향과 평행하다. C-Quad는 정방형으로 구성된 4개의 조명 극들을 가지므로, 2개의 대향하는 극들을 통한 축선은 X- 또는 Y-방향과 평행하고, X-방향과 평행한 축선상의 두 극 조명의 선형 편광 방향은 Y-방향과 팽행하게 지향되고, Y-방향과 평행한 축선상의 두 극 조명의 선형 편광 방향은 X-방향과 평행하게 지향된다. 또한, 도 12는 사중극 조명 모드를 나타내고 있는데, 2개의 대향되는 극들을 통한 축선은, X- 또는 Y-방향과 45°각도를 이루며, 상기 극들의 조명의 선형 편광은 X-방향과 평행하거나 Y-방향과 평행하다. 4중극 조명에 대한 2가지 상이한 구조가 도시되어 있는데, 그 중 한 구조는 X 편광된 구조이고 다른 하나는 Y 편광된 구조이다. 또한, 도 12는 환형 조명 모드를 나타내고 있는데, 링은 4개의 부분으로 나뉘어지며, 2개의 대향되는 부분들의 죄명의 선형 편광 방향은 X- 또는 Y-방향과 평행하고, 두 인접한 부분들의 선형 편광 방향은 상호 수직하다. 또한, 도 12는 X-방향과 평행한 선형 편광 방향을 갖는 반-환형 부분 및 Y-방향과 평행한 축선상의 두 극들을 포함하는 불규칙 조명 모드의 예시를 나타내고 있으며, 상기 두 극들의 조명의 편광 방향은 Y-방향과 평행하다.
도 13은 여타 가능한 조명 모드들을 나타내고 있다. C-Quad, QuasarTM 및 주문형(custom) 조명 모드가 도시되어 있다.
도 14는 본 발명에 따른 XY 편광(즉, 방사선이 제1방향 및 상기 제1방향과 실질적으로 수직한 제2방향으로 편광됨)으로 조사되는 일루미네이터 재료(A 및 B)에 대한 편광 수명 효과 및 스캐닝 방향에 대해 45°의 각도를 이루는 편광 방향을 갖는 편광 광에 의한 통상적인 조명에 대한 수명 효과를 나타내고 있다. 도 14는 XY 편광을 사용하면, 일루미네이터 재료 효율성의 퓨리티 손실이 현격히 저감됨을 보여주는데, 즉 조명시스템의 수명이 증가된다는 것을 나타낸다. 최악의 경우인 45°편광에 대한 편광 퓨리티의 손실에 대해 두 상이한 실리카 타입(A 및 B)이 도시되어 있다. 45°편광을 사용하는 경우와 비교하여, XY 편광을 사용하는 경우에 조명시스템의 수명에 있어 5배가 향상된다. 45°편광을 사용하는 경우, 조명시스템은 대략 20X109 샷(즉, 20G 샷)보다 작은 수명을 가지고, XY 편광을 사용하는 경우, 조명시스템은 대략 35X109 샷(즉, 35G 샷)보다 큰, 바람직하게는 대략 100X109 샷(즉, 100G 샷)보다 큰 수명을 갖는다. 예를 들어, 도 14의 재료(B)는 매우 낮게 유도된 복굴절성 레벨로 포화되는 것으로 나타나 있다. 도 14에 나타낸 데이터는 재료 개선의 진보, 시뮬레이션 조건의 변화로 인해 바뀔 수 있으며, 따라서 단지 교육적이고 예시적인 의미에 지나지 않는다는 것에 유의해야 한다.
도 15는 리소그래피 장치의 추가 실시예를 나타내고 있다. 리소그래피 장치(LA)는 방사선 소스(SO), 광학 활성 요소, 예를 들어 이분-파장 플레이트(HWP1A, HWP1B), 조명시스템(IL) 및 추가 광학 활성 요소를 포함한다. 작동에 있어, 방사선 소스(SO)는 조명시스템(IL)에 방사선 빔을 방출하여, 방사선 빔의 제1부분은 이분-파장 플레이트(HWP1A)를 통해 투과되고, 방사선 빔의 제2부분은 이분-파장 플레이트(HWP1B)를 통해 투과됨으로써 XY 편광을 갖는 방사선 빔을 생성시킨다.
