CN111987135A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,用于差异化设置显示面板中不同OLED器件的微腔长度,并简化显示面板的制作工艺,提高工艺效率。显示面板包括基底、像素定义层、第一腔长调节层和第二腔长调节层。像素定义层位于基底的一侧。像素定义层至少包括第一开口和第二开口。第一腔长调节层位于第一开口内,第二腔长调节层位于第二开口内;第一腔长调节层的体积V1和第二腔长调节层的体积V2满足|V1‑V2|≤1pL。沿显示面板的法线方向,第一腔长调节层的高度大于第二腔长调节层的高度。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
【背景技术】
有机发光(Organic Light-Emitting Diode,以下简称OLED)显示面板因其具有主动发光、高对比度、无视角限制等其诸多优点而被广泛应用于显示技术领域。为了提高OLED器件的发光效率,通常利用微腔结构对顶发光OLED器件的出光进行增强。其中微腔结构为OLED的半透明阴极与反射电极之间的结构。OLED器件中有机发光层发出的光线会在半透明阴极和反射电极之间进行多次反射得到谐振增强。
由于不同颜色的光线的波长不同,因此为最大程度地对OLED器件的出光效果进行增强,不同颜色的OLED器件所需的微腔长度会有所不同。在目前的制作工艺中,需要分别制作不同颜色的OLED器件,以实现不同颜色的OLED器件的微腔长度的差异化设置,工艺效率很低。
【发明内容】
有鉴于此,本发明实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置,用以实现不同颜色的OLED器件的微腔长度的差异化设置,并提高工艺效率。
一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括:
基底;
像素定义层,位于所述基底的一侧;所述像素定义层至少包括第一开口和第二开口;
第一腔长调节层和第二腔长调节层,所述第一腔长调节层位于所述第一开口内,所述第二腔长调节层位于所述第二开口内;所述第一腔长调节层的体积V1和所述第二腔长调节层的体积V2满足|V1-V2|≤1pL;
沿所述显示面板的法线方向,所述第一腔长调节层的高度大于所述第二腔长调节层的高度。
另一方面,本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法,包括:
提供基底;
在所述基底的一侧形成像素定义层;
在所述像素定义层中至少形成第一开口和第二开口;
在所述第一开口内形成第一腔长调节层,在所述第二开口内形成第二腔长调节层;所述第一腔长调节层的体积V1和所述第二腔长调节层的体积V2满足|V1-V2|≤1pL;
沿所述显示面板的法线方向,所述第一腔长调节层的高度大于所述第二腔长调节层的高度。
再一方面,本发明实施例提供了一种显示装置,包括上述的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板及其制备方法、显示装置,令第一腔长调节层的高度大于第二腔长调节层的高度,可以使第一OLED器件的腔长大于第二OLED器件的腔长。在第一OLED器件和第二OLED器件的出光颜色不同时,如此设置可以使二者的腔长满足各自所需的腔长要求,从而使第一OLED器件和第二OLED器件中的有机发光层发出的光线均能得到有效的谐振增强,提高第一OLED器件和第二OLED器件的出光效率,以及提高从二者射出的光线的色纯度。
而且,在将第一腔长调节层的高度设置为大于第二腔长调节层的高度的基础上,本发明实施例将第一腔长调节层和第二腔长调节层的体积设置为相等或近似相等,在制备第一腔长调节层和第二腔长调节层时,无需对第一腔长调节层和第二腔长调节层的制备工艺进行差异化设置,能够降低制备高度不同的第一腔长调节层和第二腔长调节层的工艺复杂度,有效提高了工艺效率。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视示意图;
图2为图1沿AA’的一种截面示意图;
图3为图2的一种简化示意图;
图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面简化示意图;
图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的截面简化示意图;
图6为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图;
图7为本发明实施例提供的一种显示面板的制备过程的结构示意图;
图8为本发明实施例提供的另一种显示面板的制备过程的结构示意图;
图9为本发明实施例提供的又一种显示面板的制备过程的结构示意图;
图10为本发明实施例提供的又一种显示面板的制备过程的结构示意图;
图11为本发明实施例提供的一种显示装置的示意图。
【具体实施方式】
为了更好的理解本发明的技术方案,下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
应当明确,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解,本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
应当理解,尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述腔长调节层,但这些腔长调节层不应限于这些术语。这些术语仅用来将腔长调节层彼此区分开。例如,在不脱离本发明实施例范围的情况下,第一腔长调节层也可以被称为第二腔长调节层,类似地,第二腔长调节层也可以被称为第一腔长调节层。
本发明实施例提供了一种显示面板,如图1和图2所示,图1为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视示意图,图2为图1沿AA’的一种截面示意图,显示面板包括基底1,以及位于基底1的一侧的出光颜色不同的第一OLED器件和第二OLED器件。
