CN107204400A - 显示基板及其制作方法以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种显示基板及其制作方法和显示装置。该显示基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的阳极结构、设置在阳极结构远离衬底基板的一侧的有机发光层以及设置在有机发光层远离衬底基板的一侧的阴极层。阳极结构包括反射层以及设置在反射层远离衬底基板一侧的无机层,阴极层包括半透半反层,无机层可调节反射层与半透半反层之间的距离。由此,反射层和半透半反层可构成微腔效应结构,并且可通过额外设置的无机层调节反射层和半透半反层之间的距离,从而窄化该阳极结构对应的子像素单元的发光光谱,进而提高色纯度。

Description

显示基板及其制作方法以及显示装置
技术领域
本发明的实施例涉及一种显示基板、显示基板的制作方法以及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器因其具有自发光、对比度高、厚度薄、视角光、响应速度快、可弯折以及使用温度范围广等优点成为研究的热点。
另外,随着可穿戴技术的不断发展,微型显示器具有广阔的市场应用空间。例如,微型显示器可用于头盔显示器和眼镜式显示器等。微型显示器通过与移动通讯网络和卫星定位等系统联在一起则可在任何地方、任何时间获得精确的图像信息,从而具有较广的应用前景。
发明内容
本发明实施例提供一种显示基板及其制作方法和显示装置。该显示基板通过使反射层和半透半反层构成微腔效应结构,并且可通过额外设置的无机层调节反射层和半透半反层之间的距离,从而窄化该阳极结构对应的子像素单元的发光光谱,进而提高色纯度。
本发明至少一个实施例提供一种显示基板,其包括:衬底基板;阳极结构,设置在所述衬底基板上;有机发光层,设置在所述阳极结构远离所述衬底基板的一侧;以及阴极层,设置在所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧,所述阳极结构包括反射层以及设置在所述反射层远离所述衬底基板一侧的无机层,所述阴极层包括半透半反层,所述无机层被配置为调节所述反射层与所述半透半反层之间的距离。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板中,所述反射层与所述半透半反层之间的距离满足:
D=j(λ/2n)
其中,D为所述反射层与所述半透半反层之间的距离,λ为第一颜色的光的波长,n为所述反射层与所述半透半反层之间介质的有效折射率,j为正整数。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板中,所述阳极结构包括第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构,彼此间隔地设置在所述衬底基板上,所述第一阳极结构包括第一反射层和设置在所述第一反射层上的第一无机层,所述第二阳极结构包括第二反射层和设置在所述第二反射层上的第二无机层,所述第三阳极结构包括第三反射层和设置在所述第三反射层上的第三无机层,所述第一无机层、所述第二无机层以及所述第三无机层的厚度不同。
例如,在本发明一实施例提供的显示基板中,所述显示基板包括多个子像素,所述多个子像素与所述阳极结构一一对应设置,所述第一阳极结构对应的子像素被配置为发第一颜色的光,所述第二阳极结构对应的子像素被配置为发第二颜色的光,所述第三阳极结构对应的子像素被配置为发第三颜色的光,所述第一颜色的光的波长为λ1、所述第二颜色的光的波长为λ2、所述第三颜色的光的波长为λ3,所述第一阳极结构的第一反射层与所述半透半反层之间的距离D1、所述第二阳极结构的第二反射层与所述半透半反层之间的距离D2以及所述所述第三阳极结构的第三反射层与所述半透半反层之间的距离D3分别满足:D1=j11/2n)、D2=j22/2n)和D3=j33/2n),其中,n为所述反射层与所述半透半反层之间介质的有效折射率,j1、j2和j3为正整数。
例如,本实施例一示例提供的显示基板还包括:彩膜层,设置在所述阴极层远离所述衬底基板的一侧,所述彩膜层包括具有第一颜色的第一滤光块、具有第二颜色的第二滤光块和具有第三颜色的第三滤光块,所述第一滤光块、所述第二滤光块和所述第三滤光块分别与所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构对应设置。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板中,所述有机发光层和所述阴极层分别整层设置在所述第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构上。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板中,所述无机层还被配置为保护所述反射层。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板中,所述无机层的材料包括氧化钼或氮化钛。
本发明至少一个实施例提供一种显示基板的制作方法,其包括:在衬底基板上形成阳极结构,所述阳极结构包括反射层以及设置在所述反射层远离所述衬底基板一侧的无机层;在所述阳极结构远离所述衬底基板的一侧形成有机发光层;以及在所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧形成阴极层,所述阴极层包括半透半反层,所述无机层被配置为调节所述反射层与所述半透半反层之间的距离。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板的制作方法中,在衬底基板上形成阳极结构包括:采用图案化工艺在所述衬底基板上形成所述反射层;采用图案化工艺在所述反射层远离所述衬底基板的一侧形成无机层,所述无机层在所述衬底基板上的正投影与所述反射层在所述衬底基板上的正投影完全重叠。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板的制作方法中,在衬底基板上形成阳极结构包括:在所述衬底基板上形成彼此间隔设置的第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构,所述第一阳极结构包括第一反射层和设置在所述第一反射层上的第一无机层,所述第二阳极结构包括第二反射层和设置在所述第二反射层上的第二无机层,所述第三阳极结构包括第三反射层和设置在所述第三反射层上的第三无机层,所述第一无机层、所述第二无机层以及所述第三无机层的厚度不同。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板的制作方法中,在所述衬底基板上形成所述第一、第二和第三阳极结构包括:采用图案化工艺在所述衬底基板上形成所述第一反射层、所述第二反射层以及所述第三反射层。