WO2012017500A1

WO2012017500A1 - 有機ｅｌ表示パネル、表示装置、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法

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Publication number: WO2012017500A1
Application number: PCT/JP2010/004990
Authority: WO
Inventors: 誠司西山; 哲郎近藤
Original assignee: パナソニック株式会社
Priority date: 2010-08-06
Filing date: 2010-08-06
Publication date: 2012-02-09
Also published as: JP5462251B2; CN102742357A; JPWO2012017500A1; US20120032207A1; KR20130044117A; US8492754B2

Abstract

　テレビ等の電子機器に使用される有機ＥＬ表示パネル（１００）において、中間層（９）又は発光層（１０）をウェット方式で形成しながら、異なる発光色間の中間層等の膜厚差を容易に微調節できるようにして、発光効率又は発光色を向上させることを目的とする。　有機ＥＬ素子（２０）の下層にある層間絶縁膜（３）の膜厚を異ならせることで、コンタクトホール（１３）の容積を色ごとに異ならせ、各陽極板（５）の窪み部（１５）の容積を調節する。そして、インクジェット方式によって中間層等の材料を含むインクが滴下された場合、窪み部に充填されるインク量に応じて中間層等の膜厚が変化する。すなわち、各色の窪み部の容積差を調節することで、各色の中間層（９）等の膜厚差を微調節することができる。

Description

有機ＥＬ表示パネル、表示装置、及び有機ＥＬ表示パネルの製造方法

　本発明は、有機電界発光素子（以下「有機ＥＬ素子」と称する）を配列した有機ＥＬ表示パネル、表示装置、及び有機ＥＬ表示パネルの製造方法に関する。

　近年、発光型の表示パネルとして、基板上に行列方向に沿って有機ＥＬ素子を複数配列した有機ＥＬ表示パネルが、小型電子機器や小型の表示装置に用いられている。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の一対の電極対の間に有機発光材料を含む発光層が形成された基本構造を有している。有機ＥＬ素子は、一対の電極対間に電圧が印加されると、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って光を発する。この有機ＥＬ表示パネルは、各有機ＥＬ素子が自己発光を行うので視認性が高い。

　有機ＥＬ表示パネルにおいて、一般に発光層は、有機ＥＬ素子ごとに絶縁材料からなる隔壁（バンク）で仕切られていて、この隔壁によって発光層の形成領域が規定されている。また、陽極と発光層との間には、ホール注入層、ホール輸送層、ホール注入兼輸送層といった中間層が必要に応じて介挿される。また、陰極と発光層との間にも、必要に応じて電子注入層、電子輸送層または電子注入兼輸送層が介挿される。

　フルカラー表示の有機ＥＬ表示パネルにおいては、このような有機ＥＬ素子が、ＲＧＢ（赤緑青）各色のサブピクセルを形成し、隣り合うＲＧＢのサブピクセルが合わさって一画素が形成されている。

　各有機ＥＬ素子の発光層や中間層を形成する方法には、隣接する各有機ＥＬ素子同士を仕切る隔壁を基板上に形成しておいて、高分子材料や薄膜形成性の良い低分子材料を含むインクを、インクジェット等で塗布するウェット方式が多く用いられている。このウェット方式によれば、大型のパネルにおいても中間層や発光層を比較的容易に形成することができる。

　ウェット方式のうちの代表的なインクジェット方式では、例えば、塗布対象の基板の上方を行列方向のいずれかの方向にインクジェットヘッドを移動させ、基板上の隔壁で区画された領域に、中間層、発光層などを形成するための有機材料と溶媒とを含む溶液（以下、単に「インク」と称する。）の液滴をノズルから吐出させてインクを塗布する（特許文献１参照）。

特開２００３－２４１６８３号公報

　ところで、各有機ＥＬ素子の発光効率を高めるのに適した中間層の膜厚は、発光色の波長に依存する。例えば、トップエミッション型の有機ＥＬ素子では、発光層から基板側に放射された光が、一旦基板側の電極等によって反射させられた後、発光層を通過して出射する反射光と、発光層から直接上方（基板と反対側）へ出射する光とが強め合うように光路長が設定されていることが望ましい。

　すなわち、赤色光と緑色光と青色光では、その波長の違いにより、有機ＥＬ素子内での最適な光路長（共振条件）が異なるので、各色サブピクセルにおいて、発光色の波長に合わせて中間層の膜厚差を微調節することが発光効率を高める上で望ましい。

　しかし、実際にウェット方式で中間層を形成するときには、色ごとに中間層の膜厚を微調節することは実際上難しい。

　具体的には、中間層の材料を含むインクは全ての色で共通とし、各サブピクセルに対して供給する中間層形成用のインク量を一定にしている。例えば、インクジェット方式で中間層のインクを塗布する場合、各色の有機ＥＬ素子を形成する領域に対して吐出するインクの液滴数は共通とし、且つノズルから吐出されるインク一滴あたりの体積も同じにしながら行っている。

　ここで、インクジェット方式の場合、サブピクセルの色ごとに滴下するインク液滴数を変更することによって中間層の膜厚を調節することも考えられるが、各サブピクセルに供給するインク量は、インク液滴単位でしか変更することはできないので、やはり、サブピクセルの色ごとに中間層の膜厚を微調節することは実際上難しい。

　また、発光層については、例えば、所望の輝度や色度を得るための適切な膜厚が色ごとに異なるため、異なる色に対応する発光層間の膜厚差を微調節すること、あるいは中間層と同様に光路長を発光色の波長に適したものとするために膜厚差を微調節することが求められている。

　以上に述べた例から分かるように、有機ＥＬ表示パネルにおいて、ウェット方式で中間層や発光層を形成する場合に、それらの膜厚差を微調節することが求められている。

　本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであって、有機ＥＬ表示パネルにおいて、中間層又は発光層をウェット方式で形成しながら、異なる発光色間の中間層等の膜厚差を容易に微調節できるようにし、例えば、発光効率、発光色等を向上させることを目的とする。

　上記課題を解決するために、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルでは、ＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層の上方に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、ライン状に配列された複数の第１色用の電極板を含む第１電極板群と、前記層間絶縁膜上に前記第１電極板群と隣接して形成され、ライン状に配列された複数の第２色用の電極板を含む第２電極板群と、前記第１電極板群の一方の長辺部分に沿って形成された第１隔壁と、前記第１電極板群の他方の長辺部分と、前記第２電極板群の一方の長辺部分との間に形成された第２隔壁と、前記第２電極板群の他方の長辺部分に沿って形成された第３隔壁と、前記第１隔壁と前記第２隔壁との間において前記第１電極板群の上方に形成された第１有機機能層と、前記第２隔壁と前記第３隔壁との間において前記第２電極板群の上方に形成された第２有機機能層と、前記第１有機機能層及び前記第２有機機能層の上方に設けられた対向電極と、を具備し、前記層間絶縁膜には、前記第１色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第１コンタクトホール、及び、前記第２色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第２コンタクトホールが設けられ、前記第１色用の電極板の各々は、前記第１コンタクトホールの形状に沿って窪む第１窪み部を有し、前記第２色用の電極板の各々は、前記第２コンタクトホールの形状に沿って窪む第２窪み部を有しており、前記層間絶縁膜の厚みは、前記第１電極板群が形成された箇所が、前記第２電極板群が形成された箇所より厚く形成されており、前記第１コンタクトホールは、前記第２コンタクトホールより深く、かつ、容積が大きく、前記第１色用の電極板上の領域に対応する前記第１有機機能層の体積は、前記第２色用の電極板上の領域に対応する前記第２有機機能層の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内であり、前記第１有機機能層の膜厚は、前記第１コンタクトホールに対応する第１窪み部に入り込む前記第１有機機能層の量が前記第２コンタクトホールに対応する第２窪み部に入り込む前記第２有機機能層の量より多いことにより、前記第１窪み部以外の前記第１色用の電極板上の領域において、前記第２窪み部以外の前記第２色用の電極板上の領域に形成された前記第２有機機能層の膜厚より薄い、という構成が採用されている。

　本発明の一態様における表示装置は、上記有機ＥＬ表示パネルを備えている。

　本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、基板を準備する第１工程と、前記基板上にＴＦＴ層を形成する第２工程と、前記ＴＦＴ層上に層間絶縁膜を形成する第３工程と、複数の第１色用の電極板をライン状に配列した第１電極板群を前記層間絶縁膜上に形成し、前記第１電極板群と隣接して複数の第２色用の電極板をライン状に配列した第２電極板群を前記層間絶縁膜上に形成する第４工程と、前記第１電極板群の一方の長辺部分に沿って第１隔壁を形成し、前記第１電極板群の他方の長辺部分と前記第２電極板群の一方の長辺部分との間に第２隔壁を形成し、前記第２電極板群の他方の長辺部分に沿って第３隔壁を形成する第５工程と、前記第１隔壁と前記第２隔壁との間において前記第１電極板群の上方に連続して第１有機機能層を形成する第６工程と、前記第２隔壁と前記第３隔壁との間において前記第２電極板群の上方に連続して第２有機機能層を形成する第７工程と、前記第１有機機能層及び前記第２有機機能層の上方に対向電極を設ける第８工程と、を具備し、前記第３工程において、前記層間絶縁膜の厚みは、前記第１電極板群が形成された箇所が、前記第２電極板群が形成された箇所より厚く形成されており、前記層間絶縁膜には、前記第１色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第１コンタクトホールと、前記第２色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第２コンタクトホールとが設けられ、前記第１コンタクトホールは、前記第２コンタクトホールより深く、かつ、容積が大きく形成され、前記第４工程において、前記第１色用の電極板の各々には、前記第１コンタクトホールの形状に沿って第１窪み部が形成され、前記第２色用の電極板の各々には、前記第２コンタクトホールの形状に沿って第２窪み部が形成され、前記第６工程で形成された前記第１有機機能層及び前記第７工程で形成された前記第２有機機能層において、前記第１色用の電極板上の領域に対応する前記第１有機機能層の体積は、前記第２色用の電極板上の領域に対応する前記第２有機機能層の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内であり、前記第１有機機能層の膜厚は、前記第１コンタクトホールに対応する第１窪み部に入り込む前記第１有機機能層の量が前記第２コンタクトホールに対応する第２窪み部に入り込む前記第２有機機能層の量より多いことにより、前記第１窪み部以外の前記第１色用の電極板上の領域において、前記第２窪み部以外の前記第２色用の電極板上の領域に形成された前記第２有機機能層の膜厚より薄い、という構成が採用されている。

　本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルによれば、層間絶縁膜の厚みを異ならせることで第１コンタクトホールと第２コンタクトホールとの深さを変えることができ、容易に第１コンタクトホールの容積（体積）を第２コンタクトホールの容積（体積）より大きくすることができる。

　そのため、第１窪み部の容積が第２窪み部の容積よりも大きくなり、ウェット方式による有機機能層の形成において、例えば、電極板の上方に形成された第１有機機能層と第２有機機能層とが同体積である場合に、第１窪み部に入り込む第１有機機能層の量を、第２窪み部に入り込む第２有機機能層の量より多くすることができる。その結果、例えば、第１色用の電極板および第２色用の電極板の上方に同体積の有機機能層を形成した場合に、第１色用の電極板の第１窪み部以外の領域（例えば、平坦な領域）に対応する第１有機機能層の膜厚（以下、単に第１有機機能層の膜厚という）を、第２色用の電極板の第２窪み部以外の領域に対応する第２有機機能層の膜厚（以下、単に第２有機機能層の膜厚という）より薄くすることができる。

　ここで、第１窪み部の容積と第２窪み部の容積との差は、インクジェット式塗布方法においてノズルから吐出するインク一滴あたりの体積よりも小さい単位で調節が可能である。そのため、第１窪み部の容積と第２窪み部の容積との差を微調節することによって、第１有機機能層の膜厚と、第２有機機能層の膜厚との差を容易に微調節することができる。

　よって、異なる色に対応する有機機能層の膜厚差を微調節し易くなる。その結果、例えば、有機ＥＬ素子内での光の共振条件を色ごとに適切化でき、発光効率の優れた表示パネルを容易に得ることができる。

　なお、有機ＥＬ素子内での光の共振条件を色ごとに適切化するために、有機機能層だけで光路長を適切化する必要はなく、他の層（例えば、透明電極層）も色ごとに膜厚を調節することができる。

　ここで、「前記層間絶縁膜の厚みを、前記第１電極板群が形成された箇所が、前記第２電極板群が形成された箇所より厚く形成する」ために、第１電極板群が形成された箇所と、第２電極板群が形成された箇所とにおいて、層間絶縁膜の上面と下面との少なくとも一方の高さを変えることができる（詳細は後述する）。

　本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルの製造方法によれば、上述の有機ＥＬ表示パネルを製造することができる。

実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００の構成を模式的に示す断面図である。表示パネル１００の概略構成を示す斜視図である。（ａ）は表示パネル１００の概略構成を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ－Ａ’線で切断した断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ－Ｂ’線で切断した断面図である。表示パネル１００の製造方法を説明するための図である。表示パネル１００の層間絶縁膜を形成する工程を説明するための模式図である。表示パネル１００の隔壁を形成する工程を説明するための模式図である。基板上に中間層形成用のインクを塗布した直後及び乾燥後の様子を示す断面模式図である。窪み部１５の容積とホール輸送層９の膜厚との関係を説明するための模式図である。コンタクトホール１３の上面積を説明するための図である。有機ＥＬ素子２０内の光の進み方を説明するための模式図である。実施の形態２に係る表示パネルの概略構成を示す断面図である。実施の形態２に係る段付き基板８１を形成する工程を説明するための模式図である。実施の形態に係る表示装置２００の全体構成を示す図である。表示装置２００を用いたテレビシステムの一例を示す外観形状である。

　＜発明の態様＞
　本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルでは、ＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層の上方に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、ライン状に配列された複数の第１色用の電極板を含む第１電極板群と、前記層間絶縁膜上に前記第１電極板群と隣接して形成され、ライン状に配列された複数の第２色用の電極板を含む第２電極板群と、前記第１電極板群の一方の長辺部分に沿って形成された第１隔壁と、前記第１電極板群の他方の長辺部分と、前記第２電極板群の一方の長辺部分との間に形成された第２隔壁と、前記第２電極板群の他方の長辺部分に沿って形成された第３隔壁と、前記第１隔壁と前記第２隔壁との間において前記第１電極板群の上方に形成された第１有機機能層と、前記第２隔壁と前記第３隔壁との間において前記第２電極板群の上方に形成された第２有機機能層と、前記第１有機機能層及び前記第２有機機能層の上方に設けられた対向電極と、を具備し、前記層間絶縁膜には、前記第１色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第１コンタクトホール、及び、前記第２色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第２コンタクトホールが設けられ、前記第１色用の電極板の各々は、前記第１コンタクトホールの形状に沿って窪む第１窪み部を有し、前記第２色用の電極板の各々は、前記第２コンタクトホールの形状に沿って窪む第２窪み部を有しており、前記層間絶縁膜の厚みは、前記第１電極板群が形成された箇所が、前記第２電極板群が形成された箇所より厚く形成されており、前記第１コンタクトホールは、前記第２コンタクトホールより深く、かつ、容積が大きく、前記第１色用の電極板上の領域に対応する前記第１有機機能層の体積は、前記第２色用の電極板上の領域に対応する前記第２有機機能層の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内であり、前記第１有機機能層の膜厚は、前記第１コンタクトホールに対応する第１窪み部に入り込む前記第１有機機能層の量が前記第２コンタクトホールに対応する第２窪み部に入り込む前記第２有機機能層の量より多いことにより、前記第１窪み部以外の前記第１色用の電極板上の領域において、前記第２窪み部以外の前記第２色用の電極板上の領域に形成された前記第２有機機能層の膜厚より薄い、という構成が採用されている。

　そのため、第１窪み部の容積が第２窪み部の容積よりも大きくなり、ウェット方式による有機機能層の形成において、例えば、電極板の上方に形成された第１有機機能層と第２有機機能層とが同体積である場合に、第１窪み部に入り込む第１有機機能層の量を、第２窪み部に入り込む第２有機機能層の量より多くすることができる。その結果、例えば、第１色用の電極板および第２色用の電極板の上方に同体積の有機機能層を形成した場合に、第１色用の電極板の第１窪み部以外の領域（例えば、平坦な領域、発光領域等）に対応する第１有機機能層の膜厚（以下、単に第１有機機能層の膜厚という）を、第２色用の電極板の第２窪み部以外の領域に対応する第２有機機能層の膜厚（以下、単に第２有機機能層の膜厚という）より薄くすることができる。

　ここで、有機ＥＬ素子内での光の共振条件が色ごとに適切化されているとは、例えば、仮に、本態様の有機ＥＬ表示パネルと同じ製造条件（有機ＥＬ素子の寸法、インク塗布量等の条件）で、第１及び第２コンタクトホールの容積を同じにして有機ＥＬ表示パネルを製造するとした場合に、第１色用及び第２色用の有機ＥＬ素子の両方の発光効率を向上させることは両立できないが、第１及び第２コンタクトホールの容積を異ならせることで両立させている状態をいう。

　なお、仮に第１及び第２コンタクトホールの容積を同じにした場合に、第１色用及び第２色用の有機ＥＬ素子の両方の発光効率を向上させることが両立できない状態の具体例としては、仮に本態様の有機ＥＬ表示パネルの第１コンタクトホールの容積を小さくして第２コンタクトホールの容積と同じにした場合に、第１色用の有機ＥＬ素子の発光効率が低下し、他方、仮に第２コンタクトホールの容積を大きくして第１コンタクトホールの容積と同じにした場合に、第２色用の有機ＥＬ素子の発光効率が低下する、などといった状態である。

　また、有機ＥＬ素子の発光色を色ごとに適切化する場合についても上記と同様のことが言える。なお、発光色の適切化は、例えば、各発光色の色純度を向上させることで行われる。

　上記第１コンタクトホールの容積を第１窪み部の容積と、第２コンタクトホールの容積を第２窪み部の容積と読み替えてもよい。

　ここで、「前記層間絶縁膜の厚みを、前記第１電極板群が形成された箇所が、前記第２電極板群が形成された箇所より厚く形成する」ために、第１電極板群が形成された箇所と、第２電極板群が形成された箇所とにおいて、層間絶縁膜の上面と下面との少なくとも一方の高さを変えることができる。

