JP6167549B2 - 電極形成用の組成物 - Google Patents

Description

本発明は、電極形成用の組成物、該電極形成用の組成物から形成される電極、該電極を有する発光素子および光電変換素子、並びに、該電極形成用の組成物に有用な高分子化合物、該高分子化合物の製造に有用な化合物に関する。

発光素子等の電極に用いるための電極材料として、例えば、下記式で表される構成単位を有する高分子化合物を含む電極材料が検討されている（特許文献１）。

特開２０１２−２１６４８９号公報

しかしながら、上記の電極材料を用いて形成された電極を用いた発光素子は、その耐久性（特に、輝度寿命）が必ずしも十分ではない。

そこで本発明は、耐久性に優れる発光素子の電極の形成に有用な電極形成用の組成物、該電極形成用の組成物から形成される電極、該電極を有する発光素子および光電変換素子、並びに、該電極形成用の組成物に有用な高分子化合物、該高分子化合物の製造に有用な化合物を提供することを目的とする。

本発明は、第一に、式（１）および式（２）で表される構成単位を含む高分子化合物、式（１）および式（３）で表される構成単位を含む高分子化合物、または、式（４）で表される構成単位を含む高分子化合物と、金属材料および炭素材料からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料を含む、電極形成用の組成物を提供する。

（式（１）中、
ｍ^１およびｎ^１は、それぞれ独立に、１以上の整数である。
Ａｒ^１は、置換基を有していてもよい（ｎ^１＋２）価の芳香族基または置換基を有していてもよい（ｎ^１＋２）芳香族アミン残基であり、
Ｒ^１は、単結合または（ｍ^１＋１）価の有機基であり、
Ｘ^１は、式：−ＯＭ^１で表される基、式：−ＣＯ₂Ｍ^１で表される基、式：−ＢＲ^３ ₃Ｍ^１で表される基、式：−ＮＲ^３ ₃Ｚ^１で表される基、式：−ＳＯ_３Ｍ^１で表される基、式：−ＳＯ_２Ｍ^１で表される基、式：−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＭ^１）₂で表される基、または、式：−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ^３）₂で表される基である。
Ｚ^１は、アニオンであり、
Ｒ^３は、水素原子、置換基を有していてもよいヒドロカルビル基または置換基を有していてもよいヒドロカルビルオキシ基であり、
Ｍ^１は、金属カチオンまたは式：ＮＲ^３ _４で表される基である。
Ｒ^１、Ｘ^１、Ｚ^１、Ｒ^３、Ｍ^１およびｍ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
但し、Ｒ^１が単結合の場合、ｍ^１は１である。）

（式（２）中、
ｍ^２およびｎ^２は、それぞれ独立に、１以上の整数である。
Ａｒ^２は、置換基を有していてもよい（ｎ^２＋２）価の芳香族基であり、
Ｒ^２は、（ｍ^２＋１）価の有機基であり、
Ｘ^２は、窒素原子、硫黄原子およびリン原からなる群から選ばれる少なくとも１種の原子を含む１価の有機基である。
Ｒ^２、Ｘ^２およびｍ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

（式（３）中、
Ａｒ^３は、置換基を有していてもよい２価の芳香族複素環基である。）

（式（４）中、
ｍ^１およびｎ^１は、それぞれ独立に、１以上の整数である。
Ａｒ^４は、置換基を有していてもよい（ｎ^１＋ｎ^２＋２）価の芳香族基であり、
Ｒ^１は、単結合または（ｍ^１＋１）価の有機基であり、
Ｘ^１は、式：−ＯＭ^１で表される基、式：−ＣＯ₂Ｍ^１で表される基、式：−ＢＲ^３ ₃Ｍ^１で表される基、式：−ＮＲ^３ ₃Ｚ^１で表される基、式：−ＳＯ_３Ｍ^１で表される基、式：−ＳＯ_２Ｍ^１で表される基、式：−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＭ^１）₂で表される基、または、式：−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ^３）₂で表される基である。
Ｚ^１は、アニオンであり、
Ｒ^３は、水素原子、置換基を有していてもよいヒドロカルビル基または置換基を有していてもよいヒドロカルビルオキシ基であり、
Ｍ^１は、金属カチオンまたは式：ＮＲ^３ _４で表される基である。
Ｒ^１、Ｘ^１、Ｚ^１、Ｒ^３、Ｍ^１およびｍ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
但し、Ｒ^１が単結合の場合、ｍ^１は１である。
ｍ^２およびｎ^２は、それぞれ独立に、１以上の整数である。
Ｒ^２は、（ｍ^２＋１）価の有機基であり、
Ｘ^２は、窒素原子、硫黄原子およびリン原子からなる群から選ばれるの少なくとも１種の原子を含む１価の有機基である。
Ｒ^２、Ｘ^２およびｍ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

本発明は、第二に、上記の電極形成用の組成物を用いて形成された電極を提供する。

本発明は、第三に、上記の電極を有する発光素子または光電変換素子を提供する。

本発明は、第四に、式（７）で表される構成単位を含む高分子化合物を提供する。

（式（７）中、
ｍ^３は、１以上の整数である。
Ｒ^４は、（ｍ^３＋１）価の有機基であり、
Ｘ^４は、ラクタム構造を有する１価の有機基、または、同一の芳香族複素環が直接結合した構造を有する１価の有機基である。
複数存在するＲ^４、Ｘ^４およびｍ^３は、互いに同一であっても異なっていてもよい。）

本発明は、第五に、式（１２）で表される化合物を提供する。

（式（１２）中、
ｍ^４は、１以上の整数である。
Ｒ^７は、（ｍ^４＋１）価の有機基であり、
Ｘ^５は、ラクタム構造を有する１価の有機基、または、同一の芳香族複素環が直接結合した構造を有する１価の有機基であり、
Ｙは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、パラトルエンスルホナート基、トリフルオロメタンスルホナート基、メタンスルホナート基、ホウ酸残基またはホウ酸エステル基である。
複数存在するＲ^７、Ｘ^５、Ｙおよびｍ^４は、互いに同一でも異なっていてもよい。）

本発明によれば、耐久性に優れる発光素子の電極の形成に有用な電極形成用の組成物、該電極形成用の組成物から形成される電極、該電極を有する発光素子および光電変換素子、並びに、該電極形成用の組成物に有用な高分子化合物、該高分子化合物の製造に有用な化合物を提供することができる。また、本発明によれば、耐久性に優れる光電変換素子の電極の形成に有用な電極形成用の組成物も提供することができる。

本明細書において、「置換基を有していてもよい」とは、その直後に記載された基を構成する水素原子が、無置換の場合および水素原子の一部または全部が置換基によって置換されている場合の双方を含み、該置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、ニトロ基、フッ素原子、炭素原子数１〜６０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜６０のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数１〜６０のヒドロカルビルアミノ基および架橋基が挙げられる。これらの置換基の中でも、有機化合物の溶媒への溶解性がより優れるため、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルオキシ基または架橋基が好ましく、炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基または炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基がより好ましく、炭素原子数１〜８のヒドロカルビル基または炭素原子数１〜８のヒドロカルビルオキシ基が更に好ましい。

置換基であるヒドロカルビル基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
ヒドロカルビル基としては、例えば、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ノルボルニル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−シアノフェニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ターフェニリル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基、９−フェナントリル基、1-ピレニル基、クリセニル基、テトラセニル基およびコロニル基が挙げられ、
好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−シアノフェニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ターフェニリル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基または９−フェナントリル基であり、
より好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基またはフェニル基であり、
更に好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基またはオクチル基である。

置換基であるヒドロカルビルオキシ基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
ヒドロカルビルオキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、シクロプロパノキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基、ノルボルニルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ベンジロキシ基、α，α-ジメチルベンジロキシ基、２−フェネチルオキシ基、１−フェネチルオキシ基、フェノキシ基、アルコキシフェノキシ基、アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基およびペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられ、
好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基または３，７−ジメチルオクチルオキシ基であり、
より好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基またはオクチルオキシ基である。

置換基であるヒドロカルビルアミノ基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
ヒドロカルビルアミノ基としては、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、１−プロピルアミノ基、２−プロピルアミノ基、１−ブチルアミノ基、２−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、オクチルアミノ基、デシルアミノ基、ドデシルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、シクロプロピルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、１−アダマンチルアミノ基、２−アダマンチルアミノ基、ノルボルニルアミノ基、トリフルオロメチルアミノ基、ベンジルアミノ基、α，α-ジメチルベンジルアミノ基、２−フェネチルアミノ基、１−フェネチルアミノ基、フェニルアミノ基、アルコキシフェニルアミノ基、アルキルフェニルアミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基およびペンタフルオロフェニルアミノ基が挙げられ、
好ましくは、メチルアミノ基、エチルアミノ基、１−プロピルアミノ基、２−プロピルアミノ基、１−ブチルアミノ基、２−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基またはオクチルアミノ基であり、
より好ましくは、メチルアミノ基、エチルアミノ基、１−プロピルアミノ基、２−プロピルアミノ基、１−ブチルアミノ基、２−ブチルアミノ基またはヘキシルアミノ基である。

置換基である架橋基とは、熱、光、熱重合開始剤または光重合開始剤の作用で重合反応を起こすことにより、２分子以上の分子間で結合を形成することができる置換基を表す。
架橋基としては、例えば、ビニル基、エチニル基、ブテニル基、アクリロイル基、アクリラート基、アクリルアミジル基、メタクリル基、メタクリラート基、メタクリルアミド基、エテニルオキシ基、エテニルアミノ基、ヒドロキシシリル基、小員環（例えばたとえばシクロプロパン、シクロブタン、ベンゾシクロブテン、エポキシド、オキセタン、ジケテン、チイラン、ラクトン、ラクタム等）の構造を有する官能基、シロキサン誘導体の構造を有する官能基が挙げられる。
また、上記の架橋基の他に、エステル結合またはアミド結合を形成可能な基の組み合わせなども利用できる。エステル結合またはアミド結合を形成可能な基の組み合わせとしては、例えば、エステル基とアミノ基の組み合わせ、エステル基とヒドロキシル基の組み合わせが挙げられる。

本明細書において、「芳香族基」とは、芳香族炭化水素の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子の１個以上を除いた残りの原子団、芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子の１個以上を除いた残りの原子団、および、芳香族炭化水素および芳香族複素環式化合物から選ばれる２個以上の化合物が直接またはＯ原子若しくはＳ原子を介して結合した化合物における環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子の１個以上を除いた残り原子団を表す。

本明細書において、「芳香族アミン残基」とは、芳香族炭化水素および芳香族複素環式化合物から選ばれる２個以上の化合物がＮ原子を介して結合した化合物における環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子の１個以上を除いた残りの原子団を表す。

本明細書において、「有機基」とは、炭素原子および水素原子を含む基を示し、例えば、上記の炭素原子数１〜６０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜６０のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数１〜６０のヒドロカルビルアミノ基が挙げられる。

本明細書において「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味し、「繰り返し単位」（即ち、高分子化合物中に２個以上存在する単位）として高分子化合物中に存在していることが好ましい。

本明細書において、「高分子化合物」とは、分子量が２０００以上の重合体を意味する。高分子化合物は、単量体を用いた重合反応により得られる分子量分布を有する重合体であることが好ましい。高分子化合物の分子量は、分子量分布を有する重合体である場合、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレン換算によって算出される数平均分子量およびポリスチレン換算によって算出される重量平均分子量により測定することができる。

＜高分子化合物＞
前記高分子化合物は、式（１）および式（２）で表される構成単位を含む高分子化合物、式（１）および式（３）で表される構成単位を含む高分子化合物、および、式（４）で表される構成単位を含む高分子化合物である。

＜式（１）で表される構成単位＞
前記ｍ^１およびｎ^１は、それぞれ独立に、１以上の整数である。ｍ^１は、１〜３の整数であることが好ましく、１または２であることがより好ましい。ｎ^１は、１〜４の整数であることが好ましく、１または２であることがより好ましい。ｍ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

前記Ａｒ^１は、置換基を有していてもよい（ｎ^１＋２）価の芳香族基または置換基を有していてもよい芳香族アミン残基である。

前記Ａｒ^１が、芳香族炭化水素の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋２）個を除いた（ｎ^１＋２）価の芳香族基の場合、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、ベンゼン、ピレンまたはペリレンの環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋２）個を除いた（ｎ^１＋２）価の芳香族基であることが好ましく、フルオレン、ナフタレンまたはベンゼンの環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋２）個を除いた（ｎ^１＋２）価の芳香族基であることがより好ましく、フルオレンまたはナフタレンの環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋２）個を除いた（ｎ^１＋２）価の芳香族基であることが更に好ましい。なお、これらの環は、置換基を有していてもよい。

前記Ａｒ^１が、芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋２）個を除いた（ｎ^１＋２）価の芳香族基の場合、式Ｈ−１〜Ｈ−４０のいずれかで表される芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋２）個を除いた残りの原子団であることが好ましい。これらの中でも、式Ｈ−３、Ｈ−５、Ｈ−８、Ｈ−１２、Ｈ−１９、Ｈ−２３、Ｈ−３１またはＨ−３６で表される芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋２）個を除いた残りの原子団がより好ましく、式Ｈ−３、Ｈ−５、Ｈ−８、Ｈ−１２、Ｈ−１９またはＨ−３６で表される芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋２）個を除いた残りの原子団が更に好ましく、式Ｈ−３、Ｈ−５またはＨ−３６で表される芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋２）個を除いた残りの原子団が特に好ましい。なお、式Ｈ−１〜Ｈ−４０で表される芳香族複素環式化合物は置換基を有していてもよい。

前記Ａｒ^１が、置換基を有していてもよい（ｎ^１＋２）価の芳香族アミン残基の場合、式Ａ−１〜Ａ−１２のいずれかで表される芳香族アミンの環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋２）個を除いた残り原子団であることが好ましい。これらの中でも、式Ａ−１、Ａ−２、Ａ−５、Ａ−６、Ａ−７、Ａ−８またはＡ−９で表される芳香族アミンの環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋２）個を除いた残りの原子団がより好ましく、式Ａ−１、Ａ−５、Ａ−７またはＡ−９で表される芳香族アミンの環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋２）個を除いた残りの原子団が更に好ましく、式Ａ−１またはＡ−５で表される芳香族アミンの環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋２）個を除いた残りの原子団が特に好ましい。なお、式Ａ−１〜Ａ−１２で表される芳香族アミンは置換基を有していてもよい。

前記Ｒ^１は、単結合または（ｍ^１＋１）価の有機基であり、Ｒ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

（ｍ^１＋１）価の有機基としては、例えば、ヒドロカルビル基を構成する炭素原子に直接結合するｍ^１個の水素原子を取り除いた残りの原子団、および、式１−１〜１−５０で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する（ｍ^１＋１）個の水素原子を取り除いた残りの原子団が挙げられる。なお、ヒドロカルビル基は置換基を有していてもよく、式１−１〜１−５０で表される化合物は置換基を有していてもよい。

前記Ｒ^１が、ヒドロカルビル基を構成する炭素原子に直接結合するｍ^１個の水素原子を取り除いた残りの原子団の場合、ヒドロカルビル基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
ヒドロカルビル基としては、例えば、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ノルボルニル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−シアノフェニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ターフェニリル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基、９−フェナントリル基、1-ピレニル基、クリセニル基、テトラセニル基およびコロニル基が挙げられ、
好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−シアノフェニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ターフェニリル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基または９−フェナントリル基であり、
より好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基またはフェニル基であり、
更に好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基またはフェニル基である。

前記Ｒ^１は、式（Ｒ^１−１）〜（Ｒ^１−９）のいずれかで表される１価の有機基を置換基として有していてもよい。この場合、式（Ｒ^１−１）、（Ｒ^１−２）、（Ｒ^１−６）または（Ｒ^１−９）で表される１価の有機基を置換基として有していることが好ましく、式（Ｒ^１−１）、（Ｒ^１−２）または（Ｒ^１−６）で表される１価の有機基を置換基として有していることがより好ましく、式（Ｒ^１−１）または（Ｒ^１−２）で表される１価の有機基を置換基として有していることが更に好ましい。

−Ｏ−（Ｒ^８Ｏ）p−Ｒ^９ （Ｒ^１−１）

−Ｓ−（Ｒ^８Ｓ）p−Ｒ^９ （Ｒ^１−３）
−Ｃ（＝Ｏ）−（Ｒ^８−Ｃ（＝Ｏ））p−Ｒ^９ （Ｒ^１−４）
−Ｃ（＝Ｓ）−（Ｒ^８−Ｃ（＝Ｓ））p−Ｒ^９ （Ｒ^１−５）
−Ｎ｛（Ｒ^８）ｑＲ^９｝_２ （Ｒ^１−６）
−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−（Ｒ^８−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ）p−Ｒ^９ （Ｒ^１−７）
−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（Ｒ^８Ｏ）p−Ｒ^９ （Ｒ^１−８）
−ＮＨＣ（＝Ｏ）−（Ｒ^８ＮＨＣ（＝Ｏ））p−Ｒ^９ （Ｒ^１−９）
（式（Ｒ^１−１）〜式（Ｒ^１−９）中、
Ｒ^８は、置換基を有していてもよいヒドロカルビレン基である。
Ｒ^９は、水素原子、または、ヒドロカルビル基、ヒドロキシル基、チオール基、カルボキシル基、カルボン酸塩基、スルホン酸塩基およびアミノ基からなる群から選ばれる１価の有機基である。
Ｒ^１０は、置換基を有していてもよい３価の炭化水素基である。
ｐは１以上の整数であり、ｑは０以上の整数である。
Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、ｐおよびｑが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

