CN112313733A - 有机发光二极管显示器 - Google Patents

Abstract

根据本发明的一种有机发光二极管显示器可以包括设置在基板上的重叠层，其中其像素包括：有机发光二极管；连接至扫描线和数据线的第二晶体管；驱动晶体管，包括栅电极、输入端子和输出端子，并通过输出端子将电流施加至有机发光二极管；以及电压施加晶体管，用于将电压施加至重叠层，第二晶体管的输出连接至驱动晶体管的输入端子，并且重叠层在平面上与驱动晶体管重叠，并被设置在驱动晶体管和基板之间。

Description

有机发光二极管显示器

技术领域

本公开示例实施例的各方面涉及有机发光二极管(OLED)显示器。

背景技术

显示装置是显示图像的装置，并且近来，有机发光二极管显示器已引起关注。

与液晶显示器不同，有机发光二极管显示器具有自发光特性，并且由于其与液晶显示器不同不使用或不需要单独的光源，因此有机发光二极管显示器可以具有相对小的厚度和重量。另外，由于有机发光二极管显示器表现出诸如低功耗、高亮度和/或高响应速度等的高质量特性，因此作为显示装置受到了广泛的关注。

通常，有机发光二极管显示器包括基板、设置在基板上的多个薄膜晶体管、设置在形成薄膜晶体管的布线之间的多个绝缘层以及连接至薄膜晶体管的有机发光二极管。

发明内容

本公开的一个或多个示例实施例针对一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器通过减轻形成在有机发光二极管显示器中的驱动晶体管的不同特性而具有均匀或基本均匀的显示质量，即使驱动晶体管根据其位置具有不同的特性。本公开的一个或多个示例实施例针对提高形成在有机发光二极管显示器中的驱动晶体管中的数据电压的充电速率。

根据本公开的一个或多个示例实施例，有机发光二极管显示器包括：基板；在基板上的重叠层；在基板和重叠层上的像素；以及连接至像素的扫描线、数据线、驱动电压线和初始化电压线。像素包括：有机发光二极管；连接至扫描线和数据线的第二晶体管；驱动晶体管，包括栅电极、输入端子和输出端子，并且被配置为将电流从输出端子施加至有机发光二极管；以及电压施加晶体管，被配置为将电压施加至重叠层。第二晶体管的输出连接至驱动晶体管的输入端子，并且重叠层位于驱动晶体管和基板之间，同时在平面上与驱动晶体管重叠。

在示例实施例中，电压施加晶体管可以包括第一电压施加晶体管，并且第一电压施加晶体管可以被配置为将驱动电压施加至重叠层。

在示例实施例中，电压施加晶体管可以进一步包括第二电压施加晶体管，并且第二电压施加晶体管可以被配置为将初始化电压施加至重叠层。

在示例实施例中，第一电压施加晶体管可以被配置为在发光时段期间导通以将驱动电压施加至重叠层，并且第二电压施加晶体管可以被配置为在写入时段期间导通以将初始化电压施加至重叠层。

在示例实施例中，电压施加晶体管可以被配置为将初始化电压施加至重叠层。

在示例实施例中，在发光时段期间，第一电压可以被施加至重叠层，并且在写入时段期间，与第一电压不同的第二电压可以被施加至重叠层。

在示例实施例中，与第二电压的电压值相比，第一电压可以具有较高的电压值。

在示例实施例中，第一电压可以高于驱动晶体管的阈值电压，并且第二电压可以低于驱动晶体管的阈值电压。

在示例实施例中，第一电压可以是驱动电压，并且第二电压可以是初始化电压。

在示例实施例中，像素可以进一步包括第三晶体管，第三晶体管的第一电极可以与驱动晶体管的输出端子连接，并且第三晶体管的第二电极可以与驱动晶体管的栅电极连接。

根据本公开的一个或多个示例实施例，有机发光二极管显示器包括：基板；在基板上的重叠层；在重叠层上的缓冲层；在缓冲层上的半导体层；覆盖半导体层的第一栅绝缘层；在第一栅绝缘层上的第一栅导体；覆盖第一栅导体和第一栅绝缘层的第二栅绝缘层；在第二栅绝缘层上的第二栅导体；覆盖第二栅导体和第二栅绝缘层的层间绝缘层；在层间绝缘层上的数据导体；以及覆盖数据导体和层间绝缘层的钝化层。驱动晶体管包括在半导体层中的沟道以及在第一栅导体中的栅电极。在平面上，重叠层与驱动晶体管的沟道重叠。暴露重叠层的开口穿透缓冲层、第一栅绝缘层、第二栅绝缘层和层间绝缘层的至少一部分。重叠层被配置为通过开口而被施加一电压，并且该电压是在写入时段期间施加的初始化电压和在发光时段期间施加的驱动电压。

在示例实施例中，半导体层可以通过开口与重叠层连接。

在示例实施例中，第二栅导体中的附加连接构件可以是通过开口与重叠层连接的层。

在示例实施例中，附加连接构件可以与半导体层连接，并且重叠层可以被配置为通过附加连接构件接收施加至半导体层的电压。

在示例实施例中，半导体层可以包括第二晶体管的沟道，第二晶体管可以与扫描线和数据线连接，并且驱动晶体管的输入端子可以被配置为接收第二晶体管的输出。

在示例实施例中，半导体层可以进一步包括电压施加晶体管的沟道，并且重叠层可以被配置为从电压施加晶体管被施加电压。

在示例实施例中，电压施加晶体管可以包括被配置为将驱动电压施加至重叠层的第一电压施加晶体管。

在示例实施例中，电压施加晶体管可以进一步包括被配置为将初始化电压施加至重叠层的第二电压施加晶体管。

在示例实施例中，电压施加晶体管可以被配置为将初始化电压施加至重叠层。

在示例实施例中，有机发光二极管显示器可以进一步包括与驱动晶体管的栅电极重叠的存储电容器，并且重叠层还可以与存储电容器重叠。

根据本公开的一个或多个示例实施例，适当的电压(例如，特定电压或预定电压)可以被施加至与驱动晶体管重叠的重叠层，从而增大驱动晶体管的数据范围。结果，驱动晶体管可以较少受到栅源电压Vgs的影响，并且因此，即使存在特性偏差，特性偏差也可以减小以显示图像。相应地，显示质量可以较少受到驱动晶体管的特性偏差的影响。

根据本公开的一个或多个示例实施例，另一适当的电压(例如，另一特定电压或预定电压)可以被施加至与驱动晶体管重叠的重叠层，以减小驱动晶体管的数据范围。相应地，数据电压可以通过驱动晶体管被充入(例如，可以通过驱动晶体管容易地被充入)。

附图说明

图1是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素的等效电路图。

图2是根据示例性实施例的施加至有机发光二极管显示器的像素的信号的时序图。

图3是例示出根据示例性实施例的有机发光二极管显示器中的驱动晶体管的特性改变的曲线图。

图4是根据另一示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素的等效电路图。

图5是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图。

图6是沿图5的线VI-VI截取的截面图。

图7是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素区域的布局图。

图8是沿图7的线VIII-VIII截取的截面图。

图9是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素的等效电路图。

图10是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图。

图11是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素的等效电路图。

图12是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素区域的布局图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图更详细地描述示例实施例，附图中，相同的附图标记始终指相同的元件。然而，本公开可以以各种不同的形式体现，并且不应当被解释为仅限于本文例示的实施例。而是，这些实施例作为示例提供，使得本公开全面且完整，并且向本领域技术人员充分地传达本公开的方面和特征。相应地，对于本领域普通技术人员来说，对于完全理解本公开的方面和特征不是必需的处理、元件和技术可以不进行描述。除非另有注解，否则在整个附图和书面描述中，相同的附图标记表示相同的元件，并且因此，可以不重复其描述。

在附图中，为了清楚起见，元件、层和区域的相对尺寸可能被放大和/或简化。为了易于解释，本文可以使用空间上相对的术语，例如“下面”、“下方”、“下”、“之下”、“上方”和“上”等，来描述如图中所例示的一个元件或特征与另一个(些)元件或特征的关系。应该理解，空间上相对的术语意在涵盖除图中描绘的定向之外装置在使用中或操作中的不同定向。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件将随之被定向为位于其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“下方”和“之下”可以涵盖上方和下方两种定向。装置可以以其它方式定向(例如旋转90度或以其它定向)，并且本文使用的空间上相对的描述语言应当进行相应的解释。

