CN102742357A - 有机el显示面板、显示装置以及有机el显示面板的制造方法 - Google Patents
有机el显示面板、显示装置以及有机el显示面板的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102742357A CN102742357A CN2010800033255A CN201080003325A CN102742357A CN 102742357 A CN102742357 A CN 102742357A CN 2010800033255 A CN2010800033255 A CN 2010800033255A CN 201080003325 A CN201080003325 A CN 201080003325A CN 102742357 A CN102742357 A CN 102742357A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- contact hole
- organic
- function layer
- layer
- organic function
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 769
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 126
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 58
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 40
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 36
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 36
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 34
- 235000019994 cava Nutrition 0.000 claims description 8
- 230000007115 recruitment Effects 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 27
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 description 239
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 138
- 239000010408 film Substances 0.000 description 121
- 208000034699 Vitreous floaters Diseases 0.000 description 34
- -1 form next door 8 Substances 0.000 description 32
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 11
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 9
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000013316 zoning Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N glycolonitrile Natural products N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015202 MoCr Inorganic materials 0.000 description 1
- BNJXVYPVIJWBCO-UHFFFAOYSA-N N1C(C=CC2=CC=CC=C12)=O.N1C=CC=CC=C1 Chemical class N1C(C=CC2=CC=CC=C12)=O.N1C=CC=CC=C1 BNJXVYPVIJWBCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002262 Schiff base Substances 0.000 description 1
- 150000004753 Schiff bases Chemical class 0.000 description 1
- 241001417495 Serranidae Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000004410 anthocyanin Substances 0.000 description 1
- 229930002877 anthocyanin Natural products 0.000 description 1
- 235000010208 anthocyanin Nutrition 0.000 description 1
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N antipyrene Natural products C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N benzoquinolinylidene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical class OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229960005057 canrenone Drugs 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004567 concrete Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 150000003997 cyclic ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical class F* 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 230000002068 genetic effect Effects 0.000 description 1
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N hexabenzobenzene Natural products C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 235000016768 molybdenum Nutrition 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-acid Natural products C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical compound C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000007660 quinolones Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种有机EL显示面板、显示装置以及有机EL显示面板的制造方法。通过使位于有机EL元件(20)下层的层间绝缘膜(3)的膜厚不同,使接触孔(13)的容积按各颜色而不同,对各阳极板(5)的凹部(15)的容积进行调剂。而且,在通过喷墨方式滴下了含有中间层等的材料的墨水时,中间层等的膜厚根据填充于凹部的墨水量而发生变化。即,能够通过调节各颜色的凹部的容积差,对各颜色的中间层(9)等的膜厚差进行微调节。从而能够在电视机等电子设备中使用的有机EL显示面板(100)中,一边以湿发方式形成中间层(9)或发光层(10),一边容易地对不同的发光颜色间的中间层等的膜厚差进行微调节,提高发光效率或发光颜色。
Description
技术领域
本发明涉及排列有有机电致发光元件(以下称为“有机EL元件”)的有机EL显示面板、显示装置以及有机EL显示面板的制造方法。
背景技术
近年来,作为发光型的显示面板,在小型电子设备、小型显示装置使用有机EL显示面板,所述有机EL显示面板在基板上沿行列方向排列有多个有机EL元件。有机EL元件具有在阳极和阴极这一对电极对之间形成了含有有机发光材料的发光层的基本构造。对于有机EL元件,当在一对电极对之间施加电压时,伴随着从阳极注入发光层的空穴和从阴极注入发光层的电子的复合而进行发光。该有机EL显示面板的各有机EL元件进行自发光,因此视觉识别性高。
在有机EL显示面板中,发光层通常按每个有机EL元件而由绝缘材料所形成的隔壁(堤)来区划,通过该隔壁来规定发光层的形成区域。另外,在阳极和发光层之间,根据需要而插入如空穴注入层、空穴输送层、空穴注入兼输送层的中间层。另外,在阴极和发光层之间也根据需要而插入电子注入层、电子输送层或电子注入兼输送层。
在全彩显示的有机EL显示面板中,这样的有机EL元件形成RGB(红绿蓝)各色的子像素,相邻的RGB的子像素配合以形成一个像素。
在形成各有机EL元件的发光层、中间层的方法中多使用湿法方式,该湿法方式中在基板上形成对相邻的各有机EL元件之间进行区划的隔壁,将含有高分子材料和/或薄膜形成性良好的低分子材料的墨水通过喷墨方式等进行涂敷。根据该湿法方式,即使在大型面板中也能比较容易地形成中间层、发光层。
在湿法方式中的代表性的喷墨方式中,例如,在涂敷对象的基板的上方使喷墨头沿行列方向的任一方向移动,向基板上的由隔壁区划的区域,从喷嘴喷出含有用于形成中间层、发光层等的有机材料和溶剂的溶液(以下称为“墨水”)的液滴来涂敷墨水(参照专利文献1)。
在先技术文献
专利文献1:日本特开2003-241683号公报
发明内容
但是,适于提高各有机EL元件的发光效率的中间层的膜厚依赖于发光颜色的波长。例如,在顶部发射型的有机EL元件中,期望设定光路长度以使从发光层向基板侧发射的光在一旦由基板侧的电极等反射之后,通过发光层而出射的反射光和从发光层直接向上方(与基板相反侧)出射的光相互加强。
即,在红色光、绿色光以及蓝色光中,因其波长不同,有机EL元件内的最佳光路长度(共振条件)不同,因此在提高发光效率方面,优选在各色子像素中,根据发光颜色的波长对中间层的膜厚差进行微调节。
但是,在实际地以湿法方式形成中间层时,实际上难以按各颜色微调节中间层的膜厚。
具体而言,含有中间层的材料的墨水在全部颜色中为共用的,且对各子像素供给的中间层形成用的墨水量是一定的。例如,在以喷墨方式涂敷中间层的墨水时,对形成各颜色的有机EL元件的区域喷出的墨水的液滴数是相同的,且从喷嘴喷出的每一滴墨水的体积也是相同的。
在此,在喷墨方式的情况下,也考虑通过按子像素的各颜色来改变滴下的墨水液滴数,从而调节中间层的膜厚,但向各子像素供给的墨水量只能以墨水液滴为单位来进行改变,因此,按子像素的各颜色来微调节中间层的膜厚实际上依然很困难。
另外,对于发光层,例如,由于用于得到所期望的辉度(brightness)和/或色度的适当的膜厚按各颜色而不同,所以要求对与不同的颜色对应的发光层之间的膜厚差进行微调节,或者为了与中间层同样地使光路长度与发光颜色的波长相适,要求微调节膜厚差。
从以上所述的例子可知,在有机EL显示面板中,在以湿法方式形成中间层、发光层时,要求微调节它们的膜厚差。
本发明鉴于这样的问题而完成的发明,目的在于在有机EL显示面板中,使得能够一边以湿法方式形成中间层或发光层,一边容易地对不同的发光颜色之间的中间层等的膜厚差进行微调节,例如,提高发光效率、发光颜色等。
为解决上述课题,本发明的一种方式的有机EL显示面板为如下构成,具备:TFT层;层间绝缘膜,其设在所述TFT层的上方;第一电极板组,其形成在所述层间绝缘膜上,包括线状排列的多个第一颜色用的电极板;第二电极板组,其在所述层间绝缘膜上与所述第一电极板组相邻地形成,包括线状排列的多个第二颜色用的电极板;第一隔壁,其沿着所述第一电极板组的一个长边部分而形成;第二隔壁,其形成在所述第一电极板组的另一长边部分和所述第二电极板组的一个长边部分之间;第三隔壁,其沿着所述第二电极板组的另一长边部分而形成;第一有机功能层,其形成在所述第一隔壁和所述第二隔壁之间、所述第一电极板组的上方;第二有机功能层,其形成在所述第二隔壁和所述第三隔壁之间、所述第二电极板组的上方;以及对置电极,其设在所述第一有机功能层和所述第二有机功能层的上方,在所述层间绝缘膜设有将所述第一颜色用的电极板各自与TFT层连接的第一接触孔、和将所述第二颜色用的电极板各自与TFT层连接的第二接触孔,所述第一颜色用的电极板各自具有沿着所述第一接触孔的形状而凹陷的第一凹部,所述第二颜色用的电极板各自具有沿着所述第二接触孔的形状而凹陷的第二凹部,所述层间绝缘膜的厚度形成为:形成有所述第一电极板组的部位的厚度比形成有所述第二电极板组的部位的厚度厚,所述第一接触孔比所述第二接触孔深且容积大,与所述第一颜色用的电极板上的区域对应的所述第一有机功能层的体积和与所述第二颜色用的电极板上的区域对应的所述第二有机功能层的体积相同或处于相同的邻近值的范围内,所述第一有机功能层进入与所述第一接触孔对应的第一凹部中的量比所述第二有机功能层进入与所述第二接触孔对应的第二凹部中的量多,因而所述第一凹部以外的所述第一颜色用的电极板上的区域中的所述第一有机功能层的膜厚比在所述第二凹部以外的所述第二颜色用的电极板上的区域形成的所述第二有机功能层的膜厚薄。
本发明的一种方式的显示装置具备上述有机EL显示面板。
本发明的一种方式的有机EL显示面板的制造方法为如下构成,包括:第一工序,准备基板;第二工序,在所述基板上形成TFT层;第三工序,在所述TFT层上形成层间绝缘膜;第四工序,在所述层间绝缘膜上形成线状地排列了多个第一颜色用的电极板的第一电极板组,与所述第一电极板组相邻地在所述层间绝缘膜上形成线状地排列了多个第二颜色用的电极板的第二电极板组;第五工序,沿着所述第一电极板组的一个长边部分而形成第一隔壁,在所述第一电极板组的另一长边部分和所述第二电极板组的一个长边部分之间形成第二隔壁,沿着所述第二电极板组的另一长边部分而形成第三隔壁;第六工序,在所述第一隔壁和所述第二隔壁之间在所述第一电极板组的上方连续地形成第一有机功能层;第七工序,在所述第二隔壁和所述第三隔壁之间在所述第二电极板组的上方连续地形成第二有机功能层;和第八工序,在所述第一有机功能层及所述第二有机功能层的上方设置对置电极,在所述第三工序中,所述层间绝缘膜的厚度形成为:形成有所述第一电极板组的部位的厚度比形成有所述第二电极板组的部位的厚度厚,在所述层间绝缘膜设有将所述第一颜色用的电极板各自与TFT层连接的第一接触孔、和将所述第二颜色用的电极板各自与TFT层连接的第二接触孔,所述第一接触孔形成为比所述第二接触孔深且容积大,在所述第四工序中,在各个所述第一颜色用的电极板,沿着所述第一接触孔的形状而形成第一凹部,在各个所述第二颜色用的电极板,沿着所述第二接触孔的形状而形成第二凹部,在所述第六工序中形成的所述第一有机功能层和在所述第七工序中形成的所述第二有机功能层中,与所述第一颜色用的电极板上的区域对应的所述第一有机功能层的体积和与所述第二颜色用的电极板上的区域对应的所述第二有机功能层的体积相同或处于相同的邻近值的范围内,所述第一有机功能层进入与所述第一接触孔对应的第一凹部中的量比所述第二有机功能层进入与所述第二接触孔对应的第二凹部中的量多,因而所述第一凹部以外的所述第一颜色用的电极板上的区域中的所述第一有机功能层的膜厚比在所述第二凹部以外的所述第二颜色用的电极板上的区域形成的所述第二有机功能层的膜厚薄。
根据本发明的一种方式的有机EL显示面板,能够通过使层间绝缘膜的厚度不同来改变第一接触孔和第二接触孔的深度,能够容易地使第一接触孔的容积(体积)比第二接触孔的容积(体积)大。
因此,第一凹部的容积比第二凹部的容积大,在通过湿式方式形成有机功能层时,例如,在电极板的上方形成的第一有机功能层和第二有机功能层为相同体积的情况下,能够使进入第一凹部的第一有机功能层的量比进入第二凹部的第二有机功能层的量多。其结果,例如,在第一颜色用的电极板及第二颜色用的电极板的上方形成了相同体积的有机功能层的情况下,能够使与第一颜色用的电极板的第一凹部以外的区域(例如,平坦的区域)对应的第一有机功能层的膜厚(以下简称为第一有机功能层的膜厚)比与第二颜色用的电极板的第二凹部以外的区域对应的第二有机功能层的膜厚(以下简称为第二有机功能层的膜厚)薄。
在此,对于第一凹部的容积和第二凹部的容积之差,能够以比喷墨式涂敷方法中从喷嘴排出的每一滴墨水的体积小的单位来进行调节。因此,通过对第一凹部的容积和第二凹部的容积之差进行微调节,能够容易地微调节第一有机功能层的膜厚和第二有机功能层的膜厚之差。
因此,易于微调节与不同颜色对应的有机功能层的膜厚差。其结果,例如,能使有机EL元件内的光的共振条件按每种颜色而优化,能够容易地得到发光效率优异的显示面板。
为了使有机EL元件内的光的共振条件按每种颜色而进行优化,不需要仅是通过有机功能层来使光路长度优化,也可以按每种颜色而对其它层(例如,透明电极层)的膜厚进行调节。
在此,为了“将所述层间绝缘膜的厚度形成为:形成有所述第一电极板组的部位的厚度比形成有所述第二电极板组的部位的厚度厚”,可以在形成有第一电极板组的部位和形成有第二电极板组的部位,改变层间绝缘膜的上面和下面中至少一方的高度(在后面详细描述)。
