JPH09113922A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH09113922A JPH09113922A JP7256024A JP25602495A JPH09113922A JP H09113922 A JPH09113922 A JP H09113922A JP 7256024 A JP7256024 A JP 7256024A JP 25602495 A JP25602495 A JP 25602495A JP H09113922 A JPH09113922 A JP H09113922A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、液晶表示パネル上でのOLB電極と
画素間の引き回し微細配線の腐食防止を実現させた液晶
表示装置及びその製造方法に関し、シール剤の外側のア
レイ基板上に形成されている配線の断線、及び配線間の
短絡を防止させ、また、配線の断線・短絡を防止させる
シリコン樹脂コーティング工程に代わる優れた保護膜を
形成する液晶表示装置及びその製造方法を提供すること
を目的とする。 【解決の手段】対向基板間の液晶を封止するシール剤の
外側の配線領域上に、黒色樹脂膜が形成されているよう
に構成する。
画素間の引き回し微細配線の腐食防止を実現させた液晶
表示装置及びその製造方法に関し、シール剤の外側のア
レイ基板上に形成されている配線の断線、及び配線間の
短絡を防止させ、また、配線の断線・短絡を防止させる
シリコン樹脂コーティング工程に代わる優れた保護膜を
形成する液晶表示装置及びその製造方法を提供すること
を目的とする。 【解決の手段】対向基板間の液晶を封止するシール剤の
外側の配線領域上に、黒色樹脂膜が形成されているよう
に構成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に係り、特に液晶表示パネル上でのOLB
電極と画素間の引き回し微細配線の腐食防止を実現させ
た液晶表示装置及びその製造方法に関する。
その製造方法に係り、特に液晶表示パネル上でのOLB
電極と画素間の引き回し微細配線の腐食防止を実現させ
た液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置のコストの低減は、製造工
程での生産効率をどれだけ上げられるか、部材費をどれ
だけ下げられるかに依存しているともいえる。製造工程
の種々の段階で少しでも工程を削減できれば、生産効率
の向上、部材費の削減につながりコスト低減に効果的で
あることは疑う余地がない。また製造工程の削減は、歩
留り及び製品の品質の向上にも効果がある。
程での生産効率をどれだけ上げられるか、部材費をどれ
だけ下げられるかに依存しているともいえる。製造工程
の種々の段階で少しでも工程を削減できれば、生産効率
の向上、部材費の削減につながりコスト低減に効果的で
あることは疑う余地がない。また製造工程の削減は、歩
留り及び製品の品質の向上にも効果がある。
【0003】液晶表示装置(LCDパネル)は種々の製
造工程を経て製造されるが、主な製造工程としては、ま
ずガラス基板上にパターンを形成してアレイ基板を製造
するアレイ工程、次にアレイ基板とカラーフィルタ基板
とを貼り合わせて液晶を注入し、シール剤により封止す
るセル工程、そして最後にTAB取付け、プリント基板
半田付けを行うモジュール作製工程がある。モジュール
作製工程では、物理的或は化学的処理によるプロセス技
術が中心のアレイ、セル工程と異なり、主に実装技術、
組立技術が中心となっている。
造工程を経て製造されるが、主な製造工程としては、ま
ずガラス基板上にパターンを形成してアレイ基板を製造
するアレイ工程、次にアレイ基板とカラーフィルタ基板
とを貼り合わせて液晶を注入し、シール剤により封止す
るセル工程、そして最後にTAB取付け、プリント基板
半田付けを行うモジュール作製工程がある。モジュール
作製工程では、物理的或は化学的処理によるプロセス技
術が中心のアレイ、セル工程と異なり、主に実装技術、
組立技術が中心となっている。
【0004】アクティブ・マトリクス型の液晶表示装置
の場合のモジュール作製工程においては、セル工程後の
液晶パネルに液晶セルを駆動させるドライバICを実装
させる。ドライバICは、TAB(Tape auto
mated bonding)方式によりフレキシブル
・テープからなるTCP(Tape carrierp
ackage)に搭載されている。
の場合のモジュール作製工程においては、セル工程後の
液晶パネルに液晶セルを駆動させるドライバICを実装
させる。ドライバICは、TAB(Tape auto
mated bonding)方式によりフレキシブル
・テープからなるTCP(Tape carrierp
ackage)に搭載されている。
