JP3297372B2 - 反射型液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
反射型液晶表示装置の製造方法Info
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばパーソナル
コンピュータ等のＯＡ（Ｏｆｆｉｃｅ Ａｕｔｏｍａｔ
ｉｏｎ）機器等に利用される反射型液晶表示装置の製造
方法に関する。
コンピュータ等のＯＡ（Ｏｆｆｉｃｅ Ａｕｔｏｍａｔ
ｉｏｎ）機器等に利用される反射型液晶表示装置の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータ等のＯＡ
機器のポータブル化が進み、それに伴って表示装置の低
コスト化が重要な課題となってきている。この表示装置
は、電気光学特性を有する表示媒体を挟んで各々電極が
形成された一対の基板が対向配置され、両電極間に電圧
を印加することによって表示を行うものである。このよ
うな表示媒体としては、液晶、エレクトロルミネッセン
ス、プラズマ、エレクトルクロミック等が使用されてい
る。その中でも、特に、液晶を用いた液晶表示装置（Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＬＣ
Ｄ）は、低消費電力で表示が可能であるため、最も実用
化が進んでいる。
機器のポータブル化が進み、それに伴って表示装置の低
コスト化が重要な課題となってきている。この表示装置
は、電気光学特性を有する表示媒体を挟んで各々電極が
形成された一対の基板が対向配置され、両電極間に電圧
を印加することによって表示を行うものである。このよ
うな表示媒体としては、液晶、エレクトロルミネッセン
ス、プラズマ、エレクトルクロミック等が使用されてい
る。その中でも、特に、液晶を用いた液晶表示装置（Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＬＣ
Ｄ）は、低消費電力で表示が可能であるため、最も実用
化が進んでいる。
【０００３】この液晶表示装置の表示モードおよび駆動
方法について考えた場合、超捩れネマティック（Ｓｕｐ
ｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ；ＳＴＮ）をは
じめとする単純マトリクス方式は、最も低コスト化を実
現できる部類に属する。しかし、今後、情報のマルチメ
ディア化が進むにつれて、表示装置の高解像度化、高コ
ントラスト化、多階調化（マルチカラー化、フルカラー
化）および広視野角化等が要求されるようになり、単純
マトリクス方式ではそれらの要求に対応するのが困難で
あると考えられる。
方法について考えた場合、超捩れネマティック（Ｓｕｐ
ｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ；ＳＴＮ）をは
じめとする単純マトリクス方式は、最も低コスト化を実
現できる部類に属する。しかし、今後、情報のマルチメ
ディア化が進むにつれて、表示装置の高解像度化、高コ
ントラスト化、多階調化（マルチカラー化、フルカラー
化）および広視野角化等が要求されるようになり、単純
マトリクス方式ではそれらの要求に対応するのが困難で
あると考えられる。
【０００４】そこで、個々の画素にスイッチング素子
（アクティブ素子）を設けて駆動可能な走査線の本数を
増加させるアクティブマトリクス方式が提案され、この
方式により、表示装置の高解像度化、高コントラスト
化、多階調化および広視野角化等が達成されつつある。
このアクティブマトリクス方式の液晶表示装置において
は、液晶層を挟んで対向配置される一対の基板のうちの
一方の基板（アクティブマトリクス基板）に、マトリク
ス状に設けられた画素電極とその画素電極の近傍を通る
走査線とが設けられ、両者がアクティブ素子を介して電
気的に接続された構成を有する。
（アクティブ素子）を設けて駆動可能な走査線の本数を
増加させるアクティブマトリクス方式が提案され、この
方式により、表示装置の高解像度化、高コントラスト
化、多階調化および広視野角化等が達成されつつある。
このアクティブマトリクス方式の液晶表示装置において
は、液晶層を挟んで対向配置される一対の基板のうちの
一方の基板（アクティブマトリクス基板）に、マトリク
ス状に設けられた画素電極とその画素電極の近傍を通る
走査線とが設けられ、両者がアクティブ素子を介して電
気的に接続された構成を有する。
【０００５】このアクティブ素子としては、２端子の非
線形素子または３端子の非線形素子があるが、現在使用
されている代表的なアクティブ素子としては、３端子の
非線形素子である薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌ
ｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）である。
線形素子または３端子の非線形素子があるが、現在使用
されている代表的なアクティブ素子としては、３端子の
非線形素子である薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌ
ｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）である。
【０００６】また、近年、低消費電力化への要求がより
高まり、通常バックライトを必要とする透過型液晶表示
装置に代わって、反射型液晶表示装置の開発が盛んに行
われている。
高まり、通常バックライトを必要とする透過型液晶表示
装置に代わって、反射型液晶表示装置の開発が盛んに行
われている。
【０００７】この反射型液晶表示装置において、明るい
表示を得るためには、あらゆる角度から入射される光に
対して表示画面に垂直な方向に散乱する光の強度を増加
させる必要がある。このためには、最適な反射特性を有
する反射板を作製する必要があり、例えばガラス等から
なる基板の表面に、最適な反射特性を有するために制御
された凹凸を形成し、その上に銀等からなる薄膜を形成
して反射板を作製する方法が知られている。例えば、特
開平６−７５２３８号において、中村久和らは、基板上
に感光性樹脂を塗布し、円形の遮光領域が配列された遮
光手段を介してこの感光性樹脂を露光および現像した後
に熱処理を行うことにより、複数の凸部を形成してい
る。そして、この凸部の上に凸部の形状に沿って絶縁体
保護膜を形成し、その絶縁体保護膜の上に金属薄膜から
なる反射板を形成している。
表示を得るためには、あらゆる角度から入射される光に
対して表示画面に垂直な方向に散乱する光の強度を増加
させる必要がある。このためには、最適な反射特性を有
する反射板を作製する必要があり、例えばガラス等から
なる基板の表面に、最適な反射特性を有するために制御
された凹凸を形成し、その上に銀等からなる薄膜を形成
して反射板を作製する方法が知られている。例えば、特
開平６−７５２３８号において、中村久和らは、基板上
に感光性樹脂を塗布し、円形の遮光領域が配列された遮
光手段を介してこの感光性樹脂を露光および現像した後
に熱処理を行うことにより、複数の凸部を形成してい
る。そして、この凸部の上に凸部の形状に沿って絶縁体
保護膜を形成し、その絶縁体保護膜の上に金属薄膜から
なる反射板を形成している。
【０００８】この反射板を基板の外側（液晶層と反対
側）に形成した場合には、ガラス基板の厚みの影響によ
り二重映りが発生するが、反射板をガラス基板の内側
（液晶層側）に形成して画素電極としても兼用する構造
にすることで、それを防ぐことができる。
側）に形成した場合には、ガラス基板の厚みの影響によ
り二重映りが発生するが、反射板をガラス基板の内側
（液晶層側）に形成して画素電極としても兼用する構造
にすることで、それを防ぐことができる。
【０００９】以下に、従来の反射型液晶表示装置につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１０】図２５は従来の反射型液晶表示装置におけ
るアクティブマトリクス基板の構成を示す平面図であ
り、図２６はアクティブマトリクス基板の１画素分の構
成を示す平面図である。図２７（ａ）はアクティブマト
リクス基板において画素電極の設けられている表示領域
（画面部）よりも外側にある端子領域における、ゲート
端子部の構成を示す平面図であり、図２７（ｂ）はソー
ス端子部の構成を示す平面図である。また、図２８（ａ
−１）〜（ｃ−１）および図２９（ａ−１）〜（ｃ−
１）は図２６のＣ−Ｃ’線断面部分、すなわちＴＦＴ部
の製造工程を説明するための断面図であり、図２８（ａ
−２）〜（ｃ−２）および図２９（ａ−２）〜（ｃ−
２）は図２７（ａ）のＤ−Ｄ’線断面部分、すなわちゲ
ート端子部の製造工程を説明するための断面図であり、
図２８（ａ−３）〜（ｃ−３）および図２９（ａ−３）
〜（ｃ−３）は図２７（ｂ）のＥ−Ｅ’線断面部分、す
なわちソース端子部の製造工程を説明するための断面図
である。
るアクティブマトリクス基板の構成を示す平面図であ
り、図２６はアクティブマトリクス基板の１画素分の構
成を示す平面図である。図２７（ａ）はアクティブマト
リクス基板において画素電極の設けられている表示領域
（画面部）よりも外側にある端子領域における、ゲート
端子部の構成を示す平面図であり、図２７（ｂ）はソー
ス端子部の構成を示す平面図である。また、図２８（ａ
−１）〜（ｃ−１）および図２９（ａ−１）〜（ｃ−
１）は図２６のＣ−Ｃ’線断面部分、すなわちＴＦＴ部
の製造工程を説明するための断面図であり、図２８（ａ
−２）〜（ｃ−２）および図２９（ａ−２）〜（ｃ−
２）は図２７（ａ）のＤ−Ｄ’線断面部分、すなわちゲ
ート端子部の製造工程を説明するための断面図であり、
図２８（ａ−３）〜（ｃ−３）および図２９（ａ−３）
〜（ｃ−３）は図２７（ｂ）のＥ−Ｅ’線断面部分、す
なわちソース端子部の製造工程を説明するための断面図
である。
【００１１】このアクティブマトリクス基板は、図２６
に示すように、ガラス基板５０１上に反射板としても兼
用される画素電極（反射電極）５０５がマトリクス状に
設けられ、その近傍を通って互いに交差するように走査
線であるゲート配線５０２および信号線であるソース配
線５０３が設けられている。各ゲート配線５０２および
各ソース配線５０３の交差部近傍にはスイッチング素子
であるＴＦＴ５０４が設けられている。ＴＦＴ５０４の
ゲート電極はゲート配線５０２から分岐した部分であ
り、ＴＦＴ５０４のソース電極はソース配線５０３から
分岐した部分であり、ＴＦＴのドレイン電極は反射電極
５０５と接続されている。
に示すように、ガラス基板５０１上に反射板としても兼
用される画素電極（反射電極）５０５がマトリクス状に
設けられ、その近傍を通って互いに交差するように走査
線であるゲート配線５０２および信号線であるソース配
線５０３が設けられている。各ゲート配線５０２および
各ソース配線５０３の交差部近傍にはスイッチング素子
であるＴＦＴ５０４が設けられている。ＴＦＴ５０４の
ゲート電極はゲート配線５０２から分岐した部分であ
り、ＴＦＴ５０４のソース電極はソース配線５０３から
分岐した部分であり、ＴＦＴのドレイン電極は反射電極
５０５と接続されている。
【００１２】ＴＦＴ部には、図２９（ｃ−１）に示すよ
うに、ガラス基板５０１上に導電性薄膜からなるゲート
電極５０２ａが設けられ、その上を覆って絶縁体層５０
６が設けられている。その上にはゲート電極５０２ａと
重畳するように半導体層５０７が設けられ、その半導体
層５０２ａの一部を覆い、かつ、その中央部の上で分断
された状態で、コンタクト層５２０ａ、５２０ｂが形成
されている。一方のコンタクト層５２０ａの上にはソー
ス電極５０３ａが設けられ、他方のコンタクト層５２０
ｂの上にはドレイン電極５０８が設けられている。この
ＴＦＴ５０４のドレイン電極５０８と一部重畳してＡｌ
等からなる反射電極５０５が設けられて、ドレイン電極
５０８と反射電極５０５とが電気的に接続されている。
うに、ガラス基板５０１上に導電性薄膜からなるゲート
電極５０２ａが設けられ、その上を覆って絶縁体層５０
６が設けられている。その上にはゲート電極５０２ａと
重畳するように半導体層５０７が設けられ、その半導体
層５０２ａの一部を覆い、かつ、その中央部の上で分断
された状態で、コンタクト層５２０ａ、５２０ｂが形成
されている。一方のコンタクト層５２０ａの上にはソー
ス電極５０３ａが設けられ、他方のコンタクト層５２０
ｂの上にはドレイン電極５０８が設けられている。この
ＴＦＴ５０４のドレイン電極５０８と一部重畳してＡｌ
等からなる反射電極５０５が設けられて、ドレイン電極
５０８と反射電極５０５とが電気的に接続されている。
【００１３】ゲート端子部には、図２７（ａ）および図
２９（ｃ−２）に示すように、ガラス基板５０１上に設
けられたゲート配線５０２の上に外部素子との接続電極
５０９が設けられている。また、ソース端子部には、図
２７（ｂ）および図２９（ｃ−３）に示すように、ガラ
ス基板５０１上に設けられたソース配線５０３の上に外
部素子との接続電極５０９が設けられている。
２９（ｃ−２）に示すように、ガラス基板５０１上に設
けられたゲート配線５０２の上に外部素子との接続電極
５０９が設けられている。また、ソース端子部には、図
２７（ｂ）および図２９（ｃ−３）に示すように、ガラ
ス基板５０１上に設けられたソース配線５０３の上に外
部素子との接続電極５０９が設けられている。
【００１４】このように画素電極を反射板としても兼用
する反射型液晶表示装置において、アクティブマトリク
ス基板は例えば以下に示すようにして作製することがで
きる。なお、ＴＦＴ部において、図２８（ａ−１）に示
すようなＴＦＴ５０４を形成するまでは通常の液晶表示
装置と同様に作製することができ、また、ゲート端子部
およびソース端子部において、図２８（ａ−２）および
図２８（ａ−３）に示すようなゲート配線５０２および
ソース配線５０３上にＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）からなる接続電極５０９を設けるまでは通常
の液晶表示装置と同様に作製することができるので、そ
れ以降の製造工程について説明する。
する反射型液晶表示装置において、アクティブマトリク
ス基板は例えば以下に示すようにして作製することがで
きる。なお、ＴＦＴ部において、図２８（ａ−１）に示
すようなＴＦＴ５０４を形成するまでは通常の液晶表示
装置と同様に作製することができ、また、ゲート端子部
およびソース端子部において、図２８（ａ−２）および
図２８（ａ−３）に示すようなゲート配線５０２および
ソース配線５０３上にＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）からなる接続電極５０９を設けるまでは通常
の液晶表示装置と同様に作製することができるので、そ
れ以降の製造工程について説明する。
【００１５】まず、図２８（ｂ−１）、図２８（ｂ−
２）および図２８（ｂ−３）に示すように、基板上全面
に反射電極膜５０５’を形成する。
２）および図２８（ｂ−３）に示すように、基板上全面
に反射電極膜５０５’を形成する。
【００１６】次に、図２８（ｃ−１）、図２８（ｃ−
２）および図２８（ｃ−３）に示すように、反射電極膜
５０５’の上にレジストを塗布してレジスト膜５１０を