前記Ｒ^８としては、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６０のヒドロカルビレン基であることが好ましく（該炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない）、ヒドロカルビレン基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
ヒドロカルビレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、α，α−ジメチレンベンジル基、１−フェネチレン基、２−フェネチレン基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、オレイレン基、フェニレン基、トリレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、３，５−ジフェニルフェニレン基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基およびフェナントリレン基が挙げられ、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、フェニレン基、トリレン基またはビフェニレン基が好ましく、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、ビニレン基またはフェニレン基がより好ましく、
エチレン基、プロピレン基、ヘキシレン基またはフェニレン基が更に好ましい。

前記Ｒ^９は、水素原子、または、ヒドロカルビル基、ヒドロキシル基、チオール基、カルボキシル基、カルボン酸塩基、スルホン酸塩基およびアミノ基からなる群から選ばれる１価の有機基である。

前記Ｒ^９におけるヒドロカルビル基としては、例えば、例えば、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ノルボルニル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−シアノフェニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ターフェニリル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基、９−フェナントリル基、1-ピレニル基、クリセニル基、テトラセニル基およびコロニル基が挙げられ、
好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−シアノフェニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ターフェニリル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基または９−フェナントリル基であり、
より好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基またはフェニル基であり、
更に好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基またはオクチル基である。

前記Ｒ^９におけるカルボン酸塩基としては、例えば、式：−ＣＯ_２Ｍ^３で表される１価の有機基が挙げられ、Ｍ^３は金属カチオンを表す。Ｍ^３としては、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオンまたは３〜１３族の金属元素からなる金属カチオンが好ましく、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、３〜４族の金属元素からなる金属カチオンまたは１２〜１３族の金属元素からなる金属カチオンがより好ましく、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオンまたは３〜４族の金属元素からなる金属カチオンが更に好ましく、アルカリ金属カチオンまたはアルカリ土類金属カチオンが特に好ましい。

アルカリ金属カチオンおよびアルカリ土類金属カチオンとしては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウムまたはカルシウムのカチオンが好ましく、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウムまたはセシウムのカチオンがより好ましい。

前記Ｒ^９におけるスルホン酸塩基としては、例えば、式：−ＳＯ_３Ｍ^３で表される１価の有機基が挙げられ、Ｍ^３は前記と同じ意味を表す。

前記Ｒ^９におけるアミノ基としては、式：−ＮＨ_２で表される基、および、式：−ＮＨＲ^３−Ｎ（Ｒ^３）_２で表される基が挙げられ、こちらの基は置換基を有していてもよい。ここで、Ｒ^３は、後述のＲ^３と同じ意味を表す。

前記Ｒ^１０における３価の炭化水素基としては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、スチレン、メチルスチレン、エチルベンゼン、クメンまたはシメンを構成する炭素原子に直接結合する水素原子の３個を除いた残りの原子団が挙げられる。これらの炭化水素は置換基を有していてもよい。

前記ｐとしては、３〜７の整数であることが好ましく、３〜５の整数であることがより好ましい。

前記ｑとしては、０〜４の整数であることが好ましく、０〜２の整数であることがより好ましい。

前記Ｘ^１は、式：−ＯＭ^１で表される基、式：−ＣＯ₂Ｍ^１で表される基、式：−ＢＲ^３ ₃Ｍ^１で表される基、式：−ＮＲ^３ ₃Ｚ^１で表される基、式：−ＳＯ_３Ｍ^１で表される基、式：−ＳＯ_２Ｍ^１で表される基、式：−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＭ^１）₂で表される基、または、式：−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ^３）₂で表される基である。Ｘ^１としては、本発明の電極形成用の組成物から形成される電極の導電性がより優れるので、式：−ＣＯ₂Ｍ^１で表される基、式：−ＳＯ_３Ｍ^１で表される基、または、式：−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ^３）₂で表される基であることが好ましく、式：−ＣＯ₂Ｍ^１で表される基、または、式：−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ^３）₂で表される基であることがより好ましく、式：−ＣＯ₂Ｍ^１で表される基であることが更に好ましい。Ｘ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

前記Ｚ^１は、アニオンである。Ｚ^１としては、例えば、ＮＯ_３ ⁻、ＳＯ_４ ^２−、ＨＣＯ_３ ⁻、ＣＯ_３ ^２−、Ｆ⁻、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、ＴｆＯ⁻、Ｔｆ_２Ｎ⁻、ＣＨ_３ＣＯ_２ ⁻、ＣＦ_３ＣＯ_２ ⁻、Ｃ_６Ｆ_５ＣＯ_２ ⁻、ＨＯ⁻、ＮＣ⁻、ＴｓＯ⁻、ＭｓＯ⁻、Ｒ^３ _２Ｐ（＝Ｏ）Ｏ⁻、｛［３，５−（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３］_４Ｂ｝⁻、（Ｐｈ_４Ｂ）⁻、［（１−Ｉｍｉｄａｚｏｌｙ）_４Ｂ］⁻、ＯＣｌ⁻、Ｏ_２Ｃｌ⁻、Ｏ_３Ｃｌ⁻、Ｏ_４Ｃｌ⁻、ＢＦ_４ ⁻およびＰＦ_６ ⁻が挙げられる。これらの中でも、Ｆ⁻、ＴｆＯ⁻、Ｔｆ_２Ｎ⁻、ＣＨ_３ＣＯ_２ ⁻、ＣＦ_３ＣＯ_２ ⁻、Ｃ_６Ｆ_５ＣＯ_２ ⁻、ＴｓＯ⁻、ＭｓＯ⁻、Ｒ^３ _２Ｐ（＝Ｏ）Ｏ⁻、｛［３，５−（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３］_４Ｂ｝⁻、（Ｐｈ_４Ｂ）⁻、［（１−Ｉｍｉｄａｚｏｌｙ）_４Ｂ］⁻、ＢＦ_４ ⁻およびＰＦ_６ ⁻であることが好ましく、Ｆ⁻、ＴｆＯ⁻、｛［３，５−（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３］_４Ｂ｝⁻、［（１−Ｉｍｉｄａｚｏｌｙ）_４Ｂ］⁻、ＢＦ_４ ⁻およびＰＦ_６ ⁻であることが更に好ましい。Ｚ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

前記Ｒ^３は、水素原子、置換基を有していてもよいヒドロカルビル基または置換基を有していてもよいヒドロカルビルオキシ基である。Ｒ^３が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

前記Ｒ^３がヒドロカルビル基の場合、ヒドロカルビル基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
ヒドロカルビル基としては、例えば、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ノルボルニル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−シアノフェニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ターフェニリル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基、９−フェナントリル基、1-ピレニル基、クリセニル基、テトラセニル基およびコロニル基が挙げられ、
好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−シアノフェニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ターフェニリル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基または９−フェナントリル基であり、
より好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基またはフェニル基であり、
更に好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基またはオクチル基である。

前記Ｒ^３がヒドロカルビルオキシ基の場合、ヒドロカルビルオキシ基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
ヒドロカルビルオキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、シクロプロパノキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基、ノルボルニルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ベンジロキシ基、α，α-ジメチルベンジロキシ基、２−フェネチルオキシ基、１−フェネチルオキシ基、フェノキシ基、アルコキシフェノキシ基、アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基およびペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられ、
好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基または３，７−ジメチルオクチルオキシ基であり、
より好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基またはオクチルオキシ基である。

前記Ｍ^１は、金属カチオンまたは式：ＮＲ^３ _４で表される基である。Ｍ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

前記Ｍ^１が金属カチオンである場合、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオンまたは３〜１３族の金属元素からなる金属カチオンが好ましく、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、３〜４族の金属元素からなる金属カチオンまたは１２〜１３族の金属元素からなる金属カチオンがより好ましく、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオンまたは３〜４族の金属元素からなる金属カチオンが更に好ましく、アルカリ金属カチオンまたはアルカリ土類金属カチオンが特に好ましい。

アルカリ金属カチオンおよびアルカリ土類金属カチオンとしては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウムまたはカルシウムのカチオンが好ましく、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウムまたはセシウムのカチオンがより好ましい。

前記式（１）で表される構成単位は、式Ｊ−１〜Ｊ−７２で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団であることが好ましい。これらの中でも、式Ｊ−４、Ｊ−８、Ｊ−１２、Ｊ−１６、Ｊ−２０、Ｊ−２４、Ｊ−２８、Ｊ−３２、Ｊ−３６、Ｊ−４０、Ｊ−４４、Ｊ−４８、Ｊ−５２、Ｊ−５６、Ｊ−６０、Ｊ−６４、Ｊ−６８またはＪ−７２で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団がより好ましく、式Ｊ−４、Ｊ−８、Ｊ−１２、Ｊ−１６、Ｊ−２０、Ｊ−２４、Ｊ−２８またはＪ−３２で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団が更に好ましく、式Ｊ−４、Ｊ−１２、Ｊ−２４またはＪ−２８で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた原子団が特に好ましい。なお、これらの化合物は置換基を有していてもよい。

＜式（２）で表される構成単位＞
前記ｍ^２およびｎ^２は、それぞれ独立に、１以上の整数である。ｍ^２は、１〜３の整数であることが好ましく、１または２であることがより好ましい。ｎ^２は１以上の整数を表し、１〜４の整数であることが好ましく、１または２であることがより好ましい。ｍ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

前記Ａｒ^２は、置換基を有していてもよい（ｎ^２＋２）価の芳香族基である。

前記Ａｒ^２が、芳香族炭化水素の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^２＋２）個を除いた（ｎ^２＋２）価の芳香族基の場合、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、ベンゼン、ピレンまたはペリレンの環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^２＋２）個を除いた（ｎ^２＋２）価の芳香族基であることが好ましく、フルオレン、ナフタレンまたはベンゼンの環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^２＋２）個を除いた（ｎ^２＋２）価の芳香族基であることがより好ましく、フルオレンまたはナフタレンの環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^２＋２）個を除いた（ｎ^２＋２）価の芳香族基であることが更に好ましい。なお、これらの環は置換基を有していてもよい。

前記Ａｒ^２が、芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^２＋２）個を除いた（ｎ^２＋２）価の芳香族基の場合、前記式Ｈ−１〜Ｈ−４０のいずれかで表される芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^２＋２）個以上を除いた残りの原子団であることが好ましい。これらの中でも、前記式Ｈ−３、Ｈ−５、Ｈ−８、Ｈ−１２、Ｈ−１９、Ｈ−２３、Ｈ−３１またはＨ−３６で表される芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^２＋２）個を除いた残りの原子団がより好ましく、前記式Ｈ−３、Ｈ−５、Ｈ−８、Ｈ−１２、Ｈ−１９またはＨ−３６で表される芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^２＋２）個を除いた残りの原子団が更に好ましく、前記式Ｈ−３、Ｈ−５またはＨ−３６で表される芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^２＋２）個を除いた原子団が特に好ましい。なお、前記式Ｈ−１〜Ｈ−４０で表される芳香族複素環式化合物は置換基を有していてもよい。

前記Ｒ^２は、（ｍ^２＋１）価の有機基であり、Ｒ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

（ｍ^２＋１）価の有機基としては、例えば、ヒドロカルビル基を構成する炭素原子に直接結合するｍ^２個の水素原子を取り除いた残りの原子団、ヒドロカルビルオキシ基を構成する炭素原子に直接結合するｍ^２個の水素原子を取り除いた残りの原子団、ヒドロカルビルアミノ基を構成する炭素原子に直接結合するｍ^２個の水素原子を取り除いた残りの原子団、および、前記式１−１〜１−５０で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する（ｍ^２＋１）個の水素原子を取り除いた残りの原子団が挙げられる。なお、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基およびヒドロカルビルアミノ基は置換基を有していてもよく、式１−１〜１−５０で表される化合物は置換基を有していてもよい。

前記Ｒ^２が、ヒドロカルビル基を構成する炭素原子に直接結合するｍ^２個の水素原子を取り除いた残りの原子団の場合、ヒドロカルビル基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
ヒドロカルビル基としては、例えば、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ノルボルニル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−シアノフェニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ターフェニリル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基、９−フェナントリル基、1-ピレニル基、クリセニル基、テトラセニル基およびコロニル基が挙げられ、
好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−シアノフェニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ターフェニリル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基または９−フェナントリル基であり、
より好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基またはフェニル基であり、
更に好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基またはフェニル基である。

前記Ｒ^２が、ヒドロカルビルオキシ基を構成する炭素原子に直接結合するｍ^２個の水素原子を取り除いた残りの原子団の場合、ヒドロカルビルオキシ基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
ヒドロカルビルオキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、シクロプロパノキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基、ノルボルニルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ベンジロキシ基、α，α-ジメチルベンジロキシ基、２−フェネチルオキシ基、１−フェネチルオキシ基、フェノキシ基、アルコキシフェノキシ基、アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基およびペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられ、
好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基または３，７−ジメチルオクチルオキシ基であり、
より好ましくはメトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基またはオクチルオキシ基である。

前記Ｒ^２が、ヒドロカルビルアミノ基を構成する炭素原子に直接結合するｍ^２個の水素原子を取り除いた残りの原子団の場合、ヒドロカルビルアミノ基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
ヒドロカルビルアミノ基としては、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、１−プロピルアミノ基、２−プロピルアミノ基、１−ブチルアミノ基、２−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、オクチルアミノ基、デシルアミノ基、ドデシルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、シクロプロピルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、１−アダマンチルアミノ基、２−アダマンチルアミノ基、ノルボルニルアミノ基、トリフルオロメチルアミノ基、ベンジルアミノ基、α，α-ジメチルベンジルアミノ基、２−フェネチルアミノ基、１−フェネチルアミノ基、フェニルアミノ基、アルコキシフェニルアミノ基、アルキルフェニルアミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基およびペンタフルオロフェニルアミノ基が挙げられ、
好ましくは、メチルアミノ基、エチルアミノ基、１−プロピルアミノ基、２−プロピルアミノ基、１−ブチルアミノ基、２−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、オクチルアミノ基またはフェニルアミノ基であり、
より好ましくは、メチルアミノ基、エチルアミノ基、１−プロピルアミノ基、２−プロピルアミノ基、１−ブチルアミノ基、２−ブチルアミノ基、ヘキシルアミノ基またはフェニルアミノ基である。

前記Ｒ^２は、前記式（Ｒ^１−１）〜（Ｒ^１−９）のいずれかで表される１価の有機基を置換基として有していてもよい。この場合、前記式（Ｒ^１−１）、（Ｒ^１−２）、（Ｒ^１−６）または（Ｒ^１−９）で表される１価の有機基を置換基として有していることが好ましく、前記式（Ｒ^１−１）、（Ｒ^１−２）または（Ｒ^１−６）で表される１価の有機基を置換基として有していることがより好ましく、前記式（Ｒ^１−１）または（Ｒ^１−２）で表される１価の有機基を置換基として有していることが更に好ましい。

また、前記Ｒ^２は、式（Ｒ）で表される２価の基を含むことが好ましい。

（式（Ｒ）中、
Ｅは、２価の有機基であり、
Ａは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子またはリン原子であり、
ｒは、１以上の整数である。
Ｅが複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていていてもよく、Ａが複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていていてもよい。）

前記Ｅとしては、例えば、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６０のヒドロカルビレン基であることが好ましく（該炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない）、ヒドロカルビレン基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
ヒドロカルビレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、α，α−ジメチレンベンジル基、１−フェネチレン基、２−フェネチレン基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、オレイレン基、フェニレン基、トリレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、３，５−ジフェニルフェニレン基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基およびフェナントリレン基が挙げられ、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、フェニレン基、トリレン基またはビフェニレン基が好ましく、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、ビニレン基またはフェニレン基がより好ましく、
エチレン基、プロピレン基、ブチレン基またはヘキシレン基が更に好ましい。

