CN102017219A - 层压结构体 - Google Patents

层压结构体 Download PDF

Info

Publication number
CN102017219A
CN102017219A CN2009801162956A CN200980116295A CN102017219A CN 102017219 A CN102017219 A CN 102017219A CN 2009801162956 A CN2009801162956 A CN 2009801162956A CN 200980116295 A CN200980116295 A CN 200980116295A CN 102017219 A CN102017219 A CN 102017219A
Authority
CN
China
Prior art keywords
formula
expression
substituent
group
conjugated polymer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2009801162956A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102017219B (zh
Inventor
田中正信
田中健太
山内掌吾
东村秀之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Publication of CN102017219A publication Critical patent/CN102017219A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102017219B publication Critical patent/CN102017219B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/02—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/122—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/20—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the material in which the electroluminescent material is embedded
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/10—Definition of the polymer structure
    • C08G2261/12—Copolymers
    • C08G2261/124—Copolymers alternating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/10—Definition of the polymer structure
    • C08G2261/14—Side-groups
    • C08G2261/142—Side-chains containing oxygen
    • C08G2261/1426—Side-chains containing oxygen containing carboxy groups (COOH) and/or -C(=O)O-moieties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
    • C08G2261/31—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain
    • C08G2261/314—Condensed aromatic systems, e.g. perylene, anthracene or pyrene
    • C08G2261/3142—Condensed aromatic systems, e.g. perylene, anthracene or pyrene fluorene-based, e.g. fluorene, indenofluorene, or spirobifluorene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
    • C08G2261/31—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain
    • C08G2261/316—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
    • C08G2261/32—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain
    • C08G2261/322—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain non-condensed
    • C08G2261/3221—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain non-condensed containing one or more nitrogen atoms as the only heteroatom, e.g. pyrrole, pyridine or triazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/50—Physical properties
    • C08G2261/52—Luminescence
    • C08G2261/522—Luminescence fluorescent
    • C08G2261/5222—Luminescence fluorescent electrofluorescent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/70—Post-treatment
    • C08G2261/80—Functional group cleavage, e.g. removal of side-chains or protective groups
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Abstract

层压结构体，该层压结构体具有第一电极和第二电极，在该第一电极与该第二电极之间具有发光层或电荷分离层，在该发光层或电荷分离层与该第一电极之间具有包含共轭高分子化合物的层，该共轭高分子化合物具有选自式(1)所示的重复单元中的重复单元，(1)(式中，Ar1表示二价芳基，R1表示含有式(2)所示的基团的取代基，该Ar1可以具有R1以外的取代基，n1表示1以上的整数)-(R2)c1-(Q1)n2-Y1(M1)a1(Z1)b1(2)(式中，R2表示可以具有取代基的二价芳基，Q1表示可以具有取代基的二价有机基团，Y1表示碳阳离子、铵阳离子、膦酰基阳离子或磺酰基阳离子，M1表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RaSO3 -、RaCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -或PF6 -，Z1表示金属离子或可以具有取代基的铵离子，c1表示0或1，n2表示0以上的整数，其中，c1为0时n2为0，a1表示1以上的整数，b1表示0以上的整数，选择a1和b1以使式(2)所示的取代基的电荷为0，Ra表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基)。-(R2)c1-(Q1)n2-Y1(M1)m1(Z1)b1 (2)。

Description

层压结构体
技术领域
本发明涉及层压结构体。
背景技术
为了提高含有层压结构体的电致发光元件或光电转换元件的特性，对在电致发光元件的发光层与电极之间或光电转换元件的电荷分离层与电极之间插入各种层进行了研究。例如已知在发光层与电极之间具有包含非共轭高分子化合物的层的电致发光元件，所述非共轭高分子化合物含有具有阳离子和2个杂原子的取代基(日本特表2003-530676号公报)。
发明内容
但是，上述电致发光元件的亮度还不充分。
本发明的目的在于，提供可以提供以高亮度发光的电致发光元件的层压结构体。
即，本发明第一提供层压结构体，该层压结构体具有第一电极和第二电极，在该第一电极与该第二电极之间具有发光层或电荷分离层，在该发光层或电荷分离层与该第一电极之间具有包含共轭高分子化合物的层，该共轭高分子化合物具有选自式(1)所示的重复单元、式(3)所示的重复单元和式(5)所示的重复单元中的1种以上重复单元，
(式中，R1含有式(2)所示的基团，Ar1表示二价芳基，R1表示含有式(2)所示的基团的取代基，该Ar1可以具有R1以外的取代基。n1表示1以上的整数。R1存在多个时，它们可以相同或不同)。
    -(R2)c1-(Q1)n2-Y1(M1)a1(Z1)b1    (2)
(式中，R2表示可以具有取代基的二价芳基，Q1表示可以具有取代基的二价有机基团，Y1表示碳阳离子、铵阳离子、膦酰基阳离子或磺酰基阳离子，M1表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RaSO3 -、RaCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -或PF6 -，Z1表示金属离子或可以具有取代基的铵离子，c1表示0或1，n2表示0以上的整数，c1为0时n2表示0。a1表示1以上的整数，b1表示0以上的整数。选择a1和b1以使式(2)所示的取代基的电荷为0。Ra表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基。Q1存在多个时，它们可以相同或不同。M1存在多个时，它们可以相同或不同。Z1存在多个时，它们可以相同或不同)。
Figure BPA00001253077300021
(式中，Ar2表示二价芳基，R3表示含有式(4)所示的基团的取代基，该Ar2可以具有R3以外的取代基。n3表示1以上的整数。R3存在多个时，它们可以相同或不同)。
    -(R4)c2-(Q2)n4-Y2(M2)a2(Z2)b2    (4)
(式中，R4表示可以具有取代基的二价芳基，Q2表示可以具有取代基的二价有机基团，Y2表示-CO2 -、-SO3 -、-SO2 -或-PO3 2-，M2表示金属阳离子或可以具有取代基的铵阳离子，Z2表示F-、Cl-、Br-、I-OH-、RbSO3 -、RbCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -或PF6 -，c2表示0或1，n4表示0以上的整数。其中，Y2为SO3 -时，n4为0。a2表示1以上的整数，b2表示0以上的整数。选择a2和b2以使式(4)所示的取代基的电荷为0。Rb表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基。Q2存在多个时，它们可以相同或不同。M2存在多个时，它们可以相同或不同。Z2存在多个时，它们可以相同或不同)。
Figure BPA00001253077300031
(式中，Ar3表示二价芳基，R5表示含有式(6)所示的基团的取代基，该Ar3可以具有R5以外的取代基。n5表示1以上的整数。存在的多个R5可以相同或不同)。
        -R6{-(CH2)n6-Y3}m1    (6)
(式中，R6表示一价芳基，n6表示0以上的整数，m1表示1以上的整数。Y3表示-CN或式(7)～(14)所示的基团。Y3存在多个时，它们可以相同或不同。n6存在多个时，它们可以相同或不同。式(6)中含有4个以上杂原子)。
-O-(R’O)a4-R”  (7)
-S-(R’S)a3-R”  (8)
-C(＝O)-(R’-C(＝O))a3-R”  (9)
-C(＝S)-(R’-C(＝S))a3-R”  (10)
-N(R’)-(N(R’))a3-R”  (11)
-C(＝O)O-(R’-C(＝O)O)a3-R”  (12)
-C(＝O)-O-(R’O)a3-R”  (13)
-NHC(＝O)-(R’NHC(＝O))a3-R”  (14)
(式(7)～(14)中，R’表示可以具有取代基的二价烃基，R”表示氢原子、可以具有取代基的一价烃基、-COOH、-SO3H、-OH、-SH、-NRc 2、-CN或-C(＝O)NRc 2，a3表示0以上的整数，a4表示3～20的整数。Rc表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基。R’存在多个时，它们可以相同或不同)。
本发明第二提供第一电极为阴极的上述层压结构体。
本发明第三提供层压体结构体，该层压结构体具有第一电极和第二电极，在该第一电极与该第二电极之间具有发光层或电荷分离层，在该发光层或电荷分离层与该第一电极之间具有包含不溶于溶解度参数小于9.3的溶剂的共轭高分子化合物的层。
本发明第四提供含有上述层压结构体的电致发光元件。
本发明第五提供含有上述层压结构体的光电转换元件。
本发明第六提供含有式(15)所示的重复单元的共轭高分子化合物。
Figure BPA00001253077300041
(式中，R7表示可以具有取代基的二价芳基。Q3表示可以具有取代基的亚烷基或可以具有取代基的氧基亚烷基，Y1表示碳阳离子、铵阳离子、膦酰基阳离子或磺酰基阳离子，M1表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RaSO3 -、RaCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -或PF6 -，Z1表示金属离子或可以具有取代基的铵离子，n2表示0以上的整数。a1表示1以上的整数，b1表示0以上的整数。选择a1和b1以使式(15)所示的重复单元的电荷为0。Ra表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基。存在的多个R7、Y1、M1、a1、b1、n2可以相同或不同。Z1存在多个时，它们可以相同或不同。Q3存在多个时，它们可以相同或不同)。
本发明的第七提供含有式(16)所示的重复单元的共轭高分子化合物。
Figure BPA00001253077300051
(式中，R8表示可以具有取代基的二价芳基。Q4表示可以具有取代基的亚烷基或可以具有取代基的氧基亚烷基，Y2表示-CO2 -、-SO3 -、-SO2 -或-PO3 -，M2表示金属阳离子或可以具有取代基的铵阳离子，Z2表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RbSO3 -、RbCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -或PF6 -，n4表示0以上的整数。其中，Y2为SO3 -时，n4为0。a2表示1以上的整数，b2表示0以上的整数。选择a2和b2以使式(16)所示的重复单元的电荷为0。Rb表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基。存在的多个R8、Y2、M2、a2、b2、n4可以相同或不同。Z2存在多个时，它们可以相同或不同。Q4存在多个时，它们可以相同或不同)。
本发明的第八提供含有式(17)所示的重复单元的共轭高分子化合物。
Figure BPA00001253077300052
(式中，R6表示一价芳基，n6表示0以上的整数，m1表示1以上的整数。Y3表示-CN或式(7)～(14)所示的基团。存在的多个R6、m1、n6、Y3可以相同或不同。
-O-(R’O)a4-R”  (7)
-S-(R’S)a3-R”  (8)
-C(＝O)-(R’-C(＝O))a3-R”  (9)
-C(＝S)-(R’-C(＝S))a3-R”  (10)
-N(R’)-(N(R’))a3-R”  (11)
-C(＝O)O-(R’-C(＝O)O)a3-R”  (12)
-C(＝O)-O-(R’O)a3-R”  (13)
-NHC(＝O)-(R’NHC(＝O))a3-R”  (14)
(式(7)～(14)中，R’表示可以具有取代基的二价烃基，R”表示氢原子、可以具有取代基的一价烃基、-COOH、-SO3H、-OH、-SH、-NRc 2、-CN或-C(＝O)NRc 2，a3表示0以上的整数，a4表示3～20的整数。Rc表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基。R’存在多个时，它们可以相同或不同)。
具体实施方式
以下对本发明进行具体的说明。
本发明中使用的共轭高分子化合物具有选自式(1)所示的重复单元、式(3)所示的重复单元和式(5)所示的重复单元中的1种以上重复单元。作为该共轭高分子化合物，可以举出仅具有式(1)所示的重复单元的共轭高分子化合物、仅具有式(3)所示的重复单元的共轭高分子化合物、仅具有式(5)所示的重复单元的共轭高分子化合物、具有式(1)所示的重复单元和式(3)所示的重复单元的共轭高分子化合物、具有式(1)所示的重复单元和式(5)所示的重复单元的共轭高分子化合物、具有式(3)所示的重复单元和式(5)所示的重复单元的共轭高分子化合物、具有式(1)所示的重复单元、式(3)所示的重复单元和式(5)所示的重复单元的共轭高分子化合物等。
上述共轭高分子化合物可以含有2种以上的式(1)所示的重复单元，可以含有2种以上的式(3)所示的重复单元，还可以含有2种以上的式(5)所示的重复单元。
式(1)所示的重复单元中，Ar1表示二价芳基，R1表示含有式(2)所示的基团的取代基，该Ar1可以具有R1以外的取代基。n1表示1以上的整数。式(2)所示的基团可以与Ar1直接键合或通过可以具有取代基的亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚己基、亚壬基、亚十二烷基、亚环丙基、亚环丁基、亚环戊基、亚环己基、亚环壬基、亚环十二烷基、亚降冰片基、亚金刚烷基等碳原子数为1～50左右的二价亚烷基，可以具有取代基的氧基亚甲基、氧基亚乙基、氧基亚丙基、氧基亚丁基、氧基亚戊基、氧基亚己基、氧基亚壬基、氧基亚十二烷基、亚环丙基氧基、亚环丁基氧基、亚环戊基氧基、亚环己基氧基、亚环壬基氧基、亚环十二烷基氧基、亚降冰片基氧基、亚金刚烷基氧基等碳原子数为1～50左右的氧基亚烷基，可以具有取代基的亚氨基，可以具有取代基的亚甲硅烷基，可以具有取代基的亚乙烯基或亚乙炔基，可以具有取代基的次甲基(methanetriyl)，氧原子、氮原子、硫原子等杂原子与Ar1键合。
作为方式之一，R1为式(2)所示的基团。
作为式(1)中的Ar1表示的二价芳基，可以举出二价芳烃基、二价芳族杂环基，优选为包含选自碳原子、氢原子、氮原子和氧原子中的1个以上原子的二价芳基。作为该二价芳基的例子，可以举出从苯环、吡啶环、1，2-二嗪环、1，3-二嗪环、1，4-二嗪环、1，3，5-三嗪环、呋喃环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、
Figure BPA00001253077300071
唑环、
Figure BPA00001253077300072
二唑环、氮杂二唑(azadiazole)环等单环芳环除去2个氢原子而得到的二价基团，从选自该单环芳环中的两个以上环稠合而成的稠合多环芳环除去2个氢原子而得到的二价基团，从两个以上芳环通过单键、亚乙烯基或亚乙炔基连结而成的多环除去2个氢原子而得到的二价基团，从具有两个芳环通过亚甲基、亚乙基、羰基等二价基团桥联而成的结构的桥联多环芳环(有橋多環式芳香環)除去2个氢原子而得到的二价基团等。
作为单环芳环，可以举出例如以下的环。
Figure BPA00001253077300073
作为稠合多环芳环，可以举出例如以下的环。
Figure BPA00001253077300081
作为两个以上芳环通过单键、亚乙烯基或亚乙炔基连结而成的多环，可以举出例如以下的环。
作为桥联多环芳环，可以举出例如以下的环。
Figure BPA00001253077300091
作为上述二价芳基，从合成原料单体的容易性观点考虑，优选为从式1～15、式27～30、式38～40或式42所示的环除去2个氢原子而得到基团，更优选为从式1～6、式8、式14、式27、式28、式38或式42所示的环除去2个氢原子而得到的基团，进一步优选为从式1、式38或式42所示的环除去2个氢原子而得到的基团。
上述二价芳基具有1个以上R1表示的取代基，可以具有R1表示的取代基以外的取代基。作为该取代基的例子，可以举出烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、一价杂环基、羟基、羧基、取代氧基羰基、氰基或硝基等，上述取代基存在多个时，它们可以相同或不同。
烷基可以为直链状、支链状或环烷基。烷基的碳原子数通常为1～20左右，优选为1～10。作为烷基的例子，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、环己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷基等。上述烷基中的氢原子可以被氟原子取代。作为被氟原子取代的烷基的例子，可以举出三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等。
烷氧基可以为直链状、支链状或环烷氧基，可以具有取代基。烷氧基的碳原子数通常为1～20左右，优选为1～10。作为烷氧基的例子，可以举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十二烷氧基等。
烷氧基还包括甲氧基甲氧基、2-甲氧基乙氧基。
上述烷氧基中的氢原子可以被氟原子取代。作为被氟原子取代的烷氧基的例子，可以举出三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基等。
烷硫基可以为直链状、支链状或环烷硫基，可以具有取代基。烷硫基的碳原子数通常为1～20左右，优选为1～10。作为烷硫基的例子，可以举出甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、环己硫基、庚硫基、辛硫基、壬硫基、癸硫基、十二烷硫基等。上述烷硫基中的氢原子可以被氟原子取代。作为被氟原子取代的烷氧基的例子，可以举出三氟甲硫基等。
芳基为从芳烃除去1个氢原子而得到的原子团，包括具有苯环的芳基、具有稠环的芳基、2个以上独立的苯环或稠环直接或通过亚乙烯基等二价基团键合而成的芳基。芳基的碳原子数通常为6～60左右，优选为7～48。作为芳基的例子，可以举出苯基、C1～C12烷氧基苯基(C1～C12表示碳原子数为1～12，以下也相同)、C1～C12烷基苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基等。上述芳基中的氢原子可以被氟原子取代。作为被氟原子取代的芳基的例子，可以举出五氟苯基等。芳基中，优选为C1～C12烷氧基苯基、C1～C12烷基苯基。
作为C1～C12烷氧基苯基的例子，可以举出甲氧基苯基、乙氧基苯基、丙氧基苯基、异丙氧基苯基、丁氧基苯基、异丁氧基苯基、仲丁氧基苯基、叔丁氧基苯基、戊氧基苯基、己氧基苯基、环己氧基苯基、庚氧基苯基、辛氧基苯基、2-乙基己氧基苯基、壬氧基苯基、癸氧基苯基、3，7-二甲基辛氧基苯基、十二烷氧基苯基等。
作为C1～C12烷基苯基的例子，可以甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、丙基苯基、基、甲基乙基苯基、异丙基苯基、丁基苯基、异丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、异戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二烷基苯基等。
芳氧基的碳原子数通常为6～60左右，优选为7～48。作为芳氧基的例子，可以举出苯氧基、C1～C12烷氧基苯氧基、C1～C12烷基苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、五氟苯氧基等。芳氧基中优选为C1～C12烷氧基苯氧基和C1～C12烷基苯氧基。
作为C1～C12烷氧基苯氧基的例子，可以举出甲氧基苯氧基、乙氧基苯氧基、丙氧基苯氧基、异丙氧基苯氧基、丁氧基苯氧基、异丁氧基苯氧基、仲丁氧基苯氧基、叔丁氧基苯氧基、戊氧基苯氧基、己氧基苯氧基、环己氧基苯氧基、庚氧基苯氧基、辛氧基苯氧基、2-乙基己氧基苯氧基、壬氧基苯氧基、癸氧基苯氧基、3，7-二甲基辛氧基苯氧基、十二烷氧基苯氧基等。
作为C1～C12烷基苯氧基的例子，可以举出甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1，3，5-三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、异丙基苯氧基、丁基苯氧基、异丁基苯氧基、仲丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、异戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基、十二烷基苯氧基等。
芳硫基为上述芳基与硫元素键合而成的基团，上述芳基的芳环上可以具有取代基。芳硫基的碳原子数通常为6～60左右，优选为6～30。作为芳硫基的例子，可以举出苯硫基、C1～C12烷氧基苯硫基、C1～C12烷基苯硫基、1-萘硫基、2-萘硫基、五氟苯硫基等。
芳基烷基为上述芳基与上述烷基键合而成的基团，可以具有取代基。芳基烷基的碳原子数通常为7～60左右，优选为7～30。作为芳基烷基的例子，可以举出苯基-C1～C12烷基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基、1-萘基-C1～C12烷基、2-萘基-C1～C12烷基等。
芳基烷氧基为上述芳基与上述烷氧基键合而成的基团，可以具有取代基。芳基烷氧基的碳原子数通常为7～60左右，优选为7～30。作为芳基烷氧基的例子，可以举出苯基-C1～C12烷氧基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷氧基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷氧基、1-萘基-C1～C12烷氧基、2-萘基-C1～C12烷氧基等。
芳基烷硫基为上述芳基与上述烷硫基键合而成的基团，可以具有取代基。芳基烷硫基的碳原子数通常为7～60，优选为7～30。作为芳基烷硫基的例子，可以举出苯基～C1～C12烷硫基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷硫基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷硫基、1-萘基-C1～C12烷硫基、2-萘基-C1～C12烷硫基等。
芳基烯基为上述芳基与烯基键合而成基团。芳基烯基的碳原子数通常为8～60左右，优选为8～30。作为芳基烯基的例子，可以举出苯基～C2～C12烯基、C1～C12烷氧基苯基-C2～C12烯基、C1～C12烷基苯基-C2～C12烯基、1-萘基-C2～C12烯基、2-萘基-C2～C12烯基等，优选为C1～C12烷氧基苯基-C2～C12烯基、C2～C12烷基苯基-C2～C12烯基。
芳基炔基为上述芳基与炔基键合而成的基团。芳基炔基的碳原子数通常为8～60左右，优选为8～30。作为芳基炔基的例子，可以举出苯基-C2～C12炔基、C1～C12烷氧基苯基-C2～C12炔基、C1～C12烷基苯基-C2～C12炔基、1-萘基-C2～C12炔基、2-萘基-C2～C12炔基等，优选为C1～C12烷氧基苯基-C2～C12炔基、C1～C12烷基苯基-C2～C12炔基。
作为取代氨基，优选为被选自烷基、芳基、芳基烷基和一价杂环基中的1个或2个基团取代的氨基。该烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基可以具有取代基。取代氨基的碳原子数，不包括该取代基的碳原子数通常为1～60左右，优选为2～48。作为取代氨基的例子，可以举出甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、丙基氨基、二丙基氨基、异丙基氨基、二异丙基氨基、丁基氨基、异丁基氨基、仲丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、环己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、2-乙基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基、3，7-二甲基辛基氨基、十二烷基氨基、环戊基氨基、双环戊基氨基、环己基氨基、双环己基氨基、吡咯烷基、哌啶基、二(三氟甲基)氨基、苯基氨基、二苯基氨基、C1～C12烷氧基苯基氨基、二(C1～C12烷氧基苯基)氨基、二(C1～C12烷基苯基)氨基、1-萘基氨基、2-萘基氨基、五氟苯基氨基、吡啶基氨基、哒嗪基氨基、嘧啶基氨基、吡嗪基氨基、三嗪基氨基、苯基-C1～C12烷基氨基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基氨基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基氨基、二(C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基)氨基、二(C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基)氨基、1-萘基-C1～C12烷基氨基、2-萘基-C1～C12烷基氨基等。
作为取代甲硅烷基，优选为被选自烷基、芳基、芳基烷基和一价杂环基中的1～3个基团取代的甲硅烷基。取代甲硅烷基的碳原子数通常为1～60左右，优选为3～48。取代甲硅烷基中的该烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基可以具有取代基。作为取代甲硅烷基的例子，可以举出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、二甲基-异丙基甲硅烷基、二乙基-异丙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基、十二烷基二甲基甲硅烷基、苯基-C1～C12烷基甲硅烷基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基甲硅烷基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基甲硅烷基、1-萘基-C1～C12烷基甲硅烷基、2-萘基-C1～C12烷基甲硅烷基、苯基-C1～C12烷基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、三(对二甲苯基)甲硅烷基、三苄基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基等。
作为卤原子的例子，可以举出氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。
酰基的碳原子数通常为2～20左右，优选为2～18。作为酰基的例子，可以举出乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、新戊酰基、苯甲酰基、三氟乙酰基、五氟苯甲酰基等。
酰氧基的碳原子数通常为2～20左右，优选为2～18。作为酰氧基的例子，可以举出乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、异丁酰氧基、新戊酰氧基、苯甲酰氧基、三氟乙酰氧基、五氟苯甲酰氧基等。
亚胺残基为从亚胺化合物(指的是分子内具有式：-N＝C＝所示的基团的有机化合物，可以举出例如醛亚胺、酮亚胺以及它们的N上的氢原子被烷基等取代而成的化合物)除去1个氢原子而得到的残基，其碳原子数通常为2～20左右，优选为2～18。作为亚胺残基，可以举出例如以下基团。
Figure BPA00001253077300131
酰胺基的碳原子数通常为2～20左右，优选为2～18。作为酰胺基的例子，可以举出甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、二(三氟乙酰胺基)、二(五氟苯甲酰胺基)等。
作为亚酰胺基，可以举出从亚酰胺除去与氮原子键合的氢原子而得到的残基，其碳原子数通常为4～20左右，优选为4～18。作为酰亚胺基，可以举出例如以下的基团。
Figure BPA00001253077300141
一价杂环基指的是从杂环化合物除去1个氢原子而得到的剩余的原子团。一价杂环基的碳原子数通常为4～60左右，优选为4～20。一价杂环基的碳原子数不包括取代基的碳原子数。杂环化合物指的是具有环式结构的有机化合物中构成环的元素不仅含有碳原子，而且环内还含有氧原子、硫原子、氮原子、磷原子、硼原子等杂原子的化合物。作为这种一价杂环基，可以举出例如噻吩基、C1～C12烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C1～C12烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基等，其中，更优选为噻吩基、C1～C12烷基噻吩基、吡啶基和C1～C12烷基吡啶基。
取代氧基羰基为被烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基取代的氧基羰基，即-(C＝O)OR(R为烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基)所示的基团。
取代氧基羰基的碳原子数通常为2～60左右，优选为2～48。上述烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基可以具有取代基。上述碳原子数不包括上述取代基的碳原子数。作为取代氧基羰基的例子，可以举出甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、异丙氧基羰基、丁氧基羰基、异丁氧基羰基、仲丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、环己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、3，7-二甲基辛氧基羰基、十二烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、苯氧基羰基、萘氧基羰基、吡啶氧基羰基等。
Ar1具有R1以外的取代基时，该取代基中，从作为共轭高分子化合物的原料的单体的合成容易性方面考虑，优选为烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、羧基或取代氧基羰基。
式(1)中，n1表示1以上的整数，优选为1～4，更优选为1～3。
本发明中，共轭表示多重键夹着一个单键或氮原子，进行相互作用的状态。
作为方式之一，R1以式(2)表示。
    -(R2)c1-(Q1)n2-Y1(M1)a1(Z1)b1    (2)
(式中，R2表示可以具有取代基的二价芳基，Q1表示可以具有取代基的二价有机基团，Y1表示碳阳离子、铵阳离子、膦酰基阳离子或磺酰基阳离子，M1表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RaSO3 -、RaCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -或PF6 -，Z1表示金属离子或可以具有取代基的铵离子，c1表示0或1，n2表示0以上的整数。其中，c1为0时n2表示0。a1表示1以上的整数，b1表示0以上的整数。选择a1和b1以使式(2)所示的取代基的电荷为0。Ra表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基)。
式(2)中，作为R2表示的二价芳基的例子，可以举出1，4-亚苯基、1，3-亚苯基、1，4-亚萘基、1，5-亚萘基、2，6-亚萘基、2，6-亚蒽基、9，10-亚蒽基、联苯-4，4’-二基等，从合成原料单体的容易性观点考虑，优选为1，4-亚苯基、1，3-亚苯基。
作为上述二价芳基可以具有的取代基，可以举出与上述Ar1可以具有的R1以外的取代基相同的取代基，从使上述共轭高分子化合物热稳定化的观点考虑，优选具有取代基。取代基存在多个时，它们可以相同或不同。
式(2)中，作为Q1表示的二价有机基团的例子，可以举出可以具有取代基的亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚己基、亚壬基、亚十二烷基、亚环丙基、亚环丁基、亚环戊基、亚环己基、亚环壬基、亚环十二烷基、亚降冰片基、亚金刚烷基等碳原子数为1～50左右的二价亚烷基，可以具有取代基的氧基亚甲基、氧基亚乙基、氧基亚丙基、氧基亚丁基、氧基亚戊基、氧基亚己基、氧基亚壬基、氧基亚十二烷基、亚环丙基氧基、亚环丁基氧基、亚环戊基氧基、亚环己基氧基、亚环壬基氧基、亚环十二烷基氧基、亚降冰片基氧基、亚金刚烷基氧基等碳原子数为1～50左右的氧基亚烷基，可以具有取代基的亚氨基，可以具有取代基的亚甲硅烷基，可以具有取代基的亚乙烯基或亚乙炔基，从合成原料单体的容易性方面考虑，优选为亚烷基、氧基亚烷基。
(2)中，Y1表示碳阳离子、铵阳离子、膦酰基阳离子或磺酰基阳离子。
作为碳阳离子，可以举出例如
                  +
                -CR2
(其中，R相同或不同，表示烷基、芳基)所示的基团。
作为铵阳离子，可以举出例如，
                  +
                -NR3
(其中，R相同或不同，表示烷基、芳基)所示的基团。
作为膦酰基阳离子，可以举出例如
                  +
                -PR3
(其中，R相同或不同，表示烷基、芳基)所示的基团。
作为磺酰基阳离子，可以举出例如
                  +
                -SR2
(其中，R相同或不同，表示烷基、芳基)所示的基团。
式(2)中，作为Y1，从合成原料单体的容易性以及原料单体和共轭高分子化合物对于空气、湿气或热的稳定性的观点考虑，优选为铵阳离子。