形成する。
２）および図２８（ｃ−３）に示すように、反射電極膜
５０５’の上にレジストを塗布してレジスト膜５１０を
形成する。
【００１７】続いて、リソグラフィ技術におけるレジス
トプロセスを用いてレジスト膜５１０の露光および現像
を行うことにより、図２９（ａ−１）に示すように、Ｔ
ＦＴ部に反射電極形成用のレジストパターン５１０’を
形成する。このとき、図２９（ａ−２）および図２９
（ａ−３）に示すように、ゲート端子部およびソース端
子部のレジスト膜５１０は除去される。
トプロセスを用いてレジスト膜５１０の露光および現像
を行うことにより、図２９（ａ−１）に示すように、Ｔ
ＦＴ部に反射電極形成用のレジストパターン５１０’を
形成する。このとき、図２９（ａ−２）および図２９
（ａ−３）に示すように、ゲート端子部およびソース端
子部のレジスト膜５１０は除去される。
【００１８】その後、レジストパターン５１０’をマス
クとして反射電極膜５０５’のエッチングを行うことに
より、図２９（ｂ−１）に示すように、ＴＦＴ部に反射
電極５０５を形成する。このとき、図２９（ｂ−２）お
よび図２９（ｂ−３）に示すように、ゲート端子部およ
びソース端子部の反射電極膜５０５’は除去される。
クとして反射電極膜５０５’のエッチングを行うことに
より、図２９（ｂ−１）に示すように、ＴＦＴ部に反射
電極５０５を形成する。このとき、図２９（ｂ−２）お
よび図２９（ｂ−３）に示すように、ゲート端子部およ
びソース端子部の反射電極膜５０５’は除去される。
【００１９】次に、基板をレジスト剥離液中に浸漬する
ことなどによりレジストパターン５１０’を除去する。
ことなどによりレジストパターン５１０’を除去する。
【００２０】以上により、図２９（ｃ−１）に示すよう
に、ＴＦＴ部ではＴＦＴ５０４のドレイン電極５０８に
接続された反射電極５０５が表出され、図２９（ｃ−
２）および図２９（ｃ−３）に示すように、ゲート端子
部およびソース端子部ではゲート配線５０２上およびソ
ース配線５０３上に設けられた接続電極５０９が表出さ
れる。
に、ＴＦＴ部ではＴＦＴ５０４のドレイン電極５０８に
接続された反射電極５０５が表出され、図２９（ｃ−
２）および図２９（ｃ−３）に示すように、ゲート端子
部およびソース端子部ではゲート配線５０２上およびソ
ース配線５０３上に設けられた接続電極５０９が表出さ
れる。
【００２１】この反射型液晶表示装置において、あらゆ
る角度から入射される光に対して表示画面に垂直な方向
に散乱する光の強度を増加させるために、反射電極５０
５が形成される部分に複数の凸部または複数の凹部を形
成して反射電極５０５の反射特性を最適化することもあ
る。
る角度から入射される光に対して表示画面に垂直な方向
に散乱する光の強度を増加させるために、反射電極５０
５が形成される部分に複数の凸部または複数の凹部を形
成して反射電極５０５の反射特性を最適化することもあ
る。
【００２２】この場合、例えば、図３０（ａ）〜（ｄ）
に示すようにして凸部または凹部を形成することができ
る。まず、図３０（ａ）に示すように、アクティブマト
リクス基板を構成するガラス基板５０１の表面に感光性
樹脂５１１を塗布する。次に、図３０（ｂ）に示すよう
に、遮光領域５１２および透光領域５１３を有する遮光
手段５１４（レチクル）を介して感光性樹脂５１１を露
光した後、現像することにより、図３０（ｃ）に示すよ
うに、感光性樹脂パターン５１１’を形成する。その
後、感光性樹脂パターン５１１’に熱処理を行うことに
より、図３０（ｄ）に示すように、最適な形状の凹凸５
１１’’を形成する。
に示すようにして凸部または凹部を形成することができ
る。まず、図３０（ａ）に示すように、アクティブマト
リクス基板を構成するガラス基板５０１の表面に感光性
樹脂５１１を塗布する。次に、図３０（ｂ）に示すよう
に、遮光領域５１２および透光領域５１３を有する遮光
手段５１４（レチクル）を介して感光性樹脂５１１を露
光した後、現像することにより、図３０（ｃ）に示すよ
うに、感光性樹脂パターン５１１’を形成する。その
後、感光性樹脂パターン５１１’に熱処理を行うことに
より、図３０（ｄ）に示すように、最適な形状の凹凸５
１１’’を形成する。
【００２３】このときの遮光手段５１４としては、例え
ば図３１に示すような円形の遮光領域５１２が配列され
たものや、図３２に示すような円形の透光領域５１３が
配列されたもの等を用いることができる。
ば図３１に示すような円形の遮光領域５１２が配列され
たものや、図３２に示すような円形の透光領域５１３が
配列されたもの等を用いることができる。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来の反射型液
晶表示装置において、図２９（ａ−１）に示したよう
に、反射電極膜５０５’をエッチングして反射電極５０
５を形成する際には、硝酸＋酢酸＋リン酸＋水からなる
エッチング液をエッチャントとするウェットエッチング
を行う。
晶表示装置において、図２９（ａ−１）に示したよう
に、反射電極膜５０５’をエッチングして反射電極５０
５を形成する際には、硝酸＋酢酸＋リン酸＋水からなる
エッチング液をエッチャントとするウェットエッチング
を行う。
【００２５】この反射電極の材料として反射率が高いも
のを用いるのが好ましいことは当然であり、その意味か
らはＡｇが最適であるが、Ａｇは拡散率が高い材料であ
り、下地への拡散や下地との反応が生じるおそれが大き
いという問題がある。
のを用いるのが好ましいことは当然であり、その意味か
らはＡｇが最適であるが、Ａｇは拡散率が高い材料であ
り、下地への拡散や下地との反応が生じるおそれが大き
いという問題がある。
【００２６】これに対して、Ａｌは下地への拡散や下地
との反応が生じるおそれが小さく、また、集積回路にお
けるメタライゼーションにも広く用いられ、エッチング
条件等の特性も良好であることから、反射電極の材料と
してはＡｌを用いることが多い。
との反応が生じるおそれが小さく、また、集積回路にお
けるメタライゼーションにも広く用いられ、エッチング
条件等の特性も良好であることから、反射電極の材料と
してはＡｌを用いることが多い。
【００２７】この場合、図２９（ａ−２）、図２９（ａ
−３）に示したように、ゲート端子部およびソース端子
部ではＩＴＯからなる接続電極５０９の上にＡｌからな
る反射電極膜５０５’が成膜されてエッチングされるこ
とになる。
−３）に示したように、ゲート端子部およびソース端子
部ではＩＴＯからなる接続電極５０９の上にＡｌからな
る反射電極膜５０５’が成膜されてエッチングされるこ
とになる。
【００２８】ところが、薄膜は一般にバルク状態の物質
に比較して格子欠陥が桁違いに多く、結晶が不完全であ
るため、反射電極膜には多くのピンホールが生成されて
いる。
に比較して格子欠陥が桁違いに多く、結晶が不完全であ
るため、反射電極膜には多くのピンホールが生成されて
いる。
【００２９】例えば、図３３は、図２８（ｃ−２）およ
び図２８（ｃ−３）において○で囲んだ部分を拡大して
表した断面図であるが、この図３３に示すように、ゲー
ト配線５０２またはソース配線５０３上のＩＴＯからな
る接続電極５０９上に設けられた反射電極膜５０５’に
は、多くのピンホール５１５が生成されている。
び図２８（ｃ−３）において○で囲んだ部分を拡大して
表した断面図であるが、この図３３に示すように、ゲー
ト配線５０２またはソース配線５０３上のＩＴＯからな
る接続電極５０９上に設けられた反射電極膜５０５’に
は、多くのピンホール５１５が生成されている。
【００３０】この状態でレジスト膜５１０の露光および
現像を行った場合、その現像液が反射電極膜５０５’に
接すると共にピンホール５１５を介して接続電極５０９
にも接することになる。
現像を行った場合、その現像液が反射電極膜５０５’に
接すると共にピンホール５１５を介して接続電極５０９
にも接することになる。
【００３１】ここで、上述のように、反射電極膜５０
５’がＡｌからなり、接続電極５０９がＩＴＯからなる
場合、両者の間に現像液が介在して電池効果が起こり、
ＡｌとＩＴＯとが反応して腐食・溶解される。これがＴ
ＦＴの製造歩留り、強いては反射型液晶表示装置の製造
歩留りを確実に低下させる。
５’がＡｌからなり、接続電極５０９がＩＴＯからなる
場合、両者の間に現像液が介在して電池効果が起こり、
ＡｌとＩＴＯとが反応して腐食・溶解される。これがＴ
ＦＴの製造歩留り、強いては反射型液晶表示装置の製造
歩留りを確実に低下させる。
【００３２】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、反射電極膜をパターニン
グ時に、接続電極と反射電極膜との電池効果による腐食
・溶解を防いで製造歩留りを向上させることができる反
射型液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
決すべくなされたものであり、反射電極膜をパターニン
グ時に、接続電極と反射電極膜との電池効果による腐食
・溶解を防いで製造歩留りを向上させることができる反
射型液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
【００３３】
【課題を解決するための手段】本発明の反射型液晶表示
装置の製造方法は、液晶層を間に挟んで対向配置された
一対の基板のうちの一方の基板に、マトリクス状に設け
られた反射機能を有する複数の画素電極と、該画素電極
の近傍を通って互いに交差するように設けられた複数の
走査線および複数の信号線と、各走査線および各信号線
の交差部近傍に設けられて該画素電極に接続された薄膜
トランジスタとを有すると共に、各走査線および各信号
線の表示領域外の端子部上に接続電極が設けられている
反射型液晶表示装置を製造する方法であって、該一方の
基板に、該走査線、該信号線、該薄膜トランジスタおよ
び該接続電極を形成する工程と、該走査線、該信号線、
該薄膜トランジスタおよび該接続電極を覆うように感光
性樹脂膜を形成し、該感光性樹脂膜の上に反射電極膜を
形成する工程と、少なくとも該接続電極上の反射電極膜
部分を除去すると共に、該表示領域に該画素電極が存在
するように反射電極膜をパターニングする工程と、該画
素電極が形成された感光性樹脂膜の全面にレジスト膜を
形成し、前記表示領域におけるレジスト膜を除去するこ
となく、該接続電極上のレジスト膜を除去して感光性樹
脂膜を表出させる工程と、該表示領域におけるレジスト
膜をマスクとして、該接続電極上の感光性樹脂膜を除去
して該接続電極を表出させる工程と、該表示領域におけ
るレジスト膜を除去する工程とを含み、そのことにより
上記目的が達成される。
装置の製造方法は、液晶層を間に挟んで対向配置された
一対の基板のうちの一方の基板に、マトリクス状に設け
られた反射機能を有する複数の画素電極と、該画素電極
の近傍を通って互いに交差するように設けられた複数の
走査線および複数の信号線と、各走査線および各信号線
の交差部近傍に設けられて該画素電極に接続された薄膜
トランジスタとを有すると共に、各走査線および各信号
線の表示領域外の端子部上に接続電極が設けられている
反射型液晶表示装置を製造する方法であって、該一方の
基板に、該走査線、該信号線、該薄膜トランジスタおよ
び該接続電極を形成する工程と、該走査線、該信号線、
該薄膜トランジスタおよび該接続電極を覆うように感光
性樹脂膜を形成し、該感光性樹脂膜の上に反射電極膜を
形成する工程と、少なくとも該接続電極上の反射電極膜
部分を除去すると共に、該表示領域に該画素電極が存在
するように反射電極膜をパターニングする工程と、該画
素電極が形成された感光性樹脂膜の全面にレジスト膜を
形成し、前記表示領域におけるレジスト膜を除去するこ
となく、該接続電極上のレジスト膜を除去して感光性樹
脂膜を表出させる工程と、該表示領域におけるレジスト
膜をマスクとして、該接続電極上の感光性樹脂膜を除去
して該接続電極を表出させる工程と、該表示領域におけ
るレジスト膜を除去する工程とを含み、そのことにより
上記目的が達成される。
【００３４】好ましい実施態様においては、前記接続電
極を覆いかつ少なくとも前記画素電極の下部に存在する
ように前記感光性樹脂膜を形成すると共に該感光性樹脂
膜にコンタクトホールを形成し、前記画素電極を、該コ
ンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレイ
ン電極と電気的に接続するように形成する。
極を覆いかつ少なくとも前記画素電極の下部に存在する
ように前記感光性樹脂膜を形成すると共に該感光性樹脂
膜にコンタクトホールを形成し、前記画素電極を、該コ
ンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレイ
ン電極と電気的に接続するように形成する。
【００３５】好ましい実施態様においては、前記画素電
極の形成部分に前記感光性樹脂膜を形成すると共に、そ
の感光性樹脂膜部分から複数の凸部または複数の凹部を
形成し、該凸部または該凹部を覆うように前記画素電極
を形成する。
極の形成部分に前記感光性樹脂膜を形成すると共に、そ
の感光性樹脂膜部分から複数の凸部または複数の凹部を
形成し、該凸部または該凹部を覆うように前記画素電極
を形成する。
【００３６】好ましい実施態様においては、前記接続電
極をＩＴＯにより形成し、前記画素電極をＡｌにより形
成する。
極をＩＴＯにより形成し、前記画素電極をＡｌにより形
成する。
【００３７】好ましい実施態様においては、前記接続電
極を表出させる工程は、Ｏ2プラズマ中またはＣＦ4を含
むＯ2プラズマ中でのアッシングにより行われる。
極を表出させる工程は、Ｏ2プラズマ中またはＣＦ4を含
むＯ2プラズマ中でのアッシングにより行われる。
【００３８】本発明の反射型液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を間に挟んで対向配置された一対の基板のう
ちの一方の基板に、マトリクス状に設けられた反射機能
を有する複数の画素電極と、該画素電極の近傍を通って
互いに交差するように設けられた複数の走査線および複
数の信号線と、各走査線および各信号線の交差部近傍に
設けられて該画素電極に接続された薄膜トランジスタと
を有すると共に、各走査線および各信号線の表示領域外
の端子部上に接続電極が設けられている反射型液晶表示
装置を製造する方法であって、該一方の基板に、該走査
線、該信号線、該薄膜トランジスタおよび該接続電極を
形成する工程と、該走査線、該信号線、該薄膜トランジ
スタおよび該接続電極を覆うように感光性樹脂膜を形成
し、該感光性樹脂膜の上に反射電極膜を形成する工程
と、少なくとも該接続電極上の反射電極膜部分を除去す
ると共に、該表示領域に該画素電極が存在するように反
射電極膜をパターニングする工程と、該接続電極上の感
光性樹脂膜を除去して該接続電極を表出させる工程とを
含み、前記パターニング工程および前記接続電極を表出
させる工程が、前記表示領域の画素電極が連結した状態
で存在するように前記反射電極膜をパターニングする工
程と、アッシングにより該接続電極上の感光性樹脂膜を
除去して該接続電極を表出させる工程と、該連結した画
素電極を分離するように該反射電極膜をパターニングす
る工程とを含み、そのことにより上記目的が達成され
る。
は、液晶層を間に挟んで対向配置された一対の基板のう
