CN110459559B - 一种显示面板、其制作方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板、其制作方法及显示装置，该显示面板，包括：衬底基板，位于衬底基板之上的呈阵列排布的多个像素；每一个像素包括多个子像素；每一个子像素，包括：位于衬底基板之上的反射单元，位于反射单元之上的第一电极，位于第一电极之上的发光单元，以及位于发光单元之上的第二电极；在每一个像素中，各子像素的发光单元的结构相同，且各子像素对应的微腔腔长不同；微腔腔长为反射单元背离衬底基板的一侧与第二电极靠近衬底基板的一侧之间的距离。该显示面板，反射单元与第二电极之间构成了微腔结构，且每一个像素中，各子像素对应的微腔腔长不同，实现了对单个子像素的光调制，提高了显示面板的色域和亮度。

Description

一种显示面板、其制作方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种显示面板、其制作方法及显示装置。
背景技术
目前，微显示器具有广阔的市场应用空间，特别适合应用于头盔显示器、立体显示镜以及眼镜式显示器等，如与移动通讯网络、卫星定位等系统联在一起则可在任何地方、任何时间获得精确的图像信息，这在国防、航空、航天乃至单兵作战等军事应用上具有非常重要的军事价值。
微显示器具有多种类型，其中，硅基有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode,OLED)微显示器处于微电子技术和光电子技术的交叉点上，涉及的内容非常广泛，包括光电子学、微电子学、电子信息学和光学等领域，是一个涉及物理学、化学、材料学和电子学等多学科的研究领域。OLED技术和互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)技术的结合，是光电子产业和微电子产业的交叉集成，促进了新一代的微型显示的发展，也推进了硅上有机电子，甚至是硅上分子电子的研究和发展。相比于数字微镜显示器(Digital MicroMirror Device，DMD)和硅基液晶(Liquid crystalon silicon，LCOS)微显示器，硅基OLED微显示器拥有亮度高、色彩丰富、驱动电压低、响应速度快、功耗低等非常优秀的显示特性，具有非常优秀的用户体验，且OLED是一种全固态型器件，抗震性能好，工作温度范围宽(-40℃～85℃)，适合于军事和特殊应用，其亦属于自发光器件，不需要背光源，视角范围大，厚度薄，有利于减小系统体积，尤其适用于近眼显示系统。
将OLED微显示器应用于增强现实(Augmented Reality，AR)显示技术中，其显示屏幕要求最核心的产品指标就是亮度，因为AR产品在不同的工作环境和场景下需要调节自身屏体亮度，来实现适宜人眼的感官体验，尤其是在户外直对太阳这种模式下，需要我们提高器件亮度。而且，OLED作为微显示应用时，由于FMM的限制，无法实现高PPI，因而现有的全彩或技术均采用白光+彩膜的方式。而白光+彩膜的全彩化形式限制了OLED本身色域较高的优势，白光+彩膜的色域约为80％，而real RGB的色域均大于100，因此，如何提高OLED显示器的亮度和色域非常重要。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板、其制作方法及显示装置，用以解决现有技术中存在的无法提高OLED显示器的亮度和色域的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板之上的呈阵列排布的多个像素；
每一个所述像素包括多个子像素；
每一个所述子像素，包括：位于所述衬底基板之上的反射单元，位于所述反射单元之上的第一电极，位于所述第一电极之上的发光单元，以及位于所述发光单元之上的第二电极；
在每一个所述像素中，各所述子像素的所述发光单元的结构相同，且各所述子像素对应的微腔腔长不同；所述微腔腔长为所述反射单元背离所述衬底基板的一侧与所述第二电极靠近所述衬底基板的一侧之间的距离。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述显示面板中，还包括：位于所述反射单元的反射表面与所述第一电极的下表面之间的绝缘层；