前記Ａとしては、酸素原子または窒素原子であることが好ましい。

前記ｒとしては、２〜８の整数であることが好ましく、２〜６の整数であることがより好ましく、２〜４の整数であることが更に好ましい。

前記Ｒ^２としては、酸素原子または窒素原子を含む（ｍ^２＋１）価の有機基であることが好ましく、例えば、式Ｒ−１〜Ｒ−４０で表される化合物を構成する原子に直接結合する水素原子（ｍ^１＋１）個を除いた残りの原子団が挙げられる。これらの中でも、式Ｒ−１〜Ｒ−８、Ｒ−２１〜Ｒ−２４、Ｒ−２９〜Ｒ−３２またはＲ−３５〜Ｒ−４０で表される化合物を構成する原子に直接結合する水素原子（ｍ^１＋１）個を除いた残りの原子団であることがより好ましく、式Ｒ−１〜Ｒ−４、Ｒ−３０、Ｒ−３１、Ｒ−３５またはＲ−３６で表される化合物を構成する原子に直接結合する水素原子（ｍ^１＋１）個を除いた残りの原子団であることが更に好ましく、式Ｒ−２、Ｒ−３、Ｒ−３０またはＲ−３６で表される化合物を構成する原子に直接結合する水素原子（ｍ^１＋１）個を除いた残りの原子団であることが特に好ましい。なお、式Ｒ−１〜Ｒ−４０で表される化合物は、置換基を有していてもよい。

前記Ｘ^２は、窒素原子、硫黄原子およびリン原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の原子を含む１価の有機基である。Ｘ^２としては、ラクタム構造を有する１価の有機基、アミド構造を有する１価の有機基、置換アミノ基、または、芳香族複素環構造を有する１価の有機基であることが好ましく、ラクタム構造を有する１価の有機基、または、芳香族複素環構造を有する１価の有機基であることがより好ましく、ラクタム構造を有する１価の有機基、または、同一の芳香族複素環が直接結合した構造を有する１価の有機基であることがより好ましい。Ｘ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

前記Ｘ^２が硫黄原子を含む１価の有機基である場合、その例および好ましい形態は、後述のラクタム構造を有する１価の有機基、アミド構造を有する１価の有機基、置換アミノ基、および、芳香族複素環構造を有する１価の有機基と同様である。

前記Ｘ^２が硫黄原子を含む１価の有機基であり、かつ、当該１価の有機基が硫黄原子を含む芳香族複素環の構造を有しない場合、下記式のいずれかで表される化合物を構成する硫黄原子以外の原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団であることが好ましい。

前記Ｘ^２がリン原子を含む１価の有機基である場合、下記式のいずれかで表される化合物を構成するリン原子以外の原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団であることが好ましい。

前記Ｘ^２が、ラクタム構造を有する１価の有機基である場合、ラクタム構造としては、下記式Ｌ−１〜Ｌ−７２のいずれかで表される化合物を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団が挙げられる。これらの中でも、下記式Ｌ−１〜Ｌ−１８のいずれかで表される化合物を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団が好ましく、下記式Ｌ−１、Ｌ−４、Ｌ−７、Ｌ−８、Ｌ−１４、Ｌ−１５またはＬ−１８で表される化合物を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団がより好ましく、式Ｌ−１、Ｌ−４、Ｌ−７またはＬ−８で表される化合物を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団が更に好ましく、式Ｌ−４またはＬ−７で表される化合物を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団が特に好ましい。なお、これらのラクタム構造は置換基を有していてもよい。

前記Ｘ^２が、アミド構造を有する１価の有機基の場合、アミド構造としては、炭素原子数１〜２０のアミド構造であることが好ましく、炭素原子数２〜１８のアミド構造であることがより好ましい。
アミド構造としては、例えば、ホルムアミド、アセトアミド、プロピオアミド、ブチロアミド、ベンズアミド、トリフルオロアセトアミド、ペンタフルオロベンズアミド、ジホルムアミド、ジアセトアミド、ジプロピオアミド、ジブチロアミド、ジベンズアミド、ジトリフルオロアセトアミドおよびジペンタフルオロベンズアミドが挙げられる。これらのアミド構造は置換基を有していてもよい。

前記Ｘ^２が、置換アミノ基の場合、炭素原子１〜６０の置換アミノ基であることが好ましく、炭素原子数２〜３０の置換アミノ基であることがより好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、メチルプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、メチルブチルアミノ基、ジイソブチルアミノ基、ジ−ｓ−ブチルアミノ基、ジ−ｔ−ブチルアミノ基、ジペンチルアミノ基、ジヘキシルアミノ基、エチルヘキシルアミノ基、ジヘプチルアミノ基、ジオクチルアミノ基、ジノニルアミノ基、ジデシルアミノ基、メチルフェニルアミノ基、エチルフェニルアミノ基、ジ（４−メチルフェニル）アミノ基、ジ（２，３−キシリル）アミノ基、ジフェニルアミノ基、フェニルトルイルアミノ基、ジアリールアミノ基、１−ピロリジニル基、３−メチル−１−ピロリジニル、１−ピロリル、３−エチル−１−ピロリル、１−インドリル、１−ピペリジニル基、３−メチル−１−ピペリジニル基、１−ピペラジニル基、４−メチル−１−ピペラジニル基、１−イミダゾリジニル基、４−モルホリニル基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、１−プロピルアミノ基、２−プロピルアミノ基、１−ブチルアミノ基、２−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基およびヘキシルアミノ基、オクチルアミノ基が挙げられる。

前記Ｘ^２が、芳香族複素環構造を有する１価の有機基の場合、当該１価の有機基の例および好ましい形態は、後述のＸ^４で表される１価の有機基の例および好ましい形態と同様である。

前記式（２）で表される構成単位は、式（５）で表される構成単位であることが好ましい。

（式（５）中、
ｍ^２およびＲ^２は、前記と同じ意味を表す。
Ｘ^３は、ラクタム構造を有する１価の有機基、または、同一の芳香族複素環が直接結合した構造を有する１価の有機基であり、複数存在するＸ^３は、互いに同一であっても異なっていてもよい。）

前記式（２）で表される構成単位の例および好ましい形態は、後述の式（７）〜（１１）で表される構成単位の例および好ましい形態と同様である。

＜式（３）で表される構成単位＞
前記Ａｒ^３は、置換基を有していてもよい２価の芳香族複素環基である。Ａｒ^３としては、式Ｈ３−１〜Ｈ３−４０のいずれかで表される芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた２価の芳香族複素環基であることが好ましい。これらの中でも、式Ｈ３−３、Ｈ３−５、Ｈ３−６、Ｈ３−７、Ｈ３−８、Ｈ３−１２、Ｈ３−１９、Ｈ３−２３、Ｈ３−３１またはＨ３−３６で表される芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた２価の芳香族複素環基がより好ましく、式Ｈ３−３、Ｈ３−５、Ｈ３−６、Ｈ３−７、Ｈ３−８、Ｈ３−１２、Ｈ３−１９またはＨ３−３６で表される芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた２価の芳香族複素環基が更に好ましく、式Ｈ３−３、Ｈ３−５、Ｈ３−６、Ｈ３−７、Ｈ３−８またはＨ３−３６で表される芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた２価の芳香族複素環基が特に好ましい。なお、式Ｈ３−１〜Ｈ３−４０で表される芳香族複素環式化合物は置換基を有していてもよい。

＜式（４）で表される構成単位＞
前記ｍ^１、ｎ^１、Ｒ^１、Ｘ^１、Ｚ^１、Ｒ^３、Ｍ^１、ｍ^２、ｎ^２、Ｒ^２およびＸ^２の例および好ましい形態は、前記式（１）および（２）におけるｍ^１、ｎ^１、Ｒ^１、Ｘ^１、Ｚ^１、Ｒ^３、Ｍ^１、ｍ^２、ｎ^２、Ｒ^２およびＸ^２の例および好ましい形態と同様である。

前記Ａｒ^４は、置換基を有していてもよい（ｎ^１＋ｎ^２＋２）価の芳香族基である。

前記Ａｒ^４が、芳香族炭化水素の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋ｎ^２＋２）個を除いた（ｎ^１＋ｎ^２＋２）価の芳香族基の場合、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、ベンゼン、ピレンまたはペリレンの環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋ｎ^２＋２）個を除いた（ｎ^１＋ｎ^２＋２）価の芳香族基であることが好ましく、フルオレン、ナフタレンまたはベンゼンの環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋ｎ^２＋２）個を除いた（ｎ^１＋ｎ^２＋２）価の芳香族基であることがより好ましく、フルオレンまたはナフタレンの環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋ｎ^２＋２）個を除いた（ｎ^１＋ｎ^２＋２）価の芳香族基であることが更に好ましい。なお、これらの環は置換基を有していてもよい。

前記Ａｒ^４が、芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋ｎ^２＋２）個を除いた（ｎ^１＋ｎ^２＋２）価の芳香族基の場合、式Ｈ４−１〜Ｈ４−４０のいずれかで表される芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋ｎ^２＋２）個以上を除いた残りの原子団であることが好ましい。これらの中でも、式Ｈ４−３、Ｈ４−５、Ｈ４−８、Ｈ４−１２、Ｈ４−１９、Ｈ４−２３、Ｈ４−３１またはＨ４−３６で表される芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋ｎ^２＋２）個を除いた残りの原子団であることがより好ましく、式Ｈ４−３、Ｈ４−５、Ｈ４−８、Ｈ４−１２、Ｈ４−１９またはＨ４−３６で表される芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋ｎ^２＋２）個を除いた残りの原子団であることが更に好ましく、式Ｈ４−３、Ｈ４−５またはＨ４−３６で表される芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋ｎ^２＋２）個を除いた残りの原子団が特に好ましい。なお、式Ｈ−１〜Ｈ−４０で表される芳香族複素環式化合物は置換基を有していてもよい。

前記式（４）で表される構成単位は、式４−１〜４−7２で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残り原子団であることが好ましい。これらの中でも、４−４、４−８、４−１２、４−１６、４−２０、４−２４、４−２８、４−３２、４−３６、４−４０または４−４４で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団であることがより好ましく、式４−４、４−８、４−２０、４−２４、４−２８または４−３２で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子の２個を除いた原子団が更に好ましい。なお、これらの化合物は置換基を有していてもよい。

前記式（１）で表される構成単位の割合は、高分子化合物に含まれる全構成単位に対して、通常５モル％以上であり、１０モル％以上であることが好ましく、３０モル％以上であることがより好ましい。

前記式（２）で表される構成単位の割合は、高分子化合物に含まれる全構成単位に対して、通常０．５モル％以上であり、１モル％以上であることが好ましく、１．５モル％以上であることがより好ましい。

前記式（３）で表される構成単位の割合は、高分子化合物に含まれる全構成単位に対して、通常９０モル%以下であり、７５モル％以下であることが好ましく、５０モル％以下であることがより好ましい。

前記式（４）で表される構成単位の割合は、高分子化合物に含まれる全構成単位に対して、通常５モル％以上であり、１０モル％以上の範囲であることが好ましい。

高分子化合物が、前記式（１）および前記式（２）で表される構成単位を含む場合、式（２）で表される構成単位の割合は、式（１）で表される構成単位に対して、４９モル％以下であることが好ましく、４０モル％以下であることがより好ましく、３５モル％以下であることが更に好ましい。

高分子化合物が、前記式（１）および前記式（３）で表される構成単位を含む場合、式（３）で表される構成単位の割合は、式（１）で表される構成単位に対して、０．５モル％以上であることが好ましく、１．０モル％以上であることがより好ましく、１．５モル％以上であることが更に好ましい。

高分子化合物が、前記式（１）、前記式（２）および前記式（３）で表される構成単位を含む場合、式（２）で表される構成単位の割合は、式（１）で表される構成単位に対して、４９モル％以下であることが好ましく、４０モル％以下であることがより好ましく、３５モル％以下であることが更に好ましい。また、式（３）で表される構成単位の割合は、式（１）で表される構成単位に対して、１０モル％以上であることが好ましく、２０モル％以上であることがより好ましく、３０モル％以上であることが更に好ましい。

高分子化合物が、前記式（３）および前記式（４）で表される構成単位を含む場合、式（３）で表される構成単位の割合は、式（４）で表される構成単位に対して、１０モル％以上であることが好ましく、２０モル％以上であることがより好ましく、３０モル％以上であることが更に好ましい。

高分子化合物において、前記式（１）〜前記式（４）で表される構成単位の合計の割合は、高分子化合物に含まれる全構成単位に対して、通常２０モル％以上であり、高分子化合物が簡便に合成できるので、３０モル％以上であることが好ましい。

高分子化合物は、前記式（１）〜前記式（４）で表される構成単位以外の構成単位を含んでいてもよい。式（１）〜式（４）で表される構成単位以外の構成単位としては、式ＣＣ−１〜ＣＣ−１８のいずれかで表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団が好ましい。これらの中でも、式ＣＣ−１、ＣＣ−２、ＣＣ−１２、ＣＣ−１４、ＣＣ−１５、ＣＣ−１６またはＣＣ−１８で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団がより好ましく、ＣＣ−１、ＣＣ−２、ＣＣ−１２、ＣＣ−１５またはＣＣ−１６で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団が更に好ましい。なお、これらの化合物は置換基を有していてもよい。

前記式ＣＣ−１〜ＣＣ−１８からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位の割合は、高分子化合物に含まれる全構成単位に対して、７０モル％以下であり、高分子化合物が簡便に合成できるので、５０モル％以下であることが好ましい。

高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は、溶媒に対する溶解性が良好となるので、２×１０^３以上１×１０^６以下であることが好ましく、２×１０^３以上５×１０^５以下であることがより好ましく、２×１０^３以上４×１０^５以下であることが更に好ましい。

高分子化合物は、１種類のみ用いても２種類以上を併用してもよい。

＜金属材料および炭素材料＞
前記金属材料および炭素材料としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、銅等の金属およびそれらの合金、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化スズおよびそれらを含む複合体であるインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、スズアンチモン酸化物、ＮＥＳＡ等の金属酸化物、並びに、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、カーボンブラック、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラフェン等の炭素材料が挙げられる。これらの材料は１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。

前記金属材料である金属としては、本発明の電極形成用の組成物から形成される電極の導電性が良好となるので、遷移金属が好ましく、周期表第１１族金属がより好ましく、銀が更に好ましい。銀は、銀粒子または銀ワイヤーであることが好ましい。

前記金属材料である金属酸化物としては、酸化亜鉛、ＩＴＯまたはＩＺＯが好ましい。

前記炭素材料としては、カーボンブラック、カーボンナノチューブまたはグラフェンが好ましい。

前記金属材料および炭素材料は、ナノ構造体であることが好ましい。ナノ構造体とは、ナノ単位の径を有する金属材料若しくは炭素材料、または、これらの組み合わせである。ナノ構造体の最も短い径は、通常１ｎｍ以上、１００００ｎｍ未満である。ナノ構造体の最も短い径は、ナノ構造体の導電性および分散性が良好となるので、好ましくは１０００ｎｍ以下であり、より好ましくは５００ｎｍ以下であり、更に好ましくは１００ｎｍ以下である。

ナノ構造体の最も長い径は、ナノ構造体の溶媒に対する分散性が良好となるので、好ましくは１０００００ｎｍ以下であり、より好ましくは５００００ｎｍ以下、更に好ましくは２００００ｎｍ以下、特に好ましくは１００００ｎｍ以下である。

金属材料および炭素材料が粒子状の場合、数平均のフェレー径は、好ましくは５００００ｎｍ以下であり、より好ましくは３００００ｎｍ以下、更に好ましくは２００００ｎｍ以下である。なお、フェレー径とは、粒子を挟む一定方向の二本の平行線の間隔（一定方向径）を意味し、金属材料および炭素材料のフェレー径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）または透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による写真から測定することができる。

金属材料および炭素材料は、市販品でもよいし、従来公知の方法で製造してもよい。金属材料および炭素材料の製造には、液相法、気相法等の製造方法を用いることができる。

ナノ構造体の製造方法は、例えば、「Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｍａｔｔｅｒｓ ２０１０，ｖｏｌ．５，Ｎｏ．２」や「Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｍａｔｔｅｒｓ ２０１０，ｖｏｌ．４，Ｎｏ．１」に開示されている。

本発明の電極形成用の組成物に含まれる高分子化合物と、金属材料および炭素材料からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料の比率は、高分子化合物を１００重量部とした場合、金属材料および炭素材料からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料は１００００重量部以下であることが好ましく、５０００重量部以下であることがより好ましく、２０００重量部以下であることが更に好ましい。

本発明の電極形成用の組成物から形成される電極は、積層構造体における電極として好適に使用することができ、具体的には、発光素子および光電変換素子における電極に好適に使用することができる。本発明の電極形成用の組成物から形成される電極は、発光素子および光電変換素子の陰極として使用することが好ましい。

本発明の電極形成用の組成物は、式（６）で表されるイオン性化合物をさらに含んでいることが好ましい。本発明の電極形成用の組成物から形成される電極の導電性がより優れるためである。

（式（６）中、
ａおよびｂは、それぞれ独立に、１以上の整数である。
Ｍ^２は、金属カチオンまたは式：ＮＲ^３ _４で表されるアンモニウムカチオンであり、Ｒ^３は、前記と同じ意味を表し、
Ｚ²は、アニオンであり、
Ｍ^２およびＺ²が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

