JPS5814568A - 薄膜トランジスタマトリツクスアレイの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタマトリツクスアレイの製造方法Info
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- JPS5814568A JPS5814568A JP56111892A JP11189281A JPS5814568A JP S5814568 A JPS5814568 A JP S5814568A JP 56111892 A JP56111892 A JP 56111892A JP 11189281 A JP11189281 A JP 11189281A JP S5814568 A JPS5814568 A JP S5814568A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は大屋ディスプレイパネルの駆!IIIK用いら
れるガラス基板上に形成する薄膜トランジスタマトリッ
クスアレイの製造方法に係る。
れるガラス基板上に形成する薄膜トランジスタマトリッ
クスアレイの製造方法に係る。
ディスプレイパネルの駆動に用いられる薄膜トランジス
タマトリックスプレイ(以下TPTマトリックスアレイ
と称する)は個々の素子Kfl1号を与えるゲートパス
、動作層となる絶縁物層/#P4体層−1個々の素子に
電源を供給するソースパス、およびドレイン電極等から
構成されているが、個々の素子分離のためゲートパスお
よびソースパス間に絶縁材よりなる眉間絶縁層が設けら
れている。
タマトリックスプレイ(以下TPTマトリックスアレイ
と称する)は個々の素子Kfl1号を与えるゲートパス
、動作層となる絶縁物層/#P4体層−1個々の素子に
電源を供給するソースパス、およびドレイン電極等から
構成されているが、個々の素子分離のためゲートパスお
よびソースパス間に絶縁材よりなる眉間絶縁層が設けら
れている。
tたソースパス、ゲートパス、ドレイン等の電極類は、
上部からそれが見えないことがiit t、<金属酸化
物等の透明導電膜よ口なっている。
上部からそれが見えないことがiit t、<金属酸化
物等の透明導電膜よ口なっている。
従来、この眉間絶縁層は、光感レジスト、真空蒸着法に
よるリフトオフ法を用いて形成されて^たが、この方法
によるとレジストを露光する−の位置合わせのづnK(
シナでに形成されている絶縁体/#P導体部とに間隙あ
るーは段差が生じるためtそれらの上に形成する電極と
下部ゲートパスとのシ冒−トならびにそれ1体の断−1
高低抵抗が生じ歩留を大きく悪化させてV%た・第1図
に従来の薄属トランジスメの製造1楊を第1図4−〜(
轟)に示す。
よるリフトオフ法を用いて形成されて^たが、この方法
によるとレジストを露光する−の位置合わせのづnK(
シナでに形成されている絶縁体/#P導体部とに間隙あ
るーは段差が生じるためtそれらの上に形成する電極と
下部ゲートパスとのシ冒−トならびにそれ1体の断−1
高低抵抗が生じ歩留を大きく悪化させてV%た・第1図
に従来の薄属トランジスメの製造1楊を第1図4−〜(
轟)に示す。
ガラス基板l上に透明電極Sを形g後、励作層となるI
l!3klk物層8及び半導層84を一〜幻のように形
成し、次iでld)に示す如くホトエツチングにより絶
縁物ノー8、半導体層4のパター或ングを行う0次いで
11)に示す如く基板よにレジスト層5を形成し、マス
ク6を位置合せ後、光7t−照射し、パターニングする
・しかし、このマスクの位置合せかlりの如く正確に行
われない場合には、(fjのようなパターニングが行な
われる・ 次いで層間絶縁ノー8を(−のように形成後リフトオフ
した場合、(Hに示す如く凹或は凸の欠陥部9が生ずる
ため(轟)のようにその上に形成する電極IQの断朦或
いは下部の透明電極とシ1−ト等が生ずる問題点を有し
ていた。
l!3klk物層8及び半導層84を一〜幻のように形
成し、次iでld)に示す如くホトエツチングにより絶
縁物ノー8、半導体層4のパター或ングを行う0次いで
11)に示す如く基板よにレジスト層5を形成し、マス
ク6を位置合せ後、光7t−照射し、パターニングする
・しかし、このマスクの位置合せかlりの如く正確に行
われない場合には、(fjのようなパターニングが行な
われる・ 次いで層間絶縁ノー8を(−のように形成後リフトオフ
した場合、(Hに示す如く凹或は凸の欠陥部9が生ずる
ため(轟)のようにその上に形成する電極IQの断朦或
いは下部の透明電極とシ1−ト等が生ずる問題点を有し
ていた。
本発明は上述の点に鑑みなさnたもので、すでに形成さ
れて−る絶縁体/半導体のパターンを用iることにより
、この間隙あるいは段差を無くし配線電極とゲートパス
とめシ1−トならびに断−1高抵抗化を防止したTPT
マトリックスアレイの製造法を提供することにある。
れて−る絶縁体/半導体のパターンを用iることにより
、この間隙あるいは段差を無くし配線電極とゲートパス
とめシ1−トならびに断−1高抵抗化を防止したTPT
マトリックスアレイの製造法を提供することにある。
透明基板上に透明電極を形成する工程、該jIii破上
に絶縁体層及び半導体層を形成した後フォトエツチング
で動作層を残してパターニングする工程、該基板上にレ
ジスト層を形成し、基板層rMIlilより光も照射し
g元後現潅して該半導体層上にレジスト層を残す工程、
ajii板上に層間絶縁層を形bJt後リフトオフする
工程、該基板に上部電極を形成する工程を有することt
−特徴とする薄膜トランジスタマトリックスアレイの製
造方法により2!成さnる・ 即ち、本発明は、薄膜トランジスタに用−られる半導体