ちの一方の基板に、マトリクス状に設けられた反射機能
を有する複数の画素電極と、該画素電極の近傍を通って
互いに交差するように設けられた複数の走査線および複
数の信号線と、各走査線および各信号線の交差部近傍に
設けられて該画素電極に接続された薄膜トランジスタと
を有すると共に、各走査線および各信号線の表示領域外
の端子部上に接続電極が設けられている反射型液晶表示
装置を製造する方法であって、該一方の基板に、該走査
線、該信号線、該薄膜トランジスタおよび該接続電極を
形成する工程と、該走査線、該信号線、該薄膜トランジ
スタおよび該接続電極を覆うように感光性樹脂膜を形成
し、該感光性樹脂膜の上に反射電極膜を形成する工程
と、少なくとも該接続電極上の反射電極膜部分を除去す
ると共に、該表示領域に該画素電極が存在するように反
射電極膜をパターニングする工程と、該接続電極上の感
光性樹脂膜を除去して該接続電極を表出させる工程とを
含み、前記パターニング工程および前記接続電極を表出
させる工程が、前記表示領域の画素電極が連結した状態
で存在するように前記反射電極膜をパターニングする工
程と、アッシングにより該接続電極上の感光性樹脂膜を
除去して該接続電極を表出させる工程と、該連結した画
素電極を分離するように該反射電極膜をパターニングす
る工程とを含み、そのことにより上記目的が達成され
る。
【００３９】本発明の反射型液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を間に挟んで対向配置された一対の基板のう
ちの一方の基板に、マトリクス状に設けられた反射機能
を有する複数の画素電極と、該画素電極の近傍を通って
互いに交差するように設けられた複数の走査線および複
数の信号線と、各走査線および各信号線の交差部近傍に
設けられて該画素電極に接続された薄膜トランジスタと
を有すると共に、各走査線および各信号線の表示領域外
の端子部上に接続電極が設けられている反射型液晶表示
装置を製造する方法であって、該一方の基板に、該走査
線、該信号線、該薄膜トランジスタおよび該接続電極を
形成する工程と、該走査線、該信号線、該薄膜トランジ
スタおよび該接続電極を覆うように感光性樹脂膜を形成
し、該感光性樹脂膜の上に反射電極膜を形成する工程
と、少なくとも該接続電極上の反射電極膜部分を除去す
ると共に、該表示領域に該画素電極が存在するように反
射電極膜をパターニングする工程と、該接続電極上の感
光性樹脂膜を除去して該接続電極を表出させる工程とを
含み、前記パターニング工程および前記接続電極を表出
させる工程が、前記画素電極が相互に連結した状態で前
記表示領域に存在し、かつ該表示領域の外側まで存在す
るように前記反射電極膜をパターニングする工程と、ア
ッシングにより該接続電極上の感光性樹脂膜を除去して
該接続電極を表出させる工程と、該連結した画素電極を
分離し、かつ表示領域の外側に存在する該画素電極を除
去するように該反射電極膜をパターニングする工程とを
含み、そのことにより上記目的が達成される。
は、液晶層を間に挟んで対向配置された一対の基板のう
ちの一方の基板に、マトリクス状に設けられた反射機能
を有する複数の画素電極と、該画素電極の近傍を通って
互いに交差するように設けられた複数の走査線および複
数の信号線と、各走査線および各信号線の交差部近傍に
設けられて該画素電極に接続された薄膜トランジスタと
を有すると共に、各走査線および各信号線の表示領域外
の端子部上に接続電極が設けられている反射型液晶表示
装置を製造する方法であって、該一方の基板に、該走査
線、該信号線、該薄膜トランジスタおよび該接続電極を
形成する工程と、該走査線、該信号線、該薄膜トランジ
スタおよび該接続電極を覆うように感光性樹脂膜を形成
し、該感光性樹脂膜の上に反射電極膜を形成する工程
と、少なくとも該接続電極上の反射電極膜部分を除去す
ると共に、該表示領域に該画素電極が存在するように反
射電極膜をパターニングする工程と、該接続電極上の感
光性樹脂膜を除去して該接続電極を表出させる工程とを
含み、前記パターニング工程および前記接続電極を表出
させる工程が、前記画素電極が相互に連結した状態で前
記表示領域に存在し、かつ該表示領域の外側まで存在す
るように前記反射電極膜をパターニングする工程と、ア
ッシングにより該接続電極上の感光性樹脂膜を除去して
該接続電極を表出させる工程と、該連結した画素電極を
分離し、かつ表示領域の外側に存在する該画素電極を除
去するように該反射電極膜をパターニングする工程とを
含み、そのことにより上記目的が達成される。
【００４０】以下、本発明の作用について説明する。
【００４１】本発明にあっては、反射電極膜をパターニ
ングして画素電極を形成する際に、接続電極が感光性樹
脂膜で覆われている。このため、リソグラフィ技術にお
けるレジストプロセスを用いて露光および現像を行って
も、反射電極膜と接続電極とが接触した状態でレジスト
膜の現像が行われることはなく、両者の間に電池効果が
起こらない。
ングして画素電極を形成する際に、接続電極が感光性樹
脂膜で覆われている。このため、リソグラフィ技術にお
けるレジストプロセスを用いて露光および現像を行って
も、反射電極膜と接続電極とが接触した状態でレジスト
膜の現像が行われることはなく、両者の間に電池効果が
起こらない。
【００４２】この感光性樹脂膜を、少なくとも画素電極
の下部にも形成することにより、画素電極を他の部材か
ら電気的に絶縁させるための絶縁膜として用いることが
できる。よって、画素電極およびその下の感光性樹脂膜
を、ＴＦＴ、走査線の一部および信号線の一部と重畳す
るように形成することにより、画素電極の面積を拡大し
て高開口率化を図ることができる。また、感光性樹脂膜
を、ＴＦＴ、走査線の一部および信号線の一部の上を覆
って形成することにより、これを絶縁性保護膜としても
用いることができる。また、感光性樹脂膜のパターニン
グ時にコンタクトホールを形成してその上に画素電極を
形成することにより、そのコンタクトホールを介して画
素電極とＴＦＴのドレイン電極とを電気的に接続させる
ことが可能である。
の下部にも形成することにより、画素電極を他の部材か
ら電気的に絶縁させるための絶縁膜として用いることが
できる。よって、画素電極およびその下の感光性樹脂膜
を、ＴＦＴ、走査線の一部および信号線の一部と重畳す
るように形成することにより、画素電極の面積を拡大し
て高開口率化を図ることができる。また、感光性樹脂膜
を、ＴＦＴ、走査線の一部および信号線の一部の上を覆
って形成することにより、これを絶縁性保護膜としても
用いることができる。また、感光性樹脂膜のパターニン
グ時にコンタクトホールを形成してその上に画素電極を
形成することにより、そのコンタクトホールを介して画
素電極とＴＦＴのドレイン電極とを電気的に接続させる
ことが可能である。
【００４３】この感光性樹脂膜を、画素電極の形成部分
にも形成して、反射特性を最適化するための複数の凸部
または複数の凹部を形成し、その凸部または凹部を覆う
ように画素電極を形成することにより、最適な反射特性
を有する画素電極を効率良く形成することが可能であ
る。この場合、あらゆる角度からの入射光に対して表示
画面に垂直な方向に散乱する光の強度を増加させること
ができるので、ペーパーホワイトの明るい表示が得られ
る。
にも形成して、反射特性を最適化するための複数の凸部
または複数の凹部を形成し、その凸部または凹部を覆う
ように画素電極を形成することにより、最適な反射特性
を有する画素電極を効率良く形成することが可能であ
る。この場合、あらゆる角度からの入射光に対して表示
画面に垂直な方向に散乱する光の強度を増加させること
ができるので、ペーパーホワイトの明るい表示が得られ
る。
【００４４】接続電極をＩＴＯにより形成し、画素電極
をＡｌにより形成した場合であっても、電池効果による
腐食・溶解が発生しないため、製造歩留りを向上させる
ことができる。
をＡｌにより形成した場合であっても、電池効果による
腐食・溶解が発生しないため、製造歩留りを向上させる
ことができる。
【００４５】好ましい実施態様においては、感光性樹脂
膜は、Ｏ2プラズマ中またはＣＦ4を含むＯ2プラズマ中
でのアッシング（便宜上、Ｏ2プラズマアッシングとす
る）により除去される。すなわち、感光性樹脂膜を、フ
ォトリソグラフィー技術を用いずに除去することが可能
となるので、煩雑な操作（例えば、フォトマスクの位置
決め、エッチング）が不要となり、製造工程が簡略化さ
れ得る。さらに、Ｏ2プラズマアッシングによれば、基
板温度が比較的低温（100〜140℃）で処理が行えるた
め、感光性樹脂膜の熱による変形を防ぐことができる。
膜は、Ｏ2プラズマ中またはＣＦ4を含むＯ2プラズマ中
でのアッシング（便宜上、Ｏ2プラズマアッシングとす
る）により除去される。すなわち、感光性樹脂膜を、フ
ォトリソグラフィー技術を用いずに除去することが可能
となるので、煩雑な操作（例えば、フォトマスクの位置
決め、エッチング）が不要となり、製造工程が簡略化さ
れ得る。さらに、Ｏ2プラズマアッシングによれば、基
板温度が比較的低温（100〜140℃）で処理が行えるた
め、感光性樹脂膜の熱による変形を防ぐことができる。
【００４６】別の好ましい実施態様においては、表示領
域の画素電極が連結した状態でＯ2プラズマアッシング
を行い、その後、連結した画素電極を分離して各々の画
素電極を形成する。その結果、以下の弊害が防止され得
る：表示領域の画素電極がそれぞれ分離した状態でＯ2
プラズマアッシングを行うと、各々の画素電極間の感光
性樹脂膜で灰化反応が等方的に進行するため画素電極下
部の感光性樹脂膜が一部除去される。その結果、反射電
極（画素電極）がひさしのように感光性樹脂膜よりも外
側に突出した、いわゆるオーバーハング状態となる。こ
のようなオーバーハング状態の反射電極は、後の製造工
程（特に、液晶ラビング工程）において膜剥がれを起こ
してやすい。剥がれた反射電極は液晶セル内で異物とな
り、歩留まりの低下、表示品質の低下、装置の汚染、他
機種への再付着等の悪影響を及ぼす。本発明によれば、
表示領域の画素電極が連結した状態でＯ2プラズマアッ
シングを行うことにより、このような弊害が防止され得
る。さらに、以下の利点も得られる：ＴＦＴ素子部の感
光性樹脂膜を除去すると、ＴＦＴ素子とポリイミド系の
液晶配向膜とが直接接することになる。このとき、長時
間の駆動によりＴＦＴ素子部近傍のポリイミド膜は界面
分極を生じ、バックゲート効果によりオフ特性を劣化さ
せてしまう。通常、このオフ特性の劣化を緩和するため
ＴＦＴ素子全体をSiNx膜で保護している。感光性樹脂膜
は、このSiNx膜と同様オフ特性の劣化を緩和する。反射
電極を連結した状態で残すことで感光性樹脂膜をＴＦＴ
素子部に残すことが可能となり、新たにSiNx膜を形成す
る工程を省略することができる。
域の画素電極が連結した状態でＯ2プラズマアッシング
を行い、その後、連結した画素電極を分離して各々の画
素電極を形成する。その結果、以下の弊害が防止され得
る：表示領域の画素電極がそれぞれ分離した状態でＯ2
プラズマアッシングを行うと、各々の画素電極間の感光
性樹脂膜で灰化反応が等方的に進行するため画素電極下
部の感光性樹脂膜が一部除去される。その結果、反射電
極（画素電極）がひさしのように感光性樹脂膜よりも外
側に突出した、いわゆるオーバーハング状態となる。こ
のようなオーバーハング状態の反射電極は、後の製造工
程（特に、液晶ラビング工程）において膜剥がれを起こ
してやすい。剥がれた反射電極は液晶セル内で異物とな
り、歩留まりの低下、表示品質の低下、装置の汚染、他
機種への再付着等の悪影響を及ぼす。本発明によれば、
表示領域の画素電極が連結した状態でＯ2プラズマアッ
シングを行うことにより、このような弊害が防止され得
る。さらに、以下の利点も得られる：ＴＦＴ素子部の感
光性樹脂膜を除去すると、ＴＦＴ素子とポリイミド系の
液晶配向膜とが直接接することになる。このとき、長時
間の駆動によりＴＦＴ素子部近傍のポリイミド膜は界面
分極を生じ、バックゲート効果によりオフ特性を劣化さ
せてしまう。通常、このオフ特性の劣化を緩和するため
ＴＦＴ素子全体をSiNx膜で保護している。感光性樹脂膜
は、このSiNx膜と同様オフ特性の劣化を緩和する。反射
電極を連結した状態で残すことで感光性樹脂膜をＴＦＴ
素子部に残すことが可能となり、新たにSiNx膜を形成す
る工程を省略することができる。
【００４７】さらに別の好ましい実施態様においては、
画素電極が連結した状態で前記表示領域に存在しかつ該
表示領域の外側まで存在する状態でＯ2プラズマアッシ
ングを行い、その後、連結した画素電極を分離して各々
の画素電極を形成すると同時に、表示領域の外側に存在
する反射電極（画素電極）を除去する。その結果、オー
バーハング状態の反射電極は、表示領域の外側にしか存
在せず、かつ、画素電極を分離する際にオーバーハング
状態の反射電極を除去するため、液晶表示装置の特性や
製造装置に悪影響を与えない。従って、上記のような表
示領域内のオーバーハング状態の反射電極に起因する弊
害が防止され得る。
画素電極が連結した状態で前記表示領域に存在しかつ該
表示領域の外側まで存在する状態でＯ2プラズマアッシ
ングを行い、その後、連結した画素電極を分離して各々
の画素電極を形成すると同時に、表示領域の外側に存在
する反射電極（画素電極）を除去する。その結果、オー
バーハング状態の反射電極は、表示領域の外側にしか存
在せず、かつ、画素電極を分離する際にオーバーハング
状態の反射電極を除去するため、液晶表示装置の特性や
製造装置に悪影響を与えない。従って、上記のような表
示領域内のオーバーハング状態の反射電極に起因する弊
害が防止され得る。
【００４８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。 （実施形態１）図１は実施形態１の反射型液晶表示装置
におけるアクティブマトリクス基板の１画素分の構成を
示す平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ’線断面部分、
すなわちＴＦＴ部の構成を示す断面図である。また、図
３（ａ−１）〜（ｃ−１）、図４（ａ−１）〜（ｃ−
１）、図５（ａ−１）〜（ｃ−１）、図６（ａ−１）〜
（ｃ−１）、図７（ａ−１）および（ｂ−１）はＴＦＴ
部の製造工程を説明するための断面図であり、図３（ａ
−２）〜（ｃ−２）、図４（ａ−２）〜（ｃ−２）、図
５（ａ−２）〜（ｃ−２）、図６（ａ−２）〜（ｃ−
２）、図７（ａ−２）および（ｂ−２）はアクティブマ
トリクス基板において画素電極の設けられている表示領
域よりも外側にあるゲート端子部の製造工程を説明する
ための断面図であり、図３（ａ−３）〜（ｃ−３）、図
４（ａ−３）〜（ｃ−３）、図５（ａ−３）〜（ｃ−
３）、図６（ａ−３）〜（ｃ−３）、図７（ａ−３）お
よび（ｂ−３）はアクティブマトリクス基板において表
示領域よりも外側にあるソース端子部の製造工程を説明
するための断面図である。
て、図面を参照しながら説明する。 （実施形態１）図１は実施形態１の反射型液晶表示装置
におけるアクティブマトリクス基板の１画素分の構成を
示す平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ’線断面部分、