在每一个所述像素中，各所述子像素对应的所述绝缘层的厚度不同。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述子像素还包括：位于所述第二电极背离所述衬底基板一侧的彩膜层。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述显示面板中，在每一个所述像素中，所述微腔腔长随着对应的所述子像素出射光线的波长的增大而增大。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述显示面板中，每一个所述像素中，各所述子像素的发光单元出射的光线为白光。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述发光单元，包括：红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述发光单元，还包括：电荷生成层；
所述绿色发光层位于所述红色发光层背离所述衬底基板的一侧，所述蓝色发光层位于所述绿色发光层背离所述衬底基板的一侧，所述电荷生成层位于所述绿色发光层与所述蓝色发光层之间。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述显示面板中，还包括：位于相邻的所述子像素之间的间隙中的填充结构；
所述填充结构在所述第一电极面向所述衬底基板的一侧。
第二方面，本发明实施例提供了一种上述显示面板的制作方法，包括：
在衬底基板上形成反射层的图形，以形成各子像素的反射单元；
在所述反射层之上形成各所述子像素的第一电极；
在各所述第一电极所在膜层之上形成各所述子像素的发光单元；
在各所述发光单元所在膜层之上形成各所述子像素的第二电极，且在每一个像素中，各所述子像素对应的微腔腔长不同；所述微腔腔长为所述反射层背离所述衬底基板的一侧与所述第二电极靠近所述衬底基板的一侧之间的距离。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，每一个所述像素包括N个所述子像素，将所述显示面板上所有的所述子像素分为N个子像素组，每一个所述子像素组中的各所述子像素的微腔腔长相同；
所述在所述反射层之上形成各所述子像素的第一电极，包括：
针对第一个所述子像素组，按照以下步骤制作所述子像素组中各所述子像素的所述第一电极：
在所述反射层之上形成第一绝缘层，并在所述第一绝缘层之上形成第一透明导电层的图形，以形成各所述子像素的所述第一电极；
针对第2～N个所述子像素组，按照以下步骤制作所述子像素组中的各所述子像素的所述第一电极：
在已经形成的各所述第一电极之上形成第二绝缘层，并在所述第二绝缘层之上形成第二透明导电层的图形，以形成各所述子像素的所述第一电极；
对所述第二绝缘层进行图形化，以露出已经形成的所有所述第一电极。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在所述反射层之上形成各所述子像素的第一电极之后，在各所述第一电极所在膜层之上形成各所述子像素的发光单元之前，还包括：
在各所述第一电极所在膜层之上形成第三绝缘层，并对所述第三绝缘层进行图形化，以形成相邻的所述子像素之间的像素限定结构。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在所述反射层之上形成第一绝缘层之后，在所述第一绝缘层上形成第一透明导电层的图形之前，还包括：
对所述第一绝缘层进行图形化，以形成贯穿所述第一绝缘层的第一通孔；
在所述第一绝缘层之上形成第一导电层；
对所述第一导电层进行化学机械研磨，以形成填充于所述第一通孔中的第一连接结构。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在所述形成第二绝缘层之后，所述在所述第二绝缘层之上形成第二透明导电层的图形之前，还包括：
对所述第一绝缘层和所有的所述第二绝缘层进行图形化，以形成贯穿所述第一绝缘层和所有的所述第二绝缘层的第二通孔；
在距离所述衬底基板最远的所述第二绝缘层之上形成第二导电层；
对所述第二导电层进行化学机械研磨，以形成填充于所述第二通孔中的第二连接结构。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在所述反射层之上形成第一绝缘层之后，在所述第一绝缘层之上形成第一透明导电层的图形之前，还包括：
对所述第一绝缘层进行图形化，以使所述第一绝缘层的图形与所述反射层的图形一致；
采用高密度等离子体工艺，在所述第一绝缘层之上形成致密层；
对所述致密层进行化学机械研磨，以形成相邻的所述子像素之间的间隙中的填充结构。
