CN117242918A

CN117242918A - 显示面板及其制作方法、以及显示装置

Info

Publication number: CN117242918A
Application number: CN202280000486.1A
Authority: CN
Inventors: 李云龙; 陈小川; 卢鹏程; 黄冠达; 张大成
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Yunnan Chuangshijie Optoelectronics Technology Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Yunnan Chuangshijie Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date: 2022-03-17
Filing date: 2022-03-17
Publication date: 2023-12-15
Also published as: WO2023173375A1

Abstract

一种显示面板(10)及其制作方法、以及显示装置(1000)，该显示面板(10)包括衬底(1)、多个子像素(100)和像素界定层(4)。衬底(1)具有主表面(11)；每个子像素包括位于主表面(11)上的发光器件，发光器件包括堆叠的第一电极(21)和电荷产生层(3)，电荷产生层(3)位于第一电极的远离衬底(1)的一侧；像素界定层(4)限定出多个开口区，多个开口区与多个子像素(100)一一对应且暴露对应的子像素的第一电极(21)；多个子像素(100)中包括相邻的第一子像素(101)和第二子像素(102)，第一子像素(101)的第一电极(21)和第二子像素(102)的第一电极(21)之间存在间隔，像素界定层(4)包括位于间隔中的第一凹槽(40)，第一子像素(101)的电荷产生层(3)与第二子像素(102)的电荷产生层(3)被第一凹槽(40)间隔开；像素界定层(4)包括位于不同的相邻的两个子像素(100)之间的间隔中的多个第一凹槽(40)，多个第一凹槽(40)的深度相等。

Description

显示面板及其制作方法、以及显示装置

技术领域

本公开实施例提供一种显示面板及其制作方法、以及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板与传统的液晶显示(LCD)面板相比，具有自发光、广色域、高对比度、轻薄等优点，使其广泛应用于手机、平板电脑等领域，另外也广泛应用于智能手表等柔性可穿戴领域。串联型OLED显示面板中，一个子像素通常包括串联的多个发光器件。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种显示面板，该显示面板包括衬底、多个子像素和像素界定层。衬底具有主表面；所述多个子像素中的每个子像素包括位于所述主表面上的发光器件，所述发光器件包括在垂直于所述主表面的方向上堆叠的第一电极和电荷产生层，所述电荷产生层位于所述第一电极的远离所述衬底的一侧；像素界定层位于所述主表面上，且限定出多个开口区，所述多个开口区与所述多个子像素一一对应且暴露对应的所述子像素的第一电极的至少部分；所述多个子像素中包括相邻的第一子像素和第二子像素，所述第一子像素的第一电极和所述第二子像素的第一电极之间存在间隔，所述像素界定层包括位于所述间隔中且朝向所述主表面凹陷的第一凹槽，所述第一子像素的电荷产生层与所述第二子像素的电荷产生层被所述第一凹槽间隔开；所述像素界定层包括位于所述多个子像素中不同的所述相邻的两个子像素之间的间隔中的多个所述第一凹槽，所述多个第一凹槽在垂直于所述主表面方向上的深度相等。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述像素界定层包括：间隔部、第一堆叠部和第二堆叠部。间隔部位于所述第一子像素的第一电极与所述第二子像素的第一电极之间的间隔中；第一堆叠部在垂直于所述主表面的方向上堆叠于所述第一子像素的第一电极的远离所述衬底基板的一侧；第二堆叠部在垂直于所述主表面的方向上堆叠于所述第二子像素的第一电极的远离所述衬底基板的一侧，所述间隔部包括所述第一凹槽。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述主表面具有位于所述间隔的中间部分，所述主表面的中间部分是平坦的，所述间隔部位于所述主表面的中间部分上；所述第一凹槽具有与所述主表面基本平行的第一底面；所述显示面板还包括浮置电荷产生层，浮置电荷产生层位于所述第一凹槽中且位于所述第一底面上，且与所述第一子像素的电荷产生层和所述第二子像素的电荷产生层材料相同；所述第一子像素的电荷产生层位于所述第一堆叠部的远离所述主表面的一侧，所述第二子像素的电荷产生层位于所述第二堆叠部的远离所述主表面的一侧；所述第一子像素的电荷产生层与所述浮置电荷产生层断开，所述第二子像素的电荷产生层与所述浮置电荷产生层断开。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一堆叠部、所述间隔部和所述第二堆叠部构成连续的一体结构；所述像素界定层的间隔部覆盖且直接接触所述第一子像素的第一电极的靠近所述第二子像素的第一电极的侧表面、所述主表面的平坦的中间部分、以及所述第二子像素的第一电极的靠近所述第一子像素的第一电极的侧表面；所述第一堆叠部覆盖且直接接触所述第一子像素的第一电极的远离所述衬底基板的上表面的一部分，所述第二堆叠部覆盖且直接接触所述第二子像素的第一电极的远离所述衬底基板的上表面的一部分。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一子像素的电荷产生层在所述主表面上的正投影的靠近所述第二子像素的边缘与所述浮置电荷产生层在所述主表面上的正投影的靠近所述第一子像素的边缘相接，所述第二子像素的电荷产生层在所述主表面上的正投影的靠近所述第一子像素的边缘与所述浮置电荷产生层在所述主表面上的正投影的靠近所述第二子像素的边缘相接。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述多个子像素的第一电极在垂直于所述主表面方向上的厚度相等，所述多个子像素中的每个的第一电极的厚度不小于450μm，所述第一凹槽在垂直于所述主表面的方向上的深度不小于900μm。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一子像素的第一电极在垂直于所述主表面方向上的厚度与所述像素界定层在垂直于所述主表面方向上的厚度之比、以及所述第二子像素的第一电极在垂直于所述主表面方向上的厚度与所述像素界定层在垂直于所述主表面方向上的厚度之比均不小于2。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述主表面具有位于所述间隔的中间部分，所述主表面的中间部分具有第二凹槽，所述像素界定层的间隔部在所述第二凹槽处具有贯穿所述间隔部的断口，所述第二凹槽与所述第一凹槽通过所述断口连通；所述第二凹槽具有与所述主表面基本平行的第二底面，所述显示面板还包括第一刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层位于所述第二凹槽中且位于所述第二底面上，并且，所述第一刻蚀阻挡层的材料与所述衬底的材料不同、且与所述像素界定层的材料不同；所述显示面板还包括浮置电荷产生层，浮置电荷产生层位于所述第二凹槽中且位于所述第一刻蚀阻挡层的远离所述第二底面的一侧，与所述第一子像素的电荷产生层和所述第二子像素的电荷产生层材料相同；所述第一子像素的电荷产生层位于所述第一堆叠部的远离所述主表面的一侧，所述第二子像素的电荷产生层位于所述第二堆叠部的远离所述主表面的一侧；所述第一子像素的电荷产生层与所述浮置电荷产生层断开，所述第二子像素的电荷产生层与所述浮置电荷产生层断开。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述多个子像素的每个的第一电极包括在垂直于所述主表面方向上堆叠的金属电极层和透明电极层，所述透明电极层覆盖所述金属电极层，所述第一刻蚀阻挡层与所述透明电极层材料相同且同层设置。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，沿从所述主表面到所述第二凹槽的底面的方向，所述第二凹槽在平行于所述主表面方向上的尺寸逐渐变大，或者先逐渐增大再逐渐减小。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第二凹槽的沿垂直于所述主表面的截面的形状为梯形或不规则图形，所述不规则图形包括所述与所述主表面基本平行的底边和彼此相对且均与所述底边相交的第一侧边和第二侧边，所述第一侧边朝向远离所述第二侧边的方向凹陷，第二侧边朝向远离所述第一侧边的方向凹陷。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述显示面板还包括第二刻蚀阻挡层，第二刻蚀阻挡层位于所述主表面上且位于所述间隔中，并且与所述第一子像素的第一电极和所述第二子像素的第一电极材料相同且同层间隔设置；所述第一凹槽位于所述第二刻蚀阻挡层的远离所述衬底基板的一侧，且暴露所述第二刻蚀阻挡层的远离所述衬底基板的上表面的至少部分。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，沿从远离所述主表面到靠近所述主表面的方向，所述第一凹槽在平行于所述主表面方向上的尺寸逐渐变大，或者先逐渐增大再逐渐减小。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述发光器件包括发射第一颜色的光的第一发光元件和发射第一颜色的光的第二发光元件，所述第一颜色和所述第二颜色不同，所述电荷产生层位于所述第一发光元件和所述第二发光元件之间并连接所述第一发光元件和所述第二发光元件。

