JPH0337248B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、表示用電極の形成方法に関する。

一般に、表示セルには表示を制御するための表
示用電極が設けられている。例えば、ドツト表示
を行なう液晶表示セルにあつては、液晶を介して
対向配置される一対のガラス基板１，２のうち一
方のガラス基板１の内面には、第１図ａに示すよ
うに横方向に延びる帯状電極３が透明な導電材で
形成され、また他方のガラス基板２の内面には第
１図ｂに示すように縦方向に共通接続された複数
のドツト電極４が透明な導電材で形成されてい
る。そして、このドツト電極４を有するガラス基
板２にあつては、電気的導通性を向上させるた
め、第２図に示すように、ドツト電極４及びその
リード４ａ上にクロム（Cr）、ニツケル（Ni）等
の金属からなる金属リード５を形成している。

然るに、このように金属リード５を有する表示
用電極を形成する場合、従来においては、ガラス
基板２な表面に酸化インジウム（In₂O₃）等の透
明用導電膜を形成し、この透明導電膜上にクロ
ム、ニツケル等の金属膜を蒸着形成し、更にこの
金属膜上にフオトレジスト膜を塗布形成し、この
後、フオトレジスト膜をリードパターンに対応し
て露光し、現像により上記リード部に対応しない
箇所のフオトレジスト膜を除去し、この除去した
部分に対応する金属膜のみをエツチングにより除
去することにより、まず、金属膜からなる金属リ
ード５を形成し、この後再び、金属リード５及び
透明導電膜上にフオトレジスト膜を塗布形成し、
電極パターンに対応させて露光し、現像により電
極パターンに対応しない不要部分のフオトレジス
ト膜を除去し、エツチングにより更に透明導電膜
の不要部分を除去することにより、パターン電極
及び金属リード５を形成していた。

しかしながら、ドツト表示パターンが微細な電
極を形成する場合、塵や埃等によりドツト電極４
とリード４ａとの間の微細な部分（絶縁部）にエ
ツチング不良を起し、その間が短絡する危険性が
極めて高かつた。

そこで、この短絡部分を除去する手段として、
レーザ光線でカツトすることも考えられるが、こ
のためには特殊な装置が必要となり、しかも高価
なものとなり、また短絡部分を捜し見つける作業
には多大な労力を必要とする。

この発明は、上述の事情を背景になされたもの
で、その目的とするところは、特殊な装置を必要
とせず、短絡部分を容易かつ確実に除去するよう
にした表示用電極の形成方法を提供することにあ
る。

以下、この発明に係る表示用電極形成方法を第
３図を参照して説明する。まず、第３図イに示す
ように、透明ガラス基板１０の表面に透明な金属
性導電膜１１を形成し、この導電膜１１上に不透
明な金属膜１２を形成し、更にこの金属膜１２を
洗浄してその上にフオトレジスト膜１３を塗布形
成する。

そして、フオトレジスト膜１３を表示用電極及
びそのリードのパターンに対応させて露光し、現
像によりフオトレジスト膜１３の不要部分（電極
パターンに対応しない部分）を除去する。第３図
ロはこの状態を示したもので、このとき、フオト
レジスト膜１３がネガタイプのものである場合に
は、未露光部のフオトレジストが除去され、また
ポジタイプのものである場合には、露光部のフオ
トレジストが除去される。

このようにして不要部分のフオトレジスト膜１
３を除去した後は、フオトレジスト膜１３を硬化
し、エツチング液によるエツチングで、フオトレ
ジスト膜１３が取り除かれた箇所の金属膜１２及
び導電膜１１を除去する。第３図ハはこの状態を
示したもので、金属膜１２及び導電膜１１は電極
パターンに応じた個所が残るようになる。

その後、残留するフオトレジスト膜１３を第３
図ニに示すように剥離し洗浄する。この場合、第
３図ニは導電膜１１間の絶縁部Ａ、Ｂに短絡を生
じなかつた場合を示したが、この絶縁部Ａ、Ｂが
微細であると、塵や埃等によるエツチング不良を
起し、短絡することがある。したがつて、その後
再び第３図ホに示すように、基板１０の表面に金
属膜１２の上からフオトレジスト膜１４を形成す
る。第３図ホは短絡部Ｃが形成された状態を示
し、この場合、フオトレジスト膜１４が形成され
た後に、基板１０の裏面側（矢印方向）からその
全面を露光する。これによつて、フオトレジスト
膜１４は透明な基板１０及び導電膜１１を介して
露光されるが、金属膜１２に対応する部分は光が
透過しないので、露光されず、未露光部となる。
このため、フオトレジスト膜１４がポジタイプの
ものであれば、現像により露光部が除去され、第
３図ヘに示すようになる。

