CN111785743A - 一种显示基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents
一种显示基板及其制造方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111785743A CN111785743A CN202010869433.6A CN202010869433A CN111785743A CN 111785743 A CN111785743 A CN 111785743A CN 202010869433 A CN202010869433 A CN 202010869433A CN 111785743 A CN111785743 A CN 111785743A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- driving
- signal branch
- signal
- substrate
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1296—Multistep manufacturing methods adapted to increase the uniformity of device parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本公开提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置,该显示基板包括:衬底基板;形成于衬底基板上的阳极层、阴极层及位于阳极层与阴极层之间的电致发光层;显示基板的周边区域包括设置有驱动电路的驱动近端及位于与驱动近端相对的一侧的驱动远端;阳极层包括:在显示区域平行设置的多根第一信号分支线,第一信号分支线自驱动近端向驱动远端延伸,在驱动近端与驱动电路连接;阴极层包括:在显示区域平行设置的多根第二信号分支线,第二信号分支线自驱动远端向驱动近端延伸,并在驱动远端通过布设于周边区域的引线、与驱动电路连接。本公开提供的显示基板及其制造方法、显示装置,使驱动近端和驱动远端跨压一致,提高屏幕亮度均一性。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
亮度均一性是影响显示屏显示效果的重要因素,目前显示屏需求厂家都引进长程均一性概念及手段,对屏幕的LRU(Long Range Uniformity,长程均一性)进行评价。在相关技术中,OLED(OrganicLight-Emitting Diode,有机发光二极管)显示器件主要包括阳极(Vdd)、发光层(EL)和阴极(Vss),由于屏幕Vdd走线存在压降,导致驱动电路(D-IC)近端EL跨压(Vdd-Vss)大,D-IC远端EL跨压小的现象,亮度从D-IC近端到远端存在亮度降低的问题,尤其对于大尺寸和高分辨率的产品该现象尤其严重。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示基板及其制造方法、显示装置,能够使得驱动近端和驱动远端跨压(Vdd-Vss)基本一致,提高屏幕亮度均一性。
本公开所提供的技术方案如下:
一方面,本公开实施例中提供了一种显示基板,包括:衬底基板;形成于所述衬底基板上的阳极层、阴极层及位于所述阳极层与所述阴极层之间的电致发光层;其中,所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域外围的周边区域,所述周边区域包括设置有驱动电路的驱动近端及位于与所述驱动近端相对的一侧的驱动远端;
所述阳极层包括:在所述显示区域平行设置的多根第一信号分支线,所述第一信号分支线自所述驱动近端向所述驱动远端延伸,并在所述驱动近端与所述驱动电路连接,用于使第一信号从所述驱动近端流向所述驱动远端;
所述阴极层包括:在所述显示区域平行设置的多根第二信号分支线,所述第二信号分支线自所述驱动远端向所述驱动近端延伸,并在所述驱动远端通过布设于所述周边区域的引线、与所述驱动电路连接,用于使第二信号从所述驱动远端流向所述驱动近端。
示例性的,多根所述第一信号分支线与多根所述第二信号分支线一一对应设置;在所述显示区域内,每一所述第一信号分支线在所述衬底基板上的正投影、和与该第一信号分支线对应的第二信号分支线在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
示例性的,所述阳极层还包括:第一信号总线,所述第一信号总线设置在所述驱动近端,并与所述第一信号分支线垂直,且所述第一信号总线与所述驱动电路连接,多根所述第一信号分支线连接至所述第一信号总线上。
示例性的,所述布设于所述周边区域的引线包括:环绕所述周边区域设置的第二信号总线,所述第二信号总线包括设置于所述驱动远端的第一部分引线、连接于所述第一部分引线相对两端的第二部分引线,所述第一部分引线与所述第二信号分支线垂直,所述第二部分引线与所述第二信号分支线平行,且所述第二部分引线与所述驱动电路连接,多根所述第二信号分支线连接至所述第一部分引线上。
示例性的,所述第一信号分支线自所述驱动近端至所述驱动远端的压降△U1,与所述第二信号分支线自所述驱动远端至所述驱动近端的压降△U2之间的差值小于或等于预定差值。
示例性的,所述第一信号分支线的线宽d1和所述第二信号分支线的线宽d2满足以下关系:d2=ρ2*d1*h1/(ρ1*h2),其中ρ1为所述第一信号分支线的电阻率,ρ2为所述第二信号分支线的电阻率,h1为所述第一信号分支线在垂直于所述衬底基板方向上的厚度,h2为所述第二信号分支线在垂直于所述衬底基板方向上的厚度。
示例性的,所述显示基板包括OLED显示基板。
另一方面,本公开实施例中还提供了一种显示装置,包括本公开实施例提供的显示基板。