　層間絶縁膜の上面の高さを変えるために、例えば、層間絶縁膜の上面に段差を形成し、第１電極板群が形成された箇所が、第２電極板群が形成された箇所よりも高くなるようにすることができる。

　層間絶縁膜の下面の高さを変えるために、例えば、ＴＦＴ層における第１電極板群に対応する箇所が、第２電極板群に対応する箇所よりも低くなるようにすることができる。

　なお、本態様は、例えば、第１電極板群に対応する箇所が、第２電極板群に対応する箇所よりも低い基板を具備し、その基板上にＴＦＴ層が形成されたものとすることができる。

　ここで、「第１色用の電極板上の領域に対応する第１有機機能層の体積が、各第２色用の電極板上の領域に対応する第２有機機能層の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内」というのは、第１有機機能層の体積と第２有機機能層の体積が実質的に同一（誤差範囲内）であること、数値的には第１有機機能層の体積と第２有機機能層の体積の差が、第１有機機能層の体積に対して１０％以内であることを意味するものとする。

　本態様において、第１窪み部の容積と第２窪み部の容積との差を、インク一滴の体積よりも大きくしてもよい（例えば、１．５滴分）。

　なお、第１有機機能層の体積と第２有機機能層の体積との差は、第１窪み部に堆積した第１有機機能層の体積から第２窪み部に堆積した第２有機機能層の体積を差し引いた体積未満であることが望ましい。

　ここで、「第１窪み部以外の第１色用の電極板上の領域」とは、例えば、平面視において、第１色用の電極板上の領域のうち、第１窪み部が形成された領域（第１窪み部の周囲の領域を含む場合がある）を除いた平坦な領域をいう。具体的には、例えば、平面視において発光領域に位置する部分である。第２色用の電極板上の領域についても同様である。

　本態様において、上方とは、有機機能層等の積層方向の上方を意味しており、ＴＦＴ層から遠ざかる方向となる。

　なお、電極板上に有機機能層以外の層（例えば、画素規制層）が形成されていても、有機機能層以外の層が窪み部に凹入して窪んでいれば、有機機能層の膜厚差を微調節することができる。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルは、前記第１色用の電極板に対応する第１コンタクトホールの上面積と前記第２色用の電極板に対応する第２コンタクトホールの上面積とは、同一又は同一の近傍値の範囲内である、という構成を採用することができる。

　本態様によれば、第１コンタクトホールの上面積と第２コンタクトホールの上面積とを同一又は同一の近傍値の範囲内とした場合であっても、第１コンタクトホールと第２コンタクトホールとの深さを変えることで、第１コンタクトホールの容積を第２コンタクトホールの容積よりも大きくすることができる。その結果、第１有機機能層の膜厚と第２有機機能層の膜厚との差を微調節することができる。

　また、第１及び第２コンタクトホールの上面積を実質同一にすることにより、第１及び第２窪み部の開口面積も実質同一となり、塗布されたインクの窪み部内への入り込みやすさを概ね等しくすることができる。

　なお、上面積とは、例えば、層間絶縁膜の上面に開口したコンタクトホールの開口面積とすることや、コンタクトホールの上部を有機機能層等の積層方向と垂直な断面によって切断した場合における開口の面積とすることができる。コンタクトホールの上部とは、例えば、コンタクトホールの周縁部の最上部とコンタクトホールの深さ寸法の１５％下降した位置との間のいずれかの部分とすることができる。

　また、「同一又は同一の近傍値の範囲内」とは、第１コンタクトホールの上面積と第２コンタクトホールの上面積とが実質的に同一（誤差範囲内）であること、数値的には第１コンタクトホールの上面積と第２コンタクトホールの上面積との差が、第１コンタクトホールの上面積に対して１０％以内であることを意味するものとする。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルに、前記コンタクトホールの上面積は、前記層間絶縁膜の前記コンタクトホールにおける周縁部のもっとも高い位置から１０％、又は１０％の近傍値の範囲内に下がった位置における前記コンタクトホールの直径で規定される円の面積である、という構成を採用することができる。

　本態様は、コンタクトホールの平面形状が円形とされており、コンタクトホールの周縁部の最も高い位置からコンタクトホールの深さの１０％前後下降した位置におけるコンタクトホールの直径によって上面積を規定するものである。これにより、コンタクトホールの周縁部の最も高い位置およびその付近において、形状や高さのばらつきが存在する場合でも、その影響を低減することができる。なお、１０％の近傍値の範囲内は、誤差範囲内であり、例えば、９％以上で１１％以下の範囲内の値とすることができる。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルに、前記第１コンタクトホールに対応する前記第１窪み部は、第１画素規制層により覆われ、前記第１画素規制層の上方に第１有機機能層が形成され、前記第２コンタクトホールに対応する前記第２窪み部は、第２画素規制層により覆われ、前記第２画素規制層の上方に第２有機機能層が形成されている、という構成を採用することができる。

　本態様によれば、絶縁性を有する画素規制層によって窪み部を覆うことで、窪み部と有機機能層とを電気的に絶縁することができる。これにより、例えば、窪み部の開口縁上方において、有機発光層が、局所的な電流の集中によって窪み部の周囲と異なる輝度で発光することを防止することができる。

　第１画素規制層及び第２画素規制層の各々は、例えば、ＳｉＯ２（酸化ケイ素）膜、あるいはＳｉＮ（窒化ケイ素）膜、ＳｉＯＮ（酸窒化ケイ素）膜などの酸化物（窒化物を含む）で形成される。前記ＳｉＯ膜、あるいはＳｉＮ膜などの酸化物は、第１有機機能層及び第２有機機能層の各々とのぬれ性が良好であるため、上記画素規制層上に有機機能層を含むインクが直接塗布される場合には、第１有機機能層の第１窪み部への入り込み及び第２有機機能層の第２窪み部への入り込みが良好となる。

　従って、異なる色に対応する有機機能層の膜厚差を微調節するためにより好適である。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルは、前記第１有機機能層は、インクジェット式塗布方法により所定の体積の液滴が塗布されることにより、前記第１電極板群の上方に連続して形成され、前記第２有機機能層は、インクジェット式塗布方法により前記所定の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内の体積の液滴が塗布されることにより前記第２電極板群の上方に連続して形成され、前記第１色用の電極板上の領域に対応する前記第１有機機能層の体積は、前記第２色用の電極板上の領域に対応する前記第２有機機能層の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内である、という構成を採用することができる。

　本態様は、有機機能層の形成において、インクジェット式塗布方法によって滴下される液滴の体積が、第１有機機能層の形成と第２有機機能層の形成とで実質同一（例えば、体積差が１０％以内の誤差範囲内）にされている。また、第１有機機能層の体積は第２有機機能層の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内（例えば、体積差が１０％以内の誤差範囲内）であり、各電極板上の領域に滴下される液滴数は同一にされている。

　ここで、前述のように、第１コンタクトホールの容積が第２コンタクトホールの容積よりも大きくされているため、第１色用の電極板の第１窪み部以外の部分に対応する第１有機機能層の膜厚を、第２色用の電極板の第２窪み部以外の部分に対応する第２有機機能層よりも薄くすることができる。

　このように、本態様によると、インクジェット式塗布方法において、色ごとの塗布条件を同じにすることにより、製造装置あるいは製造プロセスを簡易化するとともに、第１コンタクトホールの容積を第２コンタクトホールよりも大きくすることで、第１有機機能層の膜厚を第２有機機能層よりも薄くすることができる。すなわち、異なる色に対応する有機機能層の膜厚差を微調節することができる。

　従来、インクジェット式塗布方法で有機ＥＬ発光素子の有機機能層を形成する場合は、インクジェット装置のショット数（例えば、サブピクセルあたりのインクの滴下数）をＲＧＢ等の色ごとに調節して各有機機能層の膜厚を調節していたため、有機機能層の膜厚の微調節が困難であった。例えば、第１色用の電極板に対応する領域に、有機機能層を構成する有機インクの液滴の１０滴を滴下する場合では、ショット数を１１滴に変更すると、膜厚は約１．１倍（約１０％増）となる。すなわち、この場合には、インクジェット装置では約１０％以下での膜厚制御は行なうことができない。従って、異なる色に対応する有機機能層の膜厚差を微調節することができない。

　また、前記有機機能層が中間層である場合は、ＲＧＢなどの各色で同じ材料を用いて印刷する。この際に、異なる色に対応する有機機能層の膜厚差を調節するためには、インクジェット装置のＲＧＢそれぞれのノズルに対してショット数制御が必要となり、装置が複雑になる。

　それに対し、本態様では、第１有機機能層の体積と、第２有機機能層の体積とが実質同一である。そして、コンタクトホールの容積差を、例えばインクの１．５滴分等とすることができ、各色のショット数が同じであっても有機機能層の膜厚差を微調節することができる。すなわち、本態様ではＲＧＢ各色において有機機能層の膜を形成する際のインクジェット装置による滴下量は同じであっても、膜厚を各発光色に対応して任意に微調節ができるようになる。

　また、各発光色に対応したインクジェット装置の全ノズルからの液滴の滴下が、同じ条件で塗布するこができるので、インクジェット装置の各発光色に対応した各ノズルの制御の必要が無く、装置の制御を簡易化することができる。

　この結果、前記第１色用の電極板上の領域に対応する前記第１有機機能層の体積は、前記第２色用の電極板上の領域に対応する前記第２有機機能層の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内としつつ、前記窪み部の体積の調節により、前記有機機能層の膜厚を微調節することができるようになる。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルに、前記第１有機機能層の膜厚と前記第２有機機能層の膜厚との差は、前記インクジェット式塗布方法により前記所定の体積の液滴が塗布される場合、前記第１色用の電極板ごとに塗布される前記液滴数が、ｎ滴増加することにより形成される前記第１有機機能層の膜厚より大きく、前記液滴数がｎ＋１滴増加することにより形成される前記第１有機機能層の膜厚より小さい、という構成を採用することができる。

　本態様では、第１色用の電極板の第１窪み部以外の部分に対応する第１有機機能層の膜厚と、第２色用の電極板の第２窪み部以外の部分に対応する第２有機機能層の膜厚との差を、インクジェット装置のノズルから滴下される液滴の最小単位である１つの液滴で形成される膜厚よりも小さく微調節することができる（例えば、液滴の半分の膜厚）。なお、ｎは０以上の整数（ｎ≧０）である。

　なお、「液滴数がｎ滴増加することにより形成される第１有機機能層の膜厚」は、ｎ滴の液滴による第１有機機能層の膜厚の増加分とすることができる。また、「液滴数がｎ＋１滴増加することにより形成される前記第１有機機能層の膜厚」は、ｎ＋１滴の液滴による第２有機機能層の膜厚の増加分とすることができる。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルに、前記第１色は青色である、という構成を採用することができる。

　有機ＥＬ発光素子において、例えば、電極板側で反射して対向電極側に出射する光の光路長を各色の光の波長に適したものにして、発光層から対向電極側に直接出射する光と強めあうように干渉させるキャビティ構造が採用されている場合がある。このキャビティ構造の一部を有機機能層が構成している場合には、青色に対応する有機機能層の膜厚を薄くすることが好ましい。それは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光色の中で青色の光の波長が、赤色、緑色の光の波長より短いため、光路長を短くすることが好ましいからである。

　本態様は、前記第１色を青色としている。そのため、他の色の発光色の前記有機機能層の膜厚より、前記青色の前記有機機能層の膜厚を薄くすることとなる。従って、例えば、光取出し効率が優れた多数色の有機ＥＬ発光素子を実現できる。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルに、前記層間絶縁膜の上面は、前記第１電極板群が形成された箇所が、前記第２電極板群が形成された箇所より高く形成されており、前記ＴＦＴ層は、前記第１コンタクトホールの底面に対応する箇所と、前記第２コンタクトホールの底面に対応する箇所とが同一又は同一の近傍値の範囲内の高さに形成されている、という構成を採用することができる。

　本態様では、層間絶縁膜の上面が段差を有する形状にされている。つまり、高低差が設けられている。その結果、ＴＦＴ層において第１及び第２コンタクトホールに対応する部分の高さが同一又は同一の近傍値の範囲内（実質同一）であっても、コンタクトホールの深さを異ならせることができる。よって、容易にコンタクトホールの容積差を微調節することができる。

　ここで、ＴＦＴ層には、ＴＦＴから電極板に電力を供給するための電極（実施形態におけるＳＤ電極）が形成されており、その電極上にコンタクトホールが形成されている。そして、電極板の一部はコンタクトホールに凹入して窪み部となり、その窪み部の底壁部分が上記電極の上面と面接触することで、電極板と電極とが導通している。この場合、ＴＦＴ層における第１（第２）コンタクトホールの底面に対応する箇所の高さは、上記電力供給用の電極の上面の高さとすることができる。

　なお、コンタクトホールの底面に対応する箇所が互いに同一又は同一の近傍値の範囲内の高さに形成されているとは、高さが実質同一であればよく、例えば、高さの差が、第１コンタクトホールの深さと第２コンタクトホールの深さとの差の５％以内とすることができる。

　ここで、一般的に、ＴＦＴ層の第１及び第２コンタクトホールの底面に対応する箇所の高さは、実質同一にされているため、本態様は、一般的なＴＦＴ層に対応することができ、汎用性に富んでいる。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルに、前記層間絶縁膜の上面は、前記第１電極板群が形成された箇所と、前記第２電極板群が形成された箇所とが同一又は同一の近傍値の範囲内の高さに形成されており、前記ＴＦＴ層は、前記第１コンタクトホールの底面に対応する箇所が、前記第２コンタクトホールの底面に対応する箇所よりも低く形成されている、という構成を採用することができる。

　本態様では、層間絶縁膜の上面において、第１電極板群が形成された箇所と、第２電極板群が形成された箇所との間に高低差はなく、ＴＦＴ層に高低差が設けられている。その結果、層間絶縁膜の上面において、第１電極板群が形成された箇所の高さが、第２電極板群が形成された箇所の高さと実質同一であっても、コンタクトホールの深さを異ならせることができる。よって、容易にコンタクトホールの容積差を微調節することができる。

　ここで、層間絶縁膜の上面において、第１電極板群が形成された箇所の高さが、第２電極板群が形成された箇所の高さと同一とは、実質同一であればよい。実質同一については、例えば、前項と同様に、第１コンタクトホールの深さと第２コンタクトホールの深さとの差の５％以内とすることができる。

　ここで、本態様では、層間絶縁膜の上面において、第１電極板群が形成された箇所と、第２電極板群が形成された箇所との間に高低差がないため、層間絶縁膜上に有機ＥＬ素子を形成し易いという利点がある。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルに、前記第２電極板群と隣接して形成され、ライン状に配列された複数の第３色用の電極板を含む第３電極板群と、前記第３電極板群の前記第２電極板群と反対側の長辺部分に沿って形成された第４隔壁と、前記第３隔壁と前記第４隔壁との間において前記第３電極板群の上方に形成された第３有機機能層と、を含み、前記対向電極は、前記第３有機機能層の上方に設けられ、前記層間絶縁膜には、前記第３色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第３コンタクトホールが設けられ、前記第３色用の電極板は、前記第３コンタクトホールの形状に沿って窪む第３窪み部を有しており、前記層間絶縁膜は、前記第１電極板群が形成された箇所が、前記第３電極板群が形成された箇所より厚く形成されており、前記第１コンタクトホールは、前記第３コンタクトホールより深く、かつ、容積が大きく、前記第１色用の電極板上の領域に対応する前記第１有機機能層の体積は、前記第３色用の電極板上の領域に対応する前記第３有機機能層の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内であり、前記第１有機機能層の膜厚は、前記第１コンタクトホールに対応する第１窪み部に入り込む前記第１有機機能層の量が前記第３コンタクトホールに対応する第３窪み部に入り込む前記第３有機機能層の量より多いことにより、前記第１窪み部以外の前記第１色用の電極板上の領域において、前記第３窪み部以外の前記第３色用の電極板上の領域に形成された前記第３有機機能層の膜厚より薄い、という構成を採用することができる。

　本態様では、前記第１電極板群と前記第２電極板群に対応した有機ＥＬ発光素子に加えて、第３電極板群に対応した有機ＥＬ発光素子が存在する。即ち３色の発光色によって画像を表示する有機ＥＬ表示パネルが実現できる。そして、前記３色を赤、緑、青（ＲＧＢ）とすることで、汎用性の高い有機ＥＬ表示パネルを実現することができる。

　本態様において、第３コンタクトホールの容積を、第２コンタクトホールの容積と異ならせた場合には、コンタクトホールの体積をＲＧＢ毎に異ならせることができる。ＲＧＢの各サブピクセルでは、通常、放射される光の取出し効率を向上させるために前述のキャビティ構造が採用される。この場合、ＲＧＢの各色の光の波長に対応した最適な光路長となるように有機機能層の膜厚差を微調節できることが好ましい。

　本態様によれば、コンタクトホールの容積差は、層間絶縁膜の膜厚及びコンタクトホールの形状（上面積の大きさ等）によって、比較的微調節がしやすいものである。その結果、有機機能層の膜厚差の微調節が実現できる。

　したがって、インクジェット式塗布方法で有機機能層を形成する場合において、各サブピクセルのキャビティを適切化するための前記有機機能層の膜厚差を、ＲＧＢの各色に対応して形成されたコンタクトホールの体積を変えることで微調節できる。

　特に、ＲＧＢの各色の発光波長に対応してキャビティを適切化するために、例えば、コンタクトホールの体積を、Ｂ、Ｇ、Ｒの順に小さくすることができる（Ｂ＞Ｇ＞Ｒ）。このことによって、有機機能層の膜厚を、Ｂ、Ｇ、Ｒの順に厚くすることができる（Ｂ＜Ｇ＜Ｒ）。なお、キャビティには有機機能層以外の層が含まれているので、有機機能層以外の層の膜厚によっては、ＲＧＢの各色に対応する有機機能層の膜厚の厚さを上記順序と異ならせてもよい。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルに、前記第１色用の電極板に対応する第１コンタクトホールの上面積、前記第２色用の電極板に対応する第２コンタクトホールの上面積及び前記第３色用の電極板に対応する第３コンタクトホールの上面積とは、同一又は同一の近傍値の範囲内である、という構成を採用することができる。