조명시스템(IL)은 방사선 빔의 단면 및 세기 분포를 최적화하고, 추가 광학 요소, 예를 들어 이분-파장 플레이트(HWP2A, HWP2B)를 통해 투영시스템(PS)으로 방사선 빔을 투과시킨다. 이분-파장 플레이트(HWP2A)는 빔 제1부분의 편광 방향을 상 이한 방향으로 변화시키고, 이분-파장 플레이트(HWP2B)는 빔 제2부분의 편광 방향을 또 다른 상이한 방향으로 변화시킨다. 이분-파장 플레이트(HWP2A, HWP2B)를 사용하면, 빔의 제1부분 및 제2부분의 편광 방향은, 비-수직방향 및 비-수평방향 패턴들에 대한 노광 관용도는 최적화시키는 한편, 일루미네이터 수명을 최대화시키기 위해 일루미네이터의 편광은 바꾸지 않고 남겨두도록 설정될 수 있다. 이분-파장 플레이트(HWP2A, HWP2B) 대신에, 조명시스템(IS)과 투영시스템(PS) 사이의 추가 광학 요소를 위해 사분-파장 플레이트가 사용될 수 있다. 이 실시예에서, 사분-파장 플레이트는 방사선 빔의 제1부분 및 제2부분의 선형 편광을, 각각 좌회전성(levorotary) 및 우회전성(dextrorotary) 방향을 갖는 원현 편광으로 변화시킨다. 나아가, 광학 활성 요소는 감극제(depolarizer)일 수 있다.
요약하자면, 본 발명은 묘화 특성, 예를 들어 노광 관용도를 향상시키기 위해 편광된 광을 이용하는 한편, 리소그래피 장치의 조명시스템의 수명을 유지 및 연장시키는 것과 관련되어 있다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서 리소그래피장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 상기 리소그래피장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드의 제조와 같이 여타의 응용례를 가짐을 이해하여야 한다. 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해해야 한다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판처리툴과 여타의 기판처리툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 여러번 처리된 층들을 이미 포함한 기판을 칭할 수 있다.
광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 사용례에 대해 언급하였으나, 본 발명은, 여타 응용례, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수도 있으며, 가능할 경우 광학 리소그래피만으로 제한되는 것은 아니라는 점을 이해해야 한다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝장치의 토포그래피(topography)는 기판상에 생성되는 패턴을 한정한다. 패터닝장치의 토포그래피는 기판으로 공급되는 레지스트의 층내로 가압될 수도 있으며, 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그들의 조합을 가함으로써 레지스트가 교정(cure)된다. 패터닝장치는 레지스트가 교정된 후에 그것내에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는, (예를 들어, 파장이 대략 365, 355, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외(UV)선, (예를 들어, 파장이 5-20nm 범위내에 있는) 극자외(EUV)선 및 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선을 포괄한다.
본 명세서에서 사용되는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 하나 또는 조합을 지칭할 수도 있다.
본 발명의 특정 실시예들에 대해 상술하였으나, 본 발명은 설명된 것과는 달리 실행될 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 본 발명은, 상술된 바와 같은 방법을 설명하는 기계-판독가능 명령어들의 1이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램이나, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 내부에 저장되는 데이터 저장매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
상기 설명은 예시를 위한 것으로 제한의 의도는 없다. 따라서, 당업자라면 이어지는 청구항의 범위를 벗어나지 않는 선에서, 설명된 바와 같은 본 발명에 대한 수정이 가해질 수도 있다는 것을 이해할 것이다.
본 발명에 따르면, 편광된 광을 이용하여 묘화 특성, 예를 들어 노광 관용도를 향상시킬 수 있고, 리소그래피 장치의 조명시스템의 수명을 유지 및 연장시킬 수 있다.

Claims (30)

  1. 리소그래피 장치에 있어서,
    방사선 빔을 콘디셔닝하도록 구성된 조명시스템;
    상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사선 빔을 형성시키도록 이루어진 패터닝장치를 지지할 수 있게 구성된 지지부;
    기판을 잡아주도록 구성된 기판테이블; 및
    상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하는 투영시스템을 포함하며,
    상기 리소그래피 장치는 방사선 소스와 상기 조명시스템 사이에 배치되는 광학 활성 요소를 포함하고, 상기 광학 활성 요소는 선택적으로 상기 방사선 빔의 제1부분에 제1방향으로의 선형 편광을 제공하거나, 또는 상기 방사선 빔의 제1부분에 제1방향으로의 선형 편광을 제공하고 상기 방사선 빔의 제2부분에 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로의 선형 편광을 제공하도록 구성되고,
