CN220402265U - 显示面板以及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种显示面板以及显示装置，属于显示技术领域。该显示面板包括：衬底基板；像素电路层，像素界定层，多个电致发光层，第一电极层以及辅助电极结构以及透光的电极图案化结构，辅助电极结构以及电极图案化结构位于第一电极层远离衬底基板的一侧。本实用新型通过在第一电极层上设置包括辅助电极层以及辅助电极图案的辅助电极结构，并由辅助电极层或辅助电极图案与第一电极层接触，如此结构可以保护第一电极层，降低第一电极层断裂的可能性，解决了相关技术中显示面板的良率较低的问题，实现了提升显示面板的良率的效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板以及显示装置。
背景技术
显示面板是一种能够实现显示功能的器件。
一种显示面板包括衬底基板以及依次设置在衬底基板上的第一电极、多个电致发光层以及第二电极层，该第二电极层可以配合第一电极来驱动电致发光层发光，以实现显示功能。
但是上述第二电极层容易断裂，导致显示面板的良率较低。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种显示面板以及显示装置。所述技术方案如下：
根据本实用新型实施例的一方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括：
衬底基板，所述衬底基板上包括显示区以及位于所述显示区周围的周边区；
像素电路层，位于所述衬底基板的一侧且位于所述显示区；
像素界定层，位于所述像素电路层远离所述衬底基板的一侧，且包括多个像素开口；多个电致发光层，所述多个电致发光层位于所述多个像素开口中；
第一电极层，所述第一电极层位于所述多个电致发光层远离所述衬底基板的一侧；
辅助电极结构以及透光的电极图案化结构，所述辅助电极结构以及所述电极图案化结构位于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧，所述辅助电极结构包括辅助电极层以及辅助电极图案，所述辅助电极层和所述辅助电极图案中的一个结构与所述第一电极层接触，所述电极图案化结构在所述衬底基板上的正投影与所述多个像素开口中的至少一个像素开口在所述衬底基板的正投影存在交叠，所述辅助电极图案在所述衬底基板的正投影和所述电极图案化结构在所述衬底基板的正投影不交叠。
可选地，所述显示面板还包括：
第一光取出层，所述第一光取出层位于所述辅助电极结构以及所述透光的电极图案化结构远离所述衬底基板的一侧，所述第一光取出层的折射率小于所述辅助电极结构以及透光的电极图案化结构的折射率
可选地，所述辅助电极层位于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧；
所述电极图案化结构位于所述辅助电极层远离所述衬底基板的一侧；
所述辅助电极图案位于所述辅助电极层上未设置有所述电极图案化结构的区域中，且所述辅助电极图案在所述衬底基板的正投影与所述像素界定层在所述衬底基板的正投影至少部分交叠。
可选地，所述辅助电极图案包括至少部分围绕所述像素开口的第一辅助电极子图案，在垂直于所述衬底基板方向上，所述第一辅助电极子图案的厚度大于所述电极图案化结构的厚度；
所述显示面板还包括第一平坦层，所述第一平坦层位于所述第一光取出层远离所述衬底基板的一侧，所述第一平坦层的折射率大于所述第一光取出层的折射率。
可选地，所述显示区包括多个发光区，每个所述发光区包括多个子发光区，每个所述子发光区中具有至少一个所述电致发光层；
所述辅助电极图案还包括位于所述多个子发光区之间的第二辅助电极子图案，在垂直于所述衬底基板方向上，所述第二辅助电极子图案的厚度大于所述电极图案化结构的厚度。
可选地，在垂直于所述衬底基板方向上，所述电极图案化结构的厚度和所述第一光取出层的厚度之和小于所述辅助电极图案的厚度。
可选地，在垂直于所述衬底基板方向上，所述辅助电极图案的厚度小于或者等于所述电极图案化结构的厚度。
可选地，所述电极图案化结构位于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧；
所述辅助电极图案位于所述辅助电极层上未设置有所述电极图案化结构的区域中；
所述辅助电极层位于所述辅助电极图案远离所述衬底基板的一侧。
可选地，所述像素界定层包括位于所述多个电致发光层中至少两个电致发光层之间的隔断结构；
所述隔断结构在所述衬底基板上的正投影位于所述辅助电极图案在所述衬底基板上的正投影中。
可选地，所述第一电极层、所述电极图案化结构和所述辅助电极图案被配置为由蒸镀工艺形成。
可选地，所述显示面板还包括透镜阵列，所述透镜阵列位于所述电极图案化结构远离所述衬底基板的一侧，所述透镜阵列包括位于所述显示区中的至少一个透镜结构；
所述显示面板还包括第二平坦层，所述第二平坦层位于所述透镜阵列和所述第一光取出层之间，所述第二平坦层的材料的折射率小于所述透镜结构的材料的折射率。
可选地，所述显示区包括多个发光区，每个所述发光区包括多个子发光区，每个所述子发光区中具有至少一个所述电致发光层；
所述透镜阵列包括分别位于所述多个子发光区中的多个透镜结构。
可选地，所述辅助电极层位于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧，所述电极图案化结构位于所述辅助电极层远离所述衬底基板的一侧，所述辅助电极图案位于所述辅助电极层上未设置有所述电极图案化结构的区域中；
所述透镜结构位于所述电极图案化结构远离所述衬底基板的一侧。
可选地，所述显示区包括多个发光区，每个所述发光区包括多个子发光区，每个所述子发光区中具有至少一个所述电致发光层；
所述辅助电极图案包括围绕所述发光区的第一辅助电极子图案，以及位于所述多个子发光区之间的第二辅助电极子图案，在垂直于所述衬底基板方向上，所述辅助电极图案的厚度大于所述电极图案化结构的厚度。
可选地，所述显示面板还包括隔垫层，所述隔垫层位于所述电极图案化结构远离所述衬底基板的一侧，所述透镜结构位于所述隔垫层远离所述衬底基板的侧。
可选地，所述显示面板还包括封装层，所述封装层包括所述第一光取出层以及在所述第一光取出层上依次层叠的第一透光层、第二透光层以及第三透光层，所述第一透光层的折射率大于所述第二透光层以及所述第一光取出层的折射率，所述第二透光层的折射率小于所述第三透光层的折射率。
可选地，所述第一光取出层的材料包括氧化硅，所述第一透光层的材料包括氮氧化硅或氮化硅，所述第二透光层的材料包括树脂材料，所述第三透光层的材料包括氮化硅。
可选地，所述第一光取出层的厚度范围为10纳米至1000纳米，所述第一透光层以及所述第三透光层的厚度范围为600纳米至1200纳米，所述第二透光层的厚度范围为3微米至5微米。
可选地，所述显示面板还包括封装层，所述封装层位于所述第一光取出层远离所述衬底基板的一侧，所述封装层包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一透光层、第二透光层以及第三透光层，所述第一透光层的折射率大于所述第二透光层以及所述第一光取出层的折射率，所述第二透光层的折射率小于所述第三透光层的折射率。
可选地，所述辅助电极层的材料包括透明导电氧化物，所述辅助电极图案的材料包括导电金属材料。
可选地，所述辅助电极层的厚度范围为50纳米至1000纳米，所述电极图案化结构的厚度为5纳米至100纳米。
根据本实用新型实施例的另一方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括：
衬底基板，所述衬底基板上包括显示区以及位于所述显示区周围的周边区，所述显示区包括多个发光区，每个所述发光区包括多个子发光区；