应该理解，虽然本文可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、部件、区域、层和/或区段，但这些元件、部件、区域、层和/或区段不应当受限于这些术语。这些术语被用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一元件、部件、区域、层或区段区分开来。因此，以下所描述的第一元件、部件、区域、层或区段可被命名为第二元件、部件、区域、层或区段，而不偏离本发明的精神和范围。进一步，在整个说明书中，短语“在平面上”指目标部分的从顶面的视图，而短语“在截面上”指通过垂直切割目标部分而形成的截面的从侧面的视图。

应该理解，当提及一元件或层位于另一元件或层“上”或者“连接至”或“联接至”另一元件或层时，该元件或层可直接位于另一元件或层上或者直接连接至或联接至另一元件或层，或者可以存在一个或多个中间元件或层。此外，在整个说明书中，术语“在目标元件上”将被理解为位于目标元件上方或下方，而不必理解为基于与重力方向相反的方向“位于上侧”。另外，还应该理解的是，当提及一元件或层位于两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是这两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个中间元件或层。

本文所使用的术语的目的是描述特定的实施例，并且不意在限制本公开。如本文所使用的，单数形式“一”意在也包括复数形式，除非上下文清楚地给出其它指示。可进一步理解，术语“包括”、“包含”和“具有”在本说明书中使用时指明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或附加。如本文所使用的，术语“和/或”包括所列出的关联项目中的一个或多个的任意和所有组合。诸如“中的至少一个”的表达当在元件列表之后时修饰整个元件列表，而不是修饰列表中的个别元件。

如本文所使用的，术语“基本上”、“大约”及类似术语被用作近似术语而不是程度术语，并且意在考虑本领域普通技术人员会认识到的测量的或计算的值的固有偏差。另外，在描述本公开的实施例时，“可以”的使用指的是“本公开的一个或多个实施例”。如本文所使用的，术语“使用”和“被使用”可以分别被认为与术语“利用”和“被利用”同义。同样，术语“示例性”意在指示例或例示。

除非另外定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。进一步应该理解，诸如那些在常用词典中定义的术语应当被解释为具有与其在相关领域和/或本说明书的背景中的含义相一致的含义，而不应以理想化的或过于正式的意义来解释，除非本文明确进行了这种定义。

现在将参考图1和图2描述根据示例性实施例的有机发光二极管显示器。

图1是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素的等效电路图，并且图2是施加至根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素的信号的时序图。

参考图1，有机发光二极管显示器包括多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8和T9、存储电容器Cst以及有机发光二极管OLED，多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8和T9连接至多条信号线127、151、152、153、158、171、172和741。

参考图1，将电流供给至有机发光二极管OLED的驱动晶体管T1包括与驱动晶体管T1重叠的重叠层M1，并且相对于半导体层(在这里驱动晶体管T1的沟道被形成)，重叠层M1被设置在驱动晶体管T1的栅电极G1的相反侧。由于重叠层M1可以用作驱动晶体管T1的第二栅电极，所以重叠层M1可以被称为第二栅电极。

重叠层M1连接至第八晶体管T8和第九晶体管T9。重叠层M1通过第八晶体管T8接收驱动电压ELVDD，并且通过第九晶体管T9接收初始化电压Vint。期间驱动电压ELVDD被施加至重叠层M1的区段(例如，时间段)以及期间初始化电压Vint被施加至重叠层M1的区段(例如，时间段)可以彼此不重叠。在下文中，第八晶体管T8和第九晶体管T9中的一个或两个可以被称为电压施加晶体管(例如，分别被称为第一电压施加晶体管和第二电压施加晶体管)。虽然驱动电压ELVDD和初始化电压Vint被用在本示例性实施例中，但是驱动电压ELVDD和初始化电压Vint可以是其中一个电压可以高于另一电压的不同电压，并且因此，高于驱动晶体管T1的阈值电压的电压以及低于驱动晶体管T1的阈值电压的电压可以被使用。

如参考图3更详细描述的，驱动晶体管T1的特性可以依赖于施加至重叠层M1的电压而改变。

图1中所示的像素PX包括总共九个晶体管。

九个晶体管包括将电流提供至有机发光二极管OLED的驱动晶体管T1以及连接至扫描线151和数据线171并将数据电压提供至像素PX的第二晶体管T2。进一步，九个晶体管包括是用于操作有机发光二极管OLED的晶体管(在下文中可以被称为补偿晶体管)的第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8和第九晶体管T9。

多条信号线127、151、152、153、158、171、172和741可以包括扫描线151、前一扫描线152、发光控制线153、旁路控制线158、数据线171、驱动电压线172、初始化电压线127以及公共电压线741。旁路控制线158可以是前一扫描线152的一部分，或者可以电连接至前一扫描线152。

扫描线151连接至栅驱动器，并且将扫描信号Sn传输至第二晶体管T2、第三晶体管T3以及第九晶体管T9。前一扫描线152连接至栅驱动器，并且将施加至位于前一级中的像素PX的前一扫描信号Sn-1传输至第四晶体管T4。发光控制线153连接至发光控制部，并且将用于控制有机发光二极管OLED的发光时间的发光控制信号EM传输至第五晶体管T5、第六晶体管T6和第八晶体管T8。旁路控制线158将旁路信号GB传输至第七晶体管T7，并且依赖于示例性实施例的电路结构，旁路控制线158可以传输与前一扫描信号Sn-1相同的信号。

数据线171是用于传输从数据驱动器产生的数据电压Dm的布线，并且发光二极管OLED(也被称为有机发光元件)的亮度依赖于数据电压Dm而改变。驱动电压线172施加驱动电压ELVDD，并且初始化电压线127传输用于初始化驱动晶体管T1的初始化电压Vint。公共电压线741施加公共电压ELVSS。施加至驱动电压线172、初始化电压线127和公共电压线741的电压可以分别是恒定或基本恒定的电压。

在下文中将更详细地描述多个晶体管。

驱动晶体管T1是根据施加的数据电压Dm调节输出电流的强度的晶体管，并且输出的驱动电流Id被施加到有机发光二极管OLED。因此，有机发光二极管OLED的亮度根据数据电压Dm调节。驱动晶体管T1的第一电极S1(也被称为输入端子)被设置为接收驱动电压ELVDD，并且因此经由第五晶体管T5与驱动电压线172连接。此外，驱动晶体管T1的第一电极S1也与第二晶体管T2的第二电极D2连接，并且因此接收数据电压Dm。驱动晶体管T1的第二电极D1(也被称为输出端子)被设置为向有机发光二极管OLED输出电流，并且经由第六晶体管T6与有机发光二极管OLED的阳极连接。驱动晶体管T1的栅电极G1与存储电容器Cst的一个电极(例如，第二存储电极E2)连接。因此，栅电极G1的电压根据存储在存储电容器Cst中的电压而改变，并且相应地，从驱动晶体管T1输出的驱动电流Id被改变。

另外，驱动晶体管T1进一步包括与驱动晶体管T1重叠的重叠层M1。重叠层M1可以用作驱动晶体管T1的另一栅电极。

第二晶体管T2是像素PX中接收数据电压Dm的晶体管。第二晶体管T2的栅电极G2与扫描线151连接，并且第二晶体管T2的第一电极S2与数据线171连接。第二晶体管T2的第二电极D2与驱动晶体管T1的第一电极S1连接。当第二晶体管T2根据通过扫描线151传输的扫描信号Sn导通时，通过数据线171传输的数据电压Dm被传输至驱动晶体管T1的第一电极S1。

第三晶体管T3是使得在数据电压Dm经过驱动晶体管T1时从数据电压Dm改变的补偿电压(例如，Dm+Vth)能够被传输至存储电容器Cst的第二存储电极E2的晶体管。第三晶体管T3的栅电极G3与扫描线151连接。第三晶体管T3的第一电极S3与驱动晶体管T1的第二电极D1连接，并且第三晶体管T3的第二电极D3与存储电容器Cst的第二存储电极E2和驱动晶体管T1的栅电极G1连接。第三晶体管T3根据通过扫描线151传输的扫描信号Sn导通，并且因此将驱动晶体管T1的栅电极G1和第二电极D1彼此连接，并将驱动晶体管T1的第二电极D1和存储电容器Cst的第二存储电极E2彼此连接。换句话说，当第三晶体管T3导通时，第三晶体管T3可以二极管连接驱动晶体管T1。