    상기 리소그래피 장치에는 상기 조명시스템과 상기 투영시스템 사이에 배치되는 추가 광학 활성 요소가 제공되고, 상기 추가 광학 활성 요소는 상기 방사선 빔의 제1부분으로부터의 편광 상태를, 상기 광학 활성 요소로 들어가기 이전의 상기 방사선 빔의 편광 상태와는 상이한 편광 상태로 변화시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판테이블은 상기 패터닝장치에 대해 스캐닝 방향으로 이동가능하고, 상기 편광의 제1방향은 상기 스캐닝 방향에 대해 수직하거나 평행한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    조명 모드는 다중 극들을 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 조명시스템은, 렌즈 퓨필내에 회절되는 방사선의 양을 최대화시키기 위해서 구성되고, 횡단 전기 편광(transverse electric polarization)의 함량을 최대화시키기 위해서 극마다 상기 제1 또는 제2방향으로 편광되는 방사선의 선택권을 가진 다중 극들을 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 조명 시스템은 분할된(segmented) 점대칭 조명 모드들 및/또는 비대칭 조명 모드들을 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 조명시스템은 통상적인 것, 이중극, 비대칭, 사중극, 육중극 및 환형을 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 광학 활성 요소는 2개의 이분-파장 플레이트들을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 방사선 빔의 95% 이상은 상기 제1방향 또는 제2방향 중 어느 하나로 편광되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  10. 삭제
  11. 제10항에 있어서,
    상기 추가 광학 활성 요소는 이분-파장 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 추가 광학 활성 요소는 사분-파장 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 추가 광학 활성 요소는 감광제(depolarizer)를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 이분-파장 플레이트는 실질적으로 삼각 형상인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  15. 제8항에 있어서,
    상기 2개의 이분-파장 플레이트들은 상기 리소그래피 장치의 콘덴서, 조정기구 또는 인티그레이터에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  16. 제8항에 있어서,
    상기 2개의 이분-파장 플레이트들은 둘 모두 상기 리소그래피 장치의 콘덴서에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  17. 제8항에 있어서,
    상기 2개의 이분-파장 플레이트들은 둘 모두 상기 리소그래피 장치의 조정 기구에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  18. 제8항에 있어서,
    상기 2개의 이분-파장 플레이트들은 둘 모두 상기 리소그래피 장치의 인티그레이터에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  19. 제8항에 있어서,
    상기 2개의 이분-파장 플레이트들은 상기 리소그래피 장치의 콘덴서의 퓨필 평면이나 그 부근에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  20. 제8항에 있어서,
    상기 2개의 이분-파장 플레이트들은 상기 리소그래피 장치의 조정기구의 퓨필 평면이나 그 부근에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  21. 제8항에 있어서,
    상기 2개의 이분-파장 플레이트들은 상기 리소그래피 장치의 인티그레이터의 퓨필 평면이나 그 부근에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  22. 제8항에 있어서,
    상기 2개의 이분-파장 플레이트들은 쿼츠 실리카(quartz silica)로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  23. 제1항에 있어서,
    상기 조명시스템의 수명은 대략 3X109 샷 이상인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  24. 제1항에 있어서,
    상기 투영시스템은 대략 1.0보다 큰 개구수를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  25. 제1항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치의 적어도 일부는 침지 유체에 침지되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 침지 유체는 물인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  27. 광학 활성 요소를 포함하는 리소그래피 장치에 있어서,
    상기 광학 활성 요소는 방사선 소스와 조명시스템 사이에 배치되어, 선택적으로 방사선 빔의 제1부분에 제1방향으로의 선형 편광을 제공하거나, 또는 상기 방사선 빔의 제1부분에 상기 제1방향으로의 선형 편광을 제공하고 상기 방사선 빔의 제2부분에 상기 제1방향에 실질적으로 수직한 제2방향으로의 선형 편광을 제공하도록 구성되고,
    상기 리소그래피 장치에는 상기 조명시스템과 투영시스템 사이에 배치되는 추가 광학 활성 요소가 제공되고, 상기 추가 광학 활성 요소는 상기 방사선 빔의 제1부분으로부터의 편광 상태를, 상기 광학 활성 요소로 들어가기 이전의 상기 방사선 빔의 편광 상태와는 상이한 편광 상태로 변화시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  28. 디바이스 제조방법에 있어서,
    방사선 소스와 조명시스템 사이에 배치된 광학 활성 요소에 의해서, 선택적으로 방사선 빔의 제1부분에 제1방향으로의 선형 편광을 제공하는 단계, 또는 방사선 빔의 제1부분에 제1방향으로의 선형 편광을 제공하고 상기 방사선 빔의 제2부분에 상기 제1방향과 실질적으로 수직한 제2방향으로의 선형 편광을 제공하는 단계;
    상기 방사선 빔에 패턴을 부여하는 단계; 및
    상기 패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟부상으로 투영하는 단계를 포함하여 이루어지며,
    상기 조명시스템과 투영시스템 사이에 배치되는 추가 광학 활성 요소에 의해서, 상기 방사선 빔의 제1부분으로부터의 편광 상태를, 상기 광학 활성 요소로 들어가기 이전의 상기 방사선 빔의 편광 상태와는 상이한 편광 상태로 변화시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 삭제
  30. 삭제
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