CN107086238A - 电光学装置以及电子设备 - Google Patents

电光学装置以及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN107086238A
CN107086238A CN201710078043.5A CN201710078043A CN107086238A CN 107086238 A CN107086238 A CN 107086238A CN 201710078043 A CN201710078043 A CN 201710078043A CN 107086238 A CN107086238 A CN 107086238A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
sub
conductive layer
transistor
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710078043.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107086238B (zh
Inventor
腰原健
太田人嗣
野泽陵
野泽陵一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lumitec Display Technology Co ltd
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to CN202210110733.5A priority Critical patent/CN114447087A/zh
Publication of CN107086238A publication Critical patent/CN107086238A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107086238B publication Critical patent/CN107086238B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明涉及电光学装置以及电子设备。即使在沿横(左右)向排列至少一个颜色的子像素的情况下，也防止来自发光层的光照射到晶体管且防止各扫描线的选择时间变短。与作为沿行方向延伸的第一导电层的扫描线以及作为沿列方向延伸的第二导电层的数据传输线对应地具备R、G、B的子像素。各色的子像素中的多个晶体管沿列方向配置，至少一个颜色的子像素中的反射层以与各显示色的子像素的任意一个晶体管重叠的方式沿行方向配置。在反射层与晶体管之间以与晶体管重叠的方式沿行方向配置作为第四导电层的电源配线。作为将反射层与各显示色的子像素的任意一个晶体管连接的第五导电层的中继电极形成在形成有电源配线的层与反射层之间的层。

Description

电光学装置以及电子设备
技术领域
本发明涉及电光学装置以及电子设备的技术领域。
背景技术
近年来，在如头戴式显示器那样能够形成虚像的电子设备中，使用利用OLED(Organic Light Emitting Diode：有机发光二极管)来作为发光元件的电光学装置。在这种电光学装置中，如专利文献1所记载的那样，作为实现彩色显示的方法之一，提出一种使用彩色滤光片的方式。
该方式是使用发白色光的OLED作为光源，经由红色、绿色、蓝色这三原色的彩色滤光片而得到红色、绿色、蓝色的发光的方式。将OLED和三原色的任意一种颜色的滤光片组合来作为子像素，将三原色的子像素组合来作为像素。然后，将该像素排列为矩阵状来构成显示装置的画面，但作为该像素的排列方式，已知有沿画面的纵向(上下方向)或者横向(左右方向)排列相同颜色的子像素的方式。
然而，来自发白色光的OLED的发光是漫射光。另外，在OLED与彩色滤光片之间存在用于密封OLED的由无机膜或者树脂膜构成的具有厚度的透明层。因此，在彩色滤光片方式的电光学装置中存在如下问题：来自某个子像素的OLED的发光的一部分透过邻接的子像素的彩色滤光片，根据观察画面的角度而产生混色。
在沿画面的纵向(上下方向)排列相同颜色的子像素的方式中，即使从斜向观察画面，关于纵向也几乎不产生色差。另一方面，对于横(左右)向，在从斜向观察面板的情况下，红色与绿色混色后的光、红色与蓝色混色后的光、绿色与蓝色混色后的光等混色光被视觉确认，所以与从正面观察的情况相比，产生色差。
专利文献1提出了：沿横向(左右方向)排列红色和绿色的子像素的反射电极，并且相对于红色和绿色的子像素的反射电极沿纵向(上下方向)排列蓝色的子像素的反射电极。
专利文献1：日本特开2013-211147号公报
然而，在专利文献1所记载的电光学装置中，各种颜色的子像素用的扫描线沿纵向(上下方向)排列，在一水平扫描期间选择的扫描线数增加。其结果是，有可能一水平扫描期间中的各扫描线的选择时间变短，从数据传输线向像素的写入变难。
另外，如专利文献1那样，蓝色的子像素中的反射层的横向(左右方向)的宽度比红色的子像素与绿色的子像素结合而成的一像素中的横向(左右方向)的宽度短，所以有可能蓝色的光照射到晶体管，晶体管特性发生变化。
发明内容
本发明例如是鉴于上述课题而完成的，其课题在于提供一种即使在沿横(左右)向排列至少一个颜色的子像素的情况下，也能够防止来自发光层的光照射到晶体管且防止各扫描线的选择时间变短的电光学装置以及具备该电光学装置的电子设备。
为了解决上述课题，本发明的电光学装置的一方式的特征在于，具备：多个第一导电层，沿第一方向延伸；多个第二导电层，沿与上述第一方向交叉的第二方向延伸；以及多个子像素，同上述多个第一导电层与上述多个第二导电层的各个交叉对应地排列，上述多个子像素的各个子像素包括：发光元件的第三导电层；多个晶体管；第四导电层，被配置成与上述多个晶体管中的至少一个晶体管重叠；以及第五导电层，与上述多个晶体管中的至少一个晶体管电连接，并且被配置在上述第三导电层与上述第四导电层之间的层，上述多个晶体管被配置在上述第一方向的宽度比上述第二方向的宽度窄的像素电路区域的内部，上述多个第一导电层中的一个导电层与上述多个子像素中的在上述第一方向上相邻的两个子像素的各个子像素所包括的上述多个晶体管的至少一个电连接，对于上述多个子像素中的至少一个子像素的上述第三导电层而言，上述第一方向的宽度比上述第二方向的宽度宽，并且与上述多个晶体管中的至少一个晶体管以及上述第四导电层重叠。
根据该方式，另外，至少一个子像素中的发光元件的第三导电层例如反射层的第一方向的宽度比第二方向的宽度宽。例如，对于作为蓝色的显示色的子像素中的发光元件的第三导电层的一个例子的反射层而言，作为第一方向的一个例子的行方向的宽度比作为第二方向的一个例子的列方向的宽度宽。因此，在被设计成电光学装置的主光线较大地倾斜的方向成为第一方向的情况下，能够将相同颜色的子像素排列在显示面的第一方向。其结果是，提供一种即使从斜向观察显示面关于第一方向也几乎不产生色差的电光学装置。
并且，作为第三导电层的一个例子的反射层被配置成与至少一个晶体管以及上述第四导电层重叠。因此，来自发光层的光被作为第三导电层的一个例子的反射层遮挡，从而防止照射到晶体管。另外，第四导电层被配置成与上述多个晶体管中的至少一个晶体管重叠，第三导电层被配置成与第四导电层重叠。因此，来自发光层的光例如被作为第三导电层的一个例子的反射层遮挡，并且也被第四导电层遮挡，从而可靠地防止该光照射到晶体管。
并且，在第三导电层与第四导电层之间的层配置与上述多个晶体管中的至少一个晶体管电连接的第五导电层。因此，由作为与上述至少一个晶体管电连接且流动较大的电流的第五导电层的一个例子的中继电极产生的噪声被第四导电层遮挡，从而抑制对晶体管的影响。
在上述的电光学装置的一方式中，也可以：上述多个第一导电层是扫描线。根据该方式，由于各子像素中的多个晶体管被配置在上述第一方向的宽度比上述第二方向的宽度窄的像素电路区域的内部，所以能够使各子像素用的扫描线共用化。因此，不增加扫描线的数量而防止一个水平扫描期间中的各扫描线的选择时间变短。
在上述的电光学装置的一方式中，也可以：上述多个晶体管中的与上述第三导电层以及上述第四导电层重叠的上述晶体管是驱动晶体管。根据该方式，来自发光层的光被第三导电层以及第四导电层遮挡，从而防止照射到驱动晶体管，由此，不使驱动晶体管的特性变化。因此，稳定地驱动发光元件。
在上述的电光学装置的一方式中，也可以：上述第四导电层是与上述驱动晶体管连接的电源配线。根据该方式，来自发光层的光也被电源配线遮挡，从而防止照射到驱动晶体管。其结果是，不使驱动晶体管的特性变化而稳定地驱动发光元件。
在上述的电光学装置的一方式中，也可以：上述第四导电层是沿上述第一方向延伸的电源配线。根据该方式，来自发光层的光也被作为第四导电层的一个例子的电源配线遮挡，该电源配线存在于作为第一方向的一个例子的行方向，从而防止该光照射到晶体管。
在上述的电光学装置的一方式中，也可以：上述多个子像素中的至少两个子像素的上述第三导电层的面积相互不同，上述至少两个子像素的各个子像素的上述第五导电层被配置成与上述至少两个子像素的上述第三导电层中的面积最小的上述第三导电层重叠。根据该方式，能够缩短与各子像素的至少一个晶体管连接的第五导电层。因此，减少由流动较大的电流的第五导电层所引起的噪声，抑制该噪声对晶体管的影响。
在上述的电光学装置的一方式中，也可以：将上述多个子像素中的一个子像素的上述第五导电层与上述多个晶体管中的至少一个晶体管电连接的连接部位于上述一个子像素的上述第三导电层与在上述第一方向上同上述一个子像素邻接的子像素的上述第三导电层之间。根据该方式，能够使各子像素的与至少一个晶体管连接的第五导电层的长度均等化，防止由晶体管导致的驱动的偏差。
在上述的电光学装置的一方式中，也可以：将上述至少两个子像素的各个的上述第五导电层分别与上述多个晶体管中的至少一个晶体管电连接的连接部分别位于上述面积最小的上述第三导电层的上述第一方向的中心线上。根据该方式，能够使各子像素的与至少一个晶体管连接的第五导电层的长度最小。因此，减少由流动较大的电流的第五导电层产生的噪声，抑制该噪声对晶体管的影响。
在上述的电光学装置的一方式中，也可以：将上述至少两个子像素的各个的上述第五导电层分别与上述多个晶体管中的至少一个晶体管电连接的连接部分别被配置成在俯视时与上述面积最小的上述第三导电层重叠。根据该方式，能够缩短将各子像素的晶体管与第三导电层连接的第五导电层的长度。因此，减少噪声，抑制该噪声对晶体管的影响。
在上述的电光学装置的一方式中，也可以：将上述多个子像素中的一个子像素的上述第五导电层与上述多个晶体管中的至少一个晶体管电连接的连接部位于上述多个晶体管的上述第二方向上的端部以外的位置。根据该方式，能够使第三导电层和第五导电层的连接部与第三导电层的位置容易地相匹配。因此，能够进行通过一像素单位的像素内的第三导电层的对一像素单位的像素内的晶体管的遮光。
在上述的电光学装置的一方式中，也可以：上述多个子像素中的一个子像素的上述第五导电层与上述第二导电层形成在同一层，并且位于上述一个子像素的上述第二导电层与在上述第一方向上同上述一个子像素邻接的子像素的上述第二导电层之间。根据该方式，由于第五导电层与第二导电层形成在同一层，所以使第五导电层与第二导电层的形成工序简单化。另外，由于第五导电层位于在行方向上相邻的一个第二导电层与其它第二导电层之间，所以第五导电层与第二导电层之间的寄生电容与第二导电层串联连接，从而减少第二导电层的电容。
在上述的电光学装置的一方式中，也可以：上述第五导电层形成在与上述第二导电层不同的层。根据该方式，形成于第二导电层与上层之间的寄生电容与第二导电层串联连接，从而减少第二导电层的电容。
在上述的电光学装置的一方式中，也可以：对于上述多个子像素而言，将在上述第一方向上邻接的显示色不同的多个子像素作为一像素单位。根据该方式，由于各显示色的子像素中的多个晶体管被配置在第一方向的宽度比第二方向的宽度窄的像素电路区域的内部，所以能够使各显示色的子像素用的扫描线等控制线共用化。因此，不增加控制线的数量而防止一个水平扫描期间中的各扫描线的选择时间变短。另外，第三导电层例如反射层的第一方向的宽度比第二方向的宽度宽。例如，对于作为蓝色的显示色的子像素中的发光元件的第三导电层的一个例子的反射层而言，作为第一方向的一个例子的行方向的宽度比作为第二方向的一个例子的列方向的宽度宽。因此，在被设计成电光学装置的主光线较大的倾斜的方向成为第一方向的情况下，能够将相同颜色的子像素排列在显示面的第一方向。其结果是，提供一种即使从斜向观察显示面关于第一方向也几乎不产生色差的电光学装置。
接下来，本发明所涉及的电子设备具备上述的本发明所涉及的电光学装置。那样的电子设备通过具备了OLED等发光元件的电光学装置，可提供一种无色差、并且不产生由来自发光层的光导致的晶体管的特性的变化、而且可靠地进行从数据传输线向像素的写入的图像品质较高的电子设备。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式所涉及的电光学装置的立体图。
图2是表示该实施方式所涉及的电光学装置的结构的框图。
图3是表示像素电路的结构的电路图。
图4是表示像素电路的结构的电路图。
图5是表示子像素的列方向的剖视图。
图6是一像素单位的像素的行方向的剖视图。
图7是形成于基板上的各要素的说明图。
图8是形成于基板上的各要素的说明图。
图9是形成于基板上的各要素的说明图。
图10是形成于基板上的各要素的说明图。
图11是形成于基板上的各要素的说明图。
图12是形成于基板上的各要素的说明图。
图13是形成于基板上的各要素的说明图。
图14是形成于基板上的各要素的说明图。
图15是形成于本发明的第二实施方式所涉及的电光学装置的基板上的各要素的说明图。
图16是形成于基板上的各要素的说明图。
图17是形成于基板上的各要素的说明图。
图18是形成于基板上的各要素的说明图。
图19是形成于基板上的各要素的说明图。
图20是形成于基板上的各要素的说明图。
图21是形成于本发明的第三实施方式所涉及的电光学装置的基板上的各要素的说明图。
图22是形成于基板上的各要素的说明图。
图23是形成于基板上的各要素的说明图。
图24是形成于基板上的各要素的说明图。
图25是形成于基板上的各要素的说明图。
图26是形成于基板上的各要素的说明图。
图27是一像素单位的像素的行方向的剖视图。
图28是子像素的列方向的剖视图。
图29是表示电子设备的例子的说明图。
图30是表示电子设备的其它例子的说明图。
图31是表示电子设备的其它例子的说明图。
具体实施方式
使用附图对本发明的实施方式进行说明。此外，在以下的附图中，为了使各层、各部件成为能够在附图上识别的程度的大小，按每层、每个部件而使比例尺不同。
第一实施方式
图1是表示本发明的第一实施方式所涉及的电光学装置1的结构的立体图。电光学装置1例如是在头戴式显示器中显示图像的微型显示器。
如图1所示，电光学装置1具备显示面板2以及对显示面板2的动作进行控制的控制电路3。显示面板2具备多个像素电路以及驱动该像素电路的驱动电路。在本实施方式中，显示面板2所具备的多个像素电路以及驱动电路形成于硅基板，像素电路使用作为发光元件的一个例子的OLED。另外，显示面板2例如被收纳于在显示部开口的框状的壳体82中，并且连接FPC(Flexible Printed Circuits：柔性电路板)基板84的一端。
在FPC基板84上通过COF(Chip On Film：覆晶薄膜)技术安装半导体芯片的控制电路3，并且设置有多个端子86，并与省略图示的上位电路连接。
图2是表示本实施方式所涉及的电光学装置1的结构的框图。如上述那样，电光学装置1具备显示面板2以及控制电路3。
从省略图示的上位电路对控制电路3与同步信号同步地供给数字的图像数据Vdata。这里，所谓图像数据Vdata是例如用8位规定应由显示面板2(严格来说，后述的显示部100)显示的图像的像素的灰度电平的数据。另外，所谓同步信号是包括垂直同步信号、水平同步信号以及点时钟信号的信号。
控制电路3基于同步信号来生成各种控制信号，并对显示面板2供给各种控制信号。具体而言，控制电路3对显示面板2供给控制信号Ctr、控制信号Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)以及与这些信号处于逻辑反转的关系的控制信号/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)。
这里，控制信号Ctr是包括脉冲信号、时钟信号、使能信号等多个信号的信号。
此外，存在将控制信号Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)统称为控制信号Sel、将控制信号/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)统称为控制信号/Sel的情况。
进一步，控制电路3基于图像数据Vdata来生成模拟的图像信号Vid。具体而言，在控制电路3设置有将图像信号Vid表示的电位以及显示面板2所具备的发光元件(后述的OLED)的亮度建立对应地存储的查找表。而且，控制电路3通过参照该查找表来生成表示与图像数据Vdata中所规定的发光元件的亮度对应的电位的图像信号Vid，并对显示面板2供给该图像信号Vid。
如图2所示，显示面板2具备显示部100以及驱动该显示部100的驱动电路(数据传输线驱动电路5以及扫描线驱动电路6)。
在显示部100呈矩阵状地排列与应显示的图像的像素对应的像素电路110。详细而言，在显示部100中，M行的作为第一导电层的扫描线22在图中沿作为第一方向的一个例子的行方向(X方向)延伸设置。另外，按每三列分组的(3N)列的作为第二导电层的数据传输线26在图中沿作为第二方向的一个例子的列方向(Y方向)延伸、且与各扫描线22相互保持电绝缘地设置。在本实施方式中，像素电路110按照M行×(3N)列被排列成矩阵状。
这里，M、N均为自然数。为了区分扫描线22以及像素电路110的矩阵中的行(Row)，存在在图中从上至下依次称为1、2、3、…、(M-1)、M行的情况。同样为了区分数据传输线26以及像素电路110的矩阵的列(Column)，存在在图中从左至右依次称为1、2、3、…、(3N-1)、(3N)列的情况。
这里，为了概括说明数据传输线26的组，若将1以上的任意的整数表示为n，则第(3n-2)列、第(3n-1)列以及第(3n)列的数据传输线26属于从左数第n个组。
此外，与同一行的扫描线22和属于同一组的三列数据传输线26对应的三个像素电路110分别与G(绿)、R(红)、B(蓝)的显示色的子像素对应，这三个子像素表现作为应显示的彩色图像的一像素单位的一点。即，在本实施方式中，成为通过与RGB对应的OLED的发光并利用加色混合来表现一点的彩色的构成。
扫描线驱动电路6根据控制信号Ctr来生成用于在一个帧期间内逐行按顺序扫描M条扫描线22的扫描信号Gwr。这里，将向第1、第2、第3、…、第M行的扫描线22供给的扫描信号Gwr分别记载为Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(M-1)、Gwr(M)。
此外，扫描线驱动电路6除了扫描信号Gwr(1)～Gwr(M)之外，还按每行生成与该扫描信号Gwr同步的各种控制信号并供给给显示部100，但在图2中省略图示。另外，所谓帧期间是指电光学装置1显示一个镜头(片段)的图像所需要的期间，例如若同步信号所包括的垂直同步信号的频率为120Hz，则是其1周期的8.3毫秒的期间。
数据传输线驱动电路5具备：与(3N)列数据传输线26的每一条一一对应地设置的(3N)个数据传输电路DT、按构成各组的每三列数据传输线26所设置的N个多路分配器DM以及数据信号供给电路70。
数据信号供给电路70基于由控制电路3供给的图像信号Vid和控制信号Ctr来生成数据信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)。即，数据信号供给电路70基于对数据信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)进行了时分复用所得的图像信号Vid来生成数据信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)。而且，数据信号供给电路70对与第1、第2、…、第N组对应的多路分配器DM分别供给数据信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)。多路分配器DM根据来自控制电路3的控制信号Sel以及控制信号/Sel而接通/断开，并按顺序向构成各组的三列数据传输线26供给数据信号。
图3是位于显示部100内的各子像素的像素电路110的电路图。如图3中例示的那样，像素电路110构成为包括发光元件45、驱动晶体管Tdr、写入控制晶体管Twr、电容元件C、发光控制晶体管Tel以及补偿晶体管Tcmp。此外，在本实施方式中，虽然将像素电路110的各晶体管(Tdr、Tel、Twr、Tcmp)设为P沟道型，但也能够利用N沟道型的晶体管。
发光元件45是使包括有机EL材料(OLED)的发光层的发光功能层46夹在第一电极(阳极)E1与第二电极(阴极)E2之间的电光学元件。第一电极E1按每个像素电路110分别独立地形成，第二电极E2遍及多个像素电路110连续。如从图3理解的那样，发光元件45被配置在将作为第四导电层的第一电源导电体(以下，作为电源配线)41与第二电源导电体42连结的路径上。对电源配线41供给高位侧的电源电位Vel。对第二电源导电体42供给低位侧的电源电位(例如接地电位)Vct。本实施方式的像素电路110能够通过所谓的耦合驱动方式、所谓的电流编程方式的任一种方式驱动。首先，对基于耦合驱动方式的驱动进行说明。
发光控制晶体管Tel作为对驱动晶体管Tdr的一对电流端中的另一方(漏极或者源极)与发光元件45的第一电极E1的导通状态(导通/非导通)进行控制的开关发挥作用。驱动晶体管Tdr生成与自身的栅极-源极间的电压对应的电流量的驱动电流。在发光控制晶体管Tel被控制为导通状态的状态下，驱动电流从驱动晶体管Tdr经由发光控制晶体管Tel供给给发光元件45，由此发光元件45以与驱动电流的电流量对应的亮度发光。另外，在发光控制晶体管Tel被控制为截止状态的状态下，针对发光元件45的驱动电流的供给被切断，由此发光元件45熄灭。发光控制晶体管Tel的栅极与控制线28连接。
补偿晶体管Tcmp具有对驱动晶体管Tdr的阈值电压的变动进行补偿的功能。在发光控制晶体管Tel为截止状态、写入控制晶体管Twr以及驱动晶体管Tdr被控制为导通状态的状态下，进行如下那样的动作。若补偿晶体管Tcmp被控制为导通状态，则驱动晶体管Tdr的栅极电位与漏极或者源极电位相等，驱动晶体管Tdr成为二极管连接。因此，在驱动晶体管Tdr中流动的电流对栅极节点以及数据传输线26进行充电。详细而言，电流按照电源配线41→驱动晶体管Tdr→补偿晶体管Tcmp→数据传输线26这个路径流动。因此，通过将驱动晶体管Tdr控制为导通状态而处于相互连接状态的数据传输线26以及栅极节点从初始状态的电位开始上升。但是，若将驱动晶体管Tdr的阈值电压设为|Vth|，则在上述路径流动的电流随着栅极节点越接近电位(Vel-|Vth|)而难以流动。其结果是，直至使补偿晶体管Tcmp成为截止状态的补偿期间的结束为止，数据传输线26以及栅极节点在电位(Vel-|Vth|)饱和。因此，电容元件C直至使补偿晶体管Tcmp成为截止状态的补偿期间的结束为止保持驱动晶体管Tdr的阈值电压|Vth|。
在本实施方式中，在水平扫描期间内具有补偿期间与写入期间，扫描线驱动电路6通过向各扫描线22供给扫描信号而依次在每个水平扫描期间选择多条扫描线22的每一条。与扫描线驱动电路6所选择的扫描线22对应的各像素电路110的写入控制晶体管Twr转变为导通状态。因此，各像素电路110的驱动晶体管Tdr也转变为导通状态。另外，扫描线驱动电路6通过向各控制线27供给控制信号而依次在每个补偿期间选择多条控制线27的每一条。与扫描线驱动电路6所选择的控制线27对应的各像素电路110的补偿晶体管Tcmp转变为导通状态。而且，电容元件C直至补偿晶体管Tcmp成为截止状态的补偿期间的结束为止保持驱动晶体管Tdr的阈值电压|Vth|。若通过扫描线驱动电路6向各控制线27供给控制信号而将各像素电路110的补偿晶体管Tcmp控制为截止状态，则从数据传输线26至驱动晶体管Tdr的栅极节点为止的路径变为浮置状态。但是，被电容元件C维持为(Vel-|Vth|)。接下来，数据传输线驱动电路5在每个写入期间对电容元件Cref并列地供给与按每个像素电路110指定从外部电路供给的图像信号的灰度对应的灰度电位(数据信号)。而且，灰度电位使用电容元件Cref使电平移位，该电位经由数据传输线26和写入控制晶体管Twr被供给给各像素电路110的驱动晶体管Tdr的栅极。在电容元件C中补偿驱动晶体管Tdr的阈值电压|Vth|并且保持与灰度电位对应的电压。另一方面，若写入期间中的扫描线22的选择结束，则扫描线驱动电路6通过向各控制线28供给控制信号而将与该控制线28对应的各像素电路110的发光控制晶体管Tel控制为导通状态。因此，与紧接之前的写入期间被电容元件C保持的电压对应的驱动电流从驱动晶体管Tdr经由发光控制晶体管Tel被供给给发光元件45。如以上那样，各发光元件45以与灰度电位对应的亮度发光，从而图像信号所指定的任意图像被显示于显示部100。而且，从驱动晶体管Tdr向发光元件45供给的驱动电流抵消阈值电压的影响，所以即使驱动晶体管Tdr的阈值电压在每个像素电路110有偏差，也可补偿该偏差。另外，由于与灰度电平对应的电流被供给给发光元件45，所以抑制损害显示画面的一致性那样的显示不均的产生，其结果是，能够进行高品质的显示。
接下来，参照图4对基于电流编程方式的驱动进行说明。若扫描线22的扫描信号变为L电平，则写入控制晶体管Twr成为导通状态。另外，若控制线27的控制信号变为L电平，则补偿晶体管Tcmp成为导通状态。因此，驱动晶体管Tdr同栅极电位和与发光控制晶体管Tel的连接侧的源极电位或者漏极电位相等，从而作为二极管发挥作用。而且，若数据传输线26的数据信号变为L电平，则电流Idata按照电源配线41→驱动晶体管Tdr→补偿晶体管Tcmp→数据传输线26这个路径流动。另外，此时，与驱动晶体管Tdr的栅极节点的电位对应的电荷被积蓄于电容元件C。
若控制线27的控制信号变为H电平，则补偿晶体管Tcmp成为截止状态。此时，电容元件C的两端的电压保持为流动电流Idata时的电压。若控制线28的控制信号成为L电平，则发光控制晶体管Tel成为导通状态，在驱动晶体管Tdr的源极·漏极间流动与栅极电压对应的电流Ioled。详细而言，该电流按照电源配线41→驱动晶体管Tdr→发光控制晶体管Tel→发光元件45这个路径流动。
这里，在发光元件45中流动的电流Ioled由驱动晶体管Tdr的栅极节点和与电源配线41的连接侧的漏极节点或者与源极节点之间的电压规定。该电压是在根据L电平的扫描信号而电流Idata流到数据传输线26时被电容元件C保持的电压。因此，在控制线28的控制信号变成L电平时，在发光元件45中流动的电流Ioled与紧接之前流动的电流Idata大致一致。这样，在电流编程方式的驱动的情况下，根据电流Idata来规定发光亮度。此外，扫描线22为与控制线27不同的配线，但也可以将扫描线22和控制线27设为一条配线。
以下对第一实施方式的电光学装置1的具体的构造进行详述。此外，在以下的说明所参照的各附图中，为了便于说明，使各要素的尺寸、比例尺与实际的电光学装置1不同。图5是用图10所示的I-I’线将G(绿)的显示色的子像素切断的剖视图。图6是用图10所示的II-II’线将一像素单位的像素切断的剖视图。图7～图12是着眼于一像素单位的一个或者两个像素来对形成电光学装置1的各要素的各阶段中的基板10的表面的样子进行图示的俯视图。在图7～图12中，从将各要素的视觉上的掌握容易化的观点来看，在与图5以及图6共用的各要素附加与图5以及图6相同方式的阴影线。
如从图5～图7理解的那样，在由硅等半导体材料形成的基板10的表面形成像素电路110的各晶体管(Tdr、Twr、Tel、Tcmp)的有源区域10A(源极/漏极区域)。在有源区域10A注入离子。像素电路110的各晶体管(Tdr、Twr、Tel、Tcmp)的活性层存在于源极区域与漏极区域之间，注入与有源区域10A不同的种类的离子，但为了方便，与有源区域10A一体地记载。如从图5～图7理解的那样，形成有有源区域10A的基板10的表面被绝缘膜L0(栅极绝缘膜)覆盖，各晶体管的栅极层GT(GTdr、GTwr、GTel、GTcmp)形成于绝缘膜L0的面上。各晶体管的栅极层GT隔着绝缘膜L0与活性层对置。
另外，在本实施方式中，如图7所示，G(绿)、R(红)、B(蓝)的各子像素中的多个晶体管(Tdr、Twr、Tel、Tcmp)被配置在行方向(X方向)的宽度比列方向(Y方向)的宽度窄的像素电路区域的内部。此外，在图7～图12中，将G(绿)的各子像素中的多个晶体管表示为Gtr。另外，将R(红)的各子像素中的多个晶体管表示为Rtr。并且，将B(蓝)的各子像素中的多个晶体管表示为Btr。
如从图5以及图6理解的那样，在形成有各晶体管的栅极层GT的绝缘膜L0的面上形成交替层叠了多个绝缘层L(LA～LE)和多个导电层(配线层)而成的多层配线层。各绝缘层L例如由硅化合物(典型的为氮化硅、氧化硅)等绝缘性的无机材料形成。此外，在以下的说明中，将通过导电层(单层或者多层)的选择性的除去而在相同工序中一并形成多个要素的关系记载为“由同一层形成”。
绝缘层LA形成于形成有各晶体管的栅极层GT的绝缘膜L0的面上。如从图5、图6以及图8理解的那样，在绝缘层LA的面上由同一层形成多个中继电极QB(QB1、QB2、QB3、QB4、QB5、QB6、QB7、QB8)。
如从图5～图8理解的那样，中继电极QB1经由贯通绝缘膜L0和绝缘层LA的导通孔HA1与形成驱动晶体管Tdr的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
中继电极QB2经由贯通绝缘层LA的导通孔HB1与驱动晶体管Tdr的栅极层GTdr导通。另外，中继电极QB2经由贯通绝缘层LA和绝缘膜L0的导通孔HA4与形成写入控制晶体管Twr的源极区域或者漏极区域的有源区域10A导通。
中继电极QB3经由贯通绝缘膜L0和绝缘层LA的导通孔HA2与形成驱动晶体管Tdr的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。中继电极QB3还经由贯通绝缘膜L0和绝缘层LA的导通孔HA6与形成补偿晶体管Tcmp的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。并且，中继电极QB3经由贯通绝缘膜L0和绝缘层LA的导通孔HA8与形成发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
中继电极QB4经由贯通绝缘层LA的导通孔HB2与写入控制晶体管Twr的栅极层GTwr导通。
中继电极QB5经由贯通绝缘膜L0和绝缘层LA的导通孔HA3与形成写入控制晶体管Twr的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。中继电极QB5还经由贯通绝缘膜L0和绝缘层LA的导通孔HA5与形成补偿晶体管Tcmp的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
中继电极QB6经由贯通绝缘层LA的导通孔HB3与补偿晶体管Tcmp的栅极层GTcmp导通。
中继电极QB7经由贯通绝缘层LA的导通孔HB4与发光控制晶体管Tel的栅极层GTel导通。
中继电极QB8经由贯通绝缘膜L0和绝缘层LA的导通孔HA7与形成发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
如从图5以及图6理解的那样，绝缘层LB形成于形成有多个中继电极QB(QB1、QB2、QB3、QB4、QB5、QB6、QB7、QB8)的绝缘层LA的面上。如从图5、图6以及图9理解的那样，在绝缘层LB的面上形成电源配线41、扫描线22、补偿晶体管Tcmp的控制线27、发光控制晶体管Tel的控制线28以及多个中继电极QC(QC1、QC2)。
作为第四导电层的电源配线41经由多层配线层内的配线(图示省略)与供给高位侧的电源电位Vel的安装端子(图示省略)导通。此外，电源配线41形成于显示部100的显示区域(图示省略)内。另外，虽然省略图示，但在显示区域的周边区域内形成其它电源配线。该电源配线经由多层配线层内的配线(图示省略)与供给低位侧的电源电位Vct的安装端子(图示省略)导通。电源配线41以及供给低位侧的电源电位Vct的电源配线例如由含有银、铝的导电材料例如形成为100nm左右的膜厚。
另外，如从图9理解的那样，电源配线41遍及多个像素电路110在行方向(X方向)上呈直线状地延伸。换句话说，电源配线41以俯视时与各色的子像素的驱动晶体管Tdr重叠的方式沿行方向(X方向)配置。
电源配线41经由贯通绝缘层LB的导通孔HC1与各色的子像素中的形成驱动晶体管Tdr的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
另外，电源配线41通过绝缘层LC与后述的数据传输线26电绝缘。
如从图6以及图9理解的那样，作为第一导电层的扫描线22遍及多个像素电路110在行方向(X方向)上呈直线状地延伸设置。扫描线22经由贯通绝缘层LB的导通孔HC2与各色的子像素的写入控制晶体管Twr的栅极层GTwr导通。扫描线22通过绝缘层LC与后述的数据传输线26电绝缘。
如从图6以及图9理解的那样，补偿晶体管Tcmp的控制线27遍及多个像素电路110在行方向(X方向)上呈直线状地延伸设置。控制线27经由绝贯通缘层LB的导通孔HC4与各色的子像素的补偿晶体管Tcmp的栅极层GTcmp导通。控制线27通过绝缘层LC与后述的数据传输线26电绝缘。
如从图6以及图9理解的那样，发光控制晶体管Tel的控制线28遍及多个像素电路110在行方向(X方向)上呈直线状地延伸设置。控制线28经由贯通绝缘层LB的导通孔HC5与各色的子像素的发光控制晶体管Tel的栅极层GTel导通。控制线28通过绝缘层LC与后述的数据传输线26电绝缘。
如从图6以及图9理解的那样，中继电极QC1经由贯通绝缘层LB的导通孔HC3与中继电极QB5导通。另外，中继电极QC2经由贯通绝缘层LB的导通孔HC6与中继电极QB8导通。
绝缘层LC形成于形成有电源配线41、扫描线22、补偿晶体管Tcmp的控制线27、发光控制晶体管Tel的控制线28以及多个中继电极QC(QC1、QC2)的绝缘层LB的面上。如从图5、图6以及图10理解的那样，在绝缘层LC的面上形成数据传输线26以及作为第五导电层的多个中继电极QD(QD1、QD2、QD3)。
作为第二导电层的数据传输线26遍及多个像素电路在列方向(Y方向)上呈直线状地延伸，并通过绝缘层LD与后述的反射层43B、43G、43R电绝缘。如从图10理解的那样，数据传输线26经由贯通绝缘层LC的导通孔HD2与中继电极QC1导通。换句话说，数据传输线26经由导通孔HD2、中继电极QC1、导通孔HC3、中继电极QB5、导通孔HA3以及导通孔HA5与形成写入控制晶体管Twr和补偿晶体管Tcmp的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
如从图5、图6以及图10理解的那样，中继电极QD1经由贯通绝缘层LC的导通孔HD1与B(蓝)的显示色的子像素中的中继电极QC2导通。因此，中继电极QD1经由导通孔HD1、中继电极QC2、导通孔HC6、中继电极QB8以及导通孔HA7与B(蓝)的显示色的子像素中的形成发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
如从图5、图6以及图10理解的那样，中继电极QD2经由贯通绝缘层LC的导通孔HD1与R(红)的显示色的子像素中的中继电极QC2导通。因此，中继电极QD1经由导通孔HD1、中继电极QC2、导通孔HC6、中继电极QB8以及导通孔HA7与R(红)的显示色的子像素中的形成发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
如从图5、图6以及图10理解的那样，中继电极QD3经由贯通绝缘层LC的导通孔HD1与G(绿)的显示色的子像素中的中继电极QC2导通。因此，中继电极QD1经由导通孔HD1、中继电极QC2、导通孔HC6、中继电极QB8以及导通孔HA7与G(绿)的显示色的子像素中的形成发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
绝缘层LD形成于形成有数据传输线26以及多个中继电极QD(QD1、QD2、QD3)的绝缘层LC的面上。如从图5、图6以及图11理解的那样，在绝缘层LD的面上形成作为第三导电层的反射层43B、43G、43R。反射层43B是B(蓝)的显示色的子像素中的反射层，反射层43G是G(绿)的显示色的子像素中的反射层。另外，反射层43R是R(红)的显示色的子像素中的反射层。
如从图11理解的那样，对于反射层43B而言，行方向的宽度比列方向的宽度宽、且以俯视时与各色的子像素的驱动晶体管Tdr重叠的方式沿行方向(X方向)配置。因此，反射层43B以俯视时与B(蓝)的子像素的驱动晶体管Tdr、R(红)的子像素的驱动晶体管Tdr以及G(绿)的子像素的驱动晶体管Tdr、即与构成应显示的彩色图像的一像素单位的三个驱动晶体管Tdr重叠的方式沿行方向(X方向)配置。
反射层43B经由贯通绝缘层LD的导通孔HE1与中继电极QD1导通。换句话说，反射层43B经由导通孔HE1、中继电极QD1、导通孔HD1、中继电极QC2、导通孔HC6、中继电极QB8以及导通孔HA7与B(蓝)的子像素的形成发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
此外，如图11所示，以俯视时按照反射层43B、43G、43R的顺序设置反射层，与这些反射层43B、43G、43R重叠的各色的子像素的多个晶体管成为一像素单位的像素中的多个晶体管。因此，反射层43B在列方向(Y方向)上与前一个的一像素单位的像素中的B(蓝)的子像素的形成发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
反射层43R经由贯通绝缘层LD的导通孔HE2与中继电极QD2导通。换句话说，反射层43R经由导通孔HE2、中继电极QD2、导通孔HD1、中继电极QC2、导通孔HC6、中继电极QB8以及导通孔HA7与R(红)的子像素的形成发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
反射层43G经由贯通绝缘层LD的导通孔HE3与中继电极QD3导通。换句话说，反射层43G经由导通孔HE3、中继电极QD3、导通孔HD1、中继电极QC2、导通孔HC6、中继电极QB8以及导通孔HA7与G(绿)的子像素的形成发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
反射层43B、43G、43R例如由含有银、铝的光反射性的导电材料例如形成为100nm左右的膜厚。如图11所示，反射层43B、43G、43R被配置成俯视时与各色的子像素的晶体管重叠。因此，存在通过反射层43B、43G、43R防止外光的侵入、能够防止由光照射所引起的各晶体管的电流泄漏这些优点。
另外，在本实施方式中，各色的子像素中的多个晶体管被配置在行方向(X方向)的宽度比列方向(Y方向)的宽度窄的像素电路区域的内部，但各色的子像素中的反射层43B、43G、43R沿行方向(X方向)配置。因此，能够使扫描线22在各色的子像素的写入控制晶体管Twr中共用化，并且使各色的子像素的显示区域在行方向(X方向)上形成为长方形的形式。
绝缘层LE形成于形成有反射层43B、43G、43R的绝缘层LD的面上。如图5所例示的那样，在绝缘层LE的表面形成中继电极QE1。
中继电极QE1经由贯通绝缘层LE的导通孔HF1与反射层43B、43G、43R导通。中继电极QE1是构成像素电极导通部的中继电极之一，如从图5～图11理解的那样，经由反射层43B、43G、43R、多个中继电极以及多个导通孔与形成发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
如图5所例示的那样，在形成有中继电极QE1的绝缘层LE的面上形成光路调整层60。光路调整层60是规定各像素电路110的共振结构的共振波长(即显示色)的透光性的膜体。在显示色相同的像素中，共振结构的共振波长大致相同，在显示色不同的像素中，共振结构的共振波长不同。
如图5、图6以及图12所例示的那样，在光路调整层60的面上形成各色的每个子像素的第一电极E1。第一电极E1例如由ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)等透光性的导电材料形成。如参照图3以及图4前述的那样，第一电极E1是作为发光元件45的阳极发挥作用的大致矩形状的电极(像素电极)。如从图5、图6以及图12理解的那样，第一电极E1经由形成在光路调整层60的导通孔HG1与中继电极QE1导通。因此，如从图5～图12理解的那样，第一电极E1经由光路调整层60、反射层43B、43G、43R、多个中继电极以及多个导通孔与形成发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
如图5、图6以及图12所例示的那样，在形成有第一电极E1的光路调整层60的面上遍及基板10的整个区域形成像素定义层65。像素定义层65例如由硅化合物(典型的为氮化硅、氧化硅)等绝缘性的无机材料形成。如从图12理解的那样，通过像素定义层65形成与各显示色的子像素中的第一电极E1对应的开口部。
对于开口部的大小而言，B(蓝)色的子像素的开口部的大小最大，G(绿)色和R(红)色的子像素的开口部的大小成为相同的大小。但是，在显示色不同的子像素间，也可以使开口部的大小不同。
开口部在列方向(Y方向)上，按照B(蓝)色、G(绿)色以及R(红)色的子像素的顺序以共同的间距排列。另外，相同颜色的子像素的开口部遍及行方向(X方向)以共同的间距排列。
如图5以及图6所示，在第一电极E1的上层层叠发光功能层46、第二电极E2以及密封体47，在形成有以上的各要素的基板10的表面例如用粘合剂接合密封基板(图示省略)。密封基板是用于保护基板10上的各要素的透光性的板状部件(例如玻璃基板)。此外，在密封基板的表面或者密封体47的表面按照每个子像素的像素电路形成彩色滤光片。作为彩色滤光片，使用B(蓝)色的彩色滤光片CFB、G(绿)色的彩色滤光片CFG以及R(红)色的彩色滤光片CFR。
如以上说明的那样，在本实施方式中，由于各色的子像素中的多个晶体管沿行方向(X方向)的宽度比列方向(Y方向)的宽度窄的像素电路区域配置，所以能够使扫描线22在各色的子像素的写入控制晶体管Twr中共用化，而不使一个水平扫描期间中选择的扫描线22的数量增加。其结果是，能够防止一个水平扫描期间中的各扫描线22的选择时间变短，并可靠地从数据传输线26向第一电极E1写入数据。
另外，在本实施方式中，将各色的子像素中的多个晶体管沿行方向(X方向)的宽度比列方向(Y方向)的宽度窄的像素电路区域配置，并且各色的子像素中的反射层43B、43G、43R的行方向(X方向)的宽度比列方向(Y方向)的宽度宽。因此，即使在被设计为电光学装置1的主光线较大地倾斜的方向成为行方向(X方向)的情况下，也能够不增加扫描线22的数量而在显示面的行方向(X方向)上排列相同颜色的子像素。其结果是，提供一种即使从斜向观察显示面关于行方向(X方向)也几乎不产生色差的电光学装置1。
在本实施方式中，各色的子像素中的反射层43B、43G、43R以与各色的子像素中的晶体管重叠的方式沿行方向(X方向)配置。因此，能够防止来自发光功能层46的光照射到晶体管，并不使晶体管的特性变化。特别是面积最大的蓝色的子像素中的反射层43B被配置成与各色的子像素中的驱动晶体管Tdr重叠。因此，可靠地防止来自发光功能层46的光对给精细灰度显示造成影响的驱动晶体管Tdr的照射，防止驱动晶体管Tdr的特性的变化，能够进行准确的灰度显示。
在本实施方式中，在蓝色的子像素中的反射层43B与各色的子像素中的晶体管之间设置有以与各色的子像素中的驱动晶体管Tdr重叠的方式沿行方向(X方向)配置的电源配线41。因此，来自发光功能层46的光不仅被反射层43B遮挡，也被面积与其它配线相比比较大的电源配线41遮挡，从而能够更进一步可靠地防止照射到驱动晶体管Tdr。因此，更进一步可靠地防止来自发光功能层46的光对给精细灰度显示造成影响的驱动晶体管Tdr的照射，防止驱动晶体管Tdr的特性的变化，能够进行准确的灰度显示。
另外，在本实施方式中，将各色的子像素中的反射层43B、43G、43R与各色的子像素中的发光控制晶体管Tel连接的中继电极QD1、QD2、QD3形成在形成有电源配线41的层与形成有反射层43B、43G、43R的层之间的层。因此，来自流动较大的电流的中继电极QD1、QD2、QD3的噪声被电源配线41遮挡，能够抑制噪声对驱动晶体管Tdr的影响。
在本实施方式中，反射层43B的面积与反射层43G、43R的面积不同。反射层43B的面积最大，反射层43G、43R的面积相互相同，且小于反射层43B的面积。换句话说，被设置成反射层43B、43G、43R中的至少两个反射层的面积相互不同。而且，将各色的子像素中的反射层43B、43G、43R和各色的子像素中的发光控制晶体管Tel连接的中继电极QD1、QD3、QD2形成于面积最小的反射层43G、43R的下层。因此，能够缩短中继电极QD1、QD3、QD2的长度。其结果是，来自流动较大的电流的中继电极QD1、QD3、QD2的噪声减少，能够将该噪声对驱动晶体管Tdr的影响抑制得较低。
另外，在本实施方式中，作为将中继电极QD1、QD2、QD3和发光控制晶体管Tel连接的连接部的导通孔HD1在俯视时位于最小的反射层亦即反射层43G、43R的附近的下层。根据该结构，也能够缩短中继电极QD1、QD2、QD3的长度。其结果是，使来自流动较大的电流的中继电极QD1、QD2、QD3的噪声减少，能够将该噪声对驱动晶体管Tdr的影响抑制得较低。
并且，中继电极QD1、QD2、QD3与数据传输线26形成在同一层，并位于行方向上相邻的一条数据传输线26与其它数据传输线26之间。因此，在数据传输线26与中继电极QD1、QD2、QD3之间形成寄生电容。为了减少寄生电容，中继电极QD1、QD2、QD3优选位于相邻的一条数据传输线26与其它数据传输线26的大致中央。能够缩短数据向数据传输线26的写入时间以及从数据传输线26向第一电极E1的数据的写入时间。
此外，在上述的实施方式中，如从图10以及图11理解的那样，作为将中继电极QD1、QD2、QD3与发光控制晶体管Tel连接的连接部的导通孔HD1的位置被配置成与反射层43R的行方向的中心线错开的位置。
但是，本发明并不限定于这样的结构，例如，如图13以及图14所示，也可以将作为连接中继电极QD1、QD2、QD3与发光控制晶体管Tel的连接部的导通孔HD1的位置配置于反射层43R的行方向的中心线上。
图13是与图10对应的图，图14是与图11对应的图。如从图13以及图14理解的那样，作为将中继电极QD1、QD2、QD3与发光控制晶体管Tel连接的连接部的导通孔HD1的位置被配置在反射层43R的行方向的中心线III-III’上。通过这样进行配置，能够使中继电极QD1和中继电极QD3的长度相等。其结果是，能够将各子像素中的偏差抑制的较低。另外，由于能够使中继电极QD1和中继电极QD3的长度最短，所以能够减少来自流动较大的电流的中继电极QD1、QD2、QD3的噪声，并将该噪声对驱动晶体管Tdr的影响抑制得较低。
第二实施方式
接下来，参照图15～图20对本发明的第二实施方式进行说明。图15～图20是分别与第一实施方式的图7～图12对应的图。对与第一实施方式的共同位置标注同一符号并省略说明。
在第一实施方式中，如图7所示，对沿列方向(Y方向)按照驱动晶体管Tdr、写入控制晶体管Twr、补偿晶体管Tcmp以及发光控制晶体管Tel的顺序配置各子像素的晶体管的结构进行了说明。
但是，在第二实施方式中，如图15所示，沿列方向(Y方向)按照发光控制晶体管Tel、驱动晶体管Tdr、写入控制晶体管Twr以及补偿晶体管Tcmp的顺序配置各子像素的晶体管。
另外，在第一实施方式中，如图11所示，沿列方向(Y方向)按照蓝色的子像素的反射层43B、绿色的子像素的反射层43G以及红色的子像素的反射层43R的顺序配置了各反射层。但是，在本实施方式中，如图19所示，沿列方向(Y方向)按照绿色的子像素的反射层43G、蓝色的子像素的反射层43B以及红色的子像素的反射层43R的顺序配置了各反射层。
如从图15～图20理解的那样，在本实施方式中，各色的子像素中的多个晶体管也被配置在行方向(X方向)的宽度比列方向(Y方向)的宽度窄的像素电路区域的内部。因此，能够使扫描线22在各色的子像素的写入控制晶体管Twr中共用化，而不使一个水平扫描期间中选择的扫描线22的数量增加。其结果是，能够防止一个水平扫描期间中的各扫描线22的选择时间变短，并可靠地从数据传输线26向第一电极E1写入数据。
另外，在本实施方式中，也将各色的子像素中的多个晶体管配置在行方向(X方向)的宽度比列方向(Y方向)的宽度窄的像素电路区域的内部，并且各色的子像素中的反射层43G、43B、43R的行方向(X方向)的宽度比列方向(Y方向)的宽度宽。因此，即使在被设计成电光学装置1的主光线较大地倾斜的方向成为行方向(X方向)的情况下，也能够不增加扫描线22的数量而将相同颜色的子像素排列在显示面的行方向(X方向)上。其结果是，提供一种即使从斜向观察显示面关于行方向(X方向)也几乎不产生色差的电光学装置1。
并且，在本实施方式中，各色的子像素中的反射层43B、43G、43R也以与各色的子像素中的晶体管重叠的方式沿行方向(X方向)配置。因此，能够防止来自发光功能层46的光照射到晶体管，且不使晶体管的特性变化。特别是，面积最大的蓝色的子像素中的反射层43B被配置成与各色的子像素中的驱动晶体管Tdr重叠。因此，可靠地防止来自发光功能层46的光对给精细灰度显示造成影响的驱动晶体管Tdr的照射，防止驱动晶体管Tdr的特性的变化，能够进行准确的灰度显示。
此外，在本实施方式中，各色的子像素中的反射层43B、43G、43R的面积不同。蓝色的子像素中的反射层43B的面积最大，绿色的子像素中的反射层43G的面积小于反射层43B的面积。而且，红色的子像素中的反射层43R的面积最小。
另外，在本实施方式中，在蓝色的子像素中的反射层43B与各色的子像素中的晶体管之间设置以与各色的子像素中的驱动晶体管Tdr重叠的方式沿行方向(X方向)配置的电源配线41。因此，来自发光功能层46的光不仅被反射层43B遮挡，也被面积与其它配线相比比较大的电源配线41遮挡，从而能够更进一步可靠地防止照射到驱动晶体管Tdr。因此，更进一步可靠地防止来自发光功能层46的光对给精细灰度显示造成影响的驱动晶体管Tdr的照射，防止驱动晶体管Tdr的特性的变化，能够进行准确的灰度显示。
如从图18以及图19理解的那样，在本实施方式中，作为与多个晶体管中的至少一个晶体管亦即发光控制晶体管Tel电连接的第五导电层的中继电极QD1、QD2、QD3被配置在形成有电源配线41的层与形成有反射层43G、43B、43R的层之间的层。因此，来自流动较大的电流的中继电极QD1、QD2、QD3的噪声被电源配线41遮挡，能够抑制噪声对驱动晶体管Tdr的影响。
如从图19理解的那样，在本实施方式中，作为将中继电极QD1、QD2、QD3与发光控制晶体管Tel连接的连接部的导通孔HD1在俯视时位于面积最小的反射层亦即反射层43G的附近的下层。根据该结构，也能够缩短中继电极QD1、QD2、QD3的长度。其结果是，使来自流动较大的电流的中继电极QD1、QD2、QD3的噪声减少，能够将该噪声对驱动晶体管Tdr的影响抑制得较低。
另外，在本实施方式中，如从图19理解的那样，作为将中继电极QD1、QD2、QD3与发光控制晶体管Tel连接的连接部的导通孔HD1被设置在列方向上相邻的反射层43G与反射层43B之间的位置。因此，如图18所示，至少能够使中继电极QD1、QD3的长度均等化。其结果是，至少在相邻的子像素间，能够抑制由中继电极的长度的不同导致的偏差。
在本实施方式中，沿列方向(Y方向)在发光控制晶体管Tel的下一个配置驱动晶体管Tdr。因此，作为将中继电极QD1、QD2、QD3与发光控制晶体管Tel连接的连接部的导通孔HD1的位置位于沿列方向(Y方向)配置的多个晶体管的列方向(Y方向)上的端部以外的位置。该结构与第一实施方式不同。通过这样构成，容易使成为像素接触部的导通孔HD1的位置与反射层43G、43B、43R的配置相匹配。其结果是，在相同的一像素单位内，能够通过反射层43G、43B、43R防止来自发光功能层46的光对驱动晶体管Tdr的照射。
如从图18理解的那样，在本实施方式中，中继电极QD1、QD2、QD3也与数据传输线26形成在同一层，位于行方向上相邻的一条数据传输线26与其它数据传输线26之间。因此，在数据传输线26与中继电极QD1、QD2、QD3之间形成寄生电容。为了减少寄生电容，优选中继电极QD1、QD2、QD3位于相邻的一条数据传输线26与其它数据传输线26的大致中央。能够缩短向数据传输线26写入数据的写入时间以及从数据传输线26向第一电极E1的数据的写入时间。
第三实施方式
接下来，参照图21～图28对本发明的第三实施方式进行说明。在本实施方式中，各子像素的晶体管由驱动晶体管Tdr、发光控制晶体管Tel以及写入控制晶体管Twr这三个晶体管构成。
图21～图26是用于对形成于本实施方式的电光学装置1中的基板10上的各要素进行说明的俯视图。图27是与包括图26中的IV-IV’线的剖面对应的剖视图。图28是与包括图26中的V-V’线的剖面对应的剖视图。此外，图21～图26是俯视图，但从使各要素的视觉上的掌握容易化的观点来看，为了方便而在与图27以及图28共用的各要素附加与图27以及图28相同方式的阴影线。
此外，在图21～图26中，虚线所示的长方形表示各子像素的反射层的位置。
如从图21理解的那样，对于本实施方式而言，各子像素的驱动晶体管Tdr、发光控制晶体管Tel以及写入控制晶体管Twr的沟道长方向为列方向(Y方向)，发光控制晶体管Tel与写入控制晶体管Twr呈一直线状地并列配置。
相对于各子像素的驱动晶体管Tdr，发光控制晶体管Tel以及写入控制晶体管Twr被配置在行方向(X方向)上。但是，在按照G(绿)、R(红)、B(蓝)的各子像素单位观察的情况下，在本实施方式中，子像素中的多个晶体管也沿列方向(Y方向)配置。
另外，在本实施方式中，各晶体管的栅极层GTdr、GTwr、GTel与控制线等的连接部不设置于沟道上的位置，而设置于行方向(X方向)上错开的位置。
如从图21、图27以及图28理解的那样，在由硅等半导体材料形成的基板10的表面形成像素电路110的各晶体管(Tdr、Twr、Tel)的有源区域10A(源极/漏极区域)。在有源区域10A注入有离子。像素电路110的各晶体管(Tdr、Twr、Tel)的活性层存在于源极区域与漏极区域之间，且注入与有源区域10A不同种类的离子，但为了方便而与有源区域10A一体记载。如从图21、图27以及图28理解的那样，形成有有源区域10A的基板10的表面被绝缘膜L0(栅极绝缘膜)覆盖，各晶体管的栅极层GT(GTdr、GTwr、GTel)形成于绝缘膜L0的面上。各晶体管的栅极层GT隔着绝缘膜L0与活性层对置。
如从图27以及图28理解的那样，在形成有各晶体管的栅极层GT的绝缘膜L0的面上形成交替层叠了多个绝缘层L(LA～LF)和多个导电层(配线层)而成的多层配线层。各绝缘层L例如由硅化合物(典型的为氮化硅、氧化硅)等绝缘性的无机材料形成。此外，在以下的说明中，将通过导电层(单层或者多层)的选择性的除去而在相同工序中一并形成多个要素的关系记载为“由同一层形成”。
绝缘层LA形成于形成有各晶体管的栅极层GT的绝缘膜L0的面上。如从图21、图27以及图28理解的那样，在绝缘层LA的面上由同一层形成发光控制晶体管Tel的控制线28、扫描线22以及多个中继电极QB(QB10、QB11、QB12、QB13、QB14)。
如从图22、图27以及图28理解的那样，作为第一导电层的扫描线22遍及多个像素电路110在行方向(X方向)上呈直线状地延伸设置。扫描线22经由贯通绝缘层LA的导通孔HB12与各色的子像素的写入控制晶体管Twr的栅极层GTwr导通。扫描线22通过绝缘层LB与后述的数据传输线26电绝缘。
如从图22、图27以及图28理解的那样，发光控制晶体管Tel的控制线28遍及多个像素电路110在行方向(X方向)上呈直线状地延伸设置。控制线28经由贯通绝缘层LA的导通孔HB11与各色的子像素的发光控制晶体管Tel的栅极层GTel导通。控制线28通过绝缘层LB与后述的数据传输线26电绝缘。
如从图22、图27以及图28理解的那样，中继电极QB10经由贯通绝缘膜L0和绝缘层LA的导通孔HA11与形成驱动晶体管Tdr的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
另外，中继电极QB10经由贯通绝缘膜L0和绝缘层LA的导通孔HA12与形成发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
中继电极QB11经由贯通绝缘层LA的导通孔HB10与驱动晶体管Tdr的栅极层GTdr导通。另外，中继电极QB11经由贯通绝缘层LA和绝缘膜L0的导通孔HA14与形成写入控制晶体管Twr的源极区域或者漏极区域的有源区域10A导通。
中继电极QB12经由贯通绝缘膜L0和绝缘层LA的导通孔HA10与形成驱动晶体管Tdr的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
中继电极QB13经由贯通绝缘膜L0和绝缘层LA的导通孔HA13与形成驱动晶体管Tdr的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
中继电极QB14经由贯通绝缘膜L0和绝缘层LA的导通孔HA15与形成写入控制晶体管Twr的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
如从图23、图27以及图28理解的那样，绝缘层LB形成于形成有控制线28、扫描线22以及多个中继电极QB(QB10、QB11、QB12、QB13、QB14)的绝缘层LA的面上。在绝缘层LB的面上形成数据传输线26以及多个中继电极QC(QC10、QC11、QC12)。
作为第二导电层的数据传输线26遍及多个像素电路在列方向(Y方向)上呈直线状地延伸，并通过绝缘层LC与后述的反射层43B、43G、43R电绝缘。如从图23理解的那样，数据传输线26与相对于数据传输线26而沿行方向(X方向)延伸的中继电极QC12一体形成。中继电极QC12经由贯通绝缘层LB的导通孔HC12与形成写入控制晶体管Twr的源极区域或者漏极区域的有源区域10A导通。
如从图23、图27以及图28理解的那样，中继电极QC10经由贯通绝缘层LB的导通孔HC10与中继电极QB12导通。中继电极QC11经由贯通绝缘层LB的导通孔HC11与中继电极QB13导通。
绝缘层LC形成于形成有数据传输线26以及多个中继电极QC(QC10、QC11、QC12)的绝缘层LB的面上。如从图24、图27以及图28理解的那样，在绝缘层LC的面上形成作为第四导电层的电源配线41以及中继电极QD10。
作为第四导电层的电源配线41经由多层配线层内的配线(图示省略)与供给高位侧的电源电位Vel的安装端子(图示省略)导通。此外，电源配线41形成于显示部100的显示区域(图示省略)内。另外，虽然省略图示，但在显示区域的周边区域内形成其它电源配线。该电源配线经由多层配线层内的配线(图示省略)与供给低位侧的电源电位Vct的安装端子(图示省略)导通。电源配线41以及供给低位侧的电源电位Vct的电源配线例如由含有银、铝的导电材料例如形成为100nm左右的膜厚。
另外，如从图24理解的那样，除了形成有中继电极QD10的部分之外，在整个面形成有电源配线41。换句话说，电源配线41以俯视时与R(红)色、G(绿)色以及B(蓝)色的子像素的驱动晶体管Tdr、写入控制晶体管Twr以及发光控制晶体管Tel重叠的方式，按照每个子像素沿列方向(Y方向)配置。在第一实施方式以及第二实施方式中，电源配线41被配置成与各色的子像素的驱动晶体管Tdr重叠。但是，在本实施方式中，电源配线41被配置成与各色的子像素的所有晶体管重叠。
电源配线41经由贯通绝缘层LC的导通孔HD10与各色的子像素中的形成驱动晶体管Tdr的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
电源配线41通过绝缘层LC与数据传输线26电绝缘。
如图24所示，在电源配线41中，在中心部附近形成有开口部，在该开口部内形成中继电极QD10。中继电极QD10经由贯通绝缘层LC的导通孔HD11与中继电极QC11导通。
绝缘层LD形成于形成有电源配线41以及中继电极QD10的绝缘层LC的面上。如从图25、图27以及图28理解的那样，在绝缘层LD的面上形成作为第五导电层的中继电极QE10、QE11、QE12。
如从图25、图27以及图28理解的那样，中继电极QE10经由贯通绝缘层LD的导通孔HE10与R(红)的显示色的子像素中的中继电极QD10导通。因此，中继电极QE10经由导通孔HE10、中继电极QD10、导通孔HD11、中继电极QC11、导通孔HC11、中继电极QB13以及导通孔HA13与R(红)的显示色的子像素中的发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域导通。
如从图25、图27以及图28理解的那样，中继电极QE11经由贯通绝缘层LD的导通孔HE10与G(绿)的显示色的子像素中的中继电极QD10导通。因此，中继电极QE11经由导通孔HE10、中继电极QD10、导通孔HD11、中继电极QC11、导通孔HC11、中继电极QB13以及导通孔HA13与G(绿)的显示色的子像素中的发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域导通。
如从图25、图27以及图28理解的那样，中继电极QE12经由贯通绝缘层LD的导通孔HE10与B(蓝)的显示色的子像素中的中继电极QD10导通。因此，中继电极QE12经由导通孔HE10、中继电极QD10、导通孔HD11、中继电极QC11、导通孔HC11、中继电极QB13以及导通孔HA13与B(蓝)的显示色的子像素中的发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域导通。
绝缘层LE形成于形成有作为第五导电层的多个中继电极QE10、QE11、QE12的绝缘层LD的面上。如从图26～图28理解的那样，在绝缘层LE的面上形成作为第三导电层的反射层43B、43G、43R。反射层43B是B(蓝)的显示色的子像素中的反射层，反射层43G是G(绿)的显示色的子像素中的反射层。另外，反射层43R是R(红)的显示色的子像素中的反射层。
如从图26理解的那样，反射层43B的行方向(X方向)的宽度比列方向(Y方向)的宽度宽，以使在俯视时与各色的子像素的驱动晶体管Tdr的至少漏极区域重叠。
反射层43G的行方向(X方向)的宽度比列方向(Y方向)的宽度宽，以使在俯视时与各色的子像素的驱动晶体管Tdr的栅极层GTdr重叠。
反射层43R的行方向(X方向)的宽度比列方向(Y方向)的宽度宽，以使在俯视时与各色的子像素的驱动晶体管Tdr的漏极区域重叠的。
反射层43B经由贯通绝缘层LE的导通孔HF12与中继电极QE12导通。换句话说，反射层43B经由多个导通孔和多个中继电极与B(蓝)的显示色的子像素中的形成发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。多个导通孔是指导通孔HF12、导通孔HE10、导通孔HD11、导通孔HC11以及导通孔HA13。另外，多个中继电极是指中继电极QE12、中继电极QD10、中继电极QC11以及中继电极QB13。
反射层43G经由贯通绝缘层LE的导通孔HF11与中继电极QE11导通。换句话说，反射层43G经由多个导通孔和多个中继电极与G(绿)的显示色的子像素中的形成发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通至。多个导通孔是指导通孔HF11、导通孔HE10、导通孔HD11、导通孔HC11以及导通孔HA13。另外，多个中继电极是指中继电极QE11、中继电极QD10、中继电极QC11以及中继电极QB13。
反射层43R经由贯通绝缘层LE的导通孔HF10与中继电极QE10导通。换句话说，反射层43R经由多个导通孔和多个中继电极与R(红)的显示色的子像素中的形成发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。多个导通孔是指导通孔HF10、导通孔HE10、导通孔HD11、导通孔HC11以及导通孔HA13。另外，多个中继电极是指中继电极QE10、中继电极QD10、中继电极QC11以及中继电极QB13。
此外，如图26所示，在俯视时，按照反射层43B、43G、43R的顺序设置反射层，与这些反射层43B、43G、43R重叠的各色的子像素的多个晶体管成为一像素单位的像素中的多个晶体管。
反射层43B、43G、43R例如由含有银、铝的光反射性的导电材料例如形成为100nm左右的膜厚。如图26所示，反射层43B、43G、43R被配置成俯视时与各色的子像素的晶体管重叠。因此，存在通过反射层43B、43G、43R防止外光的侵入、能够防止由光照射所引起的各晶体管的电流泄漏这些优点。
另外，在本实施方式中，各色的子像素中的多个晶体管被配置在行方向(X方向)的宽度比列方向(Y方向)的宽度窄的像素电路区域的内部，但各色的子像素中的反射层43B、43G、43R的行方向(X方向)的宽度比列方向(Y方向)的宽度窄。因此，能够使扫描线22在各色的子像素的写入控制晶体管Twr中共用化，并且将各色的子像素的显示区域在行方向(X方向)上形成为长方形的形式。
对于本实施方式中的反射层的面积，反射层43B和反射层43R的面积相同，反射层43R的面积被设定为最小。
绝缘层LF形成于形成有反射层43B、43G、43R的绝缘层LE的面上。如图27所例示的那样，在绝缘层LF的表面形成中继电极QF10。
中继电极QF10经由贯通绝缘层LF的导通孔HG10与反射层43B、43G、43R导通。中继电极QF10是构成像素电极导通部的中继电极之一，如从图21～图28理解的那样，反射层43B、43G、43R经由多个中继电极以及多个导通孔与形成发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域的有源区域10A导通。
如图27所例示的那样，在形成有中继电极QF10的绝缘层LF的面上形成光路调整层60。光路调整层60是规定各像素电路110的共振结构的共振波长(即显示色)的透光性的膜体。在显示色相同的像素中，共振结构的共振波长大致相同，在显示色不同的像素中，共振结构的共振波长不同。在本实施方式中，如图28所示，在R(红)的显示色的子像素中光路调整层60形成为三层。另外，在G(绿)的显示色的子像素中光路调整层60形成为两层。而且，在B(蓝)的显示色的子像素中光路调整层60形成为一层。
如图27以及图28所例示的那样，在光路调整层60的面上形成各色的每个子像素的第一电极E1。第一电极E1例如由ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)等透光性的导电材料形成。如参照图3以及图4前述的那样，第一电极E1是作为发光元件45的阳极发挥作用的大致矩形状的电极(像素电极)。如从图27理解的那样，第一电极E1经由形成在光路调整层60的导通孔HH10与中继电极QF10导通。因此，第一电极E1经由光路调整层60、反射层43B、43G、43R、多个中继电极以及多个导通孔与发光控制晶体管Tel的漏极区域或者源极区域导通。
如图27以及图28所例示的那样，在形成有第一电极E1的光路调整层60的面上遍及基板10的整个区域形成像素定义层65。像素定义层65例如由硅化合物(典型的为氮化硅、氧化硅)等绝缘性的无机材料形成。虽然省略图示，但通过像素定义层65形成与各显示色的子像素中的第一电极E1对应的开口部。
对于开口部的大小，B(蓝)色的子像素和R(红)的子像素的开口部的大小相同，且G(绿)色和R(红)色的子像素的开口部最小。但是，在显示色不同的子像素间，也可以使开口部的大小不同。
开口部在列方向(Y方向)上按照B(蓝)色、G(绿)色以及R(红)色的子像素的顺序以共同的间距排列。另外，相同颜色的子像素的开口部遍及行方向(X方向)以共同的间距排列。
如图27以及图28所示，在第一电极E1的上层层叠发光功能层46、第二电极E2以及密封体47，在形成有以上的各要素的基板10的表面例如用粘合剂接合有密封基板(图示省略)。密封基板是用于保护基板10上的各要素的透光性的板状部件(例如玻璃基板)。此外，在密封基板的表面或者密封体47的表面按照子像素的每个像素电路形成彩色滤光片。作为彩色滤光片，使用B(蓝)色的彩色滤光片CFB、G(绿)色的彩色滤光片CFG以及R(红)色的彩色滤光片CFR。
如以上说明的那样，在本实施方式中，由于各色的子像素中的多个晶体管沿列方向(Y方向)配置，所以能够使扫描线22在各色的子像素的写入控制晶体管Twr中共用化，而不使一个水平扫描期间中选择的扫描线22的数量增加。其结果是，能够防止一个水平扫描期间中的各扫描线22的选择时间变短，并可靠地从数据传输线26向第一电极E1写入数据。
另外，在本实施方式中，将各色的子像素中的多个晶体管配置在行方向(X方向)的宽度比列方向(Y方向)的宽度窄的像素电路区域的内部，并且各色的子像素中的反射层43B、43G、43R的行方向(X方向)的宽度比列方向(Y方向)的宽度宽。因此，即使被设计成电光学装置1的主光线较大地倾斜的方向成为行方向(X方向)的情况下，也能够不增加扫描线22的数量而将相同颜色的子像素排列在显示面的行方向(X方向)上。其结果是，提供一种即使从斜向观察显示面关于行方向(X方向)也几乎不产生色差的电光学装置1。
在本实施方式中，各色的子像素中的反射层43B、43G、43R以与各色的子像素中的晶体管重叠的方式沿行方向(X方向)配置。因此，能够防止来自发光功能层46的光照射到晶体管，且不使晶体管的特性变化。特别是，面积最大的蓝色的子像素中的反射层43B被配置成与各色的子像素中的驱动晶体管Tdr的漏极区域重叠。另外，与蓝色的子像素的反射层43B相同的面积的红色的子像素中的反射层43R被配置成与各色的子像素中的驱动晶体管Tdr的漏极区域重叠。并且，面积最小的绿色的子像素中的反射层43G被配置成与各色的子像素中的驱动晶体管Tdr的栅极层GTdr重叠。因此，可靠地防止来自发光功能层46的光对给精细灰度显示造成影响的驱动晶体管Tdr的照射，防止驱动晶体管Tdr的特性的变化，能够进行准确的灰度显示。
在本实施方式中，在各色的子像素中的反射层43B、43G、43R与各色的子像素中的多个晶体管之间设置有以与各色的子像素中的多个晶体管重叠的方式沿列方向(Y方向)配置的电源配线41。因此，来自发光功能层46的光不仅被反射层43B、43G、43R遮挡，也被电源配线41全面遮挡，从而能够更进一步可靠地防止照射到驱动晶体管Tdr。因此，更进一步可靠地防止来自发光功能层46的光对给精细灰度显示造成影响的驱动晶体管Tdr的照射，防止驱动晶体管Tdr的特性的变化，能够进行准确的灰度显示。
另外，在本实施方式中，将各色的子像素中的反射层43B、43G、43R与各色的子像素中的发光控制晶体管Tel连接的中继电极QD1、QD2、QD3形成在形成有电源配线41的层与形成有反射层43B、43G、43R的层之间的层。因此，来自流动较大的电流的中继电极QD1、QD2、QD3的噪声被电源配线41遮挡，能够抑制噪声对驱动晶体管Tdr的影响。
在本实施方式中，反射层43B的面积与反射层43G、43R的面积不同。反射层43B和反射层43R的面积最大，反射层43G的面积最小。换句话说，被设定成反射层43B、43G、43R中的至少两个反射层的面积相互不同。而且，将各色的子像素中的反射层43B、43G、43R与各色的子像素中的发光控制晶体管Tel连接的中继电极QE12、QE11、QE10形成于面积最小的反射层43G的下层。因此，能够缩短中继电极QE12、QE11、QE10的长度。其结果是，来自流动较大的电流的中继电极QE12、QE11、QE10的噪声减少，能够将该噪声对驱动晶体管Tdr的影响抑制得较低。
另外，在本实施方式中，作为将中继电极QE12、QE11、QE10与发光控制晶体管Tel连接的连接部的导通孔HE10在俯视时位于最小的反射层亦即反射层43G的附近的下层。根据该结构，也能够缩短中继电极QE12、QE11、QE10的长度。其结果是，来自流动较大的电流的中继电极QE12、QE11、QE10的噪声减少，能够将该噪声对驱动晶体管Tdr的影响抑制得较低。
在本实施方式中，沿列方向(Y方向)在发光控制晶体管Tel的下一个配置有写入控制晶体管Twr。因此，作为将中继电极QE12、QE11、QE10与发光控制晶体管Tel连接的连接部的导通孔HE10的位置位于沿列方向(Y方向)配置的多个晶体管的列方向(Y方向)上的端部以外的位置。通过这样构成，容易使成为像素接触部的导通孔HE10的位置与反射层43G、43B、43R的配置相匹配。其结果是，在相同的一像素单位内，能够通过反射层43G、43B、43R防止来自发光功能层46的光对驱动晶体管Tdr的照射。
并且，中继电极QE12、QE11、QE10形成在与数据传输线26不同的层。因此，在数据传输线26与其它层特别是电源配线41之间形成寄生电容。为了减少寄生电容，中继电极QE12、QE11、QE10优选位于相邻的一条数据传输线26与其它数据传输线26的大致中央。能够缩短数据向数据传输线26的写入时间以及从数据传输线26向第一电极E1的数据的写入时间。
变形例
本发明并不限定于上述的各实施方式，例如能够进行以下所述的各种变形。另外，当然也可以适当地组合各实施方式以及各变形例。
(1)在上述的实施方式中，对在反射层与像素电极之间设置了光路调整层的结构进行了说明，但本发明并不限定于该结构。也可以是省略光路调整层并使用具有反射性的像素电极的结构。在这种情况下，第三导电层可以是反射层以及像素电极形成为一体的结构。
(2)在上述的实施方式中，对在OLED上层叠密封膜和彩色滤光片的结构进行了说明，但本发明并不限定于该结构。也可以是在对置基板设置有彩色滤光片的结构。
(3)在上述的实施方式中，在一像素单位的像素内，以沿行方向(X方向)延伸的方式设置各种颜色的子像素的开口部，并且将相同颜色的子像素的开口部遍及多个一像素单位的像素地在行方向(X方向)上以共同的间距排列。另外，在一像素单位的像素内，以各种颜色的子像素中的开口部的行方向(X方向)的宽度相等的方式进行了排列。换句话说，各种颜色的子像素中的反射层以与各种颜色的子像素中的至少一个晶体管重叠的方式沿行方向(X方向)排列。
但是，本发明并不限定于这样的结构。例如，也可以是至少一种颜色的子像素中的反射层以与各种颜色的子像素中的至少一个晶体管重叠的方式沿行方向(X方向)排列。此时，其它颜色的子像素中的反射层以与至少一种颜色的子像素中的至少一个晶体管重叠的方式排列，不同颜色子像素中的反射层沿行方向(X方向)排列。
例如，使蓝色的子像素中的开口部构成为遍及一像素单位的像素内地沿行方向(X方向)延伸，行方向(X方向)的宽度最大。而且，也可以使红色的子像素中的开口部和绿色的子像素中的开口部在一像素单位的像素内沿行方向(X方向)并列排列。
(4)在上述的实施方式中，在反射层与驱动晶体管之间配置了电源配线，但也可以配置电源配线以外的金属制的配线。将金属制的配线配置在反射层与驱动晶体管之间，由此，能够可靠地进行驱动晶体管的遮光。
(5)在上述的实施方式中，作为电光学材料的一个例子列举了OLED，但本发明也可应用于使用除它们以外的电光学材料的电光学装置。电光学材料是指通过电信号(电流信号或者电压信号)的供给使透过率、亮度这种光学的特性发生变化的材料。例如，对于使用了液晶、无机EL、发光聚合物等发光元件的显示面板，也能与上述实施方式同样地应用本发明。另外，对于将包括被着色的液体和分散在该液体中的白色的粒子的微型胶囊作为电光学材料使用的电泳显示面板，也能与上述实施方式同样地应用本发明。并且，对于将在每个极性不同的区域分别涂布为不同的颜色的扭转球作为电光学材料使用的扭转球显示面板，也能与上述实施方式同样地应用本发明。对于将黑色调色剂作为电光学材料使用的调色剂显示面板、或者将氦、氖等高压气体作为电光学材料使用的等离子显示面板等各种电光学装置，也能与上述实施方式同样地应用本发明。
应用例
本发明可利用于各种电子设备。图29～图31对成为本发明的应用对象的电子设备的具体形态进行例示。
图29是表示作为采用了本发明的电光学装置的电子设备的头戴式显示器的外观的立体图。如图29所示，头戴式显示器300在外观上与普通的眼镜同样地具有眼镜腿310、鼻架320以及投射光学系统301L、301R。虽然省略图示，但在鼻架320附近且投射光学系统301L、301R的里侧设置左眼用的电光学装置1和右眼用的电光学装置1。
图30是采用了电光学装置的携带型的个人计算机的立体图。个人计算机2000具备显示各种图像的电光学装置1以及设置有电源开关2001、键盘2002的主体部2010。
图31是便携式电话的立体图。便携式电话3000具备多个操作按钮3001和滚动按钮3002以及显示各种图像的电光学装置1。通过操作滚动按钮3002，显示于电光学装置1的画面被滚动。本发明也能够应用于这样的便携式电话。
此外，作为应用有本发明的电子设备，除了图29～图31中例示的设备之外，还例举便携信息终端(PDA：Personal Digital Assistants：个人数字助理)。其它也例举数码相机、电视机、摄像机、汽车导航装置、车载用的显示器(仪表板)、电子记事本、电子纸、电子计算器、文字处理器、工作站、可视电话机、POS终端。并且，例举打印机、扫描仪、复印机、视频播放器、具备触摸面板的设备等。
附图标记说明：1…电光学装置；2…显示面板；3…控制电路；5…数据传输线驱动电路；6…扫描线驱动电路；10…基板；10A…有源区域；22…扫描线；26…数据传输线；27…控制线；28…控制线；41…第一电源导电体(电源配线)；42…第二电源导电体；45…发光元件；46…发光功能层；60…光路调整层；70…数据信号供给电路；82…壳体；84…FPC基板；86…端子；100…显示部；110…像素电路；Ctr…控制信号；DM…多路分配器；DT…数据传输电路；E1…第一电极；E2…第二电极；HA1～HA8…导通孔；HA10～HA15…导通孔；HB1～HB4…导通孔；HB10～HB12…导通孔；HC1～HC5…导通孔；HC10～HC12…导通孔；HD1～HD2…导通孔；HD10～HD11…导通孔；HE10…导通孔；HF10～HF12…导通孔；HG10…导通孔；HH10…导通孔；GTcmp…栅极层；GTdr…栅极层；GTel…栅极层；GTwr…栅极层；Gwr…扫描信号；L0…绝缘膜；LA～LF…绝缘层；QB1～QB8…中继电极；QB10～QB14…中继电极；QC1～QC2…中继电极；QC10～QC12…中继电极；QD1～QD3…中继电极；QD10…中继电极；QE1…中继电极；QE10～QE11…中继电极；QE12…中继电极；QF10…中继电极；Sel…控制信号；/Sel…控制信号；Tcmp…补偿晶体管；Tdr…驱动晶体管；Tel…发光控制晶体管；Twr…写入控制晶体管；Vdata…图像数据；Vd…数据信号；Vid…图像信号。

Claims (14)

1.一种电光学装置，其特征在于，具备：
多个第一导电层，沿第一方向延伸；
多个第二导电层，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及
多个子像素，同所述多个第一导电层与所述多个第二导电层的各个交叉对应地排列，
所述多个子像素的各个子像素包括：
发光元件的第三导电层；
多个晶体管；
第四导电层，被配置成与所述多个晶体管中的至少一个晶体管重叠；以及
第五导电层，与所述多个晶体管中的至少一个晶体管电连接，并且被配置在所述第三导电层与所述第四导电层之间的层，
所述多个晶体管被配置在所述第一方向的宽度比所述第二方向的宽度窄的像素电路区域的内部，
所述多个第一导电层中的一个导电层与所述多个子像素中的在所述第一方向上相邻的两个子像素的各个子像素所包括的所述多个晶体管的至少一个晶体管电连接，
对于所述多个子像素中的至少一个子像素的所述第三导电层而言，所述第一方向的宽度比所述第二方向的宽度宽，并且与所述多个晶体管中的至少一个晶体管以及所述第四导电层重叠。
2.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，
所述多个第一导电层是扫描线。
3.根据权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于，
所述多个晶体管中的与所述第三导电层以及所述第四导电层重叠的晶体管是驱动晶体管。
4.根据权利要求3所述的电光学装置，其特征在于，
所述第四导电层是与所述驱动晶体管连接的电源配线。
5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的电光学装置，其特征在于，
所述第四导电层是沿所述第一方向延伸的电源配线。
6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的电光学装置，其特征在于，
所述多个子像素中的至少两个子像素的所述第三导电层的面积相互不同，
所述至少两个子像素的各个子像素的所述第五导电层被配置成与所述至少两个子像素的所述第三导电层中的面积最小的所述第三导电层重叠。
7.根据权利要求1～5中的任意一项所述的电光学装置，其特征在于，
将所述多个子像素中的一个子像素的所述第五导电层与所述多个晶体管中的至少一个晶体管电连接的连接部位于所述一个子像素的所述第三导电层与在所述第一方向上同所述一个子像素邻接的子像素的所述第三导电层之间。
8.根据权利要求6所述的电光学装置，其特征在于，
将所述至少两个子像素的各个子像素的所述第五导电层分别与所述多个晶体管中的至少一个晶体管电连接的连接部分别位于所述面积最小的所述第三导电层的所述第一方向的中心线上。
9.根据权利要求6所述的电光学装置，其特征在于，
将所述至少两个子像素的各个子像素的所述第五导电层分别与所述多个晶体管中的至少一个晶体管电连接的连接部分别被配置成在俯视时与所述面积最小的所述第三导电层重叠。
10.根据权利要求1～5中的任意一项所述的电光学装置，其特征在于，
将所述多个子像素中的一个子像素的所述第五导电层与所述多个晶体管中的至少一个晶体管电连接的连接部位于所述多个晶体管的所述第二方向上的端部以外的位置。
11.根据权利要求1～10中的任意一项所述的电光学装置，其特征在于，
所述多个子像素中的一个子像素的所述第五导电层与所述第二导电层形成在同一层，并且位于所述一个子像素的所述第二导电层与在所述第一方向上同所述一个子像素邻接的子像素的所述第二导电层之间。
12.根据权利要求1～10中的任意一项所述的电光学装置，其特征在于，
所述第五导电层形成在与所述第二导电层不同的层。
13.根据权利要求1～12中的任意一项所述的电光学装置，其特征在于，
对于所述多个子像素而言，将在所述第一方向上邻接的显示色不同的多个子像素作为一像素单位。
14.一种电子设备，其特征在于，
所述电子设备具备权利要求1～13中的任意一项所述的电光学装置。
CN201710078043.5A 2016-02-15 2017-02-14 电光学装置以及电子设备 Active CN107086238B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210110733.5A CN114447087A (zh) 2016-02-15 2017-02-14 电光学装置以及电子设备

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-026379 2016-02-15
JP2016026379A JP6701781B2 (ja) 2016-02-15 2016-02-15 電気光学装置、および電子機器

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210110733.5A Division CN114447087A (zh) 2016-02-15 2017-02-14 电光学装置以及电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107086238A true CN107086238A (zh) 2017-08-22
CN107086238B CN107086238B (zh) 2022-02-22

Family

ID=59562231

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710078043.5A Active CN107086238B (zh) 2016-02-15 2017-02-14 电光学装置以及电子设备
CN202210110733.5A Pending CN114447087A (zh) 2016-02-15 2017-02-14 电光学装置以及电子设备

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210110733.5A Pending CN114447087A (zh) 2016-02-15 2017-02-14 电光学装置以及电子设备

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9871091B2 (zh)
JP (1) JP6701781B2 (zh)
CN (2) CN107086238B (zh)
TW (1) TW201740559A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112313733A (zh) * 2018-06-22 2021-02-02 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
US11930673B2 (en) 2020-03-27 2024-03-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel and display device

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6701781B2 (ja) 2016-02-15 2020-05-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器
US11348524B2 (en) * 2017-09-30 2022-05-31 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and display device
JP7083675B2 (ja) 2018-03-23 2022-06-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN112349748A (zh) * 2019-08-09 2021-02-09 北京小米移动软件有限公司 终端屏幕及终端
CN111896680B (zh) * 2020-07-08 2022-07-05 天津师范大学 基于卫星遥感数据的温室气体排放分析方法及系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002221917A (ja) * 2000-11-22 2002-08-09 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置
CN102682697A (zh) * 2011-03-10 2012-09-19 精工爱普生株式会社 电光学装置以及电子设备
CN104244485A (zh) * 2013-06-05 2014-12-24 精工爱普生株式会社 电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备
US20150144908A1 (en) * 2013-11-26 2015-05-28 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display panel and organic light emitting display device including the same

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101037118B1 (ko) 2002-04-03 2011-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치
JP4373114B2 (ja) 2002-04-03 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
JP2004198493A (ja) 2002-12-16 2004-07-15 Seiko Epson Corp 電子回路の駆動方法、電子装置の駆動方法、電気光学装置の駆動方法及び電子機器
US20060170712A1 (en) * 2005-02-01 2006-08-03 Eastman Kodak Company Color display device with enhanced pixel pattern
JP5250960B2 (ja) 2006-01-24 2013-07-31 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP4572854B2 (ja) * 2006-03-29 2010-11-04 ソニー株式会社 液晶装置及び電子機器
US7969428B2 (en) * 2006-05-08 2011-06-28 Global Oled Technology Llc Color display system with improved apparent resolution
JP4623138B2 (ja) 2008-05-21 2011-02-02 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
WO2010061723A1 (en) * 2008-11-28 2010-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
JP4930501B2 (ja) * 2008-12-22 2012-05-16 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
JP2010249935A (ja) * 2009-04-13 2010-11-04 Sony Corp 表示装置
US8797247B2 (en) * 2011-05-16 2014-08-05 Motorola Solutions, Inc. Perceived display resolution of a color electronic matrix display
JP2013211147A (ja) 2012-03-30 2013-10-10 Canon Inc 表示装置
JP6171425B2 (ja) 2013-03-12 2017-08-02 セイコーエプソン株式会社 虚像表示装置
KR102124043B1 (ko) * 2013-07-25 2020-06-18 삼성디스플레이 주식회사 화소 배열 구조 및 이를 채용하는 표시 장치
KR20150102179A (ko) * 2014-02-27 2015-09-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2016133590A (ja) * 2015-01-19 2016-07-25 ソニー株式会社 表示装置及び電子機器
WO2017098375A1 (en) * 2015-12-11 2017-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6746937B2 (ja) * 2016-02-15 2020-08-26 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器
JP6701781B2 (ja) * 2016-02-15 2020-05-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器
JP6620035B2 (ja) * 2016-02-25 2019-12-11 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US20180219051A1 (en) * 2017-01-29 2018-08-02 Emagin Corporation Color filter array on directly patterned amoled displays and method of fabrication

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002221917A (ja) * 2000-11-22 2002-08-09 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置
CN102682697A (zh) * 2011-03-10 2012-09-19 精工爱普生株式会社 电光学装置以及电子设备
CN104244485A (zh) * 2013-06-05 2014-12-24 精工爱普生株式会社 电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备
US20150144908A1 (en) * 2013-11-26 2015-05-28 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display panel and organic light emitting display device including the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112313733A (zh) * 2018-06-22 2021-02-02 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
US11930673B2 (en) 2020-03-27 2024-03-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel and display device

Also Published As

Publication number Publication date
US10177211B2 (en) 2019-01-08
TW201740559A (zh) 2017-11-16
CN114447087A (zh) 2022-05-06
US9871091B2 (en) 2018-01-16
JP6701781B2 (ja) 2020-05-27
US20180102403A1 (en) 2018-04-12
US20170236891A1 (en) 2017-08-17
JP2017146369A (ja) 2017-08-24
CN107086238B (zh) 2022-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107086237A (zh) 电光学装置以及电子设备
CN103137068B (zh) 电光装置以及电子设备
CN107086238A (zh) 电光学装置以及电子设备
CN103426400B (zh) 光电装置及电子设备
US9530832B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
TWI629676B (zh) 光電裝置及包含光電裝置之電子機器
JP7059574B2 (ja) 電気光学装置、電子機器、ヘッドマウントディスプレイ
CN106652868A (zh) 电光学装置、电子设备以及电光学装置的驱动方法
CN108376528A (zh) 电光装置、电子设备及头戴显示器
JP6620601B2 (ja) 電気光学装置、および電子機器
JP7248181B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
US20230069464A1 (en) Electro-optical device and electronic device
JP6702492B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP2023088959A (ja) 電気光学装置及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20240403

Address after: Ai Erlandubailin

Patentee after: Lumitec Display Technology Co.,Ltd.

Country or region after: Ireland

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Seiko Epson Corp.

Country or region before: Japan