第四晶体管T4用于初始化驱动晶体管T1的栅电极G1和存储电容器Cst的第二存储电极E2。第四晶体管T4的栅电极G4与前一扫描线152连接，并且第四晶体管T4的第一电极S4与初始化电压线127连接。第四晶体管T4的第二电极D4经由第三晶体管T3的第二电极D3连接至存储电容器Cst的第二存储电极E2和驱动晶体管T1的栅电极G1。第四晶体管T4根据通过前一扫描线152传输的前一扫描信号Sn-1，将初始化电压Vint传输至驱动晶体管T1的栅电极G1和存储电容器Cst的第二存储电极E2。相应地，驱动晶体管T1的栅电极G1的栅电压以及存储电容器Cst被初始化。初始化电压Vint可以是具有可导通驱动晶体管T1的低电压值的电压。

第五晶体管T5用于将驱动电压ELVDD传输至驱动晶体管T1。第五晶体管T5的栅电极G5与发光控制线153连接，并且第五晶体管T5的第一电极S5与驱动电压线172连接。第五晶体管T5的第二电极D5与驱动晶体管T1的第一电极S1连接。

第六晶体管T6用于将从驱动晶体管T1输出的驱动电流Id传输至有机发光二极管OLED。第六晶体管T6的栅电极G6与发光控制线153连接，并且第六晶体管T6的第一电极S6与驱动晶体管T1的第二电极D1连接。第六晶体管T6的第二电极D6与有机发光二极管OLED的阳极连接。

第五晶体管T5和第六晶体管T6根据通过发光控制线153传输的发光控制信号EM同步(例如，同时)导通，并且当驱动电压ELVDD通过第五晶体管T5被施加至驱动晶体管T1的第一电极S1时，驱动晶体管T1根据驱动晶体管T1的栅电极G1的电压(例如，存储电容器Cst的第二存储电极E2的电压)输出驱动电流Id。输出的驱动电流Id通过第六晶体管T6传输至有机发光二极管OLED。随着电流Ioled流动至有机发光二极管OLED，有机发光二极管OLED发光。

第七晶体管T7用于初始化有机发光二极管OLED的阳极。第七晶体管T7的栅电极G7与旁路控制线158连接，第七晶体管T7的第一电极S7与有机发光二极管OLED的阳极连接，并且第七晶体管T7的第二电极D2与初始化电压线127连接。旁路控制线158可以连接至前一扫描线152，并且旁路信号GB以与前一扫描信号Sn-1的时序相同或基本相同的时序施加。然而，本公开不限于此，并且在一些实施例中，旁路控制线158可以不连接至前一扫描线152，并且可以传输与前一扫描信号Sn-1不同的信号。当第七晶体管T7根据旁路信号GB导通时，初始化电压Vint被施加至有机发光二极管OLED的阳极，并且因此有机发光二极管OLED的阳极被初始化。

第八晶体管T8用于将驱动电压ELVDD传输至与驱动晶体管T1重叠的重叠层M1。第八晶体管T8的栅电极G8与发光控制线153连接，第八晶体管T8的第一电极S8与驱动电压线172连接，并且第八晶体管T8的第二电极D8与重叠层M1连接。

第八晶体管T8也根据通过发光控制线153传输的发光控制信号EM与第五晶体管T5和第六晶体管T6同步(例如，同时)导通，并且将驱动电压ELVDD传输至重叠层M1。

第九晶体管T9用于将初始化电压Vint传输至重叠层M1。第九晶体管T9的栅电极G9与扫描线151连接，第九晶体管T9的第一电极S9与重叠层M1连接，并且第九晶体管T9的第二电极D9与初始化电压线127连接。第九晶体管T9根据扫描信号Sn与第二晶体管T2和第三晶体管T3同步(例如，同时)导通，并且初始化重叠层M1的电压。

像素PX包括存储电容器Cst。存储电容器Cst存储通过驱动晶体管T1施加至存储电容器Cst的数据电压。

存储电容器Cst的第一存储电极E1与驱动电压线172连接，并且存储电容器Cst的第二存储电极E2与驱动晶体管T1的栅电极G1、第三晶体管T3的第二电极D3以及第四晶体管T4的第二电极D4连接。因此，存储电容器Cst的第二存储电极E2确定驱动晶体管T1的栅电极G1的电压(例如，驱动晶体管T1的栅源电压Vgs)，并且通过第三晶体管T3的第二电极D3接收数据电压Dm或者通过第四晶体管T4的第二电极D4接收初始化电压Vint。

像素PX包括有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED的阳极与第六晶体管T6的第二电极D6和第七晶体管T7的第一电极S7连接，并且有机发光二极管OLED的阴极与用于传输公共电压ELVSS的公共电压线741连接。

在图1的示例性实施例中，像素电路包括九个晶体管T1至T9和一个电容器Cst，但是本公开不限于此。例如，在其他实施例中，如本领域普通技术人员将理解的，可以对晶体管的数量和/或电容器的数量以及它们之间的连接进行各种修改。

有机发光二极管显示器包括显示图像的显示区域，并且像素PX以各种合适的格式(举例来说，诸如矩阵)布置在显示区域处(例如，中或上)。

将参考图1和图2描述根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素的操作。

在初始化区段(例如，初始化时段)期间，低电平的前一扫描信号Sn-1通过前一扫描线152供给至像素PX。然后，接收到低电平的前一扫描信号Sn-1的第四晶体管T4导通，并且因此，初始化电压Vint通过第四晶体管T4施加至驱动晶体管T1的栅电极G1和存储电容器Cst的第二存储电极E2。因此，驱动晶体管T1和存储电容器Cst被初始化。由于初始化电压Vint具有低电压值，因此驱动晶体管T1可以导通。

在初始化区段期间，低电平的旁路信号GB也被施加至第七晶体管T7。接收到低电平的旁路信号GB的第七晶体管T7导通，并且因此，初始化电压Vint通过第七晶体管T7施加至有机发光二极管OLED的阳极。因此，有机发光二极管OLED的阳极被初始化。

之后，在数据写入区段(例如，数据写入时段)(在下文中，也可以被称为写入区段或写入时段)期间，低电平的扫描信号Sn通过扫描线151供给至像素PX。第二晶体管T2、第三晶体管T3和第九晶体管T9通过低电平的扫描信号Sn导通。

当第二晶体管T2导通时，数据电压Dm通过第二晶体管T2输入至驱动晶体管T1的第一电极S1。

另外，第三晶体管T3在数据写入区段期间导通，并且因此，驱动晶体管T1的第二电极D2与驱动晶体管T1的栅电极G1和存储电容器Cst的第二存储电极E2电连接。驱动晶体管T1的栅电极G1和第二电极D2彼此连接使得驱动晶体管T1被二极管连接。另外，由于在初始化区段期间低电压(例如，初始化电压Vint)被施加，因此驱动晶体管T1处于导通状态。相应地，输入到驱动晶体管T1的第一电极S1的数据电压Dm在经过驱动晶体管T1的沟道之后，从驱动晶体管T1的第二电极D1输出，并且然后被存储在存储电容器Cst的第二存储电极E2中。在这种情况下，施加至第二存储电极E2的电压根据驱动晶体管T1的阈值电压Vth而改变，并且当数据电压Dm被施加至驱动晶体管T1的第一电极S1且初始化电压Vint被施加至驱动晶体管T1的栅电极G1时，输出至驱动晶体管T1的第二电极D1的电压可以是Vgs+Vth。这里，由于驱动晶体管T1的栅电极G1和驱动晶体管T1的第一电极S1之间的电压差，Vgs可以具有Dm-Vint的值。因此，从驱动晶体管T1的第二电极D1输出并存储在存储电容器Cst的第二存储电极E2中的电压可以具有Dm-Vint+Vth的值。

另外，在数据写入区段期间，第九晶体管T9导通，并且初始化电压Vint被施加至重叠层M1。由于重叠层M1也可以是驱动晶体管T1的另一栅电极(例如，第二栅电极)，因此当初始化电压Vint被施加至重叠层M1时，驱动晶体管T1的特性可以被改变。下面将参考图3对此进行更详细的描述。