このようにして基板１０の裏面側から露光を行
つて現像すると、フオトレジスト膜１４は金属膜
１２が露光用のマスクとなるので、そのパターン
に応じて除去される。その後、第３図トに示すよ
うに導電膜１１をエツチングすると、短絡部Ｃが
除去される。続いて、残留するフオトレジスト膜
１４を第３図チに示すように剥離し洗浄すると、
短絡部分のない透明電極１５が形成される。

第３図リ〜ヲは、金属リードの製造過程を示し
ている。すなわち、金属膜１２の上から基板１０
の表面に再びフオトレジスト膜１６を形成し、そ
してこのフオトレジスト膜１６をリードパターン
に対応させて露光し、現像により第３図ヌに示す
ようにフオトレジスト膜１６の不要部分（リード
パターンに対応しない部分）を除去する。この
後、エツチング液にてエツチングし、フオトレジ
スト膜１６が取り除かれた箇所の金属膜１２のみ
を除去する。この後、フオトレジスト膜１６を剥
離し洗浄すると、第３図タに示すように透明電極
１５上のリード部に金属膜１２の金属リード１７
が形成される。

なお、この発明は、上記実施例に限定されず、
この発明を逸脱しない範囲内において、種々変形
応用可能である。

以上、説明したようにこの発明に係る表示用電
極の形成方法によれば、２度パターニングを行う
ようにしたので、１度目のパターニングで短絡し
た部分が２度目のパターニングで除去されるよう
になり、この結果、透明電極１５が精度良く形成
される。したがつて、短絡部分を捜し見つける面
倒なチエツク作業が不要となり、また特殊な装置
も必要としないので、容易かつ安価な方法で短絡
部分を除去することができる。また、２度目のパ
ターニングは、基板の表面に金属膜の上からレジ
スト膜を形成して基板の裏面側から露光するよう
にしたから、金属膜が露光用のマスクとなつてマ
スク合せが不要となり、この結果、より一層容易
かつ安価なものとなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は液晶セルを示し、第１図ａはその帯状
電極の平面図、第１図ｂはドツト電極の平面図、
第２図は第１図ａ，ｂの要部断面図、第３図イ〜
ヲはこの発明に係る表示用電極の形成方法におけ
る製造過程図である。 １０……基板、１１……導電膜、１２……金属
膜、１３，１４，１６……フオトレジスト膜、１
５……透明電極、１７……金属リード。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 透明基板の表面に透明な導電膜を形成する導
   電膜成形工程と、この導電膜上に不透明な金属膜
   を形成する金属膜成形工程と、この金属膜上にレ
   ジスト膜を塗布形成する第１のレジスト膜成形工
   程と、このレジスト膜を電極パターンに対応させ
   て露光したのち不要部分のレジスト膜を除去する
   第１の露光・現像工程と、この後に金属膜及び導
   電膜をエツチングし電極パターンに対応しない不
   要部分の金属膜及び導電膜を除去する第１のエツ
   チング工程と、この後に残留するレジスト膜を剥
   離する第１の剥離工程と、その後再びレジスト膜
   を金属膜の上から塗布形成する第２のレジスト膜
   成形工程と、この後に透明基板の裏面側からその
   全体を露光したのち不要部分のレジスト膜を除去
   する第２の露光・現像工程と、この後に導電膜を
   エツチングし金属膜パターンに対応しない不要部
   分の導電膜を除去する第２のエツチング工程と、
   この後に残留するレジスト膜を剥離する第２の剥
   離工程と、その後に再びレジスト膜を金属膜上か
   ら塗布形成する第３のレジスト膜成形工程と、こ
   のレジスト膜をリードパターンに対応させて露光
   したのち不要部分のレジスト膜を除去する第３の
   露光・現像工程と、この後に金属膜をエツチング
   しリードパターンに対応しない不要部分の金属膜
   を除去する第３のエツチング工程とを有する表示
   用電極の形成方法。