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板的制作方法中,在所述衬底基板上形成所述第一、第二和第三阳极结构还包括:在所述第一反射层、所述第二反射层以及所述第三反射层远离所述衬底基板的一侧形成第一子无机层;在所述第一子无机层远离所述衬底基板的一侧形成第一光刻胶图案,所述第一光刻胶图案覆盖所述第一反射层以及所述第一、第二和第三反射层之间的间隔,并露出所述第二和第三反射层;在所述第一光刻胶图案和所述第一子无机层上形成第二子无机层;在所述第二子无机层远离所述衬底基板的一侧形成第二光刻胶图案,所述第二光刻胶图案覆盖所述第一反射层、第三反射层以及所述第一、第二和第三反射层之间的间隔;在所述第二光刻胶图案和所述第二子无机层上形成第三子无机层;以及通过显影将所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案去除,所述第一无机层包括所述第一子无机层,所述第二无机层包括第一子无机层、所述第二子无机层以及所述第三子无机层,所述第三无机层包括所述第一子无机层和所述第二子无机层。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板的制作方法中,在所述第一反射层、所述第二反射层以及所述第三反射层远离所述衬底基板的一侧形成第一子无机层包括:在所述第一反射层、所述第二反射层以及所述第三反射层远离所述衬底基板的一侧形成无机材料层;以及图案化所述无机材料层以形成所述第一子无机层,所述第一子无机层在所述衬底基板上的正投影与所述第一反射层、所述第二反射层以及所述第三反射层在所述衬底基板上的正投影完全重叠。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板的制作方法中,所述反射层的材料包括铝或银。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板的制作方法中,所述无机层的材料包括氧化钼或氮化钛。
本发明至少一个实施例提供一种显示装置,其包括上述的显示基板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1为一种显示基板的结构示意图;
图2为本发明一实施例提供的一种显示基板的结构示意图;
图3为本发明一实施例提供的另一种显示基板的结构示意图;
图4为本发明一实施例提供的一种显示基板的制作方法的流程图;以及
图5a-5g为本发明一实施例提供一种显示基板的制作方法的步骤示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器以其特有的优势也在微型显示器中占有重要的位置。由于极细金属掩模(Fine Metal Mask,FMM)的限制,通常的OLED显示器无法实现高PPI(Pixel Per Inch)。因此,当OLED显示器作为微型显示器时,OLED显示器采用白光+彩膜的结构。图1为一种采用白光+彩膜的结构的OLED显示器的结构示意图。如图1所示,该OLED显示器包括衬底基板10、设置在衬底基板10上的阳极20、设置在阳极20远离衬底基板10一侧的空穴注入层30、设置在空穴传输层30远离衬底基板10一侧的空穴传输层40、设置在空穴传输层40远离衬底基板10一侧的有机发光层50、设置在有机发光层50远离衬底基板10一侧的电子传输层60、设置在电子传输层60远离衬底基板10一侧的阴极70、设置在阴极70远离衬底基板10一侧的封装层80以及设置在封装层80远离衬底基板10一侧的彩膜层90。有机发光层50可发白光,例如,有机发光层50可包括发橙红光的第一子有机发光层51和发蓝绿光的第二子有机发光层52。彩膜层90可包括多种不同颜色滤光块,例如红色绿光片、绿色绿光片和蓝色滤光块,并且各滤光块与阳极一一对应设置,从而有机发光层50发出的白光经过彩膜层90的过滤,从而可显示彩色。由于阳极和彩膜可通过掩模工艺制作,因此该OLED显示器可达到较高的PPI。然而,上述的采用白光+彩膜的结构的OLED显示器的色域因此而降低。
本发明实施例提供一种显示基板及其制作方法和显示装置。该显示基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的阳极结构、设置在阳极结构远离衬底基板的一侧的有机发光层以及设置在有机发光层远离衬底基板的一侧的阴极层。阳极结构包括反射层以及设置在反射层远离衬底基板一侧的无机层,阴极层包括半透半反层,无机层可调节反射层与半透半反层之间的距离。由此,反射层和半透半反层可构成微腔效应结构,并且可通过额外设置的无机层调节反射层和半透半反层之间的距离,从而窄化该阳极结构对应的子像素单元的发光光谱,进而提高色纯度。
下面,结合附图对本发明实施例提供的显示基板及其制作方法和显示装置进行说明。
实施例一
本实施例提供一种显示基板。图2为根据本实施例的一种显示基板的结构示意图。如图2所示,该显示基板包括衬底基板101、设置在衬底基板101上的阳极结构110、设置在阳极结构110远离衬底基板101的一侧的有机发光层140以及设置在有机发光层140远离衬底基板101的一侧的阴极层180。阳极结构110包括反射层111和设置在反射层111远离衬底基板101的一侧的无机层112;阴极层180包括半透半反层181,例如,如图2所示,阴极层180自身可为半透半反层181;无机层112可调节反射层111和半透半反层181之间的距离。需要说明的是,阴极层自身可为半透半反层,也额外设置一个半透半反层,本发明实施例在此不作限制。另外,上述的反射层可为阳极结构中的阳极,也可为额外设置在阳极上的反射层。当反射层为阳极结构中的阳极时,阳极可采用金属材料制作,例如银或铝。
在本实施例提供的显示基板中,阳极结构中的反射层和阴极层中的半透半反层可构成微腔效应结构,设置在阳极结构和阴极层之间的有机发光层可电致发光,有机发光层直接发出的光和经过反射层反射的光可在上述的微腔效应结构中发生相互干涉;通过额外设置的无机层调节反射层和半透半反层之间的距离,可使得特定波长或特定波长范围的光增强,而其他波长的光衰弱,从而可窄化该阳极结构对应的子像素单元的发光光谱,进而提高色纯度。当本实施例提供的显示基板应用于白光+彩膜的结构的OLED显示器时,通过提高各个子像素的色纯度,从而可在具有较高的PPI的前提下提高该OLED显示器的色域。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板中,反射层与半透半反层之间的距离满足以下公式:
D=j(λ/2n)
其中,D为反射层与半透半反层之间的距离,λ为预定颜色的光的波长,n为反射层与半透半反层之间介质的有效折射率,j为正整数。需要说明的是,上述的反射层与半透半反层之间介质的有效折射率是指反射层与半透半反层之间的各膜层(例如有机层、有机发光层以及空穴传输层等)介质的有效折射率。由此,该显示基板可通过调节额外设置的无机层的厚度调节反射层和半透半反层之间的距离以使反射层和半透半反层之间的距离满足上述的公式,从而可使得具有预定颜色的光增强,而其他颜色的光衰弱,进而提高色纯度。需要说明的是,上述的反射层与半透半反层之间介质的有效折射率是指反射层与半透半反层之间的各层(例如电子阻挡层、空穴传输层等)作为一个整体的有效折射率。例如,该有效折射率可通过实验测得也可通过计算获得。
