TW201740559A - 光電裝置、及電子機器 - Google Patents

Abstract

本發明係即使於將至少1個顏色之副像素排列於橫(左右)方向之情形時，亦可防止來自發光層之光照射於電晶體，且可防止各掃描線之選擇時間變短。 本發明係對應於沿列方向延伸之作為第1導電層之掃描線22、與沿行方向延伸之作為第2導電層之資料傳輸線26而具備R、G、B之副像素。各色副像素之複數個電晶體係沿行方向配置，且至少1個顏色之副像素之反射層43B係以與各顯示色之副像素之任一者之電晶體重合之方式沿列方向配置。於反射層43B與電晶體之間，以與電晶體重合之方式沿列方向配置作為第4導電層之電源配線41。作為連接反射層43B與各顯示色之副像素之任一者之電晶體之第5導電層之中繼電極QD1、QD2、QD3係形成於供形成電源配線41之層與反射層43B之間之層。

Description

光電裝置、及電子機器

本發明係關於光電裝置、及電子機器。

近年以來，於如頭戴式顯示器般可形成虛像之電子機器中使用光電裝置，該光電裝置使用OLED(Organic Light Emitting Diode：有機發光二極體)作為發光元件。於此種光電裝置中，如專利文獻1所記載，提出作為實現彩色顯示之方法之一而使用彩色濾光片之方式。 該方式為將白色發光之OLED作為光源，且經由紅色、綠色、藍色三原色之彩色濾光片而獲得紅色、綠色、藍色發光之方式。組合OLED與三原色之任一種顏色之濾光片而形成為副像素，且組合三原色之副像素而形成為像素。而且，矩陣狀排列該像素而構成顯示裝置之畫面，作為該像素之排列方式，已知有將同色之副像素排列於畫面之縱向(上下方向)或橫向(左右方向)之方式。 然而，來自白色發光之OLED之發光為擴散光。又，於OLED與彩色濾光片之間，存在以用以密封OLED之無機膜或樹脂膜構成之具有厚度之透明層。因此，於彩色濾光片方式之光電裝置中，自某副像素之OLED之發光之一部分透過鄰接之副像素之彩色濾光片，根據觀察畫面之角度，有產生混色之問題。 於將同色之副像素排列於畫面縱向(上下方向)之方式中，即便斜向觀察畫面，於縱向亦幾乎不會產生色偏。另一方面，關於橫向(左右)，於斜向觀察面板之情形時，由於目測到紅色與綠色混色而成之光、紅色與藍色混色而成之光、綠色與藍色混色而成之光等混色光，故與自正面觀察之情形相比，產生色偏。 專利文獻1提出一種將紅色與綠色副像素之反射電極排列於橫向(左右方向)，且將藍色副像素之反射電極相對於紅色與綠色副像素之反射電極排列於縱向(上下方向)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2013-211147號公報

[發明所欲解決之問題] 然而，於專利文獻1所記載之光電裝置中，將各色副像素用之掃描線排列於縱向(上下方向)，故於一水平掃描期間選擇之掃描線數量增加。其結果，一水平掃描期間之各掃描線之選擇時間縮短，有難以自資料傳輸線向像素進行寫入之可能性。 又，如專利文獻1所示，由於藍色副像素之反射層之橫向(左右方向)的寬度，短於合計紅色副像素與綠色副像素而得之於一像素之橫向(左右方向)的寬度，故有藍色光照射於電晶體而使電晶體特性變化之可能性。 本發明係例如鑒於上述課題而完成者，課題在於提供一種即便於將至少1種顏色之副像素排列於橫向(左右)之情形時，亦可防止來自發光層之光照射於電晶體，且可防止各掃描線之選擇時間縮短之光電裝置、及具備該光電裝置之電子機器。 [解決問題之技術手段] 為解決上述課題，本發明之光電裝置之一態樣之特徵在於包含：複數個第1導電層，其等於第1方向延伸；複數個第2導電層，其等於與上述第1方向交叉之第2方向延伸；及複數個副像素，其等對應於上述複數個第1導電層與上述複數個第2導電層之各個交叉而排列；且上述複數個副像素之各者包含：發光元件之第3導電層；複數個電晶體；第4導電層，其係以與上述複數個電晶體中之至少1個電晶體重合之方式配置；及第5導電層，其與上述複數個電晶體中之至少1個電晶體電性連接，且配置於上述第3導電層與上述第4導電層之間之層；上述複數個電晶體係配置於像素電路區域之內部，該像素電路區域之上述第1方向之寬度窄於上述第2方向之寬度；上述複數個第1導電層中之1個導電層係與上述複數個副像素中、於上述第1方向上相鄰之2個副像素的各者所包含之上述複數個電晶體之至少1個電性連接；上述複數個副像素中之至少1個副像素之上述第3導電層係其上述第1方向之寬度寬於上述第2方向之寬度，且與上述複數個電晶體中之至少1個電晶體及上述第4導電層重合。 根據該態樣，又，至少1個副像素之發光元件之第3導電層、例如反射層係第1方向之寬度寬於第2方向之寬度。例如，作為藍色之顯示色之副像素之發光元件之第3導電層之一例的反射層，係作為第1方向之一例之列方向之寬度寬於作為第2方向之一例之行方向之寬度。因此，於以光電裝置之主光線大幅度傾斜之方向成為第1方向之方式設計之情形時，可將同色之副像素排列於顯示面之第1方向上。其結果，可提供一種即使自斜向觀察顯示面，於第1方向亦幾乎不產生色偏之光電裝置。 進而，作為第3導電層之一例之反射層係以與至少1個電晶體及上述第4導電層重合之方式配置。因此，來自發光層之光被作為第3導電層之一例之反射層所遮擋而防止其照射於電晶體。又，第4導電層係以與上述複數個電晶體中之至少1個電晶體重合之方式配置，第3導電層係以與第4導電層重合之方式配置。因此，來自發光層之光例如被作為第3導電層之一例之反射層所遮擋，並且亦被第4導電層遮擋，從而可確實地防止該光照射於電晶體。 進而，於第3導電層、與第4導電層之間之層，配置有與上述複數個電晶體中之至少1個電晶體電性連接之第5導電層。因此，作為與上述至少1個電晶體電性連接、且流通較大電流之第5導電層之一例之中繼電極所致的雜訊被第4導電層所遮擋，從而可抑制對電晶體賦予之影響。 於上述之光電裝置之一態樣中，上述複數個第1導電層亦可為掃描線。根據該態樣，因各副像素之複數個電晶體係配置於上述第1方向之寬度窄於上述第2方向之寬度之像素電路區域之內部，故可將各副像素用之掃描線共通化。因此，無需增加掃描線之數量即可防止一水平掃描期間之各掃描線之選擇時間變短。 於上述之光電裝置之一態樣中，上述複數個電晶體中之與上述第3導電層及上述第4導電層重合之上述電晶體亦可為驅動電晶體。根據該態樣，因來自發光層之光被第3導電層及第4導電層所遮擋而防止其照射於驅動電晶體，故不會使驅動電晶體之特性變化。因此，可穩定地驅動發光元件。 於上述之光電裝置之一態樣中，上述第4導電層亦可為連接於上述驅動電晶體之電源配線。根據該態樣，來自發光層之光被電源配線所遮擋而防止其照射於驅動電晶體。其結果，不會使驅動電晶體之特性變化，而可穩定地驅動發光元件。 於上述之光電裝置之一態樣中，上述第4導電層亦可為沿上述第1方向延伸之電源配線。根據該態樣，來自發光層之光被作為存在於作為第1方向之一例之列方向之第4導電層的一例之電源配線所遮擋，而防止其照射於電晶體。 於上述之光電裝置之一態樣中，亦可為，上述複數個副像素中之至少2個副像素之上述第3導電層之面積互不相同；且上述至少2個副像素之各者之上述第5導電層係以與上述至少2個副像素之上述第3導電層中之面積最小之上述第3導電層重合之方式配置。根據該態樣，可縮短各副像素之與至少1個電晶體連接之第5導電層。因此，可減少流通較大電流之第5導電層所致之雜訊，從而抑制該雜訊對電晶體之影響。 於上述之光電裝置之一態樣中，亦可為，將上述複數個副像素中之1個副像素之上述第5導電層、與上述複數個電晶體中之至少1個電晶體電性連接之連接部，位於上述1個副像素之上述第3導電層、與於上述第1方向上與上述1個副像素鄰接之副像素之上述第3導電層之間。根據該態樣，可將各副像素之與至少1個電晶體連接之第5導電層之長度均等化，從而可防止利用電晶體之驅動之不均。 於上述之光電裝置之一態樣中，亦可為，將上述至少2個副像素之各者之上述第5導電層、與各者之上述複數個電晶體中之至少1個電晶體電性連接之連接部，分別位於上述面積最小之上述第3導電層之上述第1方向之中心線上。根據該態樣，可將各副像素之與至少1個電晶體連接之第5導電層之長度設為最小。因此，可減少流通較大電流之第5導電層所致之雜訊，而抑制該雜訊對電晶體之影響。 於上述之光電裝置之一態樣中，亦可為，將上述至少2個副像素之各者之上述第5導電層、與各者之上述複數個電晶體中之至少1個電晶體電性連接之連接部，各自以於俯視下與上述面積最小之上述第3導電層重合之方式配置。根據該態樣，可縮短各副像素之連接電晶體與第3導電層之第5導電層之長度。因此，可減少雜訊而抑制該雜訊對電晶體之影響。 於上述之光電裝置之一態樣中，亦可為，將上述複數個副像素中之1個副像素之上述第5導電層、與上述複數個電晶體中之至少1個電晶體電性連接之連接部，位於上述複數個電晶體之上述第2方向上之除端部以外之部位。根據該態樣，可將第3導電層與第5導電層之連接部容易地對準第3導電層之位置。因此，可利用一像素電位之像素內之第3導電層相對一像素單位之像素內之電晶體遮光。 於上述之光電裝置之一態樣中，亦可為，上述複數個副像素中之1個副像素之上述第5導電層係形成於與上述第2導電層同層，且位於上述1個副像素之上述第2導電層、與於上述第1方向上與上述1個副像素鄰接之副像素之上述第2導電層之間。根據該態樣，因第5導電層形成於與第2導電層同層，故可將第5導電層與第2導電層之形成步驟簡略化。又，因第5導電層位於在列方向上相鄰之一第2導電層與另一第2導電層之間，故第5導電層與第2導電層之間之寄生電容串聯連接於第2導電層，從而第2導電層之電容降低。 於上述之光電裝置之一態樣中，上述第5導電層亦可形成於與上述第2導電層不同之層。根據該態樣，形成於第2導電層與上層之間之寄生電容串聯連接於第2導電層，從而第2導電層之電容降低。 於上述之光電裝置之一態樣中，上述複數個副像素亦可將於上述第1方向上鄰接之顯示色不同之複數個副像素設為一像素單位。根據該態樣，因各顯示色之副像素之複數個電晶體係配置於第1方向之寬度窄於第2方向之寬度之像素電路區域之內部，故可將各顯示色之副像素用之掃描線等控制線共通化。因此，無需增加控制線之數量即可防止一水平掃描期間之各掃描線之選擇時間變短。又，根據該態樣，第3導電層、例如反射層係第1方向之寬度寬於第2方向之寬度。例如，作為藍色之顯示色之副像素之發光元件的第3導電層之一例之反射層，係作為第1方向之一例之列方向之寬度寬於作為第2方向之一例之行方向之寬度。因此，於以光電裝置之主光線大幅度傾斜之方向成為第1方向之方式設計之情形時，可將同色之副像素排列於顯示面之第1方向上。其結果，可提供一種即使自斜向觀察顯示面，於第1方向亦幾乎不產生色偏之光電裝置。 其次，本發明之電子機器包含上述之本發明之光電裝置。此種電子機器係藉由具備OLED等發光元件之光電裝置，而提供無色偏、且無因來自發光層之光所致之電晶體之特性變化，並且確實地進行自資料傳輸線向像素之寫入之圖像品質較高之電子機器。