　本態様によれば、各色に対応するコンタクトホールの上面積を実質同一にした場合であっても、コンタクトホールの形状によって、前記有機機能層の膜厚を微調節できる。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルに、前記コンタクトホールの上面積は、前記層間絶縁膜における前記コンタクトホールの周縁部のもっとも高い位置から１０％又は１０％の近傍値の範囲内に下がった位置における前記コンタクトホールの直径で規定される円の面積である、という構成を採用することができる。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルに、前記層間絶縁膜の上面は、前記第１電極板群が形成された箇所が、前記第２電極板群が形成された箇所及び前記第３電極板群が形成された箇所より高く形成されており、前記ＴＦＴ層は、前記第１コンタクトホールの底面に対応する箇所、前記第２コンタクトホールの底面に対応する箇所、及び前記第３コンタクトホールの底面に対応する箇所が同一又は同一の近傍値の範囲内の高さに形成されている、という構成を採用することができる。

　本態様では、層間絶縁膜の上面が段差を有する形状にされている。つまり、高低差が設けられている。その結果、ＴＦＴ層において第１，第２及び第３コンタクトホールの底面に対応する部分の高さが実質同一であっても、コンタクトホールの深さを異ならせることができる。よって、容易にコンタクトホールの容積差を微調節することができる。

　ここで、一般的に、ＴＦＴ層の第１，第２及び第３コンタクトホールの底面に対応する箇所の高さは、実質同一にされているため、本態様は、一般的なＴＦＴ層を用いることができ、汎用性に富んでいる。

　なお、コンタクトホールの底面に対応する箇所が互いに同一又は同一の近傍の範囲内の高さに形成されているとは、前記コンタクトホールの底面が形成されている高さが実質同一であればよい。例えば、前記高さの差は、第１コンタクトホールの深さと、第２コンタクトホール及び第３コンタクトホールのうちの浅い方の深さとの差の５％以内とすることができる。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルに、前記層間絶縁膜の上面は、前記第１電極板群が形成された箇所、前記第２電極板群が形成された箇所、及び前記第３電極板群が形成された箇所が同一又は同一の近傍値の範囲内の高さに形成されており、前記ＴＦＴ層は、前記第１コンタクトホールの底面に対応する箇所が、前記第２コンタクトホールの底面に対応する箇所及び前記第３コンタクトホールの底面に対応する箇所よりも低く形成されている、という構成を採用することができる。

　本態様では、ＴＦＴ層に高低差が設けられている。その結果、層間絶縁膜の上面において、第１電極板群が形成された箇所の高さが、第２電極板群及び第３電極板群が形成された箇所の高さと実質同一であっても、コンタクトホールの深さを異ならせることができる。よって、容易にコンタクトホールの容積差を微調節することができる。

　ここで、本態様では、層間絶縁膜の上面において、第１電極板群が形成された箇所と、第２電極板群及び第３電極板群が形成された箇所との間に高低差がないため、層間絶縁膜上に有機ＥＬ素子を形成し易いという利点がある。

　なお、第１、第２、及び第３電極板群が形成された箇所の高さが、実質同一であるとは、前項と同様に、例えば、前記コンタクトホールの底面が形成されている高さの差は、第１コンタクトホールの深さと、第２コンタクトホール及び第３コンタクトホールのうちの浅い方の深さとの差の５％以内とすることができる。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルに、前記第１有機機能層及び前記第２有機機能層は、電荷注入層、あるいは電荷輸送層のいずれかであり、前記第１有機機能層と前記対向電極との間に第１有機発光層が形成され、前記第２有機機能層と前記対向電極との間に第２有機発光層が形成されている、という構成を採用することができる。

　電荷注入層、電荷輸送層等の膜厚は、有機発光層よりも薄く形成される場合が多いため、膜厚差を微調節することが難しい。よって、コンタクトホールの容積差によって膜厚差を微調節できるメリットが大きい。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルに、前記第１有機機能層、前記第２有機機能層、及び前記第３有機機能層は、電荷注入層あるいは電荷輸送層のいずれかであり、前記第１有機機能層と前記対向電極との間に第１有機発光層が形成され、前記第２有機機能層と前記対向電極との間に第２有機発光層が形成され、前記第３有機機能層と前記対向電極との間に第３有機発光層が形成されている、という構成を採用することができる。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルに、前記第１有機機能層及び前記第２有機機能層は、有機発光層である、という構成を採用することができる。

　本態様によれば、第１コンタクトホールの容積を、第２コンタクトホールの容積よりも大きくすることで、各色に対応する有機発光層の膜厚の差を微調節することができる。その結果、有機発光層の色度や輝度をより適切にすることができる。あるいは、光の取出し効率を向上させることができる。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルに、前記第１有機機能層、前記第２有機機能層、及び前記第３有機機能層は、有機発光層である、という構成を採用することができる。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルに、前記電極板は陽極であり、前記対向電極は陰極である、という構成を採用することができる。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルに、前記電極板は陰極であり、前記対向電極は陽極である、という構成を採用することができる。

　さらに、本発明の一態様における表示装置は、上記いずれかの態様に記載の有機ＥＬ表示パネルを備えている。

　本態様によれば、上記いずれかの態様に記載の有機ＥＬ表示パネルを備えた表示装置を実現できる。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を準備する第１工程と、前記基板上にＴＦＴ層を形成する第２工程と、前記ＴＦＴ層上に層間絶縁膜を形成する第３工程と、複数の第１色用の電極板をライン状に配列した第１電極板群を前記層間絶縁膜上に形成し、前記第１電極板群と隣接して複数の第２色用の電極板をライン状に配列した第２電極板群を前記層間絶縁膜上に形成する第４工程と、前記第１電極板群の一方の長辺部分に沿って第１隔壁を形成し、前記第１電極板群の他方の長辺部分と前記第２電極板群の一方の長辺部分との間に第２隔壁を形成し、前記第２電極板群の他方の長辺部分に沿って第３隔壁を形成する第５工程と、前記第１隔壁と前記第２隔壁との間において前記第１電極板群の上方に連続して第１有機機能層を形成する第６工程と、前記第２隔壁と前記第３隔壁との間において前記第２電極板群の上方に連続して第２有機機能層を形成する第７工程と、前記第１有機機能層及び前記第２有機機能層の上方に対向電極を設ける第８工程と、を具備し、前記第３工程において、前記層間絶縁膜の厚みは、前記第１電極板群が形成された箇所が、前記第２電極板群が形成された箇所より厚く形成されており、前記層間絶縁膜には、前記第１色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第１コンタクトホール、及び、前記第２色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第２コンタクトホールが設けられ、前記第１コンタクトホールは、前記第２コンタクトホールより深く、かつ、容積が大きく形成され、前記第４工程において、前記第１色用の電極板の各々には、前記第１コンタクトホールの形状に沿って第１窪み部が形成され、前記第２色用の電極板の各々には、前記第２コンタクトホールの形状に沿って第２窪み部が形成され、前記第６工程で形成された前記第１有機機能層及び前記第７工程で形成された前記第２有機機能層において、前記第１色用の電極板上の領域に対応する前記第１有機機能層の体積は、前記第２色用の電極板上の領域に対応する前記第２有機機能層の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内であり、前記第１有機機能層の膜厚は、前記第１コンタクトホールに対応する第１窪み部に入り込む前記第１有機機能層の量が前記第２コンタクトホールに対応する第２窪み部に入り込む前記第２有機機能層の量より多いことにより、前記第１窪み部以外の前記第１色用の電極板上の領域において、前記第２窪み部以外の前記第２色用の電極板上の領域に形成された前記第２有機機能層の膜厚より薄い、という構成が採用されている。

　本態様によれば、前述の本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルを製造することができる。よって、例えば、層間絶縁膜の厚みを異ならせることで第１コンタクトホールの容積と第２コンタクトホールの容積との差を微調節し、第１有機機能層の膜厚と、第２有機機能層の膜厚との差を容易に微調節することができる。その結果、例えば、有機ＥＬ素子内での光の共振条件を色ごとに適切化でき、発光効率の優れた表示パネルを容易に得ることができる。

　ここで、「前記層間絶縁膜を、前記第１電極板群が形成された箇所が、前記第２電極板群が形成された箇所より厚く形成する」ために、第１電極板群が形成された箇所と、第２電極板群が形成された箇所とにおいて、層間絶縁膜の上面と下面との少なくとも一方の高さを変えることができる。

　層間絶縁膜の上面の高さを変えるために、例えば、第３工程において、フォトリソグラフィ法等により、層間絶縁膜の上面に段差を形成し、第１電極板群が形成された箇所を、第２電極板群が形成された箇所よりも高くすることができる。

　層間絶縁膜の下面の高さを変えるために、例えば、第１工程と第２工程との間に、基板上に段差を形成し、ＴＦＴ層における第１電極板群に対応する箇所を、第２電極板群に対応する箇所よりも低くする工程を設けることができる。なお、基板上に段差を形成するために、例えば、基板上に高低差のある絶縁層等を形成してもよいし、基板をエッチング等によって削ることで基板自体に高低差を形成してもよい。さらに、第１工程において、上面に段差が形成された基板を準備してもよい。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルの製造方法に、前記第１色用の電極板に対応するコンタクトホールの上面積と前記第２色用の電極板に対応するコンタクトホールの上面積とは、同一又は同一の近傍値の範囲内である、という構成を採用することができる。

　また、第１及び第２コンタクトホールの上面積を実質同一にすることにより、第１及び第２窪み部の開口面積も略同一となり、有機機能層を含むインクを窪み部内への入り込みやすさを概ね等しくすることができる。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルの製造方法に、前記第４工程と前記第５工程との間に、前記第１コンタクトホールに対応する前記第１窪み部を覆うように第１画素規制層を形成し、前記第２コンタクトホールに対応する前記第２窪み部を覆うように第２画素規制層を形成する工程を設け、前記第６工程において、前記第１画素規制層の上方に前記第１有機機能層が形成され、前記第７工程において、前記第２画素規制層の上方に前記第２有機機能層が形成される、という構成を採用することができる。

　本態様によれば、絶縁性を有する画素規制層によって窪み部を覆うことで、窪み部と有機機能層とを電気的に絶縁することができる。これにより、例えば、窪み部の開口縁上方において、発光層が、局所的な電流の集中によって窪み部の周囲と異なる輝度で発光することを防止することができる。

　また、第１画素規制層及び第２画素規制層の各々が、例えば、ＳｉＯ２膜、あるいはＳｉＮ膜などの酸化物（窒化物を含む）で形成され、かつ、上記画素規制層上に有機機能層を含むインクが直接塗布される場合には、第１有機機能層の第１窪み部への入り込み及び第２有機機能層の第２窪み部への入り込みが良好となる。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルの製造方法に、前記第６工程において、前記第１有機機能層は、インクジェット式塗布方法により所定の体積の液滴を塗布することにより、前記第１電極板群の上方に連続して形成し、前記第７工程において、前記第２有機機能層は、インクジェット式塗布方法により前記所定の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内の体積の液滴を塗布することにより、前記第２電極板群の上方に連続して形成される、という構成を採用することができる。

　本態様によると、インクジェット式塗布方法において、色ごとの塗布条件を同じにすることにより、製造装置あるいは製造プロセスを簡易化するとともに、第１コンタクトホールの容積を第２コンタクトホールよりも大きくすることで、第１有機機能層の膜厚を第２有機機能層よりも薄くすることができる。すなわち、異なる色に対応する有機機能層の膜厚差を微調節することができる。

　前記第１有機機能層の膜厚と前記第２有機機能層の膜厚との差は、前記インクジェット式塗布方法により前記所定の体積の液滴が塗布される場合、前記第１色用の電極板ごとに塗布される液滴数が、ｎ滴増加することによる前記第１有機機能層の膜厚の増加分より大きく、前記液滴数がｎ＋１滴増加することによる前記第１有機機能層の膜厚の増加分より小さい、という構成を採用することができる。

　本態様によれば、第１有機機能層の膜厚と第２有機機能層の膜厚との差を、インクジェット装置のノズルから滴下される液滴の最小単位である１つの液滴で形成される膜厚よりも小さく微調節することができる。なお、上記第１有機機能層の膜厚は、第１有機機能層のうちの第１色用の電極板の第１窪み部以外に対応する部分の膜厚である。第２有機機能層の膜厚についても同様である。

　さらに、本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を準備する第１工程と、前記基板上にＴＦＴ層を形成する第２工程と、前記ＴＦＴ層上に層間絶縁膜を形成する第３工程と、複数の第１色用の電極板をライン状に配列した第１電極板群を前記層間絶縁膜上に形成し、前記第１電極板群と隣接して複数の第２色用の電極板をライン状に配列した第２電極板群を前記層間絶縁膜上に形成し、前記第２電極板群と隣接して複数の第３色用の電極板をライン状に配列した第３電極板群を前記層間絶縁膜上に形成する第４工程と、前記第１電極板群の一方の長辺部分に沿って第１隔壁を形成し、前記第１電極板群の他方の長辺部分と前記第２電極板群の一方の長辺部分との間に第２隔壁を形成し、前記第２電極板群の他方の長辺部分と前記第３電極板群の一方の長辺部分との間に第３隔壁を形成し、前記第３電極板群の他方の長辺部分に沿って第４隔壁を形成する第５工程と、前記第１隔壁と前記第２隔壁との間において前記第１電極板群の上方に連続して第１有機機能層を形成する第６工程と、前記第２隔壁と前記第３隔壁との間において前記第２電極板群の上方に連続して第２有機機能層を形成する第７工程と、前記第３隔壁と前記第４隔壁との間において前記第３電極板群の上方に連続して第３有機機能層を形成する第８工程と、前記第１有機機能層及び前記第２有機機能層の上方に対向電極を設ける第９工程と、を具備し、前記第３工程において、前記層間絶縁膜の厚みは、前記第１電極板群が形成された箇所が、前記第２電極板群が形成された箇所及び前記第３電極板群が形成された箇所より厚く形成されており、前記層間絶縁膜には、前記第１色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第１コンタクトホール、前記第２色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第２コンタクトホール、及び、前記第３色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第３コンタクトホールが設けられ、前記第１コンタクトホールの深さは、前記第２コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールより深く、かつ、容積が大きく形成され、前記第４工程において、前記第１色用の電極板の各々には、前記第１コンタクトホールの形状に沿って第１窪み部が形成され、前記第２色用の電極板の各々には、前記第２コンタクトホールの形状に沿って第２窪み部が形成され、前記第３色用の電極板の各々には、前記第３コンタクトホールの形状に沿って第３窪み部が形成され、前記第６工程、前記第７工程及び前記第８工程でそれぞれ形成された前記第１有機機能層、前記第２有機機能層及び前記第３有機機能層において、前記第１色用の電極板上の領域に対応する前記第１有機機能層の体積は、前記第２色用の電極板上の領域に対応する前記第２有機機能層の体積及び前記第３色用の電極板上の領域に対応する前記第３有機機能層の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内であり、前記第１有機機能層の膜厚は、前記第１コンタクトホールに対応する第１窪み部に入り込む前記第１有機機能層の量が、前記第２コンタクトホールに対応する第２窪み部に入り込む前記第２有機機能層の量及び前記第３コンタクトホールに対応する第３窪み部に入り込む前記第３有機機能層の量より多いことにより、前記第１窪み部以外の前記第１色用の電極板上の領域において、前記第２窪み部以外の前記第２色用の電極板上の領域に形成された前記第２有機機能層の膜厚及び前記第３窪み部以外の前記第３色用の電極板上の領域に形成された前記第３有機機能層の膜厚より薄い、という構成を採用することができる。

　本態様によれば、前記第１の電極板群と前記第２の電極板群に対応した有機ＥＬ発光素子に加えて、第３の電極板群に対応した発光色、即ち３色の発光色を有する有機ＥＬ発光素子が実現できる。そして、前記３色を赤、緑、青（ＲＧＢ）とすることで、光取出効率が高い有機ＥＬ表示パネルを実現することができる。

　さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記コンタクトホールは、層間絶縁膜の上面側に開口する上側開口部と、下面側に開口する下側開口部とを有しており、前記電極板は、前記コンタクトホールに沿って窪む窪み部において、前記下側開口部を通じて前記ＴＦＴ層と電気的に接続されている、という構成を採用することができる。

　さらに、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、上記構成において、前記コンタクトホールは、前記上側開口部から前記下側開口部に近づくに従い連続的に縮径する形状の上段部分と、前記下側開口部から前記上側開口部に近づくに従い連続的に拡径する形状の下段部分とを有し、上段部分と下段部分との間に段差（あるいは段差面）が存在する、という構成を採用することができる。

　＜実施の形態１＞
　（表示パネル１００の構成）
　図１は、実施の形態１に係る表示パネル１００の要部構成を模式的に示す断面図である。図２は、表示パネル１００の要部構成を示す斜視図である。

　表示パネル１００は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルである。表示パネル１００では、画素（ピクセル）が縦方向及び横方向（Ｘ方向及びＹ方向）にマトリックス状に配列されており、各画素は、隣接するＲＧＢ（赤緑青）３色のサブピクセルによって構成されている。図２に示す有機ＥＬ素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃはトップエミッション型の有機ＥＬ素子であって、有機ＥＬ素子２０ａは第１色（青色）のサブピクセル、有機ＥＬ素子２０ｂは第２色（緑色）のサブピクセル、有機ＥＬ素子２０ｃは第３色（赤色）のサブピクセルに対応する。

　ここで、平面視において、各有機ＥＬ素子２０が形成された領域を「素子形成領域」と称し、素子形成領域のうち、発光に寄与する領域を「サブピクセル」と称する。

　図２に示すように、青色の有機ＥＬ素子２０ａ…が縦方向（Ｙ方向）にライン状に配列され、それに隣接して、緑色の有機ＥＬ素子２０ｂ…が縦方向（Ｙ方向）にライン状に配列され、さらに、それに隣接して、赤色の有機ＥＬ素子２０ｂ…が縦方向（Ｙ方向）にライン状に配列されている。そして、横方向（Ｘ方向）に隣接する３つの有機ＥＬ素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃで一画素が形成される。

