CN113345941A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,所述显示面板包括:衬底基板;平坦层,设置于所述衬底基板上;第一电极层,设置于所述平坦层上,所述第一电极层包括在第一方向和第二方向上分别间隔排列的多个第一电极,所述第一方向与所述第二方向相交;第一像素定义层,设置于所述平坦层上,且分别沿所述第一方向和所述第二方向设置于相邻所述第一电极之间的间隔中;第二像素定义层,沿所述第二方向设置于相邻所述第一电极之间的所述第一像素定义层上。避免后续干法蚀刻制程中对平坦层厚度的影响,防止了第二像素定义层图案化时形成凹形,降低出现桥接现象的概率;降低了所需第二像素定义层的厚度,节省了材料,降低了成本。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
显示技术不断更迭,显示器件朝着多功能和数字化方向发展。大尺寸、高解析度、高色饱、节能、高亮、柔性、透明等逐渐成为技术发展的主流趋势,包括量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)在内的有机发光二极管(OrganicElectroluminesence Display,OLED能够最终实现以上极致性能。
OLED画质优于液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD),在形态方面有更多的自由度,有轻薄、透明度高、柔性等特点。在OLED技术中,如果做大尺寸,印刷工艺是目前首要的技术选择路线,其中像素定义层或者挡墙层,又影响着印刷品质的好坏,其中桥接是在印刷中常见的问题之一。在目前的工艺中,第一像素定义层需要做到0.4um,设备制成能力有限,不能一次涂布到此厚度,未解决此问题,目前做法是先涂布第一像素定义层到>0.8um,再通过干法蚀刻减薄到0.4um。但是这样会带了问题,在无第一像素定义层的区域,底层平坦层也会被减薄。在第二像素定义层图形化时,第二像素定义层会呈现凹形,在印刷制程中,比较易发生桥接现象。
综上所述,现有技术中存在减薄第一像素定义层容易减薄其它膜层,从而使得第二像素定义层形成凹形,进而发生桥接现象导致不良的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,用于解决现有技术中存在减薄第一像素定义层容易减薄其它膜层,从而使得第二像素定义层形成凹形,进而发生桥接现象导致不良的技术问题。
为解决上述问题,第一方面,本发明提供一种显示面板,包括:
衬底基板;
平坦层,设置于所述衬底基板上;
第一电极层,设置于所述平坦层上,所述第一电极层包括在第一方向和第二方向上分别间隔排列的多个第一电极,所述第一方向与所述第二方向相交;
第一像素定义层,设置于所述平坦层上,且分别沿所述第一方向和所述第二方向设置于相邻所述第一电极之间的间隔中;
第二像素定义层,沿所述第二方向设置于相邻所述第一电极之间的所述第一像素定义层上。
在本发明的一些实施例中,所述第二像素定义层在所述平坦层上的正投影覆盖所述第二方向上的所述第一像素定义层在所述平坦层上的正投影。
在本发明的一些实施例中,所述第二像素定义层的截面为梯形,所述第二像素定义层的上表面面积小于所述第二像素定义层的下表面面积。
在本发明的一些实施例中,所述第二像素定义层与所述第一像素定义层的接触面保持水平或者向所述第二像素定义层的一侧凸起。
在本发明的一些实施例中,所述第一像素定义层的厚度大于或者等于所述第一电极层的厚度。
在本发明的一些实施例中,所述第一像素定义层的厚度小于或等于0.4um。
在本发明的一些实施例中,所述第一像素定义层的材料是正向光阻材料,所述第二像素定义层的材料是负向光阻材料;或者所述第一像素定义层的材料是负向光阻材料,所述第二像素定义层的材料是正向光阻材料。
第二方面,本发明提供一种显示面板的制备方法,所述制备方法用于制备如第一方面中任一所述的显示面板,包括以下步骤:
提供一TFT基板,在所述TFT基板的平坦层表面制备第一电极层,所述第一电极层包括沿第一方向和第二方向上分别间隔排列的多个第一电极,所述第一方向与所述第二方向相交;
在所述平坦层上沿所述第一方向和所述第二方向制备第一像素定义层,所述第一像素定义层位于相邻所述第一电极之间的间隔中;
在所述第一像素定义层上沿所述第二方向制备第二像素定义层,所述第二像素定义层位于相邻所述第一电极之间的间隔中。
在本发明的一些实施例中,在制备所述第一像素定义层的步骤中包括:在所述平坦层上沿所述第一方向和所述第二方向制备第一像素定义薄膜,并对所述第一像素定义薄膜进行减薄处理,得到所述第一像素定义层。
第三方面,本发明提供一种显示装置,所述显示装置包括如第一方面任一项实施例所述的显示面板。
相较于现有的显示面板及其制备方法、显示装置,本发明通过同时设置第一方向和第二方向上的第一像素定义层,保护了平坦层,避免后续干法蚀刻制程中对平坦层厚度的影响,从而防止了第二像素定义层图案化时形成凹形,降低出现桥接现象的概率;同时,降低了所需第二像素定义层的厚度,节省了材料,降低了成本,提高了生产良率和产品质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一个实施例中一种显示面板的结构示意图;
图2为本发明一个实施例中制备方法的流程图;
图3A~3B为本发明一个实施例中制备方法的分步示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请中,“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明,给出了以下描述。在以下描述中,为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是,本领域普通技术人员可以认识到,在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中,不会对公知的结构和过程进行详细阐述,以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此,本发明并非旨在限于所示的实施例,而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
目前做法是先涂布第一像素定义层到>0.8um,再通过干法蚀刻减薄到0.4um。但是这样会带了问题,在无第一像素定义层的区域,底层平坦层也会被减薄。在第二像素定义层图形化时,第二像素定义层会呈现凹形,在印刷制程中,比较易发生桥接现象。
基于此,本发明实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法。以下分别进行详细说明。
首先,本发明实施例提供一种显示面板。如图1所示,图1为本发明一个实施例中一种显示面板的结构示意图。所述显示面板包括:
衬底基板101;
平坦层102,设置于所述衬底基板101上;
第一电极层103,设置于所述平坦层上,所述第一电极层包括在第一方向Rx和第二方向Ry上分别间隔排列的多个第一电极103a,所述第一方向Rx与所述第二方向Ry相交;
第一像素定义层104,设置于所述平坦层102上,且分别沿所述第一方向Rx和所述第二方向Ry设置于相邻所述第一电极103a之间的间隔中;
第二像素定义层105,沿所述第二方向Ry设置于相邻所述第一电极103a之间的所述第一像素定义层104上。
相较于现有的显示面板及其制备方法、显示装置,本发明通过同时设置第一方向Rx和第二方向Ry上的第一像素定义层104,保护了平坦层102,避免后续干法蚀刻制程中对平坦层102厚度的影响,从而防止了第二像素定义层105图案化时形成凹形,降低出现桥接现象的概率;同时,降低了所需第二像素定义层105的厚度,节省了材料,降低了成本,提高了生产良率和产品质量。
在本发明一个实施例中,多个所述第一电极103a在所述第一方向Rx和所述第二方向Ry上间隔排列,所述第一像素定义层104分别包括沿所述第一方向Rx延伸的第一部和沿所述第二方向Ry延伸的第二部,所述第一像素定义层104的第一部填充于所述第二方向Ry上所述第一电极103a的间隔中,所述第二部填充于所述第一方向Rx上所述第一电极103a的间隔中。所述第一像素定义层104与所述第一电极层103共同覆设于所述平坦层102上,从而防止了对所述第一像素定义层104进行干法蚀刻时,所述平坦层102未被所述第一像素定义层104和所述第一电极层103覆盖的区域同样被蚀刻减薄,影响后续其他膜层的设置和性能。
在一个具体的实施例中,所述第一方向Rx与所述第二方向Ry垂直,如图1所示。多个所述第一电极103a呈阵列分布,所述第一像素定义层104的第一部水平排布填充于竖直方向上所述第一电极103a的间隔中,所述第二部竖直排布填充于水平方向上所述第一电极103a的间隔中,所述第一像素定义层104与所述第一电极层103共同覆设于所述平坦层102上。
所述第二像素定义层105在所述平坦层102上的正投影覆盖所述第二方向上Ry的所述第一像素定义层104在所述平坦层102上的正投影。在本实施例中,所述第一像素定义层104和所述第二像素定义层105分隔各个子像素。不同的子像素之间颜色可以相同也可以不同,如图1所示,水平方向上相邻所述子像素之间颜色不同且分别为红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素,竖直方向上相邻的所述子像素之间颜色相同。