使用圖式說明本發明之實施形態。再者，於以下之各圖式中，為了將各層或各構件設為於圖式上可辨識程度之大小，於各層或各構件之每一者使比例尺不同。 ＜第1實施形態＞ 圖1係表示本發明之第1實施形態之光電裝置1之構成之立體圖。光電裝置1係例如於頭戴式顯示器顯示圖像之微顯示器。 如圖1所示，光電裝置1具備顯示面板2、與控制顯示面板2之動作之控制電路3。顯示面板2具備複數個像素電路、與驅動該像素電路之驅動電路。於本實施形態中，顯示面板2具備之複數個像素電路及驅動電路係形成於矽基板，且於像素電路使用發光元件之一例即OLED。又，顯示面板2係例如收納於在顯示部開口之框狀之殼體82內，並且連接有FPC(Flexible Printed Circuits：可撓性印刷電路)基板84之一端。 於FPC基板84，藉由COF(Chip On Film：覆晶薄膜)技術安裝半導體晶片之控制電路3，且設置複數個端子86，而連接於省略圖示之上位電路。 圖2係表示本實施形態之光電裝置1之構成之方塊圖。如上述，光電裝置1具備顯示面板2、與控制電路3。 對控制電路3自省略圖示之上位電路與同步信號同步而供給數位之圖像資料Vdata。此處，圖像資料Vdata係將應於顯示面板2(嚴格而言，後述之顯示部100)顯示之圖像之像素之灰階位準規定為例如8位元之資料。又，同步信號係包含垂直同步信號、水平同步信號、及點時脈信號之信號。 控制電路3基於同步信號而產生各種控制信號，並將其供給至顯示面板2。具體而言，控制電路3對顯示面板2供給控制信號Ctr、控制信號Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)、相對於該等信號處於邏輯反轉關係之控制信號/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)。 此處，控制信號Ctr是指包含脈衝信號、時脈信號、啟動信號等複數種信號之信號。 再者，有時將控制信號Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)通稱為控制信號Sel，將控制信號/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)通稱為控制信號/Sel。 進而，控制電路3基於圖像資料Vdata而產生類比之圖像信號Vid。具體而言，於控制電路3中設置將圖像信號Vid所示之電位、及顯示面板2所具備之發光元件(後述之OLED)之亮度建立關聯而記憶之對照表。而控制電路3藉由參照該對照表，產生表示與圖像資料Vdata中規定之發光元件之亮度對應之電位之圖像信號Vid，並將其供給至顯示面板2。 如圖2所示，顯示面板2具備顯示部100、與驅動其之驅動電路(資料傳輸線驅動電路5及掃描線驅動電路6)。 於顯示部100，矩陣狀排列有將與應顯示的圖像之像素對應之像素電路110。詳細而言，於顯示部100中，於圖中在作為第1方向之一例之列方向(X方向)上延伸設置有M列作為第1導電層之掃描線22。又，於圖中在作為第2方向之一例之行方向(Y方向)上延伸、且與各掃描線22相互保持電性絕緣而設置有每3行成組之(3N)行之作為第2導電層之資料傳輸線26。於本實施形態中，像素電路110係以M列×(3N)行排列成矩陣狀。 此處，M、N均為自然數。掃描線22及像素電路110之矩陣之中，為區分列(row)，有時於圖中自上依序稱為1、2、3、…、(M-1)、M列。同樣地，為區分資料傳輸線26及像素電路110之矩陣之行(column)，有時於圖中自左依序稱為1、2、3、…、(3N-1)、(3N)行。 此處，為了將資料傳輸線26之組一般化而說明，若將1以上之任意整數表示為n，則第(3n-2)行、第(3n-1)行及第(3n)行之資料傳輸線26屬於自左數起第n組。 再者，與同一列之掃描線22、及屬於同一組之3行資料傳輸線26對應之3個像素電路110係分別對應於G(綠)、R(紅)、B(藍)之顯示色之副像素，而表現該等3個副像素所應顯示之彩色圖像之作為一像素單位之1點。即，於本實施形態中，採用藉由對應於RGB之OLED之發光而以加法混色表現1點之色彩之構成。 掃描線驅動電路6係依據控制信號Ctr而產生在1個訊框之期間內用於逐列依序掃描M條掃描線22之掃描信號Gwr。此處，將對第1、2、3、…、M列之掃描線22供給之掃描信號Gwr分別記為Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(M-1)、Gwr(M)。 再者，掃描線驅動電路6除掃描信號Gwr(1)～Gwr(M)以外，亦逐列產生與該掃描信號Gwr同步之各種控制信號並供給至顯示部100，但於圖2中省略圖示。又，訊框之期間係指光電裝置1顯示1鏡頭(彗差)量之圖像所需之期間，例如若同步信號所包含之垂直同步信號之頻率為120 Hz，則為其一週期量之8.3毫秒之期間。 資料傳輸線驅動電路5具備與(3N)行資料傳輸線26之各者1對1對應設置之(3N)個資料傳輸電路DT、針對構成各組之3行資料傳輸線26之每一者而設置之N個解多工器DM、及資料信號供給電路70。 資料信號供給電路70基於自控制電路3供給之圖像信號Vid與控制信號Ctr而產生資料信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)。即，資料信號供給電路70基於分時多工有資料信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)之圖像信號Vid而產生資料信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)。而且，資料信號供給電路70將資料信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)分別供給至與第N組對應之解多工器DM。解多工器DM係對應於來自控制電路3之控制信號Sel及控制信號/Sel而接通/斷開，而對構成各組之3行資料傳輸線26依序供給資料信號。 圖3係位於顯示部100內之各副像素之像素電路110之電路圖。如圖3所例示，像素電路110係包含發光元件45、驅動電晶體Tdr、寫入控制電晶體Twr、電容元件C、發光控制電晶體Tel、及補償電晶體Tcmp而構成。再者，於本實施形態中，雖將像素電路110之各電晶體(Tdr、Tel、Twr、Tcmp)設為P通道型，但亦可利用N通道型之電晶體。 發光元件45係使包含有機EL(Electroluminescent：電致發光)材料(OLED)之發光層之發光功能層46介置於第1電極(陽極)E1與第2電極(陰極)E2之間之光電元件。第1電極E1係於每一像素電路110個別地形成，第2電極E2係跨及複數個像素電路110而連續。如自圖3可理解般，發光元件45係配置於連結作為第4導電層之第1電源導電體(以下，設為電源配線)41、與第2電源導電體42之路徑上。對電源配線41供給高位側之電源電位Vel。對第2電源導電體42供給低位側之電源電位(例如接地電位)Vct。本實施形態之像素電路110可藉由所謂耦合驅動方式、與所謂電流編程方式之任一方式而驅動。首先，對耦合驅動方式之驅動進行說明。 發光控制電晶體Tel係作為控制驅動電晶體Tdr之一對電流端中之另一者(汲極或源極)與發光元件45之第1電極E1之導通狀態(導通/非導通)之開關而發揮功能。驅動電晶體Tdr產生與自身之閘極-源極間之電壓對應之電流量之驅動電流。於將發光控制電晶體Tel控制為接通狀態之狀態下，將驅動電流自驅動電晶體Tdr經由發光控制電晶體Tel供給至發光元件45，藉此發光元件45以與驅動電流之電流量對應之亮度發光。又，於將發光控制電晶體Tel控制為斷開狀態之狀態下，藉由切斷對發光元件45供給驅動電流而發光元件45熄滅。發光控制電晶體Tel之閘極係連接於控制線28。 補償電晶體Tcmp具有補償驅動電晶體Tdr之閾值電壓之變動之功能。於將發光控制電晶體Tel控制為斷開狀態，且將寫入控制電晶體Twr及驅動電晶體Tdr控制為接通狀態之狀態下，進行如下動作。當將補償電晶體Tcmp控制為接通狀態時，驅動電晶體Tdr之閘極電位與汲極或源極電位相等，驅動電晶體Tdr成為二極體連接。因此，流通於驅動電晶體Tdr之電流對閘極節點及資料傳輸線26充電。詳細而言，電流於電源配線41→驅動電晶體Tdr→補償電晶體Tcmp→資料傳輸線26之路徑流通。因此，藉由將驅動電晶體Tdr控制為接通狀態，相互處於連接狀態之資料傳輸線26及閘極節點自初始狀態之電位上升。惟若將驅動電晶體Tdr之閾值電壓設為|Vth|時，閘極節點越接近電位(Vel-|Vth|)則流通於上述路徑之電流越難以流通。其結果，在補償電晶體Tcmp被設為斷開狀態之補償期間結束之前，資料傳輸線26及閘極節點將於電位(Vel-|Vth|)飽和。因此，電容元件C會在補償電晶體Tcmp被設為斷開狀態之補償期間結束之前保持驅動電晶體Tdr之閾值電壓|Vth|。 於本實施形態中，於水平掃描期間內具有補償期間與寫入期間，掃描線驅動電路6藉由對各掃描線22供給掃描信號，而於每一水平掃描期間依序選擇複數條掃描線22各者。與掃描線驅動電路6選擇之掃描線22對應之各像素電路110之寫入控制電晶體Twr轉變為接通狀態。因此，各像素電路110之驅動電晶體Tdr亦轉換為接通狀態。又，掃描線驅動電路6藉由對各控制線27供給控制信號而於每一補償期間依序選擇複數條控制線27之各者。與掃描線驅動電路6選擇之控制線27對應之各像素電路110之補償電晶體Tcmp轉換為接通狀態。而且，電容元件C直至使補償電晶體Tcmp為斷開狀態之補償期間結束為止保持驅動電晶體Tdr之閾值電壓|Vth|。若掃描線驅動電路6藉由對各控制線27供給控制信號而將各像素電路110之補償電晶體Tcmp控制為斷開狀態，則自資料傳輸線26至驅動電晶體Tdr之閘極節點之路徑成為浮動狀態。但，藉由電容元件C而維持(Vel-|Vth|)。其次，資料傳輸線驅動電路5將與自外部電路供給之圖像信號針對每一像素電路110指定之灰階對應之灰階電位(資料信號)於每一寫入期間並列供給至電容元件Cref。而且，灰階電位係使用電容元件Cref將位準位移，並將該電位經由資料傳輸線26與寫入控制電晶體Twr供給至各像素電路110之驅動電晶體Tdr之閘極。於電容元件C一面補償驅動電晶體Tdr之閾值電壓|Vth|一面保持與灰階電位對應之電壓。另一方面，若於寫入期間結束掃描線22之選擇，則掃描線驅動電路6藉由對各控制線28供給控制信號，而將與該控制線28對應之各像素電路110之發光控制電晶體Tel控制為接通狀態。因此，將與於近前之寫入期間電容元件C所保持之電壓對應之驅動電流自驅動電晶體Tdr經由發光控制電晶體Tel而供給至發光元件45。如以上所述，藉由各發光元件45以與灰階電位對應之亮度發光，而於顯示部110顯示圖像信號指定之任意之圖像。而且，自驅動電晶體Tdr供給至發光元件45之驅動電流由於抵消閾值電壓之影響，故即使驅動電晶體Tdr之閾值電壓於像素電路110每一者不均，亦可補償該不均。又，因對發光元件45供給與灰階位準對應之電流，故可抑制損害顯示畫面之均勻性之顯示不均之產生，其結果，可實現高品質之顯示。 其次，參照圖4對電流編程方式之驅動進行說明。若掃描線22之掃描信號成為L位準，則寫入控制電晶體Twr成為接通狀態。又，若控制線27之控制信號成為L位準，則補償電晶體Tcmp成為接通狀態。因此，驅動電晶體Tdr係閘極電位、與和發光控制電晶體Tel之連接側之源極電位或汲極電位變得相等，而作為二極體發揮功能。而且，若資料傳輸線26之資料信號成為L位準，則電流Idata於電源配線41→驅動電晶體Tdr→補償電晶體Tcmp→資料傳輸線26之路徑流通。又，此時，於電容元件C蓄積與驅動電晶體Tdr之閘極節點之電位對應之電荷。 若控制線27之控制信號成為H位準，則補償電晶體Tcmp成為斷開狀態。此時，電容元件C之兩端之電壓保持為流過電流Idata時之電壓。若控制線28之控制信號成為L位準，則發光控制電晶體Tel成為導通狀態，於驅動電晶體Tdr之源極-汲極間，流通與閘極電壓對應之電流Ioled。詳細而言，該電流於電源配線41→驅動電晶體Tdr→發光控制電晶體Tel→發光元件45之路徑流通。 此處，流通於發光元件45之電流Ioled係由驅動電晶體Tdr之閘極節點、與和電源配線41之連接側之汲極節點或源極節點之間之電壓決定。該電壓於藉由L位準之掃描信號而於資料傳輸線26流過電流Idata時，為藉由電容元件C保持之電壓。因此，控制線28之控制信號成為L位準時，流通於發光元件45之電流Ioled與近前流通之電流Idata大致一致。如此，於電流編程方式之驅動之情形時，藉由電流Idata規定發光亮度。再者，掃描線22雖設為與控制線27不同之配線，但亦可將掃描線22與控制線27設為一條配線。 於以下詳細敍述第1實施形態之光電裝置1之具體構造。再者，於以下之說明參照之各圖式中，為便於說明，而使各要素之尺寸或比例尺與實際之光電裝置1不同。圖5係將G(綠)顯示色之副像素以圖10所示之I-I'線切斷之剖視圖。圖6係將一像素單位之像素以圖10所示之II-II'線切斷之剖視圖。圖7至圖12係將形成光電裝置1之各要素之於各階段之基板10之表面的情況著眼於一像素單位之1個量或2個量像素予以圖示之俯視圖。於圖7至圖12中，就容易於視覺上掌握各要素之觀點而言，對與圖5及圖6共通之各要素適當地付加與圖5及圖6相同態樣之影線。 如自圖5至圖7可理解般，於以矽等半導體材料形成之基板10之表面，形成像素電路110之各電晶體(Tdr、Twr、Tel、Tcmp)之作用區域10A(源極/汲極區域)。於作用區域10A注入離子。像素電路110之各電晶體(Tdr、Twr、Tel、Tcmp)之主動層存在於源極區域與汲極區域之間，且被注入與作用區域10A不同種類之離子，但為方便起見而與作用區域10A一體地記載。如自圖5至圖7可理解般，形成有作用區域10A之基板10之表面係以絕緣膜L0(閘極絕緣膜)被覆，且於絕緣膜L0之面上形成各電晶體之閘極層GT(GTdr、GTwr、GTel、GTcmp)。各電晶體之閘極層GT隔著絕緣膜L0與主動層對向。 又，於本實施形態中，如圖7所示，G(綠)、R(紅)、B(藍)之各副像素之複數個電晶體(Tdr、Twr、Tel、Tcmp)係配置於列方向(X方向)之寬度窄於行方向(Y方向)之寬度之像素電路區域之內部。再者，於圖7至圖12中，將G(綠)之各副像素之複數個電晶體表示為Gtr。又，將R(紅)之各副像素之複數個電晶體表示為Rtr。進而，將B(藍)之各副像素之複數個電晶體表示為Btr。 如自圖5及圖6可理解般，於形成有各電晶體之閘極層GT之絕緣膜L0之面上，形成將複數個絕緣層L(LA～LE)與複數個導電層(配線層)交替積層而成之多層配線層。各絕緣層L係由例如矽化合物(典型而言氮化矽或氧化矽)等絕緣性之無機材料形成。再者，於以下之說明中，將藉由導電層(單層或複數個)之選擇性去除而於同一步驟一次形成複數個要素之關係記為「由同層形成」。 絕緣層LA係形成於形成有各電晶體之閘極層GT之絕緣膜L0之面上。如自圖5、圖6、及圖8可理解般，於絕緣層LA之面上，自同層形成複數個中繼電極QB(QB1、QB2、QB3、QB4、QB5、QB6、QB7、QB8)。 如自圖5至圖8可理解般，中繼電極QB1經由貫通絕緣膜L0與絕緣層LA之導通孔HA1而導通至驅動電晶體Tdr之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 中繼電極QB2經由貫通絕緣層LA之導通孔HB1導通至驅動電晶體Tdr之閘極層GTdr。又，中繼電極QB2經由貫通絕緣層LA與絕緣膜L0之導通孔HA4導通至寫入控制電晶體Twr之形成源極區域或汲極區域之作用區域10A。 中繼電極QB3經由貫通絕緣膜L0與絕緣層LA之導通孔HA2導通至驅動電晶體Tdr之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。中繼電極QB3又經由貫通絕緣膜L0與絕緣層LA之導通孔HA6導通至補償電晶體Tcmp之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。