前記Ｍ^２が金属カチオンである場合、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオンまたは周期表第３〜１３族の金属元素からなる金属カチオンが好ましく、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、周期表第３〜４族の金属元素からなる金属カチオンまたは周期表第１２〜１３族の金属元素からなる金属カチオンがより好ましく、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオンまたは周期表第３〜４族の金属元素からなる金属カチオンが更に好ましく、アルカリ金属カチオンまたはアルカリ土類金属カチオンが特に好ましい。

前記金属カチオンおよび前記アルカリ土類金属カチオンとしては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウムまたはカルシウムのカチオンが好ましく、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウムまたはセシウムのカチオンがより好ましい。

前記Ｚ^２としては、例えば、ＮＯ_３ ⁻、ＳＯ_４ ^２−、ＨＣＯ_３ ⁻、ＣＯ_３ ^２−、Ｆ⁻、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、ＴｆＯ⁻、Ｔｆ_２Ｎ⁻、ＣＨ_３ＣＯ_２ ⁻、ＣＦ_３ＣＯ_２ ⁻、Ｃ_６Ｆ_５ＣＯ_２ ⁻、ＨＯ⁻、ＮＣ⁻、ＴｓＯ⁻、ＭｓＯ⁻、Ｒ^３ _２Ｐ（＝Ｏ）Ｏ⁻、｛［３，５−（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３］_４Ｂ｝⁻、（Ｐｈ_４Ｂ）⁻、［（１−Ｉｍｉｄａｚｏｌｙ）_４Ｂ］⁻、ＯＣｌ⁻、Ｏ_２Ｃｌ⁻、Ｏ_３Ｃｌ⁻、Ｏ_４Ｃｌ⁻、ＢＦ_４ ⁻およびＰＦ_６ ⁻が挙げられる。これらの中でも、Ｆ⁻、ＴｆＯ⁻、Ｔｆ_２Ｎ⁻、ＣＨ_３ＣＯ_２ ⁻、ＣＦ_３ＣＯ_２ ⁻、Ｃ_６Ｆ_５ＣＯ_２ ⁻、ＴｓＯ⁻、ＭｓＯ⁻、Ｒ^３ _２Ｐ（＝Ｏ）Ｏ⁻、｛［３，５−（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３］_４Ｂ｝⁻、（Ｐｈ_４Ｂ）⁻、［（１−Ｉｍｉｄａｚｏｌｙ）_４Ｂ］⁻、ＢＦ_４ ⁻およびＰＦ_６ ⁻であることが好ましく、Ｆ⁻、ＴｆＯ⁻、｛［３，５−（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３］_４Ｂ｝⁻、［（１−Ｉｍｉｄａｚｏｌｙ）_４Ｂ］⁻、ＢＦ_４ ⁻およびＰＦ_６ ⁻であることが更に好ましい。Ｚ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

前記ａは、１〜６の整数であることが好ましく、１〜４の整数であることがより好ましく、１〜３の整数であることが更に好ましく、１または２であることが特に好ましい。

前記ｂは、１〜６の整数であることが好ましく、１〜４の整数であることがより好ましく、１〜３の整数であることが更に好ましく、１または２であることが特に好ましい。

前記式（６）で表されるイオン性化合物としては、ＣｓＯＨ、Ｃｓ_２ＣＯ_３、ＣｓＦ、ＣｓＯＴｆ、ＣｓＢ［３，５−（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３］_４、ＣｓＢ［１−Ｉｍｉｄａｚｏｌｙ］_４、ＲｂＯＨ、Ｒｂ_２ＣＯ_３、ＲｂＦ、ＲｂＯＴｆ、ＲｂＢ［３，５−（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３］_４、ＲｂＢ［１−Ｉｍｉｄａｚｏｌｙ］_４、ＫＯＨ，Ｋ_２ＣＯ_３、ＫＦ、ＫＯＴｆ、ＫＢ［３，５−（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３］_４、ＫＢ［１−Ｉｍｉｄａｚｏｌｙ］］_４、ＮａＯＨ、Ｎａ_２ＣＯ_３、ＮａＦ、ＮａＯＴｆ、ＮａＢ［３，５−（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３］_４、ＮａＢ［１−Ｉｍｉｄａｚｏｌｙ］_４、ＬｉＯＨ、Ｌｉ_２ＣＯ_３、ＬｉＦ、ＬｉＯＴｆ、ＬｉＢ［３，５−（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３］_４またはＬｉＢ［１−Ｉｍｉｄａｚｏｌｙ］_４が好ましく、ＣｓＯＨ、Ｃｓ_２ＣＯ_３、ＣｓＦ、ＣｓＯＴｆ、ＣｓＢ［３，５−（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３］_４、ＣｓＢ［１−Ｉｍｉｄａｚｏｌｙ］_４、Ｌｉ_２ＣＯ_３、ＬｉＦ、ＬｉＯＴｆ、ＬｉＢ［３，５−（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３］_４またはＬｉＢ［１−Ｉｍｉｄａｚｏｌｙ］_４がより好ましく、ＣｓＯＨ、Ｃｓ_２ＣＯ_３、ＣｓＦ、ＣｓＯＴｆ、ＣｓＢ［３，５−（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３］_４またはＣｓＢ［１−Ｉｍｉｄａｚｏｌｙ］_４が更に好ましく、ＣｓＯＨ、Ｃｓ_２ＣＯ_３またはＣｓＦが特に好ましく、Ｃｓ_２ＣＯ_３がとりわけ好ましい。

本発明の電極形成用の組成物に含まれる前記式（６）で表されるイオン性化合物の割合と、高分子化合物に対して、通常０．０１〜１０００重量部であり、好ましくは１〜５００重量部であり、より好ましくは１０〜５００重量部であり、更に好ましくは５０〜２００重量部である。

＜発光素子＞
本発明の発光素子は、陽極、陰極、および、陽極と陰極との間に設置された発光層を有しており、陽極および陰極の少なくとも一方が本発明の電極形成用の組成物から形成される電極であり、さらに任意の層（陽極と発光層の間に設けられた層、および／または、陰極と発光層の間に設けられた層）を有していてもよい。なお、該発光素子は、通常、基板を有している。

本発明の発光素子の一態様としては、基板上に陽極が設けられ、その上に発光層が積層され、さらにその上に陰極が積層されたものが挙げられる。他の一態様としては、陰極を基板上に設け、その上に発光層が積層され、さらに上に陽極が積層されたものが挙げられる。該発光素子は、任意の保護膜、バッファー膜、反射層などの他の機能を有する層が設けられていてもよく、封止膜または封止基板が覆い被せられることで、外気と遮断された態様であることが好ましい。また、本発明の発光素子は、基板側から採光する所謂ボトムエミッションタイプ、基板と反対側から採光する所謂トップエミッションタイプ、または両面採光型のいずれのタイプであってもよい。

本発明の電極形成用の組成物から電極を形成する方法としては、例えば、溶媒をさらに含む組成物（以下、溶液）を用いて成膜する方法が挙げられる。

このような溶液からの成膜に用いる溶媒としては、溶解度パラメーターが９．３以上の「極性の高い溶媒」であることが好ましい。これは該溶媒に溶解しない化合物から成る層の上に、該化合物と該溶媒を含む溶液を塗布することで、積層構造体を作製する方法できるためである。極性の高い溶媒としては、具体的には、水、メタノール、エタノール、２−プロパノール、１−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、アセトニトリル、１，２−エタンジオール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、酢酸、ニトロベンゼン、ニトロメタン、１，２−ジクロロエタン、ジクロロメタン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ジオキサン、炭酸プロピレン、ピリジン、二硫化炭素およびこれらの混合溶媒等が挙げられ、これらの中でも、水、メタノール、エタノール、２−プロパノール、アセトニトリル、１，２−エタンジオール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドまたはこれらの混合溶媒が好ましく、メタノール、エタノール、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドまたはこれらの混合溶媒が更に好ましく、メタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドまたはこれらの混合溶媒が特に好ましい。

溶液からの成膜方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ノズルコート法等の塗布法が挙げられる。

本発明の電極形成用の組成物から形成される電極の膜厚としては、用いる化合物によって最適値が異なるため、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜選択すればよく、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であることが好ましい。発光素子の駆動電圧を低くする観点からは、１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがさらに好ましい。

本発明の発光素子は、陽極、陰極および発光層を有するが、前述のように、さらに任意の層を有していてもよい。例えば、陽極と発光層との間には正孔注入層、正孔輸送層のうちの１層以上を有することができる。正孔注入層が存在する場合は、発光層と正孔注入層との間に正孔輸送層を有することができる。
一方、陰極と発光層との間には電子注入層、電子輸送層のうちの１層以上を有することができる。電子注入層が存在する場合は、発光層と電子注入層との間に電子輸送層を有することができる。

ここで、陽極とは、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等に正孔を供給するものであり、陰極とは、電子注入層、電子輸送層、発光層等に電子を供給するものである。
発光層とは、電界を印加した際に、陽極側で発光層と隣接する層より正孔を受け取る機能、陰極側で発光層と隣接する層より電子を受け取る機能、受け取った電荷（正孔および電子）を電界の力で移動させる機能、および、正孔と電子の再結合を発光につなげる機能を有する層をいう。
正孔注入層および正孔輸送層とは、陽極から正孔を受け取る機能、正孔を輸送する機能、発光層へ正孔を供給する機能、陰極から注入された電子をブロックする機能のいずれかを有する層をいう。電子注入層および電子輸送層とは、陰極から電子を受け取る機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔をブロックする機能のいずれかを有する層をいう。なお、電子輸送層と正孔輸送層は、総称して電荷輸送層と呼ばれる。また、電子注入層と正孔注入層は、総称して電荷注入層と呼ばれる。

即ち、本発明の発光素子は、例えば、下記の層構成（a）を有することができ、または、層構成（a）から、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層の１層以上を省略した層構成を有することができる。なお、符号「−」は各層が隣接して積層されていることを表す。
（a）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極

本発明の発光素子の層構成の好ましい具体例としては、下記のものが挙げられる。下記層構成において、陽極および陰極の少なくとも一方が本発明の電極形成用の組成物から形成される電極である。
（ｂ）陽極−正孔輸送層−発光層−陰極
（ｃ）陽極−発光層−電子輸送層−陰極
（ｄ）陽極−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−陰極

本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた発光素子としては、陰極に隣接して電子注入層を設けた発光素子、陽極に隣接して正孔注入層を設けた発光素子が挙げられる。具体的には、例えば、以下の（ｅ）〜（ｐ）の構造が例示される。
（ｅ）陽極−正孔注入層−発光層−陰極
（ｆ）陽極−発光層−電子注入層−陰極
（ｇ）陽極−正孔注入層−発光層−電子注入層−陰極
（ｈ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−陰極
（ｉ）陽極−正孔輸送層−発光層−電子注入層−陰極
（ｊ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−電子注入層−陰極
（ｋ）陽極−正孔注入層−発光層−電子輸送層−陰極
（ｌ）陽極−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極
（ｍ）陽極−正孔注入層−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極
（ｎ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−陰極
（ｏ）陽極−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極
（ｐ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極

本発明の電極形成用の組成物から形成される電極は、陰極であることが好ましい。

本発明の発光素子は、さらに電極との密着性向上や電極からの電荷（即ち正孔または電子）の注入の改善のために、電極に隣接して絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層（正孔輸送層および電子輸送層）または発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。積層する層の順番や数、および、各層の厚さについては、発光素子の発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。

次に、本発明の発光素子を構成する各層の材料および作製方法について、より具体的に説明する。

＜基板＞
本発明の発光素子を構成する基板は、通常電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、金属フィルム、シリコン基板、これらを積層したものなどが用いられる。該基板としては、市販のものが入手可能であり、または公知の方法により製造することができる。
本発明の発光素子がディスプレイ装置の画素を構成する場合には、当該基板上に画素駆動用の回路が設けられていてもよいし、当該駆動回路上に平坦化膜が設けられていてもよい。平坦化膜が設けられる場合には、該平坦化膜の中心線平均粗さ（Ｒａ）が「Ｒａ＜１０ｎｍ」を満たすことが好ましい。Ｒａは、日本工業規格ＪＩＳのＪＩＳ−Ｂ０６０１−２００１に基づいて、ＪＩＳ−Ｂ０６５１からＪＩＳ−Ｂ０６５６およびＪＩＳ−Ｂ０６７１−１等を参考に計測できる。

＜陽極＞
本発明の発光素子を構成する陽極は、本発明の電極形成用の組成物から形成される電極ではない場合、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等で用いられる有機半導体材料への正孔供給の観点から、かかる陽極の発光層側表面の仕事関数が４．０ｅＶ以上であることが好ましい。陽極の材料には、金属、合金、金属酸化物、金属硫化物等の電気伝導性化合物、または、これらの混合物等を用いる事ができる。具体的には、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化モリブデン等の導電性金属酸化物、または、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの導電性金属酸化物と金属との混合物等が挙げられる。
該陽極は、これら材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。多層構造である場合は、仕事関数が４．０ｅＶ以上である材料を発光層側の最表面層に用いることがより好ましい。

前記陽極の作製方法としては、特に限定されず公知の方法が利用でき、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。

前記陽極の膜厚は、通常１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは４０ｎｍ〜５００ｎｍである。また、短絡等の電気的接続の不良を防止する観点から、陽極の発光層側表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）は「Ｒａ＜１０ｎｍ」を満たす事が望ましく、より好ましくは「Ｒａ＜５ｎｍ」である。

前記陽極は、前記方法にて作製された後に、ＵＶオゾン、シランカップリング剤、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタンなどの電子受容性化合物を含む溶液などで表面処理を施される場合がある。表面処理によって該陽極に接する有機層との電気的接続が改善されるためである。

本発明の発光素子において、陽極を光反射電極として用いる場合には、かかる陽極が、高光反射性金属からなる光反射層と４．０ｅＶ以上の仕事関数を有する材料を含む高仕事関数材料層を組み合わせた多層構造であることが好ましい。
該陽極の具体的な構成例としては、以下が例示される。十分な光反射率を得る為に、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金、Ｃｒ合金等の高光反射性金属層の膜厚は５０ｎｍ以上である事が好ましく、より好ましくは８０ｎｍ以上である。ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＭｏＯ_３などの高仕事関数材料層の膜厚は通常、５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲である。
（ｉ） Ａｇ−ＭｏＯ₃
（ｉｉ） （Ａｇ-Ｐｄ-Ｃｕ合金）−（ＩＴＯおよび／またはＩＺＯ）
（ｉｉｉ） （Ａｌ-Ｎｄ合金）−（ＩＴＯおよび／またはＩＺＯ）
（ｉＶ） （Ｍｏ-Ｃｒ合金）−（ＩＴＯおよび／またはＩＺＯ）
（Ｖ） （Ａｇ-Ｐｄ-Ｃｕ合金）−（ＩＴＯおよび／またはＩＺＯ）−ＭｏＯ₃

＜正孔注入層＞
本発明の発光素子において、正孔注入層を構成する材料としては、例えば、カルバゾール誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、スターバースト型アミン、フタロシアニン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、および、これらを含む重合体が挙げられる。
また、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の導電性金属酸化物、ポリアニリン、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子およびオリゴマー、ポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン）・ポリスチレンスルフォン酸、ポリピロール等の有機導電性材料およびこれらを含む重合体、アモルファスカーボンを挙げることができる。
さらに、テトラシアノキノジメタン誘導体（例えば２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン）、１，４−ナフトキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ポリニトロ化合物等のアクセプター性有機化合物、オクタデシルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤等も好適に使用できる。
前記材料は、単一の成分であっても複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記正孔注入層は、前記材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

正孔注入層の作製方法としては、公知の種々の方法が利用できる。無機化合物材料の場合は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等が挙げられ、低分子有機材料の場合は、真空蒸着法、レーザー転写や熱転写等の転写法、溶液からの成膜による方法（後述の高分子バインダーとの混合溶液を用いてもよい）等が挙げられる。また、高分子有機材料では、溶液からの成膜による方法が挙げられる。

正孔注入材料が、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の低分子化合物の場合には、真空蒸着法を用いて正孔注入層を作製する事ができる。

また、前記低分子正孔注入材料と高分子化合物バインダーとを分散させた混合溶液を用いて正孔注入層を成膜する事もできる。混合する高分子化合物バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。具体的には、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が挙げられる。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、前記正孔注入材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒としては、例えば、水、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の含塩素溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル溶媒等が挙げられる。

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などのコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェット印刷法等の印刷法等の塗布法を用いることができる。パターン形成が容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェット印刷法等の印刷法またはノズルコート法が好ましい。