如图2所示,第一OLED器件21包括相对设置的第一电极211和第二电极212,以及位于第一电极211和第二电极212之间的第一腔长调节层213。
第二OLED器件22包括相对设置的第一电极221和第二电极222,以及位于第一电极221和第二电极222之间的第二腔长调节层223。
可选的,第一OLED器件21和第二OLED器件22可以均为顶发射器件。第一OLED器件21的第一电极211和第二OLED器件22的第一电极221为反射电极。第一OLED器件21的第二电极212和第二OLED器件22的第二电极222为半透明电极。第一OLED器件21的第一电极211和第二电极212之间形成第一微腔结构。第一腔长调节层213的厚度与第一微腔结构的腔长正相关。第二OLED器件22的第一电极221和第二电极222之间形成第二微腔结构。第二腔长调节层223的厚度与第二微腔结构的腔长正相关。
如图1和图2所示,显示面板还包括像素定义层3和电路层4(图1未示出)。为更加清楚地说明本发明实施例,结合图3,图3为图2的一种简化示意图,其中仅画出了像素定义层,第一电极和各腔长调节层作为示意,像素定义层3包括第一开口31和第二开口32。第一开口31和第二开口32为贯通像素定义层3的通孔。第一开口31暴露出第一OLED器件21的第一电极211的至少部分表面。第二开口32暴露出第二OLED器件22的第一电极221的至少部分表面。上述第一腔长调节层213位于第一开口31内。第二腔长调节层223位于第二开口32内。
电路层4位于像素定义层3和基底1之间。电路层4包括多个像素驱动电路,像素驱动电路可以包括多个薄膜晶体管和存储电容。在图2中仅以与第一电极直接相连的一个薄膜晶体管作为示意。
在本发明实施例中,第一腔长调节层213的体积V1和第二腔长调节层223的体积V2满足|V1-V2|≤1pL。沿显示面板的法线方向,第一腔长调节层213的高度h1大于第二腔长调节层223的高度h2。
本发明实施例提供的显示面板,令第一腔长调节层213的高度h1大于第二腔长调节层223的高度h2,可以使第一OLED器件21的腔长大于第二OLED器件22的腔长。在第一OLED器件21和第二OLED器件22的出光颜色不同时,如此设置可以使二者的腔长满足各自所需的腔长要求,从而使第一OLED器件21和第二OLED器件22中的有机发光层发出的光线均能得到有效的谐振增强,提高第一OLED器件21和第二OLED器件22的出光效率,以及提高从二者射出的光线的色纯度。
而且,在将第一腔长调节层213的高度h1设置为大于第二腔长调节层223的高度h2的基础上,本发明实施例将第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的体积设置为相等或近似相等,在制备第一腔长调节层213和第二腔长调节层223时,无需对第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的制备工艺进行差异化设置,能够降低制备高度不同的第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的工艺复杂度,有效提高了工艺效率。
示例性的,上述第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的材料可以相同。例如,可以选用相同的有机材料来形成第一腔长调节层213和第二腔长调节层223。
可选的,在本发明实施例中,可以采用喷墨打印工艺来制备第一腔长调节层213和第二腔长调节层223。具体的,在制备第一腔长调节层213和第二腔长调节层223时,首先使用溶剂将形成第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的材料溶化以形成墨水。在本发明实施例中,可以选用相同的溶剂和溶质材料来形成对应第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的墨水,并可以将形成第一腔长调节层213的墨水的浓度与形成第二腔长调节层223的墨水的浓度设置为相同。也就是说,可以采用相同的墨水作为打印形成第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的原料。
然后,采用喷墨打印设备在第一开口31和第二开口32内打印相同体积相同浓度的上述墨水。在本发明实施例中,用于打印形成第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的喷嘴的规格可以相同,以使喷嘴一次喷出的墨滴的量相同。
在第一开口31和第二开口32内打印相同体积的液态的墨水后,通过干燥工艺以去除其中的溶剂。在干燥过程中,控制干燥过程的工艺参数,以在第一开口31和第二开口32内形成相同体积的固态形式的第一腔长调节层213和第二腔长调节层223,即,令V1=V2
在本发明实施例中,第一OLED器件21包括用于发出第一颜色的光的第一有机发光层,位于第一电极和第一有机发光层之间的空穴注入层和空穴传输层,以及位于第二电极和第一有机发光层之间的电子注入层和电子传输层。
第二OLED器件22包括用于发出第二颜色的光的第二有机发光层,以及位于第一电极和第二有机发光层之间的空穴注入层和空穴传输层,以及位于第二电极和第二有机发光层之间的电子注入层和电子传输层。
像素定义层3中包括上述第一开口31和第二开口32在内的多个开口的设置能够将不同颜色的有机发光层限定在不同的区域内,从而避免在有机发光层的制备过程中出现不同颜色的有机发光层相互串扰的问题。
可选的,上述第一腔长调节层213可以为独立于第一有机发光层214、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层之外的膜层。或者,第一腔长调节层213也可以选择第一OLED器件21的第一有机发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的任意一种或几种。同样的,第二腔长调节层223可以为独立于第二有机发光层224、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层之外的膜层。或者,第二腔长调节层223可以选择第二OLED器件22的第二有机发光层224、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的任意一种或几种。