進而，中繼電極QB3經由貫通絕緣膜L0與絕緣層LA之導通孔HA8導通至發光控制電晶體Tel之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 中繼電極QB4經由貫通絕緣層LA之導通孔HB2導通至寫入控制電晶體Twr之閘極層GTwr。 中繼電極QB5經由貫通絕緣膜L0與絕緣層LA之導通孔HA3導通至寫入控制電晶體Twr之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。中繼電極QB5又經由貫通絕緣膜L0與絕緣層LA之導通孔HA5導通至補償電晶體Tcmp之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 中繼電極QB6經由貫通絕緣層LA之導通孔HB3導通至補償電晶體Tcmp之閘極層GTcmp。 中繼電極QB7經由貫通絕緣層LA之導通孔HB4導通至發光控制電晶體Tel之閘極層GTel。 中繼電極QB8經由貫通絕緣膜L0與絕緣層LA之導通孔HA7導通至發光控制電晶體Tel之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 如自圖5及圖6可理解般，絕緣層LB係形成於形成有複數個中繼電極QB(QB1、QB2、QB3、QB4、QB5、QB6、QB7、QB8)之絕緣層LA之面上。如自圖5、圖6及圖9可理解般，於絕緣層LB之面上，形成有電源配線41、掃描線22、補償電晶體Tcmp之控制線27、發光控制電晶體Tel之控制線28、及複數個中繼電極QC(QC1、QC2)。 作為第4導電層之電源配線41經由多層配線層內之配線(省略圖示)，導通至被供給高位側之電源電位Vel之安裝端子(省略圖示)。再者，電源配線41係形成於顯示部100之顯示區域(省略圖示)內。又，雖省略圖示，但於顯示區域之周邊區域內形成有其他電源配線。該電源配線經由多層配線層內之配線(省略圖示)，導通至被供給低位側之電源電位Vct之安裝端子(省略圖示)。電源配線41及被供給低位側之電源電位Vct之電源配線係以例如含有銀或鋁之導電材料形成為例如100 nm左右之膜厚。 又，如自圖9可理解般，電源配線41係遍及複數個像素電路110於列方向(X方向)上直線狀地延伸。即，電源配線41以於俯視下與各色之副像素之驅動電晶體Tdr重合之方式沿列方向(X方向)配置。 電源配線41經由貫通絕緣層LB之導通孔HC1，而導通至各色副像素之驅動電晶體Tdr之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 又，電源配線41藉由絕緣層LC而與後述之資料傳輸線26電性絕緣。 如自圖6及圖9可理解般，作為第1導電層之掃描線22係遍及複數個像素電路110而於列方向(X方向)上直線狀地延伸設置。掃描線22經由貫通絕緣層LB之導通孔HC2，而導通至各色之副像素之寫入控制電晶體Twr之閘極層GTwr。掃描線22藉由絕緣層LC而與後述之資料傳輸線26電性絕緣。 如自圖6及圖9可理解般，補償電晶體Tcmp之控制線27係遍及複數個像素電路110而於列方向(X方向)上直線狀地延伸設置。控制線27經由貫通絕緣層LB之導通孔HC4，而導通至各色之副像素之補償電晶體Tcmp之閘極層GTcmp。控制線27藉由絕緣層LC而與後述之資料傳輸線26電性絕緣。 如自圖6及圖9可理解般，發光控制電晶體Tel之控制線28係遍及複數個像素電路110而於列方向(X方向)上直線狀地延伸設置。控制線28經由貫通絕緣層LB之導通孔HC5，而導通至各色之副像素之發光控制電晶體Tel之閘極層GTel。控制線28藉由絕緣層LC而與後述之資料傳輸線26電性絕緣。 如自圖6及圖9可理解般，中繼電極QC1經由貫通絕緣層LB之導通孔HC3而導通至中繼電極QB5。再者，中繼電極QC2經由貫通絕緣層LB之導通孔HC6而導通至中繼電極QB8。 絕緣層LC係形成於形成有電源配線41、掃描線22、補償電晶體Tcmp之控制線27、發光控制電晶體Tel之控制線28、及複數個中繼電極QC(QC1、QC2)之絕緣層LB之面上。如自圖5、圖6及圖10可理解般，於絕緣層LC之面上，形成資料傳輸線26、及作為第5導電層之複數個中繼電極QD(QD1、QD2、QD3)。 作為第2導電層之資料傳輸線26係遍及複數個像素電路而於行方向(Y方向)直線狀延伸，且藉由絕緣層LD而與後述之反射層43B、43G、43R電性絕緣。如自圖10可理解般，資料傳輸線26經由貫通絕緣層LC之導通孔HD2而導通至中繼電極QC1。即，資料傳輸線26經由導通孔HD2、中繼電極QC1、導通孔HC3、中繼電極QB5、導通孔HA3、及導通孔HA5，導通至寫入控制電晶體Twr與補償電晶體Tcmp之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 如自圖5、圖6及圖10可理解般，中繼電極QD1經由貫通絕緣層LC之導通孔HD1，導通至B(藍)顯示色之副像素之中繼電極QC2。因此，中繼電極QD1經由導通孔HD1、中繼電極QC2、導通孔HC6、中繼電極QB8、及導通孔HA7，導通至B(藍)顯示色之副像素之發光控制電晶體Tel之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 如自圖5、圖6及圖10可理解般，中繼電極QD2經由貫通絕緣層LC之導通孔HD1，導通至R(紅)顯示色之副像素之中繼電極QC2。因此，中繼電極QD1經由導通孔HD1、中繼電極QC2、導通孔HC6、中繼電極QB8、及導通孔HA7，導通至R(紅)顯示色之副像素之發光控制電晶體Tel之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 如自圖5、圖6及圖10可理解般，中繼電極QD3經由貫通絕緣層LC之導通孔HD1，導通至G(綠)顯示色之副像素之中繼電極QC2。因此，中繼電極QD1經由導通孔HD1、中繼電極QC2、導通孔HC6、中繼電極QB8、及導通孔HA7，導通至G(綠)之顯示色之副像素之發光控制電晶體Tel之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 絕緣層LD係形成於形成有資料傳輸線26、及作為第5導電層之複數個中繼電極QD(QD1、QD2、QD3)之絕緣層LC之面上。如自圖5、圖6及圖11可理解般，於絕緣層LD之面上，形成有作為第3導電層之反射層43B、43G、43R。反射層43B係B(藍)顯示色之副像素之反射層，反射層43G係G(綠)顯示色之副像素之反射層。又，反射層43R係R(紅)之顯示色之副像素之反射層。 如自圖11可理解般，反射層43B係其列方向之寬度寬於行方向之寬度，且於俯視下，以與各色之副像素之驅動電晶體Tdr重合之方式沿列方向(X方向)配置。因此，反射層43B以於俯視下與B(藍)之副像素之驅動電晶體Tdr、R(紅)之副像素之驅動電晶體Tdr、G(綠)之副像素之驅動電晶體Tdr、即構成應顯示之彩色圖像之一像素單位之3個驅動電晶體Tdr重合之方式，沿列方向(X方向)配置。 反射層43B經由貫通絕緣層LD之導通孔HE1而與中繼電極QD1導通。即，反射層43B經由導通孔HE1、中繼電極QD1、導通孔HD1、中繼電極QC2、導通孔HC6、中繼電極QB8、及導通孔HA7，導通至B(藍)之副像素之發光控制電晶體Tel之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 再者，如圖11所示，於俯視下，按反射層43B、43G、43R之順序設置反射層，與該等反射層43B、43G、43R重合之各色之副像素之複數個電晶體成為一像素單位之像素之複數個電晶體。因此，反射層43B成為於行方向(Y方向)上，導通至上一個一像素單位之像素中之B(藍)之副像素之發光控制電晶體Tel之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 反射層43R經由貫通絕緣層LD之導通孔HE2而與中繼電極QD2導通。即，反射層43R經由導通孔HE2、中繼電極QD2、導通孔HD1、中繼電極QC2、導通孔HC6、中繼電極QB8、及導通孔HA7，導通至R(紅)之副像素之發光控制電晶體Tel之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 反射層43G經由貫通絕緣層LD之導通孔HE3而與中繼電極QD3導通。即，反射層43R經由導通孔HE3、中繼電極QD3、導通孔HD1、中繼電極QC2、導通孔HC6、中繼電極QB8、及導通孔HA7，導通至G(綠)之副像素之發光控制電晶體Tel之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 反射層43B、43G、43R係以例如含有銀或鋁之光反射性之導電材料形成為例如100 nm左右之膜厚。如圖11所示，反射層43B、43G、43R以於俯視下與各色之副像素之電晶體重合之方式配置。因此，藉由反射層43B、43G、43R防止外界光之侵入，而有可防止起因於光照射之各電晶體之漏電流之優點。 又，於本實施形態中，各色之副像素之複數個電晶體係配置於列方向(X方向)之寬度窄於行方向(Y方向)之寬度之像素電路區域之內部，但各色之副像素之反射層43B、43G、43R係沿列方向(X方向)配置。因此，可一面將掃描線22於各色之副像素之寫入控制電晶體Twr共通化，一面將各色之副像素之顯示區域設為於列方向(X方向)橫長之形式。 絕緣層LE係形成於形成有反射層43B、43G、43R之絕緣層LD之面上。於絕緣層LE之表面，如圖5所例示般，形成中繼電極QE1。 中繼電極QE1經由貫通絕緣層LE之導通孔HF1導通至反射層43B、43G、43R。中繼電極QE1係構成像素電極導通部之中繼電極之一個，且如自圖5至圖11可理解般，經由反射層43B、43G、43R、複數個中繼電極、及複數個導通孔，導通至發光控制電晶體Tel之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 如圖5所例示般，於形成有中繼電極QE1之絕緣層LE之面上形成光路調整層60。光路調整層60係規定各像素電路110之諧振構造之諧振波長(即顯示色)之透光性之膜體。設定為如下，即，於顯示色相同之像素中，諧振構造之諧振波長大致相同，而於顯示色不同之像素中，諧振構造之諧振波長不同。 如圖5、圖6及圖12所例示般，於光路調整層60之面上形成有針對各色副像素之每一者之第1電極E1。第1電極E1係以例如ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)等透光性之導電材料形成。如參照圖3及圖4所上述般，第1電極E1係作為發光元件45之陽極發揮功能之大致矩形狀之電極(像素電極)。如自圖5、圖6及圖12可理解般，第1電極E1經由形成於光路調整層60之導通孔HG1導通至中繼電極QE1。因此，如自圖5至圖12可理解般，第1電極E1經由光路調整層60、反射層43B、43G、43R、複數個中繼電極、及複數個導通孔，導通至發光控制電晶體Tel之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 於形成有第1電極E1之光路調整層60之面上，如圖5、圖6及圖12所例示般，遍及基板10之全域而形成有像素定義層65。像素定義層65係由例如矽化合物(典型而言氮化矽或氧化矽)等絕緣性之無機材料形成。如自圖12可理解般，藉由像素定義層65而形成各顯示色之副像素之與第1電極E1對應之開口部。 開口部之大小係形成為B(藍)色之副像素之開口部之大小最大，G(綠)色與R(紅)色之副像素之開口部之大小為相同大小。但，於顯示色不同之副像素間，亦可將開口部之大小設為不同。 開口部於行方向(Y方向)上，係按B(藍)色、G(綠)色、及R(紅)色之副像素之順序以共通之間距排列。又，同一色之副像素之開口部係遍及列方向(X方向)以共通之間距排列。 如圖5及圖6所示，於第1電極E1之上層，積層發光功能層46、第2電極E2、及密封體47，且於形成有以上之各要素之基板10之表面例如以接著劑接合密封基板(省略圖示)。密封基板係用於保護基板10上之各要素之透光性之板狀構件(例如玻璃基板)。再者，於密封基板之表面或密封體47之表面針對副像素之像素電路之每一者形成有彩色濾光片。作為彩色濾光片，使用B(藍)色之彩色濾光片CFB、G(綠)色之彩色濾光片CFG、及R(紅)色之彩色濾光片CFR。 如以上所說明般，於本實施形態中，因各色之副像素之複數個電晶體係沿列方向(X方向)之寬度窄於行方向(Y方向)之寬度之像素電路區域配置，故可將掃描線22於各色之副像素之寫入控制電晶體Twr共通化，而不會使於一水平掃描期間選擇之掃描線22之數量增加。其結果，可防止一水平掃描期間之各掃描線22之選擇時間變短，而可自資料傳輸線26向第1電極E1確實地寫入資料。 又，於本實施形態中，一面將各色之副像素之複數個電晶體沿列方向(X方向)之寬度窄於行方向(Y方向)之寬度之像素電路區域配置，一面各色之副像素之反射層43B、43G、43R形成為列方向(X方向)之寬度寬於行方向(Y方向)之寬度。因此，即使於以光電裝置1之主光線大幅度傾斜之方向成為列方向(X方向)之方式設計之情形時，不使掃描線22之數量增加即可將同色之副像素排列於顯示面之列方向(X方向)上。其結果，可提供一種即使自斜向觀察顯示面，於列方向(X方向)亦幾乎不產生色偏之光電裝置1。 於本實施形態中，將各色之副像素之反射層43B、43G、43R以與各色之副像素之電晶體重合之方式沿列方向(X方向)配置。因此，可防止來自發光功能層46之光照射於電晶體，從而不會使電晶體之特性變化。尤其是，將面積最大之藍色之副像素之反射層43B以與各色之副像素之驅動電晶體Tdr重合之方式配置。因此，可確實地防止來自發光功能層46之光照射至會對細微之灰階顯示造成影響之驅動電晶體Tdr，從而可防止驅動電晶體Tdr之特性之變化，從而實現準確之灰階顯示。 於本實施形態中，於藍色之副像素之反射層43B、與各色之副像素之電晶體之間，設有以與各色之副像素之驅動電晶體Tdr重合之方式沿列方向(X方向)配置之電源配線41。因此，來自發光功能層46之光係不僅被反射層43B遮擋，亦被面積較其他配線相對較大之電源配線41所遮擋，而可更確實地防止照射於驅動電晶體Tdr。因此，可更確實地防止來自發光功能層46之光照射至會對細微之灰階顯示造成影響之驅動電晶體Tdr，而防止驅動電晶體Tdr之特性之變化，從而實現準確之灰階顯示。 又，於本實施形態中，連接各色之副像素之反射層43B、43G、43R、與各色之副像素之發光控制電晶體Tel之中繼電極QD1、QD2、QD3係形成於形成有電源配線41之層、與形成有反射層43B、43G、43R之層之間之層。因此，來自流通較大電流之中繼電極QD1、QD2、QD3之雜訊被電源配線41遮擋，而可抑制雜訊對驅動電晶體Tdr之影響。 於本實施形態中，反射層43B之面積、與反射層43G、43R之面積不同。反射層43B之面積最大，反射層43G、43R之面積相互相同，且形成為小於反射層43B之面積。即，設定為反射層43B、43G、43R中之至少2層反射層之面積互不相同。而且，連接各色之副像素之反射層43B、43G、43R、與各色之副像素之發光控制電晶體Tel之中繼電極QD1、QD3、QD2係形成於面積最小之反射層43G、43R之下層。因此，可縮短中繼電極QD1、QD3、QD2之長度。其結果，使來自流通較大電流之中繼電極QD1、QD3、QD2之雜訊減少，而可將該雜訊對驅動電晶體Tdr之影響抑制於較低。 又，於本實施形態中，連接中繼電極QD1、QD2、QD3、與發光控制電晶體Tel之連接部即導通孔HD1於俯視下，位於最小之反射層即反射層43G、43R附近之下層。根據該構成，亦可縮短中繼電極QD1、QD2、QD3之長度。其結果，使來自流通較大電流之中繼電極QD1、QD2、QD3之雜訊減少，而可將該雜訊對驅動電晶體Tdr之影響抑制於較低。 