例如,假设反射层与半透半反层之间介质包括四个层结构,其厚度和折射率分别为d1,n1;d2,n2;d3,n3;d4,n4,反射层与半透半反层之间介质的有效折射率可等于(d1·n1+d2·n2+d3·n3+d4·n4)/(d1+d2+d3+d4)。
例如,预定颜色可为红色、绿色或蓝色,当然,本发明实施例包括但不限于此。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板中,如图2所示,阳极结构可包括第一阳极结构1101、第二阳极结构1102和第三阳极结构1103;第一阳极结构1101、第二阳极结构1102和第三阳极结构1103彼此间隔设置在衬底基板101上;第一阳极结构1101包括第一反射层1111和设置在第一反射层1111远离衬底基板101的一侧第一无机层1121;第二阳极结构1102包括第二反射层1112和设置在第二反射层1112远离衬底基板101的一侧第二无机层1122;第三阳极结构1103包括第三反射层1113和设置在第三反射层1113远离衬底基板101的一侧第三无机层1123;第一无机层1121、第二无机层1122以及第三无机层1123的厚度不同。由此,第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构对应的子像素可分别发出不同的具有较高色纯度的光,从而使得采用该显示基板的OLED显示器具有较高的色域。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板中,如图2所示,显示基板包括多个子像素300,多个子像素300与阳极结构110一一对应设置,第一阳极结构1101对应的子像素用于发第一颜色的光,第二阳极结构1102对应的子像素用于发第二颜色的光,第三阳极结构1103对应的子像素用于发第三颜色的光,第一颜色的光的波长为λ1、第二颜色的光的波长为λ2、第三颜色的光的波长为λ3,第一阳极结构的第一反射层与半透半反层之间的距离D1、第二阳极结构的第二反射层与半透半反层之间的距离D2以及第三阳极结构的第三反射层与半透半反层之间的距离D3分别满足:D1=j11/2n)、D2=j22/2n)和D3=j33/2n),其中,n为反射层与半透半反层之间介质的有效折射率,j1、j2和j3为正整数。
例如,第一阳极结构对应的子像素可发出色纯度高的红色光、第二阳极结构对应的子像素可发出色纯度高的绿色光,第三阳极结构对应的子像素可发出色纯度高的蓝色光。
例如,在第一阳极结构对应的子像素中,第一反射层与半透半反层之间的距离可满足以下公式:
D1=j11/2n)
其中,D1为第一反射层与半透半反层之间的距离,λ1为红光的波长,n为第一反射层与半透半反层之间介质的有效折射率,j1为正整数。由此,第一阳极结构对应的子像素可发出色纯度较高的红光。
例如,可选取红光的波长为620纳米,可选取第一反射层与半透半反层之间介质的有效折射率为1.8,可计算得到D1为172j1纳米。
例如,在第二阳极结构对应的子像素中,第二反射层与半透半反层之间的距离可满足以下公式:
D2=j22/2n)
其中,D2为第二反射层与半透半反层之间的距离,λ2为绿光的波长,n为第二反射层与半透半反层之间介质的有效折射率,j2为正整数。由此,第二阳极结构对应的子像素可发出色纯度较高的绿光。
例如,可选取红光的波长为520纳米,可选取第一反射层与半透半反层之间介质的有效折射率为1.8,可计算得到D1为144j2纳米。
例如,在第三阳极结构对应的子像素中,第三反射层与半透半反层之间的距离可满足以下公式:
D3=j33/2n)
其中,D3为第三反射层与半透半反层之间的距离,λ3为蓝光的波长,n为第三反射层与半透半反层之间介质的有效折射率,j3为正整数。由此,第三阳极结构对应的子像素可发出色纯度较高的蓝光。
例如,可选取红光的波长为460纳米,可选取第一反射层与半透半反层之间介质的有效折射率为1.8,可计算得到D1为127j3纳米。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板中,如图2所示,该显示基板还包括设置在阴极层180远离衬底基板101的一侧的彩膜层190。彩膜层190包括具有第一颜色(例如红色)的第一滤光块191、具有第二颜色(例如绿色)的第二滤光块192和具有第三颜色(例如蓝色)的第三滤光块193。第一滤光块191、第二滤光块192和第三滤光块193分别与第一阳极结构1101、第二阳极结构1102和第三阳极结构1103对应设置。由此,第一滤光块可将第一阳极结构对应的有机发光层发出的光中除了第一颜色的光过滤掉,第二滤光块可将第二阳极结构对应的有机发光层发出的光中除了第二颜色的光过滤掉,第三滤光块可将第三阳极结构对应的有机发光层发出的光中除了第三颜色的光过滤掉,从而进一步增强各第一、第二和第三阳极结构所对应的子像素的出光色纯度。需要说明的是,彩膜层可设置也可不设置,本发明实施例在此不作限制。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板中,如图2所示,有机发光层140和阴极层180分别在第一阳极结构1101、第二阳极结构1102和第三阳极结构1103上连续设置。也就是说,有机发光层140和阴极层180整层设置在第一阳极结构1101、第二阳极结构1102和第三阳极结构1103上。由此,有机发光层140可不用使用极细金属掩模板(FMM),而直接使用openmask制作。一方面,该显示基板无需使用极细金属掩模板(FMM)制作,节省了成本;另一方面,该显示基板的PPI也较高。
例如,如图2所示,有机发光层140包括第一子有机发光层141和第二子有机发光层142。第一子有机发光层141可电致发橙红光、第二子有机发光层142可电致发蓝绿光。由此,有机发光层整体发白光。当然,本发明实施例包括但不限于此,有机发光层还可为其他结构,只要可发出白光即可。例如,有机发光层可包括三个子有机发光层,分别发红光、绿光和蓝光。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板中,如图2所示,无机层112设置在反射层111远离衬底基板101的一侧。无机层112还可作为反射层111的保护层,用于保护反射层。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板中,无机层的材料可采用氧化钼。一方面,氧化钼便于进行刻蚀、图案化;另一方面,氧化钼还可作为空穴注入层,从而可不用额外设置空穴注入层。
例如,如图2所示,该显示基板还包括设置在阴极层180和彩膜层190之间的封装层185,用于将彩膜层190粘结在显示基板上。
图3为根据本实施例的另一种显示基板的结构示意图。如图3所示,该显示基板还包括设置在阳极结构110和有机发光层140之间的电子阻挡层120,用于阻挡电子,从而提高该显示基板的稳定性。
例如,如图3所示,该显示基板还包括设置在电子阻挡层120和有机发光层140之间的空穴传输层130,用于传输空穴给有机发光层。