根据本发明的一种方式的有机EL显示面板的制造方法,能够制造上述有机EL显示面板。
附图说明
图1是示意表示实施方式的有机EL显示面板100的结构的剖视图。
图2是表示显示面板100的概略结构的立体图。
图3(a)是表示显示面板100的概略结构的俯视图,图3(b)是在图3(a)的A-A’线剖开而得到的剖视图,图3(c)是在图3(a)的B-B’线剖开而得到的剖视图。
图4是用于说明显示面板100的制造方法的图。
图5是用于说明形成显示面板100的层间绝缘膜的工序的示意图。
图6是用于说明形成显示面板100的隔壁的工序的示意图。
图7是表示刚在基板上涂敷了中间层形成用的墨水之后以及干燥后的状况的剖面示意图。
图8是用于说明凹部15的容积和空穴输送层9的膜厚之间的关系的示意图。
图9是用于说明接触孔13的上面面积的图。
图10是用于说明有机EL元件20内的光的行进方式的示意图。
图11是表示实施方式2的显示面板的概略结构的剖视图。
图12是用于说明形成实施方式2的带台阶基板81的工序的示意图。
图13是表示实施方式的显示装置200的整体结构的图。
图14是表示使用显示装置200的电视系统的一个例子的外观形状。
标号说明
1基板
2TFT层
3层间绝缘膜
5(5a~5c)阳极板
6像素限制层
7(7a~7c)空穴注入层
8a,8b,8c隔壁
9(9a~9c)空穴输送层
10(10a~10c)有机发光层
11阴极层
13(13a~13c)接触孔
15(15a~15c)凹部
20a~20c有机EL元件
22SD电极
23(23a~23c)凹部
100有机EL显示面板
具体实施方式
<发明的方式>
本发明的一种方式的有机EL显示面板为如下构成,具备:TFT层;层间绝缘膜,其设在所述TFT层的上方;第一电极板组,其形成在所述层间绝缘膜上,包括线状排列的多个第一颜色用的电极板;第二电极板组,其在所述层间绝缘膜上与所述第一电极板组相邻地形成,包括线状排列的多个第二颜色用的电极板;第一隔壁,其沿着所述第一电极板组的一个长边部分而形成;第二隔壁,其形成在所述第一电极板组的另一长边部分和所述第二电极板组的一个长边部分之间;第三隔壁,其沿着所述第二电极板组的另一长边部分而形成;第一有机功能层,其形成在所述第一隔壁和所述第二隔壁之间、所述第一电极板组的上方;第二有机功能层,其形成在所述第二隔壁和所述第三隔壁之间、所述第二电极板组的上方;以及对置电极,其设在所述第一有机功能层和所述第二有机功能层的上方,在所述层间绝缘膜设有将所述第一颜色用的电极板各自与TFT层连接的第一接触孔、和将所述第二颜色用的电极板各自与TFT层连接的第二接触孔,所述第一颜色用的电极板各自具有沿着所述第一接触孔的形状而凹陷的第一凹部,所述第二颜色用的电极板各自具有沿着所述第二接触孔的形状而凹陷的第二凹部,所述层间绝缘膜的厚度形成为:形成有所述第一电极板组的部位的厚度比形成有所述第二电极板组的部位的厚度厚,所述第一接触孔比所述第二接触孔深且容积大,与所述第一颜色用的电极板上的区域对应的所述第一有机功能层的体积和与所述第二颜色用的电极板上的区域对应的所述第二有机功能层的体积相同或处于相同的邻近值的范围内,所述第一有机功能层进入与所述第一接触孔对应的第一凹部中的量比所述第二有机功能层进入与所述第二接触孔对应的第二凹部中的量多,因而所述第一凹部以外的所述第一颜色用的电极板上的区域中的所述第一有机功能层的膜厚比在所述第二凹部以外的所述第二颜色用的电极板上的区域形成的所述第二有机功能层的膜厚薄。
根据本发明的一种方式的有机EL显示面板,能够通过使层间绝缘膜的厚度不同来改变第一接触孔和第二接触孔的深度,能够容易地使第一接触孔的容积(体积)比第二接触孔的容积(体积)大。
因此,第一凹部的容积比第二凹部的容积大,在通过湿法方式形成机功能层时,例如,在电极板的上方形成的第一有机功能层和第二有机功能层为相同体积的情况下,能够使进入第一凹部的第一有机功能层的量比进入第二凹部的第二有机功能层的量多。其结果,例如,在第一颜色用的电极板及第二颜色用的电极板的上方形成相同体积的有机功能层的情况下,能够使与第一颜色用的电极板的第一凹部以外的区域(例如,平坦的区域、发光区域等)对应的第一有机功能层的膜厚(以下简称为第一有机功能层的膜厚)比与第二颜色用的电极板的第二凹部以外的区域对应的第二有机功能层的膜厚(以下简称为第二有机功能层的膜厚)薄。
在此,对于第一凹部的容积和第二凹部的容积之差,能够以比喷墨式涂敷方法中从喷嘴排出的每一滴墨水的体积小的单位来进行调节。因此,通过对第一凹部的容积和第二凹部的容积之差进行微调节,能够容易地微调节第一有机功能层的膜厚和第二有机功能层的膜厚之差。
因此,易于微调节与不同颜色对应的有机功能层的膜厚差。其结果,例如,能够使有机EL元件内的光的共振条件按每种颜色而优化,能够容易地得到发光效率优异的显示面板。
为了使有机EL元件内的光的共振条件按每种颜色而优化,不需要仅是通过有机功能层来使光路长度优化,也可以按每种颜色而对其它层(例如,透明电极层)的膜厚进行调节。
在此,有机EL元件内的光的共振条件按每种颜色而优化是指如下状态:例如,在假设以与本方式的有机EL显示面板相同的制造条件(有机EL元件的尺寸、墨水涂敷量等条件)来使第一接触孔和第二接触孔的容积相同地制造有机EL显示面板的情况下,无法兼顾提高第一颜色用和第二颜色用的有机EL元件这两者的发光效率,但通过使第一接触孔和第二接触孔的容积不同,能够兼顾提高第一颜色用和第二颜色用的有机EL元件这两者的发光效率。
在假设使第一接触孔和第二接触孔的容积相同的情况下,作为无法兼顾提高第一颜色用和第二颜色用的有机EL元件这两者的发光效率的状态的具体例子为如下等状态:在假设减小本方式的有机EL显示面板的第一接触孔的容积而使之与第二接触孔的容积相同的情况下,第一颜色用的有机EL元件的发光效率下降,另一方面,在假设增大第二接触孔的容积而使之与第一接触孔的容积相同的情况下,第二颜色用的有机EL元件的发光效率下降。
此外,对于使有机EL元件的发光色按每种颜色而适当化的情况也可以说与上述情况是同样的。对于发光色的适当化,能通过例如提高各发光色的色纯度来进行。
也可以将上述第一接触孔的容积改写为第一凹部的容积,将上述第二接触孔的容积改写为第二凹部的容积。
在此,为了“将所述层间绝缘膜的厚度形成为:形成有所述第一电极板组的部位的厚度比形成有所述第二电极板组的部位的厚度厚”,可以在形成有第一电极板组的部位和形成有第二电极板组的部位,改变层间绝缘膜的上面和下面中至少一方的高度。
为了改变层间绝缘膜的上面的高度,例如,可以在层间绝缘膜的上面形成台阶差,使形成有第一电极板组的部位比形成有第二电极板组的部位高。
为了改变层间绝缘膜的下面的高度,例如,可以使与TFT层的第一电极板组对应的部位比与第二电极板组对应的部位低。
本方式例如可以具备与第一电极板组对应的部位比与第二电极板组对应的部位低的基板,在该基板上形成TFT层。
在此,“与第一颜色用的电极板上的区域对应的第一有机功能层的体积和与各第二颜色用的电极板上的区域对应的第二有机功能层的体积相同或处于相同的邻近值的范围内”是意味着,第一有机功能层的体积与第二有机功能层的体积实质相同(在误差范围内),第一有机功能层的体积与第二有机功能层的体积之差在数值上相对于第一有机功能层的体积为10%以内。
在本方式中,可以使第一凹部的容积和第二凹部的容积之差比一滴墨水的体积大(例如,1.5滴的量)。
第一有机功能层的体积与第二有机功能层的体积之差优选小于从在第一凹部堆积的第一有机功能层的体积减去在第二凹部堆积的第二有机功能层的体积所得的体积。
在此,“第一凹部以外的第一颜色用的电极板上的区域”是指,例如,在俯视时,第一颜色用的电极板上的区域中的除了形成有第一凹部的区域(有时包括第一凹部周围的区域)之外的平坦区域。具体而言,例如,是俯视时位于发光区域的部分。对于第二颜色用的电极板上的区域也是同样的。
在本方式中,上方是指有机功能层等的层叠方向的上方,为从TFT层远离的方向。
即使在电极板上形成有机功能层以外的层(例如,像素限制层),如果有机功能层以外的层凹陷入凹部,则也可以微调节有机功能层的膜厚。
进一步,本发明的一种方式的有机EL显示面板可以采用以下结构:与所述第一颜色用的电极板对应的第一接触孔的上面面积和与所述第二颜色用的电极板对应的第二接触孔的上面面积相同或处于相同的邻近值的范围内。
根据本方式,即使在使第一接触孔的上面面积和第二接触孔的上面面积相同或处于相同的邻近值的范围内的情况下,也能够通过改变第一接触孔和第二接触孔的深度,使第一接触孔的容积比第二接触孔的容积大。其结果,能够微调节第一有机功能层的膜厚和第二有机功能层的膜厚之差。
此外,通过使第一接触孔和第二接触孔的上面面积实质相同,能够使第一凹部和第二凹部的开口面积也实质相同,所涂敷的墨水进入凹部内的容易度也大体相等。
上面面积例如可以为在层间绝缘膜的上面开口的接触孔的开口面积,也可以为以与有机功能层等的层叠方向垂直的剖面将接触孔的上部剖开的情况下的开口的面积。接触孔的上部例如可以为接触孔的周缘部的最上部和接触孔的深度尺寸的向下15%的位置之间的任一部分。
此外,“相同或处于相同的邻近值的范围内”是指,第一接触孔的上面面积和第二接触孔的上面面积实质相同(在误差范围内),第一接触孔的上面面积和第二接触孔的上面面积之差在数值上相对于第一接触孔的上面面积为10%以内。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板可以采用以下结构:所述接触孔的上面面积为从所述层间绝缘膜的所述接触孔的周缘部的最高位置向下10%的位置处、或向下10%的邻近值的范围内的位置处的所述接触孔的直径所规定的圆的面积。
本方式的接触孔的平面形状为圆形,通过从接触孔的周缘部的最高位置向下接触孔深度的10%左右的位置处的接触孔的直径来规定上面面积。由此,即使在接触孔的周缘部的最高位置及其附近存在形状和/或高度的不匀的情况下,也能能减小其影响。10%的邻近值的范围内是误差范围内,例如,可以为9%以上11%以下的范围内的值。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板可以采用如下结构:与所述第一接触孔对应的所述第一凹部由第一像素限制层覆盖,在所述第一像素限制层的上方形成第一有机功能层,与所述第二接触孔对应的所述第二凹部由第二像素限制层覆盖,在所述第二像素限制层的上方形成第二有机功能层。
根据本方式,通过由具有绝缘性的像素限制层来覆盖凹部,能够使凹部和有机功能层电绝缘。由此,能够防止例如在凹部的开口缘上方,有机发光层因局部电流集中而以与凹部周围不同的辉度发光。
第一像素限制层和第二像素限制层各自由例如SiO2(氧化硅)膜、或SiN(氮化硅)膜、SiON(氮氧化硅)膜等氧化物(包括氮化物)形成。所述SiO膜、或SiN膜等氧化物与第一有机功能层及第二有机功能层各自的润湿性良好,因此在上述像素限制层上直接涂敷含有有机功能层的墨水的情况下,会良好地进入第一有机功能层的第一凹部、及进入第二有机功能层的第二凹部。
因此,为了对与不同颜色对应的有机功能层的膜厚差进行微调节而是更合适的。
进一步,本发明的一种方式的有机EL显示面板可以采用以下结构:对于所述第一有机功能层,通过用喷墨式涂敷方法来涂敷预定体积的液滴,从而在所述第一电极板组的上方连续地形成,对于所述第二有机功能层,通过用喷墨式涂敷方法来涂敷与所述预定体积相同或处于相同的邻近值的范围内的体积的液滴,从而在所述第二电极板组的上方连续地形成,与所述第一颜色用的电极板上的区域对应的所述第一有机功能层的体积和与所述第二颜色用的电极板上的区域对应的所述第二有机功能层的体积相同或处于相同的邻近值的范围内。
本方式在有机功能层的形成中通过喷墨式涂敷方法所滴下的液滴的体积在第一有机功能层的形成和第二有机功能层的形成中实质相同(例如,体积差为10%以内的误差范围内)。此外,第一有机功能层的体积与第二有机功能层的体积相同或处于相同的邻近值的范围内(例如,体积差为10%以内的误差范围内),在各电极板上的区域滴下的液滴数相同。
在此,如上所述,第一接触孔的容积比第二接触孔的容积大,所以能够使与第一颜色用的电极板的第一凹部以外的部分对应的第一有机功能层的膜厚比与第二颜色用的电极板的第二凹部以外的部分对应的第二有机功能层薄。
这样,根据本方式,在喷墨式涂敷方法中,能够通过使各颜色的涂敷条件相同来简化制造装置或制造工序,并且能够通过使第一接触孔的容积比第二接触孔的容积大,使第一有机功能层的膜厚比第二有机功能层的膜厚薄。即,能够微调节与不同颜色对应的有机功能层的膜厚差。
以往,在用喷墨式涂敷方法形成有机EL发光元件的有机功能层时,按RGB等各种颜色而调节喷墨装置的喷射次数(例如,每个子像素的墨水的滴下数),从而调节各有机功能层的膜厚,所以难以进行有机功能层的膜厚的微调节。例如,在与第一颜色用的电极板对应的区域滴下十滴构成有机功能层的有机墨水的液滴的情况下,在将喷射次数变为十一滴时,膜厚约变为1.1倍(增加约10%)。即,在该情况下,喷墨装置无法进行约10%以下的膜厚控制。因此,无法微调节与不同颜色对应的有机功能层的膜厚差。
此外,在所述有机功能层为中间层的情况下,在RGB等各颜色使用相同材料来印刷。此时,为调节与不同颜色对应的有机功能层的膜厚差,需要对喷墨装置的RGB的各个喷嘴控制喷射次数,装置变复杂。
与之相对,在本方式中,第一有机功能层的体积和第二有机功能层的体积实质相同。而且,能够使接触孔的容积差成为例如墨水的1.5滴量等,即使各颜色的喷射次数相同也能微调节有机功能层的膜厚差。即,在本方式中,即使在RGB各颜色中形成有机功能层的膜时的喷墨装置的滴下量相同,也能与各发光颜色对应地任意微调节膜厚。
此外,来自与各发光颜色对应的喷墨装置的所有喷嘴的液滴的滴下能够在相同的条件进行涂敷,所以不需要喷墨装置的与各发光颜色对应的各喷嘴的控制,能够简化装置的控制。
其结果,能够使与所述第一颜色用的电极板上的区域对应的所述第一有机功能层的体积和与所述第二颜色用的电极板上的区域对应的所述第二有机功能层的体积相同或处于相同的邻近值的范围内,同时,通过调节所述凹部的体积,来对所述有机功能层的膜厚进行微调节。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板可以采用以下结构:所述第一有机功能层的膜厚和所述第二有机功能层的膜厚之差,比在通过所述喷墨式涂敷方法来涂敷所述预定体积的液滴的情况下、通过使涂敷在每个所述第一颜色用的电极板上的所述液滴数增加n滴而形成的所述第一有机功能层的膜厚大,且比在通过所述喷墨式涂敷方法来涂敷所述预定体积的液滴的情况下、通过使所述液滴数增加n+1滴而形成的所述第一有机功能层的膜厚小。
在本方式中,能够比从喷墨装置的喷嘴滴下的液滴的最小单位即一个液滴所形成的膜厚小地(例如,液滴的一半量的膜厚)微调节与第一颜色用的电极板的第一凹部以外的部分对应的第一有机功能层的膜厚、和与第二颜色用的电极板的第二凹部以外的部分对应的第二有机功能层的膜厚之差。n为0以上的整数(n≥0)。
“通过增加n滴液滴数而形成的第一有机功能层的膜厚”可以是n滴液滴所产生的第一有机功能层的膜厚的增加量。此外,“通过增加n+1滴液滴数而形成的所述第一有机功能层的膜厚”可以是n+1滴液滴所产生的第二有机功能层的膜厚的增加量。
进一步,本发明的一种方式的有机EL显示面板可采用所述第一颜色是蓝色的结构。
在有机EL发光元件中,例如,有时采用腔构造:使在电极板侧反射以向对置电极侧出射的光的光路长度与各颜色的光的波长相适,以与从发光层向对置电极侧直接出射的光相互加强的方式使之发生干涉。在有机功能层构成该腔构造的一部分的情况下,优选使与蓝色对应的有机功能层的膜厚变薄。这是因为,在红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的发光颜色中,蓝色光的波长比红色、绿色光的波长短,因此优选缩短光路长度。
本方式使所述第一颜色为蓝色。因此,使所述蓝色的所述有机功能层的膜厚比其它颜色的发光颜色的所述有机功能层的膜厚薄。因此,能够实现例如光取出效率优异的多种颜色的有机EL发光元件。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板可以采用以下结构:所述层间绝缘膜的上面形成为:形成有所述第一电极板组的部位比形成有所述第二电极板组的部位高,所述TFT层的与所述第一接触孔的底面对应的部位和与所述第二接触孔的底面对应的部位形成为相同或处于相同的邻近值的范围内的高度。
在本方式中,层间绝缘膜的上面为具有台阶差的形状。也即是,设有高低差。其结果,即使在TFT层中与第一接触孔和第二接触孔对应的部分的高度相同或处于相同的邻近值的范围内(实质相同),也能够使接触孔的深度不同。因此,能够容易地微调节接触孔的容积差。
在此,在TFT层形成有用于从TFT向电极板供给电力的电极(实施方式的SD电极),在该电极上形成有接触孔。而且,电极板的一部分凹入接触孔而成为凹部,通过该凹部的底壁部分与上述电极的上面面接触,使电极板和电极导通。该情况下,TFT层的与第一(第二)接触孔的底面对应的部位的高度可以为上述电力供给用的电极的上面的高度。
在与接触孔的底面对应的部位形成为相同或处于相同的邻近值的范围内的高度时,高度实质相同即可,例如,高度的差可以为第一接触孔的深度和第二接触孔的深度之差的5%以内。
在此,通常,TFT层的与第一接触孔和第二接触孔的底面对应的部位的高度实质相同,所以本方式能够应对一般的TFT层,通用性好。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板可以采用以下结构:所述层间绝缘膜的上面的形成有所述第一电极板组的部位和形成有所述第二电极板组的部位形成为相同或处于相同的邻近值的范围内的高度,所述TFT层形成为:与所述第一接触孔的底面对应的部位比与所述第二接触孔的底面对应的部位低。