另一方面,本公开实施例中还提供了一种显示基板的制造方法,用于制造本公开实施例提供的显示基板;所述方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成阳极层、阴极层及位于所述阳极层与所述阴极层之间的电致发光层,其中,所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域外围的周边区域,所述周边区域包括设置有驱动电路的驱动近端及位于与所述驱动近端相对的一侧的驱动远端;所述阳极层包括:在所述显示区域平行设置的多根第一信号分支线,所述第一信号分支线自所述驱动近端向所述驱动远端延伸,并在所述驱动近端与所述驱动电路连接,用于使第一信号从所述驱动近端流向所述驱动远端;所述阴极层包括:在所述显示区域平行设置的多根第二信号分支线,所述第二信号分支线自所述驱动远端向所述驱动近端延伸,并在所述驱动远端通过布设于所述周边区域的引线、与所述驱动电路连接,用于使第二信号从所述驱动远端流向所述驱动近端。
示例性的,所述方法中,所述在所述衬底基板上形成阳极层、阴极层及位于所述阳极层与所述阴极层之间的电致发光层,具体包括:
采用蒸镀方式在所述衬底基板上形成所述阳极层;
采用蒸镀方式在所述衬底基板上形成所述阴极层。
本公开所带来的有益效果如下:
本公开实施例提供的显示基板中,阳极层走线设计为,在显示区域多根第一信号走线(Vdd走线)呈平行线状分布,每根第一信号走线从驱动近端向驱动远端延伸,使得第一信号(Vdd信号)在所述第一信号走线上从驱动近端流向驱动远端;而阴极层走线设计为,通过布设于屏幕外围的引线,将第二信号从驱动近端流向驱动远端后,在显示区域多根第二信号走线(Vss走线)呈平行线状分布进入显示区域,使得第二信号(Vss信号)从驱动远端流向驱动近端,从而,第二信号和第一信号的流向相反,使得驱动近端和驱动远端电致发光层(EL)跨压(Vdd-Vss)一致,从而提高亮度均一性,并解决由于跨压(Vdd-Vss)不一致导致伽马调试后的驱动近端发红而驱动远端发青的问题。
附图说明
图1表示相关技术中显示基板中阳极走线和阴极走线的结构示意图;
图2表示图1中的局部断面结构示意图;
图3表示本公开实施例中提供的显示基板中阳极走线和阴极走线的结构示意图;
图4表示图3中的局部断面结构示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
在本公开的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本公开和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本公开的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在对本公开实施例提供的显示基板及其制造方法、显示装置进行详细说明之前,有必要对于相关技术进行以下说明:
在相关技术中,如图1和图2所示,OLED显示器件主要包括衬底10、阳极(Vdd)20、阴极(Vss)30、和有机发光层(EL)40,Vdd走线20从D-IC(驱动电路)近端供电,呈线状分布,D-IC近端电压高,而远端电压低,而阴极(Vss)30在屏幕显示区域内呈面状分布,导致D-IC近端EL跨压(Vdd-Vss)大,而远端跨压小,表现在屏幕上为屏幕亮度均一性差,在电路高亮画面尤其明显,光学评价LRU(Long Range Uniformity,长程均一性)较差。对于AMOLED而言,Panel的亮度长时间不均一,区域EL材料消耗不同,易引发显示屏寿命区域差异性问题。
并且,Gamma(伽马调节)后,屏幕D-IC远端跨压小,会导致OLED工作点在D-IC远端向TFT(薄膜晶体管)输出曲线的线性区移动,而R(红色子像素)移动最多,导致R OLED电流下降最多,亮度下降最多,打破白平衡形成D-IC远端发青现象;而D-IC近端,OLED工作点右移,同样R(红色子像素)OLED电流增加较多,亮度增加较多形成D-IC近端发红现象。
为了解决上述问题,本公开实施例提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置,能够使得驱动近端和驱动远端跨压(Vdd-Vss)基本一致,提高屏幕亮度均一性,解决由于跨压(Vdd-Vss)不一致导致伽马调试后的驱动近端发红而驱动远端发青的问题。
如图3和图4所示,本公开实施例提供的显示基板包括:
衬底基板100;
形成于所述衬底基板100上的阳极层200;
形成于所述衬底基板100上的阴极层300;
及,位于所述阳极层200与所述阴极层300之间的电致发光层400;其中,
所述显示基板包括显示区域AA和位于所述显示区域AA外围的周边区域,所述周边区域包括设置有驱动电路(D-IC)500的驱动近端及位于与所述驱动近端相对的一侧的驱动远端;
所述阳极层200包括:在所述显示区域AA平行设置的多根第一信号分支线210,所述第一信号分支线210自所述驱动近端向所述驱动远端延伸,并在所述驱动近端与所述驱动电路500连接,用于使第一信号(Vdd)从所述驱动近端流向所述驱动远端;
所述阴极层300包括:在所述显示区域AA平行设置的多根第二信号分支线310,所述第二信号分支线310自所述驱动远端向所述驱动近端延伸,并在所述驱动远端通过布设于所述周边区域的引线320、与所述驱动电路500连接,用于使第二信号(Vss)从所述驱动远端流向所述驱动近端。
上述方案中,将显示基板的阳极走线设计为:多根第一信号走线(Vdd走线)在显示区域AA呈平行线状分布,每根第一信号走线从驱动近端向驱动远端延伸,使得第一信号(Vdd信号)在所述第一信号走线上从驱动近端流向驱动远端;而阴极层300走线设计为,通过布设于屏幕外围的引线320,将第二信号从驱动近端流向驱动远端后,在显示区域AA多根第二信号走线(Vss走线)呈平行线状分布进入显示区域AA,使得第二信号(Vss信号)从驱动远端流向驱动近端,从而,第二信号和第一信号的流向相反,使得驱动近端和驱动远端电致发光层400(EL)跨压(Vdd-Vss)一致,从而提高亮度均一性,并解决由于跨压(Vdd-Vss)不一致导致伽马调试后的驱动近端发红而驱动远端发青的问题。