例如,如图3所示,该显示基板还包括设置在有机发光层140和阴极层180之间的空穴阻挡层150和电子传输层160。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板中,电子阻挡层、空穴传输层、空穴阻挡层以及电子传输层都可在第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构上分别连续设置。也就是说,电子阻挡层、空穴传输层、空穴阻挡层以及电子传输层都可整层设置在第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构上。由此,电子阻挡层、空穴传输层、空穴阻挡层以及电子传输层可不用使用极细金属掩模板(FMM),而直接使用open mask制作。一方面,该显示基板无需使用极细金属掩模板(FMM)制作,节省了成本;另一方面,该显示基板的PPI也较高。
实施例二
本实施例提供一种显示基板的制作方法。图4为根据本实施例的一种显示基板的制作方法的流程图。如图4所示,该显示基板的制作方法包括以下步骤S201-步骤S203。
步骤S201:在衬底基板上形成阳极结构,阳极结构包括反射层以及设置在反射层远离衬底基板一侧的无机层。
例如,衬底基板可采用玻璃基板、石英基板、塑料基板或其他基板。
步骤S202:在阳极结构远离衬底基板的一侧形成有机发光层。
例如,有机发光层可为有机电致发光层,可包括多个子有机发光层,例如橙红子有机发光层和蓝绿子有机发光层,从而发白光。
步骤S203:在有机发光层远离衬底基板的一侧形成阴极层,阴极层包括半透半反层,无机层可调节反射层与半透半反层之间的距离。
例如,阴极层自身可为半透半反层,也可额外设置一层半透半反层,本发明实施例在此不作限制。
在本实施例提供的显示基板的制作方法中,在衬底基板上形成的阳极结构中的反射层和阴极层中的半透半反层可构成微腔效应结构,设置在阳极结构和阴极层之间的有机发光层可电致发光,有机发光层直接发出的光和经过反射层反射的光可在上述的微腔效应结构中发生相互干涉;通过通过额外设置的无机层调节反射层和半透半反层之间的距离,可使得特定波长或特定波长范围的光增强,而其他波长的光衰弱,从而可窄化该阳极结构对应的子像素单元的发光光谱,进而提高色纯度。另外,由于在本实施例提供的制作方法中,有机发光层可用于发白光,因此也无需使用极细金属掩膜(FMM)制作,而直接只用openmask制作,从而也可节省工艺,降低成本。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板的制作方法中,在衬底基板上形成阳极结构的步骤S201可包括:采用图案化工艺在衬底基板上形成反射层;采用图案化工艺在反射层远离衬底基板的一侧形成无机层,无机层在衬底基板上的正投影与反射层在衬底基板上的正投影完全重叠。由此,阳极结构的各层可采用掩模工艺制作,而非极细金属掩膜(FMM)制作,因此,阳极结构在单位面积上的数量或密度较高,从而可使采用本实施例提供的制作方法制作的显示基板具有较高的PPI。需要说明的是,上述的图案化工艺可为掩膜工艺或印刷工艺,掩膜工艺可包括曝光、显影、刻蚀等步骤。
例如,可采用溅射工艺和干刻工艺在衬底基板上形成反射层。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板的制作方法中,在衬底基板上形成阳极结构可包括:在衬底基板上形成彼此间隔设置的第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构,第一阳极结构包括第一反射层和设置在第一反射层上的第一无机层,第二阳极结构包括第二反射层和设置在第二反射层上的第二无机层,第三阳极结构包括第三反射层和设置在第三反射层上的第三无机层,第一无机层、第二无机层以及第三无机层的厚度不同。由此,第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构对应的子像素可分别发出不同的具有较高色纯度的光,从而使得采用本实施例提供的显示基板的制作方法制作的显示基板具有较高的色域。
例如,图5a-5g为根据本实施例提供的一种显示基板的制作方法的步骤示意图。如图5a所示,在本实施例一示例提供的显示基板的制作方法中,在衬底基板上形成第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构包括:采用图案化工艺在衬底基板101上形成第一反射层1111、第二反射层1112以及第三反射层1113。由此,各反射层可采用掩模工艺制作,而非极细金属掩膜(FMM)制作,因此,反射层在单位面积上的数量或密度较高,从而可使采用本实施例提供的制作方法制作的显示基板具有较高的PPI。需要说明的是,上述的第一反射层、第二反射层和第三反射层也可同时作为第一阳极、第二阳极和第三阳极。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板的制作方法中,如图5b-5g所示,在衬底基板上形成第一、第二和第三阳极结构还包括:如图5b所示,在第一反射层1111、第二反射层1112以及第三反射层1113远离衬底基板101的一侧形成第一子无机层171;如图5c所示,在第一子无机层171远离衬底基板101的一侧形成第一光刻胶图案210,第一光刻胶图案210覆盖第一反射层1111以及第一反射层1111、第二反射层1112和第三反射层1113之间的间隔,并露出第二反射层1112和第三反射层1113;如图5d所示,在第一光刻胶图案210和第一子无机层171上形成第二子无机层172;如图5e所示,在第二子无机层172远离衬底基板101的一侧形成第二光刻胶图案220,第二光刻胶图案220覆盖第一反射层1111、第三反射层1113以及第一反射层1111、第二反射层1112和第三反射层1113之间的间隔;如图5f所示,在第二光刻胶图案220和第二子无机层172上形成第三子无机层173;如图5g所示,通过显影将第一光刻胶图案210和第二光刻胶图案220去除,并去除第一光刻胶图案210和第二光刻胶图案220正上方的第二子无机层172的部分和第三子无机层173的部分;此时,第一无机层为第一子无机层171,第二无机层包括第一子无机层171、第二子无机层172以及第三子无机层173,第三无机层包括第一子无机层171和第二子无机层172。由此,可形成厚度不同的第一无机层、第二无机层以及第三无机层。需要说明的是,如图5c-5f所示,第一光刻胶图案210也填充在第一反射层1111、第二反射层1112和第三反射层1113之间的间隔中,第二光刻胶图案220也填充在第一反射层1111、第二反射层1112和第三反射层1113之间的间隔中。当然,本发明实施例包括但不限于此,也可先在第一反射层、第二反射层以及第三反射层之间形成像素界定层,然后再形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案。