在本方式中,在层间绝缘膜的上面,在形成有第一电极板组的部位和形成有第二电极板组的部位之间没有高低差,而是在TFT层设有高低差。其结果,在层间绝缘膜的上面,即使形成有所述第一电极板组的部位的高度和形成有所述第二电极板组的部位的高度实质相同,也能够使接触孔的深度不同。因此,能够容易地微调节接触孔的容积差。
在此,在层间绝缘膜的上面,形成有所述第一电极板组的部位的高度和形成有所述第二电极板组的部位的高度实质相同即可。对于实质相同,例如,与前项同样地,可以为第一接触孔的深度和第二接触孔的深度之差的5%以内。
在此,在本方式中,在层间绝缘膜的上面,在形成有第一电极板组的部位和形成有第二电极板组的部位之间没有高低差,因此具有易于在层间绝缘膜上形成有机EL元件的优点。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板可以采用以下结构:包括:第三电极板组,其与所述第二电极板组相邻地形成,包括线状排列的多个第三颜色用的电极板;第四隔壁,其沿着所述第三电极板组的与所述第二电极板组相反侧的长边部分而形成;以及第三有机功能层,其在所述第三隔壁和所述第四隔壁之间形成在所述第三电极板组的上方,所述对置电极设在所述第三有机功能层的上方,在所述层间绝缘膜设有将所述第三颜色用的电极板各自与TFT层连接的第三接触孔,所述第三颜色用的电极板具有沿着所述第三接触孔的形状而凹陷的第三凹部,所述层间绝缘膜形成为:形成有所述第一电极板组的部位比形成有所述第三电极板组的部位厚,所述第一接触孔比所述第三接触孔深且容积大,与所述第一颜色用的电极板上的区域对应的所述第一有机功能层的体积和与所述第三颜色用的电极板上的区域对应的所述第三有机功能层的体积相同或处于相同的邻近值的范围内,所述第一有机功能层进入与所述第一接触孔对应的第一凹部中的量比所述第三有机功能层进入与所述第三接触孔对应的第三凹部中的量多,因而所述第一凹部以外的所述第一颜色用的电极板上的区域中的所述第一有机功能层的膜厚比在所述第三凹部以外的所述第三颜色用的电极板上的区域形成的所述第三有机功能层的膜厚薄。
在本方式中,在与所述第一电极板组和所述第二电极板组对应的有机EL发光元件的基础上,还存在与第三电极板组对应的有机EL发光元件。即,能够实现通过三种颜色的发光颜色来显示图像的有机EL显示面板。而且,通过使所述三种颜色为红、绿、蓝(RGB),能够实现通用性高的有机EL显示面板。
在本方式中,在使第三接触孔的容积与第二接触孔不同的情况下,能够使接触孔的容积按RGB颜色而不同。在RGB的各子像素中,通常,为了提高放射的光的取出效率而采用上述的腔构造。该情况下,优选能够微调节有机功能层的膜厚差,以使得变为与RGB各颜色的光的波长对应的最合适的光路长度。
根据本方式,接触孔的容积差能够通过层间绝缘膜的膜厚及接触孔的形状(上面积的大小等)而较容易地进行微调节。其结果,能够实现有机功能层的膜厚差的微调节。
因此,在用喷墨式涂敷方法形成有机功能层的情况下,能够通过改变与RGB各颜色对应而形成的接触孔的体积来微调节用于使各子像素的腔合适的所述有机功能层的膜厚差。
特别是,为了与RGB各颜色的发光波长对应地使腔合适,例如,可以以B、G、R的顺序使接触孔的体积缩小(B>G>R)。这样,能以B、G、R的顺序使有机功能层的膜厚增大(B<G<R)。腔中包括有机功能层以外的层,所以可以通过有机功能层以外的层的膜厚来使与RGB各颜色对应的有机功能层的膜厚的厚度和上述顺序不同。
进一步,本发明的一种方式的有机EL显示面板可以采用以下结构:与所述第一颜色用的电极板对应的第一接触孔的上面面积、与所述第二颜色用的电极板对应的第二接触孔的上面面积以及与所述第三颜色用的电极板对应的第三接触孔的上面面积相同或处于相同的邻近值的范围内。
根据本方式,即使在与各颜色对应的接触孔的上面面积相同或处于相同的邻近值的范围内的情况下,也能够通过接触孔的形状来微调节所述有机功能层的膜厚。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板可以采用以下结构:所述接触孔的上面面积为从所述层间绝缘膜的所述接触孔的周缘部的最高位置向下10%的位置处、或向下10%的邻近值的范围内的位置处的所述接触孔的直径所规定的圆的面积。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板可以采用以下结构:所述层间绝缘膜的上面形成为:形成有所述第一电极板组的部位比形成有所述第二电极板组的部位和形成有所述第三电极板组的部位高,所述TFT层的与所述第一接触孔的底面对应的部位、与所述第二接触孔的底面对应的部位以及与所述第三接触孔的底面对应的部位形成为相同或处于相同的邻近值的范围内的高度。
在本方式中,层间绝缘膜的上面为具有台阶差的形状。即,设有高低差。其结果,即使在TFT层中与第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔对应的部分的高度实质相同,也能够使接触孔的深度不同。因此,能够容易地微调节接触孔的容积差。
在此,通常,TFT层的与第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔的底面对应的部位的高度实质相同,所以本方式能够使用一般的TFT层,通用性好。
在与接触孔的底面对应的部位形成为互相相同或处于相同的邻近值的范围内的高度时,所述接触孔的底面所形成的高度实质相同即可。例如,所述高度的差可以为第一接触孔的深度与第二接触孔及第三接触孔中较浅一方的深度之差的5%以内。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板可以采用以下结构:所述层间绝缘膜的上面的形成有所述第一电极板组的部位、形成有所述第二电极板组的部位以及形成有所述第三电极板组的部位形成为相同或处于相同的邻近值的范围内的高度,所述TFT层形成为:与所述第一接触孔的底面对应的部位比与所述第二接触孔的底面对应的部位和与所述第三接触孔的底面对应的部位低。
在本方式中,在TFT层设有高低差。其结果,即使在层间绝缘膜的上面,形成有第一电极板组的部位和形成有第二电极板组及第三电极板组的部位的高度实质相同,也能够使接触孔的深度不同。因此,能够容易地微调节接触孔的容积差。
在此,在本方式中,在层间绝缘膜的上面,在形成有第一电极板组的部位和形成有第二电极板组及第三电极板组的部位之间没有高低差,因此具有易于在层间绝缘膜上形成有机EL元件的优点。
在形成有第一电极板组、第二电极板组、第三电极板组的部位的高度实质相同时,与前项同样地,例如,所述接触孔的底面所形成的高度之差可以是第一接触孔的深度与第二接触孔及第三接触孔中较浅一方的深度之差的5%以内。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板可以采用以下结构:所述第一有机功能层及所述第二有机功能层是电荷注入层或电荷输送层,在所述第一有机功能层和所述对置电极之间形成第一有机发光层,在所述第二有机功能层和所述对置电极之间形成第二有机发光层。
电荷注入层、电荷输送层等的膜厚形成为比有机发光层薄的情况较多,所以难以微调节膜厚差。因此,能够通过接触孔的容积差来微调节膜厚差的好处很大。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板可以采用以下结构:所述第一有机功能层、所述第二有机功能层以及所述第三有机功能层是电荷注入层或电荷输送层,在所述第一有机功能层和所述对置电极之间形成第一有机发光层,在所述第二有机功能层和所述对置电极之间形成第二有机发光层,在所述第三有机功能层和所述对置电极之间形成第三有机发光层。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板可以采用以下结构:所述第一有机功能层和所述第二有机功能层是有机发光层。
根据本方式,通过使第一接触孔的容积比第二接触孔的容积大,能够微调节与各颜色对应的有机发光层的膜厚的差。其结果,能使有机发光层的色度和/或辉度更适当。或者,能够提高光的取出效率。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板可以采用以下结构:所述第一有机功能层、所述第二有机功能层以及所述第三有机功能层是有机发光层。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板可以采用以下结构:所述电极板是阳极,所述对置电极是阴极。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板可以采用以下结构:所述电极板是阴极,所述对置电极是阳极。
进一步,本发明的一种方式的显示装置具备上述任一方式所记载的有机EL显示面板。
根据本方式,能够实现具备上述任一方式所记载的有机EL显示面板的显示装置。
进一步,本发明的一种方式的有机EL显示面板的制造方法为如下构成,包括:第一工序,准备基板;第二工序,在所述基板上形成TFT层;第三工序,在所述TFT层上形成层间绝缘膜;第四工序,在所述层间绝缘膜上形成线状地排列了多个第一颜色用的电极板的第一电极板组,与所述第一电极板组相邻地在所述层间绝缘膜上形成线状地排列了多个第二颜色用的电极板的第二电极板组;第五工序,沿着所述第一电极板组的一个长边部分而形成第一隔壁,在所述第一电极板组的另一长边部分和所述第二电极板组的一个长边部分之间形成第二隔壁,沿着所述第二电极板组的另一长边部分而形成第三隔壁;第六工序,在所述第一隔壁和所述第二隔壁之间在所述第一电极板组的上方连续地形成第一有机功能层;第七工序,在所述第二隔壁和所述第三隔壁之间在所述第二电极板组的上方连续地形成第二有机功能层;和第八工序,在所述第一有机功能层及所述第二有机功能层的上方设置对置电极,在所述第三工序中,所述层间绝缘膜的厚度形成为:形成有所述第一电极板组的部位的厚度比形成有所述第二电极板组的部位的厚度厚,在所述层间绝缘膜设有将所述第一颜色用的电极板各自与TFT层连接的第一接触孔、和将所述第二颜色用的电极板各自与TFT层连接的第二接触孔,所述第一接触孔形成为比所述第二接触孔深且容积大,在所述第四工序中,在各个所述第一颜色用的电极板,沿着所述第一接触孔的形状而形成第一凹部,在各个所述第二颜色用的电极板,沿着所述第二接触孔的形状而形成第二凹部,在所述第六工序中形成的所述第一有机功能层和在所述第七工序中形成的所述第二有机功能层中,与所述第一颜色用的电极板上的区域对应的所述第一有机功能层的体积和与所述第二颜色用的电极板上的区域对应的所述第二有机功能层的体积相同或处于相同的邻近值的范围内,所述第一有机功能层进入与所述第一接触孔对应的第一凹部中的量比所述第二有机功能层进入与所述第二接触孔对应的第二凹部中的量多,因而所述第一凹部以外的所述第一颜色用的电极板上的区域中的所述第一有机功能层的膜厚比在所述第二凹部以外的所述第二颜色用的电极板上的区域形成的所述第二有机功能层的膜厚薄。
根据本方式,能够制造所述本发明的一种方式的有机EL显示面板。因此,例如,能够通过使层间绝缘膜的厚度不同来微调节第一接触孔的容积和第二接触孔的容积之差,能够容易地微调节第一有机功能层的膜厚和第二有机功能层的膜厚之差。其结果,例如,能够使有机EL元件内的光的共振条件按每种颜色而优化,能够可容易地得到发取出率优异的显示面板。
在此,为了“将所述层间绝缘膜形成为:形成有所述第一电极板组的部位比形成有所述第二电极板组的部位厚”,可以在形成有第一电极板组的部位和形成有第二电极板组的部位,改变层间绝缘膜的上面和下面中至少一方的高度。
为了改变层间绝缘膜的上面的高度,例如,在第三工序中,可以通过光刻法等在层间绝缘膜的上面形成台阶差,使形成有第一电极板组的部位比形成有第二电极板组的部位高。
为了改变层间绝缘膜的下面的高度,例如,可以在第一工序和第二工序之间设置如下工序:在基板上形成台阶差,使TFT层的与第一电极板组对应的部位比与第二电极板组对应的部位低。为了在基板上形成台阶差,例如,可以在基板上形成具有高低差的绝缘层等,也可以通过蚀刻等切削基板来在基板自身上形成高低差。进一步,可以在第一工序中,准备在上面形成有台阶差的基板。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板的制造方法中可采用以下构成:与所述第一颜色用的电极板对应的接触孔的上面面积和与所述第二颜色用的电极板对应的接触孔的上面面积相同或处于相同的邻近值的范围内。
根据本方式,即使在使第一接触孔的上面面积和第二接触孔的上面面积相同或处于相同的邻近值的范围内的情况下,也能够通过改变第一接触孔和第二接触孔的深度,使第一接触孔的容积比第二接触孔的容积大。其结果,能够微调节第一有机功能层的膜厚和第二有机功能层的膜厚之差。
此外,能够通过使第一接触孔和第二接触孔的上面面积实质相同,使第一凹部和第二凹部的开口面积也实质相同,使含有有机功能层的墨水进入凹部内的容易度也大体相等。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板的制造方法中可以采用如下构成:在所述第四工序和所述第五工序之间,设有如下工序:以覆盖与所述第一接触孔对应的所述第一凹部的方式形成第一像素限制层,以覆盖与所述第二接触孔对应的所述第二凹部的方式形成第二像素限制层,在所述第六工序中,在所述第一像素限制层的上方形成第一有机功能层,在所述第七工序中,在所述第二像素限制层的上方形成第二有机功能层。
根据本方式,通过由具有绝缘性的像素限制层来覆盖凹部,能够使凹部和有机功能层电绝缘。由此,能够防止例如在凹部的开口缘上方,发光层因局部的电流集中而以与凹部周围不同的辉度发光。
此外,第一像素限制层和第二像素限制层各自由例如SiO2(氧化硅)膜、或SiN(氮化硅)膜等的氧化物(包括氮化物)形成,并且,在上述像素限制层上直接涂敷含有有机功能层的墨水的情况下,会良好地进入第一有机功能层的第一凹部、和进入第二有机功能层的第二凹部。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板的制造方法中可以采用以下构成:在所述第六工序中,对于所述第一有机功能层,通过用喷墨式涂敷方法来涂敷预定体积的液滴,从而在所述第一电极板组的上方连续地形成,在所述第七工序中,对于所述第二有机功能层,通过用喷墨式涂敷方法来涂敷与所述预定体积相同或处于相同的邻近值的范围内的体积的液滴,从而在所述第二电极板组的上方连续地形成。
根据本方式,在喷墨式涂敷方法中,能够通过使各颜色的涂敷条件相同,简化制造装置或制造工序,并且能够通过使第一接触孔的容积比第二接触孔大,使第一有机功能层的膜厚比第二有机功能层薄。即,能够微调节与不同颜色对应的有机功能层的膜厚差。
可以采用以下构成:所述第一有机功能层的膜厚和所述第二有机功能层的膜厚之差,比在通过所述喷墨式涂敷方法来涂敷所述预定体积的液滴的情况下、通过使涂敷在每个所述第一颜色用的电极板上的液滴数增加n滴而形成的所述第一有机功能层的膜厚的增加量大,且比在通过所述喷墨式涂敷方法来涂敷所述预定体积的液滴的情况下、通过使所述液滴数增加n+1滴而形成的所述第一有机功能层的膜厚的增加量小。
根据本方式,能够比从喷墨装置的喷嘴滴下的液滴的最小单位即一个液滴所形成的膜厚小地微调节第一有机功能层的膜厚和第二有机功能层的膜厚之差。所述第一有机功能层的膜厚是第一有机功能层中与第一颜色用的电极板的第一凹部以外对应的部分的膜厚。对于第二有机功能层也是同样的。
进一步,本发明的一种方式的有机EL显示面板的制造方法中可以采用如下构成,第一工序,准备基板;第二工序,在所述基板上形成TFT层;
第三工序,在所述TFT层上形成层间绝缘膜;第四工序,在所述层间绝缘膜上形成线状地排列了多个第一颜色用的电极板的第一电极板组,与所述第一电极板组相邻地在所述层间绝缘膜上形成线状地排列了多个第二颜色用的电极板的第二电极板组,与所述第二电极板组相邻地在所述层间绝缘膜上形成线状地排列了多个第三颜色用的电极板的第三电极板组;第五工序,沿着所述第一电极板组的一个长边部分而形成第一隔壁,在所述第一电极板组的另一长边部分和所述第二电极板组的一个长边部分之间形成第二隔壁,在所述第二电极板组的另一长边部分和所述第三电极板组的一个长边部分之间形成第三隔壁,沿着所述第三电极板组的另一长边部分而形成第四隔壁;第六工序,在所述第一隔壁和所述第二隔壁之间在所述第一电极板组的上方连续地形成第一有机功能层;第七工序,在所述第二隔壁和所述第三隔壁之间在所述第二电极板组的上方连续地形成第二有机功能层;第八工序,在所述第三隔壁和所述第四隔壁之间在所述第三电极板组的上方连续地形成第三有机功能层;和第九工序,在所述第一有机功能层、所述第二有机功能层以及所述第三有机功能层的上方形成对置电极,在所述第三工序中,所述层间绝缘膜的厚度形成为:形成有所述第一电极板组的部位的厚度比形成有所述第二电极板组的部位的厚度和形成有所述第三电极板组的部位的厚度厚,在所述层间绝缘膜设有将所述第一颜色用的电极板各自与TFT层连接的第一接触孔、将所述第二颜色用的电极板各自与TFT层连接的第二接触孔以及将所述第三颜色用的电极板各自与TFT层连接的第三接触孔,所述第一接触孔形成为比所述第二接触孔和所述第三接触孔深且容积大,在所述第四工序中,在各个所述第一颜色用的电极板,沿着所述第一接触孔的形状而形成第一凹部,在各个所述第二颜色用的电极板,沿着所述第二接触孔的形状而形成第二凹部,在各个所述第三颜色用的电极板,沿着所述第三接触孔的形状而形成第三凹部,在所述第六工序、所述第七工序以及所述第八工序中分别形成的所述第一有机功能层、所述第二有机功能层和所述第三有机功能层中,与所述第一颜色用的电极板上的区域对应的所述第一有机功能层的体积和与所述第二颜色用的电极板上的区域对应的所述第二有机功能层的体积及与所述第三颜色用的电极板上的区域对应的所述第三有机功能层的体积相同或处于相同的邻近值的范围内,所述第一有机功能层进入与所述第一接触孔对应的第一凹部中的量比所述第二有机功能层进入与所述第二接触孔对应的第二凹部中的量及所述第三有机功能层进入与所述第三接触孔对应的第三凹部中的量多,因而所述第一凹部以外的所述第一颜色用的电极板上的区域中的所述第一有机功能层的膜厚比在所述第二凹部以外的所述第二颜色用的电极板上的区域形成的所述第二有机功能层的膜厚及在所述第三凹部以外的所述第三颜色用的电极板上的区域形成的所述第三有机功能层的膜厚薄。