在一些示例性的实施例中,如图所示,多根所述第一信号分支线210与多根所述第二信号分支线310一一对应设置;在所述显示区域AA内,每一所述第一信号分支线210在所述衬底基板100上的正投影、和与该第一信号分支线210对应的第二信号分支线310在所述衬底基板100上的正投影至少部分重合。
在上述方案中,在所述显示区域AA内,所述第一信号分支线210和所述第二信号分支线310在所述衬底基板100上的正投影至少部分重合,是指,一个所述第一信号分支线210对应一个所述第二信号分支线310,且所述第一信号分支线210和所述第二信号分支线310正对,以控制所述电致发光层400发光。
需要说明的是,如图3和图4所示,第一信号分支线210是从驱动近端向驱动远端延伸,第二信号分支线310是从驱动远端向驱动近端延伸,在显示区域AA,第一信号走线和第二信号走线在衬底基板100上的正投影重合;而在周边区域,所述第一信号走线至少一部分在所述驱动近端,并部分延伸至所述驱动远端,所述第二信号走线至少一部分在所述驱动远端,并部分延伸至所述驱动近端,因此,在所述周边区域,所述第一信号分支线210和所述第二信号分支线310可以完全重合,也可以仅部分重合而非完全重合。
此外,还需要说明的是,在所述显示区域AA内,所述第一信号分支线210和所述第二信号分支线310在所述衬底基板100上的正投影重合,所述第一信号分支线210和所述第二信号分支线310的线宽可以相同也可以不相同,也就是说,所述第一信号分支线210和所述第二信号分支线310在衬底基板100的正投影面积可以相同,也可以不相同。
此外,如图3所示,在一些示例性的实施例中,所述阳极层200还包括:第一信号总线220,所述第一信号总线220设置在所述驱动近端,并与所述第一信号分支线210垂直,且所述第一信号总线220与所述驱动电路500连接,多根所述第一信号分支线210连接至所述第一信号总线220上。
在上述方案中,阳极走线(Vdd走线)还包括第一信号总线220,所述第一信号总线220用于实现所述第一信号分支线210与驱动电路500之间的连通,例如,所述第一信号总线220可以两端分别通过引线320与驱动电路500(D-IC)连接,各所述第一信号分支线210沿着所述第一信号总线220等间距的依次排列。当然可以理解的是,对于所述阳极层200在周边区域的布线可以不限于此,在此不再赘述。
此外,在本公开一些实施例中,如图3所示,所述阴极层300中的第二信号分支线310通过布设于所述周边区域的引线320与驱动电路500连接,所述布设于所述周边区域的引线320包括:环绕所述周边区域设置的第二信号总线,所述第二信号总线包括设置于所述驱动远端的第一部分引线321、连接于所述第一部分引线321相对两端的第二部分引线322,所述第一部分引线321与所述第二信号分支线310垂直,所述第二部分引线322与所述第二信号分支线310平行,且所述第二部分引线322与所述驱动电路500连接,多根所述第二信号分支线310连接至所述第一部分引线321上。
在上述方案中,阴极走线(Vss走线)设计为从驱动近端通过显示基板外围延伸至驱动远端,再呈平行线状自驱动远端伸入显示区域AA,其中布设在周边区域的引线320如图所示可以是从驱动近端开始,并环绕显示区域AA一圈之后返回至所述驱动近端。需要说明的是,对于所述布设于所述周边区域的引线320的具体结构不限定,只要能够从Vss信号从驱动近端通过显示区域AA外围流向驱动远端即可,在此不再赘述。
此外,为了保证驱动近端和驱动远端电致发光层(EL)400跨压(Vdd-Vss)一致,由于第二信号分支线310和第一信号分支线210上的信号流向相反,所述第一信号分支线210自所述驱动近端至所述驱动远端的压降△U1应与所述第二信号分支线310自所述驱动远端至所述驱动近端的压降△U2之间的差值小于或等于预定差值。
其中,所述预定差值可以是0,也就是说,所述第一信号分支线210自所述驱动近端至所述驱动远端的压降△U1,等于所述第二信号分支线310自所述驱动远端至所述驱动近端的压降△U2。此外,所述预定差值也可以是接近0的其他数值。
此外,由于阴极层300中第二信号分支线310的电阻值,决定第二信号分支走线自所述驱动远端向所述驱动近端的压降△U2的大小。而所述第二信号分支线310的电阻值,与线宽有关。因此,通过对第二信号分支线310的线宽设计,可保证所述第二信号分支线310自所述驱动远端至所述驱动近端的压降△U2,能够补偿所述第一信号分支线210自所述驱动近端至所述驱动远端的压降△U1。
在本公开一些示例性的实施例中,所述第一信号分支线210的线宽d1和所述第二信号分支线310的线宽d2满足以下关系:
d2=ρ2*d1*h1/(ρ1*h2),
其中ρ1为所述第一信号分支线的电阻率,ρ2为所述第二信号分支线的电阻率,h1为所述第一信号分支线在垂直于所述衬底基板方向上的厚度,h2为所述第二信号分支线在垂直于所述衬底基板方向上的厚度。
在上述方案中,由于走线的压降与走线的电阻相关,若第一信号分支线和第二信号分支线的电阻相等时,则所述第一信号分支线自驱动近端向驱动远端的压降等于所述第二信号分支线自驱动远端向驱动近端的压降,即,所述第一信号分支线的电阻R1等于所述第二信号分支线的电阻R2。
电阻与线宽之间的关系式如下:
R=ρL/S (I)
S=dh (II)
其中,d表示线宽,h表示走线在垂直于衬底方向上的厚度,ρ表示走线的电阻率,L表示走线长度,S表示走线的横截面积;
由公式(I)和(II)可知,ρ1/(d1*h1)=ρ2/(d2*h2),即:ρ1L/S1=ρ2L/S2。
因此,所述第二信号分支线的线宽d2=ρ2*d1*h1/(ρ1*h2)。