例如,当第一反射层与半透半反层之间的距离为172j1纳米,第二反射层与半透半反层之间的距离为144j2纳米,第三反射层与半透半反层之间的距离为127j3纳米。由于第一反射层与半透半反层之间的距离为172j1纳米较大,可以应用为第一周期,即j1=1;,第二反射层与半透半反层之间的距离以及第三反射层与半透半反层之间的距离较小,可以应用于为第二周期,即j2=2,j3=3。若反射层与半透半反层之间除了无机层的其他膜层(例如,电子阻挡层、空穴传输层、有机发光层、空穴阻挡层以及电子传输层)的厚度为160纳米,则可求得第一无机层的厚度12纳米,第二无机层的厚度为94纳米,第三无机层的厚度为120纳米。由此,第一子无机层为12纳米,第二子无机层为82纳米,第三子无机层为26纳米。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板的制作方法中,在第一反射层、第二反射层以及第三反射层远离衬底基板的一侧形成第一子无机层包括:在第一反射层、第二反射层以及第三反射层远离衬底基板的一侧形成无机材料层;以及图案化无机材料层以形成第一子无机层,第一子无机层在衬底基板上的正投影与第一反射层、第二反射层以及第三反射层在衬底基板上的正投影完全重叠。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板的制作方法中,反射层的材料包括铝或银。由此,反射层即可作为反射层也可作为阳极。
例如,在本实施例一示例提供的显示基板的制作方法中,无机层的材料包括氧化钼或氮化钛。一方面,氧化钼便于进行刻蚀、图案化;另一方面,氧化钼还可作为空穴注入层,从而可不用额外设置空穴注入层。
实施例三
本实施例提供一种显示装置,其包括实施例一中任一项所描述的显示基板。因此该显示装置可在保证高PPI的前提下具有较高色域。
例如,该显示装置可为头盔显示装置和眼镜式显示装置等微型显示装置。当然,本发明实施例包括但不限于此,该显示装置也可为笔记本电脑、导航仪、电视、手机等具有显示功能的电子设备。
有以下几点需要说明:
(1)本发明实施例附图中,只涉及到与本发明实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下,本发明同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种显示基板,包括:
衬底基板;
阳极结构,设置在所述衬底基板上;
有机发光层,设置在所述阳极结构远离所述衬底基板的一侧;以及
阴极层,设置在所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧,
其中,所述阳极结构包括反射层以及设置在所述反射层远离所述衬底基板一侧的无机层,所述阴极层包括半透半反层,所述无机层被配置为调节所述反射层与所述半透半反层之间的距离。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述反射层与所述半透半反层之间的距离满足:
D=j(λ/2n)
其中,D为所述反射层与所述半透半反层之间的距离,λ为预定颜色的光的波长,n为所述反射层与所述半透半反层之间介质的有效折射率,j为正整数。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述阳极结构包括第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构,彼此间隔地设置在所述衬底基板上,所述第一阳极结构包括第一反射层和设置在所述第一反射层上的第一无机层,所述第二阳极结构包括第二反射层和设置在所述第二反射层上的第二无机层,所述第三阳极结构包括第三反射层和设置在所述第三反射层上的第三无机层,所述第一无机层、所述第二无机层以及所述第三无机层的厚度不同。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述显示基板包括多个子像素,所述多个子像素与所述阳极结构一一对应设置,所述第一阳极结构对应的子像素被配置为发第一颜色的光,所述第二阳极结构对应的子像素被配置为发第二颜色的光,所述第三阳极结构对应的子像素被配置为发第三颜色的光,所述第一颜色的光的波长为λ1、所述第二颜色的光的波长为λ2、所述第三颜色的光的波长为λ3,所述第一阳极结构的第一反射层与所述半透半反层之间的距离D1、所述第二阳极结构的第二反射层与所述半透半反层之间的距离D2以及所述第三阳极结构的第三反射层与所述半透半反层之间的距离D3分别满足:
D1=j11/2n)、D2=j22/2n)和D3=j33/2n),
其中,n为所述反射层与所述半透半反层之间的介质的有效折射率,j1、j2和j3为正整数。
5.根据权利要求3所述的显示基板,还包括:
彩膜层,设置在所述阴极层远离所述衬底基板的一侧,
其中,所述彩膜层包括具有所述第一颜色的第一滤光块、具有所述第二颜色的第二滤光块和具有所述第三颜色的第三滤光块,所述第一滤光块、所述第二滤光块和所述第三滤光块分别与所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构对应设置。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板,其中,所述有机发光层和所述阴极层分别整层设置在所述第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构上。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板,其中,所述无机层还被配置为保护所述反射层。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板,其中,所述无机层的材料包括氧化钼或氮化钛。
9.一种显示基板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成阳极结构,所述阳极结构包括反射层以及设置在所述反射层远离所述衬底基板一侧的无机层;
在所述阳极结构远离所述衬底基板的一侧形成有机发光层;以及
在所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧形成阴极层,
其中,所述阴极层包括半透半反层,所述无机层被配置为调节所述反射层与所述半透半反层之间的距离。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制作方法,其中,在衬底基板上形成阳极结构包括:
采用图案化工艺在所述衬底基板上形成所述反射层;
采用图案化工艺在所述反射层远离所述衬底基板的一侧形成无机层,
其中,所述无机层在所述衬底基板上的正投影与所述反射层在所述衬底基板上的正投影完全重叠。
11.根据权利要求9所述的显示基板的制作方法,其中,在衬底基板上形成阳极结构包括:
在所述衬底基板上形成彼此间隔设置的第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构,
其中,所述第一阳极结构包括第一反射层和设置在所述第一反射层上的第一无机层,所述第二阳极结构包括第二反射层和设置在所述第二反射层上的第二无机层,所述第三阳极结构包括第三反射层和设置在所述第三反射层上的第三无机层,所述第一无机层、所述第二无机层以及所述第三无机层的厚度不同。
12.根据权利要求11所述的显示基板的制作方法,其中,在所述衬底基板上形成所述第一、第二和第三阳极结构包括:
采用图案化工艺在所述衬底基板上形成所述第一反射层、所述第二反射层以及所述第三反射层。
13.根据权利要求12所述的显示基板的制作方法,其中,在所述衬底基板上形成所述第一、第二和第三阳极结构还包括:
在所述第一反射层、所述第二反射层以及所述第三反射层远离所述衬底基板的一侧形成第一子无机层;