すなわちＴＦＴ部の構成を示す断面図である。また、図
３（ａ−１）〜（ｃ−１）、図４（ａ−１）〜（ｃ−
１）、図５（ａ−１）〜（ｃ−１）、図６（ａ−１）〜
（ｃ−１）、図７（ａ−１）および（ｂ−１）はＴＦＴ
部の製造工程を説明するための断面図であり、図３（ａ
−２）〜（ｃ−２）、図４（ａ−２）〜（ｃ−２）、図
５（ａ−２）〜（ｃ−２）、図６（ａ−２）〜（ｃ−
２）、図７（ａ−２）および（ｂ−２）はアクティブマ
トリクス基板において画素電極の設けられている表示領
域よりも外側にあるゲート端子部の製造工程を説明する
ための断面図であり、図３（ａ−３）〜（ｃ−３）、図
４（ａ−３）〜（ｃ−３）、図５（ａ−３）〜（ｃ−
３）、図６（ａ−３）〜（ｃ−３）、図７（ａ−３）お
よび（ｂ−３）はアクティブマトリクス基板において表
示領域よりも外側にあるソース端子部の製造工程を説明
するための断面図である。
【００４９】このアクティブマトリクス基板は、図１に
示すように、ガラス基板１０１上に反射板としても兼用
される画素電極（反射電極）１０５がマトリクス状に設
けられ、その近傍を通って互いに交差するように走査線
であるゲート配線１０２および信号線であるソース配線
１０３が設けられている。各ゲート配線１０２および各
ソース配線１０３の交差部近傍にはスイッチング素子で
あるＴＦＴ１０４が設けられている。ＴＦＴ１０４のゲ
ート電極はゲート配線１０２から分岐した部分であり、
ＴＦＴ１０４のソース電極はソース配線１０３から分岐
した部分であり、ＴＦＴのドレイン電極は反射電極１０
５と接続されている。この反射電極１０５は、表示領域
において高開口率化を図るために絶縁性保護膜を間に介
してＴＦＴ１０４、ゲート配線の一部およびソース配線
の一部と重畳するように設けられている。
示すように、ガラス基板１０１上に反射板としても兼用
される画素電極（反射電極）１０５がマトリクス状に設
けられ、その近傍を通って互いに交差するように走査線
であるゲート配線１０２および信号線であるソース配線
１０３が設けられている。各ゲート配線１０２および各
ソース配線１０３の交差部近傍にはスイッチング素子で
あるＴＦＴ１０４が設けられている。ＴＦＴ１０４のゲ
ート電極はゲート配線１０２から分岐した部分であり、
ＴＦＴ１０４のソース電極はソース配線１０３から分岐
した部分であり、ＴＦＴのドレイン電極は反射電極１０
５と接続されている。この反射電極１０５は、表示領域
において高開口率化を図るために絶縁性保護膜を間に介
してＴＦＴ１０４、ゲート配線の一部およびソース配線
の一部と重畳するように設けられている。
【００５０】ＴＦＴ部には、図２に示すように、ガラス
基板１０１上に導電性薄膜からなるゲート電極１０２ａ
が設けられ、その上を覆って絶縁体層１０６が設けられ
ている。その上にはゲート電極１０２ａと重畳するよう
に半導体層１０７が設けられ、その半導体層１０７の一
部を覆い、かつ、その中央部の上で分断された状態で、
コンタクト層１２０ａ、１２０ｂが形成されている。一
方のコンタクト層１２０ａの上にはソース電極１０３ａ
が設けられ、他方のコンタクト層１２０ｂの上にはドレ
イン電極１０８が設けられている。このＴＦＴ１０４、
ゲート配線１０２の一部およびソース配線１０３の一部
を覆うように、高開口率化を図るための絶縁性保護膜と
して感光性樹脂膜１１１が設けられている。この感光性
樹脂膜１１１を間に介してＴＦＴ１０４、ゲート配線１
０２の一部およびソース配線１０３の一部と重畳するよ
うに、Ａｌ等からなる反射電極１０５が設けられ、ＴＦ
Ｔ１０４のドレイン電極１０８上に設けられた感光性樹
脂膜１１１のコンタクトホール１１２を介してドレイン
電極１０８と反射電極１０５とが電気的に接続されてい
る。
基板１０１上に導電性薄膜からなるゲート電極１０２ａ
が設けられ、その上を覆って絶縁体層１０６が設けられ
ている。その上にはゲート電極１０２ａと重畳するよう
に半導体層１０７が設けられ、その半導体層１０７の一
部を覆い、かつ、その中央部の上で分断された状態で、
コンタクト層１２０ａ、１２０ｂが形成されている。一
方のコンタクト層１２０ａの上にはソース電極１０３ａ
が設けられ、他方のコンタクト層１２０ｂの上にはドレ
イン電極１０８が設けられている。このＴＦＴ１０４、
ゲート配線１０２の一部およびソース配線１０３の一部
を覆うように、高開口率化を図るための絶縁性保護膜と
して感光性樹脂膜１１１が設けられている。この感光性
樹脂膜１１１を間に介してＴＦＴ１０４、ゲート配線１
０２の一部およびソース配線１０３の一部と重畳するよ
うに、Ａｌ等からなる反射電極１０５が設けられ、ＴＦ
Ｔ１０４のドレイン電極１０８上に設けられた感光性樹
脂膜１１１のコンタクトホール１１２を介してドレイン
電極１０８と反射電極１０５とが電気的に接続されてい
る。
【００５１】ゲート端子部には、図７（ａ−２）に示す
ように、ガラス基板１０１上に設けられたゲート配線１
０２の上に外部素子との接続電極１０９が設けられてい
る。また、ソース端子部には、図７（ａ−３）に示すよ
うに、ガラス基板１０１上に設けられたソース配線１０
３の上に外部素子との接続電極１０９が設けられてい
る。
ように、ガラス基板１０１上に設けられたゲート配線１
０２の上に外部素子との接続電極１０９が設けられてい
る。また、ソース端子部には、図７（ａ−３）に示すよ
うに、ガラス基板１０１上に設けられたソース配線１０
３の上に外部素子との接続電極１０９が設けられてい
る。
【００５２】このアクティブマトリクス基板は例えば以
下に示すようにして作製することができる。なお、表示
領域（ＴＦＴ部）において、図３（ａ−１）に示すよう
なＴＦＴ１０４を形成するまでの工程、ゲート端子部お
よびソース端子部において、図３（ａ−２）および図３
（ａ−３）に示すようなゲート配線１０２およびソース
配線１０３上にＩＴＯからなる接続電極１０９を設ける
までの工程は、通常の液晶表示装置と同様に作製するこ
とができるので、それ以降の製造工程について説明す
る。
下に示すようにして作製することができる。なお、表示
領域（ＴＦＴ部）において、図３（ａ−１）に示すよう
なＴＦＴ１０４を形成するまでの工程、ゲート端子部お
よびソース端子部において、図３（ａ−２）および図３
（ａ−３）に示すようなゲート配線１０２およびソース
配線１０３上にＩＴＯからなる接続電極１０９を設ける
までの工程は、通常の液晶表示装置と同様に作製するこ
とができるので、それ以降の製造工程について説明す
る。
【００５３】まず、図３（ｂ−１）、図３（ｂ−２）お
よび図３（ｂ−３）に示すように、基板上に、後述する
工程でＴＦＴ１０４、ゲート配線１０２の一部およびソ
ース配線１０３の一部を覆う絶縁性保護膜となる感光性
樹脂膜１１１’を塗布する。
よび図３（ｂ−３）に示すように、基板上に、後述する
工程でＴＦＴ１０４、ゲート配線１０２の一部およびソ
ース配線１０３の一部を覆う絶縁性保護膜となる感光性
樹脂膜１１１’を塗布する。
【００５４】次に、図３（ｃ−１）、図３（ｃ−２）お
よび図３（ｃ−３）に示すように、コンタクトホール１
１２部分に透光部を有するフォトマスク１３０を介して
感光性樹脂膜１１１’を露光し、現像および焼成を行う
ことにより、図４（ａ−１）に示すように、ドレイン電
極１０８上にコンタクトホール１１２を形成する。この
とき、図４（ａ−２）および図４（ａ−３）に示すよう
に、ゲート端子部およびソース端子部の接続電極１０９
上にも感光性樹脂膜１１１を残しておく。なお、このと
き用いた感光性樹脂膜１１１’はポジ型であり、露光お
よび現像を行うことにより光が照射された部分の感光性
樹脂膜１１１’は除去される。感光性樹脂がネガ型であ
る場合には、光が照射されなかった部分の感光性樹脂膜
１１１’が除去される。
よび図３（ｃ−３）に示すように、コンタクトホール１
１２部分に透光部を有するフォトマスク１３０を介して
感光性樹脂膜１１１’を露光し、現像および焼成を行う
ことにより、図４（ａ−１）に示すように、ドレイン電
極１０８上にコンタクトホール１１２を形成する。この
とき、図４（ａ−２）および図４（ａ−３）に示すよう
に、ゲート端子部およびソース端子部の接続電極１０９
上にも感光性樹脂膜１１１を残しておく。なお、このと
き用いた感光性樹脂膜１１１’はポジ型であり、露光お
よび現像を行うことにより光が照射された部分の感光性
樹脂膜１１１’は除去される。感光性樹脂がネガ型であ
る場合には、光が照射されなかった部分の感光性樹脂膜
１１１’が除去される。
【００５５】続いて、図４（ｂ−１）に示すように、コ
ンタクトホール１１２が形成された感光性樹脂膜１１１
を覆うように、基板全面にＡｌ等からなる反射電極膜１
０５’を形成する。このとき、図４（ｂ−２）および図
４（ｂ−３）に示すように、ゲート端子部およびソース
端子部では接続電極１０９が感光性樹脂膜１１１で覆わ
れており、その上に形成されたＡｌ等からなる反射電極
膜１０５’と接続電極１０９とは接触していない。
ンタクトホール１１２が形成された感光性樹脂膜１１１
を覆うように、基板全面にＡｌ等からなる反射電極膜１
０５’を形成する。このとき、図４（ｂ−２）および図
４（ｂ−３）に示すように、ゲート端子部およびソース
端子部では接続電極１０９が感光性樹脂膜１１１で覆わ
れており、その上に形成されたＡｌ等からなる反射電極
膜１０５’と接続電極１０９とは接触していない。
【００５６】その後、図４（ｃ−１）、図４（ｃ−２）
および図４（ｃ−３）に示すように、スピンコート法に
より反射電極膜１０５’の上にレジストを塗布してレジ
スト膜１１３’を形成する。
および図４（ｃ−３）に示すように、スピンコート法に
より反射電極膜１０５’の上にレジストを塗布してレジ
スト膜１１３’を形成する。
【００５７】次に、リソグラフィ技術におけるレジスト
プロセスを用いてレジスト膜１１３’の露光および現像
を行うことにより、図５（ａ−１）に示すように、表示
領域に反射電極形成用のレジストパターン１１３を形成
する。このとき、図５（ａ−２）および図５（ａ−３）
に示すように、ゲート端子部およびソース端子部ではレ
ジスト膜１１３’が除去される。
プロセスを用いてレジスト膜１１３’の露光および現像
を行うことにより、図５（ａ−１）に示すように、表示
領域に反射電極形成用のレジストパターン１１３を形成
する。このとき、図５（ａ−２）および図５（ａ−３）
に示すように、ゲート端子部およびソース端子部ではレ
ジスト膜１１３’が除去される。
【００５８】続いて、レジストパターン１１３をマスク
としてＡｌからなる反射電極膜１０５’のエッチングを
行うことにより、図５（ｂ−１）に示すように、感光性
樹脂膜１１１を間に介してＴＦＴ１０４、ゲート配線の
一部およびソース配線の一部と重畳するように反射電極
１０５を形成する。このとき、図５（ｂ−２）および図
５（ｂ−３）に示すように、ゲート端子部およびソース
端子部では反射電極膜１０５’が除去される。
としてＡｌからなる反射電極膜１０５’のエッチングを
行うことにより、図５（ｂ−１）に示すように、感光性
樹脂膜１１１を間に介してＴＦＴ１０４、ゲート配線の
一部およびソース配線の一部と重畳するように反射電極
１０５を形成する。このとき、図５（ｂ−２）および図
５（ｂ−３）に示すように、ゲート端子部およびソース
端子部では反射電極膜１０５’が除去される。
【００５９】その後、基板をレジスト剥離液中に浸漬す
ることなどにより、図５（ｃ−１）に示すように、レジ
ストパターン１１３を除去する。
ることなどにより、図５（ｃ−１）に示すように、レジ
ストパターン１１３を除去する。
【００６０】次に、図６（ａ−１）、図６（ａ−２）お
よび図６（ａ−３）に示すように、スピンコート法によ
り反射電極膜１０５が形成された基板全面にレジストを
塗布してレジスト膜１１４’を形成する。
よび図６（ａ−３）に示すように、スピンコート法によ
り反射電極膜１０５が形成された基板全面にレジストを
塗布してレジスト膜１１４’を形成する。
【００６１】続いて、リソグラフィ技術におけるレジス
トプロセスを用いてレジスト膜１１４’の露光および現
像を行うことにより、図６（ｂ−２）および図６（ｂ−
３）に示すように、ゲート端子部およびソース端子部の
レジスト膜１１４’を除去して接続電極１０９上の感光
性樹脂膜１１１を表出させる。このとき、図６（ｂ−
１）に示すように、表示領域ではレジストパターン１１
４を残しておく。
トプロセスを用いてレジスト膜１１４’の露光および現
像を行うことにより、図６（ｂ−２）および図６（ｂ−
３）に示すように、ゲート端子部およびソース端子部の
レジスト膜１１４’を除去して接続電極１０９上の感光
性樹脂膜１１１を表出させる。このとき、図６（ｂ−
１）に示すように、表示領域ではレジストパターン１１
４を残しておく。
【００６２】その後、レジストパターン１１４をマスク
として感光性樹脂膜１１１のエッチングを行うことによ
り、図６（ｃ−２）および図６（ｃ−３）に示すよう
に、ゲート端子部およびソース端子部の感光性樹脂膜１
１１を除去して接続電極１０９を表出させる。このと
き、図６（ｃ−１）に示すように、表示領域ではレジス
トパターン１１４が残されているため、感光性樹脂膜１
１１が除去されない。
として感光性樹脂膜１１１のエッチングを行うことによ
り、図６（ｃ−２）および図６（ｃ−３）に示すよう
に、ゲート端子部およびソース端子部の感光性樹脂膜１
１１を除去して接続電極１０９を表出させる。このと
き、図６（ｃ−１）に示すように、表示領域ではレジス
トパターン１１４が残されているため、感光性樹脂膜１
１１が除去されない。
【００６３】次に、基板をレジスト剥離液中に浸漬する
ことなどにより、図７（ａ−１）に示すように、レジス
トパターン１１４を除去する。
ことなどにより、図７（ａ−１）に示すように、レジス
トパターン１１４を除去する。
【００６４】このようにして製造されたアクティブマト
リクス基板と、対向電極が設けられた対向基板とを貼り
合わせ、両基板の間に液晶を封入することにより反射型
液晶表示装置とする。
リクス基板と、対向電極が設けられた対向基板とを貼り
合わせ、両基板の間に液晶を封入することにより反射型
液晶表示装置とする。
【００６５】このようにして実際に得られた本実施形態
の反射型液晶表示装置は、接続電極１０９と反射電極１
０５との間の電池効果による腐食・溶解が起こらなかっ
た。これは、反射電極膜１０５’をパターニングして反
射電極１０５を形成する際に、リソグラフィ技術におけ
るレジストプロセスを用いてレジスト膜の露光および現
像を行う間、ゲート端子部分およびソース端子部分にお
いて接続電極１０９が感光性樹脂膜１１１で覆われてい
るからである。
の反射型液晶表示装置は、接続電極１０９と反射電極１
０５との間の電池効果による腐食・溶解が起こらなかっ
た。これは、反射電極膜１０５’をパターニングして反
射電極１０５を形成する際に、リソグラフィ技術におけ
るレジストプロセスを用いてレジスト膜の露光および現
像を行う間、ゲート端子部分およびソース端子部分にお
いて接続電極１０９が感光性樹脂膜１１１で覆われてい
るからである。
【００６６】また、表示領域においては、この感光性樹
脂膜１１１を形成する際に、ＴＦＴ１０４、ゲート配線
１０２の一部およびソース配線１０３の一部を覆うよう
に形成しているので、これらを保護する絶縁性保護膜と
することができる。また、その上に反射電極１０５を形