多个电致发光层，所述多个电致发光层位于所述衬底基板上；
第一电极层，所述第一电极层位于所述多个电致发光层远离所述衬底基板的一侧；
辅助电极结构以及透光的电极图案化结构，所述辅助电极结构以及所述电极图案化结构位于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧，所述辅助电极结构包括辅助电极层以及辅助电极图案，所述辅助电极层和所述辅助电极图案中的一个结构与所述第一电极层接触，所述辅助电极图案包括多个辅助电极开口，所述多个辅助电极开口中的至少一个辅助电极开口在所述衬底基板的正投影至少部分位于所述子发光区中，所述电极图案化结构包括多个电极图案化子结构，所述电极图案化子结构位于所述辅助电极开口中。
根据本实用新型实施例的另一方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括显示面板，所述显示面板包括：
衬底基板，所述衬底基板上包括多个显示区以及位于所述显示区周围的周边区；
像素电路层，位于所述衬底基板的一侧且位于所述显示区；
像素界定层，位于所述像素电路层远离所述衬底基板的一侧，且包括多个像素开口；
多个电致发光层，所述多个电致发光层位于所述多个像素开口中；
第一电极层，所述第一电极层位于所述多个电致发光层远离所述衬底基板的一侧；
辅助电极结构以及透光的电极图案化结构，所述辅助电极结构以及所述电极图案化结构位于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧，所述辅助电极结构包括辅助电极层以及辅助电极图案，所述辅助电极层和所述辅助电极图案中的一个结构与所述第一电极层接触，所述电极图案化结构在所述衬底基板上的正投影与所述多个像素开口中的至少一个像素开口在所述衬底基板的正投影存在交叠，所述辅助电极图案在所述衬底基板的正投影和所述电极图案化结构在所述衬底基板的正投影不交叠。
根据本实用新型实施例的另一方面，提供一种显示面板的制造方法，所述方法包括：
在衬底基板上形成像素电路层，所述衬底基板上包括显示区以及位于所述显示区周围的周边区，所述像素电路层位于所述显示区；
在所述像素电路层远离所述衬底基板的一侧形成像素界定层，所述像素界定层包括多个像素开口；
在所述多个像素开口中形成多个电致发光层；
在所述多个电致发光层远离所述衬底基板的一侧形成第一电极层；
在所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧形成辅助电极结构以及透光的电极图案化结构，所述辅助电极结构包括辅助电极层以及辅助电极图案，所述辅助电极层和所述辅助电极图案中的一个结构与所述第一电极层接触，所述电极图案化结构在所述衬底基板上的正投影与所述多个像素开口中的至少一个像素开口在所述衬底基板的正投影存在交叠，所述辅助电极图案在所述衬底基板的正投影和所述电极图案化结构在所述衬底基板的正投影不交叠。
可选地，所述方法还包括：
在所述辅助电极结构以及所述电极图案化结构远离所述衬底基板的一侧形成第一光取出层，所述第一光取出层的折射率小于所述辅助电极结构以及透光的电极图案化结构的折射率。
可选地，所述在所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧形成辅助电极结构以及透光的电极图案化结构，包括：
在所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧形成所述辅助电极层；
在所述辅助电极层远离所述衬底基板的一侧形成所述电极图案化结构；
在所述辅助电极层上未形成有所述电极图案化结构的区域形成所述辅助电极图案，且所述辅助电极图案在所述衬底基板的正投影与所述像素界定层在所述衬底基板的正投影至少部分交叠。
可选地，所述在所述多个电致发光层远离所述衬底基板的一侧形成第一电极层，包括：
通过蒸镀工艺在所述多个电致发光层远离所述衬底基板的一侧形成所述第一电极层；
所述在所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧形成辅助电极结构以及透光的电极图案化结构，包括：
通过蒸镀工艺在所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧形成所述电极图案化结构；
通过蒸镀工艺在所述第一电极层上未形成有所述电极图案化结构的区域形成所述辅助电极图案；
通过溅射工艺在所述辅助电极图案远离所述衬底基板的一侧形成所述辅助电极层。
本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
通过在第一电极层上设置包括辅助电极层以及辅助电极图案的辅助电极结构，并由辅助电极层或辅助电极图案与第一电极层接触，如此结构一方面可以保护第一电极层，降低第一电极层断裂的可能性，另一方面，可以在第一电极层断裂时使断裂处可以与辅助电极结构电连接，避免第一电极层的电学功能遭到破坏，解决了相关技术中显示面板的良率较低的问题，实现了提升显示面板的良率的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是目前的一种显示面板的结构示意图；
图2是目前的另一种显示面板的结构示意图；
图3是另一种显示面板中隔断结构所在区域的结构示意图；
图4是本实用新型实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图5是图4所示的显示面板的一种剖面结构示意图；
图6是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图7是图6所示的显示面板的俯视图；
图8是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图9是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图10是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图11是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图12是图11所示的显示面板的俯视图；
图13是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图14是图12所示的显示面板的俯视图；
图15是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图16是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图17是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图18是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图19是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图20是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图21是图20所示显示面板的俯视结构示意图；
图22是图4所示显示面板的另一种剖面示意图；
图23是本实用新型实施例提供的一种显示面板的制造方法的方法流程图；
图24是图23所示实施例中一种形成辅助电极结构以及透光的电极图案化结构的流程图；
图25是图23所示实施例中另一种形成辅助电极结构以及透光的电极图案化结构的流程图。