示例性的,本发明实施例可以选用空穴传输层和/或空穴注入层来作为上述第一腔长调节层213和第二腔长调节层223。如此设置,在保证第一OLED器件21和第二OLED器件22的腔长能够满足各自的光学特性需求的同时,还能够降低对第一OLED器件21和第二OLED器件22的电学特性的影响。例如,在选择空穴传输层作为第一腔长调节层213和第二腔长调节层223时,在显示面板的制备过程中,只需保证形成第一OLED器件21和第二OLED器件22的空穴传输层的体积相同,第一OLED器件21的空穴传输层的高度大于第二OLED器件22的空穴传输层的高度。对作为非腔长调节层的第一有机发光层和第二有机发光层,以及第一OLED器件和第二OLED器件的空穴注入层、电子注入层和电子传输层的体积和高度的设计可以根据除腔长之外的其他要求进行调整。例如,本发明实施例可以使第一有机发光层和第二有机发光层的体积不等,或者,可以使第一OLED器件的电子注入层的高度与第二OLED器件的电子注入层的高度相等,本发明实施例对此不作限定。
需要说明的是,图2所示结构为将空穴传输层作为第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的示意图。第一有机发光层214位于第一腔长调节层213远离第一电极211的一侧。第二有机发光层224位于第二腔长调节层223远离第一电极221的一侧。为使画面更为清晰,图2中未示出空穴注入层、电子传输层和电子注入层。
在本发明实施例中,第一开口31和第二开口32的形貌可以有多种设计。如图2和图3所示,本发明实施例可以令第一开口31和第二开口32的侧壁垂直于基底1所在平面。或者,如图4所示,图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面简化示意图,本发明实施例也可以令第一开口31和第二开口32的侧壁与基底1所在平面不垂直,即,将第一开口31和第二开口32沿垂直于基底1所在平面的截面形状设计为梯形。而且,本发明实施例可以令像素定义层3的非开口部30的第二底面302的面积S2大于第一底面301的面积S1,以使第一开口31和第二开口32沿沿垂直于基底1所在平面的截面形状设计为倒梯形。其中,非开口部30将第一开口31和第二开口32隔开。第一底面301和第二底面301相对设置,第一底面301为非开口部30远离基底1一侧的表面,第二底面302为非开口部30靠近基底1一侧的表面。需要说明的是,非开口部30的第一底面301和第二底面302可以包括轻微的凹凸结构。例如,如图4所示,其中,第二底面302中的部分与第一电极接触,另一部分与第一电极不接触,第二底面302在这两部分之间具有段差,其中段差高度为第一电极的厚度。
可选的,本发明实施例可以令第一开口31在基底1所在平面的正投影的面积小于第二开口32在基底1所在平面的正投影的面积,以使分别位于第一开口31和第二开口32内的体积相等的第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的高度不同,且位于第一开口31内的第一腔长调节层213的高度h1大于位于第二开口32内的第二腔长调节层223的高度h2。而且,本发明实施例如此设置,仅需对形成第一开口31和第二开口32的掩膜板图案进行调整,无需改变形成第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的喷墨打印的工艺参数,操作简便,工艺效率高。
在将第一开口31和第二开口32的截面形状设计为如图4所示的倒梯形时,在本发明实施例中,上述第一开口31在基底1所在平面的正投影的面积小于第二开口32在基底1所在平面的正投影的面积指的是,以平行于基底1所在平面的同一平面截得的第一开口31和第二开口32的图形中,对应第一开口31的图形的面积小于对应第二开口32的图形的面积。
为使第一开口31和第二开口32在基底1所在平面的正投影的面积满足上述关系,本发明实施例提供了多种不同的方式,以下分别进行说明。
第一种方式:
如图1、图3和图4所示,与第一开口31相邻的两个非开口部30的距离为d1,与第二开口32相邻的两个非开口部30的距离为d2,本发明实施例可以令d1≤d2,以使第一开口31在基底1所在平面的正投影的面积小于第二开口32在基底1所在平面的正投影的面积。
在本发明实施例中,与第一开口31相邻的两个非开口部30的距离d1为与第一开口31相邻的两个非开口部30的第一截面的几何中心的距离,第一截面垂直于基底1且经过第一开口31的几何中心。与第二开口32相邻的两个非开口部30的距离d2为与第二开口32相邻的两个非开口部30的第二截面的几何中心的距离,第二截面平行于第一截面且经过第二开口32的几何中心。在本发明实施例中,在保证第一截面和第二截面平行的前提下,可以在显示面板中找到多个第一截面和第二截面。例如,以图1所示方位为例,第一截面和第二截面可以均为沿AA’的截面。或者,第一截面可以为沿BB’的截面,第二截面为沿CC’的截面。或者,第一截面和第二截面可以均为沿DD’的截面。在本发明实施例中,非开口部30的相应截面的几何中心为非开口部30的相应截面的对角线的交点。
在第一种方式中,对第一开口31和第二开口32的截面形状不做限定,例如,可以将第一开口31和第二开口32的截面形状设计为如图3所示的矩形,即,令第一开口31和第二开口32的侧壁垂直于基底1所在平面。或者,也可以将第一开口31和第二开口32的截面形状设计为如图4所示的梯形。
第二种方式:
如图5所示,图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的截面简化示意图,第一开口31和第二开口32的截面形状均为等腰梯形,且,梯形靠近基底1一侧的长度小于远离基底1一侧的长度。即,使形成于像素定义层3的第一开口31和第二开口32的截面形状为倒梯形。而且,对应第一开口31和第二开口32的两个倒梯形截面的底角相等。具有倒梯形截面的第一开口31和第二开口32的设置能够使形成于其中的有机发光层具有沿出光方向逐渐增大的面积,如此设置有利于增大显示面板的可视角度以及提高OLED器件的出光效率。
