JP2016091953A - 表示装置 - Google Patents

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貴之 中西
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Abstract

【課題】自発光体の面積を確保しつつ、高精細な表示部を有する表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、基板と、基板上にマトリクス状に配置される複数の副画素の列又は行のうち一方向に延びる第１発光層と、第１発光層と同じ方向に延び、かつ列又は行のうち他方向で第１発光層と交互に並んで配置され、第１発光層とは異なる波長を発光する第２発光層と、少なくとも第１発光層の一部を覆う位置に配置され、第１発光層が発光する光を吸収し、吸収した光の波長が長くなるように変換する色変換層と、を含む。【選択図】図１

Description

本発明は、表示装置に関する。
従来から、液晶表示装置以外にも、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のような自発光体を点灯する表示装置が知られている。例えば特許文献１には、基板上に第一電極と、少なくとも有機化合物からなり、異なる色で発光する層を含む薄膜層と、第二電極とを順次積層してなる有機電界発光素子の製造方法であって、発光層が各発光色ごとにそれぞれ異なる真空槽内で形成されることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法が記載されている。
特開２００２−２８９３４３号公報
特許文献１に記載の表示装置は、各発光色ごとにそれぞれ異なる発光層で形成されているので、パネル全体の画素数が増加すると、１つの副画素あたりの面積が減少し、発光量が低下する場合がある。
本発明は、自発光体の面積を確保しつつ、高精細な表示部を有する表示装置を提供することを目的とする。
一態様によれば、表示装置は、基板と、前記基板上にマトリクス状に配置される複数の副画素の列又は行のうち一方向に延びる第１発光層と、前記第１発光層と同じ方向に延び、かつ列又は行のうち他方向で前記第１発光層と交互に並んで配置され、前記第１発光層とは異なる波長を発光する第２発光層と、少なくとも第１発光層の一部を覆う位置に配置され、前記第１発光層が発光する光を吸収し、吸収した光の波長が長くなるように変換する色変換層と、を含む。
図１は、本実施形態に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。 図２は、本実施形態に係る画像表示部の画素が含む副画素の点灯駆動回路を示す図である。 図３は、実施形態１に係る画像表示部の副画素の配列を示す図である。 図４は、実施形態１に係る画像表示部の断面構造を示す図である。 図５は、実施形態１に係る対向基板のフィルタ又は開口の配列を示す図である。 図６は、実施形態１に係る第１発光層及び第２発光層の平面的な配置を説明するための模式図である。 図７は、実施形態１に係る色変換層の励起波長と相対強度分布との関係の一例を示す説明図である。 図８は、実施形態１に係る色変換層の発光波長と相対強度分布との関係の一例を示す説明図である。 図９は、実施形態１に係るフィルタの波長と透過スペクトルとの関係を示す説明図である。 図１０は、実施形態２に係る画像表示部の副画素の配列を示す図である。 図１１は、実施形態２に係る画像表示部の断面構造を示す図である。 図１２は、実施形態２に係る対向基板のフィルタ又は開口の配列を示す図である。 図１３は、実施形態２に係る第１発光層及び第２発光層の平面的な配置を説明するための模式図である。 図１４は、実施形態３に係る画像表示部の副画素の配列を示す図である。 図１５は、実施形態３に係る画像表示部の断面構造を示す図である。 図１６は、実施形態３に係る対向基板のフィルタ又は開口の配列を示す図である。 図１７は、実施形態３に係る第１発光層及び第２発光層の平面的な配置を説明するための模式図である。 図１８は、実施形態４に係る第１発光層及び第２発光層の平面的な配置を説明するための模式図である。 図１９は、実施形態５に係る第１発光層及び第２発光層の平面的な配置を説明するための模式図である。 図２０は、実施形態６に係る第１発光層及び第２発光層の平面的な配置を説明するための模式図である。 図２１は、実施形態７に係る第１発光層及び第２発光層の平面的な配置を説明するための模式図である。 図２２は、実施形態８に係る画像表示部の断面構造を示す図である。 図２３は、実施形態９に係る色変換層の発光波長と相対強度分布との関係を示す説明図である。 図２４は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。 図２５は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。
以下、発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
図１は、本実施形態に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。図１に示すように、表示装置１００は、制御装置１１の画像出力部１２から入力される入力映像信号（以下、「入力信号」ともいう）を処理する信号処理部２０と、画像表示パネルである画像表示部３０と、画像表示部３０の駆動を制御する駆動回路４０とを備える。信号処理部２０は、ハードウェア又はソフトウェアのいずれかによって機能が実現されていればよく、特に限定されるものではない。また、信号処理部２０の各回路がハードウェアによって構成されるものであっても、それぞれの回路が物理的に独立して区別される必要はなく、物理的に単一の回路によって複数の機能が実現されるものとしてもよい。
信号処理部２０は、入力信号に基づいて求められる所定の画素に表示するためのＨＳＶ色空間の入力値に基づいた第１色情報としての入力画像信号から、後述する画素３１が有する各副画素がそれぞれ表示して再現されるＨＳＶ色空間の再現値に変換して出力信号を生成する。
信号処理部２０は、後述する実施形態１に示すように、入力画像信号における第１色情報に基づいて、第１色成分である赤（Ｒ）成分、第２色成分である緑（Ｇ）成分、第３色成分である青（Ｂ）成分を、そのまま赤（Ｒ）成分、緑（Ｇ）成分、青（Ｂ）成分とすることもある。信号処理部２０は、駆動回路４０が画像出力部１２から入力される入力信号を直接処理できれば、省略してもよい。また、信号処理部２０は、制御装置１１内に設けてもよい。
駆動回路４０は、画像表示部３０の制御装置であって、信号出力回路４１、走査回路４２及び電源回路４３を備えている。駆動回路４０は、信号出力回路４１によって、第２色情報を含む出力信号を保持し、順次、画像表示部３０の各画素３１に出力する。信号出力回路４１は、信号線ＤＴＬによって画像表示部３０と電気的に接続されている。駆動回路４０は、走査回路４２によって、画像表示部３０における副画素を選択し、副画素の動作（光透過率）を制御するためのスイッチング素子（例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor））のオン及びオフを制御する。走査回路４２は、走査線ＳＣＬによって画像表示部３０と電気的に接続されている。電源回路４３は、電源線ＰＣＬによって各画素３１の後述する自発光体へ電力を供給する。