通过上述附图，已示出本实用新型明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本实用新型构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本实用新型的概念。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
显示面板是一种能够实现显示功能的器件。图1是目前的一种显示面板的结构示意图，该显示面板包括衬底基板11、阳极12、多个电致发光层13以及阴极层14，其中，阳极12、电致发光层13以及阴极层14依次层叠设置于衬底基板上，可以由共阴极的结构驱动多个电致发光层13，也即是每个电致发光层13具有一个独立的阳极12，多个电致发光层13共用一个阴极层14，该阴极层14为一个整层的结构。如此便可以通过这多个阳极12以及阴极层14来分别驱动电致发光层13。
但是，上述显示面板中阴极层14的整体结构较大，可能由于下方结构不平整以及显示面板受力弯曲等原因断裂，进而可能使得断裂处的电致发光层难以正常运行，导致显示面板的良率较低，耐用性较差，寿命较短。
此种问题在另一种显示面板中尤为严重，示例性的，请参考图2，图2是目前的另一种显示面板的结构示意图，该显示面板包括衬底基板11、阳极12、多个电致发光层13以及阴极层14，其中，阳极12、电致发光层13以及阴极层14依次层叠设置于衬底基板上，与图1所示的显示面板不同的是，该电致发光层13包括两个层叠的子电致发光层131(此种结构可以为串联式有机发光二极管(Tandem OLED))。类似的，可以由共阴极的结构驱动上下层叠的电致发光层13，层叠的两个子电致发光层131可以共用下方的一个阳极12，多个电致发光层13共用一个阴极层14，该阴极层14为一个整层的结构，如此实现层叠的两个子电致发光层131的串联结构，可以通过这多个阳极12以及阴极层14来分别驱动电致发光层13。
另外，在平行于衬底基板11的方向上，电致发光层13之间还具有隔断结构15，该隔断结构15用于隔断显示面板内部的一些高迁移率的膜层(如电荷生成层等)，以提升显示效果。但是，该隔断结构15可能会将上方的阴极层14顶断，导致阴极层14部分区域存在短路的问题，示例性的，如图3所示，图3是另一种显示面板中隔断结构所在区域的结构示意图，其中，在隔断结构15的作用下，上方的阴极层14存在断裂d。
另外，该显示面板还可以包括在阴极层14上方形成的第一光取出层15以及第二光取出层16，第一光取出层15的折射率大于第二光取出层16的折射率，如此实现光取出的效果。第二光取出层16上方还可以设置有封装层17。
本实用新型实施例提供了一种显示面板、显示装置以及显示面板的制造方法，可以解决上述相关技术中存在的一些问题。
图4是本实用新型实施例提供的一种显示面板的结构示意图，图5是图4所示的显示面板的一种剖面结构示意图(图5可以是图4在D-D处的剖面图)，请参考图4和图5，其中，该显示面板包括：
衬底基板21，衬底基板21上包括显示区aa以及位于显示区aa周围的周边区pa。
像素电路层pcl，位于衬底基板21的一侧且位于显示区aa。
像素界定层pdl，位于像素电路层pdl远离衬底基板21的一侧，且包括多个像素开口k1。
多个电致发光层22，多个电致发光层22位于多个像素开口k1中。
第一电极层23，第一电极层23位于多个电致发光层22远离衬底基板21的一侧。
辅助电极结构24以及透光的电极图案化结构25，辅助电极结构24以及电极图案化结构25位于第一电极层23远离衬底基板21的一侧，辅助电极结构24包括辅助电极层241以及辅助电极图案242，辅助电极层241和辅助电极图案242中的一个结构与第一电极层23接触，电极图案化结构25在衬底基板21上的正投影与多个像素开口k1中的至少一个像素开口k1在衬底基板21的正投影存在交叠，辅助电极图案242在衬底基板21的正投影和电极图案化结构25在衬底基板21的正投影不交叠。
综上所述，本实用新型实施例提供的显示面板，通过在第一电极层上设置包括辅助电极层以及辅助电极图案的辅助电极结构，并由辅助电极层或辅助电极图案与第一电极层接触，如此结构一方面可以保护第一电极层，降低第一电极层断裂的可能性，另一方面，可以在第一电极层断裂时使断裂处可以与辅助电极结构电连接，避免第一电极层的电学功能遭到破坏，解决了相关技术中显示面板的良率较低的问题，实现了提升显示面板的良率的效果。
本实用新型实施例所涉及的像素电路层pcl可以用于驱动电致发光层，该像素电路层可以包括一些电路结构，如薄膜晶体管等。
在一种示例性的实施例中，请参考图5，本实用新型实施例提供的显示面板还包括第一光取出层26，第一光取出层26位于辅助电极结构24以及透光的电极图案化结构25远离衬底基板21的一侧，第一光取出层26的折射率小于辅助电极结构24以及透光的电极图案化结构25的折射率。如此便可以通过第一光取出层、辅助电极结构以及透光的电极图案化结构配合实现光取出的功能，提高显示面板的正面出光效率，如此便将辅助电极结构以及透光的电极图案化结构复用为了部分光取出结构，降低了辅助电极结构以及透光的电极图案化结构对于显示面板的影响。
需要说明的是，用户通常在显示面板的正前方观看显示面板，若显示面板发出的光线中存在很多大角度的出射光，则会造成光线的浪费。而本实用新型实施例提供的显示面板中，第一光取出层26的折射率小于辅助电极结构24以及透光的电极图案化结构25的折射率的情况下，下方的电致发光层22发出的光线在透过辅助电极结构24以及透光的电极图案化结构25照射到第一光取出层26的交界面时，处于由光密介质射向光疏介质的情况，当该光线的入射角大于或等于全反射的临界角时，会发生全反射而无法射入第一光取出层26，并继续在辅助电极结构24以及透光的电极图案化结构25中反射，直至照射到第一光取出层26的交界面时的入射角小于上述临界角时，会入射第一光取出层26，如此可以避免大角度的光线射出显示面板，提升了显示面板的正面出光效率，使得用户在显示面板的正前方观看显示面板时，显示面板可以更亮，提升了用户体验。
本实用新型实施例中，正面出光效率可以是指显示面板发出的光线中，出射角小于指定角度(该指定角度可以预先设置，例如30度至60等，本实用新型实施例对此不进行限制)的光线所占的比率。
需要说明的是，本实用新型实施例中，电极图案化结构25可以是一种用于配合形成辅助电极图案242的结构，电极图案化结构25可以由一种对于辅助电极图案242的材料选择性沉淀的材料制成，也即是辅助电极图案242的材料难以沉淀在电极图案化结构25上，进而在设置有电极图案化结构25后，形成辅助电极图案242时，辅助电极图案242便会仅形成于未设置有电极图案化结构25的区域。本实用新型实施例中，辅助电极层以及辅助电极图案可以层叠设置。
在一种示例性的实施例中，辅助电极层241为透光的膜层，示例性的，辅助电极层241的材料包括透明导电氧化物，由于辅助电极层241为整层结构，因而辅助电极层241可以由透光度高的透明导电氧化物来制造，如氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)等，此类透明导电氧化物有一定的阻水阻氧能力，因而辅助电极层241可以该提高显示面板的耐用性。为了降低第一电极层断裂的可能性，该辅助电极层241的厚度可以较厚，示例性的，该辅助电极层的厚度范围可以为50纳米至1000纳米。
辅助电极图案242的材料包括导电金属材料。辅助电极图案242对于显示区的影响较小，进而辅助电极图案242可以由导电性能强的导电金属材料制成，例如银、镁等材料。