采用第二种方式时,如图5所示,本发明实施例令第一开口31靠近基底1的表面与基底1的垂直距离H1小于第二开口32靠近基底1的表面与基底1的垂直距离H2。
在采用构图工艺对像素定义层3进行处理以在像素定义层3中形成第一开口31和第二开口32时,像素定义层3远离基底1的表面首先接触到刻蚀剂,然后刻蚀剂沿像素定义层3的厚度方向向朝着基底的方向扩散。由于像素定义层3中靠上位置(与基底之间的距离大的位置)处的膜层与刻蚀剂接触的时间长,因此被刻蚀掉的区域会大于靠下位置(与基底之间的距离小的位置)处的膜层。即,刻蚀完成后会形成上部大下部下的具有倒梯形截面形状的第一开口31和第二开口32。本发明实施例通过采用相同的刻蚀工艺形成第一开口31和第二开口32,可以使第一开口31和第二开口32的侧壁的斜率相同。即,可以使对应第一开口31和第二开口32的两个倒梯形的截面的底角相等。而且,本发明实施例通过令第一开口31靠近基底1的表面与基底1的垂直距离H1小于第二开口32靠近基底1的表面与基底1的垂直距离H2,可以形成具有较大面积的第二开口32和具有较小面积的第一开口31。其中,第一开口31和第二开口32的面积指的是二者靠近基底1的底面的面积。在后续通过喷墨打印工艺打印形成第一腔长调节层213和第二腔长调节层223时,通过在第一开口31和第二开口32内打印相同体积和浓度的墨水,后续通过干燥工艺便可形成相同体积的第一腔长调节层213和第二腔长调节层223。由于第一开口31的底面积较小,第二开口32的底面积较大,因此,在第一开口31内形成的第一腔长调节层213的高度会较大,在第二开口内形成的第二腔长调节层223的高度会较小,从而实现了对第一OLED器件21和第二OLED器件22的腔长的差异化设置。
在本发明实施例中,上述第一有机发光层214的出射光线的波长大于第二有机发光层224的出射光线的波长,以使高度较大的第一腔长调节层213的设置能够对波长较大的第一颜色的光线进行加强,高度较小的第二腔长调节层223的设置能够对波长较小的第二颜色的光线进行加强。示例性的,第一有机发光层214的出射光线可以为红光,第二有机发光层224的出射光线可以为绿光。
结合图2~图5所示,上述像素定义层3还包括第三开口33。显示面板还包括第三OLED器件23,第三OLED器件23包括相对设置的第一电极231和第二电极232,以及位于第三开口33内的第三腔长调节层233。如图2所示,除第三腔长调节层233外,第三OLED器件23还包括第三有机发光层234,第三有机发光层234的出射光线为蓝光。第三开口33在基底1所在平面的正投影的面积与第二开口32在基底1所在平面的正投影的面积相等。由于蓝色有机发光层的发光效率较高,本发明实施例通过使第三开口33在基底1所在平面的正投影的面积与第二开口32在基底1所在平面的正投影的面积相等,能够使不同颜色的有机发光层的发光效率更加均衡。
示例性的,第三腔长调节层233可以与第一腔长调节层213和第二腔长调节层223采用相同工艺制备。例如,在将对应第一OLED器件21和第二OLED器件22设置的空穴传输层作为第一腔长调节层213和第二腔长调节层223时,也将对应第三OLED器件23设置的空穴传输层作为第三OLED器件23的第三腔长调节层233。
可选的,如图2所示,在本发明实施例中,可以使第一OLED器件21、第二OLED器件22和第三OLED器件23的第二电极相互连接形成覆盖多个OLED器件的面状结构,以提高第二电极的导电性能。
示例性的,在本发明实施例中,第一腔长调节层213和第二腔长调节层223为具有一定高度的台体结构。
具体的,第一腔长调节层213的体积V1满足:
Figure BDA0002671234760000121
其中,S11为第一腔长调节层213远离基底1的表面的面积,S12为第一腔长调节层213靠近基底1的表面的面积,h1为第一腔长调节层213沿显示面板的法线方向的高度。
第二腔长调节层223的体积V2满足:
Figure BDA0002671234760000122
其中,S21为第二腔长调节层223远离基底1的表面的面积,S22为第二腔长调节层223靠近所述基底1的表面的面积,h2为所述第二腔长调节层223沿所述显示面板的法线方向的高度。本发明实施例可以令S11>S12,S21>S22,S22>S12,以在第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的体积相等的基础上,使第一腔长调节层213的高度h1大于第二腔长调节层223的高度h2
可选的,本发明实施例可以将上述第一腔长调节层213远离基底1的表面和靠近基底1的表面的形状设计为圆形,并令第一腔长调节层213远离基底1的表面的半径R1,第一腔长调节层213靠近基底1的表面的半径r1满足R1>r1。以及,令第二腔长调节层223远离基底1的表面和靠近基底1的表面的形状为圆形,且,令第二腔长调节层223远离基底1的表面的半径R2,第二腔长调节层223靠近基底1的表面的半径r2满足R2>r2。此时,第一腔长调节层的体积V1满足:
Figure BDA0002671234760000131
第二腔长调节层的体积V2满足:
Figure BDA0002671234760000132
或者,本发明实施例还可以将第一腔长调节层213和第二腔长调节层223远离基底1的表面和靠近基底1的表面的形状均设计为包括矩形在内的多边形。
本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法,结合图6和图7所示,图6为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图,图7为本发明实施例提供的一种显示面板的制备过程的结构示意图,该制备方法包括:
步骤S1:提供基底1。示例性的,该基底1可以由刚性或柔性材料形成。例如,基底1可以为玻璃、金属或者诸如聚酰亚胺(Polyimide,PI)、聚乙烯醇(Polyvinylalcohol,PVA)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate,PMMA)等高分子材料。