成してＴＦＴ１０４、ゲート配線１０２の一部およびソ
ース配線１０３の一部と反射電極１０５とを重畳させる
構造としているので、高開口率化を図ることができる。
脂膜１１１を形成する際に、ＴＦＴ１０４、ゲート配線
１０２の一部およびソース配線１０３の一部を覆うよう
に形成しているので、これらを保護する絶縁性保護膜と
することができる。また、その上に反射電極１０５を形
成してＴＦＴ１０４、ゲート配線１０２の一部およびソ
ース配線１０３の一部と反射電極１０５とを重畳させる
構造としているので、高開口率化を図ることができる。
【００６７】なお、本実施形態では、ゲート端子部およ
びソース端子部において感光性樹脂膜１１１を除去して
接続電極１０９を表出させる際に、表示領域においてレ
ジスト膜１１４を残存させている。これは、反射電極１
０５に影響を及ぼすのを防ぐためであり、また、表示領
域において反射電極１０５で覆われずに露呈している感
光性樹脂膜１１１が上記工程で同時に除去されるのを防
ぐためである。しかし、反射電極１０５に対する影響を
考慮する必要がなく、表示領域において反射電極１０５
で覆われずに露呈している感光性樹脂膜１１１が上記工
程で同時に除去されても問題が無い場合には、図６に示
したようなレジスト膜１１４を形成する工程を省略して
もよい。この場合、図５（ｃ−１）、図５（ｃ−２）お
よび図５（ｃ−３）に示したように、表示領域に反射電
極１０５を形成した後、感光性樹脂膜１１１のエッチン
グを行うことにより、図７（ｂ−１）、図７（ｂ−２）
および図７（ｂ−３）に示すように、ゲート端子部およ
びソース端子部の感光性樹脂膜１１１を除去して接続電
極１０９を表出させることができるので、製造工程を短
縮化することが可能である。
びソース端子部において感光性樹脂膜１１１を除去して
接続電極１０９を表出させる際に、表示領域においてレ
ジスト膜１１４を残存させている。これは、反射電極１
０５に影響を及ぼすのを防ぐためであり、また、表示領
域において反射電極１０５で覆われずに露呈している感
光性樹脂膜１１１が上記工程で同時に除去されるのを防
ぐためである。しかし、反射電極１０５に対する影響を
考慮する必要がなく、表示領域において反射電極１０５
で覆われずに露呈している感光性樹脂膜１１１が上記工
程で同時に除去されても問題が無い場合には、図６に示
したようなレジスト膜１１４を形成する工程を省略して
もよい。この場合、図５（ｃ−１）、図５（ｃ−２）お
よび図５（ｃ−３）に示したように、表示領域に反射電
極１０５を形成した後、感光性樹脂膜１１１のエッチン
グを行うことにより、図７（ｂ−１）、図７（ｂ−２）
および図７（ｂ−３）に示すように、ゲート端子部およ
びソース端子部の感光性樹脂膜１１１を除去して接続電
極１０９を表出させることができるので、製造工程を短
縮化することが可能である。
【００６８】また、本実施形態では、表示領域において
感光性樹脂膜の端部を走査線および信号線よりも内側に
配しているが、感光性樹脂膜がＴＦＴを覆うと共にその
端部が走査線の一部および信号線の一部を覆うように形
成してもよい。この場合、画素電極をＴＦＴ、走査線の
一部および信号線の一部と重畳させることができるの
で、最大限に高開口率化を図ることができると共に、感
光性樹脂膜をＴＦＴ、走査線および信号線の絶縁性保護
膜としても用いることができる。また、この場合よりも
開口率は低くなるが、感光性樹脂膜をＴＦＴ上に設けな
い構成も可能であり、また、ＴＦＴのドレイン電極のみ
を覆うように設ける構成も可能である。
感光性樹脂膜の端部を走査線および信号線よりも内側に
配しているが、感光性樹脂膜がＴＦＴを覆うと共にその
端部が走査線の一部および信号線の一部を覆うように形
成してもよい。この場合、画素電極をＴＦＴ、走査線の
一部および信号線の一部と重畳させることができるの
で、最大限に高開口率化を図ることができると共に、感
光性樹脂膜をＴＦＴ、走査線および信号線の絶縁性保護
膜としても用いることができる。また、この場合よりも
開口率は低くなるが、感光性樹脂膜をＴＦＴ上に設けな
い構成も可能であり、また、ＴＦＴのドレイン電極のみ
を覆うように設ける構成も可能である。
【００６９】また、ＴＦＴのドレイン電極を長くなるよ
うに延出形成してその延出形成部分を引き回す構成とす
ることにより、ＴＦＴのドレイン電極と画素電極とを電
気的に接続させるためのコンタクトホールをＴＦＴから
離して設けることができる。この場合、ドレイン電極と
しては、図２に示すドレイン電極１０８とは別体とした
引き回し電極部分を有する構成としてもよい。
うに延出形成してその延出形成部分を引き回す構成とす
ることにより、ＴＦＴのドレイン電極と画素電極とを電
気的に接続させるためのコンタクトホールをＴＦＴから
離して設けることができる。この場合、ドレイン電極と
しては、図２に示すドレイン電極１０８とは別体とした
引き回し電極部分を有する構成としてもよい。
【００７０】（実施形態２）図８は実施形態２の反射型
液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の１画
素分の構成を示す平面図であり、図９は図１のＢ−Ｂ’
線断面部分、すなわちＴＦＴ部の構成を示す断面図であ
る。また、図１０（ａ−１）〜（ｃ−１）、図１１（ａ
−１）〜（ｃ−１）、図１２（ａ−１）〜（ｃ−１）、
図１３（ａ−１）〜（ｃ−１）、図１４（ａ−１）およ
び（ｂ−１）はＴＦＴ部の製造工程を説明するための断
面図であり、図１０（ａ−２）〜（ｃ−２）、図１１
（ａ−２）〜（ｃ−２）、図１２（ａ−２）〜（ｃ−
２）、図１３（ａ−２）〜（ｃ−２）、図１４（ａ−
２）および（ｂ−２）はアクティブマトリクス基板にお
いて画素電極の設けられている表示領域よりも外側にあ
るゲート端子部の製造工程を説明するための断面図であ
り、図１０（ａ−３）〜（ｃ−３）、図１１（ａ−３）
〜（ｃ−３）、図１２（ａ−３）〜（ｃ−３）、図１３
（ａ−３）〜（ｃ−３）、図１４（ａ−３）および（ｂ
−３）はアクティブマトリクス基板において表示領域よ
りも外側にあるソース端子部の製造工程を説明するため
の断面図である。
液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の１画
素分の構成を示す平面図であり、図９は図１のＢ−Ｂ’
線断面部分、すなわちＴＦＴ部の構成を示す断面図であ
る。また、図１０（ａ−１）〜（ｃ−１）、図１１（ａ
−１）〜（ｃ−１）、図１２（ａ−１）〜（ｃ−１）、
図１３（ａ−１）〜（ｃ−１）、図１４（ａ−１）およ
び（ｂ−１）はＴＦＴ部の製造工程を説明するための断
面図であり、図１０（ａ−２）〜（ｃ−２）、図１１
（ａ−２）〜（ｃ−２）、図１２（ａ−２）〜（ｃ−
２）、図１３（ａ−２）〜（ｃ−２）、図１４（ａ−
２）および（ｂ−２）はアクティブマトリクス基板にお
いて画素電極の設けられている表示領域よりも外側にあ
るゲート端子部の製造工程を説明するための断面図であ
り、図１０（ａ−３）〜（ｃ−３）、図１１（ａ−３）
〜（ｃ−３）、図１２（ａ−３）〜（ｃ−３）、図１３
（ａ−３）〜（ｃ−３）、図１４（ａ−３）および（ｂ
−３）はアクティブマトリクス基板において表示領域よ
りも外側にあるソース端子部の製造工程を説明するため
の断面図である。
【００７１】このアクティブマトリクス基板は、図８に
示すように、ガラス基板２０１上に反射板としても兼用
される画素電極（反射電極）２０５がマトリクス状に設
けられ、その近傍を通って互いに交差するように走査線
であるゲート配線２０２および信号線であるソース配線
２０３が設けられている。各ゲート配線２０２および各
ソース配線２０３の交差部近傍にはスイッチング素子で
あるＴＦＴ２０４が設けられている。ＴＦＴ２０４のゲ
ート電極はゲート配線２０２から分岐した部分であり、
ＴＦＴ２０４のソース電極はソース配線２０３から分岐
した部分であり、ＴＦＴのドレイン電極は反射電極２０
５と接続されている。この反射電極２０５の下には、あ
らゆる角度からの入射光に対して表示画面に垂直な方向
へ散乱する光の強度を増加させるために、感光性樹脂か
らなる複数の凸部または凹部（例えば凸部）２１１ａが
設けられている。
示すように、ガラス基板２０１上に反射板としても兼用
される画素電極（反射電極）２０５がマトリクス状に設
けられ、その近傍を通って互いに交差するように走査線
であるゲート配線２０２および信号線であるソース配線
２０３が設けられている。各ゲート配線２０２および各
ソース配線２０３の交差部近傍にはスイッチング素子で
あるＴＦＴ２０４が設けられている。ＴＦＴ２０４のゲ
ート電極はゲート配線２０２から分岐した部分であり、
ＴＦＴ２０４のソース電極はソース配線２０３から分岐
した部分であり、ＴＦＴのドレイン電極は反射電極２０
５と接続されている。この反射電極２０５の下には、あ
らゆる角度からの入射光に対して表示画面に垂直な方向
へ散乱する光の強度を増加させるために、感光性樹脂か
らなる複数の凸部または凹部（例えば凸部）２１１ａが
設けられている。
【００７２】ＴＦＴ部には、図９に示すように、ガラス
基板２０１上に導電性薄膜からなるゲート電極２０２ａ
が設けられ、その上を覆って絶縁体層２０６が設けられ
ている。その上にはゲート電極２０２ａと重畳するよう
に半導体層２０７が設けられ、その半導体層２０７の一
部を覆い、かつ、その中央部の上で分断された状態で、
コンタクト層２２０ａ、２２０ｂが形成されている。一
方のコンタクト層２２０ａの上にはソース電極２０３ａ
が設けられ、他方のコンタクト層２２０ｂの上にはドレ
イン電極２０８が設けられている。このＴＦＴ２０４の
ドレイン電極２０８と一部重畳してＡｌ等からなる反射
電極２０５が設けられて、ドレイン電極２０８と反射電
極２０５とが電気的に接続されている。この反射電極２
０５の下には、感光性樹脂からなる複数の凸部２１１ａ
が形成されている。
基板２０１上に導電性薄膜からなるゲート電極２０２ａ
が設けられ、その上を覆って絶縁体層２０６が設けられ
ている。その上にはゲート電極２０２ａと重畳するよう
に半導体層２０７が設けられ、その半導体層２０７の一
部を覆い、かつ、その中央部の上で分断された状態で、
コンタクト層２２０ａ、２２０ｂが形成されている。一
方のコンタクト層２２０ａの上にはソース電極２０３ａ
が設けられ、他方のコンタクト層２２０ｂの上にはドレ
イン電極２０８が設けられている。このＴＦＴ２０４の
ドレイン電極２０８と一部重畳してＡｌ等からなる反射
電極２０５が設けられて、ドレイン電極２０８と反射電
極２０５とが電気的に接続されている。この反射電極２
０５の下には、感光性樹脂からなる複数の凸部２１１ａ
が形成されている。
【００７３】ゲート端子部には、図１４（ａ−２）に示
すように、ガラス基板２０１上に設けられたゲート配線
２０２の上に外部素子との接続電極２０９が設けられて
いる。また、ソース端子部には、図１４（ａ−３）に示
すように、ガラス基板２０１上に設けられたソース配線
２０３の上に外部素子との接続電極２０９が設けられて
いる。
すように、ガラス基板２０１上に設けられたゲート配線
２０２の上に外部素子との接続電極２０９が設けられて
いる。また、ソース端子部には、図１４（ａ−３）に示
すように、ガラス基板２０１上に設けられたソース配線
２０３の上に外部素子との接続電極２０９が設けられて
いる。
【００７４】このアクティブマトリクス基板は例えば以
下に示すようにして作製することができる。なお、表示
領域（ＴＦＴ部）において、図１０（ａ−１）に示すよ
うなＴＦＴ２０４を形成するまでの工程、ゲート端子部
およびソース端子部において、図１０（ａ−２）および
図１０（ａ−３）に示すようなゲート配線２０２および
ソース配線２０３上にＩＴＯからなる接続電極２０９を
設けるまでの工程は、通常の液晶表示装置と同様に作製
することができるので、それ以降の製造工程について説
明する。
下に示すようにして作製することができる。なお、表示
領域（ＴＦＴ部）において、図１０（ａ−１）に示すよ
うなＴＦＴ２０４を形成するまでの工程、ゲート端子部
およびソース端子部において、図１０（ａ−２）および
図１０（ａ−３）に示すようなゲート配線２０２および
ソース配線２０３上にＩＴＯからなる接続電極２０９を
設けるまでの工程は、通常の液晶表示装置と同様に作製
することができるので、それ以降の製造工程について説
明する。
【００７５】まず、図１０（ｂ−１）、図１０（ｂ−
２）および図１０（ｂ−３）に示すように、基板上に、
後述する工程で反射電極２０５下に相当する部分に凸部
２１１を形成するための感光性樹脂膜２１１’を塗布す
る。
２）および図１０（ｂ−３）に示すように、基板上に、
後述する工程で反射電極２０５下に相当する部分に凸部
２１１を形成するための感光性樹脂膜２１１’を塗布す
る。
【００７６】次に、図１０（ｃ−１）、図１０（ｃ−
２）および図１０（ｃ−３）に示すように、従来技術の
項で説明したような円形の遮光領域または円形の透光領
域が配列された遮光手段（レチクル）２３０を介して感
光性樹脂膜２１１’を露光し、現像および焼成を行うこ
とにより、図１１（ａ−１）に示すように、感光性樹脂
膜２１１’’を形成する。このとき、図１１（ａ−２）
および図１１（ａ−３）に示すように、ゲート端子部お
よびソース端子部の接続電極２０９上にも感光性樹脂膜
２１１’’を残しておく。なお、このとき用いた感光性
樹脂膜２１１’はポジ型であり、露光および現像を行う
ことにより光が照射された部分の感光性樹脂膜２１１’
は除去される。感光性樹脂がネガ型である場合には、光
が照射されなかった部分の感光性樹脂膜２１１’が除去
される。
２）および図１０（ｃ−３）に示すように、従来技術の
項で説明したような円形の遮光領域または円形の透光領
域が配列された遮光手段（レチクル）２３０を介して感
光性樹脂膜２１１’を露光し、現像および焼成を行うこ
とにより、図１１（ａ−１）に示すように、感光性樹脂
膜２１１’’を形成する。このとき、図１１（ａ−２）
および図１１（ａ−３）に示すように、ゲート端子部お
よびソース端子部の接続電極２０９上にも感光性樹脂膜
２１１’’を残しておく。なお、このとき用いた感光性
樹脂膜２１１’はポジ型であり、露光および現像を行う
ことにより光が照射された部分の感光性樹脂膜２１１’
は除去される。感光性樹脂がネガ型である場合には、光
が照射されなかった部分の感光性樹脂膜２１１’が除去
される。
【００７７】続いて、図１１（ｂ−１）に示すように、
感光性樹脂膜２１１’’に熱処理を行うことにより、あ
らゆる角度からの入射光に対して表示画面に垂直な方向
に散乱する光の強度を増加させるような、最適な反射特
性を有する反射電極２０５を形成するための凸部２１１
ａが得られる。このとき、図１１（ｂ−２）および図１
１（ｂ−３）に示すように、ゲート端子部およびソース
端子部の接続電極２０９上にも感光性樹脂膜２１１が形
成される。
感光性樹脂膜２１１’’に熱処理を行うことにより、あ
らゆる角度からの入射光に対して表示画面に垂直な方向
に散乱する光の強度を増加させるような、最適な反射特
性を有する反射電極２０５を形成するための凸部２１１
ａが得られる。このとき、図１１（ｂ−２）および図１
１（ｂ−３）に示すように、ゲート端子部およびソース
端子部の接続電極２０９上にも感光性樹脂膜２１１が形
成される。
【００７８】その後、図１１（ｃ−１）に示すように、