根据本方式,能够实现在与所述第一电极板组和所述第二电极板组对应的有机EL发光元件的基础上,还具有与第三电极板组对应的发光颜色即三种颜色的发光颜色的有机EL发光元件。而且,通过使所述三种颜色为红、绿、蓝(RGB),能够实现光取出效率高的有机EL显示面板。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板中可以采用以下结构:在上述结构中,所述接触孔具有在层间绝缘膜的上面侧开口的上侧开口部和在下面侧开口的下侧开口部,所述电极板在沿着所述接触孔凹陷的凹部中通过所述下侧开口部而与所述TFT层电连接。
进一步,在本发明的一种方式的有机EL显示面板中可以采用以下结构:所述接触孔具有随着从所述上侧开口部靠近所述下侧开口部而连续地缩径的形状的上段部分、和随着从所述下侧开口部靠近所述上侧开口部而连续地扩径的形状的下段部分,在上段部分和下段部分之间存在台阶差(或台阶差面)。
<实施方式1>
(显示面板100的结构)
图1是示意表示实施方式1的显示面板100的重要部分结构的剖视图。图2是表示显示面板100的重要部分结构的立体图。
显示面板100是利用有机材料的电致发光现象的有机EL显示面板。在显示面板100中,像素(pixel)在纵向和横向(X方向和Y方向)上矩阵状地排列,各像素包括相邻的RGB(红绿蓝)三色子像素。图2所示的有机EL元件20a、20b、20c是顶部发射型有机EL元件,有机EL元件20a对应于第一颜色(蓝色)的子像素,有机EL元件20b对应于第二颜色(绿色)的子像素,有机EL元件20c对应于第三颜色(红色)的子像素。
在此,在俯视时,将形成有各有机EL元件20的区域称为“元件形成区域”,将元件形成区域中的对发光有用的区域称为子像素。
如图2所示,蓝色的有机EL元件20a在纵向(Y方向)上线状地排列,与之相邻地,绿色的有机EL元件20b在纵向(Y方向)上线状地排列,进一步,与之相邻地,红色的有机EL元件20c在纵向(Y方向)上线状地排列。而且,由在横向(X方向)上相邻的三个有机EL元件20a、20b、20c形成一个像素。
图1示出将排列的有机EL元件20c在纵向(Y方向)上剖开而得到的剖面。显示面板100具备TFT基板,该TFT基板包括基板1和在基板1的主面上层叠形成的TFT层2(薄膜晶体管层)。
另外,在显示面板100中,在TFT基板上依次层叠有层间绝缘膜3、阳极板5、像素限制层6、空穴注入层7。进一步,在这些层之上,形成隔壁8、空穴输送层9、有机发光层10(以下简称为发光层)以及阴极层11,从而形成有机EL元件20a、20b、20c。
在图1中,在Z轴方向的最上部,处于剖开面的内侧的隔壁8的侧面以涂白的方式表示(图3等也是同样的)。另外,在图2中,没有示出空穴输送层9、发光层10、阴极层11。
基板1是成为显示面板100的基底部分的基板,由无碱玻璃、钠钙玻璃、无荧光玻璃、磷酸类玻璃、硼酸类玻璃、石英、丙烯类树脂、苯乙烯类树脂、聚碳酸酯类树脂、环氧类树脂、聚乙烯、聚酯、硅类树脂或氧化铝等绝缘性材料来形成。
TFT层2包括用于以有源矩阵方式对面板整体的各有机EL元件20a~20c进行驱动的TFT(薄膜晶体管)和布线等。进一步,在图1中,以双点划线示意地表示TFT层2,代表性地图示出与TFT的源电极或漏电极连接的SD电极22。
层间绝缘膜3由绝缘性优异的有机材料例如聚酰胺、聚酰亚胺、丙烯类树脂材料形成,将基板1的上述TFT层2整体地覆盖。
在该层间绝缘膜3,按每个有机EL元件20a、20b、20c而分别形成有沿厚度方向(Z方向)下挖而得到的接触孔13a、13b、13c(参照图1、图3)。接触孔13是在层间绝缘膜3的上面侧及下面侧这两侧开口的圆形孔。有时将各接触孔13a、13b、13c不区分地简记为接触孔13。接触孔13的剖面形状(与XY平面平行的剖面的形状)除了圆形以外还可采用椭圆形、矩形等形状。
该层间绝缘膜3的与各颜色的有机EL元件20a、20b、20c对应的部位的上面高度不同。因此,各接触孔13a、13b、13c的深度也互不相同。
在接触孔13内,随着其内部形状而凹入地层叠有阳极板5、像素限制层6以及空穴注入层7,其结果,在空穴注入层7形成形状与接触孔13相似的凹部15。在图2中,接触孔13隐藏在凹部15之下,所以使用虚线的引出线来对接触孔13标以标记(图3(a)也是同样的)。
接着,参照图3(a)~(c)来详细说明上述显示面板100的结构。图3(a)是表示显示面板100的概略结构的俯视图,图3(b)是在图3(a)的A-A’线剖开而得到的剖视图,图3(c)是在图3(a)的B-B’线剖开而得到的剖视图。在图3中,也没有示出空穴输送层9、发光层10、阴极层11。
如图3(b)、图3(c)所示,层间绝缘膜3的上面高度在横向(X方向)上台阶状地变化。具体而言,如图2所示,在层间绝缘膜3的上面,最高的第一面3a、中间高度的第二面3b、最低的第三面3c在横向(X方向)上重复排列,该第一面3a、第二面3b、第三面3c之间由斜面连接。
此外,第一面3a、第二面3b、第三面3c分别呈在纵向(Y方向)上细长地延伸的带状的平面形状,上面高度均匀。
如图3(a)所示,接触孔13与有机EL元件20同样地呈矩阵状排列。而且,接触孔13在横向(X方向)上接近地排列,在纵向(Y方向)上以预定间隔而等节距地排列。
如图3(b)所示,与各颜色对应的接触孔13a、13b、13c的上面面积实质相同(关于上面面积将在后面详细描述)。另一方面,三个接触孔13a、13b、13c分别在高度不同的第一面3a、第二面3b、第三面3c开口设置,深度和容积不同。
具体而言,接触孔13a最深,容积也最大。另一方面,接触孔13c最浅,容积也最小。并且,接触孔13b为中间深度,容积也为中间大小。
即,与蓝绿红各颜色对应的接触孔13a、13b、13c的容积(体积)设定为,与蓝色对应的接触孔13a的容积最大,与红色对应的接触孔13c的容积最小。因此,在蓝色的元件形成区域形成的凹部15a的容积最大,在红色的元件形成区域形成的凹部15c的容积最小。
在此,各接触孔13a、13b、13c下侧的开口由SD电极22的上面覆盖而封闭。即,SD电极22的上面相当于上述“与TFT层的接触孔的底面对应的部位”。也可以认为SD电极22的上面分别形成上述“TFT基板的第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔的各底面”。
在本实施方式中,与各接触孔13a、13b、13c各自对应的SD电极22的上面的高度实质上互相相同。具体而言,与各接触孔13a、13b、13c对应的SD电极22的上面的高度的差在第一接触孔13a的深度与第三接触孔13c的深度之差的5%以内。各接触孔的深度被确定为如后面例示的深度P1至P3(图9)。
阳极板5(5a~5c)是电极板的一个例子,俯视呈矩形形状。阳极板5在层间绝缘膜3上形成于各有机EL元件20的元件形成区域(子像素区域及接触孔13上的区域)。各阳极板5尺寸相等,在纵向(Y方向)和横向(X方向)上,在与其它阳极板5相距预定距离的状态下呈矩阵状排列。
在阳极板5如图3(b)、(c)所示,其一部分沿接触孔13的内面凹入,从而形成与接触孔13类似形状的凹部23。而且,阳极板5在凹部23的底壁部分与TFT层2的SD电极22电连接。
形成该阳极板5的材料优选具有光反射性,可使用例如银-钯-铜的合金、Ag(银)、银-铷-金的合金、MoCr(钼和铬的合金)、NiCr(镍和铬的合金)、铝、铝合金等金属材料。此外,也可使用ITO(氧化铟锡)、IZO(In2O3-ZnO)、ZnO、InO、SnO等半导体材料。进一步,可在上述金属材料膜上层叠上述半导体材料而形成阳极板5。
像素限制层6是在横向(X方向)上延伸设置的电绝缘性的膜,覆盖阳极板5的纵向(Y方向)的端部和凹部23。
形成有该像素限制层6的部位切断阳极板5和阴极层11之间的电导通,即使对有机EL元件20施加驱动电压也不会发光。即,通过像素限制层6来在纵向(Y方向)上限制子像素间的发光。因此,由该像素限制层6划分在纵向(Y方向)上排列的多个子像素。此外,各像素限制层6在纵向(Y方向)上等宽度、等节距地排列,使得多个子像素的尺寸均等。
通过由像素限制层6覆盖阳极板5的上述端部和凹部23,能够防止发生下述辉度不匀和/或阳极板5和阴极层11之间的短路。具体而言,当发光层10的膜厚在阳极板5的上述端部和凹部23的开口缘上方变薄、电流局部地集中时,辉度局部增大,发生辉度不匀。此外,在阳极板5的上述端部和凹部23的开口缘上方,当发光层10和/或其它层发生层断时,有时会在阳极板5和阴极层11之间发生短路。
像素限制层6是由二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)等形成的绝缘性无机膜。其厚度为100nm~300nm左右。
空穴注入层7(7a~7c)通过在阳极板5和像素限制层6上层叠钼和/或钨等的氧化物而形成。
此外,在接触孔13上的区域,空穴注入层7与像素限制层6一同凹入阳极板5的凹部23中,形成与凹部23类似形状的凹部15。与凹部23的大小(直径、深度尺寸)相比,像素限制层6、空穴注入层7的膜厚小很多,因此形成于空穴注入层7的凹部15的容积和形成于阳极板5的凹部23的容积大体相同。
隔壁8(8a~8c)由绝缘性有机材料(例如丙烯类树脂、聚酰胺类树脂、酚醛型苯酚树脂等)形成,形成为至少表面具有拨水性。各隔壁8a、8b、8c呈在纵向(Y方向)上较长的线状的形状,以通过在横向(X方向)上连续排列的有机EL元件20a、20b、20c彼此之间的方式在横向(X方向)上等节距地形成。各隔壁8a、8b、8c的剖面形状为梯形。各隔壁宽度(X方向的尺寸)均匀。
空穴输送层9(9a~9c)是上述有机功能层的一个例子,在由相邻的隔壁8彼此夹着的区域,以覆盖空穴注入层7的方式形成该空穴输送层。而且,各空穴输送层9在像素限制层6上部分地进入上述凹部15。空穴输送层9在纵向(Y方向)上连续地形成。
如后所述,凹部15的容积根据与各颜色对应的接触孔13a、13b、13c的容积的不同而不同,所以发光区域等的空穴输送层9的膜厚不同。
在此,在隔壁8a和隔壁8b之间,形成与蓝色对应的空穴输送层9a,在隔壁8b和隔壁8c之间,形成与绿色对应的空穴输送层9b,在隔壁8c和隔壁8a之间,形成与红色对应的空穴输送层9c。
此外,发光层10(10a~10c)在由相邻的隔壁8彼此夹着的区域形成于空穴输送层9上。而且,各发光层10与各空穴输送层9一同部分地进入上述凹部15。
在此,在空穴输送层9a的上方形成发出蓝色光的发光层10a,在空穴输送层9b的上方形成发出绿色光的发光层10b,在空穴输送层9c的上方形成发出红色光的发光层10c。
空穴输送层9由空穴迁移率优异的材料形成,向发光层10输送空穴。作为形成空穴输送层9的材料的具体例子,可举出4,4’-双[N-(萘基)-N-苯基氨基]联苯基(α-NPB或α-NPD)、N,N’-双(3-甲基苯基)-(1,1’-联苯基)-4,4’-二胺(TPD)等三芳基胺类化合物。作为其它实例,有联苯衍生物、蒽衍生物、苯胺衍生物、噻吩衍生物等。
阳极板5、空穴注入层7、空穴输送层9在三种颜色的有机EL元件20a、20b、20c中使用共同的材料,但是,发光层10在三种颜色的有机EL元件20a、20b、20c中分别由发出蓝色、绿色、红色的光的发光材料形成。
作为发光层10的材料,可以列举例如由日本特开平5-163488号公报所记载的类喔星(oxinoid)化合物、苝化合物、香豆素化合物、氮杂香豆素化合物、噁唑化合物、噁二唑化合物、紫环酮(perinone)化合物、吡咯并吡咯化合物、萘化合物、蒽化合物、芴化合物、荧蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、晕苯化合物、喹诺酮化合物及氮杂喹诺酮化合物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、若丹明化合物、(chrysene)化合物、菲化合物、环戊二烯化合物、茋化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、双氰亚甲基吡喃化合物、双氰亚甲基噻喃化合物、荧光素化合物、吡喃鎓化合物、噻喃鎓化合物、硒杂环己二烯鎓化合物、碲杂环己二烯鎓化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚亚苯基化合物、噻吨化合物、蒽化合物、花青苷化合物、吖啶化合物、8-羟基喹啉化合物的金属配合物、2,2’-联吡啶化合物的金属配合物、席夫碱与III族金属的配合物、8-羟基喹啉(喔星)金属配合物、稀土类配合物等荧光物质等。
阴极层11是对置电极的一个例子,形成为一并覆盖三种颜色的有机EL元件20a、20b、20c的发光层10。阴极层11由光透射性的材料例如ITO、IZO(氧化铟锌)等形成。
虽然未图示,但在阴极层11上设有封止层。该封止层由例如SiN(氮化硅)、SiON(氮氧化硅)等光透射性的材料形成。
在这样的显示面板100中,如上所述,隔壁8的节距及隔壁宽度均等,像素限制层6的间距和宽度也均等,所以隔壁8和像素限制层6所包围的子像素的尺寸均等。
在本实施方式中,如图3(a)所示,在显示面板100中,多个蓝色用的阳极板5a在纵向(Y方向)上线状排列而形成第一阳极板组(作为第一电极板组的一个例子)。与该第一阳极板组相邻地,多个绿色用的阳极板5b在纵向(Y方向)上线状排列而形成第二阳极板组(作为第二电极板组的一个例子)。与该第二阳极板组相邻地,多个红色用的阳极板5c在纵向(Y方向)上线状排列而形成第三阳极板组(作为第三电极板组的一个例子)。
在此,在图3(a)中,各阳极板组的整体形状呈在纵向(Y方向)上细长的长方形,各阳极板组左右加在一起具有两个长边部分。而且,沿第一阳极板组的一个(左侧)长边部分形成第一隔壁(隔壁8a),在第一阳极板组的另一(右侧)长边部分和第二阳极板组的一个(左侧)长边部分之间形成第二隔壁(隔壁8b),在第二阳极板组的另一(右侧)长边部分和上述第三阳极板组的一个(左侧)长边部分之间形成第三隔壁(隔壁8c),沿上述第三阳极板组的另一(右侧)长边部分形成第四隔壁(隔壁8a)。第四隔壁(隔壁8a)成为相邻的像素的第一隔壁(隔壁8a)。
(显示面板100的制造方法)
首先,参照图4对显示面板100的制造方法的主要部分说明其一个例子。
对生产(制作)TFT基板的工序进行说明。
准备与显示面板100的尺寸对应的基板1。可以准备显示面板100的数倍大小的基板,同时进行多个显示面板100的制造。
TFT层形成工序:
在基板1上,使用公知的制造方法(例如,日本特开2003-241683号公报、日本特开2008-300611号公报等的记载内容),来形成包括TFT及布线、SD电极22的TFT层2(图4(a))。例如,通过溅射法和/或CVD法(化学气相成膜法)等来形成TFT、SD电极22、布线等。
在TFT的形成中,形成栅电极、栅极绝缘膜、源极、漏极、沟道层等。SD电极22与源极和漏极中的任一方电连接地形成。对于布线,形成有例如在Y方向上延伸设置的多条信号用布线、在X方向上延伸设置的多条扫描用布线,并与各TFT连接。TFT可以是栅电极相比源极、漏极等而形成在上方的顶栅型,也可以是栅电极相比源极、漏极等而形成下方的底栅型。
对形成层间绝缘膜的工序进行说明。
层间绝缘膜形成工序:
在上述TFT层2上涂敷由正型的感光性有机材料形成的抗蚀剂膜26之后,在该抗蚀剂膜26的位于SD电极22上的部分形成接触孔13。
通过旋涂法等液层成膜法来涂敷抗蚀剂膜26,并通过填埋TFT层2上的凹凸来使其表面平坦化。也可通过浸渍涂法、狭缝涂法、喷涂法、辊涂法、模涂法等液层成膜法来进行涂敷。
在形成层间绝缘膜3上的台阶差及接触孔13时使用光刻法。在层间绝缘膜3,分别形成有第一面3a、第二面3b、第三面3c(参照图5)。
这是在曝光及显像处理中,分三次分别形成第二面3b、第三面3c及各接触孔13。例如,在通过最初的曝光及显像处理来形成第二面3b之后,通过再次曝光及显像处理来形成第三面3c,通过最后的曝光及显像处理来形成各接触孔13。
在本实施方式中,层间绝缘膜3中,在俯视时,第一面3a下的部分相当于形成第一电极板组的部位,第二面3b下的部分相当于形成第二电极板组的部位,第三面3c下的部分相当于形成第三电极板组的部位。也可以认为第二面3b下的部分相当于形成第一电极板组的部位,第三面3c下的部分相当于形成第二电极板组的部位。进一步,也可以认为第一面3a下的部分相当于形成第一电极板组的部位,第三面3c下的部分相当于形成第二电极板组的部位。
也可以使用多色调掩模来在一次曝光及显像处理中形成层间绝缘膜3上的台阶差及接触孔13。对于该方法,使用图5(a)、图5(b)来进行说明。图5(a)、图5(b)是示意表示使用光刻法来形成接触孔13的处理的剖视图。
在曝光处理中使用的多色调掩模30包括使光透射的透光部31、减弱透射光的半透光部32、将光遮蔽的遮光部33。半透光部32包括配置比曝光机的解析度充分微细的图案、调节在每单位面积配置的微细图案的数量从而调节透射率的部分和进一步层叠具有预定透射率的膜从而调节了透射率的部分,通过这样的半透光部32实现中间曝光。特别是,按RGB而使接触孔13的容积不同的情况下的多色调掩模30优选配置比曝光机的解析度充分微细的图案、调节在每单位面积配置的微细图案的数量从而调节了透射率的部分。
为了形成各接触孔13,各透光部31a、31b、31c的开口直径与接触孔13a、13b、13c的下侧开口部35a、35b、35c(基板1侧的开口)的直径大体相同。另一方面,半透光部32b的外周的轮廓与第二面3b大体相同,半透光部32c的外周的轮廓与第三面3c大体相同。而且,在多色调掩模30中,透光部31及半透光部32以外的部分、例如与第一面3a对应的部分成为遮光部33。