本公开至少一实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括本公开实施例提供的任意一种显示面板。

本公开至少一实施例还提供一种显示面板的制作方法，该制作方法包括：提供衬底，其中，所述衬底具有主表面；在所述衬底上形成多个子像素，其中，所述多个子像素中的每个子像素包括位于所述主表面上的发光器件，所述发光器件包括在垂直于所述主表面的方向上堆叠的第一电极和电荷产生层，所述电荷产生层位于所述第一电极的远离所述衬底的一侧；以及形成像素界定层，其中，所述像素界定层位于所述主表面上，且限定出多个开口区，其中，所述多个开口区与所述多个子像素一一对应且暴露对应的所述子像素的第一电极的至少部分；所述多个子像素中包括相邻的第一子像素和第二子像素，所述第一子像素的第一电极和所述第二子像素的第一电极之间存在间隔，所述像素界定层包括位于所述间隔中且朝向所述主表面凹陷的第一凹槽，所述第一子像素的电荷产生层与所述第二子像素的电荷产生层被所述第一凹槽间隔开；所述像素界定层包括位于所述多个子像素中不同的所述相邻的两个子像素之间的间隔中的多个所述第一凹槽，所述多个第一凹槽在垂直于所述主表面方向上的深度相等。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板的制作方法中，所述主表面具有位于所述间隔中的中间部分，所述主表面的中间部分是平坦的；形成所述第一凹槽包括：在所述主表面上形成所述第一子像素的第一电极和所述第二子像素的第一电极，其中，所述第一子像素的第一电极和所述第二子像素的第一电极暴露所述主表面的位于所述间隔中的部分；以及在所述第一子像素的第一电极和所述第二子像素的第一电极的远离所述衬底的一侧形成像素界定材料层以利用所述第一子像素的第一电极在垂直于所述主表面方向上的厚度与所述第二子像素的第一电极在垂直于所述主表面方向上的厚度而在形成所述像素界定材料层的同时形成所述第一凹槽，其中，不需要对像素界定材料层进行构图而形成第一凹槽。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板的制作方法中包括：对所述像素界定材料层进行构图工艺以形成所述多个开口区从而形成所述像素界定层；以及利用同一材料和同一道膜层形成工艺在所述像素界定层的远离所述衬底的一侧形成所述第一子像素的电荷产生层、所述第二子像素的电荷产生层和浮置电荷产生层，其中，所述第一凹槽具有与所述主表面基本平行的第一底面，所述浮置电荷产生层位于所述第一凹槽中且位于所述第一底面上，所述第一子像素的电荷产生层位于所述第一堆叠部的远离所述主表面的一侧，所述第二子像素的电荷产生层位于所述第二堆叠部的远离所述主表面的一侧，并且，利用所述第一凹槽在垂直于所述衬底方向上的深度使得所述第一子像素的电荷产生层与所述浮置电荷产生层断开、以及所述第二子像素的电荷产生层与所述浮置电荷产生层断开。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板的制作方法中，所述像素界定层包括间隔部、第一堆叠部和第二堆叠部。间隔部位于所述第一子像素的第一电极与所述第二子像素的第一电极之间的间隔中；第一堆叠部在垂直于所述主表面的方向上堆叠于所述第一子像素的第一电极的远离所述衬底基板的一侧；第二堆叠部在垂直于所述主表面的方向上堆叠于所述第二子像素的第一电极的远离所述衬底基板的一侧；所述间隔部包括所述第一凹槽；所述像素界定层的间隔部覆盖且直接接触所述第一子像素的第一电极的靠近所述第二子像素的第一电极的侧表面、所述主表面的位于所述间隔的部分、以及所述第二子像素的第一电极的靠近所述第一子像素的第一电极的侧表面；所述第一堆叠部覆盖且直接接触所述第一子像素的第一电极的远离所述衬底基板的上表面的一部分，所述第二堆叠部覆盖且直接接触所述第二子像素的第一电极的远离所述衬底基板的上表面的一部分。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板的制作方法中，所述主表面具有位于所述间隔的中间部分，所述制作方法包括：在所述主表面的中间部分上形成第二凹槽；形成第一刻蚀阻挡层，其中，所述第二凹槽具有与所述主表面基本平行的第二底面，所述第一刻蚀阻挡层位于所述第二凹槽中且位于所述第二底面上；形成覆盖所述第一子像素的第一电极、所述第二子像素的第一电极和所述第二凹槽的像素界定材料层；以及对所述像素界定材料层执行构图工艺以形成断口和所述开口区从而形成所述像素界定层，其中，所述像素界定层包括间隔部、第一堆叠部和第二堆叠部。间隔部位于所述第一子像素的第一电极与所述第二子像素的第一电极之间的间隔中；第一堆叠部，在垂直于所述主表面的方向上堆叠于所述第一子像素的第一电极的远离所述衬底基板的一侧；第二堆叠部在垂直于所述主表面的方向上堆叠于所述第二子像素的第一电极的远离所述衬底基板的一侧；所述间隔部包括所述第一凹槽；所述断口位于像素界定层的间隔部在所述第二凹槽处且贯穿所述间隔部，所述第二凹槽与所述第一凹槽通过所述断口连通。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板的制作方法包括：在所述主表面上形成金属电极材料层，对所述金属电极材料层执行构图工艺以形成所述第一子像素的第一电极的金属电极层和所述第二子像素的第一电极的金属电极层；以及形成覆盖所述第一子像素的第一电极的金属电极层、所述第二子像素的第一电极的金属电极层、以及所述第二底面的透明电极材料层，对所述透明电极材料层执行构图工艺以形成所述第一子像素的第一电极的覆盖其金属电极层的透明电极层、所述第二子像素的第一电极的覆盖其金属电极层的透明电极层、以及所述第一刻蚀阻挡层。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板的制作方法还包括：利用同一材料和同一道膜层形成工艺在所述像素界定层的远离所述衬底的一侧形成所述第一子像素的电荷产生层、所述第二子像素的电荷产生层和浮置电荷产生层，其中，所述第二凹槽具有与所述主表面基本平行的第二底面，所述浮置电荷产生层位于所述第二凹槽中且位于所述第一刻蚀阻挡层的远离所述第二底面的一侧，所述第一子像素的电荷产生层位于所述第一堆叠部的远离所述主表面的一侧，所述第二子像素的电荷产生层位于所述第二堆叠部的远离所述主表面的一侧，所述第一子像素的电荷产生层与所述浮置电荷产生层断开，所述第二子像素的电荷产生层与所述浮置电荷产生层断开。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板的制作方法还包括：在形成所述第二刻蚀阻挡层之后对所述第二凹槽进行刻蚀，以使得沿从所述主表面到所述第二凹槽的底面的方向，所述第二凹槽在平行于所述主表面方向上的尺寸逐渐变大，或者先逐渐增大再逐渐减小。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板的制作方法包括：在所述主表面上形成第二刻蚀阻挡层，其中，所述第二刻蚀阻挡层位于所述第一子像素的第一电极与所述第二子像素的第一电极的间隔中；形成覆盖所述第一子像素的第一电极、所述第二子像素的第一电极、以及所述第二刻蚀阻挡层的像素界定材料层；以及对所述像素界定材料层执行构图工艺以形成所述第一凹槽和所述多个开口区，其中，所述第一凹槽位于所述第二刻蚀阻挡层的远离所述衬底基板的一侧，且暴露所述第二刻蚀阻挡层的远离所述衬底基板的上表面的至少部分。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板的制作方法包括：在所述主表面上形成金属电极材料层，对所述金属电极材料层执行一次构图工艺以形成所述第一子像素的第一电极的金属电极层、所述第二子像素的第一电极的金属电极层和第二刻蚀阻挡层的金属电极层，其中，所述第二刻蚀阻挡层的金属电极层位于所述第一子像素的第一电极的金属电极层与所述第二子像素的第一电极的金属电极层之间；以及形成覆盖所述第一子像素的第一电极的金属电极层、所述第二子像素的第一电极、以及所述第二刻蚀阻挡层的金属电极层的透明电极材料层，对所述透明电极材料层执行一次构图工艺以形成所述第一子像素的第一电极的覆盖其金属电极层的透明电极层、所述第二子像素的第一电极的覆盖其金属电极层的透明电极层、以及所述第二刻蚀阻挡层的覆盖其金属电极层的透明电极层。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1是本公开一实施例提供的一种显示面板的平面示意图；

图2是沿图1中的A-A’线的截面示意图；

图3是本公开一实施例提供的另一种显示面板沿图1中的A-A’线的截面示意图；

图4是本公开一实施例提供的又一种显示面板沿图1中的A-A’线的截面示意图；

图5是本公开一实施例提供的再一种显示面板沿图1中的A-A’线的截面示意图；

图6为本公开至少一实施例提供的一种显示装置的示意图；

图7A-7H为本公开一实施例提供的一种显示面板的制作方法示意图；

图8A-8J为本公开一实施例提供的另一种显示面板的制作方法示意图；

图9A-9G为本公开一实施例提供的另一种显示面板的制作方法示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。以下所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

串联式有机发光二极管(Tandem OLED)器件存在因空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)以及电荷产生层(Charge Generated Layer，CGL)的电阻率较低而容易引起相邻子像素之间的串扰的问题，从而会使得OLED器件色域下降，从而采用OLED器件的OLED显示面板的显示效果下降。因此，防止相邻子像素之间的串扰对提高OLED显示面板的显示效果非常重要。并且，在保证防止相邻子像素之间的串扰的同时，实现整个显示面板的显示均一性很重要。

示例性地，图1是本公开一实施例提供的一种显示面板的平面示意图，图2是沿图1中的A-A’线的截面示意图。参考图1-2，本公开至少一实施例提供的显示面板10包括：衬底1、多个子像素100和像素界定层4。衬底1具有主表面11；多个子像素100中的每个子像素包括位于主表面11上的发光器件，例如该发光器件为串联式有机发光二极管(Tandem OLED)器件；发光器件包括在垂直于主表面11的方向上堆叠的第一电极21和电荷产生层3(Charge Generated Layer，CGL)，电荷产生层3位于第一电极21的远离衬底1的一侧；像素界定层4位于主表面11上，且限定出多个开口区，多个开口区与多个子像素100一一对应且暴露对应的子像素100的第一电极21的至少部分；多个子像素100中包括相邻的第一子像素101和第二子像素102，第一子像素101的第一电极21和第二子像素102的第一电极21之间存在间隔SP，像素界定层4包括位于间隔SP中且朝向主表面11凹陷的第一凹槽40，第一子像素101的电荷产生层3与第二子像素102的电荷产生层3被第一凹槽40间隔开；像素界定层4包括位于多个子像素100中不同的相邻的两个子像素100之间的间隔SP中的多个第一凹槽40，多个第一凹槽40在垂直于主表面11方向上的深度H相等。

例如，通常会通过刻蚀衬底(例如为硅基基板)的最上方(即最靠近显示器件的一侧)的氧化硅层而在衬底的设置有OLED器件的表面形成凹槽，利用该凹槽而形成的段差来将相邻的子像素的电荷产生层断开(彼此不连接、不接触，非电连接)，但是，对硅基基板的氧化硅层刻蚀均一性难以把控，无法精准控制整个显示面板的多个子像素的凹槽在垂直于衬底方向上的深度一致，从而导致整个显示区域凹槽的刻蚀深度不均一，形成Mura不良。这种情况下，微观显示表明显示区域的部分区域的阴极在凹槽区域会形成穿刺结构，从而导致整个OLED器件形成较大漏电。然而，对于本公开实施例提供的显示面板10，在制作显示面板10的过程中，在形成第一电极21之后，在第一子像素101的第一电极 21和第二子像素102的第一电极21之间的间隔SP之间通过构图工艺(例如光刻工艺)形成第一凹槽40，然后再在形成电荷产生层3，从而利用第一凹槽40形成的在垂直于衬底1的主表面11方向上的段差将第一子像素101的OLED器件中的电荷产生层3和第二子像素102的OLED器件中的电荷产生层3彼此断开。在实际过程中，可通过控制多个子像素100的第一电极21在垂直于衬底1的主表面11的方向上的厚度一致，形状而形成的像素界定层4的厚度也是均匀一致的，从而使得在多个子像素100中，依赖于第一电极21的形状和厚度而自然形成的第一凹槽40的深度H均匀一致，由此，可以实现多个子像素100的电荷产生层3彼此断开的程度均匀一致，这对于提高采用显示面板10显示均一性具有非常重要的作用，防止Mura不良。

例如，衬底1为硅基基板，该硅基基板包括绝缘层和贯穿绝缘层的过孔V1(例如钨孔)，第一电极21通过过孔V1与连接电极12连接，连接电极12与制作于硅基基板中的像素电路的驱动晶体管的第一极连接。该像素电路该像素电路例如包括薄膜晶体管和存储电容，例如还包括数据晶体管、补偿晶体管等。例如为3T1C、7T1C、9T2C等像素电路，本公开对像素电路的具体类型不作限定。

例如，如图2所示，在每个子像素100中，第一发光元件61和第二发光元件62。第一发光元件61发射第一颜色的光，第二发光元件62发射第二颜色的光，第一颜色和第二颜色不同；电荷产生层3位于第一发光元件61和第二发光元件62之间并连接第一发光元件61和第二发光元件62，以使得激子在电场作用下发出两倍的激子量，实现两倍以上的光电转换效率。由于电荷产生层3相比于OLED器件中其他功能层的导电能力较强，因此，会在横向方向即子像素的排列方向引起像素串扰，故而需要将相邻的子像素的电荷产生层3断开，以防止相邻子像素之间的串扰。

例如，发光器件发出的光复合为白光；例如，显示面板的每个子像素100还包括彩膜，在每个子像素100中，彩膜位于发光器件的远离衬底1的一侧，由第一发光元件61和第二发光元件62所发的光复合为白光，该白光在经相应子像素100的彩膜滤光后使得不同子像素出射不同颜色的光。例如，第一颜色为黄色，第二颜色为蓝色。例如，如图1所示，三个连续的子像素100构成一个像素10a，每一个像素10a中的三个子像素100中的彩膜颜色分别为红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)；并且三个子像素100中的第一发光元件61的发光颜色相同，均发出第一颜色的光；三个子像素100中的第二发光元件62的发光颜色的发光颜色相同，均发出第二颜色的光。在一个像素的三个子像素100中，第一颜色的光与第二颜色的光复合为白光，该白光分别经红色(R)彩膜、绿色(G)彩膜和蓝色(B)彩膜后，从三个子像素100分别出射红光、绿光和蓝光。当然，第一颜色和第二颜色不限于上述列举种类，彩膜的延伸也不限于上述列举种类，本公开对此不作限定。

例如，对于每个子像素100，第一电极21包括在垂直于主表面11方向上堆叠的金属电极层和透明电极层21d，透明电极层21d覆盖金属电极层。例如，金属电极层为Ti/Al/Ti/ITO叠层结构。即，如图2所示，金属电极层包括在衬底1的主表面上堆叠设置的第一子层21a、第二子层21b和第三子层21c，例如第一子层21a的材料是金属钛(Ti)，第二子层21b的材料是金属铝(Al)，第三子层21c的材料是金属钛(Ti)，从而形成第一子层21a、第二子层21b和第三子层21c构成Ti/Al/Ti/ITO叠层结构。例如透明电极层21的材料为透明导电材料，例如为ITO、IZO等。

例如，多个子像素100的第一电极21在垂直于主表面11方向上的厚度T1相等，多个子像素中的每个的第一电极21的厚度不小于450μm，以保证依赖于第一电极21的厚度而形成的第一凹槽40具有足够的深度，从而保证第一子像素101和第二子像素102的OLED器件中的电荷产生层3彼此断开的效果较好，即保证相邻的子像素的电荷产生层3彼此断开的可靠性，提高显示面板的良率。

例如，第一凹槽40在垂直于主表面11的方向上的深度不小于900μm，即第一凹槽40具有足够的深度来保证第一子像素101和第二子像素102的OLED器件中的电荷产生层3彼此断开的效果较好，即保证相邻的子像素的电荷产生层3彼此断开的可靠性，提高显示面板的良率。

例如整个显示面板10的多个子像素100例如全部子像素100的第一电极21在垂直于衬底1的主表面11方向上的厚度相等，从而使得显示面板10的对多个第一凹槽40在垂直于衬底1的主表面11方向上的深度H相等。例如，在图2所示的实施例中，第一电极21在垂直于衬底1的主表面11方向上的厚度是指由金属电极层和透明电极层的厚度之和，因此，在图2所示的实施例中，第一电极21在垂直于衬底1的主表面11方向上的厚度是第一子层21a、第二子层21b和第三子层21c构成的叠层结构和透明电极层21d的在垂直于衬底1的主表面11方向上的厚度之和。

例如，如图2所示，像素界定层4包括间隔部401、第一堆叠部41和第二堆叠部42。间隔部401位于第一子像素101的第一电极21与第二子像素102的第一电极21之间的间隔SP中；第一堆叠部41在垂直于主表面11的方向上堆叠于第一子像素101的第一电极21的远离衬底1基板的一侧；第二堆叠部42在垂直于主表面11的方向上堆叠于第二子像素102的第一电极21的远离衬底1基板的一侧，间隔部401包括第一凹槽40。

例如，如图2所示，衬底1的主表面11具有位于间隔SP的中间部分1a，主表面11的中间部分1a是平坦的，即，在主表面11在间隔SP处不存在凹槽，像素界定层4的间隔部401位于主表面11的中间部分1a上；例如，整个主表面11都是平坦的。第一凹槽40具有与主表面11基本平行的第一底面40a，以保证像素界定层4的间隔部401形成于的主表面11的中间部分1a的平坦的表面上，使得第一凹槽40也具有平坦的第一底面40a，从而能够利用均一的第一凹槽40的深度形成的段差来使得第一子像素101和第二子像素102的OLED器件中的电荷产生层3彼此断开。

例如，第一凹槽40整个第一底面40a是连续的面，即不存在凹槽、开口等将第一底面40a断开，即第一底面40a是适应于主表面11的平坦的中间部分1a的形貌而形成的面。

例如，如图2所示，显示面板10还包括浮置电荷产生层30，浮置电荷产生层30位于第一凹槽40中且位于第一底面40a上，且与第一子像素101的电荷产生层3和第二子像素102的电荷产生层3材料相同；第一子像素101的电荷产生层3位于第一堆叠部41的远离主表面11的一侧，第二子像素102的电荷产生层3位于第二堆叠部42的远离主表面11的一侧；第一子像素101的电荷产生层3与浮置电荷产生层30断开，第二子像素102的电荷产生层3与浮置电荷产生层30断开，即，利用第一凹槽40的深度形成的段差使相邻的子像素的电荷产生层3彼此断开。

例如，如图2所示，浮置电荷产生层30到主表面11的距离小于像素界定层4的第一部分41的远离衬底1的上表面到主表面11的距离且小于像素界定层4的第二部分42的远离衬底1的上表面到主表面11的距离，即，浮置电荷产生层30与像素界定层4的第一部分41的远离衬底1的上表面和第二部分42的远离衬底1的上表面之间在垂直于主表面11的方向上均存在段差，以保证第一子像素101的电荷产生层3与第二子像素102的电荷产生层3之间断开的效果的可靠性。

例如，如图2所示，第一堆叠部41、间隔部401和第二堆叠部42构成连续的一体结构。例如，像素界定层4的间隔部401覆盖且直接接触第一子像素101的第一电极21的靠近第二子像素102的第一电极21的侧表面、主表面11的平坦的中间部分1a、以及第二子像素102的第一电极21的靠近第一子像素101的第一电极21的侧表面；第一堆叠部41覆盖且直接接触第一子像素101的第一电极21的远离衬底1基板的上表面的一部分，第二堆叠部42覆盖且直接接触第二子像素102的第一电极21的远离衬底1基板的上表面的一部分。

例如，第一子像素101的电荷产生层3在主表面11上的正投影的靠近第二子像素102的边缘与浮置电荷产生层30在主表面11上的正投影的靠近第一子像素101的边缘相接(例如重合)，第二子像素102的电荷产生层3在主表面11上的正投影的靠近第一子像素101的边缘与浮置电荷产生层30在主表面11上的正投影的靠近第二子像素102的边缘相接(例如重合)。

例如，如图2所示，第一子像素101的第一电极21在垂直于主表面11方向上的厚度T1与像素界定层4在垂直于主表面11方向上的厚度T3之比、以及第二子像素102的第一电极21在垂直于主表面11方向上的厚度T2(例如T1＝T2)与像素界定层4在垂直于主表面11方向上的厚度T3之比均不小于2。例如，像素界定层4的第一部分41、间隔部401和第二部分42具有相同的厚度。如此，以保证在形成第一子像素101的第一电极21和第二子像素102的第一电极21之后，依赖于第一子像素101的第一电极21和第二子像素102的第一电极21的厚度和形貌而自然沉积形成的像素界定层4中的第一凹槽40具有足够的深度以使得第一子像素101的电荷产生层3和第二子像素102的电荷产生层3彼此断开。

例如，如图2所示，发光器件还包括空穴注入层5(Hole Injection Layer，HIL)。空穴注入层5位于第一电极21的远离衬底的一侧，例如空穴注入层5与第一电极21直接接触。沿从靠近衬底1到远离衬底1的方向，空穴注入层5、第一发光元件61、电荷产生层3和第二发光元件62依次排列。

例如，如图2所示，第一子像素101的空穴注入层5与第二子像素102的空穴注入层5彼此断开，例如在第一凹槽40处彼此间断开。由于空穴注入层5比于OLED器件中其他功能层的导电能力较强，且对OLED器件的工作性能的影响较大，因此，会在横向方向即子像素的排列方向引起像素串扰，故而需要将相邻的子空穴注入层5断开，以防止相邻子像素之间的串扰。在制作空穴注入层5的过程中，利用均一的第一凹槽40的深度形成的段差来使得第一子像素101和第二子像素102的OLED器件中的空穴注入层5彼此断开，使得多个子像素的功能层结构均一。并且，如图2所示，发光器件还包括浮置空穴注入层50，浮置空穴注入层50位于第一凹槽40中且位于第一底面40a上，例如，浮置空穴注入层50与第一底面40a接触，且与第一子像素101的空穴注入层50和第二子像素102的空穴注入层50材料相同。例如，浮置空穴注入层50到主表面11的距离小于像素界定层4的第一部分41到主表面11的距离且小于像素界定层4的第二部分42到主表面11的距离，即，浮置空穴注入层50与像素界定层4的第一部分41的远离衬底1的上表面和第二部分42的远离衬底1的上表面之间在垂直于主表面11的方向上均存在段差，以为了后续继续利用该浮置空穴注入层50与第一子像素101的空穴注入层5的段差、和浮置空穴注入层50与第一子像素101的空穴注入层5的段差使得形成于空穴注入层5的远离衬底1的一侧的第一子像素101的电荷产生层3与第二子像素102的电荷产生层3之间断开，且能够保证这两者彼此断开的可靠性。

例如，同理，发光器件还包括浮置第一发光层60，浮置第一发光层60位于第一凹槽40中且位于第一底面40a上，且与第一子像素101的第一发光元件61和第二子像素102的第一发光元件61材料相同。例如，浮置第一发光层60到主表面11的距离小于像素界定层4的第一部分41的远离衬底1的上表面到主表面11的距离且小于像素界定层4的第二部分42的远离衬底1的上表面到主表面11的距离，即，浮置第一发光层60与像素界定层4的第一部分41的远离衬底1的上表面和第二部分42的远离衬底1的上表面之间在垂直于主表面11的方向上均存在段差，以保证后续继续利用该浮置第一发光层60与第一子像素101的第一发光元件61的段差、和浮置第一发光层60与第一子像素101的第一发光元件61的段差使得形成于第一发光元件61的远离衬底1的一侧的第一子像素101的电荷产生层3与第二子像素102的电荷产生层3之间断开，且能够保证这两者彼此断开的可靠性。

例如，如图2所示，例如，第二发光元件62覆盖第一子像素101和第二子像素101，填充第一凹槽40且是连续的。由于第二发光元件62位于电荷产生层3的远离衬底1的一侧，因此不需要第二发光元件62在第一子像素101和第二子像素102之间的间隔SP中断开。例如，第二发光元件62的远离衬底1的表面是平坦表面，类似于平坦层。当然，在其他实施例中，第二发光元件62也可以在第一子像素101和第二子像素102之间的间隔SP中断开。

例如，如图2所示，发光器件还包括第二电极22。例如第一电极为阳极，第二电极为阴极。例如第二电极22是至少覆盖显示面板的整个显示区的公共阴极。

例如，如图2所示，显示面板10还包括封装层7，例如封装层7可以包括无机封装层和/或有机封装层。

显示面板10的显示区域包括虚拟子像素，即浮置子像素，不执行显示功能，相邻的虚拟子像素之间也存在间隔，但是相邻的虚拟子像素之间的间隔中可以不将相邻的虚拟子像素的电荷产生层断开，也不将串联OLED的其他功能层，例如空穴注入层、第一发光元件，断开。

图3是本公开一实施例提供的另一种显示面板沿图1中的A-A’线的截面示意图。图3所示的显示面板与图2所示的显示面板具有以下区别。如图3所示，主表面11具有位于间隔SP的中间部分1a，主表面11的中间部分1a具有第二凹槽13，像素界定层4的间隔部401在第二凹槽13处具有贯穿间隔部401的断口40b，第二凹槽13与第一凹槽40通过断口40b连通；第二凹槽13具有与主表面11基本平行的第二底面130，显示面板10还包括第一刻蚀阻挡层81，第一刻蚀阻挡层81位于第二凹槽13中且位于第二底面130上，并且，第一刻蚀阻挡层81的材料与衬底1的材料不同、且与像素界定层4的材料不同。如此，可先制作得到第一刻蚀阻挡层81，然后再通过构图工艺形成像素界定层4，例如采用刻蚀例如湿刻法对在对像素界定层4进行构图的过程中，第一刻蚀阻挡层81可以阻挡刻蚀第二凹槽13的第二底面130，从而使得整个显示面板的多个第二凹槽13具有相等的深度，从而使后续形成的各个子像素的空穴注入层、电荷产生层等各个膜层具有均与一致的结构，防止Mura显示不良，提高显示面板的显示均一性。刻蚀液除了刻蚀掉用于形成像素界定层4的材料层之外会将第二凹槽13的槽壁的没有被第一刻蚀阻挡层81覆盖的部分继续进行刻蚀，包括将第二凹槽13的与其第二底面130相交的侧面13a/13b继续进行刻蚀，从而使第二凹槽13的侧面13a/13b朝向远离第一刻蚀阻挡层81的方向凹陷，更加有利于后续使得在像素界定层4之上、第一凹槽40之中的相邻子像素的膜层(电荷产生层3、第一发光层61、空穴注入层5)断开。

例如，图3所示的衬底1的材料为氧化硅、氮化硅等，例如该衬底1为硅基基板的最上方的氧化硅层，即第二凹槽13位于硅基基板的最上方的氧化硅层中。例如，第一刻蚀阻挡层81的材料为透明导电材料，例如为ITO、IZO等。

例如，如图3所示，显示面板10还包括浮置电荷产生层30，位于第二凹槽13中且位于第一刻蚀阻挡层81的远离第二底面130的一侧，与第一子像素101的电荷产生层3和第二子像素102的电荷产生层3材料相同，第一子像素101的电荷产生层3位于第一堆叠部41的远离主表面11的一侧，第二子像素102的电荷产生层3位于第二堆叠部42的远离主表面11的一侧；第一子像素101的电荷产生层3与浮置电荷产生层30断开，第二子像素102的电荷产生层3与浮置电荷产生层30断开，以将相邻的子像素100的电荷产生层断开。

例如，如图3所示，由于断口40b和第二凹槽13连通而形成的段差，浮置电荷产生层30包括被间隔开的第一部分30a和第二部分30b，从而进一步有效保证第一子像素101的电荷产生层3与第二子像素102的电荷产生层3彻底断开地效果。例如，浮置电荷产生层30还包括位于第二凹槽13中的第三部分30c。

例如，如图3所示，显示面板10还包括浮置空穴注入层50，浮置空穴注入层50包括第一部分50a和第二部分50b，第一部分50a和第二部分50b位于第一凹槽40中，由于断口40b和第二凹槽13连通而形成的段差，第一部分50a与第二部分50b被间隔开。浮置空穴注入层50的第一部分50a和第二部分50b位于底面40a上且分别位于断口40b的相对的两侧。浮置空穴注入层50的第一部分50a与浮置电荷产生层30的第一部分30a堆叠，且位于浮置电荷产生层30的第一部分30a的靠近像素界定层4的间隔部401的一侧；浮置空穴注入层50的第二部分50b与浮置电荷产生层30的第二部分30b堆叠，且位于浮置电荷产生层30的第二部分30b的靠近像素界定层4的间隔部401的一侧。例如，浮置空穴注入层50还包括第三部分50c，第三部分50c位于第二凹槽13中，且位于第一刻蚀阻挡层81与浮置电荷产生层30的第三部分30c之间。

例如，如图3所示，显示面板10还包括浮置发光层60，浮置发光层60包括第一部分60a和第二部分60b，第一部分60a和第二部分60b位于第一凹槽40中，由于断口40b和第二凹槽13连通而形成的段差，第一部分60a与第二部分60b被间隔开。浮置发光层60的第一部分60a和第二部分60b位于底面40a上且分别位于断口40b的相对的两侧。浮置发光层60的第一部分60a与浮置电荷产生层30的第一部分30a、浮置空穴注入层50的第一部分50a堆叠，且位于浮置电荷产生层30的第一部分30a与浮置空穴注入层50的第一部分50a之间；浮置发光层60的第二部分60b与浮置电荷产生层30的第二部分30b、浮置空穴注入层50的第二部分50b堆叠，且位于浮置电荷产生层30的第二部分30b与浮置空穴注入层50的第二部分50b之间。例如，浮置发光层60还包括第三部分60c，第三部分60c位于第二凹槽13中且位于浮置空穴注入层50的第三部分50c与浮置电荷产生层30的第三部分30c之间。

例如，如图3所示，多个子像素的每个的第一电极21包括在垂直于主表面11方向上堆叠的金属电极层和透明电极层21d，透明电极层21d覆盖金属电极层，第一刻蚀阻挡层81与透明电极层21d材料相同且同层设置。例如，金属电极层为Ti/Al/Ti/ITO叠层结构。第一刻蚀阻挡层81与透明电极层21d材料相同且同层设置，从而，可通过对同一膜层执行同一次构图工艺以形成第一刻蚀阻挡层81与透明电极层21d。第一电极21的具体结构与图2中的相同，具体可参考之前的描述。

例如，如图3所示，沿从主表面11到第二凹槽13的底面130的方向，第二凹槽13在平行于主表面11方向上的尺寸先逐渐增大再逐渐减小，以更加有利于后续使得在像素界定层4之上、第一凹槽40之中的相邻子像素的膜层(电荷产生层3、第一发光层61、空穴注入层5)通过第二凹槽13断开。

例如，如上所述，在图3所示的显示面板10中，第二凹槽13的侧面13a/13b朝向远离第一刻蚀阻挡层81的方向凹陷，更加有利于后续使得在像素界定层4之上、第一凹槽40之中的相邻子像素的膜层(电荷产生层3、第一发光层61、空穴注入层5)断开。第二凹槽13的沿垂直于主表面11的截面的形状为不规则图形，不规则图形包括与主表面11基本平行的底边130和彼此相对且均与底边相交的第一侧边13a和第二侧边13b，第一侧边13a朝向远离第二侧边13b的方向凹陷，第二侧边13b朝向远离第一侧边13a的方向凹陷。

图3所示的实施例的其他未提及的特征均与图2所示的实施例相同，可参考对图2所示的实施例的描述。

图4是本公开一实施例提供的又一种显示面板沿图1中的A-A’线的截面示意图。图4所示的显示面板与图3所示的显示面板具有以下区别。如图4所示，例如，沿从主表面11到第二凹槽13的底面130的方向，第二凹槽13在平行于主表面11方向上的尺寸逐渐变大；例如，第二凹槽13的沿垂直于主表面11的截面的形状为梯形，以更加有利于后续使得在像素界定层4之上、第一凹槽40之中的相邻子像素的膜层(电荷产生层3、第一发光层61、空穴注入层5)断开。当然，第二凹槽13的沿垂直于主表面11的截面的形状不限于梯形，只要沿从主表面11到第二凹槽13的底面130的方向，第二凹槽13在平行于主表面11方向上的尺寸逐渐变大即可。

图4所示的实施例的其他未提及的特征均与图3所示的实施例相同，可参考对图3所示的实施例的描述。

图5是本公开一实施例提供的再一种显示面板沿图1中的A-A’线的截面示意图。图5所示的显示面板与图2所示的显示面板具有以下区别。如图5所示，例如，显示面板10包括第二刻蚀阻挡层82，第二刻蚀阻挡层82位于主表面11上且位于间隔SP中，并且与第一子像素101的第一电极21和第二子像素102的第一电极21材料相同且同层间隔SP设置；第一凹槽400位于第二刻蚀阻挡层82的远离衬底1基板的一侧，且暴露第二刻蚀阻挡层82的远离衬底1基板的上表面的至少部分。从而，可利用第一凹槽400形成的在垂直于衬底1的主表面11方向上的段差将第一子像素101的OLED器件中的电荷产生层3和第二子像素102的OLED器件中的电荷产生层3彼此断开。并且，第二刻蚀阻挡层82具有固定的厚度，且可阻止在后续刻蚀工艺中例如刻蚀形成像素界定层4的过程中对衬底1的被第二刻蚀阻挡层82遮挡的部分进行刻蚀，从而可通过控制相邻的子像素100之间的第二刻蚀阻挡层82在垂直于主表面11方向上的厚度相等，来实现相邻的子像素100之间的第一凹槽400具有相同的深度，从而保证后续形成的多个子像素的功能层结构均一，防止Mura不良，提高显示面板的显示均一性。

例如，第二刻蚀阻挡层82在垂直于主表面11方向上的厚度与第一电极21在垂直于主表面11方向上的厚度T1/T2相等；例如多个子像素的第一电极21在垂直于主表面11 方向上的厚度相等，有利于提高显示面板的显示均一性。

例如，第一子像素101的空穴注入层5与第二子像素102的空穴注入层5彼此断开，例如在第一凹槽400处彼此间断开；第一子像素101的第一发光元件61与第二子像素102的第一发光元件61在例如第一凹槽400处彼此间断开。沿从靠近衬底1到远离衬底1的方向，空穴注入层5、第一发光元件61、电荷产生层3和第二发光元件62依次排列。浮置空穴注入层50、浮置发光层60和浮置电荷产生层30位于第一凹槽400中，且依次堆叠于第二刻蚀阻挡层82的远离衬底1的表面上。第一子像素101和第二子像素102的空穴注入层5彼此被第一凹槽400断开、第一子像素101和第二子像素102的第一发光元件61彼此被第一凹槽400断开。空穴注入层5、第一发光元件61、电荷产生层3和第二发光元件62依次排列。例如，第二发光元件62覆盖第一子像素101和第二子像素101，填充部分第一凹槽400且是连续的。例如，在其他实施例中，第二发光元件62也可以填充整个第一凹槽400。第二发光元件62的其他特征与图2中的类似。

例如，浮置电荷产生层30到主表面11的距离小于像素界定层4的第一部分41到主表面11的距离且小于像素界定层4的第二部分42到主表面11的距离，以保证第一子像素101的电荷产生层3和第二子像素102的电荷产生层3彼此断开的效果。当然，在其他实施例中，浮置电荷产生层30到主表面11的距离可以大于或等于像素界定层4的第一部分41到主表面11的距离且小于像素界定层4的第二部分42到主表面11的距离，只要第一子像素101的电荷产生层3和第二子像素102的电荷产生层3彼此断开即可。

例如，第二刻蚀阻挡层82在平行于主表面11方向上的尺寸小于的第一电极21在平行于主表面11同一方向上的尺寸，且小于第二子像素102的第一电极21在平行于主表面11同一方向上的尺寸，以节省空间，满足高PPI的要求。

例如，沿从远离主表面11到靠近主表面11的方向，第一凹槽400在平行于主表面11方向上的尺寸先逐渐增大再逐渐减小，以更加有利于使得在像素界定层4之上的相邻子像素的膜层(电荷产生层3、第一发光层61、空穴注入层5)断开。

或者，在其他实施例中，第一凹槽400在平行于主表面11方向上的尺寸逐渐变大，以更加有利于使得在像素界定层4之上的相邻子像素的膜层(电荷产生层3、第一发光层61、空穴注入层5)断开。例如第一凹槽的沿垂直于主表面11的截面的形状为梯形，当然不限于是梯形。

图5所示的实施例的其他未提及的特征均图2与图3所示的实施例相同，可参考对图2和图3所示的实施例的描述。

图6是本公开至少一实施例提供的显示装置示意图。如图6所示，本公开至少一实施例还提供一种显示装置1000，该显示装置1000包括本公开实施例提供的任意一种显示面板10。该显示装置1000例如可以为串联式有机发光二极管显示装置等具有显示功能的装置或其他类型的装置。本公开的实施例对此不作限制。

本公开实施例提供的显示装置的结构、功能及技术效果等可以参考上述本公开实施例提供的显示面板10中的相应描述，在此不再赘述。

例如，本公开至少一实施例提供的显示装置1000可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本公开的实施例对此不作限制。

本公开至少一实施例还提供一种显示面板的制作方法，该制作方法包括：提供衬底，所述衬底具有主表面；在所述衬底上形成多个子像素，所述多个子像素中的每个子像素包括位于所述主表面上的发光器件，所述发光器件包括在垂直于所述主表面的方向上堆叠的第一电极和电荷产生层，所述电荷产生层位于所述第一电极的远离所述衬底的一侧；以及所述多个子像素中包括相邻的第一子像素和第二子像素，所述第一子像素的第一电极和所述第二子像素的第一电极之间存在间隔，所述像素界定层包括位于所述间隔中且朝向所述主表面凹陷的第一凹槽，所述第一子像素的电荷产生层与所述第二子像素的电荷产生层被所述第一凹槽间隔开；所述像素界定层包括位于所述多个子像素中不同的所述相邻的两个子像素之间的间隔中的多个所述第一凹槽，所述多个第一凹槽在垂直于所述主表面方向上的深度相等。

例如，图7A-7H为本公开一实施例提供的图2所示的显示面板的制作方法示意图，下面结合图7A-7H对该显示面板的制作方法进行介绍。这里以显示面板的两个相邻的子像素，即第一子像素101和第二子像素102为例进行介绍，对于其他的子像素也是如此。

如图7A所示，提供衬底1，衬底1具有主表面11。例如衬底1的材料为氧化硅、氮化硅等，例如该衬底1为硅基基板的最上方的氧化硅层。显示面板的制作方法包括在衬底1上形成多个子像素，多个子像素中的每个子像素包括位于主表面11上的发光器件；在主表面11上形成金属电极材料层，例如金属电极材料层包括多个堆叠的多个金属层，对金属电极材料层执行构图工艺以形成第一子像素101的第一电极21的金属电极层和第二子像素102的第一电极21的金属电极层。例如，金属电极层为Ti/Al/Ti/ITO叠层结构。即，如图7A所示，金属电极层包括在衬底1的主表面上堆叠设置的第一子层21a、第二子层21b和第三子层21c，例如第一子层21a的材料是金属钛(Ti)，第二子层21b的材料是金属铝(Al)，第三子层21c的材料是金属钛(Ti)，从而形成第一子层21a、第二子层21b和第三子层21c构成Ti/Al/Ti/ITO叠层结构。第一子像素101的第一电极21和第二子像素102的第一电极21之间存在间隔SP，主表面11具有位于间隔SP中的中间部分1a，主表面11的中间部分1a是平坦的，第一子像素101的第一电极21和第二子像素102的第一电极21暴露主表面11的位于间隔SP中的部分。

如图7B所示，通过第二次构图工艺形成第一电极21的透明电极层21d，透明电极层21d覆盖金属电极层。例如透明电极层21的材料为透明导电材料，例如为ITO、IZO等。

如图7C所示，形成像素界定层4，像素界定层4位于主表面11上，像素界定层4包括位于间隔SP中且朝向主表面11凹陷的第一凹槽40，第一子像素101的电荷产生层3与第二子像素102的电荷产生层3被第一凹槽40间隔SP开；例如，像素界定层4包括多个第一凹槽40，多个子像素存在多个间隔SP，多个第一凹槽40分别一一一对应的方式位于多个间隔SP中，即像素界定层4包括位于多个子像素中不同的相邻的两个子像素之间的间隔SP中的多个第一凹槽40，多个第一凹槽40在垂直于主表面11方向上的深度H相等。例如，形成第一凹槽40包括：在主表面11上形成第一子像素101的第一电极21和第二子像素102的第一电极21之后，在第一子像素101的第一电极21和第二子像素102的第一电极21的远离衬底1的一侧形成像素界定材料层以利用第一子像素101的第一电极21在垂直于主表面11方向上的厚度T1与第二子像素102的第一电极21在垂直于主表面11方向上的厚度T2(例如T1＝T2)而在形成像素界定材料层的同时形成第一凹槽40，不需要对像素界定材料层进行构图而形成第一凹槽40。例如采用沉积的方法形成像素界定材料层。并且，对像素界定层4进行构图工艺以形成多个开口区从而形成像素界定层4，多个开口区与多个子像素100一一对应且暴露对应的子像素100的第一电极21的至少部分。

例如，像素界定层4包括间隔部401、第一堆叠部41和第二堆叠部42。间隔部401位于第一子像素101的第一电极21与第二子像素102的第一电极21之间的间隔SP中；第一堆叠部41在垂直于主表面11的方向上堆叠于第一子像素101的第一电极21的远离衬底1基板的一侧；第二堆叠部42在垂直于主表面11的方向上堆叠于第二子像素102的第一电极21的远离衬底1基板的一侧，间隔部401包括第一凹槽40；像素界定层4的间隔部401覆盖且直接接触第一子像素101的第一电极21的靠近第二子像素102的第一电极21的侧表面、主表面11的位于间隔SP的部分、以及第二子像素102的第一电极21的靠近第一子像素101的第一电极21的侧表面；第一堆叠部41覆盖且直接接触第一子像素101的第一电极21的远离衬底1基板的上表面的一部分，第二堆叠部42覆盖且直接接触第二子像素102的第一电极21的远离衬底1基板的上表面的一部分。

接着，如图7D所示，利用同一材料和同一道膜层形成工艺(例如为同一道溅射工艺)在像素界定层4的远离衬底1的一侧形成第一子像素101的空穴注入层5、第二子像素102的空穴注入层5和浮置空穴注入层50；第一凹槽40具有与主表面11基本平行的第一底面40a，浮置空穴注入层50位于第一凹槽40中且位于第一底面40a上，第一子像素101的空穴注入层5位于第一堆叠部41的远离主表面11的一侧，第二子像素102的空穴注入层5位于第二堆叠部42的远离主表面11的一侧，并且，利用第一凹槽40在垂直于衬底1方向上的深度H使得第一子像素101的空穴注入层5与浮置空穴注入层50断开、以及第二子像素102的空穴注入层5与浮置空穴注入层50断开。从而能够利用均一的第一凹槽40的深度形成的段差来使得多个子像素100中相邻的子像素的空穴注入层5彼此断开得情况一致。

例如，浮置空穴注入层50到主表面11的距离小于像素界定层4的第一部分41到主表面11的距离且小于像素界定层4的第二部分42到主表面11的距离，即，浮置空穴注入层50与像素界定层4的第一部分41的远离衬底1的上表面和第二部分42的远离衬底 1的上表面之间在垂直于主表面11的方向上均存在段差。

接着，如图7E所示，利用同一材料和同一道膜层形成工艺(例如包括同一道溅射工艺等)在空穴注入层5的远离衬底1的一侧形成第一子像素101的第一发光元件61、第二子像素102的第一发光元件61和浮置第一发光层60；第一凹槽40具有与主表面11基本平行的第一底面40a，浮置第一发光层60位于第一凹槽40中与浮置空穴注入层50堆叠，并且，利用第一凹槽40在垂直于衬底1方向上的深度H使得第一子像素101的第一发光元件61与浮置第一发光层60断开、以及第二子像素102的第一发光元件61与浮置第一发光层60断开，也即，利用该浮置空穴注入层50与第一子像素101的空穴注入层5的段差、和浮置空穴注入层50与第一子像素101的空穴注入层5的段差使得形成于空穴注入层5的远离衬底1的一侧的第一子像素101的第一发光元件61与第二子像素102的第一发光元件61之间断开。例如，浮置第一发光层60到主表面11的距离小于像素界定层4的第一部分41的远离衬底1的上表面到主表面11的距离且小于像素界定层4的第二部分42的远离衬底1的上表面到主表面11的距离，即，浮置第一发光层60与像素界定层4的第一部分41的远离衬底1的上表面和第二部分42的远离衬底1的上表面之间在垂直于主表面11的方向上均存在段差。

接着，如图7F所示，利用同一材料和同一道膜层形成工艺(例如为同一道溅射工艺)在像素界定层4的远离衬底1的一侧形成第一子像素101的电荷产生层3、第二子像素102的电荷产生层3和浮置电荷产生层30；第浮置电荷产生层30位于第一凹槽40中且与浮置空穴注入层50和浮置第一发光层60堆叠于第一底面40a上；第一子像素101的电荷产生层3位于第一堆叠部41的远离主表面11的一侧，第二子像素102的电荷产生层3位于第二堆叠部42的远离主表面11的一侧，并且，利用第一凹槽40在垂直于衬底1方向上的深度H使得第一子像素101的电荷产生层3与浮置电荷产生层30断开、以及第二子像素102的电荷产生层3与浮置电荷产生层30断开，也即，利用该浮置第一发光层60与第一子像素101的第一发光元件61的段差、和浮置第一发光层60与第一子像素101的第一发光元件61的段差使得形成于第一发光元件61的远离衬底1的一侧的第一子像素101的电荷产生层3与第二子像素102的电荷产生层3之间断开，且能够保证这两者彼此断开的可靠性。

如图7G所示，形成第二发光元件62，例如，第二发光元件62覆盖第一子像素101和第二子像素101，填充第一凹槽40且是连续的。由于第二发光元件62位于电荷产生层3的远离衬底1的一侧，因此不需要第二发光元件62在第一子像素101和第二子像素102之间的间隔SP中断开。例如，第二发光元件62的远离衬底1的表面是平坦表面，类似于平坦层。当然，在其他实施例中，第二发光元件62也可以在第一子像素101和第二子像素102之间的间隔SP中断开。

如图7G所示，依次形成发光器件的第二电极2和封装层7，从而形成图2所示的显示面板。

图8A-8J为本公开一实施例提供的图5所示的显示面板的制作方法示意图。下面结合图8A-8J对该显示面板的制作方法进行介绍。这里以显示面板的两个相邻的子像素，即第一子像素101和第二子像素102为例进行介绍，对于其他的子像素也是如此。

如图8A所示，提供衬底1，衬底1具有主表面11。例如衬底1的材料为氧化硅、氮化硅等，例如该衬底1为硅基基板的最上方的氧化硅层。显示面板的制作方法包括在衬底1上形成多个子像素，多个子像素中的每个子像素包括位于主表面11上的发光器件；在主表面11上形成金属电极材料层(未示出)，例如金属电极材料层包括多个堆叠的多个金属层，对金属电极材料层执行构图工艺以形成第一子像素101的第一电极21的金属电极层和第二子像素102的第一电极21的金属电极层。具体与图7A所示的工序相同，请参考之前的描述。

如图8B所示，在主表面11的中间部分1a上形成第二凹槽13。

如图8C所示，形成第一刻蚀阻挡层81，第二凹槽13具有与主表面11基本平行的第二底面130，第一刻蚀阻挡层81位于第二凹槽13中且位于第二底面130上。形成第一刻蚀阻挡层81包括：形成覆盖第一子像素101的第一电极21的金属电极层、第二子像素102的第一电极21的金属电极层、以及第二底面130的透明电极材料层(未示出)，对透明电极材料层执行一道构图工艺以形成第一子像素101的第一电极21的覆盖其金属电极层的透明电极层21d、第二子像素102的第一电极21的覆盖其金属电极层的透明电极层21d、以及第一刻蚀阻挡层81，以充分利用透明电极层21d与第一刻蚀阻挡层81的功能和位置关系，利用对同一膜层执行同一道构图工艺形成透明电极层21d与第一刻蚀阻挡层8，节省了工艺步骤，无需为了设置第一刻蚀阻挡层81而额外增添构图工艺。

如图8D所示，形成覆盖第一子像素101的第一电极21、第二子像素102的第一电极21和第二凹槽13的像素界定材料层40-1。

如图8E所示，对像素界定材料层40-1执行构图工艺以形成断口40b和开口区从而形成像素界定层4，像素界定层4包括间隔部401、第一堆叠部41和第二堆叠部42。间隔部401位于第一子像素101的第一电极21与第二子像素102的第一电极21之间的间隔SP中；第一堆叠部41在垂直于主表面11的方向上堆叠于第一子像素101的第一电极21的远离衬底1基板的一侧；第二堆叠部42在垂直于主表面11的方向上堆叠于第二子像素102的第一电极21的远离衬底1基板的一侧，间隔部401包括第一凹槽40；断口40b位于像素界定层4的间隔部401在第二凹槽13处且贯穿间隔部401，第二凹槽13与第一凹槽40通过断口40b连通。例如采用刻蚀例如湿刻法对在对像素界定层4进行构图的过程中，第一刻蚀阻挡层81可以阻挡刻蚀第二凹槽13的第二底面130，从而使得整个显示面板的多个第二凹槽13具有相等的深度，从而使后续形成的各个子像素的空穴注入层、电荷产生层等各个膜层具有均与一致的结构，防止Mura显示不良，提高显示质量。刻蚀液除了刻蚀掉用于形成像素界定层4的材料层之外会将第二凹槽13的槽壁的没有被第一刻蚀阻挡层81覆盖的部分继续进行刻蚀，包括将第二凹槽13的与其第二底面130相交的侧面13a/13b继续进行刻蚀，从而使第二凹槽13的侧面13a/13b朝向远离第一刻蚀阻挡层81的方向凹陷，更加有利于后续使得在像素界定层4之上、第一凹槽40之中的相邻子像素的膜层(电荷产生层3、第一发光层61、空穴注入层5)断开。即，在形成第二刻蚀阻挡层82之后对第二凹槽13进行刻蚀，第二刻蚀阻挡层82具有固定的厚度，且可阻止在后续刻蚀工艺中例如刻蚀形成像素界定层4的过程中对衬底1的被第二刻蚀阻挡层82遮挡的部分进行刻蚀，从而可通过控制相邻的子像素100之间的第二刻蚀阻挡层82在垂直于主表面11方向上的厚度相等，来实现相邻的子像素100之间的第一凹槽400具有相同的深度，从而保证后续形成的多个子像素的功能层结构均一，防止Mura不良，提高显示面板的显示均一性。

例如，第二刻蚀阻挡层82在垂直于主表面11方向上的厚度与第一电极21在垂直于主表面11方向上的厚度T1/T2相等；例如多个子像素的第一电极21在垂直于主表面11方向上的厚度相等，有利于提高显示面板的显示均一性。

例如，使得沿从主表面11到第二凹槽13的底面的方向，第二凹槽13在平行于主表面11方向上的尺寸先逐渐增大再逐渐减小，或者使得第二凹槽13在平行于主表面11方向上的尺寸逐渐变大，以更加有利于后续使得在像素界定层4之上、第一凹槽40之中的相邻子像素的膜层(电荷产生层3、第一发光层61、空穴注入层5)通过第二凹槽13断开。

如图8F所示，利用同一材料和同一道膜层形成工艺(例如包括同一道溅射工艺)在像素界定层4的远离衬底1的一侧形成第一子像素101的空穴注入层5、第二子像素102的空穴注入层5和浮置空穴注入层50；第二凹槽13具有与主表面11基本平行的第二底面130，浮置空穴注入层50包括第一部分50a和第二部分50b，第一部分50a和第二部分50b位于第一凹槽40中，由于断口40b和第二凹槽13连通而形成的段差，第一部分50a与第二部分50b被间隔开。浮置空穴注入层50的第一部分50a和第二部分50b位于底面40a上且分别位于断口40b的相对的两侧。例如，浮置空穴注入层50还包括第三部分50c，第三部分50c位于第二凹槽13中，且位于第一刻蚀阻挡层81的远离衬底1的一侧。

如图8G所示，利用同一材料和同一道膜层形成工艺(例如包括同一道溅射工艺)在空穴注入层5的远离衬底1的一侧形成第一子像素101的第一发光元件61、第二子像素102的第一发光元件61和浮置发光层60；浮置发光层60包括第一部分60a和第二部分60b，第一部分60a和第二部分60b位于第二凹槽13中，由于断口40b和第二凹槽13连通而形成的段差，第一部分60a与第二部分60b被间隔开。浮置发光层60的第一部分60a和第二部分60b位于底面40a上且分别位于断口40b的相对的两侧。浮置发光层60的第一部分60a与浮置空穴注入层50的第一部分50a堆叠，且位于浮置空穴注入层50的第一部分50a的远离衬底1的一侧；浮置发光层60的第二部分60b与浮置空穴注入层50的第二部分50b堆叠，且位于浮置空穴注入层50的第二部分50b的远离衬底1的一侧。例如，浮置发光层60还包括第三部分60c，第三部分60c位于第二凹槽13中且位于浮置空穴注入层50的第三部分50c的远离衬底1的一侧。

如图8H所示，利用同一材料和同一道膜层形成工艺(例如包括同一道溅射工艺)在像素界定层4的远离衬底1的一侧形成第一子像素101的电荷产生层3、第二子像素102的电荷产生层3和浮置电荷产生层30。浮置电荷产生层30位于第二凹槽13中，与第一刻蚀阻挡层81、浮置空穴注入层50的第三部分50c、浮置发光层60的第三部分60c堆叠，位于浮置发光层60的第三部分60c的远离第二底面130的一侧。第一子像素101的电荷产生层3位于第一堆叠部41的远离主表面11的一侧，第二子像素102的电荷产生层3位于第二堆叠部42的远离主表面11的一侧，第一子像素101的电荷产生层3与浮置电荷产生层30断开，第二子像素102的电荷产生层3与浮置电荷产生层30断开。由于断口40b和第二凹槽13连通而形成的段差，浮置电荷产生层30包括被间隔开的第一部分30a和第二部分30b，从而进一步有效保证第一子像素101的电荷产生层3与第二子像素102的电荷产生层3彻底断开地效果。

如图8I-8J所示，依次在电荷产生层3的远离衬底1的一侧形成第二发光元件62、第二电极22和封装层7，从而形成图3所示的显示面板。

图9A-9G为本公开一实施例提供的图5所示的显示面板的制作方法示意图。下面结合图9A-9J对该显示面板的制作方法进行介绍。这里以显示面板的两个相邻的子像素，即第一子像素101和第二子像素102为例进行介绍，对于其他的子像素也是如此。

如图9A所示，提供衬底1，衬底1具有主表面11。例如衬底1的材料为氧化硅、氮化硅等，例如该衬底1为硅基基板的最上方的氧化硅层。显示面板的制作方法包括在衬底1上形成多个子像素，多个子像素中的每个子像素包括位于主表面11上的发光器件。

例如，如图9A所示，显示面板的制作方法包括：在主表面11上形成第二刻蚀阻挡层82，第二刻蚀阻挡层82位于第一子像素101的第一电极21与第二子像素102的第一电极21的间隔SP中。显示面板的制作方法包括：在主表面11上形成金属电极材料层，对金属电极材料层执行一次构图工艺以形成第一子像素101的第一电极21的金属电极层、第二子像素102的第一电极21的金属电极层和第二刻蚀阻挡层82的金属电极层，第二刻蚀阻挡层82的金属电极层位于第一子像素101的第一电极21的金属电极层与第二子像素102的第一电极21的金属电极层之间。形成金属电极层后，形成覆盖第一子像素101的第一电极21的金属电极层、第二子像素102的第一电极21、以及第二刻蚀阻挡层82的金属电极层的透明电极材料层，对透明电极材料层执行一次构图工艺以形成第一子像素101的第一电极21的覆盖其金属电极层的透明电极层21d、第二子像素102的第一电极21的覆盖其金属电极层的透明电极层21d、以及第二刻蚀阻挡层82的覆盖其金属电极层的透明电极层21d。该设计充分利用了原有的第一电极的位置和结构，对用于制作第一电极的材料层执行同一次构图工艺形成第二刻蚀阻挡层82，因此，不需要为设置第二刻蚀阻挡层82而单独增加构图工艺，简化了显示面板的制作工艺。

例如，金属电极层为Ti/Al/Ti/ITO叠层结构。如图9A所示，金属电极层包括在衬底 1的主表面上堆叠设置的第一子层21a、第二子层21b和第三子层21c，例如第一子层21a的材料是金属钛(Ti)，第二子层21b的材料是金属铝(Al)，第三子层21c的材料是金属钛(Ti)，从而形成第一子层21a、第二子层21b和第三子层21c构成Ti/Al/Ti/ITO叠层结构。例如透明电极层21的材料为透明导电材料，例如为ITO、IZO等。

如图9B所示，在第一子像素101的第一电极21和第二子像素102的第一电极21的远离衬底1的一侧形成覆盖第一子像素101的第一电极21、第二子像素102的第一电极21、以及第二刻蚀阻挡层82的像素界定材料层，对像素界定材料层执行第一次构图工艺以形成暴露各个子像素的第一电极21的多个开口区。

如图9C所示，对像素界定材料层执行第二次构图工艺以形成第一凹槽40，第一凹槽40位于第二刻蚀阻挡层82的远离衬底1基板的一侧，且暴露第二刻蚀阻挡层82的远离衬底1基板的上表面的至少部分。

如图9D所示，利用同一材料和同一道膜层形成工艺(例如包括同一道溅射工艺)在像素界定层4的远离衬底1的一侧形成第一子像素101的空穴注入层5、第二子像素102的空穴注入层5和浮置空穴注入层50；在通过沉积或溅射形成空穴注入层5的过程中，利用第一凹槽400形成的在垂直于衬底1的主表面11方向上的段差可将第一子像素101的空穴注入层5和第二子像素102的空穴注入层5彼此断开。在每个子像素中，空穴注入层5与第一电极21堆叠且接触；浮置空穴注入层50位于第一凹槽400中，与第二刻蚀阻挡层82堆叠，且位于第二刻蚀阻挡层82的远离衬底1的一侧。例如，浮置空穴注入层50到主表面11的距离小于像素界定层4的第一部分41到主表面11的距离且小于像素界定层4的第二部分42到主表面11的距离，即，浮置空穴注入层50与像素界定层4的第一部分41的远离衬底1的上表面和第二部分42的远离衬底1的上表面之间在垂直于主表面11的方向上均存在段差。

如图9E所示，利用同一材料和同一道膜层形成工艺(例如包括同一道溅射工艺)在空穴注入层5的远离衬底1的一侧形成第一子像素101的第一发光元件61、第二子像素102的第一发光元件61和浮置发光层60；在形成第一发光元件61的过程中，利用第一凹槽400形成的在垂直于衬底1的主表面11方向上的段差、以及浮置空穴注入层50与像素界定层4的第一部分41的远离衬底1的上表面和第二部分42的远离衬底1的上表面之间在垂直于主表面11的方向上均存在的段差，可将第一子像素101的第一发光元件61和第二子像素102的第一发光元件61彼此断开。在每个子像素中，第一发光元件61与空穴注入层5堆叠且接触；浮置发光层60位于第一凹槽400中，与浮置空穴注入层50堆叠，且位于浮置空穴注入层50的远离衬底1的一侧。例如，浮置第一发光层60到主表面11的距离小于像素界定层4的第一部分41的远离衬底1的上表面到主表面11的距离且小于像素界定层4的第二部分42的远离衬底1的上表面到主表面11的距离，即，浮置第一发光层60与像素界定层4的第一部分41的远离衬底1的上表面和第二部分42的远离衬底1的上表面之间在垂直于主表面11的方向上均存在段差。

如图9F所示，利用同一材料和同一道膜层形成工艺(例如包括同一道溅射工艺)在第一发光元件61的远离衬底1的一侧形成第一子像素101的电荷产生层3、第二子像素102的电荷产生层3和浮置电荷产生层30；在形成电荷产生层3的过程中，利用第一凹槽400形成的在垂直于衬底1的主表面11方向上的段差、以及浮置第一发光层60与像素界定层4的第一部分41的远离衬底1的上表面和第二部分42的远离衬底1的上表面之间在垂直于主表面11的方向上均存在的段差，可将第一子像素101的电荷产生层3和第二子像素102的电荷产生层3彼此断开。在每个子像素中，电荷产生层3与、第一发光元件61和空穴注入层5堆叠；浮置电荷产生层30位于第一凹槽400中，与浮置第一发光层60和浮置空穴注入层50堆叠，且位于浮置第一发光层60的远离衬底1的一侧。例如，浮置电荷产生层30到主表面11的距离小于像素界定层4的第一部分41到主表面11的距离且小于像素界定层4的第二部分42到主表面11的距离，以保证第一子像素101的电荷产生层3和第二子像素102的电荷产生层3彼此断开的效果。当然，在其他实施例中，浮置电荷产生层30到主表面11的距离可以大于或等于像素界定层4的第一部分41到主表面11的距离且小于像素界定层4的第二部分42到主表面11的距离，只要第一子像素101的电荷产生层3和第二子像素102的电荷产生层3彼此断开即可。

如图9G所示，依次在电荷产生层3的远离衬底1的一侧形成第二发光元件62、第二电极22和封装层7，从而形成图5所示的显示面板。

以上所述仅是本公开的示范性实施方式，而非用于限制本公开的保护范围，本公开的保护范围根据权利要求书所界定的范围确定。

Claims

一种显示面板，包括：

衬底，具有主表面；

多个子像素，其中，所述多个子像素中的每个子像素包括位于所述主表面上的发光器件，所述发光器件包括在垂直于所述主表面的方向上堆叠的第一电极和电荷产生层，所述电荷产生层位于所述第一电极的远离所述衬底的一侧；以及

像素界定层，位于所述主表面上，且限定出多个开口区，其中，所述多个开口区与所述多个子像素一一对应且暴露对应的所述子像素的第一电极的至少部分；

所述多个子像素中包括相邻的第一子像素和第二子像素，所述第一子像素的第一电极和所述第二子像素的第一电极之间存在间隔，所述像素界定层包括位于所述间隔中且朝向所述主表面凹陷的第一凹槽，所述第一子像素的电荷产生层与所述第二子像素的电荷产生层被所述第一凹槽间隔开；

所述像素界定层包括位于所述多个子像素中不同的所述相邻的两个子像素之间的间隔中的多个所述第一凹槽，所述多个第一凹槽在垂直于所述主表面方向上的深度相等。
根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述像素界定层包括：

间隔部，位于所述第一子像素的第一电极与所述第二子像素的第一电极之间的间隔中；

第一堆叠部，在垂直于所述主表面的方向上堆叠于所述第一子像素的第一电极的远离所述衬底基板的一侧；以及

第二堆叠部，在垂直于所述主表面的方向上堆叠于所述第二子像素的第一电极的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述间隔部包括所述第一凹槽。
根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述主表面具有位于所述间隔的中间部分，所述主表面的中间部分是平坦的，所述间隔部位于所述主表面的中间部分上；所述第一凹槽具有与所述主表面基本平行的第一底面；

所述显示面板还包括：

浮置电荷产生层，位于所述第一凹槽中且位于所述第一底面上，且与所述第一子像素的电荷产生层和所述第二子像素的电荷产生层材料相同，其中，

所述第一子像素的电荷产生层位于所述第一堆叠部的远离所述主表面的一侧，所述第二子像素的电荷产生层位于所述第二堆叠部的远离所述主表面的一侧；

所述第一子像素的电荷产生层与所述浮置电荷产生层断开，所述第二子像素的电荷产生层与所述浮置电荷产生层断开。
根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第一堆叠部、所述间隔部和所述第二堆叠部构成连续的一体结构；

所述像素界定层的间隔部覆盖且直接接触所述第一子像素的第一电极的靠近所述第二子像素的第一电极的侧表面、所述主表面的平坦的中间部分、以及所述第二子像素的第一电极的靠近所述第一子像素的第一电极的侧表面；

所述第一堆叠部覆盖且直接接触所述第一子像素的第一电极的远离所述衬底基板的上表面的一部分，所述第二堆叠部覆盖且直接接触所述第二子像素的第一电极的远离所述衬底基板的上表面的一部分。
根据权利要求3或4所述的显示面板，其中，所述第一子像素的电荷产生层在所述主表面上的正投影的靠近所述第二子像素的边缘与所述浮置电荷产生层在所述主表面上的正投影的靠近所述第一子像素的边缘相接，所述第二子像素的电荷产生层在所述主表面上的正投影的靠近所述第一子像素的边缘与所述浮置电荷产生层在所述主表面上的正投影的靠近所述第二子像素的边缘相接。
根据权利要求3-5任一所述的显示面板，其中，所述多个子像素的第一电极在垂直于所述主表面方向上的厚度相等，所述多个子像素中的每个的第一电极的厚度不小于450μm，所述第一凹槽在垂直于所述主表面的方向上的深度不小于900μm。
根据权利要求3-6任一所述的显示面板，其中，所述第一子像素的第一电极在垂直于所述主表面方向上的厚度与所述像素界定层在垂直于所述主表面方向上的厚度之比、以及所述第二子像素的第一电极在垂直于所述主表面方向上的厚度与所述像素界定层在垂直于所述主表面方向上的厚度之比均不小于2。
根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述主表面具有位于所述间隔的中间部分，所述主表面的中间部分具有第二凹槽，所述像素界定层的间隔部在所述第二凹槽处具有贯穿所述间隔部的断口，所述第二凹槽与所述第一凹槽通过所述断口连通；

所述第二凹槽具有与所述主表面基本平行的第二底面，所述显示面板还包括第一刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层位于所述第二凹槽中且位于所述第二底面上，并且，所述第一刻蚀阻挡层的材料与所述衬底的材料不同、且与所述像素界定层的材料不同；

所述显示面板还包括：

浮置电荷产生层，位于所述第二凹槽中且位于所述第一刻蚀阻挡层的远离所述第二底面的一侧，与所述第一子像素的电荷产生层和所述第二子像素的电荷产生层材料相同，其中，

所述第一子像素的电荷产生层位于所述第一堆叠部的远离所述主表面的一侧，所述第二子像素的电荷产生层位于所述第二堆叠部的远离所述主表面的一侧；

所述第一子像素的电荷产生层与所述浮置电荷产生层断开，所述第二子像素的电荷产生层与所述浮置电荷产生层断开。
根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述多个子像素的每个的第一电极包括在垂直于所述主表面方向上堆叠的金属电极层和透明电极层，所述透明电极层覆盖所述金属电极层，所述第一刻蚀阻挡层与所述透明电极层材料相同且同层设置。
根据权利要求8所述的显示面板，其中，沿从所述主表面到所述第二凹槽的底面的方向，所述第二凹槽在平行于所述主表面方向上的尺寸逐渐变大，或者先逐渐增大再逐渐减小。
根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述第二凹槽的沿垂直于所述主表面的截面的形状为梯形或不规则图形，所述不规则图形包括所述与所述主表面基本平行的底边和彼此相对且均与所述底边相交的第一侧边和第二侧边，所述第一侧边朝向远离所述第二侧边的方向凹陷，第二侧边朝向远离所述第一侧边的方向凹陷。
根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括：

第二刻蚀阻挡层，位于所述主表面上且位于所述间隔中，并且与所述第一子像素的第一电极和所述第二子像素的第一电极材料相同且同层间隔设置；

所述第一凹槽位于所述第二刻蚀阻挡层的远离所述衬底基板的一侧，且暴露所述第二刻蚀阻挡层的远离所述衬底基板的上表面的至少部分。
根据权利要求12所述的显示面板，其中，沿从远离所述主表面到靠近所述主表面的方向，所述第一凹槽在平行于所述主表面方向上的尺寸逐渐变大，或者先逐渐增大再逐渐减小。
根据权利要求1-13任一所述的显示面板，其中，所述发光器件包括发射第一颜色的光的第一发光元件和发射第一颜色的光的第二发光元件，所述第一颜色和所述第二颜色不同，所述电荷产生层位于所述第一发光元件和所述第二发光元件之间并连接所述第一发光元件和所述第二发光元件。
一种显示装置，包括权利要求1-14任一所述的显示面板。
一种显示面板的制作方法，包括：

提供衬底，其中，所述衬底具有主表面；

在所述衬底上形成多个子像素，其中，所述多个子像素中的每个子像素包括位于所述主表面上的发光器件，所述发光器件包括在垂直于所述主表面的方向上堆叠的第一电极和电荷产生层，所述电荷产生层位于所述第一电极的远离所述衬底的一侧；以及

形成像素界定层，其中，所述像素界定层位于所述主表面上，且限定出多个开口区，其中，所述多个开口区与所述多个子像素一一对应且暴露对应的所述子像素的第一电极的至少部分；

所述多个子像素中包括相邻的第一子像素和第二子像素，所述第一子像素的第一电极和所述第二子像素的第一电极之间存在间隔，所述像素界定层包括位于所述间隔中且朝向所述主表面凹陷的第一凹槽，所述第一子像素的电荷产生层与所述第二子像素的电荷产生层被所述第一凹槽间隔开；

所述像素界定层包括位于所述多个子像素中不同的所述相邻的两个子像素之间的间隔中的多个所述第一凹槽，所述多个第一凹槽在垂直于所述主表面方向上的深度相等。
根据权利要求16所述的显示面板的制作方法，其中，所述主表面具有位于所述间隔中的中间部分，所述主表面的中间部分是平坦的；

形成所述第一凹槽包括：

在所述主表面上形成所述第一子像素的第一电极和所述第二子像素的第一电极，其中，所述第一子像素的第一电极和所述第二子像素的第一电极暴露所述主表面的位于所述间隔中的部分；以及

在所述第一子像素的第一电极和所述第二子像素的第一电极的远离所述衬底的一侧形成像素界定材料层以利用所述第一子像素的第一电极在垂直于所述主表面方向上的厚度与所述第二子像素的第一电极在垂直于所述主表面方向上的厚度而在形成所述像素界定材料层的同时形成所述第一凹槽，其中，不需要对像素界定材料层进行构图而形成第一凹槽。
根据权利要求17所述的显示面板的制作方法，包括：

对所述像素界定材料层进行构图工艺以形成所述多个开口区从而形成所述像素界定层；以及

利用同一材料和同一道膜层形成工艺在所述像素界定层的远离所述衬底的一侧形成所述第一子像素的电荷产生层、所述第二子像素的电荷产生层和浮置电荷产生层，其中，

所述第一凹槽具有与所述主表面基本平行的第一底面，所述浮置电荷产生层位于所述第一凹槽中且位于所述第一底面上，

所述第一子像素的电荷产生层位于所述第一堆叠部的远离所述主表面的一侧，所述第二子像素的电荷产生层位于所述第二堆叠部的远离所述主表面的一侧，并且，

利用所述第一凹槽在垂直于所述衬底方向上的深度使得所述第一子像素的电荷产生层与所述浮置电荷产生层断开、以及所述第二子像素的电荷产生层与所述浮置电荷产生层断开。
根据权利要求18所述的显示面板的制作方法，其中，所述像素界定层包括：

间隔部，位于所述第一子像素的第一电极与所述第二子像素的第一电极之间的间隔中；

第一堆叠部，在垂直于所述主表面的方向上堆叠于所述第一子像素的第一电极的远离所述衬底基板的一侧；以及

第二堆叠部，在垂直于所述主表面的方向上堆叠于所述第二子像素的第一电极的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述间隔部包括所述第一凹槽；

所述像素界定层的间隔部覆盖且直接接触所述第一子像素的第一电极的靠近所述第二子像素的第一电极的侧表面、所述主表面的位于所述间隔的部分、以及所述第二子像素的第一电极的靠近所述第一子像素的第一电极的侧表面；

所述第一堆叠部覆盖且直接接触所述第一子像素的第一电极的远离所述衬底基板的上表面的一部分，所述第二堆叠部覆盖且直接接触所述第二子像素的第一电极的远离所述衬底基板的上表面的一部分。
根据权利要求16所述的显示面板的制作方法，其中，所述主表面具有位于所述间隔的中间部分，所述制作方法包括：

在所述主表面的中间部分上形成第二凹槽；

形成第一刻蚀阻挡层，其中，所述第二凹槽具有与所述主表面基本平行的第二底面，所述第一刻蚀阻挡层位于所述第二凹槽中且位于所述第二底面上；以及

形成覆盖所述第一子像素的第一电极、所述第二子像素的第一电极和所述第二凹槽的像素界定材料层；

对所述像素界定材料层执行构图工艺以形成断口和所述开口区从而形成所述像素界定层，其中，所述像素界定层包括：

间隔部，位于所述第一子像素的第一电极与所述第二子像素的第一电极之间的间隔中；

第一堆叠部，在垂直于所述主表面的方向上堆叠于所述第一子像素的第一电极的远离所述衬底基板的一侧；以及

第二堆叠部，在垂直于所述主表面的方向上堆叠于所述第二子像素的第一电极的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述间隔部包括所述第一凹槽；

所述断口位于像素界定层的间隔部在所述第二凹槽处且贯穿所述间隔部，所述第二凹槽与所述第一凹槽通过所述断口连通。
根据权利要求20所述的显示面板的制作方法，包括：

在所述主表面上形成金属电极材料层，对所述金属电极材料层执行构图工艺以形成所述第一子像素的第一电极的金属电极层和所述第二子像素的第一电极的金属电极层；以及

形成覆盖所述第一子像素的第一电极的金属电极层、所述第二子像素的第一电极的金属电极层、以及所述第二底面的透明电极材料层，对所述透明电极材料层执行构图工艺以形成所述第一子像素的第一电极的覆盖其金属电极层的透明电极层、所述第二子像素的第一电极的覆盖其金属电极层的透明电极层、以及所述第一刻蚀阻挡层。
根据权利要求20所述的显示面板的制作方法，还包括：

利用同一材料和同一道膜层形成工艺在所述像素界定层的远离所述衬底的一侧形成所述第一子像素的电荷产生层、所述第二子像素的电荷产生层和浮置电荷产生层，其中，

所述第二凹槽具有与所述主表面基本平行的第二底面，所述浮置电荷产生层位于所述第二凹槽中且位于所述第一刻蚀阻挡层的远离所述第二底面的一侧，

所述第一子像素的电荷产生层位于所述第一堆叠部的远离所述主表面的一侧，所述第二子像素的电荷产生层位于所述第二堆叠部的远离所述主表面的一侧，

所述第一子像素的电荷产生层与所述浮置电荷产生层断开，所述第二子像素的电荷产生层与所述浮置电荷产生层断开。
根据权利要求22所述的显示面板的制作方法，还包括：

在形成所述第二刻蚀阻挡层之后对所述第二凹槽进行刻蚀，以使得沿从所述主表面到所述第二凹槽的底面的方向，所述第二凹槽在平行于所述主表面方向上的尺寸逐渐变大，或者先逐渐增大再逐渐减小。
根据权利要求16所述的显示面板的制作方法，包括：

在所述主表面上形成第二刻蚀阻挡层，其中，所述第二刻蚀阻挡层位于所述第一子像素的第一电极与所述第二子像素的第一电极的间隔中；

形成覆盖所述第一子像素的第一电极、所述第二子像素的第一电极、以及所述第二刻蚀阻挡层的像素界定材料层；以及

对所述像素界定材料层执行构图工艺以形成所述第一凹槽和所述多个开口区，其中，所述第一凹槽位于所述第二刻蚀阻挡层的远离所述衬底基板的一侧，且暴露所述第二刻蚀阻挡层的远离所述衬底基板的上表面的至少部分。
根据权利要求24所述的显示面板的制作方法，包括：

在所述主表面上形成金属电极材料层，对所述金属电极材料层执行一次构图工艺以形成所述第一子像素的第一电极的金属电极层、所述第二子像素的第一电极的金属电极层和第二刻蚀阻挡层的金属电极层，其中，所述第二刻蚀阻挡层的金属电极层位于所述第一子像素的第一电极的金属电极层与所述第二子像素的第一电极的金属电极层之间；以及

形成覆盖所述第一子像素的第一电极的金属电极层、所述第二子像素的第一电极、以及所述第二刻蚀阻挡层的金属电极层的透明电极材料层，对所述透明电极材料层执行一次构图工艺以形成所述第一子像素的第一电极的覆盖其金属电极层的透明电极层、所述第二子像素的第一电极的覆盖其金属电极层的透明电极层、以及所述第二刻蚀阻挡层的覆盖其金属电极层的透明电极层。