感光性樹脂からなる凸部２１１を覆うように、基板全面
にＡｌ等からなる反射電極膜２０５’を形成する。この
とき、図１１（ｃ−２）および図１１（ｃ−３）に示す
ように、ゲート端子部およびソース端子部では接続電極
２０９が感光性樹脂膜２１１で覆われており、その上に
形成されたＡｌ等からなる反射電極膜２０５’と接続電
極２０９とは接触していない。
感光性樹脂からなる凸部２１１を覆うように、基板全面
にＡｌ等からなる反射電極膜２０５’を形成する。この
とき、図１１（ｃ−２）および図１１（ｃ−３）に示す
ように、ゲート端子部およびソース端子部では接続電極
２０９が感光性樹脂膜２１１で覆われており、その上に
形成されたＡｌ等からなる反射電極膜２０５’と接続電
極２０９とは接触していない。
【００７９】次に、図１２（ａ−１）、図１２（ａ−
２）および図１２（ａ−３）に示すように、スピンコー
ト法により反射電極膜２０５’の上にレジストを塗布し
てレジスト膜２１３’を形成する。
２）および図１２（ａ−３）に示すように、スピンコー
ト法により反射電極膜２０５’の上にレジストを塗布し
てレジスト膜２１３’を形成する。
【００８０】続いて、リソグラフィ技術におけるレジス
トプロセスを用いてレジスト膜２１３’の露光および現
像を行うことにより、図１２（ｂ−１）に示すように、
表示領域に反射電極形成用のレジストパターン２１３を
形成する。このとき、図１２（ｂ−２）および図１２
（ｂ−３）に示すように、ゲート端子部およびソース端
子部ではレジスト膜２１３’が除去される。
トプロセスを用いてレジスト膜２１３’の露光および現
像を行うことにより、図１２（ｂ−１）に示すように、
表示領域に反射電極形成用のレジストパターン２１３を
形成する。このとき、図１２（ｂ−２）および図１２
（ｂ−３）に示すように、ゲート端子部およびソース端
子部ではレジスト膜２１３’が除去される。
【００８１】その後、レジストパターン２１３をマスク
としてＡｌからなる反射電極膜２０５’のエッチングを
行うことにより、図１２（ｃ−１）に示すように、反射
特性を最適化させるための凸部２１１ａがその下に設け
られた反射電極２０５を形成する。このとき、図１２
（ｃ−２）および図１２（ｃ−３）に示すように、ゲー
ト端子部およびソース端子部では反射電極膜２０５’が
除去される。
としてＡｌからなる反射電極膜２０５’のエッチングを
行うことにより、図１２（ｃ−１）に示すように、反射
特性を最適化させるための凸部２１１ａがその下に設け
られた反射電極２０５を形成する。このとき、図１２
（ｃ−２）および図１２（ｃ−３）に示すように、ゲー
ト端子部およびソース端子部では反射電極膜２０５’が
除去される。
【００８２】次に、基板をレジスト剥離液中に浸漬する
ことなどにより、図１３（ａ−１）に示すように、レジ
ストパターン２１３を除去する。
ことなどにより、図１３（ａ−１）に示すように、レジ
ストパターン２１３を除去する。
【００８３】続いて、図１３（ｂ−１）、図１３（ｂ−
２）および図１３（ｂ−３）に示すように、スピンコー
ト法により反射電極膜２０５が形成された基板全面にレ
ジストを塗布してレジスト膜２１４’を形成する。
２）および図１３（ｂ−３）に示すように、スピンコー
ト法により反射電極膜２０５が形成された基板全面にレ
ジストを塗布してレジスト膜２１４’を形成する。
【００８４】その後、リソグラフィ技術におけるレジス
トプロセスを用いてレジスト膜２１４’の露光および現
像を行うことにより、図１３（ｃ−２）および図１３
（ｃ−３）に示すように、ゲート端子部およびソース端
子部のレジスト膜２１４’を除去して接続電極２０９上
の感光性樹脂膜２１１を表出させる。このとき、図１３
（ｃ−１）に示すように、表示領域ではレジストパター
ン２１４を残しておく。
トプロセスを用いてレジスト膜２１４’の露光および現
像を行うことにより、図１３（ｃ−２）および図１３
（ｃ−３）に示すように、ゲート端子部およびソース端
子部のレジスト膜２１４’を除去して接続電極２０９上
の感光性樹脂膜２１１を表出させる。このとき、図１３
（ｃ−１）に示すように、表示領域ではレジストパター
ン２１４を残しておく。
【００８５】その後、レジストパターン２１４をマスク
としてＡｌからなる感光性樹脂膜２１１のエッチングを
行うことにより、図１４（ａ−２）および図１４（ａ−
３）に示すように、ゲート端子部およびソース端子部の
感光性樹脂膜２１１を除去して接続電極２０９を表出さ
せる。
としてＡｌからなる感光性樹脂膜２１１のエッチングを
行うことにより、図１４（ａ−２）および図１４（ａ−
３）に示すように、ゲート端子部およびソース端子部の
感光性樹脂膜２１１を除去して接続電極２０９を表出さ
せる。
【００８６】次に、基板をレジスト剥離液中に浸漬する
ことなどにより、図１４（ｂ−１）に示すように、レジ
ストパターン２１４を除去する。
ことなどにより、図１４（ｂ−１）に示すように、レジ
ストパターン２１４を除去する。
【００８７】このようにして製造されたアクティブマト
リクス基板と、対向電極が設けられた対向基板とを貼り
合わせ、両基板の間に液晶を封入することにより反射型
液晶表示装置とする。
リクス基板と、対向電極が設けられた対向基板とを貼り
合わせ、両基板の間に液晶を封入することにより反射型
液晶表示装置とする。
【００８８】このようにして得られた本実施形態の反射
型液晶表示装置は、接続電極２０９と反射電極２０５と
の間の電池効果による腐食・溶解が起こらなかった。こ
れは、反射電極膜２０５’をパターニングして反射電極
２０５を形成する際に、リソグラフィ技術におけるレジ
ストプロセスを用いてレジスト膜の露光および現像を行
う間、ゲート端子部分およびソース端子部分において接
続電極２０９が感光性樹脂膜２１１で覆われているから
である。
型液晶表示装置は、接続電極２０９と反射電極２０５と
の間の電池効果による腐食・溶解が起こらなかった。こ
れは、反射電極膜２０５’をパターニングして反射電極
２０５を形成する際に、リソグラフィ技術におけるレジ
ストプロセスを用いてレジスト膜の露光および現像を行
う間、ゲート端子部分およびソース端子部分において接
続電極２０９が感光性樹脂膜２１１で覆われているから
である。
【００８９】また、表示領域においては、この感光性樹
脂膜２１１を形成する際に、反射電極２０５の形成部分
に形成して、反射特性を最適化させるための凸部２１１
を形成し、その凸部２１１を覆うように反射電極２０５
を形成しているので、あらゆる角度からの入射光に対し
て表示画面に垂直な方向に散乱する光の強度を増加させ
るような、最適な反射特性を有する反射電極２０５を効
率良く形成することができる。
脂膜２１１を形成する際に、反射電極２０５の形成部分
に形成して、反射特性を最適化させるための凸部２１１
を形成し、その凸部２１１を覆うように反射電極２０５
を形成しているので、あらゆる角度からの入射光に対し
て表示画面に垂直な方向に散乱する光の強度を増加させ
るような、最適な反射特性を有する反射電極２０５を効
率良く形成することができる。
【００９０】なお、本実施形態２では、ゲート端子部お
よびソース端子部において感光性樹脂膜２１１を除去し
て接続電極２０９を表出させる際に、表示領域において
レジスト膜２１４を残存させている。これは、反射電極
２０５に影響を及ぼすのを防ぐためであり、ＴＦＴ２０
４がダメージを受けるのを防ぐためであり、また、表示
領域において反射電極２０５で覆われずに露呈している
感光性樹脂膜２１１が上記工程で同時に除去されるのを
防ぐためである。しかし、表示領域において凸部２１１
ａは反射電極２０５で覆われているので上記工程で除去
されることはないため、反射電極２０５に対する影響や
ＴＦＴ２０４が受けるダメージを考慮する必要が無い場
合には、図１３（ｂ−１）〜図１４（ａ−１）、図１３
（ｂ−２）〜図１４（ａ−２）および図１３（ｂ−３）
〜図１４（ａ−３）に示したようなレジスト膜２１４を
形成する工程を省略してもよい。この場合、図１３（ａ
−１）、図１３（ａ−２）および図１３（ａ−３）に示
したように、表示領域に反射電極２０５を形成した後、
感光性樹脂膜２１１のエッチングを行うことにより、図
１４（ｂ−１）、図１４（ｂ−２）および図１４（ｂ−
３）に示すように、ゲート端子部およびソース端子部の
感光性樹脂膜２１１を除去して接続電極２０９を表出さ
せることができるので、製造工程を短縮化することが可
能である。
よびソース端子部において感光性樹脂膜２１１を除去し
て接続電極２０９を表出させる際に、表示領域において
レジスト膜２１４を残存させている。これは、反射電極
２０５に影響を及ぼすのを防ぐためであり、ＴＦＴ２０
４がダメージを受けるのを防ぐためであり、また、表示
領域において反射電極２０５で覆われずに露呈している
感光性樹脂膜２１１が上記工程で同時に除去されるのを
防ぐためである。しかし、表示領域において凸部２１１
ａは反射電極２０５で覆われているので上記工程で除去
されることはないため、反射電極２０５に対する影響や
ＴＦＴ２０４が受けるダメージを考慮する必要が無い場
合には、図１３（ｂ−１）〜図１４（ａ−１）、図１３
（ｂ−２）〜図１４（ａ−２）および図１３（ｂ−３）
〜図１４（ａ−３）に示したようなレジスト膜２１４を
形成する工程を省略してもよい。この場合、図１３（ａ
−１）、図１３（ａ−２）および図１３（ａ−３）に示
したように、表示領域に反射電極２０５を形成した後、
感光性樹脂膜２１１のエッチングを行うことにより、図
１４（ｂ−１）、図１４（ｂ−２）および図１４（ｂ−
３）に示すように、ゲート端子部およびソース端子部の
感光性樹脂膜２１１を除去して接続電極２０９を表出さ
せることができるので、製造工程を短縮化することが可
能である。
【００９１】（実施形態３）図１５（ａ−１）〜（ｃ−
１）、図１６（ａ−１）〜（ｃ−１）、図１７（ａ−
１）〜（ｃ−１）、図１８（ａ−１）〜（ｃ−１）、図
１９（ａ−１）〜（ｃ−１）、図２０（ａ−１）〜（ｃ
−１）、および図２１（ａ−１）〜（ｂ−１）は、本発
明のさらに別の実施形態によるアクティブマトリクス基
板のＴＦＴ部の製造工程を説明するための断面図であ
り；図１５（ａ−２）〜（ｃ−２）、図１６（ａ−２）
〜（ｃ−２）、図１７（ａ−２）〜（ｃ−２）、図１８
（ａ−２）〜（ｃ−２）、図１９（ａ−２）〜（ｃ−
２）、図２０（ａ−２）〜（ｃ−２）、および図２１
（ａ−２）〜（ｂ−２）は、ゲート端子部の製造工程を
説明するための断面図であり；図１５（ａ−３）〜（ｃ
−３）、図１６（ａ−３）〜（ｃ−３）、図１７（ａ−
３）〜（ｃ−３）、図１８（ａ−３）〜（ｃ−３）、図
１９（ａ−３）〜（ｃ−３）、図２０（ａ−３）〜（ｃ
−３）、および図２１（ａ−３）〜（ｂ−３）は、ソー
ス端子部の製造工程を説明するための断面図である。
１）、図１６（ａ−１）〜（ｃ−１）、図１７（ａ−
１）〜（ｃ−１）、図１８（ａ−１）〜（ｃ−１）、図
１９（ａ−１）〜（ｃ−１）、図２０（ａ−１）〜（ｃ
−１）、および図２１（ａ−１）〜（ｂ−１）は、本発
明のさらに別の実施形態によるアクティブマトリクス基
板のＴＦＴ部の製造工程を説明するための断面図であ
り；図１５（ａ−２）〜（ｃ−２）、図１６（ａ−２）
〜（ｃ−２）、図１７（ａ−２）〜（ｃ−２）、図１８
（ａ−２）〜（ｃ−２）、図１９（ａ−２）〜（ｃ−
２）、図２０（ａ−２）〜（ｃ−２）、および図２１
（ａ−２）〜（ｂ−２）は、ゲート端子部の製造工程を
説明するための断面図であり；図１５（ａ−３）〜（ｃ
−３）、図１６（ａ−３）〜（ｃ−３）、図１７（ａ−
３）〜（ｃ−３）、図１８（ａ−３）〜（ｃ−３）、図
１９（ａ−３）〜（ｃ−３）、図２０（ａ−３）〜（ｃ
−３）、および図２１（ａ−３）〜（ｂ−３）は、ソー
ス端子部の製造工程を説明するための断面図である。
【００９２】このアクティブマトリクス基板は例えば以
下に示すようにして作製することができる。なお、表示
領域（ＴＦＴ部）において、図１５（ａ−１）に示すよ
うなＴＦＴ３０４を形成するまでの工程、ゲート端子部
およびソース端子部において、図１５（ａ−２）および
図１５（ａ−３）に示すようなゲート配線３０２および
ソース配線３０３上にＩＴＯからなる接続電極３０９を
設けるまでの工程は、通常の液晶表示装置と同様に作製
することができるので、それ以降の製造工程について説
明する。
下に示すようにして作製することができる。なお、表示
領域（ＴＦＴ部）において、図１５（ａ−１）に示すよ
うなＴＦＴ３０４を形成するまでの工程、ゲート端子部
およびソース端子部において、図１５（ａ−２）および
図１５（ａ−３）に示すようなゲート配線３０２および
ソース配線３０３上にＩＴＯからなる接続電極３０９を
設けるまでの工程は、通常の液晶表示装置と同様に作製
することができるので、それ以降の製造工程について説
明する。
【００９３】まず、図１５（ｂ−１）、図１５（ｂ−
２）および図１５（ｂ−３）に示すように、基板３０１
上に、感光性樹脂膜３１１’を、スピンコーターを用い
て厚み１〜６μm、好ましくは厚み1.5〜３μmで塗布す
る。
２）および図１５（ｂ−３）に示すように、基板３０１
上に、感光性樹脂膜３１１’を、スピンコーターを用い
て厚み１〜６μm、好ましくは厚み1.5〜３μmで塗布す
る。
【００９４】次に、図１５（ｃ−１）、図１５（ｃ−
２）および図１５（ｃ−３）に示すように、例えばステ
ッパーを用いて、任意の適切な遮光手段３３０を介して
感光性樹脂膜３１１’を露光し、現像および焼成を行う
ことにより、図１６（ａ−１）に示すように、感光性樹
脂膜３１１’に所定の形状にパターニングされた凹凸を
形成する。このとき、図１６（ａ−２）および図１６
（ａ−３）に示すように、ゲート端子部およびソース端
子部の接続電極３０９上にも感光性樹脂膜３１１’を残
しておく。感光性樹脂膜３１１’がポジ型である場合に
は、露光および現像を行うことにより光が照射された部
分の感光性樹脂膜３１１’が除去される。感光性樹脂が
ネガ型である場合には、光が照射されなかった部分の感
光性樹脂膜３１１’が除去される。本実施形態では、ポ
ジ型が用いられる。
２）および図１５（ｃ−３）に示すように、例えばステ
ッパーを用いて、任意の適切な遮光手段３３０を介して
感光性樹脂膜３１１’を露光し、現像および焼成を行う
ことにより、図１６（ａ−１）に示すように、感光性樹
脂膜３１１’に所定の形状にパターニングされた凹凸を
形成する。このとき、図１６（ａ−２）および図１６
（ａ−３）に示すように、ゲート端子部およびソース端
子部の接続電極３０９上にも感光性樹脂膜３１１’を残
しておく。感光性樹脂膜３１１’がポジ型である場合に
は、露光および現像を行うことにより光が照射された部
分の感光性樹脂膜３１１’が除去される。感光性樹脂が
ネガ型である場合には、光が照射されなかった部分の感
光性樹脂膜３１１’が除去される。本実施形態では、ポ
ジ型が用いられる。
【００９５】続いて、熱処理を行うことにより感光性樹
脂膜３１１’を硬化させる。その結果、図１６（ｂ−
１）に示すように、あらゆる角度からの入射光に対して
表示画面に垂直な方向に散乱する光の強度を増加させる
ような、最適な反射特性を有する反射電極３０５を形成
するための凸部３１１ａが得られる。このとき、図１６
（ｂ−２）および図１６（ｂ−３）に示すように、ゲー
ト端子部およびソース端子部の接続電極３０９上にも感
光性樹脂膜３１１が形成される。熱処理は、任意の適切