　図１は、配列された有機ＥＬ素子２０ｃ…を縦方向（Ｙ方向）に切断した断面を示している。表示パネル１００は、基板１と、基板１の主面上に積層形成されたＴＦＴ層２（薄膜トランジスタ層）とからなるＴＦＴ基板を備えている。

　また、表示パネル１００において、ＴＦＴ基板上に、層間絶縁膜３、陽極板５、画素規制層６、ホール注入層７が順に積層されている。さらに、それらの上に、隔壁８、ホール輸送層９、有機発光層１０（以下、単に発光層という）、陰極層１１が形成されて、有機ＥＬ素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃが形成されている。

　なお、図１において、Ｚ軸方向の最上部に、切断面の奥側にある隔壁８の側面が白塗りで図示されている（図３等も同様である）。また、図２では、ホール輸送層９、発光層１０、陰極層１１は示していない。

　基板１は、表示パネル１００のベース部分となる基板であって、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料で形成されている。

　ＴＦＴ層２は、パネル全体の各有機ＥＬ素子２０ａ～２０ｃをアクティブマトリクス方式で駆動するためのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）及び配線などからなる。なお図１において、ＴＦＴ層２を二点鎖線で模式的に示し、ＴＦＴのソース電極又はドレイン電極に接続されたＳＤ電極２２を代表的に図示している。

　層間絶縁膜３は、絶縁性に優れる有機材料、例えばポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料からなり、基板１の上記ＴＦＴ層２を全体的に被覆している。

　この層間絶縁膜３には、各有機ＥＬ素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃごとに、それぞれ厚み方向（Ｚ方向）に掘り下げたコンタクトホール１３ａ，１３ｂ，１３ｃが形成されている（図１、図３参照）。コンタクトホール１３は、層間絶縁膜３の上面側及び下面側の両側に開口した円形の孔である。各コンタクトホール１３ａ，１３ｂ，１３ｃを区別せずに、単にコンタクトホール１３と記載する場合がある。なお、コンタクトホール１３の断面形状（ＸＹ平面に平行な断面の形状）には、円形以外に、楕円形、矩形などの形状を採用してもよい。

　この層間絶縁膜３は、各色の有機ＥＬ素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃに対応する箇所の上面高さが異なっている。そのため、各コンタクトホール１３ａ，１３ｂ，１３ｃの深さも互いに異なっている。

　なお、コンタクトホール１３内には、その内部形状に追従して陽極板５、画素規制層６、及びホール注入層７が凹入して積層される結果、ホール注入層７に、コンタクトホール１３と似た形状の窪み部１５が形成される。図２では、コンタクトホール１３が窪み部１５の下に隠れているため、破線の引き出し線を用いてコンタクトホール１３に符号を付している（図３（ａ）も同様である）。

　次に、図３（ａ）～（ｃ）を参照しながら、上記表示パネル１００の構成を詳細に説明する。図３（ａ）は表示パネル１００の概略構成を示す平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ－Ａ’線で切断した断面、図３（ｃ）は図３（ａ）のＢ－Ｂ’線で切断した断面である。なお、図３においても、ホール輸送層９、発光層１０、陰極層１１は示していない。

　図３（ｂ）、（ｃ）に示すように、層間絶縁膜３は、横方向（Ｘ方向）において階段状に上面高さが変化させられている。具体的には、図２に示すように、層間絶縁膜３の上面において、最上段の第１面３ａ、中間高さの第２面３ｂ、最下段の第３面３ｃが、横方向（Ｘ方向）に繰り返し並べられ、それら第１面３ａ、第２面３ｂ、第３面３ｃの間が斜面によって連結されている。

　また、第１面３ａ、第２面３ｂ、第３面３ｃは、それぞれ縦方向（Ｙ方向）に細長く延びた帯状の平面形状をなし、上面高さが均一にされている。

　図３（ａ）に示すように、コンタクトホール１３は、有機ＥＬ素子２０と同様に行列状に配列されている。そして、コンタクトホール１３は、横方向（Ｘ方向）において近接して並べられ、縦方向（Ｙ方向）において所定の離間距離で等ピッチに配列されている。

　図３（ｂ）に示すように、各色に対応するコンタクトホール１３ａ，１３ｂ，１３ｃの上面積が実質同一とされている（上面積については後に詳述する）。その一方で、３つのコンタクトホール１３ａ，１３ｂ，１３ｃは、それぞれ、高さの異なる第１面３ａ、第２面３ｂ、第３面３ｃに開口して設けられており、深さ及び容積が相異なっている。

　具体的には、コンタクトホール１３ａが最も深く、容積が最も大きくされている。一方、コンタクトホール１３ｃが最も浅く、容積が最も小さくされている。そして、コンタクトホール１３ｂは中間的な深さで、容積も中間の大きさにされている。

　つまり、青緑赤の各色に対応するコンタクトホール１３ａ，１３ｂ，１３ｃの容積（体積）は、青色に対応するコンタクトホール１３ａの容積が最も大きく設定され、赤色に対応するコンタクトホール１３ｃの容積が最も小さく設定されている。そのため、青色の素子形成領域に形成される窪み部１５ａの容積が最も大きく、赤色の素子形成領域に形成される窪み部１５ｃの容積が最も小さくなっている。

　ここで、各コンタクトホール１３ａ，１３ｂ，１３ｃの下側の開口は、ＳＤ電極２２の上面によって覆われ、塞がれている。すなわち、ＳＤ電極２２の上面が、前記「ＴＦＴ層のコンタクトホールの底面に対応する箇所」に相当する。なお、ＳＤ電極２２の上面が、それぞれ、前記「ＴＦＴ基板の第１、第２及び第３コンタクトホールの各々の底面」を形成している、と考えることもできる。

　本実施の形態において、各コンタクトホール１３ａ，１３ｂ，１３ｃの各々に対応するＳＤ電極２２の上面の高さは、互いに実質同一とされている。具体的には、各コンタクトホール１３ａ，１３ｂ，１３ｃに対応するＳＤ電極２２の上面の高さの差が、第１コンタクトホール１３ａの深さと第３コンタクトホール１３ｃの深さとの差の５％以内にされている。なお、各コンタクトホールの深さは、後に例示する深さＰ１ないしＰ３のごとく決定される（図９）。

　陽極板５（５ａ～５ｃ）は、電極板の一例であり、平面視矩形状をなしている。陽極板５は、層間絶縁膜３上において、各有機ＥＬ素子２０の素子形成領域（サブピクセル領域およびコンタクトホール１３上の領域）に形成されている。各陽極板５は、サイズが等しくされ、縦方向（Ｙ方向）及び横方向（Ｘ方向）において、他の陽極板５と所定距離離間した状態で行列状に配列されている。

　陽極板５には、図３（ｂ），（ｃ）に示すように、その一部がコンタクトホール１３の内面に沿って凹入することで、コンタクトホール１３と類似形状の窪み部２３が形成されている。そして、陽極板５は、窪み部２３の底壁部分において、ＴＦＴ層２のＳＤ電極２２と電気的に接続されている。

　この陽極板５を形成する材料は、光反射性であることが好ましく、例えば銀－パラジウム－銅の合金、Ａｇ（銀）、銀－ルビジウム－金の合金、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材料が用いられる。また、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（In₂O₃-ZnO）、ＺｎＯ、ＩｎＯ、ＳｎＯ等の半導体材料を用いてもよい。さらに、上記金属材料膜上に上記半導体材料膜を積層して陽極板５を形成してもよい。

　画素規制層６は、横方向（Ｘ方向）に延設された電気絶縁性の膜であって、陽極板５の縦方向（Ｙ方向）における端部や、窪み部２３を被覆している。

　この画素規制層６が形成された箇所は、陽極板５と陰極層１１との間の電気的な導通が遮断され、有機ＥＬ素子２０に駆動電圧が印加されても発光しないようにされている。すなわち、画素規制層６により、縦方向（Ｙ方向）においてサブピクセル間の発光が規制されている。したがって、この画素規制層６により、縦方向（Ｙ方向）に並ぶ複数のサブピクセルが区画されている。また、各画素規制層６は、縦方向（Ｙ方向）において、複数のサブピクセルのサイズが均等になるように、等幅にされ、等ピッチで配されている。

　なお、画素規制層６によって、陽極板５の上記端部や窪み部２３を被覆することにより、下記の輝度ムラの発生や、陽極板５と陰極層１１との間のショートの発生を防止することができる。具体的には、陽極板５の上記端部や窪み部２３の開口縁上方において発光層１０の膜厚が薄くなり、局所的に電流が集中すると、局所的に輝度が大きくなり輝度ムラが発生する。また、陽極板５の上記端部や窪み部２３の開口縁上方において、発光層１０やその他の層が途切れていると陽極板５と陰極層１１との間でショートが発生する場合がある。

　画素規制層６は、シリコンオキサイド（ＳｉＯ₂）、シリコンナイトライド（ＳｉＮ）、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）などによって形成された絶縁性無機膜である。その厚さは１００ｎｍ～３００ｎｍ程度である。

　ホール注入層７（７ａ～７ｃ）は、陽極板５及び画素規制層６上にモリブデンやタングステン等の酸化物が積層されて形成されている。

　また、ホール注入層７は、コンタクトホール１３上の領域において、画素規制層６とともに陽極板５の窪み部２３に凹入し、窪み部２３と類似形状の窪み部１５を形成している。なお、窪み部２３の大きさ（直径や深さ寸法）に比して、画素規制層６やホール注入層７の膜厚が遥かに小さいため、ホール注入層７に形成された窪み部１５の容積と、陽極板５に形成された窪み部２３の容積とは、略同じである。

　隔壁８（８ａ～８ｃ）は、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）からなり、少なくとも表面が撥液性を持つように形成されている。各隔壁８ａ，８ｂ，８ｃは縦方向（Ｙ方向）に長いライン状の形状をなしており、横方向（Ｘ方向）に連続して並ぶ有機ＥＬ素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃ同士の間を通過するように横方向（Ｘ方向）に等ピッチで形成されている。各隔壁８ａ，８ｂ，８ｃの断面形状は台形であり、各隔壁幅（Ｘ方向の寸法）は均一である。

　ホール輸送層９（９ａ～９ｃ）は、前記有機機能層の一例であり、隣接する隔壁８同士で挟まれた領域に、ホール注入層７を覆うように形成されている。そして、各ホール輸送層９は、画素規制層６上において上記窪み部１５に部分的に入り込んでいる。ホール輸送層９は、縦方向（Ｙ方向）に連続して形成されている。

　なお、後述するように、各色に対応するコンタクトホール１３ａ，１３ｂ，１３ｃの容積の違いに応じて窪み部１５の容積が異なるため、発光領域等におけるホール輸送層９の膜厚が異なっている。

　ここで、隔壁８ａと隔壁８ｂとの間には、青色に対応するホール輸送層９ａが形成され、隔壁８ｂと隔壁８ｃとの間には、緑色に対応するホール輸送層９ｂが形成され、隔壁８ｃと隔壁８ａとの間には、赤色に対応するホール輸送層９ｃが形成されている。

　また、発光層１０（１０ａ～１０ｃ）は、隣接する隔壁８同士で挟まれた領域において、ホール輸送層９の上に形成されている。そして、各発光層１０は、各ホール輸送層９と共に上記窪み部１５に部分的に入り込んでいる。

　ここで、ホール輸送層９ａの上方に青色の光を発光する発光層１０ａが形成され、ホール輸送層９ｂの上方に緑色の光を発光する発光層１０ｂが形成され、ホール輸送層９ｃの上方に赤色の光を発光する発光層１０ｃが形成される。

　ホール輸送層９は、正孔移動度に優れる材料からなり、発光層１０にホールを輸送する。ホール輸送層９を形成する材料の具体例としては、４，４’－ビス［Ｎ－（ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ］ビフェニル（α－ＮＰＢまたはα－ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（ＴＰＤ）などのトリアリールアミン系化合物を挙げることができる。その他の例として、ビフェニル誘導体、アントラセン誘導体、アニリン誘導体、チオフェン誘導体等がある。

　なお、陽極板５、ホール注入層７、ホール輸送層９は、３色の有機ＥＬ素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃで共通の材料が用いられているが、発光層１０は、３色の有機ＥＬ素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃで別々に、青色，緑色，赤色の光を発する発光材料で形成されている。

　発光層１０の材料としては、例えば、特開平５－１６３４８８号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等を挙げることができる。

　陰極層１１は、対向電極の一例であり、３色の有機ＥＬ素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃの発光層１０を一括して覆うように形成されている。陰極層１１は、光透過性の材料、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等で形成される。

　なお、図示はしないが、陰極層１１の上には、封止層が設けられる。この封止層は、例えばＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）等の光透過性の材料で形成される。

　このような表示パネル１００において、上記のように隔壁８のピッチ及び隔壁幅は均等であり、画素規制層６のピッチ及び幅も均等なので、隔壁８及び画素規制層６で囲まれたサブピクセルのサイズは均等である。

　本実施の形態において、図３（ａ）に示すように、表示パネル１００において、複数の青色用の陽極板５ａが縦方向（Ｙ方向）ライン状に配列されて第１陽極板群（第１電極板群の一例である）が形成されている。当該第１陽極板群に隣接して、複数の緑色用の陽極板５ｂが縦方向（Ｙ方向）ライン状に配列されて第２陽極板群（第２電極板群の一例である）が形成されている。当該第２陽極板群に隣接して複数の赤色用の陽極板５ｃが縦方向（Ｙ方向）ライン状に配列されて第３陽極板群（第３電極板群の一例である）が形成されている。

　ここで、図３（ａ）において、各陽極板群の全体的な形状は縦方向（Ｙ方向）に細長い長方形をしており、各陽極板群は左右合わせて２つの長辺部分を有している。そして、第１陽極板群の一方（左側）の長辺部分に沿って第１隔壁（隔壁８ａ）が形成され、第１陽極板群の他方（右側）の長辺部分と第２陽極板群の一方（左側）の長辺部分との間に第２隔壁（隔壁８ｂ）が形成され、第２陽極板群の他方（右側）の長辺部分と前記第３陽極板群の一方（左側）の長辺部分との間に第３隔壁（隔壁８ｃ）が形成され、前記第３電極板群の他方（右側）の長辺部分に沿って第４隔壁（隔壁８ａ）が形成されている。なお、第４隔壁（隔壁８ａ）は、隣接する画素における第１隔壁（隔壁８ａ）となる。

　（表示パネル１００の製造方法）
　まず、表示パネル１００の製造方法の主要な部分について、図４を参照しながらその一例を説明する。

　ＴＦＴ基板を作製（製作）する工程について説明する。

　表示パネル１００のサイズに応じた基板１を準備する。なお、表示パネル１００の数倍の大きさの基板を準備し、複数の表示パネル１００の製造を同時に進行してもよい。

　ＴＦＴ層形成工程：
　基板１上に、公知の製造方法（例えば、特開２００３－２４１６８３号公報、特開２００８－３００６１１号公報等に記載）により、ＴＦＴ及び配線、ＳＤ電極２２からなるＴＦＴ層２を形成する（図４（ａ））。例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法（化学気相成膜法）等によって、ＴＦＴ、ＳＤ電極２２、配線等が形成される。

　ＴＦＴの形成において、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース、ドレイン、チャネル層等が形成される。ＳＤ電極２２は、ソース及びドレインのいずれか一方に電気的に接続して形成されている。配線は、例えば、Ｙ方向に延設された複数の信号用配線や、Ｘ方向に延設された複数の走査用配線が形成され、各ＴＦＴと接続される。なお、ＴＦＴは、ゲート電極がソース、ドレイン等よりも上方に形成されたトップゲート型としてもよいし、ゲート電極がソース、ドレイン等よりも下方に形成されたボトムゲート型としてもよい。

　層間絶縁膜を形成する工程について説明する。

　層間絶縁膜形成工程：
　上記ＴＦＴ層２上に、ポジ型の感光性有機材料からなるレジスト膜２６を塗布した後、そのレジスト膜２６のＳＤ電極２２上に位置する部分にコンタクトホール１３を形成する。

　レジスト膜２６は、スピンコート法等の液層成膜法によって塗布され、ＴＦＴ層２上の凹凸が埋まることで表面が平坦化される。なお、ディップコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ロールコート法、ダイコート法等の液層成膜法によって塗布することもできる。

　層間絶縁膜３上の段差及びコンタクトホール１３の形成にはフォトリソグラフィ法が用いられる。層間絶縁膜３には、それぞれ第１面３ａ、第２面３ｂ、第３面３ｃが形成されている（図５参照）。

　これは、露光及び現像処理において、第２面３ｂ、第３面３ｃ、及び各コンタクトホール１３を、３回に分けて別個に形成する。例えば、最初の露光及び現像処理によって第２面３ｂを形成した後、再度露光及び現像処理によって第３面３ｃを形成し、最後の露光及び現像処理によって各コンタクトホール１３を形成する。

　本実施の形態では、層間絶縁膜３のうち、平面視において、第１面３ａ下の部分が、第１電極板群が形成される箇所に相当し、第２面３ｂ下の部分が、第２電極板群が形成される箇所に相当し、第３面３ｃ下の部分が、第３電極板群が形成される箇所に相当する。なお、第２面３ｂ下の部分が、第１電極板群が形成される箇所に相当し、第３面３ｃ下の部分が、第２電極板群が形成される箇所に相当すると考えることもできる。さらに、第１面３ａ下の部分が、第１電極板群が形成される箇所に相当し、第３面３ｃ下の部分が、第２電極板群が形成される箇所に相当すると考えることもできる。

　なお、マルチトーンマスクを用いて１回の露光及び現像処理で、層間絶縁膜３上の段差及びコンタクトホール１３を形成することもできる。この方法について、図５（ａ），（ｂ）を用いて説明する。図５（ａ），（ｂ）は、フォトリソグラフィ法を用いてコンタクトホール１３を形成する処理を模式的に示す断面図である。

　露光処理に用いられるマルチトーンマスク３０は、光を透過させる透光部３１と、透過光を弱める半透光部３２と、光を遮る遮光部３３とからなる。半透光部３２は、露光機の解像度よりも充分微細なパターンを配置し、単位面積当たりに配置する微細パターンの数を調節して透過率を調節したものや、所定の透過率を持った膜をさらに積層して透過率を調節したもの等があり、このような半透光部３２によって中間露光を実現している。特に、ＲＧＢ毎にコンタクトホール１３の容積を異ならせる場合のマルチトーンマスク３０は、露光機の解像度よりも充分微細なパターンを配置し、単位面積当たりに配置する微細パターンの数を調節して透過率を調節したものが、好適である。