在所述第一子无机层远离所述衬底基板的一侧形成第一光刻胶图案,所述第一光刻胶图案覆盖所述第一反射层以及所述第一、第二和第三反射层之间的间隔,并露出所述第二和第三反射层;
在所述第一光刻胶图案和所述第一子无机层上形成第二子无机层;
在所述第二子无机层远离所述衬底基板的一侧形成第二光刻胶图案,所述第二光刻胶图案覆盖所述第一反射层、第三反射层以及所述第一、第二和第三反射层之间的间隔;
在所述第二光刻胶图案和所述第二子无机层上形成第三子无机层;以及
通过显影将所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案去除,并去除所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案正上方的所述第二子无机层的部分和所述第三子无机层的部分,
其中,所述第一无机层包括所述第一子无机层,所述第二无机层包括第一子无机层、所述第二子无机层以及所述第三子无机层,所述第三无机层包括所述第一子无机层和所述第二子无机层。
14.根据权利要求13所述的显示基板的制作方法,其中,在所述第一反射层、所述第二反射层以及所述第三反射层远离所述衬底基板的一侧形成第一子无机层包括:
在所述第一反射层、所述第二反射层以及所述第三反射层远离所述衬底基板的一侧形成无机材料层;以及
图案化所述无机材料层以形成所述第一子无机层,
其中,所述第一子无机层在所述衬底基板上的正投影与所述第一反射层、所述第二反射层以及所述第三反射层在所述衬底基板上的正投影完全重叠。
15.根据权利要求9-14中任一项所述的显示基板的制作方法,其中,所述反射层的材料包括铝或银。
16.根据权利要求9-14中任一项所述的显示基板的制作方法,其中,所述无机层的材料包括氧化钼或氮化钛。
17.一种显示装置,包括根据权利要求1-8所述的显示基板。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018214435A1 (zh) * 2017-05-24 2018-11-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法以及显示装置
CN109004006A (zh) * 2018-07-27 2018-12-14 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示基板及其制作方法、显示装置
CN109616500A (zh) * 2018-12-06 2019-04-12 合肥鑫晟光电科技有限公司 有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置
WO2019214322A1 (zh) * 2018-05-07 2019-11-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
WO2019214378A1 (zh) * 2018-05-09 2019-11-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、其制造方法和显示装置
CN110459564A (zh) * 2019-08-01 2019-11-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其显示装置
CN110649075A (zh) * 2019-09-27 2020-01-03 京东方科技集团股份有限公司 微腔阳极结构、显示基板及其制作方法
US10707431B2 (en) 2018-03-07 2020-07-07 Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co., Ltd. Stretchable display panels and manufacturing methods thereof
CN112018098A (zh) * 2020-03-09 2020-12-01 友达光电股份有限公司 像素阵列基板及其制造方法
WO2021017106A1 (zh) * 2019-08-01 2021-02-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及采用该阵列基板的制备方法、显示装置
CN115207241A (zh) * 2021-04-08 2022-10-18 广东聚华印刷显示技术有限公司 封装结构及显示面板

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110459699B (zh) * 2019-08-30 2022-07-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113299861A (zh) * 2021-06-25 2021-08-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1868240A (zh) * 2003-09-19 2006-11-22 索尼株式会社 显示装置及其制造方法,有机发光装置及其制造方法
CN1874626A (zh) * 2005-05-27 2006-12-06 富士胶片株式会社 有机el器件
CN101378612A (zh) * 2007-08-31 2009-03-04 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、以及电子设备
CN101841001A (zh) * 2010-04-19 2010-09-22 苏璇 有机电致发光二极管器件
CN101855741A (zh) * 2008-12-25 2010-10-06 富士电机控股株式会社 具有阴极缓冲层的有机el元件
CN101983538A (zh) * 2008-03-31 2011-03-02 住友化学株式会社 有机电致发光元件及其制造方法
CN102017219A (zh) * 2008-03-07 2011-04-13 住友化学株式会社 层压结构体
CN102742357A (zh) * 2010-08-06 2012-10-17 松下电器产业株式会社 有机el显示面板、显示装置以及有机el显示面板的制造方法
US20130038640A1 (en) * 2011-08-12 2013-02-14 Canon Kabushiki Kaisha Organic electroluminescence element, and light emitting apparatus, image forming apparatus, light emitting element array, display apparatus, and imaging apparatus each using the element
CN103000638A (zh) * 2012-12-12 2013-03-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、有机发光二极管显示装置
