JP6031651B2 - 有機薄膜素子の製造方法、有機薄膜素子の製造装置、有機膜の形成方法および有機el素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 220
- 239000010408 film Substances 0.000 title claims description 114
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 153
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 117
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 66
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 44
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 40
- POOSGDOYLQNASK-UHFFFAOYSA-N tetracosane Chemical group CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC POOSGDOYLQNASK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 39
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 24
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims description 22
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 22
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 10
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 9
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 4
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 256
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 126
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 34
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 32
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 27
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 27
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 21
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 17
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 13
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 2
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000007666 vacuum forming Methods 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N vinyl-ethylene Natural products C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical class [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- BIXMBBKKPTYJEK-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazin-2-one Chemical class C1=CC=C2OC(=O)N=CC2=C1 BIXMBBKKPTYJEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- 150000004325 8-hydroxyquinolines Chemical class 0.000 description 1
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical class C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015202 MoCr Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Chemical class 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 125000000641 acridinyl group Chemical class C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 229960005057 canrenone Drugs 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000001882 coronenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical class O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Chemical class 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007660 quinolones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000011895 specific detection Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000005075 thioxanthenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000004961 triphenylmethanes Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
本発明の一態様に係る真空チャンバーの減圧方法は、真空チャンバーの内部圧力を15[Pa]未満に減圧可能な機械式ポンプである粗引きポンプにより、前記真空チャンバー内を減圧する粗引き工程と、前記粗引き工程後、非機械式ポンプである主排気ポンプにより前記真空チャンバー内を減圧する主排気工程と、を含み、前記粗引き工程から前記主排気工程への移行は、前記真空チャンバーの内部圧力が15[Pa]以上であるときに行われる。
[真空装置の構成]
図1は、実施の態様1に係る真空装置の構成を示す図である。
図2は、実施の態様1に係る真空装置の制御部9における動作を説明するためのフローチャートである。
<実験用素子の選定>
本発明者は、真空ポンプ由来の不純物が真空チャンバーに収容される収容物に対して与える影響について、各種実験を行った。実験を行うにあたり、上記収容物としては、不純物が付着しやすい構成を有するものがふさわしいと考えた。そこで、不純物が付着しやすい有機膜を有する素子である有機EL素子を実験用の素子として選択した。有機EL素子は、第1電極としての陽極および第2電極としての陰極の電極対間に、キャリア(正孔と電子)の再結合による電界発光現象を行う有機発光層を積層して構成されるものである。
本発明者は、有機発光層材料塗布後に真空工程を行うか否か、または用いる真空ポンプの種類によって有機EL素子の発光特性に違いが現れるかを検証した。実験用の有機EL素子として、真空工程を経ない有機EL素子1種と、真空工程を経る有機EL素子2種の計3種を準備した。
図7は、機械式ポンプによる排気時間と真空チャンバー内の圧力との関係を示すグラフである。横軸が排気時間であり、縦軸が真空チャンバー内の圧力である。また、縦軸において、下方にいくほど真空度が高いことを示している。
粗引き工程から主排気工程への移行を行う真空チャンバーの内部圧力の数値について検討する実験を行った。具体的には、内部圧力の異なる真空チャンバー内に載置した4種の実験用有機EL素子の発光特性を調べることにより行った。
上述したように、粗引き工程から主排気工程への移行を真空チャンバーの内部圧力が15[Pa]以上であるときに行えば、粗引きポンプを用いたことが原因で真空チャンバーに飛散する不純物の量を低下させることができることが分かった。本発明者は、上記工程の移行を行うタイミングについて、さらに別の指標を用いて規定しようと考えた。
本発明者は、保管環境の違いによって有機発光層表面の付着物に差異が現れるかを検討した。本実験では、3つの実験用有機EL素子半製品における有機発光層表面に付着している物質について分析を行った。
本発明者は、上記の一連の実験の過程で、真空ポンプ由来の不純物を検出する検出器として有機膜を用いた、不純物検出方法を考案するに至った。本項ではその経緯および具体的な検出方法について説明する。
真空チャンバーに飛散した不純物の検出(図11)にあたっては、真空チャンバーへの収容対象が有機膜であることが必要であると判明した。このことについて説明する。
まず、真空チャンバー内に検出器としての有機膜を載置するともに、真空チャンバー内を真空状態にする。これにより、真空ポンプ由来の不純物が真空ポンプから真空チャンバーへ飛散する環境となる。次に、真空ポンプから真空チャンバーへ飛散した不純物を有機膜に付着させる。最後に、不純物を付着させた有機膜の表面近傍における当該不純物を分析する。不純物を付着させた有機膜の表面近傍の付着物を分析する方法としては、例えば、(1)有機膜をヘリウム雰囲気下で昇温加熱し、加熱された有機膜から放出されるアウトガスを液体窒素で捕集し分析する方法、(2)有機膜表面を溶媒で洗い、洗浄後の溶媒を分析する方法、および(3)有機膜を溶媒に溶解させ、溶解後の溶媒を分析する方法等が考えられる。
本実施の態様においては、実施の態様1に係る真空装置を用いて形成された有機発光層を備える有機EL表示パネル、有機EL表示装置および有機EL発光装置について説明する。
図13は、有機EL表示パネル10の構成を示す部分断面図である。有機EL表示パネル10は、同図上側を表示面とする、いわゆるトップエミッション型の有機EL表示パネルであり、その主な構成として、陽極12、有機発光層16、電子輸送層17、陰極18を備える。有機EL表示パネル10は、赤(R),緑(G),青(B)の何れかの発光色に対応する有機発光層16を有する有機EL素子を1つのサブピクセル100とし、サブピクセル100がマトリクス状に配設されている。
基板11は有機EL表示パネル10の基材となる部分であり、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、またはアルミナ等の絶縁性材料で形成することができる。