透光部31的光的透射率高,抗蚀剂膜26中的透过透光部31的光所照射的部分在显像处理后在抗蚀剂膜26的下面侧开口。
另一方面,在半透光部32b、32c中照射光被削弱,所以透过半透光部32的光所照射的部分仅上部感光,在显像处理中除去上部而形成第二面3b、第三面3c。半透光部32中的形成第二面3b的半透光部32b的光的透射率比形成第三面3c的半透光部32c的光的透射率低。其结果,第二面3b比第三面3c高。
通过借助上述多色调掩模30进行的曝光,使图5(a)中由双点划线36示意表示的范围感光,在显像处理中将其溶解除去。透过透光部31和半透光部32的光通过衍射而扩散,所以在抗蚀剂膜26中,比透光部31和半透光部32宽的部分也或多或少地曝光,接触孔13的侧面倾斜。其结果,接触孔13成为锥形形状。
此外,也可以通过在形成上面为平坦面的绝缘膜(有机材料或无机材料)之后,通过以蚀刻方式将要形成接触孔13的部位除去的方法,从而形成接触孔13。
具体说明如下。在绝缘膜上重叠涂敷光致抗蚀剂,在其上重叠与要形成的层间绝缘膜3上的台阶面(第二面3b或第三面3c)或接触孔13相应的图案掩模。接着,在从图案掩模上进行了感光之后,通过显像处理除去光致抗蚀剂的感光部分(或非感光部分),从而形成抗蚀剂图案。然后,通过例如湿蚀刻来除去在绝缘膜中的抗蚀剂图案的开口部分露出的部分,从而在绝缘膜形成台阶差面或接触孔13。通过进行三次这样的曝光及显像处理,也可以使绝缘膜图案化,形成层间绝缘膜3。
下面对形成各颜色的有机EL元件的工序进行说明。
阳极板形成工序:
通过溅射法在层间绝缘膜3上形成厚度100~200nm左右的金属材料(银、钯及铜的合金)的薄膜,在金属材料膜上形成厚度90nm左右的半导体材料(IZO)的薄膜。
然后,通过光刻法形成矩阵状排列的俯视为矩形的阳极板5。具体而言,在半导体材料膜上形成抗蚀剂膜,使用呈矩阵状排列矩形的阳极板形状而形成的掩模图案,使抗蚀剂膜曝光之后,通过TMAH(四甲基氢氧化氨)溶解除去曝光部分以显像。进一步,通过湿式蚀刻(例如,使用磷酸、硝酸、醋酸的水溶液进行的蚀刻)来除去金属材料膜及半导体材料膜中的没有被抗蚀剂膜覆盖的格子状部分以形成图案,从而形成矩形的阳极板5。然后,除去抗蚀剂膜。
此时,在接触孔13的内面也形成阳极板5,所以阳极板5沿接触孔13的内面而凹入,在阳极板5形成凹部23。凹部23的底壁部分通过接触孔13下侧的开口而与SD电极22面接触以电连接(图4(c))。
像素限制层形成工序:
接着,通过CVD法将SiON成膜为100~300nm的厚度。然后,使用光刻法,通过用干式蚀刻形成图案,从而形成像素限制层6(图4(e))。
空穴注入层形成工序:接着,通过用反应性溅射法在阳极板5及像素限制层6上形成氧化钼和/或氧化钨等的氧化金属膜,从而形成空穴注入层7(图4(d))。
像素限制层6及空穴注入层7也成为沿着阳极板5而部分地凹入凹部23a、23b、23c内的形态。其结果,在空穴注入层7形成凹部15a~15c。此外,像素限制层6及空穴注入层7的子像素中的膜厚和凹部23中的膜厚为相同程度。
隔壁形成工序:
在图6中示意示出隔壁形成工序中的A-A’剖面。
作为隔壁材料,将例如感光性的抗蚀剂材料或者含有氟类或/或丙烯类材料的抗蚀剂材料涂敷在层间绝缘膜3上,形成抗蚀剂膜37。通过使用单色调掩模38以光刻法来使该抗蚀剂膜37形成图案,从而形成隔壁8a、8b、8c(图4(f)、图6(a))。
在该隔壁形成工序中,为了付与对在下一工序中涂敷的墨水的拨水性,可以通过丙烯性溶液和/或水、有机溶剂等对隔壁8的表面进行表面处理或者进行等离子体处理。
空穴输送层形成工序:
接着,以喷墨方式(喷墨式涂敷方法)形成空穴输送层9(图4(g))。
即,将作为空穴输送层材料的有机材料和溶剂以预定比率混合来制作空穴输送层用的墨水,将该墨水涂敷在相邻的隔壁8之间。即,用公知的喷墨方式,沿作为第一隔壁的隔壁8a和作为第二隔壁的隔壁8b之间的区域、作为第二隔壁的隔壁8b和作为第三隔壁的隔壁8c之间的区域、作为第三隔壁的隔壁8c和作为第四隔壁的隔壁8a之间的区域来涂敷墨水。
图7是表示刚以喷墨方式在基板上涂敷了空穴输送层形成用的墨水之后的状况的剖面示意图。在图7中,省略了空穴注入层7的图示。
在该图中,各箭头表示从喷墨装置的喷嘴在各元件形成区域向预定的多个部位滴下墨水。也即是,在各元件形成区域滴下的液滴数(例如,8滴)及在各元件形成区域滴下液滴的多个部位是相同的。由此,涂敷的墨水整体地将空穴注入层7之上覆盖,也进入因存在接触孔13而形成的凹部15中。
在此,从喷嘴排出的各墨水液滴的量是一定的,因此对于多个元件形成区域,墨水的涂敷量是均匀的。也即是,在各阳极板5上方涂敷的墨水量也相等,其偏差在5%以内。
作为将形成空穴输送层9的墨水填充到堤之间的方法,除上述之外也可使用分配法、喷涂法、印刷法等,无论哪种方法,在各阳极板5及空穴注入层7上涂敷的墨水的量在全部颜色的子像素皆是同等的。
通过使如上所述形成的墨水层干燥而形成空穴输送层9。
发光层形成工序:
在空穴输送层9上以喷墨方式形成发光层10。该工序与上述空穴输送层形成工序是同样的,通过将溶解有发光层形成用的有机发光材料的墨水涂敷在相邻的隔壁8彼此之间并使其干燥来进行形成,但所使用的有机发光材料根据各发光颜色而不同。
在空穴输送层9上,例如也可以通过真空蒸镀法来形成由低分子类有机发光材料形成的发光层10。此外,作为将形成发光层10的墨水填充到堤之间的方法,除上述之外还可使用分配法、喷涂法、印刷法等。
阴极层形成工序:
接着,在发光层10的表面上,用溅射法或真空蒸镀法形成ITO、IZO等材料的膜。由此形成阴极层11。进一步,通过在阴极层11的表面上用溅射法或真空蒸镀法形成SiN(氮化硅)、SiON(氮氧化硅)等材料的膜,从而形成封止层。
通过以上的工序形成全部的有机EL元件20a~20c,制成显示面板100。
(关于接触孔13及凹部15的容积与空穴输送层9的膜厚)
在显示面板100中,接触孔13的容积设定成与蓝色对应的接触孔13a的容积最大,与红色对应的接触孔13c的容积最小(13a>13b>13c)。因此,凹部15的容积为,在接触孔13a上方形成的凹部15a的容积最大,在接触孔13c上方形成的凹部15c的容积最小(15a>15b>15c)。与各颜色对应的空穴输送层9a、9b、9c在各阳极板5上方的区域为彼此相同的体积,但进入凹部15a、15b、15c的体积(量)不同。
其结果,蓝色子像素的空穴输送层9a的膜厚(阳极板5上的区域中的凹部15以外的区域处的膜厚)最薄,绿色子像素的空穴输送层9b的膜厚为中间厚度,红色子像素的空穴输送层9c的膜厚最厚。
这样,通过使各凹部15a、15b、15c的容积不同,从而能够微调节各空穴输送层9a、9b、9c的膜厚差。因此,在显示面板100中,易于按子像素的各颜色来将空穴输送层9的膜厚设定为与发光色的波长相应的适当值。
下面对在阳极板5的上方形成的凹部15的容积和空穴输送层9的膜厚的关系进行详细考察。像素限制层6、空穴注入层7凹入到形成于阳极板5的凹部23中,凹部15通过沿着凹部23的形状凹陷而形成。而且,由于像素限制层6、空穴注入层7通过CVD或溅射法来形成,所以凹部15的形状成为与凹部23非常相似的形状。此外,与凹部23的大小(直径及深度)相比,空穴注入层7等的膜厚小很多,对凹部23容积的影响较小。
基于以上情况,将凹部23和凹部15视为相同也没有特别问题。因此,虽然准确地说是第一凹部、第二凹部、第三凹部分别由凹部23a、23b、23c构成,但为简便起见,可以认为凹部15a、15b、15c分别构成第一凹部、第二凹部、第三凹部。
此外,与阳极板5的纵向(Y方向)的长度相比,在纵向上相邻的阳极板5之间的间隙非常小,所以不考虑间隙地进行计算。将子像素的空穴输送层9的膜厚简记为空穴输送层9的膜厚。
在一个元件形成区域,将阳极板5上的墨水涂敷区域(在图3(a)中以标号5表示的区域)的面积设为S,将空穴输送层用的墨水的溶质浓度设为N。此外,将在一个墨水涂敷区域涂敷的墨水(图7中的斜线区域C)的涂敷量设为V0,将在阳极板5上形成的凹部15的容积设为V1(将与各颜色对应的凹部15a、15b、15c的容积分别设为V1a、V1b、V1c)。
图8(a)、(b)、(c)分别为将在墨水涂敷区域涂敷墨水的状态(左侧)和墨水干燥后的状态(右侧)比图7大幅简化地表示的示意图。下面,使墨水涂敷区域、凹部15等为图8所示的简单模式,考察凹部15的容积和空穴输送层9的膜厚之间的关系。在图8中,省略了阳极板5、像素限制层6等的图示。
(1)关于有无凹部所引起的空穴输送层9的膜厚的不同
首先,对凹部15的容积和空穴输送层9的膜厚之间的关系进行描述。
在图8(a)中示出假设为不形成凹部15的情况下的墨水的干燥前后的状态。在假设阳极板5的上面整体为平坦的、没有凹部时,在阳极板5的上方涂敷的墨水层的假设高度H0通过用涂敷量V0除以面积S而得到。
H0=V0/S ...(1-1)
在干燥后形成的空穴输送层9的假设膜厚度h0通过对墨水层的假设高度H0乘以溶质浓度N来求出。
h0=N·H0
=N·V0/S ...(1-2)
另一方面,在图8(b)、(c)中示出形成凹部15的情况下的墨水的干燥前后的状态。在该图中,区别填充在凹部15内的墨水干燥而成的部分和凹部15上方的墨水层干燥而成的部分。在后面对此进行说明。
在阳极板5上方形成有凹部15(体积V1)的情况下,所涂敷的墨水的一部分填充到该凹部15中。在图6中,如斜线区域D那样在凹部15整体中填充墨水。此外,虽然在所涂敷的墨水的上面有时会或多或少地产生凹凸,但将其视为平坦的而进行估算。
于是,子像素的墨水层的高度H(Ha、Hb、Hc)可视为与将墨水剩余量(V0-V1)涂敷在没有凹部的阳极板上的情况下的高度相同,所述墨水剩余量(V0-V1)是从墨水的涂敷量V0减去向凹部15的填充量V1后得到的。
因此,墨水层的高度H可通过将墨水残量(V0-V1)除以面积S而由下式得到。
H=(V0-V1)/S ...(1-3)
墨水干燥后的空穴输送层9的膜厚h(ha、hb、hc)可通过对墨水层的高度H乘以中间层用的墨水的溶质浓度N来求出。
h=N·H
=N(V0-V1)/S ...(1-4)
比较图8的(a)和(b)可知:通过在凹部15填充墨水,子像素的墨水层的高度H变为比假设高度H0(在图8(b)中由直线J表示)小。其结果,在干燥后,空穴输送层9的膜厚h变为比假设膜厚h0小。
在此,在假设为在阳极板5上不形成凹部15的情况下,如上所述,空穴输送层9的假设膜厚h0是N·V0/S。因此,与假设膜厚h0相比,因存在凹部15而使空穴输送层9的膜厚h减小的量E成为下式。
E=h0-h
=N·V0/S-N(V0-V1)/S
=N·V1/S ...(1-5)
即,空穴输送层9的膜厚h相对于假设膜厚h0的减少量E原则上根据凹部15的容积来确定。因此,如果增大凹部15的容积(V1),则能够增大空穴输送层9的膜厚h相对于假设膜厚h0的减少量E。
而且,各颜色的凹部15的容积V1a、V1b、V1c的大小为V1a>V1b>V1c。因此,在例如使墨水的涂敷量V0及溶质浓度N相同的情况下,蓝色的子像素的空穴输送层9a的膜厚最薄,红色的子像素的空穴输送层9c的膜厚最厚。
(2)关于与各颜色对应的凹部15的容积的不同、和空穴输送层9的膜厚的差
在图8(b)、(c)示出墨水层的高度Ha、Hb和空穴输送层9a、9b的膜厚ha、hb。在图8中,为了简化而省略了阳极板5等的图示,使凹部15的剖面形状为矩形。
在此,代表性地对与不同颜色对应的凹部15a、15b之间的容积的差VΔ1ab和空穴输送层9的膜厚ha、hb的膜厚差Δhab之间关系进行描述。
墨水的涂敷量V0及溶质浓度N在各颜色的墨水涂敷区域彼此相等。在该情况下,例如,蓝色的子像素的空穴输送层9a的膜厚ha和绿色的子像素的空穴输送层9b的膜厚hb的膜厚差Δhab由下式得到。
Δhab=ha-hb
=N(V0-V1a)/S-N(V0-V1b)/S
=N(V1b-V1a)/S
=N·VΔ1ab/S ...(2-1)
即,在各颜色的墨水涂敷区域墨水量V0和溶质浓度N相等的情况下,上述膜厚差Δhab原则上与对应于蓝色的凹部15a的容积和对应于绿色的凹部15b的容积之差ΔV1ab成比例。因此,通过调节凹部15a、15b、15c之间的容积的差ΔV1(例如,V1a-V1b),能够根据其容积的差ΔV1来调节与各颜色对应的空穴输送层9的膜厚ha、hb、hc的膜厚差Δh(例如,ha-hb)。在此,由于凹部15a的容积V1a比凹部15b的容积V1b大,所以在从容积V1b减去容积V1a时成为负值,这表示膜厚ha比膜厚hb小。
使墨水的涂敷量V0和/或溶质浓度N根据对应颜色而不同,也能以同样的原理来调节膜厚差Δh。
(3)关于空穴输送层9的膜厚差的调节单位
各凹部15的大小由在层间绝缘膜3形成的接触孔13的大小来规定,如后述那样可进行微调节。因此,凹部的体积V1a、V1b、V1c能够以比一滴墨水液滴的体积小的单位来进行调节,所以能够微调节对应颜色不同的空穴输送层9的膜厚差。
首先,作为比较例,对通过按子像素的各颜色而改变涂敷的墨水液滴的滴数的方法来调节了膜厚的情况进行说明。当在各墨水涂敷区域涂敷的墨水的液滴数为M滴时,一滴墨水的体积为对墨水的涂敷量V0除以墨水的液滴数M所得的值(V0/M)。因此,当使在各墨水涂敷区域涂敷的墨水液滴的滴数增加或减少了一滴的情况下(例如,在比较M滴和M+1滴的情况下),所形成的中间层的膜厚会增加或减少N(V0/M)/S,所以只能以N(V0/M)/S为单位来调节膜厚差。
接着,根据本实施方式,例如,能以比一滴墨水的体积(V0/M)小的单位(例如,半滴墨水量的体积V0/2M)来调节凹部15a、15b、15c之间的容积的差(例如,V1a-V1b)。因此,能够使空穴输送层9的膜厚差Δh为例如N(V0/2M)/S,设定为比增加或减少一滴墨水液滴数的情况下的膜厚差小。进一步,也可以将空穴输送层9的膜厚差Δh设定为例如比增加或减少n滴墨水液滴数的情况下的膜厚差大、且为比增加或减少n+1滴液滴数的情况下的膜厚差小。
因此,例如,(i)能够使蓝色子像素的空穴输送层9a的膜厚ha与绿色子像素的空穴输送层9b的膜厚hb的膜厚差Δhab,(ii)比使在蓝色子像素滴下的墨水的液滴数增加了n滴的情况下的空穴输送层9a的膜厚ha的增加量大、且比使上述墨水的液滴数增加了n+1滴的情况下的空穴输送层9a的膜厚ha的增加量小。
(4)关于空穴输送层9中的进入凹部15中的部分
如图8(b)、(c)所示,凹部15内的空穴输送层9的膜厚大体上比子像素的空穴输送层9的膜厚厚。这主要是填充于凹部15的墨水所导致的。
在此,在图7下侧的图中,进入凹部15中的空穴输送层9的量(体积)v3指由直线E和直线F夹着的部分的体积。也即是,进入凹部15中的空穴输送层9的量准确地可以表现为俯视时在与凹部15相同的区域形成的空穴输送层9的量。
然后,回到图8,进入凹部15中的空穴输送层9的量(体积)v3为在凹部15内填充的第一墨水部分41(体积V1)干燥而成的第一部分42的体积v1、和墨水层中的位于凹部15上方的第二墨水部分43(V2)干燥而成的第二部分44的体积v2之和。
v3=v1+v2 ...(3-1)
体积v1和体积v2可由下式表示。
v1=N·V1 ...(3-2)
v2=N·V2 ...(3-3)
在此,如图8(b)、(c)所示,可以认为,成为进入凹部15中的空穴输送层9中的第二部分44的来源的第二墨水部分43仅是根据子像素中墨水层的高度H而发生变化,对改变空穴输送层9的膜厚h的变化是无用的。此外,这点从式(1-5)也可明了。
因此,有助于进入凹部15中的空穴输送层9的体积v3中的空穴输送层9的膜厚h的变化的是第一部分42的体积v1。而且,调节凹部15的容积V1的结果,能够使第一部分42的体积v1变得适当,且使空穴输送层9的膜厚h为适当的厚度。
进一步,通过微调节与各颜色对应的第一墨水部分41a、41b、41c(省略41c的图示)的容积V1a、V1b、V1c的差,能够使第一部分42的体积v1a、v1b、v1c的差变得适当,能够微调节各颜色的子像素的空穴输送层9a、9b、9c的膜厚差。
但是,实际上难以将进入凹部15中的空穴输送层9区分为第一部分42和第二部分44。因此,根据子像素的空穴输送层9的量,来算出与第二部分44的体积v2相当的体积相当值v2’。
在此,第二墨水部分43的高度与子像素的墨水层45的高度H相同。因此,可以认为,在凹部15的上面面积为S1时,在子像素中,空穴输送层9的每面积S1(由标号46表示的部分)的体积v4相当于第二部分44的体积v2,为体积相当值v2’。
于是,上述体积v4可通过对子像素的空穴输送层9的厚度h乘以面积S1来算出。膜厚h可以为例如子像素的空穴输送层9的膜厚的平均膜厚。具体而言,例如,可以在多个部位测定子像素的空穴输送层9的膜厚,取其平均值。
v2’=v4
=h·S1 ...(3-4)
由此,能得到第二墨水部分43的体积相当值v2’,能算出第一墨水部分41的体积相当值v1’。合计体积v3的相当值v3’可以基于例如进入凹部15内的空穴输送层9的剖面来进行计算。具体而言,例如,在得到含有凹部15的中心轴的剖面的情况下,能够将使空穴输送层9的剖面形状绕中心轴旋转一周而得到的旋转体的体积设为相当值v3’。
v1’=v3’-v2’
=v3’-h·S1 ...(3-5)
理想的是,体积相当值v1’和对凹部15a的容积V1乘以溶质浓度N所得的体积v1为相同程度的值(例如,±10%的范围内)。
凹部15的上面面积S1也可以与后述的接触孔13的上面面积相同地进行定义。也即是,可以是从凹部15的周缘部的最高位置向下约10%的位置处的凹部15的直径所规定的圆的面积。