な手段（例えば、オーブン）を用いて行われる。本実施
形態では、熱処理温度は例えば190〜220℃、熱処理時間
は4000秒である。
脂膜３１１’を硬化させる。その結果、図１６（ｂ−
１）に示すように、あらゆる角度からの入射光に対して
表示画面に垂直な方向に散乱する光の強度を増加させる
ような、最適な反射特性を有する反射電極３０５を形成
するための凸部３１１ａが得られる。このとき、図１６
（ｂ−２）および図１６（ｂ−３）に示すように、ゲー
ト端子部およびソース端子部の接続電極３０９上にも感
光性樹脂膜３１１が形成される。熱処理は、任意の適切
な手段（例えば、オーブン）を用いて行われる。本実施
形態では、熱処理温度は例えば190〜220℃、熱処理時間
は4000秒である。
【００９６】次に、図１６（ｃ−１）、（ｃ−２）およ
び（ｃ−３）に示すように、スピンコーターを用いてレ
ジストを塗布する。さらに、図１７（ａ−１）、図１７
（ａ−２）および図１７（ａ−３）に示すように、例え
ばフォトマスク３３０を介して感光性樹脂膜３１１’を
露光し、現像および焼成を行うことにより、図１７（ｂ
−１）に示すように、ドレイン電極３０８上にコンタク
トホール３１２を形成する。このとき、コンタクトホー
ル３１２部分の感光性樹脂膜およびレジストの残渣は、
十分に除去されることが好ましい。次に、ドレイン電極
３０８と後に形成される反射電極３０５とが良好な接続
をなすように、Ｏ2プラズマアッシング処理を行う。例
えば、本実施形態では、プラズマアッシング処理は、バ
ッチ式アッシング装置を用いて、基板温度100〜140℃、
Ｏ2流量5000〜10000sccm、プラズマ放電電力5000ｗ、プ
ラズマ放電時間60〜200秒（例えば、180秒）で行われ
る。あるいは、Ｏ2中に３〜10％程度のＣＦ4ガスを混合
してもよい。プラズマ放電時間は、感光性樹脂膜が残渣
なく除去される時間であればよい。
び（ｃ−３）に示すように、スピンコーターを用いてレ
ジストを塗布する。さらに、図１７（ａ−１）、図１７
（ａ−２）および図１７（ａ−３）に示すように、例え
ばフォトマスク３３０を介して感光性樹脂膜３１１’を
露光し、現像および焼成を行うことにより、図１７（ｂ
−１）に示すように、ドレイン電極３０８上にコンタク
トホール３１２を形成する。このとき、コンタクトホー
ル３１２部分の感光性樹脂膜およびレジストの残渣は、
十分に除去されることが好ましい。次に、ドレイン電極
３０８と後に形成される反射電極３０５とが良好な接続
をなすように、Ｏ2プラズマアッシング処理を行う。例
えば、本実施形態では、プラズマアッシング処理は、バ
ッチ式アッシング装置を用いて、基板温度100〜140℃、
Ｏ2流量5000〜10000sccm、プラズマ放電電力5000ｗ、プ
ラズマ放電時間60〜200秒（例えば、180秒）で行われ
る。あるいは、Ｏ2中に３〜10％程度のＣＦ4ガスを混合
してもよい。プラズマ放電時間は、感光性樹脂膜が残渣
なく除去される時間であればよい。
【００９７】次に、図１７（ｃ−１）、図１７（ｃ−
２）および図１７（ｃ−３）に示すように、レジストを
任意の適切な剥離槽（図示せず）で除去する。
２）および図１７（ｃ−３）に示すように、レジストを
任意の適切な剥離槽（図示せず）で除去する。
【００９８】次に、図１８（ａ−１）に示すように、ス
パッタリングによりＡｌを堆積し、反射電極３０５を形
成する。本実施形態では、反射電極３０５の厚みは1000
〜5000Å、好ましくは1000〜2000Åである。
パッタリングによりＡｌを堆積し、反射電極３０５を形
成する。本実施形態では、反射電極３０５の厚みは1000
〜5000Å、好ましくは1000〜2000Åである。
【００９９】さらに、図１８（ｂ−１）に示すように、
スピンコーターを用いてレジストを塗布する。
スピンコーターを用いてレジストを塗布する。
【０１００】次に、図１８（ｃ−１）に示すように、反
射電極３０５が少なくとも表示領域を覆い、かつ連結し
た状態で存在するように、ステッパーを用いてレジスト
をパターン露光する。好ましくは、図２２（ａ）および
（ｂ）に示すように、反射電極（画素電極）３０５が表
示領域の外側まで存在するようにパターニングする。表
示領域の外側部分に存在する反射電極の幅ｄは、例えば
約0.2mm〜約0.4mm（好ましくは約0.3mm）である。ここ
で、図１８（ｃ−２）および（ｃ−３）に示すように、
接続電極３０９部分は露光を行う。
射電極３０５が少なくとも表示領域を覆い、かつ連結し
た状態で存在するように、ステッパーを用いてレジスト
をパターン露光する。好ましくは、図２２（ａ）および
（ｂ）に示すように、反射電極（画素電極）３０５が表
示領域の外側まで存在するようにパターニングする。表
示領域の外側部分に存在する反射電極の幅ｄは、例えば
約0.2mm〜約0.4mm（好ましくは約0.3mm）である。ここ
で、図１８（ｃ−２）および（ｃ−３）に示すように、
接続電極３０９部分は露光を行う。
【０１０１】図１９（ａ−１）、図１９（ａ−２）およ
び図１９（ａ−３）に示すように、現像により露光され
たレジストを除去する。このとき、接続電極（ＩＴＯ）
３０９と反射電極（Ａｌ）３０５との間には、感光性樹
脂膜３１１が存在するため、これらが直接接触すること
はなく、従って電蝕は発生しない。
び図１９（ａ−３）に示すように、現像により露光され
たレジストを除去する。このとき、接続電極（ＩＴＯ）
３０９と反射電極（Ａｌ）３０５との間には、感光性樹
脂膜３１１が存在するため、これらが直接接触すること
はなく、従って電蝕は発生しない。
【０１０２】次に、図１９（ｂ−１）、図１９（ｂ−
２）および図１９（ｂ−３）に示すように、レジストを
保護マスクとして接続電極３０９上の反射電極３０５を
エッチングする。本実施形態では、リン酸と酢酸と硝酸
とを含むエッチング液を用いる。
２）および図１９（ｂ−３）に示すように、レジストを
保護マスクとして接続電極３０９上の反射電極３０５を
エッチングする。本実施形態では、リン酸と酢酸と硝酸
とを含むエッチング液を用いる。
【０１０３】さらに、図１９（ｃ−２）および図１９
（ｃ−３）に示すように、接続電極３０９上の感光性樹
脂をＯ2プラズマアッシング処理により除去する。例え
ば、本実施形態では、プラズマアッシング処理は、バッ
チ式アッシング装置を用いて、基板温度100〜140℃、Ｏ
2流量5000〜10000sccm、プラズマ放電電力5000ｗ、プラ
ズマ放電時間600〜1500秒（例えば、1200秒）で行われ
る。あるいは、Ｏ2中に３〜10％程度のＣＦ4ガスを混合
してもよい。プラズマ放電時間は、感光性樹脂膜が残渣
なく除去される時間であればよい。このとき、図１９
（ｃ−１）に示すように、表示領域においては反射電極
３０５がマスクとなるため、反射電極３０５下部の感光
性樹脂膜３１１はＯ2プラズマアッシングの影響を受け
ない。よって、感光性樹脂膜の絶縁性保護膜としての性
質を損なわないため、ＴＦＴ素子の信頼性向上にも寄与
する。
（ｃ−３）に示すように、接続電極３０９上の感光性樹
脂をＯ2プラズマアッシング処理により除去する。例え
ば、本実施形態では、プラズマアッシング処理は、バッ
チ式アッシング装置を用いて、基板温度100〜140℃、Ｏ
2流量5000〜10000sccm、プラズマ放電電力5000ｗ、プラ
ズマ放電時間600〜1500秒（例えば、1200秒）で行われ
る。あるいは、Ｏ2中に３〜10％程度のＣＦ4ガスを混合
してもよい。プラズマ放電時間は、感光性樹脂膜が残渣
なく除去される時間であればよい。このとき、図１９
（ｃ−１）に示すように、表示領域においては反射電極
３０５がマスクとなるため、反射電極３０５下部の感光
性樹脂膜３１１はＯ2プラズマアッシングの影響を受け
ない。よって、感光性樹脂膜の絶縁性保護膜としての性
質を損なわないため、ＴＦＴ素子の信頼性向上にも寄与
する。
【０１０４】このとき、図２３（ａ）に示すように、反
射電極３０５が表示領域に正確に対応して設けられてい
る場合には、図２３（ｂ）に示すように、表示領域外周
部分において反射電極３０５下の感光性樹脂膜３１１が
一部アッシングされる（上記アッシング条件では、表示
領域外周部から例えば10〜20μm程度内側までアッシン
グされる）。これは、アッシングによる灰化反応が等方
的に進行するためである。このため、表示領域の外周部
がオーバーハング形状となる。このオーバーハング形状
の反射電極は、以後の工程（例えば、液晶ラビング工
程）で膜剥がれを起こしやすく、反射電極が一部除去さ
れて表示特性を悪化させたり、装置に悪影響を及ぼす。
一方、図２２（ａ）および（ｂ）に示すように、反射電
極３０５が表示領域の外側まで設けられている場合に
は、表示領域の感光性樹脂膜はアッシングされない。図
２４（ａ）に示すように、表示領域外側の反射電極の下
の部分のみがアッシングされるからである。その結果、
図２４（ｂ）に示すように、表示領域の感光性樹脂膜は
除去されずに残るので、表示領域での反射電極の膜剥が
れによる表示特性の悪化は起こらない。このとき、表示
領域の外側に存在するオーバーハング形状の反射電極
は、連結された反射電極を各画素単位に分離する際に同
時にエッチングされるため、表示領域外側のオーバーハ
ング形状の反射電極が剥がれることによる歩留まりの低
下、装置の汚染等の悪影響を引き起こすことはない。さ
らに、SiNx膜を形成することなくオフ特性の劣化が防止
される。従って、反射電極３０５を表示領域の外側まで
設けておくことが好ましい。
射電極３０５が表示領域に正確に対応して設けられてい
る場合には、図２３（ｂ）に示すように、表示領域外周
部分において反射電極３０５下の感光性樹脂膜３１１が
一部アッシングされる（上記アッシング条件では、表示
領域外周部から例えば10〜20μm程度内側までアッシン
グされる）。これは、アッシングによる灰化反応が等方
的に進行するためである。このため、表示領域の外周部
がオーバーハング形状となる。このオーバーハング形状
の反射電極は、以後の工程（例えば、液晶ラビング工
程）で膜剥がれを起こしやすく、反射電極が一部除去さ
れて表示特性を悪化させたり、装置に悪影響を及ぼす。
一方、図２２（ａ）および（ｂ）に示すように、反射電
極３０５が表示領域の外側まで設けられている場合に
は、表示領域の感光性樹脂膜はアッシングされない。図
２４（ａ）に示すように、表示領域外側の反射電極の下
の部分のみがアッシングされるからである。その結果、
図２４（ｂ）に示すように、表示領域の感光性樹脂膜は
除去されずに残るので、表示領域での反射電極の膜剥が
れによる表示特性の悪化は起こらない。このとき、表示
領域の外側に存在するオーバーハング形状の反射電極
は、連結された反射電極を各画素単位に分離する際に同
時にエッチングされるため、表示領域外側のオーバーハ
ング形状の反射電極が剥がれることによる歩留まりの低
下、装置の汚染等の悪影響を引き起こすことはない。さ
らに、SiNx膜を形成することなくオフ特性の劣化が防止
される。従って、反射電極３０５を表示領域の外側まで
設けておくことが好ましい。
【０１０５】さらに、図２０（ａ−１）に示すように、
スピンコーターを用いてレジストを塗布する。
スピンコーターを用いてレジストを塗布する。
【０１０６】次に、図２０（ｂ−１）に示すように、表
示領域を覆いかつ連続した状態の反射電極３０９を画素
電極に対応するように分離する。表示領域の外側に反射
電極３０５を設けておく場合には、表示領域外側の反射
電極３０５もまた除去する。この工程は、例えば、ステ
ッパーを用いてレジストをパターン露光することにより
行う。
示領域を覆いかつ連続した状態の反射電極３０９を画素
電極に対応するように分離する。表示領域の外側に反射
電極３０５を設けておく場合には、表示領域外側の反射
電極３０５もまた除去する。この工程は、例えば、ステ
ッパーを用いてレジストをパターン露光することにより
行う。
【０１０７】さらに、図２０（ｃ−１）に示すように、
現像により、露光されたレジストを除去する。
現像により、露光されたレジストを除去する。
【０１０８】さらに、図２１（ａ−１）に示すように、
レジストを保護マスクとして、表示領域の反射電極３０
９をエッチングして、反射電極３０５を画素電極に対応
するよう分離する。同時に、表示領域外周部の反射電極
（例えば、Ａｌ）３０５をエッチングして画素電極を所
定の形状にする。
レジストを保護マスクとして、表示領域の反射電極３０
９をエッチングして、反射電極３０５を画素電極に対応
するよう分離する。同時に、表示領域外周部の反射電極
（例えば、Ａｌ）３０５をエッチングして画素電極を所
定の形状にする。
【０１０９】次に、図２１（ｂ−１）に示すように、レ
ジストを任意の適切な剥離槽（図示せず）で除去する。
このようにして、反射電極３０５が形成される。このよ
うにして製造されたアクティブマトリクス基板と、対向
電極が設けられた対向基板とを貼り合わせ、両基板の間
に液晶を封入することにより反射型液晶表示装置が得ら
れる。
ジストを任意の適切な剥離槽（図示せず）で除去する。
このようにして、反射電極３０５が形成される。このよ
うにして製造されたアクティブマトリクス基板と、対向
電極が設けられた対向基板とを貼り合わせ、両基板の間
に液晶を封入することにより反射型液晶表示装置が得ら
れる。
【０１１０】
【発明の効果】上記のように、本発明によれば、反射電
極膜と接続電極とが接触した状態でレジスト膜の現像が
行われることはない。従って、接続電極がＩＴＯからな
り、画素電極がＡｌからなる場合であっても、電池効果
による腐食・溶解が発生しないため、製造歩留りを向上
させることができる。
極膜と接続電極とが接触した状態でレジスト膜の現像が
行われることはない。従って、接続電極がＩＴＯからな
り、画素電極がＡｌからなる場合であっても、電池効果
による腐食・溶解が発生しないため、製造歩留りを向上
させることができる。
【０１１１】また、本発明にあっては、感光性樹脂膜
を、ゲート端子部およびソース端子部において接続電極
上を覆うように形成する際に、画素電極の下部にも存在
するように形成することにより、画素電極を他の部材と
絶縁させるための絶縁膜としても用いることができる。
よって、画素電極およびその下の感光性樹脂膜を、ＴＦ
Ｔ、走査線の一部および信号線の一部と重畳するように
形成することにより、画素電極の面積を拡大して高開口
率化を図ることができる。また、感光性樹脂膜を、ＴＦ
Ｔ、走査線の一部および信号線の一部の上を覆って形成
することにより、これを絶縁性保護膜としても用いるこ
とができる。
を、ゲート端子部およびソース端子部において接続電極
上を覆うように形成する際に、画素電極の下部にも存在
するように形成することにより、画素電極を他の部材と
絶縁させるための絶縁膜としても用いることができる。
よって、画素電極およびその下の感光性樹脂膜を、ＴＦ
Ｔ、走査線の一部および信号線の一部と重畳するように
形成することにより、画素電極の面積を拡大して高開口
率化を図ることができる。また、感光性樹脂膜を、ＴＦ
Ｔ、走査線の一部および信号線の一部の上を覆って形成
することにより、これを絶縁性保護膜としても用いるこ
とができる。
【０１１２】本発明にあっては、感光性樹脂膜を、ゲー
ト端子部およびソース端子部において接続電極上を覆う
ように形成する際に、表示領域において画素電極の形成