之后，在发光区段(例如，发光时段)期间，从发光控制线153供给的发光控制信号EM具有低电平值，并且因此，第五晶体管T5、第六晶体管T6和第八晶体管T8导通。

由于第五晶体管T5和第六晶体管T6导通，因此驱动电压ELVDD被施加至驱动晶体管T1的第一电极S1，并且驱动晶体管T1的第二电极D1与有机发光二极管OLED连接。驱动电流Id根据驱动晶体管T1的栅电极G1的电压与驱动晶体管T1的第一电极S1的电压(例如，驱动电压ELVDD)之间的电压差而在驱动晶体管T1中产生。驱动晶体管T1的驱动电流Id可以具有与Vgs-Vth的平方成比例的值。这里，Vgs的值等于或基本等于存储电容器Cst的相对端处的电压差，并且等于或基本等于Vg-Vs，并且因此，Vgs具有Dm-Vint+Vth-ELVDD的值。这里，Vgs-Vth的值通过减去Vth的值来获得，使得其具有Dm-Vint-ELVDD的值。换句话说，驱动晶体管T1的驱动电流Id具有与驱动晶体管T1的阈值电压Vth无关的电流作为输出。

因此，虽然位于每个像素PX中的驱动晶体管T1可能由于工艺偏差而具有不同的阈值电压Vth，但是驱动晶体管T1的输出电流可以是恒定的或基本恒定的，从而改善了特性的不均匀性。

在上面描述的计算公式中，Vth值可以具有比0稍大的值，或者在使用多晶半导体的P型晶体管的情况下具有负值。另外，+和-的表达可以根据计算电压的方向而改变。然而，是驱动晶体管T1的输出电流的驱动电流Id具有与阈值电压Vth无关的值，这一事实没有改变。

另外，在发光区段期间，第八晶体管T8也导通，并且因此，驱动电压ELVDD被施加至重叠层M1。重叠层M1可以是驱动晶体管T1的另一栅电极(例如，第二栅电极)，并且因此，当驱动电压ELVDD被施加至重叠层M1时，驱动晶体管T1的特性可以被改变。下面将参考图3对此进行更详细的描述。

当发光区段终止时，初始化区段再次开始，使得参考图2描述的相同或基本相同的操作从开始重复。

依赖于电压或电流的施加方向，多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8和T9中的每个的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。

在一些实施例中，第七晶体管T7在初始化区段期间初始化有机发光二极管OLED的阳极，并且因此可以防止或基本防止在驱动晶体管T1实际上未导通的情况下从驱动晶体管T1释放的小量电流流向有机发光二极管OLED。在这种情况下，小量电流是旁路电流Ibp，其通过第七晶体管T7释放至初始化电压Vint端。因此，有机发光二极管OLED可以不发射不必要的光，从而显示更逼真的黑色灰度(例如，更逼真的黑色灰度级)并提高对比度。在这种情况下，旁路信号GB可以是具有与前一扫描信号Sn-1的时序不同的时序的信号。然而，本公开不限于此，并且依赖于示例性实施例，第七晶体管T7可以被省略。

施加至如上所述那样操作的像素PX中的重叠层M1的电压可以改变驱动晶体管T1的特性。因此，驱动晶体管T1在写入区段和发光区段期间可以具有不同的特性。

将参考图3更详细地描述这种特性改变。

图3是例示出根据示例性实施例的有机发光二极管显示器中的驱动晶体管的特性改变的曲线图。

在图3中，水平轴表示驱动晶体管T1的栅源电压Vgs，并且垂直轴表表示流动至驱动晶体管T1的电流Ids。在图3中，V0和V255被显示在垂直轴上，并且分别表示相对于256个灰度(例如256个灰度值)表达最小灰度(例如，0灰度或灰度值)的电流值和表达最大灰度(例如255灰度或灰度值)的电流值。

图3中所示的两条曲线被区分为“低DR范围”和“高DR范围”。“低DR范围”曲线例示出当初始化电压Vint被施加至与驱动晶体管T1重叠的重叠层M1时驱动晶体管T1的特性。“高DR范围”曲线例示出当驱动电压ELVDD被施加至与驱动晶体管T1重叠的重叠层M1时驱动晶体管T1的特性。

另外，参考图3使用的表达“数据范围”意思是用于提供显示最小灰度的电流值的栅源电压Vgs与用于提供显示最大灰度的电流值的栅源电压Vgs之间的间隙。

如图3中所示，当初始化电压Vint被施加至重叠层M1时，随着栅源电压Vgs增大，驱动晶体管T1的曲线图斜率迅速减小。结果，可以供给在最大灰度(255灰度；V255)处使用的电流值的栅源电压Vgs增大，并且数据范围减小。(低数据范围)。

另一方面，当驱动电压ELVDD被施加至重叠层M1时，随着栅源电压Vgs增大，驱动晶体管T1的曲线图斜率相对慢地减小。结果，可以供给在最大灰度(255灰度；V255)处使用的电流值的栅源电压Vgs被维持或基本维持在相对小的值，并且数据范围被维持或基本维持为大。(高数据范围)。

当这两种驱动晶体管T1遇到写入区段和发光区段时，其特性表现出更理想的效果。

换句话说，在写入区段期间，初始化电压Vint被施加至重叠层M1，并且因此，驱动晶体管T1具有低数据范围。相应地，即使当栅源电压Vgs稍微改变时，输出也增大，并且因此，数据电压可以很好地充电至电容器(例如，存储电容器Cst)。

此外，在发光区段期间，驱动电压ELVDD被施加至重叠层M1，并且因此，驱动晶体管T1具有高数据范围。相应地，驱动晶体管T1的输出对栅源电压Vgs的改变较不敏感地改变。结果，输出根据每个驱动晶体管T1的特性的改变可以变得较不敏感。因此，在发光区段期间发光特性的改变可以根据像素的位置而减小，并且显示质量可以变得均匀或基本均匀。

在下文中，将参考图4描述另一示例性实施例。

图4是根据另一示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素的等效电路图。

图4的电路图与图1的电路图的不同之处可以在于图4的第三晶体管T3和第四晶体管T4可以各自包括多个晶体管。相应地，可以不重复图1和图4的实施例之间的冗余描述，并且可以主要描述它们之间的差异。

根据图4的示例性实施例的第三晶体管T3由3-1晶体管T3-1和3-2晶体管T3-2形成。在这种情况下，3-1晶体管T3-1的栅电极G3-1和3-2晶体管T3-2的栅电极G3-2彼此连接，并且3-1晶体管T3-1的第一电极S3-1和3-2晶体管T3-2的第二电极D3-2彼此连接。3-2晶体管T3-2的第一电极S3-2与驱动晶体管T1的第二电极D1连接，并且3-1晶体管T3-1的第二电极D3-1与存储电容器Cst的第二存储电极E2和驱动晶体管T1的栅电极G1连接。

两个晶体管T3-1和T3-2的栅电极彼此连接并接收同一信号，并且因此，一个晶体管的输出被施加为另一晶体管的输入。

根据图4的示例性实施例，第四晶体管T4由4-1晶体管T4-1和4-2晶体管T4-2形成。在这种情况下，4-1晶体管T4-1的栅电极G4-1和4-2晶体管T4-2的栅电极G4-2彼此连接，并且4-1晶体管T4-1的第一电极S4-1和4-2晶体管T4-2的第二电极D4-2彼此连接。4-2晶体管T4-2的第一电极S4-2与初始化电压线127连接，并且4-1晶体管T4-1的第二电极D4-1连接至存储电容器Cst的第二存储电极E2和驱动晶体管T1的栅电极G1。

两个晶体管T4-1和T4-2的栅电极彼此连接并接收同一信号，并且因此，两个晶体管中的一个的输出被施加为另一晶体管的输入。

如上所述，当包括两个晶体管时，具有减小晶体管的泄漏特性的优点。

在图4的示例性实施例中，第三晶体管T3和第四晶体管T4都包括两个晶体管，但是本公开不限于此，并且在另一实施例中，第三晶体管T3和第四晶体管T4中仅一个可以包括两个晶体管。

在下文中，将参考图5和图6描述根据示例的具有图4的结构的像素PX的布局图和截面图。

图5是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图，并且图6是沿图5的线VI-VI截取的截面图。

参考图5和图6，根据本示例性实施例的有机发光二极管显示器包括基本在第一方向x上延伸并分别传输扫描信号Sn、前一扫描信号Sn-1、发光控制信号EM和初始化电压Vint的扫描线151、前一扫描线152、发光控制线153和初始化电压线127。旁路信号GB通过前一扫描线152传输。有机发光二极管显示器包括在与第一方向x交叉的第二方向y上延伸的数据线171和驱动电压线172。