【0005】TCPの一端子側の各配線は異方性導電膜
(ACF)により液晶パネルのアレイ基板上の各OLB
電極部に接続される。各OLB電極部(液晶駆動回路接
続部)は、アレイ基板上の信号線(データ線)或はゲー
ト線(走査線)に夫々接続されている。TCPの他方の
端子は半田付けにより液晶パネルの周辺に位置するプリ
ント基板上の配線に夫々接続される。
(ACF)により液晶パネルのアレイ基板上の各OLB
電極部に接続される。各OLB電極部(液晶駆動回路接
続部)は、アレイ基板上の信号線(データ線)或はゲー
ト線(走査線)に夫々接続されている。TCPの他方の
端子は半田付けにより液晶パネルの周辺に位置するプリ
ント基板上の配線に夫々接続される。
【0006】TAB方式によるドライバ回路の接続方法
は、液晶パネルの大型化、高精細化に伴うガラス基板上
の配線間隔の微細化に対応することができ、またTCP
のフレキシブル・テープを折り曲げて使用できることか
ら薄型化にも対応できるという利点を有している。TA
B方式では液晶パネルとTCPとの接続配線間ピッチは
70μm以下にすることも可能であり、将来は60μm
程度にすることも可能であるとされている。
は、液晶パネルの大型化、高精細化に伴うガラス基板上
の配線間隔の微細化に対応することができ、またTCP
のフレキシブル・テープを折り曲げて使用できることか
ら薄型化にも対応できるという利点を有している。TA
B方式では液晶パネルとTCPとの接続配線間ピッチは
70μm以下にすることも可能であり、将来は60μm
程度にすることも可能であるとされている。
【0007】液晶表示パネルの2枚のガラス基板周囲に
形成されているシール剤の外側領域のアレイ基板上には
多数のゲート線、データ線が引き出されて配線されてお
り、夫々の端部にOLB電極が形成されている。これら
の配線上層には約1000Å程度の極めて薄いパッシベ
ーション膜が形成されている。
形成されているシール剤の外側領域のアレイ基板上には
多数のゲート線、データ線が引き出されて配線されてお
り、夫々の端部にOLB電極が形成されている。これら
の配線上層には約1000Å程度の極めて薄いパッシベ
ーション膜が形成されている。
【0008】しかしながらこの程度の厚さの保護膜で
は、シール剤外側の大気に触れる環境中ではゲート線、
データ線は耐候的に露出状態に置かれていると言っても
よい。したがって、モジュール作製工程中或は製品とし
て完成した段階以降において、ゲート配線、データ配線
に異物が付着したり結露が発生したりすると、そこから
腐食が始まり断線に至ることがあり、また配線ピッチの
微細化により導電性異物の付着による電気的短絡を生じ
させることもあり得る。
は、シール剤外側の大気に触れる環境中ではゲート線、
データ線は耐候的に露出状態に置かれていると言っても
よい。したがって、モジュール作製工程中或は製品とし
て完成した段階以降において、ゲート配線、データ配線
に異物が付着したり結露が発生したりすると、そこから
腐食が始まり断線に至ることがあり、また配線ピッチの
微細化により導電性異物の付着による電気的短絡を生じ
させることもあり得る。
【0009】このような故障を防止するため現状では、
TAB方式によるアレイ基板上の配線とドライバ回路と
の接続後に、アレイ基板上のOLB電極とTCPを接続
しているACFとシール剤との間の領域の配線上にシリ
コン樹脂をコーティングする工程を挿入している。
TAB方式によるアレイ基板上の配線とドライバ回路と
の接続後に、アレイ基板上のOLB電極とTCPを接続
しているACFとシール剤との間の領域の配線上にシリ
コン樹脂をコーティングする工程を挿入している。
【0010】シリコン樹脂は、TCPとカラーフィルタ
基板との間の隙間から注入してシール剤端からTABの
ACF端までのアレイ基板上のゲート線、データ線上コ
ーティングさせるようにする。
基板との間の隙間から注入してシール剤端からTABの
ACF端までのアレイ基板上のゲート線、データ線上コ
ーティングさせるようにする。
【0011】この工程で形成されたシリコン樹脂コート
により配線上に異物が付着するのを防止させ、また配線
上に直接結露を生じさせないようにして配線の腐食、配
線間の短絡を防止するようにしている。
により配線上に異物が付着するのを防止させ、また配線
上に直接結露を生じさせないようにして配線の腐食、配
線間の短絡を防止するようにしている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】シリコン樹脂コート
は、シール剤端からTABのACF端までのアレイ基板
上のゲート線、データ線上にシリコン樹脂をコーティン
グさせるようにするのが理想である。しかしながら、近
年の液晶表示装置の表示領域の大型化を図りつつ表示装
置そのものは小型化、薄型化させる要求を満足させるた