在一种示例性的实施例中，第一电极层23可以为阴极层，对应的，辅助电极层241可以为辅助阴极层，辅助电极图案242可以为辅助阴极图案，电极图案化结构25可以为阴极图案化结构，且材料可以包括阴极图案化材料(英文：Cathode Patterning Material，简称：CPM)。该阴极图案化材料可以包括：
(1)2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1，3，4-噁.二唑；
(2)2-(4-联苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑；
(3)1，3-双(N-咔唑基)苯；
(4)3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑；
(5)N，N′-二苯基-N，N′-二(2-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺；
(6)4-(1-萘基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑；
(7)3，5-双[4-(1，1-二甲基乙基)苯基]-4-苯基-4H-1，2，4-三唑；
(8)2，5-双(1-萘基)-1，3，4-噁二唑；
(9)2-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽；
(10)4，4′-双(N-咔唑基)-1，1′-联苯基；
(11)双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-(苯基苯酚合)铝；
(12)9-[1，1′-联苯基]-3-基-9H-咔唑；
(13)三[2-苯基吡啶合-C2，N]铱(III)
这多种材料中的至少一种材料。
其中，电极图案化结构的厚度为5纳米至100纳米，或者，该电极图案化结构的厚度可以为15纳米至100纳米，以提升该电极图案化结构阻止镁、银在电极图案化结构的表面成膜的特性。
图6是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，其中，辅助电极层241位于第一电极层23远离衬底基板21的一侧。
电极图案化结构25位于辅助电极层241远离衬底基板21的一侧。
辅助电极图案242位于辅助电极层241上未设置有电极图案化结构25的区域中，且辅助电极图案242在衬底基板21的正投影与像素界定层pdl在衬底基板21的正投影至少部分交叠，如此可以确保辅助电极图案242位于像素界定层pdl的上方，以使得在像素界定层pdl将第一电极层23顶断时，辅助电极图案242可以与第一电极层23断开处电连接，避免显示异常。
辅助电极图案242包括至少部分围绕像素开口k1的第一辅助电极子图案2421，在垂直于衬底基板21方向d1上，第一辅助电极子图案2421的厚度h1大于电极图案化结构25的厚度h2。如此便可以在电极图案化结构25以及第一辅助电极子图案2421的上表面形成高低起伏的结构，且在电极图案化结构25处可以形成凹坑结构w。第一光取出层26可以形成于该高低起伏的结构上，且第一光取出层26可以覆盖在凹坑结构w的底部以及侧壁上。
可选地，在垂直于衬底基板21方向d1上，电极图案化结构25的厚度h2和第一光取出层26的厚度之和h3小于辅助电极图案242的厚度h1。如此可以进一步提升该凹坑结构w的深度，提升正面出光效率。
图7是图6所示的显示面板的俯视图，请参考图6和图7，其中，第一辅助电极子图案2421上可以设置有多个开口，每个开口中可以具有一个像素开口k1，电致发光层22位于像素开口k1中。需要说明的是，为了清楚的示出电致发光层22，图6中并未示出电极图案化结构25，但并不对此进行限制。
请参考图6，显示面板还包括第一平坦层27，第一平坦层27位于第一光取出层26远离衬底基板的一侧，第一平坦层27的折射率大于第一光取出层26的折射率。第一平坦层27可以填充上述凹坑结构w。由于第一平坦层27的折射率大于第一光取出层26的折射率，进而电致发光层22发出的光线L在凹坑结构w中的第一平坦层27处射向凹坑侧壁上的第一光取出层26时，处于由光密介质射向光疏介质的状态，进而一部分入射角大于临界角的光线L会发生全反射而射向显示面板的正前方，以提升显示面板的正面出光效率。也即是本实用新型实施例提供的显示面板通过第一辅助电极子图案2421的厚度大于电极图案化结构25的厚度的结构，实现了提升显示面板的正面出光效率的效果。另外，电极图案化结构25的折射率与辅助电极层241的折射率可以相同或者相近，以降低光束在电极图案化结构25和辅助电极层241的交界面处受到的影响。
其中，第一平坦层27可以由喷墨打印工艺(Ink Jet Printing，IJP)制备。第一平坦层27的材料可以包括聚氨酯，厚度可以为3微米至5微米。
图8是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，其中，显示面板还包括封装层f，封装层f包括第一光取出层26以及在第一光取出层26上依次层叠的第一透光层f1、第二透光层f2以及第三透光层f3，第一透光层f1的折射率大于第二透光层f2以及第一光取出层26的折射率，第二透光层f2的折射率小于第三透光层f3的折射率。如此便构成了一种折射率高的材料和折射率低的材料交替排布的结构，可以提升显示面板的正面出光效率。
此种结构下，第一光取出层26为封装层f中的一层，且第一光取出层26可以通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺或单原子层沉积(atomic layerdeposition，ALD)工艺制备。
该封装层f可以为薄膜封装(Thin Film Encapsulation，TFE)层。
可选地，第一光取出层26的材料包括氧化硅(SiO)，第一透光层f1的材料包括氮氧化硅(SiON)或氮化硅(SiN)，第二透光层的材料包括树脂材料，第三透光层f3的材料包括氮化硅(SiN)。第二透光层可以由喷墨打印工艺制备。
可选地，第一光取出层26的厚度范围为10纳米至1000纳米(示例性的，第一光取出层26的厚度范围为10纳米至100纳米)，第一透光层f1以及第三透光层f3的厚度范围为600纳米至1200纳米，第二透光层f2的厚度范围为3微米至5微米。
当然，图6所示的显示面板也可以具有封装层f，示例性的，如图9所示，图9是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，其中，显示面板还包括封装层f，封装层f包括第一光取出层26、第一平坦层27以及在第一平坦层27上依次层叠的第一透光层f1、第二透光层f2以及第三透光层f3，第一透光层f1的折射率大于第二透光层f2的折射率，第二透光层f2的折射率小于第三透光层f3的折射率。如此便构成了一种折射率高的材料和折射率低的材料交替排布的结构，可以提升显示面板的正面出光效率。该封装层f可以为薄膜封装(Thin Film Encapsulation，TFE)层。第一透光层f1的折射率可以与第一平坦层27的折射率相同或相近，以降低光线在第一透光层f1和第一平坦层27的交界面受到影响。
此种结构下，第一光取出层26以及第一平坦层27为封装层f中的膜层。
当然，第一光取出层26还可以不属于封装层f，示例性的，如图10所示，图10是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，其中，显示面板还包括封装层f，封装层f位于第一光取出层26远离衬底基板21的一侧，封装层f包括沿远离衬底基板21的方向依次层叠的第一透光层f1、第二透光层f2以及第三透光层f3，第一透光层f1的折射率大于第二透光层f2以及第一光取出层26的折射率，第二透光层f2的折射率小于第三透光层f3的折射率。该封装层f可以为薄膜封装层。此种结构下，第一光取出层26为独立设置于封装层f和辅助电极结构24之间的膜层。第一光取出层26可以通过化学气相沉积工艺或单原子层沉积工艺制备。
可选地，第一光取出层26的材料包括氧化硅(SiO)，第一透光层f1的材料包括氮氧化硅(SiON)或氮化硅(SiN)，第二透光层的材料包括树脂材料，第三透光层f3的材料包括氮化硅(SiN)。第二透光层可以由喷墨打印(Ink Jet Printing，IJP)工艺制备。
可选地，第一光取出层26的厚度范围为10纳米至1000纳米(示例性的，第一光取出层26的厚度范围为10纳米至100纳米)，第一透光层f1以及第三透光层f3的厚度范围为600纳米至1200纳米，第二透光层f2的厚度范围为3微米至5微米。
上述实施例中，每个显示区中包括一个电致发光层，但本实用新型提供的显示面板中，每个显示区还可以包括更多个电致发光层，示例性的，图11是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，图12是图11所示的显示面板的俯视图(图11可以是图12在A-A处的剖面结构示意图)，请参考图10和图11，其中，显示区aa包括多个发光区q1，每个发光区q1包括多个子发光区q11，每个子发光区q11中具有至少一个电致发光层22。图11示出的是每个发光区q1中包括三个子发光区域q11，每个子发光区q11中包括一个电致发光层22的结构，这三个子发光区q11可以分别为红色子发光区，绿色子发光区以及蓝色子发光区，对应的，其中可以分别具有蓝色电致发光层B、红色电致发光层R以及绿色电致发光层G。需要说明的是，本实用新型实施例所示显示面板中，发光区可以为像素区，子发光区可以为子像素区，每个子像素区中的结构可以构成一个子像素，每个发光区中的结构可以构成一个像素。
另外，此种结构下，围绕发光区q1的第一辅助电极子图案2421上的开口的形状可以由每个发光区中的电致发光层的排布形状决定，示例性的，如图12所示，当三个电致发光层22排布为T形时，第一辅助电极子图案2421上的开口的形状也可以呈T形，但本实用新型实施例并不对此进行限制。
图11以及图12所示的显示面板中，未在子发光区q11之间设置辅助电极图案，进而可以提升显示面板的开口率。
图13是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，图14是图13所示的显示面板的俯视图(图13可以是图14在B-B处的剖面结构示意图)。请参考图13和图14，其中，辅助电极图案242还包括位于多个子发光区q11之间的第二辅助电极子图案2422，在垂直于衬底基板21方向d1上，第二辅助电极子图案2422的厚度h1大于电极图案化结构25的厚度h2。如此结构下，在每个发光区中的子发光区q11中，也可以形成一个凹坑结构w，以提升每个子发光区q11中的电致发光层的正面出光效率。其中，第二辅助电极子图案2422与第一辅助电极子图案2421可以为一次工艺形成的同层结构，厚度可以相同。当然第二辅助电极子图案2422与第一辅助电极子图案2421也可以为两次工艺形成的非同层结构，厚度也可以相同或不同，本实用新型实施例对此不进行限制。
类似的，图13以及图14所示的显示面板中，发光区q1包括多个子发光区q11，每个子发光区q11中具有至少一个电致发光层22。图13示出的是每个发光区q1中包括三个子发光区域q11，每个子发光区q11中包括一个电致发光层22的结构，这三个子发光区q11可以分别为红色子发光区，绿色子发光区以及蓝色子发光区，对应的，其中可以分别具有蓝色电致发光层B、红色电致发光层R以及绿色电致发光层G。
图15是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，其中，在垂直于衬底基板21方向d1上，辅助电极图案242的厚度小于或者等于电极图案化结构25的厚度。如此可以在形成辅助电极图案242时，避免辅助电极图案242向电极图案化结构25的上表面溢出而影响该显示面板的开口率，也即是此种结构可以实现提升显示面板的开口率的效果。
上述实施例中，辅助电极图案位于辅助电极层的上方，但辅助电极图案还可以位于辅助电极层的下方，示例性的，请参考图16，图16是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，其中，电极图案化结构25位于第一电极层23远离衬底基板21的一侧。辅助电极图案242位于辅助电极层241上未设置有电极图案化结构25的区域中。辅助电极层241位于辅助电极图案242远离衬底基板21的一侧。
在一种示例性的实施例中，第一电极层23、电极图案化结构25和辅助电极图案242被配置为由蒸镀工艺形成。该电极图案化结构25可以通过精细金属掩模板(Fine MetalMask，FMM)进行蒸镀而形成。辅助电极图案242可以通过开放式掩膜板(Open Mask)进行蒸镀而形成。辅助电极层可以由溅射(Sputter)工艺形成。
由于进行蒸镀工艺时衬底基板21的朝向，和进行溅射工艺时衬底基板的朝向不同，进而将辅助电极图案242设置于辅助电极层241的下方可以先通过蒸镀工艺来形成第一电极层23、电极图案化结构25和辅助电极图案242，之后再对衬底基板进行翻面，并通过溅射工艺形成辅助电极层241，可以减少衬底基板的翻面次数，提升显示面板的制造效率。
图17是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，其中，显示面板还包括隔断结构28，隔断结构28位于多个电致发光层中至少两个电致发光层22之间；隔断结构28在衬底基板21上的正投影位于辅助电极图案242在衬底基板21上的正投影中。如此结构下，可以使得第一电极层23在隔断结构28的作用下断裂时，辅助电极图案242可以与断裂处的各部分第一电极层23连接，进一步提升了显示面板的可靠性。
图17示出的是每个发光区q1中具有一个电致发光层的结构，但每个发光区q1中还可以具有多个电致发光结构，示例性的，如图18所示，图18是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，其中，发光区q1包括多个子发光区q11，每个子发光区q11中具有至少一个电致发光层s10。
另外，第一电极层23和衬底基板21之间，还可以包括在衬底基板上依次层叠的阳极s1、第一空穴注入层(HIL)以及第一空穴传输层(HTL)s2、第一子电致发光层s3、第二子电致发光层s4、第一空穴阻挡层(HBL)s5、第一电子传输层(ETL)s6、电荷生成层(CGL)s7、第二空穴注入层(HIL)以及第二空穴传输层(HTL)s8、第三子电致发光层s9、第四子电致发光层s10、第二空穴阻挡层(HBL)s11、第二电子传输层(ETL)s12、电子注入层(EIL)s13。
其中，第一子电致发光层s3、第二子电致发光层s4、第三子电致发光层s9以及第四子电致发光层s10可以为上述实施例中的电致发光层。对于不同的子发光区q11，第一子电致发光层s3、第二子电致发光层s4、第三子电致发光层s9以及第四子电致发光层s10可以为不同的结构，示例性的，在用于发出蓝光的蓝色子发光区中，第一子电致发光层s3可以为电子阻挡层、第二子电致发光层s4可以为蓝色电致发光材料层，第三子电致发光层s9可以为电子阻挡层、第四子电致发光层s10可以为蓝色电致发光材料层；在用于发出绿光的绿色子发光区中，第一子电致发光层s3可以为绿色光学腔长补偿层、第二子电致发光层s4可以为绿色电致发光材料层，第三子电致发光层s9可以为绿色光学腔长补偿层、第四子电致发光层s10可以为绿色电致发光材料层；在用于发出红光的红色子发光区中，第一子电致发光层s3可以为红色光学腔长补偿层、第二子电致发光层s4可以为红色电致发光材料层，第三子电致发光层s9可以为红色光学腔长补偿层、第四子电致发光层s10可以为红色电致发光材料层。
另外，由图18可以看出，像素界定层pdl中的隔断结构28上具有部分第一空穴注入层(HIL)以及第一空穴传输层(HTL)s2、第一空穴阻挡层(HBL)s5、第一电子传输层(ETL)s6以及电荷生成层(CGL)s7，这部分膜层为在隔断结构28的作用下与阳极s1上侧的第一空穴传输层(HTL)s2、第一空穴阻挡层(HBL)s5、第一电子传输层(ETL)s6以及电荷生成层(CGL)s7分离的膜层。
需要说明的是，上述实施例提供的一些显示面板中，第一电极层23和衬底基板21之间的结构可以参考图18，本实用新型实施例在此不再赘述。
图19是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，其中，显示面板还包括透镜阵列291，透镜阵列291位于透光的电极图案化结构25远离衬底基板21的一侧，透镜阵列291包括位于发光区q1中的至少一个透镜结构t1。
显示面板还包括第二平坦层292，第二平坦层292位于透镜阵列291和第一光取出层26之间，第二平坦层292的材料的折射率小于透镜结构t1的材料的折射率。通过该透镜结构t1以及第二平坦层292，可以提升显示面板的正面出光效率。示例性的，该透镜结构t1可以为凸透镜，使光线L向中央汇聚，以实现提升显示面板的正面出光效率的效果。
第二平坦层292上方还可以设置有封装层f，也即是该透镜阵列291位于封装层f和衬底基板21形成的封装结构中。该封装层f的结构可以参考上述实施例，本实用新型实施例在此不再赘述。另外，第二平坦层292也可以属于封装层f，本实用新型实施例对此不进行限制。
图20是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，图21是图20所示显示面板的俯视结构示意图(图20可以是图21的C-C处的剖面结构示意图)，请参考图20以及图21，其中，发光区q1包括多个子发光区q11，每个子发光区q11中具有至少一个电致发光层22。
透镜阵列291包括分别位于多个子发光区q11中的多个透镜结构t1。如此便可以通过透镜结构t1来对每个子发光区中的电致发光层22发出的光线进行调节，以提升每个子发光区中的电致发光层22的正面出光效率。
此种方案中，辅助电极层241可以位于第一电极层23远离衬底基板21的一侧(辅助电极层241可以与第一电极层23接触)，电极图案化结构25位于辅助电极层241远离衬底基板21的一侧，辅助电极图案242位于辅助电极层241上未设置有电极图案化结构25的区域中，透镜结构t1位于电极图案化结构25远离衬底基板21的一侧。
在一种示例性的实施例中，显示面板还包括隔垫层293，隔垫层293位于电极图案化结构25远离衬底基板21的一侧，透镜结构t1位于隔垫层293远离衬底基板21的一侧。隔垫层293的材料可以包括疏水性材料。由于电极图案化结构25具有一定的材料选择特性，因而可以在电极图案化结构25上形成隔垫层293，并在隔垫层293上形成透镜结构t1，如此可以降低透镜结构t1的形成难度。
可选地，发光区q1包括多个子发光区q11，每个子发光区q1中具有至少一个电致发光层22。
在一种示例性的实施例中，辅助电极图案242包括围绕发光区q1的第一辅助电极子图案2421，以及位于多个子发光区q11之间的第二辅助电极子图案2422，在垂直于衬底基板21的方向d1上，辅助电极图案242的厚度h1大于电极图案化结构25的厚度h2。如此结构下，在每个发光区中的子发光区q11中，可以形成一个凹坑结构，透镜结构t1可以位于该凹坑结构中。当然，辅助电极图案242的厚度h1也可以与电极图案化结构25的厚度h2相同，透镜结构t1可以覆盖在辅助电极图案242以及电极图案化结构25上。
需要说明的是，上述实施例提供了多种发光区以及子发光区中的结构，本实用新型实施例提供的显示面板中可以包括多个发光区，这多个发光区中的结构可以为上述实施例提供的结构中的至少一种。
本实用新型实施例提供的显示面板，由于提升了正面出光效率，进而可以降低功耗的情况下，提供良好的显示效果，另外，该显示面板中的辅助电极结构降低了显示面板弯折时损坏的可能性，因而可以提升显示面板的柔性，使得本实用新型实施例提供的显示面板可以应用与各种显示装置中，如笔记本电脑，车载显示器、智能手机以及智能可穿戴设备等。
综上所述，本实用新型实施例提供的显示面板，通过在第一电极层上设置包括辅助电极层以及辅助电极图案的辅助电极结构，并由辅助电极层或辅助电极图案与第一电极层接触，如此结构一方面可以保护第一电极层，降低第一电极层断裂的可能性，另一方面，可以在第一电极层断裂时使断裂处可以与辅助电极结构电连接，避免第一电极层的电学功能遭到破坏，解决了相关技术中显示面板的良率较低的问题，实现了提升显示面板的良率的效果。
另外，该辅助电极结构以及透光的电极图案化结构上方还设置有第一光取出层，该第一光取出层的折射率小于辅助电极结构以及透光的电极图案化结构的折射率，如此便可以通过第一光取出层、辅助电极结构以及透光的电极图案化结构配合实现光取出的功能，提高显示面板的正面出光效率，如此便将辅助电极结构以及透光的电极图案化结构复用为了部分光取出结构，降低了辅助电极结构以及透光的电极图案化结构对于显示面板的影响。
图22是图4所示显示面板的另一种剖面示意图(图22是图4在D-D处的另一种剖面示意图)，请参考图22以及图4，本实用新型实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括：
衬底基板21，衬底基板21上包括显示区aa以及位于显示区aa周围的周边区pa，显示区aa包括多个发光区q1，每个发光区q1包括多个子发光区q11。
多个电致发光层22，多个电致发光层22位于衬底基板21上。
第一电极层23，第一电极层23位于多个电致发光层22远离衬底基板21的一侧。
辅助电极结构24以及透光的电极图案化结构25，辅助电极结构24以及电极图案化结构25位于第一电极层23远离衬底基板21的一侧，辅助电极结构24包括层叠的辅助电极层241以及辅助电极图案242，辅助电极层241和辅助电极图案242中的一个结构与第一电极层23接触，辅助电极图案242包括多个辅助电极开口k3，多个辅助电极开口k3中的至少一个辅助电极开口k3在衬底基板21的正投影至少部分位于子发光区q11中，电极图案化结构25包括多个电极图案化子结构251，电极图案化子结构251位于辅助电极开口k3中。
综上所述，本实用新型实施例提供的显示面板，通过在第一电极层上设置包括辅助电极层以及辅助电极图案的辅助电极结构，并由辅助电极层或辅助电极图案与第一电极层接触，如此结构一方面可以保护第一电极层，降低第一电极层断裂的可能性，另一方面，可以在第一电极层断裂时使断裂处可以与辅助电极结构电连接，避免第一电极层的电学功能遭到破坏，解决了相关技术中显示面板的良率较低的问题，实现了提升显示面板的良率的效果。
根据本实用新型实施例的另一方面，提供一种显示装置，显示装置包括上述实施例提供任意一个显示面板。
由于提升了正面出光效率，进而可以降低功耗的情况下，提供良好的显示效果，另外，该显示面板中的辅助电极结构降低了显示面板弯折时损坏的可能性，因而可以提升显示面板的柔性，使得本实用新型实施例提供的显示面板可以应用与各种显示装置中，如笔记本电脑，车载显示器、智能手机以及智能可穿戴设备等。
图23是本实用新型实施例提供的一种显示面板的制造方法的方法流程图，该方法包括：
步骤201、在衬底基板上形成像素电路层，衬底基板上包括显示区以及位于显示区周围的周边区，像素电路层位于显示区。
步骤202、在像素电路层远离衬底基板的一侧形成像素界定层，像素界定层包括多个像素开口。
步骤203、在多个像素开口中形成多个电致发光层。
步骤204、在多个电致发光层远离衬底基板的一侧形成第一电极层。
步骤205、在第一电极层远离衬底基板的一侧形成辅助电极结构以及透光的电极图案化结构。
其中，辅助电极结构包括辅助电极层以及辅助电极图案，辅助电极层和辅助电极图案中的一个结构与第一电极层接触，电极图案化结构在衬底基板上的正投影与多个像素开口中的至少一个像素开口在衬底基板的正投影存在交叠，辅助电极图案在衬底基板的正投影和电极图案化结构在衬底基板的正投影不交叠。
综上所述，本实用新型实施例提供的显示面板，通过在第一电极层上设置包括辅助电极层以及辅助电极图案的辅助电极结构，并由辅助电极层或辅助电极图案与第一电极层接触，如此结构一方面可以保护第一电极层，降低第一电极层断裂的可能性，另一方面，可以在第一电极层断裂时使断裂处可以与辅助电极结构电连接，避免第一电极层的电学功能遭到破坏，解决了相关技术中显示面板的良率较低的问题，实现了提升显示面板的良率的效果。
可选地，该方法还包括：
在形成有辅助电极结构以及透光的电极图案化结构的衬底基板上形成第一光取出层，第一光取出层的折射率小于辅助电极结构以及透光的电极图案化结构的折射率。
如图24所示，图24是图23所示实施例中一种形成辅助电极结构以及透光的电极图案化结构的流程图。
步骤205包括：
子步骤2051、在第一电极层远离衬底基板的一侧形成辅助电极层。
该辅助电极层可以通过溅射工艺形成。另外，辅助电极层241的材料包括透明导电氧化物，由于辅助电极层为整层结构，因而辅助电极层241可以由透光度高的透明导电氧化物来制造，如氧化铟锌(IZO)等，此类透明导电氧化物有一定的阻水阻氧能力，因而辅助电极层可以该提高显示面板的耐用性。为了降低第一电极层断裂的可能性，该辅助电极层的厚度可以较厚，示例性的，该辅助电极层的厚度范围可以为50纳米至1000纳米。第一电极层可以为阴极层，辅助电极层可以为辅助阴极层。
子步骤2032、在辅助电极层远离衬底基板的一侧形成电极图案化结构。
电极图案化结构可以是一种用于配合形成辅助电极图案的结构，电极图案化结构可以由一种对于辅助电极图案的材料选择性沉淀的材料制成，也即是辅助电极图案的材料难以沉淀在电极图案化结构上，进而在设置有电极图案化结构后，形成辅助电极图案时，辅助电极图案便会仅形成于未设置有电极图案化结构的区域。
其中，电极图案化结构的厚度为5纳米至100纳米，或者，该电极图案化结构的厚度可以为15纳米至100纳米，以提升该电极图案化结构阻止镁、银在电极图案化结构的表面成膜的特性。该电极图案化结构的结构可以参考上述图5。
子步骤2033、在辅助电极层上未形成有电极图案化结构的区域形成辅助电极图案。
由于形成有电极图案化结构，进而该辅助电极图案仅会形成于未设置有电极图案化结构的区域中。其中，辅助电极图案在衬底基板的正投影与像素界定层在衬底基板的正投影至少部分交叠。该辅助电极图案的结构可以参考上述图5。
如图25所示，图25是图23所示实施例中另一种形成辅助电极结构以及透光的电极图案化结构的流程图。
步骤203包括：
子步骤2034、通过蒸镀工艺在第一电极层远离衬底基板的一侧形成电极图案化结构。
可选地，在本步骤之前，步骤202可以包括通过蒸镀工艺在多个电致发光层远离衬底基板的一侧形成第一电极层，也即是第一电极层和电极图案化结构均由蒸镀工艺形成。具体的，电极图案化结构可以通过精细金属掩模板(FMM)进行蒸镀而形成。电极图案化结构的结构可以参考上述实施例中的图16。
如此方式中，第一电极层和电极图案化结构便可以均通过蒸镀工艺来形成，无需翻转衬底基板，简化了显示面板的制造工序，提升了显示面板的制造效率。
子步骤2035、通过蒸镀工艺在第一电极层上未形成有电极图案化结构的区域形成辅助电极图案。
辅助电极图案也可以由蒸镀工艺形成。可选地，辅助电极图案可以通过开放式掩膜板进行蒸镀而形成。辅助电极图案的结构可以参考上述实施例中的图16。
子步骤2036、通过溅射工艺在辅助电极图案远离衬底基板的一侧形成辅助电极层。
辅助电极层可以由溅射工艺形成。进行溅射工艺时，衬底基板的朝向和蒸镀工艺的不同，进而可以在子步骤2036时对衬底基板进行翻转，并通过溅射工艺在形成有辅助电极图案的衬底基板上形成辅助电极层。
本实用新型实施例提供的方法中，所涉及的各个显示面板的各个结构还可以参考上述各个实施例，本实用新型实施例在此不再赘述。
本实用新型中术语“A和B的至少一种”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和B的至少一种，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。同理，“A、B和C的至少一种”表示可以存在七种关系，可以表示：单独存在A，单独存在B，单独存在C，同时存在A和B，同时存在A和C，同时存在C和B，同时存在A、B和C这七种情况。同理，“A、B、C和D的至少一种”表示可以存在十五种关系，可以表示：单独存在A，单独存在B，单独存在C，单独存在D，同时存在A和B，同时存在A和C，同时存在A和D，同时存在C和B，同时存在D和B，同时存在C和D，同时存在A、B和C，同时存在A、B和D，同时存在A、C和D，同时存在B、C和D，同时存在A、B、C和D，这十五种情况。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本实用新型中，术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
以上所述仅为本实用新型的可选实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (20)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
衬底基板，所述衬底基板上包括显示区以及位于所述显示区周围的周边区；
像素电路层，位于所述衬底基板的一侧且位于所述显示区；
像素界定层，位于所述像素电路层远离所述衬底基板的一侧，且包括多个像素开口；多个电致发光层，所述多个电致发光层位于所述多个像素开口中；
第一电极层，所述第一电极层位于所述多个电致发光层远离所述衬底基板的一侧；
辅助电极结构以及透光的电极图案化结构，所述辅助电极结构以及所述电极图案化结构位于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧，所述辅助电极结构包括辅助电极层以及辅助电极图案，所述辅助电极层和所述辅助电极图案中的一个结构与所述第一电极层接触，所述电极图案化结构在所述衬底基板上的正投影与所述多个像素开口中的至少一个像素开口在所述衬底基板的正投影存在交叠，所述辅助电极图案在所述衬底基板的正投影和所述电极图案化结构在所述衬底基板的正投影不交叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
第一光取出层，所述第一光取出层位于所述辅助电极结构以及所述透光的电极图案化结构远离所述衬底基板的一侧，所述第一光取出层的折射率小于所述辅助电极结构以及透光的电极图案化结构的折射率。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极层位于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧；
所述电极图案化结构位于所述辅助电极层远离所述衬底基板的一侧；
所述辅助电极图案位于所述辅助电极层上未设置有所述电极图案化结构的区域中，且所述辅助电极图案在所述衬底基板的正投影与所述像素界定层在所述衬底基板的正投影至少部分交叠。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极图案包括至少部分围绕所述像素开口的第一辅助电极子图案，在垂直于所述衬底基板方向上，所述第一辅助电极子图案的厚度大于所述电极图案化结构的厚度；
所述显示面板还包括第一平坦层，所述第一平坦层位于所述第一光取出层远离所述衬底基板的一侧，所述第一平坦层的折射率大于所述第一光取出层的折射率。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示区包括多个发光区，每个所述发光区包括多个子发光区，每个所述子发光区中具有至少一个所述电致发光层；
所述辅助电极图案还包括位于所述多个子发光区之间的第二辅助电极子图案，在垂直于所述衬底基板方向上，所述第二辅助电极子图案的厚度大于所述电极图案化结构的厚度。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述衬底基板方向上，所述电极图案化结构的厚度和所述第一光取出层的厚度之和小于所述辅助电极图案的厚度。
7.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述衬底基板方向上，所述辅助电极图案的厚度小于或者等于所述电极图案化结构的厚度。
8.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述电极图案化结构位于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧；
所述辅助电极图案位于所述辅助电极层上未设置有所述电极图案化结构的区域中；
所述辅助电极层位于所述辅助电极图案远离所述衬底基板的一侧。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述像素界定层包括位于所述多个电致发光层中至少两个电致发光层之间的隔断结构；
所述隔断结构在所述衬底基板上的正投影位于所述辅助电极图案在所述衬底基板上的正投影中。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极层、所述电极图案化结构和所述辅助电极图案被配置为由蒸镀工艺形成。
11.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括透镜阵列，所述透镜阵列位于所述电极图案化结构远离所述衬底基板的一侧，所述透镜阵列包括位于所述显示区中的至少一个透镜结构；
所述显示面板还包括第二平坦层，所述第二平坦层位于所述透镜阵列和所述第一光取出层之间，所述第二平坦层的材料的折射率小于所述透镜结构的材料的折射率。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述显示区包括多个发光区，每个所述发光区包括多个子发光区，每个所述子发光区中具有至少一个所述电致发光层；
所述透镜阵列包括分别位于所述多个子发光区中的多个透镜结构。
13.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极层位于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧，所述电极图案化结构位于所述辅助电极层远离所述衬底基板的一侧，所述辅助电极图案位于所述辅助电极层上未设置有所述电极图案化结构的区域中；
所述透镜结构位于所述电极图案化结构远离所述衬底基板的一侧。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述显示区包括多个发光区，每个所述发光区包括多个子发光区，每个所述子发光区中具有至少一个所述电致发光层；
所述辅助电极图案包括围绕所述发光区的第一辅助电极子图案，以及位于所述多个子发光区之间的第二辅助电极子图案，在垂直于所述衬底基板方向上，所述辅助电极图案的厚度大于所述电极图案化结构的厚度。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括隔垫层，所述隔垫层位于所述电极图案化结构远离所述衬底基板的一侧，所述透镜结构位于所述隔垫层远离所述衬底基板的侧。
16.根据权利要求2至15任一所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括封装层，所述封装层包括所述第一光取出层以及在所述第一光取出层上依次层叠的第一透光层、第二透光层以及第三透光层，所述第一透光层的折射率大于所述第二透光层以及所述第一光取出层的折射率，所述第二透光层的折射率小于所述第三透光层的折射率。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，所述第一光取出层的材料包括氧化硅，所述第一透光层的材料包括氮氧化硅或氮化硅，所述第二透光层的材料包括树脂材料，所述第三透光层的材料包括氮化硅；
所述辅助电极层的材料包括透明导电氧化物，所述辅助电极图案的材料包括导电金属材料。
18.根据权利要求17所述的显示面板，其特征在于，所述第一光取出层的厚度范围为10纳米至1000纳米，所述第一透光层以及所述第三透光层的厚度范围为600纳米至1200纳米，所述第二透光层的厚度范围为3微米至5微米；
所述辅助电极层的厚度范围为50纳米至1000纳米，所述电极图案化结构的厚度为5纳米至100纳米。
19.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
衬底基板，所述衬底基板上包括显示区以及位于所述显示区周围的周边区，所述显示区包括多个发光区，每个所述发光区包括多个子发光区；
多个电致发光层，所述多个电致发光层位于所述衬底基板上；
第一电极层，所述第一电极层位于所述多个电致发光层远离所述衬底基板的一侧；
辅助电极结构以及透光的电极图案化结构，所述辅助电极结构以及所述电极图案化结构位于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧，所述辅助电极结构包括层叠的辅助电极层以及辅助电极图案，所述辅助电极层和所述辅助电极图案中的一个结构与所述第一电极层接触，所述辅助电极图案包括多个辅助电极开口，所述多个辅助电极开口中的至少一个辅助电极开口在所述衬底基板的正投影至少部分位于所述子发光区中，所述电极图案化结构包括多个电极图案化子结构，所述电极图案化子结构位于所述辅助电极开口中。
20.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括显示面板，所述显示面板包括：
衬底基板，所述衬底基板上包括多个显示区以及位于所述显示区周围的周边区；
像素电路层，位于所述衬底基板的一侧且位于所述显示区；
像素界定层，位于所述像素电路层远离所述衬底基板的一侧，且包括多个像素开口；
多个电致发光层，所述多个电致发光层位于所述多个像素开口中；
第一电极层，所述第一电极层位于所述多个电致发光层远离所述衬底基板的一侧；
辅助电极结构以及透光的电极图案化结构，所述辅助电极结构以及所述电极图案化结构位于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧，所述辅助电极结构包括辅助电极层以及辅助电极图案，所述辅助电极层和所述辅助电极图案中的一个结构与所述第一电极层接触，所述电极图案化结构在所述衬底基板上的正投影与所述多个像素开口中的至少一个像素开口在所述衬底基板的正投影存在交叠，所述辅助电极图案在所述衬底基板的正投影和所述电极图案化结构在所述衬底基板的正投影不交叠。
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