有机发光二极管显示器包括驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8、第九晶体管T9、存储电容器Cst和有机发光二极管OLED。

另外，根据图5和图6的示例性实施例的有机发光二极管显示器包括重叠层M1，重叠层M1由具有导电性能的金属形成，或者由与金属等效的半导体材料形成。在图5中，重叠层M1用粗线示出。

重叠层M1包括接触部M1-3、延伸部M1-2和扩展部M1-1。扩展部M1-1被形成为与驱动晶体管T1的沟道和栅电极155重叠。接触部M1-3是与第八晶体管T8和第九晶体管T9电连接的部分，并且扩展部M1-1和接触部M1-3通过延伸部M1-2彼此连接。

参考图6，重叠层M1被设置在由玻璃、塑料或聚酰亚胺(PI)形成的基板110与半导体层之间。另外，重叠层M1在平面上与驱动晶体管T1的沟道重叠，并且可以与驱动晶体管T1的第一电极和第二电极至少部分地重叠。另外，由于驱动晶体管T1的栅电极155被设置在半导体层上，所以重叠层M1和栅电极155也彼此重叠。

驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8和第九晶体管T9中的每个的沟道被设置在拉长的半导体层130中。另外，多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8和T9中的每个的第一电极和第二电极的至少一部分被设置在半导体层130中。半导体层130(例如，对应于图5中的阴影部分，这在下文中相同)可以通过弯曲成各种形状来形成。例如，半导体层130可以包括诸如多晶硅的多晶半导体或氧化物半导体。

半导体层130包括掺杂有N型杂质或P型杂质的沟道以及设置在沟道的相对侧的第一掺杂区和第二掺杂区。第一掺杂区和第二掺杂区可以以比沟道的浓度高的浓度掺杂有杂质。第一掺杂区和第二掺杂区分别对应于多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8和T9中的每个的第一电极和第二电极。当第一掺杂区和第二掺杂区中的一个是源区时，其另一个对应于漏区。另外，不同晶体管的第一电极和第二电极之间的区域被掺杂，并且因此，这两个晶体管可以彼此电连接。

根据图5的示例性实施例的半导体层130的平面形状(例如，当在平面图中观看时的形状)描述如下。

驱动晶体管T1的沟道具有马蹄形状，并且驱动晶体管T1的第一电极S1和第二电极D1位于沟道的相应侧。

半导体层130从第一电极S1垂直地(例如，在第二方向y上)延伸，并且第二晶体管T2的沟道被设置在半导体层130的从第一电极S1向上(例如，在第二方向y上)延伸的部分处(例如，中或上)。半导体层130的从第一电极S1向下延伸的部分在经过第五晶体管T5的沟道之后再次水平(例如，在第一方向x上)延伸，并且半导体层130的向左延伸的部分再次向上延伸，使得(例如，相邻像素的)第八晶体管T8的沟道位于其中。

另外，半导体层130从第二电极D1也垂直延伸，并且半导体层130的向下延伸的部分在经过第六晶体管T6的沟道之后向左弯曲。半导体层130的从第二电极D1向上延伸的部分也向左弯曲，并且3-2晶体管T3-2的沟道和3-1晶体管T3-1的沟道位于弯曲部分处(例如，中或上)。然后，半导体层130再次向上弯曲然后向下弯曲，并且4-1晶体管T4-1的沟道和4-2晶体管T4-2的沟道位于向上弯曲的部分和向下弯曲的部分中。之后，半导体层130向右延伸，并且然后被分为两个分支。半导体层130的两个分支中的一个在向上延伸时经过第七晶体管T7的沟道，并且因此，与设置在上方的相邻像素PX的第六晶体管T6连接。另一分支在倾斜向下延伸时弯曲，并且因此，在与3-2晶体管T3-2的沟道平行或基本平行的方向上延伸，并且第九晶体管T9的沟道位于对应位置处(例如，中或上)。

然而，本公开不限于此，并且依赖于示例性实施例，半导体层130的这种详细结构可以进行各种修改。

多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8和T9中的每个的沟道与多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8和T9中的每个的对应栅电极重叠，并且位于多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8和T9中的每个的对应的第一电极和对应的第二电极之间。多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8和T9可以具有彼此相同或基本相同的层叠结构。在下文中，将更详细地描述驱动晶体管T1，并且可以简要地描述其他剩余的晶体管T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8和T9。

驱动晶体管T1包括沟道、栅电极155、第一电极S1和第二电极D1。驱动晶体管T1的沟道被设置在第一电极S1和第二电极D1之间，并且在平面上与栅电极155重叠。沟道被弯折，使得沟道的(例如，在第一方向x上的)长度可以在有限的区域中延伸。随着沟道的长度增加，施加至驱动晶体管T1的栅电极155的栅电压Vg的驱动范围变宽(例如，增大)，并且驱动电流Id根据栅电压Vg恒定地增大。相应地，从有机发光二极管OLED发射的光的灰度可以通过改变栅电压Vg的幅度而更精细地控制，并且因此，可以改善有机发光二极管显示器的显示质量。另外，由于沟道在多个方向上延伸而不是在一个方向上延伸，所以还可以具有消除制造工艺中方向的影响的优点，并且减小了工艺分散的效应。因此，可以防止或基本防止因为由于工艺分散产生的驱动晶体管T1根据显示装置的区域的特性差异而可能发生的图像质量下降，举例来说，诸如斑点缺陷(例如，即使当相同的数据电压Dm被施加时依赖于各像素也可能发生的亮度差)。然而，本公开不限于此，并且这种沟道形状可以进行各种修改，而不限于马蹄形Ω，例如使得沟道的直线形状或S形形状也是可能的。

栅电极155和重叠层M1在平面上与沟道重叠。在图5的示例性实施例中，重叠层M1的扩展部M1-1被形成为比栅电极155更宽。栅电极155被设置在半导体层130上方，并且重叠层M1被设置在半导体层130与基板110之间。驱动晶体管T1的第一电极S1和第二电极S2分别被设置在沟道的相对侧。驱动电压水平线126的扩展部位于栅电极155上并与栅电极155绝缘。在平面图中，重叠层M1还与驱动电压水平线126的扩展部重叠。驱动电压水平线126的扩展部通过在平面上与栅电极155重叠而形成存储电容器Cst，其间具有第二栅绝缘层142。驱动电压水平线126的扩展部形成存储电容器Cst的第一电极(例如，图1中的E1)，并且栅电极155形成第二存储电极(例如，图1中的E2)。开口56被形成在驱动电压水平线126的扩展部中，并且因此，栅电极155与通过开口56的第一数据连接构件71连接。栅电极155的顶表面和第一数据连接构件71通过开口56中的开口61彼此电连接。第一数据连接构件71与第三晶体管T3的第二电极D3连接，并且因此将驱动晶体管T1的栅电极155和第三晶体管T3的第二电极D3彼此连接。

第二晶体管T2的栅电极可以是扫描线151的一部分。数据线171通过开口62连接至第二晶体管T2的第一电极S2，并且第二晶体管T2的第一电极S2和第二电极D2可以位于半导体层130上。

第三晶体管T3可以由两个相邻的晶体管形成。换句话说，参考图5中所示的像素PX中半导体层130弯曲的部分，第三晶体管T3被标记为分别在左侧和下方的3-1晶体管T3-1和3-2晶体管T3-2。两个部分(例如，T3-1和T3-2)被组合以用作第三晶体管T3，并且第三晶体管T3中的一个的第一电极与另一第三晶体管T3的第二电极连接。两个晶体管T3-1和T3-2的栅电极可以是从扫描线151向上突出的部分，或者是扫描线151的一部分。这样的结构可以用于防止或基本防止泄漏电流的流动。第三晶体管T3的第一电极S3与第六晶体管T6的第一电极S6和驱动晶体管T1的第二电极D1连接。第三晶体管T3的第二电极D3通过开口63与第一数据连接构件71连接。

第四晶体管T4由两个第四晶体管T4-1和T4-2形成，并且两个第四晶体管T4-1和T4-2被形成在前一扫描线152和半导体层130相遇(例如，彼此重叠)的部分处(例如，中或上)。两个第四晶体管T4-1和T4-2的栅电极可以是前一扫描线152的一部分。第四晶体管T4中的一个的第一电极与另一第四晶体管T4的第二电极连接。这样的结构可以用于防止或基本防止泄漏电流的流动。第四晶体管T4的第一电极S4通过开口65与第二数据连接构件72连接，并且第四晶体管T4的第二电极D4通过开口63与第一数据连接构件71连接。第四晶体管T4的第一电极S4与第七晶体管T7的第二电极D7和第九晶体管T9的第二电极D9连接。