在本实施方式中,[i]上述第一接触孔(13a)比上述第二接触孔(13b)深,且容积大(V1a>V1b),[ii]与上述第一颜色用的电极板(5a)上的区域对应的上述第一有机功能层(9a)的体积(例如,N·V0)和与上述第二颜色用的电极板(5b)上的区域对应的上述第二有机功能层(9b)的体积(例如,N·V0)相同或处于相同的邻近值的范围内,[iii]进入与上述第一接触孔对应的第一凹部(15a)中的上述第一有机功能层的量(v3a)比进入与上述第二接触孔对应的第二凹部(15b)的上述第二有机功能层的量(v3b)大,由此使上述第一凹部以外的上述第一颜色用的电极板上的区域(例如,蓝色的子像素的9a)中的上述第一有机功能层的膜厚(ha),比在上述第二凹部以外的上述第二颜色用的电极板上的区域(例如,绿色的子像素的9b)中形成的上述第二有机功能层的膜厚(hb)薄。
此外,在本实施方式中也可以是:[i]上述第一接触孔(13a)比上述第二接触孔(13b)深,且容积大(V1a>V1b),[ii]进入第一颜色用的电极板(5a)的第一凹部(15a)中的上述第一有机功能层(9a)的量(v3a)和与第一颜色用的电极板的第一凹部以外的部分对应的上述第一有机功能层(例如,蓝色的子像素的9a)在俯视下每与上述第一凹部相同的范围(上面面积S1)中所形成的量(v2a)之差(v3a-v2a=v1a),[iii]比进入第二颜色用的电极板(5b)的第二凹部(15b)中的上述第二有机功能层(9b)的量(v3b)和与第二颜色用的电极板的第二凹部以外的部分对应的上述第二有机功能层(例如,绿色的子像素的9b)在俯视下每与上述第二凹部相同的范围(上面面积S1)中所形成的量(v2b)之差(v3b-v2b=v1b)大。
可以将上述括号内的体积v1、v2、v3设为上述体积相当值v1’、v2’、v3’。
此外,在本实施方式中,蓝色的子像素的空穴输送层9a相当于上述第一有机功能层,绿色的子像素的空穴输送层9b相当于上述第二有机功能层,红色的子像素的空穴输送层9c相当于上述第三有机功能层。
在此,也可以认为,蓝色的子像素的空穴输送层9a相当于上述第一有机功能层,红色的子像素的空穴输送层9c相当于上述第二有机功能层。进一步,也可以认为,绿色的子像素的空穴输送层9b相当于上述第一有机功能层,红色的子像素的空穴输送层9c相当于上述第二有机功能层。
(4)下面加入具体的数值例来考察。
例如,在一个子像素中,将阳极板5上的墨水涂敷区域(图3(a)的标号5所表示的区域)的尺寸设为长300μm、宽70μm时,阳极板5上的墨水涂敷区域的面积S=21000μm2。
此外,在使中间层用的墨水的溶质浓度N为0.02(2vol%),由喷墨头排出的每一滴的液滴量为3pL,在各子像素的阳极板5上各填充7滴液滴时,在各墨水涂敷区域填充的墨水的填充量V0=21pL(21000μm3)。
在阳极板5上没有凹部时,在阳极板5上填充的墨水层的假设高度H0为V0/S=1μm(=1000nm),干燥后形成的空穴输送层9的膜厚h0由下式得到。
h0=N·H0
=0.02μm=20nm ...(4-1)
在此,与蓝色对应的凹部15a呈上面半径比下面半径大的圆锥台形状,高度T为6μm,上面半径r1为18μm,下面半径r2约为14.5μm,侧面的倾斜角度为60°(相对于XY平面的倾斜角度)。因此,凹部15a的容积V1a由下式求出,在π为3.14时,为4994μm3(4.994pL)。
V1=π·T(r1 2+r1·r2+r2 2)/3 ...(4-2)
其结果,蓝色子像素的空穴输送层9a的膜厚ha可由下式得到。
ha=N(V0-V1a)/S=15.2nm ...(4-3)
与绿色对应的凹部15b也同样呈上面半径比下面半径大的圆锥台形状,高度为4.5μm,上面半径为18μm,下面半径约为15.4μm,侧面的倾斜角度为60°(相对于XY平面的倾斜角度)。因此,凹部15b的容积V1b在π为3.14时为3944μm3(3.949pL)。
其结果,绿色子像素的空穴输送层9a的膜厚hb可由下式得到。
hb=N(V0-V1b)/S=16.2nm ...(4-4)
与红色对应的凹部15c也同样呈上面半径比下面半径大的圆锥台形状,高度为3μm,上面半径为18μm,下面半径约为16.3μm,侧面的倾斜角度为60°(相对于XY平面的倾斜角度)。因此,凹部15c的容积V1c为2773μm3(2.773pL)。其结果,红色子像素的空穴输送层9c的膜厚hc可由下式得到。
Hc=N(V0-V1c)/S=17.4nm ...(4-5)
因此,蓝色子像素的空穴输送层9a的膜厚ha和绿色子像素的空穴输送层9b的膜厚hb的膜厚差Δhab为1.0nm。此外,膜厚hb和膜厚hc的膜厚差Δhbc约为1.1nm。进一步,膜厚ha和膜厚hc的膜厚差Δhac约为2.1nm。上述情况下,对于接触孔13的容积差ΔV1,ΔV1ab(蓝色和绿色)及ΔV1bc(绿色和红色)为1045μm3(约1pL)左右,ΔV1ac(蓝色和红色)为2221μm3(约2pL)左右。
这样,能在各颜色的子像素之间以微小单位(例如,1nm以下)来调节空穴输送层9的膜厚差。
另一方面,在比较例中,当使在每一个子像素填充的墨水液滴的滴数增加或减少了一滴的情况下,所形成的中间层的膜厚增加或减少约2.9nm,所以仅能以约2.9nm为单位来调节膜厚。根据从喷墨装置排出的一滴墨水的体积和墨水涂敷区域的面积,上述2.9nm的大小会发生变化。
如上所述,根据本实施方式的显示面板100的制法,通过比墨水液滴的体积更精细地对形成于各颜色子像素的凹部15a、15b、15c的体积进行微调节,从而能够比较容易地微调节各颜色子像素的空穴输送层9的膜厚差。其结果,容易按子像素的各颜色而将空穴输送层9的膜厚设定为与发光色的波长相应的适当值,以高效地取出光。
虽然在上述计算例中,使接触孔13侧面的倾斜(锥形角度)为60度,但不限于60度,可以为任意的倾斜角度。进一步,虽然将接触孔13设为连续地变窄的形状,但可以为任意形状。
此外,上述膜厚差Δh不限于1nm、2nm,例如,可以根据条件设为小于1nm、或3nm以上。此外,接触孔13的上面半径也不限于18μm,也可以设为例如20μm以上等任意的值。
这里,为了不会对隔壁8的高度和形状产生影响,优选接触孔13的上侧开口部在俯视时与形成隔壁8的区域远离地形成。
优选对应颜色不同的接触孔13的容积差ΔV1比接触孔13a的容积的误差大。例如,在接触孔13a的容积为5000μm3,误差为10%的情况下,例如,优选容积差ΔV1ab超过500μm3。
(关于上面面积)
在此,对接触孔13的上面面积进行说明。
在本实施方式中,与各颜色对应的接触孔13a、13b、13c的上面面积实质相同。此外,接触孔13的上面面积为从接触孔13的周缘部的最高位置向下约10%的位置处的接触孔13的直径所规定的圆的面积。
图9(a)、(b)、(c)分别是示意表示接触孔13的剖面的图(代表性地示出接触孔13b的剖面)。各图中的接触孔13的形状在周缘部不同。对在该情况下如何如何规定接触孔13的直径进行说明。
首先,对“接触孔13的周缘部的最高位置”和“接触孔13的深度”进行说明。
在图9(a)中,接触孔13的周缘部的最高位置为与层间绝缘膜3的上面50相同的高度(直线O1)。在该情况下,接触孔13的深度P1为上面50和接触孔13的底面(SD电极22的上面)之间的垂直距离。垂直距离是层叠方向(Z方向)上的距离。
在图9(b)中,接触孔13的开口缘为弯曲部51。在这样的情况下,认为弯曲部51构成接触孔13的周缘部,为弯曲部51的最高位置即层间绝缘膜3的上面50的高度位置。该情况下的接触孔13的深度P2与图9(a)是同样的。
在图9(c)中,与接触孔13相邻地形成隆起部52。如图所示,在隆起部52的侧面53视为接触孔13的侧面的一部分的情况下,隆起部52的顶部54的位置相当于该接触孔13的周缘部的最高位置。该情况下,接触孔13的深度P3成为从隆起部52的顶部54到接触孔13的底面的垂直距离。
但是,在本实施方式中,与各颜色对应的接触孔13a、13b、13c的深度不同。在这样的情况下,将三个接触孔13a、13b、13c的深度的平均值PAve用作接触孔13的深度。
接着,对“从接触孔13的周缘部的最高位置向下约10%的位置”和“接触孔13的直径”进行说明。
从最高位置向下约10%的位置为从最高位置向下深度的平均值PAve的约10%后的位置。约10%包括±1%的误差范围,为9%以上且11%以下的范围内的任一值。
在图9(a)、(b)、(c)中,分别用直线Q1、Q2、Q3表示从接触孔13的周缘部的最高位置O1、O2、O3向下深度的平均值PAve的10%后的位置。
而且,在各图的剖面中,直线Q1、Q2、Q3各自与接触孔13的侧面的两个交点的距离分别为接触孔13的直径φ1、φ2、φ3。其结果,接触孔13的上面面积为例如直径φ1的圆的面积。
(关于光路长度)
图10是示意表示有机EL有机20内的光的光路的剖视图。在该图中,示出从发光层10向阴极层11侧直接出射的直射光61和在阳极板5侧反射后出射的反射光62。在该图中,将阳极板5分为金属层63和透明电极层64(IZO)进行表示。该情况下,阳极板5的反射面由透明电极层64侧的金属层63的主面构成。
在图10中,例如,能够使有机EL元件20内的光的共振条件相对于空穴输送层9、空穴注入层7及透明电极层64的光路长度进行最优化。将这样的构造称为腔(cavity)或腔构造。
在本实施方式中,可以仅通过空穴输送层9的膜厚来调节光路差,除了空穴输送层9之外,也可以通过调节空穴注入层7、透明电极层64等的膜厚来调节光路差。
简单地对确定接触孔的容积差的方法进行描述。例如,制造有机EL显示面板的样品,为使光的共振条件按各颜色而最佳化,确定使各颜色的有机功能层的膜厚差如何变化,或者在维持有机功能层的膜厚差的同时使膜厚整体地变化。而且,在与样品相同的制造条件(墨水的涂敷条件)的基础上,改变接触孔的容积而制造有机EL显示面板。这样,有机EL元件内的光的共振条件最优化,能得到发光效率高的有机EL显示面板。
<变形例>
虽然在上述实施方式1中,通过改变与各颜色对应的接触孔13的容积,来微调节空穴输送层9的膜厚差,但也可以微调节作为有机功能层的一个例子的发光层10的膜厚差。
在本变形例中,根据各接触孔13a、13b、13c等的容积差,产生各颜色的子像素的发光层10a、10b、10c的膜厚差。其结果,易于在各颜色的发光层10得到适当的辉度和色度。或者,使有机EL元件20内的光的共振条件最优化,提高光的取出率。也可以在使涂覆于各颜色的子像素的含有有机发光材料的墨水的液滴数不同的基础上,进一步通过接触孔13的容积差来微调节膜厚差。
在本变形例中,可以通过蒸镀法、溅射法来形成空穴输送层。此外,可以通过上述喷墨法等来形成空穴输送层,也可以省略。
通过喷墨方式形成空穴注入层,可以对其膜厚差进行微调节。该情况下,作为空穴注入层的材料,可以使用PEDOT-PSS、芳香族胺类高分子材料、聚苯撑乙烯等有机材料。
<实施方式2>
在上述实施方式中,通过在层间绝缘膜3的上面形成台阶差而使接触孔13的深度不同。与此相对,使层间绝缘膜的上面平坦,通过改变基板的形成有与各颜色对应的接触孔的部位的上面高度,也能够改变层间绝缘膜的膜厚差从而改变接触孔的深度。
图11是示意表示本实施方式的显示面板80的剖视图。图11示出与图3(a)的A-A’剖面相当的剖面。省略了发光层、阴极层等的图示。
在本实施方式中,基本上采用上述实施方式1的图3(a)、(c)所示的构造,基板、层间绝缘膜的剖面形状采用与上述实施方式1不同的形状。对于凹部15,使用与上述实施方式1相同的标号。
在本实施方式的带台阶基板81形成有台阶状的台阶差。带台阶基板81是在平坦基板82层叠台阶差形成部83而形成的。
在带台阶基板81上形成有TFT层84(以双点划线示意性表示),示意性示出TFT层84所包含的各TFT的SD电极85。
在TFT层84上形成有层间绝缘膜86。在层间绝缘膜86,在各SD电极85上的部位形成有上面面积实质相同的接触孔87。层间绝缘膜86的上面86a除了形成有接触孔87的部分之外为平坦面。
在层间绝缘膜86上形成有分别与蓝绿红对应的有机EL元件90a、90b、90c。在各有机EL元件90中,将阳极板91、像素限制层92、空穴注入层93及空穴输送层94按该顺序层叠地形成。此外,在X方向上相邻的有机EL元件90由隔壁95划分。
构成带台阶基板81的下部的平坦基板82可以为与上述实施方式的基板1相同的基板。
构成带台阶基板81的上部的台阶差形成部83使底面(平坦基板82侧的主面)平坦,另一方面,使上表面为台阶状。此外,台阶差形成部83在Y方向上膜厚均匀,另一方面,在X方向上膜厚呈台阶状地变化。
而且,台阶差形成部83的上面包括作为最低的面的第一面83a、中间高度的第二面83b、作为最高的面的第三面83c,这三个面之间为斜面。此外,第一面83a、第二面83b及第三面83c(以下简记为第一面83a等)与平坦基板82的主面平行,成为在Y方向上延伸的带状的平面形状。
进一步,第一面83a等各自与各颜色的有机EL元件90对应。在第一面83a形成与蓝色对应的有机EL元件90a用的SD电极85a,在第二面83b形成与绿色对应的有机EL元件90b用的SD电极85b,在第三面83c形成与红色对应的有机EL元件90c用的SD电极85c。
其结果,各SD电极85的上面的高度位置为:SD电极85a最低,SD电极85b为中间高度,SD电极85c最高。
因此,在SD电极85上形成的接触孔87的深度为:在SD电极85a上形成的接触孔87a最深,在SD电极85b上形成的接触孔87b为中间深度,在SD电极85c上形成的接触孔87c最浅。
各接触孔87a、87b、87c的上面面积实质上相同,所以各接触孔87的深度越大则容积越大。
而且,通过微调节与各颜色对应的接触孔87a、87b、87c间的容积差,与上述实施方式1同样地,能够对通过喷墨方式形成的空穴输送层94的膜厚差进行微调节,能够实现适于各颜色的光的波长的膜厚差。
在本实施方式中,上述“与TFT基板的第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔各自的底面对应的部位”是SD电极85a、85b、85c的上方,相当于上述层间绝缘膜的底部。此外,也可以认为SD电极85a、85b、85c的上面分别形成上述“TFT基板的第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔各自的底面”。
(显示面板的制造方法)
首先,准备例如玻璃制的平坦基板82。
台阶差面形成工序:
图12(a)、(b)、(c)是示意表示台阶差面形成工序的剖视图。
在平坦基板82上通过例如CVD法来形成无机绝缘膜96(氧化硅、氮化硅等)(图12(a))。
通过光刻法,蚀刻无机绝缘膜96的上部,形成台阶状的台阶差(图12(b)、(c))。
具体而言,在无机绝缘膜96上形成感光性的第一抗蚀剂膜之后,通过曝光、显像处理,使第一抗蚀剂膜中的覆盖形成第一面83a、第二面83b的区域的部分开口。而且,将无机绝缘膜96中的从第一抗蚀剂膜露出的部分蚀刻(例如,湿式蚀刻)到第二面83b的深度。通过该处理,无机绝缘膜96中的形成第一面83a及第二面83b的区域的高度变为比第三面83c低(图12(b))。此外,通过该处理,形成第二面83b。
接着,在一旦除去了第一抗蚀剂膜之后,再度新形成第二抗蚀剂膜,通过曝光、显像处理,使第二抗蚀剂膜中的覆盖形成第一面83a的区域的部分开口。而且,将无机绝缘膜96中的从第一抗蚀剂膜露出的部分蚀刻(例如,湿式蚀刻)到第一面83a的深度。通过该处理,形成第一面83a(图12(c))。
通过以上的处理来形成台阶差形成部83,制作带台阶基板81。
可以在平坦基板82上不形成无机绝缘膜96而对平坦基板82进行蚀刻,从而在平坦基板82上形成台阶差。
可以使无机绝缘膜96为由感光性树脂材料形成的绝缘膜。
该情况下,例如,能够如上述实施方式1的层间绝缘膜形成工序那样,通过光刻法,使用多色调掩模使绝缘膜曝光之后,通过显像处理来除去绝缘膜的感光部分(或非感光部分)以形成台阶差面。
在此,在多色调掩模中,例如,透光部对应于形成第一面83a的区域,半透光部对应于形成第二面83b的区域,遮光部对应于形成第三面83c的区域。
TFT层形成工序:
在台阶差形成部83上,通过公知的制造方法(例如,日本特开2003-241683、日本特开2008-300611的记载),形成包括TFT及布线、SD电极22的TFT层84(图4(a))。TFT可以是无机TFT,也可以是有机TFT。
在台阶差形成部83由树脂材料形成的情况下,优选形成有机TFT。
层间绝缘膜形成工序:
在上述TFT层84上涂敷由正型感光性有机材料形成的抗蚀剂膜之后,在该抗蚀剂膜的位于SD电极22上的部分形成接触孔90。
抗蚀剂膜通过旋涂法等液层成膜法来涂敷,通过填埋TFT层84上的凹凸来使表面平坦化。
在接触孔13的形成时使用光刻法。例如,使用单色调掩模来使抗蚀剂膜的形成各接触孔90的预定区域曝光。然后,通过显像处理,除去感光部分,从而形成贯通抗蚀剂膜的接触孔90。而且,在抗蚀剂膜形成接触孔90的部分成为层间绝缘膜86。
此后的处理与上述实施方式1相同,因此省略说明。
在本实施方式中,层间绝缘膜86的上面是平坦的,形成各颜色的阳极板91的区域的高度均匀。因此,能够容易地形成阳极板91、像素限制层92、空穴注入层93等。
在本实施方式中,层间绝缘膜86的上面中,(i)在第一面83a上形成的部分(形成阳极板91a的部分)相当于上述“形成第一电极板组的部位”,(ii)在第二面83b上形成的部分(形成阳极板91b的部分)相当于上述“形成第二电极板组的部位”,(iii)在第三面83c上形成的部分(形成阳极板91c的部分)相当于上述“形成第三电极板组的部位”。
也可以认为,在第二面83b上形成的部分相当于形成第一电极板组的部位,在第三面83c上形成的部分相当于形成第二电极板组的部位。进一步,也可以认为,在第一面83a上形成的部分相当于形成第一电极板组的部位,在第三面83c上形成的部分相当于形成第二电极板组的部位。
此外,在本实施方式中,层间绝缘膜86的上面中,形成各阳极板91a、b、c的部分的高度互相之间实质上相同(除了形成接触孔的部分)。具体而言,层间绝缘膜86的上面中,形成阳极板91a的部分的高度和形成阳极板91c的部分的高度之差在第一接触孔87a的深度和第三接触孔87c的深度之差的5%以内。各接触孔的深度被确定为如图9中例示的深度P1至P3。