部分に形成して反射特性を向上させるための複数の凸部
または複数の凹部を形成し、その上に画素電極を形成す
ることにより、あらゆる角度からの入射光に対して表示
画面に垂直な方向に散乱する光の強度を増加させること
ができるので、明るい表示が得られる。
ト端子部およびソース端子部において接続電極上を覆う
ように形成する際に、表示領域において画素電極の形成
部分に形成して反射特性を向上させるための複数の凸部
または複数の凹部を形成し、その上に画素電極を形成す
ることにより、あらゆる角度からの入射光に対して表示
画面に垂直な方向に散乱する光の強度を増加させること
ができるので、明るい表示が得られる。
【図１】実施形態１の反射型液晶表示装置におけるアク
ティブマトリクス基板の１画素分の構成を示す平面図で
ある。
ティブマトリクス基板の１画素分の構成を示す平面図で
ある。
【図２】図１のＡ−Ａ’線断面部分の断面図である。
【図３】実施形態１の反射型液晶表示装置の製造工程を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図４】実施形態１の反射型液晶表示装置の製造工程を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図５】実施形態１の反射型液晶表示装置の製造工程を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図６】実施形態１の反射型液晶表示装置の製造工程を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図７】実施形態１の反射型液晶表示装置の製造工程を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図８】実施形態２の反射型液晶表示装置におけるアク
ティブマトリクス基板の１画素分の構成を示す平面図で
ある。
ティブマトリクス基板の１画素分の構成を示す平面図で
ある。
【図９】図８のＢ−Ｂ’線断面部分の断面図である。
【図１０】実施形態２の反射型液晶表示装置の製造工程
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図１１】実施形態２の反射型液晶表示装置の製造工程
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図１２】実施形態２の反射型液晶表示装置の製造工程
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図１３】実施形態２の反射型液晶表示装置の製造工程
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図１４】実施形態２の反射型液晶表示装置の製造工程
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図１５】実施形態３の反射型液晶表示装置の製造工程
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図１６】実施形態３の反射型液晶表示装置の製造工程
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図１７】実施形態３の反射型液晶表示装置の製造工程
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図１８】実施形態３の反射型液晶表示装置の製造工程
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図１９】実施形態３の反射型液晶表示装置の製造工程
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図２０】実施形態３の反射型液晶表示装置の製造工程
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図２１】実施形態３の反射型液晶表示装置の製造工程
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図２２】（ａ）は、実施形態３の反射型液晶表示装置
の製造工程を説明するための平面図であり、（ｂ）は、
そのA-A'部分の拡大断面図である。
の製造工程を説明するための平面図であり、（ｂ）は、
そのA-A'部分の拡大断面図である。
【図２３】（ａ）および（ｂ）は、実施形態３の反射型
液晶表示装置の製造工程と比較することにより、本発明
の実施形態３の利点を説明するための概略断面図であ
る。
液晶表示装置の製造工程と比較することにより、本発明
の実施形態３の利点を説明するための概略断面図であ
る。
【図２４】実施形態３の反射型液晶表示装置の製造工程
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図２５】従来の反射型液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板の構成を示す平面図である。
ブマトリクス基板の構成を示す平面図である。
【図２６】従来の反射型液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板の１画素分の構成を示す平面図であ
る。
ブマトリクス基板の１画素分の構成を示す平面図であ
る。
【図２７】従来の反射型液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板のゲート端子部およびソース端子部の
構成を示す平面図である。
ブマトリクス基板のゲート端子部およびソース端子部の
構成を示す平面図である。
【図２８】従来の反射型液晶表示装置の製造工程を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図２９】従来の反射型液晶表示装置の製造工程を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図３０】従来の反射型液晶表示装置の製造工程を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図３１】反射型液晶表示装置の製造工程において、凸
部または凹部の形成のために用いられる遮光手段の構成
を示す平面図である。
部または凹部の形成のために用いられる遮光手段の構成
を示す平面図である。
【図３２】反射型液晶表示装置の製造工程において、凸
部または凹部の形成のために用いられる遮光手段の構成
を示す平面図である。
部または凹部の形成のために用いられる遮光手段の構成
を示す平面図である。
【図３３】従来の反射型液晶表示装置において発生する
電池効果による腐食・溶解を説明するための断面図であ
る。
電池効果による腐食・溶解を説明するための断面図であ
る。
１０１、２０１、３０１ ガラス基板 １０２、２０２、３０２ ゲート配線 １０２ａ、２０２ａ、３０２ａ ゲート電極 １０３、２０３、３０３ ソース配線 １０３ａ、２０３ａ、３０３ａ ソース電極 １０４、２０４、３０４ ＴＦＴ １０５、２０５、３０５ 反射機能を有する画素電極 １０６、２０６、３０６ 絶縁体層 １０７、２０７、３０７ 半導体層 １２０ａ、１２０ｂ、２２０ａ、２２０ｂ コンタクト
層 １０８、２０８、３０８ ドレイン電極 １０９、２０９、３０９ 接続電極 １１１、２１１、３１１ 感光性樹脂膜 ２１１ａ 感光性樹脂からなる凸部 １１２、３１２ コンタクトホール
層 １０８、２０８、３０８ ドレイン電極 １０９、２０９、３０９ 接続電極 １１１、２１１、３１１ 感光性樹脂膜 ２１１ａ 感光性樹脂からなる凸部 １１２、３１２ コンタクトホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−254714（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−75238（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−1824（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−200215（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−321202（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1362 G02F 1/1343 G02F 1/1345 H01L 29/78
Claims (3)
- 【請求項１】 液晶層を間に挟んで対向配置された一対
の基板のうちの一方の基板に、マトリクス状に設けられ
た反射機能を有する複数の画素電極と、該画素電極の近
傍を通って互いに交差するように設けられた複数の走査
線および複数の信号線と、各走査線および各信号線の交
差部近傍に設けられて該画素電極に接続された薄膜トラ
ンジスタとを有すると共に、各走査線および各信号線の
表示領域外の端子部上に接続電極が設けられている反射
型液晶表示装置を製造する方法であって、 該一方の基板に、該走査線、該信号線、該薄膜トランジ
スタおよび該接続電極を形成する工程と、該走査線、該信号線、該薄膜トランジスタおよび 該接続
電極を覆うように感光性樹脂膜を形成し、該感光性樹脂
膜の上に反射電極膜を形成する工程と、 少なくとも該接続電極上の反射電極膜部分を除去すると
共に、該表示領域に該画素電極が存在するように反射電
極膜をパターニングする工程と、該画素電極が形成された感光性樹脂膜の全面にレジスト
膜を形成し、前記表示領域におけるレジスト膜を除去す
ることなく、該接続電極上のレジスト膜を除去して感光
性樹脂膜を表出させる工程と、 該表示領域におけるレジスト膜をマスクとして、 該接続
電極上の感光性樹脂膜を除去して該接続電極を表出させ
る工程と、該表示領域におけるレジスト膜を除去する工程と を含む
反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 液晶層を間に挟んで対向配置された一対
の基板のうちの一方の基板に、マトリクス状に設けられ
た反射機能を有する複数の画素電極と、該画素電極の近
傍を通って互いに交差するように設けられた複数の走査
線および複数の信号線と、各走査線および各信号線の交
差部近傍に設けられて該画素電極に接続された薄膜トラ
ンジスタとを有すると共に、各走査線および各信号線の
表示領域外の端子部上に接続電極が設けられている反射
型液晶表示装置を製造する方法であって、 該一方の基板に、該走査線、該信号線、該薄膜トランジ
スタおよび該接続電極を形成する工程と、 該走査線、該信号線、該薄膜トランジスタおよび該接続
電極を覆うように感光性樹脂膜を形成し、該感光性樹脂
膜の上に反射電極膜を形成する工程と、 少なくとも該接続電極上の反射電極膜部分を除去すると
共に、該表示領域に該画素電極が存在するように反射電
極膜をパターニングする工程と、 該接続電極上の感光性樹脂膜を除去して該接続電極を表
出させる工程とを含み、 前記パターニング工程および前記接続電極を表出させる
工程が、 前記表示領域の画素電極が連結した状態で存在するよう
に前記反射電極膜をパターニングする工程と、 アッシングにより該接続電極上の感光性樹脂膜を除去し
て該接続電極を表出させる工程と、 該連結した画素電極を分離するように該反射電極膜をパ
ターニングする工程とを含む、反射型液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項３】 液晶層を間に挟んで対向配置された一対
の基板のうちの一方の基板に、マトリクス状に設けられ
た反射機能を有する複数の画素電極と、該画素電極の近
傍を通って互いに交差するように設けられた複数の走査
線および複数の信号線と、各走査線および各信号線の交
差部近傍に設けられて該画素電極に接続された薄膜トラ
ンジスタとを有すると共に、各走査線および各信号線の
表示領域外の端子部上に接続電極が設けられている反射
型液晶表示装置を製造する方法であって、 該一方の基板に、該走査線、該信号線、該薄膜トランジ
スタおよび該接続電極を形成する工程と、 該走査線、該信号線、該薄膜トランジスタおよび該接続
電極を覆うように感光性樹脂膜を形成し、該感光性樹脂
膜の上に反射電極膜を形成する工程と、 少なくとも該接続電極上の反射電極膜部分を除去すると
共に、該表示領域に該画素電極が存在するように反射電
極膜をパターニングする工程と、 該接続電極上の感光性樹脂膜を除去して該接続電極を表
出させる工程とを含み、前記パターニング工程および前
記接続電極を表出させる工程が、 前記画素電極が相互に連結した状態で前記表示領域に存
在し、かつ該表示領域の外側まで存在するように前記反
射電極膜をパターニングする工程と、 アッシングにより該接続電極上の感光性樹脂膜を除去し
て該接続電極を表出させる工程と、 該連結した画素電極を分離し、かつ表示領域の外側に存
在する該画素電極を除去するように該反射電極膜をパタ
ーニングする工程とを含む、反射型液晶表示装置の製造
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11581398A JP3297372B2 (ja) | 1997-06-17 | 1998-04-24 | 反射型液晶表示装置の製造方法 |
| US09/097,923 US6064456A (en) | 1997-06-17 | 1998-06-16 | Process for manufacturing reflection-type liquid crystal display apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16031197 | 1997-06-17 | ||
| JP9-160311 | 1997-06-17 | ||
| JP11581398A JP3297372B2 (ja) | 1997-06-17 | 1998-04-24 | 反射型液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1172807A JPH1172807A (ja) | 1999-03-16 |
| JP3297372B2 true JP3297372B2 (ja) | 2002-07-02 |
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ID=26454243
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|---|---|---|---|
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Country Status (2)
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|---|---|
| US (1) | US6064456A (ja) |
| JP (1) | JP3297372B2 (ja) |
Cited By (1)
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