如上所述，第三晶体管T3和第四晶体管T4各自包括两个晶体管，并且因此在截止状态下可以通过阻断第三晶体管T3和第四晶体管T4的沟道的电子移动路径而有效地防止或基本防止泄漏电流。

第五晶体管T5的栅电极可以是发光控制线153的一部分。驱动电压线172通过开口67连接至第五晶体管T5的第一电极S5，并且第五晶体管T5的第二电极D5通过半导体层130与驱动晶体管T1的第一电极S1连接。另外，第五晶体管T5的第一电极S5与第八晶体管T8的第一电极S8连接。

第六晶体管T6的栅电极可以是发光控制线153的一部分。第六晶体管T6的第二电极D6通过开口69与第三数据连接构件73连接，并且第六晶体管T6的第一电极S6通过半导体层130与驱动晶体管T1的第二电极D1连接。

第七晶体管T7的栅电极可以是前一扫描线152的一部分。第七晶体管T7的第一电极S7通过开口81与第三数据连接构件73连接，并且第二电极D7可以与第四晶体管T4的第一电极S4连接。第七晶体管T7的第二电极D7还与第九晶体管T9的第二电极D9连接。

存储电容器Cst包括彼此重叠的第一存储电极E1和第二存储电极E2，其间具有第二栅绝缘层142。第二存储电极E2可以对应于驱动晶体管T1的栅电极155，并且第一存储电极E1可以是驱动电压水平线126的扩展部。在这种情况下，第二栅绝缘层142可以包括介电材料，并且电容由充入存储电容器Cst中的电荷和第一存储电极E1与第二存储电极E2之间的电压来确定。通过使用栅电极155作为第二存储电极E2，在由于驱动晶体管T1的沟道占据像素中相对大的面积而减少的空间中可以确保用于形成存储电容器Cst的空间。

驱动电压线172通过开口68连接至第一存储电极E1。因此，存储电容器Cst存储与通过驱动电压线172传输至第一存储电极E1的驱动电压ELVDD以及栅电极155的栅电压Vg相对应的电荷。

第二数据连接构件72通过开口64与初始化电压线127连接。像素电极通过开口81连接至第三数据连接构件73。

寄生电容器控制图案79可以被设置在第三晶体管T3的双栅之间。寄生电容器存在于每个像素中，并且当施加至寄生电容器的电压改变时，图像质量特性可能改变。驱动电压线172通过开口66连接至寄生电容器控制图案79。因此，是恒定或基本恒定的直流的驱动电压ELVDD被施加至寄生电容器，从而防止或基本防止图像显示特性改变。然而，本公开不限于此，并且寄生电容器控制图案79可以位于与图5中所例示的区域不同的区域中，或者除驱动电压ELVDD以外的电压可以被施加至寄生电容器控制图案79。

参考图6，根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的截面结构将根据其堆叠顺序来描述。

在图6中，例示出了沿着图5中的与有机发光二极管显示器中的重叠层M1的一部分相对应的线VI-VI截取的截面图。因此，将首先描述根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的截面层叠结构，并且然后将参考图6更详细地描述其一部分的层叠关系。

根据示例性实施例的有机发光二极管显示器使用由例如诸如玻璃、塑料或聚酰亚胺(PI)的合适材料形成的基板110。阻挡层111被设置在基板110上，并且由具有导电性能的金属形成的或由与金属等效的半导体材料形成的重叠层M1被设置在阻挡层111上。缓冲层112被设置在重叠层M1上。阻挡层111和缓冲层112可以包括例如诸如氧化硅、氮化硅和/或氧化铝等的无机绝缘材料，并且也可以包括例如诸如聚酰亚胺和/或丙烯酸纤维(添加了环氧树脂)等的有机绝缘材料。

包括多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8和T9的沟道、第一电极和第二电极的半导体层130被设置在缓冲层112上。第一栅绝缘层141被设置在半导体层130上。包括多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8和T9的栅电极(例如，以及第二存储电极E2)、扫描线151、前一扫描线152和发光控制线153的第一栅导体被设置在第一栅绝缘层141上。覆盖第一栅导体的第二栅绝缘层142被设置在第一栅导体上。第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142可以由氮化硅、氧化硅和/或氧化铝等形成。包括驱动电压水平线126、第一存储电极E1、初始化电压线127和寄生电容器控制图案79的第二栅导体被设置在第二栅绝缘层142上。

层间绝缘层160被设置在第二栅导体上。层间绝缘层160可以由氮化硅、氧化硅和/或氧化铝等形成，并且可以由有机绝缘材料形成。包括数据线171、驱动电压线172、第一数据连接构件71、第二数据连接构件72和第三数据连接构件73的数据导体被设置在层间绝缘层160上。

覆盖数据导体的钝化层180被设置在数据导体上。钝化层180，也被称为平坦化层，可以包括有机绝缘材料。像素电极被设置在钝化层180上。像素电极通过形成在钝化层180中的开口81与第三数据连接构件73连接。阻挡肋被设置在钝化层180和像素电极上。阻挡肋包括与像素电极重叠的开口部，并且有机发射层被设置在开口部中。公共电极被设置在有机发射层和阻挡肋上。像素电极、有机发射层和公共电极形成有机发光二极管OLED。

依赖于示例性实施例，像素电极可以是作为空穴注入电极的阳极，并且公共电极可以是作为电子注入电极的阴极。另一方面，像素电极可以是阴极，并且公共电极可以是阳极。当空穴和电子分别从像素电极和公共电极注入有机发射层中时，由注入的空穴和电子的结合形成的激子从激发态下降至基态，并且因此而发光。

形成第一栅导体的扫描线151、前一扫描线152和发光控制线153在水平方向上延伸，并且形成第二栅导体的驱动电压水平线126和初始化电压线127也在水平方向上延伸。形成数据导体的数据线171和驱动电压线172在垂直方向上延伸。

数据线171通过形成在第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层160中的开口62与第二晶体管T2的第一电极连接。

驱动电压线172通过形成在第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层160中的开口67与第五晶体管T5的第一电极S5连接，通过形成在层间绝缘层160中的开口68与驱动电压水平线126的扩展部(例如，第一存储电极E1)连接，并且通过形成在层间绝缘层160中的开口66与寄生电容器控制图案79连接。另外，驱动电压线172通过形成在缓冲层112、第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层160中的开口57与重叠层M1电连接。

第一数据连接构件71的一个端部通过形成在第二栅绝缘层142和层间绝缘层160中的开口61与栅电极155连接，并且另一端部通过形成在第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层160中的开口63与第三晶体管T3的第二电极D3和第四晶体管T4的第二电极D4连接。

第二数据连接构件72的一个端部通过形成在第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层160中的开口65与第四晶体管T4的第一电极S4连接，并且另一端部通过形成在层间绝缘层160中的开口64与初始化电压线127连接。

第三数据连接构件(例如，参考图8中的附图标记73)通过形成在第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层160中的开口69与第六晶体管T6的第二电极连接。

保护有机发光二极管OLED的封装层被设置在公共电极上。封装层可以接触公共电极，或者可以与公共电极间隔开。封装层可以是其中无机层和有机层被堆叠的薄膜封装层，并且可以包括由无机层、有机层和无机层组成的三层结构。盖层和功能层可以被设置在公共电极和封装层之间。

图6更详细地例示出其中重叠层M1被电连接的结构。

参考图6，阻挡层111被设置在基板110上，并且重叠层M1被设置在阻挡层111上。重叠层M1的扩展部M1-1的位置在如图5中所示的平面上与驱动晶体管T1重叠。缓冲层112被设置在重叠层M1上。开口57-1和57-2被形成在缓冲层112中，并且分别暴露出重叠层M1的接触部M1-3的相对端。

半导体层130被设置在缓冲层112上，并且在图6中例示出半导体层130的、驱动晶体管T1的沟道区和第八晶体管T8的第二电极D8。第八晶体管T8的第二电极D8通过开口57-1与重叠层M1的接触部M1-3连接。

其中重叠层M1的接触部M1-3和半导体层130在开口57-2中彼此连接的结构与图6中所示的开口57-1中的结构相同或基本相同，并且因此，仅在图6中例示出开口57-1一个结构。换句话说，参考图5，第九晶体管T9的第一电极S9通过形成在缓冲层112中的开口57-2与重叠层M1的接触部M1-3连接。