[其它]
1.显示装置的结构例
图13是表示使用上述显示面板100的显示装置200的结构的图。
图14表示使用显示装置200的电视系统的一个例子的外观形状。
显示装置200包括有机EL显示面板100和与之连接的驱动控制部120。驱动控制部120包括四个驱动电路121~124和控制电路125。从省略图示的电源供给部向驱动控制部120供给电力。
上述TFT层2具备与矩阵状排列的有机EL元件20的各列对应的信号线用布线和与各行对应的扫描线用布线。信号线用布线在Y方向上延伸设置,与驱动电路121和驱动电路122的至少一方连接,并且与各列的有机EL元件20所对应的TFT连接。此外,扫描线用布线在X方向上延伸设置,与驱动电路123和驱动电路124的至少一方连接,并且与各行的有机EL元件20所对应的TFT连接。
2.在上述实施方式及变形例1、2中,为了便于理解地说明本发明的结构及作用、效果,而采用作为一个例子的各结构,本发明除了本质部分之外不限于上述方式。例如,在上述实施方式中,如图1所示,虽然采用相对于发光层10而在其Z轴方向下侧配置阳极板5的结构来作为一个例子,但本发明不限于此,也可以采用相对于有机发光层10在其Z轴方向下侧配置阴极的结构。
3.在上述实施方式及变形例中,可以采用使阳极板5为反射金属、阴极层11为透明或半透明金属的顶部发射构造,也可以采用使阳极板5为透明或半透明金属、阴极层11为反射金属的底部发射构造。
4.虽然在上述实施方式及变形例1~5中,以基板上具有TFT层2的有源矩阵驱动为前提进行了说明,但本申请也可以适用于无源矩阵驱动。该情况下,可以不需要TFT层而通过用于驱动有机发光层的驱动布线来向有机发光层供给电流。
5.虽然在上述实施方式及变形例中,像素限制层6形成于阳极板5和空穴注入层7之间,但也可以在空穴注入层7上形成像素限制层6。
6.虽然在上述实施方式中,示出了在阳极板5的上方以湿法方式形成空穴输送层来作为有机功能层的例子,但在以湿法方式形成空穴注入层、空穴注入兼输送层来作为有机功能层的情况下也能够同样地微调节该有机功能层的膜厚,高效地发出各发光色的光。
7.在上述实施方式及变形例中,在以喷墨方式涂敷空穴输送层9及发光层10这两者的情况下,可以通过空穴输送层9及发光层10这两个层来进行互不相同的颜色的子像素间的膜厚差的调节。
产业上的可利用性
本发明的有机EL显示面板能够作为便携电话、电视机等电子设备的显示器来使用。
Claims (27)
1.一种有机EL显示面板,具备:
TFT层;
层间绝缘膜,其设在所述TFT层的上方;
第一电极板组,其形成在所述层间绝缘膜上,包括线状排列的多个第一颜色用的电极板;
第二电极板组,其在所述层间绝缘膜上与所述第一电极板组相邻地形成,包括线状排列的多个第二颜色用的电极板;
第一隔壁,其沿着所述第一电极板组的一个长边部分而形成;
第二隔壁,其形成在所述第一电极板组的另一长边部分和所述第二电极板组的一个长边部分之间;
第三隔壁,其沿着所述第二电极板组的另一长边部分而形成;
第一有机功能层,其形成在所述第一隔壁和所述第二隔壁之间、所述第一电极板组的上方;
第二有机功能层,其形成在所述第二隔壁和所述第三隔壁之间、所述第二电极板组的上方;以及
对置电极,其设在所述第一有机功能层和所述第二有机功能层的上方,
在所述层间绝缘膜设有将所述第一颜色用的电极板各自与TFT层连接的第一接触孔、和将所述第二颜色用的电极板各自与TFT层连接的第二接触孔,
所述第一颜色用的电极板各自具有沿着所述第一接触孔的形状而凹陷的第一凹部,所述第二颜色用的电极板各自具有沿着所述第二接触孔的形状而凹陷的第二凹部,
所述层间绝缘膜的厚度形成为:形成有所述第一电极板组的部位的厚度比形成有所述第二电极板组的部位的厚度厚,
所述第一接触孔比所述第二接触孔深且容积大,
与所述第一颜色用的电极板上的区域对应的所述第一有机功能层的体积和与所述第二颜色用的电极板上的区域对应的所述第二有机功能层的体积相同或处于相同的邻近值的范围内,
所述第一有机功能层进入与所述第一接触孔对应的第一凹部中的量比所述第二有机功能层进入与所述第二接触孔对应的第二凹部中的量多,因而所述第一凹部以外的所述第一颜色用的电极板上的区域中的所述第一有机功能层的膜厚比在所述第二凹部以外的所述第二颜色用的电极板上的区域形成的所述第二有机功能层的膜厚薄。
2.根据权利要求1所述的有机EL显示面板,
与所述第一颜色用的电极板对应的第一接触孔的上面面积和与所述第二颜色用的电极板对应的第二接触孔的上面面积相同或处于相同的邻近值的范围内。
3.根据权利要求2所述的有机EL显示面板,
所述接触孔的上面面积为从所述层间绝缘膜的所述接触孔的周缘部的最高位置向下10%的位置处、或向下10%的邻近值的范围内的位置处的所述接触孔的直径所规定的圆的面积。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的有机EL显示面板,
与所述第一接触孔对应的所述第一凹部由第一像素限制层覆盖,在所述第一像素限制层的上方形成第一有机功能层,
与所述第二接触孔对应的所述第二凹部由第二像素限制层覆盖,在所述第二像素限制层的上方形成第二有机功能层。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的有机EL显示面板,
对于所述第一有机功能层,通过用喷墨式涂敷方法来涂敷预定体积的液滴,从而在所述第一电极板组的上方连续地形成,
对于所述第二有机功能层,通过用喷墨式涂敷方法来涂敷与所述预定体积相同或处于相同的邻近值的范围内的体积的液滴,从而在所述第二电极板组的上方连续地形成,
与所述第一颜色用的电极板上的区域对应的所述第一有机功能层的体积和与所述第二颜色用的电极板上的区域对应的所述第二有机功能层的体积相同或处于相同的邻近值的范围内。
6.根据权利要求5所述的有机EL显示面板,
所述第一有机功能层的膜厚和所述第二有机功能层的膜厚之差,比在通过所述喷墨式涂敷方法来涂敷所述预定体积的液滴的情况下、通过使涂敷在每个所述第一颜色用的电极板上的所述液滴数增加n滴而形成的所述第一有机功能层的膜厚大,且比在通过所述喷墨式涂敷方法来涂敷所述预定体积的液滴的情况下、通过使所述液滴数增加n+1滴而形成的所述第一有机功能层的膜厚小。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的有机EL显示面板,
所述第一颜色是蓝色。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的有机EL显示面板,
所述层间绝缘膜的上面形成为:形成有所述第一电极板组的部位比形成有所述第二电极板组的部位高,
所述TFT层的与所述第一接触孔的底面对应的部位和与所述第二接触孔的底面对应的部位形成为相同或处于相同的邻近值的范围内的高度。
9.根据权利要求1至7中的任一项所述的有机EL显示面板,
所述层间绝缘膜的上面的形成有所述第一电极板组的部位和形成有所述第二电极板组的部位形成为相同或处于相同的邻近值的范围内的高度,
所述TFT层形成为:与所述第一接触孔的底面对应的部位比与所述第二接触孔的底面对应的部位低。
10.根据权利要求1所述的有机EL显示面板,包括:
第三电极板组,其与所述第二电极板组相邻地形成,包括线状排列的多个第三颜色用的电极板;
第四隔壁,其沿着所述第三电极板组的与所述第二电极板组相反侧的长边部分而形成;以及
第三有机功能层,其在所述第三隔壁和所述第四隔壁之间形成在所述第三电极板组的上方,
所述对置电极设在所述第三有机功能层的上方,
在所述层间绝缘膜设有将所述第三颜色用的电极板各自与TFT层连接的第三接触孔,
所述第三颜色用的电极板具有沿着所述第三接触孔的形状而凹陷的第三凹部,
所述层间绝缘膜形成为:形成有所述第一电极板组的部位比形成有所述第三电极板组的部位厚,
所述第一接触孔比所述第三接触孔深且容积大,
与所述第一颜色用的电极板上的区域对应的所述第一有机功能层的体积和与所述第三颜色用的电极板上的区域对应的所述第三有机功能层的体积相同或处于相同的邻近值的范围内,
所述第一有机功能层进入与所述第一接触孔对应的第一凹部中的量比所述第三有机功能层进入与所述第三接触孔对应的第三凹部中的量多,因而所述第一凹部以外的所述第一颜色用的电极板上的区域中的所述第一有机功能层的膜厚比在所述第三凹部以外的所述第三颜色用的电极板上的区域形成的所述第三有机功能层的膜厚薄。
11.根据权利要求10所述的有机EL显示面板,
与所述第一颜色用的电极板对应的第一接触孔的上面面积、与所述第二颜色用的电极板对应的第二接触孔的上面面积以及与所述第三颜色用的电极板对应的第三接触孔的上面面积相同或处于相同的邻近值的范围内。
12.根据权利要求11所述的有机EL显示面板,
所述接触孔的上面面积为从所述层间绝缘膜的所述接触孔的周缘部的最高位置向下10%的位置处、或向下10%的邻近值的范围内的位置处的所述接触孔的直径所规定的圆的面积。
13.根据权利要求10至12中的任一项所述的有机EL显示面板,
所述层间绝缘膜的上面形成为:形成有所述第一电极板组的部位比形成有所述第二电极板组的部位和形成有所述第三电极板组的部位高,
所述TFT层的与所述第一接触孔的底面对应的部位、与所述第二接触孔的底面对应的部位以及与所述第三接触孔的底面对应的部位形成为相同或处于相同的邻近值的范围内的高度。
14.根据权利要求10至12中的任一项所述的有机EL显示面板,
所述层间绝缘膜的上面的形成有所述第一电极板组的部位、形成有所述第二电极板组的部位以及形成有所述第三电极板组的部位形成为相同或处于相同的邻近值的范围内的高度,
所述TFT层形成为:与所述第一接触孔的底面对应的部位比与所述第二接触孔的底面对应的部位和与所述第三接触孔的底面对应的部位低。
15.根据权利要求1至9中的任一项所述的有机EL显示面板,
所述第一有机功能层及所述第二有机功能层是电荷注入层或电荷输送层,
在所述第一有机功能层和所述对置电极之间形成第一有机发光层,在所述第二有机功能层和所述对置电极之间形成第二有机发光层。
16.根据权利要求10至14中的任一项所述的有机EL显示面板,
所述第一有机功能层、所述第二有机功能层以及所述第三有机功能层是电荷注入层或电荷输送层,
在所述第一有机功能层和所述对置电极之间形成第一有机发光层,在所述第二有机功能层和所述对置电极之间形成第二有机发光层,在所述第三有机功能层和所述对置电极之间形成第三有机发光层。
17.根据权利要求1至9中的任一项所述的有机EL显示面板,
所述第一有机功能层及所述第二有机功能层是有机发光层。
18.根据权利要求10至14中的任一项所述的有机EL显示面板,
所述第一有机功能层、所述第二有机功能层及所述第三有机功能层是有机发光层。
19.根据权利要求1至18中的任一项所述的有机EL显示面板,
所述电极板是阳极,所述对置电极是阴极。
20.根据权利要求1至18中的任一项所述的有机EL显示面板,
所述电极板是阴极,所述对置电极是阳极。
21.一种显示装置,其具备权利要求1至20中的任一项所述的有机EL显示面板。
22.一种有机EL显示面板的制造方法,包括:
第一工序,准备基板;
第二工序,在所述基板上形成TFT层;
第三工序,在所述TFT层上形成层间绝缘膜;
第四工序,在所述层间绝缘膜上形成线状地排列了多个第一颜色用的电极板的第一电极板组,与所述第一电极板组相邻地在所述层间绝缘膜上形成线状地排列了多个第二颜色用的电极板的第二电极板组;
第五工序,沿着所述第一电极板组的一个长边部分而形成第一隔壁,在所述第一电极板组的另一长边部分和所述第二电极板组的一个长边部分之间形成第二隔壁,沿着所述第二电极板组的另一长边部分而形成第三隔壁;
第六工序,在所述第一隔壁和所述第二隔壁之间在所述第一电极板组的上方连续地形成第一有机功能层;
第七工序,在所述第二隔壁和所述第三隔壁之间在所述第二电极板组的上方连续地形成第二有机功能层;和
第八工序,在所述第一有机功能层及所述第二有机功能层的上方设置对置电极,
在所述第三工序中,
所述层间绝缘膜的厚度形成为:形成有所述第一电极板组的部位的厚度比形成有所述第二电极板组的部位的厚度厚,
在所述层间绝缘膜设有将所述第一颜色用的电极板各自与TFT层连接的第一接触孔、和将所述第二颜色用的电极板各自与TFT层连接的第二接触孔,
所述第一接触孔形成为比所述第二接触孔深且容积大,
在所述第四工序中,
在各个所述第一颜色用的电极板,沿着所述第一接触孔的形状而形成第一凹部,在各个所述第二颜色用的电极板,沿着所述第二接触孔的形状而形成第二凹部,
在所述第六工序中形成的所述第一有机功能层和在所述第七工序中形成的所述第二有机功能层中,
与所述第一颜色用的电极板上的区域对应的所述第一有机功能层的体积和与所述第二颜色用的电极板上的区域对应的所述第二有机功能层的体积相同或处于相同的邻近值的范围内,
所述第一有机功能层进入与所述第一接触孔对应的第一凹部中的量比所述第二有机功能层进入与所述第二接触孔对应的第二凹部中的量多,因而所述第一凹部以外的所述第一颜色用的电极板上的区域中的所述第一有机功能层的膜厚比在所述第二凹部以外的所述第二颜色用的电极板上的区域形成的所述第二有机功能层的膜厚薄。
23.根据权利要求22所述的有机EL显示面板的制造方法,
与所述第一颜色用的电极板对应的接触孔的上面面积和与所述第二颜色用的电极板对应的接触孔的上面面积相同或处于相同的邻近值的范围内。
24.根据权利要求22或23所述的有机EL显示面板的制造方法,
在所述第四工序和所述第五工序之间,设有如下工序:以覆盖与所述第一接触孔对应的所述第一凹部的方式形成第一像素限制层,以覆盖与所述第二接触孔对应的所述第二凹部的方式形成第二像素限制层,
在所述第六工序中,在所述第一像素限制层的上方形成第一有机功能层,
在所述第七工序中,在所述第二像素限制层的上方形成第二有机功能层。
25.根据权利要求22至24中的任一项所述的有机EL显示面板的制造方法,
在所述第六工序中,对于所述第一有机功能层,通过用喷墨式涂敷方法来涂敷预定体积的液滴,从而在所述第一电极板组的上方连续地形成,
在所述第七工序中,对于所述第二有机功能层,通过用喷墨式涂敷方法来涂敷与所述预定体积相同或处于相同的邻近值的范围内的体积的液滴,从而在所述第二电极板组的上方连续地形成。
26.根据权利要求25所述的有机EL显示面板的制造方法,
所述第一有机功能层的膜厚和所述第二有机功能层的膜厚之差,比在通过所述喷墨式涂敷方法来涂敷所述预定体积的液滴的情况下、通过使涂敷在每个所述第一颜色用的电极板上的液滴数增加n滴而形成的所述第一有机功能层的膜厚的增加量大,且比在通过所述喷墨式涂敷方法来涂敷所述预定体积的液滴的情况下、通过使所述液滴数增加n+1滴而形成的所述第一有机功能层的膜厚的增加量小。
27.一种有机EL显示面板的制造方法,包括:
第一工序,准备基板;
第二工序,在所述基板上形成TFT层;
第三工序,在所述TFT层上形成层间绝缘膜;
第四工序,在所述层间绝缘膜上形成线状地排列了多个第一颜色用的电极板的第一电极板组,与所述第一电极板组相邻地在所述层间绝缘膜上形成线状地排列了多个第二颜色用的电极板的第二电极板组,与所述第二电极板组相邻地在所述层间绝缘膜上形成线状地排列了多个第三颜色用的电极板的第三电极板组;
第五工序,沿着所述第一电极板组的一个长边部分而形成第一隔壁,在所述第一电极板组的另一长边部分和所述第二电极板组的一个长边部分之间形成第二隔壁,在所述第二电极板组的另一长边部分和所述第三电极板组的一个长边部分之间形成第三隔壁,沿着所述第三电极板组的另一长边部分而形成第四隔壁;
第六工序,在所述第一隔壁和所述第二隔壁之间在所述第一电极板组的上方连续地形成第一有机功能层;
第七工序,在所述第二隔壁和所述第三隔壁之间在所述第二电极板组的上方连续地形成第二有机功能层;
第八工序,在所述第三隔壁和所述第四隔壁之间在所述第三电极板组的上方连续地形成第三有机功能层;和
第九工序,在所述第一有机功能层、所述第二有机功能层以及所述第三有机功能层的上方形成对置电极,
在所述第三工序中,
所述层间绝缘膜的厚度形成为:形成有所述第一电极板组的部位的厚度比形成有所述第二电极板组的部位的厚度和形成有所述第三电极板组的部位的厚度厚,
在所述层间绝缘膜设有将所述第一颜色用的电极板各自与TFT层连接的第一接触孔、将所述第二颜色用的电极板各自与TFT层连接的第二接触孔以及将所述第三颜色用的电极板各自与TFT层连接的第三接触孔,
所述第一接触孔形成为比所述第二接触孔和所述第三接触孔深且容积大,
在所述第四工序中,
在各个所述第一颜色用的电极板,沿着所述第一接触孔的形状而形成第一凹部,在各个所述第二颜色用的电极板,沿着所述第二接触孔的形状而形成第二凹部,在各个所述第三颜色用的电极板,沿着所述第三接触孔的形状而形成第三凹部,
在所述第六工序、所述第七工序以及所述第八工序中分别形成的所述第一有机功能层、所述第二有机功能层和所述第三有机功能层中,
与所述第一颜色用的电极板上的区域对应的所述第一有机功能层的体积和与所述第二颜色用的电极板上的区域对应的所述第二有机功能层的体积及与所述第三颜色用的电极板上的区域对应的所述第三有机功能层的体积相同或处于相同的邻近值的范围内,
所述第一有机功能层进入与所述第一接触孔对应的第一凹部中的量比所述第二有机功能层进入与所述第二接触孔对应的第二凹部中的量及所述第三有机功能层进入与所述第三接触孔对应的第三凹部中的量多,因而所述第一凹部以外的所述第一颜色用的电极板上的区域中的所述第一有机功能层的膜厚比在所述第二凹部以外的所述第二颜色用的电极板上的区域形成的所述第二有机功能层的膜厚及在所述第三凹部以外的所述第三颜色用的电极板上的区域形成的所述第三有机功能层的膜厚薄。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2010/004990 WO2012017500A1 (ja) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | 有機el表示パネル、表示装置、及び有機el表示パネルの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102742357A true CN102742357A (zh) | 2012-10-17 |