正孔注入層14は、例えば、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)等の酸化物、あるいは、PEDOT(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)等の導電性ポリマー材料からなる層である。上記のうち、酸化金属からなる正孔注入層14は、正孔を安定的に、または正孔の生成を補助して、有機発光層16に対し正孔を注入する機能を有する。
正孔注入層14の表面には、有機発光層16の形成領域となる開口部15aを区画するためのバンク15が設けられている。バンク15は一定の台形断面を持つように形成されており、絶縁性の有機材料(例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等)からなる。
図13に戻り、バンク15の開口部15aにより区画された正孔注入層14の表面には、R,G,Bのいずれかの発光色に対応する、有機膜としての有機発光層16が形成されている。有機発光層16は、キャリアの再結合による発光を行う部位であり、R,G,Bのいずれかの色に対応する有機材料を含むように構成されている。
電子輸送層17は、陰極18から注入された電子を有機発光層16へ輸送する機能を有する。電子輸送層17は電子輸送性を有する材料(電子輸送性材料)で構成されており、このような材料としては、例えば、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ジフェキノン誘導体、ペリレンテトラカルボキシル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体(いずれも特開平5−163488号公報に記載)等が挙げられる。
トップエミッション型有機EL表示パネルを実現するため、本実施の態様において電子輸送層17の上に形成された陰極18は、例えば、ITO、IZO(酸化インジウム亜鉛)等の光透過性を有する導電性酸化物材料で形成されている。
陰極18の上に形成された封止層19は、有機EL表示パネル10内に浸入した水分又は酸素から有機発光層16および陰極18を保護するために設けられている。有機EL表示パネル10はトップエミッション型であるため、封止層19には、例えば、SiN(窒化シリコン)、SiON(酸窒化シリコン)等の光透過性材料が採用されている。
特に図示していないが、封止層19の上方には、基板11と対向する封止基板が設けられる。さらに、封止層19と封止基板とでできる空間に、絶縁性材料を充填することとしてもよい。このようにすることで、有機EL表示パネル10内に水分又は酸素が浸入するのを防ぐことができる。有機EL表示パネル10はトップエミッション型であるため、絶縁性材料としては、SiN、SiON等の光透過性材料を選択する必要がある。
図15〜図17は、実施の態様2に係る有機EL表示パネル10の製造工程例を示す図である。これらの図を参照しながら、有機EL表示パネル10の製造方法について説明する。
はじめに、上面に陽極12が形成されているとともに、陽極12の上方に有機発光層16を構成する材料と溶媒とを含む有機発光層材料が塗布された基板11を準備する準備工程を行う。図15(a)〜図16(a)は準備工程に相当する。
真空工程としての乾燥工程(図16(b))では、実施の態様1に係る真空装置および真空チャンバーの減圧方法に基づき、有機発光層材料16aの塗布膜を乾燥させる。具体的には、有機発光層材料16a塗布後の基板11を真空チャンバー内に載置し、真空チャンバーに接続された粗引きポンプおよび主排気ポンプにより、真空チャンバー内を真空状態に維持する。
乾燥工程後、図16(c)に示すように、有機発光層16の上に真空成膜法に基づき電子輸送層17を形成する。具体的には、例えば真空蒸着法やスパッタ法等の真空成膜法に基づき、有機発光層16の上面に電子輸送層17を構成する材料を成膜することにより、電子輸送層17を形成する。
図18は、本発明の一態様に係る有機EL表示装置等を示す斜視図である。図18に示すように、有機EL表示装置1000は有機ELディスプレイであり、上述した有機EL表示パネル10を備える。
図20は、本発明の一態様に係る有機EL発光装置200を示す図であって、図20(a)は縦断面図、図20(b)は横断面図である。図20に示すように、有機EL発光装置200は、本発明の一態様に係る製造方法により形成された複数の有機EL素子210と、有機EL素子210が上面に実装されたベース220と、ベース220にそれら有機EL素子210を挟むようにして取り付けられた一対の反射部材230と、から構成されている。各有機EL素子210は、ベース220上に形成された導電パターン(不図示)に電気的に接続されており、前記導電パターンにより供給された駆動電力によって発光する。各有機EL素子210から出射された光の一部は、反射部材230によって配光が制御される。
以上、実施の態様について説明したが、本発明は上記の実施の態様に限られない。例えば、以下のような変形例等が考えられる。
2 粗引きポンプ
3 主排気ポンプ
4 粗引きバルブ
5 主排気バルブ
6 主排気バルブ(延設排気管用バルブ)
7 圧力計
8 ガス流入バルブ
9 制御部
10 有機EL表示パネル
11、101 基板
12、102 陽極
13 ITO層
14、103 正孔注入層
15 バンク
15a 開口部
16、105 有機発光層
16a、105a 有機発光層材料
17、106 電子輸送層
18、107 陰極
19、108 封止層
20 駆動制御部
21〜24 駆動回路
25 制御回路
26 真空チャンバー
27 排気管
28 機械式ポンプ
29 排気管
30 不純物
31 有機EL素子半製品
100 サブピクセル
104 正孔輸送層
109 有機発光層と電子輸送層との界面領域
200 有機EL発光装置
210 有機EL素子
220 ベース
230 反射部材
1000 有機EL表示装置
91 真空チャンバー
92 粗引きポンプ
93 主排気ポンプ
94 粗引きバルブ
95 主排気バルブ
96 主排気バルブ
Claims (12)