　各コンタクトホール１３を形成するために、各透光部３１ａ，３１ｂ，３１ｃの開口径は、コンタクトホール１３ａ、１３ｂ、１３ｃの下側開口部３５ａ，３５ｂ，３５ｃ（基板１側の開口）の径と略同じにされている。一方、半透光部３２ｂは、第２面３ｂと外周の輪郭が略同じにされ、半透光部３２ｃは、第３面３ｃと外周の輪郭が略同じにされている。そして、マルチトーンマスク３０において、透光部３１及び半透光部３２以外の部分、例えば、第１面３ａに対応する部分は遮光部３３とされている。

　透光部３１は光の透過率が高く、レジスト膜２６のうち、透光部３１を透過した光が照射された部分は、現像処理後にレジスト膜２６の下面側に開口する。

　一方、半透光部３２ｂ, ３２ｃでは照射光が弱められるため、半透光部３２を透過した光が照射された部分は上部のみが感光し、現像処理において上部が取り除かれて第２面３ｂ，第３面３ｃが形成される。なお、半透光部３２は、第２面３ｂを形成する半透光部３２ｂの方が、第３面３ｃを形成する半透光部３２ｃよりも光の透過率が低くされている。その結果、第２面３ｂは第３面３ｃよりも高くなる。

　上記マルチトーンマスク３０による露光により、図５（ａ）において二点鎖線３６によって模式的に示す範囲が感光し、現像処理において溶解し除去される。なお、透光部３１及び半透光部３２を透過した光は回折によって広がるため、レジスト膜２６において、透光部３１及び半透光部３２よりも広い部分も多少露光され、コンタクトホール１３の側面が傾斜する。その結果、コンタクトホール１３はテーパ形状になっている。

　この他に、上面が平坦面とされた絶縁膜（有機材料あるいは無機材料）を形成した後、コンタクトホール１３を形成しようとする箇所をエッチングで除去する方法によっても、コンタクトホール１３を形成することもできる。

　具体的に説明する。絶縁膜上にフォトレジストを重ねて塗布し、その上に、形成しようとする層間絶縁膜３上の段差面（第２面３ｂあるいは第３面３ｃ）又はコンタクトホール１３に合わせたパターンマスクを重ねる。続いてパターンマスクの上から感光した後、フォトレジストの感光部分（あるいは非感光部分）を現像処理によって取り除くことにより、レジストパターンを形成する。その後、絶縁膜のうちのレジストパターンの開口部分に露出した部分を、例えば、ウェットエッチングによって取り除くことにより、絶縁膜に段差面又はコンタクトホール１３が形成される。このような露光及び現像処理を３回行うことでも絶縁膜をパターニングし、層間絶縁膜３を形成することができる。

　以下に、各色の有機ＥＬ素子を形成する工程について説明する。

　陽極板形成工程：
　スパッタリング法により、層間絶縁膜３の上に、金属材料（銀、パラジウム及び銅の合金）を厚み１００～２００ｎｍ程度に薄膜成形し、金属材料膜上に半導体材料（ＩＺＯ）を厚み９０ｎｍ程度に薄膜成形する。

　その後、フォトリソグラフィ法により、行列状に並ぶ平面視矩形の陽極板５が形成される。具体的には、半導体材料膜上にレジスト膜を形成し、矩形の陽極板形状が行列状に並べて形成されたマスクパターンを用いてレジスト膜を露光後、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）によって露光部分を溶解除去して現像する。さらに、ウェットエッチング（例えば、燐酸、硝酸、酢酸の水溶液によるエッチング）によって、金属材料膜及び半導体材料膜のうちのレジスト膜によって被覆されていない格子状部分を除去してパターニングすることにより、矩形の陽極板５を形成する。その後、レジスト膜が除去される。

　このとき陽極板５は、コンタクトホール１３の内面にも形成されるので、陽極板５はコンタクトホール１３の内面に沿って凹入し、陽極板５に窪み部２３が形成される。窪み部２３の底壁部分は、コンタクトホール１３の下側の開口を通じて、ＳＤ電極２２に面接触して電気接続される（図４（ｃ））。

　画素規制層形成工程：
　次に、ＣＶＤ法によって、ＳｉＯＮを１００～３００ｎｍの厚さに成膜する。その後、フォトリソグラフィ法を用い、ドライエッチングでパターニングすることにより、画素規制層６を形成する（図４（ｅ））。

　ホール注入層形成工程：次に、陽極板５及び画素規制層６の上に、酸化モリブデンや酸化タングステン等の酸化金属膜を反応性スパッタ法で成膜することにより、ホール注入層７を形成する（図４（ｄ））。

　画素規制層６及びホール注入層７も、陽極板５に沿っており、部分的に窪み部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ内に凹入した形態となる。その結果、ホール注入層７に窪み部１５ａ～１５ｃが形成される。また、画素規制層６及びホール注入層７は、サブピクセルにおける膜厚と、窪み部２３における膜厚とが同程度となる。

　隔壁形成工程：
　図６に、隔壁形成工程におけるＡ－Ａ’断面を模式的に示す。

　隔壁材料として、例えば感光性のレジスト材料、もしくはフッ素系やアクリル系材料を含有するレジスト材料を、層間絶縁膜３上に塗布し、レジスト膜３７を形成する。そのレジスト膜３７を、モノトーンマスク３８を用いてフォトリソグラフィ法でパターニングすることによって隔壁８ａ、８ｂ、８ｃを形成する（図４（ｆ）、図６（ａ））。

　なお、この隔壁形成工程では、次の工程で塗布されるインクに対する撥液性を付与するために、隔壁８の表面をアルカリ性溶液や水、有機溶媒等によって表面処理するか、プラズマ処理を施してもよい。

　ホール輸送層形成工程：
　次に、ホール輸送層９を、インクジェット方式（インクジェット式塗布方法）で形成する（図４（ｇ））。

　すなわち、ホール輸送層材料である有機材料と溶媒を所定比率で混合してホール輸送層用のインクを作製し、そのインクを、隣合う隔壁８同士の間に塗布する。すなわち、公知のインクジェット方式によって、第１隔壁である隔壁８ａと第２隔壁である隔壁８ｂとの間、第２隔壁である隔壁８ｂと第３隔壁である隔壁８ｃとの間、第３隔壁である隔壁８ｃと第４隔壁である隔壁８ａとの間の領域に沿って、インクを塗布する。

　図７は、インクジェット方式で、基板上にホール輸送層形成用のインクを塗布した直後の様子を示す断面模式図である。なお、図７において、ホール注入層７の図示が省略されている。

　当図において各矢印は、インクジェット装置のノズルから、各素子形成領域において所定の複数箇所にインクを滴下することを示している。つまり、各素子形成領域に滴下される液滴数（例えば、８滴）及び、各素子形成領域における液滴が滴下される複数の箇所が等しくされている。これにより、塗布されたインクは、ホール注入層７の上を全体的に被覆し、コンタクトホール１３の存在によって形成された窪み部１５の中にも入り込む。

　ここで、ノズルから吐出する各インク液滴の量は一定であるので、複数の素子形成領域に対して、インクの塗布量が均一になる。つまり、各陽極板５上方に塗布されるインク量も同等であって、そのバラツキは５％以内である。

　なお、ホール輸送層９を形成するインクをバンク間に充填する方法として、この他に、ディスペンサー法、ノズルコート法、印刷法等を用いてもよく、いずれの方法でも、各陽極板５及びホール注入層７の上に塗布するインクの量は、すべての色のサブピクセルで同等である。

　このように形成されたインク層を乾燥させることによってホール輸送層９が形成される。

　発光層形成工程：
　ホール輸送層９の上に、インクジェット方式で発光層１０を形成する。この工程は、上記ホール輸送層形成工程と同様であって、発光層形成用の有機発光材料を溶解させたインクを、隣り合う隔壁８同士の間に塗布し、乾燥することによって形成するが、用いる有機発光材料が発光色ごとに異なっている。

　なお、ホール輸送層９の上に、例えば、真空蒸着法によって低分子系有機発光材料からなる発光層１０を形成することもできる。また、発光層１０を形成するインクをバンク間に充填する方法として、この他に、ディスペンサー法、ノズルコート法、印刷法等を用いてもよい。

　陰極層形成工程等：
　次に、発光層１０の表面上に、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の材料を、スパッタリング法、あるいは真空蒸着法で成膜する。これにより陰極層１１を形成する。さらに、陰極層１１の表面上に、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）等の材料をスパッタリング法、あるいは真空蒸着法で成膜することにより、封止層を形成する。

　以上の工程により、全ての有機ＥＬ素子２０ａ～２０ｃが形成され、表示パネル１００が完成する。

　（コンタクトホール１３及び窪み部１５の容積とホール輸送層９の膜厚について）
　表示パネル１００において、コンタクトホール１３の容積は、青色に対応するコンタクトホール１３ａが最も大きく、赤色に対応するコンタクトホール１３ｃが最も小さく設定されている（１３ａ＞１３ｂ＞１３ｃ）。よって、窪み部１５の容積は、コンタクトホール１３ａ上方に形成された窪み部１５ａが最も大きく、コンタクトホール１３ｃ上方に形成された窪み部１５ｃが最も小さくなる（１５ａ＞１５ｂ＞１５ｃ）。各色に対応するホール輸送層９ａ，９ｂ，９ｃは、各陽極板５上方の領域において互いに同じ体積とされているが、窪み部１５ａ，１５ｂ，１５ｃに入り込む体積（量）が異なっている。

　その結果、青色サブピクセルのホール輸送層９ａの膜厚（陽極板５上の領域における窪み部１５以外の領域での膜厚）が最も薄くなり、緑色サブピクセルのホール輸送層９ｂの膜厚は中間的な厚さになり、赤色サブピクセルのホール輸送層９ｃの膜厚が最も厚くなる。

　このように、各窪み部１５ａ，１５ｂ，１５ｃの容積を異ならせることで、各ホール輸送層９ａ，９ｂ，９ｃの膜厚差を微調節することができる。従って、表示パネル１００においては、サブピクセルの色ごとに、ホール輸送層９の膜厚を、発光色の波長に合った適値に設定するのが容易である。

　以下に、陽極板５の上方に形成された窪み部１５の容積とホール輸送層９の膜厚との関係について詳細に考察する。なお、窪み部１５は、陽極板５に形成された窪み部２３に画素規制層６やホール注入層７が凹入し、窪み部２３の形状に沿って窪むことで形成されている。そして、画素規制層６やホール注入層７は、ＣＶＤやスパッタ法で形成されているため、窪み部１５の形状は窪み部２３と非常に似た形状となる。また、窪み部２３の大きさ（直径および深さ）と比較してホール注入層７等の膜厚は遥かに小さく、窪み部２３の容積に対する影響は小さい。

　以上のような事情から、窪み部２３と窪み部１５とを同一視しても特に問題はない。よって、正確には、第１，第２，第３窪み部は、それぞれ窪み部２３ａ，２３ｂ，２３ｃによって構成されているが、便宜的に、第１，第２，第３窪み部を、それぞれ窪み部１５ａ，１５ｂ，１５ｃが構成していると考えてもよい。

　また、陽極板５の縦方向（Ｙ方向）の長さと比較して、縦方向に隣合う陽極板５間の隙間は非常に小さいため、隙間を考慮せずに計算を行うものとする。なお、サブピクセルにおけるホール輸送層９の膜厚を、単にホール輸送層９の膜厚と記載することとする。

　１つの素子形成領域で、陽極板５上のインク塗布領域（図３（ａ）において符号５で示す領域）の面積をＳ、ホール輸送層用のインクの溶質濃度をＮとする。また、１つのインク塗布領域に塗布されるインク（図７中の斜線領域Ｃ）の塗布量をＶ0、陽極板５上に形成される窪み部１５の容積をＶ1（各色に対応する窪み部１５ａ，１５ｂ，１５ｃの容積を、それぞれＶ1ａ、Ｖ1ｂ、Ｖ1ｃ）とする。

　図８（ａ），（ｂ），（ｃ）は、それぞれ、インク塗布領域にインクが塗布された状態（左側）と、インクが乾燥した状態（右側）とを、図７よりも大幅に簡略化して示す模式図である。以下には、インク塗布領域、窪み部１５等を図８に示す単純なモデルにして、窪み部１５の容積とホール輸送層９の膜厚との関係について考察する。なお、図８において、陽極板５、画素規制層６等の図示が省略されている。

　（１）窪み部の有無によるホール輸送層９の膜厚の違いについて
　まず、窪み部１５の容積とホール輸送層９の膜厚との関係について述べる。

　図８（ａ）に、窪み部１５が形成されていないと仮定した場合におけるインクの乾燥前後の状態を示す。仮に陽極板５の上面全てが平坦であり、窪み部がないとすると、陽極板５の上方に塗布されるインク層の仮想高さＨ0は、塗布量Ｖ0を面積Ｓで除して得られる。

　Ｈ0＝Ｖ0／Ｓ　　・・・（１－１）
　乾燥後に形成されるホール輸送層９の仮想膜厚ｈ0は、インク層の仮想高さＨ0に溶質濃度Ｎを乗じて求める。

　ｈ0＝Ｎ・Ｈ0
　　＝Ｎ・Ｖ0／Ｓ　　・・・（１－２）
　一方、図８（ｂ），（ｃ）に、窪み部１５が形成されている場合におけるインクの乾燥前後の状態を示す。なお、当図において、窪み部１５内に充填されたインクが乾燥されてなる部分と、窪み部１５上方のインク層が乾燥されてなる部分とが区別して示されている。これについては、後に説明する。

　陽極板５上方に窪み部１５（体積Ｖ1）が形成されている場合、塗布されたインクの一部がその窪み部１５に充填される。なお、図６中、斜線領域Ｄのように窪み部１５の全体にインクが充填されるものとする。また、塗布されたインクの上面に多少の凹凸が生じる場合があるが、平坦であるとみなして概算する。

　そうすると、サブピクセルにおけるインク層の高さＨ（Ｈａ，Ｈｂ，Ｈｃ）は、インクの塗布量Ｖ0から窪み部１５への充填量Ｖ1だけ差し引いたインク残量（Ｖ0－Ｖ1）を、窪み部がない陽極板上に塗布した場合における高さと同じとみなすことができる（図８（ｂ）参照）。

　従って、インク層の高さＨは、インク残量（Ｖ0－Ｖ1）を面積Ｓで除して、次式によって得られる。

　Ｈ＝（Ｖ0－Ｖ1）／Ｓ　　・・・（１－３）
　インク乾燥後のホール輸送層９の膜厚ｈ（ｈａ、ｈｂ、ｈｃ）は、インク層の高さＨに、中間層用のインクの溶質濃度Ｎを乗じることで求められる。

　ｈ＝Ｎ・Ｈ
　　＝Ｎ（Ｖ0－Ｖ1）／Ｓ　　・・・（１－４）
　図８の（ａ）と（ｂ）とを比較すると、インクが窪み部１５に充填されることによって、サブピクセルにおけるインク層の高さＨが、仮想高さＨ0（図８（ｂ）において直線Ｊで示す）よりも小さくなることが分かる。その結果、乾燥後にホール輸送層９の膜厚ｈが、仮想膜厚ｈ0よりも小さくなるのである。

　ここで、陽極板５に窪み部１５が形成されていないと仮定した場合、前述のようにホール輸送層９の仮想膜厚ｈ0は、Ｎ・Ｖ0／Ｓである。よって、仮想膜厚ｈ0との比較において、窪み部１５の存在によりホール輸送層９の膜厚ｈが減少した量Ｅは、次式となる。

　Ｅ＝ｈ0－ｈ
　　＝Ｎ・Ｖ0／Ｓ－Ｎ（Ｖ0－Ｖ1）／Ｓ
　　＝Ｎ・Ｖ1／Ｓ　　・・・（１－５）
　すなわち、ホール輸送層９の仮想膜厚ｈ0に対する膜厚ｈの減少量Ｅは、原則的に、窪み部１５の容積に基づいて定まるのである。よって、窪み部１５の容積（Ｖ1）を大きくすれば、ホール輸送層９の膜厚ｈの仮想膜厚ｈ0に対する減少量Ｅを大きくすることができる。

　そして、各色の窪み部１５の容積Ｖ1ａ，Ｖ1ｂ，Ｖ1ｃの大小は、Ｖ1ａ＞Ｖ1ｂ＞Ｖ1ｃとなっている。したがって、例えば、インクの塗布量Ｖ0及び溶質濃度Ｎを同じにした場合、青色のサブピクセルのホール輸送層９ａの膜厚が最も薄くなり、赤色のサブピクセルのホール輸送層９ｃの膜厚が最も厚くなる。

　（２）各色に対応する窪み部１５の容積の違いと、ホール輸送層９の膜厚の差について
　図８（ｂ）、（ｃ）には、インク層の高さＨａ，Ｈｂと、ホール輸送層９ａ，９ｂの膜厚ｈａ，ｈｂとを示す。なお、図８では、簡略化のため、陽極板５等の図示を省略し、窪み部１５の断面形状を矩形にしている。

　ここで、代表的に、異なる色に対応する窪み部１５ａ，１５ｂ間の容積の差ΔＶ1abと、ホール輸送層９の膜厚ｈａ，ｈｂの膜厚差Δｈabとの関係について述べる。

　なお、インクの塗布量Ｖ0及び溶質濃度Ｎは、各色のインク塗布領域で互いに等しくされているものとする。この場合に、例えば、青色のサブピクセルにおけるホール輸送層９ａの膜厚ｈａと、緑色のサブピクセルにおけるホール輸送層９ｂの膜厚ｈｂとの膜厚差Δｈabは、次式によって得られる。