第三方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述显示面板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的显示面板、其制作方法及显示装置，该显示面板，包括：衬底基板，位于衬底基板之上的呈阵列排布的多个像素；每一个像素包括多个子像素；每一个子像素，包括：位于衬底基板之上的反射单元，位于反射单元之上的第一电极，位于第一电极之上的发光单元，以及位于发光单元之上的第二电极；在每一个像素中，各所述子像素的所述发光单元的结构相同，且各子像素对应的微腔腔长不同；微腔腔长为反射单元背离衬底基板的一侧与第二电极靠近衬底基板的一侧之间的距离。本发明实施例中的显示面板，通过在每个子像素中的第一电极与衬底基板之间设置反射单元，使反射单元与第二电极之间构成微腔结构，且每一个像素中，各子像素对应的微腔腔长不同，实现了对单个子像素的光调制，因而可以通过调整各子像素的微腔腔长，来提高各子像素的出射光线的纯度，提高了显示面板的色域和亮度，从而可以实现高亮模式的微显示器，适用于对高色域，高PPI的需求。
附图说明
图1为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图之一；
图2为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图之二；
图3为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图之三；
图4为本发明实施例提供的上述显示面板的制作方法流程图之一；
图5为本发明实施例提供的上述显示面板的制作方法流程图之二；
图6a至图6k为本发明实施例中上述制作方法过程中的结构示意图；
其中，101-衬底基板；102-像素限定结构；103-反射单元；104-第一电极；105-发光单元；106-第二电极；107-绝缘层；108-填充结构；109-接触层；201-空穴注入层；202-空穴传输层；203-红色发光层；204-绿色发光层；205-电子传输层；206-电荷生成层；207-蓝色发光层；208-电子注入层；501-第一绝缘层；502-光刻胶层；503-绝缘薄膜；504-致密层；505-第一导电结构；506-第二导电结构；507-第二绝缘层。
具体实施方式
针对现有技术中存在的无法提高OLED显示器的亮度和色域的问题，本发明实施例提供了一种显示面板、其制作方法及显示装置。
下面结合附图，对本发明实施例提供的显示面板、其制作方法及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，如图1所示，包括：衬底基板101，位于衬底基板101之上的呈阵列排布的多个像素；
每一个像素包括多个子像素(即图中的A1、A2和A3)；
每一个子像素，包括：位于衬底基板101之上的反射单元103，位于反射单元103之上的第一电极104，位于第一电极104之上的发光单元105，以及位于发光单元105之上的第二电极106；
在每一个像素中，各子像素的发光单元的结构相同，且各子像素对应的微腔腔长不同；微腔腔长为反射单元背离衬底基板的一侧与第二电极靠近衬底基板的一侧之间的距离(即图中d1、d2和d3所示的距离)。
本发明实施例中的显示面板，通过在每个子像素中的第一电极与衬底基板之间设置反射单元，使反射单元与第二电极之间构成微腔结构，且每一个像素中，各子像素对应的微腔腔长不同，实现了对单个子像素的光调制，使得白光OLED器件中的各子像素分别有各自的微腔光程，因而可以通过调整各子像素的微腔腔长，来提高各子像素的出射光线的纯度，从而提高了显示面板的色域和亮度，在不使用高精度金属掩膜版的情况下，也能实现高亮度和高色域的效果。
参照图1，本发明实施例中，均以每一个像素包括三个子像素为例进行说明，图1中以显示面板中的其中一个像素为例进行示意，该像素包括A1、A2和A3三个子像素，在实际应用中每一个像素中也可以包括其他数量的子像素，此处不对每一个像素中的子像素个数进行限定。在实际应用中，如图1所示，相邻的子像素之间由像素界定结构102分隔。
本发明实施例中，上述显示面板优选为OLED显示面板，上述第一电极优选为阳极，可以由氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)等透明导电材料制作，上述第二电极优选为阴极，可以由半透半反的金属材料制作，此外，第一电极也可以是阴极，第二电极也可以是阳极，此处不做限定。反射单元可以由金属材料制作，例如可以采用金属铝(Al)。
微腔是指两个反射镜面的光学长度，因而反射单元与阴极之间可以构成微腔结构，使显示面板形成具有强微腔效应的器件，由于反射单元的强反射效应，使得直接发出的光束和金属界面反射的光束相互干涉，从而拥有强微腔效应的器件可以窄化电致发光的发光光谱，进而提高色纯度，增加显示面板的色域，由于发生了干涉同时也加强了电致发光的强度，提高了显示面板的亮度。由于每一个像素中的各子像素对应的微腔腔长不同，例如图1中子像素A1、A2、A3对应的微腔腔长d1、d2、d3的长度不同，在实际应用中，可以通过调整各子像素的微腔腔长来提高各子像素的出射光线纯度。
本发明实施例中，在每一个像素中，各子像素的发光单元的结构相同，各子像素中的发光单元优选为包括红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层的叠层结构，通过对各子像素的微腔腔长进行调整，可以使各子像素的发光单元发出的光线偏向不同的颜色，例如可以使子像素A1的发光单元出射的光线偏向蓝色，子像素A2的发光单元偏向红色，子像素A3的发光单元偏向绿色，再结合彩膜层，可以使使得通过红色彩膜层的光线只有红光，通过绿色彩膜层的光线只有绿光，通过蓝色彩膜层的光线只有蓝光。
此外，本发明实施例提供的上述显示面板可以应用于硅基微显示器中，例如设置在头盔等近眼设备中的微显示器中，上述衬底基板优选为硅片(wafer)，在实际应用中，可以将显示面板的驱动部分，包括像素驱动，阵列基板行驱动(Gate Driver On Array，GOA)、以及集成芯片(IC)驱动部分等，全部集成于硅片上，之后再形成阳极、发光层、阴极，以及彩色滤光层等结构。然而，在制作过程中，由于高精度金属掩膜版(fine metal mask，FMM)的限制，无法实现大于800PPI的器件，而最为头盔的微显示器的PPI需要2000以上，因而，采用FMM掩膜版蒸镀发光层的方式不再适用于高PPI的白光OLED器件。而本发明实施例中，通过将每一个像素中的各子像素具有不同的微腔腔长，实现了对单个子像素的光调制效果，可以在不使用FMM掩膜版的情况下，就可以提高白光OLED器件的色域和亮度。
具体地，本发明实施例提供的上述显示面板中，如图1所示，还可以包括：位于反射单元103的反射表面与第一电极104的下表面之间的绝缘层107；
在每一个像素中，各子像素对应的绝缘层107的厚度不同。
参照图1，子像素A1对应的绝缘层的厚度为h1，子像素A2对应的绝缘层的厚度为h2，子像素A3对应的绝缘层的厚度为h3，通过设置各子像素对应的绝缘层的厚度不同，来实现各子像素对应的微腔腔长不同，从而在不改变第一电极、第二电极和发光层的结构的基础上，对各子像素的微腔腔长进行调节。各子像素对应的绝缘层厚度可以根据实际需要来确定，例如h1可以为
Figure BDA0001652401450000093
h2可以为
Figure BDA0001652401450000092
h3可以为
Figure BDA0001652401450000091
此处只是举例说明，并不对绝缘层的厚度进行限定。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示面板中，上述子像素还可以包括：位于第二电极背离衬底基板一侧的彩膜层；本发明实施例中每一个像素包括多个子像素，通过在第二电极背离衬底基板一侧设置彩膜层，从而实现显示面板的彩色显示，而且每一个像素中，各子像素对应的彩膜层的颜色不同，例如图1中子像素A1可以对应蓝色彩膜层，子像素A2可以对应红色彩膜层，子像素A3可以对应绿色彩膜层。
进一步地，本发明实施例提供的上述显示面板中，在每一个像素中，微腔腔长随着对应的子像素出射光线的波长的增大而增大。
微腔相位差δ＝2 j(λ/2)＝2 ndcosθ，其中j为整数，λ为出射光波长，n为微腔中介质的平均折射率，d为微腔腔长，θ为反射角；
从上述微腔相位差的公式可以看出微腔腔长与出射光波长呈正比，因而微腔腔长随着对应子像素出射光线的波长的增大而增大。此外，在具体实施时，也可以根据实际需要来设置微腔腔长，此处并不对微腔腔长的长度进行限定。
此外，如果获得增强干涉并使器件出光最优化，发光体需位于与金属电极距离和主要发光波长反节点相近的位置，也就是发光体至金属电极间往返光程的相位变化为2π的整数倍。
更进一步地，本发明实施例提供的上述显示面板中，如图2所示，还可以包括：位于相邻的子像素之间的间隙中的填充结构108；
填充结构108在第一电极104面向衬底基板101的一侧。
通过在相邻的子像素之间的间隙中设置填充结构108，可以起到强化固定的效果，防止后续形成的第一电极之间发生短接，在具体实施时，填充结构108优选为采用高密度等离子体(High density plasma，HDP)工艺制作，采用HDP工艺制作的膜层比较致密，因而填充结构108也比较致密，从而起到强化固定的效果。
在实际应用中，本发明实施例提供的上述显示面板中，每一个像素中，各子像素的发光单元出射的光线为白光。
每一个像素中，各子像素出射的白光光线通过对应的彩膜层后，可以实现彩色显示，此外，由于每一个像素中的各子像素均出射白光，因而可以将各子像素的发光单元设置为相同的结构。
具体地，上述发光单元，可以包括：红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层。这样，红色发光层出射的红光、绿色发光层出射的滤光与蓝色发光层出射的蓝光混合可以合成为白光光线。
进一步地，参照图3，上述发光单元，还可以包括：电荷生成,206；
绿色发光层204位于红色发光层203背离衬底基板101的一侧，蓝色发光层207位于绿色发光层204背离衬底基板101的一侧，电荷生成层206位于绿色发光层204与蓝色发光层207之间。
在具体实施时，发光单元可以通过叠层结构实现，如图3所示，每一个子像素中的发光单元，可以包括：在第一电极104指向第二电极106的方向上依次排布的空穴注入层(Hole Inject Layer，HIL)201、空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)202、红色发光层203、绿色发光层204、电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)205、电荷生成层(Charge generation layer，CGL)206、空穴注入层201、空穴传输层202、蓝色发光层207、电子传输层205以及电子注入层(Electron Inject Layer，EIL)208。不同子像素对应的发光单元的结构相同，且绝缘层的厚度不同，从而使反射单元103与第二电极106之间的微腔腔长不同。
第二方面，基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种上述显示面板的制作方法，由于该制作方法解决问题的原理与上述显示面板相似，因此该制作方法的实施可以参见上述显示面板的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的上述显示面板的制作方法，如图4所示，包括：
S301、在衬底基板上形成反射层的图形，以形成各子像素的反射单元；
S302、在反射层之上形成各子像素的第一电极；
S303、在各第一电极所在膜层之上形成各子像素的发光单元；
S304、在各发光单元所在膜层之上形成各子像素的第二电极，且在每一个像素中，各子像素对应的微腔腔长不同；微腔腔长为反射层背离衬底基板的一侧与第二电极靠近衬底基板的一侧之间的距离。
本发明实施例中的上述显示面板的制作方法，通过在每个子像素中的第一电极与衬底基板之间制作反射单元，使反射单元与后续形成的第二电极之间构成微腔结构，且每一个像素中，各子像素对应的微腔腔长不同，实现了对单个子像素的光调制，因而可以通过调整各子像素的微腔腔长，来提高各子像素的出射光线的纯度，从而提高了显示面板的色域和亮度。
在上述步骤S301中，衬底基板可以采用硅片(wafer)，反射层一般采用金属材料制作，例如可以采用金属铝(Al)，厚度可以大约为
Figure BDA0001652401450000111
参照图2，为了提高各反射单元与衬底基板的接触效果并增强粘性，还可以在形成反射层之前制作一层接触层109，接触层可以采用金属钛(Ti)，厚度大约在
Figure BDA0001652401450000112
Figure BDA0001652401450000113
由于反射层与接触层的图形一致，在实际制作过程中，可以将反射层与接触层采用相同的掩膜版以及相同的刻蚀工艺进行构图，具体地，在衬底基板上形成接触层和反射层之后，在反射层之上涂覆一层光刻胶，通过曝光显影的方式对光刻胶进行构图，从而使光刻胶遮挡不需要刻蚀的部分，之后进行刻蚀。此外，后续步骤S401中形成的第一绝缘层的图形与反射层的图形也可以是一致的，因而可以在形成第一绝缘层之后再进行刻蚀，也就是在形成第一绝缘层之后再涂覆光刻胶、曝光显影、刻蚀。
进一步地，本发明实施例提供的上述制作方法中，每一个像素包括N个子像素，将显示面板上所有的子像素分为N个子像素组，每一个子像素组中的各子像素的微腔腔长相同；
参照图5，上述步骤S302，可以包括：
针对第一个子像素组，按照以下步骤制作子像素组中各子像素的第一电极：
S401、在反射层之上形成第一绝缘层，并在第一绝缘层之上形成第一透明导电层的图形，以形成各子像素的第一电极；
针对第2～N个子像素组，按照以下步骤制作子像素组中的各子像素的第一电极：
S402、在已经形成的各第一电极之上形成第二绝缘层，并在第二绝缘层之上形成第二透明导电层的图形，以形成各子像素的第一电极；
S403、对第二绝缘层进行图形化，以露出已经形成的所有第一电极。
在本发明实施例中，由于每一个像素中的各子像素的微腔腔长不同，将显示面板上微腔腔长相同的子像素作为一个子像素组，则子像素组的个数与每一个像素中的子像素的个数相同。举例来说，每一个像素中包括A1、A2和A3三个子像素，则显示面板上所有的子像素可以分为三组，第一个子像素组中包括所有的子像素A1，第二个子像素组中包括所有的子像素A2，第三个子像素组中包括所有的子像素A3。
在上述步骤S401中，由于在制作第一个子像素组中的各第一电极时，衬底基板上没有第一电极，因而在步骤S401之后，不存在对第一绝缘层进行刻蚀以露出之前制作的第一电极的步骤，由于在步骤S401之前衬底基板上已经存在一些第一电极，因而在步骤S402之后需要对第二绝缘层进行图形化，从而露出之前制作的第一电极。在制作第2～N个子像素组的第一电极之前衬底基板上的结构类似，都是已经存在一些第一电极，因而第2～N个子像素组中制作第一电极的步骤相同，即步骤S402和步骤S403适用于第2～N个子像素组。
以下以每一个像素包括三个子像素A1、A2、A3为例，对上述步骤进行详细说明，每一个像素包括更多个子像素的情况与此类似，不再赘述：
将显示面板上的所有子像素分为三组，第一个子像素组中包括所有的子像素A1，第二个子像素组中包括所有的子像素A2，第三个子像素组中包括所有的子像素A3，以下按照第一个子像素组、第二个子像素组、第三个子像素组的顺序为例制作各第一电极，在具体实施时，优选为按照微腔腔长由小到大的顺序制作各子像素组中的第一电极，此处不对制作顺序进行限定；
针对第一个子像素组，如图6f所示，在反射层之上形成第一绝缘层501，并在第一绝缘层501之上形成第一透明导电层的图形，以形成各子像素A1的第一电极104；第一绝缘层可以采用SiO材料，厚度大约为
Figure BDA0001652401450000131
针对第二个子像素组，如图6g所示，在各子像素A1的第一电极104之上形成第二绝缘层507，并在第二绝缘层507之上形成第二透明导电层的图形，以形成各子像素A2的第一电极104；如图6h所示，对第二绝缘层507进行图形化，具体地，先在第二绝缘层507之上形成光刻胶层502，对光刻胶层502进行曝光显影等工艺，之后对第二绝缘层507进行刻蚀，以露出各子像素A1的第一电极104；
针对第三子像素组，如图6i所示，在已经形成的各第一电极104之上形成再形成一层第二绝缘层507，也就是该第二绝缘层507覆盖了之前制作的各子像素A1和各子像素A2的第一电极104，并在该第二绝缘层507之上形成第二透明导电层的图形，以形成各子像素A3的第一电极104；如图6j所示，对该第二绝缘层507进行图形化，以露出之前制作的各子像素A1和各子像素A2的第一电极104。
进一步地，本发明实施例提供的上述制作方法中，在上述步骤S302之后，在上述步骤S303之前，还可以包括：
在各第一电极所在膜层之上形成第三绝缘层，并对第三绝缘层进行图形化，以形成相邻的子像素之间的像素限定结构。
接着以上述每一个像素包括三个子像素A1、A2、A3为例，如图6k所示，在制作完显示面板上所有的第一电极104之后，在各第一电极104所在的膜层之上形成第三绝缘层(即图中像素限定结构102所在的膜层)，并对第三绝缘层进行图形化，以形成相邻子像素之间的像素限定结构102，图中以方形表示像素限定结构102，在具体实施时，可以根据实际需要来设置像素限定结构的形状，此处只是为了方便示意，并不对像素限定结构的图形进行限定。像素限定结构的高度可以设置为小于
Figure BDA0001652401450000141
优选为
Figure BDA0001652401450000142
像素限定结构的材料可以为氮化硅或氧化硅等材料。
具体地，本发明实施例提供的上述制作方法中，上述步骤S401中，在反射层之上形成第一绝缘层之后，在第一绝缘层上形成第一透明导电层的图形之前，还可以包括：
如图6d所示，对第一绝缘层501进行图形化，以形成贯穿第一绝缘层501的第一通孔L1；具体地，在第一绝缘层501之上涂覆一层光刻胶层502，对光刻胶层502进行曝光、显影等工艺，以使光刻胶层502遮挡不需要刻蚀的区域，露出需要刻蚀的区域，从而可以通过刻蚀得到第一通孔L1，图中以包括两个第一通孔L1为例进行示意，并不对第一通孔L1的数量进行限定；
在第一绝缘层501之上形成第一导电层；该第一导电层的材料优选为金属钨，也可以采用其他导电材料，此处不做限定；
对第一导电层进行化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)，以形成填充于第一通孔L1中的第一连接结构505，如图6e所示。
本发明实施例中，通过在第一绝缘层上形成第一通孔L1，并在第一通孔L1中填充导电材料，从而使后续形成的第一电极与反射单元实现电连接，便于后续对第一电极施加驱动信号。
具体地，本发明实施例提供的上述制作方法中，在上述步骤S402中，在形成第二绝缘层之后，在第二绝缘层之上形成第二透明导电层的图形之前，还可以包括：
参照图6g和图6i，对第一绝缘层501和所有的第二绝缘层507进行图形化，以形成贯穿第一绝缘层501和所有的第二绝缘层507的第二通孔L2；如图6g所示，在形成第二个子像素组中的各第一电极104之前，将要形成的该第一电极104与衬底基板101之间，包括第一绝缘层501和一层第二绝缘层507，因此，对于图6g所示的结构，对第一绝缘层501和一层第二绝缘层507进行刻蚀即可；如图6i所示，在形成第二个子像素组中的各第一电极104之后，将要形成的第三个子像素组中的第一电极104与衬底基板101之间，包括第一绝缘层501和两层第二绝缘层507，因此对于图6i所示的结构，需要对第一绝缘层501和两层第二绝缘层507进行刻蚀；图中以包括两个第二通孔L2为例进行示意，并不对第二通孔L2的数量进行限定；
在距离衬底基板101最远的第二绝缘层507之上形成第二导电层；该第一导电层的材料优选为金属钨，也可以采用其他导电材料，此处不做限定；
对第二导电层进行化学机械研磨(CMP)，以形成填充于第二通孔L2中的第二连接结构506。
本发明实施例中，通过形成贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的第二通孔L2，并在第二通孔L2中填充导电材料，从而使后续形成的第一电极与反射单元实现电连接，便于后续对第一电极施加驱动信号。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述制作方法中，在上述步骤S401中，在反射层之上形成第一绝缘层之后，在第一绝缘层之上形成第一透明导电层的图形之前，还可以包括：
对第一绝缘层501进行图形化，以使第一绝缘层501的图形与反射层的图形一致；如图6a所示，由于第一绝缘层501的图形与反射层的图形一致，因而可以在形成第一绝缘层501之后，采用相同的掩膜版对反射层、接触层以及第一绝缘层进行刻蚀，具体地，可以在形成第一绝缘层501之后，在第一绝缘层501上涂覆一层光刻胶层502，通过对光刻胶层502进行曝光显影等工艺，使需要刻蚀的区域裸露出来，通过刻蚀工艺对第一绝缘层501、反射层以及接触层109进行构图。
采用高密度等离子体(High density plasma，HDP)工艺，在第一绝缘层501之上形成致密层504，厚度大约为
Figure BDA0001652401450000151
如图6b所示；采用HDP工艺制作的膜层比较致密，因而填充结构108也比较致密，从而起到强化固定的效果。为了提高接触效果，在形成致密层504之前，还可以在第一绝缘层501之上形成一层约
Figure BDA0001652401450000161
的绝缘薄膜503，例如SiO薄膜；在形成致密层504之后还可以对致密层504进行固化(Post Bake)，以便后续对致密层504进行研磨；
对致密层504进行化学机械研磨(CMP)，以形成相邻的子像素之间的间隙中的填充结构，相邻子像素之间的间隙大约为0.2μm，因而形成的填充结构的宽度小于0.2μm，如图6c所示。由于填充结构的材料比较致密，也可以防止后续对绝缘层或透明导电材料刻蚀过程中发生过刻，防止后续形成的相邻的第一电极之间发生短接。
第三方面，基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述显示面板，该显示装置可以应用于手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。由于该显示装置解决问题的原理与上述显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例中的显示面板、其制作方法及显示装置，通过在每个子像素中的第一电极与衬底基板之间设置反射单元，使反射单元与第二电极之间构成微腔结构，且每一个像素中，各子像素对应的微腔腔长不同，实现了对单个子像素的光调制，使得白光OLED器件中的各子像素分别有各自的微腔光程，因而可以通过调整各子像素的微腔腔长，来提高各子像素的出射光线的纯度，从而提高了显示面板的色域和亮度，在不使用高精度金属掩膜版的情况下，也能实现高亮度和高色域的效果。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板之上的呈阵列排布的多个像素；
每一个所述像素包括多个子像素；
每一个所述子像素，包括：位于所述衬底基板之上的反射单元，位于所述反射单元之上的第一电极，位于所述第一电极之上的发光单元，以及位于所述发光单元之上的第二电极；
在每一个所述像素中，各所述子像素的所述发光单元的结构相同，且各所述子像素对应的微腔腔长不同；所述微腔腔长为所述反射单元背离所述衬底基板的一侧与所述第二电极靠近所述衬底基板的一侧之间的距离；
所述显示面板中的各所述反射单元分立设置；每一个所述子像素中，所述第一电极与所述反射单元电连接；
还包括：位于相邻的所述子像素之间的间隙中的填充结构；
所述填充结构在所述第一电极面向所述衬底基板的一侧。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：位于所述反射单元的反射表面与所述第一电极的下表面之间的绝缘层；
在每一个所述像素中，各所述子像素对应的所述绝缘层的厚度不同。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述子像素还包括：位于所述第二电极背离所述衬底基板一侧的彩膜层。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，在每一个所述像素中，所述微腔腔长随着对应的所述子像素出射光线的波长的增大而增大。
5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，每一个所述像素中，各所述子像素的发光单元出射的光线为白光。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述发光单元，包括：红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述发光单元，还包括：电荷生成层；
所述绿色发光层位于所述红色发光层背离所述衬底基板的一侧，所述蓝色发光层位于所述绿色发光层背离所述衬底基板的一侧，所述电荷生成层位于所述绿色发光层与所述蓝色发光层之间。
8.一种如权利要求1～7任一项所述的显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成反射层的图形，以形成各子像素的反射单元；所述显示面板中的各所述反射单元分立设置；
在所述反射层之上形成各所述子像素的第一电极；每一个所述子像素中，所述第一电极与所述反射单元电连接；
在各所述第一电极所在膜层之上形成各所述子像素的发光单元；
在各所述发光单元所在膜层之上形成各所述子像素的第二电极，且在每一个像素中，各所述子像素对应的微腔腔长不同；所述微腔腔长为所述反射层背离所述衬底基板的一侧与所述第二电极靠近所述衬底基板的一侧之间的距离。
9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，每一个所述像素包括N个所述子像素，将所述显示面板上所有的所述子像素分为N个子像素组，每一个所述子像素组中的各所述子像素的微腔腔长相同；
所述在所述反射层之上形成各所述子像素的第一电极，包括：
针对第一个所述子像素组，按照以下步骤制作所述子像素组中各所述子像素的所述第一电极：
在所述反射层之上形成第一绝缘层，并在所述第一绝缘层之上形成第一透明导电层的图形，以形成各所述子像素的所述第一电极；
针对第2～N个所述子像素组，按照以下步骤制作所述子像素组中的各所述子像素的所述第一电极：
在已经形成的各所述第一电极之上形成第二绝缘层，并在所述第二绝缘层之上形成第二透明导电层的图形，以形成各所述子像素的所述第一电极；
对所述第二绝缘层进行图形化，以露出已经形成的所有所述第一电极。
10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述反射层之上形成各所述子像素的第一电极之后，在各所述第一电极所在膜层之上形成各所述子像素的发光单元之前，还包括：
在各所述第一电极所在膜层之上形成第三绝缘层，并对所述第三绝缘层进行图形化，以形成相邻的所述子像素之间的像素限定结构。
11.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述反射层之上形成第一绝缘层之后，在所述第一绝缘层上形成第一透明导电层的图形之前，还包括：
对所述第一绝缘层进行图形化，以形成贯穿所述第一绝缘层的第一通孔；
在所述第一绝缘层之上形成第一导电层；
对所述第一导电层进行化学机械研磨，以形成填充于所述第一通孔中的第一连接结构。
12.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述形成第二绝缘层之后，所述在所述第二绝缘层之上形成第二透明导电层的图形之前，还包括：
对所述第一绝缘层和所有的所述第二绝缘层进行图形化，以形成贯穿所述第一绝缘层和所有的所述第二绝缘层的第二通孔；
在距离所述衬底基板最远的所述第二绝缘层之上形成第二导电层；
对所述第二导电层进行化学机械研磨，以形成填充于所述第二通孔中的第二连接结构。
13.如权利要求9～12任一项所述的制作方法，其特征在于，在所述反射层之上形成第一绝缘层之后，在所述第一绝缘层之上形成第一透明导电层的图形之前，还包括：
对所述第一绝缘层进行图形化，以使所述第一绝缘层的图形与所述反射层的图形一致；
采用高密度等离子体工艺，在所述第一绝缘层之上形成致密层；
对所述致密层进行化学机械研磨，以形成相邻的所述子像素之间的间隙中的填充结构。
14.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1～7任一项所述的显示面板。
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