進而，中繼電極QD1、QD2、QD3形成於與資料傳輸線26同層，且位於在列方向上相鄰之一資料傳輸線26、與另一資料傳輸線26之間。因此，於資料傳輸線26與中繼電極QD1、QD2、QD3之間形成寄生電容。為減少寄生電容，而中繼電極QD1、QD2、QD3較佳位於相鄰之一資料傳輸線26與另一資料傳輸線26之大致中央。可縮短對資料傳輸線26之資料之寫入時間、及自資料傳輸線26向第1電極E1之資料之寫入時間。 再者，於上述之實施形態中，如自圖10及圖11可理解般，連接中繼電極QD1、QD2、QD3、與發光控制電晶體Tel之連接部即導通孔HD1之位置係配置於自反射層43R之列方向之中心線偏移之位置。 但，本發明並非限定於此種構成，例如，亦可如圖13及圖14所示般，將連接中繼電極QD1、QD2、QD3、與發光控制電晶體Tel之連接部即導通孔HD1之位置配置於反射層43R之列方向之中心線上。 圖13係對應於圖10之圖，圖14係對應於圖11之圖。如自圖13及圖14可理解般，連接中繼電極QD1、QD2、QD3、與發光控制電晶體Tel之連接部即導通孔HD1之位置係配置於反射層43R之列方向之中心線III-III'上。藉由如此設置，可使中繼電極QD1與中繼電極QD3之長度相等。其結果，可將各副像素之不均抑制為較低。又，因可使中繼電極QD1與中繼電極QD3之長度最短，故可使來自流通較大電流之中繼電極QD1、QD2、QD3之雜訊減少，而將該雜訊對驅動電晶體Tdr之影響抑制為較低。 ＜第2實施形態＞ 其次，一面參照圖15至圖20，一面對本發明之第2實施形態進行說明。圖15至圖20係分別對應於第1實施形態之圖7至圖12之圖。對與第1實施形態之共通部位標註同一符號且省略說明。 於第1實施形態中，對如圖7所示般沿行方向(於Y方向)按驅動電晶體Tdr、寫入控制電晶體Twr、補償電晶體Tcmp、及發光控制電晶體Tel之順序配置各副像素之電晶體之構成予以說明。 但，於第2實施形態中，如圖15所示般，沿行方向(於Y方向)按發光控制電晶體Tel、驅動電晶體Tdr、寫入控制電晶體Twr、及補償電晶體Tcmp之順序配置各副像素之電晶體。 又，於第1實施形態中，如圖11所示，沿行方向(於Y方向)，按藍色之副像素之反射層43B、綠色之副像素之反射層43G、及紅色之副像素之反射層43R之順序配置各反射層。但，於本實施形態中，如圖19所示，沿行方向(於Y方向)，按綠色之副像素之反射層43G、藍色之副像素之反射層43B、及紅色之副像素之反射層43R之順序配置各反射層。 如自圖15至圖20可理解般，於本實施形態中，各色之副像素之複數個電晶體亦配置於列方向(X方向)之寬度窄於行方向(Y方向)之寬度之像素電路區域之內部。因此，可將掃描線22於各色之副像素之寫入控制電晶體Twr共通化，而不會使於一水平掃描期間選擇之掃描線22之數量增加。其結果，可防止一水平掃描期間之各掃描線22之選擇時間變短，而可自資料傳輸線26向第1電極E1確實地寫入資料。 又，於本實施形態中，亦一面將各色之副像素之複數個電晶體配置於列方向(X方向)之寬度窄於行方向(Y方向)之寬度之像素電路區域之內部，一面各色之副像素之反射層43G、43B、43R形成為列方向(X方向)之寬度寬於行方向(Y方向)之寬度。因此，即使於以光電裝置1之主光線大幅度傾斜之方向成為列方向(X方向)之方式設計之情形時，不使掃描線22之數量增加，即可將同色之副像素排列於顯示面之列方向(X方向)上。其結果，可提供一種即使自斜向觀察顯示面，於列方向(X方向)亦幾乎不產生色偏之光電裝置1。 進而，於本實施形態中，亦將各色之副像素之反射層43B、43G、43R以與各色之副像素之電晶體重合之方式沿列方向(X方向)配置。因此，可防止來自發光功能層46之光照射於電晶體，而不會使電晶體之特性變化。尤其是，將面積最大之藍色之副像素之反射層43B以與各色之副像素之驅動電晶體Tdr重合之方式配置。因此，可確實地防止來自發光功能層46之光照射至會對細微之灰階顯示造成影響之驅動電晶體Tdr，而防止驅動電晶體Tdr之特性之變化，從而實現準確之灰階顯示。 再者，於本實施形態中，各色之副像素之反射層43B、43G、43R之面積不同。藍色之副像素之反射層43B之面積最大，綠色之副像素之反射層43G之面積形成為小於反射層43B之面積。而且，紅色之副像素之反射層43R之面積形成為最小。 又，於本實施形態中，亦於藍色之副像素之反射層43B、與各色之副像素之電晶體之間，設有以與各色之副像素之驅動電晶體Tdr重合之方式沿列方向(X方向)配置之電源配線41。因此，來自發光功能層46之光不僅被反射層43B遮擋，亦被面積較其他配線相對較大之電源配線41所遮擋，而可更確實地防止其照射於驅動電晶體Tdr。因此，可更確實地防止來自發光功能層46之光照射至會對細微之灰階顯示造成影響之驅動電晶體Tdr，而防止驅動電晶體Tdr之特性之變化，從而實現準確之灰階顯示。 如自圖18及圖19可理解般，於本實施形態中，與複數個電晶體中之至少1個電晶體即發光控制電晶體Tel電性連接之作為第5導電層之中繼電極QD1、QD2、QD3，配置於形成有電源配線41之層、與形成有反射層43G、43B、43R之層之間之層。因此，來自流通較大電流之中繼電極QD1、QD2、QD3之雜訊被電源配線41遮擋，而可抑制雜訊對驅動電晶體Tdr之影響。 如自圖19可理解般，於本實施形態中，連接中繼電極QD1、QD2、QD3、與發光控制電晶體Tel之連接部即導通孔HD1於俯視下，位於面積最小之反射層即反射層43G之附近之下層。根據該構成，亦可縮短中繼電極QD1、QD2、QD3之長度。其結果，使來自流通較大電流之中繼電極QD1、QD2、QD3之雜訊減少，而可將該雜訊對驅動電晶體Tdr之影響抑制為較低。 又，於上述之實施形態中，如自圖19可理解般，連接中繼電極QD1、QD2、QD3、與發光控制電晶體Tel之連接部即導通孔HD1之位置，設置於在行方向上相鄰之反射層43G與反射層43B之間之位置。因此，如圖18所示，至少可將中繼電極QD1、QD3之長度均等化。其結果，可至少於相鄰之副像素間抑制由中繼電極之長度之不同所致之不均。 於本實施形態中，沿行方向(於Y方向)，於發光控制電晶體Tel之後配置驅動電晶體Tdr。因此，連接中繼電極QD1、QD2、QD3、與發光控制電晶體Tel之連接部即導通孔HD1之位置，位於沿行方向(Y方向)配置之複數個電晶體之行方向(於Y方向)之除端部以外之部位。該構成與第1實施形態不同。藉由如此構成，而容易將成為像素接觸部之導通孔HD1之位置與反射層43G、43B、43R之配置對準。其結果，於相同之一像素單位內，可藉由反射層43G、43B、43R而防止來自發光功能層46之光對驅動電晶體Tdr照射。 如自圖18可理解般，於本實施形態中，中繼電極QD1、QD2、QD3亦形成於與資料傳輸線26同層，且位於在列方向上相鄰之一資料傳輸線26、與另一資料傳輸線26之間。因此，於資料傳輸線26與中繼電極QD1、QD2、QD3之間形成寄生電容。為減少寄生電容，而中繼電極QD1、QD2、QD3較佳位於相鄰之一資料傳輸線26、與另一資料傳輸線26之大致中央。可縮短資料向資料傳輸線26之寫入時間、及自資料傳輸線26向第1電極E1之資料之寫入時間。 ＜第3實施形態＞ 其次，一面參照圖21至圖28，一面對本發明之第3實施形態進行說明。於本實施形態中，各副像素之電晶體係由驅動電晶體Tdr、發光控制電晶體Tel、及寫入控制電晶體Twr之3個電晶體構成。 圖21至圖26係用以說明本實施形態之光電裝置1之形成於基板10上之各要素之俯視圖。圖27係與圖26之包含IV-IV'線之剖面對應之剖視圖。圖28係與圖26之包含V-V'線之剖面對應之剖視圖。再者，圖21至圖26雖為俯視圖，但就容易於視覺上掌握各要素之觀點而言，對與圖27及圖28共通之各要素適當地付加與圖27及圖28相同態樣之影線。 再者，於圖21至圖26中，以虛線表示之長方形係表示各副像素之反射層之位置。 如自圖21可理解般，本實施形態係各副像素之驅動電晶體Tdr、發光控制電晶體Tel、及寫入控制電晶體Twr之通道長方向為行方向(Y方向)，且發光控制電晶體Tel與寫入控制電晶體Twr係一直線狀地並列配置。 相對於各副像素之驅動電晶體Tdr，發光控制電晶體Tel及寫入控制電晶體Twr係配置於列方向(X方向)上。但，於以G(綠)、R(紅)、B(藍)之各副像素單位觀察之情形時，於本實施形態中，亦將副像素之複數個電晶體沿行方向(Y方向)配置。 又，於本實施形態中，將各電晶體之閘極層GTdr、GTwr、GTel、與控制線等之連接部設於在列方向(X方向)偏移之位置，而非設於通道上之位置。 如自圖21、圖27及圖28可理解般，於以矽等半導體材料形成之基板10之表面，形成像素電路110之各電晶體(Tdr、Twr、Tel)之作用區域10A(源極/汲極區域)。於作用區域10A注入離子。像素電路110之各電晶體(Tdr、Twr、Tel)之主動層存在於源極區域與汲極區域之間，且被注入與作用區域10A不同種類之離子，但為方便起見而與作用區域10A一體地記載。如自圖21、圖27及圖28可理解般，形成有作用區域10A之基板10之表面係被絕緣膜L0(閘極絕緣膜)被覆，且於絕緣膜L0之面上形成各電晶體之閘極層GT(GTdr、GTwr、GTel)。各電晶體之閘極層GT隔著絕緣膜L0與主動層對向。 如自圖27及圖28可理解般，於形成有各電晶體之閘極層GT之絕緣膜L0之面上，形成將複數個絕緣層L(LA～LF)與複數個導電層(配線層)交替積層而成之多層配線層。各絕緣層L係由例如矽化合物(典型而言氮化矽或氧化矽)等絕緣性之無機材料形成。再者，於以下之說明中，將藉由導電層(單層或複數個)之選擇性去除而於同一步驟一次形成複數個要素之關係記為「由同層形成」。 絕緣層LA係形成於形成有各電晶體之閘極層GT之絕緣膜L0之面上。如自圖21、圖27、及圖28可理解般，於絕緣層LA之面上，自同層形成發光控制電晶體Tel之控制線28、掃描線22、及複數個中繼電極QB(QB10、QB11、QB12、QB13、QB14)。 如自圖22、圖27及圖28可理解般，作為第1導電層之掃描線22係遍及複數個像素電路110於列方向(X方向)上直線狀地延伸而設置。掃描線22經由貫通絕緣層LA之導通孔HB12，導通至各色之副像素之寫入控制電晶體Twr之閘極層GTwr。掃描線22藉由絕緣層LB而與後述之資料傳輸線26電性絕緣。 如自圖22、圖27及圖28可理解般，發光控制電晶體Tel之控制線28係遍及複數個像素電路110於列方向(X方向)上直線狀地延伸而設置。控制線28經由貫通絕緣層LA之導通孔HB11，導通至各色之副像素之發光控制電晶體Tel之閘極層GTel。控制線28藉由絕緣層LB而與後述之資料傳輸線26電性絕緣。 如自圖22、圖27及圖28可理解般，中繼電極QB10經由貫通絕緣膜L0與絕緣層LA之導通孔HA11導通至驅動電晶體Tdr之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 又，中繼電極QB10經由貫通絕緣膜L0與絕緣層LA之導通孔HA12導通至發光控制電晶體Tel之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 中繼電極QB11經由貫通絕緣層LA之導通孔HB10導通至驅動電晶體Tdr之閘極層GTdr。又，中繼電極QB11經由貫通絕緣層LA與絕緣膜L0之導通孔HA14導通至寫入控制電晶體Twr之形成源極區域或汲極區域之作用區域10A。 中繼電極QB12經由貫通絕緣膜L0與絕緣層LA之導通孔HA10導通至驅動電晶體Tdr之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 中繼電極QB13經由貫通絕緣膜L0與絕緣層LA之導通孔HA13導通至驅動電晶體Tdr之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 中繼電極QB14經由貫通絕緣膜L0與絕緣層LA之導通孔HA15導通至寫入控制電晶體Twr之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 如自圖23、圖27及圖28可理解般，絕緣層LB係形成於形成有控制線28、掃描線22、及複數個中繼電極QB(QB10、QB11、QB12、QB13、QB14)之絕緣層LA之面上。於絕緣層LB之面上，形成有資料傳輸線26、及複數個中繼電極QC(QC10、QC11、QC12)。 作為第2導電層之資料傳輸線26係遍及複數個像素電路於行方向(Y方向)直線狀延伸，且藉由絕緣層LC而與後述之反射層43B、43G、43R電性絕緣。如自圖23可理解般，資料傳輸線26係與相對於資料傳輸線26而於列方向(X方向)延伸之中繼電極QC12一體地形成。中繼電極QC12經由貫通絕緣層LB之導通孔HC12，導通至寫入控制電晶體Twr之形成源極區域或汲極區域之作用區域10A。 如自圖23、圖27及圖28可理解般，中繼電極QC10經由貫通絕緣層LB之導通孔HC10導通至中繼電極QB12。中繼電極QC11經由貫通絕緣層LB之導通孔HC11導通至中繼電極QB13。 絕緣層LC係形成於形成有資料傳輸線26、及複數個中繼電極QC(QC10、QC11、QC12)之絕緣層LB之面上。如自圖24、圖27及圖28可理解般，於絕緣層LC之面上，形成作為第4導電層之電源配線41、與中繼電極QD10。 作為第4導電層之電源配線41經由多層配線層內之配線(省略圖示)，導通至被供給高位側之電源電位Vel之安裝端子(省略圖示)。再者，電源配線41係形成於顯示部100之顯示區域(省略圖示)內。又，雖省略圖示，但於顯示區域之周邊區域內形成有其他電源配線。該電源配線經由多層配線層內之配線(省略圖示)，導通至被供給低位側之電源電位Vct之安裝端子(省略圖示)。電源配線41及被供給低位側之電源電位Vct之電源配線係以例如含有銀或鋁之導電材料形成為例如100 nm左右之膜厚。 又，如自圖24可理解般，電源配線41係除形成有中繼電極QD10之部分以外而形成於整個表面。即，電源配線41係於俯視下，以與R(紅)色、G(綠)色、及B(藍)色之副像素之驅動電晶體Tdr、寫入控制電晶體Twr、及發光控制電晶體Tel重合之方式，針對每一副像素沿行方向(Y方向)配置。於第1實施形態及第2實施形態中，將電源配線41以與各色之副像素之驅動電晶體Tdr重合之方式配置。但，於本實施形態中，將電源配線41以與各色之副像素之所有電晶體重合之方式配置。 電源配線41經由貫通絕緣層LC之導通孔HD10，導通至各色之副像素之驅動電晶體Tdr之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 電源配線41藉由絕緣層LC，與資料傳輸線26電性絕緣。 於電源配線41，如圖24所示，於中心部附近形成有開口部，且於該開口部內形成中繼電極QD10。中繼電極QD10經由貫通絕緣層LC之導通孔HD11導通至中繼電極QC11。 絕緣層LD係形成於形成有電源配線41、及中繼電極QD10之絕緣層LC之面上。如自圖25、圖27及圖28可理解般，於絕緣層LD之面上，形成作為第5導電層之複數個中繼電極QE10、QE11、QE12。 如自圖25、圖27及圖28可理解般，中繼電極QE10經由貫通絕緣層LD之導通孔HE10，導通至R(紅)之顯示色之副像素之中繼電極QD10。因此，中繼電極QE10經由導通孔HE10、中繼電極QD10、導通孔HD11、中繼電極QC11、導通孔HC11、中繼電極QB13、及導通孔HA13，導通至R(紅)之顯示色之副像素之發光控制電晶體Tel之汲極區域或源極區域。 如自圖25、圖27及圖28可理解般，中繼電極QE11經由貫通絕緣層LD之導通孔HE10，導通至G(綠)之顯示色之副像素之中繼電極QD10。因此，中繼電極QE11經由導通孔HE10、中繼電極QD10、導通孔HD11、中繼電極QC11、導通孔HC11、中繼電極QB13、及導通孔HA13，導通至G(綠)之顯示色之副像素之發光控制電晶體Tel之汲極區域或源極區域。 