薄膜の多くが、フォトレジストが感光する紫外縁を透過
させな―ことを利用して、すて1C形成され7tJl1
1作層となるパターニングさfした絶縁体/半導体部の
裏面からレジストを露光することによりて層間絶縁層を
形成する部分との位置ずれを無くすようにし九4のであ
る。
に絶縁体層及び半導体層を形成した後フォトエツチング
で動作層を残してパターニングする工程、該基板上にレ
ジスト層を形成し、基板層rMIlilより光も照射し
g元後現潅して該半導体層上にレジスト層を残す工程、
ajii板上に層間絶縁層を形bJt後リフトオフする
工程、該基板に上部電極を形成する工程を有することt
−特徴とする薄膜トランジスタマトリックスアレイの製
造方法により2!成さnる・ 即ち、本発明は、薄膜トランジスタに用−られる半導体
薄膜の多くが、フォトレジストが感光する紫外縁を透過
させな―ことを利用して、すて1C形成され7tJl1
1作層となるパターニングさfした絶縁体/半導体部の
裏面からレジストを露光することによりて層間絶縁層を
形成する部分との位置ずれを無くすようにし九4のであ
る。
以下本発明を図を参照して説明する。
第S図(a)〜(ilは本発明の薄膜トランジスタマト
リックスアレイの製造方fRt−示す図でToす、麟1
図と異なるのは#IS図(・I工程で動作層8.4をパ
ターニングした基板上にレジスト層5形成後、基板lの
裏rfJ11から光を畔射し、基板上の半導体層4をマ
スクにし、シストの露光を行うものである。
リックスアレイの製造方fRt−示す図でToす、麟1
図と異なるのは#IS図(・I工程で動作層8.4をパ
ターニングした基板上にレジスト層5形成後、基板lの
裏rfJ11から光を畔射し、基板上の半導体層4をマ
スクにし、シストの露光を行うものである。
従ってマスク位置合せを行うことなくセルファラインで
精度良く素子分離絶縁層を形成できるもの図である。
精度良く素子分離絶縁層を形成できるもの図である。
図において、Sはゲートバー、10はンースバ7.11
はドレイン、8は絶縁体、4は半導体層、8#i層間絶
縁層、lはガラス基板、7は紫外光である。
はドレイン、8は絶縁体、4は半導体層、8#i層間絶
縁層、lはガラス基板、7は紫外光である。
本発明を従来技術の相違を図2に示した工程の一例をも
って説明する。
って説明する。
従来のもやではレジスト塗布後の位置合わせのずれによ
り図IK示し九4と5の間に間隙るるいは段差1生ゝ・
そ1ら0上−成する3と1?間のシ曹−トあるいは8自
体の断l11i1び高抵抗化が生じ歩留を大きく悪化さ
せていた〇 本発明ではレジスト塗布後、ガラス基板1の裏面から紫
外光7を照射することにより、絶縁体/牛導体層以外の
部分は全てg元させる。
り図IK示し九4と5の間に間隙るるいは段差1生ゝ・
そ1ら0上−成する3と1?間のシ曹−トあるいは8自
体の断l11i1び高抵抗化が生じ歩留を大きく悪化さ
せていた〇 本発明ではレジスト塗布後、ガラス基板1の裏面から紫
外光7を照射することにより、絶縁体/牛導体層以外の
部分は全てg元させる。
次にこれらの上に層間絶縁層8を絶縁物ノー8と半導体
層4と同一の膜厚まで形成しリフトオフする。
層4と同一の膜厚まで形成しリフトオフする。
こうすることにより、動作層8.4と層間絶縁層80間
には関■Toるいは段差は無(なり、その結果としてこ
の後に形成する電fiiloと透明電億爲のシ■−トあ
るvhIfi電極10自体の断巌、尚批抗は無くなり歩
留は大幅に上昇した・ その後、不要な層間絶縁層のエツチングパターンを形成
し、2エツチングすることてここの工程を終わる。
には関■Toるいは段差は無(なり、その結果としてこ
の後に形成する電fiiloと透明電億爲のシ■−トあ
るvhIfi電極10自体の断巌、尚批抗は無くなり歩
留は大幅に上昇した・ その後、不要な層間絶縁層のエツチングパターンを形成
し、2エツチングすることてここの工程を終わる。
半導体層としてはα−8j * Od8* * O40
尋を利用できる。
尋を利用できる。
以上のよ・うに液晶、エレクトロクロミック材等1fj
tnた大型ディスプレイの駆動に用匹る(ガラス基板上
に形成する)、、薄膜トランジスタマトリックスアレイ
におiて層間I8嫌層をm絽素子との位置ずれを無くシ
、透明配層電極間の71−ト断−を防止する すでに形
成された機*l!素子をパターンとすることを特徴とす
る本発明の薄膜トランジスタマトリックスプレイの製造
方法により電極間のシ胃−トならびに電極の断−1高抵
抗化が無くなるので歩留が大幅に改善される。
tnた大型ディスプレイの駆動に用匹る(ガラス基板上
に形成する)、、薄膜トランジスタマトリックスアレイ
におiて層間I8嫌層をm絽素子との位置ずれを無くシ
、透明配層電極間の71−ト断−を防止する すでに形
成された機*l!素子をパターンとすることを特徴とす
る本発明の薄膜トランジスタマトリックスプレイの製造
方法により電極間のシ胃−トならびに電極の断−1高抵
抗化が無くなるので歩留が大幅に改善される。
第1図は従来のT・FT製造工程の断面図、纂−の平−
図と断面図である。 1−・・・・・透明基板、邸・・・・・・透明電極、8
・・・・・・IiA縁体ノー、4・・・・・・半導体層
、5・・・・・・レジスト層、6・・・マスク、7・・
・・・・元、8−−−−−−素子分離絶縁層、9・・・
凹害凸状欠陥、1G・・・・・・電極、 l 1−・・
・・・ドレイン手 1121 茸 1 図 ′4.2 図 z
図と断面図である。 1−・・・・・透明基板、邸・・・・・・透明電極、8
・・・・・・IiA縁体ノー、4・・・・・・半導体層
、5・・・・・・レジスト層、6・・・マスク、7・・