步骤S2:在基底1的一侧形成像素定义层3。示例性的,像素定义层3可以由诸如聚酰亚胺、聚酰胺、苯并环丁烯、压克力树脂或酚醛树脂等有机材料形成。而且,可以采用涂布的方式形成上述像素定义层3,以提高像素定义层3的表面平坦度。
步骤S3:在像素定义层3中至少形成第一开口31和第二开口32。第一开口31和第二开口32贯穿像素定义层3。
步骤S4:在第一开口31内形成第一腔长调节层213,在第二开口32内形成第二腔长调节层223。其中,第一腔长调节层213的体积V1和第二腔长调节层223的体积V2满足|V1-V2|≤1pL;且,沿显示面板的法线方向,第一腔长调节层213的高度h1大于第二腔长调节层223的高度h2。
本发明实施例提供的显示面板的制备方法,通过将第一腔长调节层213的高度h1设置为大于第二腔长调节层223的高度h2,可以使第一腔长调节层213所属的第一OLED器件的腔长大于第二腔长调节层223所属的第二OLED器件的腔长。在第一OLED器件和第二OLED器件的出光颜色不同时,可以使二者的腔长满足各自所需的腔长要求,从而使第一OLED器件和第二OLED器件中的有机发光层发出的光线均能得到有效的谐振增强,提高第一OLED器件和第二OLED器件的出光效率,以及提高从二者射出的光线的色纯度。
而且,在将第一腔长调节层213的高度h1设置为大于第二腔长调节层223的高度h2的基础上,本发明实施例将第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的体积设置为相等或近似相等,在制备第一腔长调节层213和第二腔长调节层223时,无需对第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的制备工艺进行差异化设置,能够降低制备高度不同的第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的工艺复杂度,有效提高了工艺效率。
上述步骤S4中,在第一开口31内形成第一腔长调节层213,在第二开口32内形成第二腔长调节层223,第一腔长调节层213的体积V1和第二腔长调节层223的体积V2满足|V1-V2|≤1pL,包括:使V1=V2
示例性的,如图8所示,图8为本发明实施例提供的另一种显示面板的制备过程的结构示意图,在上述步骤S2形成像素定义层3之前还包括:
步骤S11:在基底1的一侧形成电路层4和第一电极。电路层4包括对应不同OLED器件的像素驱动电路。以显示面板包括第一OLED器件、第二OLED器件和第三OLED器件为例,其中,第一电极包括第一OLED器件的第一电极211,第二OLED器件的第一电极221,第三OLED器件的第一电极231。各像素驱动电路中可以包括多个薄膜晶体管以及存储电容等电子器件。在图8中仅以与各第一电极直接电连接的一个薄膜晶体管作为示意。上述第一电极可以为相应子像素的有机发光器件的阳极。
在步骤S3中形成第一开口31和第二开口32时,令第一开口31将第一OLED器件的第一电极211的至少部分表面暴露出来,第二开口32将第二OLED器件的第一电极221的至少部分表面暴露出来。
示例性的,上述步骤S4中形成第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的方法包括喷墨打印(Ink Jet Print,IJP)。其中,喷墨打印的具体过程可以参见前文显示面板部分的描述,在此不再赘述。
可选的,第一腔长调节层213和第二腔长调节层223采用同一工艺制备。例如,在采用喷墨打印形成第一腔长调节层213和第二腔长调节层223时,同一工艺指的是在制备二者时采用相同规格的喷嘴,打印相同的时间以在第一开口31和第二开口32内得到相同体积的墨水。然后采用相同的干燥工艺析出溶剂,得到相同体积的固态形式的第一腔长调节层213和第二腔长调节层223。
可选的,上述步骤S2和步骤S3中,在基底1的一侧形成像素定义层3,在像素定义层3中至少形成第一开口31和第二开口32,包括:
步骤S30:结合图7和图8所示,采用构图工艺对像素定义层3进行处理,在像素定义层3中形成第一开口31、第二开口32和非开口部30;其中,第一开口31在基底1所在平面的正投影的面积小于第二开口32在基底1所在平面的正投影的面积,以使后续形成在第一开口31和第二开口32内的体积相等的第一腔长调节层213和第二腔长调节层223具有不同的高度,且位于第一开口31内的第一腔长调节层213的高度h1大于位于第二开口32内的第二腔长调节层223的高度h2。其中,构图工艺包括成膜、曝光、显影、刻蚀等利用光刻胶、掩膜板、曝光机等形成具有图案的膜层的工艺。
可选的,根据构图工艺中参数的不同可以形成具有多种不同形貌特征的第一开口31和第二开口32。例如,如图7和图8所示,在刻蚀像素定义层3形成第一开口31和第二开口32时,可以控制沿像素定义层3的厚度方向的刻蚀程度的均一性,以使第一开口31和第二开口32的侧壁与基底1所在平面垂直。
或者,如图9所示,图9为本发明实施例提供的又一种显示面板的制备过程的结构示意图,在刻蚀像素定义层3形成第一开口31和第二开口32时,本发明实施例可以通过步骤S3’,控制像素定义层3远离基底1一侧的刻蚀面积大于靠近基底1一侧的刻蚀面积,以在刻蚀完成后,使第一开口31和第二开口32形成远离基底1一侧的面积大于靠近基底1一侧的面积的结构。如图9所示,第一开口31和第二开口32具有倒梯形的截面形状。如此设置使得后续在第一开口31和第二开口32内形成膜层时,可以避免出现其中部分空间无法被填充满的情况。
结合图3,上述步骤S30中使第一开口31在基底1所在平面的正投影的面积小于第二开口32在基底1所在平面的正投影的面积,包括:使与第一开口31相邻的两个非开口部30的距离d1,与第二开口32相邻的两个非开口部30的距离d2满足,d1≤d2。
或者,本发明实施例还可以提供另一种方法以在像素定义层中形成不同大小的开口,如图10所示,图10为本发明实施例提供的又一种显示面板的制备过程的结构示意图,其中,上述步骤S11:在基底1的一侧形成电路层4和第一电极,包括:
步骤S111:在基底1的一侧形成电路层4;其中,电路层4包括薄膜晶体管和存储电容。
步骤S112:在电路层4远离基底1的一侧形成平坦化层5。其中,平坦化层5在对应第二OLED器件位置处形成有凸起结构51。凸起结构51朝向远离基底1的一侧凸起,使得平坦化层5中凸起结构51远离基底1的表面与基底1的距离大于其他位置处的平坦化层5远离基底1的表面与基底1的距离。
步骤S113:在平坦化层5中形成多个过孔50。不同的过孔50暴露不同的像素驱动电路中的部分薄膜晶体管的第一极。
步骤S114:形成多个第一电极。多个第一电极包括属于第一OLED器件的第一电极211,属于第二OLED器件的第一电极221,属于第三OLED器件的第一电极231。各个第一电极通过过孔50与相应的像素驱动电路电连接。其中,属于第二OLED器件的第一电极221对应平坦化层5的凸起结构51设置。即,第一电极221远离基底1的表面与基底1之间的距离H2大于第一电极211与基底1之间的距离H1。至此完成电路层4和第一电极的制备。
然后进行步骤S2:在电路层4远离基底1的一侧形成像素定义层3。
在步骤S3中采用构图工艺对像素定义层3进行处理以在像素定义层3中形成第一开口31和第二开口32时,可以形成上部(远离基底1的一侧)大下部(靠近基底1的一侧)下的具有倒梯形截面形状的第一开口31和第二开口32。本发明实施例通过采用相同的刻蚀工艺形成第一开口31和第二开口32,可以使第一开口31和第二开口32的侧壁的斜率相同,即,可以使对应第一开口31和第二开口32的两个倒梯形的截面的底角相等。而且,由于对应第二OLED器件位置处的像素定义层的厚度较薄,因此,刻蚀完毕之后形成的第二开口32的深度将小于第一开口31的深度,且,第一开口31靠近基底1的表面与基底1的垂直距离即为上述H1,第二开口32靠近基底1的表面与基底的垂直距离即为上述H2。如此一来,便可形成具有较大面积的第二开口32和具有较小面积的第一开口31。其中,第一开口31和第二开口32的面积指的是二者靠近基底1的底面的面积。在后续步骤S4中通过喷墨打印工艺打印形成第一腔长调节层213和第二腔长调节层223时,通过在第一开口31和第二开口32内打印相同体积和浓度的墨水,后续通过干燥工艺便可形成相同体积的第一腔长调节层213和第二腔长调节层223。由于第一开口31的底面积较小,第二开口32的底面积较大,因此,形成的第一腔长调节层213的高度会较大,第二腔长调节层223的高度会较小,从而实现了对第一OLED器件和第二OLED器件的腔长的差异化设置。
应当理解的是,图10仅是以在平坦化层5对应第二OLED器件的位置处形成凸起结构51作为示意,实际上,还可以在对应第三OLED器件的位置处也设置上述凸起结构51,以使对应第三OLED器件的第三开口具有与第二开口相同的形貌和尺寸,本发明实施例在此不再赘述。
在第一腔长调节层213和第二腔长调节层223为空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层中的任意一种或几种时,如图8所示,上述制备方法还包括:
步骤S5:在第一开口31内形成第一有机发光层214,在第二开口32内形成第二有机发光层224;其中,第一有机发光层214和第二有机发光层224的出光颜色不同;且,第一有机发光层214的出射光线的波长大于第二有机发光层224的出射光线的波长。如此设置可以使第一OLED器件21和第二OLED器件22二者的腔长满足各自所需的腔长要求,从而二者的有机发光层发出的光线均能得到有效的谐振增强,提高第一OLED器件21和第二OLED器件22的出光效率,以及提高从二者射出的光线的色纯度。
需要说明的是,上述步骤S4与步骤S5的顺序可以根据形成的腔长调节层的类型,以及有机发光器件的电极位置进行调节,本发明实施例对此不做限定。例如,在第一腔长调节层和第二腔长调节层为空穴传输层和/或空穴注入层时,可以先进行腔长调节层的制备,然后进行有机发光层的制备。在第一腔长调节层和第二腔长调节层为电子传输层和/或电子注入层时,可以先进行有机发光层的制备,然后进行腔长调节层的制备。
示例性的,上述第一有机发光层214的出射光线为红光,第二有机发光层224的出射光线为绿光。
如图8所示,本发明实施例提供的制备方法还包括:
在像素定义层3中形成第三开口33;
在第三开口33内形成第三腔长调节层233和第三有机发光层234;其中,第三有机发光层234的出射光线为蓝光;第三开口33在基底1所在平面的正投影的面积与第二开口32在基底1所在平面的正投影的面积相等。
在本发明实施例中,在第一腔长调节层213和第二腔长调节层223形成之后,可以继续制备各个子像素的第二电极,以形成如图2所示结构,该过程与现有技术相同,在此不再赘述。
本发明实施例还提供了一种显示装置,如图11所示,图11为本发明实施例提供的一种显示装置的示意图,该显示装置包括上述的显示面板100。其中,显示面板100的具体结构已经在上述实施例中进行了详细说明,此处不再赘述。当然,图11所示的显示装置仅仅为示意说明,该显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。
本发明实施例提供的显示装置,令第一腔长调节层213的高度h1大于第二腔长调节层223的高度h2,可以使第一OLED器件21的腔长大于第二OLED器件22的腔长。在第一OLED器件21和第二OLED器件22的出光颜色不同时,如此设置可以使二者的腔长满足各自所需的腔长要求,从而使第一OLED器件21和第二OLED器件22中的有机发光层发出的光线均能得到有效的谐振增强,提高第一OLED器件21和第二OLED器件22的出光效率,以及提高从二者射出的光线的色纯度。
而且,在将第一腔长调节层213的高度h1设置为大于第二腔长调节层223的高度h2的基础上,本发明实施例将第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的体积设置为相等或近似相等,在制备第一腔长调节层213和第二腔长调节层223时,无需对第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的制备工艺进行差异化设置,能够降低制备高度不同的第一腔长调节层213和第二腔长调节层223的工艺复杂度,有效提高了工艺效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明保护的范围之内。