正孔注入層に続いて、正孔輸送層、発光層等を積層する場合、特に、両方の層を塗布法によって作製する場合には、先に塗布した層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解して積層構造を作製できない場合がある。この場合には、下層を溶媒不溶にする方法を用いることができる。溶媒不溶にする方法としては、高分子化合物に架橋基を付け、架橋させて不溶化する方法、芳香族ビスアジドに代表される芳香環を有する架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合し、架橋させて不溶化する方法、アクリレート基に代表される芳香環を有しない架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合し、架橋させて不溶化する方法、下層を紫外光に感光させて架橋させ、上層の製造に用いる有機溶媒に対して不溶化する方法、下層を加熱して架橋させ、上層の製造に用いる有機溶媒に対して不溶化する方法などが挙げられる。下層を加熱する場合の加熱の温度は通常１００℃〜３００℃程度であり、時間は通常１分〜１時間程度である。
また、架橋以外で下層を溶解させずに積層するその他の方法として、隣り合った層の製造に異なる極性の溶液を用いる方法があり、例えば、下層に、水、アルコール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロジノンに代表される親水性溶媒には可溶であり、かつ、キシレン、トルエンなどの親油性溶媒には不溶な高分子化合物を用い、上層に親油性溶媒に可溶の高分子化合物を用いて、塗布しても下層が溶解しないようにする方法などがある。

正孔注入層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、発光素子の駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、厚すぎると、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍである。

＜正孔輸送層＞
本発明の発光素子において、正孔輸送層を構成する材料としては、例えば、カルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（N−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、およびこれらの構造を含む重合体が挙げられる。また、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子およびオリゴマー、ポリピロール等の有機導電性材料も挙げることができる。
前記材料は、単一の成分であっても複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記正孔輸送層は、前記材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、特開昭６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、特開平２−１３５３６１号公報、特開平２−２０９９８８号公報、特開平３−３７９９２号公報、特開平３−１５２１８４号公報、特開平５−２６３０７３号公報、特開平６−１９７２号公報、ＷＯ２００５／５２０２７、特開２００６−２９５２０３号公報等に開示される化合物が正孔輸送層の材料として使用できる。中でも、繰り返し単位として２価の芳香族アミン残基を含む重合体が、好適に用いられる。

繰り返し単位として２価の芳香族アミンを含む重合体は、さらに他の繰り返し単位を有していてもよい。他の繰り返し単位としては、フェニレン基、フルオレンジイル基等のアリーレン基等が挙げられる。また、該重合体としては、架橋基を繰り返し単位として含んでいるものがより好ましい。

正孔輸送層の作製方法としては、正孔注入層の作製と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、前述のスピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法および印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法等が挙げられる。溶液からの成膜に用いる溶媒の例としては、前述の正孔注入層の成膜方法で例示したものと同様の溶媒が挙げられる。

正孔輸送層に続いて、発光層などの化合物層を塗布法にて作製する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、前述の正孔注入層の成膜方法で例示したものと同様の方法が挙げられる。

正孔輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、発光素子の駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、厚すぎると、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。

＜発光層＞
本発明の発光素子における発光層が、高分子化合物を含む場合、該高分子化合物材料としては、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール、ポリアルキルチオフェン等の共役高分子化合物を好適に用いることができる。

本発明の発光素子における発光層は、非共役高分子化合物と前記有機色素や前記金属錯体などの発光性化合物との組成物から構成されてもよい。非共役高分子化合物としては、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。前記の非共役高分子化合物は、側鎖に、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン化合物、ポルフィリン化合物および有機シラン誘導体からなる群から選ばれる１つ以上の誘導体若しくは化合物で表される構造を有していてもよい。

本発明の発光素子における発光層が、低分子化合物を含む場合、該低分子化合物としては、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、カルバゾール、キナクリドン等の低分子色素化合物、ナフタレン誘導体、アントラセン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系、インジゴ系などの色素類、８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、フタロシアニン若しくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン若しくはその誘導体、または、テトラフェニルブタジエン若しくはその誘導体等が挙げられる。

本発明の発光素子における発光層が燐光を発光する金属錯体を含む場合、該金属錯体としては、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、チエニルピリジン配位子含有イリジウム錯体、フェニルキノリン配位子含有イリジウム錯体、トリアザシクロノナン骨格含有テルビウム錯体等が挙げられる。

前記発光層に用いられる高分子化合物の具体例としては、例えば、ＷＯ９７／０９３９４、ＷＯ９８／２７１３６、ＷＯ９９／５４３８５、ＷＯ００／２２０２７、ＷＯ０１／１９８３４、ＧＢ２３４０３０４Ａ、ＧＢ２３４８３１６、ＵＳ５７３６３６、ＵＳ５７４１９２１、ＵＳ５７７７０７０、ＥＰ０７０７０２０、特開平９−１１１２３３号公報、特開平１０−３２４８７０号公報、特開平２０００−８０１６７号公報、特開２００１−１２３１５６号公報、特開２００４−１６８９９９号公報、特開２００７−１６２００９号公報、「有機ＥＬ素子の開発と構成材料（シーエムシー出版、２００６年発行）」等に開示されているポリフルオレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体および共重合体、芳香族アミン、その誘導体および共重合体が挙げられる。また、前記発光層に用いられる低分子化合物の具体例としては、例えば、特開昭５７−５１７８１号公報、「有機薄膜仕事関数データ集［第２版］（シーエムシー出版、２００６年発行）」、「有機ＥＬ素子の開発と構成材料（シーエムシー出版、２００６年発行）」等に記載されている化合物が挙げられる。
高分子化合物および低分子化合物は、単成分であっても複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記発光層は、高分子化合物および低分子化合物の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

前記発光層の成膜方法としては、正孔注入層の成膜と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法等の前記塗布法および印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法などが挙げられる。溶液からの成膜に用いる溶媒の例としては、正孔注入層の成膜方法で列記した溶媒が挙げられる。

前記発光層に続いて、電子輸送層等の層を塗布法にて成膜する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、正孔注入層の成膜方法での例示と同様の方法で下層を溶媒不溶にすることができる。

前記発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、発光素子の駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、また、厚すぎると素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、発光層の膜厚としては、例えば５ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは３０ｎｍ〜２００ｎｍである。

＜電子輸送層＞
本発明の発光素子において、電子輸送層を構成する材料としては、公知のものが使用でき、例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、８−キノリノール誘導体の金属錯体、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体等が挙げられる。
これらの中でも、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、８−ヒドロキシキノリン誘導体若しくはその金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましい。
前記材料は、単一成分であっても複数の成分からなる組成物であってもよい。また、電子輸送層は、前記材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

電子輸送層の作製方法としては、正孔注入層の作製と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法等の前記塗布法および印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法などが挙げられる。
溶液からの成膜に用いる溶媒の例としては、前述の正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒と同様のものが挙げられる。

電子輸送層に続いて、電子注入層などの化合物層を塗布法にて作製する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、前述の正孔注入層の成膜方法で例示したものと同様の方法が挙げられる。

電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、発光素子の駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発しないような厚さが必要であり、厚すぎると、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。

＜電子注入層＞
本発明の発光素子において、電子注入層を構成する材料としては、公知のものが使用でき、例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、８−キノリノール誘導体の金属錯体、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等が挙げられる。
前記材料は、単成分であっても複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記電子注入層は、前記材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

電子注入層の作製方法に制限はなく、正孔注入層の作製方法と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法および印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法等が挙げられる。
溶液からの成膜に用いる溶媒の例としては、前述の正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒と同様のものが挙げられる。

電子注入層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、発光素子の駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発しないような厚さが必要であり、厚すぎると、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。

＜陰極＞
本発明の発光素子を構成する陰極は、本発明の電極形成用の組成物から形成される電極であることが好ましいが、本発明の電極形成用の組成物から形成される電極ではない場合、単一の材料または複数の材料からなる単層構造であってもよいし、複数層からなる多層構造であってもよい。多層構造である場合、第１陰極層およびカバー陰極層の２層構造、または、第１陰極層、第２陰極層およびカバー陰極層の３層構造が好ましい。ここで、第１陰極層は、陰極の中で最も発光層側にある層をいい、カバー陰極層は２層構造の場合は第１陰極層を、３層構造の場合は第１陰極層と第２陰極層を覆う層をいう。電子供給能の観点からは、第１陰極層の材料の仕事関数が３．５ｅＶ以下であることが好ましい。また、仕事関数が３．５ｅＶ以下の金属の酸化物、フッ化物、炭酸化物、複合酸化物等も第１陰極層材料として好適に用いることができる。カバー陰極層の材料には、抵抗率が低く、水分への耐腐食性が高い金属、金属酸化物等が好適に用いられる。

前記第１陰極層材料の具体例としては、アルカリ金属およびアルカリ土類金属、該金属を１種類以上含む合金、該金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、複合酸化物およびこれらの混合物からなる群より選択される１つ以上の材料等が挙げられる。
アルカリ金属の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム等が挙げられる。アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物および複合酸化物の例としては、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化ルビジウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウム、モリブデン酸カリウム、チタン酸カリウム、タングステン酸カリウム、モリブデン酸セシウム等が挙げられる。
アルカリ土類金属の例としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等が挙げられる。アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、複合酸化物の例としては、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、炭酸化バリウム、モリブデン酸バリウム、タングステン酸バリウム等が挙げられる。
アルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群より選択される金属を１種類以上含む合金の例としては、Ｌｉ−Ａｌ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ａｌ−Ｂａ合金、Ｍｇ−Ｂａ合金、Ｂａ−Ａｇ合金、Ｃａ−Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｎ合金等が挙げられる。
第２陰極層の材料としては、第１陰極層の材料と同様の材料が例示される。なお、第１陰極層材料として例示した材料と前記電子注入層を構成する材料として例示した材料との組成物も、第１陰極層として使用することができる。

前記カバー陰極層材料の具体例としては、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、スズ、鉛、ニッケル、チタン等の低抵抗金属、および、これらを含む合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化モリブデン等の導電性金属酸化物が挙げられ、さらに、該導電性金属酸化物と金属との混合物、グラフェン、フラーレン、カーボンナノチューブ等の導電性炭素等も挙げられる。

陰極が多層構造である場合の具体例としては、Ｍｇ／Ａｌ、Ｃａ／Ａｌ、Ｂａ／Ａｌ、ＮａＦ／Ａｌ、ＫＦ／Ａｌ、ＲｂＦ／Ａｌ、ＣｓＦ／Ａｌ、Ｎａ_２ＣＯ_３／Ａｌ、Ｋ_２ＣＯ_３／Ａｌ、Ｃｓ_２ＣＯ_３／Ａｌ等の２層構造（第１陰極層／カバー陰極層）、ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＮａＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＫＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＲｂＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＣｓＦ／Ｃａ／Ａｌ、Ｂａ／Ａｌ／Ａｇ、ＫＦ／Ａｌ／Ａｇ、ＫＦ／Ｃａ／Ａｇ、Ｋ_２ＣＯ_３／Ｃａ／Ａｇ等の３層構造（第１陰極層／第２陰極層／カバー陰極層）が挙げられる。ここで、符号「／」は各層が隣接している事を表す。
なお、第２陰極層の材料が第１陰極層の材料に対して還元作用を有することが好ましい。
ここで、材料間の還元作用の有無および程度は、例えば、化合物間の結合解離エネルギー（Ｄ_０）から見積もることができる。即ち、第２陰極層を構成する材料による、第１陰極層を構成する材料に対する還元反応において、結合解離エネルギーが正であるような組み合わせである場合、第２陰極層の材料が第１陰極層の材料に対して還元作用を有する。
結合解離エネルギーは、「電気化学便覧第５版（丸善、２０００年発行）」、「熱力学データベースＭＡＬＴ（科学技術社、１９９２年発行）」等で参照できる。

陰極の作製方法は、公知の種々の方法が利用でき、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等が挙げられる。
金属、金属の酸化物、フッ化物、炭酸化物を陰極として用いる場合は、真空蒸着法が多用され、高沸点の金属酸化物、金属複合酸化物、インジウムスズ（ＩＴＯ）に代表される導電性金属酸化物等を陰極として用いる場合は、スパッタリング法、イオンプレーティング法が多用される。
異種材料との組成物を成膜する場合には、共蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等が多用される。特に、低分子有機物、および、金属、金属の酸化物、フッ化物若しくは炭酸化物との組成物を成膜する場合には、共蒸着法が好ましい。

陰極の膜厚は用いる材料、層構造によって最適値が異なり、発光素子の駆動電圧、発光効率、素子寿命が適度な値となるよう選択すればよい。通常、第１陰極層の膜厚は０．５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であり、カバー陰極層の膜厚は１０ｎｍ〜１μｍの範囲である。例えば、第１陰極層にＢａまたはＣａを、カバー陰極層にＡｌを用いる場合、ＢａまたはＣａの膜厚は２ｎｍ〜１０ｎｍであり、Ａｌの膜厚は１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、第１陰極層にＮａＦまたはＫＦ、カバー陰極層にＡｌを用いる場合、ＮａＦまたはＫＦの膜厚は１ｎｍ〜８ｎｍであり、Ａｌの膜厚は１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。

本発明の発光素子において、陰極を光透過性電極として用いる場合、カバー陰極層の可視光透過率は４０％以上であることが好ましく、５０％以上であることがより好ましい。該可視光透過率は、カバー陰極層材料として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化モリブデン等の透明導電性金属酸化物を用いることで達成される。また、該可視光透過率は、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、スズ、鉛等の低抵抗金属およびこれらを含む合金を用いたカバー陰極層の膜厚を３０ｎｍ以下にすることでも達成される。例えば、第１陰極層にＢａを５ｎｍ、カバー陰極層にＡｇを１５ｎｍ、とした陰極構造では、５０％以上の可視光透過率が達成される。

また、前記可視光透過率を向上させる事を目的として、前記カバー陰極層上に反射防止層を設ける事もできる。該反射防止層に用いることができる材料としては、屈折率が１．８〜３．０程度であることが好ましく、例えば、ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＷＯ_３等が挙げられる。反射防止層の膜厚は材料の組み合せによって異なるが、通常１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲である。例えば、陰極として、第１陰極層としてＢａを５ｎｍ、カバー陰極層としてＡｇを１５ｎｍとした陰極構造に、さらに反射防止層としてＷＯ_３を２１ｎｍ積層させると、可視光透過率は１０％程度改善される。

＜絶縁層＞
本発明の発光素子が、任意に有しうる膜厚５ｎｍ以下の絶縁層は、電極との密着性向上、電極からの電荷（即ち正孔または電子）注入改善、隣接層との混合防止などの機能を有するものである。絶縁層の材料としては、例えば、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料（ポリメチルメタクリレート等）が挙げられる。膜厚５ｎｍ以下の絶縁層が設けられた発光素子としては、陰極に隣接して膜厚５ｎｍ以下の絶縁層を設けたもの、および、陽極に隣接して膜厚５ｎｍ以下の絶縁層を設けたものが挙げられる。

本発明の発光素子は、例えば、基板上に各層を順次積層することによる製造することができる。具体的には、基板上に陽極を設け、その上に正孔注入層、正孔輸送層等の層を必要に応じて設け、その上に発光層を設け、その上に電子輸送層、電子注入層等の層を必要に応じて設け、さらにその上に、陰極を積層することにより製造することができる。

本発明の発光素子を用いてディスプレイ装置を製造することができる。該ディスプレイ装置は、発光素子を１画素単位として備える。画素単位の配列の態様は、特に限定されず、テレビ等のディスプレイ装置で通常採られる配列とすることができ、多数の画素が共通の基板上に配列された態様とすることができる。本発明の装置において、基板上に配列される画素は、必要に応じて、バンクで規定される画素領域内に形成することができる。

前記装置はさらに、必要に応じて、発光層等を挟んで基板と反対側に、封止部材を有していてもよい。また、必要に応じて、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルター等のフィルター、画素の駆動に必要な回路および配線等、ディスプレイ装置を構成するための任意の構成要素を有していてもよい。

＜光電変換素子＞
本発明の積層構造体を用いた光電変換素子は、陰極、陽極、および、陰極と陽極との間に設置された電荷分離層を有しており、陽極および陰極の少なくとも一方が本発明の電極形成用の組成物から形成される電極であり、さらに任意の層（陰極と電荷分離層の間に設けられた層、および／または、陽極と電荷分離層の間に設けられた層）を有していてもよい。

本発明の光電変換素子の電荷分離層には、電子供与性化合物と電子受容性化合物とが含まれている。電子供与性化合物としては、共役高分子化合物があげられ、具体的には、チオフェンジイル基を含む高分子化合物、フルオレンジイル基を含む高分子化合物等があげられる。また、電子受容性化合物としては、フラーレンおよびフラーレン誘導体等があげられる。

本発明の光電変換素子は、通常支持基板上に作製される。該支持基板としては有機光電変換素子としての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。

本発明の光電変換素子は、公知の方法、例えば、「Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．，１０２，９８２（１９９９）」に記載の方法や「Ｓｃｉｅｎｃｅ，２７０，１７８９（１９９５）」に記載の方法により製造することができる。

