CN102131843A - 吩噁嗪系高分子化合物和使用其的发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及吩噁嗪系高分子化合物和使用其的发光元件，提供一种含有下述式(0)所表示的化合物的残基的高分子化合物，
Figure DPA00001320425400011
式中，Ar0表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基等取代基或下述式(A)所表示的基团，Ar0的至少2个为下述式(A)所表示的基团，R0表示烷基、烷氧基、芳基等取代基，l和m表示0～3的整数，
Figure DPA00001320425400012
式中，A0表示-N＝或-C(R2)＝，R2表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基等取代基。

Description

吩噁嗪系高分子化合物和使用其的发光元件
技术领域
本发明涉及吩噁嗪系高分子化合物和使用其的发光元件。
背景技术
主链骨架中包含具有作为取代基的烷基的吩噁嗪二基的高分子化合物由于在溶剂中可溶而可以利用涂布法形成发光元件中的有机层，因此作为发光材料一直被研究(日本特开2004-137456号公报)。
发明内容
然而，上述高分子化合物的色纯度未必充分。
本发明的目的在于提供色纯度优良的高分子化合物。
本发明的第一方面，提供含下述式(0)所表示的化合物的残基的高分子化合物。
Figure BPA00001320425600011
(式中，Ar0表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基、取代羧基、硝基、氰基或下述式(A)所表示的基团。存在的多个Ar0可以相同也可以不同，Ar0的至少2个为下述式(A)所表示的基团。R0表示烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基、取代羧基、硝基或氰基。1和m分别独立地表示0～3的整数。l+m为2以上时，存在的多个R0可以相同也可以不同。)
(式中，A0表示-N＝或-C(R2)＝。R2表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基、取代羧基、硝基或氰基。R2所表示的基团可以具有取代基。存在的多个A0可以相同也可以不同。)
本发明的第二方面，提供下述式(9-0)所表示的化合物。
Figure BPA00001320425600022
(式中，Ar0、R0、l和m表示与上述相同的意思。X1和X2分别独立地表示能够参与聚合的基团。c和d分别独立地表示0～4的整数。c+1为4以下，d+m为4以下。X1存在多个时，它们可以相同也可以不同。X2存在多个时，它们可以相同也可以不同。)
本发明的第三方面，提供一种含有下述式(0’)所表示的重复单元的高分子化合物的制造方法，该方法包括在过渡金属催化剂的存在下，将下述式(10-0)所表示的化合物聚合的工序。
Figure BPA00001320425600031
(式中，Ar0表示的意思与上述相同。X3和X4分别独立地表示卤原子、-B(OH)2、硼酸酯残基、-MgX5(X5表示卤原子。)、甲锡烷基、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基。)
Figure BPA00001320425600041
(式中，Ar0表示的意思与上述相同。)
本发明的第四方面，提供一种含下述式(2’)所表示的重复单元的高分子化合物的制造方法，其包括在过渡金属催化剂的存在下，将下述式(10)所表示的化合物聚合的工序。
Figure BPA00001320425600042
(式中，R1表示1价的脂环式烃基、芳基或1价的杂环基，A1表示-N＝或-C(R2)＝。R2表示的意思与上述相同。4个R1可以相同也可以不同。X3和X4表示的意思与上述相同。6个A1可以相同也可以不同。)
Figure BPA00001320425600051
(式中，A1和R1表示的意思与上述相同。)
本发明的第五方面，提供下述式(11)所表示的化合物。
Figure BPA00001320425600052
(式中，R1和A1表示的意思与上述相同。X5表示氯原子、溴原子、碘原子、烷基磺酰基、芳基磺酰基或芳基烷基磺酰基。)
本发明的第六方面，提供下述式(12)所表示的化合物。
(式中，R1和A1表示的意思与上述相同。)
本发明的第七方面，提供含有上述高分子化合物的组合物。
本发明的第八方面，提供含有上述高分子化合物的薄膜和具有该薄膜的有机晶体管。
本发明的第九方面，提供一种发光元件，其具有包含阳极和阴极的电极以及在该电极间设置的含有上述高分子化合物的层，还提供使用了该发光元件的面状光源和显示装置。
具体实施方式
以下，对本发明进行详细地说明。在本说明书中，所谓“化合物的残基”，是指从该化合物中除去N个的氢原子而残余的原子团。
在此，N为1以上的整数，通常为1～3的整数。
<高分子化合物>
本发明的高分子化合物是含有下述式(0)所表示的化合物的残基的高分子化合物。
Figure BPA00001320425600071
(式中，Ar0表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基、取代羧基、硝基、氰基或下述式(A)所表示的基团。存在的多个Ar0可以相同也可以不同，Ar0的至少2个为下述式(A)所表示的基团。R0表示烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基、取代羧基、硝基或氰基。l和m分别独立地表示0～3的整数。1+m为2以上时，存在的多个R0可以相同也可以不同。)
Ar0所表示的烷基，可以是直链、支链或环状的任一种，其碳原子数通常为1～30，作为其例子，例如，可举出：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、正己基、环己基、正庚基、正辛基、三氟甲基。
Ar0所表示的烷氧基，可以是直链、支链或环状的任一种，其碳原子数通常为1～30，作为其例子，例如可举出：甲氧基、乙氧基、正丙基氧基、异丙基氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊基氧基、异戊基氧基、正己基氧基、环己基氧基、正庚基氧基、正辛基氧基、三氟甲氧基。
Ar0所表示的芳基与作为R1所表示的芳基而说明的示例相同。
对于Ar0所表示的芳氧基而言，其碳原子数通常为6～60，作为其例子，例如可举出：苯氧基、C1～C12烷氧基苯氧基、C1～C12烷基苯氧基、五氟苯基氧基、1-萘基氧基、2-萘基氧基、1-蒽基氧基、2-蒽基氧基、9-蒽基氧基、联苯氧基、三联苯基氧基。
对于Ar0所表示的芳基烷基而言，其碳原子数通常为7～60，作为其例子，例如可举出：苯基-C1～C12烷基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基、1-萘基-C1～C12烷基、2-萘基-C1～C12烷基。
作为Ar0所表示的芳基烷氧基，其碳原子数通常为7～60，作为其例子，例如可举出：苯基甲氧基、苯基乙氧基、苯基丁氧基、苯基戊氧基、苯基己氧基、苯基庚氧基、苯基辛氧基等苯基-C1～C12烷氧基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷氧基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷氧基、1-萘基-C1～C12烷氧基、2-萘基-C1～C12烷氧基。
作为Ar0所表示的烯基，其碳原子数为2～30，作为其例子，例如可举出：乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、环己烯基。
作为Ar0所表示的芳基烯基，其碳原子数通常为8～60，作为其例子，例如可举出：苯基-C1～C12烯基、C1～C12烷氧基苯基-C2～C12烯基、C1～C12烷基苯基-C2～C12烯基、1-萘基-C2～C12烯基、2-萘基-C2～C12烯基。
作为Ar0所表示的炔基，其碳原子数为2～30，作为其例子，例如可举出：乙炔基、1-丙炔基、2-丙烯基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基、辛炔基、环己基乙炔基。
作为Ar0所表示的芳基炔基，其碳原子数通常为8～60，作为其例子，例如可举出：苯基-C2～C12炔基、C1～C12烷氧基苯基-C2～C12炔基、C1～C12烷基苯基-C2～C12炔基、1-萘基-C2～C12炔基、2-萘基-C2～C12炔基。
Ar0所表示的取代氨基，是被选自烷基、芳基、芳基烷基和1价的杂环基中的1个或2个的基团所取代的氨基。该烷基、芳基、芳基烷基、1价的杂环基可以具有取代基。上述取代氨基的碳原子数，在不包括该取代基的碳原子数的情况下，通常为1～60，作为其例子，例如可举出：甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、正丙基氨基、二(正丙基)氨基、异丙基氨基、二(异丙基)氨基、二(正丁基)氨基、二(异丁基)氨基、二(仲丁基)氨基、二(叔丁基)氨基、二环己基氨基、哒嗪基、哌啶基、苯基氨基、二苯基氨基、C1～C12烷氧基苯基氨基、二(C1～C12烷氧基苯基)氨基、二(C1～C12烷基苯基)氨基。
Ar0所表示的取代甲硅烷基是被选自烷基、芳基、芳基烷基和1价的杂环基中的1～3个的基团所取代的甲硅烷基，其碳原子数通常为1～60。这些烷基、芳基、芳基烷基、1价的杂环基可以具有取代基。作为取代甲硅烷基，例如可举出：三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、二甲基-异丙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、三苄基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基。作为1价的杂环基，优选1价的芳香族杂环基。
作为Ar0所表示的卤原子，可举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
作为Ar0所表示的酰基，其碳原子数通常为2～30，作为其例子，例如可举出乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、特戊酰基、苯甲酰基、三氟乙酰基、五氟苯甲酰基。
作为Ar0所表示的酰氧基，其碳原子数通常为2～30，作为其例子，例如可举出酮肟基、丙酰基氧基、丁酰基氧基、异丁酰基氧基、特戊酰基氧基、苯甲酰基氧基、三氟乙酰基氧基、五氟苯甲酰基氧基。