此外,本公开实施例提供的显示基板可以为OLED显示基板,尤其是AMOLED显示基板,但是并不限于此。
此外,本公开实施例中还提供了一种显示装置,包括本公开实施例提供的显示基板。
所述显示装置可以为:液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件,其中,所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
此外,本公开实施例中还提供了一种显示基板的制造方法,用于制造本公开实施例提供的显示基板;所述方法包括:
步骤S01、提供一衬底基板100;
步骤S02、在所述衬底基板100上形成阳极层200、阴极层300及位于所述阳极层200与所述阴极层300之间的电致发光层400,其中,所述显示基板包括显示区域AA和位于所述显示区域AA外围的周边区域,所述周边区域包括设置有驱动电路500的驱动近端及位于与所述驱动近端相对的一侧的驱动远端;所述阳极层200包括:在所述显示区域AA平行设置的多根第一信号分支线210,所述第一信号分支线210自所述驱动近端向所述驱动远端延伸,并在所述驱动近端与所述驱动电路500连接,用于使第一信号从所述驱动近端流向所述驱动远端;所述阴极层300包括:在所述显示区域AA平行设置的多根第二信号分支线310,所述第二信号分支线310自所述驱动远端向所述驱动近端延伸,并在所述驱动远端通过布设于所述周边区域的引线320、与所述驱动电路500连接,用于使第二信号从所述驱动远端流向所述驱动近端。
示例性的,所述方法中,步骤S02具体包括:
步骤S021、通过第一掩模板,采用蒸镀方式在所述衬底基板100上形成所述阳极层200;
步骤S022、通过第二掩模板,采用蒸镀方式在所述衬底基板100上形成所述阴极层300。
上述方案中,采用蒸镀工艺形成图案化的阳极层200和阴极层300上的走线。对于蒸镀工艺的具体过程可与传统的蒸镀工艺相同,在此不再赘述。
有以下几点需要说明:
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见,在用于描述本公开的实施例的附图中,层或区域的厚度被放大或缩小,即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下,本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种显示基板,包括:衬底基板;形成于所述衬底基板上的阳极层、阴极层及位于所述阳极层与所述阴极层之间的电致发光层;其中,所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域外围的周边区域,所述周边区域包括设置有驱动电路的驱动近端及位于与所述驱动近端相对的一侧的驱动远端;
其特征在于,
所述阳极层包括:在所述显示区域平行设置的多根第一信号分支线,所述第一信号分支线自所述驱动近端向所述驱动远端延伸,并在所述驱动近端与所述驱动电路连接,用于使第一信号从所述驱动近端流向所述驱动远端;
所述阴极层包括:在所述显示区域平行设置的多根第二信号分支线,所述第二信号分支线自所述驱动远端向所述驱动近端延伸,并在所述驱动远端通过布设于所述周边区域的引线、与所述驱动电路连接,用于使第二信号从所述驱动远端流向所述驱动近端。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
多根所述第一信号分支线与多根所述第二信号分支线一一对应设置;在所述显示区域内,每一所述第一信号分支线在所述衬底基板上的正投影、和与该第一信号分支线对应的第二信号分支线在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述阳极层还包括:第一信号总线,所述第一信号总线设置在所述驱动近端,并与所述第一信号分支线垂直,且所述第一信号总线与所述驱动电路连接,多根所述第一信号分支线连接至所述第一信号总线上。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述布设于所述周边区域的引线包括:环绕所述周边区域设置的第二信号总线,所述第二信号总线包括设置于所述驱动远端的第一部分引线、连接于所述第一部分引线相对两端的第二部分引线,所述第一部分引线与所述第二信号分支线垂直,所述第二部分引线与所述第二信号分支线平行,且所述第二部分引线与所述驱动电路连接,多根所述第二信号分支线连接至所述第一部分引线上。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述第一信号分支线自所述驱动近端至所述驱动远端的压降△U1,与所述第二信号分支线自所述驱动远端至所述驱动近端的压降△U2之间的差值小于或等于预定差值。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述第一信号分支线的线宽d1和所述第二信号分支线的线宽d2满足以下关系:d2=ρ2*d1*h1/(ρ1*h2),其中ρ1为所述第一信号分支线的电阻率,ρ2为所述第二信号分支线的电阻率,h1为所述第一信号分支线在垂直于所述衬底基板方向上的厚度,h2为所述第二信号分支线在垂直于所述衬底基板方向上的厚度。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述显示基板包括OLED显示基板。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至6任一项所述的显示基板。
