JPS61289351A - パタ−ン可変型ホトマスク - Google Patents
パタ−ン可変型ホトマスクInfo
- Publication number
- JPS61289351A JPS61289351A JP60131022A JP13102285A JPS61289351A JP S61289351 A JPS61289351 A JP S61289351A JP 60131022 A JP60131022 A JP 60131022A JP 13102285 A JP13102285 A JP 13102285A JP S61289351 A JPS61289351 A JP S61289351A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- mask
- pattern
- electrodes
- transparent electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
液晶表示装置をマｌ−ＩＪソクス状に配列し、外部から
の制御によってパターンを形成し、それをホトマスクま
たはレチクルとして用いることを可能にする。
の制御によってパターンを形成し、それをホトマスクま
たはレチクルとして用いることを可能にする。
本発明はパターン可変型ホトマスク、さらに詳しく言え
ば液晶表示装置にその都度所望のパターンを形成し、か
かる液晶表示装置を従来のホトマスクに代えるものであ
る。
ば液晶表示装置にその都度所望のパターンを形成し、か
かる液晶表示装置を従来のホトマスクに代えるものであ
る。
現在ホトマスクのパターン幅およびパターン間隔は、１
．５〜２．０μｍのオーダーのものであるが、そのよう
なパターン幅を作成するには写真元板を用いるアートワ
ークでレチクルを作り、このレチクルを縮小する技術が
一般的である。
．５〜２．０μｍのオーダーのものであるが、そのよう
なパターン幅を作成するには写真元板を用いるアートワ
ークでレチクルを作り、このレチクルを縮小する技術が
一般的である。
かかる技術を第４図を参照して説明すると、先ず同図に
示される如く、透明プラスチンクフィルム３１の上にパ
ターンが切られた着色フィルム３２を貼り付けて形成さ
れるべきパターンの１００倍の写真元板を作る。なお同
図において、３２ａはパターンを示す。
示される如く、透明プラスチンクフィルム３１の上にパ
ターンが切られた着色フィルム３２を貼り付けて形成さ
れるべきパターンの１００倍の写真元板を作る。なお同
図において、３２ａはパターンを示す。
この写真元板を１回または２回の工程で縮小し、所望の
パターンの１０倍の寸法のパターンをもったレチクルを
作る。このレチクルをｌ／１０に縮小転写して第５図に
模式的に示されるマスク３３に１チップ分のパターン３
４を形成する。例えばウェハの上に塗布された感光樹脂
（ホトレジスト）を感光する場合には、第６図に示され
る如く、ウェハ３５の上にマスク３３を配置し、マスク
の上方から紫外線（ＵＶ光）を照射してマスク３３の上
のパターンをウェハ３５に塗布されたホトレジスト上に
転写する。
パターンの１０倍の寸法のパターンをもったレチクルを
作る。このレチクルをｌ／１０に縮小転写して第５図に
模式的に示されるマスク３３に１チップ分のパターン３
４を形成する。例えばウェハの上に塗布された感光樹脂
（ホトレジスト）を感光する場合には、第６図に示され
る如く、ウェハ３５の上にマスク３３を配置し、マスク
の上方から紫外線（ＵＶ光）を照射してマスク３３の上
のパターンをウェハ３５に塗布されたホトレジスト上に
転写する。
しかる後にホトレジストを現像して得られるパターンを
マスクにして例えばエツチングなどの工程が行われる。
マスクにして例えばエツチングなどの工程が行われる。
マスク３３は第７図の部分的断面図に示される如く、透
明ガラス板３３ａの上にクロムパターン３６が形成され
たものである。
明ガラス板３３ａの上にクロムパターン３６が形成され
たものである。
（発明が解決しようとする問題点）
マスクの製造は上記した如くに工程数を多く必要とする
ものである。ところモ、最近は顧客により多品種少量生
産が求められるようになってきている。すなわち、顧客
はその必要とするそれぞれの品種を比較的少量註文する
傾向にあり、それを短期間に低コストで生産するについ
ては、従来の工程数の多いマスクをその都度形成してい
たのでは、短い納期、低コストの要請に応じることが難
しくなってきている。
ものである。ところモ、最近は顧客により多品種少量生
産が求められるようになってきている。すなわち、顧客
はその必要とするそれぞれの品種を比較的少量註文する
傾向にあり、それを短期間に低コストで生産するについ
ては、従来の工程数の多いマスクをその都度形成してい
たのでは、短い納期、低コストの要請に応じることが難
しくなってきている。
このような傾向に対処すべく、レチクルを用いステップ
アンドリピート（ｓｔｅｐ ａｎｄ ｒｅｐｅａｔ ）
方式で直接ウェハを露光する方法、またはパターンを記
憶したコンピュータを用い電子ビーム（ＥＢ）で直接ウ
ェハを露光する方法などが試みられている。しかし、い
ずれの方法においても装置が大型化し、１枚のウェハ当
りの露光時間が長くかかる問題がある。
アンドリピート（ｓｔｅｐ ａｎｄ ｒｅｐｅａｔ ）
方式で直接ウェハを露光する方法、またはパターンを記
憶したコンピュータを用い電子ビーム（ＥＢ）で直接ウ
ェハを露光する方法などが試みられている。しかし、い
ずれの方法においても装置が大型化し、１枚のウェハ当
りの露光時間が長くかかる問題がある。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、時間
がかからず、装置を大型化することなく、可変パターン
が形成可能なホトマスクを提供することを目的とする。
がかからず、装置を大型化することなく、可変パターン
が形成可能なホトマスクを提供することを目的とする。
第１図は本発明実施例の部分的断面図である。
第１図において、パターン可変型ホトマスク１３は、偏
向板１４の上に順に設けられた透明電極１５、液晶１６
、ストライプ状の透明電極１７から成り、透明電極１５
と１７に電位を与えることによって液晶１６の砂地を付
した部分が光を通したり暗くなったりして画像を作り、
かかる画像はそれは、マスク１３の上方から照射される
光に対してマスクとなって、ウェハ１１の上のホトレジ
スト膜１２に従来のマスクを用いたと同様に転写される
。そして、透明電極１５と１７には図示しない回路によ
って電位が与えられ、所望のパターンがこれら電極によ
って作られるものである。
向板１４の上に順に設けられた透明電極１５、液晶１６
、ストライプ状の透明電極１７から成り、透明電極１５
と１７に電位を与えることによって液晶１６の砂地を付
した部分が光を通したり暗くなったりして画像を作り、
かかる画像はそれは、マスク１３の上方から照射される
光に対してマスクとなって、ウェハ１１の上のホトレジ
スト膜１２に従来のマスクを用いたと同様に転写される
。そして、透明電極１５と１７には図示しない回路によ
って電位が与えられ、所望のパターンがこれら電極によ
って作られるものである。
上記のパターン可変型ホトマスク（以下マスクという）
において、電極１５と１７に電位が与えられると液晶の
結晶の方位が動いて、ストライプ状の電極１７の下の部
分の液晶を暗くして１つの画像を作ることができる。こ
こで、マスクの上方からＵＶ光を照射すると、光に不透
明な部分は液晶の暗くなった部分だけであり、マスク１
３は従来例のマスクと同様の働きをなす。
において、電極１５と１７に電位が与えられると液晶の
結晶の方位が動いて、ストライプ状の電極１７の下の部
分の液晶を暗くして１つの画像を作ることができる。こ
こで、マスクの上方からＵＶ光を照射すると、光に不透
明な部分は液晶の暗くなった部分だけであり、マスク１
３は従来例のマスクと同様の働きをなす。
以下、第１図および第２図を参照して本発明実施例を詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図を参照すると、パターン可変型ホトマスク１３（
以下には液晶マスクと略称する）は、偏向板１４の上に
透明電極１５、液晶１６、透明電極１７によって構成さ
れ、透明電極１５と１７は第２図の平面図に示される如
くストライプ状にＸＹ方向にマトリックス状に配列され
ている。液晶マスク１３はレチクルである場合もある０
例えば、透明電極のパターン幅は１０μ調、パターン間
隔は１μｍに設定する。
以下には液晶マスクと略称する）は、偏向板１４の上に
透明電極１５、液晶１６、透明電極１７によって構成さ
れ、透明電極１５と１７は第２図の平面図に示される如
くストライプ状にＸＹ方向にマトリックス状に配列され
ている。液晶マスク１３はレチクルである場合もある０
例えば、透明電極のパターン幅は１０μ調、パターン間
隔は１μｍに設定する。
そして、電極１５と１７に電位が与えられるとその間の
液晶の結晶方位が動いて図に砂地を付した部分が暗くな
り、それによって第２図に示される如く所望のパターン
画像１８ａ、 １８ｂ、 １８ｃが形成される。
液晶の結晶方位が動いて図に砂地を付した部分が暗くな
り、それによって第２図に示される如く所望のパターン
画像１８ａ、 １８ｂ、 １８ｃが形成される。
偏向板１４、電極１５と１７は透明であるから、液晶マ
スク１３の上方からＵＶ光を照射すると、液晶の暗い部
分だけが光を通さないので、ホトレジスト膜１２は図示
の砂地の部分だけが露光され、液晶マスク１３は従来例
のマスクと同様の機能を果たす、すなわち液晶マスク１
３の画像パターンがホトレジスト膜１２に転写される。
スク１３の上方からＵＶ光を照射すると、液晶の暗い部
分だけが光を通さないので、ホトレジスト膜１２は図示
の砂地の部分だけが露光され、液晶マスク１３は従来例
のマスクと同様の機能を果たす、すなわち液晶マスク１
３の画像パターンがホトレジスト膜１２に転写される。
パターンの形成、すなわち透明電極１５と１７のどの部
分に電位を与えるかは第３図の液晶マスクの駆動回路に
よって決定される。
分に電位を与えるかは第３図の液晶マスクの駆動回路に
よって決定される。
第３図において、１９はメインコントローラ、２０はタ
イミングジェネレータ、２１はＸ軸うインドライバー、
２２はＹ軸うインドライバーを示す。メインコントロー
ラ１９には、クロック信号、表示位置に対応するアドレ
スＯ、、、、、ｎ、パターンデータ、Ｘ方向同期信号（
Ｘｓｙｎｃ） 、Ｙ方向同期信号（Ｙｓｙｎｃ）が入力
され、タイミングジェネレータ２０からの信号、Ｘ−ア
ドレス２３、パターンデータはＸ軸うインドライバー２
１に、タイミングジェネレータ２０からの信号、Ｙ−ア
ドレス２４、パターンデータ２５はＹ軸うインドライバ
ー２２にそれぞれ入力され、露光装置側に設ける回路マ
スク側にはコンタクト電極が設けられており、これがＸ
方向およびＹ方向の表示位置を設定するＸ軸うインドラ
イバー２１とＹ軸うインドライバー２２の電極へそれぞ
れ接続される。
イミングジェネレータ、２１はＸ軸うインドライバー、
２２はＹ軸うインドライバーを示す。メインコントロー
ラ１９には、クロック信号、表示位置に対応するアドレ
スＯ、、、、、ｎ、パターンデータ、Ｘ方向同期信号（
Ｘｓｙｎｃ） 、Ｙ方向同期信号（Ｙｓｙｎｃ）が入力
され、タイミングジェネレータ２０からの信号、Ｘ−ア
ドレス２３、パターンデータはＸ軸うインドライバー２
１に、タイミングジェネレータ２０からの信号、Ｙ−ア
ドレス２４、パターンデータ２５はＹ軸うインドライバ
ー２２にそれぞれ入力され、露光装置側に設ける回路マ
スク側にはコンタクト電極が設けられており、これがＸ
方向およびＹ方向の表示位置を設定するＸ軸うインドラ
イバー２１とＹ軸うインドライバー２２の電極へそれぞ
れ接続される。
そのような回路は、所望のパターンに対応するプログラ
ムによって制御されて所望パターンの画像を提供する。
ムによって制御されて所望パターンの画像を提供する。
そして、かかるプログラムの作成、変更は、従来のマス
ク製造におけるパターンの形成、変更に比べより短い時
間で実施可能であり、さらに、かかるパターンを微細化
、大集積化することによって、集積回路の微細化、大集
積化が可能になる。
ク製造におけるパターンの形成、変更に比べより短い時
間で実施可能であり、さらに、かかるパターンを微細化
、大集積化することによって、集積回路の微細化、大集
積化が可能になる。
マスク１３は、従来例の場合と同様に密着型または投影
（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ）型のいずれの方式でも使用可
能で、さらにはレチクルとしても使用しうる。
（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ）型のいずれの方式でも使用可
能で、さらにはレチクルとしても使用しうる。
以上述べてきたように、本発明によれば、従来より工程
数を少なくし、大型化することなく、所望のパターンを
もったマスクが提供されるので、半導体築積回路製造の
歩留り向上に効果大である。
数を少なくし、大型化することなく、所望のパターンを
もったマスクが提供されるので、半導体築積回路製造の
歩留り向上に効果大である。
第１図は本発明実施例の部分的断面図、第２図は本発明
実施例の平面図、 第３図は液晶マスクの駆動回路のブロック図、第４図は
写真先板の断面図、 第５図は従来のマスクの平面図、 第６図は従来のマスクの使用を示す平面図、第７図は従
来のマスクの部分的断面図である。 第１図と第２図において、 １１はウェハ、 １２はホトレジスト膜、 １３はパターン可変型ホトマスク、 １４は偏向板、 １５と１７は透明電極、 １６は液晶、 １８ａ、 １８ｂ、 １８ｃはパターン画像、１９はメ
インコントローラ、 ２０はタイミングジェネレータ、 ２１はＸ軸うインドライバー、 ２２はＹ軸うインドライバー、 ２３はＸ−アドレス ２４はＹ−アドレス、 ２５はパターンデータである。 藉明賓妃剖都釣ｂａｔ図 第１図 水套ｌｌｌ雫胞伊１轡乎面圀 写ｌ光Ｑａ鉗め園 第４図 柾東のマスク０？面Ｅろ 才Ｌｒ１ｃＡマズグのイ史串εｔ、■子面圀第６図 ４０にめマスグミ４香介１勺新億ｎ幻 第７図 １１呼τシスｆｔ３３ａ
実施例の平面図、 第３図は液晶マスクの駆動回路のブロック図、第４図は
写真先板の断面図、 第５図は従来のマスクの平面図、 第６図は従来のマスクの使用を示す平面図、第７図は従
来のマスクの部分的断面図である。 第１図と第２図において、 １１はウェハ、 １２はホトレジスト膜、 １３はパターン可変型ホトマスク、 １４は偏向板、 １５と１７は透明電極、 １６は液晶、 １８ａ、 １８ｂ、 １８ｃはパターン画像、１９はメ
インコントローラ、 ２０はタイミングジェネレータ、 ２１はＸ軸うインドライバー、 ２２はＹ軸うインドライバー、 ２３はＸ−アドレス ２４はＹ−アドレス、 ２５はパターンデータである。 藉明賓妃剖都釣ｂａｔ図 第１図 水套ｌｌｌ雫胞伊１轡乎面圀 写ｌ光Ｑａ鉗め園 第４図 柾東のマスク０？面Ｅろ 才Ｌｒ１ｃＡマズグのイ史串εｔ、■子面圀第６図 ４０にめマスグミ４香介１勺新億ｎ幻 第７図 １１呼τシスｆｔ３３ａ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 偏向板１４の上に一方向のストライプ状透明電極１５、
液晶１６、透明電極１５に直交する方向のストライプ状
透明電極１７を設け、 透明電極１５と１７に所定の電位を与えてこれら電極の
間に位置する液晶１６の結晶の方位を変えて所望の画像
パターンを現出し、該画像パターンを露光によって試料
に転写することを特徴とするパターン可変型ホトマスク
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60131022A JPS61289351A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | パタ−ン可変型ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60131022A JPS61289351A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | パタ−ン可変型ホトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61289351A true JPS61289351A (ja) | 1986-12-19 |
Family
ID=15048168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60131022A Pending JPS61289351A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | パタ−ン可変型ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61289351A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02273719A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-08 | Casio Comput Co Ltd | 基板のインデックス形成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5187970A (ja) * | 1975-01-31 | 1976-07-31 | Hitachi Ltd | |
| JPS53136968A (en) * | 1977-05-04 | 1978-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photomask |
| JPS6033530A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
-
1985
- 1985-06-17 JP JP60131022A patent/JPS61289351A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5187970A (ja) * | 1975-01-31 | 1976-07-31 | Hitachi Ltd | |
| JPS53136968A (en) * | 1977-05-04 | 1978-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photomask |
| JPS6033530A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02273719A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-08 | Casio Comput Co Ltd | 基板のインデックス形成方法 |
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