作为Ar0所表示的酰胺基，其碳原子数通常为2～30，作为其例子，例如，可举出：甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、二-三氟乙酰胺基、二-五氟苯甲酰胺基。
Ar0所表示的1价的杂环基，与后文的作为R1所表示的1价的杂环基而说明的示例相同。
Ar0所表示的杂环氧基为式：Q1-O-所表示的基团(式中，Q1表示1价的杂环基。)，其碳原子数通常为2～30。Q1所表示的1价的杂环基，与后述的作为R1所表示的1价的杂环基而说明的示例相同。该杂环氧基在1价的杂环基上可以具有取代基，但是碳原子数不包括取代基的碳原子数。作为上述杂环氧基，例如可举出：噻吩基氧基、C1～C12烷基噻吩基氧基、吡咯基氧基、呋喃基氧基、吡啶基氧基、C1～C12烷基吡啶基氧基、咪唑基氧基、吡唑基氧基、三唑基氧基、噁唑基氧基、噻唑氧基、噻二唑氧基。
作为Ar0所表示的取代羧基，为被烷基、芳基、芳基烷基或1价的杂环基所取代的羧基，其碳原子数通常为2～30。作为上述取代羧基，例如可举出：甲氧基羰基、乙氧基羰基、正丙氧基羰基、异丙氧基羰基、正丁氧基羰基、异丁氧基羰基、仲丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、正戊基氧基羰基、正己氧基羰基、环己氧基羰基、正庚基氧基羰基、正辛基氧基羰基、三氟甲氧基羰基。
作为R0中的烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基和取代羧基的说明、例示，与Ar0的项目中说明的例示的例子相同，作为R0，优选烷基、烷氧基、芳基、芳基烷基、芳基烷氧基、酰基、酰氧基、取代羧基。
R2中的烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基和取代羧基的说明，作为例示，与Ar0的项目中说明而例示的例子相同。
在上述式(0)所表示的化合物的中，从色纯度的观点出发，优选下述式(0-1)所表示的化合物。
Figure BPA00001320425600101
(式中，A表示上述式(A)所表示的基团。存在的多个A可以相同也可以不同。Ar0、R0、l和m表示与上述相同的意思。)
在上述式(0-1)所表示的化合物中，优选下述式(1)所表示的化合物。
Figure BPA00001320425600111
(式中，R1表示1价的脂环式烃基、芳基或1价的杂环基。R1所表示的基团可以具有取代基。A1表示-N＝或-C(R2)＝，R2表示的意思与上述相同。6个A1可以相同也可以不同。4个R1可以相同也可以不同。)
上述式(1)中，R1优选芳基、1价的芳香族杂环基。
上述式(1)中，R1所表示的1价的脂环式烃基，通常碳原子数为3～30，可以是单环性也可以是2环性以上的基团。作为1价的脂环式烃基，可举出环丙烷、环丁烷、环丁烯、环戊烷、环戊烯、环己烷、环己烯等。
上述式(1)中，R1所表示的芳基是指从芳香族烃化合物除去1个氢原子而残留的原子团，可以具有稠环，也可以是2环性以上的基团。芳基的碳原子数通常为6～60，优选为6～30。作为芳基，例如可举出：苯基、C1～C12烷氧基苯基(C1～C12表示紧挨在C1～C12后所示有机基的碳原子数(这里指烷氧基苯基中的烷氧基中的碳原子数)为1～12。以下同。)、C1～C12烷基苯基、五氟苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、联苯、三联苯基，从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合成容易度等观点出发，优选C1～C12烷氧基苯基、C1～C12烷基苯基，特别优选C1～C12烷基苯基。
上述式(1)中，R1所表示的1价的杂环基，是指从杂环式化合物(即，具有环式结构的有机化合物中构成环的元素不仅有碳原子，环内还包括氧、硫、氮、磷、硼等杂原子的有机化合物。)去除1个氢原子而剩余的原子团。1价的杂环基的碳原子数通常为2～30，优选为2～15。在1价的杂环基中，杂环可以具有取代基，该碳原子数不包括杂环上的取代基的碳原子数。作为1价的杂环基，可举出噻吩基、C1～C12烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C1～C12烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基等，优选1价的芳香族杂环基，更优选噻吩基、C1～C12烷基噻吩基、吡啶基、C1～C12烷基吡啶基。
上述式(1)中，优选A1为-C(R2)＝且R1为芳基。
上述式(0)、(0-1)、(1)中，作为R2，优选氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳基烷基、芳基烷氧基、酰基、酰氧基、取代羧基。
从对高分子化合物的溶剂的溶解性的观点出发，R1具有含烷基的取代基时，优选该取代基所含的烷基的碳原子数为4以上。进而，从高分子化合物对溶剂的溶解性的观点出发，R2为烷基时，优选为碳原子数4以上的烷基，R2为含有烷基的基团时，优选该烷基为碳原子数4以上的烷基。
作为上述式(0)、(0-1)、(1)所表示的化合物，可举出以下的化合物。
Figure BPA00001320425600131
Figure BPA00001320425600141
Figure BPA00001320425600151
Figure BPA00001320425600161
Figure BPA00001320425600171
Figure BPA00001320425600181
Figure BPA00001320425600191
Figure BPA00001320425600201
(式中，Me表示甲基，Et表示乙基，n-Pr表示正丙基，n-Bu表示正丁基。以下同。)
上述式(0)、(0-1)、(1)所表示的化合物的残基，在本发明的高分子化合物中可以在任意的位置存在，可以是1价的基团也可以是多价的基团，通常为1价～3价的基团，优选1价或2价的基团。上述式(0)、(0-1)、(1)所表示的化合物的残基的中，优选从该化合物中去除其所具有的苯环上的氢原子而成的残基。其中，更优选从该化合物中去除属于其所具有的吩噁嗪环的苯环上的氢原子而成的残基。
从高分子化合物的合成的容易度、元件特性的观点出发，上述式(1)所表示的化合物的残基优选为下述式(0-2)所表示的2价的基团，更优选下述式(2)所表示的2价的基，进一步优选下述式(2)所表示的2价的且A1为-C(R2)＝、R1为芳基的基团。特别优选下述式(2)所表示的2价的基团以重复单元的形式包含在本发明的高分子化合物中。
Figure BPA00001320425600211
(式中，A0表示的意思与上述相同。)
(式中，A1和R1表示的意思与上述相同。)
对于上述式(0)、(0-1)、(1)所表示的化合物的残基、上述式(2)所表示的2价的基团而言，可以分别在本发明的高分子化合物中仅含有一种，也可以含有二种以上。
本发明的高分子化合物，从用于发光元件时的亮度半衰期的观点出发，优选还含有下述式(3)所表示的重复单元。
Figure BPA00001320425600221
(式中，Ar1表示亚芳基或2价的杂环基。R3和R4分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、1价的杂环基或氰基。Ar1、R3、R4所表示的基团可以具有取代基。n表示0或1。)
上述式(3)中，作为Ar1所表示的亚芳基，通常是碳原子数为6～60的亚芳基，例如可举出：亚苯基(下式1～3)、萘二基(下式4～13)、亚蒽基(下式14～19)、亚联苯基(下式20～25)、亚三联苯基(下式26～28)、稠环化合物基(下式29～56)。这些式中，R表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基、取代羧基、硝基或氰基。亚芳基的碳原子数中不包括R的碳原子数。R所表示的基团、原子，与作为R2所表示的基团、原子而说明的示例相同。R的未附带符号的实线表示结合端。
Figure BPA00001320425600222
Figure BPA00001320425600231
Figure BPA00001320425600241
Figure BPA00001320425600251
Figure BPA00001320425600261
上述式(3)中，Ar1所表示的2价的杂环基是指从杂环式化合物中除去2个氢原子而剩余的原子团。作为2价的杂环基，优选2价的芳香族杂环基。对于2价的杂环基而言，其碳原子数通常为2～60，作为其例子，例如，可举出以下的式所表示的基团。在2价的杂环基的碳原子数中不包括R的碳原子数。
可举出，含有氮作为杂原子的2价的杂环基，如：吡啶二基(下式57～62)、二氮杂亚苯基(下式63～66)、喹啉二基(下式67～81)、喹喔啉二基(下式82～86)、吩噁嗪二基(下式87)、吩噻嗪二基(下式88)、吖啶二基(下式89～90)、联吡啶基二基(下式91～93)、菲咯啉二基(下式94～96)等；
含有硅、氮、硫、硒等作为杂原子并具有交联的联苯结构的基团(下式97～126)；
含有硅、氮、硫、硒等作为杂原子的5元环杂环基(下式127～132)；
含有硅、氮、硫、硒等作为杂原子的5元环缩合杂环基(下式133～142)、苯并噻二唑-4，7-二基或苯并噁二唑-4，7-二基等；
含有硅、氮、硫、硒等作为杂原子的5元环杂环基且在其杂原子的α位上键合形成二聚体或寡聚物的基团(下式143、144)；
含有硅、氮、硫、硒等作为杂原子的5元环杂环基且在其杂原子的α位与苯基键合的基团(下式145～151)；
含有氮、氧、硫等作为杂原子的稠合杂环基与苯环或单环性的杂环基键合而成的3环性的基团(下式152～157)。
Figure BPA00001320425600271
Figure BPA00001320425600281
Figure BPA00001320425600291
Figure BPA00001320425600301
Figure BPA00001320425600321
作为上述式(3)所表示的重复单元，优选n＝0的重复单元，从高分子化合物的稳定性的观点出发，更优选n＝0且Ar1为亚芳基或2价的芳香族杂环基的重复单元，特别优选下述式(4)所表示的重复单元。
Figure BPA00001320425600322
(式中，A环和B环分别独立地表示芳香族烃环或芳香族杂环，在A环和B环上分别具有1个结合端。A2表示与A环和B环键合而形成5元环或6元环的2价的基团。)
作为上述式(4)所表示的重复单元，可举出包含上述式29、31、36～56、94～126所表示的2价的基团的重复单元。
作为上述式(4)所表示的重复单元，优选下述式(5)所表示的重复单元。
Figure BPA00001320425600331
(式中，R5表示氢原子、烷基、芳基、芳基烷基或1价的杂环基，或者2个R5可以互相键合形成环。R5所表示的基团可以具有取代基。2个R5可以相同也可以不同。)
上述式(5)中，R5所表示的烷基、芳基、芳基烷基和1价的杂环基与作为Ar0所表示的基团而说明的示例相同。
作为上述式(5)所表示的重复单元，从用于发光元件时的元件特性的观点出发，优选R5为烷基、芳基或芳基烷基的重复单元，从高分子化合物对溶剂的溶解性的观点出发，优选R5具有碳原子数4以上的烷基的重复单元。
作为上述式(5)所表示的重复单元，可举出以下的式子所表示的重复单元。
Figure BPA00001320425600341
在本发明的高分子化合物中，上述式(3)、(4)、(5)所表示的重复单元可以分别仅含有一种，也可以含有二种以上。
本发明的高分子化合物，从元件特性的观点出发，优选含有下述式(6)所表示的重复单元，更优选在上述式(3)所表示的重复单元之外，还含有下述式(6)所表示的重复单元。
Figure BPA00001320425600351
(式中，Ar2、Ar3、Ar4和Ar5分别独立地表示亚芳基或2价的杂环基。Ar6、Ar7和Ar8分别独立地表示芳基、或1价的杂环基。Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8所表示的基团可以具有取代基。a和b分别独立地表示0以上的整数。a为2以上时，存在的多个Ar3、Ar6可以分别相同也可以不同。b为2以上时，存在的多个Ar5、Ar7可以分别相同也可以不同。)
从色纯度、亮度半衰期的观点出发，优选将含有上述式(6)所表示的重复单元的高分子化合物作为发光元件的发光层、空穴传输层或空穴注入层使用。
作为上述式(6)中，Ar2、Ar3、Ar4、Ar5所表示的亚芳基、2价的杂环基，与作为Ar1所表示的亚芳基、2价的杂环基而说明的示例相同。
上述式(6)中，作为Ar2、Ar3、Ar4、Ar5，优选可以具有取代基的亚芳基，更优选可以具有取代基的亚苯基、可以具有取代基的亚联苯基、可以具有取代基的亚萘基。
作为Ar6、Ar7、Ar8所表示的芳基、1价的杂环基，与作为R2所表示的芳基，1价的杂环基而说明的示例相同。
从高分子化合物对溶剂的溶解性，元件特性的观点出发，作为Ar6、Ar7和Ar8优选具有碳原子数4以上的烷基作为取代基的芳基。
作为上述式(6)所表示的重复单元，从高分子化合物的稳定性的观点出发，优选Ar2、Ar3、Ar4和Ar5为亚芳基，且Ar6、Ar7和Ar8为芳基的重复单元。
作为上述式(6)所表示的重复单元，还可举出以下的式158～165所表示的重复单元。
Figure BPA00001320425600371
Figure BPA00001320425600381
(式中，R具有与上述相同的意义。)
在本发明的高分子化合物中，上述式(6)所表示的重复单元可以仅含有一种，也可以含有二种以上，优选含有一种或二种。
从作为蓝色材料的色纯度的观点出发，在本发明的高分子化合物中，取代基优选为烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、卤原子、酰基、酰氧基、1价的杂环基、杂环氧基、取代羧基，更优选为烷基、芳基、芳基烷基。另外，优选这些取代基的发光能量比来自上述式(0)所表示的化合物的残基的发光能量更大。
从制成薄膜时的电荷传输性、用于发光元件时的元件特性的观点出发，本发明的高分子化合物优选为共轭系高分子。在此，所谓共轭系高分子，是指沿着高分子化合物的主链骨架存在离域π电子对的高分子，包括代替双键而不成对电子或孤对电子参与共振的情况。
在本发明的高分子化合物中，在不损害所需的特性的范围内，重复单元彼此也可以通过非共轭的单元连结，重复单元中也可以含有该非共轭的单元。作为非共轭的单元，可举出以下所示的单元的单独一种，或将二种以上组合而成的单元等。式中，Ar表示芳香族烃环或杂环。
Figure BPA00001320425600391
本发明的高分子化合物可以是无规、嵌段、交互或接枝共聚物，也可以是具有介于这些中间的结构的高分子，例如，可以为带有嵌段性的无规共聚物，进而，可以是在主链上分支而具有3个以上末端部的聚合物、星形聚合物、聚苯乙烯换算数均分子量为1×104以下的寡聚物。
本发明的高分子化合物含有上述式(0)所表示的化合物的残基作为重复单元时，从使用其作为发光元件的发光层的材料时的元件特性的观点出发，本发明的高分子化合物中该重复单元的含量优选为总重复单元的0.1～50摩尔％，更优选为0.5～20摩尔％。
从将本发明的高分子化合物用作发光元件的发光层的材料时的元件特性的观点出发，含有上述式(3)所表示的重复单元时，其比例优选为总重复单元的1～99摩尔％，更优选为50～97摩尔％。
从将本发明的高分子化合物用作发光元件的发光层的材料时的元件特性的观点、发光色的调整的观点出发，含有上述式(6)所表示的重复单元的情况下，其比例优选为总重复单元的0.01～50摩尔％，更优选为0.1～30摩尔％。
从制成发光元件时的亮度半衰期的观点出发，本发明的高分子化合物的聚苯乙烯换算的数均分子量优选为2×103～1×108，更优选为1×104～1×106。
从作为蓝色发光材料的色纯度的观点出发，本发明的高分子化合物优选为具有上述式(0)所表示的化合物的残基、以及选自上述式(4)所表示的重复单元和上述式(6)所表示的重复单元中的至少一种的重复单元的高分子化合物。其中，更优选上述式(0)所表示的化合物的残基与选自上述式(4)所表示的重复单元和上述式(6)所表示的重复单元中的至少一种的重复单元的合计，在高分子化合物中的总重复单元中的比例为95摩尔％以上，特别优选含量为99摩尔％以上。
<化合物>
作为含有上述式(0)所表示的化合物的残基的高分子化合物的制造的原料，上述式(9-0)所表示的化合物是有用的，从蓝色发光材料的色纯度的观点出发，优选下述式(9)所表示的化合物，更优选下述式(10)所表示的化合物，从合成的容易度的观点出发，优选下述式(10-0)所表示的化合物。下述式(9)、下述式(10)、下述式(9-0)、下述式(10-0)所表示的化合物通过制成薄膜，也可以用作有机晶体管、发光元件等的材料。
Figure BPA00001320425600401
(式中，A1、R1、X1、X2、c和d表示与上述相同的意思。)
(式中，A1和R1分别表示与上述相同的意思。X3和X4分别独立地表示卤原子、-B(OH)2、硼酸酯残基、-MgX5(X5表示卤原子。)、甲锡烷基、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基。)
(式中，Ar0表示的意思与上述相同。Ar0的至少2个为上述式(A)所表示的基团。X3和X4分别独立地表示卤原子、-B(OH)2、硼酸酯残基、-MgX5(X5表示卤原子。)、甲锡烷基、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基。)
上述式(9-0)、(9)中，作为X1、X2所表示的能够参与聚合的基团，例如可举出：卤原子、-B(OH)2、硼酸酯残基、-MgX5(X5表示卤原子。)、甲锡烷基、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基和芳基烷基磺酸酯基。
作为能够参与聚合的基团的卤原子，可举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，从官能团转化的容易度的观点出发，优选氯原子、溴原子、碘原子，更优选溴原子。
作为能够参与聚合的基团的硼酸酯残基，除了二烷基酯残基、二芳基酯残基、二芳基烷基酯残基之外，还可举出以下的式所表示的基团。
Figure BPA00001320425600421
作为能够参与聚合的基团的-MgX5，可举出：氯化镁基、溴化镁基、碘化镁基。
作为能够参与聚合的基团的甲锡烷基，可举出：甲锡烷基、三氯甲锡烷基、三甲基甲锡烷基、三乙基甲锡烷基、三正丁基甲锡烷基、三苯基甲锡烷基、三苄基甲锡烷基。
作为能够参与聚合的基团的烷基磺酸酯基，可举出：甲烷磺酸酯基、乙烷磺酸酯基、三氟甲烷磺酸酯基等。作为芳基磺酸酯基，可举出：苯磺酸酯基、对甲苯磺酸酯基等。作为芳基烷基磺酸酯基，可举出：苄基磺酸酯基等。
作为上述式(9-0)、(9)所表示的化合物，可举出以下的式所表示的化合物。
Figure BPA00001320425600431
Figure BPA00001320425600441
上述式(10-0)、(10)中，X3、X4所表示的基团、原子，与作为X1、X2所表示的基团、原子而说明的示例相同。
<制造方法>
本发明的高分子化合物可以通过任何方法制造，可以例示：包括在过渡金属催化剂的存在下将下述式(10-0)所表示的化合物聚合的工序的含有上述式(0’)所表示的重复单元的高分子化合物的制造方法；包括在过渡金属催化剂的存在下将下述式(10)所表示的化合物聚合的工序的含有上述式(2’)所表示的重复单元的高分子化合物的制造方法。以下，以含有上述式(2’)所表示的重复单元的高分子化合物的制造方法为代表例进行说明时，例如通过包括在过渡金属催化剂的存在下将下述式(10)所表示的化合物聚合的方法可以制造含有上述式(2’)所表示的重复单元的高分子化合物。本发明的高分子化合物在具有上述式(2’)的重复单元以外的重复单元时，使其与能成为该式(2’)所表示的重复单元以外的重复单元的单体共存即可。
作为在过渡金属催化剂存在下的聚合中使用的聚合方法，可举出后述的〔3〕、〔4〕、〔11〕、〔12〕、〔13〕、〔14〕、〔15〕等方法。
过渡金属催化剂的使用量根据聚合方法而不同，相对于提供于聚合的总单体1摩尔，通常处于0.0001摩尔～10摩尔的范围。
作为上述过渡金属催化剂，可举出镍催化剂、钯催化剂等。
作为上述镍催化剂，可举出乙烯双(三苯基膦)合镍络合物、四(三苯基膦)合镍络合物、双(环辛二烯基)合镍络合物等。
作为上述钯催化剂，可举出乙酸钯、[四(三苯基膦)]合钯络合物、双(三环己基膦)合钯络合物、二氯双(三苯基膦)合钯络合物等。
本发明的高分子化合物在主链上具有亚乙烯基的情况下，可以使用与上述式(0)所表示的化合物对应的且具有能够参与聚合的基团的单体、与根据需要的其他单体，通过例如日本特开平5-202355号公报所记载的方法来制造。即，可举出：
〔1〕基于具有醛基的化合物和具有鏻盐基(磷叶立德)的化合物的Wittig反应的聚合，
〔2〕基于具有醛基和鏻盐基的化合物的Wittig反应的聚合，
〔3〕基于具有乙烯基的化合物与具有卤原子的化合物的Heck反应的聚合，
〔4〕基于具有乙烯基和卤原子的化合物的Heck反应的聚合，
〔5〕基于具有醛基的化合物和具有烷基膦酸酯基的化合物的Homer-Wadsworth-Emmons法的聚合，
〔6〕基于具有醛基和烷基膦酸酯基的化合物的Homer-Wadsworth-Emmons法的聚合，
〔7〕基于具有2个以上卤化甲基的化合物的脱卤化氢法的缩聚，
〔8〕基于具有2个以上锍盐基的化合物的锍盐分解法的缩聚，
〔9〕基于具有醛基的化合物和具有乙腈基的化合物的Knoevenagel反应的聚合，
〔10〕基于具有醛基和乙腈基的化合物的Knoevenagel反应的聚合，
〔11〕基于具有2个以上醛基的化合物的McMurry反应的聚合等的方法。
上述〔1〕～〔11〕如以下的式所示。
Figure BPA00001320425600471
本发明的高分子化合物，在主链上不具有亚乙烯基的情况下，可以通过使用具有能参与聚合的基团的单体、与根据需要的其他单体进行聚合来制造。即，可举出
〔12〕基于Suzuki偶联反应的聚合，
〔13〕基于Grignard反应的聚合，
〔14〕基于Stille偶联反应的聚合，
〔15〕基于Ni(0)催化剂的聚合，
〔16〕基于FeCl3等的氧化剂的聚合、电化学性的氧化聚合，
〔17〕基于具有适当的离去基团的中间体高分子的分解的方法等方法。
上述〔12〕～〔17〕如以下的式所示。
Figure BPA00001320425600491
其中，从结构控制的观点出发，优选基于Wittig反应的聚合、基于Heck反应的聚合、基于Homer-Wadsworth-Emmons法的聚合、基于Knoevenagel反应的聚合、基于Suzuki偶联反应的聚合、基于Grignard反应的聚合的方法、基于Stille偶联的方法、利用Ni(0)催化剂的聚合，从原料的获得容易性、聚合反应的操作性的观点出发，优选基于Suzuki偶联反应的聚合、基于Grignard反应的聚合、基于Ni(0)催化剂的聚合。
根据需要，将单体溶解在有机溶剂中，使用例如碱、适当的催化剂，在有机溶剂的熔点以上沸点以下的条件使其反应即可。详细步骤可以参考“有机反应(Organic Reactions)”，第14卷，270-490页，John Wiley&Sons，Inc.，1965年；“有机反应(Organic Reactions)”，第27卷，345-390页，John Wiley&Sons，Inc.，1982年；“有机合成(Organic Syntheses)”，合辑第6卷，407-411页，John Wiley&Sons，Inc.，1988年；化学综述(Chem.Rev.)，第95卷，2457页(1995年)；金属有机化学杂志(J.Organomet.Chem.)，第576卷，147页(1999年)；实用化学杂志(J.Prakt.Chem.)，第336卷，247页(1994年)；高分子化学·高分子研讨(Makromol.Chem.，Macromol.Symp.)，第12卷，229页(1987年)等中的记载。
为了抑制副反应，优选对上述有机溶剂充分地实施脱氧、脱水处理。优选反应体系进行惰性气氛化，但是对于Suzuki偶联反应等的与水的2相系反应而言，无此限制。
上述碱、催化剂，优选在反应所用的溶剂中充分地溶解的物质。作为添加碱、催化剂的方法，可举出在氩、氮等惰性气氛下边搅拌反应液边缓慢添加碱、催化剂的溶液，或将反应液缓慢地添加在碱、催化剂的溶液中的方法。
对本发明的高分子化合物而言，为了使纯度不对发光特性产生影响，优选利用蒸馏、升华精制、重结晶等的方法对聚合前的单体进行精制，然后进行聚合，并在合成后，优选进行再沉精制、色谱分离等纯化处理。
在本发明的高分子化合物的制造中，存在多种作为原料的单体时，可以将它们一起混合反应，也可以根据需要，分开混合使其反应。
若更详细地对反应条件进行说明，在Wittig反应、Homer反应、Knoevengel反应等时，相对于单体的官能团，使用当量以上、优选为1～3当量的碱进行反应。作为上述碱，可举出叔丁醇钾、叔丁醇钠、乙醇钠、甲醇锂等金属醇盐，氢化钠等氢化物试剂，氨基钠(日文原文：ナトリウムアミド)等酰胺类等。作为上述溶剂，可举出N，N-二甲基甲酰胺、四氢呋喃、二噁烷、甲苯等。上述反应的温度通常为室温～150℃。上述反应的时间为反应充分地进行的时间，通常为5分钟～40小时。上述反应的浓度通常为0.1～20重量％。
为Heck反应时，使用钯催化剂，在三乙基胺等碱存在下，使单体反应。使用例如N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等沸点较高的溶剂，反应温度为80～160℃，反应时间为1～100小时。
为Suzuki偶联反应的情况下，作为催化剂，使用[四(三苯基膦)]合钯、醋酸钯类等钯催化剂，加入相对于单体为当量以上、优选为1～10当量的碳酸钾、碳酸钠、氢氧化钡等无机碱，三乙基胺等有机碱，氟化铯等无机盐，使其反应。也可将无机盐制成水溶液，在2相系条件反应。作为溶剂，可举出N，N-二甲基甲酰胺、甲苯、二甲氧基乙烷、四氢呋喃等。反应温度优选50～160℃，也可以升温至接近溶剂的沸点，使其回流。反应时间为1～200小时。
为Grignard反应情况下，可举出在四氢呋喃、二乙基醚、二甲氧基乙烷等醚系溶剂中，使卤素化物和金属Mg反应制成Grignard试剂溶液，再将该试剂与另外准备的单体溶液混合，一边留心过剩反应一边添加镍或钯催化剂，然后升温，使其回流反应的方法。相对于单体使用当量以上，优选1～1.5当量的Grignard试剂。
在镍催化剂的存在下进行反应时，可举出利用上述的Ni(0)催化剂进行聚合的方法。
上述式(10)所表示的化合物中，X3和X4为卤原子的化合物可以通过通过例如在卤化剂的存在下，将下述式(10-1)所表示的化合物卤化的方法来合成。
Figure BPA00001320425600521
(式中，A1和R1表示的意思与上述相同。)
作为卤化剂，可例示氯、N-氯代琥珀酰亚胺等氯化剂，溴、N-溴代琥珀酰亚胺、1，3-二溴-5，5-二甲基乙内酰脲、苄基三甲基三溴化铵等溴化剂，N-碘琥珀酰亚胺等碘化剂。
上述式(10-1)所表示的化合物，可以根据例如Angew.Chem.Int.Ed.1998，37，2046中记载的方法，在过渡金属催化剂和碱的存在下，通过下述式(11)所表示的化合物与吩噁嗪来合成。
Figure BPA00001320425600522
(式中，A1和R1表示的意思与上述相同。X5表示氯原子、溴原子、碘原子、烷基磺酰基、芳基磺酰基或芳基烷基磺酰基。)
从化合物(11)的合成容易度的观点出发，X5优选为烷基磺酰基、芳基磺酰基或芳基烷基磺酰基。
上述式(11)中的X5为烷基磺酰基、芳基磺酰基或芳基烷基磺酰基的化合物，可以在下述式(12)所表示的化合物、相应的磺酰氯化合物和碱的存在下，使其反应来合成。
(式中，A1和R1表示的意思与上述相同。)
<组合物>
本发明的组合物是含有本发明的高分子化合物的组合物。作为本发明的组合物的实施方式，是含有选自空穴传输材料、电子传输材料和发光材料中的至少1种以及本发明的高分子化合物的组合物；含有本发明的高分子化合物和溶剂的组合物(以下，称为“液状组合物”。)。在本发明的组合物中，本发明的高分子化合物、空穴传输材料、电子传输材料、发光材料、溶剂分别都可以一种单独使用、或二种以上并用。
在本发明的组合物中，含有空穴传输材料、电子传输材料和发光材料时，对于空穴传输材料、电子传输材料和发光材料的合计与本发明的高分子化合物的比率而言，通常为相对于本发明的高分子化合物100重量份，空穴传输材料、电子传输材料和发光材料的合计为1～10000重量份，优选为10～1000重量份，更优选为20～500重量份。
以下，对本发明的组合物的代表性的实施方式的液状组合物进行说明。
上述液状组合物中的溶剂的比例，相对于液状组合物的总重量，通常为1～99.9重量％，优选为60～99.5重量％，进一步优选为80～99.0重量％。液状组合物的粘度根据印刷法的不同而不同，在喷墨打印法等液状组合物为经由喷出装置的材料的情况下，为了防止喷出时的孔阻塞和飞行弯曲，优选粘度在25℃时为1～20mPa·s。
上述液状组合物，还可含有用于调节粘度和/或表面张力的添加剂。作为该添加剂，可举出用于提高粘度的高分子量的高分子化合物(以下称为“增稠剂”。)、贫溶剂，用于降低粘度的低分子量的化合物、用于降低表面张力的表面活性剂等。
作为上述增稠剂，只要是具有与本发明的高分子化合物溶于同样的溶剂的可溶性且不损害发光、电荷传输的增稠剂即可，可举出例如高分子量的聚苯乙烯、聚甲基甲基丙烯酸酯等。可将贫溶剂作为增稠剂使用。即，通过相对于液状组合物中的固体成分少量添加贫溶剂，可以提高粘度。
为了改善保存稳定性，本发明的液状组合物还可含有抗氧化剂，例如，可举出具有可与本发明的高分子化合物溶于相同溶剂的可溶性且不损害发光、电荷传输的抗氧化剂，优选酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂等。
作为上述液状组合物中所含的溶剂，可举出氯仿、二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯系溶剂；四氢呋喃、二噁烷、苯甲醚等醚系溶剂；甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂；环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪族烃系溶剂；丙酮、甲基乙基酮、环己酮、二苯甲酮、苯乙酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂醋酸酯、苯甲酸甲基、乙酸苯基等酯系溶剂；乙二醇、乙二醇单丁基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单甲基醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇单乙基醚、甘油、1，2-己烷二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环己醇等醇系溶剂；二甲基亚砜等亚砜系溶剂；N-甲基-2-吡咯烷酮，N，N-二甲基甲酰胺等的酰胺系溶剂。这些溶剂可1种单独使用或2种以上并用。进而，从成膜性的观点和元件特性等的观点出发，这些溶剂的种类优选2种以上，更优选2～3种，特别优选2种。
上述溶剂为2种的组合时，其中的1种也可以在25℃为固体状态。作为2种溶剂的组合，从成膜性的观点出发，其中1种溶剂优选为沸点在180℃以上的溶剂，更优选为200℃以上的溶剂，从粘度的观点出发，优选2种溶剂都为在60℃可以溶解1重量％以上的本发明的高分子化合物的溶剂，优选至少1种溶剂为在25℃可溶解1重量％以上的本发明的高分子化合物的溶剂。
上述溶剂为3种以上的组合时，从粘度和成膜性的观点出发，相对于3种以上的溶剂的总重量，最高沸点的溶剂的含量优选为40～90重量％，更优选为50～90重量％。
在上述液状组合物中，可以以1～1000ppm(重量基准)的浓度含有水、金属及其盐。作为金属，可举出锂、钠、钙、钾、铁、铜、镍、铝、锌、铬、锰、钴、铂、铱。上述液状组合物，可以以1～1000ppm(重量基准)的浓度含有硅、磷、氟、氯、溴。
使用上述液状组合物时，利用旋涂法、流延法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸法、喷涂法、丝网印刷法、柔版印刷法、平板印刷法、喷墨打印法等涂布方法，可以容易地制作本发明的薄膜。
<薄膜>
本发明的薄膜，可举出发光性薄膜、导电性薄膜、有机半导体薄膜。
导电性薄膜优选表面电阻为1KΩ/□以下。本发明的导电性薄膜可以通过掺杂路易斯酸、离子性化合物等来提高电导率。
有机半导体薄膜，优选电子迁移率或空穴迁移率中的较大者为1×10- 5cm2/V/秒以上。通过在形成有SiO2等绝缘膜和删电极的Si基板上形成有机半导体薄膜，利用Au等形成源电极和漏电极，可以制成有机晶体管。
<发光元件>
本发明的发光元件是含有本发明的高分子化合物的元件，例如为具备包含阳极和阴极的电极以及在该电极间设置的含有本发明的高分子化合物的层的发光元件。
本发明的发光元件是通过阳极和阴极构成的一对的电极，和在该电极间具有发光层的由一层(单层型)或多层(多层型)构成的薄膜挟持而成的元件。该薄膜层的至少1层含有本发明的高分子化合物。上述薄膜中的本发明的高分子化合物的合计含量，相对于发光层总体的重量，通常为0.1～100重量％，优选为0.1～80重量％，更优选为0.5～60重量％。在本发明的发光元件中，优选上述发光层含有本发明的高分子化合物作为发光材料。
本发明的发光元件为单层型的情况下，上述薄膜为发光层，该发光层含有本发明的高分子化合物。另外，本发明的发光元件为多层型的情况下，例如，形成以下的构成。
(a)阳极/空穴注入层(空穴传输层)/发光层/阴极
(b)阳极/发光层/电子注入层(电子传输层)/阴极
(c)阳极/空穴注入层(空穴传输层)/发光层/电子注入层(电子传输层)/阴极
本发明的发光元件的阳极是向空穴注入层、空穴传输层、发光层等供给空穴的部件，具有4.5eV以上的功函数是有效的。在阳极的材料中，可以使用金属、合金、金属氧化物、电气传导性化合物，他们的混合物等。作为阳极的材料，可举出氧化锡、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)等导电性金属氧化物，金、银、铬、镍等金属，以及这些导电性金属氧化物和金属的混合物或层叠物，碘化铜、硫化铜等无机导电性物质，聚苯胺类、聚噻吩类(PEDOT等)、聚吡咯等有机导电性材料，它们与ITO的层叠物等。
本发明的发光元件的阴极是向电子注入层、电子传输层、发光层等供给电子的部件。作为阴极的材料，可以使用金属、合金、金属卤素化物、金属氧化物、电气传导性化合物或它们的混合物，作为阴极的材料，例如，可举出碱金属(锂、钠、钾等)及其氟化物和氧化物，碱土类金属(镁、钙、钡、铯等)及其氟化物和氧化物，金、银、铅、铝、合金和混合金属类(钠-钾合金、钠-钾混合金属、锂-铝合金、锂-铝混合金属、镁-银合金、镁-银混合金属等)，稀土类金属(铟、镱等)等。
本发明的发光元件的空穴注入层和空穴传输层只要是具有从阳极注入空穴的功能，传输空穴的功能、屏蔽从阴极注入的电子的任一功能的层即可。在这些层的材料中，可使用公知的材料举出咔唑衍生物、三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、亚苯基二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、硅氮烷衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳香族二次甲基系化合物、卟啉系化合物、聚硅烷系化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生物、有机硅烷衍生物、含有它们的聚合物等。除此以外，可举出苯胺系共聚物、噻吩寡聚物、聚噻吩等导电性高分子寡聚物。这些材料可以1种成分单独使用，也可以多种成分并用。另外，上述空穴注入层和上述空穴传输层，可以是由上述材料的1种或2种以上构成的单层结构，也可以是包含相同组成或不同种组成的多层的多层结构。
本发明的发光元件的电子注入层和电子传输层只要是具有从阴极注入电子的功能、传输电子的功能、屏蔽从阳极注入的空穴的功能中任一种功能的层即可。作为在电子注入层和电子传输层中使用的材料，可举出以将三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、芴酮衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、二苯基醌衍生物、硫代吡喃二氧化物衍生物、碳二亚胺衍生物、芴叉基甲烷衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、萘、苝等的芳香环四羧酸酐、酞菁衍生物、8-羟基喹啉衍生物的金属络合物、金属酞菁、苯并噁唑、苯并噻唑作为配体的金属络合物为代表的各种金属络合物、有机硅烷衍生物、本发明的高分子化合物等。上述电子注入层和上述电子传输层，可以是由上述材料的1种或2种以上构成的单层结构，也可以是包含相同组成或不同种组成的多层的多层结构。
另外，在本发明的发光元件中，作为电子注入层、电子传输层的材料，也可以使用绝缘体或半导体的无机化合物。若电子注入层、电子传输层由绝缘体、半导体构成，则可以有效防止电流的泄露，可提高电子注入性。作为这样的绝缘体，可以使用选自碱金属硫系化物、碱土类金属硫系化物、碱金属的卤素化物和碱土类金属的卤素化物中的至少一种金属化合物。作为优选的碱金属硫系化物，可举出CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、CaSe。另外，作为构成电子注入层、电子传输层的半导体，可举出含有选自Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb和Zn中的至少一种元素的氧化物、氮化物或氮氧化物等。这些氧化物、氮化物和氮氧化物，可以一种单独使用，也可以将二种以上并用。
在本发明的光学元件中，在相接于阴极的薄膜的界面区域可以添加还原性掺杂物。作为还原性掺杂物，优选选自碱金属、碱土类金属的氧化物、碱土类金属、稀土类金属、碱金属的氧化物、碱金属的卤化物、碱土类金属的氧化物、碱土类金属的卤化物、稀土类金属的氧化物、稀土类金属的卤化物、碱金属络合物、碱土类金属络合物和稀土类金属络合物中的至少一种化合物。
本发明的发光元件的发光层，是具有在施加电压时能从阳极或空穴注入层注入空穴、能从阴极或电子注入层注入电子的功能、利用电场力使注入的电荷(电子和空穴)移动的功能、提供电子和空穴的再结合的场所从而导致发光的功能的层。本发明的发光元件的发光层优选至少含有本发明的高分子化合物，可以含有将该高分子化合物作为客体(guest)材料的主体(host)材料。作为上述主体材料，例如，可举出具有芴骨架的材料、具有咔唑骨架的材料、具有二芳基胺骨架的材料、具有吡啶骨架的材料、具有吡嗪骨架的材料、具有三嗪骨架的材料、具有芳基硅烷骨架的材料等。上述主体材料的T1(最低三重激发态的能级)优选比客体材料的能级大，进一步优选其差大于0.2eV。上述主体材料可以是低分子化合物，也可以是高分子化合物。另外，通过将上述主体材料和上述络合物等发光材料混合再进行涂布或着共蒸镀等，可以形成在上述主体材料中掺杂有上述发光材料的发光层。
在本发明的发光元件中，作为上述各层的形成方法，例如，可举出真空蒸镀法(电阻加热蒸镀法、电子束法等)、溅射法、LB法、分子层叠法，涂布法(浇铸法、旋涂法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、凹版印刷、丝网印刷、喷墨法等)等。其中，从可以简化制造工艺的观点出发，优选通过涂布进行成膜。在上述涂布法中，通过将本发明的高分子化合物在溶剂中溶解而制备涂布液，将该涂布液涂布在所需的层(或电极)上，并进行干燥，就可以形成。该涂布液中，作为主体材料和/或粘结剂(binder)可以含有树脂，该树脂在溶剂中可以制成溶解状态，也可以制成分散状态。作为上述树脂，可以使用非共轭系高分子(例如，聚乙烯基咔唑)、共轭系高分子(例如，聚烯烃系高分子)。更具体而言，例如可以根据目的，从聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚酯、聚砜、聚苯醚、聚丁二烯、聚(N-乙烯基咔唑)、烃树脂、酮树脂、苯氧基树脂、聚酰胺、乙基纤维素、乙酸乙烯酯、ABS树脂、聚氨酯、密胺树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、环氧树脂、硅树脂等中选择。溶液中，作为任选成分，可以含有抗氧化剂、粘度调整剂等。
-光电元件-
本发明的高分子化合物可用于光电元件的制造。
作为光电元件，可举出光电转换元件等，例如可举出：在至少一方为透明或半透明的二个电极间设有含本发明的高分子化合物的层的元件；具备在制膜于基板的含本发明的高分子化合物的层上形成的梳型电极的元件。为了提高特性，也可以混合富勒烯、碳纳米管等。
作为光电转换元件的制造方法，可举出在专利第3146296号公报中记载的方法，例如可举出：在具有第一电极的基板上形成含有本发明的高分子化合物的层(薄膜)，在其上形成第二电极的方法；在形成于基板上的一组梳型电极的上形成含有本发明的高分子化合物的层(薄膜)的方法。第一或第二的电极中的一个为透明或半透明。
实施例
以下，基于实施例对本发明进行更具体地说明，本发明不限于这些实施例。发光的色度通过国挤照明委员会规定的色度座标表示，y值越小，表示色纯度越好的蓝色。数均分子量、重均分子量通过以下的方法测定。
·数均分子量和重均分子量
数均分子量和重均分子量，利用GPC(岛津制作所制，商品名＝LC-10Avp)求得聚苯乙烯换算的数均分子量和重均分子量。预测定的高分子化合物以约0.5重量％的浓度溶解在四氢呋喃中，向GPC中进样50μL。GPC的移动相使用四氢呋喃，以0.6mL/分的流速流动。色谱柱为TSK gelSuperHM-H(东曹公司制)2根和TSK gel SuperH2000(东曹制)1根串联连接。检测器使用差示折射率检测器(岛津制作所制，商品名：RID-10A)。
<实施例1>(化合物A的合成)
·化合物A-1的合成
在500ml的3口烧瓶中加入3，5-二溴苯酚9.59g、3，5-双(4-叔丁基苯基)苯基硼酸(根据日本特开2005-82730号公报中记载的方法合成。)30.89g以及四乙基氢氧化铵95g(20重量％水溶液，129mmol)，然后，将烧瓶内置换为氮气氛。在其中加入甲苯215ml和二氯双(三苯基膦)合钯0.15g(0.22mmol)，100℃加热8小时。随后，放冷析出结晶。加入氯仿1L使该结晶溶解，在所得溶液中加入1N盐酸调成酸性，进行分液。用500ml的氯仿萃取所得的水相，将萃取后的氯仿与有机相合并，利用水、饱和食盐水进行洗涤。使洗涤后的有机相通过铺有硅胶100g的玻璃滤器来过滤，蒸馏除去溶剂，得到41.75g的粗生成物。在其中加入己烷250ml，升温至回流温度后，缓慢冷却至室温，过滤，用己烷洗涤，得到28.04g下述式所表示的化合物A-1。
*LC-MS
APPI-MS，positive 775([M+H]+、exact mass＝774)
*1H-NMR(300MHz，CDCl3)
δ1.35(36H，s)，5.19(1H，s)，7.15(s，2H)，7.47(d，8H)，7.59(s，1H)，7.60(d，8H)，7.78(s，6H)
*13C-NMR(300MHz，CDCl3)
δ31.8，34.9，113.9，119.6，125.2，125.7，126.2，127.4，138.6，142.1，142.6，144.0，150.9，156.6
·化合物A-2的合成
在500ml的4口烧瓶中充满氮气以置换空气，加入28.04g化合物A-1和N，N-二甲基-4-氨基吡啶12.99g，使其在脱水二氯甲烷300ml中溶解，冷却至0℃。用时30分钟向其中滴加无水三氟甲烷磺酸25.01g。然后，搅拌20分，然后从冷浴中移出，继续进行1.5小时搅拌。使所得的混合液通过铺有硅胶100g的玻璃滤器，过滤，用甲苯500ml洗涤。从所得的混合液中蒸馏除去溶剂，得到28.86g下述式所表示的化合物A-2。不精制直接用于下面的工序。
Figure BPA00001320425600611
*LC-MS
ESI-MS，positive 945([M+K]+、exact mass＝906)
*1H-NMR(300MHz，CDCl3)
δ1.38(36H，s)，7.52(8H，d)，7.57(2H，s)，7.64(8H，d)，7.77(4H，s)，7.85(2H，s)，7.97(1H，s)
*13C-NMR(300MHz，CDCl3)
δ31.7，34.9，119.3，125.2，126.2，126.4，126.6，127.4，138.2，140.4，143.0，144.8，150.7，151.2
·化合物A-3的合成
在1L的4口烧瓶中充满氮气以置换空气，加入吩噁嗪6.11g，使其在脱水甲苯122ml中溶解。在其中加入三(二亚苄基丙酮)二钯0.71g、1，1’-双(二苯基膦)二茂铁0.86g和碳酸铯15.21g，加热至110℃。在其中用时1小时滴入将28.86g化合物A-2溶解于利用氮脱氧了的144ml的脱水甲苯中形成的溶液。然后，搅拌20小时后，将所得的混合物趁热利用铺有150g的硅胶的玻璃滤器过滤，利用甲苯500ml洗涤。从所得的混合液中蒸馏除去溶剂，得到33.01g的粗生成物。将该粗生成物在甲苯100g中溶解，将所得的溶液滴入甲醇1L中，使其再沉淀。过滤所得的溶液，用甲醇洗涤，得到50.02g的湿滤饼。在其中加入甲苯70ml，加热使其溶解，滴加200ml的乙醇，进行重结晶。进而，过滤所得的生成物并利用乙醇100ml洗涤，得到24.8g的胺偶联体。利用甲苯：乙醇混合溶剂对该胺偶联体进行重结晶，得16.62g下述式所表示的化合物A-3。
Figure BPA00001320425600621
*LC-MS
APCI，positive 940([M+H]+、exact mass＝939)
*1H-NMR(300MHz，CDCl3)
δ1.37(36H，s)，6.13-6.16(2H，m)，6.62-6.71(6H，m)，7.50(8H，d)，7.64(8H，d)，7.72(2H，s)，7.83(6H，s)，8.11(1H，s)
*13C-NMR(300MHz，CDCl3)
δ31.7，34.9，113.7，115.8，121.7，123.7，125.0，126.0，126.1，126.3，127.4，128.8，134.6，138.4，140.4，141.1，142.8，144.3，145.3，151.0
·化合物A的合成
在500ml的4口烧瓶中充满氮气以置换空气，加入16.62g化合物A-3，使其在170ml的氯仿中溶解。将所得的溶液冷却至0℃，用时50分钟向其中滴加将6.29g的NBS(N-溴琥珀酰亚胺)溶于15ml的DMF(二甲基甲酰胺)而成的溶液。然后，进行10分钟的搅拌后，从冷浴中移出，继续3小时搅拌。将所得的混合液再度冷却至0℃，在其中滴加将0.10g的NBS溶解于0.5ml的DMF中而成的溶液。然后，室温下进行1.5小时搅拌后，在其中滴加水100ml并进行分液。用100ml的甲苯萃取所得的水相2次，将萃得的甲苯与有机相合并，加入甲苯500ml，然后利用水、饱和食盐水洗涤所得的混合液。使洗涤后的混合液通过铺有100g的硅胶的玻璃滤器进行过滤，用甲苯洗涤。从所得的混合液中蒸馏除去溶剂，得到25.08g下述式所表示的化合物A。
Figure BPA00001320425600631
*LC-MS
APCI，positive 1096([M+H]+、exact mass＝1095)
*1H-NMR(300MHz，CDCl3)
δ1.37(36H，s)，5.99(2H，d)，6.75(2H，d)，6.85(2H，brs)，7.50(8H，d)，7.61-7.65(10H，m)，7.82(6H，d)，8.11(1H，s)
*13C-NMR(300MHz，CDCl3)
δ31.7，34.9，113.3，114.9，119.0，125.0，126.2，126.7，127.3，128.2，129.3，133.5，138.3，139.6，140.7，142.9，144.5，145.6，151.1
<实施例2>(高分子化合物1的合成)
在氮气氛下，混合2，7-双(1，3，2-二氧杂环戊硼烷-2-基)-9，9-二正辛基芴(根据日本特开2007-70620号公报中记载的方法合成。)0.40g、0.82g化合物A、二氯双(三苯基膦)合钯2.8mg、三辛基甲基铵氯化(Aldrich公司制，商品名：Aliquat336)0.52g和甲苯15ml，加热至90℃。在所得的混合液中，滴加17.5重量％的碳酸钠水溶液5ml，回流6小时。反应后，在其中加入苯基硼酸0.1g，再使其回流4小时。接着，在其中加入12.5重量％二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液5ml，85℃搅拌2小时。冷却后，用水10ml洗涤2次，用3重量％乙酸水溶液10ml洗涤2次，再用水10ml洗涤2次，将所得的溶液滴加在甲醇120mL中，滤得沉淀物。将该沉淀物在甲苯25mL中溶解，通过在硅胶的上铺有活性氧化铝的色谱柱来进行精制。将所得的甲苯溶液在甲醇120ml中滴加，搅拌后，滤取所得的沉淀物，使其干燥，得到0.89g的高分子化合物1。高分子化合物1的聚苯乙烯换算的数均分子量为1.4×104，聚苯乙烯换算的重均分子量为2.2×104。
该高分子化合物1的荧光峰值波长为456nm，CIE色度座标为(0.15，0.14)。该结果示于表1。
<比较例1>(高分子化合物2的合成)
在氮气氛下，将2，7-双(1，3，2-二氧杂环戊硼烷-2-基)-9，9-二正辛基芴1.87g、3，7-二溴-10-(4-丁基苯基)-10H-吩噁嗪(根据日本特开2007-70620号公报中记载的方法合成。)1.66g、乙酸钯1mg、三(邻甲氧基苯基)膦5mg、三辛基甲基铵氯化(Aldrich公司制，商品名：Aliquat336)0.51g和甲苯25ml混合，加热至90℃。在所得的混合液中滴加17.5重量％的碳酸钠水溶液7ml，回流74小时。反应后，在其中加入苯基硼酸54mg，再回流4小时。接着，在其中加入12.5重量％二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液20ml，在85℃搅拌2小时。将所得的溶液冷却后，用水20ml洗涤2次，用3重量％乙酸水溶液20ml洗涤2次，再用水20ml洗涤2次，将所得的溶液滴加在甲醇450mL中，滤取得到沉淀物。使该沉淀物在甲苯30mL中溶解，通过在硅胶的上铺有活性氧化铝的色谱柱来精制。将所得的甲苯溶液滴加在甲醇450ml中，搅拌后，滤取所得的沉淀物，干燥，得到1.83g高分子化合物2。高分子化合物2的聚苯乙烯换算的数均分子量为2.8×104，聚苯乙烯换算的重均分子量为6.0×104。
该高分子化合物2的荧光峰值波长为462nm，CIE色度座标为(0.15，0.18)。该结果示于表1。
<实施例3>(化合物B的合成)
·化合物B-1的合成
将100ml 3口烧瓶用充满氮气置换空气后，加入3，5-二溴甲苯(4.90g)，使其在THF 22ml中溶解。冷却至-78℃，用时3分钟在其中加入己基锂(8.5ml，2.3M己烷溶液)。进行1小时搅拌后，在1分钟之内加入1-溴己烷3.00ml，缓慢升温。升温至室温后，冷却至0℃，加入饱和氯化铵水溶液(30ml)使反应停止。分离后，用甲苯(30ml)萃取水相。将其与有机相混合，用水(30ml)、饱和食盐水(30ml)洗涤有机相。将有机相在无水硫酸镁上干燥后，过滤，蒸馏除去溶剂，得到7.69g下述式所示的化合物B-1的粗生成物。
Figure BPA00001320425600651
*GC-MS
254([M]+、exact mass＝254)
b.p.90℃/0.8mmHg
·化合物B-2的合成
将1L4口烧瓶充满氮气，将23.90g化合物B-1在230ml的脱水1，4-二噁烷中溶解。加入双(频哪醇合)二硼21.95g、1，1’-双(二苯基膦)二茂铁二氯化钯·二氯甲烷络合物1.76g、1，1’-双(二苯基膦)二茂铁1.20g、乙酸钾21.20g，回流搅拌7小时。通过铺有40g的硅藻土的玻璃滤器来过滤，用己烷洗涤。将所得的滤液浓缩，得到黑色液体形式的42.13g的粗生成物。将该粗生成物溶解在己烷200ml中，加入活性炭4.2g，在室温搅拌1小时，然后，利用铺有硅藻土的玻璃滤器过滤，浓缩所得的滤液，得到30.76g下述式所示的化合物B-2。
Figure BPA00001320425600661
*GC-MS
302([M]+、exact mass＝302)
·化合物B-3的合成
在300ml 4口烧瓶充满氮气以置换空气，在瓶中使3，5-二溴苯酚8.00g和25.87g的化合物B-2溶解在160ml的甲苯中。加入二氯双(三苯基膦)合钯0.11g后，用时5分钟滴加20重量％三乙基氢氧化铵水溶液70ml，然后，在回流条件下进行4.5小时搅拌。放冷后，进行分液，用100ml的甲苯对水相进行2次萃取，合并所得的有机相，利用50ml的饱和食盐水进行洗涤。将洗涤后的有机相通过铺有硅胶60g的玻璃滤器，再用甲苯洗涤后，从所得的有机相中蒸馏除去溶剂，得到17.33g的粗生成物。利用硅胶柱色谱(展开溶剂己烷：乙酸乙酯＝96∶4(体积比))进行精制，得到3.83g下述式所示的化合物B-3。
Figure BPA00001320425600671
*LC-MS
ESI positive 481([M+K]+、exact mass＝442)
*1H-NMR(300MHz，CDCl3)
δ0.89(6H，t)，1.25-1.42(12H，m)，1.60-1.71(4H，m)，2.40(δH，s)，2.63(4H，t)，4.82(1H，s)，7.01(4H，s)，7.22-7.26(4H，m)，7.35(1H，s)
*13C-NMR(300MHz，CDCl3)
δ14.4，21.8，22.9，29.4，31.9，32.0，36.3，113.2，119.4，124.8，125.7，128.8，138.5，141.1，143.7，144.0，156.2
·化合物B-4的合成
将500ml烧瓶充满氮气，在瓶中使3.80g化合物B-3在脱水二氯甲烷70ml中溶解，加入4-二甲基氨基吡啶1.83g，然后，冷浴冷却至0℃。在其中滴加无水三氟甲烷磺酸4.59g，从冷浴中移出，搅拌1小时。冷却至0℃，滴加饱和氯化铵水溶液30ml，进行分液。用己烷50ml萃取分液后的水相，合并所得的有机相，利用水20ml、饱和食盐水20ml进行洗涤。将洗涤后的有机相通过铺有硅胶10g的玻璃滤器，进行过滤，从所得的有机相蒸馏除去溶剂，得到4.70g的下述式所示化合物B-4。不精制而直接用于下面的工序。
Figure BPA00001320425600681
*LC-MS
ESI positive 613([M+K]+、exact mass＝574)
*1H-NMR(300MHz，CDCl3)
δ0.89(6H，t)，1.25-1.42(12H，m)，1.60-1.71(4H，m)，2.42(6H，s)，2.65(4H，t)，7.06(2H，s)，7.20(2H，s)，7.22(2H，s)，7.39(2H，s)，7.75(1H，s)
*13C-NMR(300MHz，CDCl3)
δ14.4，21.7，22.9，29.4，31.9，32.0，36.2，118.6，124.8，125.7，126.3，129.6，138.9，139.5，144.1，144.8，150.5
·化合物B-5的合成
将300ml 4口烧瓶充满氮气，在其中加入4.60g化合物B-4和吩噁嗪1.54g，使其在脱水甲苯70ml中溶解。在其中加入三(二亚苄基丙酮)二钯73mg、1，1’-双(二苯基膦)二茂铁89mg和碳酸铯3.91g，回流下搅拌40小时。反应的途中追加2g碳酸铯、三(二亚苄基丙酮)二钯73mg和1，1’-双(二苯基膦)二茂铁89mg。放冷后，加水50ml，进行分液，用50ml的己烷萃取水相2次。合并所得的有机相，利用水、饱和食盐水进行洗涤，将洗涤后的有机相通过铺有硅胶10g的玻璃滤器，进行过滤，再利用己烷进行洗涤，从所得的有机相蒸馏除去溶剂，得6.15g的粗生成物。利用硅胶柱色谱进行精制(硅胶500g，展开溶剂只用己烷)，得到2.89g下述式所示的化合物B-5。
Figure BPA00001320425600691
*LC-MS
APPI positive 608([M+H]+、exact mass＝607)
*1H-NMR(300MHz，CDCl3)
δ0.88(6H，t)，1.26-1.43(12H，m)，1.60-1.71(4H，m)，2.41(6H，s)，2.64(4H，t)，6.09(2H，d)，6.60-6.74(6H，m)，7.03(2H，s)，7.28(4H，d)，7.53(2H，s)，7.89(1H，s)
*13C-NMR(300MHz，CDCl3)
δ14.4，21.8，22.9，29.4，31.9，32.0，36.3，113.7，123.6，124.7，125.6，126.2，129.2，138.8，140.2，144.0，145.3
·化合物B的合成
将100ml的2口烧瓶中充满氮气以置换空气，加入2.80g化合物B-5，使其在30ml的脱水氯仿中溶解。将所得的溶液冷却至0℃，每隔5分钟加入0.25g的N-溴琥珀酰亚胺直至加入1.50g，之后再加入0.09g，合计加入1.59g，随后升温至室温，进行3小时搅拌。将所得的溶液冷却至0℃后，加入溶解有30mg的硫代硫酸钠的30ml的水溶液，搅拌。将所得的溶液分液后，用30ml的氯仿萃取水相2次，合并所得的有机相，通过铺有硅胶10g的玻璃滤器，进行过滤。从所得的有机相中蒸馏除去溶剂，得到3.61g的粗生成物。使用异丙醇50ml/己烷10ml的混合溶液，反复重结晶，得到1.92g下述式所示的化合物B。
Figure BPA00001320425600701
*LC-MS
APCI positive 764([M+H]+、exact mass＝763)
*1H-NMR(300MHz，CDCl3)
δ0.89(6H，t)，1.26-1.40(12H，m)，1.60-1.70(4H，m)，2.41(6H，s)，2.64(4H，t)，6.94(2H，d)，6.73(2H，d)，6.83(2H，s)，7.05(2H，s)，7.25(2H，s)，7.27(2H，s)，7.46(2H，s)，7.90(1H，s)
*13C-NMR(300MHz，CDCl3)
δ14.4，21.8，22.9，29.4，32.0，36.3，113.1，114.9，118.9，124.6，125.5，126.7，127.6，129.4，133.6，138.9，140.0，144.1，144.4，145.7
<实施例4>(高分子化合物3的合成)
在比较例1中，代替1.66g的3，7-二溴-10-(4-丁基苯基)-10H-吩噁嗪而使用2.70g的化合物B，除此以外，与比较例1相同地合成高分子量化合物3(产量2.98g)。高分子化合物3的聚苯乙烯换算的数均分子量为4.7×104，聚苯乙烯换算的重均分子量为1.4×105
<实施例5>(高分子化合物4的合成)
在氮气氛下，混合2，7-双(1，3，2-二氧杂环戊硼烷-2-基)-9，9-二正辛基芴1.59g、N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-1，4-亚苯基二胺(根据日本特开2005-314682号公报中记载的方法合成。)1.11g、1.65g的化合物A、二氯双(三苯基膦)合钯(0)2.4mg、三辛基甲基铵氯化(Aldrich公司制，商品名：Aliquat336)0.45g和甲苯30ml，加热至90℃。在所得的混合液中，滴加17.5重量％的碳酸钠水溶液6.4ml，使其回流5小时。反应后，在其中加入苯基硼酸27mg，继续回流4小时。接着，在其中加入12.5重量％乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液20ml，在85℃搅拌2小时。将所得的溶液冷却后，用水80ml洗涤2次，用3重量％乙酸水溶液80ml洗涤2次，再用水80ml洗涤2次，将所得的溶液向甲醇930mL中滴加，然后滤得沉淀物。将该沉淀物在甲苯190mL中溶解，使其通过硅胶上铺有活性氧化铝的色谱柱进行精制。将所得的甲苯溶液滴加在甲醇930ml中，搅拌后，滤取所得的沉淀物，进行干燥，得到2.01g高分子化合物4。高分子化合物4的聚苯乙烯换算的数均分子量为1.7×104，聚苯乙烯换算的重均分子量为3.3×104。
<实施例6>(高分子化合物5的合成)
在300ml的4口烧瓶中加入三辛基甲基铵氯化(Aldrich公司制，商品名：Aliquat336)0.86g、0.95g化合物A、2，7-二溴-9，9-双[4-(正己基氧基)苯基]芴(根据日本特开2007-70620号公报的记载合成。)3.29g和2，7-双(1，3，2-二氧杂环戊硼烷-2-基)-9，9-二正辛基芴3.10g，用氮气置换体系中的空气。在其中加入用氩脱氧了的甲苯50ml，边搅拌边鼓泡30分。在其中加入二氯双(三苯基膦)合钯(II)4.5mg和2M碳酸钠水溶液12ml，在105℃搅拌7小时，然后，在105℃加入将苯基硼酸0.52g溶解于甲苯20ml和四氢呋喃25ml的混合溶液中而的的溶液，搅拌3小时。在其中加入将N，N-二乙基二硫代氨基甲酸钠5g溶于40ml的水中的水溶液，在90℃搅拌3小时。在其中加入400ml的甲苯，将所得的反应液分液，用250ml的水洗涤有机相4次，然后，将有机相滴入甲醇2.5L中，生成沉淀。过滤该沉淀，减压干燥后，利用150ml的甲苯将其溶解，使其通过硅胶-氧化铝色谱柱，用350ml的甲苯洗涤。将所得的甲苯溶液向甲醇2.5L中滴加，生成沉淀。过滤该沉淀，进行减压干燥后，使其在150ml的甲苯中溶解，将甲苯溶液在甲醇2.5L中滴加，生成沉淀。过滤该沉淀，减压干燥，由此得到4.74g的高分子化合物5。高分子化合物5的聚苯乙烯换算的数均分子量为9.4×104，聚苯乙烯换算的重均分子量为2.3×105。
<比较例2>(高分子化合物6的合成)
在实施例6中，代替0.95g的化合物A而使用0.41g的3，7-二溴-10-(4-丁基苯基)-10H-吩噁嗪，除此以外与实施例6相同地合成高分子化合物6(产量4.04g)。高分子化合物6的聚苯乙烯换算的数均分子量为8.1×104，聚苯乙烯换算的重均分子量为2.0×105
<荧光光谱的测定>
对于荧光光谱的测定而言，将欲测定的高分子化合物的0.8重量％甲苯溶液旋涂于石英上制作该高分子化合物的薄膜。对该薄膜在350nm的波长进行激发，使用荧光分光光度计(堀场制作所制，商品名：Fluorolog)，测定该高分子化合物的荧光光谱。由所得的荧光光谱求得荧光的峰值波长(荧光峰值)(nm)和CIE色度座标，并将其示于表1。
表1
  高分子化合物   荧光峰值   色度座标
  实施例2   1   456   (0.15，0.14)
  实施例4   3   461   (0.14，0.15)
  实施例5   4   454   (0.15，0.14)
  实施例6   5   458   (0.14，0.14)
  比较例1   2   462   (0.15，0.18)
  比较例2   6   460   (0.14，0.20)
<实施例7>(发光元件的作制)
在利用溅射法附着了150nm的厚的ITO膜的玻璃基板上，使用聚(乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸的溶液(HC Starck公司制，商品名：CLEVIOSP AI4083)利用旋涂法成膜65nm的厚度，在加热板上以200℃干燥10分钟。
接着，将高分子化合物2～5分别以1.5重量％的浓度溶于二甲苯而制备溶液。将由此制备的溶液利用旋涂以1000rpm的转速进行成膜。膜厚约为60nm。将它们在氮气氛、130℃条件下干燥10分钟，然后，蒸镀约5nm的钡作为阴极，接着蒸镀约60nm的铝，制作发光元件。在真空度到达1×10- 4pa以下之后开始金属的蒸镀。
对所得的发光元件施加电压，得到蓝色的EL发光。另外由施加8V的电压时的发光光谱求出发光的峰值波长(EL峰值)(nm)和CIE色度座标，将其示于表2。
表2
  高分子化合物   EL峰值   色度座标
  实施例4   3   460   (0.17，0.18)
  实施例5   4   455   (0.16，0.16)
  实施例6   5   460   (0.14，0.13)
  比较例1   2   465   (0.20，0.25)
产业上的利用可能性
本发明的高分子化合物是色纯度(特别是红色、蓝色、绿色)优良的高分子化合物。在优选实施方式中，通过使用本发明的高分子化合物，可得到亮度半衰期优良的发光元件。

Claims (26)

1.一种含有下述式(0)所表示的化合物的残基的高分子化合物，
Figure FPA00001320425500011
式中，Ar0表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基、取代羧基、硝基、氰基、或下述式(A)所表示的基团，存在的多个Ar0可以相同也可以不同，Ar0的至少2个为下述式(A)所表示的基团，R0表示烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基、取代羧基、硝基或氰基，l和m分别独立地表示0～3的整数，l+m为2以上时，存在的多个R0可以相同也可以不同，
Figure FPA00001320425500012
式中，A0表示-N＝或-C(R2)＝，R2表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基、取代羧基、硝基或氰基，R2所表示的基团可以具有取代基，存在的多个A0可以相同也可以不同。
2.根据权利要求1所述的高分子化合物，其中，所述式(0)所表示的化合物为下述式(0-1)所表示的化合物，
Figure FPA00001320425500021
式中，A表示所述式(A)所表示的基团，存在的多个A可以相同也可以不同，Ar0、R0、l和m表示与上述相同的意思。
3.根据权利要求2所述的高分子化合物，其中，所述式(0-1)所表示的化合物为下述式(1)所表示的化合物，
Figure FPA00001320425500031
式中，R1表示1价的脂环式烃基、芳基或1价的杂环基，R1所表示的基团可以具有取代基，A1表示-N＝或-C(R2)＝，R2表示的意思与上述相同，6个A1可以相同也可以不同，4个R1可以相同也可以不同。
4.根据权利要求3所述的高分子化合物，其中，所述式(1)所表示的化合物的残基是下述式(2)所表示的2价基团，
Figure FPA00001320425500032
式中，A1和R1表示的意思与上述相同。
5.根据权利要求4所述的高分子化合物，其中，所述式(2)所表示的2价基团为重复单元。
6.根据权利要求3～5中的任一项所述的高分子化合物，其中，所述A1为-C(R2)＝，且所述R1为芳基。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的高分子化合物，其还含有下述式(3)所表示的重复单元，
式中，Ar1表示亚芳基或2价的杂环基，R3和R4分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、1价的杂环基或氰基，Ar1、R3、R4所表示的基团可以具有取代基，n表示0或1。
8.根据权利要求7所述的高分子化合物，其中，所述式(3)所表示的重复单元为下述式(4)所表示的重复单元，
Figure FPA00001320425500042
式中，A环和B环分别独立地表示芳香族烃环或芳香族杂环，A环和B环上分别具有1个结合端，A2表示与A环和B环键合而形成5元环或6元环的2价基团。
9.根据权利要求8所述的高分子化合物，其中，所述式(4)所表示的重复单元为下述式(5)所表示的重复单元，
Figure FPA00001320425500043
式中，R5表示氢原子、烷基、芳基、芳基烷基或1价的杂环基，或者2个R5也可相互键合形成环，R5所表示的基团可以具有取代基，2个R5可以相同也可以不同。
10.根据权利要求9所述的高分子化合物，其中，所述R5为烷基。
11.根据权利要求9所述的高分子化合物，其中，所述R5为芳基。
12.根据权利要求1～11中的任一项所述的高分子化合物，其中，还含有下述式(6)所表示的重复单元，
Figure FPA00001320425500051
式中，Ar2、Ar3、Ar4和Ar5分别独立地表示亚芳基或2价的杂环基，Ar6、Ar7和Ar8分别独立地表示芳基或1价的杂环基，Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8所表示的基团可以具有取代基，a和b分别独立地表示0以上的整数，a为2以上时，存在的多个Ar3、Ar6可以分别相同也可以不同，b为2以上时，存在的多个Ar5、Ar7可以分别相同也可以不同。
13.一种下述式(9-0)所表示的化合物，
式中，Ar0表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基、取代羧基、硝基、氰基或下述式(A)所表示的基团，存在的多个Ar0可以相同也可以不同，Ar0的至少2个为下述式(A)所表示的基团，R0表示烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基、取代羧基、硝基或氰基，l和m分别独立地表示0～3的整数，l+m为2以上时，存在的多个R0可以相同也可以不同，X1和X2分别独立地表示能参与聚合的基团，c和d分别独立地表示0～4的整数，c+l为4以下，d+m为4以下，X1存在多个时，它们可以相同也可以不同，X2存在多个时，它们可以相同也可以不同，
Figure FPA00001320425500062
式中，A0表示-N＝或-C(R2)＝，R2表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基、取代羧基、硝基或氰基，R2所表示的基可以具有取代基，存在的多个A0可以相同也可以不同。
14.根据权利要求13所述的化合物，其中所述式(9-0)所表示的化合物为下述式(9)所表示的化合物，
Figure FPA00001320425500071
式中，X1、X2、c和d表示与上述相同的意思，R1表示1价的脂环式烃基、芳基或1价的杂环基，A1表示-N＝或-C(R2)＝，R2表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基、取代羧基、硝基或氰基，R1、R2所表示的基团可以具有取代基，6个A1可以相同也可以不同，4个R1可以相同也可以不同。
15.根据权利要求14所述的化合物，其中，所述式(9)所表示的化合物为下述式(10)所表示的化合物，
Figure FPA00001320425500081
式中，A1和R1分别表示与上述相同的意思，X3和X4分别独立地表示卤原子、-B(OH)2、硼酸酯残基、-MgX5、甲锡烷基、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基，所述X5表示卤原子。
16.根据权利要求13所述的化合物，其中，所述式(9-0)所表示的化合物为下述式(10-0)所表示的化合物，
Figure FPA00001320425500082
式中，Ar0表示的意思与上述相同，Ar0的至少2个为所述式(A)所表示的基团，X3和X4分别独立地表示卤原子、-B(OH)2、硼酸酯残基、-MgX5、甲锡烷基、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基，所述X5表示卤原子。
17.一种含有下述式(0’)所表示的重复单元的高分子化合物的制造方法，其包括在过渡金属催化剂的存在下，将下述式(10-0)所表示的化合物进行聚合的工序，
Figure FPA00001320425500091
式中，Ar0表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基、取代羧基、硝基、氰基或下述式(A)所表示的基团，存在的多个Ar0可以相同也可以不同，Ar0的至少2个为下述式(A)所表示的基团，X3和X4分别独立地表示卤原子、-B(OH)2、硼酸酯残基、-MgX5、甲锡烷基、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基，所述X5表示卤原子，
Figure FPA00001320425500092
式中，A0表示-N＝或-C(R2)＝，R2表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基、取代羧基、硝基或氰基，R2所表示的基团可以具有取代基，存在的多个A0可以相同也可以不同，
Figure FPA00001320425500101
式中，Ar0表示的意思与上述相同。
18.一种含有下述式(2’)所表示的重复单元的高分子化合物的制造方法，其包括在过渡金属催化剂的存在下，将下述式(10)所表示的化合物聚合的工序，
Figure FPA00001320425500102
式中，R1表示1价的脂环式烃基、芳基或1价的杂环基，A1表示-N＝或-C(R2)＝，R2表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基、取代羧基、硝基或氰基，R2所表示的基团可以具有取代基，4个R1可以相同也可以不同，X3和X4分别独立地表示卤原子、-B(OH)2、硼酸酯残基、-MgX5、甲锡烷基、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基，所述X5表示卤原子，6个A1可以相同也可以不同，
Figure FPA00001320425500111
式中，A1和R1表示的意思与上述相同。
19.一种下述式(11)所表示的化合物，
Figure FPA00001320425500112
式中，R1表示1价的脂环式烃基、芳基或1价的杂环基，A1表示-N＝或-C(R2)＝，R2表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基、取代羧基、硝基或氰基，R1、R2所表示的基团可以具有取代基，X5表示氯原子、溴原子、碘原子、烷基磺酰基、芳基磺酰基或芳基烷基磺酰基，6个A1可以相同也可以不同，4个R1可以相同也可以不同。
20.一种下述式(12)所表示的化合物，
Figure FPA00001320425500121
式中，R1表示1价的脂环式烃基、芳基或1价的杂环基，A1表示-N＝或-C(R2)＝，R2表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、烯基、芳基烯基、炔基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、酰胺基、1价的杂环基、杂环氧基、羧基、取代羧基、硝基或氰基，R2所表示的基团可以具有取代基，6个A1可以相同也可以不同，4个R1可以相同也可以不同。
21.一种含有权利要求1～12中的任一项所述的高分子化合物的组合物。
22.一种含有权利要求1～12中的任一项所述的高分子化合物的薄膜。
23.一种具有权利要求22所述的薄膜的有机晶体管。
24.一种发光元件，其具备包含阳极和阴极的电极、以及在该电极间设置的含有权利要求1～12中的任一项所述的高分子化合物的层。
25.一种使用了权利要求24所述的发光元件的面状光源。
26.一种使用了权利要求24所述的发光元件的显示装置。
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