図１に示すように、画像表示部３０は、画素３１が、Ｐ０×Ｑ０個（行方向にＰ０個、列方向にＱ０個）、２次元のマトリクス状（行列状）に配列されている。画像表示部３０は、この例において、列がＸ方向に延び、行はＹ方向に延びている。
図２は、本実施形態に係る画像表示部の画素が含む副画素の点灯駆動回路を示す図である。画素３１は、複数の副画素３２を含む。そして、図２に示す副画素３２の点灯駆動回路が２次元のマトリクス状（行列状）に配列されている。点灯駆動回路は、制御用トランジスタＴｒ１と、駆動用トランジスタＴｒ２と、電荷保持用コンデンサＣ１とを含む。制御用トランジスタＴｒ１のゲートが走査線ＳＣＬに接続され、ソースが信号線ＤＴＬに接続され、ドレインが駆動用トランジスタＴｒ２のゲートに接続されている。電荷保持用コンデンサＣ１の一端が駆動用トランジスタＴｒ２のゲートに接続され、他端が駆動用トランジスタＴｒ２のソースに接続されている。駆動用トランジスタＴｒ２のソースが、電源線ＰＣＬと接続されており、駆動用トランジスタＴｒ２のドレインが、自発光体である有機発光ダイオードＥ１のアノードに接続されている。有機発光ダイオードＥ１のカソードは、例えば基準電位（例えばアース）に接続されている。
なお、図２では制御用トランジスタＴｒ１がｎチャネル型トランジスタ、駆動用トランジスタＴｒ２がｐチャネル型トランジスタの例を示しているが、それぞれのトランジスタの極性はこれに限定されない。必要に応じて、制御用トランジスタＴｒ１及び駆動用トランジスタＴｒ２それぞれの極性を決めればよい。
（実施形態１）
以下、上述した図１及び図２を参照しつつ、図３から図９を用いて、実施形態１に係る表示装置について説明する。図３は、実施形態１に係る画像表示部の副画素の配列を示す図である。図４は、実施形態１に係る画像表示部の断面構造を示す図である。図４は、図３のＩＶ−ＩＶ断面を示す断面構造である。図５は、実施形態１に係る対向基板のカラーフィルタ又は開口の配列を示す図である。
画素３１は、図３に示すように、例えば、第１副画素３２Ｒと、第２副画素３２Ｇと、第３副画素３２Ｂとを有する。第１副画素３２Ｒは、第１色（例えば、赤色（Ｒ）成分）を表示する。第２副画素３２Ｇは、第２色（例えば、緑色（Ｇ）成分）を表示する。第３副画素３２Ｂは、第３色（例えば、青色（Ｂ）成分）を表示する。以下の説明において、第１副画素３２Ｒと、第２副画素３２Ｇと、第３副画素３２Ｂとをそれぞれ区別する必要がない場合、副画素３２という。
画像表示部３０は、基板５１と、絶縁層５２、５３と、反射層５４と、下部電極５５と、第１発光層５６ｂ、第２発光層５６ｇと、上部電極５７と、絶縁層５８と、絶縁層５９と、フィルタ層としてのカラーフィルタ６１Ｒと、遮光層としてのブラックマトリクス６２と、色変換層６３と、基板５０とを備えている（図４参照）。基板５１は、シリコンなどの半導体基板、ガラス基板、樹脂基板などであって、上述した点灯駆動回路などを形成又は保持している。絶縁層５２は、上述した点灯駆動回路などを保護する保護膜であり、シリコン酸化物、シリコン窒化物などを用いることができる。絶縁層５２上には上述した制御用トランジスタＴｒ１、駆動用トランジスタＴｒ２、電荷保持用コンデンサＣ１等の点灯駆動回路を形成した回路層５２１があるが、図４では詳細を省略してある。下部電極５５は、第１副画素３２Ｒと、第２副画素３２Ｇと、第３副画素３２Ｂとにそれぞれ設けられており、上述した有機発光ダイオードＥ１のアノード（陽極）となる導電体である。下部電極５５は、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）で形成される透光性電極である。絶縁層５３は、バンクと呼ばれ、第１副画素３２Ｒと、第２副画素３２Ｇと、第３副画素３２Ｂとを区画する絶縁層である。反射層５４は、第１発光層５６ｂ、第２発光層５６ｇからの光を反射する金属光沢のある材料、例えば銀、アルミニウム、金などで形成されている。第１発光層５６ｂ、第２発光層５６ｇは、電圧が印加されると発光可能な有機材料を含み、不図示のホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含む自発光層である。なお、本発明の実施形態において発光層とは発光領域を含む層を意味する。当然のことながら、たとえ発光層でも電荷の再結合を行わない領域では発光しない。
＜ホール輸送層＞
正孔を発生する層としては、例えば、芳香族アミン化合物と、その化合物に対して電子受容性を示す物質とを含む層を用いることが好ましい。ここで、芳香族アミン化合物とは、アリールアミン骨格を有する物質である。芳香族アミン化合物の中でも特に、トリフェニルアミンを骨格に含み、４００以上の分子量を有するものが好ましい。また、トリフェニルアミンを骨格に有する芳香族アミン化合物の中でも特にナフチル基のような縮合芳香環を骨格に含むものが好ましい。トリフェニルアミンと縮合芳香環とを骨格に含む芳香族アミン化合物を用いることによって、発光素子の耐熱性が良くなる。芳香族アミン化合物の具体例としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、２，３−ビス（４−ジフェニルアミノフェニル）キノキサリン（略称：ＴＰＡＱｎ）、２，２’，３，３’−テトラキス（４−ジフェニルアミノフェニル）−６，６’−ビスキノキサリン（略称：Ｄ−ＴｒｉＰｈＡＱｎ）、２，３−ビス｛４−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：ＮＰＡＤｉＢｚＱｎ）等が挙げられる。また、芳香族アミン化合物に対して電子受容性を示す物質について特に限定はなく、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）等を用いることができる。
＜電子注入層、電子輸送層＞
電子輸送性物質について特に限定はなく、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）等の金属錯体の他、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）等を用いることができる。また、電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質について特に限定はなく、例えば、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属、エルビウム、イッテルビウム等の希土類金属等を用いることができる。また、リチウム酸化物（Ｌｉ２Ｏ）、カルシウム酸化物（ＣａＯ）、ナトリウム酸化物（Ｎａ２Ｏ）、カリウム酸化物（Ｋ２Ｏ）、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ）等、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物の中から選ばれた物質を、電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質として用いても構わない。
