JP2010165461A - 基板装置、発光装置及びそれらの製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】電極及び発光機能層間の汚染物が発光素子の特性に影響を与えないようする。
【解決手段】本発明は、基板上に画素電極（１３）を形成する工程と、この画素電極の表面を洗浄する工程と、この画素電極を覆うように第１正孔注入層（１８１ａ）を形成する工程と、を含む。そして、前記基板面内の第１位置に関して、第１正孔注入層と同じ材料からなる第２正孔注入層（１８１Ｒ）を形成する工程と、その上に発光層（１８３Ｒ）を形成する工程とが行われ、その後、前記基板面内の第２位置に関して、前記第１正孔注入層と同じ材料からなる第２正孔注入層（１８１Ｇ）を形成する工程と、その上に発光層（１８３Ｇ）を形成する工程とが行われる。
【選択図】図４
【解決手段】本発明は、基板上に画素電極（１３）を形成する工程と、この画素電極の表面を洗浄する工程と、この画素電極を覆うように第１正孔注入層（１８１ａ）を形成する工程と、を含む。そして、前記基板面内の第１位置に関して、第１正孔注入層と同じ材料からなる第２正孔注入層（１８１Ｒ）を形成する工程と、その上に発光層（１８３Ｒ）を形成する工程とが行われ、その後、前記基板面内の第２位置に関して、前記第１正孔注入層と同じ材料からなる第２正孔注入層（１８１Ｇ）を形成する工程と、その上に発光層（１８３Ｇ）を形成する工程とが行われる。
【選択図】図４
Description
本発明は、薄膜が積層された構造をもつ基板装置、有機ＥＬ（electro luminescent）素子等を含む発光装置、及びそれらの製造方法、並びに電子機器に関する。
薄型で軽量な発光源として、ＯＬＥＤ（organic light emitting diode）、即ち有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、有機材料を含む少なくとも一層の有機薄膜を画素電極と対向電極とで挟んだ構造を有する。このうち画素電極は例えば陽極として、対向電極は陰極として機能する。両者間に電流が流されると、前記有機薄膜で電子及び正孔間の再結合が生じ、これにより、当該有機薄膜ないしは有機ＥＬ素子は発光する。なお、この場合、この有機ＥＬ素子は、例えば種々の蒸着法等を用いて、基板上に、前記の画素電極、有機薄膜及び対向電極が順次に成膜されることによって製造される。
このような有機ＥＬ素子を多数並べ、かつ、その各々につき発光及び非発光を適当に制御すれば、所望の意味内容をもつ画像等の表示が可能となる。
かかる有機ＥＬ素子としては、例えば特許文献１に開示されているようなものが知られている。
特開平１１−４５７７９号公報
このような有機ＥＬ素子を多数並べ、かつ、その各々につき発光及び非発光を適当に制御すれば、所望の意味内容をもつ画像等の表示が可能となる。
かかる有機ＥＬ素子としては、例えば特許文献１に開示されているようなものが知られている。
ところで、上述のような有機ＥＬ素子においては、可能な限り発光効率が向上することが期待される。しかしながら、これを実現するのは容易とはいえない。具体的には例えば、前記の画素電極及び有機薄膜間に何らかの汚染が生じていると、その汚染が画素電極からの正孔注入効率を低下させることになる等、有機ＥＬ素子の発光効率の向上を妨げる様々な要因が存在するからである。
また、上記有機ＥＬ素子においては、その寿命に関する問題がある。すなわち、例えば、有機ＥＬ素子内に水分等が進入し又は存在すると、前記の画素電極あるいは対向電極と有機薄膜との間に乖離が生じ、あるいは有機薄膜それ自体の劣化等を招き、有機ＥＬ素子の寿命が短縮化されてしまう（最終的には発光が不可能になる）。この場合も、その寿命短期化の主要な要因の１つとして、前述した画素電極及び有機薄膜間の汚染の存在が考えられる。
前記の特許文献１は、このような問題点を解消するため、「１．３３×１０4 Pa以下の減圧下でオゾナイザーにより発生されたオゾンガスにより」、「ホール注入電極が形成された基板表面を洗浄する洗浄手段」を備えた「有機ＥＬ素子の製造装置」を開示する（以上、「」内は特許文献１の〔請求項１〕から抜粋）。特許文献１はこれにより、オゾン洗浄をすることなく製造した有機ＥＬ素子に比べて、輝度半減時間（即ち、寿命）が概ね２倍以上となることを主張する（特許文献１の〔００８１〕〔００８３〕。当該段落では、「３００時間」が「７００時間」になると記載されている。）。
しかしながら、仮にこのようなオゾン洗浄を行うにしても、なお次のような問題がある。
すなわち、前述のように、多数の有機ＥＬ素子を製造する場合、その１個１個の有機ＥＬ素子に関する何らかの特性を変化させるため、ある有機ＥＬ素子に関する画素電極の成膜後から有機薄膜の成膜までの間に一定の時間をあけざるを得ない場合がある。例えば、前記多数の有機ＥＬ素子によってカラー画像表示を行う場合を考えると、これら多数の有機ＥＬ素子は、例えば赤色用、緑色用及び青色用の３つの群に区分され、かつ、その群ごとに前記各色の有機薄膜が個別に成膜されていく、という場合が想定される。しかし、この際、例えば赤色用の有機薄膜を成膜している最中においては、緑色用及び青色用の有機薄膜が未成膜である、いわば製造途上の有機ＥＬ素子に関して、何らかの手段により赤色用の有機薄膜が成膜されることを防止する工夫をしておく必要があり、しかもその間、当該有機ＥＬ素子に関する、前記オゾン洗浄等の後の画素電極はいわばほったらかしの状態におかれることになる。
このようであると、画素電極を仮に完璧に洗浄し得たとしても、そのような待機中に再び汚染が生じてしまうおそれがある。
すなわち、前述のように、多数の有機ＥＬ素子を製造する場合、その１個１個の有機ＥＬ素子に関する何らかの特性を変化させるため、ある有機ＥＬ素子に関する画素電極の成膜後から有機薄膜の成膜までの間に一定の時間をあけざるを得ない場合がある。例えば、前記多数の有機ＥＬ素子によってカラー画像表示を行う場合を考えると、これら多数の有機ＥＬ素子は、例えば赤色用、緑色用及び青色用の３つの群に区分され、かつ、その群ごとに前記各色の有機薄膜が個別に成膜されていく、という場合が想定される。しかし、この際、例えば赤色用の有機薄膜を成膜している最中においては、緑色用及び青色用の有機薄膜が未成膜である、いわば製造途上の有機ＥＬ素子に関して、何らかの手段により赤色用の有機薄膜が成膜されることを防止する工夫をしておく必要があり、しかもその間、当該有機ＥＬ素子に関する、前記オゾン洗浄等の後の画素電極はいわばほったらかしの状態におかれることになる。
このようであると、画素電極を仮に完璧に洗浄し得たとしても、そのような待機中に再び汚染が生じてしまうおそれがある。
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決することの可能な基板装置、発光装置及びそれらの製造方法、並びに、電子機器を提供することを課題とする。
また、本発明は、かかる態様の基板装置、発光装置、それらの製造方法、あるいは電子機器に関連する課題を解決可能な、基板装置、発光装置、それらの製造方法、あるいは電子機器を提供することをも課題とする。
また、本発明は、かかる態様の基板装置、発光装置、それらの製造方法、あるいは電子機器に関連する課題を解決可能な、基板装置、発光装置、それらの製造方法、あるいは電子機器を提供することをも課題とする。
本発明に係る基板装置の製造方法は、上述した課題を解決するため、基板上に第１層を形成する工程と、前記第１層の上かつ前記基板面内の第１位置に、第１‐２層（以下、「第Ａ-Ｂ層」とは、第Ａ位置における第Ｂ層ということを意味する。）を形成する工程と、前記第１層の上かつ前記基板面内の第２位置に、前記第１層と同じ材料からなる第２‐２層を形成する工程と、前記第２‐２層の上に、前記第１‐２層が果たす機能と同等の機能を果たす第２‐３層を形成する工程と、を含む。
本発明によれば、「第１‐２層」は、第１層の上に間を置かずに形成可能であるから、両者間に汚染が生じているおそれは極めて少ない。
しかし、この「第１‐２層」が果たす機能と同等の機能を果たす「第２‐３層」が形成されるべき「第２位置」は、第１‐２層が形成されるまで、いわばほったらかしの状態におかれることになるから、その間、当該第２位置において汚染が生じるおそれがある。
しかるに、本発明においては、この「第２位置」には、「第２‐３層」の形成前に、前記「第２‐２層」が形成される。したがって、仮に、この第２位置に対応する第１層面上の位置に、何らかの汚染が生じていたとしても、その汚染はいわば当該「第２‐２層」によって覆い隠されることになる。しかも、この第２‐２層は、第１層と「同じ材料からなる」から、例えば両者間の性質の違いによる何らかの不具合が生じるおそれも殆どない。そして、前記の第２‐３層は、このような第２‐２層の形成後、その上に間を置かずに形成可能であるから、両者間に汚染が生じているおそれは極めて少ない。
このように、本発明においては、第１‐２層及び第１層間、あるいは、第２‐３層及び第２‐２層間に汚染が生じるおそれが極めて少なくなる。
しかし、この「第１‐２層」が果たす機能と同等の機能を果たす「第２‐３層」が形成されるべき「第２位置」は、第１‐２層が形成されるまで、いわばほったらかしの状態におかれることになるから、その間、当該第２位置において汚染が生じるおそれがある。
しかるに、本発明においては、この「第２位置」には、「第２‐３層」の形成前に、前記「第２‐２層」が形成される。したがって、仮に、この第２位置に対応する第１層面上の位置に、何らかの汚染が生じていたとしても、その汚染はいわば当該「第２‐２層」によって覆い隠されることになる。しかも、この第２‐２層は、第１層と「同じ材料からなる」から、例えば両者間の性質の違いによる何らかの不具合が生じるおそれも殆どない。そして、前記の第２‐３層は、このような第２‐２層の形成後、その上に間を置かずに形成可能であるから、両者間に汚染が生じているおそれは極めて少ない。
このように、本発明においては、第１‐２層及び第１層間、あるいは、第２‐３層及び第２‐２層間に汚染が生じるおそれが極めて少なくなる。
なお、本発明にいう「第１位置」及び「第２位置」のそれぞれは、基板面上で識別可能な別々の位置を意味する。したがって、例えば「第１位置に、第１‐２層…を形成する」というのは、この第１位置以外の位置との区別のため、所定のパターニング処理等、基板面上の当該第１位置に島状の層を形成するための処理が実行されることを含意する。
また、本発明において、「第２‐３層」が、「第１‐２層が果たす機能と同等の機能を果たす」というのは、例えば後述するように、これら両層がともに、発光装置を構成する発光素子内の“発光層”である、などというような場合を含意する。この場合における、これら第２‐３層及び第１‐２層（即ち、“発光層”）はともに、例えば“正孔及び電子の再結合に起因した光を発する”という機能をもつという意味においては、（仮に一方は赤色光を発し、他方は緑色光を発するなどといった相違があるとしても）等価である。
また、本発明において、「第２‐３層」が、「第１‐２層が果たす機能と同等の機能を果たす」というのは、例えば後述するように、これら両層がともに、発光装置を構成する発光素子内の“発光層”である、などというような場合を含意する。この場合における、これら第２‐３層及び第１‐２層（即ち、“発光層”）はともに、例えば“正孔及び電子の再結合に起因した光を発する”という機能をもつという意味においては、（仮に一方は赤色光を発し、他方は緑色光を発するなどといった相違があるとしても）等価である。
他方、本発明に係る第１の発光装置の製造方法は、上述した課題を解決するため、前述した基板装置の製造方法を用いた発光装置の製造方法であって、前記第１及び第２位置に第１電極層を形成する工程と、前記第１電極層の表面を洗浄する工程と、前記第１電極層を覆うように、前記第１層として第１正孔注入層を形成する工程と、前記第１‐２層として第１発光層を形成する工程と、前記第２‐２層として第２正孔注入層を形成する工程と、前記第２‐３層として第２発光層を形成する工程と、前記第１及び第２位置に又はこれらの位置を含む領域を覆うように、かつ、前記第１及び第２発光層の上に、第２電極層を形成する工程と、によって、少なくとも前記第１及び第２電極層並びにこれらに挟持される前記第１及び第２発光層からなる、少なくとも２つの発光素子を製造する工程、を含む、
本発明によれば、まず、第１電極層の表面が、例えば前述のようなオゾンガス等による洗浄を受ける。そして、前記第１層としての「第１正孔注入層」は、その第１電極層を覆うように形成されるから、これら各層間に汚染が生じるおそれは極めて少ない。
また、本発明の製造方法が完了すると、基板上の第１位置では、第１電極層、第１正孔注入層、第１発光層及び第２電極層とうい積層構造が、第２位置では、第１電極層、第１正孔注入層、第２正孔注入層、第２発光層及び第２電極層とうい積層構造が、それぞれ構築される。そして、前述した基板装置の製造方法についての説明から明らかなように、この場合、第１正孔注入層及び第１発光層間、あるいは、第２正孔注入層及び第２発光層間に汚染が生じるおそれが極めて少なくなる。
このようにして、本発明によって製造される発光装置に含まれる発光素子は、その発光効率が向上し、あるいは、その寿命が長期化する。
また、本発明の製造方法が完了すると、基板上の第１位置では、第１電極層、第１正孔注入層、第１発光層及び第２電極層とうい積層構造が、第２位置では、第１電極層、第１正孔注入層、第２正孔注入層、第２発光層及び第２電極層とうい積層構造が、それぞれ構築される。そして、前述した基板装置の製造方法についての説明から明らかなように、この場合、第１正孔注入層及び第１発光層間、あるいは、第２正孔注入層及び第２発光層間に汚染が生じるおそれが極めて少なくなる。
このようにして、本発明によって製造される発光装置に含まれる発光素子は、その発光効率が向上し、あるいは、その寿命が長期化する。
この発明の発光装置の製造方法では、前記第１及び第２正孔注入層に代えて、前記第１層として第１正孔輸送層を形成する工程と、前記第２‐２層として第２正孔輸送層を形成する工程と、を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述した積層構造のうち、第１及び第２正孔注入層とあるところを、第１及び第２正孔輸送層に代えた積層構造が構築される。これによっても、前述した本発明に係る効果と本質的に異ならない効果が奏されることは明白である。
なお、本態様においては、「前記第１及び第２正孔注入層に代えて」、第１及び第２正孔輸送層が形成されるのではあるが、“正孔注入層”それ自体を形成してはならないわけではない。例えば、第１位置における積層構造は、第１電極層、“正孔注入層”、第１正孔輸送層、第１発光層及び第２電極層、といったようなものであってよい。
また、逆に、前述の発明においては“正孔輸送層”についての言及がないが、これについても同様のことが言える。例えば、前述の発明において、第１電極層、第１正孔注入層、第２正孔注入層、第２発光層及び第２電極層、とあるところは、第１電極層、第１正孔注入層、第２正孔注入層、“正孔輸送層”、第２発光層及び第２電極層、であってもよい。
この態様によれば、前述した積層構造のうち、第１及び第２正孔注入層とあるところを、第１及び第２正孔輸送層に代えた積層構造が構築される。これによっても、前述した本発明に係る効果と本質的に異ならない効果が奏されることは明白である。
なお、本態様においては、「前記第１及び第２正孔注入層に代えて」、第１及び第２正孔輸送層が形成されるのではあるが、“正孔注入層”それ自体を形成してはならないわけではない。例えば、第１位置における積層構造は、第１電極層、“正孔注入層”、第１正孔輸送層、第１発光層及び第２電極層、といったようなものであってよい。
また、逆に、前述の発明においては“正孔輸送層”についての言及がないが、これについても同様のことが言える。例えば、前述の発明において、第１電極層、第１正孔注入層、第２正孔注入層、第２発光層及び第２電極層、とあるところは、第１電極層、第１正孔注入層、第２正孔注入層、“正孔輸送層”、第２発光層及び第２電極層、であってもよい。
また、本発明の発光装置の製造方法では、前記基板面内の第３位置に、前記第１層としての第１正孔注入層又は第１正孔輸送層と同じ材料からなる、第３正孔注入層又は第３正孔輸送層を形成する工程と、当該層の上に、第３‐３層として第３発光層を形成する工程と、を更に含み、前記第２電極層は、前記第１及び第２位置に加えて、前記第３位置にも又はこの位置をも含む領域を覆うように、形成され、前記２つの発光素子に加えて、少なくとも前記第１及び第２電極層並びにこれらに挟持される前記第３発光層からなる、３つ目の発光素子を製造する、ように構成してもよい。
この態様によれば、３つ目の発光素子が、前述の「第２‐２層」及び「第２‐３層」と同様の要領で製造される。このように、本発明においては、原理的には何個でも「発光素子」を製造していくことができる。また、本態様では特に、この３つ目の発光素子の製造開始までに、２つの発光素子に関する所定の工程の完了を待たなければならないが、このように待機時間が比較的長くなったとしても、「第３発光層」及び「第３正孔注入層」等の間に汚染が生じているおそれはやはり極めて少ない。そのような場合でも、ここでいう「第３正孔注入層」は、前述した「第２正孔注入層」あるいは「第２‐２層」と同じ作用を発揮するからである。
この態様によれば、３つ目の発光素子が、前述の「第２‐２層」及び「第２‐３層」と同様の要領で製造される。このように、本発明においては、原理的には何個でも「発光素子」を製造していくことができる。また、本態様では特に、この３つ目の発光素子の製造開始までに、２つの発光素子に関する所定の工程の完了を待たなければならないが、このように待機時間が比較的長くなったとしても、「第３発光層」及び「第３正孔注入層」等の間に汚染が生じているおそれはやはり極めて少ない。そのような場合でも、ここでいう「第３正孔注入層」は、前述した「第２正孔注入層」あるいは「第２‐２層」と同じ作用を発揮するからである。
また、本発明の発光装置の製造方法では、前記第１、第２及び第３発光層は、それぞれ異なる色をもつ光を発し、かつ、それらそれぞれの膜厚は相互に異なり又はその全部又は一部が一致する、ように構成してもよい。
この態様によれば、最終的に製造される発光装置において、好適にカラー画像が表示可能になる。また、本態様のように、第１、第２及び第３発光層がそれぞれ異なる色をもつ光を発するという場合、典型的には、これらそれぞれの材料は異なることになると考えられる。そうすると、これら各層は個別に形成されていく必要があることになるから、前述した、本発明に係る作用効果が活きてくる。つまり、本態様は、当該作用効果を最も実効的に享受可能な態様の１つということができる。
この態様によれば、最終的に製造される発光装置において、好適にカラー画像が表示可能になる。また、本態様のように、第１、第２及び第３発光層がそれぞれ異なる色をもつ光を発するという場合、典型的には、これらそれぞれの材料は異なることになると考えられる。そうすると、これら各層は個別に形成されていく必要があることになるから、前述した、本発明に係る作用効果が活きてくる。つまり、本態様は、当該作用効果を最も実効的に享受可能な態様の１つということができる。
また、本発明の発光装置の製造方法では、前記第１、第２及び第３発光層は、すべて同じ材料からなり、かつ、それらそれぞれの膜厚は相互に異なる、ように構成してもよい。
この態様によれば、例えば、最終的に製造される発光装置において、それを構成する各発光素子が異なる光学的距離をもつ光共振器を含む、などといったことが可能となる。また、本態様のように、第１、第２及び第３発光層がそれぞれ異なる膜厚をもつという場合、典型的には、これら各層は個別に形成されていく必要があることになるから、前述した、本発明に係る作用効果が活きてくる。つまり、本態様は、当該作用効果を最も実効的に享受可能な態様の１つということができる。
この態様によれば、例えば、最終的に製造される発光装置において、それを構成する各発光素子が異なる光学的距離をもつ光共振器を含む、などといったことが可能となる。また、本態様のように、第１、第２及び第３発光層がそれぞれ異なる膜厚をもつという場合、典型的には、これら各層は個別に形成されていく必要があることになるから、前述した、本発明に係る作用効果が活きてくる。つまり、本態様は、当該作用効果を最も実効的に享受可能な態様の１つということができる。
直前に述べた２つの態様においては、前記基板の法線方向に沿ってみて前記発光素子の一方の側に配置され、当該発光素子から発せられた光を反射するための反射層を形成する工程と、
その他方の側に配置され、前記光の一部を反射し他の部分を透過させるための半透明半反射層を形成する工程と、を含み、前記膜厚は、前記発光素子の各々について、前記反射層及び前記半透明半反射層間の光学的距離が所定値をとるように、定められる、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述のような光共振器が構築される。したがって、ある特定の波長をもつ光を強調することが可能である。また、このような場合は、上述のように、前述した本発明に係る作用効果を最も実効的に享受可能である。
その他方の側に配置され、前記光の一部を反射し他の部分を透過させるための半透明半反射層を形成する工程と、を含み、前記膜厚は、前記発光素子の各々について、前記反射層及び前記半透明半反射層間の光学的距離が所定値をとるように、定められる、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述のような光共振器が構築される。したがって、ある特定の波長をもつ光を強調することが可能である。また、このような場合は、上述のように、前述した本発明に係る作用効果を最も実効的に享受可能である。
また、本発明の発光装置の製造方法では、前記基板の法線方向に沿ってみて前記発光素子の一方の側に配置され、当該発光素子から発せられた光を反射するための反射層を形成する工程と、その他方の側に配置され、前記光の一部を反射し他の部分を透過させるための半透明半反射層を形成する工程と、を含み、前記正孔注入層、又は、前記正孔輸送層の膜厚は、前記発光素子の各々について、前記反射層及び前記半透明半反射層間の光学的距離が所定値をとるように、定められる、ように構成してもよい。
この態様によれば、最終的に製造される発光装置において、それを構成する各発光素子は、前記反射層及び半透明半反射層からなる共振器を含む。そして、本態様においては、前記「正孔注入層」等が当該共振器の光学的距離を調整する役割を担う（なお、本態様において、単に、「正孔注入層」あるいは「正孔輸送層」とあるのは、それぞれ、前述した第１、第２又は第３正孔注入層、あるいは、第１、第２又は第３正孔輸送層、の全部又は一部を含む。）。
このように、本態様においては、「正孔注入層」等が前述したような汚染隠蔽という役割と、いま述べた光学的距離調整という役割の２つの役割を同時に担うことになるので、第２以降の正孔注入層又は正孔輸送層を形成する意義がより高まる。
ちなみに、この場合、「第１層」としての「第１正孔注入層」等と、「第１‐２層」としての「第１発光層」との間に、いわば「第１‐１．５層」（ここで「１．５」というのは、単に、１と２の間を表したい、という意図を有するに過ぎない。）ともいうべき正孔注入層等が介挿されてよい。これによれば、本態様に係る光学的距離調整がより容易になり得る。
この態様によれば、最終的に製造される発光装置において、それを構成する各発光素子は、前記反射層及び半透明半反射層からなる共振器を含む。そして、本態様においては、前記「正孔注入層」等が当該共振器の光学的距離を調整する役割を担う（なお、本態様において、単に、「正孔注入層」あるいは「正孔輸送層」とあるのは、それぞれ、前述した第１、第２又は第３正孔注入層、あるいは、第１、第２又は第３正孔輸送層、の全部又は一部を含む。）。
このように、本態様においては、「正孔注入層」等が前述したような汚染隠蔽という役割と、いま述べた光学的距離調整という役割の２つの役割を同時に担うことになるので、第２以降の正孔注入層又は正孔輸送層を形成する意義がより高まる。
ちなみに、この場合、「第１層」としての「第１正孔注入層」等と、「第１‐２層」としての「第１発光層」との間に、いわば「第１‐１．５層」（ここで「１．５」というのは、単に、１と２の間を表したい、という意図を有するに過ぎない。）ともいうべき正孔注入層等が介挿されてよい。これによれば、本態様に係る光学的距離調整がより容易になり得る。
他方、本発明に係る第２の発光装置の製造方法は、上記課題を解決するため、前述した基板装置の製造方法を用いた発光装置の製造方法であって、前記第１及び第２位置に第３電極層を形成する工程と、前記第３電極層の表面を洗浄する工程と、前記第３電極層の上に発光層を形成する工程と、前記発光層を覆うように、前記第１層として第１電子注入層を形成する工程と、前記第１‐２層として第４電極層を形成する工程と、前記第２‐２層として第２電子注入層を形成する工程と、前記第２‐３層として第５電極層を形成する工程と、によって、少なくとも前記第３電極層と前記第４及び第５電極層、並びにこれら第３電極層と第４及び第５電極層とによって挟持される前記発光層からなる、少なくとも２つの発光素子を製造する工程、を含む。
本発明によれば、前述の「第１層」及び「第２‐２層」として、「第１電子注入層」及び「第２電子注入層」がそれぞれ形成され、「第１‐２層」及び「第２‐３層」として、「第４電極層」及び「第５電極層」がそれぞれ形成される。
したがって、本発明においては、前述した第１の発明に係る作用効果が、「第１電子注入層」及び「第４電極層」間において、あるいは、「第２電子注入層」及び「第５電極層」間において、享受されることになる。
なお、本発明において、「第４電極層」及び「第５電極層」は、相互に物理的に分断されるように形成されてもよいが、場合によっては、一体的に（例えば、基板全面を覆うように）形成されてよい。また、本発明に係る「発光層」も、第１及び第２位置に形成された第３電極層を覆うように、あるいは、前記基板の全面を覆うかのように形成されてよい。その場合、当該の発光層は好適には同じ材料からなる。
したがって、本発明においては、前述した第１の発明に係る作用効果が、「第１電子注入層」及び「第４電極層」間において、あるいは、「第２電子注入層」及び「第５電極層」間において、享受されることになる。
なお、本発明において、「第４電極層」及び「第５電極層」は、相互に物理的に分断されるように形成されてもよいが、場合によっては、一体的に（例えば、基板全面を覆うように）形成されてよい。また、本発明に係る「発光層」も、第１及び第２位置に形成された第３電極層を覆うように、あるいは、前記基板の全面を覆うかのように形成されてよい。その場合、当該の発光層は好適には同じ材料からなる。
この発明の発光装置の製造方法では、前記第１及び第２電子注入層に代えて、前記第１層として第１電子輸送層を形成する工程と、前記第２‐２層として第２電子輸送層を形成する工程と、を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、「第１電子輸送層」及び第４電極層間、あるいは、「第２電子輸送層」及び第５電極層間において、前記の作用効果が享受される。
なお、本態様に言う「代えて」の意義は、上述と同様である。つまり、本態様において、“電子注入層”が並存してよい。また、逆に、上述の発明においても、“電子輸送層”が並存してよい。
この態様によれば、「第１電子輸送層」及び第４電極層間、あるいは、「第２電子輸送層」及び第５電極層間において、前記の作用効果が享受される。
なお、本態様に言う「代えて」の意義は、上述と同様である。つまり、本態様において、“電子注入層”が並存してよい。また、逆に、上述の発明においても、“電子輸送層”が並存してよい。
また、本発明の発光装置の製造方法では、前記基板の法線方向に沿ってみて前記発光素子の一方の側に配置され、当該発光素子から発せられた光を反射するための反射層を形成する工程と、その他方の側に配置され、前記光の一部を反射し他の部分を透過させるための半透明半反射層を形成する工程と、を含み、前記電子注入層、又は、前記電子輸送層の膜厚は、前記発光素子の各々について、前記反射層及び前記半透明半反射層間の光学的距離が所定値をとるように、定められる、ように構成してもよい。
この態様によれば、最終的に製造される発光装置において、それを構成する各発光素子は、前記反射層及び半透明半反射層からなる共振器を含む。そして、本態様においては、前記「電子注入層」等が当該共振器の光学的距離を調整する役割を担う（なお、本態様において、単に、「電子注入層」あるいは「電子輸送層」とあるのは、それぞれ、前述した第１又は第２電子注入層、あるいは、第１又は第２電子輸送層、の全部又は一部を含む。）。
このように、本態様においては、「正孔注入層」等が前述したような汚染隠蔽という役割と、いま述べた光学的距離調整という役割という２つの役割を同時に担うことになるので、第２以降の正孔注入層又は正孔輸送層を形成する意義がより高まる。
ちなみに、この場合、「第１層」としての「第１電子注入層」等と、「第１‐２層」としての「第４電極層」との間に、いわば「第１‐１．５層」（ここで「１．５」というのは、単に、１と２との間である、という意図を表現しているに過ぎない。）ともいうべき電子注入層等が介挿されてよい。これによれば、本態様に係る光学的距離調整がより容易になり得る。
この態様によれば、最終的に製造される発光装置において、それを構成する各発光素子は、前記反射層及び半透明半反射層からなる共振器を含む。そして、本態様においては、前記「電子注入層」等が当該共振器の光学的距離を調整する役割を担う（なお、本態様において、単に、「電子注入層」あるいは「電子輸送層」とあるのは、それぞれ、前述した第１又は第２電子注入層、あるいは、第１又は第２電子輸送層、の全部又は一部を含む。）。
このように、本態様においては、「正孔注入層」等が前述したような汚染隠蔽という役割と、いま述べた光学的距離調整という役割という２つの役割を同時に担うことになるので、第２以降の正孔注入層又は正孔輸送層を形成する意義がより高まる。
ちなみに、この場合、「第１層」としての「第１電子注入層」等と、「第１‐２層」としての「第４電極層」との間に、いわば「第１‐１．５層」（ここで「１．５」というのは、単に、１と２との間である、という意図を表現しているに過ぎない。）ともいうべき電子注入層等が介挿されてよい。これによれば、本態様に係る光学的距離調整がより容易になり得る。
なお、以上に述べた、第１電子注入層、第２電子注入層、第１電子輸送層又は第２電子輸送層を含む発明の構成においては、それらに加えて、前述した第１，第２，第３正孔注入層あるいは第１，第２，第３正孔輸送層が含まれてよい。また、そのような場合であって、なお前記共振器をも含む態様にあっては、その光学的距離の調整は、前記各種の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、あるいは電子輸送層の膜厚の全部又は一部が利用されてよい（例えば、正孔注入層と電子注入層の双方の膜厚が調整対象となって、光学的距離が定まる、などというようである。）。
以上のような態様は、本発明に係る「基板装置の製造方法」が、１個の発光装置を製造するに当たって、いわば２度以上適用されているともいえる。
以上のような態様は、本発明に係る「基板装置の製造方法」が、１個の発光装置を製造するに当たって、いわば２度以上適用されているともいえる。
一方、本発明の基板装置は、上記課題を解決するため、基板と、基板上に形成された第１層と、前記第１層の上かつ当該第１層面内の第１位置に形成された第１‐２層（以下、「第Ａ-Ｂ層」とは、第Ａ位置における第Ｂ層ということを意味する。）と、前記第１層の上かつ当該第１層面内の第２位置に形成された、前記第１層と同じ材料からなる第２‐２層と、前記第２‐２層の上に形成された、前記第１‐２層とは異なる材料からなる第２‐３層と、を備える。
本発明によれば、上述した、本発明に係る「基板装置の製造方法」に関する説明から明らかなように、第１層及び第１‐２層、あるいは、第２‐２層及び第２‐３層間に汚染が生じていない、好適な基板装置が提供される。
また、本発明の発光装置は、上記課題を解決するために、前述した基板装置を含む発光装置であって、前記第１及び第２位置に形成された第１電極層と、前記第１電極層を覆うように、前記第１層として形成された第１正孔注入層と、前記第１‐２層として形成された第１発光層と、前記第２‐２層として形成された第２正孔注入層と、前記第２‐３層として形成された第２発光層と、前記第１及び第２位置に又はこれらの位置を含む領域を覆うように、かつ、前記第１及び第２発光層の上に、形成された第２電極層と、によって、少なくとも前記第１及び第２電極層並びにこれらに挟持される前記第１及び第２発光層からなる、少なくとも２つの発光素子、を含む。
本発明によれば、上述した、本発明に係る「発光装置の製造方法」に関する説明から明らかなように、第１層たる「第１正孔注入層」及び第１‐２層たる「第１発光層」、あるいは、第２‐２層たる「第２正孔注入層」及び第２‐３層たる「第２発光層」間に汚染が生じないので、発光素子の発光効率が高まり、あるいは、その寿命が長期化する。
また、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した発光装置を備える。
本発明によれば、発光素子の発光効率が高まり、あるいは、その寿命が長期化しているので、当該電子機器によって表示され得る画像の品質が高まり、あるいは、当該電子機器の寿命も長期化する。
本発明によれば、発光素子の発光効率が高まり、あるいは、その寿命が長期化しているので、当該電子機器によって表示され得る画像の品質が高まり、あるいは、当該電子機器の寿命も長期化する。
＜有機ＥＬ装置の構成＞
以下では、本発明に係る実施の形態について図１乃至図３を参照しながら説明する。なお、ここに言及した図１乃至図３に加え、以下で参照する各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。
以下では、本発明に係る実施の形態について図１乃至図３を参照しながら説明する。なお、ここに言及した図１乃至図３に加え、以下で参照する各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。
有機ＥＬ装置１００は、図１に示すように、素子基板７と、この素子基板７上に形成される各種の要素とを備えている。各種の要素とは、有機ＥＬ素子８、走査線３及びデータ線６、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ、並びにデータ線駆動回路１０６である。
有機ＥＬ素子（発光素子）８は、図１、あるいは図３に示すように、素子基板７上に複数備えられる。それら複数の有機ＥＬ素子８はマトリクス状に配列されている。有機ＥＬ素子８の各々は、画素電極１３、発光機能層及び対向電極から構成されている。これら各要素の詳細に関しては後に改めて触れる。
画像表示領域７ａは、素子基板７上、これら複数の有機ＥＬ素子８が配列されている領域である。画像表示領域７ａでは、各有機ＥＬ素子８の個別の発光及び非発光に基づき、所望の画像が表示され得る。なお、以下では、素子基板７の面のうち、この画像表示領域７ａを除く領域を、「周辺領域」と呼ぶ。
画像表示領域７ａは、素子基板７上、これら複数の有機ＥＬ素子８が配列されている領域である。画像表示領域７ａでは、各有機ＥＬ素子８の個別の発光及び非発光に基づき、所望の画像が表示され得る。なお、以下では、素子基板７の面のうち、この画像表示領域７ａを除く領域を、「周辺領域」と呼ぶ。
走査線３及びデータ線６は、それぞれ、マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子８の各行及び各列に対応するように配列されている。より詳しくは、走査線３は、図１に示すように、図中左右方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されている走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂに接続されている。一方、データ線６は、図中上下方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されているデータ線駆動回路１０６に接続されている。これら各走査線３及び各データ線６の各交点の近傍には、前述の有機ＥＬ素子８等を含む単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。
単位回路Ｐは、図２に示すように、前述の有機ＥＬ素子８を含むほか、ｎチャネル型の第１トランジスタ６８、ｐチャネル型の第２トランジスタ９、及び容量素子６９を含む。
単位回路Ｐは、電流供給線１１３から給電を受ける。複数の電流供給線１１３は、図示しない電源に接続されている。
また、ｐチャネル型の第２トランジスタ９のソース電極は電流供給線１１３に接続される一方、そのドレイン電極は有機ＥＬ素子８の画素電極に接続される。この第２トランジスタ９のソース電極とゲート電極との間には、容量素子６９が設けられている。一方、ｎチャネル型の第１トランジスタ６８のゲート電極は走査線３に接続され、そのソース電極はデータ線６に接続され、そのドレイン電極は第２トランジスタ９のゲート電極と接続される。
単位回路Ｐは、その単位回路Ｐに対応する走査線３を走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂが選択すると、第１トランジスタ６８がオンされて、データ線６を介して供給されるデータ信号を内部の容量素子６９に保持する。そして、第２トランジスタ９が、データ信号のレベルに応じた電流を有機ＥＬ素子８に供給する。これにより、有機ＥＬ素子８は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。
単位回路Ｐは、電流供給線１１３から給電を受ける。複数の電流供給線１１３は、図示しない電源に接続されている。
また、ｐチャネル型の第２トランジスタ９のソース電極は電流供給線１１３に接続される一方、そのドレイン電極は有機ＥＬ素子８の画素電極に接続される。この第２トランジスタ９のソース電極とゲート電極との間には、容量素子６９が設けられている。一方、ｎチャネル型の第１トランジスタ６８のゲート電極は走査線３に接続され、そのソース電極はデータ線６に接続され、そのドレイン電極は第２トランジスタ９のゲート電極と接続される。
単位回路Ｐは、その単位回路Ｐに対応する走査線３を走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂが選択すると、第１トランジスタ６８がオンされて、データ線６を介して供給されるデータ信号を内部の容量素子６９に保持する。そして、第２トランジスタ９が、データ信号のレベルに応じた電流を有機ＥＬ素子８に供給する。これにより、有機ＥＬ素子８は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。
なお、前述では、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ、並びにデータ線駆動回路１０６のすべてが素子基板７上に形成される例について説明しているが、場合によっては、そのうちの全部又は一部を、フレキシブル基板に形成するのであってもよい。この場合、当該のフレキシブル基板と素子基板７との両当接部分に適当な端子を設けておくことにより、両者間の電気的な接続を可能とする。
平面視した場合に概略以上に述べたような構成を備える有機ＥＬ装置は、図３に示すような積層構造物２５０を備えている。この積層構造物２５０は、図３に示すように、素子基板７を基準として、図中下から順に、回路素子薄膜１１、層間絶縁膜３０２、反射層３４、画素電極１３、発光機能層１８、並びに対向電極５等を含む。
このうち、層間絶縁膜３０２は、その他の残る導電性要素間の短絡が生じないように、あるいは、これら導電性要素の積層構造物２５０中の好適な配置を実現するため等に貢献する。層間絶縁膜は、積層構造物２５０中、単層のみ設けられるとは限らず、様々な厚さでもって様々な絶縁性材料から作られうるが、好適には、その積層構造物２５０中の配置位置や役割等に応じて、適宜適当な厚さ及び材料が選択されるとよい。
より具体的には例えば、層間絶縁膜３０２は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等々で作られて好ましい。
より具体的には例えば、層間絶縁膜３０２は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等々で作られて好ましい。
回路素子薄膜１１は、前述の単位回路Ｐに含まれる第１トランジスタ６８や第２トランジスタ９等を含む。図では極めて簡略化されて描かれているが、この回路素子薄膜１１は、これら各種のトランジスタを構成する半導体層、ゲート絶縁膜、ゲートメタル等や容量素子６９を構成する電極用薄膜（いずれも不図示）、その他の金属薄膜から構成される。なお、図３に示す積層構造物２５０中には、前述した走査線３及びデータ線６も当然構築されているが、その図示は省略されている。
反射層３４は、前述の層間絶縁膜３０２の上に形成されている。この反射層３４は、発光機能層１８から発せられた光を反射する。この反射光は、図３に示すように、図中上方に向かって進行する。このように、発光機能層１８から発せられた光は、素子基板７が存在する側とは反対側に進行するようになっているので、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、いわゆるトップエミッション型である。このため、素子基板７は、必ずしも、透光性材料から作られている必要はなく、セラミックスや金属等の不透明材料で作られてよい（これとは反対に、ボトムエミッション型の場合、素子基板７は、透光性材料から作られている必要がある。）。
このような反射層３４は、上述の反射機能をよりよく発揮するため、光反射性能の比較的高い材料から作られているとよい。例えば、アルミニウムや銀等を利用することができる。
このような反射層３４は、上述の反射機能をよりよく発揮するため、光反射性能の比較的高い材料から作られているとよい。例えば、アルミニウムや銀等を利用することができる。
一方、前記有機ＥＬ素子８の各々は、図３に示すように、積層構造物２５０を構成する前述の各種の要素のうち、画素電極１３、発光機能層１８、及び対向電極５から構成される。
このうち画素電極１３は、素子基板７上に、マトリクス状に配列するように形成されている。有機ＥＬ素子８がマトリクス状に配列されているということは、このように画素電極１３がマトリクス状に配列されているということに相応する（図１参照）。また、前述の反射層３４も、同様な意味でマトリクス状に配列されている（図１参照）。
この画素電極１３は、コンタクトホール３６３を介して、前述の回路素子薄膜１１と電気的に接続されている。これにより、この画素電極１３は、図２に示した第２トランジスタ９から供給される電流を、発光機能層１８に印加可能である。なお、コンタクトホール３６３は、層間絶縁膜３０２を貫通するようにして形成されている。
このような画素電極１３は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）単層膜、あるいは、極薄のアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、あるいはＡｇと、ＩＴＯとの積層膜、等々の導電性材料から作られている。
この画素電極１３は、コンタクトホール３６３を介して、前述の回路素子薄膜１１と電気的に接続されている。これにより、この画素電極１３は、図２に示した第２トランジスタ９から供給される電流を、発光機能層１８に印加可能である。なお、コンタクトホール３６３は、層間絶縁膜３０２を貫通するようにして形成されている。
このような画素電極１３は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）単層膜、あるいは、極薄のアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、あるいはＡｇと、ＩＴＯとの積層膜、等々の導電性材料から作られている。
隔壁層３４０は、図３に示すように、上述したような画素電極１３のうち、平面視して隣接する画素電極１３間の領域に形成されている。この隔壁層３４０は、各有機ＥＬ素子８を区画する役割を担う。なお、この隔壁層３４０は、層間絶縁膜３０４の一部を構成する。
このような隔壁層３４０は、例えば絶縁性の透明樹脂材料で作られて好適である。
このような隔壁層３４０は、例えば絶縁性の透明樹脂材料で作られて好適である。
発光機能層１８は、図３に示すように、画素電極１３の上に、かつ、個々の画素電極１３の形成領域に対応するように形成されている。本実施形態では、この発光機能層１８に関して特徴があるが、その点については後に改めて触れる。
対向電極５は、図３に示すように、複数の有機ＥＬ素子８の発光機能層１８に接触している。この対向電極５も、上述の発光機能層１８と同様、個々の画素電極１３の形成領域に対応するように形成されている。
このような対向電極５は、例えばＭｇＡｌ、ＭｇＣｕ、ＭｇＡｕ、ＭｇＡｇ等の合金又は金属材料から作られる。また、この対向電極５は、例えば５〜２０〔ｎｍ〕程度の厚さ等、そこに到達する光の一部が透過可能であるような厚さをもつ。これにより、対向電極５は、半透明半反射性能を備える。
このような対向電極５は、例えばＭｇＡｌ、ＭｇＣｕ、ＭｇＡｕ、ＭｇＡｇ等の合金又は金属材料から作られる。また、この対向電極５は、例えば５〜２０〔ｎｍ〕程度の厚さ等、そこに到達する光の一部が透過可能であるような厚さをもつ。これにより、対向電極５は、半透明半反射性能を備える。
以上に述べた積層構造物２５０のほか、図３において、有機ＥＬ装置１００は、対向基板５０を備え、更に、この対向基板５０の上に前記とは別の積層構造物を備えている。この積層構造物は、図３に示すように、対向基板５０を基準として、その図中下側に向かって順に、カラーフィルタ５１及び遮光膜５９１からなる。
まず、対向基板５０は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で作られる。
カラーフィルタ５１は、平面視して画素電極１３の形成領域に対応する領域に形成されている。カラーフィルタ５１は、赤色フィルタ５１Ｒ、緑色フィルタ５１Ｇ、並びに青色フィルタ５１Ｂを含む。これら各色のフィルタ（５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂ）は、前記の画素電極１３の形成領域に対応するように、マトリクス状に配列されている。
カラーフィルタ５１は、発光機能層１８から届く光のうち、所定の波長域の光だけを透過させる。すなわち、例えば、赤色フィルタ５１Ｒは、例えばピーク波長６１０ｎｍ及びその付近の波長域の光を透過させ、緑色フィルタ５１Ｇは、ピーク波長５２０ｎｍ及びその付近の波長域の光を透過させ、青色フィルタ５１Ｂは、ピーク波長４７０ｎｍ及びその付近の波長域の光を透過させる。
このようなカラーフィルタ５１は、光透過性の樹脂材料等から作られる。当該樹脂材料は、各色に対応する顔料等を含みうる。
カラーフィルタ５１は、平面視して画素電極１３の形成領域に対応する領域に形成されている。カラーフィルタ５１は、赤色フィルタ５１Ｒ、緑色フィルタ５１Ｇ、並びに青色フィルタ５１Ｂを含む。これら各色のフィルタ（５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂ）は、前記の画素電極１３の形成領域に対応するように、マトリクス状に配列されている。
カラーフィルタ５１は、発光機能層１８から届く光のうち、所定の波長域の光だけを透過させる。すなわち、例えば、赤色フィルタ５１Ｒは、例えばピーク波長６１０ｎｍ及びその付近の波長域の光を透過させ、緑色フィルタ５１Ｇは、ピーク波長５２０ｎｍ及びその付近の波長域の光を透過させ、青色フィルタ５１Ｂは、ピーク波長４７０ｎｍ及びその付近の波長域の光を透過させる。
このようなカラーフィルタ５１は、光透過性の樹脂材料等から作られる。当該樹脂材料は、各色に対応する顔料等を含みうる。
なお、図３において有機ＥＬ素子を指示するべく使用されている符号８Ｒ，８Ｇ，８Ｂは、これら各色フィルタ（５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂ）の別に対応している意味合いをもつ。本実施形態における説明及びその他の図面においては、簡単のため、符号“８”は、前述の符号８Ｒ，８Ｇ，８Ｂを総称する符号として用いられている。
遮光膜５９１は、平面視して画素電極１３の形成領域を縁取るように、あるいは当該形成領域以外の領域に対応するように形成されている。あるいは、対向基板５０側の要素だけでいえば、遮光膜５９１は、マトリクス状に配列されたカラーフィルタ５１間の間隙を埋めるようにして形成されている。
このような遮光膜５９１は、光吸収性、あるいは光反射性の金属、樹脂等の適当な遮光性材料で作られる。金属材料に関して特に具体的に例示すれば、Ｃｒ等が好適に挙げられる。
充填材６０は、このような対向基板５０と、前述の素子基板７との間を接着する機能を果たす（図３参照）。この充填材６０は、例えばエポキシ樹脂等の材料から作られる。
このような遮光膜５９１は、光吸収性、あるいは光反射性の金属、樹脂等の適当な遮光性材料で作られる。金属材料に関して特に具体的に例示すれば、Ｃｒ等が好適に挙げられる。
充填材６０は、このような対向基板５０と、前述の素子基板７との間を接着する機能を果たす（図３参照）。この充填材６０は、例えばエポキシ樹脂等の材料から作られる。
＜有機ＥＬ素子・発光機能層等＞
以上に加えて、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は特に、前述した各種要素のうち有機ＥＬ素子８の構成、とりわけそのうちの発光機能層１８等の構成及び作用について特徴がある。以下では、この点について、既に参照した図１乃至図３に加えて、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、図３の中から発光機能層１８及びその周囲だけを抜き出し、かつ、後述する特徴がよく表されるようにその一部が模式的に示された図である。
以上に加えて、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は特に、前述した各種要素のうち有機ＥＬ素子８の構成、とりわけそのうちの発光機能層１８等の構成及び作用について特徴がある。以下では、この点について、既に参照した図１乃至図３に加えて、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、図３の中から発光機能層１８及びその周囲だけを抜き出し、かつ、後述する特徴がよく表されるようにその一部が模式的に示された図である。
本実施形態においては、図４に示すように、３個の有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂを１セットとして１個の画素が構成される。これら３個の有機ＥＬ素子８は、前述の赤色フィルタ５１Ｒ，緑色フィルタ５１Ｇ及び青色フィルタ５１Ｂに対応する。これら３個の有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂは、後述する正孔注入層及び発光層の点を除いて、基本的に、すべて同じ構造をとる。
例えば、有機ＥＬ素子“８Ｒ”は、上述のように画素電極１３、発光機能層１８及び対向電極５からなるが、このうち発光機能層１８は更に、図４に示すように、第１正孔注入層１８１ａ、第２正孔注入層１８１Ｒ、正孔輸送層１８２、発光層１８３Ｒ、電子輸送層１８４、及び電子注入層１８５からなる。
このうち電子輸送層１８４・電子注入層１８５は、対向電極５から発光層１８３Ｒへの電子の円滑な移動に適し、かつ、発光層１８３Ｒから供給されてくる正孔の進行を遮るのに適した材料から作られる。当該材料には、例えば、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体とその金属錯体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、等々が含まれる。
また、正孔輸送層１８２は、画素電極１３から発光層１８３Ｒへの正孔の円滑な移動に適し、かつ、発光層１８３Ｒから供給されてくる電子の進行を遮るのに適した材料から作られる。当該材料には、例えば、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、等々が含まれる。これらに関するモノマーあるいはオリゴマーは、正孔輸送層１８２を構成する低分子材料として使用され得る。
以上の事項は、その他の有機ＥＬ素子８Ｇ，８Ｂに共通である。
このうち電子輸送層１８４・電子注入層１８５は、対向電極５から発光層１８３Ｒへの電子の円滑な移動に適し、かつ、発光層１８３Ｒから供給されてくる正孔の進行を遮るのに適した材料から作られる。当該材料には、例えば、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体とその金属錯体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、等々が含まれる。
また、正孔輸送層１８２は、画素電極１３から発光層１８３Ｒへの正孔の円滑な移動に適し、かつ、発光層１８３Ｒから供給されてくる電子の進行を遮るのに適した材料から作られる。当該材料には、例えば、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、等々が含まれる。これらに関するモノマーあるいはオリゴマーは、正孔輸送層１８２を構成する低分子材料として使用され得る。
以上の事項は、その他の有機ＥＬ素子８Ｇ，８Ｂに共通である。
一方、第１正孔注入層１８１ａ、第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂは、正孔注入のエネルギ障壁を低下させるのに適した材料から作られる。これらの層は、例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等から作られる。両層（１８１ａ及び１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂ）は本実施形態において同じ材料からなる。
これらのうち第１正孔注入層１８１ａは、図４に示すように、個々の画素電極１３の形成領域、及びそれらの間をも覆うように、あるいは、素子基板７の全面を覆うかのように形成されている。つまり、この第１正孔注入層１８１ａは、３つの有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂのすべてに関して共通である。
他方、第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂは、図４に示すように、有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂの各々に対応して個別的に形成されている。赤色フィルタ５１Ｒに対応する第２正孔注入層１８１Ｒの膜厚はＤ１であり、緑色フィルタ５１Ｇに対応する第２正孔注入層１８１Ｇの膜厚はＤ２であり、青色フィルタ５１Ｂに対応する第２正孔注入層１８１Ｂの膜厚はＤ３である。
これらのうち第１正孔注入層１８１ａは、図４に示すように、個々の画素電極１３の形成領域、及びそれらの間をも覆うように、あるいは、素子基板７の全面を覆うかのように形成されている。つまり、この第１正孔注入層１８１ａは、３つの有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂのすべてに関して共通である。
他方、第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂは、図４に示すように、有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂの各々に対応して個別的に形成されている。赤色フィルタ５１Ｒに対応する第２正孔注入層１８１Ｒの膜厚はＤ１であり、緑色フィルタ５１Ｇに対応する第２正孔注入層１８１Ｇの膜厚はＤ２であり、青色フィルタ５１Ｂに対応する第２正孔注入層１８１Ｂの膜厚はＤ３である。
このような第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂは、本実施形態において、光学的距離を調整するための層として機能する。
光学的距離は、各層がもつ屈折率と物理的厚さによって規定される。すなわち、電子注入層１８５の屈折率及び物理的厚さをそれぞれｎ１，ｌ１とし、以下同様に、電子輸送層１８４、発光層１８３Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｂ、正孔輸送層１８２、第１正孔注入層１８１ａ、画素電極１３に関して、ｎ２，ｌ２、ｎ３，ｌ３、ｎ４，ｌ４、ｎ５，ｌ５並びに、ｎ６，ｌ６、とすると、その光学的距離Ｌは、
Ｌ＝（ｎｈ・ｌｈ）＋Σ（ｎｐ・ｌｐ） …… （１）
と表現される。ただし、この式中、「Σ」は、順次にｐ＝１，２，３，４，５，６とした場合のｎｐ・ｌｐの総和を表す記号である。また、ｎｈは第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂの屈折率、ｌｈは前述の通りその物理的厚さ（膜厚Ｄ１，Ｄ２又はＤ３）である（なお、ｎｈ＝ｎ５である。）。
本実施形態では、この光学的距離Ｌはまた、以下の式で表される条件を満たす。
Ｌ＝｛（２πＮ＋θ１＋θ２）・λ｝／（４π） …… （２）
ただし、この式中、θ１は反射層３４における位相変化量（より正確には、反射層３４と画素電極１３との界面における位相変化量）、θ２は対向電極５における位相変化量（より正確には、対向電極５と電子注入層１８５との界面における位相変化量）、λは共振対象波長、Ｎは適当な整数である。
以上の２つの式から、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、一種の光共振器を含むことになる。すなわち、反射層３４と、半透明半反射層としての対向電極５との間の光学的距離が適当に設定されることにより、特定の波長成分（前記の共振対象波長λ）をもつ光の強度が増大させられる。
光学的距離は、各層がもつ屈折率と物理的厚さによって規定される。すなわち、電子注入層１８５の屈折率及び物理的厚さをそれぞれｎ１，ｌ１とし、以下同様に、電子輸送層１８４、発光層１８３Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｂ、正孔輸送層１８２、第１正孔注入層１８１ａ、画素電極１３に関して、ｎ２，ｌ２、ｎ３，ｌ３、ｎ４，ｌ４、ｎ５，ｌ５並びに、ｎ６，ｌ６、とすると、その光学的距離Ｌは、
Ｌ＝（ｎｈ・ｌｈ）＋Σ（ｎｐ・ｌｐ） …… （１）
と表現される。ただし、この式中、「Σ」は、順次にｐ＝１，２，３，４，５，６とした場合のｎｐ・ｌｐの総和を表す記号である。また、ｎｈは第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂの屈折率、ｌｈは前述の通りその物理的厚さ（膜厚Ｄ１，Ｄ２又はＤ３）である（なお、ｎｈ＝ｎ５である。）。
本実施形態では、この光学的距離Ｌはまた、以下の式で表される条件を満たす。
Ｌ＝｛（２πＮ＋θ１＋θ２）・λ｝／（４π） …… （２）
ただし、この式中、θ１は反射層３４における位相変化量（より正確には、反射層３４と画素電極１３との界面における位相変化量）、θ２は対向電極５における位相変化量（より正確には、対向電極５と電子注入層１８５との界面における位相変化量）、λは共振対象波長、Ｎは適当な整数である。
以上の２つの式から、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、一種の光共振器を含むことになる。すなわち、反射層３４と、半透明半反射層としての対向電極５との間の光学的距離が適当に設定されることにより、特定の波長成分（前記の共振対象波長λ）をもつ光の強度が増大させられる。
例えば、赤色フィルタ５１Ｒに対応する有機ＥＬ素子８Ｒについては、式（２）において、λ＝λＲ≒６１０ｎｍとされ、かつ、式（１）の右辺の値及び式（２）の右辺の値が等しくなるように、ｎ１，ｌ１，…，ｎ６，ｌ６，ｎｈ，Ｄ１（特にＤ１）の値が定められると（図４中のＬＤ１参照）、取り出される光（図４中のＬＲ参照）の発光スペクトルは、波長６１０ｎｍ付近にピークをもつものとなる。なお、この場合、式（２）中のＮは、通常、比較的小さな値、例えば１などとして設定される。
残る有機ＥＬ素子８Ｇ，８Ｂについても基本的に同様である。ただ、本実施形態では、前述の各層のうち電子注入層１８５、電子輸送層１８４、正孔輸送層１８２、第１正孔注入層１８１ａ及び画素電極１３の材料及び膜厚は全有機ＥＬ素子８に関して共通とされるので、前記ｎ１，ｌ１、ｎ２，ｌ２、ｎ４，ｌ４、ｎ５，ｌ５、ｎ６，ｌ６は一定である。したがって、これら有機ＥＬ素子８Ｇ，８Ｂに関する光学的距離の調整は、主に、第２正孔注入層１８１Ｇ，１８１Ｂの膜厚Ｄ２，Ｄ３の設定如何による。図４では、第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂの膜厚に関し、Ｄ１＞Ｄ２＞Ｄ３が成立する。
残る有機ＥＬ素子８Ｇ，８Ｂについても基本的に同様である。ただ、本実施形態では、前述の各層のうち電子注入層１８５、電子輸送層１８４、正孔輸送層１８２、第１正孔注入層１８１ａ及び画素電極１３の材料及び膜厚は全有機ＥＬ素子８に関して共通とされるので、前記ｎ１，ｌ１、ｎ２，ｌ２、ｎ４，ｌ４、ｎ５，ｌ５、ｎ６，ｌ６は一定である。したがって、これら有機ＥＬ素子８Ｇ，８Ｂに関する光学的距離の調整は、主に、第２正孔注入層１８１Ｇ，１８１Ｂの膜厚Ｄ２，Ｄ３の設定如何による。図４では、第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂの膜厚に関し、Ｄ１＞Ｄ２＞Ｄ３が成立する。
また、各有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂを構成する発光層１８３Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｂは、それぞれ、赤色、緑色及び青色をもつ光を発する材料から作られる。当該材料には、例えば、赤色用としてＭＥＨＰＰＶ（ポリ（３−メトキシ６−（３−エチルヘキシル）パラフェニレンビニレン）等、緑色用としてポリジオクチルフルオレンとＦ８ＢＴ（ジオクチルフルオレンとベンゾチアジアゾールの交互共重合体）の混合溶液等、青色用としてポリジオクチルフルオレン等を用いることが可能である。
このような発光層１８３Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｂは、（ｉ）当該発光層１８３Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｂに、陽極たる画素電極１３からホール（正孔）が、陰極たる対向電極５から電子が、それぞれ注入される、（ｉｉ）これらホール及び電子の再結合により励起子が生成される、（ｉｉｉ）この励起子が基底状態に遷移するときに、エネルギ放出、即ち発光現象が生じる、というメカニズムに基づいて発光する。
本実施形態においては、このように、発光層１８３Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｂの各々が、各有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂに対応するように個別的に形成されるので、前記の光学的距離の調整は、この発光層１８３Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｂの屈折率を勘案した上、それら各々の膜厚の設定を好適に行うことによっても、行われ得る。
このような発光層１８３Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｂは、（ｉ）当該発光層１８３Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｂに、陽極たる画素電極１３からホール（正孔）が、陰極たる対向電極５から電子が、それぞれ注入される、（ｉｉ）これらホール及び電子の再結合により励起子が生成される、（ｉｉｉ）この励起子が基底状態に遷移するときに、エネルギ放出、即ち発光現象が生じる、というメカニズムに基づいて発光する。
本実施形態においては、このように、発光層１８３Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｂの各々が、各有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂに対応するように個別的に形成されるので、前記の光学的距離の調整は、この発光層１８３Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｂの屈折率を勘案した上、それら各々の膜厚の設定を好適に行うことによっても、行われ得る。
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、以上に述べた本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について、既に参照した図１乃至図４に加えて、図５乃至図９を参照しながら説明する。なお、本実施形態に係る製造方法は、図４に示すような、３つの膜厚Ｄ１〜Ｄ３をもつ第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂが形成されることに関して特徴があるので、以下では、その点に関して重点的に説明を行う。
まず、素子基板７の上に、回路素子薄膜１１及び層間絶縁膜３０１が形成される。これらのいずれの成膜においても、既知であるところの、例えばＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法やスパッタ法等の成膜方法や、あるいはフォトリソグラフィ法等が適宜利用される。その際、回路素子薄膜１１の成膜では、第１トランジスタ６８等のＴＦＴ（Thin Film Transistor）の製造が含まれるから、その半導体層へのドーピング工程等も行われ、絶縁膜３０１及び３０２の成膜では、そこにコンタクトホール３６０を形成するために、適当なエッチング工程等も行われる。
なお、図５乃至図９においては、簡単のため、この反射層３４までが形成された段階の構築物をまとめて、符号“ＳＳＦ”でもって表している。これは、後続する画素電極１３形成のための下地膜となる（以下、「下地膜ＳＳＦ」ということがある。なお、図においては、この下地膜ＳＳＦにおいて、前記のコンタクトホール３６３、反射層３４等の図示は一切省略されている（図３と対比参照））。
次に、以上に述べた本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について、既に参照した図１乃至図４に加えて、図５乃至図９を参照しながら説明する。なお、本実施形態に係る製造方法は、図４に示すような、３つの膜厚Ｄ１〜Ｄ３をもつ第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂが形成されることに関して特徴があるので、以下では、その点に関して重点的に説明を行う。
まず、素子基板７の上に、回路素子薄膜１１及び層間絶縁膜３０１が形成される。これらのいずれの成膜においても、既知であるところの、例えばＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法やスパッタ法等の成膜方法や、あるいはフォトリソグラフィ法等が適宜利用される。その際、回路素子薄膜１１の成膜では、第１トランジスタ６８等のＴＦＴ（Thin Film Transistor）の製造が含まれるから、その半導体層へのドーピング工程等も行われ、絶縁膜３０１及び３０２の成膜では、そこにコンタクトホール３６０を形成するために、適当なエッチング工程等も行われる。
なお、図５乃至図９においては、簡単のため、この反射層３４までが形成された段階の構築物をまとめて、符号“ＳＳＦ”でもって表している。これは、後続する画素電極１３形成のための下地膜となる（以下、「下地膜ＳＳＦ」ということがある。なお、図においては、この下地膜ＳＳＦにおいて、前記のコンタクトホール３６３、反射層３４等の図示は一切省略されている（図３と対比参照））。
続いて、図５に示すように、画素電極１３が形成される。
この画素電極１３は、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法等で膜厚１０〜２００ｎｍ程度となるように形成されたＩＴＯの原膜に対して、フォトリソグラフィ及び酸性の混合液等を用いたパターニング処理を実施することによって形成される。
この画素電極１３の形成後は、その表面につき予備洗浄及び本洗浄処理が行われる。予備洗浄は、例えば中性洗剤による洗浄、あるいは蒸留水、アセトン、エタノール等を用いた超音波洗浄等によって行われる。また、本洗浄は、例えばオゾン洗浄等によって行われる。このオゾン洗浄は、例えば、原料ガスたるＯ2ガス及びＮ2ガスからオゾナイザー（オゾン生成装置）により生成したＯ3ガスによって、画素電極１３の表面に付着した有機汚染物等を分解することによって行われる。原料ガス量、オゾンガス濃度、洗浄チャンバ内雰囲気等は適宜に定められてよい。
なお、このＩＴＯからなる画素電極１３を形成する前には、前記反射層３４の上に、ＳｉＮ等からなる電食防止用の薄膜が形成されてもよい。この薄膜の厚さは、例えば５０ｎｍ程度とするとよい。
この画素電極１３は、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法等で膜厚１０〜２００ｎｍ程度となるように形成されたＩＴＯの原膜に対して、フォトリソグラフィ及び酸性の混合液等を用いたパターニング処理を実施することによって形成される。
この画素電極１３の形成後は、その表面につき予備洗浄及び本洗浄処理が行われる。予備洗浄は、例えば中性洗剤による洗浄、あるいは蒸留水、アセトン、エタノール等を用いた超音波洗浄等によって行われる。また、本洗浄は、例えばオゾン洗浄等によって行われる。このオゾン洗浄は、例えば、原料ガスたるＯ2ガス及びＮ2ガスからオゾナイザー（オゾン生成装置）により生成したＯ3ガスによって、画素電極１３の表面に付着した有機汚染物等を分解することによって行われる。原料ガス量、オゾンガス濃度、洗浄チャンバ内雰囲気等は適宜に定められてよい。
なお、このＩＴＯからなる画素電極１３を形成する前には、前記反射層３４の上に、ＳｉＮ等からなる電食防止用の薄膜が形成されてもよい。この薄膜の厚さは、例えば５０ｎｍ程度とするとよい。
続いて、図６に示すように、第１正孔注入層１８１ａが形成される。
この第１正孔注入層１８１ａは、例えば、ＣＶＤ法等で膜厚１０〜２００ｎｍ程度となるように形成される。この第１正孔注入層１８１ａは、素子基板７面上、前述のように島状に形成された画素電極１３の全部を覆うように形成される。
なお、この第１正孔注入層１８１ａの形成は、前記画素電極１３の形成後、即座に行われることが好ましい。これにより、画素電極１３の洗浄後、当該画素電極１３の上に新たな汚染物が付着するおそれが少なくなるからである。
いずれにせよ、この第１正孔注入層１８１ａの形成によって、画素電極１３の表面は、汚染物の付着という観点からみた、一応の保護を得る。
この第１正孔注入層１８１ａは、例えば、ＣＶＤ法等で膜厚１０〜２００ｎｍ程度となるように形成される。この第１正孔注入層１８１ａは、素子基板７面上、前述のように島状に形成された画素電極１３の全部を覆うように形成される。
なお、この第１正孔注入層１８１ａの形成は、前記画素電極１３の形成後、即座に行われることが好ましい。これにより、画素電極１３の洗浄後、当該画素電極１３の上に新たな汚染物が付着するおそれが少なくなるからである。
いずれにせよ、この第１正孔注入層１８１ａの形成によって、画素電極１３の表面は、汚染物の付着という観点からみた、一応の保護を得る。
続いて、図７に示すように、赤色用の有機ＥＬ素子８Ｒに対応する第２正孔注入層１８１Ｒが形成される。
この第２正孔注入層１８１Ｒも、第１正孔注入層１８１ａと同様、ＣＶＤ法等で膜厚Ｄ１＝１０〜２００ｎｍ程度となるように形成される。ただし、この膜厚Ｄ１は、最終的に形成される発光機能層１８及び画素電極１３に係る光学的距離が、前述の式（１）及び式（２）に係る条件を満たすように定められる。また、この第２正孔注入層１８１Ｒを形成するための原材料は、第１正孔注入層１８１ａを形成するためのそれと同じである。
また、この第２正孔注入層１８１Ｒは、ある１群の画素電極１３についてのみ形成される（図４等参照）。その際、当該ある１群の画素電極１３の形成領域に対応する開口部をもつメタルマスクＭ１が利用されること等の堆積防止手段が用いられることによって、当該形成領域以外の領域について、第２正孔注入層１８１Ｒの原材料が堆積していくことが防止される。なお、堆積防止手段としては、例えば前記ある１群の画素電極１３の形成領域以外の領域にレジスト膜を形成しておく等のその他の方法が用いられてもよい。あるいは、場合によっては、堆積した後に、その堆積膜の除去が行われてもよい。
なお、この第２正孔注入層１８１Ｒの形成は、前記第１正孔注入層１８１ａの形成後、即座に行われることが好ましい。これにより、当該第１正孔注入層１８１ａ上に、新たな汚染物が付着するおそれが少なくなるからである。
この第２正孔注入層１８１Ｒも、第１正孔注入層１８１ａと同様、ＣＶＤ法等で膜厚Ｄ１＝１０〜２００ｎｍ程度となるように形成される。ただし、この膜厚Ｄ１は、最終的に形成される発光機能層１８及び画素電極１３に係る光学的距離が、前述の式（１）及び式（２）に係る条件を満たすように定められる。また、この第２正孔注入層１８１Ｒを形成するための原材料は、第１正孔注入層１８１ａを形成するためのそれと同じである。
また、この第２正孔注入層１８１Ｒは、ある１群の画素電極１３についてのみ形成される（図４等参照）。その際、当該ある１群の画素電極１３の形成領域に対応する開口部をもつメタルマスクＭ１が利用されること等の堆積防止手段が用いられることによって、当該形成領域以外の領域について、第２正孔注入層１８１Ｒの原材料が堆積していくことが防止される。なお、堆積防止手段としては、例えば前記ある１群の画素電極１３の形成領域以外の領域にレジスト膜を形成しておく等のその他の方法が用いられてもよい。あるいは、場合によっては、堆積した後に、その堆積膜の除去が行われてもよい。
なお、この第２正孔注入層１８１Ｒの形成は、前記第１正孔注入層１８１ａの形成後、即座に行われることが好ましい。これにより、当該第１正孔注入層１８１ａ上に、新たな汚染物が付着するおそれが少なくなるからである。
続いて、図８に示すように、赤色用の有機ＥＬ素子８Ｒに対応する正孔輸送層１８２以下、赤色用の発光層１８３Ｒを含んで、対向電極５までが形成される。これらのいずれの成膜においても、既知であるところの、例えば、乾式成膜法たるＰＶＤ法、ＣＶＤ法やスパッタ法、あるいは湿式成膜法たる液滴塗布法（インクジェット法）等の成膜方法や、あるいはフォトリソグラフィ法等が適宜利用される。これにより、発光機能層１８が形作られ、また、この発光機能層１８、対向電極５及び画素電極１３からなる有機ＥＬ素子８Ｒが形作られる。
ところで、この際、有機ＥＬ素子８Ｒが構築されていく当の領域を除いた領域では、前述のようなメタルマスクＭ１が仮に存在したとしても、その構築が完了するまで、いわばほったらかしの状態で放置されることになる。すると、その結果、図８に併せて示すように、第１正孔注入層１８１ａの上に、例えばチャンバ内に浮遊し、あるいはチャンバ内壁等から飛散してきた汚染物Ｐｘが付着する、などという事象が発生するおそれが常にある。
特に、例えば赤色用発光層１８３Ｒが、前記液滴塗布法（インクジェット法）等のウェットプロセスによって形成される場合は、その液滴の乾燥工程が必要となるため、対向電極５の形成に至るまで、比較的長い時間がかかることが想定される。そうすると、前記の汚染物Ｐｘが第１正孔注入層１８１ａの上に付着するおそれは相対的に高くなる。
ところで、この際、有機ＥＬ素子８Ｒが構築されていく当の領域を除いた領域では、前述のようなメタルマスクＭ１が仮に存在したとしても、その構築が完了するまで、いわばほったらかしの状態で放置されることになる。すると、その結果、図８に併せて示すように、第１正孔注入層１８１ａの上に、例えばチャンバ内に浮遊し、あるいはチャンバ内壁等から飛散してきた汚染物Ｐｘが付着する、などという事象が発生するおそれが常にある。
特に、例えば赤色用発光層１８３Ｒが、前記液滴塗布法（インクジェット法）等のウェットプロセスによって形成される場合は、その液滴の乾燥工程が必要となるため、対向電極５の形成に至るまで、比較的長い時間がかかることが想定される。そうすると、前記の汚染物Ｐｘが第１正孔注入層１８１ａの上に付着するおそれは相対的に高くなる。
続いて、図９に示すように、緑色用の有機ＥＬ素子８Ｇに対応する第２正孔注入層１８１Ｇが形成される。
この第２正孔注入層１８１Ｇの形成手法や、膜厚Ｄ２について考慮すべき事項等は、前記の第１正孔注入層１８１Ｒの場合と基本的に同様である。特に、この第２正孔注入層１８１Ｇを形成するための原材料は、前記第１正孔注入層１８１ａを形成するためのそれと同じである（なお、メタルマスクＭ１を用いる場合、その位置は、図９及び図８の対比からわかるように改めて設定され直される。）
これによると、図９に示すように、仮に、前述したような汚染物Ｐｘが存在したとしても、それは両者ともに同じ材料からなる第１・第２正孔注入層１８１ａ・１８１Ｇによって挟み込まれて、いわば覆い隠されるようになる。
この第２正孔注入層１８１Ｇの形成手法や、膜厚Ｄ２について考慮すべき事項等は、前記の第１正孔注入層１８１Ｒの場合と基本的に同様である。特に、この第２正孔注入層１８１Ｇを形成するための原材料は、前記第１正孔注入層１８１ａを形成するためのそれと同じである（なお、メタルマスクＭ１を用いる場合、その位置は、図９及び図８の対比からわかるように改めて設定され直される。）
これによると、図９に示すように、仮に、前述したような汚染物Ｐｘが存在したとしても、それは両者ともに同じ材料からなる第１・第２正孔注入層１８１ａ・１８１Ｇによって挟み込まれて、いわば覆い隠されるようになる。
以後、この緑色用の有機ＥＬ素子８Ｇに対応する正孔輸送層１８２以下、緑色用の発光層１８３Ｇを含んで、対向電極５までが、赤色用の有機ＥＬ素子８Ｒにおけるのと同様に形成される（図９では不図示）。
また、このようにして、緑色用の有機ＥＬ素子８Ｇの構築が完了した後には、続いて青色用の有機ＥＬ素子８Ｂが構築される。この手順は、基本的に、緑色用の有機ＥＬ素子８Ｇの構築手順と全く同じである。この点についての図示はしないが、例えば、図９中の左方が構築完了した緑色用の有機ＥＬ素子“８Ｇ”であり、その右方が構築開始後の青色用の有機ＥＬ素子“８Ｂ”であるとみなせば、青色用の有機ＥＬ素子８Ｂの構築手順も実質的には図示されているといえる。
なお、最終的には、既に参照した図４あるいは図３に示すように、膜厚Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３（Ｄ１＞Ｄ２＞Ｄ３）をもつ第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂによって、その各々が異なる光学的距離ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３をもつ光共振器を含む有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂが製造される。
また、このようにして、緑色用の有機ＥＬ素子８Ｇの構築が完了した後には、続いて青色用の有機ＥＬ素子８Ｂが構築される。この手順は、基本的に、緑色用の有機ＥＬ素子８Ｇの構築手順と全く同じである。この点についての図示はしないが、例えば、図９中の左方が構築完了した緑色用の有機ＥＬ素子“８Ｇ”であり、その右方が構築開始後の青色用の有機ＥＬ素子“８Ｂ”であるとみなせば、青色用の有機ＥＬ素子８Ｂの構築手順も実質的には図示されているといえる。
なお、最終的には、既に参照した図４あるいは図３に示すように、膜厚Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３（Ｄ１＞Ｄ２＞Ｄ３）をもつ第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂによって、その各々が異なる光学的距離ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３をもつ光共振器を含む有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂが製造される。
以上述べたような有機ＥＬ装置の構成及び製造方法によれば、次のような効果が奏される。
（１） まず、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００に含まれる有機ＥＬ素子８は、比較的高い発光効率で発光し、あるいは、比較的長い寿命をもつ。というのも、当該有機ＥＬ素子８を構成する発光機能層１８及び画素電極１３の界面間（あるいは、発光機能層１８内の各層界面間等）における汚染物が、当該発光機能層１８等に悪影響を及ぼす可能性が極めて少ないからである。
これは、前述のように、第１正孔注入層１８１ａが形成されることによって、全画素電極１３の表面が製造途上において汚染物からの一応の保護を得、なお更に、この第１正孔注入層１８１ａの上に、第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂが形成されることによって、汚染物がいわば封じ込められるようになっていることによる。これにより、画素電極１３の表面に洗浄し切れなかった汚染物がなお存在し、あるいは、第１正孔注入層１８１ａの上に汚染物が存在したとしても、それが、例えば画素電極１３と発光機能層１８間の乖離を促進する等といった様々な悪影響を及ぼすまでには至らないのである。
（１） まず、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００に含まれる有機ＥＬ素子８は、比較的高い発光効率で発光し、あるいは、比較的長い寿命をもつ。というのも、当該有機ＥＬ素子８を構成する発光機能層１８及び画素電極１３の界面間（あるいは、発光機能層１８内の各層界面間等）における汚染物が、当該発光機能層１８等に悪影響を及ぼす可能性が極めて少ないからである。
これは、前述のように、第１正孔注入層１８１ａが形成されることによって、全画素電極１３の表面が製造途上において汚染物からの一応の保護を得、なお更に、この第１正孔注入層１８１ａの上に、第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂが形成されることによって、汚染物がいわば封じ込められるようになっていることによる。これにより、画素電極１３の表面に洗浄し切れなかった汚染物がなお存在し、あるいは、第１正孔注入層１８１ａの上に汚染物が存在したとしても、それが、例えば画素電極１３と発光機能層１８間の乖離を促進する等といった様々な悪影響を及ぼすまでには至らないのである。
（２） 特に、本実施形態においては、第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂが、第１正孔注入層１８１ａと同じ材料からなるため、前記の効果はより実効的に享受される。これは、例えば両者が違う材料から作られる場合を想定すると、その間に正孔輸送率の相違があったり、あるいは、両者間の密着性に問題が生じたり、等々の問題が生じ得ることと対比するとよりはっきりする。
結局、本実施形態によれば、汚染物が効果的に封じ込められるとともに、有機ＥＬ素子８の本来の発光特性等にも悪影響を及ぼさないなど、二重三重の効果が享受可能となっている。
結局、本実施形態によれば、汚染物が効果的に封じ込められるとともに、有機ＥＬ素子８の本来の発光特性等にも悪影響を及ぼさないなど、二重三重の効果が享受可能となっている。
以上の（１）及び（２）に係る効果は、例えば図１０及び図１１を参照するとより明瞭に把握される。図１０は、第１正孔注入層１８１ａ形成後、第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇを形成せずに、いきなり正孔輸送層１８２以下を形成する場合、図１１は、第１正孔注入層１８１ａを形成せずに第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ以下を形成する場合を例示している。前者（図１０）では、画素電極１３の表面における汚染物から発光機能層を防御する効果は、第１正孔注入層１８１ａの存在によって一定程度期待することはできるが、当該第１正孔注入層１８１ａ上に存在する汚染物Ｐｘからの防御効果はさして期待することはできない。また、後者（図１１）では、画素電極１３の表面に残存し、あるいは新たに付着した汚染物Ｐｘ’から発光機能層を防御する効果は期待することができない。
（３） しかも、本実施形態において、前記第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂは、光共振器の光学的距離を調整するための主要な要素となっている。つまり、一見すると、第１正孔注入層１８１ａと第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂとを分けて形成することは無駄のように見えるが、後者の形成には、汚染物封じ込めという意義のほかに、有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂごとに最適な共振器を構成するという意義が与えられていることから、その形成には、むしろ積極的に意味がある。各色に最適な共振器を構成しようとすれば、第２正孔注入層１８１Ｒ等で膜厚調整をしないこととしても、何らかの層の膜厚等を有機ＥＬ素子８ごとに変化させる必要があることからすると、本実施形態におけるような形成態様は、前述の２つの効果を同時に享受するための最適な例の１つを提供していると言える。
なお、好適な光学的距離をもつ光共振器を構成するためには、例えば前述のように発光層１８３Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｂの膜厚や、あるいは、画素電極１３の膜厚を調整する等という手法もあり、本発明は、そのような膜厚調整を伴う場合を積極的に排除するわけではないが、画素電極１３の膜厚を厚くすると、有機ＥＬ素子８の駆動特性（例えば、画素電極１３及び対向電極５間電圧等）に比較的大きな影響が及ぶ場合があり、かかる手法は必ずしも最善の策を提供するとはいえない。
このような観点からすると、本実施形態のように、正孔注入層の膜厚を調整する手法は、当該駆動特性に与える影響が比較的少ないと考えられることから、より一層好適な一例を提供するものといえる。
このような観点からすると、本実施形態のように、正孔注入層の膜厚を調整する手法は、当該駆動特性に与える影響が比較的少ないと考えられることから、より一層好適な一例を提供するものといえる。
＜実施例＞
以下では、上に述べた効果をより実際的に確認する実施例について説明する。
実施例１に係る有機ＥＬ装置を以下のように製造した。
すなわち、前記の第１正孔注入層１８１ａの材料として出光興産製ＨＩ４０６、第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂの材料として同じく出光興産製ＨＩ４０６を用いた。また、前者の膜厚は１０ｎｍ、後者のうち第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂそれぞれの膜厚は３０ｎｍ、２０ｎｍ、１０ｎｍ、である。これらを含め、その他の各層の材料、膜厚を以下の表１にまとめる。
以下では、上に述べた効果をより実際的に確認する実施例について説明する。
実施例１に係る有機ＥＬ装置を以下のように製造した。
すなわち、前記の第１正孔注入層１８１ａの材料として出光興産製ＨＩ４０６、第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂの材料として同じく出光興産製ＨＩ４０６を用いた。また、前者の膜厚は１０ｎｍ、後者のうち第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂそれぞれの膜厚は３０ｎｍ、２０ｎｍ、１０ｎｍ、である。これらを含め、その他の各層の材料、膜厚を以下の表１にまとめる。
この表１において、発光層１８３Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｇの材料はすべて出光興産製である。また、表１中、「＋１５分」「＋３０分」とある記載は、前述した製造方法に従って各層を形成していく場合の経過時間を表現している。すなわち、「＋１５分」は、第１正孔注入層１８１ａの形成後、第２正孔注入層１８１Ｒの形成開始に至るまでにおいて、前記メタルマスクＭ１のアライメント等の準備作業のため、約１５分の時間経過があったことを示している。
また、図中左方の「＋３０分」は、赤色用の有機ＥＬ素子８Ｒの対向電極５の形成後、第２正孔注入層１８１Ｇの形成開始に至るまで、約３０分の時間経過があったことを、図中右方の「＋３０分」は、緑色用の有機ＥＬ素子８Ｇの対向電極５の形成後、第２正孔注入層１８１Ｂの形成開始に至るまで、約３０分の時間経過があったことを、それぞれ示している。第１正孔注入層１８１ａの形成完了時を基準とすれば、第２正孔注入層１８１Ｇの形成開始に至るまでは約４５分の時間経過、第２正孔注入層１８１Ｂの形成開始に至るまでは約１時間１５分の時間経過、ということになる。つまり、これだけの時間、いわばほったらかしだったのである。
なお、実施例１において、画素電極１３の表面の洗浄処理後、第１正孔注入層１８１ａの形成開始に至るまでの経過時間は、およそ５分であった。
また、図中左方の「＋３０分」は、赤色用の有機ＥＬ素子８Ｒの対向電極５の形成後、第２正孔注入層１８１Ｇの形成開始に至るまで、約３０分の時間経過があったことを、図中右方の「＋３０分」は、緑色用の有機ＥＬ素子８Ｇの対向電極５の形成後、第２正孔注入層１８１Ｂの形成開始に至るまで、約３０分の時間経過があったことを、それぞれ示している。第１正孔注入層１８１ａの形成完了時を基準とすれば、第２正孔注入層１８１Ｇの形成開始に至るまでは約４５分の時間経過、第２正孔注入層１８１Ｂの形成開始に至るまでは約１時間１５分の時間経過、ということになる。つまり、これだけの時間、いわばほったらかしだったのである。
なお、実施例１において、画素電極１３の表面の洗浄処理後、第１正孔注入層１８１ａの形成開始に至るまでの経過時間は、およそ５分であった。
他方、前記実施例１と比較するための比較例１に係る有機ＥＬ装置も製造した。この比較例１の構造は、前述の実施例１の構造から、第１正孔注入層１８１ａが存在しないことを除いて全く同じである（前述の図１１参照）。つまり、比較例１は、第１正孔注入層１８１ａを形成することなく、画素電極１３上にいきなり第２正孔注入層１８１Ｒ以下を形成していくような形態をもつ。
この際、前述した「＋１５分」等の時間経過過程は実施例１と平仄を合わせるようにした。すなわち、画素電極１３の表面の洗浄処理完了時を基準として、第２正孔注入層１８１Ｒの形成開始に至るまでの経過時間は約１５分、第２正孔注入層１８１Ｇのそれは約４５分、第２正孔注入層１８１Ｇのそれは約１時間１５分である。
この際、前述した「＋１５分」等の時間経過過程は実施例１と平仄を合わせるようにした。すなわち、画素電極１３の表面の洗浄処理完了時を基準として、第２正孔注入層１８１Ｒの形成開始に至るまでの経過時間は約１５分、第２正孔注入層１８１Ｇのそれは約４５分、第２正孔注入層１８１Ｇのそれは約１時間１５分である。
以下に示す表２は、これら実施例１及び比較例１に係る有機ＥＬ装置において各色の有機ＥＬ素子８の発光寿命を計測した結果である。
表２において、発光寿命は、輝度半減期（電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２）で計られている。
このように、実施例１では赤色、緑色及び青色いずれの有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂの発光寿命も長期化していることがわかる（それぞれ、約１．３倍、約２倍、約４倍である。）。
表２において、発光寿命は、輝度半減期（電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２）で計られている。
このように、実施例１では赤色、緑色及び青色いずれの有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂの発光寿命も長期化していることがわかる（それぞれ、約１．３倍、約２倍、約４倍である。）。
以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る有機ＥＬ装置は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
（１） 上記実施形態では、第１正孔注入層１８１ａが全画素電極１３を覆うように形成され、かつ、第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂが各有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂに対応するように形成される例について説明しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、図１２に示すような、第１正孔輸送層１８２ａ及び第２正孔輸送層１８２Ｒ，１８２Ｇ，１８２Ｂが形成されてもよい。この場合、前者の第１正孔輸送層１８２ａは、上記実施形態における第１正孔注入層１８１ａに相当する役割を果たし、後者の第２正孔輸送層１８２Ｒ，１８２Ｇ，１８２Ｂは、第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂに相当する役割を果たす。なお、図１２においては、正孔注入層１８１が、上記実施形態の第１正孔注入層１８１ａと同様、全画素電極１３を覆うように形成されている。したがって、この図１２においては、第１正孔輸送層１８２ａが、上記実施形態における第１正孔注入層１８１ａと同様、画素電極１３の表面をいち早く保護する機能をもつとともに、正孔注入層１８１もまた、これと同様の機能をもつことになる。要するに、この態様によれば、画素電極１３等の表面に存在する汚染物の封じ込めがより確実になされ得る。
（１） 上記実施形態では、第１正孔注入層１８１ａが全画素電極１３を覆うように形成され、かつ、第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂが各有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂに対応するように形成される例について説明しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、図１２に示すような、第１正孔輸送層１８２ａ及び第２正孔輸送層１８２Ｒ，１８２Ｇ，１８２Ｂが形成されてもよい。この場合、前者の第１正孔輸送層１８２ａは、上記実施形態における第１正孔注入層１８１ａに相当する役割を果たし、後者の第２正孔輸送層１８２Ｒ，１８２Ｇ，１８２Ｂは、第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂに相当する役割を果たす。なお、図１２においては、正孔注入層１８１が、上記実施形態の第１正孔注入層１８１ａと同様、全画素電極１３を覆うように形成されている。したがって、この図１２においては、第１正孔輸送層１８２ａが、上記実施形態における第１正孔注入層１８１ａと同様、画素電極１３の表面をいち早く保護する機能をもつとともに、正孔注入層１８１もまた、これと同様の機能をもつことになる。要するに、この態様によれば、画素電極１３等の表面に存在する汚染物の封じ込めがより確実になされ得る。
このような形態に係る有機ＥＬ装置（「実施例２」という。）を、前記の表１の実施例１と同様、以下に示す表３のように製造した。
また、前記実施例２と比較するための比較例２に係る有機ＥＬ装置も製造した。この比較例２の構造は、実施例２の構造から、第１正孔輸送層１８２ａが存在しないことを除いて全く同じである（前述の図１２参照）。つまり、比較例２は、第１正孔輸送層１８２ａを形成することなく、正孔注入層１８１上にいきなり第２正孔輸送層１８２Ｒ以下を形成していくような形態をもつ。
この際、表３中の「＋１５分」等の時間経過過程は実施例２と平仄を合わせるようにした。すなわち、正孔注入層１８１の形成完了時を基準として、第２正孔輸送層１８２Ｒの形成開始に至るまでの経過時間は約１５分、第２正孔輸送層１８２Ｇのそれは約４５分、第２正孔輸送層１８２Ｇのそれは約１時間１５分である。
この際、表３中の「＋１５分」等の時間経過過程は実施例２と平仄を合わせるようにした。すなわち、正孔注入層１８１の形成完了時を基準として、第２正孔輸送層１８２Ｒの形成開始に至るまでの経過時間は約１５分、第２正孔輸送層１８２Ｇのそれは約４５分、第２正孔輸送層１８２Ｇのそれは約１時間１５分である。
以下に示す表４は、これら実施例２及び比較例２に係る有機ＥＬ装置において各色の有機ＥＬ素子８の発光寿命を計測した結果である。
このように、実施例２でも、赤色、緑色及び青色いずれの有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂの発光寿命が長期化していることがわかる（それぞれ、約１．３倍、約２倍、約４倍である。）。
このように、実施例２でも、赤色、緑色及び青色いずれの有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂの発光寿命が長期化していることがわかる（それぞれ、約１．３倍、約２倍、約４倍である。）。
（２） 上記実施形態では、対向電極５が、有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂごとに分断されるように形成されているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、図１３に示すように、全有機ＥＬ素子８に対応するような、あるいは、素子基板７の全面を覆うような対向電極５Ｂが形成されてよい。なお、図１３は、たまたま、前記の図１２に示した第１正孔輸送層１８２ａ等を含む態様を前提としているが、対向電極５Ｂは、図４等に示した第１正孔注入層１８１ａ等を含む態様に関して形成されてよいことは言うまでもない。
例えば、図１３に示すように、全有機ＥＬ素子８に対応するような、あるいは、素子基板７の全面を覆うような対向電極５Ｂが形成されてよい。なお、図１３は、たまたま、前記の図１２に示した第１正孔輸送層１８２ａ等を含む態様を前提としているが、対向電極５Ｂは、図４等に示した第１正孔注入層１８１ａ等を含む態様に関して形成されてよいことは言うまでもない。
（３） 上記実施形態では、発光層１８３Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｂが、有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂに対応するように形成されているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、図１４に示すように、全有機ＥＬ素子８に共通するような、あるいは、素子基板７の全面を覆うような発光層１８３が形成されてよい。この場合のような発光層１８３は、例えば一様に白色光を発する。
なお、この図１４においては、上記実施形態、あるいは図１２に示した形態とも異なって、第２正孔注入層１８１Ｒ等、あるいは第２正孔輸送層１８２Ｒ等に代えて、第１電子輸送層１８４ａ及び第２電子輸送層１８４Ｒ，１８４Ｇ，１８４Ｂが形成されている。前者の第１電子輸送層１８４ａは、上記実施形態における第１正孔注入層１８１ａに相当する役割を果たし、後者の第２正孔輸送層１８４Ｒ，１８４Ｇ，１８４Ｂは、第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂに相当する役割を果たす。例えば、第２電子輸送層１８４Ｒ，１８４Ｇ，１８４Ｂは、その膜厚が各々適当に設定されることによって、各色に適応的な光学的距離をもつ光共振器の一部を構成する。また、もちろん、第２電子輸送層１８４Ｒ，１８４Ｇ，１８４Ｂは、これらがないとした場合における電子輸送層及び電子注入層間の界面における汚染物の悪影響を遮断する機能をも果たす。要するに、このような形態であっても、上記実施形態によって奏された作用効果と本質的に異ならない作用効果が奏される。
例えば、図１４に示すように、全有機ＥＬ素子８に共通するような、あるいは、素子基板７の全面を覆うような発光層１８３が形成されてよい。この場合のような発光層１８３は、例えば一様に白色光を発する。
なお、この図１４においては、上記実施形態、あるいは図１２に示した形態とも異なって、第２正孔注入層１８１Ｒ等、あるいは第２正孔輸送層１８２Ｒ等に代えて、第１電子輸送層１８４ａ及び第２電子輸送層１８４Ｒ，１８４Ｇ，１８４Ｂが形成されている。前者の第１電子輸送層１８４ａは、上記実施形態における第１正孔注入層１８１ａに相当する役割を果たし、後者の第２正孔輸送層１８４Ｒ，１８４Ｇ，１８４Ｂは、第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂに相当する役割を果たす。例えば、第２電子輸送層１８４Ｒ，１８４Ｇ，１８４Ｂは、その膜厚が各々適当に設定されることによって、各色に適応的な光学的距離をもつ光共振器の一部を構成する。また、もちろん、第２電子輸送層１８４Ｒ，１８４Ｇ，１８４Ｂは、これらがないとした場合における電子輸送層及び電子注入層間の界面における汚染物の悪影響を遮断する機能をも果たす。要するに、このような形態であっても、上記実施形態によって奏された作用効果と本質的に異ならない作用効果が奏される。
あるいは、図１５においては、図１４における第１電子輸送層１８４ａに代えて第１電子注入層１８５ａが形成され、第２電子輸送層１８４Ｒ，１８４Ｇ，１８４Ｂに代えて、第２電子注入層１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂが形成されている。これによっても、上記実施形態によって奏された作用効果と本質的に異ならない作用効果が奏されることは明白である。
（４） 上記実施形態の有機ＥＬ装置１００は、図３に示したように、素子基板７の側から見て、順に、反射層３４、画素電極１３、発光機能層１８、及び対向電極５、という積層構造をもち、かつ、このうちの対向電極５は、本発明にいう「半透明半反射層」としての機能をもつ、という構成をもっているが、本発明は、かかる形態に限定されるわけでは勿論ない。
例えば、本発明は、ボトムエミッション型、あるいはデュアルエミッション型の有機ＥＬ装置に対して適用可能である。このような場合、本発明にいう「反射層」及び「半透明半反射層」と「基板」との配置関係は上記実施形態とは異なることとなって、図３の構造はとり得ない場合がありえ、また、図３に示す対向電極５が半透明半反射機能をもつことが不都合となる、などといった様々な変更必要点が生じることになる。が、例えば、ボトムエミッション型を前提とすれば、当該対向電極５に本発明にいう「反射層」としての機能を兼ねさせる、等々の適当な変更を上記実施形態に加えれば、容易に本発明の適用が可能である。
いずれにせよ、上記実施形態は、本発明の一具体例を呈示しているに止まる。
なお、上記実施形態のように、対向電極５が「半透明半反射層」としての機能をもつ場合は、「発光素子」の構成要素である対向電極５が、同時に、共振器の構成要素である「半透明半反射層」を兼ねているということができるが、このような態様であっても、本発明において、「半透明半反射層」が、「基板の法線方向に沿ってみて…発光素子…の他方の側に配置され」る、といわれる場合に該当する。前述した、対向電極５が「反射層」を兼ねる場合も同様に、「反射層」が、「基板の法線方向に沿ってみて…発光素子の一方の側に配置され」る、といわれる場合に該当する。
例えば、本発明は、ボトムエミッション型、あるいはデュアルエミッション型の有機ＥＬ装置に対して適用可能である。このような場合、本発明にいう「反射層」及び「半透明半反射層」と「基板」との配置関係は上記実施形態とは異なることとなって、図３の構造はとり得ない場合がありえ、また、図３に示す対向電極５が半透明半反射機能をもつことが不都合となる、などといった様々な変更必要点が生じることになる。が、例えば、ボトムエミッション型を前提とすれば、当該対向電極５に本発明にいう「反射層」としての機能を兼ねさせる、等々の適当な変更を上記実施形態に加えれば、容易に本発明の適用が可能である。
いずれにせよ、上記実施形態は、本発明の一具体例を呈示しているに止まる。
なお、上記実施形態のように、対向電極５が「半透明半反射層」としての機能をもつ場合は、「発光素子」の構成要素である対向電極５が、同時に、共振器の構成要素である「半透明半反射層」を兼ねているということができるが、このような態様であっても、本発明において、「半透明半反射層」が、「基板の法線方向に沿ってみて…発光素子…の他方の側に配置され」る、といわれる場合に該当する。前述した、対向電極５が「反射層」を兼ねる場合も同様に、「反射層」が、「基板の法線方向に沿ってみて…発光素子の一方の側に配置され」る、といわれる場合に該当する。
＜応用＞
次に、本発明に係る発光装置を適用した電子機器について説明する。
図１６は、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての有機ＥＬ装置１００と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
図１７に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置１００に表示される画面がスクロールされる。
図１８に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬ装置１００に表示される。
次に、本発明に係る発光装置を適用した電子機器について説明する。
図１６は、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての有機ＥＬ装置１００と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
図１７に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置１００に表示される画面がスクロールされる。
図１８に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬ装置１００に表示される。
本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図１６から図１８に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
７……素子基板、８，８Ｒ，８Ｇ，８Ｂ……有機ＥＬ素子、１３……画素電極、１８……発光機能層、５，５Ｂ……対向電極、３４……反射層、１８１ａ……第１正孔注入層、１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂ……第２正孔注入層、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３……（第２正孔注入層１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８１Ｂの）膜厚、１８２……正孔輸送層、１８３Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｂ……発光層、１８４……電子輸送層、１８５……電子注入層
１８２ａ……第１正孔輸送層、１８２Ｒ，１８２Ｇ，１８２Ｂ……第２正孔輸送層、１８４ａ……第１電子輸送層、１８４Ｒ，１８４Ｇ，１８４Ｂ……第２電子輸送層、１８５ａ……第１電子注入層、１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂ……第２電子注入層
１８２ａ……第１正孔輸送層、１８２Ｒ，１８２Ｇ，１８２Ｂ……第２正孔輸送層、１８４ａ……第１電子輸送層、１８４Ｒ，１８４Ｇ，１８４Ｂ……第２電子輸送層、１８５ａ……第１電子注入層、１８５Ｒ，１８５Ｇ，１８５Ｂ……第２電子注入層
Claims (14)
- 基板上に第１層を形成する工程と、
前記第１層の上かつ前記基板面内の第１位置に、第１‐２層（以下、「第Ａ-Ｂ層」とは、第Ａ位置における第Ｂ層ということを意味する。）を形成する工程と、
前記第１層の上かつ前記基板面内の第２位置に、前記第１層と同じ材料からなる第２‐２層を形成する工程と、
前記第２‐２層の上に、前記第１‐２層が果たす機能と同等の機能を果たす第２‐３層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする基板装置の製造方法。 - 請求項１に記載の基板装置の製造方法を用いた発光装置の製造方法であって、
前記第１及び第２位置に第１電極層を形成する工程と、
前記第１電極層の表面を洗浄する工程と、
前記第１電極層を覆うように、前記第１層として第１正孔注入層を形成する工程と、
前記第１‐２層として第１発光層を形成する工程と、
前記第２‐２層として第２正孔注入層を形成する工程と、
前記第２‐３層として第２発光層を形成する工程と、
前記第１及び第２位置に又はこれらの位置を含む領域を覆うように、かつ、前記第１及び第２発光層の上に、第２電極層を形成する工程と、
によって、
少なくとも前記第１及び第２電極層並びにこれらに挟持される前記第１及び第２発光層からなる、少なくとも２つの発光素子を製造する工程、
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記第１及び第２正孔注入層に代えて、
前記第１層として第１正孔輸送層を形成する工程と、
前記第２‐２層として第２正孔輸送層を形成する工程と、
を含む
ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置の製造方法。 - 前記基板面内の第３位置に、前記第１層としての第１正孔注入層又は第１正孔輸送層と同じ材料からなる、第３正孔注入層又は第３正孔輸送層を形成する工程と、
当該層の上に、第３‐３層として第３発光層を形成する工程と、
を更に含み、
前記第２電極層は、前記第１及び第２位置に加えて、前記第３位置にも又はこの位置をも含む領域を覆うように、形成され、
前記２つの発光素子に加えて、少なくとも前記第１及び第２電極層並びにこれらに挟持される前記第３発光層からなる、３つ目の発光素子を製造する、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の発光装置の製造方法。 - 前記第１、第２及び第３発光層は、
それぞれ異なる色をもつ光を発し、かつ、
それらそれぞれの膜厚は相互に異なり又はその全部又は一部が一致する、
ことを特徴とする請求項４に記載の発光装置の製造方法。 - 前記第１、第２及び第３発光層は、
すべて同じ材料からなり、かつ、
それらそれぞれの膜厚は相互に異なる、
ことを特徴とする請求項４に記載の発光装置の製造方法。 - 前記基板の法線方向に沿ってみて前記発光素子の一方の側に配置され、当該発光素子から発せられた光を反射するための反射層を形成する工程と、
その他方の側に配置され、前記光の一部を反射し他の部分を透過させるための半透明半反射層を形成する工程と、
を含み、
前記膜厚は、
前記発光素子の各々について、
前記反射層及び前記半透明半反射層間の光学的距離が所定値をとるように、定められる、
ことを特徴とする請求項５又は６に記載の発光装置の製造方法。 - 前記基板の法線方向に沿ってみて前記発光素子の一方の側に配置され、当該発光素子から発せられた光を反射するための反射層を形成する工程と、
その他方の側に配置され、前記光の一部を反射し他の部分を透過させるための半透明半反射層を形成する工程と、
を含み、
前記正孔注入層、又は、前記正孔輸送層の膜厚は、
前記発光素子の各々について、
前記反射層及び前記半透明半反射層間の光学的距離が所定値をとるように、定められる、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。 - 請求項１に記載の基板装置の製造方法を用いた発光装置の製造方法であって、
前記第１及び第２位置に第３電極層を形成する工程と、
前記第３電極層の表面を洗浄する工程と、
前記第３電極層の上に発光層を形成する工程と、
前記発光層を覆うように、前記第１層として第１電子注入層を形成する工程と、
前記第１‐２層として第４電極層を形成する工程と、
前記第２‐２層として第２電子注入層を形成する工程と、
前記第２‐３層として第５電極層を形成する工程と、
によって、
少なくとも前記第３電極層と前記第４及び第５電極層、並びにこれら第３電極層と第４及び第５電極層とによって挟持される前記発光層からなる、少なくとも２つの発光素子を製造する工程、
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記第１及び第２電子注入層に代えて、
前記第１層として第１電子輸送層を形成する工程と、
前記第２‐２層として第２電子輸送層を形成する工程と、
を含む
ことを特徴とする請求項９に記載の発光装置の製造方法。 - 前記基板の法線方向に沿ってみて前記発光素子の一方の側に配置され、当該発光素子から発せられた光を反射するための反射層を形成する工程と、
その他方の側に配置され、前記光の一部を反射し他の部分を透過させるための半透明半反射層を形成する工程と、
を含み、
前記電子注入層、又は、前記電子輸送層の膜厚は、
前記発光素子の各々について、
前記反射層及び前記半透明半反射層間の光学的距離が所定値をとるように、定められる、
ことを特徴とする請求項９又は１０に記載の発光装置の製造方法。 - 基板と、
基板上に形成された第１層と、
前記第１層の上かつ当該第１層面内の第１位置に形成された第１‐２層（以下、「第Ａ-Ｂ層」とは、第Ａ位置における第Ｂ層ということを意味する。）と、
前記第１層の上かつ当該第１層面内の第２位置に形成された、前記第１層と同じ材料からなる第２‐２層と、
前記第２‐２層の上に形成された、前記第１‐２層とは異なる材料からなる第２‐３層と、
を備えることを特徴とする基板装置。 - 請求項１２に記載の基板装置を含む発光装置であって、
前記第１及び第２位置に形成された第１電極層と、
前記第１電極層を覆うように、前記第１層として形成された第１正孔注入層と、
前記第１‐２層として形成された第１発光層と、
前記第２‐２層として形成された第２正孔注入層と、
前記第２‐３層として形成された第２発光層と、
前記第１及び第２位置に又はこれらの位置を含む領域を覆うように、かつ、前記第１及び第２発光層の上に、形成された第２電極層と、
によって、
少なくとも前記第１及び第２電極層並びにこれらに挟持される前記第１及び第２発光層からなる、少なくとも２つの発光素子、を含む、
ことを特徴とする発光装置。 - 請求項１３に記載の発光装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
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| JP2009004301A JP2010165461A (ja) | 2009-01-13 | 2009-01-13 | 基板装置、発光装置及びそれらの製造方法、並びに電子機器 |
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| JP (1) | JP2010165461A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012073269A1 (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-07 | パナソニック株式会社 | 有機elパネル、有機elパネルの製造方法、有機elパネルを用いた有機発光装置、及び有機elパネルを用いた有機表示装置 |
| JP2018055936A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 |
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-
2009
- 2009-01-13 JP JP2009004301A patent/JP2010165461A/ja not_active Withdrawn
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