- 有機膜を構成する材料と溶媒とを含む有機膜材料が塗布された基板を準備する準備工程と、
前記有機膜材料塗布後の基板を真空チャンバー内に載置し、前記真空チャンバーに接続された粗引きポンプおよび主排気ポンプにより、当該真空チャンバー内を真空状態に維持する真空工程と、を含み、
前記真空工程は、
前記真空チャンバーの内部圧力を15Pa未満に減圧可能な機械式ポンプである前記粗引きポンプにより、前記真空チャンバー内を減圧する粗引き工程と、
前記粗引き工程後、非機械式ポンプである前記主排気ポンプにより前記真空チャンバー内を減圧する主排気工程と、を含み、
前記粗引き工程から前記主排気工程への移行は、前記真空チャンバーの内部圧力が15Pa以上であるときに行われる、
有機薄膜素子の製造方法。 - 前記粗引き工程において、
前記真空チャンバー内に不活性ガスを流入させることにより、前記真空チャンバーの減圧速度を調整する、
請求項1に記載の有機薄膜素子の製造方法。 - 前記粗引きポンプはメカニカルブースターポンプである、
請求項1に記載の有機薄膜素子の製造方法。 - 前記主排気ポンプは冷却手段による気体の凝縮を利用して排気を行うポンプである、
請求項1に記載の有機薄膜素子の製造方法。 - 前記主排気ポンプはクライオポンプである、
請求項4に記載の有機薄膜素子の製造方法。 - 有機膜を構成する材料と溶媒とを含む有機膜材料が塗布された基板を準備する準備工程と、
前記有機膜材料塗布後の基板を真空チャンバー内に載置し、前記真空チャンバーに接続された粗引きポンプおよび主排気ポンプにより、当該真空チャンバー内を真空状態に維持する真空工程と、を含み、
前記真空工程は、
前記真空チャンバーの内部圧力を15Pa未満に減圧可能であり、アルカンを含む潤滑剤を用いる機械式ポンプである前記粗引きポンプにより、前記真空チャンバー内を減圧する粗引き工程と、
前記粗引き工程後、非機械式ポンプである前記主排気ポンプにより前記真空チャンバー内を減圧する主排気工程と、を含み、
前記粗引き工程から前記主排気工程への移行は、前記粗引きポンプから前記真空チャンバーへ飛散した前記アルカンにおける蒸気圧の、前記真空チャンバーの内部圧力に対する比が7.3×10−3以下であるときに行われる、
有機薄膜素子の製造方法。 - 前記アルカンは、テトラコサンである、
請求項6に記載の有機薄膜素子の製造方法。 - 有機膜を構成する材料と溶媒とを含む有機膜材料が塗布された基板を準備する準備工程と、
前記有機膜材料塗布後の基板を真空チャンバー内に載置し、前記真空チャンバーに接続された粗引きポンプおよび主排気ポンプにより、当該真空チャンバー内を真空状態に維持する真空工程と、を含み、
前記真空工程は、
前記真空チャンバーの内部圧力を15Pa未満に減圧可能な機械式ポンプである前記粗引きポンプにより、前記真空チャンバー内を減圧する粗引き工程と、
前記粗引き工程後、非機械式ポンプである前記主排気ポンプにより前記真空チャンバー内を減圧する主排気工程と、を含み、
前記粗引き工程から前記主排気工程への移行は、前記粗引きポンプによる減圧速度が10Pa/sec以上であるときに行われる、
有機薄膜素子の製造方法。 - 有機膜を構成する材料と溶媒とを含む有機膜材料が塗布された基板を載置する真空チャンバーと、
前記真空チャンバーに接続され、真空チャンバーの内部圧力を15Pa未満に減圧可能な機械式ポンプである粗引きポンプと、
前記真空チャンバーに接続された非機械式ポンプである主排気ポンプと、
前記真空チャンバーから前記粗引きポンプへ至る粗引き用排気管を開閉する粗引きバルブと、
前記粗引き用排気管と独立に設けられ、前記真空チャンバーから前記主排気ポンプへ至る主排気用排気管を開閉する主排気バルブと、
前記粗引きポンプ、前記主排気ポンプ、前記粗引きバルブおよび前記主排気バルブの動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記粗引きバルブを開状態、前記主排気バルブを閉状態、前記粗引きポンプを動作状態、前記主排気ポンプを停止状態とする粗引き動作と、当該粗引き動作後に前記粗引きバルブを閉状態、前記主排気バルブを開状態、少なくとも前記主排気ポンプを動作状態とする主排気動作とを行い、
前記粗引き動作から前記主排気動作への移行を、前記真空チャンバーの内部圧力が15Pa以上であるときに行う、
有機薄膜素子の製造装置。 - 有機膜を構成する材料と溶媒とを含む有機膜材料が塗布された基板を準備する準備工程と、
前記有機膜材料塗布後の基板を真空チャンバー内に載置し、前記真空チャンバーに接続された粗引きポンプおよび主排気ポンプにより、当該真空チャンバー内を真空状態に維持する真空工程と、を含み、
前記真空工程は、
前記真空チャンバーの内部圧力を15Pa未満に減圧可能な機械式ポンプである前記粗引きポンプにより、前記真空チャンバー内を減圧する粗引き工程と、
前記粗引き工程後、非機械式ポンプである前記主排気ポンプにより前記真空チャンバー内を減圧する主排気工程と、を含み、
前記粗引き工程から前記主排気工程への移行は、前記真空チャンバーの内部圧力が15Pa以上であるときに行われる、
有機膜の形成方法。 - 上面に第1電極が形成されているとともに、当該第1電極の上方に有機発光層を構成する材料と溶媒とを含む有機発光層材料が塗布された基板を準備する準備工程と、
前記有機発光層材料塗布後の基板を真空チャンバー内に載置し、前記真空チャンバーに接続された粗引きポンプおよび主排気ポンプにより、当該真空チャンバー内を真空状態に維持する真空工程と、
前記有機発光層材料の塗布膜の上方に第2電極を形成する第2電極形成工程と、を含み、
前記真空工程は、
前記真空チャンバーの内部圧力を15Pa未満に減圧可能な機械式ポンプである前記粗引きポンプにより、前記真空チャンバー内を減圧する粗引き工程と、
前記粗引き工程後、非機械式ポンプである前記主排気ポンプにより前記真空チャンバー内を減圧する主排気工程と、を含み、
前記粗引き工程から前記主排気工程への移行は、前記真空チャンバーの内部圧力が15Pa以上であるときに行われる、