＜発光層＞
上述した第２発光層５６ｇは、緑色系の発光を得たいので発光層には、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６やクマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）等、５００ｎｍから５５０ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。
上述した第１発光層５６ｂは、青色系の発光を得たいので発光層には、９，１０−ビス（２−ナフチル）−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）、９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−ガリウム（略称：ＢＧａｑ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等、４２０ｎｍから５００ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。
以上のように、蛍光を発光する物質の他、ビス［２−（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））、ビス［２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（ＦＩｒ（ｐｉｃ））、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）等の燐光を発光する物質も発光物質として用いることができる。
上部電極５７は、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）で形成される透光性電極である。なお本実施形態では、透光性導電材料の例としてＩＴＯを挙げたが、これに限定されない。透光性導電材料として、インジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ）等の別の組成を有する導電材料を用いてもよい。上部電極５７は、有機発光ダイオードＥ１のカソード（陰極）になる。絶縁層５８は、上述した上部電極５７を封止する封止層であり、シリコン酸化物、シリコン窒化物などを用いることができる。絶縁層５９は、バンクにより生じる段差を抑制する平坦化層であり、シリコン酸化物、シリコン窒化物などを用いることができる。基板５０は、画像表示部３０全体を保護する透光性の基板であり、例えば、ガラス基板を用いることができる。
なお、図４においては、下部電極５５がアノード（陽極）、上部電極５７がカソード（陰極）の例を示しているが、これに限定されない。下部電極５５がカソード及び上部電極５７がアノードであってもよく、その場合は、下部電極５５に電気的に接続されている駆動用トランジスタＴｒ２の極性を適宜変えることも可能であり、また、キャリア注入層（ホール注入層及び電子注入層）、キャリア輸送層（ホール輸送層及び電子輸送層）、発光層の積層順を適宜変えることも可能である。
画像表示部３０は、カラー表示パネルであり、図４に示すように、第１発光層５６ｂの発光成分のうち、第１発光層５６ｂと画像観察者との間に、色変換層６３と、第１色光Ｌｒを通過させる第１カラーフィルタ６１Ｒが配置されている。
画像表示部３０には、同様に、第２発光層５６ｇの発光成分が画像観察者へ出射できるように開口部６１Ｇがある。画像表示部３０には、同様に、第１発光層５６ｂの発光成分が画像観察者へ出射できるように開口部６１Ｂがある。なお、開口部６１Ｇ及び開口部６１Ｂには透明な樹脂層もしくは夫々に対応した色を透過するカラーフィルタが備えられていてもよい。このように開口部６１Ｇ及び開口部６１Ｂは、透明な樹脂層等を設けることで、絶縁層５９に大きな段差が生じることを抑制することができる。
図５に示すように、画像表示部３０は、ブラックマトリクス６２に遮光されていない、第１カラーフィルタ６１Ｒ、開口部６１Ｇ及び開口部６１Ｂから、図４に示す第１色光Ｌｒ、第２色光Ｌｇ及び第３色光Ｌｂが基板５０から観察者へ発光される。
図６は、実施形態１に係る第１発光層及び第２発光層の平面的な配置を説明するための模式図である。実施形態１に係る第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇは、Ｘ方向に延びるストライプ形状で成膜されている。そして、実施形態１に係る第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇは、Ｙ方向に交互に並んで成膜されている。実施形態１に係る第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇは、第１発光層５６ｂのＹ方向の幅Ｗ１１と第２発光層５６ｇのＹ方向の幅Ｗ１２が１つの副画素３２のＹ方向の幅Ｗ１に収まるように配置される。
画素３１は、３つの異なる色の副画素３２Ｒ、副画素３２Ｇ、副画素３２Ｂを備え、副画素３２Ｇと、少なくとも副画素３２Ｇとは異なる形状の副画素３２Ｒ及び副画素３２Ｂとが２列に配列されている。画素３１は、副画素３２Ｒ、副画素３２Ｇ、副画素３２Ｂの占める面積が略矩形状である。
色変換層６３は、第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇのうち１以上の波長帯の光を吸収し、吸収した光の波長よりも長い波長の光を発光することができる。
具体的に例示すると、色変換層６３は、青色（４５０ｎｍ付近）の波長帯の光を吸収し、吸収した光の波長よりも長い波長の光を発光するように、窒化物を母材とし、希土類元素を付活剤として含む蛍光体である。例えば、色変換層６３は、Ｅｕ付活硫化物系の赤色蛍光体として、（CaAlSiN3：Eu）がある。図７は、実施形態１に係る色変換層の励起波長と相対強度分布との関係の一例を示す説明図である。図８は、実施形態１に係る色変換層の発光波長と相対強度分布との関係の一例を示す説明図である。図７に示すように、色変換層６３がＥｕ付活硫化物系の赤色蛍光体である場合、色変換層６３は、青色（４５０ｎｍ付近）の波長帯の光Ｓｘ１を吸収し励起できるとともに、緑色（５５０ｎｍ付近）の波長帯の光Ｓｘ２を吸収し励起することができる。例えば、図８に示すように、色変換層６３は、青色（４５０ｎｍ付近）の波長帯の光Ｓｘ１を吸収し、赤色（６５０ｎｍ付近）の波長の光を発光することができる。
例えば、色変換層６３は、青色（４５０ｎｍ付近）の波長帯の光を吸収し、吸収した光の波長よりも長い波長の光を発光するように、酸化物を母材とし、希土類元素を付活剤として含む蛍光体としてもよい。この蛍光体は、例えば、黄色蛍光体（Y3A15O12：Ce，Tb3A15O12：Ce）、緑色蛍光体（Ca3Sc2Si3O12：Ce）、黄色蛍光体（（Sr、Ca、Ba）2SiO4：Eu）を挙げることができる。