9.一种显示基板的制造方法,其特征在于,用于制造如权利要求1至7任一项所述的显示基板;所述方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成阳极层、阴极层及位于所述阳极层与所述阴极层之间的电致发光层,其中,所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域外围的周边区域,所述周边区域包括设置有驱动电路的驱动近端及位于与所述驱动近端相对的一侧的驱动远端;所述阳极层包括:在所述显示区域平行设置的多根第一信号分支线,所述第一信号分支线自所述驱动近端向所述驱动远端延伸,并在所述驱动近端与所述驱动电路连接,用于使第一信号从所述驱动近端流向所述驱动远端;所述阴极层包括:在所述显示区域平行设置的多根第二信号分支线,所述第二信号分支线自所述驱动远端向所述驱动近端延伸,并在所述驱动远端通过布设于所述周边区域的引线、与所述驱动电路连接,用于使第二信号从所述驱动远端流向所述驱动近端。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述方法中,
所述在所述衬底基板上形成阳极层、阴极层及位于所述阳极层与所述阴极层之间的电致发光层,具体包括:
采用蒸镀方式在所述衬底基板上形成所述阳极层;
采用蒸镀方式在所述衬底基板上形成所述阴极层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010869433.6A CN111785743A (zh) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | 一种显示基板及其制造方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010869433.6A CN111785743A (zh) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | 一种显示基板及其制造方法、显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111785743A true CN111785743A (zh) | 2020-10-16 |
Family
ID=72761821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010869433.6A Pending CN111785743A (zh) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | 一种显示基板及其制造方法、显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111785743A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022170646A1 (zh) * | 2021-02-09 | 2022-08-18 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示装置 |
WO2023050052A1 (zh) * | 2021-09-28 | 2023-04-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160147123A1 (en) * | 2014-06-13 | 2016-05-26 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and display device |
CN106653811A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-05-10 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板及其装置 |
CN107403827A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-11-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
CN108022964A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-05-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及oled显示器 |
JP2019016496A (ja) * | 2017-07-06 | 2019-01-31 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル及び有機el表示パネルの製造方法 |
CN109920836A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-21 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种显示面板和显示设备 |
CN110323228A (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制作方法、电子装置 |
CN110571243A (zh) * | 2019-08-13 | 2019-12-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
-
2020
- 2020-08-26 CN CN202010869433.6A patent/CN111785743A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160147123A1 (en) * | 2014-06-13 | 2016-05-26 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and display device |