Claims (22)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基底;
像素定义层,位于所述基底的一侧;所述像素定义层至少包括第一开口和第二开口;
第一腔长调节层和第二腔长调节层,所述第一腔长调节层位于所述第一开口内,所述第二腔长调节层位于所述第二开口内;所述第一腔长调节层的体积V1和所述第二腔长调节层的体积V2满足|V1-V2|≤1pL;
沿所述显示面板的法线方向,所述第一腔长调节层的高度大于所述第二腔长调节层的高度。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一开口在所述基底所在平面的正投影的面积小于所述第二开口在所述基底所在平面的正投影的面积。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述像素定义层还包括非开口部,与所述第一开口相邻的两个所述非开口部的距离为d1,与所述第二开口相邻的两个所述非开口部的距离为d2,其中,d1≤d2。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述像素定义层还包括非开口部,所述非开口部包括相对设置的第一底面和第二底面;所述第一底面为所述非开口部远离所述基底一侧的表面,所述第一底面的面积为S1;所述第二底面为所述非开口部靠近所述基底一侧的表面,所述第二底面的面积为S2;
其中,S2>S1。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
所述第一开口和所述第二开口沿垂直于所述显示面板的截面形状均为等腰梯形,且,对应所述第一开口的梯形的底角和对应所述第二开口的梯形的底角相等;
所述第一开口靠近所述基底的表面与所述基底的垂直距离为H1,所述第二开口靠近所述基底的表面与所述基底的垂直距离为H2;其中,H1<H2。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
出光颜色不同的第一有机发光层和第二有机发光层;所述第一有机发光层位于所述第一开口内,所述第二有机发光层位于所述第二开口内;
所述第一有机发光层的出射光线的波长大于所述第二有机发光层的出射光线的波长。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述第一有机发光层的出射光线为红光,所述第二有机发光层的出射光线为绿光;
所述像素定义层还包括第三开口;
所述显示面板还包括位于所述第三开口内的第三腔长调节层和第三有机发光层,所述第三有机发光层的出射光线为蓝光;
所述第三开口在所述基底所在平面的正投影的面积与所述第二开口在所述基底所在平面的正投影的面积相等。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一腔长调节层和所述第二腔长调节层的材料相同。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,
所述第一腔长调节层和所述第二腔长调节层包括空穴传输层和/或空穴注入层。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一腔长调节层的体积V1满足:
Figure FDA0002671234750000031
其中,S11为所述第一腔长调节层远离所述基底的表面的面积,S12为所述第一腔长调节层靠近所述基底的表面的面积,h1为所述第一腔长调节层沿所述显示面板的法线方向的高度;
所述第二腔长调节层的体积V2满足:
Figure FDA0002671234750000032
其中,S21为所述第二腔长调节层远离所述基底的表面的面积,S22为所述第二腔长调节层靠近所述基底的表面的面积,h2为所述第二腔长调节层沿所述显示面板的法线方向的高度。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,
S11>S12;S21>S22;S22>S12
12.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,
所述第一腔长调节层远离所述基底的表面和靠近所述基底的表面的形状为圆形,且,所述第一腔长调节层远离所述基底的表面的半径为R1,所述第一腔长调节层靠近所述基底的表面的半径为r1,R1>r1;
所述第二腔长调节层远离所述基底的表面和靠近所述基底的表面的形状为圆形,且,所述第二腔长调节层远离所述基底的表面的半径为R2,所述第二腔长调节层靠近所述基底的表面的半径为r2,R2>r2;
所述第一腔长调节层的体积V1满足:
Figure FDA0002671234750000041
所述第二腔长调节层的体积V2满足:
Figure FDA0002671234750000042
13.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
V1=V2
14.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供基底;
在所述基底的一侧形成像素定义层;
在所述像素定义层中至少形成第一开口和第二开口;
在所述第一开口内形成第一腔长调节层,在所述第二开口内形成第二腔长调节层;所述第一腔长调节层的体积V1和所述第二腔长调节层的体积V2满足|V1-V2|≤1pL;
沿所述显示面板的法线方向,所述第一腔长调节层的高度大于所述第二腔长调节层的高度。
15.根据权利要求14所述的制备方法,其特征在于,
形成所述第一腔长调节层和所述第二腔长调节层的方法包括喷墨打印。
16.根据权利要求14所述的制备方法,其特征在于,
所述第一腔长调节层和所述第二腔长调节层采用同一工艺制备。
17.根据权利要求14所述的制备方法,其特征在于,
在所述基底的一侧形成所述像素定义层,在所述像素定义层中至少形成第一开口和第二开口,包括:
采用构图工艺对所述像素定义层进行处理,在所述像素定义层中形成所述第一开口、所述第二开口和非开口部;其中,
所述第一开口在所述基底所在平面的正投影的面积小于所述第二开口在所述基底所在平面的正投影的面积。
18.根据权利要求17所述的制备方法,其特征在于,
使所述第一开口在所述基底所在平面的正投影的面积小于所述第二开口在所述基底所在平面的正投影的面积,包括:
使与所述第一开口相邻的两个所述非开口部的距离d1,与所述第二开口相邻的两个所述非开口部的距离d2,满足,d1≤d2。
19.根据权利要求14所述的制备方法,其特征在于,还包括:
在所述第一开口内形成第一有机发光层,在所述第二开口内形成第二有机发光层;其中,
所述第一有机发光层和所述第二有机发光层的出光颜色不同;且,所述第一有机发光层的出射光线的波长大于所述第二有机发光层的出射光线的波长。
20.根据权利要求19所述的制备方法,其特征在于,
所述第一有机发光层的出射光线为红光,所述第二有机发光层的出射光线为绿光;
所述制备方法还包括:
在所述像素定义层中形成第三开口;
在所述第三开口内形成第三腔长调节层和第三有机发光层;其中,
所述第三有机发光层的出射光线为蓝光;所述第三开口在所述基底所在平面的正投影的面积与所述第二开口在所述基底所在平面的正投影的面积相等。
21.根据权利要求14所述的制备方法,其特征在于,
在所述第一开口内形成第一腔长调节层,在所述第二开口内形成第二腔长调节层;所述第一腔长调节层的体积V1和所述第二腔长调节层的体积V2满足|V1-V2|≤1pL,包括:
使V1=V2
22.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-13任一项所述的显示面板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113745428A (zh) * 2021-08-23 2021-12-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及移动终端

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI277520B (en) * 2006-04-07 2007-04-01 Icf Technology Co Ltd Thin film pattern layer structure and method of manufacturing the same
WO2012017500A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 有機el表示パネル、表示装置、及び有機el表示パネルの製造方法
US20170194394A1 (en) * 2015-07-23 2017-07-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic Light-Emitting Display Substrate, Method of Fabricating the Same, Display Panel, and Display Device
CN108598140A (zh) * 2018-06-26 2018-09-28 上海天马微电子有限公司 一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置
CN109616500A (zh) * 2018-12-06 2019-04-12 合肥鑫晟光电科技有限公司 有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置
CN110120409A (zh) * 2019-05-05 2019-08-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI277520B (en) * 2006-04-07 2007-04-01 Icf Technology Co Ltd Thin film pattern layer structure and method of manufacturing the same
WO2012017500A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 有機el表示パネル、表示装置、及び有機el表示パネルの製造方法
US20170194394A1 (en) * 2015-07-23 2017-07-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic Light-Emitting Display Substrate, Method of Fabricating the Same, Display Panel, and Display Device
CN108598140A (zh) * 2018-06-26 2018-09-28 上海天马微电子有限公司 一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置
CN109616500A (zh) * 2018-12-06 2019-04-12 合肥鑫晟光电科技有限公司 有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置
CN110120409A (zh) * 2019-05-05 2019-08-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113745428A (zh) * 2021-08-23 2021-12-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及移动终端

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