色変換層６３は、青色（４５０ｎｍ付近）の波長帯の光を吸収し、吸収した光の波長よりも長い波長の光を発光するように、硫化物を母材とし、希土類元素を付活剤として含む蛍光体としてもよい。この蛍光体は、赤色蛍光体（Ca、Sr）S：Eu 、緑色蛍光体（（Ca,Sr,Ba)Ga2S4:Eu）を挙げることができる。
上述したように、色変換層６３は、青色（４５０ｎｍ付近）の波長帯の光Ｓｘ１を吸収し、赤色（６５０ｎｍ付近）の波長の光を発光することができる。色変換層６３は、基板５０側から入射する外光も吸収し、別の波長の光を発光してしまう可能性がある。このため、画像表示部３０は、色変換層６３の出射側の面をカラーフィルタ６１Ｒで覆っている。
図９は、実施形態１に係るフィルタの波長と透過スペクトルとの関係を示す説明図である。図９は、縦軸が１００分率の透過率であり、横軸が波長である。カラーフィルタ６１Ｒの透過スペクトルＣｆｒは、カラーフィルタ（青）の透過スペクトルＣｆｂ及びカラーフィルタ（緑）の透過スペクトルＣｆｇよりも長い波長を透過可能である。例えば、カラーフィルタ６１Ｒの透過スペクトルＣｆｒは、６００ｎｍ以上を透過する。カラーフィルタ６１Ｒは、フィルタ層であり、色変換層６３の出射側へ透過する波長を制限することができる。
以上説明したように、表示装置１００は、基板５１と、第１発光層５６ｂと、第２発光層５６ｇと、色変換層６３とを含む。第１発光層５６ｂは、基板５１上にマトリクス状に配置される複数の副画素３２の列に沿うＸ方向に延びるように形成されている。第２発光層５６ｇは、第１発光層５６ｂと同じ方向に延び、Ｙ方向で第１発光層５６ｂと交互に並んで配置され、第１発光層５６ｂとは異なる波長を発光する。色変換層６３は、少なくとも第１発光層５６ｂの一部を覆う位置に配置され、第１発光層５６ｂが発光する光を吸収し、吸収した光の波長が長くなるように変換する。
この構造により、表示装置１００は、画素３１を構成する副画素３２の数である３つよりも少ない、２つの発光層で３つの異なる主波長帯の色を表現できる。各発光色ごとにそれぞれ異なる発光層で形成されていないので、パネル全体の画素数が増加しても、１つの副画素あたりの面積を確保でき、発光量の低下を抑制することができる。
（実施形態２）
図１０は、実施形態２に係る画像表示部の副画素の配列を示す図である。図１１は、実施形態２に係る画像表示部の断面構造を示す図である。図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ断面を示す断面構造である。図１２は、実施形態２に係る対向基板のフィルタ又は開口の配列を示す図である。図１３は、実施形態２に係る第１発光層及び第２発光層の平面的な配置を説明するための模式図である。なお、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。図１に示す信号処理部２０は、後述する実施形態２から実施形態９ににおいて、入力画像信号における第１色情報に基づいて、第１色成分である赤（Ｒ）成分、第２色成分である緑（Ｇ）成分、第３色成分である青（Ｂ）成分を、第１副画素、第２副画素、第３副画素及び第４副画素に４つの異なる色成分をそれぞれ表示させる。
画素３１は、図１０に示すように、例えば、第１副画素３２Ｒと、第２副画素３２Ｇと、第３副画素３２Ｂと、第４副画素３２Ｙとを有する。第１副画素３２Ｒは、第１色（例えば、赤色（Ｒ）成分）を表示する。第２副画素３２Ｇは、第２色（例えば、緑色（Ｇ）成分）を表示する。第３副画素３２Ｂは、第３色（例えば、青色（Ｂ）成分）を表示する。第４副画素３２Ｙは、第４色（例えば、黄色（Ｙ）成分）を表示する。以下の説明において、第１副画素３２Ｒと、第２副画素３２Ｇと、第３副画素３２Ｂと、第４副画素３２Ｙとをそれぞれ区別する必要がない場合、副画素３２という。
図１１に示すように、画像表示部３０は、第１発光層５６ｂの発光成分のうち、第１発光層５６ｂと画像観察者との間に、色変換層６３と、第１色光Ｌｒを通過させる第１カラーフィルタ６１Ｒが配置されている。同様に、第２発光層５６ｇの発光成分のうち、第２発光層５６ｇと画像観察者との間に、色変換層６３が開口部６１Ｙに配置され、第２色光Ｌｙを通過させる。
画像表示部３０には、同様に、第２発光層５６ｇの発光成分を画像観察者へ出射できるように開口部６１Ｇがある。画像表示部３０には、同様に、第１発光層５６ｂの発光成分が画像観察者へ出射できるように開口部６１Ｂがある。なお、開口部６１Ｙ、開口部６１Ｇ及び開口部６１Ｂには透明な樹脂層もしくは夫々に対応した色を透過するカラーフィルタが備えられていてもよい。このように開口部６１Ｙ、開口部６１Ｇ及び開口部６１Ｂは、透明な樹脂層を設けることで、絶縁層５９に大きな段差が生じることを抑制することができる。
第１副画素３２Ｒに位置する色変換層６３は、図７に示すように青色（４５０ｎｍ付近）の波長帯の光Ｓｘ１を吸収し、赤色（６５０ｎｍ付近）の波長の光を発光することができる。色変換層６３を通過する波長の光には青色（４５０ｎｍ付近）の波長帯の光Ｓｘ１も含まれるため、画像表示部３０は、色変換層６３の出射側の面をカラーフィルタ６１Ｒで覆っている。これにより、第１色光Ｌｒは、赤色（６５０ｎｍ付近）の波長の光がカラーフィルタ６１Ｒを透過し、青色（４５０ｎｍ付近）の波長帯の光が抑制される。
図７に示したように、色変換層６３は、Ｅｕ付活硫化物系の赤色蛍光体である場合、色変換層６３は、青色（４５０ｎｍ付近）の波長帯の光Ｓｘ１を吸収し励起できるとともに、緑色（５５０ｎｍ付近）の波長帯の光Ｓｘ２を吸収し励起することができる。光Ｓｘ２で励起した色変換層６３の発光スペクトルは、図８に示す基本的に光Ｓｘ１と同様になる。この場合の黄色の成分は、光Ｓｘ２で励起した色変換層の発光スペクトルの吸収されない光成分と色変換後（図８参照）の成分を合わせたものになる。このため、第４副画素３２Ｙに位置する色変換層６３は、緑色（５５０ｎｍ付近）の波長帯の光Ｓｘ２を吸収し、黄色（５８０ｎｍ付近）の波長の光を発光することができる。
図１３に示すように、実施形態２に係る第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇは、Ｘ方向に延びるストライプ形状で成膜されている。そして、実施形態２に係る第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇは、Ｙ方向に交互に並んで成膜されている。実施形態２に係る第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇは、第１発光層５６ｂのＹ方向の幅Ｗ１１と第２発光層５６ｇのＹ方向の幅Ｗ１２が１つの副画素３２のＹ方向の幅Ｗ１に収まるように配置される。