所述第二像素定义层105覆设于所述第一像素定义层104的其中一部上,如第二部上。优选的,所述第二像素定义层105覆设于所述第一像素定义层104竖直方向的第二部上。由于所述第二像素定义层105相对于所述平坦层102的高度为所述第二像素定义层105与所述第一像素定义层104的厚度之和,相较于现有技术,在所述第二像素定义层105的高度相同的情况下,所述第二像素定义层105的厚度较小,实现了节省所述第二像素定义层105的材料,降低生产成本的目的。
所述第二像素定义层105的截面为梯形,所述第二像素定义层105的上表面面积小于所述第二像素定义层105的下表面面积。在本实施例中,在后续制程中,需要向相邻所述第二像素定义层105之间喷墨打印发光材料,为了防止所述第二像素定义层105塌陷形成凹形,所述第二像素定义层105的截面上窄下宽,所述第二像素定义层105的下表面面积较大,能够增强所述第二像素定义层的稳定性和机械强度,同时兼具防止相邻所述子像素之间的发光材料桥接和防止发光材料附着于侧壁上造成发光层平坦性不佳的功效。
在一个优选实施例中,所述第二像素定义层105的关键尺寸大于所述第一像素定义层104的关键尺寸。具体的,所述第一像素定义层104在所述平坦层102上的正投影宽度为CD1,所述第二像素定义层105在所述平坦层102上的正投影宽度为CD2,CD1<CD2。所述第二像素定义层105的正投影宽度较大实际上仍然是所述第二像素定义层105的下表面面积较大,能够增强所述第二像素定义层的稳定性和机械强度。
所述第二像素定义层105与所述第一像素定义层104的接触面保持水平或者向所述第二像素定义层105的一侧凸起。所述第一像素定义层104的厚度大于或者等于所述第一电极层103的厚度。在本实施例中,由于所述第二像素定义层105覆设于所述第一像素定义层104上,所述第一像素定义层104的厚度大于或者等于所述第一电极层103的厚度,所述第二像素定义层105的正投影宽度大于所述第一像素定义层104的正投影宽度,所述第二像素定义层105的下表面同时与所述第一像素定义层104和所述第一电极层103的上表面接触。当所述第一像素定义层104的厚度与所述第一电极层103的厚度相等,所述第二像素定义层105与所述第一像素定义层104的接触面保持水平。当所述第一像素定义层104的厚度大于所述第一电极层103的厚度,所述第二像素定义层105与所述第一像素定义层104的接触面向所述第二像素定义层105的一侧凸起。这两种实施例中,所述第二像素定义层105均不会发生塌陷形成凹形,避免了不同所述子像素内的发光材料发生桥接。
优选的,所述第一像素定义层的厚度小于或等于0.4um。
所述第一像素定义层104的材料是正向光阻材料,所述第二像素定义层105的材料是负向光阻材料;或者所述第一像素定义层104的材料是负向光阻材料,所述第二像素定义层105的材料是正向光阻材料。
在本实施例中,所述第一像素定义层104采用无机材料,所述第二像素定义层105采用有机疏水材料。具体地,所述第二像素定义层105可采用有机硅、有机氟、聚烯烃、聚碳酸酯、聚酰胺或聚丙烯腈。无机材料的制程能够改善所述第一像素定义层104的厚度,提高减薄水平。所述第一像素定义层104厚度降低后,能够改善发光材料的爬坡流动性。所述第二像素定义层105主要用于分隔不同颜色的发光材料,采用有机疏水材料,防止发光材料105混色,影响显示效果。具体地,第一像素定义层104采用氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中任一种或多种的组合。使第一像素定义层104的厚度保证在0.4μm以下。所述第一像素定义层104与所述第二像素定义层105的光阻材料类型不同,以免在分别对其中一者进行刻蚀制程时,对另一者造成影响。
为了更好地实施本发明实施例中的显示面板,在所述显示面板的基础之上,本发明实施例中还提供一种显示面板的制备方法,所述制备方法用于制备如上述实施例中所述的显示面板。
如图2和图3A~3B所示,图2为本发明一个实施例中制备方法的流程图,图3A~3B为本发明一个实施例中制备方法的分步示意图。所述显示面板的制备方法,包括以下步骤:
S1、提供一TFT基板100,在所述TFT基板100的平坦层102表面制备第一电极层103,所述第一电极层103包括沿第一方向Rx和第二方向Ry上分别间隔排列的多个第一电极103a,所述第一方向Rx与所述第二方向Ry相交;
具体的,所述TFT基板100包括所述衬底基板101、薄膜晶体管阵列层和所述平坦层102。
S2、在所述平坦层102上沿所述第一方向Rx和所述第二方向Ry制备第一像素定义层104,所述第一像素定义层104位于相邻所述第一电极103a之间的间隔中;
在一个具体的实施例中,在制备所述第一像素定义层104的步骤S2中包括:
S201、在所述平坦层102上沿所述第一方向Rx和所述第二方向Ry制备所述第一像素定义薄膜,如图3A所示。
S202、对所述第一像素定义薄膜进行减薄处理,得到所述第一像素定义层104,如图3B所示。
S3、在所述第一像素定义层104上沿所述第二方向Ry制备第二像素定义层105,所述第二像素定义层105位于相邻所述第一电极103a之间的间隔中,如图1所示。
本发明还提供一种显示装置,所述显示装置包括如上述任一实施例所述的显示面板。通过采用如上述实施例中描述的显示面板,进一步提升了所述显示装置的性能。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见上文针对其他实施例的详细描述,此处不再赘述。具体实施时,以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现,也可以进行任意组合,作为同一或若干个实体来实现,以上各个单元、结构或操作的具体实施可参见前面的方法实施例,在此不再赘述。
以上对本发明实施例进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
平坦层,设置于所述衬底基板上;
第一电极层,设置于所述平坦层上,所述第一电极层包括在第一方向和第二方向上分别间隔排列的多个第一电极,所述第一方向与所述第二方向相交;
第一像素定义层,设置于所述平坦层上,且分别沿所述第一方向和所述第二方向设置于相邻所述第一电极之间的间隔中;
第二像素定义层,沿所述第二方向设置于相邻所述第一电极之间的所述第一像素定义层上。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二像素定义层在所述平坦层上的正投影覆盖所述第二方向上的所述第一像素定义层在所述平坦层上的正投影。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二像素定义层的截面为梯形,所述第二像素定义层的上表面面积小于所述第二像素定义层的下表面面积。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二像素定义层与所述第一像素定义层的接触面保持水平或者向所述第二像素定义层的一侧凸起。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一像素定义层的厚度大于或者等于所述第一电极层的厚度。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一像素定义层的厚度小于或等于0.4um。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一像素定义层的材料是正向光阻材料,所述第二像素定义层的材料是负向光阻材料;或者所述第一像素定义层的材料是负向光阻材料,所述第二像素定义层的材料是正向光阻材料。
8.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一TFT基板,在所述TFT基板的平坦层表面制备第一电极层,所述第一电极层包括沿第一方向和第二方向上分别间隔排列的多个第一电极,所述第一方向与所述第二方向相交;
在所述平坦层上沿所述第一方向和所述第二方向制备第一像素定义层,所述第一像素定义层位于相邻所述第一电极之间的间隔中;
在所述第一像素定义层上沿所述第二方向制备第二像素定义层,所述第二像素定义层位于相邻所述第一电极之间的间隔中。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在制备所述第一像素定义层的步骤中包括:在所述平坦层上沿所述第一方向和所述第二方向制备第一像素定义薄膜,并对所述第一像素定义薄膜进行减薄处理,得到所述第一像素定义层。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~7任一项所述的显示面板。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20210903 |
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