CN103441136A (zh) * 2013-04-25 2013-12-11 友达光电股份有限公司 电激发光显示面板的像素结构
CN103928495A (zh) * 2013-12-31 2014-07-16 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、显示装置
CN104143559A (zh) * 2013-05-09 2014-11-12 上海和辉光电有限公司 一种有机发光器件及制造方法及显示面板
CN104538428A (zh) * 2014-12-29 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 Coa型woled结构及制作方法
CN104733506A (zh) * 2015-04-01 2015-06-24 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示器件及显示装置
CN105493288A (zh) * 2015-09-15 2016-04-13 京东方科技集团股份有限公司 有机发光像素单元及制备方法,显示面板和显示装置
CN105489632A (zh) * 2016-01-15 2016-04-13 京东方科技集团股份有限公司 Oled阵列基板及其制造方法、oled显示面板和oled显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4252297B2 (ja) * 2002-12-12 2009-04-08 株式会社日立製作所 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置
US8102111B2 (en) * 2005-07-15 2012-01-24 Seiko Epson Corporation Electroluminescence device, method of manufacturing electroluminescence device, and electronic apparatus
TW201324891A (zh) * 2011-12-05 2013-06-16 Au Optronics Corp 電激發光顯示面板之畫素結構
TW201324761A (zh) 2011-12-08 2013-06-16 Au Optronics Corp 電激發光顯示面板之畫素結構
CN104600097A (zh) * 2015-02-06 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元结构、有机发光显示面板及显示装置
KR102503845B1 (ko) * 2016-04-20 2023-02-27 삼성디스플레이 주식회사 유기발광소자 및 이를 포함하는 유기발광 표시패널
CN106098954B (zh) * 2016-06-30 2018-02-27 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置
CN107204400A (zh) 2017-05-24 2017-09-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法以及显示装置

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1868240A (zh) * 2003-09-19 2006-11-22 索尼株式会社 显示装置及其制造方法,有机发光装置及其制造方法
CN1874626A (zh) * 2005-05-27 2006-12-06 富士胶片株式会社 有机el器件
CN101378612A (zh) * 2007-08-31 2009-03-04 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、以及电子设备
CN102017219A (zh) * 2008-03-07 2011-04-13 住友化学株式会社 层压结构体
CN101983538A (zh) * 2008-03-31 2011-03-02 住友化学株式会社 有机电致发光元件及其制造方法
CN101855741A (zh) * 2008-12-25 2010-10-06 富士电机控股株式会社 具有阴极缓冲层的有机el元件
CN101841001A (zh) * 2010-04-19 2010-09-22 苏璇 有机电致发光二极管器件
CN102742357A (zh) * 2010-08-06 2012-10-17 松下电器产业株式会社 有机el显示面板、显示装置以及有机el显示面板的制造方法
US20130038640A1 (en) * 2011-08-12 2013-02-14 Canon Kabushiki Kaisha Organic electroluminescence element, and light emitting apparatus, image forming apparatus, light emitting element array, display apparatus, and imaging apparatus each using the element
CN102956838A (zh) * 2011-08-12 2013-03-06 佳能株式会社 有机电致发光元件和使用该元件的装置和发光元件阵列
CN103000638A (zh) * 2012-12-12 2013-03-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、有机发光二极管显示装置
CN103441136A (zh) * 2013-04-25 2013-12-11 友达光电股份有限公司 电激发光显示面板的像素结构
CN104143559A (zh) * 2013-05-09 2014-11-12 上海和辉光电有限公司 一种有机发光器件及制造方法及显示面板
CN103928495A (zh) * 2013-12-31 2014-07-16 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、显示装置
CN104538428A (zh) * 2014-12-29 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 Coa型woled结构及制作方法
CN104733506A (zh) * 2015-04-01 2015-06-24 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示器件及显示装置
CN105493288A (zh) * 2015-09-15 2016-04-13 京东方科技集团股份有限公司 有机发光像素单元及制备方法,显示面板和显示装置
CN105489632A (zh) * 2016-01-15 2016-04-13 京东方科技集团股份有限公司 Oled阵列基板及其制造方法、oled显示面板和oled显示装置

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11233215B2 (en) 2017-05-24 2022-01-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, manufacturing method thereof, and display device
US11700739B2 (en) 2017-05-24 2023-07-11 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, manufacturing method thereof, and display device
WO2018214435A1 (zh) * 2017-05-24 2018-11-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法以及显示装置
US10707431B2 (en) 2018-03-07 2020-07-07 Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co., Ltd. Stretchable display panels and manufacturing methods thereof
WO2019214322A1 (zh) * 2018-05-07 2019-11-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN110459559A (zh) * 2018-05-07 2019-11-15 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
US11362144B2 (en) 2018-05-07 2022-06-14 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel with variable micro-cavity lengths for sub-pixels, method for fabricating the same and display device
CN110459559B (zh) * 2018-05-07 2022-04-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
US11404486B2 (en) 2018-05-09 2022-08-02 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, manufacturing method thereof and display device
WO2019214378A1 (zh) * 2018-05-09 2019-11-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、其制造方法和显示装置
CN109004006B (zh) * 2018-07-27 2021-10-22 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示基板及其制作方法、显示装置
US11251233B2 (en) 2018-07-27 2022-02-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light-emitting diode display substrate and method for fabricating the same, display device
CN109004006A (zh) * 2018-07-27 2018-12-14 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示基板及其制作方法、显示装置
US11296149B2 (en) 2018-12-06 2022-04-05 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate, display panel, display apparatus, and method of fabricating a display substrate thereof
WO2020113831A1 (en) * 2018-12-06 2020-06-11 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, display panel, display apparatus, and method of fabricating display substrate thereof
CN109616500A (zh) * 2018-12-06 2019-04-12 合肥鑫晟光电科技有限公司 有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置
WO2021017312A1 (zh) * 2019-08-01 2021-02-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其显示装置
WO2021017106A1 (zh) * 2019-08-01 2021-02-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及采用该阵列基板的制备方法、显示装置
US11258048B2 (en) 2019-08-01 2022-02-22 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel with first electrode having different refractive indexes in sub-pixel regions of different colors and display panel device having the same
CN110459564A (zh) * 2019-08-01 2019-11-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其显示装置
CN110649075A (zh) * 2019-09-27 2020-01-03 京东方科技集团股份有限公司 微腔阳极结构、显示基板及其制作方法
CN112018098B (zh) * 2020-03-09 2022-03-01 友达光电股份有限公司 像素阵列基板及其制造方法
CN112018098A (zh) * 2020-03-09 2020-12-01 友达光电股份有限公司 像素阵列基板及其制造方法
CN115207241A (zh) * 2021-04-08 2022-10-18 广东聚华印刷显示技术有限公司 封装结构及显示面板

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