　Δｈab＝ｈａ－ｈｂ
　　　＝Ｎ（Ｖ0－Ｖ1ａ）／Ｓ－Ｎ（Ｖ0－Ｖ1ｂ）／Ｓ
　　　＝Ｎ（Ｖ1ｂ－Ｖ1ａ）／Ｓ
　　　＝Ｎ・ΔＶ1ab／Ｓ　　・・・（２－１）
　すなわち、各色のインク塗布領域でインク量Ｖ0及び溶質濃度Ｎが等しい場合、上記膜厚差Δｈabは、原則的に、青色に対応する窪み部１５ａの容積と、緑色に対応する窪み部１５ｂの容積との差ΔＶ1abに比例するのである。よって、窪み部１５ａ，１５ｂ，１５ｃ間の容積の差ΔＶ1（例えば、Ｖ1ａ－Ｖ1ｂ）を調節することで、その容積の差ΔＶ1に応じて、各色に対応するホール輸送層９の膜厚ｈａ，ｈｂ，ｈｃの膜厚差Δｈ（例えば、ｈａ－ｈｂ）を調節することができる。ここで、窪み部１５ａの容積Ｖ1ａは、窪み部１５ｂの容積Ｖ1ｂよりも大きいため、容積Ｖ1ｂから容積Ｖ1ａを引くと負の値となるが、これは、膜厚ｈａが膜厚ｈｂよりも小さいことを示している。

　なお、対応色によってインクの塗布量Ｖ0や溶質濃度Ｎが異なっていても、同様の原理で膜厚差Δｈを調節することができる。

　（３）ホール輸送層９の膜厚差の調節単位について
　各窪み部１５の大きさは、層間絶縁膜３に形成するコンタクトホール１３の大きさによって規定されており、後述するように微調節可能である。従って、窪み部の体積Ｖ1ａ、Ｖ1ｂ，Ｖ1ｃは、インク液滴１滴の体積と比べて、細かい単位で調節することができるので、対応色が異なるホール輸送層９の膜厚差を微調節できる。

　まず、比較例として、サブピクセルの色ごとに塗布するインク液滴の滴数を変える方法で膜厚を調節した場合について説明する。各インク塗布領域に塗布するインクの液滴数をＭ滴とすると、インク１滴の体積は、インクの塗布量Ｖ0をインクの液滴数Ｍで除した値（Ｖ0／Ｍ）となる。したがって、各インク塗布領域に塗布するインク液滴の滴数を１滴増減させた場合（例えば、Ｍ滴とＭ＋１滴とを比較した場合）、形成される中間層の膜厚はＮ（Ｖ0／Ｍ）／Ｓだけ増減するので、Ｎ（Ｖ0／Ｍ）／Ｓ単位でしか膜厚差を調節できない。

　次に、本実施形態によれば、例えば、窪み部１５ａ，１５ｂ，１５ｃ間の容積の差（例えば、Ｖ1ａ－Ｖ1ｂ）を、インク１滴の体積（Ｖ0／Ｍ）よりも小さい単位で調節することができる（例えば、インク半滴分の体積Ｖ0／２Ｍ）。よって、ホール輸送層９の膜厚差Δｈを、例えばＮ（Ｖ0／２Ｍ）／Ｓとして、インク液滴数を１滴増減させた場合の膜厚差よりも小さく設定することができる。さらに、ホール輸送層９の膜厚差Δｈを、例えば、インク液滴数をｎ滴増減させた場合の膜厚差よりも大きく、液滴数をｎ＋１滴増減させた場合の膜厚差よりも小さく設定することもできる。

　したがって、例えば、(i)青色サブピクセルのホール輸送層９ａの膜厚ｈａと、緑色サブピクセルのホール輸送層９ｂの膜厚ｈｂとの膜厚差Δｈａｂを、(ii)青色サブピクセルに滴下するインクの液滴数をｎ滴増加させた場合のホール輸送層９ａの膜厚ｈａの増加分よりも大きく、かつ、前記インクの液滴数をｎ＋１滴増加させた場合のホール輸送層９ａの膜厚ｈａの増加分よりも小さくすることができる。

　（４）ホール輸送層９のうちの窪み部１５に入り込んだ部分について
　図８（ｂ），（ｃ）に示すように、窪み部１５内のホール輸送層９の膜厚は、概ねサブピクセルにおけるホール輸送層９の膜厚よりも厚くなる。これは、主に、窪み部１５に充填されたインクによるものである。

　ここで、図７の下側の図において、窪み部１５に入り込むホール輸送層９の量（体積）ｖ3は、直線Ｅと直線Ｆとに挟まれた部分の体積を指す。つまり、窪み部１５に入り込むホール輸送層９の量は、正確には、平面視において窪み部１５と同じ領域に形成されているホール輸送層９の量と表現することができる。

　そして、図８に戻り、窪み部１５に入り込むホール輸送層９の量（体積）ｖ3は、窪み部１５内に充填された第１インク部分４１（体積Ｖ1）が乾燥されてなる第１部分４２の体積ｖ1と、インク層のうちの窪み部１５上方に位置する第２インク部分４３（体積Ｖ2）が乾燥されてなる第２部分４４の体積ｖ2との和となる。

　ｖ3＝ｖ1＋ｖ2　　・・・（３－１）
　なお、体積ｖ1と体積ｖ2とは、次式で表わされる。

　ｖ1＝Ｎ・Ｖ1　　・・・（３－２）
　ｖ2＝Ｎ・Ｖ2　　・・・（３－３）
　ここで、図８（ｂ），（ｃ）に示すように、窪み部１５に入り込んだホール輸送層９のうち、第２部分４４の元となる第２インク部分４３は、サブピクセルにおけるインク層の高さＨに応じて変化するだけであり、ホール輸送層９の膜厚ｈの変化に寄与していないと考えられる。また、式（１－５）からも明らかである。

　よって、窪み部１５に入り込んだホール輸送層９の体積ｖ3のうち、ホール輸送層９の膜厚ｈの変化に寄与するのは第１部分４２の体積ｖ1である。そして、窪み部１５の容積Ｖ1が調節される結果、第１部分４２の体積ｖ1が適切化され、ホール輸送層９の膜厚ｈを適切なものとすることができる。

　さらに、各色に対応する第１インク部分４１ａ，４１ｂ，４１ｃ（４１ｃの図示は省略する）の容積Ｖ1ａ、Ｖ1ｂ，Ｖ1ｃの差を微調節することで、第１部分４２の体積ｖ1ａ，ｖ1ｂ，ｖ1ｃの差が適切化され、各色のサブピクセルにおけるホール輸送層９ａ，９ｂ，９ｃの膜厚差が微調節されている。

　しかしながら、実際に、窪み部１５に入り込んだホール輸送層９を第１部分４２と第２部分４４とに区別することは困難である。よって、サブピクセルにおけるホール輸送層９の量に基づいて、第２部分４４の体積ｖ2に相当する体積相当値ｖ2’を算出することとする。

　ここで、第２インク部分４３の高さは、サブピクセルにおけるインク層４５の高さＨと同じである。よって、窪み部１５の上面積がＳ１であるとすると、サブピクセルにおいて、ホール輸送層９の面積Ｓ１当たり（符号４６で例示する部分）の体積ｖ4が、第２部分４４の体積ｖ2に相当し、体積相当値ｖ2’になると考えられる。

　そこで、上記体積ｖ4は、サブピクセルにおけるホール輸送層９の膜厚ｈに面積Ｓ１を乗じて算出することができる。なお、膜厚ｈは、例えば、サブピクセルにおけるホール輸送層９の膜厚の平均的な膜厚とすることができる。具体的には、例えば、サブピクセルにおけるホール輸送層９の膜厚を複数箇所で測定し、その平均値とすることができる。

　ｖ2’＝ｖ4
　　＝ｈ・Ｓ１　　・・・（３－４）
　よって、第２インク部分４３の体積相当値ｖ2’が得られ、第１インク４１の体積相当値ｖ1’が算出できる。なお、合計体積ｖ3の相当値ｖ3’は、例えば、窪み部１５内に入り込んだホール輸送層９の断面に基づいて算出することができる。具体的には、例えば、窪み部１５の中心軸を含む断面が得られる場合は、ホール輸送層９の断面形状を中心軸周りに１回転させた回転体の体積を相当値ｖ3’とすることができる。

　ｖ1’＝ｖ3’－ｖ2’
　　　＝ｖ3’－ｈ・Ｓ１　　・・・（３－５）
　なお、理想的には、体積相当値ｖ1’と、窪み部１５ａの容積Ｖ1に溶質濃度Ｎを乗じて得られた体積ｖ1とは、同程度の値となる（例えば、±１０％の範囲内）。

　窪み部１５の上面積Ｓ１は、後述するコンタクトホール１３の上面積と同じように定義することもできる。つまり、窪み部１５の周縁部の最も高い位置から約１０％下がった位置における窪み部１５の直径で規定される円の面積としてもよい。

　本実施の形態において、［ｉ］前記第１コンタクトホール（１３ａ）は、前記第２コンタクトホール（１３ｂ）より深く、かつ、容積が大きく（Ｖ1ａ＞Ｖ1ｂ）、［ｉｉ］前記第１色用の電極板（５ａ）上の領域に対応する前記第１有機機能層（９ａ）の体積（例えば、Ｎ・Ｖ0）は、前記第２色用の電極板（５ｂ）上の領域に対応する前記第２有機機能層（９ｂ）の体積（例えば、Ｎ・Ｖ0）と同一又は同一の近傍値の範囲内であり、［ｉｉｉ］前記第１有機機能層の膜厚（ｈａ）は、前記第１コンタクトホールに対応する第１窪み部（１５ａ）に入り込む前記第１有機機能層の量（ｖ3ａ）が前記第２コンタクトホールに対応する第２窪み部（１５ｂ）に入り込む前記第２有機機能層の量（ｖ3ｂ）より多いことにより、前記第１窪み部以外の前記第１色用の電極板上の領域（例えば、青色のサブピクセルにおける９ａ）において、前記第２窪み部以外の前記第２色用の電極板上の領域（例えば、緑色のサブピクセルにおける９ｂ）に形成された前記第２有機機能層の膜厚（ｈｂ）より薄い。

　また、本実施の形態において、［ｉ］前記第１コンタクトホール（１３ａ）は、前記第２コンタクトホール（１３ｂ）より深く、かつ、容積が大きく（Ｖ1ａ＞Ｖ1ｂ）、［ｉｉ］第１色用の電極板（５ａ）の第１窪み部（１５ａ）に入り込む前記第１有機機能層（９ａ）の量（ｖ3ａ）と、第１色用の電極板の第１窪み部以外の部分に対応する前記第１有機機能層（例えば、青色のサブピクセルにおける９ａ）が、平面視において前記第１窪み部と同じ広さ（上面積Ｓ１）当たりに形成された量（ｖ2ａ）との差（ｖ3ａ－ｖ2ａ＝ｖ1ａ）は、［ｉｉｉ］第２色用の電極板（５ｂ）の第２窪み部（１５ｂ）に入り込む前記第２有機機能層（９ｂ）の量（ｖ3ｂ）と、第２色用の電極板の第２窪み部以外の部分に対応する前記第２有機機能層（例えば、緑色のサブピクセルにおける９ｂ）が、平面視において前記第２窪み部と同じ広さ（上面積Ｓ１）当たりに形成された量（ｖ2ｂ）との差（ｖ3ｂ－ｖ2ｂ＝ｖ1ｂ）よりも大きい、ということもできる。

　なお、上記括弧内の体積ｖ1、ｖ2、ｖ3を、前述の体積相当値ｖ1’、ｖ2’、ｖ3’とすることができる。

　また、本実施の形態において、青色のサブピクセルにおけるホール輸送層９ａが前記第１有機機能層に相当し、緑色のサブピクセルにおけるホール輸送層９ｂが前記第２有機機能層に相当し、赤色のサブピクセルにおけるホール輸送層９ｃが前記第３有機機能層に相当する。

　ここで、青色のサブピクセルにおけるホール輸送層９ａが前記第１有機機能層に相当し、赤色のサブピクセルにおけるホール輸送層９ｃが前記第２有機機能層に相当すると考えることもできる。さらに、緑色のサブピクセルにおけるホール輸送層９ｂが前記第１有機機能層に相当し、赤色のサブピクセルにおけるホール輸送層９ｃが前記第２有機機能層に相当すると考えることもできる。

　（４）次に具体的な数値例を入れて考察する。

　例えば、１つのサブピクセルで、陽極板５上のインク塗布領域（図３（ａ）の符合５で示す領域）のサイズを縦３００μｍ、横７０μｍとすると、陽極板５上のインク塗布領域の面積Ｓ＝２１０００μｍ²となる。

　また、中間層用のインクの溶質濃度Ｎを０．０２（２ｖｏｌ％）とし、インクジェットで吐出される１滴あたりの液滴量が３ｐＬで、各サブピクセルの陽極板５の上に７滴ずつ充填するものとすると、各インク塗布領域に充填されるインクの充填量Ｖ0＝２１ｐＬ（２１０００μｍ³）となる。

　陽極板５に窪み部がないとすると、陽極板５の上に充填されるインク層の仮想高さＨ0は、Ｖ0／Ｓ＝１μｍ（＝１０００ｎｍ）となり、乾燥後に形成されるホール輸送層９の膜厚ｈ0は、次式によって得られる。

　ｈ0＝Ｎ・Ｈ0
　　＝０．０２μｍ＝２０ｎｍ　　・・・（４－１）
　ここで、青色に対応する窪み部１５ａは、上面半径が下面半径よりも大きな円錐台形状とし、高さＴを６μｍ、上面半径ｒ_１を１８μｍ、下面半径ｒ_２を約１４．５μｍ、側面の傾斜角度が６０［°］（ＸＹ平面に対する傾斜角度）とした。よって、窪み部１５ａの容積Ｖ1ａは、次式で求められ、πが３．１４とすると、４９９４μｍ³（４．９９４ｐＬ）となる。

　Ｖ1＝π・Ｔ（ｒ_１ ^２＋ｒ_１・ｒ_２＋ｒ_２ ^２）／３　　・・・（４－２）
　その結果、青色サブピクセルのホール輸送層９ａの膜厚ｈａは、次式によって得られる。

　ｈａ＝Ｎ（Ｖ0－Ｖ1ａ）／Ｓ＝１５．２ｎｍ　　・・・（４－３）
　緑色に対応する窪み部１５ｂも同様に、上面半径が下面半径よりも大きな円錐台形状であり、高さを４．５μｍ、上面半径１８μｍ、下面半径を約１５．４μｍ、側面の傾斜角度が６０［°］（ＸＹ平面に対する傾斜角度）とした。よって、窪み部１５ｂの容積Ｖ1ｂは、πが３．１４とすると、３９４９μｍ³（３．９４９ｐＬ）となる。

　その結果、緑色サブピクセルのホール輸送層９ａの膜厚ｈｂは、次式によって得られる。

　ｈｂ＝Ｎ（Ｖ0－Ｖ1ｂ）／Ｓ＝１６．２ｎｍ　　・・・（４－４）
　赤色に対応する窪み部１５ｃも同様に、上面半径が下面半径よりも大きな円錐台形状であり、高さを３μｍ、上面半径１８μｍ、下面半径を約１６．３μｍ、側面の傾斜角度が６０［°］（ＸＹ平面に対する傾斜角度）とした。よって、窪み部１５ｃの容積Ｖ1ｃは、２７７３μｍ³（２．７７３ｐＬ）となる。その結果、赤色サブピクセルのホール輸送層９ｃの膜厚ｈｃは、次式によって得られる。

　ｈｃ＝Ｎ（Ｖ0－Ｖ1ｃ）／Ｓ＝１７．４ｎｍ　　・・・（４－５）
　よって、青色サブピクセルのホール輸送層９ａの膜厚ｈａと、緑色サブピクセルのホール輸送層９ｂの膜厚ｈｂとの膜厚差Δｈａｂは、１．０ｎｍとなる。また、膜厚ｈｂと膜厚ｈｃとの膜厚差Δｈｂｃは、約１．１ｎｍとなる。さらに、膜厚ｈａと膜厚ｈｃとの膜厚差Δｈａｃは、約２．１ｎｍとなる。上記の場合、コンタクトホール１３の容積差ΔＶ1は、それぞれΔＶ1ａｂ（青色と緑色）及びΔＶ1ｂｃ（緑色と赤色）が１０４５μｍ³（約１ｐＬ）程度、ΔＶ1ａｃ（青色と赤色）が２２２１μｍ³（約２ｐＬ）程度である。

　このようにして、各色のサブピクセル間においてホール輸送層９の膜厚差を、微小単位（例えば、１ｎｍ以下）で調節することができる。

　一方、比較例では、１つのサブピクセルあたりに充填するインク液滴の滴数を１滴増減させた場合、形成される中間層の膜厚は約２．９ｎｍだけ増減するので、約２．９ｎｍ単位でしか膜厚を調節できない。なお、インクジェット装置から吐出されるインク1滴の体積及びインク塗布領域の面積によって、上記２．９ｎｍの大きさは変化する。

　以上のように、本実施形態の表示パネル１００の製法によれば、各色サブピクセルに形成する窪み部１５ａ，１５ｂ，１５ｃの体積をインク液滴の体積よりも細かく微調節することによって、各色サブピクセルのホール輸送層９の膜厚差を比較的容易に微調節できる。その結果、ホール輸送層９の膜厚を、サブピクセルの色ごとに、発光色の波長に合った適値に設定して効率よく光を取り出すようにすることが容易になる。

　なお、上記計算例において、コンタクトホール１３の側面の傾斜（テーパ角度）を６０度としたが、６０度に限られず、任意の傾斜角度とすることができる。さらに、コンタクトホール１３は、連続的に狭くなる形状とされていたが、任意の形状とすることができる。

　また、上記膜厚差Δｈは、１ｎｍや２ｎｍに限られず、例えば、条件に応じて１ｎｍ未満とすることや、３ｎｍ以上にすることができる。また、コンタクトホール１３の上面半径も１８μｍに限られず、例えば２０μｍ以上にする等、任意の値にしてもよい。

　ここで、コンタクトホール１３の上側開口部は、隔壁８の高さや形状に影響を及ぼさないようにするため、平面視において隔壁８が形成された領域と離間して形成されていることが好ましい。

　対応色が異なるコンタクトホール１３の容積差ΔＶ1は、コンタクトホール１３ａの容積の誤差よりも大きいことが好ましい。例えば、コンタクトホール１３ａの容積が５０００μｍ³で、誤差が１０％である場合は、例えば、容積差ΔＶ1ａｂが５００μｍ³を超えていることが好ましい。