本発明の電極形成用の組成物に含まれる高分子化合物としては、式（７）で表される構成単位を含む高分子化合物を好適に使用することができる。

（式（７）中、
ｍ^３は、１以上の整数である。
Ｒ^４は、（ｍ^３＋１）価の有機基であり、
Ｘ^４は、ラクタム構造を有する１価の有機基、または、同一の芳香族複素環が直接結合した構造を有する１価の有機基である。
複数存在するＲ^４、Ｘ^４およびｍ^３は、互いに同一であっても異なっていてもよい。）

前記ｍ^３およびＲ^４の例および好ましい形態は、前記式（２）におけるｍ^２およびＲ^２の例および好ましい形態と同様である。

前記Ｘ^４がラクタム構造を有する１価の有機基である場合、ラクタム構造としては、３〜１０員環のラクタム構造が好ましく、４〜７員環のラクタム構造がより好ましく、５〜６員環のラクタム構造が更に好ましく、５員環であるピロリドン構造が特に好ましい。

前記式（７）で表される構成単位は、式（８）、式（９）または式（１０）で表される構成単位が好ましい。

（式（８）中、
Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立に、２価の有機基であり、複数存在するＲ^５およびＲ^６は、互いに同一でも異なっていてもよい。）
（式（９）中、
Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立に、２価の有機基であり、複数存在するＲ^５およびＲ^６は、互いに同一でも異なっていてもよい。）
（式（１０）中、Ｒ^５は、２価の有機基であり、複数存在するＲ^５は、互いに同一でも異なっていてもよい。）

前記Ｒ^５としては、例えば、置換基を有していてもよいヒドロカルビレン基が挙げられ、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６０のヒドロカルビレン基であることが好ましく（該炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない）、ヒドロカルビレン基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
ヒドロカルビレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、α，α−ジメチレンベンジル基、１−フェネチレン基、２−フェネチレン基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、オレイレン基、フェニレン基、トリレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、３，５−ジフェニルフェニレン基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基およびフェナントリレン基が挙げられ、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、フェニレン基、トリレン基またはビフェニレン基が好ましく、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、ビニレン基またはフェニレン基がより好ましく、
エチレン基、プロピレン基、ヘキシレン基またはフェニレン基が更に好ましい。

前記Ｒ^５は、前記式（Ｒ）で表される２価の基であってもよい。

前記Ｒ^５が前記式（Ｒ）で表される２価の基の場合、前記Ｅとしては、例えば、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６０のヒドロカルビレン基であることが好ましく（該炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない）、ヒドロカルビレン基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
ヒドロカルビレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、α，α−ジメチレンベンジル基、１−フェネチレン基、２−フェネチレン基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、オレイレン基、フェニレン基、トリレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、３，５−ジフェニルフェニレン基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基およびフェナントリレン基が挙げられ、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、フェニレン基、トリレン基またはビフェニレン基が好ましく、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、ビニレン基またはフェニレン基がより好ましく、
エチレン基、プロピレン基、ブチレン基またはヘキシレン基が更に好ましい。

前記Ｒ^５が前記式（Ｒ）で表される２価の基の場合、前記Ａとしては、酸素原子または窒素原子であることが好ましい。

前記Ｒ^５が前記式（Ｒ）で表される２価の基の場合、前記ｒとしては、２〜８の整数であることが好ましく、２〜６の整数であることがより好ましく、２〜４の整数であることが更に好ましい。

前記Ｒ^６としては、例えば、置換基を有していてもよいヒドロカルビレン基が挙げられ、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６０のヒドロカルビレン基であることが好ましく（該炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない）、ヒドロカルビレン基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
ヒドロカルビレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、α，α−ジメチレンベンジル基、１−フェネチレン基、２−フェネチレン基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、オレイレン基、フェニレン基、トリレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、３，５−ジフェニルフェニレン基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基およびフェナントリレン基が挙げられ、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、フェニレン基、トリレン基またはビフェニレン基が好ましく、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、ビニレン基またはフェニレン基がより好ましく、
エチレン基、プロピレン基、ヘキシレン基またはフェニレン基が更に好ましい。

前記Ｘ^４がラクタム構造を有する１価の有機基である場合、前記式（７）で表される構成単位は、式ＦＬ−１〜ＦＬ−３６のいずれかで表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団であることが好ましい。これらの中でも、式ＦＬ−１、ＦＬ−３、ＦＬ−５、ＦＬ−７、ＦＬ−９、ＦＬ−１１、ＦＬ−１３、ＦＬ−１５、ＦＬ−１７、ＦＬ−１９、ＦＬ−２１、ＦＬ−２３、ＦＬ−２５、ＦＬ−２７またはＦＬ−２９で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団であることがより好ましく、式ＦＬ−１、ＦＬ−３、ＦＬ−５、ＦＬ−１９、ＦＬ−２１、ＦＬ−２３、ＦＬ−２５、ＦＬ−２７またはＦＬ−２９で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団であることが更に好ましく、式ＦＬ−１、ＦＬ−２５またはＦＬ−２９で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団であることが特に好ましい。なお、これらの化合物は置換基を有していてもよい。

前記Ｘ^４が同一の芳香族複素環が直接結合した構造を有する１価の有機基である場合、該芳香族複素環としては、前記式Ｈ−１〜Ｈ−４０のいずれかで表される芳香族複素環式化合物が好ましい。これらの中でも、前記式Ｈ−３、Ｈ−５、Ｈ−６、Ｈ−７、Ｈ−８、Ｈ−１１またはＨ−１２で表される芳香族複素環式化合物であることがより好ましく、前記式Ｈ−５またはＨ−３６で表される芳香族複素環式化合物であることが更に好ましい。なお、前記式Ｈ−１〜Ｈ−４０で表される芳香族複素環式化合物は置換基を有していてもよい。

前記Ｘ^４が同一の芳香族複素環が直接結合した構造を有する１価の有機基である場合、前記式（７）で表される構成単位は、式７−１〜７−２８のいずれかで表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団であることが好ましい。これらの中でも、式７−１、７−２、７−４、７−５、７−８、７−１１、７−１２、７−１５、７−１６、７−１７、７−１８、７−１９、７−２７または７−２８で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団であることがより好ましく、式７−２、７−４、７−１１、７−１５、７−１７、７−１８、７−２７または７−２８で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団であることが更に好ましく、式７−４、７−１７、７−１８または７−２８で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団であることが特に好ましい。なお、式７−１〜７−２８で表される化合物は置換基を有していてもよい。

前記Ｘ^４が同一の芳香族複素環が直接結合した構造を有する１価の有機基である場合、前記式（７）で表される構成単位は、式（１１）で表される構成単位であることが好ましい。なお、式（１１）で表される構成単位は置換基を有していてもよい。

（式（１１）中、Ｒ^５は、２価の有機基であり、複数存在するＲ^５は、互いに同一でも異なっていてもよい。）

前記式（１１）で表される構成単位におけるピリジン環は置換基を有していてもよく、置換基としてはヒドロカルビル基が好ましい。ヒドロカルビル基としては、ヒドロカルビル基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
置換基であるヒドロカルビル基としては、例えば、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ノルボルニル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−シアノフェニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ターフェニリル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基、９−フェナントリル基、1-ピレニル基、クリセニル基、テトラセニル基およびコロニル基が挙げられ、
好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−シアノフェニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ターフェニリル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基または９−フェナントリル基であり、
より好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基またはフェニル基であり、
更に好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基またはフェニル基である。

前記式（１１）で表される構成単位の割合は、高分子化合物に含まれる全構成単位に対して、通常０．１モル％以上１００モル％以下であり、本発明の高分子化合物が簡便に合成できるので、１モル％以上８０モル％以下であることが好ましく、２．５モル％以上５０モル％以下であることがより好ましい。

本発明の高分子化合物は、前記式（７）で表される構成単位以外の構成単位を含んでいてもよい。式（７）で表される構成単位以外の構成単位としては、前記式（１）、前記式（３）および前記式（４）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位挙げられ、式（１）で表される構成単位を含むことが好ましい。式（１）、式（３）および式（４）で表される構成単位の合計の割合は、高分子化合物に含まれる全構成単位に対して、通常５０モル％以上であり、７０モル％以上であることが好ましい。

本発明の高分子化合物は、前記式（７）で表される構成単位以外の構成単位として、前記式ＣＣ−１〜ＣＣ−１８のいずれかで表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を含んでいてもよい。これらの中でも、式ＣＣ−１、ＣＣ−２、ＣＣ−１２、ＣＣ−１４、ＣＣ−１５、ＣＣ−１６またはＣＣ−１８で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を含んでいることが好ましく、式ＣＣ−１、ＣＣ−２、ＣＣ−１２、ＣＣ−１５またはＣＣ−１６で表される化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を含んでいることがより好ましい。前記式ＣＣ−１〜ＣＣ−１８で表される化合物は置換基を有していてもよい。

本発明の高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は、溶媒に対する溶解性が良好となるので、２×１０^３以上１×１０^６以下であることが好ましく、２×１０^３以上５×１０^５以下であることがより好ましく、２×１０^３以上４×１０^５以下であることが更に好ましい。

前記式（７）で表される高分子化合物の原料として、式（１２）で表される化合物を好適に使用することができる。

（式（１２）中、
ｍ^４は、１以上の整数である。
Ｒ^７は、（ｍ^４＋１）価の有機基であり、
Ｘ^５は、ラクタム構造を有する１価の有機基、または、同一の芳香族複素環が直接結合した構造を有する１価の有機基であり、
Ｙは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、パラトルエンスルホナート基、トリフルオロメタンスルホナート基、メタンスルホナート基、ホウ酸残基またはホウ酸エステル基である。
複数存在するＲ^７、Ｘ^５、Ｙおよびｍ^４は、互いに同一でも異なっていてもよい。）

前記Ｒ^７の例および好ましい形態は、前記式（７）におけるＲ^４の例および好ましい形態と同様である。また、前記Ｘ^５の例および好ましい形態は、前記式（７）におけるＸ^４の例および好ましい形態と同様である。また、前記ｍ^４の例および好ましい形態は、前記式（７）におけるｍ^３の例および好ましい形態と同様である。

前記Ｙとしては、本発明の化合物を簡便に合成できるので、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子であることが好ましく、臭素原子またはヨウ素原子であることがより好ましく、臭素原子であることが更に好ましい。

前記Ｙとしては、本発明の化合物を簡便に合成できるので、ホウ酸残基またはホウ酸エステル基であることも好ましい。ホウ酸残基とは、ホウ酸残基とは、−Ｂ（ＯＨ）₂で表される基を意味する。ホウ酸エステル基とは、例えば、下記式で表される基を意味する。

前記Ｘ^５がラクタム構造を有する１価の有機である場合、前記式（１２）で表される化合物としては、式（１３）〜式（１５）のいずれかで表される化合物であることが好ましい。

（式（１３）中、
Ｒ^１１およびＲ^１２は、それぞれ独立に、２価の有機基であり、複数存在するＲ^１１およびＲ^１２は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｙは、前記と同じ意味を表す。）
（式（１４）中、
Ｒ^１１およびＲ^１２は、それぞれ独立に、２価の有機基であり、複数存在するＲ^１１およびＲ^１２は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｙは、前記と同じ意味を表す。）
（式（１５）中、Ｒ^１１は、２価の有機基であり、複数存在するＲ^１１は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｙは、前記と同じ意味を表す。）

前記Ｒ^１１の例および好ましい形態は、前記式（８）〜（１０）におけるＲ^５の例および好ましい形態と同様である。また、前記Ｒ^１２の例および好ましい形態は、前記式（８）〜（１０）におけるＲ^６の例および好ましい形態と同様である。

前記Ｘ^５がラクタム構造を有する１価の有機基である場合、前記式（１２）で表される化合物としては、式ＢＬ−１〜ＢＬ−３６のずれかで表される化合物であることが好ましい。これらの中でも、式ＢＬ−１、ＢＬ−３、ＢＬ−５、ＢＬ−７、ＢＬ−９、ＢＬ−１１、ＢＬ−１３、ＢＬ−１５、ＢＬ−１７、ＢＬ−１９、ＢＬ−２１、ＢＬ−２３、ＢＬ−２５、ＢＬ−２７またはＢＬ−２９で表される化合物であることがより好ましく、ＢＬ−１、ＢＬ−３、ＢＬ−５、ＢＬ−１９、ＢＬ−２１、ＢＬ−２３、ＢＬ−２５、ＢＬ−２７またはＢＬ−２９で表される化合物であることが更に好ましく、ＢＬ−１、ＢＬ−２５またはＢＬ−２９で表される化合物であることが特に好ましい。なお、式ＢＬ−１〜ＢＬ−３６で表される化合物は置換基を有していてもよい。

前記Ｘ^５が同一の芳香族複素環が直接結合した構造を有する１価の有機基である場合、同一の芳香族複素環が直接結合した構造を有する１価の有機基としては、前記式Ｈ−１〜Ｈ−４０のいずれかで表される芳香族複素環式化合物が直接結合した構造の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団であることが好ましい。これらの中でも、前記式Ｈ−１、Ｈ−５、Ｈ−８、Ｈ−１２、Ｈ−１９、Ｈ−２３、Ｈ−３１またはＨ−３６で表される芳香族複素環式化合物が直接結合した構造の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団であることがより好ましく、前記式Ｈ−１、Ｈ−５、Ｈ−８、Ｈ−１２、Ｈ−１９またはＨ−３６で表される芳香族複素環式化合物が直接結合した構造の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団であることが更に好ましく、前記式Ｈ−５で表される芳香族複素環式化合物が直接結合した構造の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団であることが特に好ましい。なお、前記式Ｈ−１〜Ｈ−４０で表される芳香族複素環式化合物は置換基を有していてもよい。

前記式（１２）で表される化合物は、式ＢＰ−１〜ＢＰ−２８のいずれかで表される化合物であることが好ましく、式ＢＰ−１、ＢＰ−２、ＢＰ−４、ＢＰ−５、ＢＰ−８、ＢＰ−１１、ＢＰ−１２、ＢＰ−１５、ＢＰ−１６、ＢＰ−１７、ＢＰ−１８、ＢＰ−１９、ＢＰ−２７またはＢＰ−２８で表される化合物であることがより好ましく、式ＢＰ−２、ＢＰ−４、ＢＰ−１１、ＢＰ−１５、ＢＰ−１７、ＢＰ−１８、ＢＰ−２７またはＢＰ−２８で表される化合物であることが更に好ましく、式ＢＰ−４、ＢＰ−１７、ＢＰ−１８またはＢＰ−２８で表される化合物であることが特に好ましい。なお、これらの化合物は置換基を有していてもよい。

前記Ｘ^５が同一の芳香族複素環が直接結合した構造を有する１価の有機基である場合、前記式（１２）で表される化合物としては、式（１６）で表される化合物であることが好ましい。なお、式（１６）で表される化合物は置換基を有していてもよい。

（式（１６）中、Ｒ^１１およびＹは前記と同じ意味を表す。）

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

＜分析方法＞
化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（東ソー株式会社製、商品名：ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量として求めた。また、測定する試料は、約０．５重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに５０μＬ注入した。更に、ＧＰＣの移動相としてはテトラヒドロフランを用い、０．５ｍＬ／分の流速で流した。検出波長を２５４ｎｍに設定した。

化合物の構造分析は、３００ＭＨｚＮＭＲスペクトロメーター（Ｖａｒｉａｎ社製）を用いた、^１Ｈ−ＮＭＲ解析によって行った。また、^１Ｈ−ＮＭＲ解析は、２０ｍｇ／ｍＬの濃度になるように試料を可溶な重溶媒に溶解させて行った。

＜合成例１＞化合物（Ａ）の合成
２，７−ジブロモ−９−フルオレノン５２．５ｇ（０．１６ｍｏｌ）、サリチル酸エチル１５４．８ｇ（０．９３ｍｏｌ）およびメルカプト酢酸１．４ｇ（０．０１６ｍｏｌ）をフラスコに加え、該フラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、メタンスルホン酸（６３０ｍＬ）を加え、得られた混合物を７５℃で終夜撹拌した。得られた反応液を放冷し、これを氷水に加えて１時間撹拌したところ固体が生じた。生じた固体をろ別し、加熱したアセトニトリルで洗浄した。洗浄した固体をアセトンに溶解させ、得られたアセトン溶液から固体を再結晶させて、ろ別した。得られた固体（６２．７ｇ）、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ−ｐ−トルエンスルホネート８６．３ｇ（０．２７ｍｏｌ）、炭酸カリウム６２．６ｇ（０．４５ｍｏｌ）および１，４，７，１０，１３，１６−ヘキサオキサシクロオクタデカン（「１８−クラウン−６」と呼ばれることもある。）７．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（「ＤＭＦ」と呼ばれることもある。）（６７０ｍＬ）に溶解させ、得られた溶液をフラスコへ移して１０５℃で終夜撹拌した。得られた反応液を室温まで放冷した後、氷水を加え、１時間撹拌した。得られた反応液にクロロホルムを加えて分液抽出を行い、得られた溶液を濃縮することで、下記式で表される２，７−ジブロモ−９，９−ビス［３−エトキシカルボニル−４−［２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ］フェニル］−フルオレン（化合物（Ａ））（５１．２ｇ）を得た。収率は３１％であった。