如自圖25、圖27及圖28可理解般，中繼電極QE12經由貫通絕緣層LD之導通孔HE10，導通至B(藍)之顯示色之副像素之中繼電極QD10。因此，中繼電極QE12經由導通孔HE10、中繼電極QD10、導通孔HD11、中繼電極QC11、導通孔HC11、中繼電極QB13、及導通孔HA13，導通至B(藍)之顯示色之副像素之發光控制電晶體Tel之汲極區域或源極區域。 絕緣層LE係形成於形成有作為第5導電層之複數個中繼電極QE10、QE11、QE12之絕緣層LD之面上。如自圖26至圖28可理解般，於絕緣層LE之面上，形成作為第3導電層之反射層43B、43G、43R。反射層43B係B(藍)之顯示色之副像素之反射層，反射層43G係G(綠)之顯示色之副像素之反射層。又，反射層43R係R(紅)之顯示色之副像素之反射層。 如自圖26可理解般，反射層43B係於俯視下，以與各色之副像素之驅動電晶體Tdr之至少汲極區域重合之方式，形成為列方向(X方向)之寬度寬於行方向(Y方向)之寬度。 反射層43G係以於俯視下與各色之副像素之驅動電晶體Tdr之閘極層GTdr重合之方式，形成為列方向(X方向)之寬度寬於行方向(Y方向)之寬度。 反射層43R係以於俯視下與各色之副像素之驅動電晶體Tdr之汲極區域重合之方式，形成為列方向(X方向)之寬度寬於行方向(Y方向)之寬度。 反射層43B經由貫通絕緣層LE之導通孔HF12而與中繼電極QE12導通。即，反射層43B經由複數個導通孔與複數個中繼電極，導通至B(藍)之顯示色之副像素之發光控制電晶體Tel之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。複數個導通孔係導通孔HF12、導通孔HE10、導通孔HD11、導通孔HC11、及導通孔HA13。又，複數個中繼電極係中繼電極QE12、中繼電極QD10、中繼電極QC11、及中繼電極QB13。 反射層43G經由貫通絕緣層LE之導通孔HF11而與中繼電極QE11導通。即，反射層43G經由複數個導通孔與複數個中繼電極，導通至G(綠)之顯示色之副像素之發光控制電晶體Tel之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。複數個導通孔係導通孔HF11、導通孔HE10、導通孔HD11、導通孔HC11、及導通孔HA13。又，複數個中繼電極係中繼電極QE11、中繼電極QD10、中繼電極QC11、及中繼電極QB13。 反射層43R經由貫通絕緣層LE之導通孔HF10而與中繼電極QE10導通。即，反射層43R經由複數個導通孔與複數個中繼電極，導通至R(紅)之顯示色之副像素之發光控制電晶體Tel之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。複數個導通孔係導通孔HF10、導通孔HE10、導通孔HD11、導通孔HC11、及導通孔HA13。又，複數個中繼電極係中繼電極QE10、中繼電極QD10、中繼電極QC11、及中繼電極QB13。 再者，如圖26所示，於俯視下，按反射層43B、43G、43R之順序設置反射層，與該等反射層43B、43G、43R重合之各色之副像素之複數個電晶體成為一像素單位之像素之複數個電晶體。 反射層43B、43R、43G係以例如含有銀或鋁之光反射性之導電材料形成為例如100 nm左右之膜厚。如圖26所示，反射層43B、43G、43R以於俯視下與各色之副像素之電晶體重合之方式配置。因此，藉由反射層43B、43G、43R防止外界光之侵入，而有可防止起因於光照射之各電晶體之漏電流之優點。 又，於本實施形態中，雖將各色之副像素之複數個電晶體配置於列方向(X方向)之寬度窄於行方向(Y方向)之寬度之像素電路區域之內部，但各色之副像素之反射層43B、43G、43R形成為列方向(X方向)之寬度窄於行方向(Y方向)之寬度。因此，可一面將掃描線22於各色之副像素之寫入控制電晶體Twr共通化，一面將各色之副像素之顯示區域設為於列方向(X方向)橫長之形式。 本實施形態之反射層之面積係設定為反射層43B與反射層43R之面積相同，且反射層43R之面積最小。 絕緣層LF係形成於形成有反射層43B、43G、43R之絕緣層LE之面上。於絕緣層LF之表面，如圖27所例示般形成有中繼電極QF10。 中繼電極QF10經由貫通絕緣層LF之導通孔HG10導通至反射層43B、43G、43R。中繼電極QF10係構成像素電極導通部之中繼電極之一個，且如自圖21至圖28可理解般，經由反射層43B、43G、43R、複數個中繼電極、及複數個導通孔，導通至發光控制電晶體Tel之形成汲極區域或源極區域之作用區域10A。 如圖27所例示般，於形成有中繼電極QF10之絕緣層LF之面上形成有光路調整層60。光路調整層60係規定各像素電路110之諧振構造之諧振波長(即顯示色)之透光性之膜體。設定為如下，即，於顯示色相同之像素中，諧振構造之諧振波長大致相同，而於顯示色不同之像素中，諧振構造之諧振波長不同。於本實施形態中，如圖28所示，於R(紅)之顯示色之副像素中，光路調整層60形成為3層。又，於G(綠)之顯示色之副像素中，光路調整層60形成為2層。而且，於B(藍)之顯示色之副像素中，光路調整層60形成為1層。 如圖27及圖28所例示般，於光路調整層60之面上，形成有針對各色之副像素之每一者之第1電極E1。第1電極E1係以例如ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)等透光性之導電材料形成。如參照圖3及圖4所上述般，第1電極E1係作為發光元件45之陽極發揮功能之大致矩形狀之電極(像素電極)。如自圖27可理解般，第1電極E1經由形成於光路調整層60之導通孔HH10導通至中繼電極QF10。因此，第1電極E1經由光路調整層60、反射層43B、43G、43R、複數個中繼電極、及複數個導通孔，導通至發光控制電晶體Tel之汲極區域或源極區域。 於形成有第1電極E1之光路調整層60之面上，如圖27及圖28所例示般，遍及基板10之全域形成有像素定義層65。像素定義層65係由例如矽化合物(典型而言氮化矽或氧化矽)等絕緣性之無機材料形成。雖省略圖示，但藉由像素定義層65而形成各顯示色之副像素之與第1電極E1對應之開口部。 開口部之大小係形成為B(藍)色之副像素與R(紅)色之副像素之開口部之大小相同，G(綠)色與R(紅)色之副像素之開口部最小。但，於顯示色不同之副像素間，亦可將開口部之大小設為不同。 開口部於行方向(Y方向)上，係按B(藍)色、G(綠)色、及R(紅)色之副像素之順序以共通之間距排列。又，同一色之副像素之開口部係遍及列方向(X方向)以共通之間距排列。 如圖27及圖28所示，於第1電極E1之上層積層有發光功能層46、第2電極E2、及密封體47，且於形成有以上各要素之基板10之表面例如以接著劑接合密封基板(省略圖示)。密封基板係用於保護基板10上之各要素之透光性之板狀構件(例如玻璃基板)。再者，於密封基板之表面或密封體47之表面，針對副像素之像素電路之每一者而形成有彩色濾光片。作為彩色濾光片，使用B(藍)色之彩色濾光片CFB、G(綠)色之彩色濾光片CFG、及R(紅)色之彩色濾光片CFR。 如以上所說明般，於本實施形態中，因各色之副像素之複數個電晶體係沿行方向(Y方向)配置，故可將掃描線22於各色之副像素之寫入控制電晶體Twr共通化，而不會使於一水平掃描期間選擇之掃描線22之數量增加。其結果，可防止一水平掃描期間之各掃描線22之選擇時間變短，而可自資料傳輸線26向第1電極E1確實地寫入資料。 又，於本實施形態中，一面將各色之副像素之複數個電晶體配置於列方向(X方向)之寬度窄於行方向(Y方向)之寬度之像素電路區域之內部，一面各色之副像素之反射層43B、43G、43R形成為列方向(X方向)之寬度寬於行方向(Y方向)之寬度。因此，即使於以光電裝置1之主光線大幅度傾斜之方向成為列方向(X方向)之方式設計之情形時，不使掃描線22之數量增加，即可將同色之副像素排列於顯示面之列方向(X方向)上。其結果，可提供一種即使自斜向觀察顯示面，於列方向(X方向)亦幾乎不產生色偏之光電裝置1。 於本實施形態中，將各色之副像素之反射層43B、43G、43R以與各色之副像素之電晶體重合之方式，沿列方向(X方向)配置。因此，可防止來自發光功能層46之光照射於電晶體，從而不會使電晶體之特性變化。尤其是，將面積最大之藍色之副像素之反射層43B以與各色之副像素之驅動電晶體Tdr之汲極區域重合之方式配置。又，將與藍色之副像素之反射層43B相同面積之紅色之副像素之反射層43R以與各色之副像素之驅動電晶體Tdr之汲極區域重合之方式配置。進而，將面積最小之綠色之副像素之反射層43G以與各色之副像素之驅動電晶體Tdr之閘極層GTdr重合之方式配置。因此，可確實地防止來自發光功能層46之光照射至會對細微之灰階顯示造成影響之驅動電晶體Tdr，而防止驅動電晶體Tdr之特性之變化，從而實現準確之灰階顯示。 於本實施形態中，於各色之副像素之反射層43B、43G、43R、與各色之副像素之複數個電晶體之間，設有以與各色之副像素之複數個電晶體重合之方式沿行方向(Y方向)配置之電源配線41。因此，來自發光功能層46之光係不僅被反射層43B、43G、43R遮擋，亦被電源配線41全面地遮擋，而可更確實地防止其照射於驅動電晶體Tdr。因此，可更確實地防止來自發光功能層46之光照射至會對細微之灰階顯示造成影響之驅動電晶體Tdr，而防止驅動電晶體Tdr之特性之變化，從而實現準確之灰階顯示。 又，於本實施形態中，連接各色之副像素之反射層43B、43G、43R、與各色之副像素之發光控制電晶體Tel之中繼電極QD1、QD2、QD3，形成於形成有電源配線41之層、與形成有反射層43B、43G、43R之層之間之層。因此，來自流通較大電流之中繼電極QD1、QD2、QD3之雜訊被電源配線41遮擋，從而可抑制雜訊對驅動電晶體Tdr之影響。 於本實施形態中，反射層43B之面積、與反射層43G、43R之面積不同。形成為反射層43B與反射層43R之面積最大，且反射層43G之面積最小。即，設定為反射層43B、43G、43R中之至少2個反射層之面積互不相同。而且，連接各色之副像素之反射層43B、43G、43R、與各色之副像素之發光控制電晶體Tel之中繼電極QE12、QE11、QE10係形成於面積最小之反射層43G之下層。因此，可縮短中繼電極QE12、QE11、QE10之長度。其結果，使來自流通較大電流之中繼電極QE12、QE11、QE10之雜訊減少，而可將該雜訊對驅動電晶體Tdr之影響抑制為較低。 又，於本實施形態中，連接中繼電極QE12、QE11、QE10、與發光控制電晶體Tel之連接部即導通孔HE10於俯視下，位於最小之反射層即反射層43G之附近之下層。根據該構成，亦可縮短中繼電極QE12、QE11、QE10之長度。其結果，使來自流通較大電流之中繼電極QE12、QE11、QE10之雜訊減少，而可將該雜訊對驅動電晶體Tdr之影響抑制為較低。 於本實施形態中，沿行方向(於Y方向)，於發光控制電晶體Tel之後配置寫入控制電晶體Twr。因此，連接中繼電極QE12、QE11、QE10、與發光控制電晶體Tel之連接部即導通孔HE10之位置，位於沿行方向(於Y方向)配置之複數個電晶體之行方向(於Y方向)之除端部以外之部位。藉由如此構成，而容易將成為像素接觸部之導通孔HE10之位置與反射層43G、43B、43R之配置對準。其結果，於相同之一像素單位內，可藉由反射層43G、43B、43R而防止來自發光功能層46之光對驅動電晶體Tdr之照射。 進而，中繼電極QE12、QE11、QE10形成於與資料傳輸線26不同之層。因此，於資料傳輸線26與其他層、尤其是與電源配線41之間形成寄生電容。為減少寄生電容，而中繼電極QE12、QE11、QE10較佳位於相鄰之一資料傳輸線26與另一資料傳輸線26之大致中央。可縮短資料向資料傳輸線26之寫入時間、及自資料傳輸線26向第1電極E1之資料之寫入時間。 ＜變化例＞ 本發明並非限定於上述之各實施形態，可進行例如以下所述之各種變化。又，當然亦可適當組合各實施形態及各變化例。 (1)於上述之實施形態中，雖對在反射層與像素電極之間設有光路調整層之構成進行了說明，但本實施形態並非限定於該構成。亦可為省略光路調整層而使用具有反射性之像素電極之構成。於該情形時，第3導電層亦可與反射層及像素電極形成為一體。 (2)於上述之實施形態中，雖對在OLED上積層有密封膜與彩色濾光片之構成進行了說明，但本實施形態並非限定於該構成。亦可為於對向基板設置有彩色濾光片之構成。 (3)於上述之實施形態中，於一像素單位之像素內，將各色之副像素之開口部以於列方向(X方向)上延伸之方式設置，進而將同一色之副像素之開口部遍及複數個一像素單位之像素而於列方向(X方向)上以共通之間距排列。又，於一像素單位之像素內，以各色之副像素之開口部之列方向(X方向)之寬度成為相等之方式排列。即，將各色之副像素之反射層以與各色之副像素之至少1個電晶體重合之方式沿列方向(X方向)排列。 但，本發明並不限定於此種構成。例如，亦可將至少1個顏色之副像素之反射層以與各色之副像素之至少1個電晶體重合之方式沿列方向(X方向)排列。於該情形時，將其他顏色之副像素之反射層以與至少1個顏色之副像素之至少1個電晶體重合之方式排列，將不同色副像素之反射層沿列方向(X方向)排列。 例如，使藍色之副像素之開口部跨及一像素單位之像素內沿列方向(X方向)延伸，而構成為列方向(X方向)之寬度成為最大。而且，將紅色之副像素之開口部、與綠色之副像素之開口部於一像素單位之像素內於列方向(X方向)上並列排列。 (4)於上述之實施形態中，雖於反射層與驅動電晶體之間配置電源配線，但亦可配置除電源配線以外之金屬製之配線。藉由於反射層與驅動電晶體之間配置金屬製之配線，可確實地進行驅動電晶體之遮光。 (5)於上述之實施形態中雖採用OLED作為光電材料之一例，但於使用該等以外之光電材料之光電裝置亦可應用本發明。光電材料係藉由供給電性信號(電流信號或電壓信號)而透過率或亮度般之光學特性變化之材料。例如，對使用液晶、無機EL或發光聚合物等之發光元件之顯示面板亦可與上述實施形態同樣地應用本發明。又，對將包含已著色之液體與分散於該液體之白色之粒子之微膠囊用作光電材料之電泳顯示面板，亦可與上述實施形態同樣地應用本發明。進而，對將於極性不同之每一區域區分塗佈為不同色之扭轉球用作光電材料之扭轉球顯示面板亦可與上述實施形態同樣地應用本發明。對將黑色增色劑用作光電材料之調色顯示面板、或將氦或氖等之高壓氣體用作光電材料之電漿顯示面板等各種光電裝置亦可與上述實施形態同樣地應用本發明。 ＜應用例＞ 該發明可利用於各種電子機器。圖29至圖31係例示成為本發明之應用對象之電子機器之具體形態者。 圖29係表示作為採用本發明之光電裝置之電子機器之頭戴式顯示器之頭戴式顯示器之外觀之立體圖。如圖29所示，頭戴式顯示器300就外觀而言，與一般之眼鏡同樣地具有眼鏡腿310、眼鏡樑320、投射光學系統301L、301R。雖省略圖示，但於眼鏡樑320附近且投射光學系統301L、301R之深側，設有左眼用之光電裝置1、與右眼用之光電裝置1。 圖30係採用光電裝置之可攜型之個人電腦之立體圖。個人電腦2000具備顯示各種圖像之光電裝置1、及設置有電源開關2001及鍵盤2002之本體部2010。 圖31係行動電話之立體圖。行動電話3000具備複數個操作按鍵3001及捲動按鍵3002、與顯示各種圖像之光電裝置1。藉由操作捲動按鍵3002而捲動顯示於光電裝置1之畫面。本發明亦可應用於此種行動電話。 再者，作為應用本發明之電子機器，除圖29至圖31所例示之機器以外，可列舉攜帶資訊終端(PDA：Personal Digital Assistant，個人數位助理)。除此以外，可列舉數位靜態相機、電視、視頻攝像機、汽車導航裝置、車載用顯示器(儀錶面板)、電子記事本、電子紙、計算器、文字處理器、工作站、電視電話、POS(Point Of Sale：銷售點)終端。進而，可列舉印表機、掃描儀、影印機、視訊播放器、具備觸控面板之機器等等。

1‧‧‧光電裝置
2‧‧‧顯示面板
3‧‧‧控制電路
5‧‧‧資料傳輸線驅動電路
6‧‧‧掃描線驅動電路
10‧‧‧基板
10A‧‧‧作用區域
22‧‧‧掃描線
26‧‧‧資料傳輸線
27‧‧‧控制線
28‧‧‧控制線
41‧‧‧第1電源導電體(電源配線)
42‧‧‧第2電源導電體
43B‧‧‧反射層
43G‧‧‧反射層
43R‧‧‧反射層
45‧‧‧發光元件
46‧‧‧發光功能層
47‧‧‧密封體
60‧‧‧光路調整層
65‧‧‧像素定義層
70‧‧‧資料信號供給電路
82‧‧‧殼體
84‧‧‧FPC基板
86‧‧‧端子
100‧‧‧顯示部
110‧‧‧像素電路
300‧‧‧頭戴式顯示器
301L‧‧‧投射光學系統
301R‧‧‧投射光學系統
310‧‧‧眼鏡腿
320‧‧‧眼鏡樑
2000‧‧‧個人電腦
2001‧‧‧電源開關
2002‧‧‧鍵盤
2010‧‧‧本體部
3000‧‧‧行動電話
3001‧‧‧操作按鍵
3002‧‧‧捲動按鍵
Btr‧‧‧電晶體
C‧‧‧電容元件
CFB‧‧‧彩色濾光片
CFG‧‧‧彩色濾光片
CFR‧‧‧彩色濾光片
Cref‧‧‧電容元件
Ctr‧‧‧控制信號
DM‧‧‧解多工器
DM(1)‧‧‧解多工器
DM(2)‧‧‧解多工器
DM(N)‧‧‧解多工器
DT‧‧‧資料傳輸電路
E1‧‧‧第1電極
E2‧‧‧第2電極
GTcmp‧‧‧閘極層
GTdr‧‧‧閘極層
GTel‧‧‧閘極層
Gtr‧‧‧電晶體
GTwr‧‧‧閘極層
Gwr‧‧‧掃描信號
Gwr(1)‧‧‧掃描信號
Gwr(2)‧‧‧掃描信號
Gwr(3)‧‧‧掃描信號
Gwr(M)‧‧‧掃描信號
HA1～HA8‧‧‧導通孔
HA10～HA15‧‧‧導通孔
HB1～HB4‧‧‧導通孔
HB10～HB12‧‧‧導通孔
HC1～HC5‧‧‧導通孔
HC10～HC12‧‧‧導通孔
HD1‧‧‧導通孔
HD2‧‧‧導通孔
HD10～HD11‧‧‧導通孔
HE1～HE3‧‧‧導通孔
HE10‧‧‧導通孔
HF10～HF12‧‧‧導通孔
HG10‧‧‧導通孔
HH10‧‧‧導通孔
Idata‧‧‧電流
I-I'‧‧‧線
II-II'‧‧‧線
III-III'‧‧‧中心線
Ioled‧‧‧電流
IV-IV'‧‧‧線
L0‧‧‧絕緣膜
LA～LF‧‧‧絕緣層
QB1～QB8‧‧‧中繼電極
QB10～QB14‧‧‧中繼電極
QC1‧‧‧中繼電極
QC2‧‧‧中繼電極
QC10～QC12‧‧‧中繼電極
QD1～QD3‧‧‧中繼電極
QD10‧‧‧中繼電極
QE1‧‧‧中繼電極
QE10～QE12‧‧‧中繼電極
QF10‧‧‧中繼電極
Rtr‧‧‧電晶體
Sel‧‧‧控制信號
Tcmp‧‧‧補償電晶體
Tdr‧‧‧驅動電晶體
Tel‧‧‧發光控制電晶體
Twr‧‧‧寫入控制電晶體
Vct‧‧‧電源電位
Vd‧‧‧資料信號
Vd(1)‧‧‧資料信號
Vd(2)‧‧‧資料信號
Vd(N)‧‧‧資料信號
Vdata‧‧‧圖像資料
Vel‧‧‧電源電位
Vid‧‧‧圖像信號
V-V'‧‧‧線
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
/Sel‧‧‧控制信號

圖1係表示本發明之第1實施形態之光電裝置之立體圖。 圖2係表示該實施形態之光電裝置之構成之方塊圖。 圖3係表示像素電路之構成之電路圖。 圖4係表示像素電路之構成之電路圖。 圖5係副像素之行方向之剖視圖。 圖6係一像素單位之像素之列方向之剖視圖。 圖7係形成於基板上之各要素之說明圖。 圖8係形成於基板上之各要素之說明圖。 圖9係形成於基板上之各要素之說明圖。 圖10係形成於基板上之各要素之說明圖。 圖11係形成於基板上之各要素之說明圖。 圖12係形成於基板上之各要素之說明圖。 圖13係形成於基板上之各要素之說明圖。 圖14係形成於基板上之各要素之說明圖。 圖15係本發明之第2實施形態之光電裝置之形成於基板上之各要素之說明圖。 圖16係形成於基板上之各要素之說明圖。 圖17係形成於基板上之各要素之說明圖。 圖18係形成於基板上之各要素之說明圖。 圖19係形成於基板上之各要素之說明圖。 圖20係形成於基板上之各要素之說明圖。 圖21係本發明之第3實施形態之光電裝置之形成於基板上之各要素之說明圖。 圖22係形成於基板上之各要素之說明圖。 圖23係形成於基板上之各要素之說明圖。 圖24係形成於基板上之各要素之說明圖。 圖25係形成於基板上之各要素之說明圖。 圖26係形成於基板上之各要素之說明圖。 圖27係一像素單位之像素之列方向之剖視圖。 圖28係副像素之行方向之剖視圖。 圖29係表示電子機器之例之說明圖。 圖30係表示電子機器之另一例之說明圖。 圖31係表示電子機器之另一例之說明圖。

22‧‧‧掃描線

26‧‧‧資料傳輸線

27‧‧‧控制線

28‧‧‧控制線

41‧‧‧第1電源導電體(電源配線)

42‧‧‧第2電源導電體

43B‧‧‧反射層

43G‧‧‧反射層

43R‧‧‧反射層

Btr‧‧‧電晶體

GTcmp‧‧‧閘極層

Gtr‧‧‧電晶體

HC2‧‧‧導通孔

HE1~HE3‧‧‧導通孔

HF1‧‧‧導通孔

QB3‧‧‧中繼電極

QD1‧‧‧中繼電極

QD3‧‧‧中繼電極

Rtr‧‧‧電晶體

X‧‧‧方向

Y‧‧‧方向

Claims (14)

1. 一種光電裝置，其特徵在於具備： 複數個第1導電層，其等於第1方向延伸； 複數個第2導電層，其等於與上述第1方向交叉之第2方向延伸；及 複數個副像素，其等對應於上述複數個第1導電層與上述複數個第2導電層之各個交叉而排列；且 上述複數個副像素之各者包含： 發光元件之第3導電層； 複數個電晶體； 第4導電層，其係以與上述複數個電晶體中之至少1個電晶體重合之方式配置；及 第5導電層，其與上述複數個電晶體中之至少1個電晶體電性連接，且配置於上述第3導電層與上述第4導電層之間之層；且 上述複數個電晶體係配置於像素電路區域之內部，該像素電路區域之上述第1方向之寬度窄於上述第2方向之寬度； 上述複數個第1導電層中之1個導電層係與上述複數個副像素中、於上述第1方向上相鄰的2個副像素之各者所包含之上述複數個電晶體之至少1個電性連接； 上述複數個副像素中之至少1個副像素之上述第3導電層係其上述第1方向之寬度寬於上述第2方向之寬度，且與上述複數個電晶體中之至少1個電晶體及上述第4導電層重合。
2. 如請求項1之光電裝置，其中上述複數個第1導電層係掃描線。
3. 如請求項1或2之光電裝置，其中上述複數個電晶體中之與上述第3導電層及上述第4導電層重合之電晶體係驅動電晶體。
4. 如請求項3之光電裝置，其中上述第4導電層係連接於上述驅動電晶體之電源配線。
5. 如請求項1至4中任一項之光電裝置，其中上述第4導電層係沿上述第1方向延伸之電源配線。
6. 如請求項1至5中任一項之光電裝置，其中上述複數個副像素中之至少2個副像素之上述第3導電層之面積互不相同； 上述至少2個副像素各者之上述第5導電層係以與上述至少2個副像素之上述第3導電層中面積最小之上述第3導電層重合之方式配置。
7. 如請求項1至5中任一項之光電裝置，其中將上述複數個副像素中之1個副像素之上述第5導電層、與上述複數個電晶體中之至少1個電晶體電性連接之連接部，位於上述1個副像素之上述第3導電層、與於上述第1方向上與上述1個副像素鄰接之副像素之上述第3導電層之間。
8. 如請求項6之光電裝置，其中將上述至少2個副像素各者之上述第5導電層、與各者之上述複數個電晶體中之至少一個電晶體電性連接之連接部，分別位於上述面積最小之上述第3導電層之上述第1方向之中心線上。
9. 如請求項6之光電裝置，其中將上述至少2個副像素之各者之上述第5導電層、與各者之上述複數個電晶體中之至少一個電晶體電性連接之連接部，各自以於俯視下與上述面積最小之上述第3導電層重合之方式配置。
10. 如請求項1至5中任一項之光電裝置，其中將上述複數個副像素中之1個副像素之上述第5導電層、與上述複數個電晶體中之至少1個電晶體電性連接之連接部，位於上述複數個電晶體之上述第2方向上之除端部以外之部位。
11. 如請求項1至10中任一項之光電裝置，其中上述複數個副像素中之1個副像素之上述第5導電層係形成於與上述第2導電層同層，且位於上述1個副像素之上述第2導電層、與於上述第1方向上與上述1個副像素鄰接之副像素之上述第2導電層之間。
12. 如請求項1至10中任一項之光電裝置，其中上述第5導電層係形成於與上述第2導電層不同之層。
13. 如請求項1至12中任一項之光電裝置，其中上述複數個副像素係將於上述第1方向上鄰接之顯示色不同之複數個副像素設為一像素單位。
14. 一種電子機器，其特徵在於具備請求項1至13中任一項之光電裝置。