　（上面積について）
　ここで、コンタクトホール１３の上面積について説明する。

　本実施の形態において、各色に対応するコンタクトホール１３ａ，１３ｂ，１３ｃの上面積が実質同一とされている。また、コンタクトホール１３の上面積は、コンタクトホール１３の周縁部の最も高い位置から約１０％下がった位置におけるコンタクトホール１３の直径で規定される円の面積とされる。

　図９（ａ），（ｂ），（ｃ）は、それぞれコンタクトホール１３の断面を模式的に示す図である（なお、コンタクトホール１３ｂの断面を代表的に示している）。なお、各図におけるコンタクトホール１３の形状は、周縁部において異なっている。このような場合に、コンタクトホール１３の直径をどのように規定するかを説明する。

　まず、「コンタクトホール１３の周縁部の最も高い位置」と「コンタクトホール１３の深さ」とについて説明する。

　図９（ａ）では、コンタクトホール１３の周縁部の最も高い位置は、層間絶縁膜３の上面５０と同じ高さ（直線Ｏ１）になる。この場合、コンタクトホール１３の深さＰ１は、上面５０とコンタクトホール１３の底面（ＳＤ電極２２の上面）との間の垂直距離となる。なお、垂直距離は、積層方向（Ｚ方向）における距離である。

　図９（ｂ）では、コンタクトホール１３の開口縁が湾曲部５１になっている。このような場合は、湾曲部５１がコンタクトホール１３の周縁部を構成していると考え、湾曲部５１の最も高い位置、すなわち、層間絶縁膜３の上面５０の高さ位置となる。この場合のコンタクトホール１３の深さＰ２は、図９（ａ）と同様である。

　図９（ｃ）では、コンタクトホール１３に隣接して隆起部５２が形成されている。図のように、隆起部５２の側面５３がコンタクトホール１３の側面の一部とみなせる場合には、隆起部５２の頂部５４の位置が、コンタクトホール１３の周縁部の最も高い位置に該当する。この場合、コンタクトホール１３の深さＰ３は、隆起部５２の頂部５４からコンタクトホール１３の底面までの垂直距離となる。

　ところで、本実施の形態において、各色に対応するコンタクトホール１３ａ，１３ｂ，１３ｃの深さが異なっている。このような場合、３つのコンタクトホール１３ａ，１３ｂ，１３ｃの深さの平均値Ｐ_Ａｖｅをコンタクトホール１３の深さとして用いることとする。

　次に、「コンタクトホール１３の周縁部の最も高い位置から約１０％下がった位置」と「コンタクトホール１３の直径」とについて説明する。

　最も高い位置から約１０％下がった位置とは、最も高い位置から深さの平均値Ｐ_Ａｖｅの約１０％下がった位置とされる。なお、約１０％とは、±１％の誤差範囲を含み、９％以上かつ１１％以下の範囲内のいずれかの値とされる。

　図９（ａ），（ｂ），（ｃ）において、コンタクトホール１３の周縁部の最も高い位置Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３から、深さの平均値Ｐ_Ａｖｅの１０％下がった位置を、それぞれ直線Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３で示す。

　そして、各図の断面において、直線Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３の各々とコンタクトホール１３の側面との２つの交点の距離が、それぞれコンタクトホール１３の直径φ１，φ２，φ３となる。その結果、コンタクトホール１３の上面積は、例えば、直径φ１の円の面積となる。

　（光路長について）
　図１０は、有機ＥＬ素子２０内での光の光路を模式的に示す断面図である。当図には、発光層１０から陰極層１１側に直接出射する直出光６１と、陽極板５側で反射してから出射する反射光６２とが示されている。なお、当図において、陽極板５を、金属層６３と透明電極層６４（ＩＺＯ）とに分けて示している。この場合、陽極板５の反射面は、透明電極層６４側の金属層６３の主面によって構成されている。

　図１０では、例えば、ホール輸送層９、ホール注入層７、及び透明電極層６４の光路長に対して、有機ＥＬ素子２０内での光の共振条件を最適化することができる。このような構造をキャビティあるいはキャビティ構造と称する。

　本実施の形態において、ホール輸送層９の膜厚だけで光路差を調節してもよいし、ホール輸送層９に加え、ホール注入層７、透明電極層６４等の膜厚も調節して光路差を調節してもよい。

　コンタクトホールの容積差を決定する方法について簡単に述べる。例えば、有機ＥＬ表示パネルの試作品を製造し、光の共振条件を色ごとに最適化するために各色の有機機能層の膜厚差をどのように変えるか、あるいは、有機機能層の膜厚差を維持しつつ全体的に膜厚を変化させるかを決定する。そして、試作品と同じ製造条件（インクの塗布条件）のもと、コンタクトホールの容積を変更して有機ＥＬ表示パネルを製造する。このようにして、有機ＥＬ素子内での光の共振条件が最適化され、発光効率の高い有機ＥＬ表示パネルが得られる。

　＜変形例＞
　前記実施の形態１において、各色に対応するコンタクトホール１３の容積を変えることで、ホール輸送層９の膜厚差を微調節していたが、有機機能層の一例である発光層１０の膜厚差を微調節することもできる。

　本変形例では、各コンタクトホール１３ａ，１３ｂ，１３ｃ等の容積差によって、各色のサブピクセルにおける発光層１０ａ，１０ｂ，１０ｃの膜厚差が生じる。その結果、各色の発光層１０に適切な輝度や色度が得られやすくなる。あるいは、有機ＥＬ素子２０内における光の共振条件が適切化され、光の取出し効率が向上する。なお、各色のサブピクセルに塗布する有機発光材料を含むインクの液滴数を異ならせた上で、さらに、コンタクトホール１３の容積差によって膜厚差を微調節してもよい。

　なお、本変形例において、ホール輸送層を、蒸着法やスパッタ法によって形成することができる。また、ホール輸送層を前述のインクジェット法等によって形成してもよいし、省略してもよい。

　ところで、ホール注入層をインクジェット方式によって形成し、その膜厚差を微調節してもよい。この場合は、ホール注入層の材料として、ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ、芳香族アミン系高分子材料、ポリフェニレンビニレン等の有機材料を用いることができる。

　＜実施の形態２＞
　前記実施の形態において、層間絶縁膜３の上面に段差が形成されることでコンタクトホール１３の深さが異なっていた。それに対して、層間絶縁膜の上面を平坦にしておき、各色に対応するコンタクトホールが形成される箇所の基板の上面高さを変えることによっても、層間絶縁膜の膜厚差を変えてコンタクトホールの深さを変えることができる。

　図１１は、本実施の形態の表示パネル８０を模式的に示す断面図である。この図は、図３(ａ)のＡ－Ａ’断面に相当する断面を示している。なお、発光層、陰極層等の図示が省略されている。

　本実施の形態において、基本的に、前記実施の形態１の図３（ａ），（ｃ）に示した構造が採用されており、基板や層間絶縁膜の断面形状が前記実施の形態１と異なるものとされている。なお、窪み部１５については、前記実施の形態１と同じ符号を用いている。

　本実施の形態の段付き基板８１には、階段状の段差が形成されている。段付き基板８１は、平坦基板８２に段差形成部８３が積層されてなる。

　段付き基板８１上には、ＴＦＴ層８４（二点鎖線で模式的に示す）が形成されており、ＴＦＴ層８４に含まれる各ＴＦＴのＳＤ電極８５を代表的に示す。

　ＴＦＴ層８４上には、層間絶縁膜８６が形成されている。層間絶縁膜８６には、各ＳＤ電極８５上の位置に上面積が実質同一のコンタクトホール８７が形成されている。層間絶縁膜８６の上面８６ａは、コンタクトホール８７が形成されている部分を除いて平坦面とされている。

　層間絶縁膜８６上には、青緑赤にそれぞれ対応する有機ＥＬ素子９０ａ，９０ｂ，９０ｃが形成されている。各有機ＥＬ素子９０において、陽極板９１，画素規制層９２，ホール注入層９３及びホール輸送層９４がこの順に積層形成されている。また、Ｘ方向に隣合う有機ＥＬ素子９０は、隔壁９５によって区画されている。

　段付き基板８１の下部を構成する平坦基板８２は、前記実施の形態における基板１と同じものとすることができる。

　段付き基板８１の上部を構成する段差形成部８３は、底面（平坦基板８２側の主面）が平坦にされる一方、上面が階段状にされている。また、段差形成部８３は、Ｙ方向において膜厚が均一とされる一方、Ｘ方向において階段状に膜厚が変化している。

　そして、段差形成部８３の上面は、最下段の面である第１面８３ａ、中間高さの第２面８３ｂ，最上段の面である第３面８３ｃを含み、これら３つの面の間は斜面とされている。また、第１面８３ａ，第２面８３ｂ，及び第３面８３ｃ（以下、第１面８３ａ等と略記する）は、平坦基板８２の主面に平行にされ、Ｙ方向に延びる帯状の平面形状を成している。

　さらに、第１面８３ａ等の各々は、各色の有機ＥＬ素子９０に対応している。第１面８３ａには、青色に対応する有機ＥＬ素子９０ａ用のＳＤ電極８５ａが形成され、第２面８３ｂには、緑色に対応する有機ＥＬ素子９０ｂ用のＳＤ電極８５ｂが形成され、第３面８３ｃには、赤色に対応する有機ＥＬ素子９０ｃ用のＳＤ電極８５ｃが形成されている。

　その結果、各ＳＤ電極８５の上面の高さ位置は、ＳＤ電極８５ａが最も低く、ＳＤ電極８５ｂが中間的な高さとなり、ＳＤ電極８５ｃが最も高くなる。

　したがって、ＳＤ電極８５上に形成されたコンタクトホール８７の深さは、ＳＤ電極８５ａ上に形成されたコンタクトホール８７ａが最も深くなり、ＳＤ電極８５ｂ上に形成されたコンタクトホール８７ｂが中間的な深さとなり、ＳＤ電極８５ｃ上に形成されたコンタクトホール８７ｃが最も浅くなる。

　各コンタクトホール８７ａ，８７ｂ，８７ｃの上面積は実質同一とされているので、各コンタクトホール８７の深さが大きいほど容積が大きくなる。

　そして、各色に対応するコンタクトホール８７ａ，８７ｂ，８７ｃ間の容積差を微調節することで、前記実施の形態１と同様に、インクジェット方式によって形成されるホール輸送層９４の膜厚差を微調節することができ、各色の光の波長に適した膜厚差を実現することができる。

　本実施の形態において、前記「ＴＦＴ基板の第１、第２及び第３コンタクトホールの各々の底面に対応する箇所」は、ＳＤ電極８５ａ，８５ｂ，８５ｃの上方であって、前記層間絶縁膜の底部が相当する。また、ＳＤ電極８５ａ，８５ｂ，８５ｃの上面が、それぞれ、前記「ＴＦＴ基板の第１、第２及び第３コンタクトホールの各々の底面」を形成している、と考えることもできる。

　（表示パネルの製造方法）
　まず、例えば、ガラス製の平坦基板８２を準備する。

　段差面形成工程：
　図１２（ａ），（ｂ），（ｃ）は、段差面形成工程を模式的に示す断面図である。

　平坦基板８２上に、例えば、ＣＶＤ法により無機絶縁膜９６（酸化シリコン、窒化シリコン等）を形成する（図１２（ａ））。

　フォトリソグラフィ法により、無機絶縁膜９６の上部をエッチングし、階段状の段差を形成する（図１２（ｂ），（ｃ））。

　具体的には、無機絶縁膜９６上に感光性の第１レジスト膜を形成した後、露光、現像処理によって、第１レジスト膜のうちの第１面８３ａ，第２面８３ｂが形成される領域を覆う部分を開口させる。そして、無機絶縁膜９６のうちの第１レジスト膜から露出した部分を、第２面８３ｂの深さまでエッチング（例えば、ウェットエッチング）する。この処理によって、無機絶縁膜９６のうちの第１面８３ａ及び第２面８３ｂが形成される領域の高さが、第３面８３ｃよりも低くなる（図１２（ｂ））。また、この処理によって、第２面８３ｂが形成される。

　引き続き、一旦第１レジスト膜を除去した後、再度新たに第２レジスト膜を形成し、露光、現像処理によって、第２レジスト膜のうちの第１面８３ａが形成される領域を覆う部分を開口させる。そして、無機絶縁膜９６のうちの第１レジスト膜の開口から露出した部分を、第１面８３ａの深さまでエッチングする。この処理によって、第１面８３ａが形成される（図１２（ｃ））。

　以上の処理によって段差形成部８３が形成され、段付き基板８１が作製される。

　なお、平坦基板８２上に無機絶縁膜９６を形成することなく、平坦基板８２をエッチングすることによって、平坦基板８２上に段差を形成してもよい。

　なお、無機絶縁膜９６を感光性樹脂材料からなる絶縁膜としてもよい。

　この場合は、例えば、前記実施の形態１における層間絶縁膜形成工程のように、フォトリソグラフィ法により、マルチトーンマスクを用いて絶縁膜を露光した後、現像処理により絶縁膜の感光部分（あるいは非感光部分）を除去して段差面を形成することができる。

　ここで、マルチトーンマスクは、例えば、第１面８３ａが形成される領域に透光部が対応し、第２面８３ｂが形成される領域に半透光部が対応し、第３面８３ｃ形成される領域に遮光部が対応するものとされる。

　ＴＦＴ層形成工程：
　段差形成部８３上に、公知の製造方法（例えば、特開２００３－２４１６８３、特開２００８－３００６１１に記載）により、ＴＦＴ及び配線、ＳＤ電極２２からなるＴＦＴ層８４を形成する（図４（ａ））。ＴＦＴは、無機ＴＦＴであってもよいし、有機ＴＦＴであってもよい。

　なお、段差形成部８３が樹脂材料で形成されている場合は、有機ＴＦＴを形成することが好ましい。

　層間絶縁膜形成工程：
　上記ＴＦＴ層８４上に、ポジ型の感光性有機材料からなるレジスト膜を塗布した後、そのレジスト膜のＳＤ電極２２上に位置する部分にコンタクトホール９０を形成する。

　レジスト膜は、スピンコート法等の液層成膜法によって塗布され、ＴＦＴ層８４上の凹凸が埋まることで表面が平坦化される。

　コンタクトホール１３の形成にはフォトリソグラフィ法が用いられる。例えば、モノトーンマスクを用いて、レジスト膜における各コンタクトホール９０の形成予定領域を露光する。その後、現像処理によって、感光部分を除去することでレジスト膜を貫通するコンタクトホール９０が形成される。そして、レジスト膜にコンタクトホール９０が形成されたものが層間絶縁膜８６となる。

　その後の処理は前記実施の形態１と同様であるので説明を省略する。

　本実施の形態では、層間絶縁膜８６の上面が平坦であり、各色の陽極板９１が形成される領域の高さが均一になる。よって、陽極板９１，画素規制層９２，ホール注入層９３等を容易に形成することができる。

　本実施の形態において、層間絶縁膜８６の上面のうち、（i）第１面８３ａ上に形成された部分（陽極板９１ａが形成された部分）が、前記「第１電極板群が形成される箇所」に相当し、（ii）第２面８３ｂ上に形成された部分（陽極板９１ｂが形成された部分）が、前記「第２電極板群が形成される箇所」に相当し、（iii）第３面８３ｃ上に形成された部分（陽極板９１ｃが形成された部分）が、前記「第３電極板群が形成される箇所」に相当する。

　なお、第２面８３ｂ上に形成された部分が、第１電極板群が形成される箇所に相当し、第３面８３ｃ上に形成された部分が、第２電極板群が形成される箇所に相当すると考えることもできる。さらに、第１面８３上に形成された部分ａが、第１電極板群が形成される箇所に相当し、第３面８３ｃ上に形成された部分が、第２電極板群が形成される箇所に相当すると考えることもできる。

　また、本実施の形態において、層間絶縁膜８６の上面のうち、各陽極板９１ａ，ｂ，ｃが形成された部分の高さは互いに実質同一とされている（コンタクトホールが形成されている部分を除く）。具体的には、層間絶縁膜８６の上面のうち、陽極板９１ａが形成された部分の高さと陽極板９１ｃが形成された部分の高さとの差が、第１コンタクトホール８７ａの深さと第３コンタクトホール８７ｃの深さとの差の５％以内にされている。なお、各コンタクトホールの深さは、図９に例示する深さＰ１ないしＰ３のごとく決定される。

　[その他]
　１．表示装置の構成例
　図１３は、上記表示パネル１００を用いた表示装置２００の構成を示す図である。

　図１４は、表示装置２００を用いたテレビシステムの一例を示す外観形状である。

　表示装置２００は、有機ＥＬ表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部１２０とから構成されている。駆動制御部１２０は、４つの駆動回路１２１～１２４と制御回路１２５とから構成されている。駆動制御部１２０には図示を省略する電源供給部から電力が供給される。

　なお、前記ＴＦＴ層２は、行列状に配列された有機ＥＬ素子２０の各列に対応する信号線用配線と各行に対応する走査線用配線とを備えている。信号線用配線は、Ｙ方向に延設され、駆動回路１２１と駆動回路１２２との少なくとも一方に接続されると共に、各列の有機ＥＬ素子２０に対応するＴＦＴと接続されている。また、走査線用配線は、Ｘ方向に延設され、駆動回路１２３と駆動回路１２４との少なくとも一方に接続されると共に、各行の有機ＥＬ素子２０に対応するＴＦＴと接続されている。

　２．上記実施の形態および変形例１、２では、本発明の構成および作用・効果を分かりやすく説明するために一例としての各構成を採用するものであり、本発明は、本質的な部分を除き、上記形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、図１に示すように、発光層１０に対し、そのＺ軸方向下側に陽極板５が配されている構成を一例として採用したが、本発明は、これに限らず有機発光層１０に対し、そのＺ軸方向下側に陰極が配されているような構成を採用することもできる。

　３．上記実施の形態および変形例では、陽極板５を反射金属とし、陰極層１１を透明もしくは半透明金属としたトップエミッション構造としても良いし、陽極板５を透明もしくは半透明金属とし、陰極層１１を反射金属としたボトムエミッション構造としても良い。

　４．上記実施の形態および変形例１～５では、基板上にＴＦＴ層２を有するアクティブマトリックス駆動を前提に説明したが、本願はパッシブマトリックス駆動にも適用できる。この場合、ＴＦＴ層は必要なく、有機発光層を駆動するための駆動配線によって有機発光層に電流を供給することができる。