第一栅绝缘层141被形成在驱动晶体管T1的沟道区、第八晶体管T8的第二电极D2和缓冲层112上。驱动晶体管T1的栅电极155被设置在第一栅绝缘层141上。第二栅绝缘层142被形成在驱动晶体管T1的栅电极155上。

驱动电压水平线126的扩展部被设置在第二栅绝缘层142上。第二栅绝缘层142和驱动电压水平线126的扩展部包括开口56，并且因此暴露栅电极155的设置在开口56下方的部分。

层间绝缘层160被设置在第二栅绝缘层142和驱动电压水平线126的扩展部上。开口61和68被设置在层间绝缘层160中，并且因此分别暴露栅电极155的一部分和驱动电压水平线126的扩展部的一部分。

第一数据连接构件71和驱动电压线172被设置在层间绝缘层160上。第一数据连接构件71通过开口61与栅电极155电连接，并且驱动电压线172通过开口68与驱动电压水平线126的扩展部电连接。

钝化层180被设置在第一数据连接构件71和驱动电压线172上。像素电极、有机发射层、公共电极和封装层可以被设置在钝化层180上。

根据图5和图6的示例性实施例的重叠层M1在第八晶体管T8或第九晶体管T9导通时接收驱动电压ELVDD或初始化电压Vint。

具有这种特性的重叠层M1可以使用图7和图8中所示的结构与第八晶体管T8和第九晶体管T9连接。

图7是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素区域的布局图，并且图8是沿图7的线VIII-VIII截取的截面图。

与图5和图6的示例性实施例不同，在图7和图8的示例性实施例中，在重叠层M1的接触部M1-3与两个晶体管T8和T9的连接中使用附加连接构件C-1和C-2。

在图8中，由于两个附加连接构件C-1和C-2可以具有彼此相同或基本相同的截面结构，因此仅例示出两个附加连接构件C-1和C-2中的一个附加连接构件C-1的截面。

参考图7和图8，设置在阻挡层111上的重叠层M1的接触部M1-3由设置于其上的缓冲层112以及设置在第一栅绝缘层141中的开口57-1暴露。另外，设置在缓冲层112上的半导体层130的、第八晶体管T8的第二电极D8的顶表面由设置在覆盖第二电极D8的第一栅绝缘层141中的开口57-1暴露。因此，被暴露的接触部M1-3以及第八晶体管T8的第二电极D8通过在覆盖第一栅绝缘层141的开口57-1时形成的附加连接构件C-1彼此电连接。

接触部M1-3和第九晶体管T9的第一电极S1的连接结构与以上所述的连接结构相同或基本相同，并且将在下文中进行更详细的描述。

设置在阻挡层111上的重叠层M1的接触部M1-3由设置在阻挡层111上的缓冲层112和设置在第一栅绝缘层141上的开口57-2暴露。另外，设置在缓冲层112上的半导体层130的、第九晶体管T9的第一电极S9的顶表面由形成在覆盖第一电极S9的第一栅绝缘层141中的开口57-2暴露。结果，被暴露的接触部M1-3以及第九晶体管T9的第一电极S9通过在覆盖第一栅绝缘层141的开口57-2时形成的附加连接构件C-2彼此电连接。

根据图7和图8的示例性实施例的附加连接构件C-1和C-2被形成为第二栅导体层。然而，本公开不限于此，并且附加连接构件C-1和C-2可以被形成为第一栅导体层。

已经参考图7和图8描述了与图5和图6中所示的结构不同的、其中重叠层M1与第八晶体管T8和/或第九晶体管T9连接的结构。然而，依赖于示例性实施例，各种其他电连接也可能是可用的。例如，依赖于示例性实施例，第八晶体管T8的第二电极D8和第九晶体管T9的第一电极S9可以彼此连接，并且可以通过一个开口与重叠层M1连接。在这种情况下，半导体层130从第八晶体管T8的第二电极D8连接至第九晶体管T9的第一电极S9的结构也是可能的。

在以上示例性实施例中的一个或多个中，驱动电压ELVDD和初始化电压Vint被描述为施加至重叠层M1的电压。然而，本发明不限于此，并且依赖于示例性实施例可以使用另一高电压和/或低电压。例如，在一些实施例中，可以使用与驱动晶体管T1的阈值电压Vth具有恒定或基本恒定的量差的电压作为高电压和低电压。

在这种情况下，在写入区段期间，电压中的低于驱动晶体管T1的阈值电压Vth的一个可以被施加至重叠层M1以具有低数据范围，并且在发光区段期间，电压中的高于驱动晶体管T1的阈值电压Vth的另一个可以被施加至重叠层M1以具有高数据范围。

进一步，依赖于示例性实施例，通过第八晶体管T8和第九晶体管T9与重叠层M1连接的部分可以被形成为与像素PX中的一个晶体管的一个电极连接，而不是与特定电压线连接。

另外，依赖于示例性实施例，其中第八晶体管T8和/或第九晶体管T9直接与重叠层M1连接而没有附加连接构件的示例性实施例是可能的。

已经描述了其中第八晶体管T8和第九晶体管T9都被形成在像素PX中的一个或多个示例性实施例。

然而，依赖于示例性实施例，重叠层M1可以与两个晶体管中的一个连接(例如，与第八晶体管T8和第九晶体管T9中的一个连接)。

在下文中，将更详细地描述这种结构。

参考图9和图10，将更详细地描述其中像素PX包括第八晶体管T8和重叠层M1而没有第九晶体管T9的示例性实施例。

图9是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素的等效电路图。

与图1的实施例相比，在图9中省略了第九晶体管T9和连接至第九晶体管T9的布线。在图9的示例性实施例中，重叠层M1仅与第八晶体管T8连接。

换句话说，第八晶体管T8用于将驱动电压ELVDD传输至与驱动晶体管T1重叠的重叠层M1。第八晶体管T8的栅电极G8与发光控制线153连接，第八晶体管T8的第一电极S8与驱动电压线172连接，并且第八晶体管T8的第二电极D8与重叠层M1连接。

第八晶体管T8根据通过发光控制线153传输的发光控制信号EM与第五晶体管T5和第六晶体管T6同步(例如，同时)导通，并且向重叠层M1传输驱动电压ELVDD。

由于图9的示例性实施例中不包括第九晶体管T9，所以初始化电压Vint不被施加到重叠层M1。结果，当第八晶体管T8导通时，重叠层M1可以被连续地施加有驱动电压ELVDD。然而，本公开不限于此，并且依赖于示例性实施例，也可以省略第八晶体管T8，并且因此重叠层M1可以与驱动电压线172直接连接。

图9的示例性实施例可以被例示为如图10中所示的布局图。

图10是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图。

在图10的示例性实施例中，半导体层130在经过4-1晶体管T4-1的沟道和4-2晶体管T4-2的沟道之后延伸至右侧，并且在向上延伸时经过第七晶体管T7的沟道。然后，半导体层130与像素PX的设置在第七晶体管T7的沟道上方的第六晶体管T6连接。相应地，在半导体层130中未形成第九晶体管T9的沟道、第一电极S9和第二电极D9。

另外，重叠层M1的接触部M1-3具有向下弯曲而不向上扩展的结构。进一步，重叠层M1的接触部M1-3与第八晶体管T8的第二电极D8所处的半导体层130通过一个开口57-1电连接。

在其中形成第八晶体管T8和第九晶体管T9两者的图1至图8的示例性实施例中，由于在写入区段期间施加至重叠层M1的初始化电压Vint，驱动晶体管T1具有低数据范围，使得数据电压很好地充入电容器，并且在发光区段期间，由于在发光区段期间施加至重叠层M1的驱动电压ELVDD，驱动晶体管T1具有高数据范围，使得驱动晶体管T1具有对驱动晶体管T1的栅源之间的电压Vgs的改变较不敏感的优点。

然而，在图9和图10的示例性实施例中，没有发生由第九晶体管T9引起的效果，并且由于在发光区段期间驱动电压ELVDD被形成在重叠层M1中，所以驱动晶体管T1具有高数据范围，使得驱动晶体管T1仅具有对驱动晶体管T1的栅源之间的电压Vgs的改变不敏感的优点。