式(2)中，Z1表示金属离子或可以具有取代基的铵离子。作为金属离子，优选为一价、二价或三价的离子，可以举出Li、Na、K、Cs、Be、Mg、Ca、Ba、Ag、Al、Bi、Cu、Fe、Ga、Mn、Pb、Sn、Ti、V、W、Y、Yb、Zn、Zr的离子。作为铵离子可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等碳原子数为1～10左右的烷基。
式(2)中，从共轭高分子化合物的稳定性的观点考虑，c1优选为1。
式(2)中，n2表示0以上的整数，优选为0～6，更优选为0。
式(2)中，a1表示1以上的整数，优选为1～3，更优选为1～2。b1表示0以上的整数，优选为0～2，更优选为0～1。
选择a1和b1以使式(2)所示的基团的电荷为0。式(2)所示的基团中，
        -(R2)c1-(Q1)n2-Y1
所示的部分的电荷由于通常为+1，以下对此时的a1和b1的关系进行说明。
a)M1为一价阴离子时(即，M1为F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RaSO3 -、RaCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、HSO4 -、H2PO4 -、BF4 -或PF6 -时)
a-1)Z1为一价金属离子或可以具有取代基的铵离子时，
a1＝b1+1
a-2)Z1为二价金属离子时，
a1＝2×b1+1
a-3)Z1为三价金属离子时，
a1＝3×b1+1
b)M1为二价阴离子时(即，M1为SO4 2-、HPO4 2-时)
b-1)Z1为一价金属离子或可以具有取代基的铵离子时，
b1＝2×a1-1
b-2)Z1为二价金属离子时，
满足2×a1＝2×b1+1的关系，
b-3)Z1为三价金属离子时，
2×a1＝3×b1+1
Ra表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基。作为这些基团可以具有的取代基，可以举出与上述Ar1可以具有的R1以外的取代基相同的取代基。取代基存在多个时，它们可以相同或不同。作为Ra的例子，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、环己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷基等碳原子数为1～20的烷基，苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基等碳原子数为6～30的芳基。
式(1)所示的重复单元中，优选Ar1为从式38所示的环除去2个氢原子而得到的基团的重复单元，更优选为下式
Figure BPA00001253077300181
(式中，Ry表示含有式(2)所示的基团的取代基，R*表示Ry、氢原子、烷基或芳基)所示的重复单元。
式(1)所示的重复单元中，从电子传输性方面考虑，优选为式(15)所示的重复单元。
Figure BPA00001253077300191
(式中，R7表示可以具有取代基的二价芳基，Q3表示可以具有取代基的亚烷基或可以具有取代基的氧基亚烷基，n2、Y1、M1、Z1、a1和b1表示与上述相同的意思。存在的多个n2、R7、Y1、M1、a1和b1可以相同或不同。Q3存在多个时，它们可以相同或不同。Z1存在多个时，它们可以相同或不同)。
式(15)中，作为R7表示的二价芳基的离子，可以举出1，4-亚苯基、1，3-亚苯基、1，4-亚萘基、1，5-亚萘基、2，6-亚萘基、2，6-亚蒽基、9，10-亚蒽基、联苯-4，4’-二基等，从合成原料单体的容易性的观点考虑，优选为1，4-亚苯基、1，3-亚苯基。
作为R7表示的二价芳基可以具有的取代基，可以举出与上述Ar1可以具有的R1以外的取代基相同的取代基，从使上述共轭高分子化合物热稳定化的观点考虑，优选具有取代基。取代基存在多个时，它们可以相同或不同。
式(15)所示的重复单元中，从共轭高分子化合物的吸湿性方面考虑，优选为式(18)所示的重复单元。
Figure BPA00001253077300192
(式中，R7、n2、Y1、M1、Z1、a1和b1表示与上述相同的意思)。
作为式(18)所示的重复单元的例子，可以举出以下的重复单元。
式(3)所示的重复单元中，Ar2表示二价芳基，R3表示含有式(4)所示的基团的取代基，该Ar2可以具有R3以外的取代基。n3表示1以上的整数。式(4)所示的基团可以与Ar2直接键合或通过可以具有取代基的亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚己基、亚壬基、亚十二烷基、亚环丙基、亚环丁基、亚环戊基、亚环己基、亚环壬基、亚环十二烷基、亚降冰片基、亚金刚烷基等碳原子数为1～50左右的二价亚烷基，可以具有取代基的氧基亚甲基、氧基亚乙基、氧基亚丙基、氧基亚丁基、氧基亚戊基、氧基亚己基、氧基亚壬基、氧基亚十二烷基、亚环丙基氧基、亚环丁基氧基、亚环戊基氧基、亚环己基氧基、亚环壬基氧基、亚环十二烷基氧基、亚降冰片基氧基、亚金刚烷基氧基等碳原子数为1～50左右的氧基亚烷基，可以具有取代基的亚氨基，可以具有取代基的亚甲硅烷基，可以具有取代基的亚乙烯基或亚乙炔基，可以具有取代基的次甲基，氧原子、氮原子、硫原子等杂原子与Ar2键合。作为方式之一，R3为式(4)所示的基团。
作为Ar2所示的二价芳基，从原料单体的合成容易性观点考虑，优选为从式1～15、式27～30、式38～40或式42所示的环除去2个氢原子而得到的基团，更优选为从式1～6、式8、式14、式27、式28、式38或式42所示的环除去2个氢原子而得到的基团，进一步优选为从式1、式38或式42所示的环除去2个氢原子而得到的基团。
式(4)中，R4表示可以具有取代基的二价芳基，Q2表示可以具有取代基的二价有机基团，Y2表示-CO2 -、-SO3 -、-SO2 -或-PO3 -，从共轭高分子化合物的酸性度的观点考虑，优选为-CO2 -、-SO2 -或-PO3 -，更优选为-CO2 -。M2表示金属阳离子或可以具有取代基的铵阳离子，Z2表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RbSO3 -、RbCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -或PF6 -，c2表示0或1，n4表示0以上的整数。其中，Y2为SO3-时，n4为0。a2表示1以上的整数，b2表示0以上的整数。选择a2和b2以使式(4)所示的取代基的电荷为0。Rb表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基。Q2存在多个时，它们可以相同或不同。M2存在多个时，它们可以相同或不同。Z2存在多个时，它们可以相同或不同)。
式(4)中，作为R4表示的可以具有取代基的二价芳基，可以举出例如1，3-亚苯基、1，4-亚苯基、1，4-亚萘基、1，5-亚萘基、2，6-亚萘基、联苯-4，4’-二基等碳原子数为6～50左右的亚芳基。
作为上述二价芳基可以具有的取代基，可以举出与上述Ar1可以具有的R1以外的取代基相同的取代基，从使上述共轭高分子化合物热稳定化的观点考虑，优选具有取代基。取代基存在多个时，它们可以相同或不同。
式(4)中，作为Q2表示的二价有机基团，可以举出与上述Q1表示的二价有机基团相同的基团，从合成原料单体的容易性观点考虑，优选为亚烷基、氧基亚烷基。
作为上述二价有机基团可以具有的取代基，可以举出与上述Ar1可以具有的R1以外的取代基相同的取代基。取代基存在多个时，它们可以相同或不同。
式(4)中，M2表示金属阳离子或可以具有取代基的铵阳离子。作为金属阳离子，优选为一价、二价或三价的离子，可以举出Li、Na、K、Cs、Be、Mg、Ca、Ba、Ag、Al、Bi、Cu、Fe、Ga、Mn、Pb、Sn、Ti、V、W、Y、Yb、Zn、Zr等的离子。作为铵离子可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等碳原子数为1～10左右的烷基。
式(4)中，n4表示0以上的整数。从合成原料单体的观点考虑，优选为0～8，更优选为0。其中，Y2为-SO3-时，n4为0。
式(4)中，a2表示1以上的整数，优选为1～5，更优选为1～2。b2表示0以上的整数，优选为0～4，更优选为0～2。
选择a2和b2以使式(4)所示的取代基的电荷为0。例如，Y2为-CO2 -、-SO3 -、-SO2 -或-PO3 -，M2为一价金属阳离子或可以具有取代基的铵阳离子，Z2为F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RbSO3 -、RbCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、HSO4 -、H2PO4 -、BF4 -或PF6 -时，a2＝b2+1。Y2为-CO2 -、-SO3 -、-SO2 -或-PO3 -，M2为二价金属阳离子，Z2为F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RbSO3 -、RbCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、HSO4 -、H2PO4 -、BF4 -或PF6 -时，b2＝2×a2-1。Y2为-CO2 -、-SO3 -、-SO2 -或-PO3 -，M2为三价金属阳离子，Z2为F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RbSO3 -、RbCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、HSO4 -、H2PO4 -、BF4 -或PF6 -时，b2＝3×a2-1。Y2为-CO2 -、-SO3 -、-SO2 -或-PO3 -，M2为一价金属阳离子或可以具有取代基的铵阳离子，Z2为SO4 2-、HPO4 2-时，a2＝2×b2+1。
Rb表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基、可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基，作为这些基团可以具有取代基，可以举出与上述Ar1可以具有的R1以外的取代基相同的取代基。取代基存在多个时，它们可以相同或不同。作为Rb的例子，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、环己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷基等碳原子数为1～20的烷基，苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基等碳原子数为6～30的芳基。
式(3)所示的重复单元中，优选Ar2为从式38所示的环除去2个氢原子而得到的基团的重复单元，更优选为下式
Figure BPA00001253077300231
(式中，Ry’表示含有式(4)所示的基团的取代基，R**表示Ry’、氢原子、烷基或芳基)所示的重复单元。
作为式(3)所示的重复单元，从电子传输性的观点考虑，优选为式(16)所示的重复单元。
Figure BPA00001253077300232
(式中，R8表示可以具有取代基的二价芳基。Q4表示可以具有取代基的亚烷基或可以具有取代基的氧基亚烷基，n4、Y2、M2、Z2、a2和b2表示与上述相同的意思。存在的多个n4、R8、Y2、M2、a2和b2可以相同或不同。Q4存在多个时，它们可以相同或不同。Z2存在多个时，它们可以相同或不同)。
式(16)中，作为R8表示的二价芳基，可以举出1，4-亚苯基、1，3-亚苯基、1，4-亚萘基、1，5-亚萘基、2，6-亚萘基、2，6-亚蒽基、9，10-亚蒽基、联苯-4，4’-二基等。
作为R8中的二价芳基，从作为原料的单体的合成容易性观点考虑，优选为1，4-亚苯基、1，3-亚苯基。
作为R8表示的二价芳基可以具有的取代基，可以举出与上述Ar1可以具有的R1以外的取代基相同的取代基，从使上述共轭高分子化合物热稳定化的观点考虑，优选具有取代基。取代基存在多个时，它们可以相同或不同。从上述共轭高分子化合物的溶解性方面考虑，取代基的种类优选为烷基、烷氧基、羟基。
从合成上述共轭高分子化合物的方面考虑，M2优选为Li阳离子、Na阳离子、K阳离子、Cs阳离子或四甲基铵阳离子。
作为式(15)所示的重复单元，从共轭高分子化合物的耐水性方面考虑，优选为式(19)所示的重复单元。
Figure BPA00001253077300241
(式中，R6、n4、Y2、M2、Z2、a2和b2表示与上述相同的意思)。
作为式(19)所示的重复单元的例子，可以举出以下的重复单元。
Figure BPA00001253077300242
(式中，M表示Li、Na、K、Cs或NMe4)。
式(5)所示的重复单元中，Ar3表示二价芳基，R5表示含有式(6)所示的基团的取代基，该Ar3可以具有R5以外的取代基。n5表示1以上的整数。R5含有4个以上杂原子。式(6)所示的基团可以与Ar3直接键合或通过可以具有取代基的亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚己基、亚壬基、亚十二烷基、亚环丙基、亚环丁基、亚环戊基、亚环己基、亚环壬基、亚环十二烷基、亚降冰片基、亚金刚烷基等碳原子数为1～50左右的二价亚烷基，可以具有取代基的氧基亚甲基、氧基亚乙基、氧基亚丙基、氧基亚丁基、氧基亚戊基、氧基亚己基、氧基亚壬基、氧基亚十二烷基、亚环丙基氧基、亚环丁基氧基、亚环戊基氧基、亚环己基氧基、亚环壬基氧基、亚环十二烷基氧基、亚降冰片基氧基、亚金刚烷基氧基等碳原子数为1～50左右的氧基亚烷基，可以具有取代基的亚氨基，可以具有取代基的亚甲硅烷基，可以具有取代基的亚乙烯基或亚乙炔基，可以具有取代基的次甲基，氧原子、氮原子、硫原子等杂原子与Ar3键合。作为方式之一，R5为式(6)所示的基团。
作为R5中含有的杂原子，可以举出氧原子、硫原子、硒原子、碲原子、氮原子、磷原子、锑原子、砷原子、硼原子等。R5可以具有2个以上的相同种类的杂原子或2种以上杂原子。从作为原料的单体的合成容易性观点考虑，杂原子优选为氧原子、硫原子、氮原子、磷原子、硼原子。从共轭高分子化合物的溶解性方面考虑，杂原子的个数优选为4～30，更优选为6～20。
n5表示1以上的整数。从共轭高分子化合物的溶解性方面考虑，n5优选为2～4，更优选为2～3。
Ar3可以具有R5以外的取代基。
作为Ar3表示的二价芳基，从原料单体的合成容易性观点考虑，优选为从式1～15、式27～30、式38～40或式42所示的环除去2个氢原子而得到的基团，更优选为从式1～6、式8、式14、式27、式28、式38或式42所示的环除去2个氢原子而得到的基团，进一步优选为从式1、式38或式42所示的环除去2个氢原子而得到的基团。
作为Ar3表示的二价芳基可以具有的R5以外的取代基，可以举出与上述Ar1可以具有的R1以外的取代基相同的取代基。取代基存在多个时，它们可以相同或不同。
R5为含有式(6)所示的基团的取代基。
    -R6{-(CH2)n6-Y3}m1    (6)
(式中，R6表示一价芳基，n6表示0以上的整数，m1表示1以上的整数。Y3表示-CN或式(7)～(14)所示的基团。Y3存在多个时，它们可以相同或不同。n6存在多个时，它们可以相同或不同。式(6)所示的基团含有4个以上杂原子)。
-O-(R’O)a4-R”  (7)
-S-(R’S)a3-R”  (8)
-C(＝O)-(R’-C(＝O))a3-R”  (9)
-C(＝S)-(R’-C(＝S))a3-R”  (10)
-N(R’)-(N(R’))a3-R”  (11)
-C(＝O)O-(R’-C(＝O)O)a3-R”  (12)
-C(＝O)-O-(R’O)a3-R”  (13)
-NHC(＝O)-(R’NHC(＝O))a3-R”  (14)
(式(7)～(14)中，R’表示可以具有取代基的二价烃基，R”表示氢原子、可以具有取代基的一价烃基、-COOH、-SO3H、-OH、-SH、-NRc 2、-CN或-C(＝O)NRc 2，a3表示0以上的整数，a4表示3～20的整数。Rc表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基。R’存在多个时，它们可以相同或不同)。作为方式之一，R6为式(6)所示的基团。
式(6)中，n6表示0以上的整数。优选为0～20，更优选为0～8。
式(6)中，从共轭高分子化合物的溶解性方面考虑，m1优选为1～4，更优选为1～3。
式(6)中，R6表示具有m1个{-(CH2)n6-Y3}所示的取代基的一价芳基。作为R6表示的一价芳基，可以举出从单环芳环除去1个氢原子而得到的基团，从稠合多环芳环除去1个氢原子而得到的基团，从两个以上芳环通过单键、亚乙烯基或亚乙炔基连结而成的多环除去1个氢原子而得到的基团，从桥联多环芳环除去1个氢原子而得到的基团等。作为单环芳环、稠合多环芳环、通过亚乙烯基或亚乙炔基连结而成的多环和桥联多环芳环的例子，可以举出与上述Ar1的说明中使用的单环芳环、稠合多环芳环、通过亚乙烯基或亚乙炔基连结而成的多环和桥联多环芳环的例子相同的化合物，从合成原料单体的观点考虑，优选为苯基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、萘基、蒽基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、联苯基。
R6可以具有{-(CH2)n6-Y3}所示的取代基以外的取代基。作为该取代基的例子，可以举出与上述Ar1可以具有的R1以外的取代基相同的取代基。取代基存在多个时，它们可以相同或不同。
式(7)～(14)中，作为R’表示的二价烃基，可以举出亚甲基、亚乙基、1，2-亚丙基、1，3-亚丙基、1，2-亚丁基、1，3-亚丁基、1，4-亚丁基、1，5-亚戊基、1，6-亚己基、1，9-亚壬基、1，12-亚十二烷基等碳原子数为1～50左右的二价饱和烃基，亚乙烯基、亚丙烯基、3-亚丁烯基、2-亚戊烯基、2-亚己烯基、2-亚壬烯基、2-亚十二碳烯基等碳原子数为2～50左右的二价不饱和烃基，亚环丙基、亚环丁基、亚环戊基、亚环己基、亚环壬基、亚环十二烷基、亚降冰片基、亚金刚烷基等碳原子数为3～50左右的二价环状饱和烃基，亚乙烯基、亚丙烯基、3-亚丁烯基、2-亚丁烯基、2-亚戊烯基、2-亚己烯基、2-亚壬烯基、2-亚十二碳烯基等碳原子数为2～50左右的亚烯基，1，3-亚苯基、1，4-亚苯基、1，4-亚萘基、1，5-亚萘基、2，6-亚萘基、联苯-4，4’-二基等碳原子数为6～50左右的亚芳基，亚甲基氧基、亚乙基氧基、亚丙基氧基、亚丁基氧基、亚戊基氧基、亚己基氧基等碳原子数为1～50左右的亚烷基氧基等。
R’可以具有取代基，作为该取代基，可以举出与上述Ar1可以具有的R1以外的取代基相同的取代基。取代基存在多个时，它们可以相同或不同。
式(7)～(14)中，作为R”表示的一价烃基，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、环己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷基等碳原子数为1～20的烷基，苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基等碳原子数为6～30的芳基等。从溶解性的观点考虑，优选为甲基、乙基、苯基、1-萘基、2-萘基。R”可以具有取代基，作为该取代基，可以举出与上述Ar1可以具有的R1以外的取代基相同的取代基。取代基存在多个时，它们可以相同或不同。
式(7)～(14)中，Rc从共轭高分子化合物的溶解性方面考虑，优选为甲基、乙基、苯基、1-萘基、2-萘基。
式(7)，a4表示3～20的整数，优选为3～10。式(8)～(14)中，a3表示0以上的整数。式(8)中，优选为0～30，更优选为3～20。式(9)～(12)中，优选为0～10，更优选为0～5。式(13)中，优选为0～20，更优选为3～20。式(14)中，优选为0～20，更优选为0～10。
作为Y3，从作为原料的单体的合成容易性观点考虑，优选为-CN、式(7)所示的基团、式(8)所示的基团、式(12)所示的基团、式(13)所示的基团，更优选为式(7)所示的基团、式(8)所示的基团、式(13)所示的基团。进一步优选为以下的基团。
式(5)所示的重复单元中，优选Ar2为从式38所示的环除去2个氢原子而得到的基团的重复单元，更优选为下式
Figure BPA00001253077300282
(式中，Ry”表示含有式(4)所示的基团的取代基，R***表示Ry”、氢原子、烷基或芳基)所示的重复单元。
作为式(5)所示的重复单元，从电子传输性的观点考虑，优选为式(17)所示的重复单元。
Figure BPA00001253077300291
(式中，n6、m1、R6、Y3表示与上述相同的意思。存在的多个n6、m1、R6和Y3可以相同或不同)。
作为式(17)所示的重复单元的例子，可以举出以下的重复单元。
Figure BPA00001253077300292
Figure BPA00001253077300301
(式中，R’”表示氢原子或甲基)。
本发明中使用的共轭高分子化合物可以进一步具有式(20)所示的重复单元。
Figure BPA00001253077300302
(式中，Ar4表示可以具有取代基的二价芳基或可以具有取代基的二价芳胺残基。X表示可以具有取代基的亚氨基、可以具有取代基的亚甲硅烷基、可以具有取代基的亚乙烯基或亚乙炔基，m2和m3各自独立地表示0或1，m2和m3中至少一个为1)。
作为式(20)中的Ar4表示的二价芳基，可以举出二价芳烃基、二价芳族杂环基。作为该二价芳基，可以举出从苯环、吡啶环、1，2-二嗪环、1，3-二嗪环、1，4-二嗪环、1，3，5-三嗪环、呋喃环、吡咯环、噻吩环、吡唑环、咪唑环、唑环、
Figure BPA00001253077300304
二唑环、氮杂二唑环等单环芳环除去2个氢原子而得到的二价基团，从选自该单环芳环中的相互独立的两个以上稠合而成的稠合多环芳环除去2个氢原子而得到的二价基团，从两个以上芳环通过单键、亚乙烯基或亚乙炔基连结而成的多环除去2个氢原子而得到的二价基团，从具有两个芳环通过亚甲基、亚乙基、羰基、亚氨基等二价基团桥联而成的结构的桥联多环芳环除去2个氢原子而得到的二价基团等。
上述稠合多环芳环中，稠合的单环芳环的个数从共轭高分子化合物的溶解性方面考虑，优选为2～4，更优选为2～3，进一步优选为2。上述两个以上芳环通过单键、亚乙烯基或亚乙炔基连结而成的多环中，作为连结的芳环的个数，从溶解性的观点考虑，优选为2～4，更优选为2～3，进一步优选为2。上述桥联多环芳环中，作为桥联的芳环的个数，从共轭高分子化合物的溶解性方面考虑，优选为2～4，更优选为2～3，进一步优选为2。
作为上述单环芳环，可以举出例如以下的环。
Figure BPA00001253077300311
作为上述稠合多环芳环，可以举出例如以下的环。
Figure BPA00001253077300312
作为上述两个以上芳环通过单键、亚乙烯基或亚乙炔基连结而成的多环，可以举出例如以下的环。
Figure BPA00001253077300321
作为上述桥联多环芳环，可以举出例如以下的环。
从上述共轭高分子化合物的电子和/或空穴接受性的观点考虑，Ar4表示的二价芳基优选为从式46～61、式62～72、式78～81、式92、式93、式94、式97所示的环除去2个氢原子而得到的二价基团，更优选为从式46～51、式60、式61、式78、式81、式92、式93、式97所示的环除去2个氢原子而得到的二价基团。
上述二价芳基，可以具有R1、R2、R3表示的取代基以外的取代基。作为该取代基，可以举出与上述Ar1可以具有的R1以外的取代基相同的取代基。
作为式(20)中的Ar4表示的二价芳基胺残基，可以举出式(21)所示的基团。
Figure BPA00001253077300331
式中，Ar8、Ar9、Ar10、Ar11各自独立地表示可以具有取代基的亚芳基或可以具有取代基的二价杂环基，Ar12、Ar13和Ar14表示可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的一价杂环基，n12和m4各自独立地表示0或1。
作为上述亚芳基、芳基、二价杂环基、一价杂环基可以具有的取代基，可以举出卤原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、烯基、炔基、芳基烯基、芳基炔基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亚胺基、亚胺残基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷氧基、取代甲硅烷硫基、取代甲硅烷基氨基、氰基、硝基、一价杂环基、杂芳氧基、杂芳硫基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、芳基烷氧基羰基、杂芳氧基羰基和羧基等。该取代基可以为乙烯基、乙炔基、丁烯基、丙烯酸基、丙烯酸酯基、丙烯酰胺基、甲基丙烯酸基、甲基丙烯酸酯基、甲基丙烯酰胺基、乙烯基醚基、乙烯基氨基、硅烷醇基、具有小环(例如环丙基、环丁基、环氧基、氧杂环丁基、双烯酮基、环硫化物等)的基团、内酯基、内酰胺基、或含有硅氧烷衍生物的结构的基团等交联基团。
n12为0时，Ar6中的碳原子与Ar10中的碳原子可以直接键合或通过-O-、-S-等二价基团键合。作为可以形成上述键合的亚芳基，可以举出亚苯基，作为二价杂环基，可以举出吡啶二基等。
含有二价芳胺残基作为重复单元的共轭高分子化合物可以进一步具有其它的重复单元。作为其它的重复单元，可以举出亚苯基、芴二基等亚芳基等。这些共轭高分子化合物中，更优选含有交联基团。
作为式(21)所示的二价芳胺残基的例子，可以举出例如从下述通式102～111所示的芳胺除去2个氢原子而得到的基团。
Figure BPA00001253077300341
式102～111所示的芳胺可以具有取代基，作为该取代基，可以举出与上述Ar1可以具有的R1以外的取代基相同的取代基，取代基存在多个时，它们可以相同或不同。
式(20)中，X表示可以具有取代基的亚氨基、可以具有取代基的亚甲硅烷基、可以具有取代基的亚乙烯基或亚乙炔基。作为亚氨基、甲硅烷基或亚乙烯基可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、十二烷基等碳原子数为1～20的烷基，苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基等碳原子数为6～30的芳基等，具有多个取代基时，它们可以相同或不同。
从上述共轭高分子化合物对于空气、湿气或热的稳定性观点考虑，X优选为亚氨基、亚乙烯基、亚乙炔基。
从上述共轭高分子化合物的电子和/或空穴接受性的观点考虑，优选m2为1，m3为0。
作为式(20)所示的重复单元，从上述共轭高分子化合物的受电子性观点考虑，优选为式(22)所示的重复单元。
Figure BPA00001253077300351
(式中，Ar5表示可以具有取代基的吡啶二基、可以具有取代基的吡嗪二基、可以具有取代基的嘧啶二基、可以具有取代基的哒嗪二基或可以具有取代基的三嗪二基)。
作为吡啶二基可以具有的取代基，可以举出与上述Ar4可以具有的取代基相同的取代基。取代基存在多个时，它们可以相同或不同。作为吡嗪二基可以具有的取代基，可以举出与上述Ar4可以具有的取代基相同的取代基。取代基存在多个时，它们可以相同或不同。作为嘧啶二基可以具有的取代基，可以举出与上述Ar4可以具有的取代基相同的取代基。取代基存在多个时，它们可以相同或不同。作为哒嗪二基可以具有的取代基，可以举出与上述Ar4可以具有的取代基相同的取代基。取代基存在多个时，它们可以相同或不同。作为三嗪二基可以具有的取代基，可以举出与上述Ar4可以具有的取代基相同的取代基。取代基存在多个时，它们可以相同或不同。
从电致发光元件的效率方面考虑，优选为仅具有式(1)所示的重复单元的共轭高分子化合物、仅具有式(3)所示的重复单元的共轭高分子化合物、具有式(1)所示的重复单元和式(5)所示的重复单元的共轭高分子化合物、具有式(3)所示的重复单元和式(5)所示的重复单元的共轭高分子化合物，更优选为仅具有式(1)所示的重复单元的共轭高分子化合物、仅具有式(3)所示的重复单元的共轭高分子化合物、具有式(3)所示的重复单元和式(5)所示的重复单元的共轭高分子化合物。
本发明中使用的共轭高分子化合物中含有的式(1)所示的重复单元、式(3)所示的重复单元和式(5)所示的重复单元的个数的总计，在该共轭高分子化合物具有的全部重复单元的个数的总计为100摩尔时，优选为15～100摩尔，从电致发光元件的效率方面考虑，更优选为50～100摩尔。
从共轭高分子化合物的涂布成膜性方面考虑，优选本发明中使用的共轭高分子化合物按照聚苯乙烯换算的数均分子量为5×103～1×108，更优选为5×103～1×107，进一步优选为1×104～1×107。聚苯乙烯换算的重均分子量优选为5×103～1×108，更优选为5×103～1×107。
本发明中使用的共轭高分子化合物按照聚苯乙烯换算的数均分子量和重均分子量例如可以使用凝胶渗透色谱(GPC)来求得。
从提高共轭高分子化合物的电子和/或空穴接受性的观点考虑，本发明中使用的共轭高分子化合物的最低未占据分子轨道(LUMO)的轨道能量优选为-5.0eV～-2.0eV，更优选为-4.5eV～-2.0eV。最高占据分子轨道(HOMO)的轨道能量优选为-6.0eV～-3.0eV，更优选为-5.5eV～-3.0Ev。
作为本发明的其它实施方式，可以举出使用不溶于溶解度参数小于9.3的溶剂的共轭高分子化合物的层压结构体，优选为使用不溶于溶解度参数小于9.3的溶剂以及水的共轭高分子化合物的层压结构体。
作为溶解度参数的值，使用浅原照三著《Solvent Handbook》(14版、讲谈社、1996年发行)中记载的值。
“共轭高分子化合物不溶于溶剂”指的是将共轭高分子化合物10mg和溶剂1mL混合并在20℃下搅拌后，5mg以上的共轭高分子化合物不溶解而残留。
可溶于溶解度参数小于9.3的溶剂的共轭高分子化合物，在涂布时该溶剂有可能溶解与含有该共轭高分子化合物的层接触的有机层。在可溶于水的情况下，存在含有该共轭高分子化合物的层的吸湿性升高的趋势。
作为溶解度参数小于9.3的溶剂(各括号内的值表示各溶剂的溶解度参数的值)，可以举出异戊醇(9.2)、氯仿(9.1)、环己烷(8.2)、己烷(7.3)、二乙基醚(7.4)、异辛烷(7.0)、四氯化碳(8.6)、四氢呋喃(9.1)、甲苯(8.9)或混合溶剂。溶剂不管是单独还是混合，只要溶解度参数为9.3以上且小于20则可以使用。溶剂1与溶剂2混合时，溶解度参数(δm)通过 求得。δ1表示溶剂1的溶解度参数、
Figure BPA00001253077300363
表示溶剂1的体积百分数、δ2表示溶剂2的溶解度参数、
Figure BPA00001253077300371
表示溶剂2的体积百分数。
作为不溶于溶解度参数小于9.3的溶剂的共轭高分子化合物，可以举出例如以下的共轭高分子化合物。
Figure BPA00001253077300372
本发明中使用的共轭高分子化合物的优选方式之一是具有式(30)所示的重复单元的共轭高分子化合物。
Figure BPA00001253077300373
(式中，RX表示碱金属、RY表示烷基或烷氧基)。
作为式(30)所示的重复单元，优选为式(31)所示的重复单元。
Figure BPA00001253077300381
(式中，RX、RY表示与上述相同的意思)。
本发明中使用的共轭高分子化合物的其它优选方式是具有式(30)所示的重复单元和亚芳基重复单元的共轭高分子化合物。作为亚芳基，优选为亚苯基、芴二基。
接着对制备本发明中使用的共轭高分子化合物的方法进行说明。作为用于制备本发明中使用的共轭高分子化合物的优选方法，可以举出例如，适当选择下述通式(23)所示的化合物作为原料之一来使用，其中，特别是分别含有上述通式(23)中的-Aa-为式(1)、(3)、(5)、(15)～(19)所示的重复单元的化合物作为必须成分，将它们缩聚的方法。
        Y4-Aa-Y5    (23)
(式中，Y4和Y5各自独立地表示参与缩聚的基团)。
本发明中使用的共轭高分子化合物中，含有上述式(23)中的-Aa-所示的重复单元的同时，含有上述-Aa-以外的其它重复单元时，可以使用形成上述-Aa-以外的其它重复单元的具有2个参与缩聚的基团的化合物，使其与上式(23)所示的化合物一起共存来进行缩聚。
作为这种为了含有其它的重复单元而使用的具有2个参与缩聚的基团的化合物，可以举出式(24)所示的化合物。这样，除了上述Y4-Aa-Y5所示的化合物之外，还使式(24)所示的化合物缩聚，由此可以制备进一步具有-Ab-所示的重复单元的本发明的共轭高分子化合物。
        Y9-Ab-Y10    (24)
(式中，Ab为上述通式(20)所示的重复单元或通式(22)所示的重复单元，Y9和Y10各自独立地表示参与缩聚的基团)。
作为这种参与缩聚的基团(Y4、Y5、Y9和Y10)，可以举出卤原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸酯残基、锍甲基、
Figure BPA00001253077300391
甲基、膦酸酯甲基、单卤代甲基、-B(OH)2、甲酰基、氰基或乙烯基等。
作为这种参与缩聚的基团可以选择的卤原子，可以举出氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。
作为上述参与缩聚的基团可以选择的烷基磺酸酯基，可以举出甲磺酸酯基、乙磺酸酯基、三氟甲磺酸酯基等，作为芳基磺酸酯基，可以举出苯磺酸酯基、对甲苯磺酸酯基等，作为芳基磺酸酯基，可以举出苄基磺酸酯基等。
作为上述参与缩聚的基团可以选择的硼酸酯残基，可以举出下式所示的基团。
Figure BPA00001253077300392
进一步地，作为上述参与缩聚的基团可以选择的锍甲基，可以举出下式所示的基团：
-CH2S+Me2E-或-CH2S+Ph2E-
(E表示卤原子、Ph表示苯基)。
作为上述参与缩聚的基团可以选择的
Figure BPA00001253077300393
甲基，可以举出下式所示的基团：
-CH2P+Ph3E-
(E表示卤原子)。
作为上述参与缩聚的基团可以选择的膦酸酯甲基，可以举出下式所示的基团：
-CH2PO(OR’)2
(R’表示烷基、芳基、芳基烷基)。
进一步地，作为上述参与缩聚的基团可以选择的单卤代甲基，可以举出氟代甲基、氯代甲基、溴代甲基或碘代甲基。
进一步地，作为参与缩聚优选的基团，根据聚合反应的种类不同而不同，不能一概而论，例如Yamamoto偶联反应等使用0价镍络合物时，可以举出卤原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基。Suzuki偶联反应等使用镍催化剂或钯催化剂时，可以举出烷基磺酸酯基、卤原子、硼酸酯残基、-B(OH)2等，氧化剂或电化学上氧化聚合时，可以举出氢原子。
制备本发明中使用的共轭高分子化合物时，例如可以采用将具有多个参与缩聚的基团的上述通式(23)或(24)所示的化合物(单体)根据需要溶解在有机溶剂中，适当使用碱或合适的催化剂，在有机溶剂的熔点～沸点的温度下进行反应的聚合方法。作为这种聚合方法，例如可以适当采用Organic Reactions，第14卷，270～490页，John Wiley&Sons，Inc.，1965年、Organic Syntheses，Collective Volume VI，407-411页，John Wiley&Sons，Inc.，1988年、Chem.Rev，第95卷，2457页(1995年)、J.Organomet Chem.，第576卷，147页(1999年)、Macromol.Chem.，Macromol.Symp.，第12卷，229页(1987年)等中记载的公知方法。
制备本发明中使用的共轭高分子化合物时，可以根据参与缩聚的基团，适当采用公知的缩聚反应。作为这种聚合方法，可以举出例如将该单体通过Suzuki偶联反应聚合的方法、通过Grignard反应聚合的方法、通过Ni(0)络合物聚合的方法、通过FeCl3等氧化剂聚合的方法、电化学氧化聚合的方法、或通过具有适当离去基团的中间体高分子的分解进行的方法等。这种聚合反应中，通过Suzuki偶联反应聚合的方法、通过Grignard反应聚合的方法和通过Ni 0价络合物聚合的方法，由于易控制所得到的高分子化合物的结构，因而优选。
本发明中使用的共轭高分子化合物的制备方法的优选方式之一，可以举出参与缩聚的基团(Y4、Y5、Y9和Y10)各自独立地选自卤原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基中，且在镍0价络合物存在下缩聚来制备高分子化合物的方法。作为这种方法中使用的原料化合物，可以举出例如二卤代化合物、双(烷基磺酸酯)化合物、双(芳基磺酸酯)化合物、双(芳基烷基磺酸酯)化合物、卤原子-烷基磺酸酯化合物、卤原子-芳基磺酸酯化合物、卤原子-芳基烷基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物和芳基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物等。
上述共轭高分子化合物的制备方法的其它优选方式，可以举出参与缩聚的基团(Y4、Y5、Y9和Y10)各自独立地选自卤原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸基或硼酸酯残基中，全部原料化合物具有的卤原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基和芳基烷基磺酸酯基的摩尔数的总计(J)与硼酸基(-B(OH)2)和硼酸酯残基的摩尔数的总计(K)的比实质上为1(通常K/J为0.7～1.2)，且使用镍催化剂或钯催化剂进行缩聚来制备共轭类聚合物的方法。
作为采用这种共轭高分子化合物的制备方法时的原料化合物的组合，可以举出仅二卤代化合物的组合、仅双(烷基磺酸酯)化合物的组合、双(芳基磺酸酯)化合物和双(芳基烷基磺酸酯)化合物中的任意一种与二硼酸化合物或二硼酸酯化合物中的任意一种的组合等。从制备序列受到了控制的共轭类聚合物的观点考虑，优选使用卤原子-硼酸化合物、卤原子-硼酸酯化合物、烷基磺酸酯-硼酸化合物、烷基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基磺酸酯-硼酸化合物、芳基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基烷基磺酸酯-硼酸化合物、芳基烷基磺酸酯-硼酸酯化合物。
上述有机溶剂因所使用的化合物或反应不同而不同，通常为了抑制副反应而优选使用实施了充分的脱氧处理而得到的有机溶剂，制备高分子化合物时，优选使用这种有机溶剂在惰性氛围气体下进行反应。上述有机溶剂中，优选与上述脱氧处理同样地进行脱水处理。但是，Suzuki偶联反应等在与水的两相体系中进行反应时，无此限制。
作为这种有机溶剂，可以举出戊烷、己烷、庚烷、辛烷、环己烷等饱和烃，苯、甲苯、乙基苯、二甲苯等不饱和烃，四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷、氯己烷、溴己烷、氯环己烷、溴环己烷等卤代饱和烃，氯苯、二氯苯、三氯苯等卤代不饱和烃，甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、叔丁醇等醇类，甲酸、乙酸、丙酸等羧酸类，二甲基醚、二乙基醚、甲基叔丁基醚、四氢呋喃、四氢吡喃、二
Figure BPA00001253077300411
烷等醚类，三甲基胺、三乙基胺、N，N，N’，N’-四甲基乙二胺、吡啶等胺类，N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二乙基乙酰胺、N-甲基吗啉氧化物等酰胺类等。这种有机溶剂可以单独使用1种或2种以上混合来使用。此外，这种有机溶剂中，从反应性方面考虑，更优选为醚类，进一步优选为四氢呋喃、二乙基醚。此外，从反应速度方面考虑，优选为甲苯、二甲苯。
制备上述共轭高分子化合物时，为了使原料化合物反应，优选添加适当的碱、适当的催化剂。这种碱或催化剂根据采用的聚合方法等选择即可。作为这种碱或催化剂，优选充分溶解在反应所使用的溶剂中的碱或催化剂。作为将上述碱或催化剂混合的方法，可以举出将反应液在氩气、氮气等惰性氛围气体下搅拌的同时缓慢添加碱或催化剂的溶液，或相反地，向碱或催化剂的溶液中缓慢添加反应液的方法。
本发明涉及的共轭高分子化合物中，若末端基团残留有聚合活性基团，则本发明的高分子发光元件的发光特性、寿命特性有可能降低，因此末端基团可以用稳定的基团保护。如此用稳定的基团保护末端基团时，优选具有与主链的共轭结构连续的共轭键，作为这种结构，可以举出例如通过碳-碳键与芳基或杂环基键合的结构。作为这种保护末端基团的稳定基团，可以举出例如日本特开平9-45478号公报中化10的结构式所示的一价芳族化合物基团等取代基。
作为制备含有式(1)所示的重复单元的共轭高分子化合物的其它优选方法，可以举出在第一步骤中将不具有离子的共轭高分子化合物聚合，在第二步骤中由该共轭高分子化合物制备含有离子的共轭高分子化合物的方法。作为第一步骤的将不具有离子的共轭高分子化合物聚合的方法，可以举出上述缩聚反应。作为第二步骤的反应，可以举出使用卤代烷基的胺的季铵盐化反应、利用SbF5进行的夺卤反应等。
作为制备含有式(3)所示的重复单元的共轭高分子化合物的其它优选方法，可以举出在第一步骤中将不具有阳离子的共轭高分子化合物聚合，在第二步骤中由该共轭高分子化合物制备含有阳离子的共轭高分子化合物的方法。作为第一步骤的将不具有阳离子的共轭高分子化合物聚合的方法，可以举出上述缩聚反应。作为第二步骤的反应，可以举出通过金属氢氧化物、烷基氢氧化铵等进行的水解反应等。
<层压结构体>
接着对本发明涉及的层压结构体进行说明。
本发明的层压结构体具有第一电极和第二电极，在该第一电极与该第二电极之间具有发光层或电荷分离层，在该发光层或电荷分离层与该第一电极之间具有包含共轭高分子化合物的层，该共轭高分子化合物具有选自式(1)所示的重复单元、式(3)所示的重复单元和式(5)所示的重复单元中的1种以上重复单元，
本发明的层压结构体可以用于电致发光元件、光电转换元件等。将层压结构体用于电致发光元件时，层压结构体中具有发光层。将层压结构体用于光电转换元件时，层压结构体中具有电荷分离层。
本发明中使用的共轭高分子化合物由于电荷的注入性、传输性优异，将含有该共轭高分子化合物的层用于电致发光元件时，得到以高亮度发光的元件。将含有该共轭高分子化合物的层用于光电转换元件时，得到转换效率高的元件。
<电致发光元件>
使用本发明的层压结构体的电致发光元件具有阴极、阳极，并在上述阴极与阳极之间具有发光层。本发明的电致发光元件可以进一步具有基板作为通常任意的构成要素，可以形成在上述基板的表面上设置上述阴极、阳极、发光层和含有本发明的共轭高分子化合物的层以及根据需要的其它任意的构成要素的结构。
作为本发明的电致发光元件的方式之一，在基板上设置阳极，在其上层层压发光层，进一步在其上层层压阴极。作为其它方式之一，可以将阴极设置在基板上，将阳极设置在发光层的上层。作为其它方式之一，可以为从基板一侧采光的所谓底部发光型、从与基板相反的一侧采光的所谓顶部发光型、或两面采光型中的任意一种类型的电致发光元件。进一步地，作为其它方式，可以设置任意的保护膜、缓冲膜、反射层等具有其它功能的层。对于电致发光元件的结构以下另外进行具体说明。电致发光元件进一步被密封膜或密封基板覆盖，形成电致发光元件与外部气体阻断的发光装置。
含有本发明中使用的共轭高分子化合物的层，可以用作电致发光元件中的阴极与发光层之间的层或阳极与发光层之间的层等，用作电荷注入层或电荷传输层等。
作为形成含有共轭高分子化合物的层的方法，可以举出例如使用含有共轭高分子化合物的溶液成膜的方法。
作为由这种溶液成膜时所用的溶剂，优选除水以外的溶解度参数为9.3以上的溶剂。作为该溶剂的例子(各括号内的值表示各溶剂的溶解度参数的值)，可以举出甲醇(12.9)、乙醇(11.2)、2-丙醇(11.5)、1-丁醇(9.9)、叔丁醇(10.5)、乙腈(11.8)、1，2-乙二醇(14.7)、N，N-二甲基甲酰胺(11.5)、二甲基亚砜(12.8)、乙酸(12.4)、硝基苯(11.1)、硝基甲烷(11.0)、1，2-二氯乙烷(9.7)、二氯甲烷(9.6)、氯苯(9.6)、溴苯(9.9)、二
Figure BPA00001253077300441
烷(9.8)、碳酸亚丙酯(13.3)、吡啶(10.4)、二硫化碳(10.0)、或这些溶剂的混合溶剂等。在溶剂1与溶剂2的混合溶剂的情况下，溶解度参数(δm)通过
Figure BPA00001253077300442
求得(δ1为溶剂1的溶解度参数、
Figure BPA00001253077300444
为溶剂1的体积百分数、δ2为溶剂2的溶解度参数、
Figure BPA00001253077300445
为溶剂2的体积百分数)。
作为由溶液成膜的方法，可以举出例如旋涂法、铸塑法、微凹槽辊涂布法、凹槽辊涂布法、棒涂法、辊涂法、绕线棒涂布法、浸涂法、狭缝涂布法、盖涂法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法、喷嘴涂布法等涂布法。
含有共轭高分子化合物的层的膜厚因所使用的共轭高分子化合物不同而最优值不同，因此可以适当选择以使驱动电压和发光效率为适当的值，优选有必要为至少不产生针孔的厚度。从使元件的驱动电压低的观点考虑，优选为1nm～1μm，更优选为2nm～500nm，进一步优选为2nm～200nm。
电致发光元件具有阴极和阳极，在阴极和阳极之间具有发光层，除此之外，进一步具有构成要素。
例如在阳极与发光层之间可以具有空穴注入层、中间层、空穴传输层中的1层以上。存在空穴注入层时，可以在发光层与空穴注入层之间具有中间层、空穴传输层中的1层以上。
另一方面，在阴极与有机发光层之间可以具有电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的1层以上。存在电子注入层时，可以在有机发光层与电子注入层之间具有电子传输层、空穴阻挡层中的1层以上。
含有本发明中使用的共轭高分子化合物的层，可以用于空穴注入层、空穴传输层、中间层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层等。将含有共轭高分子化合物的层用作空穴注入层、空穴传输层、中间层时，第一电极形成阳极，第二电极形成阴极。将含有共轭高分子化合物的层用作电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层时，第一电极形成阴极，第二电极形成阳极。
阳极向空穴注入层、空穴传输层、中间层、发光层等供给空穴，阴极向电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层等供给电子。
发光层指的是具有在施加电场时，从与阳极侧邻接的层接受空穴，从与阴极侧邻接的层接受电子的功能，利用电场的力使所接受的电荷(电子和空穴)移动的功能，提供电子和空穴的再结合的场所、使其发光的功能的层。
电子注入层和电子传输层指的是具有由阴极接受电子的功能、传输电子的功能、阻挡由阳极注入的空穴的功能中的任意一种功能的层。空穴阻挡层指的是主要具有阻挡由阳极注入的空穴的功能，进而根据需要具有由阴极接受电子的功能、传输电子的功能中的任意一种功能的层。
空穴注入层和空穴传输层指的是具有由阳极接受空穴的功能、传输空穴的功能、向发光层供给空穴的功能、阻挡由阴极注入的电子的功能中的任意一种功能的层。中间层具有由阳极接受空穴的功能、传输空穴的功能、向发光层供给空穴的功能、阻挡由阴极注入的电子的功能中的至少一种以上功能，通常与发光层邻接配置，发挥隔离发光层与阳极、或隔离发光层与空穴注入层或空穴传输层的作用。
将电子传输层和空穴传输层统称为电荷传输层。将电子注入层和空穴注入层统称为电荷注入层。
即，本发明的电致发光元件可以具有下述层结构(a)，或者也可以具有由层结构(a)省略了空穴注入层、空穴传输层、中间层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的1层以上的层结构。层结构(a)中，含有本发明中使用的共轭高分子化合物的层，可以用作选自空穴注入层、空穴传输层、中间层、电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的一种以上的层。
(a)阳极-空穴注入层-(空穴传输层和/或中间层)-发光层-(空穴阻挡层和/或电子传输层)-电子注入层-阴极
符号“-”表示各层邻接层压。
“(空穴传输层和/或中间层)”表示仅由空穴传输层构成的层、仅由中间层构成的层、空穴传输层-中间层的层结构、中间层-空穴传输层的层结构、或其它的含有空穴传输层和中间层各1层以上的任意的层结构。
“空穴阻挡层和/或电子传输层”表示仅由空穴阻挡层构成的层、仅由电子传输层的构成层、空穴阻挡层-电子传输层的层结构、电子传输层-空穴阻挡层的层结构、或其它的含有空穴阻挡层和电子传输层各1层以上的任意的层结构。在以下的层结构的说明中与此相同。
进一步地，本发明的电致发光元件可以在1个层压结构中具有2层发光层。此时，电致发光元件可以具有下述层结构(b)，或者也可以具有由层结构(b)省略了空穴注入层、空穴传输层、中间层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、电极中的1层以上的层结构。层结构(b)中，含有共轭高分子化合物的层用作存在于阳极和与阳极最接近的发光层之间的层、或存在于阴极和与阴极最接近的发光层之间的层。
(b)阳极-空穴注入层-(空穴传输层和/或中间层)-发光层-(空穴阻挡层和/或电子传输层)-电子注入层-电极-空穴注入层-(空穴传输层和/或中间层)-发光层-(空穴阻挡层和/或电子传输层)-电子注入层-阴极
进一步地，本发明的电致发光元件可以在1个层压结构中具有3层以上发光层。此时，电致发光元件可以具有下述层结构(c)，或者也可以具有由层结构(c)省略了空穴注入层、空穴传输层、中间层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、电极中的1层以上的层结构。层结构(c)中，含有共轭高分子化合物的层用作存在于阳极和与阳极最接近的发光层之间的层、或存在于阴极和与阴极最接近的发光层之间的层。
(c)阳极-空穴注入层-(空穴传输层和/或中间层)-发光层-(空穴阻挡层和/或电子传输层)-电子注入层-重复单元A-重复单元A…-阴极
“重复单元A”表示电极-空穴注入层-(空穴传输层和/或中间层)-发光层-(空穴阻挡层和/或电子传输层)-电子注入层的层结构的单元。
作为本发明的电致发光元件的层结构的优选例子，可以举出下述例子。下述层结构中，含有本发明中使用的共轭高分子化合物的层可以用作选自空穴注入层、空穴传输层、中间层、电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的一种以上的层。
(d)阳极-空穴传输层-发光层-阴极
(e)阳极-发光层-电子传输层-阴极
(f)阳极-空穴传输层-发光层-电子传输层-阴极
对于上述各结构，还可以举出在发光层与阳极之间设置与发光层邻接的中间层的结构。即，可以举出以下的(d’)～(g’)的结构。
(d’)阳极-中间层-发光层-阴极
(e’)阳极-空穴传输层-中间层-发光层-阴极
(f’)阳极-中间层-发光层-电子传输层-阴极
(g’)阳极-空穴传输层-中间层-发光层-电子传输层-阴极
本发明中，作为设置有电荷注入层(电子注入层、空穴注入层)的电致发光元件的例子，可以举出设置有与阴极邻接的电荷注入层的电致发光元件、设置有与阳极邻接的电荷注入层的电致发光元件。作为其具体例子，可以举出例如以下的(h)～(s)的结构。
(h)阳极-电荷注入层-发光层-阴极
(i)阳极-发光层-电荷注入层-阴极
(j)阳极-电荷注入层-发光层-电荷注入层-阴极
(k)阳极-电荷注入层-空穴传输层-发光层-阴极
(l)阳极-空穴传输层-发光层-电荷注入层-阴极
(m)阳极-电荷注入层-空穴传输层-发光层-电荷注入层-阴极
(n)阳极-电荷注入层-发光层-电子传输层-阴极
(o)阳极-发光层-电子传输层-电荷注入层-阴极
(p)阳极-电荷注入层-发光层-电子传输层-电荷注入层-阴极
(q)阳极-电荷注入层-空穴传输层-发光层-电子传输层-阴极
(r)阳极-空穴传输层-发光层-电子传输层-电荷注入层-阴极
(s)阳极-电荷注入层-空穴传输层-发光层-电子传输层-电荷注入层-阴极
与(d’)～(g’)类似，对于上述各结构，还可以举出在发光层与阳极之间设置与发光层邻接的中间层的结构。此时，中间层可以兼作空穴注入层和/或空穴传输层。
含有本发明中使用的共轭高分子化合物的层，优选为电子注入层或电子传输层。含有共轭高分子化合物的层为电子注入层或电子传输层时，第一电极通常为阴极。
本发明的电致发光元件，为了进一步提高与电极的密合性、改善从电极注入电荷(即空穴或电子)，可以设置与电极邻接的绝缘层，此外，为了提高界面的密合性、防止混合等，可以在电荷传输层(即空穴传输层或电子传输层)或发光层的界面插入薄的缓冲层。对于所层压的层的顺序或层数以及各层的厚度，可以在考虑发光效率、元件寿命的基础上适当使用。
接着对构成本发明的电致发光元件的各层材料和形成方法进行更具体的说明。
<基板>
构成本发明的电致发光元件的基板只要是形成电极，形成有机物的层时不变化的基板即可，例如使用玻璃、塑料、高分子膜、金属膜、硅基板、它们层压而成的基板等。作为上述基板，可以使用市售品，此外也可以通过公知的方法制造。
本发明的电致发光元件构成显示器装置的像素时，可以在该基板上设置用于驱动像素的电路，也可以在该驱动电路上设置平坦化膜。设置平坦化膜时，该平坦化膜的中心线平均粗糙度(Ra)优选满足Ra＜10nm。
Ra可以基于日本工业标准JIS的JIS-B0601-2001，参考JIS-B0651～JIS-B0656以及JIS-B0671-1等进行测定。
<阳极>
构成本发明的电致发光元件的阳极，从对空穴注入层、空穴传输层、中间层、发光层等中使用的有机半导体材料的空穴供给性的观点考虑，优选上述阳极的发光层一侧的表面的功函数为4.0eV以上。
阳极的材料可以使用金属、合金、金属氧化物、金属硫化物等导电性化合物或它们的混合物等。作为阳极材料的例子，可以举出氧化锡、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化钼等导电性金属氧化物，或金、银、铬、镍等金属，以及这些导电性金属氧化物与金属的混合物等。
上述阳极可以为由这些材料中的1种或2种以上形成的单层结构，也可以为由同一组成或不同组成的多层构成的多层结构。为多层结构时，更优选将功函数为4.0eV以上的材料用于发光层一侧的最外表面层。
对阳极的制造方法不特别限定，可以利用公知的方法，可以举出真空气相沉积法、溅射法、离子镀法、镀敷法等。
阳极的膜厚通常为10nm～10μm，优选为50nm～500nm。
从防止短路等电连接不良问题的观点考虑，优选阳极的发光层一侧的表面的中心线平均粗糙度(Ra)满足Ra＜10nm，更优选为Ra＜5nm。
进一步地，用上述方法制造该阳极后，有时用UV臭氧、硅烷偶联剂、含有2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰基醌二甲烷(quinodimethane)等受电子性化合物的溶液等实施表面处理。通过表面处理，该阳极和与该阳极相接的有机层之间的电连接得到改善。
本发明的电致发光元件中，将阳极用作光反射电极时，上述阳极优选为由高光反射性金属形成的光反射层和含有具有4.0eV以上的功函数的材料的高功函数材料层组合而成的多层结构。
作为这种阳极的构成例，可以举出
(i)Ag-MoO3
(ii)(Ag-Pd-Cu合金)-(ITO和/或IZO)
(iii)(Al-Nd合金)-(ITO和/或IZO)
(iV)(Mo-Cr合金)-(ITO和/或IZO)
(V)(Ag-Pd-Cu合金)-(ITO和/或IZO)-MoO3等。
为了得到充分的光反射率，Al、Ag、Al合金、Ag合金、Cr合金等高光反射性金属层的膜厚优选为50nm以上，更优选为80nm以上。ITO、IZO、MoO3等高功函数材料层的膜厚通常为5nm～500nm。
<空穴注入层>
本发明的电致发光元件中，作为本发明中使用的共轭高分子化合物以外的形成空穴注入层的材料，可以举出咔唑衍生物、三唑衍生物、
Figure BPA00001253077300491
唑衍生物、
Figure BPA00001253077300492
二唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、星型胺(starbust type amine)、酞菁衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、硅氮烷衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳族二次甲基类化合物、卟啉类化合物、聚硅烷类化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生物、有机硅烷衍生物以及含有它们的聚合物。可以举出氧化钒、氧化钽、氧化钨、氧化钼、氧化钌、氧化铝等导电性金属氧化物，聚苯胺、苯胺类共聚物、噻吩低聚物、聚噻吩等导电性高分子和低聚物，聚(3，4-亚乙基二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸、聚吡咯等有机导电性材料以及含有它们的聚合物，无定形碳。进一步优选使用四氰基醌二甲烷衍生物(例如2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰基醌二甲烷)、1，4-萘醌衍生物、二苯酚合苯醌衍生物、多硝基化合物等接受性有机化合物，十八烷基三甲氧基硅烷等硅烷偶联剂等。
上述材料可以以单一成分使用或以包含多种成分的组合物形式使用。上述空穴注入层可以为由上述材料中的1种或2种以上形成的单层结构，也可以为由同一组成或不同组成的多层形成的多层结构。作为空穴传输层或中间层中可以使用的材料列举的材料也可以在空穴注入层中使用。
作为空穴注入层的制造方法，可以利用公知的各种方法。在无机化合材料的情况下，可以举出真空气相沉积法、溅射法、离子镀法等，在低分子有机材料的情况下，可以举出真空气相沉积法、激光转印或热转印等转印法、通过由溶液成膜进行的方法(可以使用与高分子粘合剂的混合溶液)等。对于高分子有机材料，可以举出通过由溶液成膜进行的方法。
空穴注入材料为吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物等低分子化合物的情况下，可以使用真空气相沉积法形成空穴注入层。
也可以使用分散有高分子化合物粘合剂和上述低分子空穴注入材料的混合溶液来成膜空穴注入层。作为混合的高分子化合物粘合剂，优选为不会极度阻碍电荷传输的高分子粘合剂，优选使用对可见光的吸收不强的高分子粘合剂，作为其例子，可以举出聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯化乙烯、聚硅氧烷等。
作为由溶液成膜时使用的溶剂，只要为溶解空穴注入材料的溶剂则不特别限定。作为该溶剂，可以举出水、氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等含氯溶剂，四氢呋喃等醚溶剂，甲苯、二甲苯等芳烃溶剂，丙酮、甲基乙基酮等酮溶剂，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯溶剂等。
作为由溶液成膜方法，可以使用利用溶液的旋涂法、铸塑法、微凹槽辊涂布法、凹槽辊涂布法、棒涂法、辊涂法、绕线棒涂布法、浸涂法、狭缝涂布法、毛细管涂布法、喷涂法、喷嘴涂布法等涂布法，凹版印刷法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、反转印刷法、喷墨印刷法等印刷法等涂布法。从容易形成图案的方面考虑，优选为凹版印刷法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、反转印刷法、喷墨印刷法等印刷法或喷嘴涂布法。
在空穴注入层之后，形成空穴传输层、中间层、发光层等有机化合物层时，特别是两方的层都通过涂布法形成时，在先涂布的层溶解在随后涂布的层的溶液所含有的溶剂中而有可能不能制造层压结构。此时，可以使用使下层不溶于溶剂中的方法。作为不溶于溶剂的方法，可以举出使高分子化合物具有交联基团、进行交联而不溶的方法，混合含有以芳族双酰胺(aromatic bisazide)为代表的具有芳环的交联基团的低分子化合物作为交联剂、进行交联而不溶的方法，混合含有以丙烯酸酯基为代表的不具有芳环的交联基团的低分子化合物作为交联剂、进行交联而不溶的方法，利用紫外线使下层感光而进行交联、从而不溶于制造上层时所使用的有机溶剂中的方法，对下层进行加热使其交联、从而不溶于制造上层所使用的有机溶剂中的方法等。对下层进行加热时的加热温度通常为100℃～300℃左右，时间通常为1分钟～1小时左右。
作为交联以外的不溶解下层而层压的其它方法，有制造相邻的层时使用不同极性的溶液的方法，例如有下层使用水溶性的高分子化合物，上层使用油溶性的高分子化合物，进行涂布而不溶解下层的方法等。
空穴注入层的膜厚因所使用的材料不同而最优值不同，可以进行选择以使驱动电压和发光效率为适当的值，但是有必要为至少不产生针孔的厚度，若太厚，则元件的驱动电压升高而不优选。因此，作为该空穴注入层的厚度，例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为10nm～100nm。
<空穴传输层和中间层>
本发明的电致发光元件中，作为本发明中使用的共轭高分子化合物以外的构成空穴传输层和中间层的材料，可以举出例如咔唑衍生物、三唑衍生物、
Figure BPA00001253077300511
唑衍生物、
Figure BPA00001253077300512
二唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、硅氮烷衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳族二次甲基类化合物、卟啉类化合物、聚硅烷类化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生物、有机硅烷衍生物以及含有这些结构的聚合物。还可以举出苯胺类共聚物、噻吩低聚物、聚噻吩等导电性高分子和低聚物，聚吡咯等有机导电性材料。
上述材料可以为单一成分或包含多种成分的组合物。上述空穴传输层和中间层可以为由上述材料中的1种或2种以上形成的单层结构，也可以为由同一组成或不同组成的多层形成的多层结构。作为空穴注入层中可以使用的材料列举的材料也可以在空穴传输层中使用。
作为构成空穴传输层和中间层的材料的例子，可以举出例如日本特开昭63-70257、日本特开昭63-175860、日本特开平2-135359、日本特开平2-135361、日本特开平2-209988、日本特开平3-37992、日本特开平3-152184、日本特开平5-263073、日本特开平6-1972、WO2005/52027、日本特开2006-295203等中公开的化合物。其中，优选使用含有二价芳胺残基作为重复单元的聚合物。
作为二价芳胺残基，可以举出式(21)所示的基团。
作为空穴传输层和中间层的成膜方法，可以举出与空穴注入层的成膜相同的方法。作为由溶液成膜的方法，可以举出上述旋涂法、铸塑法、棒涂法、狭缝涂布法、喷涂法、喷嘴涂布法、凹版印刷法、丝网印刷法、苯胺印刷法、喷墨印刷法等涂布法和印刷法，使用升华性化合物材料时，可以举出真空气相沉积法、转印法等。作为由溶液成膜时所使用的溶剂的例子，可以举出空穴注入层的成膜方法中列举的溶剂。
在空穴传输层和中间层之后，用涂布法形成发光层等有机化合物层时，下层溶解在随后涂布的层的溶液所含有的溶剂中时，可以用与空穴注入层的成膜方法中举出的方法相同的方法使下层不溶于溶剂中。
空穴传输层和中间层的膜厚根据所使用的材料不同而最优值不同，可以进行选择以使驱动电压和发光效率为适当的值，但是有必要为至少不产生针孔的厚度，若太厚，则元件的驱动电压升高而不优选。因此，作为该空穴传输层和中间层的膜厚，例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～100nm。
<发光层>
本发明的电致发光元件中，发光层含有高分子化合物时，作为高分子化合物，可以优选使用聚芴衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、聚亚苯基衍生物、聚对亚苯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚二烷基芴、聚芴苯并噻二唑、聚烷基噻吩等共轭高分子化合物。
含有这些高分子化合物的发光层可以含有苝类色素、香豆素类色素、罗丹明类色素等高分子类色素化合物，红荧烯、苝、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆素6、喹吖啶酮等低分子色素化合物。可以含有萘衍生物、蒽或其衍生物、苝或其衍生物、聚甲炔类、呫吨类、香豆素类、菁类等色素类，8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、芳族胺、四苯基环戊二烯或其衍生物、四苯基丁二烯或其衍生物、三(2-苯基吡啶)铟等发磷光的金属络合物。
本发明的电致发光元件所具有的发光层，可以由非共轭高分子化合物与上述有机色素、上述金属络合物等发光性有机化合物的组合物构成。作为非共轭高分子化合物，可以列举聚乙烯、聚氯化乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚酯、聚砜、聚苯醚、聚丁二烯、聚(N-乙烯基咔唑)、烃树脂、酮树脂、苯氧基树脂、聚酰胺、乙基纤维素、乙酸乙烯酯、ABS树脂、聚氨酯、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、环氧树脂、硅树脂。上述非共轭高分子化合物可以在侧链上具有选自咔唑衍生物、三唑衍生物、
Figure BPA00001253077300531
唑衍生物、二
Figure BPA00001253077300532
唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代查尔酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、硅氮烷衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳族二次甲基化合物、卟啉化合物和有机硅烷衍生物中的一种以上衍生物或化合物所示的结构。
发光层含有低分子化合物时，作为该低分子化合物，可以举出红荧烯、苝、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆素6、咔唑、喹吖啶酮等低分子色素化合物，萘衍生物、蒽或其衍生物、苝或其衍生物、聚甲炔类、呫吨类、香豆素类、菁类、靛蓝类等色素类，8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、酞菁或其衍生物的金属络合物、芳族胺、四苯基环戊二烯或其衍生物、四苯基丁二烯或其衍生物等。
发光层含有发磷光的金属络合物时，作为该金属络合物，可以举出三(2-苯基吡啶)铱、含有噻吩基吡啶配位基的铱络合物、含有苯基喹啉配位基的铱络合物、含有三氮杂环壬烷骨架的铽络合物等。
作为发光层中使用的高分子化合物的例子，可以举出WO97/09394、WO98/27136、WO99/54385、WO00/22027、WO01/19834、GB2340304A、GB2348316、US573636、US5741921、US5777070、EP0707020、日本特开平9-111233、日本特开平10-324870、日本特开平2000-80167、日本特开2001-123156、日本特开2004-168999、日本特开2007-162009、《有機EL素子の開発と構成材料》(シ一エムシ一出版、2006年发行)等中公开的聚芴及其衍生物和共聚物、聚亚芳基及其衍生物和共聚物、聚亚芳基亚乙烯基及其衍生物和共聚物、芳胺及其衍生物的(共)聚合物等。
作为低分子化合物的例子，可以举出例如日本特开昭57-51781、《有機薄膜仕事関数デ一タ集“第二版”》(シ一エムシ一出版、2006年发行)、《有機EL素子の開発と構成材料》(シ一エムシ一出版、2006年发行)等中记载的化合物。
上述材料可以为单一成分或包含多种成分的组合物。上述发光层可以为由上述材料中的1种或2种以上形成的单层结构，也可以为由同一组成或不同组成的多层构成的多层结构。
作为发光层的成膜方法的例子，可以举出与空穴注入层的成膜相同的方法。作为由溶液进行成膜的方法的例子，可以举出旋涂法、铸塑法、棒涂法、狭缝涂布法、喷涂法、喷嘴涂布法、凹版印刷法、丝网印刷法、苯胺印刷法、喷墨印刷法等上述涂布法和印刷法，使用升华性化合物材料时，可以举出真空气相沉积法、转印法等。
作为由溶液成膜时使用的溶剂的例子，可以举出空穴注入层的成膜方法中列举的溶剂。
在发光层之后，用涂布法形成电子传输层等的有机化合物层时，下层溶解在随后涂布的层的溶液中含有的溶剂中时，可以用与空穴注入层的成膜方法中举出的方法相同的方法使下层不溶于溶剂中。
发光层的膜厚因所使用的材料不同而最优值不同，可以进行选择以使驱动电压和发光效率为适当的值，但是有必要为至少不产生针孔的厚度，若太厚，则元件的驱动电压升高而不优选。因此，发光层的膜厚例如为5nm～1μm，优选为10nm～500nm，进一步优选为30nm～200nm。
<电子传输层和空穴阻挡层>
本发明的电致发光元件中，作为本发明中使用的共轭高分子化合物以外的构成电子传输层和空穴阻挡层的材料，可以使用公知的材料，可以举出三唑衍生物、
Figure BPA00001253077300541
唑衍生物、
Figure BPA00001253077300542
二唑衍生物、咪唑衍生物、芴酮衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、二苯酚合苯醌衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、噻喃二氧化物衍生物、碳二亚胺衍生物、亚芴基甲烷衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、萘、苝等芳环四羧酸酐、酞菁衍生物、8-羟基喹啉衍生物的金属络合物或金属酞菁、以将苯并
Figure BPA00001253077300543
唑或苯并噻唑作为配位基的金属络合物为代表的各种金属络合物、有机硅烷衍生物、8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。其中，优选为三唑衍生物、
Figure BPA00001253077300544
二唑衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物。
上述材料可以为单一成分或包含多种成分的组合物。上述电子传输层和空穴阻挡层可以为由上述材料中的1种或2种以上形成的单层结构，也可以为由同一组成或不同组成的多层形成的多层结构。此外，作为电子注入层中可以使用的材料列举的材料也可以在电子传输层和空穴阻挡层中使用。
作为电子传输层和空穴阻挡层的成膜方法，可以举出与空穴注入层的成膜相同的方法。作为由溶液成膜的方法的例子，可以举出旋涂法、铸塑法、棒涂法、狭缝涂布法、喷涂法、喷嘴涂布法、凹版印刷法、丝网印刷法、苯胺印刷法、喷墨印刷法等上述涂布法和印刷法，使用升华性化合物材料时，可以举出真空气相沉积法、转印法等。
作为由溶液成膜时使用的溶剂的例子，可以举出空穴注入层的成膜方法中列举的溶剂。
在电子传输层和空穴阻挡层之后，用涂布法形成电子注入层等的有机化合物层时，下层溶解在随后涂布的层的溶液所含有的溶剂中时，可以用与空穴注入层的成膜方法中举出的方法相同的方法使下层不溶于溶剂中。
电子传输层和空穴阻挡层的膜厚因所据使用的材料不同而最优值不同，可以进行选择以使驱动电压和发光效率为适当的值，但是有必要为至少不产生针孔的厚度，若太厚，则元件的驱动电压升高而不优选。因此，作为该电子传输层和空穴阻挡层的膜厚，例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～100nm。
<电子注入层>
本发明的电致发光元件中，作为本发明中使用的共轭高分子化合物以外的构成电子注入层的材料，可以使用公知的材料，可以举出三唑衍生物、
Figure BPA00001253077300551
唑衍生物、
Figure BPA00001253077300552
二唑衍生物、咪唑衍生物、芴酮衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、二苯醌衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、噻喃二氧化物衍生物、碳二亚胺衍生物、亚芴基甲烷衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、萘、苝等的芳环四羧酸酐、酞菁衍生物、8-羟基喹啉衍生物的金属络合物或金属酞菁、以将苯并
Figure BPA00001253077300553
唑或苯并噻唑作为配位基的金属络合物为代表的各种金属络合物、有机硅烷衍生物等。
上述材料可以为单一成分或包含多种成分的组合物。上述电子注入层可以为由上述材料中的1种或2种以上形成的单层结构，也可以为由同一组成或不同组成的多层的多层形成结构。作为电子传输层和空穴阻挡层中可以使用的材料列举的材料也可以在电子注入层中使用。
对电子注入层的成膜方法不加以限定，可以举出与空穴注入层的成膜相同的方法。作为由溶液成膜的方法的例子，可以举出旋涂法、铸塑法、棒涂法、狭缝涂布法、喷涂法、喷嘴涂布法、凹版印刷法、丝网印刷法、苯胺印刷法、喷墨印刷法等上述涂布法和印刷法，使用升华性化合物材料时，可以举出真空气相沉积法、转印法等。
作为由溶液成膜时使用的溶剂的例子，可以举出空穴注入层的成膜方法中列举的溶剂。
电子注入层的膜厚因所使用的材料不同而最优值不同，可以进行选择以使驱动电压和发光效率为适当的值，但是有必要为至少不产生针孔的厚度，若太厚，则元件的驱动电压升高而不优选。因此，该电子注入层的膜厚例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～100nm。
<阴极>
在本发明的电致发光元件中，阴极与发光层、电子传输层、空穴阻挡层、电子注入层等邻接，具有向这些层供给电子的功能。该阴极可以为由单一材料或多种材料形成的单层结构，也可以为包含多层的多层结构。多层结构的情况下，优选为第一阴极层与覆盖阴极层的2层结构或第一阴极层、第二阴极层及覆盖阴极层的3层结构。第一阴极层指的是在阴极中处于最靠发光层一侧的层，覆盖阴极层在2层结构的情况下指的是覆盖第一阴极层的层、在3层结构的情况下指的是覆盖第一阴极层和第二阴极层的层。从供电子能力方面考虑，第一阴极层的材料的功函数优选为3.5eV以下。功函数为3.5eV以下的金属的酸盐化合物、氟化物、碳酸化合物、复合氧化物等也优选用作第一阴极层材料。覆盖阴极层的材料优选使用电阻率低、对水分的耐腐蚀性高的金属、金属氧化物等。
作为第一阴极层材料的例子，可以举出选自碱金属、碱土金属，含有1种以上上述金属的合金，上述金属的氧化物、卤化物、碳酸化合物、复合氧化物，以及它们的混合物中的1种以上材料等。作为碱金属或其氧化物、卤化物、碳酸化合物、复合氧化物的例子，可以举出锂、钠、钾、铷、铯、氧化锂、氧化钠、氧化钾、氧化铷、氧化铯、氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷、氟化铯、碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、碳酸铷、碳酸铯、钼酸钾、钛酸钾、钨酸钾、钼酸铯等。作为碱土金属或其氧化物、卤化物、碳酸化合物、复合氧化物的例子，可以举出镁、钙、锶、钡、氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化钡、氟化镁、氟化钙、氟化锶、氟化钡、碳酸镁、碳酸钙、碳酸锶、碳酸钡、钼酸钡、钨酸钡等。作为含有1种以上的碱金属或碱土金属的合金的例子，可以举出Li-Al合金、Mg-Ag合金、Al-Ba合金、Mg-Ba合金、Ba-Ag合金、Ca-Bi-Pb-Sn合金等。作为第一阴极层材料列举的材料与作为构成电子注入层的材料列举的材料的组合物也可以用于第一阴极层。作为第二阴极层的材料的例子，可以举出与第一阴极层的材料相同的材料。
作为覆盖阴极层材料的例子，可以举出金、银、铜、铝、铬、锡、铅、镍、钛等低电阻金属及含有它们的合金，氧化锡、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化钼等导电性金属氧化物，以及这些导电性金属氧化物与金属的混合物等。
作为阴极为多层结构时的结构的例子，可以举出Mg/Al、Ca/Al、Ba/Al、NaF/Al、KF/Al、RbF/Al、CsF/Al、Na2CO3/Al、K2CO3/Al、Cs2CO3/Al等第一阴极层与覆盖阴极层的2层结构，LiF/Ca/Al、NaF/Ca/Al、KF/Ca/Al、RbF/Ca/Al、CsF/Ca/Al、Ba/Al/Ag、KF/Al/Ag、KF/Ca/Ag、K2CO3/Ca/Ag等第一阴极层、第二阴极层和覆盖阴极层的3层结构(符号“/”表示各层邻接)。第二阴极层的材料优选对第一阴极层的材料具有还原作用。材料间的还原作用的有无以及其程度例如可以由化合物间的键解离能(ΔrH°)来进行估计。即，在利用构成第二阴极层的材料进行的对构成第一阴极层的材料的还原反应中，键解离能为正的组合时，可以第二阴极层的材料对第一阴极层的材料具有还原作用。键解离能例如可以参照《電気化学便覧第5版》(丸善、2000年发行)，《熱力学デ一タベ一スMALT》(科学技术社、1992年发行)等。
阴极的制造方法可以利用公知的各种方法，可以举出真空气相沉积法、溅射法、离子镀法等。使用金属，金属的氧化物、氟化物、碳酸化合物时多使用真空气相沉积法，使用高沸点的金属氧化物、金属复合氧化物或氧化铟锡(ITO)等导电性金属氧化物时多使用溅射法、离子镀法。将与不同种材料的组合物成膜时，使用共气相沉积法、溅射法、离子镀法等。特别是将低分子有机物与金属或金属的氧化物、氟化物、碳酸化合物的组合物成膜时，适合使用共气相沉积法。
阴极的膜厚根据使用的材料、层结构不同而最优值不同，可以进行选择以使驱动电压、发光效率、元件寿命为适当的值。通常，第一阴极层的膜厚为0.5nm～20nm，覆盖阴极层的膜厚为10nm～1μm。例如，第一阴极层使用Ba或Ca、覆盖阴极层使用Al时，优选Ba或Ca的膜厚为2nm～10nm，Al的膜厚为10nm～500nm，第一阴极层使用NaF或KF、覆盖阴极层使用Al时，优选NaF或KF的膜厚为1nm～8nm，Al的膜厚为10nm～500nm。
本发明的电致发光元件中，使用阴极作为透光性电极时，优选覆盖阴极层的可见光透过率为40％，优选为50％以上。这种可见光透过率可以通过使用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化钼等透明导电性金属氧化物作为覆盖阴极层材料，或使利用金、银、铜、铝、铬、锡、铅等低电阻金属及含有它们的合金的覆盖阴极层的膜厚为30nm以下来实现。例如，在第一阴极层中Ba为5nm、第二阴极层中Al为1nm、覆盖阴极层中Al为15nm的阴极结构的情况下，阴极的可见光透过率为50％。
为了提高从阴极一侧的透光率，还可以在阴极的覆盖阴极层上设置防反射层。作为防反射层中使用的材料，优选折射率为1.8～3.0左右，可以举出例如ZnS、ZnSe、WO3等。防反射膜的膜厚根据材料的组合不同而不同，但是通常为10nm～150nm。例如，作为阴极，作为第一阴极层层压5nm的Ba、作为第二阴极层层压1nm的Al、作为覆盖阴极层层压15nm的Ag时，若作为与覆盖阴极层接触的防反射层层压21nm的WO3，则来自发光层一侧的透光率提高10％左右。
<绝缘层>
本发明的电致发光元件可以任意具有的膜厚为5nm以下的绝缘层具有提高与电极的密合性、改善从电极注入电荷(即空穴或电子)、防止与邻接层的混合等功能。作为上述绝缘层的材料，可以举出金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料(聚甲基丙烯酸甲酯等)等。作为设置有膜厚为5nm以下的绝缘层的电致发光元件，可以举出设置有与阴极邻接的膜厚为5nm以下的绝缘层的电致发光元件、设置有与阳极邻接的膜厚5nm以下的绝缘层的电致发光元件。
本发明的电致发光元件例如可以通过在基板上依次层压各层来制造。具体地说，可以如下制造：在基板上设置阳极，在阳极之上根据需要设置空穴注入层、空穴传输层、中间层等层，在其上设置发光层，在发光层之上根据需要设置电子传输层、电子注入层等层，进而在其上层压阴极，由此制造电致发光元件。
可以使用本发明的电致发光元件来制造显示装置。该显示装置具有电致发光元件作为1个像素单元。对像素单元的排列方式不特别限定，可以为电视机等显示装置通常采用的排列，可以为很多像素排列在共同的基板上的方式。在本发明的装置中，排列在基板上的像素根据需要可以形成在用堤槽(bank)限定的像素区域内。
上述装置进一步根据需要可以夹着发光层等在基板对侧具有密封部件。进一步根据需要可以具有滤色器或荧光转换滤光器等滤光器、像素的驱动所必需的电路及布线等用于构成显示装置的任意的构成要素。
<光电转换元件>
接着，对可以使用本发明的层压结构体制造的光电转换元件进行说明。
本发明的光电转换元件具有阴极和阳极，在阴极与阳极之间具有电荷分离层，在电荷分离层与阴极和/或电荷分离层与阴极之间具有包含本发明中使用的共轭高分子化合物的层。在阳极与电荷分离层之间具有包含共轭高分子化合物的层时，第一电极形成阳极，第二电极形成阴极，含有共轭高分子化合物的层用作空穴传输层等。在阴极与电荷分离层之间具有包含共轭高分子化合物的层时，第一电极为阴极，第二电极为阳极，含有共轭高分子化合物的层用作电子传输层等。
本发明的光电转换元件的电荷分离层通常含有供电子性化合物和受电子性化合物。作为供电子性化合物，可以举出共轭高分子化合物，作为其例子，可以举出含有噻吩二基的高分子化合物、含有芴二基的高分子化合物等。作为受电子性化合物的例子，可以举出富勒烯和富勒烯衍生物等。
本发明的光电转换元件通常形成在支撑基板上。作为支撑基板，只要不会阻碍作为有机光电转换元件的特性，则对其材质不特别限定，可以使用玻璃基板、柔性膜基板或塑料基板。
本发明的光电转换元件可以通过公知的方法，例如Synth.Met.，102，982(1999)中记载的方法或Science，270，1789(1995)中记载的方法来制造。
实施例
以下基于实施例和比较例对本发明进行更具体的说明，但是本发明不被以下的实施例所限定。
聚合物的重均分子量(Mw)、数均分子量(Mn)使用凝胶渗透色谱(GPC)(TOSOH株式会社制：HLC-8220GPC)，以聚苯乙烯换算的数均分子量和重均分子量求得。测定的样品以约0.5wt％的浓度溶解于四氢呋喃中，将50μL注入到GPC中。进一步地，使用四氢呋喃作为GPC的流动相，以0.5mL/min的流速流动。聚合物的结构分析通过使用Varian公司制300MHzNMR光谱仪的1H-NMR分析来进行。测定通过使样品以20mg/mL的浓度溶解在可溶的氘代溶剂中来进行。聚合物的最高占据分子轨道(HOMO)的轨道能量由聚合物的电离电位求得，最低未占据分子轨道(LUMO)的轨道能量由电离电位以及HOMO与LUMO的能量差求得。电离电位的测定使用光电子分光装置(理研计器株式会社制：AC-2)。HOMO与LUMO的能量差通过使用紫外-可见光-近红外分光光度计(Virian公司制：Cary5E)测定聚合物的吸收谱，由其吸收末端来求得。
参考例1
2，7-二溴-9，9-双(4-己氧基-3-乙氧基羰基苯基)-芴(BSAFBr2)的合成
将2，7-二溴-9-芴酮(20.3g)、水杨酸乙酯(59.8g)、巯基乙酸(0.55g)加入到300mL烧瓶中，进行氮气置换。添加甲磺酸(250mL)，将混合物在75℃下搅拌整夜。将混合物放冷，添加到冰水中并搅拌1小时。过滤生成的固体，用温乙腈洗涤。用丙酮对混合物进行重结晶，由此得到固体。使该固体(3.3g)、1-溴己烷(2.5g)、碳酸钾(3.5g)、18-冠-6-醚(0.4g)溶解在N，N-二甲基甲酰胺(DMF)(35mL)中，将溶液转移到烧瓶中，并在105℃下搅拌整夜。将混合物放冷至室温，加入到冰水中，搅拌1小时。回收生成的固体，用乙醇进行重结晶，由此得到2，7-二溴-9，9-双(4-己氧基-3-乙氧基羰基苯基)-芴(BSAFBr2)。
Figure BPA00001253077300611
参考例2
聚(9，9-双(4-己氧基-3-乙氧基羰基苯基)-芴)(BSAFP)的合成
将BSAFBr2(2.0g)加入到200mL烧瓶中，进行氮气置换。用注射器添加脱水四氢呋喃(75mL)，将混合物升温至55℃。向其中添加2，2’-联吡啶(0.68g)、双(1，5-环辛二烯)镍(1.2g)，在55℃下搅拌5小时。将混合物冷却至室温后，将反应溶液滴加到甲醇(200mL)、水(200mL)、15％氨水(50mL)的混合液中。通过过滤收集生成的沉淀物，进行减压干燥后，再溶解在甲苯中。使用硅藻土过滤溶液后，将滤液通过氧化铝柱，将柱处理液减压浓缩。向浓缩后的溶液中滴加甲醇，通过过滤收集生成的沉淀物后进行减压干燥，由此得到由式(A)所示的重复单元构成的白色BSAFP(752mg)。BSAFP的数均分子量(Mn)为398000，重均分子量(Mw)为729000，分散(Mw/Mn)为1.83。
Figure BPA00001253077300612
实施例1
BSAFP锂盐(BSAFLi)的合成
将BSAFP(160mg)加入到100mL烧瓶中，进行氮气置换。添加四氢呋喃(20mL)、乙醇(20mL)，将混合物升温至55℃。向其中添加氢氧化锂(100mg)溶解在水(2mL)中而成的水溶液，在55℃下搅拌1小时。在反应体系中析出固体之后，进一步添加甲醇(40mL)，进而搅拌2小时。将混合物冷却至室温后，减压蒸馏除去反应溶剂。生成的固体用水洗涤，进行减压干燥，由此得到淡黄色的固体(150mg)。通过NMR谱确认来自BSAFP内的乙酯部位的乙基的信号完全消失。将得到的BSAFP的锂盐称作共轭高分子化合物1。共轭高分子化合物1由式(B)所示的重复单元构成。共轭高分子化合物1的HOMO的轨道能量为-5.78eV，LUMO的轨道能量为-3.14eV。
Figure BPA00001253077300621
实施例2
BSAFP钠盐(BSAFNa)的合成
将BSAFP(200mg)加入到100mL烧瓶中，进行氮气置换。添加四氢呋喃(20mL)、乙醇(20mL)，将混合物升温至55℃。向其中添加氢氧化钠(200mg)溶解在水(2mL)中而成的水溶液，在55℃下搅拌3小时。将混合物冷却至室温后，减压蒸馏除去反应溶剂。生成的固体用水洗涤，进行减压干燥，由此得到淡黄色的固体(180mg)。通过NMR谱确认来自BSAFP内的乙酯部位的乙基的信号完全消失。将得到的BSAFP的钠盐称作共轭高分子化合物2。共轭高分子化合物2由式(C)所示的重复单元构成。共轭高分子化合物2的HOMO的轨道能量为-5.67eV，LUMO的轨道能量为-3.04eV。
实施例3
BSAFP钾盐(BSAFK)的合成
将BSAFP(150mg)加入到100mL烧瓶中，进行氮气置换。添加四氢呋喃(20mL)、乙醇(20mL)，将混合物升温至55℃。向其中添加氢氧化钾(200mg)溶解在水(2mL)中而成的水溶液，在55℃下搅拌3小时。将混合物冷却至室温后，减压蒸馏除去反应溶剂。生成的固体用水洗涤，进行减压干燥，由此得到淡黄色的固体(130mg)。通过MR谱确认来自BSAFP内的乙酯部位的乙基的信号完全消失。将得到的BSAFP的钾盐称作共轭高分子化合物3。共轭高分子化合物3由式(D)所示的重复单元构成。共轭高分子化合物3的HOMO的轨道能量为-5.65eV，LUMO的轨道能量为-3.02eV。
Figure BPA00001253077300631
实施例4
BSAFP铯盐(BSAFCs)的合成
将BSAFP(100mg)加入到100mL烧瓶中，进行氮气置换。添加四氢呋喃(20mL)、乙醇(20mL)，将混合物升温至55℃。向其中添加氢氧化铯(200mg)溶解在水(2mL)中而成的水溶液，在55℃下搅拌3小时。将混合物冷却至室温后，减压蒸馏除去反应溶剂。生成的固体用水洗涤，进行减压干燥，由此得到淡黄色的固体(90mg)。通过NMR谱确认来自BSAFP内的乙酯部位的乙基的信号完全消失。将得到的BSAFP的铯盐称作共轭高分子化合物4。共轭高分子化合物4由式(E)所示的重复单元构成。共轭高分子化合物4的HOMO的轨道能量为-5.65eV，LUMO的轨道能量为-3.11eV。
Figure BPA00001253077300641
实施例5
BSAFP四甲基铵盐(BSAFNMe4)的合成
将BSAFP(100mg)加入到100mL烧瓶中，进行氮气置换。添加四氢呋喃(20mL)、乙醇(20mL)，将混合物升温至55℃。向其中添加四甲基氢氧化铵(27.3mg)溶解在水(2mL)中而成的水溶液，在55℃下搅拌3小时。将混合物冷却至室温后，减压蒸馏除去反应溶剂。生成的固体用水洗涤，进行减压干燥，由此得到淡黄色的固体(90mg)。通过NMR谱确认来自BSAFP内的乙酯部位的乙基的信号完全消失，取而代之出现四甲基铵离子的信号。将得到的BSAFP的铵盐称作共轭高分子化合物5。共轭高分子化合物5由式(F)所示的重复单元构成。共轭高分子化合物5的HOMO的轨道能量为-5.75eV，LUMO的轨道能量为-2.89eV。
Figure BPA00001253077300642
实施例6
含乙二醇链的BSAFP(BSAF-EG)的合成
将BSAFP(100mg)加入到100mL烧瓶中，进行氮气置换。添加三乙二醇单甲酯(20mL)、三乙二醇二甲酯(20mL)、浓硫酸(1mL)，将混合物升温至150℃，搅拌2天。将混合物冷却至室温后，滴加到水(100mL)、甲醇(100mL)的混合液中。通过过滤收集生成的沉淀物，进行减压干燥，由此得到淡黄色的固体(90mg)。通过NMR谱确认来自BSAFP内的乙酯部位的乙基的信号完全消失，取而代之出现三乙二醇甲酯的信号。将得到的含乙二醇链的BSAFP称作共轭高分子化合物6。共轭高分子化合物6由式(G)所示的重复单元构成。共轭高分子化合物6的HOMO的轨道能量为-5.84eV，LUMO的轨道能量为-3.18eV。
Figure BPA00001253077300651
参考例3
2，7-双(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂环戊硼烷-2-基)-9，9-双(4-己氧基-3-乙氧基羰基苯基)-芴(BSAFBE)的合成
在氮气氛围气体下，将BSAFBr2(100mg)、联硼酸频那醇酯(bis(pinacolate)diboron)(68.08g)、[1，1’-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯(II)二氯甲烷络合物(5.97g)、1，1’-双(二苯基膦基)二茂铁(4.05g)、乙酸钾(71.75g)、二
Figure BPA00001253077300652
烷(1300mL)混合，加热至110℃，加热回流10小时。放冷后，过滤反应溶液，减压浓缩滤液。使反应混合物溶解在甲苯中，加入到乙腈中进行再沉淀，回收生成的沉淀物。使沉淀物溶解在甲苯中，向溶液中加入活性炭并进行搅拌后进行过滤，减压浓缩滤液。进一步地，加入乙腈和水并进行搅拌后进行过滤，使过滤的固体溶解在甲苯中，用乙腈进行再沉淀，由此得到2，7-双(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂环戊硼烷-2-基)-9，9-双(4-己氧基-3-乙氧基羰基苯基)-芴(BSAFBE)(78.6g)。
Figure BPA00001253077300661
参考例4
苯基共聚物(聚合物A(BSAF-Ph)的合成
在惰性氛围气体下，将1，4-二溴苯(0.21g)、BSAFBE(0.80g)、三苯基膦钯(0.01g)、甲基三辛基氯化铵(Aldrich制、商品名Aliquat336(注册商标))(0.20g)、甲苯(10mL)混合，加热至105℃。向该反应溶液中滴加2M碳酸钠(Na2CO3)水溶液(5mL)，回流10小时。反应后，将该反应液冷却至室温，滴加到甲醇120ml中，并搅拌1小时后，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，溶解在四氢呋喃20ml中。将该溶液滴加到甲醇120ml、水50mL的混合溶剂中，并搅拌1小时后，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，溶解在四氢呋喃20ml中。将该溶液滴加到丙酮120ml中，并搅拌30分钟后，过滤析出的沉淀，减压干燥20小时。得到的苯基共聚物(聚合物A(BSAF-Ph)的收量为400mg。
聚合物A(BSAF-Ph)的聚苯乙烯换算的数均分子量为1.2×104。由加料量推定的BSAF-Ph中含有的重复单元为式(H)所示的重复单元。
Figure BPA00001253077300662
实施例7
聚合物A(BSAF-Ph)的铯盐(BSAFCs-Ph)的合成
将聚合物A(BSAF-Ph)(200mg)加入到100mL烧瓶中，进行氮气置换。添加四氢呋喃(20mL)、乙醇(5mL)，将混合物升温至55℃。向其中添加氢氧化铯(200mg)溶解在水(1mL)中而成的水溶液，在55℃下搅拌3小时。将混合物冷却至室温后，减压蒸馏除去反应溶剂。生成的固体用水洗涤，进行减压干燥，由此得到淡黄色的固体(190mg)。通过NMR谱确认来自聚合物A(BSAF-Ph)的乙酯部位的乙基的信号完全消失。将得到的聚合物A(BSAF-Ph)的铯盐称作共轭高分子化合物7。共轭高分子化合物7由式(I)所示的重复单元构成。共轭高分子化合物7的HOMO的轨道能量为-5.78eV，LUMO的轨道能量为-3.19eV。
参考例5
吡嗪共聚物(9∶1)(聚合物B(BSAF-吡嗪(9∶1)))的合成
在惰性氛围气体下，将BSAFBr2(0.35g)、BSAFBE(0.5g)、2，5-二溴吡嗪(0.03g)三苯基膦钯(0.002g)、甲基三辛基氯化铵(Aldrich制、商品名Aliquat336(注册商标))(0.20g)、甲苯(10mL)混合，加热至105℃。向该反应溶液中滴加2M Na2CO3水溶液(5mL)，回流5小时。反应后，将该反应液冷却至室温，滴加到甲醇120ml中，并搅拌1小时后，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，溶解在四氢呋喃20ml中。将该溶液滴加到甲醇120ml、水50mL的混合溶剂中，并搅拌1小时后，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，溶解在四氢呋喃20ml中。将该溶液滴加到丙酮120ml中，并搅拌30分钟后，过滤析出的沉淀，减压干燥20小时。吡嗪共聚物(9∶1)(聚合物B(BSAF-吡嗪(9∶1))的收量为550mg。
聚合物B(BSAF-吡嗪(9∶1))的聚苯乙烯换算的数均分子量为4.5×104。聚合物B(BSAF-吡嗪(9∶1))由式(J)表示。式(J)中，m∶n表示重复单元的摩尔比。
Figure BPA00001253077300681
实施例8
聚合物B(BSAF-吡嗪(9∶1))的钠盐(BSAFNa-吡嗪(9∶1))的合成
将聚合物B(BSAF-吡嗪(9∶1))(200mg)加入到100mL烧瓶中，进行氮气置换。添加四氢呋喃(20mL)、乙醇(5mL)，将混合物升温至55℃。向其中添加氢氧化钠(120mg)溶解在水(1mL)中而成的水溶液，在55℃下搅拌3小时。将混合物冷却至室温后，减压蒸馏除去反应溶剂。生成的固体用水洗涤，进行减压干燥，由此得到淡黄色的固体(120mg)。通过NMR谱确认来自聚合物B(BSAF-吡嗪(9∶1))的乙酯部位的乙基的信号完全消失。将得到的聚合物B(BSAF-吡嗪(9∶1))的钠盐称作共轭高分子化合物8。共轭高分子化合物8以式(K)表示。式(K)中，m∶n表示重复单元的摩尔比。共轭高分子化合物8的HOMO的轨道能量为-5.65eV，LUMO的轨道能量为-3.14eV。
Figure BPA00001253077300682
参考例6
吡嗪共聚物(99∶1)(聚合物C(BSAF-吡嗪(99∶1)))的合成
在惰性氛围气体下，将BSAFBr2(0.43g)、BSAFBE(0.5g)、2，5-二溴吡嗪(0.003g)三苯基膦钯(0.002g)、甲基三辛基氯化铵(Aldrich制、商品名Aliquat336(注册商标))(0.20g)、甲苯(10mL)混合，加热至105℃。向该反应溶液中滴加2M Na2CO3水溶液(5mL)，回流5小时。反应后，将该反应液冷却至室温，滴加到甲醇120ml中，并搅拌1小时后，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，溶解在四氢呋喃20ml中。将该溶液滴加到甲醇120ml、水50ml的混合溶剂中，并搅拌1小时后，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，溶解在四氢呋喃20ml中。将该溶液滴加到丙酮120ml中并搅拌30分钟后，过滤析出的沉淀，减压干燥20小时。吡嗪共聚物(99∶1)(聚合物C(BSAF-吡嗪(99∶1)))的收量为530mg。
聚合物C(BSAF-吡嗪(99∶1))的聚苯乙烯换算的数均分子量为6.8×104。聚合物C(BSAF-吡嗪(99∶1))由式(L)表示。式(L)中，m∶n表示重复单元的摩尔比。
Figure BPA00001253077300691
实施例9
聚合物C(BSAF-吡嗪(99∶1))的钠盐(BSAFNa-吡嗪(99∶1))的合成
将聚合物C(BSAF-吡嗪(99∶1))(200mg)加入到100mL烧瓶中，进行氮气置换。添加四氢呋喃(20mL)、乙醇(5mL)，将混合物升温至55℃。向其中添加氢氧化钠(120mg)溶解在水(1mL)中而成的水溶液，在55℃下搅拌3小时。将混合物冷却至室温后，减压蒸馏除去反应溶剂。生成的固体用水洗涤，进行减压干燥，由此得到淡黄色的固体(150mg)。通过NMR谱确认来自聚合物C(BSAF-吡嗪(99∶1))的乙酯部位的乙基的信号完全消失。将得到的聚合物C(BSAF-吡嗪(99∶1))的钠盐称作共轭高分子化合物9。共轭高分子化合物9以式(M)表示。式(M)中，m∶n表示重复单元的摩尔比。共轭高分子化合物9的HOMO的轨道能量为-5.58eV，LUMO的轨道能量为-2.99eV。
参考例7
N，N-双(4-溴苯基)-N’，N’-双(4-丁基苯基)-1，4-苯二胺(芳胺A)的合成
在惰性氛围气体下，向300mL三颈烧瓶中加入三(二亚苄基丙酮)二钯0.24g(0.27mmol)、二苯基膦基二茂铁0.22g(0.4mmol)、叔丁醇钠2.56g(26.7mmol)和甲苯125mL，在室温下搅拌10分钟。接着，加入三-(4-溴苯基)胺12.9g(26.7mmol)，进一步在室温下搅拌10分钟。然后，加入双(4-丁基苯基)胺5g(17.8mmol)，升温至125℃，回流9小时。反应结束后，过滤反应液除去不溶物后，通过硅胶的短柱，进一步用以环己烷作为展开溶剂的硅胶柱进行纯化，由此得到N，N-双(4-溴苯基)-N’，N’-双(4-丁基苯基)-1，4-苯二胺(芳胺A)(2.96g、收率24％)。
Figure BPA00001253077300702
参考例8
芳胺A共聚物(聚合物D(BSAF-芳胺A))的合成
使芳胺A(0.21g)、BSAFBr2 0.38g和2，2’-联吡啶390mg溶解在脱水的四氢呋喃28ml中后，在氮气氛围气体下，向该溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)690mg，升温至60℃，反应3小时。反应后，将该反应液冷却至室温，滴加到25％氨水10ml/甲醇120ml/离子交换水50ml混合溶液中，并搅拌1小时后，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，溶解在甲苯50ml中。向该溶液中加入1N的盐酸30ml，在室温下搅拌3小时，除去水层后，加入4％氨水30ml并在室温下搅拌3小时，除去水层。剩余的甲苯溶液用甲醇150ml进行气化，由此进行再沉淀，过滤除去不溶物。然后，再次溶解在甲苯中并通过氧化铝柱(活性氧化铝10g)进行纯化，将回收的甲苯溶液滴加到甲醇200ml中，搅拌30分钟，过滤析出的沉淀并减压干燥2小时。得到的芳胺A共聚物(聚合物D(BSAF-芳胺A))的收量为300mg。
聚合物D(BSAF-芳胺A)的聚苯乙烯换算的数均分子量为4.8×104。聚合物D(BSAF-芳胺A)由式(N)表示。式(N)中，m∶n表示重复单元的摩尔比。
Figure BPA00001253077300711
实施例10
聚合物D(BSAF-芳胺A)的铯盐(BSAFCs-芳胺A)的合成
将聚合物D(BSAF-芳胺A)(200mg)加入到100mL烧瓶中，进行氮气置换。添加四氢呋喃(20mL)、乙醇(10mL)，将混合物升温至55℃。向其中添加氢氧化铯(200mg)溶解在水(2mL)中而成的水溶液，在55℃下搅拌3小时。将混合物冷却至室温后，减压蒸馏除去反应溶剂。生成的固体用水洗涤，进行减压干燥，由此得到淡黄色的固体(190mg)。通过NMR谱确认来自聚合物D(BSAF-芳胺A)的乙酯部位的乙基的信号完全消失。将得到的聚合物D(BSAF-芳胺A)的铯盐称作共轭高分子化合物10。共轭高分子化合物10以式(O)表示。式(O)中，m∶n表示重复单元的摩尔比。共轭高分子化合物10的HOMO的轨道能量为-5.63eV，LUMO的轨道能量为-3.02eV。
Figure BPA00001253077300721
参考例9
芳胺B共聚物(聚合物E(BSAF-芳胺B))的合成
在惰性氛围气体下，将BSAFBr2(0.41g)、BSAFBE(0.5g)、N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)1，4-苯二胺(0.11g)三苯基膦钯(0.002g)、甲基三辛基氯化铵(Aldrich制、商品名Aliquat336(注册商标))(0.20g)、甲苯(10mL)混合，加热至105℃。向该反应溶液中滴加2MNa2CO3水溶液(5mL)，回流8小时。反应后，将该反应液冷却至室温，滴加到甲醇120ml中，搅拌1小时后，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，溶解在四氢呋喃20ml中。将该溶液滴加到甲醇120ml、水50mL的混合溶剂中，搅拌1小时后，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，溶解在四氢呋喃20ml中。将该溶液滴加到丙酮120ml中，搅拌30分钟后，过滤析出的沉淀，减压干燥20小时。得到的芳胺B共聚物(聚合物E(BSAF-芳胺B))的收量为400mg。
聚合物E(BSAF-芳胺B)的聚苯乙烯换算的数均分子量为3.6×105。聚合物E(BSAF-芳胺B)由式(P)表示。式(P)中，m∶n表示重复单元的摩尔比。
Figure BPA00001253077300722
N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)1，4-苯二胺例如可以通过日本特开2008-74917号公报的合成例1中记载的方法合成。
实施例11
聚合物E(BSAF-芳胺B)的铯盐(BSAFCs-芳胺B)的合成
将聚合物E(BSAF-芳胺B)(200mg)加入到100mL烧瓶中，进行氮气置换。添加四氢呋喃(20mL)、乙醇(5mL)，将混合物升温至55℃。向其中添加氢氧化铯(200mg)溶解在水(1mL)中而成的水溶液，在55℃下搅拌3小时。将混合物冷却至室温后，减压蒸馏除去反应溶剂。生成的固体用水洗涤，进行减压干燥，由此得到淡黄色的固体(160mg)。通过NMR谱确认来自聚合物E(BSAF-芳胺B)的乙酯部位的乙基的信号完全消失。将得到的聚合物E(BSAF-芳胺B)的铯盐称作共轭高分子化合物11。共轭高分子化合物11以式(Q)表示。式(Q)中，m∶n表示重复单元的摩尔比。共轭高分子化合物11的HOMO的轨道能量为-5.21eV，LUMO的轨道能量为-2.62eV。
Figure BPA00001253077300731
参考例10
含氨基的芴聚合物(聚合物F(BSAF-FN))的合成
在惰性氛围气体下，将BSAFBr2(0.41g)、BSAFBE(0.5g)、2，7-二溴-9，9-双(4-N，N-二乙基氨基苯基)-芴(0.008g)、三苯基膦钯(0.002g)、甲基三辛基氯化铵(Aldrich制、商品名Aliquat336(注册商标))(0.20g)、甲苯(10mL)混合，加热至105℃。向该反应溶液中滴加2M Na2CO3水溶液(5mL)，回流7小时。反应后，将该反应液冷却至室温，滴加到甲醇120ml中，搅拌1小时后，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，溶解在四氢呋喃20ml中。将该溶液滴加到甲醇120ml、水50mL的混合溶剂中，搅拌1小时后，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，溶解在四氢呋喃20ml中。将该溶液滴加到丙酮120ml中，搅拌30分钟后，过滤析出的沉淀，减压干燥20小时。得到的含氨基的芴聚合物(聚合物F(BSAF-FN))的收量为430mg。
聚合物F(BSAF-FN)的聚苯乙烯换算的数均分子量为1.2×104。聚合物F(BSAF-FN)由式(R)表示。式(R)中，m∶n表示重复单元的摩尔比。
Figure BPA00001253077300741
2，7-二溴-9，9-双(4-N，N-二乙基氨基苯基)-芴例如可以通过聚合物(Polymer)第49卷、218页(2008年)中记载的方法合成。
实施例12
聚合物F(BSAF-FN)的铯盐(BSAFCs-FN)的合成
将聚合物F(BSAF-FN)(200mg)加入到100mL烧瓶中，进行氮气置换。添加四氢呋喃(20mL)、乙醇(5mL)，将混合物升温至55℃。向其中添加氢氧化铯(200mg)溶解在水(1mL)中而成的水溶液，在55℃下搅拌3小时。将混合物冷却至室温后，减压蒸馏除去反应溶剂。生成的固体用水洗涤，进行减压干燥，由此得到淡黄色的固体(180mg)。通过NMR谱确认来自聚合物F(BSAF-FN)的乙酯部位的乙基的信号完全消失。将得到的聚合物F(BSAF-FN)的铯盐称作共轭高分子化合物12。共轭高分子化合物12以式(S)表示。式(S)中，m∶n表示重复单元的摩尔比。共轭高分子化合物12的HOMO的轨道能量为-5.53eV，LUMO的轨道能量为-2.76eV。
Figure BPA00001253077300742
参考例11
2，7-二溴-9，9-双[3，4-双[2-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]乙氧基]苯基]芴(FEGBr2)的合成
在惰性氛围气体下，将2，7-二溴芴酮(50g)和儿茶酚(345g)混合，升温至130℃。添加3-巯基丙酸(1.96g)和硫酸(7g)，在130度下反应1.5小时。放冷后，投入到水(2L)中，通过过滤回收析出的晶体。使晶体溶解在乙醇中，进行过滤后，浓缩滤液，将浓缩液加入到水中进行再沉淀。通过过滤回收生成的固体，溶解在甲苯中，进行过滤后，加入乙醇，将溶液滴加到己烷中，冷却至5℃。通过过滤回收生成的固体，通过减压干燥得到白色固体。在惰性氛围气体下，将白色固体20g、三乙二醇单甲酯甲苯磺酸酯(72g)、无水碳酸钾(52g)、乙腈(500mL)混合，加热回流下搅拌4小时。放冷后，过滤反应溶液，减压浓缩滤液。反应混合物通过以乙酸乙酯作为展开溶剂的硅胶色谱、进一步通过以THF和乙酸乙酯的混合溶剂作为展开溶剂的硅胶色谱进行纯化，由此得到2，7-二溴-9，9-双[3，4-双[2-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]乙氧基]苯基]芴(FEGBr2)(18g、收率43.2％)。
Figure BPA00001253077300751
参考例12
含乙二醇链的芴共聚物(聚合物G(BSAF-FEG))的合成
在惰性氛围气体下，将FEGBr2(0.80g)、BSAFBE(0.98g)、三苯基膦钯(0.01g)、甲基三辛基氯化铵(Aldrich制、商品名Aliquat336(注册商标))(0.20g)、甲苯(10mL)混合，加热至105℃。向该反应溶液中滴加2MNa2CO3水溶液(5mL)，回流10小时。反应后，将该反应液冷却至室温，滴加到甲醇120ml中，搅拌1小时后，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，溶解在四氢呋喃20ml中。将该溶液滴加到甲醇120ml、水50mL的混合溶剂中，搅拌1小时后，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，溶解在四氢呋喃20ml中。将该溶液滴加到丙酮120ml中，搅拌30分钟后，过滤析出的沉淀，减压干燥20小时。得到的含乙二醇链的芴共聚物(聚合物G(BSAF-FEG))的收量为920mg。
BSAF-FEG的聚苯乙烯换算的数均分子量为1.2×104。聚合物G(BSAF-FEG))由式(T)所示的重复单元构成。
Figure BPA00001253077300761
实施例13
聚合物G(BSAF-FEG)的铯盐(BSAFCs-FEG)的合成
将聚合物G(BSAFCs-FEG)(200mg)加入到100mL烧瓶中，进行氮气置换。添加四氢呋喃(20mL)、乙醇(5mL)，将混合物升温至55℃。向其中添加氢氧化铯(200mg)溶解在水(1mL)中而成的水溶液，在55℃下搅拌3小时。将混合物冷却至室温后，减压蒸馏除去反应溶剂。生成的固体用水洗涤，进行减压干燥，由此得到淡黄色的固体(170mg)。通过NMR谱确认来自聚合物G(BSAFCs-FEG)的乙酯部位的乙基的信号完全消失。将得到的聚合物G(BSAFCs-FEG)的铯盐称作共轭高分子化合物13。共轭高分子化合物13由式(U)所示的重复单元构成。共轭高分子化合物13的HOMO的轨道能量为-5.52eV，LUMO的轨道能量为-2.91eV。
Figure BPA00001253077300762
参考例13
(2，7-二溴)-9H-芴-9，9-二丙酸二丁酯(F2COOBuBr2)的合成
使2，7-二溴芴(8.02g)和苄基三乙基氯化铵(0.56g)溶解在30mL的苯中后，在氮气氛围气体下滴加50％氢氧化钠水溶液8mL，搅拌15分钟。滴加N-丁基丙烯酸酯(12.65g)，在室温下反应5小时。用乙酸乙酯200mL稀释反应溶液，用水洗涤3次，用盐水洗涤1次，通过硫酸镁干燥有机层。过滤溶液，蒸馏除去溶剂后，通过以二氯甲烷作为展开溶剂的硅胶柱色谱进行纯化，进一步用己烷进行重结晶，由此得到(2，7-二溴)-9H-芴-9，9-二丙酸(F2COOBuBr2)(7.87g、55％)。
Figure BPA00001253077300771
参考例14
含羧酸基的芴聚合物(聚合物H(F8-F2COOBu)的合成
在惰性氛围气体下，将2，7-双(1，3，2-二氧杂环戊硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴(1.00g)、F2COOBuBr2(1.09g)、三苯基膦钯(0.03g)、甲基三辛基氯化铵(Aldrich制、商品名Aliquat336(注册商标))(0.20g、Aldrich制)、甲苯(20mL)混合，加热至105℃。向该反应溶液中滴加2M Na2CO3水溶液(5mL)，回流4小时。反应后，将该反应液冷却至室温，滴加到甲醇120ml中，搅拌1小时后，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，溶解在四氢呋喃20ml中。将该溶液滴加到甲醇120ml、水50mL的混合溶剂中，搅拌1小时后，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，溶解在四氢呋喃20ml中。将该溶液滴加到丙酮120ml中，搅拌30分钟后，过滤析出的沉淀，减压干燥20小时。得到的含羧酸基的芴聚合物(聚合物H(F8-F2COOBu))的收量为300mg。
聚合物H(F8-F2COOBu)的聚苯乙烯换算的数均分子量为3.5×104。聚合物H(F8-F2COOBu)由式(V)所示的重复单元构成。
实施例14
含羧酸基的芴聚合物-钠盐(F8-F2COONa)的合成
将聚合物H(F8-F2COOBu)(200mg)加入到100mL烧瓶中，进行氮气置换。添加四氢呋喃(20mL)、乙醇(5mL)，将混合物升温至55℃。向其中添加氢氧化钠(120mg)溶解在水(1mL)中而成的水溶液，在55℃下搅拌3小时。将混合物冷却至室温后，减压蒸馏除去反应溶剂。生成的固体用水洗涤，进行减压干燥，由此得到淡黄色的固体(120mg)。通过NMR谱确认来自聚合物H(F8-F2COOBu)的丁酯部位的丁基的信号完全消失。将得到的聚合物H(F8-F2COOBu)的钠盐称作共轭高分子化合物14。共轭高分子化合物14由式(W)所示的重复单元构成。共轭高分子化合物14的HOMO的轨道能量为-5.56eV，LUMO的轨道能量为-2.75eV。
Figure BPA00001253077300782
参考例15
含羧酸基的亚苯基聚合物(聚合物I(F8-PhCOOMe))的合成
在惰性氛围气体下，将2，7-双(1，3，2-二氧杂环戊硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴(1.00g)、2，5-二溴苯甲酸甲酯(Aldrich制)(0.52g)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.01g)、甲基三辛基氯化铵(Aldrich制、商品名Aliquat336(注册商标))(0.20g、Aldrich制)、甲苯(20mL)混合，加热至105℃。向该反应溶液中滴加2M Na2CO3水溶液(5mL)，回流4小时。反应后，将该反应液冷却至室温，滴加到甲醇120ml中，搅拌1小时后，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，溶解在四氢呋喃20ml中。将该溶液滴加到甲醇120ml、水50mL的混合溶剂中，搅拌1小时后，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，溶解在四氢呋喃20ml中。将该溶液滴加到丙酮120ml中，搅拌30分钟后，过滤析出的沉淀，减压干燥20小时。得到的含羧酸基的亚苯基聚合物(聚合物I(F8-PhCOOMe))的收量为300mg。
聚合物I(F8-PhCOOMe)的聚苯乙烯换算的数均分子量为3.5×104。聚合物I(F8-PhCOOMe)由式(X)所示的重复单元构成。
Figure BPA00001253077300791
实施例15
含羧酸基的亚苯基聚合物-铯盐(F8-PhCOOCs)的合成
将聚合物I(F8-PhCOOMe)(160mg)加入到100mL烧瓶中，进行氮气置换。添加四氢呋喃(20mL)、乙醇(5mL)，将混合物升温至55℃。向其中添加氢氧化铯(120mg)溶解在水(1mL)中而成的水溶液，在55℃下搅拌3小时。将混合物冷却至室温后，减压蒸馏除去反应溶剂。生成的固体用水洗涤，进行减压干燥，由此得到淡黄色的固体(110mg)。通过NMR谱确认来自聚合物I(F8-PhCOOMe)的甲酯部位的甲基的信号完全消失。将得到的聚合物I(F8-PhCOOMe)的钠盐称作共轭高分子化合物15。共轭高分子化合物15由式(Y)所示的重复单元构成。共轭高分子化合物15的HOMO的轨道能量为-5.72eV，LUMO的轨道能量为-2.93eV。
Figure BPA00001253077300801
参考例16
聚氨酯钠盐(非共轭离子-Na)的合成
将1，3-丁二醇(1.0g)、二丁基二月桂酸锡(7.5mg)、二甲醇丙酸(0.5g)加入到100mL烧瓶中，添加DMF(50mL)，在90℃下搅拌30分钟。加入异佛尔酮二异氰酸酯(3.3g)，在90℃下加热3小时。将温度降低至60℃，加入1M氢氧化钠水溶液进行中和。在60℃下进一步搅拌1小时后，蒸馏除去溶剂，由此得到白色的固体(2.0g)。将得到的聚氨酯钠盐称作非共轭高分子化合物1。非共轭高分子化合物1由式(Z)所示的重复单元构成。
Figure BPA00001253077300802
实施例16
<电致发光元件>
在作为阳极成膜形成了ITO图案的玻璃基板的ITO阳极上涂布空穴注入材料溶液，通过旋涂法以膜厚60nm成膜空穴注入层。
将进行了成膜的玻璃基板在空气中，200℃下加热10分钟，使空穴注入层不溶，将基板自然冷却至室温，得到空穴注入层。
空穴注入材料溶液使用Starck-V TECH Ltd.制PEDOT:PSS溶液(聚(3，4-亚乙基二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸、“制品名：Baytron”)。
接着，将空穴传输性高分子材料与二甲苯混合，得到空穴传输性高分子材料为0.7重量％的空穴传输层形成用组合物。作为空穴传输高分子材料，使用通过以下方法合成的材料。
向装备有回流冷却器和悬臂梁式搅拌机的1升三颈圆底烧瓶中添加2，7-双(1，3，2-二氧杂环戊硼烷)-9，9-二(1-辛基)芴(3.863g、7.283mmol)、N，N-二(对溴苯基)-N-(4-(丁-2-基)苯基)胺(3.177g、6.919mmol)和二(4-溴苯基)苯并环丁胺(156.3mg、0.364mmol)。接着，添加甲基三辛基氯化铵(Aldrich制、商品名Aliquat336(注册商标))(2.29g)，然后添加甲苯50mL。添加PdCl2(PPh3)2催化剂(4.9mg)后，将混合物在105℃的油浴中搅拌15分钟。添加碳酸钠水溶液(2.0M、14mL)，将反应物在105℃的油浴中搅拌16.5小时。然后，添加苯基硼酸(0.5g)，搅拌反应物7小时。除去水层，用水50mL洗涤有机层。将有机层返回至反应烧瓶中，添加二乙基二硫代氨基甲酸钠0.75g和水50mL。将反应物在85℃的油浴中搅拌16小时。除去水层，有机层用100mL的水洗涤3次，接着通到硅胶和碱性氧化铝的柱中。然后，重复2次使含有聚合物的甲苯溶液在甲醇中沉淀的操作，在60℃下真空干燥聚合物，得到空穴传输性高分子4.2g。空穴传输性高分子材料的聚苯乙烯换算的重均分子量为124000，分散(Mw/Mn)为2.8。
在上述得到的已形成空穴注入层的基板的空穴注入层之上通过旋涂法涂布空穴传输层形成用组合物，得到膜厚20nm的涂膜。
将设置有该涂膜的基板在惰性(氮气)氛围气体下，190℃下加热20分钟，使涂膜不溶后，自然冷却至室温，得到空穴传输层。
接着，将发光高分子材料(Sumation Co.，Ltd.制“BP361”)和二甲苯混合，得到发光高分子材料为1.4重量％的发光层形成用组合物。
在上述得到的已形成空穴传输层的基板的空穴传输层之上通过旋涂法涂布发光层形成用组合物，得到膜厚80nm的涂膜。
将设置有该涂膜的基板在惰性(氮气)氛围气体下，130℃下加热20分钟，使溶剂蒸发后，自然冷却至室温，得到发光层。
将甲醇与四氢呋喃以体积比9∶1混合而成的溶剂(溶解度参数12.5)和共轭高分子化合物1混合，得到共轭高分子化合物1为0.2重量％的组合物。
在上述得到的已形成发光层的基板的发光层之上通过旋涂法涂布上述组合物，得到膜厚10nm的涂膜。
将设置有该涂膜的基板在惰性(氮气)氛围气体下，100℃下加热10分钟，使溶剂蒸发后，自然冷却至室温，得到含有共轭高分子化合物2的层。
将上述得到的形成有含有共轭高分子化合物1的层的基板插入到真空装置内，通过真空气相沉积法形成80nm的Al膜，形成阴极，制造层压结构体1。
将上述得到的已形成阴极的基板从真空装置取出，在惰性(氮气)氛围气体下，用密封玻璃和二液混合型环氧树脂密封，制成电致发光元件1。
实施例16
除了使用共轭高分子化合物2来替代共轭高分子化合物1之外，与实施例15同样地进行操作，得到电致发光元件2。
实施例17
除了使用共轭高分子化合物3来替代共轭高分子化合物1之外，与实施例15同样地进行操作，得到电致发光元件3。
实施例18
除了使用共轭高分子化合物4来替代共轭高分子化合物1之外，与实施例15同样地进行操作，得到电致发光元件4。
实施例19
除了使用共轭高分子化合物5来替代共轭高分子化合物1之外，与实施例15同样地进行操作，得到电致发光元件5。
实施例20
除了含有共轭高分子化合物的层的形成之外，与实施例15同样地进行操作，得到电致发光元件6。含有共轭高分子化合物的层如下形成：将甲醇与四氢呋喃以体积比1∶1混合而成的溶剂(溶解度参数11.0)和共轭高分子化合物6混合，得到共轭高分子化合物6为0.2重量％的组合物，在形成有发光层的基板的发光层之上通过旋涂法涂布该组合物，由此形成膜厚10nm的层。
实施例21
除了使用共轭高分子化合物7来替代共轭高分子化合物1之外，与实施例15同样地进行操作，得到电致发光元件7。
实施例22
除了使用共轭高分子化合物8来替代共轭高分子化合物1之外，与实施例15同样地进行操作，得到电致发光元件8。
实施例23
除了使用共轭高分子化合物9来替代共轭高分子化合物1之外，与实施例15同样地进行操作，得到电致发光元件9。
实施例24
除了使用共轭高分子化合物10来替代共轭高分子化合物1之外，与实施例15同样地进行操作，得到电致发光元件10。
实施例25
除了使用共轭高分子化合物11来替代共轭高分子化合物1之外，与实施例15同样地进行操作，得到电致发光元件11。
实施例26
除了使用共轭高分子化合物12来替代共轭高分子化合物1之外，与实施例15同样地进行操作，得到电致发光元件12。
实施例27
除了使用共轭高分子化合物13来替代共轭高分子化合物1之外，与实施例15同样地进行操作，得到电致发光元件13。
实施例28
除了使用共轭高分子化合物14来替代共轭高分子化合物1之外，与实施例15同样地进行操作，得到电致发光元件14。
实施例29
除了使用共轭高分子化合物15来替代共轭高分子化合物1之外，与实施例15同样地进行操作，得到电致发光元件15。
比较例1
除了不形成含有共轭高分子化合物1的层之外，与实施例7同样地进行操作，得到电致发光元件16。
比较例2
除了使用非共轭高分子化合物1来替代共轭高分子化合物1之外，与实施例7同样地进行操作，得到电致发光元件17。
对上述得到的电致发光元件1～17施加10V的顺方向电压，测定发光亮度和发光效率。结果如表1所示。
表1
Figure BPA00001253077300841
Figure BPA00001253077300851
由表1可知，含有本发明的层压结构体的电致发光元件与不含有上述层压结构体的电致发光元件相比，发光亮度显著优异。
工业实用性
若使用本发明的层压结构体则可以制造亮度高的电致发光元件，因此本发明在工业上是非常有用的。

Claims (29)

1.层压结构体，具有第一电极和第二电极，在该第一电极与该第二电极之间具有发光层或电荷分离层，在该发光层或电荷分离层与该第一电极之间具有包含共轭高分子化合物的层，该共轭高分子化合物具有选自式(1)所示的重复单元、式(3)所示的重复单元和式(5)所示的重复单元中的1种以上重复单元，
Figure FPA00001253077200011
(式中，Ar1表示二价芳基，R1表示含有式(2)所示的基团的取代基，该Ar1可以具有R1以外的取代基，n1表示1以上的整数，R1存在多个时，它们可以相同或不同)；
    -(R2)c1-(Q1)n2-Y1(M1)a1(Z1)b1    (2)
(式中，R2表示可以具有取代基的二价芳基，Q1表示可以具有取代基的二价有机基团，Y1表示碳阳离子、铵阳离子、膦酰基阳离子或磺酰基阳离子，M1表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RaSO3 -、RaCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -或PF6 -，Z1表示金属离子或可以具有取代基的铵离子，c1表示0或1，n2表示0以上的整数，其中，c1为0时n2为0，a1表示1以上的整数，b1表示0以上的整数，选择a1和b1以使式(2)所示的取代基的电荷为0，Ra表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基，Q1存在多个时，它们可以相同或不同，M1存在多个时，它们可以相同或不同，Z1存在多个时，它们可以相同或不同)；
Figure FPA00001253077200021
(式中，Ar2表示二价芳基，R3表示含有式(4)所示的基团的取代基，该Ar2可以具有R3以外的取代基，n3表示1以上的整数，R3存在多个时，它们可以相同或不同)；
    -(R4)c2-(Q2)n4-Y2(M2)a2(Z2)b2    (4)
(式中，R4表示可以具有取代基的二价芳基，Q2表示可以具有取代基的二价有机基团，Y2表示-CO2 -、-SO3 -、-SO2 -或-PO3 2-，M2表示金属阳离子或可以具有取代基的铵阳离子，Z2表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RbSO3 -、RbCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -或PF6 -，c2表示0或1，n4表示0以上的整数，其中，Y2为SO3-时，n4为0，a2表示1以上的整数，b2表示0以上的整数，选择a2和b2以使式(4)所示的取代基的电荷为0，Rb表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基，Q2存在多个时，它们可以相同或不同，M2存在多个时，它们可以相同或不同，Z2存在多个时，它们可以相同或不同)；
Figure FPA00001253077200022
(式中，Ar3表示二价芳基，R5表示含有式(6)所示的基团的取代基，该Ar3可以具有R5以外的取代基，n5表示1以上的整数，R5存在多个时，它们可以相同或不同)；
    -R6{-(CH2)n6-Y3}m1    (6)
(式中，R6表示一价芳基，n6表示0以上的整数，m1表示1以上的整数，Y3表示-CN或式(7)～(14)所示的基团，Y3存在多个时，它们可以相同或不同，n6存在多个时，它们可以相同或不同，式(6)所示的基团含有4个以上杂原子)；
-O-(R’O)a4-R”  (7)
-S-(R’S)a3-R”  (8)
-C(＝O)-(R’-C(＝O))a3-R”  (9)
-C(＝S)-(R’-C(＝S))a3-R”  (10)
-N(R’)-(N(R’))a3-R”  (11)
-C(＝O)O-(R’-C(＝O)O)a3-R”  (12)
-C(＝O)-O-(R’O)a3-R”  (13)
-NHC(＝O)-(R’NHC(＝O))a3-R”  (14)
(式(7)～(14)中，R’表示可以具有取代基的二价烃基，R”表示氢原子、可以具有取代基的一价烃基、-COOH、-SO3H、-OH、-SH、-NRc 2、-CN或-C(＝O)NRc 2，a3表示0以上的整数，a4表示3～20的整数，Rc表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基，R’存在多个时，它们可以相同或不同)。
2.如权利要求1所述的层压结构体，其中，Ar1所示的二价芳基为从式1～6、式8、式14、式27、式28、式38或式42所示的环除去2个氢原子而得到的基团，
Figure FPA00001253077200041
3.如权利要求2所述的层压结构体，其中，Ar1所示的二价芳基为从式1、式38或式42所示的环除去2个氢原子而得到的基团。
4.如权利要求1所述的层压结构体，其中，Ar2所示的二价芳基为从式1～6、式8、式14、式27、式28、式38或式42所示的环除去2个氢原子而得到的基团，
Figure FPA00001253077200042
5.如权利要求4所述的层压结构体，其中，Ar2所示的二价芳基为从式1、式38或式42所示的环除去2个氢原子而得到的基团。
6.如权利要求1所述的层压结构体，其中，Ar3所示的二价芳基为从式1～6、式8、式14、式27、式28、式38或式42所示的环除去2个氢原子而得到的基团，
Figure FPA00001253077200051
7.如权利要求6所述的层压结构体，其中，Ar3所示的二价芳基为从式1、式38或式42所示的环除去2个氢原子而得到的基团。
8.如权利要求3所述的层压结构体，其中，式(1)所示的重复单元为式(15)所示的重复单元，
Figure FPA00001253077200052
(式中，R7表示可以具有取代基的二价芳基，Q3表示可以具有取代基的亚烷基或可以具有取代基的氧基亚烷基，n2、Y1、M1、Z1、a1和b1表示与上述相同的意思，存在的多个n2、R7、Y1、M1、a1和b1可以相同或不同，Z1存在多个时，它们可以相同或不同，Q3存在多个时，它们可以相同或不同)。
9.如权利要求5所述的层压结构体，其中，式(3)所示的重复单元为式(16)所示的重复单元，
Figure FPA00001253077200053
(式中，R8表示可以具有取代基的二价芳基，Q4表示可以具有取代基的亚烷基或可以具有取代基的氧基亚烷基，n4、Y2、M2、Z2、a2和b2表示与上述相同的意思，存在的多个n4、R8、Y2、M2、a2和b2可以相同或不同，Z2存在多个时，它们可以相同或不同，Q4存在多个时，它们可以相同或不同)。
10.如权利要求7所述的层压结构体，其中，式(5)所示的重复单元为式(17)所示的重复单元，
Figure FPA00001253077200061
(式中，n6、m1、R6、Y3表示与上述相同的意思，存在的多个n6、m1、R6、Y3可以相同或不同)。
11.如权利要求1～10中任意一项所述的层压结构体，其中，共轭高分子化合物为进一步具有式(20)所示的重复单元的共轭高分子化合物，
Figure FPA00001253077200062
(式中，Ar4表示可以具有取代基的二价芳基或可以具有取代基的二价芳胺残基，X表示可以具有取代基的亚氨基、可以具有取代基的亚甲硅烷基、可以具有取代基的亚乙烯基或亚乙炔基，m2和m3各自独立地表示0或1，m2和m3中至少一个为1)。
12.如权利要求1～11中任意一项所述的层压结构体，其中，共轭高分子化合物中的式(1)所示的重复单元、式(3)所示的重复单元和式(5)所示的重复单元的个数的总计，在该共轭高分子化合物具有的全部重复单元的个数的总计为100摩尔时，为15～100摩尔。
13.如权利要求1～12中任意一项所述的层压结构体，其中，共轭高分子化合物的数均分子量为5×103～5×106。
14.如权利要求1～13中任意一项所述的层压结构体，其中，共轭高分子化合物的最低未占据分子轨道(LUMO)的轨道能量为-5.0eV～-2.0eV。
15.如权利要求1～14中任意一项所述的层压结构体，其中，共轭高分子化合物的最高占据分子轨道(HOMO)的轨道能量为-6.0eV～-3.0eV。
16.如权利要求1～15中任意一项所述的层压结构体，其中，第一电极为阴极。
17.层压体结构体，其具有第一电极和第二电极，在该第一电极与该第二电极之间具有发光层或电荷分离层，在该发光层或电荷分离层与该第一电极之间具有包含不溶于溶解度参数小于9.3的溶剂的共轭高分子化合物的层。
18.电致发光元件，含有权利要求1～17中任意一项所述的层压结构体。
19.光电转换元件，含有权利要求1～17中任意一项所述的层压结构体。
20.含有式(15)所示的重复单元的共轭高分子化合物，
Figure FPA00001253077200071
(式中，R7表示可以具有取代基的二价芳基，Q3表示可以具有取代基的亚烷基或可以具有取代基的氧基亚烷基，Y1表示碳阳离子、铵阳离子、膦酰基阳离子或磺酰基阳离子，M1表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RaSO3 -、RaCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -或PF6 -，Z1表示金属离子或可以具有取代基的铵离子，n2表示0以上的整数，a1表示1以上的整数，b1表示0以上的整数，选择a1和b1以使式(15)所示的重复单元的电荷为0，Ra表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基，存在的多个R7、Y1、M1、a1、b1、n2可以相同或不同，Z1存在多个时，它们可以相同或不同，Q3存在多个时，它们可以相同或不同)。
21.含有式(16)所示的重复单元的共轭高分子化合物，
(式中，R8表示可以具有取代基的二价芳基，Q4表示可以具有取代基的亚烷基或可以具有取代基的氧基亚烷基，Y2表示-CO2 -、-SO3 -、-SO2 -或-PO3 2-，M2表示金属阳离子或可以具有取代基的铵阳离子，Z2表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RbSO3 -、RbCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -或PF6 -，n4表示0以上的整数，其中，Y2为SO3-时，n4为0，a2表示1以上的整数，b2表示0以上的整数，选择a2和b2以使式(16)所示的重复单元的电荷为0，Rb表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基，存在的多个R8、Y2、M2、a2、b2、n4可以相同或不同，Z2存在多个时，它们可以相同或不同，Q4存在多个时，它们可以相同或不同)。
22.含有式(17)所示的重复单元的共轭高分子化合物，
(式中，R6表示一价芳基，n6表示0以上的整数，m1表示1以上的整数，Y3表示-CN或式(7)～(14)所示的基团，存在的多个R6、m1、n6、Y3可以相同或不同，
-O-(R’O)a4-R”  (7)
-S-(R’S)a3-R”  (8)
-C(＝O)-(R’-C(＝O))a3-R”  (9)
-C(＝S)-(R’-C(＝S))a3-R”  (10)
-N(R’)-(N(R’))a3-R”  (11)
-C(＝O)O-(R’-C(＝O)O)a3-R”  (12)
-C(＝O)-O-(R’O)a3-R”  (13)
-NHC(＝O)-(R’NHC(＝O))a3-R”  (14)
(式(7)～(14)中，R’表示可以具有取代基的二价烃基，R”表示氢原子、可以具有取代基的一价烃基、-COOH、-SO3H、-OH、-SH、-NRc 2、-CN或-C(＝O)NRc 2，a3表示0以上的整数，a4表示3～20的整数，Rc表示可以具有取代基的碳原子数为1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6～50的芳基，R’存在多个时，它们可以相同或不同)。
23.如权利要求20～22中任意一项所述的共轭高分子化合物，进一步具有式(20)所示的重复单元，
Figure FPA00001253077200091
(式中，Ar4表示可以具有取代基的二价芳基或可以具有取代基的二价芳胺残基，X表示可以具有取代基的亚氨基、可以具有取代基的亚甲硅烷基、可以具有取代基的亚乙烯基或亚乙炔基，m2和m3各自独立地表示0或1，m2和m3中至少一个为1)。
24.如权利要求20或23所述的共轭高分子化合物，其中，共轭高分子化合物中的式(15)所示的重复单元的个数的总计，在该共轭高分子化合物具有的全部重复单元的个数的总计为100摩尔时，为15～100摩尔。
25.如权利要求21或23所述的共轭高分子化合物，其中，共轭高分子化合物中的式(16)所示的重复单元的个数的总计，在该共轭高分子化合物具有的全部重复单元的个数的总计为100摩尔时，为15～100摩尔。
26.如权利要求22或23所述的共轭高分子化合物，其中，共轭高分子化合物中的式(17)所示的重复单元的个数的总计，在该共轭高分子化合物具有的全部重复单元的个数的总计为100摩尔时，为15～100摩尔。
27.如权利要求20～26中任意一项所述的共轭高分子化合物，其中，数均分子量为5×103～1×108。
28.如权利要求20～27中任意一项所述的共轭高分子化合物，其中，最低未占据分子轨道(LUMO)的轨道能量为-5.0eV～-2.0eV。
29.如权利要求20～28中任意一项所述的共轭高分子化合物，其中，最高占据分子轨道(HOMO)的轨道能量为-6.0eV～-3.0eV。
CN2009801162956A 2008-03-07 2009-03-05 层压结构体 Expired - Fee Related CN102017219B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008057570 2008-03-07
JP2008-057570 2008-03-07
PCT/JP2009/054708 WO2009110642A1 (ja) 2008-03-07 2009-03-05 積層構造体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102017219A true CN102017219A (zh) 2011-04-13
CN102017219B CN102017219B (zh) 2013-03-27

Family

ID=41056186

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009801162956A Expired - Fee Related CN102017219B (zh) 2008-03-07 2009-03-05 层压结构体

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8951646B2 (zh)
EP (2) EP2846374B1 (zh)
JP (2) JP5514458B2 (zh)
KR (1) KR101626994B1 (zh)
CN (1) CN102017219B (zh)
TW (1) TWI496689B (zh)
WO (1) WO2009110642A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107204400A (zh) * 2017-05-24 2017-09-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法以及显示装置

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101626994B1 (ko) * 2008-03-07 2016-06-03 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 적층 구조체
WO2011040388A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 住友化学株式会社 積層構造体、重合体、電界発光素子及び光電変換素子
CN102576804A (zh) * 2009-10-29 2012-07-11 住友化学株式会社 有机光电转换元件及其制造方法
EP2518111B1 (en) 2009-12-25 2019-03-13 Sumitomo Chemical Company, Limited Composition and luminescent element obtained using same
CZ309346B6 (cs) 2010-11-01 2022-09-14 Varroc Lighting Systems, s.r.o. Světlovodný modul se seřiditelným osvětlením povrchu obrysu
JP5876239B2 (ja) * 2010-06-29 2016-03-02 住友化学株式会社 発光素子、その製造方法及び光電変換素子
TW201220574A (en) * 2010-07-21 2012-05-16 Sumitomo Chemical Co Method for manufacturing organic electroluminescence display device and organic electroluminescence display device
US8963422B2 (en) * 2010-07-21 2015-02-24 Sumitomo Chemical Company, Limited Method for manufacturing organic light-emitting device and organic light-emitting device
EP2597934A4 (en) * 2010-07-21 2014-07-16 Sumitomo Chemical Co METHOD OF MANUFACTURING AN ORGANIC EL-ELEMENT
WO2012011471A1 (ja) * 2010-07-21 2012-01-26 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置
EP2597696A4 (en) * 2010-07-21 2018-01-10 Sumitomo Chemical Company Limited Organic el element
EP2597933B1 (en) * 2010-07-21 2019-06-12 Sumitomo Chemical Company, Limited Manufacturing method for organic electroluminescence element
JP5653122B2 (ja) * 2010-08-10 2015-01-14 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP5750247B2 (ja) * 2010-08-31 2015-07-15 住友化学株式会社 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP5875820B2 (ja) * 2010-10-08 2016-03-02 住友化学株式会社 発光素子及び光電変換素子、並びにこれらの製造方法
JP2012084306A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機ｅｌ装置
WO2012053444A1 (ja) * 2010-10-22 2012-04-26 住友化学株式会社 環状構造を有する有機化合物
JP2012114188A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Sumitomo Chemical Co Ltd 発光装置
GB2486203A (en) 2010-12-06 2012-06-13 Cambridge Display Tech Ltd Transition metal oxide doped interface by deposition and drying of precursor
GB2486202A (en) 2010-12-06 2012-06-13 Cambridge Display Tech Ltd Adhesion layer for solution-processed transition metal oxides on inert metal contacts of organic thin film transistors.
GB2487207B (en) * 2011-01-12 2013-07-31 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescence
WO2012114936A1 (ja) * 2011-02-21 2012-08-30 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5899635B2 (ja) * 2011-03-23 2016-04-06 住友化学株式会社 有機ｅｌ素子
WO2012133229A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 住友化学株式会社 電子デバイス及び高分子化合物
WO2012133462A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 住友化学株式会社 電子デバイス、高分子化合物
EP2692796B1 (en) 2011-03-28 2019-07-10 Sumitomo Chemical Co., Ltd Composition
CN103460428B (zh) * 2011-03-28 2016-09-07 住友化学株式会社 电子设备、高分子化合物、有机化合物及高分子化合物的制备方法
JP2012216815A (ja) * 2011-03-28 2012-11-08 Sumitomo Chemical Co Ltd 電子デバイス、高分子化合物
WO2012133165A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 住友化学株式会社 発光素子及びその製造方法
GB201110770D0 (en) 2011-06-24 2011-08-10 Cambridge Display Tech Ltd Process for controlling the acceptor strength of solution-processed transition metal oxides for OLED applications
US9520569B2 (en) 2011-10-17 2016-12-13 Sumitomo Chemical Company, Limited Aryl compounds for application in a highly polar solvent
KR102093793B1 (ko) * 2011-10-31 2020-03-27 삼성전자주식회사 광 다이오드
WO2013079676A1 (en) 2011-11-30 2013-06-06 Novaled Ag Organic electronic device
JP5939423B2 (ja) * 2012-03-01 2016-06-22 日立化成株式会社 ポリマー又はオリゴマー、及びこれを用いた有機エレクトロニクス素子
EP2832761B1 (en) 2012-03-27 2020-11-18 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymer compound and light emitting element using same
KR101950836B1 (ko) * 2012-05-22 2019-02-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법
JP6065909B2 (ja) * 2012-07-11 2017-01-25 コニカミノルタ株式会社 タッチパネル用透明電極、タッチパネル、および表示装置
GB2505893A (en) 2012-09-13 2014-03-19 Cambridge Display Tech Ltd Compounds for use in organic optoelectronic devices
JP6167549B2 (ja) * 2013-02-18 2017-07-26 住友化学株式会社 電極形成用の組成物
GB2513378A (en) * 2013-04-25 2014-10-29 Cambridge Display Tech Ltd Device
US10103384B2 (en) 2013-07-09 2018-10-16 Evonik Degussa Gmbh Electroactive polymers, manufacturing process thereof, electrode and use thereof
DE102014003300A1 (de) 2014-03-07 2015-09-10 Evonik Degussa Gmbh Neue Tetracyanoanthrachinondimethanpolymere und deren Verwendung
DE102014004760A1 (de) 2014-03-28 2015-10-01 Evonik Degussa Gmbh Neue 9,10-Bis(1,3-dithiol-2-yliden)-9,10-dihydroanthracenpolymere und deren Verwendung
WO2015159932A1 (ja) * 2014-04-18 2015-10-22 住友化学株式会社 発光素子およびそれに用いる高分子化合物
GB2539404A (en) * 2015-06-15 2016-12-21 Cambridge Display Tech Ltd Organic diode
GB2545499A (en) * 2015-12-18 2017-06-21 Cambridge Display Tech Ltd Dopant, charge transfer salt and organic electronic device
EP3262094B1 (de) 2015-08-26 2018-12-26 Evonik Degussa GmbH Verwendung bestimmter polymere als ladungsspeicher
WO2017032583A1 (de) 2015-08-26 2017-03-02 Evonik Degussa Gmbh Verwendung bestimmter polymere als ladungsspeicher
CN108292709B (zh) 2015-12-07 2020-10-30 住友化学株式会社 发光元件
KR102345329B1 (ko) 2016-01-29 2022-01-03 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 조성물, 인광 발광성 화합물 및 발광 소자
KR102146324B1 (ko) 2016-06-02 2020-08-21 에보니크 오퍼레이션즈 게엠베하 전극 물질을 제조하는 방법
TWI686415B (zh) 2016-08-05 2020-03-01 德商贏創運營有限公司 含有噻嗯之聚合物作為電荷儲存裝置之用途
WO2018046387A1 (de) 2016-09-06 2018-03-15 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur verbesserten oxidation sekundärer amingruppen
JP6836908B2 (ja) 2017-01-10 2021-03-03 住友化学株式会社 有機デバイスの製造方法
CN110235266B (zh) 2017-01-27 2021-04-02 住友化学株式会社 组合物和使用该组合物得到的发光元件
EP3576175B1 (en) 2017-01-27 2021-06-16 Sumitomo Chemical Company Limited Composition, film using said composition, and method for producing light emitting element
KR20190141210A (ko) 2017-04-27 2019-12-23 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 발광 소자
JPWO2019082771A1 (ja) 2017-10-27 2020-11-26 住友化学株式会社 発光素子
US20200266378A1 (en) 2017-10-27 2020-08-20 Sumitomo Chemical Company, Limited Light-emitting element
WO2020071276A1 (ja) * 2018-10-01 2020-04-09 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用の混合組成物
JP7216754B2 (ja) 2020-03-31 2023-02-01 住友化学株式会社 組成物及びそれを含有する発光素子
GB2605405B (en) * 2021-03-30 2024-04-03 Sumitomo Chemical Co Polymer

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US573636A (en) 1896-12-22 Car-truck
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
JPS6370257A (ja) 1986-09-12 1988-03-30 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真用電荷輸送材料
JPS63175860A (ja) 1987-01-16 1988-07-20 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JP2651237B2 (ja) 1989-02-10 1997-09-10 出光興産株式会社 薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JPH02135359A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135361A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH0337992A (ja) 1989-07-04 1991-02-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH03152184A (ja) 1989-11-08 1991-06-28 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子
JPH07110940B2 (ja) 1991-06-05 1995-11-29 住友化学工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH05263073A (ja) 1992-03-17 1993-10-12 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE4436773A1 (de) 1994-10-14 1996-04-18 Hoechst Ag Konjugierte Polymere mit Spirozentren und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
DE4442052A1 (de) 1994-11-25 1996-05-30 Hoechst Ag Konjugierte Polymere mit Hetero-Spiroatomen und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
JP3367064B2 (ja) 1995-02-01 2003-01-14 住友化学工業株式会社 高分子蛍光体とその製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
EP0848739A1 (de) 1995-09-04 1998-06-24 Hoechst Research &amp; Technology Deutschland GmbH &amp; Co. KG Polymere mit triarylamin-einheiten als elektrolumineszenzmaterialien
JP3760491B2 (ja) 1995-10-16 2006-03-29 住友化学株式会社 高分子蛍光体、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
EP0885461B1 (en) * 1996-03-04 2003-08-13 DuPont Displays, Inc. Polyfluorenes as materials for photoluminescence and electroluminescence
DE19652261A1 (de) 1996-12-16 1998-06-18 Hoechst Ag Arylsubstituierte Poly(p-arylenvinylene), Verfahren zur Herstellung und deren Verwendung in Elektroluminszenzbauelementen
US6309763B1 (en) 1997-05-21 2001-10-30 The Dow Chemical Company Fluorene-containing polymers and electroluminescent devices therefrom
JPH10324870A (ja) 1997-05-23 1998-12-08 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4366727B2 (ja) 1997-07-22 2009-11-18 住友化学株式会社 正孔輸送性高分子とその製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100243089B1 (ko) 1997-07-29 2000-02-01 정선종 이오노머를전하수송층으로하는고분자/유기물전기발광소자의구조및그제조방법
US5777070A (en) 1997-10-23 1998-07-07 The Dow Chemical Company Process for preparing conjugated polymers
GB9805476D0 (en) 1998-03-13 1998-05-13 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
GB2340304A (en) 1998-08-21 2000-02-16 Cambridge Display Tech Ltd Organic light emitters
DE19846768A1 (de) 1998-10-10 2000-04-20 Aventis Res & Tech Gmbh & Co Konjugierte Polymere enthaltend 2,7-Fluorenyleinheiten mit verbesserten Eigenschaften
GB2348316A (en) 1999-03-26 2000-09-27 Cambridge Display Tech Ltd Organic opto-electronic device
TW484341B (en) 1999-08-03 2002-04-21 Sumitomo Chemical Co Polymeric fluorescent substance and polymer light emitting device
AU7432400A (en) 1999-09-16 2001-04-17 Cambridge Display Technology Limited Preparation of benzenediboronic acid via a disilylated aryl-intermediate
KR100337021B1 (ko) 1999-10-18 2002-05-16 윤덕용 이오노머형 발광 고분자 및 이를 이용한 전기 발광 소자
KR20010095429A (ko) 2000-03-30 2001-11-07 윤덕용 단일 이온 전도체를 전자 혹은 정공 주입층으로 이용하는유기/고분자 전기 발광 소자
GB0111549D0 (en) * 2001-05-11 2001-07-04 Cambridge Display Tech Ltd Polymers, their preparation and uses
JP2003077673A (ja) 2001-06-19 2003-03-14 Honda Motor Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100946005B1 (ko) * 2002-05-10 2010-03-09 캠브리지 디스플레이 테크놀로지 리미티드 중합체, 그의 제조 및 용도
JP4461762B2 (ja) 2002-10-30 2010-05-12 住友化学株式会社 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
TWI365218B (en) 2003-11-17 2012-06-01 Sumitomo Chemical Co Conjugated oligomers or polymers based on crosslinkable arylamine compounds
CN100490206C (zh) 2003-12-25 2009-05-20 华南理工大学 有机／高分子发光二极管
EP1709140A4 (en) 2004-01-30 2012-06-27 Sk Innovation Co Ltd ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE POLYMER WITH 9,9-DI (FLUORENYL) -2,7-FLUORENYL UNIT AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENZING DEVICE PREPARED THEREWITH
KR101170168B1 (ko) 2004-01-30 2012-07-31 에스케이이노베이션 주식회사 9,9-디(플루오레닐)-2,7-플루오레닐 단위를 함유하는 유기전기발광고분자 및 이를 이용한 전기발광소자
WO2005121203A1 (ja) 2004-04-14 2005-12-22 Kanazawa University Technology Licensing Organization Ltd. 高い蛍光量子収率を示す共役系高分子と金属塩とのハイブリッド体、その製造方法及びそれを用いた蛍光発光材料
JP5588096B2 (ja) * 2004-10-11 2014-09-10 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 極性半導体正孔輸送材料
CN101061089B (zh) 2004-12-03 2011-07-27 住友化学株式会社 水杨酸酯取代的共轭聚合物及器件
CN100440572C (zh) 2005-05-31 2008-12-03 华南理工大学 一种有机小分子或高分子顶发射发光器件
GB0514476D0 (en) * 2005-07-14 2005-08-17 Cambridge Display Tech Ltd Conductive polymer compositions in opto-electrical devices
US20100176377A1 (en) * 2005-11-18 2010-07-15 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymeric compound and polymeric electroluminescence element using the same
JP5217153B2 (ja) 2005-11-18 2013-06-19 住友化学株式会社 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
KR20080068134A (ko) * 2005-11-18 2008-07-22 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 고분자 화합물 및 이를 이용한 고분자 발광 소자
KR101243919B1 (ko) * 2006-01-27 2013-03-14 삼성디스플레이 주식회사 전도성 고분자 조성물 및 이를 채용한 유기 광전 소자
US20080015269A1 (en) * 2006-04-17 2008-01-17 Bazan Guillermo C Hybrid polymer light-emitting devices
KR101386215B1 (ko) * 2006-06-07 2014-04-17 삼성디스플레이 주식회사 전도성 고분자 조성물 및 이를 채용한 유기 광전 소자
WO2008016091A1 (fr) * 2006-07-31 2008-02-07 Sumitomo Chemical Company, Limited Composé polymère et dispositif luminescent polymère l'utilisant
JP2008056910A (ja) * 2006-07-31 2008-03-13 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子化合物及びそれを用いた高分子発光素子
JP4245015B2 (ja) 2006-08-11 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法並びに電子機器
JP5162868B2 (ja) 2006-09-20 2013-03-13 住友化学株式会社 高分子発光素子及び有機トランジスタ並びにそれらに有用な組成物
JP5144938B2 (ja) 2007-02-02 2013-02-13 住友化学株式会社 高分子発光素子、高分子化合物、組成物、液状組成物及び導電性薄膜
KR101626994B1 (ko) * 2008-03-07 2016-06-03 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 적층 구조체
JP5428034B2 (ja) 2009-01-23 2014-02-26 住友化学株式会社 電子素子およびそれに有用なビピリジニウム骨格を有する高分子化合物

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107204400A (zh) * 2017-05-24 2017-09-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法以及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2846374B1 (en) 2019-11-06
EP2249411A1 (en) 2010-11-10
WO2009110642A1 (ja) 2009-09-11
JP2014194017A (ja) 2014-10-09
US20110006294A1 (en) 2011-01-13
US8951646B2 (en) 2015-02-10
JP5790819B2 (ja) 2015-10-07
KR20110000731A (ko) 2011-01-05
KR101626994B1 (ko) 2016-06-03
JP5514458B2 (ja) 2014-06-04
TWI496689B (zh) 2015-08-21
JP2009239279A (ja) 2009-10-15
CN102017219B (zh) 2013-03-27
TW200946340A (en) 2009-11-16
EP2846374A1 (en) 2015-03-11
EP2249411A4 (en) 2014-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102017219B (zh) 层压结构体
CN102612764B (zh) 层叠结构体、聚合物、场致发光元件及光电转换元件
CN101184789B (zh) 高分子化合物及使用了它的高分子发光元件
TWI288761B (en) Polymeric fluorescent substance, production method thereof, and polymer light-emitting device using the same
CN101203539B (zh) 高分子材料和高分子发光元件
CN103460428B (zh) 电子设备、高分子化合物、有机化合物及高分子化合物的制备方法
CN102066455B (zh) 含有金属络合物的残基的高分子化合物和使用其的元件
CN101516963B (zh) 高分子化合物和高分子发光元件
CN101600752B (zh) 高分子发光元件、高分子化合物、组合物、液态组合物及导电性薄膜
CN106459409B (zh) 聚合物、有机场致发光元件用组合物、有机场致发光元件、有机el显示装置及有机el照明
CN102056960A (zh) 共聚物及使用了其的高分子发光元件
CN101111531A (zh) 高分子材料以及使用该高分子材料的元件
TWI535758B (zh) 高分子發光元件
CN101124259A (zh) 高分子化合物以及使用该高分子化合物的高分子发光元件
CN101821313A (zh) 高分子化合物及使用有该高分子化合物的高分子发光元件
CN102131843A (zh) 吩噁嗪系高分子化合物和使用其的发光元件
CN102725878B (zh) 发光材料、油墨组合物、薄膜、发光元件及发光元件的制造方法
TW201307424A (zh) 電子裝置及高分子化合物
CN103120019A (zh) 有机el元件的制造方法
CN101198633A (zh) 高分子材料和高分子发光器件
WO2013058160A1 (ja) 化合物
CN101218278B (zh) 芳族接枝聚合物
CN102132438A (zh) 层叠结构体、其制造方法和含有其的电子元件
CN103459494A (zh) 组合物
TWI441897B (zh) 有機發光元件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130327