有機EL素子の製造方法。 - 上面に第1電極が形成されているとともに、当該第1電極の上方に有機発光層を構成する材料と溶媒とを含む有機発光層材料が塗布された基板を準備する準備工程と、
前記有機発光層材料塗布後の基板を真空チャンバー内に載置し、前記真空チャンバーに接続された粗引きポンプおよび主排気ポンプにより、当該真空チャンバー内を真空状態に維持する真空工程と、
前記有機発光層材料の塗布膜の上方に第2電極を形成する第2電極形成工程と、を含み、
前記真空工程は、
前記真空チャンバーの内部圧力を15Pa未満に減圧可能であり、アルカンを含む潤滑剤を用いる機械式ポンプである前記粗引きポンプにより、前記真空チャンバー内を減圧する粗引き工程と、
前記粗引き工程後、非機械式ポンプである前記主排気ポンプにより前記真空チャンバー内を減圧する主排気工程と、を含み、
前記粗引き工程から前記主排気工程への移行は、前記粗引きポンプから前記真空チャンバーへ飛散した前記アルカンにおける蒸気圧の、前記真空チャンバーの内部圧力に対する比が7.3×10−3以下であるときに行われる、
有機EL素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012071726 | 2012-03-27 | ||
JP2012071726 | 2012-03-27 | ||
PCT/JP2013/001873 WO2013145640A1 (ja) | 2012-03-27 | 2013-03-19 | 真空チャンバーの減圧方法、真空装置、有機膜の形成方法、有機el素子の製造方法、有機el表示パネル、有機el表示装置、有機el発光装置および不純物検出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013145640A1 JPWO2013145640A1 (ja) | 2015-12-10 |
JP6031651B2 true JP6031651B2 (ja) | 2016-11-24 |
Family
ID=49258953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014507403A Active JP6031651B2 (ja) | 2012-03-27 | 2013-03-19 | 有機薄膜素子の製造方法、有機薄膜素子の製造装置、有機膜の形成方法および有機el素子の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9224956B2 (ja) |
JP (1) | JP6031651B2 (ja) |
TW (1) | TWI578591B (ja) |
WO (1) | WO2013145640A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5994080B2 (ja) * | 2012-04-13 | 2016-09-21 | 株式会社Joled | 真空装置、有機膜の形成方法、有機el素子の製造方法、有機el表示パネル、有機el表示装置、有機el発光装置およびゲッター材を構成する材料の選択方法 |
CN103545457B (zh) * | 2013-10-28 | 2016-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件、阵列基板、显示装置及发光器件的制造方法 |
JP6201729B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2017-09-27 | 株式会社豊田中央研究所 | 熱遷移流ポンプシステム及び熱遷移流ポンプを用いた真空室の真空維持方法 |
JP6685675B2 (ja) * | 2015-09-07 | 2020-04-22 | 株式会社Joled | 有機el素子、それを用いた有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 |
KR102575102B1 (ko) | 2015-11-30 | 2023-09-05 | 가부시키가이샤 스미카 분세키 센터 | 유기 전자 소자를 제조하는 제조 장치의 관리 방법 |
CN110726421A (zh) * | 2019-09-24 | 2020-01-24 | 中国船舶重工集团公司第七0七研究所 | 一种用于谐振子q值测试的真空设备 |
US11915918B2 (en) * | 2021-06-29 | 2024-02-27 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of sin with CCP plasma or RPS clean |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2507518B2 (ja) | 1988-02-29 | 1996-06-12 | 株式会社日立製作所 | 真空排気装置 |
JPH03157585A (ja) | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Hitachi Ltd | 真空装置およびその使用方法 |
JPH054034A (ja) * | 1991-06-26 | 1993-01-14 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 真空排気装置及びその方法 |
JPH05163488A (ja) | 1991-12-17 | 1993-06-29 | Konica Corp | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