　５．上記実施の形態および変形例において、画素規制層６が、陽極板５とホール注入層７との間に形成されていたが、ホール注入層７の上に画素規制層６を形成してもよい。

　６．上記実施の形態では、陽極板５の上方に、有機機能層としてホール輸送層をウェット方式で形成する例を示したが、有機機能層として、ホール注入層、ホール注入兼輸送層をウェット方式で形成する場合も、同様にして、その有機機能層の膜厚を微調節して、各発光色の光を効率よくすることができる。

　７．上記実施の形態および変形例において、ホール輸送層９および発光層１０の両方をインクジェット方式で塗布する場合、互いに異なる色のサブピクセル間における膜厚差の調節を、ホール輸送層９および発光層１０の２つの層で行うことができる。

　本発明に係る有機ＥＬ表示パネルは、携帯電話やテレビなどの電子機器のディスプレイとして用いることができる。

　　　　１　　基板
　　　　２　　ＴＦＴ層
　　　　３　　層間絶縁膜
　　　　５（５ａ～５ｃ）　陽極板
　　　　６　　画素規制層
　　　　７（７ａ～７ｃ）　ホール注入層
　　　　８ａ，８ｂ，８ｃ　隔壁
　　　　９（９ａ～９ｃ）　ホール輸送層
　　　１０（１０ａ～１０ｃ）　　有機発光層
　　　１１　　陰極層
　　　１３（１３ａ～１３ｃ）　　コンタクトホール
　　　１５（１５ａ～１５ｃ）　　窪み部
　　　２０ａ～２０ｃ　有機ＥＬ素子
　　　２２　　ＳＤ電極
　　　２３（２３ａ～２３ｃ）　　窪み部
　　１００　　有機ＥＬ表示パネル

Claims

　ＴＦＴ層と、
　前記ＴＦＴ層の上方に設けられた層間絶縁膜と、
　前記層間絶縁膜上に形成され、ライン状に配列された複数の第１色用の電極板を含む第１電極板群と、
　前記層間絶縁膜上に前記第１電極板群と隣接して形成され、ライン状に配列された複数の第２色用の電極板を含む第２電極板群と、
　前記第１電極板群の一方の長辺部分に沿って形成された第１隔壁と、
　前記第１電極板群の他方の長辺部分と、前記第２電極板群の一方の長辺部分との間に形成された第２隔壁と、
　前記第２電極板群の他方の長辺部分に沿って形成された第３隔壁と、
　前記第１隔壁と前記第２隔壁との間において前記第１電極板群の上方に形成された第１有機機能層と、
　前記第２隔壁と前記第３隔壁との間において前記第２電極板群の上方に形成された第２有機機能層と、
　前記第１有機機能層及び前記第２有機機能層の上方に設けられた対向電極と、
　を具備し、
　前記層間絶縁膜には、前記第１色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第１コンタクトホール、及び、前記第２色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第２コンタクトホールが設けられ、
　前記第１色用の電極板の各々は、前記第１コンタクトホールの形状に沿って窪む第１窪み部を有し、前記第２色用の電極板の各々は、前記第２コンタクトホールの形状に沿って窪む第２窪み部を有しており、
　前記層間絶縁膜の厚みは、前記第１電極板群が形成された箇所が、前記第２電極板群が形成された箇所より厚く形成されており、
　前記第１コンタクトホールは、前記第２コンタクトホールより深く、かつ、容積が大きく、
　前記第１色用の電極板上の領域に対応する前記第１有機機能層の体積は、前記第２色用の電極板上の領域に対応する前記第２有機機能層の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内であり、
　前記第１有機機能層の膜厚は、前記第１コンタクトホールに対応する第１窪み部に入り込む前記第１有機機能層の量が前記第２コンタクトホールに対応する第２窪み部に入り込む前記第２有機機能層の量より多いことにより、前記第１窪み部以外の前記第１色用の電極板上の領域において、前記第２窪み部以外の前記第２色用の電極板上の領域に形成された前記第２有機機能層の膜厚より薄い、
　有機ＥＬ表示パネル。
　前記第１色用の電極板に対応する第１コンタクトホールの上面積と前記第２色用の電極板に対応する第２コンタクトホールの上面積とは、同一又は同一の近傍値の範囲内である、
　請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
　前記コンタクトホールの上面積は、前記層間絶縁膜の前記コンタクトホールにおける周縁部のもっとも高い位置から１０％、又は１０％の近傍値の範囲内に下がった位置における前記コンタクトホールの直径で規定される円の面積である、
　請求項２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
　前記第１コンタクトホールに対応する前記第１窪み部は、第１画素規制層により覆われ、前記第１画素規制層の上方に第１有機機能層が形成され、
　前記第２コンタクトホールに対応する前記第２窪み部は、第２画素規制層により覆われ、前記第２画素規制層の上方に第２有機機能層が形成されている、
　請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
　前記第１有機機能層は、インクジェット式塗布方法により所定の体積の液滴が塗布されることにより、前記第１電極板群の上方に連続して形成され、
　前記第２有機機能層は、インクジェット式塗布方法により前記所定の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内の体積の液滴が塗布されることにより前記第２電極板群の上方に連続して形成され、
　前記第１色用の電極板上の領域に対応する前記第１有機機能層の体積は、前記第２色用の電極板上の領域に対応する前記第２有機機能層の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内である、
請求項１乃至請求項４のいずれか１記載の有機ＥＬ表示パネル。
　前記第１有機機能層の膜厚と前記第２有機機能層の膜厚との差は、前記インクジェット式塗布方法により前記所定の体積の液滴が塗布される場合、前記第１色用の電極板ごとに塗布される前記液滴数が、ｎ滴増加することにより形成される前記第１有機機能層の膜厚より大きく、前記液滴数がｎ＋１滴増加することにより形成される前記第１有機機能層の膜厚より小さい、
　請求項５記載の有機ＥＬ表示パネル。
前記第１色は青色である、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
　前記層間絶縁膜の上面は、前記第１電極板群が形成された箇所が、前記第２電極板群が形成された箇所より高く形成されており、
　前記ＴＦＴ層は、前記第１コンタクトホールの底面に対応する箇所と、前記第２コンタクトホールの底面に対応する箇所とが同一又は同一の近傍値の範囲内の高さに形成されている、
　請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
　前記層間絶縁膜の上面は、前記第１電極板群が形成された箇所と、前記第２電極板群が形成された箇所とが同一又は同一の近傍値の範囲内の高さに形成されており、
　前記ＴＦＴ層は、前記第１コンタクトホールの底面に対応する箇所が、前記第２コンタクトホールの底面に対応する箇所よりも低く形成されている、
　請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
　前記第２電極板群と隣接して形成され、ライン状に配列された複数の第３色用の電極板を含む第３電極板群と、
　前記第３電極板群の前記第２電極板群と反対側の長辺部分に沿って形成された第４隔壁と、
　前記第３隔壁と前記第４隔壁との間において前記第３電極板群の上方に形成された第３有機機能層と、
を含み、
　前記対向電極は、前記第３有機機能層の上方に設けられ、
　前記層間絶縁膜には、前記第３色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第３コンタクトホールが設けられ、
　前記第３色用の電極板は、前記第３コンタクトホールの形状に沿って窪む第３窪み部を有しており、
　前記層間絶縁膜は、前記第１電極板群が形成された箇所が、前記第３電極板群が形成された箇所より厚く形成されており、
　前記第１コンタクトホールは、前記第３コンタクトホールより深く、かつ、容積が大きく、
　前記第１色用の電極板上の領域に対応する前記第１有機機能層の体積は、前記第３色用の電極板上の領域に対応する前記第３有機機能層の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内であり、
　前記第１有機機能層の膜厚は、前記第１コンタクトホールに対応する第１窪み部に入り込む前記第１有機機能層の量が前記第３コンタクトホールに対応する第３窪み部に入り込む前記第３有機機能層の量より多いことにより、前記第１窪み部以外の前記第１色用の電極板上の領域において、前記第３窪み部以外の前記第３色用の電極板上の領域に形成された前記第３有機機能層の膜厚より薄い、
請求項１記載の有機ＥＬ表示パネル。
　前記第１色用の電極板に対応する第１コンタクトホールの上面積、前記第２色用の電極板に対応する第２コンタクトホールの上面積及び前記第３色用の電極板に対応する第３コンタクトホールの上面積とは、同一又は同一の近傍値の範囲内である、
請求項１０記載の有機ＥＬ表示パネル。
　前記コンタクトホールの上面積は、前記層間絶縁膜における前記コンタクトホールの周縁部のもっとも高い位置から１０％又は１０％の近傍値の範囲内に下がった位置における前記コンタクトホールの直径で規定される円の面積である、
　請求項１１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
　前記層間絶縁膜の上面は、前記第１電極板群が形成された箇所が、前記第２電極板群が形成された箇所及び前記第３電極板群が形成された箇所より高く形成されており、
　前記ＴＦＴ層は、前記第１コンタクトホールの底面に対応する箇所、前記第２コンタクトホールの底面に対応する箇所、及び前記第３コンタクトホールの底面に対応する箇所が同一又は同一の近傍値の範囲内の高さに形成されている、
　請求項１０ないし請求項１２のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
　前記層間絶縁膜の上面は、前記第１電極板群が形成された箇所、前記第２電極板群が形成された箇所、及び前記第３電極板群が形成された箇所が同一又は同一の近傍値の範囲内の高さに形成されており、
　前記ＴＦＴ層は、前記第１コンタクトホールの底面に対応する箇所が、前記第２コンタクトホールの底面に対応する箇所及び前記第３コンタクトホールの底面に対応する箇所よりも低く形成されている、
　請求項１０ないし請求項１２のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
　前記第１有機機能層及び前記第２有機機能層は、電荷注入層、あるいは電荷輸送層のいずれかであり、
　前記第１有機機能層と前記対向電極との間に第１有機発光層が形成され、前記第２有機機能層と前記対向電極との間に第２有機発光層が形成されている、
　請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
　前記第１有機機能層、前記第２有機機能層、及び前記第３有機機能層は、電荷注入層あるいは電荷輸送層のいずれかであり、
　前記第１有機機能層と前記対向電極との間に第１有機発光層が形成され、前記第２有機機能層と前記対向電極との間に第２有機発光層が形成され、前記第３有機機能層と前記対向電極との間に第３有機発光層が形成されている、
　請求項１０ないし請求項１４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
　前記第１有機機能層及び前記第２有機機能層は、有機発光層である、
　請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
　前記第１有機機能層、前記第２有機機能層、及び前記第３有機機能層は、有機発光層である、
請求項１０ないし請求項１４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
　前記電極板は陽極であり、前記対向電極は陰極である、
請求項１ないし請求項１８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル
　前記電極板は陰極であり、前記対向電極は陽極である、
請求項１ないし請求項１８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル
　請求項１ないし請求項２０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルを備えた、
　表示装置。
　基板を準備する第１工程と、
　前記基板上にＴＦＴ層を形成する第２工程と、
　前記ＴＦＴ層上に層間絶縁膜を形成する第３工程と、
　複数の第１色用の電極板をライン状に配列した第１電極板群を前記層間絶縁膜上に形成し、前記第１電極板群と隣接して複数の第２色用の電極板をライン状に配列した第２電極板群を前記層間絶縁膜上に形成する第４工程と、
　前記第１電極板群の一方の長辺部分に沿って第１隔壁を形成し、前記第１電極板群の他方の長辺部分と前記第２電極板群の一方の長辺部分との間に第２隔壁を形成し、前記第２電極板群の他方の長辺部分に沿って第３隔壁を形成する第５工程と、
　前記第１隔壁と前記第２隔壁との間において前記第１電極板群の上方に連続して第１有機機能層を形成する第６工程と、
　前記第２隔壁と前記第３隔壁との間において前記第２電極板群の上方に連続して第２有機機能層を形成する第７工程と、
　前記第１有機機能層及び前記第２有機機能層の上方に対向電極を設ける第８工程と、
　を具備し、
　前記第３工程において、
　前記層間絶縁膜の厚みは、前記第１電極板群が形成された箇所が、前記第２電極板群が形成された箇所より厚く形成されており、
　前記層間絶縁膜には、前記第１色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第１コンタクトホール、及び、前記第２色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第２コンタクトホールが設けられ、
　前記第１コンタクトホールは、前記第２コンタクトホールより深く、かつ、容積が大きく形成され、
　前記第４工程において、
　前記第１色用の電極板の各々には、前記第１コンタクトホールの形状に沿って第１窪み部が形成され、前記第２色用の電極板の各々には、前記第２コンタクトホールの形状に沿って第２窪み部が形成され、
　前記第６工程で形成された前記第１有機機能層及び前記第７工程で形成された前記第２有機機能層において、
　前記第１色用の電極板上の領域に対応する前記第１有機機能層の体積は、前記第２色用の電極板上の領域に対応する前記第２有機機能層の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内であり、
　前記第１有機機能層の膜厚は、前記第１コンタクトホールに対応する第１窪み部に入り込む前記第１有機機能層の量が前記第２コンタクトホールに対応する第２窪み部に入り込む前記第２有機機能層の量より多いことにより、前記第１窪み部以外の前記第１色用の電極板上の領域において、前記第２窪み部以外の前記第２色用の電極板上の領域に形成された前記第２有機機能層の膜厚より薄い、
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
　前記第１色用の電極板に対応するコンタクトホールの上面積と前記第２色用の電極板に対応するコンタクトホールの上面積とは、同一又は同一の近傍値の範囲内である、
　請求項２２記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
　前記第４工程と前記第５工程との間に、前記第１コンタクトホールに対応する前記第１窪み部を覆うように第１画素規制層を形成し、前記第２コンタクトホールに対応する前記第２窪み部を覆うように第２画素規制層を形成する工程を設け、
　前記第６工程において、前記第１画素規制層の上方に前記第１有機機能層が形成され、
　前記第７工程において、前記第２画素規制層の上方に前記第２有機機能層が形成される、
　請求項２２又は請求項２３に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
　前記第６工程において、前記第１有機機能層は、インクジェット式塗布方法により所定の体積の液滴を塗布することにより、前記第１電極板群の上方に連続して形成し、
　前記第７工程において、前記第２有機機能層は、インクジェット式塗布方法により前記所定の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内の体積の液滴を塗布することにより、前記第２電極板群の上方に連続して形成される、
　請求項２２乃至請求項２４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
　前記第１有機機能層の膜厚と前記第２有機機能層の膜厚との差は、前記インクジェット式塗布方法により前記所定の体積の液滴が塗布される場合、前記第１色用の電極板ごとに塗布される液滴数が、ｎ滴増加することによる前記第１有機機能層の膜厚の増加分より大きく、前記液滴数がｎ＋１滴増加することによる前記第１有機機能層の膜厚の増加分より小さい、
請求項２５記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
　基板を準備する第１工程と、
　前記基板上にＴＦＴ層を形成する第２工程と、
　前記ＴＦＴ層上に層間絶縁膜を形成する第３工程と、
　複数の第１色用の電極板をライン状に配列した第１電極板群を前記層間絶縁膜上に形成し、前記第１電極板群と隣接して複数の第２色用の電極板をライン状に配列した第２電極板群を前記層間絶縁膜上に形成し、前記第２電極板群と隣接して複数の第３色用の電極板をライン状に配列した第３電極板群を前記層間絶縁膜上に形成する第４工程と、
　前記第１電極板群の一方の長辺部分に沿って第１隔壁を形成し、前記第１電極板群の他方の長辺部分と前記第２電極板群の一方の長辺部分との間に第２隔壁を形成し、前記第２電極板群の他方の長辺部分と前記第３電極板群の一方の長辺部分との間に第３隔壁を形成し、前記第３電極板群の他方の長辺部分に沿って第４隔壁を形成する第５工程と、
　前記第１隔壁と前記第２隔壁との間において前記第１電極板群の上方に連続して第１有機機能層を形成する第６工程と、
　前記第２隔壁と前記第３隔壁との間において前記第２電極板群の上方に連続して第２有機機能層を形成する第７工程と、
　前記第３隔壁と前記第４隔壁との間において前記第３電極板群の上方に連続して第３有機機能層を形成する第８工程と、
　前記第１有機機能層、前記第２有機機能層及び前記第３有機機能層の上方に対向電極を形成する第９工程と、
　を具備し、
　前記第３工程において、
　前記層間絶縁膜の厚みは、前記第１電極板群が形成された箇所が、前記第２電極板群が形成された箇所及び前記第３電極板群が形成された箇所より厚く形成されており、
　前記層間絶縁膜には、前記第１色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第１コンタクトホール、前記第２色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第２コンタクトホール、及び、前記第３色用の電極板の各々とＴＦＴ層とを接続する第３コンタクトホールが設けられ、
　前記第１コンタクトホールの深さは、前記第２コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールより深く、かつ、容積が大きく形成され、
　前記第４工程において、
　前記第１色用の電極板の各々には、前記第１コンタクトホールの形状に沿って第１窪み部が形成され、前記第２色用の電極板の各々には、前記第２コンタクトホールの形状に沿って第２窪み部が形成され、前記第３色用の電極板の各々には、前記第３コンタクトホールの形状に沿って第３窪み部が形成され、
　前記第６工程、前記第７工程及び前記第８工程でそれぞれ形成された前記第１有機機能層、前記第２有機機能層及び前記第３有機機能層において、
　前記第１色用の電極板上の領域に対応する前記第１有機機能層の体積は、前記第２色用の電極板上の領域に対応する前記第２有機機能層の体積及び前記第３色用の電極板上の領域に対応する前記第３有機機能層の体積と同一又は同一の近傍値の範囲内であり、
　前記第１有機機能層の膜厚は、前記第１コンタクトホールに対応する第１窪み部に入り込む前記第１有機機能層の量が、前記第２コンタクトホールに対応する第２窪み部に入り込む前記第２有機機能層の量及び前記第３コンタクトホールに対応する第３窪み部に入り込む前記第３有機機能層の量より多いことにより、前記第１窪み部以外の前記第１色用の電極板上の領域において、前記第２窪み部以外の前記第２色用の電極板上の領域に形成された前記第２有機機能層の膜厚及び前記第３窪み部以外の前記第３色用の電極板上の領域に形成された前記第３有機機能層の膜厚より薄い、
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。