在下文中，将参考图11和图12更详细地描述其中像素PX包括第九晶体管T9和重叠层M1而没有第八晶体管T8的示例性实施例。

图11是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素的等效电路图。

与图1的实施例相比，在图11中省略了第八晶体管T8和连接至第八晶体管T8的布线。在图11的示例性实施例中，重叠层M1仅与第九晶体管T9连接。

换句话说，第九晶体管T9用于将初始化电压Vint传输至与驱动晶体管T1重叠的重叠层M1。第九晶体管T9的栅电极G9与扫描线151连接，第九晶体管T9的第一电极S9与重叠层M1连接，并且第九晶体管T9的第二电极D9与初始化电压线127连接。第九晶体管T9根据扫描信号Sn与第二晶体管T2和第三晶体管T3同步(例如，同时)导通，并且初始化重叠层M1的电压。

在图11的示例性实施例中，未提供第八晶体管T8，并且因此驱动电压ELVDD未被施加至重叠层M1。结果，当第九晶体管T9导通时，重叠层M1可以被连续地施加有初始化电压Vint。然而，本公开不限于此，并且依赖于示例性实施例，第九晶体管T9也可以被省略，并且重叠层M1可以直接与初始化电压线127连接。

图11的示例性实施例可以以如图12中所示的布局图来例示。

图12是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素区域的布局图。

在图12的示例性实施例中，在经过第五晶体管T5的沟道之后，半导体层130仅向右弯曲而不水平延伸。相应地，在半导体层130中未形成第八晶体管T8的沟道、第一电极S8和第二电极D8。

另外，重叠层M1的接触部M1-3仅向上弯曲而不向下扩展。进一步，重叠层M1的接触部M1-3与第九晶体管T9的第一电极S9所处的半导体层130通过一个开口57-2电连接。

在图1至图8的示例性实施例中，形成第八晶体管T8和第九晶体管T9两者，并且因此，由于在写入区段期间施加至重叠层M1的初始化电压Vint，驱动晶体管T1具有低数据范围，使得数据电压很好地充入电容器，并且在发光区段期间，由于在发光区段期间施加至重叠层M1的驱动电压ELVDD，驱动晶体管T1具有高数据范围，使得驱动晶体管T1具有对驱动晶体管T1的栅源之间的电压Vgs的改变较不敏感的优点。

然而，在图11和图12的示例性实施例中，仅形成第九晶体管T9，并且因此，由于在写入区段期间施加至重叠层M1的初始化电压Vint，驱动晶体管T1具有低数据范围，使得示例性实施例具有数据电压被很好地充入电容器的优点。

与图1至图8的示例性实施例相比，图9至图12的示例性实施例在有效性方面可能具有相对的缺点。然而，由于显示装置被实施有高分辨率，所以在可以形成像素PX的空间上可能存在限制，并且因此，可能无法形成第八晶体管T8和第九晶体管T9两者。在这种情况下，可以应用根据示例性实施例的仅形成两个晶体管中的一个(例如，形成第八晶体管T8和第九晶体管T9中的一个)并将该一个晶体管与重叠层M1连接。

在以上示例实施例中，已经描述了在像素PX中形成的半导体是使用多晶半导体的PMOS晶体管的情况。然而，依赖于示例性实施例，可以使用非晶半导体或氧化物半导体，并且在这些情况下，晶体管可以具有NMOS晶体管的特性。相应地，在这种情况下，施加至重叠层M1的电压的幅度可以相反。换句话说，高电压可以被施加至写入区段，并且低电压可以被施加至发光区段。

虽然已描述了一些示例实施例，但本领域技术人员容易理解，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以对示例实施例进行各种修改。应当理解，除非另外描述，否则在每个实施例内的特征或方面的描述通常应当被认为可用于其他实施例中的其他类似的结构或方面。因此，对本领域普通技术人员来说显而易见的是，除非特别指明，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或者与结合其它实施例所描述的特征、特性和/或元件合并使用。因此，应当理解，前文是各种示例实施例的例示，并且不应当被解释为限于本文所公开的特定示例实施例，并且意在将对所公开的示例实施例的各种修改以及其它示例实施例包括在所附权利要求及其等效物中所限定的本公开的精神和范围内。

Claims (20)

1.一种有机发光二极管显示器，包括：

基板；

在所述基板上的重叠层；

在所述基板和所述重叠层上的像素；以及

连接至所述像素的扫描线、数据线、驱动电压线和初始化电压线，

其中所述像素包括：有机发光二极管；连接至所述扫描线和所述数据线的第二晶体管；驱动晶体管，包括栅电极、输入端子和输出端子，并且被配置为将电流从所述输出端子施加至所述有机发光二极管；以及电压施加晶体管，被配置为将电压施加至所述重叠层，

其中所述第二晶体管的输出连接至所述驱动晶体管的所述输入端子，并且

其中所述重叠层位于所述驱动晶体管和所述基板之间，同时在平面上与所述驱动晶体管重叠。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述电压施加晶体管包括第一电压施加晶体管，并且

所述第一电压施加晶体管被配置为将驱动电压施加至所述重叠层。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述电压施加晶体管进一步包括第二电压施加晶体管，并且

所述第二电压施加晶体管被配置为将初始化电压施加至所述重叠层。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一电压施加晶体管被配置为在发光时段期间导通以将所述驱动电压施加至所述重叠层，并且

所述第二电压施加晶体管被配置为在写入时段期间导通以将所述初始化电压施加至所述重叠层。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述电压施加晶体管被配置为将初始化电压施加至所述重叠层。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中在发光时段期间，第一电压被施加至所述重叠层，并且在写入时段期间，与所述第一电压不同的第二电压被施加至所述重叠层。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中与所述第二电压的电压值相比，所述第一电压具有较高的电压值。

8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一电压高于所述驱动晶体管的阈值电压，并且所述第二电压低于所述驱动晶体管的所述阈值电压。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一电压是驱动电压，并且所述第二电压是初始化电压。

10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素进一步包括第三晶体管，并且

其中所述第三晶体管的第一电极与所述驱动晶体管的所述输出端子连接，并且所述第三晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的所述栅电极连接。

11.一种有机发光二极管显示器，包括：

基板；

在所述基板上的重叠层；

在所述重叠层上的缓冲层；

在所述缓冲层上的半导体层；

覆盖所述半导体层的第一栅绝缘层；

在所述第一栅绝缘层上的第一栅导体；

覆盖所述第一栅导体和所述第一栅绝缘层的第二栅绝缘层；

在所述第二栅绝缘层上的第二栅导体；

覆盖所述第二栅导体和所述第二栅绝缘层的层间绝缘层；

在所述层间绝缘层上的数据导体；以及

覆盖所述数据导体和所述层间绝缘层的钝化层，

其中：

驱动晶体管包括在所述半导体层中的沟道以及在所述第一栅导体中的栅电极，

在平面上，所述重叠层与所述驱动晶体管的所述沟道重叠，

暴露所述重叠层的开口穿透所述缓冲层、所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述层间绝缘层的至少一部分，

所述重叠层被配置为通过所述开口而被施加一电压，并且

所述电压是在写入时段期间施加的初始化电压和在发光时段期间施加的驱动电压。

12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中所述半导体层通过所述开口与所述重叠层连接。

13.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二栅导体中的附加连接构件是通过所述开口与所述重叠层连接的层。

14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其中所述附加连接构件与所述半导体层连接，并且

所述重叠层被配置为通过所述附加连接构件接收施加至所述半导体层的所述电压。

15.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中所述半导体层包括第二晶体管的沟道，并且所述第二晶体管与扫描线和数据线连接，并且

所述驱动晶体管的输入端子被配置为接收所述第二晶体管的输出。

16.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中所述半导体层进一步包括电压施加晶体管的沟道，并且所述重叠层被配置为从所述电压施加晶体管被施加所述电压。

17.根据权利要求16所述的有机发光二极管显示器，其中所述电压施加晶体管包括被配置为将所述驱动电压施加至所述重叠层的第一电压施加晶体管。

18.根据权利要求17所述的有机发光二极管显示器，其中所述电压施加晶体管进一步包括被配置为将所述初始化电压施加至所述重叠层的第二电压施加晶体管。

19.根据权利要求16所述的有机发光二极管显示器，其中所述电压施加晶体管被配置为将所述初始化电压施加至所述重叠层。

20.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，进一步包括与所述驱动晶体管的所述栅电极重叠的存储电容器，

其中所述重叠层还与所述存储电容器重叠。

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