画素３１は、４つの異なる色の第１副画素３２Ｒ、第２副画素３２Ｇ、第３副画素３２Ｂ及び第４副画素３２Ｙを備える。１つの画素３１において、第１副画素３２Ｒ及び第３副画素３２Ｂは、同一列に配置される。また、１つの画素３１において、第２副画素３２Ｇ及び第４副画素３２Ｙは、同一列に配置される。１つの画素３１は、第１副画素３２Ｒ、第２副画素３２Ｇ、第３副画素３２Ｂ及び第４副画素３２Ｙの全体が占める面積が略矩形状である。また、１つの画素３１において、第１副画素３２Ｒと、第２副画素３２Ｇとは、異なる列となるように、対角に配置されている。同様に、１つの画素３１において、第３副画素３２Ｂと、第４副画素３２Ｙとは、異なる列となるように、対角に配置されている。これにより、１つの第３副画素３２ＢのＸ方向の両隣は、第１副画素３２Ｒであり、１つの第２副画素３２ＧのＸ方向の両隣は、第４副画素３２Ｙである。１つの第１副画素３２ＲのＹ方向の両隣は、第４副画素３２Ｙであり、１つの第３副画素３２ＢのＹ方向の両隣は、第２副画素３２Ｇである。以上説明したように、複数の副画素３２は、２行２列で１つの画素３１をなし、この画素３１の全体形状が矩形である。
図１３に示すように、実施形態２に係る色変換層６３は、Ｙ方向に延びるストライプ形状で成膜されている。このように、色変換層６３が形成される方向と、第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇが成膜されている方向とは交差する方向である。色変換層６３のＸ方向の長さＴ２は、画素３１の長さＴ１よりも小さい。このため、同一の色変換層６３が第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇの一部を覆う。つまり、平面視でみて、同一の色変換層６３は、第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇの一部に重なり合う。これにより、Ｘ方向に沿って、色変換層６３がある副画素３２と、色変換層６３がない副画素３２とが並んでいる。その結果、副画素３２毎に、色変換層６３を形成するよりも、色変換層６３の形成は、第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇに重ね合わせるアライメント精度に余裕がある。実施形態２に係る画素３１は、画素３１のＹ方向の幅Ｗ１を狭くしても、第１発光層５６ｂのＹ方向の幅Ｗ１１と第２発光層５６ｇのＹ方向の幅Ｗ１２とには余裕がある。その結果、画素３１が高精度化しても、第１発光層５６ｂのＹ方向の幅Ｗ１１と第２発光層５６ｇのＹ方向の幅Ｗ１２を確保でき、１つの副画素３２の面積を確保できる。そして、画像表示部３０が高精度になっても、１つの副画素３２当たりの面積が確保できるので、自発光体の発光量の低減を抑制できる。
実施形態２において、第１副画素３２Ｒは、第３副画素３２Ｂよりも面積が大きくなっている。同様に、第４副画素３２Ｙは、第２副画素３２Ｇよりも面積が大きくなっている。つまり、色変換層６３がある副画素３２は、色変換層６３がない副画素３２よりも面積が大きい。この構造により、第１副画素３２Ｒは、第３副画素３２Ｂよりも、色変換層６３及びカラーフィルタ６１Ｒで減衰した光量を補うことができる。また、第４副画素３２Ｙは、第２副画素３２Ｇよりも、色変換層６３で減衰した光量を補うことができる。そして、第１副画素３２Ｒ、第２副画素３２Ｇ、第３副画素３２Ｂ及び第４副画素３２Ｙのそれぞれに、印加する電源線ＰＣＬの電位を共通にすることもできる。
以上説明したように、表示装置１００は、基板５１と、第１発光層５６ｂと、第２発光層５６ｇと、色変換層６３とを含む。第１発光層５６ｂは、基板５１上にマトリクス状に配置される複数の副画素３２の列に沿うＸ方向に延びるように形成されている。第２発光層５６ｇは、第１発光層５６ｂと同じ方向に延び、Ｙ方向で第１発光層５６ｂと交互に並んで配置され、第１発光層５６ｂとは異なる波長を発光する。色変換層６３は、Ｙ方向に延びて、第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇの一部を覆う位置に配置される。色変換層６３は、第１発光層５６ｂが発光する光を吸収し、吸収した光の波長が長くなるように変換する。されに、色変換層６３は、第２発光層５６ｇが発光する光を吸収し、吸収した光の波長が長くなるように変換する。色変換層６３は、複数のストライプ状に配置され、隣合う色変換層６３は、Ｘ方向に間隔を空けて配置されている。
この構造により、表示装置１００は、画素３１を構成する副画素３２の数である４つよりも少ない、２つの発光層で４つの異なる主波長帯の色を表現できる。各発光色ごとにそれぞれ異なる発光層で形成されていないので、パネル全体の画素数が増加しても、１つの副画素あたりの面積を確保でき、発光量の低下を抑制することができる。
（実施形態３）
図１４は、実施形態３に係る画像表示部の副画素の配列を示す図である。図１５は、実施形態３に係る画像表示部の断面構造を示す図である。図１５は、図１４のＸＶ−ＸＶ断面を示す断面構造である。図１６は、実施形態３に係る対向基板のフィルタ又は開口の配列を示す図である。図１７は、実施形態３に係る第１発光層及び第２発光層の平面的な配置を説明するための模式図である。なお、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
画素３１は、図１４に示すように、例えば、第１副画素３２Ｍと、第２副画素３２Ｇと、第３副画素３２Ｂと、第４副画素３２Ｙとを有する。第１副画素３２Ｍは、第１色（例えば、マゼンタ色（Ｍ）成分）を表示する。第２副画素３２Ｇは、第２色（例えば、緑色（Ｇ）成分）を表示する。第３副画素３２Ｂは、第３色（例えば、青色（Ｂ）成分）を表示する。第４副画素３２Ｙは、第４色（例えば、黄色（Ｙ）成分）を表示する。以下の説明において、第１副画素３２Ｍと、第２副画素３２Ｇと、第３副画素３２Ｂと、第４副画素３２Ｙとをそれぞれ区別する必要がない場合、副画素３２という。
図１５に示すように、画像表示部３０は、第１発光層５６ｂの発光成分のうち、第１発光層５６ｂと画像観察者との間に、色変換層６３が開口部６１Ｍに配置され、第１色光Ｌｍを通過させる。同様に、第２発光層５６ｇの発光成分のうち、第２発光層５６ｇと画像観察者との間に、色変換層６３が開口部６１Ｙに配置され、第２色光Ｌｙを通過させる。
画像表示部３０には、同様に、第２発光層５６ｇの発光成分が画像観察者へ出射できるように開口部６１Ｇがある。画像表示部３０には、同様に、第１発光層５６ｂの発光成分が画像観察者へ出射できるように開口部６１Ｂがある。なお、開口部６１Ｍ、開口部６１Ｙ、開口部６１Ｇ及び開口部６１Ｂには透明な樹脂層もしくは夫々に対応した色を透過するカラーフィルタが備えられていてもよい。このように、開口部６１Ｍ、開口部６１Ｙ、開口部６１Ｇ及び開口部６１Ｂは、透明な樹脂層を設けることで、絶縁層５９に大きな段差が生じることを抑制することができる。
第１副画素３２Ｍに位置する色変換層６３は、図７に示すように、青色（４５０ｎｍ付近）の波長帯の光Ｓｘ１を吸収し、赤色（６５０ｎｍ付近）の波長の光を発光することができる。第１色光Ｌｍは、青色（４５０ｎｍ付近）の波長帯と、赤色（６５０ｎｍ付近）の波長帯とが混色し、マゼンタ色となる。図７に示したように、色変換層６３は、Ｅｕ付活硫化物系の赤色蛍光体である場合、色変換層６３は、青色（４５０ｎｍ付近）の波長帯の光Ｓｘ１を吸収し励起できるとともに、緑色（５５０ｎｍ付近）の波長帯の光Ｓｘ２を吸収し励起することができる。このため、第４副画素３２Ｙに位置する色変換層６３は、緑色（５５０ｎｍ付近）の波長帯の光Ｓｘ２を吸収し、赤色（６５０ｎｍ付近）の波長の光を発光することができる。第２色光Ｌｙは、緑色（５５０ｎｍ付近）の波長帯と、赤色（６５０ｎｍ付近）の波長帯とが混色し、黄色（５８０ｎｍ付近）の波長の光となる。