US5443922A (en) | 1991-11-07 | 1995-08-22 | Konica Corporation | Organic thin film electroluminescence element |
JPH0693427A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-05 | Fuji Electric Co Ltd | 真空成膜方法 |
US6361618B1 (en) * | 1994-07-20 | 2002-03-26 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for forming and maintaining high vacuum environments |
JPH08138615A (ja) * | 1994-11-11 | 1996-05-31 | Tel Varian Ltd | イオン注入装置及びその排気方法 |
JPH09250454A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-09-22 | Sony Corp | 真空処理装置の駆動方法 |
JP4252141B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2009-04-08 | アルバック・クライオ株式会社 | 複合クライオポンプとこれを使用した排気方法及び再生方法 |
US6537707B1 (en) * | 2000-03-15 | 2003-03-25 | Agilent Technologies, Inc. | Two-stage roughing and controlled deposition rates for fabricating laser ablation masks |
JP4754196B2 (ja) * | 2003-08-25 | 2011-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧処理室内の部材清浄化方法および基板処理装置 |
US20060090703A1 (en) * | 2004-11-01 | 2006-05-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, system and program |
JP4939284B2 (ja) * | 2007-04-05 | 2012-05-23 | 財団法人山形県産業技術振興機構 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2009008474A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 汚染物質の分析方法及び捕集器 |
JP5053165B2 (ja) | 2008-04-30 | 2012-10-17 | 日本放送協会 | インク組成物、有機el素子の作製方法 |
JP2010013715A (ja) * | 2008-07-07 | 2010-01-21 | Seiko Epson Corp | 成膜方法、および成膜装置 |
JP2011044299A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Toyota Motor Corp | 燃料電池用電極材の製造方法 |
JP2011256129A (ja) * | 2010-06-08 | 2011-12-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機金属錯体材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機el表示装置及び有機el照明 |
US9595695B2 (en) | 2012-06-13 | 2017-03-14 | Joled Inc. | Method for removing impurities from inside of vacuum chamber, method for using vacuum apparatus, and method for manufacturing product |
-
2013
- 2013-03-19 WO PCT/JP2013/001873 patent/WO2013145640A1/ja active Application Filing
- 2013-03-19 US US14/386,543 patent/US9224956B2/en active Active
- 2013-03-19 JP JP2014507403A patent/JP6031651B2/ja active Active
- 2013-03-26 TW TW102110657A patent/TWI578591B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201347262A (zh) | 2013-11-16 |
US20150087098A1 (en) | 2015-03-26 |
TWI578591B (zh) | 2017-04-11 |
JPWO2013145640A1 (ja) | 2015-12-10 |
US9224956B2 (en) | 2015-12-29 |
WO2013145640A1 (ja) | 2013-10-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A529 | Written submission of copy of amendment under article 34 pct |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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