（Ａ）

＜合成例２＞化合物（Ｂ）の合成
内部の気体をアルゴンガスで置換したフラスコに、化合物（Ａ）（１５ｇ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（８．９ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）ジクロロメタン錯体（０．８ｇ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０．５ｇ）、酢酸カリウム（９．４ｇ）およびジオキサン（４００ｍL）を加えて混合し、１１０℃に加熱して、１０時間加熱して還流させた。放冷後、得られた反応液をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた濃縮物をメタノールで３回洗浄した。洗浄された濃縮物をトルエンに溶解させ、得られた溶液に活性炭を加えて攪拌した。その後、得られた混合物をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで、下記式で表される２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル-１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ビス［３−エトキシカルボニル−４−［２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ］フェニル］−フルオレン（化合物（Ｂ））（１１．７ｇ）を得た。

（Ｂ）

＜合成例３＞高分子化合物（Ｐｏｌｙ−Ｃｏｍｐ２）の合成
フラスコに、化合物（Ａ）（０．４９ｇ）、化合物（Ｂ）（０．５０ｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．３５ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（５．１ｍｇ）、１７．５ｗｔ％炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ）およびトルエン（２０ｍＬ）を加え、１０５℃で６時間反応させた。その後、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．３５ｍｇ）、トルエン（３ｍＬ）およびフェニルボロン酸（２４ｍｇ）を加え、１０５℃で６時間反応させた。その後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．４５ｇ）および水（９ｍＬ）を添加して、８５℃で２時間攪拌し、得られた混合物をメタノールに滴下し、得られた析出物をろ過で回収して乾燥した。得られた固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナおよびシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、得られた溶出液を濃縮、乾燥させた。得られた濃縮物をトルエンに溶解させて、メタノールに滴下し、得られた析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−９）を５１０ｍｇ得た。高分子化合物（Ｐｏｌｙ−Ｃｏｍｐ１）のポリスチレン換算の数平均分子量は３．６×１０^４で、ポリスチレン換算の重量平均分子量は６．６×１０^４であった。高分子化合物（Ｐｏｌｙ−Ｃｏｍｐ１）は、単量体の仕込み比から、以下の高分子化合物と推定される。

（Ｐｏｌｙ−Ｃｏｍｐ１）

高分子化合物（Ｐｏｌｙ−Ｃｏｍｐ１）（２００ｍｇ）をフラスコに加え、テトラヒドロフラン（２１ｍＬ）、メタノール（６ｍＬ）、水（１．０ｍＬ）および水酸化セシウム一水和物（１２０ｍｇ）を添加し、６５℃で２時間攪拌し、その後、メタノール（１１ｍＬ）を添加し、更に２時間攪拌した。得られた溶液を濃縮、乾燥させた後、メタノール（６ｍＬ）に溶解させ、イソプロピルアルコール（２００ｍＬ）を用いて再沈殿を行い、残渣を集めた。得られた固形物を乾燥させることで、高分子化合物(Ｐｏｌｙ−Ｃｏｍｐ２）２０３ｍｇを得た。

（Ｐｏｌｙ−Ｃｏｍｐ２）

＜合成例４＞化合物（Ｃ）の合成
「特開２０１２−２１６８２１」に記載の方法に従って、化合物（Ｃ）を合成した。

（Ｃ）

＜合成例５＞化合物（Ｄ）の合成
「特開２０１２−２１６８２１」に記載の方法に従って、化合物（Ｄ）を合成した。

（Ｄ）

＜合成例６＞化合物（Ｅ）の合成
「Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ２００５， ３８， ７４５−７５１」に記載の方法に従って、化合物（Ｅ）を合成した。

（Ｅ）

＜合成例７＞化合物（Ｆ）の合成
フラスコに、Ｎ−（３−ヒドロキシプロピル）−２−ピロリドン（１０９ｇ）を加え、クロロホルム（４５０ｍＬ）に溶解させた。その後、塩化チオニル（１５７ｇ）を溶解させたクロロホルム（９０ｍＬ）を加え、室温で６時間攪拌した。得られた溶液に水（１Ｌ）を添加し、飽和食塩水で分液洗浄した後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥後、溶媒を減圧留去させることで、Ｎ−（３−クロロプロピル）−２−ピロリドン（化合物（Ｆ））（７８ｇ）を得た。

（Ｆ）

＜実施例１＞化合物（Ｇ）の合成
化合物（Ｅ）（３ｇ）、化合物（Ｆ）（４ｇ）、炭酸ナトリウム（５．２７ｇ）、ヨウ化ナトリウム（３．９ｇ）およびアセトニトリル（１００ｍＬ）をフラスコに加え、３０時間還流攪拌した。得られた混合液に水を添加し、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥後、溶媒を減圧留去させた。得られた粗生成物をシリカゲルカラムにより精製させることで、化合物（Ｇ）（２．１ｇ）を得た。

（Ｇ）

＜実施例２＞化合物（Ｈ）の合成
フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、６，６’−ビ−３−ピコリン（２０．３ｇ、１１０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（５００ｍｌ）に溶解させた溶液を−７８℃に冷却した。その後、この溶液にリチウムジイソプロピルアミド（１．０８Ｍ、ＴＨＦ溶液、関東化学社製、１００ｍｌ）をテトラヒドロフラン（１００ｍｌ）で希釈した溶液を滴下した。滴下終了後、０℃まで昇温し、更に１．５時間攪拌した。その後、テトラヒドロフラン（２００ｍｌ）を加えた後、−７８℃まで冷却し、１，３−ジブロモプロパン（５０ｇ、２４８ｍｍｏｌ）を加え、攪拌しながら室温まで昇温し、室温にて更に１時間攪拌した。その後、そこへ、水（３４ｍｌ）を加え攪拌してから、溶媒を減圧留去した後、ジエチルエーテルで抽出した。得られた抽出液を、５重量％炭酸水素ナトリウム水溶液、１５重量％食塩水の順で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、固体をろ過により除き、得られたろ液を濃縮し、５６．６ｇの油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製することにより、固体（２１．６ｇ）を得た。得られた固体を更に、ｎ−ヘキサンを用いて再結晶し、室温にて減圧乾燥することにより、５−（４−ブロモブチル）−５’−メチル−２，２’−ビピリジル（１７．１ｇ）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝８．４９（２Ｈ）、８．２６（２Ｈ）、７．６１（２Ｈ）、３．４３（２Ｈ）、２．３９（３Ｈ）、１．８１−１．９５（４Ｈ）．

フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、２，７−ジブロモフルオレノン（９．７２ｇ、３０ｍｍｏｌ）、５−（４−ブロモブチル）−５’−メチル−２，２’−ビピリジル（１８．７７ｇ、６１．５ｍｍｏｌ）およびジメチルスルホキシド（１００ｍｌ）を加え、攪拌した。その後、そこへ、ヨウ化カリウム０．５１ｇ（３ｍｍｏｌ）および水酸化カリウム（１４．３ｇ、２５５ｍｍｏｌ）を加え、室温にて６時間攪拌した後、水で希釈し、２Ｍ塩酸水で中和し、酢酸エチルで抽出した。得られた抽出液を、５重量％炭酸水素ナトリウム水溶液、水、１５重量％食塩水の順で洗浄した後、活性白土（Ｆｕｌｌｅｒ’ｓ ｅａｒｔｈ、関東化学社製）を加え攪拌した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、ろ過により固体を除き、得られたろ液を濃縮することにより、油状物（８５ｇ）を得た。得られた油状物に酢酸エチル（５５ｇ）を加え、加熱還流下で攪拌した後に、エタノール（１４０ｇ）を滴下することにより、固体を析出させた。室温まで冷却後、得られた固体をろ過により取り出し、減圧乾燥し、再結晶（クロロホルムーヘキサン）により、化合物（Ｈ）（５．４８ｇ）を得た。

（Ｈ）

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＴＨＦ−ｄ_８）：δ（ｐｐｍ）＝８．４２（２Ｈ）、８．３３−８．２８（６Ｈ）、７．６６−７．６４（４Ｈ）、７．５９−７．５６（２Ｈ）、７．５０−７．４４（４Ｈ）、２．４４−２．３８（４Ｈ）、２．３３（６Ｈ）、１．４３（４Ｈ）、０．８０−０．６９（４Ｈ）．

＜実施例３＞高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１）の合成
フラスコに、化合物（Ａ）（０．６３ｇ）、化合物（Ｂ）（０．６３ｇ）、化合物（Ｇ）（０．０４２ｇ）、ビス（トリオルトアニシルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．６２ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（７．１ｍｇ）、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ）およびトルエン（２０ｍＬ）を加え、１０５℃で４時間反応させた。その後、ビス（トリオルトアニシルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．６２ｍｇ）、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（３ｍＬ）、トルエン（３ｍＬ）およびフェニルボロン酸（３４ｍｇ）を加えて２時間攪拌した。その後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．６３０ｇ）および水（１３ｍＬ）を添加して、８５℃で２時間攪拌し、得られた混合物をメタノールに滴下し析出物をろ過で回収して乾燥した。得られた固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナおよびシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、溶出液を濃縮、乾燥させた。得られた濃縮物をトルエンに溶解させて、メタノールに滴下し、得られた析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１）を５１０ｍｇ得た。高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１）のポリスチレン換算の数平均分子量は７×１０^３であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．５×１０^４であった。高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１）は、単量体の仕込み比から、以下の構成単位およびモル比率を有する高分子化合物と推定される。

（Ｐｏｌｙ−１）

＜実施例４＞高分子化合物（Ｐｏｌｙ−２）の合成
高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１）（４５０ｍｇ）をフラスコに加えた後、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）、メタノール（２０ｍＬ）、水（０．５ｍＬ）および水酸化セシウム一水和物（３８５ｍｇ）を加え、６５℃で１．５ｈ攪拌した。その後、メタノール（２０ｍＬ）を加え、更に２．５ｈ攪拌した。得られた溶液を濃縮・乾燥した後、メタノール（１０ｍＬ）に溶解させ、イソプロピルアルコール（２００ｍＬ）を用いて再沈殿を行い、残渣を集めた。得られた固形物を乾燥させることで、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−２）を５０１ｍｇ得た。

（Ｐｏｌｙ−２）

＜実施例５＞高分子化合物（Ｐｏｌｙ−３）の合成
フラスコに、化合物（Ａ）（０．５２ｇ）、化合物（Ｂ）（０．５５ｇ）、化合物（Ｈ）（０．０４７ｇ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル−ジｔｅｒｔ−ブチルホスフィン］ジクロロパラジウム（０．８５ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（６．１ｍｇ）、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ）およびトルエン（２０ｍＬ）を加え、１０５℃で１１時間反応させた。その後、フェニルボロン酸（８ｍｇ）を加えて３時間攪拌した後、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル−ジｔｅｒｔ−ブチルホスフィン］ジクロロパラジウム（０．８５ｍｇ）、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（３ｍＬ）、トルエン（３ｍＬ）およびフェニルボロン酸（２２ｍｇ）を加え、４時間攪拌した。その後、そこへ、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．５４０ｇ）および水（１１ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌し、得られた混合物をメタノールに滴下し、得られた析出物をろ過で回収して乾燥した。得られた固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナおよびシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、得られた溶出液を濃縮・乾燥させた。得られた濃縮物をトルエンに溶解させた後、メタノールに滴下し、得られた析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−３）を４７６ｍｇ得た。高分子化合物（Ｐｏｌｙ−３）のポリスチレン換算の数平均分子量は１．２×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は３．２×１０^４であった。高分子化合物（Ｐｏｌｙ−３）は、単量体の仕込み比から、以下の構成単位およびモル比率を有する高分子化合物と推定される。

（Ｐｏｌｙ−３）

＜実施例６＞高分子化合物（Ｐｏｌｙ−４）の合成
高分子化合物（Ｐｏｌｙ−３）（４４０ｍｇ）をフラスコに加えた後、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）、メタノール（１０ｍＬ）、水（０．４ｍＬ）および水酸化セシウム一水和物（３７６ｍｇ）を加え、６５℃で０．５時間攪拌した。その後、メタノール（３０ｍＬ）を加え、更に３時間攪拌した。得られた溶液を濃縮・乾燥した後、メタノール（６ｍＬ）に溶解させ、イソプロピルアルコール（１８０ｍＬ）を用いて再沈殿を行い、残渣を集めた。得られた固形物を乾燥させることで、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−４）を４４６ｍｇ得た。

（Ｐｏｌｙ−４）

＜実施例７＞高分子化合物（Ｐｏｌｙ−５）の合成
フラスコに、化合物（Ａ）（０．４３ｇ）、化合物（Ｂ）（０．７０ｇ）、２，６−ジブロモピリジン（０．０７２ｇ）、ビス（トリオルトアニシルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．６６ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（７．６ｍｇ）、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ）およびトルエン（２０ｍＬ）を加え、１０５℃で６時間反応させた。その後、ビス（トリオルトアニシルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．６６ｍｇ）、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（３ｍＬ）、トルエン（３ｍＬ）およびフェニルボロン酸（３７ｍｇ）を加えて３時間攪拌した後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．６８ｇ）および水（１４ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌し、得られた混合物をメタノールに滴下し、得られた析出物をろ過で回収して乾燥した。得られた固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナおよびシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、得られた溶出液を濃縮・乾燥させた。得られた濃縮物をトルエンに溶解させた後、メタノールに滴下し、得られた析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−５）を５７５ｍｇ得た。高分子化合物（Ｐｏｌｙ−５）のポリスチレン換算の数平均分子量は２．２×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は６．３×１０^４であった。高分子化合物（Ｐｏｌｙ−５）は、単量体の仕込み比から、以下の構成単位およびモル比率を有する高分子化合物と推定される。

（Ｐｏｌｙ−５）

＜実施例８＞高分子化合物（Ｐｏｌｙ−６）の合成
高分子化合物（Ｐｏｌｙ−５）（５００ｍｇ）をフラスコに加えた後、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）、メタノール（１０ｍＬ）、水（０．４ｍＬ）および水酸化セシウム一水和物（５２２ｍｇ）を加え、６５℃で１．５時間攪拌した。その後、メタノール（２０ｍＬ）を加え、更に２．５時間攪拌した。得られた溶液を濃縮・乾燥した後、メタノール（１０ｍＬ）に溶解させ、イソプロピルアルコール（２００ｍＬ）を用いて再沈殿を行い、残渣を集めた。得られた固形物を乾燥させることで、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−６）を５８０ｍｇ得た。

（Ｐｏｌｙ−６）

＜実施例９＞高分子化合物（Ｐｏｌｙ−７）の合成
フラスコに、化合物（Ｂ）（０．８１ｇ）、２，６−ジブロモピリジン（０．２６ｇ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル−ジｔｅｒｔ−ブチルホスフィン］ジクロロパラジウム（０．７８ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（１１．１ｍｇ）、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ）およびトルエン（２０ｍＬ）を加え、１０５℃で３時間反応させた。その後、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル−ジｔｅｒｔ−ブチルホスフィン］ジクロロパラジウム（０．７８ｍｇ）、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（３ｍＬ）、トルエン（３ｍＬ）およびフェニルボロン酸（３７ｍｇ）を加え、３時間攪拌した後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．１２ｇ）および水（５ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌し、得られた混合物をメタノールに滴下し、得られた析出物をろ過で回収して乾燥した。得られた固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナおよびシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、得られた溶出液を濃縮・乾燥させた。得られた濃縮物をトルエンに溶解させた後、メタノールに滴下し、得られた析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−７）を４３６ｍｇ得た。高分子化合物（Ｐｏｌｙ−７）のポリスチレン換算の数平均分子量は１．６×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は３．６×１０^４であった。高分子化合物（Ｐｏｌｙ−７）は、単量体の仕込み比から、以下の構成単位およびモル比率を有する高分子化合物と推定される。

（Ｐｏｌｙ−７）

＜実施例１０＞高分子化合物（Ｐｏｌｙ−８）の合成
高分子化合物（Ｐｏｌｙ−７）（４００ｍｇ）をフラスコに加えた後、テトラヒドロフラン（３０ｍＬ）、メタノール（１５ｍＬ）、水（０．５ｍＬ）および水酸化セシウム一水和物（３１２ｍｇ）を加え、６５℃で４時間攪拌した。その後、メタノール（２０ｍＬ）を加え、更に２．５時間攪拌した。得られた溶液を濃縮・乾燥した後、メタノール（８ｍＬ）に溶解させ、イソプロピルアルコール（２００ｍＬ）を用いて再沈殿を行い、残渣を集めた。得られた固形物を乾燥させることで、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−８）を４０３ｍｇ得た。