Family
ID=45555476
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010800033255A Pending CN102742357A (zh) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | 有机el显示面板、显示装置以及有机el显示面板的制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8492754B2 (zh) |
JP (1) | JP5462251B2 (zh) |
KR (1) | KR20130044117A (zh) |
CN (1) | CN102742357A (zh) |
WO (1) | WO2012017500A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106165542A (zh) * | 2014-04-10 | 2016-11-23 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el显示面板的制造方法 |
CN107204400A (zh) * | 2017-05-24 | 2017-09-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法以及显示装置 |
CN111063831A (zh) * | 2019-12-04 | 2020-04-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制造方法、oled显示器 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5303036B2 (ja) | 2009-09-29 | 2013-10-02 | パナソニック株式会社 | 発光素子およびそれを用いた表示装置 |
WO2011055496A1 (ja) | 2009-11-04 | 2011-05-12 | パナソニック株式会社 | 表示パネル装置及びその製造方法 |
US8957412B2 (en) | 2010-11-29 | 2015-02-17 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescence panel, method of manufacturing organic electroluminescence panel, organic light emitting apparatus using organic electroluminescence panel, and organic display apparatus using organic electroluminescence panel |
WO2012132842A1 (ja) | 2011-03-31 | 2012-10-04 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2012168974A1 (ja) | 2011-06-08 | 2012-12-13 | パナソニック株式会社 | 発光パネル、発光パネルの製造方法、および成膜システム |
JP5982146B2 (ja) * | 2011-06-16 | 2016-08-31 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 有機発光構造物、有機発光構造物の製造方法、有機発光表示装置、及び有機発光表示製造方法 |
JP5798626B2 (ja) | 2011-08-03 | 2015-10-21 | パナソニック株式会社 | 表示パネル装置及びその製造方法 |
TWI508279B (zh) * | 2012-01-19 | 2015-11-11 | Joled Inc | 顯示器及其製造方法,單元,轉印方法,有機電致發光單元及其製造方法,以及電子裝置 |
WO2013124916A1 (ja) * | 2012-02-21 | 2013-08-29 | パナソニック株式会社 | 有機発光デバイスとその製造方法 |
KR101931174B1 (ko) | 2012-03-22 | 2019-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
CN102789106B (zh) * | 2012-04-24 | 2015-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法以及显示装置 |
KR101942515B1 (ko) * | 2012-05-03 | 2019-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR101411656B1 (ko) * | 2012-06-27 | 2014-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
JP2014026902A (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
KR101997571B1 (ko) * | 2012-10-08 | 2019-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
US9704925B2 (en) | 2013-03-04 | 2017-07-11 | Joled Inc. | EL display device |
JP6142213B2 (ja) | 2013-07-11 | 2017-06-07 | 株式会社Joled | 有機el素子および有機el素子の製造方法 |
JP6232660B2 (ja) | 2014-04-30 | 2017-11-22 | 株式会社Joled | 有機発光デバイスの機能層の形成方法及び有機発光デバイスの製造方法 |
JP6446680B2 (ja) * | 2014-08-04 | 2019-01-09 | 株式会社Joled | 有機発光デバイスの製造方法、その製造システム、およびその製造装置 |
KR102201827B1 (ko) * | 2014-09-16 | 2021-01-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 그 제조방법 |
CN105118845B (zh) | 2015-07-23 | 2018-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示基板及制备方法、显示面板、显示装置 |
KR102599232B1 (ko) * | 2017-11-28 | 2023-11-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP7421284B2 (ja) | 2019-08-09 | 2024-01-24 | JDI Design and Development 合同会社 | 表示パネル、および、表示パネルの製造方法 |
KR20220030361A (ko) * | 2020-08-28 | 2022-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
CN111987135B (zh) * | 2020-09-08 | 2022-07-29 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05163488A (ja) | 1991-12-17 | 1993-06-29 | Konica Corp | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
US5443922A (en) | 1991-11-07 | 1995-08-22 | Konica Corporation | Organic thin film electroluminescence element |
US6518621B1 (en) | 1999-09-14 | 2003-02-11 | General Semiconductor, Inc. | Trench DMOS transistor having reduced punch-through |
JP2003022035A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Sharp Corp | 有機elパネルおよびその製造方法 |
JP3627739B2 (ja) | 2001-12-11 | 2005-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
TW591971B (en) | 2001-12-11 | 2004-06-11 | Seiko Epson Corp | Display apparatus and electronic machine |
JP4177309B2 (ja) * | 2003-11-22 | 2008-11-05 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機電界発光表示装置 |
JP4412264B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2010-02-10 | ソニー株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP4882873B2 (ja) | 2007-05-31 | 2012-02-22 | パナソニック株式会社 | 有機elデバイス及び有機elディスプレイパネル |
US7888867B2 (en) | 2007-12-28 | 2011-02-15 | Panasonic Corporation | Organic el device having bank with groove, organic el display panel, and method for manufacturing the organic el device |
JP2010097697A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、有機el装置の製造方法、及び電子機器 |
KR101699093B1 (ko) * | 2010-07-27 | 2017-02-01 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 유기 el 표시 패널과 그 제조 방법 |
JP5462257B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2014-04-02 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネル、表示装置、及び有機el表示パネルの製造方法 |
-
2010
- 2010-08-06 JP JP2011514927A patent/JP5462251B2/ja active Active
- 2010-08-06 KR KR1020117008922A patent/KR20130044117A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-08-06 WO PCT/JP2010/004990 patent/WO2012017500A1/ja active Application Filing
- 2010-08-06 CN CN2010800033255A patent/CN102742357A/zh active Pending
-
2011
- 2011-08-30 US US13/221,126 patent/US8492754B2/en active Active
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106165542A (zh) * | 2014-04-10 | 2016-11-23 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el显示面板的制造方法 |
US10541367B2 (en) | 2014-04-10 | 2020-01-21 | Joled Inc. | Organic EL display panel production method |
CN107204400A (zh) * | 2017-05-24 | 2017-09-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法以及显示装置 |
CN111063831A (zh) * | 2019-12-04 | 2020-04-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制造方法、oled显示器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8492754B2 (en) | 2013-07-23 |
JP5462251B2 (ja) | 2014-04-02 |
JPWO2012017500A1 (ja) | 2013-09-19 |
US20120032207A1 (en) | 2012-02-09 |
WO2012017500A1 (ja) | 2012-02-09 |
KR20130044117A (ko) | 2013-05-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102742357A (zh) | 有机el显示面板、显示装置以及有机el显示面板的制造方法 | |
CN102449767A (zh) | 有机el显示面板、显示装置以及有机el显示面板的制造方法 | |
CN102405686B (zh) | 有机电致发光显示面板、具备该有机电致发光显示面板的有机电致发光显示装置以及有机电致发光显示面板的制造方法 | |
CN102405687B (zh) | 有机el显示面板及其制造方法 | |
JP4725577B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
CN102165591B (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
CN102577616B (zh) | 有机发光面板及其制造方法、以及有机显示装置 | |
CN104094670B (zh) | 有机el面板及其制造方法 | |
CN103329622B (zh) | 被成膜基板、制造方法和有机el显示装置 | |
TWI683168B (zh) | 畫素結構與其製造方法 | |
CN103477713B (zh) | 显示用基板、有机电致发光显示装置和它们的制造方法 | |
CN108417600B (zh) | 有机el显示面板以及有机el显示面板的制造方法 | |
WO2012132862A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイとその製造方法 | |
CN111863929A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN103583084B (zh) | 发光元件以及晶体管 | |
CN102405539A (zh) | 有机电致发光显示面板及其制造方法 | |
CN106717119A (zh) | 有机el显示面板的制造方法 | |
WO2012133206A1 (ja) | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネル及びその製造方法 | |
CN113471268A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN1640201B (zh) | 有机场致发光显示装置及其制造方法 | |
US20190348488A1 (en) | Display unit | |
WO2022222070A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
WO2022204918A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
KR20150075135A (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
JP2012074559A (ja) | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネル及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20121017 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |