CN108539049A - 一种oled产品的制作方法和oled产品 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种OLED产品的制作方法和OLED产品。该制作方法包括:步骤1:提供一ITO基板;步骤2:对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀,制作阳极图案,形成ITO阳极层;步骤3:在所述ITO阳极层上制作Mo合金层,在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层;步骤4:采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀,制作第一触摸图案,形成第一ITO触摸层;步骤5:采用Mo刻蚀液去除所述Mo合金层;步骤6:依次在所述ITO阳极层上制作OLED功能层和金属阴极层。该制作方法不会在ITO阳极层上残留保护材料,也能够防止ITO阳极被压伤等问题,还有利于工艺的自动化和高世代产线的量产。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种OLED产品的制作方法和OLED产品。
背景技术
ON CELL技术是OLED产品集成触摸功能的最佳解决方案之一,该技术将ITO触摸层设置在OLED产品的出光面表面上,在刻蚀ITO触摸层的触摸图案时需要先将基板背面上的ITO阳极层保护起来,常用的保护方法是在ITO阳极层上丝印或者粘贴一层保护膜。这类保护方法虽然设备和制程都相对简单,但容易产生残胶、ITO阳极层被压伤等问题,且在蚀刻完ITO触摸层之后需要手动撕掉保护膜,因而不利于工艺的自动化和高世代产线的量产。
发明内容
为了解决上述现有技术的不足,本发明提供一种OLED产品的制作方法和OLED产品。该制作方法不会在ITO阳极层上残留保护材料,也能够防止ITO阳极被侵蚀和被划伤、压伤等问题,还有利于工艺的自动化和高世代产线的量产。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
一种OLED产品的制作方法,包括:
步骤1:提供一ITO基板;
步骤2:对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀,制作阳极图案,形成ITO阳极层;
步骤3:在所述ITO阳极层上制作Mo合金层,在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层;
步骤4:采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀,制作第一触摸图案,形成第一ITO触摸层;
步骤5:采用Mo刻蚀液去除所述Mo合金层;
步骤6:依次在所述ITO阳极层上制作OLED功能层和金属阴极层。
进一步地,步骤4中还包括:在所述第一ITO触摸层上依次制作绝缘层和第三ITO层,采用ITO刻蚀液对所述第三ITO层进行刻蚀,制作第二触摸图案,形成第二ITO触摸层。
进一步地,所述第三ITO层的厚度小于500Å。
进一步地,在步骤2中,也采用ITO刻蚀液对所述第一ITO层进行刻蚀。
进一步地,Mo的质量百分比为80%-95%。
进一步地,所述Mo合金层的厚度为400-3000 Å。
进一步地,所述第一ITO层的厚度为800~2200Å,和/或,所述第二ITO层的厚度小于500Å。
进一步地,步骤5中,所述Mo刻蚀液为包括HNO3、CH3COOH和H3PO4的混合液。
进一步地,所述ITO刻蚀夜为包括HNO3、HCL和H2O的混合液,其中,HCL的质量浓度为36~38%,HNO3的质量浓度为65~68%;所述ITO蚀刻液的温度为25~50℃。
一种OLED产品,采用上述的OLED产品的制作方法获得。
本发明具有如下有益效果:该OLED产品的制作方法在对所述第二ITO层进行刻蚀之前,先在已经完成刻蚀的所述ITO阳极层上制作一层Mo合金层,以包裹覆盖所述ITO阳极层,利用所述Mo合金层具有表面平整、高熔点、高硬度、高致密性,以及在所述ITO刻蚀液里具有短暂的惰性等特点,在所述第一ITO触摸层的刻蚀过程中,保护所述ITO阳极层,以使所述ITO阳极层能够避免所述ITO刻蚀液的侵蚀和外力的划伤、压伤。
附图说明
图1为本发明提供的OLED产品的制作方法的步骤框图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。
实施例一
如图1所示,一种OLED产品的制作方法,包括:
步骤1:提供一ITO基板;
该步骤1中,所述ITO基板包括但不限于一透明基板和制作在所述透明基板的一面上制作SiO2层,所述SiO2层上制作第一ITO层。
其中,所述透明基板在制作SiO2层之前需对其表面进行抛光处理,所述SiO2层的厚度为200~300 Å;所述第一ITO层的制作方法为磁控溅射,沉积温度在200-280℃之间,厚度为800~2200Å,所述第一ITO层在制作完成后,还需对其表面进行软抛光处理,控制其表面粗糙度Ra<10Å。
步骤2:对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀,制作阳极图案,形成ITO阳极层;
该步骤2中,优选但不限于在黄光湿制程中采用ITO蚀刻液对所述第一ITO层进行刻蚀。
步骤3:在所述ITO阳极层上制作Mo合金层,在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层;
该步骤3中,可以先在所述ITO阳极层上制作Mo合金层,再在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层,或者,也可以先在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层,再在所述ITO阳极层上制作Mo合金层,顺序要求不作限制;所述Mo合金层的厚度为400-3000 Å,Mo的质量百分比为80%-95%。
其中,所述Mo合金层的制作方式为磁控溅射,由于所述Mo合金层具有表面平整、高熔点、高硬度、高致密性,其包裹覆盖所述ITO阳极层之后,能够对所述ITO阳极层起到保护作用,其硬度能够使所述ITO阳极层上的阳极图案免受外力作用而划伤、压伤。
步骤4:采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀,制作第一触摸图案,形成第一ITO触摸层;
该步骤4中,所述第二ITO层的厚度小于500Å,在黄光湿制程中采用ITO刻液进行刻蚀,优选地,采用下喷淋方式、完全不用上喷淋方式进行刻蚀,即所述ITO蚀刻液直接喷淋到所述第二ITO层的表面进行反应和刻蚀。
所述ITO刻蚀液为包括HNO3、HCL和H2O的混合液,其中,HCL的质量浓度为36~38%(AR级),HNO3的质量浓度为65~68%(AR级);所述ITO刻蚀液的温度为25~50℃。
由于所述Mo合金层在所述ITO刻蚀液中具有短暂的惰性,所述Mo合金层能够利用这短暂的惰性来避免自身的致密膜结构在所述第一ITO触摸层的刻蚀过程中被所述ITO刻蚀液所破坏,从而避免所述ITO阳极层在所述第一ITO触摸层的刻蚀过程中受到所述ITO刻蚀液的侵蚀。
若该OLED产品采用单层触摸结构,则所述第一ITO触摸层构成全触电极或按键触控电极;若该OLED产品采用双层触摸结构,则在步骤4中,还需要在所述第一ITO触摸层上依次制作绝缘层和第三ITO层,并在黄光湿制程中采用ITO刻蚀液对所述第三ITO层进行刻蚀,制作第二触摸图案,形成第二ITO触摸层,所述第一ITO触摸层和第二ITO触摸层共同构成全触电极。所述绝缘层可以通过黄光湿制程制作形成绝缘图案。
刻蚀完所有触摸电极之后需要制作硬质保护层,所述硬质保护层的制作方法包括但不限于丝印、移印、刮涂或旋涂等,固化后硬度达到7-9H。在单层触摸结构的OLED产品中,所述硬质保护层制作在所述第一ITO触摸层上,在双层触摸结构的OLED产品中,所述硬质保护层制作在所述第二ITO触摸层上。
步骤5:采用Mo刻蚀液去除所述Mo合金层;
该步骤5中,所述Mo刻蚀液为包括HNO3、CH3COOH和H3PO4的混合液,由于所述Mo刻蚀液不会侵蚀ITO材料,因此步骤5对刻蚀时间、刻蚀温度等均无特殊要求,只需将所述Mo合金层完全去除,不留下任何残留即可。
步骤6:依次在所述ITO阳极层上制作OLED功能层和金属阴极层。
该OLED产品的制作方法在对所述第二ITO层进行刻蚀之前,先在已经完成刻蚀的所述ITO阳极层上制作一层Mo合金层,以包裹覆盖所述ITO阳极层,利用所述Mo合金层具有表面平整、高熔点、高硬度、高致密性,以及在所述ITO刻蚀液里具有短暂的惰性等特点,在所述第一ITO触摸层的刻蚀过程中,保护所述ITO阳极层,以使所述ITO阳极层能够避免所述ITO刻蚀液的侵蚀和外力的划伤、压伤。
实施例二
一种OLED产品,采用实施例一中所述的OLED产品的制作方法获得。
以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制,但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案,均应落在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种OLED产品的制作方法,其特征在于,包括:
步骤1:提供一ITO基板;
步骤2:对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀,制作阳极图案,形成ITO阳极层;
步骤3:在所述ITO阳极层上制作Mo合金层,在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层;
步骤4:采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀,制作第一触摸图案,形成第一ITO触摸层;
步骤5:采用Mo刻蚀液去除所述Mo合金层;
步骤6:依次在所述ITO阳极层上制作OLED功能层和金属阴极层。
2.根据权利要求1所述的OLED产品的制作方法,其特征在于,步骤4中还包括:在所述第一ITO触摸层上依次制作绝缘层和第三ITO层,采用ITO刻蚀液对所述第三ITO层进行刻蚀,制作第二触摸图案,形成第二ITO触摸层。
3.根据权利要求2所述的OLED产品的制作方法,其特征在于,所述第三ITO层的厚度小于500Å。
4.根据权利要求1-3中任一所述的OLED产品的制作方法,其特征在于,在步骤2中,也采用ITO刻蚀液对所述第一ITO层进行刻蚀。
5.根据权利要求1-3中任一所述的OLED产品的制作方法,其特征在于,所述Mo合金层中Mo的质量百分比为80%-95%。
6.根据权利要求1-3中任一所述的OLED产品的制作方法,其特征在于,所述Mo合金层的厚度为400-3000 Å。
7.根据权利要求1-3中任一所述的OLED产品的制作方法,其特征在于,所述第一ITO层的厚度为800~2200Å,和/或,所述第二ITO层的厚度小于500Å。
8.根据权利要求1-3中任一所述的OLED产品的制作方法,其特征在于,步骤5中,所述Mo刻蚀液为包括HNO3、CH3COOH和H3PO4的混合液。
9.根据权利要求1-3中任一所述的OLED产品的制作方法,其特征在于,所述ITO刻蚀夜为包括HNO3、HCL和H2O的混合液,其中,HCL的质量浓度为36~38%,HNO3的质量浓度为65~68%;所述ITO蚀刻液的温度为25~50℃。
10.一种OLED产品,其特征在于,采用权利要求1-9中任一所述的OLED产品的制作方法获得。
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