CN106653811A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-05-10 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板及其装置 |
JP2019016496A (ja) * | 2017-07-06 | 2019-01-31 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル及び有機el表示パネルの製造方法 |
CN107403827A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-11-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
CN108022964A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-05-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及oled显示器 |
CN110323228A (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制作方法、电子装置 |
CN109920836A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-21 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种显示面板和显示设备 |
CN110571243A (zh) * | 2019-08-13 | 2019-12-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
薛兵等著: "《静电防护理论与技术》", 31 October 2019, 西安电子科技大学出版社 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022170646A1 (zh) * | 2021-02-09 | 2022-08-18 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示装置 |
WO2023050052A1 (zh) * | 2021-09-28 | 2023-04-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101845644B1 (ko) | 유기 전계 발광 디스플레이 디바이스, 그 구동 방법 및 디스플레이 디바이스 | |
KR102520710B1 (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
US9385176B2 (en) | OLED display panel and manufacturing method thereof | |
KR102535148B1 (ko) | 디스플레이 패널 및 이를 이용한 대형 디스플레이 장치 | |
CN113454782B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US20240078960A1 (en) | Display device | |
KR20210002102A (ko) | 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 및 디스플레이 디바이스 | |
WO2021115045A1 (zh) | 显示用基板及显示装置 | |
CN111785743A (zh) | 一种显示基板及其制造方法、显示装置 | |
US20190096983A1 (en) | Organic light-emitting display panel and electronic device | |
WO2023040276A1 (zh) | 阵列基板、显示面板及显示装置 | |
JP2020529097A (ja) | 配線構造及びその製造方法、oledアレイ基板及び表示装置 | |
CN113498534B (zh) | 显示基板及其驱动方法、显示装置 | |
US10115927B2 (en) | Display substrate, display panel and display device | |
US20240074267A1 (en) | Electronic device | |
KR101149936B1 (ko) | 유기전계발광패널 | |
CN112133245B (zh) | 一种基于薄膜电路的驱动芯片全嵌入式led显示屏 | |
CN108010950B (zh) | 一种有机发光显示面板及显示装置 | |
CN111653598B (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置和拼接屏 | |
CN114361187A (zh) | 显示基板及显示装置 | |
CN115411082A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
CN115210878A (zh) | 显示基板及显示装置 | |
US12048177B2 (en) | OLED light-emitting device, method for preparing OLED light-emitting device, and lamp | |
CN115720468B (zh) | 显示面板和显示设备 | |
CN113488448B (zh) | 显示面板和显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |