JPH0442214A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0442214A JPH0442214A JP2150152A JP15015290A JPH0442214A JP H0442214 A JPH0442214 A JP H0442214A JP 2150152 A JP2150152 A JP 2150152A JP 15015290 A JP15015290 A JP 15015290A JP H0442214 A JPH0442214 A JP H0442214A
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、液晶表示装置の構造に関する。
〔従来の技術］
従来の技術としては、日経エレクトロニクス１９８４年
９月１０日号２１６ベーシに記載されているように、層
間絶縁膜として二酸化珪素や窒化珪素の堆積膜を用いて
いた。
９月１０日号２１６ベーシに記載されているように、層
間絶縁膜として二酸化珪素や窒化珪素の堆積膜を用いて
いた。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術ては層間膜の膜質、膜厚が層間
膜の形成装置に依存し、また基板の位置、例えば中央と
周辺でも不均一な膜が形成されるという問題点を有して
いた。
膜の形成装置に依存し、また基板の位置、例えば中央と
周辺でも不均一な膜が形成されるという問題点を有して
いた。
本発明はこの問題点を解決するもので、その目的は、均
一な層間絶縁膜が形成できる構造を持つ液晶表示装置の
提供にある。
一な層間絶縁膜が形成できる構造を持つ液晶表示装置の
提供にある。
また前述の従来技術では、層間膜形成の際に基板を片面
から加熱する必要があるが、片面からの加熱により基板
が熱応力を受けて変形してしまうという問題点も持って
いた。
から加熱する必要があるが、片面からの加熱により基板
が熱応力を受けて変形してしまうという問題点も持って
いた。
本発明の他の目的は、この問題を解決する構造を持った
液晶表示装置の提供にある。
液晶表示装置の提供にある。
［課題を解決するだめの手段１
上記課題を解決するため、本発明の液晶表示装置は対向
する２枚の基板のうち、液晶駆動用のスイッチング素子
作製側基板（以下ＴＰＴ基板と略す）の上に作製したシ
リコン薄膜層と信号線または走査線または端子線との層
間絶縁膜にボリイミド樹脂を使用したことを特徴とする
。
する２枚の基板のうち、液晶駆動用のスイッチング素子
作製側基板（以下ＴＰＴ基板と略す）の上に作製したシ
リコン薄膜層と信号線または走査線または端子線との層
間絶縁膜にボリイミド樹脂を使用したことを特徴とする
。
［実 施 例］
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
１図（ａ）はＴＦＴ部の断面であり、スイッチング素子
（以下ＴＰＴと略す）のゲート電極６を形成後ポリイミ
ド樹脂層７をスビンコターにより塗布し、コンタクトホ
ール形成後にキュアと称する乾燥を行ない、その上にド
レイン電極９と信号線８を形成する。第１図（ｂ）はＴ
ＰＴ基板を垂直に見た図であり、走査線１０と信号線８
は層間絶縁膜を挟んで交差している。
１図（ａ）はＴＦＴ部の断面であり、スイッチング素子
（以下ＴＰＴと略す）のゲート電極６を形成後ポリイミ
ド樹脂層７をスビンコターにより塗布し、コンタクトホ
ール形成後にキュアと称する乾燥を行ない、その上にド
レイン電極９と信号線８を形成する。第１図（ｂ）はＴ
ＰＴ基板を垂直に見た図であり、走査線１０と信号線８
は層間絶縁膜を挟んで交差している。
ポリイミド樹脂層７の膜厚は、スピンコーターの回転数
を変化させることで任意の値にすることができ、なおか
つその膜質は変化しない。膜厚の決定はポリイミド樹脂
の絶縁耐圧及び段差被覆性、ピンホール発生の有無など
で行なう。
を変化させることで任意の値にすることができ、なおか
つその膜質は変化しない。膜厚の決定はポリイミド樹脂
の絶縁耐圧及び段差被覆性、ピンホール発生の有無など
で行なう。
なお第１図は可視領域に於てほぼ透明な分光特性を持つ
ポリイミド樹脂を使用した場合であり、この時ドレイン
電極９を樹脂層７の上に形成しても基板下からの可視光
は透過してきているのでさしつかえない。
ポリイミド樹脂を使用した場合であり、この時ドレイン
電極９を樹脂層７の上に形成しても基板下からの可視光
は透過してきているのでさしつかえない。
一方、非透明型のポリイミド樹脂を使用した場合は、基
板下からの透過光が無いので透過型液晶表示装置には第
１図のままでは使用できない。このとき第２図のように
、ドレイン電極９の部分に重なるポリイミド樹脂層７を
除去すれば問題ない。
板下からの透過光が無いので透過型液晶表示装置には第
１図のままでは使用できない。このとき第２図のように
、ドレイン電極９の部分に重なるポリイミド樹脂層７を
除去すれば問題ない。
または基板上側からの入射光を反射電極により反射して
使用する反射型液晶表示装置ならば電極下のポリイミド
樹脂層７の透過率はどうでもよい。
使用する反射型液晶表示装置ならば電極下のポリイミド
樹脂層７の透過率はどうでもよい。
つぎにＴＰＴ基板と外部回路との接続部付近を第３図に
示す。ＴＰＴから伸びている信号線８は導電型シリコン
薄膜１２を介して外部回路接続用の端子線１１につなが
っている。当然信号線８、端子線１１のそれぞれは前記
導電型シリコン薄膜１２と、接触部以外では絶縁されて
いなければならない。ポリイミド樹脂層７をこの部分に
も使用したのが第３図である。このポリイミド樹脂層７
はＴＰＴ部分の層間絶縁膜を形成したときに同時に作製
可能である。
示す。ＴＰＴから伸びている信号線８は導電型シリコン
薄膜１２を介して外部回路接続用の端子線１１につなが
っている。当然信号線８、端子線１１のそれぞれは前記
導電型シリコン薄膜１２と、接触部以外では絶縁されて
いなければならない。ポリイミド樹脂層７をこの部分に
も使用したのが第３図である。このポリイミド樹脂層７
はＴＰＴ部分の層間絶縁膜を形成したときに同時に作製
可能である。
使用するポリイミド樹脂としては、感光基を含む感光性
ポリイミド樹脂が、フォトレジストを使用することなく
パターニング可能なので、工程を簡略化できいちばん使
いやすい。しかし非感光性ポリイミド樹脂でも、フォト
レジストの使用により従来の二酸化硅素膜や窒化硅素膜
と同様にバターニングすればよい。
ポリイミド樹脂が、フォトレジストを使用することなく
パターニング可能なので、工程を簡略化できいちばん使
いやすい。しかし非感光性ポリイミド樹脂でも、フォト
レジストの使用により従来の二酸化硅素膜や窒化硅素膜
と同様にバターニングすればよい。
ポリイミド樹脂はバクーン形成後に、キュアと称する２
００°Ｃから３５０℃程度での乾燥を行なうが、このさ
いはオーブンの中で乾燥させるから基板の一面のみが加
熱されることはない。よって基板が熱応力を受けて反っ
てしまうことはない。
００°Ｃから３５０℃程度での乾燥を行なうが、このさ
いはオーブンの中で乾燥させるから基板の一面のみが加
熱されることはない。よって基板が熱応力を受けて反っ
てしまうことはない。
ただポリイミド樹脂の熱膨張係数が基板に比べ大きい場
合は基板の変形がみられる。この時は基板と同程度の熱
膨張係数を持つポリイミド樹脂を選べばよい。
合は基板の変形がみられる。この時は基板と同程度の熱
膨張係数を持つポリイミド樹脂を選べばよい。
ポリイミド樹脂を利用することによる他の利点は、従来
の二酸化硅素膜や窒化硅素膜に比べ格段に段差被覆性が
よいことである。つまりポリイミド樹脂層７の上側はか
なり平坦化されるので、信号線８や端子線１１の形成時
に於て、段切れと称する配線不良は発生しない。またコ
ンタクトホルのテーパー角は制御可能であるので、なめ
らかなテーパーにすることで前記コンタクトホール部で
の配線切れもほとんど発生しない。
の二酸化硅素膜や窒化硅素膜に比べ格段に段差被覆性が
よいことである。つまりポリイミド樹脂層７の上側はか
なり平坦化されるので、信号線８や端子線１１の形成時
に於て、段切れと称する配線不良は発生しない。またコ
ンタクトホルのテーパー角は制御可能であるので、なめ
らかなテーパーにすることで前記コンタクトホール部で
の配線切れもほとんど発生しない。
特に３０ｃｍ角以上の大面積基板に本発明を適用すれば
、スピンコーティング法で絶縁膜を形成するために均−
性等の制御が容易となり、従来用いられていた二酸化硅
素膜や、窒化硅素膜に比べ有効となる。
、スピンコーティング法で絶縁膜を形成するために均−
性等の制御が容易となり、従来用いられていた二酸化硅
素膜や、窒化硅素膜に比べ有効となる。
［発明の効果１
本発明の液晶表示装置は、以上説明したような層間絶縁
膜にポリイミド樹脂を使用した構造により、容易に均一
な膜質及び膜厚が得られる効果がある。また層間絶縁膜
形成時の基板変形を抑えられる効果もある。
膜にポリイミド樹脂を使用した構造により、容易に均一
な膜質及び膜厚が得られる効果がある。また層間絶縁膜
形成時の基板変形を抑えられる効果もある。
またかかる構造を持つことにより配線不良も抑えられる
。
。
第１図（ａ）は本発明の液晶表示装置のＴＦＴ部の断面
図。第１図（ｂ）は平面図。 第２図はドレイン電極の下のポリイミド層を除去した構
造の断面図。 第３図は信号線と端子線の接続部の断面図。 ゲート電極 ポリイミド樹脂層 信号線 ドレイン電極 走査線 端子線 導電型シリコン河原 以 上
図。第１図（ｂ）は平面図。 第２図はドレイン電極の下のポリイミド層を除去した構
造の断面図。 第３図は信号線と端子線の接続部の断面図。 ゲート電極 ポリイミド樹脂層 信号線 ドレイン電極 走査線 端子線 導電型シリコン河原 以 上
Claims (1)
- 対向する２枚の基板のうち、液晶駆動用のスイッチング
素子作製側の基板上に作製したシリコン薄膜層と信号線
または走査線または端子線との層間絶縁膜にポリイミド
樹脂を使用したことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15015290A JP3109674B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15015290A JP3109674B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442214A true JPH0442214A (ja) | 1992-02-12 |
| JP3109674B2 JP3109674B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=15490640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15015290A Expired - Fee Related JP3109674B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3109674B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06258670A (ja) * | 1992-12-10 | 1994-09-16 | Gold Star Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| EP0766119A1 (en) * | 1995-09-29 | 1997-04-02 | SHARP Corporation | Transmission type liquid crystal display apparatus and method for producing the same |
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| US5953084A (en) * | 1995-08-11 | 1999-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmission type liquid crystal display device having capacitance ratio of 10% or less and charging rate difference of 0.6% or less |
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| US7169657B2 (en) | 1992-03-26 | 2007-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for laser processing and apparatus for use in the same |
| JP2012177936A (ja) * | 2012-05-21 | 2012-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置 |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP15015290A patent/JP3109674B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US6195138B1 (en) | 1995-08-11 | 2001-02-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmission type liquid crystal display having an organic interlayer elements film between pixel electrodes and switching |
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| US6441879B2 (en) | 1995-09-27 | 2002-08-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
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| JP2012177936A (ja) * | 2012-05-21 | 2012-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置 |
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| Publication number | Publication date |
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