めに、TCP端部とカラーフィルタ基板端部の隙間を狭
くせざるを得なくなってきた。また、アレイ基板とカラ
ーフィルタ基板間の距離も短くなってきている。このた
めACF端からとシール剤端までに渡って十分にシリコ
ン樹脂を注入することが極めて困難になってきている。
は、シール剤端からTABのACF端までのアレイ基板
上のゲート線、データ線上にシリコン樹脂をコーティン
グさせるようにするのが理想である。しかしながら、近
年の液晶表示装置の表示領域の大型化を図りつつ表示装
置そのものは小型化、薄型化させる要求を満足させるた
めに、TCP端部とカラーフィルタ基板端部の隙間を狭
くせざるを得なくなってきた。また、アレイ基板とカラ
ーフィルタ基板間の距離も短くなってきている。このた
めACF端からとシール剤端までに渡って十分にシリコ
ン樹脂を注入することが極めて困難になってきている。
【0013】この問題点を図8乃至10を用いて説明す
る。図8は従来のモジュール作製工程により製造された
液晶表示装置1の平面の一部を示している。アレイ基板
2の周囲より内側にカラーフィルタ基板4が形成され、
カラーフィルタ基板周囲よりさらに内側にシール剤6が
形成されている。シール剤6で囲まれた内側領域は画像
表示領域であり、多数のデータ線/ゲート線10が直行
してマトリクス状に多数の画素が形成されている。
る。図8は従来のモジュール作製工程により製造された
液晶表示装置1の平面の一部を示している。アレイ基板
2の周囲より内側にカラーフィルタ基板4が形成され、
カラーフィルタ基板周囲よりさらに内側にシール剤6が
形成されている。シール剤6で囲まれた内側領域は画像
表示領域であり、多数のデータ線/ゲート線10が直行
してマトリクス状に多数の画素が形成されている。
【0014】アレイ基板2の周囲領域に形成されたOL
B電極には、ドライバIC30を搭載した複数のTCP
12一端側のリード線がACFにより圧着されている。
アレイ基板2上に形成された配線10の例えば200本
毎に、1つのTCP12が対応しているが、本図におい
ては配線10の本数は簡略乃至省略して表している。T
CP12の他端側にははんだ付けによりプリント基板3
2が取付けられている。TCP12とシール剤6間のア
レイ基板2上に引き出された配線10を保護するために
シリコン樹脂16がコーティングされている。
B電極には、ドライバIC30を搭載した複数のTCP
12一端側のリード線がACFにより圧着されている。
アレイ基板2上に形成された配線10の例えば200本
毎に、1つのTCP12が対応しているが、本図におい
ては配線10の本数は簡略乃至省略して表している。T
CP12の他端側にははんだ付けによりプリント基板3
2が取付けられている。TCP12とシール剤6間のア
レイ基板2上に引き出された配線10を保護するために
シリコン樹脂16がコーティングされている。
【0015】図8の丸枠34内の領域を拡大したのが図
9である。また、図9のA−A断面図が図10である。
図9、10は、従来の液晶表示装置のTCP端部とカラ
ーフィルタ基板端部との間の領域のシリコン樹脂のコー
ティングの一例を示す図である。両図に示すように、液
晶表示装置のアレイ基板2上にデータ線或はゲート線の
配線10が液晶8を封止しているシール剤6を貫いて表
示領域からOLB電極部15まで伸びて形成されてい
る。アレイ基板2上にはシール剤6を介してカラーフィ
ルタ基板4が貼り付けられている。アレイ基板上のOL
B電極部15上部はACFによりTCP12と接着され
ている。
9である。また、図9のA−A断面図が図10である。
図9、10は、従来の液晶表示装置のTCP端部とカラ
ーフィルタ基板端部との間の領域のシリコン樹脂のコー
ティングの一例を示す図である。両図に示すように、液
晶表示装置のアレイ基板2上にデータ線或はゲート線の
配線10が液晶8を封止しているシール剤6を貫いて表
示領域からOLB電極部15まで伸びて形成されてい
る。アレイ基板2上にはシール剤6を介してカラーフィ
ルタ基板4が貼り付けられている。アレイ基板上のOL
B電極部15上部はACFによりTCP12と接着され
ている。
【0016】図中Dで示される領域、即ちACF14端
からシール剤6端までが配線の腐食或は短絡の発生可能
な領域である。TCP12端からACF14端までの距
離Aは約0.3〜0.4mm、カラーフィルタ基板4端
からシール剤6端までの距離Cは約0.5mmである。
シリコン樹脂を注入することができる隙間Bは、約0.
5mmである。またシール剤6の高さは約5μmであ
る。
からシール剤6端までが配線の腐食或は短絡の発生可能
な領域である。TCP12端からACF14端までの距
離Aは約0.3〜0.4mm、カラーフィルタ基板4端
からシール剤6端までの距離Cは約0.5mmである。
シリコン樹脂を注入することができる隙間Bは、約0.
5mmである。またシール剤6の高さは約5μmであ
る。
【0017】このような狭い領域にシリコン樹脂コーテ
ィングを行っても、注入されたシリコン樹脂16は、図
示のように中まで広がることができずシリコン樹脂16
にコーティングされない配線領域E、Fが生じてしま
う。領域E、Fの距離はそれぞれ約0.2〜0.3m
m、0.3〜0.4mmである。
ィングを行っても、注入されたシリコン樹脂16は、図
示のように中まで広がることができずシリコン樹脂16
にコーティングされない配線領域E、Fが生じてしま
う。領域E、Fの距離はそれぞれ約0.2〜0.3m
m、0.3〜0.4mmである。
【0018】このように、近年の液晶表示装置の表示領
域の大型化、装置そのものの薄型化、小型化により、シ
リコン樹脂のコーティングによる配線の保護が十分でき
ない領域が生じてしまい、液晶表示装置の歩留りの低下
ひいては、製造コストの引き上げ要因になってきた。
域の大型化、装置そのものの薄型化、小型化により、シ
リコン樹脂のコーティングによる配線の保護が十分でき
ない領域が生じてしまい、液晶表示装置の歩留りの低下
ひいては、製造コストの引き上げ要因になってきた。
【0019】さらに近年の液晶表示装置の低価格化の要
求の下において、モジュール作製工程でのシリコン樹脂
のコーティングは、シリコン樹脂等部材費、装置・治具
等設備の維持費、さらにシリコン樹脂コート工程での不
良の発生によるそのリペアに要する人件費、或は納期遅
延等に問題を有している。
求の下において、モジュール作製工程でのシリコン樹脂
のコーティングは、シリコン樹脂等部材費、装置・治具
等設備の維持費、さらにシリコン樹脂コート工程での不
良の発生によるそのリペアに要する人件費、或は納期遅
延等に問題を有している。
【0020】本発明の目的は、シール剤の外側のアレイ
基板上に形成されている配線の断線、及び配線間の短絡
を防止させた液晶表示装置及びその製造方法を提供する
ことにある。
基板上に形成されている配線の断線、及び配線間の短絡
を防止させた液晶表示装置及びその製造方法を提供する
ことにある。
【0021】また、本発明の目的は、シール剤の外側の
アレイ基板上に形成されている配線の断線、及び配線間
の短絡を防止させるためのシリコン樹脂コーティング工
程に代わる優れた保護膜を形成する液晶表示装置及びそ
の製造方法を提供することにある。
アレイ基板上に形成されている配線の断線、及び配線間
の短絡を防止させるためのシリコン樹脂コーティング工
程に代わる優れた保護膜を形成する液晶表示装置及びそ
の製造方法を提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】上記目的は、対向基板間
の液晶を封止するシール剤の外側の配線領域上に、黒色
樹脂膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装置
によって達成される。又、上記目的は、対向基板間の液
晶を封止するシール剤と液晶駆動回路接続部との間の配
線領域上に、黒色樹脂膜が形成されていることを特徴と
する液晶表示装置によって達成される。また上記目的
は、黒色樹脂膜が、黒色顔料を分散した樹脂膜または、
カーボンブラックを分散した樹脂膜であることを特徴と
する液晶表示装置により達成される。さらに上記目的
は、基板上に配線層を形成し、基板全面に黒色樹脂膜を
塗布してパターニングし、画像表示領域にブラック・マ
トリクス(遮光膜)を形成するとともに、画像表示領域
外の配線層上に保護膜を形成することを特徴とする液晶
表示装置の製造方法によって達成される。
の液晶を封止するシール剤の外側の配線領域上に、黒色
樹脂膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装置
によって達成される。又、上記目的は、対向基板間の液
晶を封止するシール剤と液晶駆動回路接続部との間の配
線領域上に、黒色樹脂膜が形成されていることを特徴と
する液晶表示装置によって達成される。また上記目的
は、黒色樹脂膜が、黒色顔料を分散した樹脂膜または、
カーボンブラックを分散した樹脂膜であることを特徴と
する液晶表示装置により達成される。さらに上記目的
は、基板上に配線層を形成し、基板全面に黒色樹脂膜を
塗布してパターニングし、画像表示領域にブラック・マ
トリクス(遮光膜)を形成するとともに、画像表示領域
外の配線層上に保護膜を形成することを特徴とする液晶
表示装置の製造方法によって達成される。
【0023】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図1及び図
2を用いて説明する。図1は本発明による液晶表示装置
のパネル周辺部の部分拡大平面図であり、従来の図9に
対応させたものである。図2は図1のA−A断面図であ
る。本実施の形態では液晶表示装置のTCPとシール剤
の間の領域の配線上にブラック・マトリクス形成用の顔
料分散型樹脂を形成した例を示す。
2を用いて説明する。図1は本発明による液晶表示装置
のパネル周辺部の部分拡大平面図であり、従来の図9に
対応させたものである。図2は図1のA−A断面図であ
る。本実施の形態では液晶表示装置のTCPとシール剤
の間の領域の配線上にブラック・マトリクス形成用の顔
料分散型樹脂を形成した例を示す。
【0024】図1及び図2に示すように、液晶表示装置
のアレイ基板2上に形成されたデータ線或はゲート線の
配線10が液晶8を封止しているシール剤6を貫いて表
示領域からOLB電極部15まで伸びて形成されてい
る。ゲート線/データ線の配線10により囲まれた領域
が画素領域であり、画素領域のアレイ基板2上に表示電
極24が形成されている。夫々の表示電極24は夫々ゲ
ート線とデータ線との交点位置にスイッチング素子とし
て例えばTFT(thin film transis
tor)26が形成されている。アレイ基板2上にはシ
ール剤6を介してカラーフィルタ基板4が貼り付けられ
ている。アレイ基板上のOLB電極部15上にはACF
14によりTCP12が接着されている。
のアレイ基板2上に形成されたデータ線或はゲート線の
配線10が液晶8を封止しているシール剤6を貫いて表
示領域からOLB電極部15まで伸びて形成されてい
る。ゲート線/データ線の配線10により囲まれた領域
が画素領域であり、画素領域のアレイ基板2上に表示電
極24が形成されている。夫々の表示電極24は夫々ゲ
ート線とデータ線との交点位置にスイッチング素子とし
て例えばTFT(thin film transis
tor)26が形成されている。アレイ基板2上にはシ
ール剤6を介してカラーフィルタ基板4が貼り付けられ
ている。アレイ基板上のOLB電極部15上にはACF
14によりTCP12が接着されている。
【0025】アレイ基板2上のACF14のカラーフィ
ルタ基板側端部と、シール剤6のACF側端部との間の
配線10上に厚さ例えば2μmの、黒色顔料を分散させ
た有機樹脂層20が形成されている。この黒色樹脂層2
0は、配線10に異物が付着しないように、また結露し
ないように、配線10の保護膜として機能する。黒色樹
脂層20一端部はACF14端部下部に埋め込まれるよ
うに形成されており、ACF15側でのアレイ基板2上
の配線10が耐候的に露出状態になることはない。
ルタ基板側端部と、シール剤6のACF側端部との間の
配線10上に厚さ例えば2μmの、黒色顔料を分散させ
た有機樹脂層20が形成されている。この黒色樹脂層2
0は、配線10に異物が付着しないように、また結露し
ないように、配線10の保護膜として機能する。黒色樹
脂層20一端部はACF14端部下部に埋め込まれるよ
うに形成されており、ACF15側でのアレイ基板2上
の配線10が耐候的に露出状態になることはない。
【0026】また、シール剤6端部と黒色樹脂層20端
部との間の距離Fは、位置合わせ誤差を考慮して約0.
2mm程度である。もしも、黒色樹脂層20端部をシー
ル剤6中にまで延在させても、液晶8が封入されている
領域のセルギャップを所定の厚さに維持できるのであれ
ば、距離Fは0とすることができる。図1の破線22は
黒色樹脂層20の端部がシール剤6中に延在するように
した実施の形態を示している。このようにすると、アレ
イ基板2上のACF14のカラーフィルタ基板側端部
と、シール剤6のACF側端部との間の配線10は黒色
樹脂層20で完全に保護することができるようになる。
部との間の距離Fは、位置合わせ誤差を考慮して約0.
2mm程度である。もしも、黒色樹脂層20端部をシー
ル剤6中にまで延在させても、液晶8が封入されている
領域のセルギャップを所定の厚さに維持できるのであれ
ば、距離Fは0とすることができる。図1の破線22は
黒色樹脂層20の端部がシール剤6中に延在するように
した実施の形態を示している。このようにすると、アレ
イ基板2上のACF14のカラーフィルタ基板側端部
と、シール剤6のACF側端部との間の配線10は黒色
樹脂層20で完全に保護することができるようになる。
【0027】この黒色樹脂層20は、液晶8が封入され
た画素領域内のアレイ基板側に形成されたブラック・マ
トリクス(遮光層)18と同じ材料で、ブラック・マト
リクス18と同時に形成されたものである。
た画素領域内のアレイ基板側に形成されたブラック・マ
トリクス(遮光層)18と同じ材料で、ブラック・マト
リクス18と同時に形成されたものである。
【0028】図3乃至図7を用いて本発明の液晶表示装
置の製造方法の実施の形態を説明する。図3は、アレイ
基板上にアレイ工程で既に、ゲート線/データ線の配線
10及び、画素電極24、TFT26が形成された状態
から出発した製造方法の説明図である。図中左側は図1
のA−A断面図であってアレイ基板2の周辺領域を、右
側は図1のB−B断面図であってTFTの領域を示して
いる。説明を解りやすくするために左右の図の縮尺は必
ずも一致させていないことに留意されたい。
置の製造方法の実施の形態を説明する。図3は、アレイ
基板上にアレイ工程で既に、ゲート線/データ線の配線
10及び、画素電極24、TFT26が形成された状態
から出発した製造方法の説明図である。図中左側は図1
のA−A断面図であってアレイ基板2の周辺領域を、右
側は図1のB−B断面図であってTFTの領域を示して
いる。説明を解りやすくするために左右の図の縮尺は必
ずも一致させていないことに留意されたい。
【0029】図3において、アレイ基板2上の画素形成
領域にはTFT26が形成されている。構造を簡単に説
明するとアレイ基板2上に形成されたゲート電極40上
にシリコン酸化膜或はシリコン窒化膜等からなるゲート
絶縁膜42が形成されている。ゲート電極40はゲート
線10に接続されている。
領域にはTFT26が形成されている。構造を簡単に説
明するとアレイ基板2上に形成されたゲート電極40上
にシリコン酸化膜或はシリコン窒化膜等からなるゲート
絶縁膜42が形成されている。ゲート電極40はゲート
線10に接続されている。
【0030】ゲート電極40上のゲート絶縁膜42上に
アモルファスシリコン等からなるチャネル領域44が形
成されその両側にドレイン電極50、ソース電極48が
形成されている。ドレイン電極50はデータ線10に接
続され、ソース電極48は表示電極24と接続されてい
る。アレイ基板2上全面に厚さ1000Å程度のパッシ
ベーション膜52が形成されている。
アモルファスシリコン等からなるチャネル領域44が形
成されその両側にドレイン電極50、ソース電極48が
形成されている。ドレイン電極50はデータ線10に接
続され、ソース電極48は表示電極24と接続されてい
る。アレイ基板2上全面に厚さ1000Å程度のパッシ
ベーション膜52が形成されている。
【0031】この状態で、図4に示すように、全面に例
えばアクリル系樹脂に光重合開始剤、黒色顔料(例えば
カーボン・ブラック等を含む概念である)を加えた例え
ば黒色ネガ型フォトレジスト60をスピン・コータで光
学濃度が例えば2.5以上となるように約2μmほどの
厚さで塗布しプリベーク処理をして被膜を形成する。
えばアクリル系樹脂に光重合開始剤、黒色顔料(例えば
カーボン・ブラック等を含む概念である)を加えた例え
ば黒色ネガ型フォトレジスト60をスピン・コータで光
学濃度が例えば2.5以上となるように約2μmほどの
厚さで塗布しプリベーク処理をして被膜を形成する。
【0032】次に黒色ネガ型フォトレジスト60を所定
のブラック・マトリクスが形成できるように形成された
マスク70を用いて紫外線(UV)露光を行う。このと
き、マスク70は、アレイ基板2周辺部に図1及び図2
で示したような配線10の保護膜が黒色ネガ型フォトレ
ジスト60で形成されるようにパターンを描画しておく
(図5)。
のブラック・マトリクスが形成できるように形成された
マスク70を用いて紫外線(UV)露光を行う。このと
き、マスク70は、アレイ基板2周辺部に図1及び図2
で示したような配線10の保護膜が黒色ネガ型フォトレ
ジスト60で形成されるようにパターンを描画しておく
(図5)。
【0033】こうすることにより、露光された黒色ネガ
型フォトレジスト60をパターニングするとブラック・
マトリクス18が形成されると同時にアレイ基板2の周
辺部配線上にブラック・マトリクス形成用の顔料分散型
樹脂からなる黒色樹脂層20を形成することができる
(図6)。
型フォトレジスト60をパターニングするとブラック・
マトリクス18が形成されると同時にアレイ基板2の周
辺部配線上にブラック・マトリクス形成用の顔料分散型
樹脂からなる黒色樹脂層20を形成することができる
(図6)。
【0034】次に、アレイの形成されたアレイ基板2と
カラーフィルタ基板4とをシール剤6により貼り合わせ
て液晶8を封入してセル工程が終了する(図7)。
カラーフィルタ基板4とをシール剤6により貼り合わせ
て液晶8を封入してセル工程が終了する(図7)。
【0035】次にモジュール作製工程にてTCPの一端
子側の各配線がACFにより液晶パネルのアレイ基板上
の各OLB電極部に接続される。各OLB電極は、アレ
イ基板上の信号線(データ線)或はゲート線(走査線)
に夫々接続されている。TCPの他方の端子は半田付け
により液晶パネルの周辺に位置するプリント基板上の配
線に夫々接続される。このようにして、図1及び2で示
した構造の液晶表示装置が完成する。
子側の各配線がACFにより液晶パネルのアレイ基板上
の各OLB電極部に接続される。各OLB電極は、アレ
イ基板上の信号線(データ線)或はゲート線(走査線)
に夫々接続されている。TCPの他方の端子は半田付け
により液晶パネルの周辺に位置するプリント基板上の配
線に夫々接続される。このようにして、図1及び2で示
した構造の液晶表示装置が完成する。
【0036】このように本発明の製造方法の実施の形態
で明らかなように、本願発明は、従来モジュール作製工
程で塗布していたシリコン樹脂コートを全く使用するこ
となく、セル工程でブラック・マトリクス形成時に同時
にアレイ基板2周辺配線部の保護膜を形成してしまう点
にも特徴を有している。
で明らかなように、本願発明は、従来モジュール作製工
程で塗布していたシリコン樹脂コートを全く使用するこ
となく、セル工程でブラック・マトリクス形成時に同時
にアレイ基板2周辺配線部の保護膜を形成してしまう点
にも特徴を有している。
【0037】この製造方法によれば、セル工程でのブラ
ック・マトリクスの形成工程でのマスクパターンに、ア
レイ基板周辺部上の配線を保護する保護膜の形成パター
ンを設けるだけで、従来のセル工程を増やすことなく、
保護膜を形成することができるようになり、しかも、モ
ジュール工程での保護膜形成工程を無くすことができ、
工程短縮及びシリコン材料を節約することができるよう
になる。
ック・マトリクスの形成工程でのマスクパターンに、ア
レイ基板周辺部上の配線を保護する保護膜の形成パター
ンを設けるだけで、従来のセル工程を増やすことなく、
保護膜を形成することができるようになり、しかも、モ
ジュール工程での保護膜形成工程を無くすことができ、
工程短縮及びシリコン材料を節約することができるよう
になる。
【0038】本発明は、上記実施形態に限らず種々の変
形が可能である。例えば、上記実施形態においては、本
発明をアレイ基板側に樹脂型ブラック・マトリクスを形
成するいわゆるBM・オン・アレイ構造の液晶表示装置
に適用したが、これに限られずカラーフィルタ側にブラ
ックマトリクスが形成されている液晶表示装置にも当然
適用することができる。但しこの場合には、セル工程で
のパターニング工程は増加してしまうが、アレイ基板周
辺部の配線を異物及び結露から十分に保護することがで
きる保護膜を得ることができるようになり、またモジュ
ール製作工程でシリコン樹脂を使用しなくて済むという
大きな利点を有している。
形が可能である。例えば、上記実施形態においては、本
発明をアレイ基板側に樹脂型ブラック・マトリクスを形
成するいわゆるBM・オン・アレイ構造の液晶表示装置
に適用したが、これに限られずカラーフィルタ側にブラ
ックマトリクスが形成されている液晶表示装置にも当然
適用することができる。但しこの場合には、セル工程で
のパターニング工程は増加してしまうが、アレイ基板周
辺部の配線を異物及び結露から十分に保護することがで
きる保護膜を得ることができるようになり、またモジュ
ール製作工程でシリコン樹脂を使用しなくて済むという
大きな利点を有している。
【0039】本発明は、液晶表示装置に限らず、プラズ
マ・ディスプレイ、シリコン基板上に形成された反射型
液晶表示装置等にももちろん適用可能である。また、本
発明はアクティブマトリクス型の液晶表示装置に限られ
ず、単純マトリクス型の液晶表示装置にも適用すること
ができる。
マ・ディスプレイ、シリコン基板上に形成された反射型
液晶表示装置等にももちろん適用可能である。また、本
発明はアクティブマトリクス型の液晶表示装置に限られ
ず、単純マトリクス型の液晶表示装置にも適用すること
ができる。
【図1】本発明の一実施形態による液晶表示装置の部分
平面図である。
平面図である。
【図2】図1のA−A線での部分断面図である。
【図3】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造
方法を説明する図である。
方法を説明する図である。
【図4】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造
方法を説明する図である。
方法を説明する図である。
【図5】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造
方法を説明する図である。
方法を説明する図である。
【図6】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造
方法を説明する図である。
方法を説明する図である。
【図7】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造
方法を説明する図である。
方法を説明する図である。
【図8】従来の液晶表示装置の部分平面図である。
【図9】従来の液晶表示装置の拡大部分平面図である。
【図10】図9のA−A線での部分断面図である。
1 液晶表示装置 2 アレイ基板 4 カラーフィルタ基板 6 シール剤 8 液晶 10 配線 12 TCP 14 ACF 16 シリコン樹脂 18 ブラック・マトリクス 20 黒色樹脂層 22 破線 24 表示電極 26 TFT 30 ドライバIC 32 プリント基板 34 丸枠 40 ゲート電極 42 ゲート絶縁膜 44 チャネル領域 48 ソース電極 50 ドレイン電極 52 パッシベーション膜 60 黒色ネガ型フォトレジスト 70 マスク
フロントページの続き (72)発明者 西村 徹 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社 野洲事業 所内
Claims (5)
- 【請求項1】対向基板間の液晶を封止するシール剤の外
側の配線領域上に、 黒色樹脂膜が形成されていることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項2】対向基板間の液晶を封止するシール剤と液
晶駆動回路接続部との間の配線領域上に、 黒色樹脂膜が形成されていることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項3】請求項1又は2記載の液晶表示装置におい
て、 前記黒色樹脂膜は、黒色顔料を分散した樹脂膜であるこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項4】請求項1又は2記載の液晶表示装置におい
て、 前記黒色樹脂膜は、カーボンブラックを分散した樹脂膜
であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項5】基板上に配線層を形成し、 前記基板全面に黒色樹脂膜を塗布してパターニングし、
画像表示領域に遮光膜としてのブラック・マトリクスを
形成するとともに、画像表示領域外の前記配線層上に保
護膜を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7256024A JPH09113922A (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US08/724,994 US5790220A (en) | 1995-10-03 | 1996-10-03 | Liquid crystal display and method of fabricating same with a black resin film covered an exposed portion of the wiring region on the outside of the sealing layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7256024A JPH09113922A (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09113922A true JPH09113922A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17286863
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7256024A Pending JPH09113922A (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5790220A (ja) |
JP (1) | JPH09113922A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990003574A (ko) * | 1997-06-25 | 1999-01-15 | 김영환 | 액정 표시 모듈 및 그 제조 방법 |
JP2004191972A (ja) * | 2002-12-09 | 2004-07-08 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法 |
JP2009265364A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Nanox Corp | 液晶表示素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7081938B1 (en) * | 1993-12-03 | 2006-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
JPH09105953A (ja) * | 1995-10-12 | 1997-04-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
US6900855B1 (en) | 1995-10-12 | 2005-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having resin black matrix over counter substrate |
JP3663741B2 (ja) * | 1996-05-22 | 2005-06-22 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリックス型液晶表示装置及びその製造方法 |
JPH11160734A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
JP2002090778A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-27 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
KR101075599B1 (ko) * | 2004-06-23 | 2011-10-20 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 |
KR20070002554A (ko) * | 2005-06-30 | 2007-01-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
TW200729129A (en) * | 2006-01-17 | 2007-08-01 | Chi Mei El Corp | Flat panel display and its testing method |
CN101359108A (zh) * | 2007-07-31 | 2009-02-04 | 北京京东方光电科技有限公司 | 薄膜晶体管液晶显示器面板结构 |
JP2014026199A (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Japan Display Inc | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0682765B2 (ja) * | 1985-12-25 | 1994-10-19 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示素子 |
JPH06194687A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-07-15 | Nec Corp | 透過型アクティブマトリクス型液晶素子 |
JP2596692B2 (ja) * | 1993-03-02 | 1997-04-02 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 散乱型液晶表示装置 |
-
1995
- 1995-10-03 JP JP7256024A patent/JPH09113922A/ja active Pending
-
1996
- 1996-10-03 US US08/724,994 patent/US5790220A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990003574A (ko) * | 1997-06-25 | 1999-01-15 | 김영환 | 액정 표시 모듈 및 그 제조 방법 |
JP2004191972A (ja) * | 2002-12-09 | 2004-07-08 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法 |
US7400366B2 (en) | 2002-12-09 | 2008-07-15 | Lg Display Co., Ltd. | Array substrate having color filter on thin film transistor structure for LCD device and method of fabricating the same |
US7567310B2 (en) | 2002-12-09 | 2009-07-28 | Lg Display Co., Ltd. | Array substrate having color filter on the film transistor structure for LCD device and method of fabricating the same |
US7796204B2 (en) | 2002-12-09 | 2010-09-14 | Lg Display Co., Ltd. | Array substrate having color filter on thin film transistor structure for LCD device and method of fabricating the same |
JP2009265364A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Nanox Corp | 液晶表示素子及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5790220A (en) | 1998-08-04 |
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