・・・・元、8−−−−−−素子分離絶縁層、9・・・
凹害凸状欠陥、1G・・・・・・電極、 l 1−・・
・・・ドレイン手 1121 茸 1 図 ′4.2 図 z
Claims (1)
- 透明基板上に透明電極を形成する工程、該基板上に絶縁
体層及び半導体層を形成した後フォトエツチングで動作
l9IIを残してバターニングする工程、該基板上にレ
ジスト層を形成し、基板層rIJi11.r:9党を照
射し露光後現像して該半導体層上にレジスト層を残す工
程、該基板上に眉間絶縁層を形成後り7トオフする工程
、該基板に上部電極を形成する工程を有することを%黴
とする薄膜トランジスタマトリックスアレイの製造方法
〇
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56111892A JPS5814568A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 薄膜トランジスタマトリツクスアレイの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56111892A JPS5814568A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 薄膜トランジスタマトリツクスアレイの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5814568A true JPS5814568A (ja) | 1983-01-27 |
Family
ID=14572750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56111892A Pending JPS5814568A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 薄膜トランジスタマトリツクスアレイの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5814568A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6019840U (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-12 | いすゞ自動車株式会社 | 捩り振動防止ダンパ |
JPS6073153A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-25 | カ−ル・フロイデンベルク | ゴム継手 |
JPH02138736A (ja) * | 1987-12-29 | 1990-05-28 | Seikosha Co Ltd | 遮光性薄膜のエッチング方法 |
US4958205A (en) * | 1985-03-29 | 1990-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film transistor array and method of manufacturing the same |
US5166086A (en) * | 1985-03-29 | 1992-11-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film transistor array and method of manufacturing same |
-
1981
- 1981-07-17 JP JP56111892A patent/JPS5814568A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6019840U (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-12 | いすゞ自動車株式会社 | 捩り振動防止ダンパ |
JPH0232907Y2 (ja) * | 1983-07-19 | 1990-09-05 | ||
JPS6073153A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-25 | カ−ル・フロイデンベルク | ゴム継手 |
JPH0315056B2 (ja) * | 1983-09-27 | 1991-02-28 | Freudenberg Carl | |
US4958205A (en) * | 1985-03-29 | 1990-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film transistor array and method of manufacturing the same |
US5137841A (en) * | 1985-03-29 | 1992-08-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a thin film transistor using positive and negative photoresists |
US5166086A (en) * | 1985-03-29 | 1992-11-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film transistor array and method of manufacturing same |
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