図１７に示すように、実施形態３に係る第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇは、Ｘ方向に延びるストライプ形状で成膜されている。そして、実施形態３に係る第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇは、Ｙ方向に交互に成膜されている。実施形態３に係る第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇは、第１発光層５６ｂのＹ方向の幅Ｗ１１と第２発光層５６ｇのＹ方向の幅Ｗ１２が１つの副画素３２のＹ方向の幅Ｗ１に収まるように配置される。
画素３１は、４つの異なる色の第１副画素３２Ｍ、第２副画素３２Ｇ、第３副画素３２Ｂ及び第４副画素３２Ｙを備える。１つの画素３１において、第１副画素３２Ｍ及び第３副画素３２Ｂは、同一列に配置される。また、１つの画素３１において、第２副画素３２Ｇ及び第４副画素３２Ｙは、同一列に配置される。１つの画素３１は、第１副画素３２Ｍ、第２副画素３２Ｇ、第３副画素３２Ｂ及び第４副画素３２Ｙの全体が占める面積が略矩形状である。また、１つの画素３１において、第１副画素３２Ｍと、第２副画素３２Ｇとは、異なる列となるように、対角に配置されている。同様に、１つの画素３１において、第３副画素３２Ｂと、第４副画素３２Ｙとは、異なる列となるように、対角に配置されている。これにより、１つの第３副画素３２ＢのＸ方向の両隣は、第１副画素３２Ｍであり、１つの第２副画素３２ＧのＸ方向の両隣は、第４副画素３２Ｙである。１つの第１副画素３２ＭのＹ方向の両隣は、第４副画素３２Ｙであり、１つの第３副画素３２ＢのＹ方向の両隣は、第２副画素３２Ｇである。以上説明したように、複数の副画素３２は、２行２列で１つの画素３１をなし、この画素３１の全体形状が矩形である。
図１７に示すように、実施形態３に係る色変換層６３は、Ｙ方向に延びるストライプ形状で成膜されている。このように、色変換層６３が形成される方向と、第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇが成膜されている方向とは交差する方向である。色変換層６３のＸ方向の長さＴ２は、画素３１の長さＴ１よりも小さい。このため、同一の色変換層６３が第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇの一部を覆う。つまり、平面視でみて、同一の色変換層６３は、第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇの一部に重なり合う。その結果、副画素３２毎に、色変換層６３を形成するよりも、色変換層６３の形成は、第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇに重ね合わせるアライメント精度に余裕がある。実施形態３に係る画素３１は、画素３１のＹ方向の幅Ｗ１を狭くしても、第１発光層５６ｂのＹ方向の幅Ｗ１１と第２発光層５６ｇのＹ方向の幅Ｗ１２とには余裕がある。その結果、画素３１が高精度化しても、第１発光層５６ｂのＹ方向の幅Ｗ１１と第２発光層５６ｇのＹ方向の幅Ｗ１２を確保でき、１つの副画素３２の面積を確保できる。そして、画像表示部３０が高精度になっても、１つの副画素３２当たりの面積が確保できるので、自発光体の発光量の低減を抑制できる。
実施形態３において、第１副画素３２Ｍは、第３副画素３２Ｂよりも面積が大きくなっている。同様に、第４副画素３２Ｙは、第２副画素３２Ｇよりも面積が大きくなっている。つまり、色変換層６３がある副画素３２は、色変換層６３がない副画素３２よりも面積が大きい。この構造により、第１副画素３２Ｍは、第３副画素３２Ｂよりも、色変換層６３で減衰した光量を補うことができる。また、第４副画素３２Ｙは、第２副画素３２Ｇよりも、色変換層６３で減衰した光量を補うことができる。そして、第１副画素３２Ｍ、第２副画素３２Ｇ、第３副画素３２Ｂ及び第４副画素３２Ｙのそれぞれに、印加する電源線ＰＣＬの電位を共通にすることもできる。
（実施形態４）
図１８は、実施形態４に係る第１発光層及び第２発光層の平面的な配置を説明するための模式図である。なお、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
図１８に示すように実施形態４に係る画像表示部３０は、実施形態２に係る画素３１と、実施形態３に係る画素３１とがＹ方向に交互に配置されている。従来の自発光体を備えた画像表示部では、入力画像の彩度が高い場合及び入力画像が補色を含む場合には、追加原色Ｗの画素を用いることができず、表示装置の消費電力量が増大する場合がある。これに対して、実施形態４に係る画像表示部３０は、第１副画素３２Ｍ、第４副画素３２Ｙなどの補色副画素を発光させることにより入力画像の彩度が高い場合及び入力画像が補色を含む場合でも消費電力量を抑制できる。また、実施形態２に係る画素３１と、実施形態３に係る画素３２とがＹ方向に交互に配置されているので、第１副画素３２Ｍと、第１副画素３２Ｒとが、輝度の高い表示が可能な第４副画素３２Ｙを挟んで配置される。これにより、輝度重心が変化しにくくなるので、画質を向上させることができる。
（実施形態５）
図１９は、実施形態５に係る第１発光層及び第２発光層の平面的な配置を説明するための模式図である。なお、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
図１９に示すように、画素３１は、４つの異なる色の第１副画素３２Ｒ、第２副画素３２Ｇ、第３副画素３２Ｂ及び第４副画素３２Ｗを備える。１つの画素３１において、第１副画素３２Ｒ及び第２副画素３２Ｇは、同一列に配置される。また、１つの画素３１において、第３副画素３２Ｂ及び第４副画素３２Ｗは、同一列に配置される。１つの画素３１は、第１副画素３２Ｒ、第２副画素３２Ｇ、第３副画素３２Ｂ及び第４副画素３２Ｗの全体が占める面積が略矩形状である。また、１つの画素３１において、第２副画素３２Ｇと、第４副画素３２Ｗとは、異なる列となるように、対角に配置されている。同様に、１つの画素３１において、第３副画素３２Ｂと、第１副画素３２Ｒとは、異なる列となるように、対角に配置されている。これにより、１つの第３副画素３２ＢのＸ方向の両隣は、第４副画素３２Ｗであり、１つの第２副画素３２ＧのＸ方向の両隣は、第１副画素３２Ｒである。１つの第１副画素３２ＲのＹ方向の両隣は、第４副画素３２Ｗであり、１つの第３副画素３２ＢのＹ方向の両隣は、第２副画素３２Ｇである。以上説明したように、複数の副画素３２は、２行２列で１つの画素３１をなし、この画素３１の全体形状が矩形である。
図１９に示すように、実施形態５に係る色変換層６３は、Ｙ方向に延びるストライプ形状で成膜されている。このように、色変換層６３が形成される方向と、第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇが成膜されている方向とは交差する方向である。色変換層６３のＸ方向の長さＴ２は、画素３１の長さＴ１よりも小さい。このため、同一の色変換層６３が第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇの上方の一部を覆う。その結果、副画素３２毎に、色変換層６３を形成するよりも、色変換層６３の形成は、第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇに重ね合わせるアライメント精度に余裕がある。実施形態５に係る画素３１は、画素３１のＹ方向の幅Ｗ１を狭くしても、第１発光層５６ｂのＹ方向の幅Ｗ１１と第２発光層５６ｇのＹ方向の幅Ｗ１２とには余裕がある。その結果、画素３１が高精度化しても、第１発光層５６ｂのＹ方向の幅Ｗ１１と第２発光層５６ｇのＹ方向の幅Ｗ１２とを確保でき、１つの副画素３２の面積を確保できる。そして、画像表示部３０が高精度になっても、１つの副画素３２当たりの面積が確保できるので、自発光体の発光量の低減を抑制できる。
第４副画素３２Ｗに位置する色変換層６３は、青色（４５０ｎｍ付近）の波長帯の光を吸収し、赤色（６５０ｎｍ付近）から緑色（５５０ｎｍ付近）の波長帯の光とを発光することができる。色変換層６３を通過する波長の光には、第１発光層５６ｂからの青色に加え、赤色（６５０ｎｍ付近）から緑色（５５０ｎｍ付近）の波長帯の光とが加色混合され、白色を発光する。
第１副画素３２Ｒに位置する色変換層６３は、緑色（５５０ｎｍ付近）の波長帯の光を吸収し、赤色（６５０ｎｍ付近）の波長の光を含むように発光することができる。第１副画素３２Ｒに位置する色変換層６３の出射側の面をカラーフィルタ６１Ｒで覆っているので、第１色光Ｌｒは、赤色（６５０ｎｍ付近）の波長の光がカラーフィルタ６１Ｒを透過し、他の波長帯の光が抑制される。
上述した図１に示す信号処理部２０は、入力画像信号ＳＲＧＢの第１色情報に含まれる色成分（赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ））から白（Ｗ）成分を分離して第２色情報を生成し、第４副画素３２Ｗの点灯量を決定する。これにより、相対的に輝度の高い第４副画素３２Ｗの点灯量を増加させ、第１副画素３２Ｒ、第２副画素３２Ｇ、第３副画素３２Ｂの点灯量を低減することで、画像表示部３０の消費電力を抑制することができる。
（実施形態６）
図２０は、実施形態６に係る第１発光層及び第２発光層の平面的な配置を説明するための模式図である。なお、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
画素３１は、図１０に示すように、例えば、第１副画素３２Ｒと、第２副画素３２Ｇと、第３副画素３２Ｂと、第４副画素３２Ｙとを有する。第１副画素３２Ｒは、第１色（例えば、赤色（Ｒ）成分）を表示する。第２副画素３２Ｇは、第２色（例えば、緑色（Ｇ）成分）を表示する。第３副画素３２Ｂは、第３色（例えば、青色（Ｂ）成分）を表示する。第４副画素３２Ｙは、第４色（例えば、黄色（Ｙ）成分）を表示する。以下の説明において、第１副画素３２Ｍと、第２副画素３２Ｇと、第３副画素３２Ｂと、第４副画素３２Ｙとをそれぞれ区別する必要がない場合、副画素３２という。
隣合う画素３１における第１副画素３２Ｒ、第２副画素３２Ｇ、第３副画素３２Ｂ及び第４副画素３２Ｙの配置は、Ｘ方向つまり、第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇが延びる方向を軸として線対称の関係にある。
図２０に示すように、実施形態６に係る第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇは、Ｘ方向に延びるストライプ形状で成膜されている。そして、実施形態６に係る第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇは、Ｙ方向に交互に成膜されている。実施形態６に係る第１発光層５６ｂのＹ方向の幅Ｗ２２は、１つの副画素３２のＹ方向の幅Ｗ１よりも大きく、画素３１の幅Ｗ１に収まるように配置される。実施形態６に係る第２発光層５６ｇのＹ方向の幅Ｗ２１は、１つの副画素３２のＹ方向の幅Ｗ１よりも大きく、画素３１の幅Ｗ１に収まるように配置される。そして、第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇは、隣合う画素３１に跨がるように配置されている。
図２０に示すように、実施形態６に係る画素３１は、画素３１のＹ方向の幅を狭くしても、第１発光層５６ｂのＹ方向の幅Ｗ２２と第２発光層５６ｇのＹ方向の幅Ｗ２１とには余裕がある。その結果、画素３１が高精度化しても、第１発光層５６ｂのＹ方向の幅Ｗ２２と第２発光層５６ｇのＹ方向の幅Ｗ２１の幅を確保でき、製造上の歩留まりを向上させることができる。そして、画像表示部３０が高精度になっても、１つの副画素３２当たりの面積が確保できるので、自発光体の発光量の低減を抑制できる。
（実施形態７）
図２１は、実施形態７に係る第１発光層及び第２発光層の平面的な配置を説明するための模式図である。なお、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
図２１に示すように、実施形態７に係る色変換層６３は、Ｘ方向に延びるストライプ形状で成膜されている。このように、色変換層６３が形成される方向と、第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇが成膜されている方向とは交差する方向である。同一の色変換層６３が第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇの一部を覆う。その結果、副画素３２毎に、色変換層６３を形成するよりも、色変換層６３の形成は、第１発光層５６ｂ及び第２発光層５６ｇに重ね合わせるアライメント精度に余裕がある。実施形態７に係る画素３１は、画素３１のＸ方向の幅を狭くしても、第１発光層５６ｂのＸ方向の幅と第２発光層５６ｇのＸ方向の幅とには余裕がある。その結果、画素３１が高精度化しても、第１発光層５６ｂのＸ方向の幅と第２発光層５６ｇのＸ方向の幅を確保でき、１つの副画素３２の面積を確保できる。そして、画像表示部３０が高精度になっても、１つの副画素３２当たりの面積が確保できるので、自発光体の発光量の低減を抑制できる。
（実施形態８）
図２２は、実施形態８に係る画像表示部の断面構造を示す図である。図２２は、図１１と同じように図１０の断面を示している。なお、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
図２２に示すように、画像表示部３０は、第１発光層５６ｂの発光成分のうち、第１発光層５６ｂと画像観察者との間に、色変換層６３と、第１色光Ｌｒを通過させる第１カラーフィルタ６１Ｒが配置されている。同様に、第２発光層５６ｇの発光成分のうち、第２発光層５６ｇと画像観察者との間に、色変換層６３及び散乱層６４が開口部６１Ｙに配置され、第２色光Ｌｙを通過させる。
画像表示部３０には、同様に、第２発光層５６ｇの発光成分が画像観察者へ出射できるように散乱層６４が開口部６１Ｇにある。画像表示部３０には、同様に、第１発光層５６ｂの発光成分が画像観察者へ出射できるように散乱層６４が開口部６１Ｂにある。
自発光体である有機発光ダイオードＥ１が下部電極５５と、上部電極５７との間で、光路長の合致した波長の光のみを共振させて強調し、光路長のずれたそれ以外の波長の光を弱めた場合、第１発光層５６ｂの発光成分及び第２発光層５６ｇの発光成分が半値幅の狭い波形となることがある。この場合でも、散乱層６４は、通過する光を散乱光とすることで視野角を調整し、隣接する副画素３２同士の混色を抑制することができる。このように、少なくとも色変換層６３がない副画素３２は、第１発光層５６ｂ又は第２発光層５６ｇからの光を散乱光にする散乱層６４を備えていることがより好ましい。散乱層６４の材料は、例えば、球状の粒子であって、アクリル系、シリコン系などポリマー粒子である。また、散乱層６４の材料は、例えば、球状の粒子であって、酸化チタン（白色拡散）の粒子などでもよい。散乱層６４の材料は、光の入射に対して透過拡散（前方散乱）する材料が好ましい。
（実施形態９）
図２３は、実施形態９に係る色変換層の発光波長と相対強度分布との関係を示す説明図である。なお、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
実施形態９に係る色変換層６３は、第１発光層及び第２発光層のうち１以上の波長帯の光を吸収し、吸収した光の波長よりも長い波長の光を発光することができる量子ドットである。ここで、量子ドットとはナノサイズの半導体粒子であり、例えば、量子ドットのコアの主成分がＣｄＳｅであって、コアはＺｎＳ（被覆層）で覆われている。実施形態９に係る色変換層６３は、この金属化合物、金属化合物の直径を変えることで、図２３に示す励起波長帯Ｓｐｂ、Ｓｐｇ、Ｓｐｙ、Ｓｐｒのうち選択された波長帯で、第１発光層及び第２発光層のうち１以上の波長帯の光を吸収し、蛍光発光する波長帯を変えることができる。実施形態９に係る色変換層６３は、発光波長の半値幅を狭くすることができる。
（適用例）
次に、図２４及び図２５を参照して、本実施形態及び変形例で説明した表示装置１０の適用例について説明する。図２４及び図２５は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。本実施形態に係る表示装置１００は、図２４に示すカーナビゲーションシステム、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、図２５に示す携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、本実施形態に係る表示装置１０は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。電子機器は、表示装置１００に映像信号を供給し、表示装置１００の動作を制御する制御装置１１（図１参照）を備える。
図２４に示す電子機器は、本実施形態及び変形例に係る表示装置１００が適用されるカーナビゲーション装置である。表示装置１００は、自動車の車内のダッシュボード３００に設置される。具体的にはダッシュボード３００の運転席３１１と助手席３１２の間に設置される。カーナビゲーション装置の表示装置１０は、ナビゲーション表示、音楽操作画面の表示、又は、映画再生表示等に利用される。
図２５に示す電子機器は、本実施形態及び変形例に係る表示装置１００が適用される携帯型コンピュータ、多機能な携帯電話、音声通話可能な携帯コンピュータまたは通信可能な携帯コンピュータとして動作し、いわゆるスマートフォン、タブレット端末と呼ばれることもある、情報携帯端末である。この情報携帯端末は、例えば筐体５６２の表面に表示部５６１を有している。この表示部５６１は、本実施形態及び変形例に係る表示装置１００と外部近接物体を検出可能なタッチ検出（いわゆるタッチパネル）機能とを備えている。
また、上述した内容により実施形態が限定されるものではない。また、上述した実施形態の構成要素には、当業者が容易に想到できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、上述の実施形態の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換及び変更を行うことができる。
１１ 制御装置
２０ 信号処理部
３０ 画像表示部
３１ 画素
３２ 副画素
３２Ｒ、３２Ｍ 第１副画素
３２Ｇ 第２副画素
３２Ｂ 第３副画素
３２Ｙ、３２Ｗ 第４副画素
４０ 駆動回路
４１ 信号出力回路
４２ 走査回路
４３ 電源回路
５０ 基板
５１ 基板
５２ 絶縁層
５３ 絶縁層
５４ 反射層
５５ 下部電極
５６ｂ 第１発光層
５６ｇ 第２発光層
５７ 上部電極
５８ 絶縁層
５９ 絶縁層
６１Ｒ カラーフィルタ
６１Ｇ、６１Ｂ、６１Ｙ、６１Ｍ 開口部
６２ ブラックマトリクス
６３ 色変換層
６４ 散乱層
１００ 表示装置
３００ ダッシュボード
３１１ 運転席
３１２ 助手席

Claims (8)

  1. 基板と、
    前記基板上にマトリクス状に配置される複数の副画素の列又は行のうち一方向に延びる第１発光層と、
    前記第１発光層と同じ方向に延び、かつ列又は行のうち他方向で前記第１発光層と交互に並んで配置され、前記第１発光層とは異なる波長を発光する第２発光層と、
    少なくとも第１発光層の一部を覆う位置に配置され、前記第１発光層が発光する光を吸収し、吸収した光の波長が長くなるように変換する色変換層と、を含む
    表示装置。
  2. 前記色変換層は、列又は行のうち前記他方向に延びて、前記第１発光層及び前記第２発光層の一部を覆う位置に配置される、請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記色変換層は、複数のストライプ状に配置され、隣合う前記色変換層は、列又は行のうち前記一方向に間隔を空けて配置されている、請求項２に記載の表示装置。
  4. 前記複数の副画素は、２行２列で１つの画素をなし、当該画素の全体形状が矩形である、請求項２又は請求項３に記載の表示装置。
  5. 列又は行のうちの前記一方向に沿って、前記色変換層がある副画素と、前記色変換層がない副画素とが並んでいる、請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
  6. 前記色変換層がある副画素は、前記色変換層がない副画素よりも面積が大きい、請求項５に記載の表示装置。
  7. 前記色変換層は、出射側へ透過する波長を制限するフィルタ層で覆われている、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
  8. 前記色変換層がない副画素は、前記第１発光層又は前記第２発光層からの光を散乱光にする散乱層を備えている、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
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