（Ｐｏｌｙ−８）

＜実施例１１＞高分子化合物（Ｐｏｌｙ−９）の合成
フラスコに、化合物（Ａ）（０．３８ｇ）、化合物（Ｂ）（０．７５ｇ）、化合物（Ｈ）（０．０６２ｇ）、２，６−ジブロモピリジン（０．０７７ｇ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル−ジｔｅｒｔ−ブチルホスフィン］ジクロロパラジウム（０．５７ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（８．１ｍｇ）、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ）およびトルエン（２０ｍＬ）を加え、１０５℃で５時間反応させた。その後、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル−ジｔｅｒｔ−ブチルホスフィン］ジクロロパラジウム（１．１ｍｇ）を加え、１０５℃で３．５時間反応させた後、フェニルボロン酸（８ｍｇ）を加え、１０５℃で５．５時間反応させた。その後、そこへ、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル−ジｔｅｒｔ−ブチルホスフィン］ジクロロパラジウム（０．５７ｍｇ）、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（３ｍＬ）、トルエン（３ｍＬ）およびフェニルボロン酸（３９ｍｇ）を加え、３時間攪拌した。得られた混合物に、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．１２ｇ）および水（１０ｍＬ）を加え、８５℃で３時間攪拌し、得られた混合物をメタノールに滴下し、得られた析出物をろ過で回収して乾燥した。得られた固体をクロロホルムおよびメタノールの混合溶媒に溶解させ、アルミナおよびシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、得られた溶出液を濃縮・乾燥させた。得られた濃縮物をトルエンに溶解させた後、メタノールに滴下し、得られた析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−９）を７８０ｍｇ得た。高分子化合物（Ｐｏｌｙ−９）のポリスチレン換算の数平均分子量は１．９×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は３．８×１０^４であった。高分子化合物（Ｐｏｌｙ−９）は、単量体の仕込み比から、以下の構成単位およびモル比率を有する高分子化合物と推定される。

（Ｐｏｌｙ−９）

＜実施例１２＞高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１０）の合成
高分子化合物（Ｐｏｌｙ−９）（５５０ｍｇ）をフラスコに加えた後、テトラヒドロフラン（３０ｍＬ）、メタノール（３０ｍＬ）、水（０．５ｍＬ）および水酸化セシウム一水和物（８７３ｍｇ）を加え、６５℃で４時間攪拌した。得られた溶液を濃縮・乾燥した後、メタノール（１５ｍＬ）に溶解させ、イソプロピルアルコール（３００ｍＬ）を用いて再沈殿を行い、残渣を集めた。得られた固形物を乾燥させることで、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１０）を６４８ｍｇ得た。

（Ｐｏｌｙ−１０）

＜実施例１３＞高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１１）の合成
フラスコに、化合物（Ａ）（０．４３ｇ）、化合物（Ｂ）（０．６８ｇ）、２，５−ジブロモピリミジン（０．０７７ｇ）、ビス（トリオルトアニシルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．６６ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（７．６ｍｇ）、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ）およびトルエン（２０ｍＬ）を加え、１０５℃で１．５時間反応させた。その後、ビス（トリオルトアニシルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．６６ｍｇ）、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（３ｍＬ）、トルエン（３ｍＬ）およびフェニルボロン酸（３７ｍｇ）を加え、３時間攪拌した後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．１２ｇ）および水（５ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌し、得られた混合物をメタノールに滴下し、得られた析出物をろ過で回収して乾燥した。得られた固体をクロロホルムおよびメタノールの混合溶媒に溶解させ、アルミナおよびシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、得られた溶出液を濃縮・乾燥させた。得られた濃縮物をトルエンに溶解させた後、メタノールに滴下し、得られた析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１１）を６８６ｍｇ得た。高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１１）のポリスチレン換算の数平均分子量は１．３×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は３．５×１０^４であった。高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１１）は、単量体の仕込み比から、以下の構成単位およびモル比率を有する高分子化合物と推定される。

（Ｐｏｌｙ−１１）

＜実施例１４＞高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１２）の合成
高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１１）（５５０ｍｇ）をフラスコに加えた後、テトラヒドロフラン（１５ｍＬ）、メタノール（２５ｍＬ）、水（０．５ｍＬ）および水酸化セシウム一水和物（８３５ｍｇ）を加え、６５℃で４時間攪拌した。得られた溶液を濃縮・乾燥した後、メタノール（１０ｍＬ）に溶解させ、イソプロピルアルコール（２５０ｍＬ）を用いて再沈殿を行い、残渣を集めた。得られた固形物を乾燥させることで、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１２）を５８０ｍｇ得た。

（Ｐｏｌｙ−１２）

＜実施例１５＞高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１３）の合成
フラスコに、化合物（Ｃ）（０．４９ｇ）、化合物（Ｄ）（０．８０ｇ）、２，５−ジブロモピリジン（０．１２ｇ）、ビス（トリオルトアニシルホスフィン）ジクロロパラジウム（１．１ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（１３ｍｇ）、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ）およびトルエン（２０ｍＬ）を加え、１０５℃で１．５時間反応させた。その後、化合物（Ｄ）（２５ｍｇ）を加えて、１０５℃で１時間反応させた。その後、化合物（Ｄ）（２１８ｍｇ）追加し、更に１．５時間攪拌した。得られた混合物に対して、ビス（トリオルトアニシルホスフィン）ジクロロパラジウム（１．１ｍｇ）、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（３ｍＬ）、トルエン（３ｍＬ）およびフェニルボロン酸（６１ｍｇ）を加え、２時間攪拌した後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．１２ｇ）および水（５ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌し、得られた混合物をメタノールに滴下し、得られた析出物をろ過で回収して乾燥した。得られた固体をクロロホルムおよびメタノールの混合溶媒に溶解させ、アルミナおよびシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、得られた溶出液を濃縮・乾燥させた。得られた濃縮物をトルエンに溶解させた後、メタノールに滴下し、得られた析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１３）を６８６ｍｇ得た。高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１３）のポリスチレン換算の数平均分子量は９．０×１０^３であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．９×１０^４であった。高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１３）は、単量体の仕込み比から、以下の構成単位およびモル比率を有する高分子化合物と推定される。

（Ｐｏｌｙ−１３）

＜実施例１６＞高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１４）の合成
高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１３）（５００ｍｇ）をフラスコに加えた後、テトラヒドロフラン（３０ｍＬ）、メタノール（３０ｍＬ）、水（０．５ｍＬ）および水酸化セシウム一水和物（６２０ｍｇ）を加え、６５℃で２時間攪拌した。その後、メタノール（１０ｍＬ）を加え、更に２時間攪拌した。得られた溶液を濃縮・乾燥した後、メタノール（２０ｍＬ）に溶解させ、イソプロピルアルコール（２５０ｍＬ）を用いて再沈殿を行い、残渣を集めた。得られた固形物を乾燥させることで、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１４）を５５２ｍｇ得た。

（Ｐｏｌｙ−１４）

＜実施例Ｄ１＞（発光素子Ｄ１の作製）
ガラス基板表面に成膜パターニングされたＩＴＯ陽極（膜厚：４５ｎｍ）上に、正孔注入材料溶液を塗布し、スピンコート法によって膜厚が６０ｎｍになるように正孔注入層を成膜した。

正孔注入層が成膜されたガラス基板を窒素ガス雰囲気下で、２００℃で１０分間加熱した後、ガラス基板を室温まで自然冷却させ、正孔注入層形成済み基板を得た。

ここで正孔注入材料溶液としては、ポリ（３，４‐エチレンジオキシチオフェン）・ポリスチレンスルホン酸（Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ製、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液、商品名：ＣＬＥＶＩＯＳ（登録商標） Ｐ ＶＰ ＡＩ ４０８３）を用いた。

次に、正孔輸送性高分子材料をキシレンに溶解させることで、０．７重量％の正孔輸送性高分子材料を含む正孔輸送層形成用組成物を得た。

ここで、正孔輸送性高分子材料は、以下の方法で合成した。

フラスコ内の気体を不活性ガスで置換した後、２，７−ジブロモ−９，９−ジ（オクチル）フルオレン（１．４ｇ）、２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ（オクチル）フルオレン（６．４ｇ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ’，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン（４．１ｇ）、ビス（４−ブロモフェニル）ベンゾシクロブテンアミン（０．６ｇ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（１．７ｇ）、酢酸パラジウム（４．５ｍｇ）、トリ（２−メトキシフェニル）ホスフィン（０．０３ｇ）およびトルエン（１００ｍＬ）を加え、得られた混合物を１００℃で２時間加熱攪拌した。その後、ここへ、フェニルボロン酸（０．０６ｇ）を加え、得られた混合物を１０時間撹拌した。放冷後、水層を除去し、次いで、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え攪拌した後、水層を除去し、得られた有機層を水、酢酸水の順で洗浄した。得られた有機層をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。得られた個体をトルエンに溶解させ、シリカゲルおよびアルミナのカラムに通液した。得られた溶液をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにり、正孔輸送性高分子材料（１２．１ｇ）を得た。正孔輸送性高分子材料のポリスチレン換算の重量平均分子量は３．０×１０^５であった。

正孔輸送性高分子材料は、下記式：

で表される構成単位と、下記式：

で表される構成単位と、下記式：

で表される構成単位を、６２．５：３０：７．５のモル比（原料の仕込量からの理論値）で有する共重合体である。

上記で得た正孔注入層形成済み基板に、正孔輸送層形成用組成物を塗布し、スピンコート法によって膜厚が２０ｎｍになるように正孔輸送層を成膜した。正孔輸送層が成膜されたガラス基板を窒素ガス雰囲気下で、１８０℃で６０分間加熱した後、ガラス基板を室温まで自然冷却させ、正孔輸送層形成済み基板を得た。

次に、発光性高分子材料をキシレンに溶解させることで、１．４重量％の発光性高分子材料を含む発光層形成用組成物を得た。

ここで、発光性高分子材料は、以下の方法で合成した。

フラスコ内の気体を不活性ガスで置換した後、２，７−ジブロモ−９，９−ジ（オクチル）フルオレン（９．０ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）１，４−フェニレンジアミン（１．３ｇ）、２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ（４−ヘキシルフェニル）フルオレン（１３．４ｇ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（４３．０ｇ）、酢酸パラジウム（８ｍｇ）、トリ（２−メトキシフェニル）ホスフィン（０．０５ｇ）およびトルエン（２００ｍＬ）を加え、得られた混合物を、９０℃で８時間加熱攪拌した。その後、そこへ、フェニルボロン酸（０．２２ｇ）を加え、得られた混合物を１４時間撹拌した。放冷後、水層を除去し、次いで、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え撹拌した後、水層を除去し、得られた有機層を水、酢酸水の順で洗浄した。得られた有機層をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより固体を得た。得られた個体をトルエンに溶解させ、シリカゲルおよびアルミナのカラムに通液した。得られた溶駅をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、発光性高分子材料（１２．５ｇ）を得た。発光性高分子材料のポリスチレン換算の重量平均分子量は３．１×１０^５であった。

発光性高分子材料は、下記式：

で表される構成単位と、下記式：

で表される構成単位と、下記式：

で表される構成単位を、５０：４５：５のモル比（原料の仕込量からの理論値）で有する共重合体である。

上記で得た正孔輸送層形成済み基板に、発光層形成用組成物を塗布し、スピンコート法によって膜厚が８０ｎｍになるように発光層を成膜した。発光層が成膜されたガラス基板を窒素ガス雰囲気下で、１３０℃で１０分間加熱した後、ガラス基板を室温まで自然冷却させ、発光層形成済み基板を得た。

次に、４．０重量部の銀ナノ構造体に、０．８重量部の高分子化合物（Ｐｏｌｙ−２）、０．８重量部の炭酸セシウムおよび９４．４重量部のメタノールを混合させ、１時間攪拌を行うことで、陰極形成用組成物を得た。この陰極形成用組成物には、金属材料である銀ナノ構造体と、高分子化合物である高分子化合物（Ｐｏｌｙ−２）と、イオン性化合物である炭酸セシウムが分散している。

ここで、銀ナノ構造体は、下記の方法により合成した。

フラスコに、ポリビニルピロリドン（重量平均分子量：５．５×１０^４）４．２ｇ、Ｎ−ブチルピリジニウム塩化銅０．１４ｇおよびエチレングリコール２５０ｍＬを加え、ポリビニルピロリドンを溶解させた。その後、そこへ、硝酸銀４．２ｇを加え、得られた混合液を１６０℃で１２０分間攪拌したところ、銀ナノ構造体の分散液が得られた。得られた分散液を４０℃まで冷却した後、エチレングリコールを留去し、銀ナノ構造体を得た。

上記で得た発光層形成済み基板に、陰極形成用組成物を塗布し、スピンコート法によって陰極を形成することにより、本発明の電極を含む積層構造体１を得た。

上記で得た積層構造体１を、封止ガラスと２液混合型エポキシ樹脂にて封止することで、発光素子Ｄ１を作製した。

発光素子Ｄ１に順方向電圧を印加し、輝度半減寿命を測定した結果、２．１時間であった。結果を表１に示す。ここで、輝度半減寿命とは、２０００ｃｄ／ｍ^２の輝度から、１０００ｃｄ／ｍ^２に減少するまでの時間を意味する。

＜実施例Ｄ２＞（発光素子Ｄ２の作製）
実施例Ｄ１において、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−２）の代わりに高分子化合物（Ｐｏｌｙ−４）を用いたこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２を作製した。発光素子Ｄ２に順方向電圧を印加し、輝度半減寿命を測定した結果、２．７時間であった。結果を表１に示す。

＜実施例Ｄ３＞（発光素子Ｄ３の作製）
実施例Ｄ１において、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−２）の代わりに高分子化合物（Ｐｏｌｙ−６）を用いたこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ３を作製した。発光素子Ｄ３に順方向電圧を印加し、輝度半減寿命を測定した結果、２．０時間であった。結果を表１に示す。

＜実施例Ｄ４＞（発光素子Ｄ４の作製）
実施例Ｄ１において、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−２）の代わりに高分子化合物（Ｐｏｌｙ−８）を用いたこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ４を作製した。発光素子Ｄ４に順方向電圧を印加し、輝度半減寿命を測定した結果、５．５時間であった。結果を表１に示す。

＜実施例Ｄ５＞（発光素子Ｄ５の作製）
実施例Ｄ１において、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−２）の代わりに高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１０）を用いたこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ５を作製した。発光素子Ｄ５に順方向電圧を印加し、輝度半減寿命を測定した結果、４．８時間であった。結果を表１に示す。

＜実施例Ｄ６＞（発光素子Ｄ６の作製）
実施例Ｄ１において、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−２）の代わりに高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１２）を用いたこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ６を作製した。発光素子Ｄ６に順方向電圧を印加し、輝度半減寿命を測定した結果、４．８時間であった。結果を表１に示す。

＜実施例Ｄ７＞（発光素子Ｄ７の作製）
実施例Ｄ１において、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−２）の代わりに高分子化合物（Ｐｏｌｙ−１４）を用いたこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ７を作製した。発光素子Ｄ７に順方向電圧を印加し、輝度半減寿命を測定した結果、４．８時間であった。結果を表１に示す。

＜比較例ＣＤ１＞（発光素子ＣＤ１の作製）
実施例Ｄ１において、高分子化合物（Ｐｏｌｙ−２）の代わりに高分子化合物（Ｐｏｌｙ−Ｃｏｍｐ２）を用いたこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ１を作製した。発光素子ＣＤ１に順方向電圧を印加し、輝度半減寿命を測定した結果、０．９８時間であった。結果を表１に示す。

Claims (17)

1. 式（１）および式（２）で表される構成単位を含む高分子化合物、または、式（１’）および式（３）で表される構成単位を含む高分子化合物と、
   金属材料および炭素材料からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料を含む、
   電極形成用の組成物。
   

   

   （式（１）および（１’）中、
   ｍ^１およびｎ^１は、それぞれ独立に、１以上の整数である。
   Ａｒ^１は、置換基を有していてもよい（ｎ^１＋２）価の芳香族基または置換基を有していてもよい（ｎ^１＋２）芳香族アミン残基であり、
   Ａｒ ^１’ は、置換基を有していてもよい、フルオレンの環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ ^１ ＋２）個を除いた（ｎ ^１ ＋２）価の芳香族基であり、
   Ｒ^１は、単結合または（ｍ^１＋１）価の有機基であり、
   Ｘ^１は、式：−ＯＭ^１で表される基、式：−ＣＯ₂Ｍ^１で表される基、式：−ＢＲ^３ ₃Ｍ^１で表される基、式：−ＮＲ^３ ₃Ｚ^１で表される基、式：−ＳＯ_３Ｍ^１で表される基、式：−ＳＯ_２Ｍ^１で表される基、式：−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＭ^１）₂で表される基、または、式：−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ^３）₂で表される基である。
   Ｚ^１は、アニオンであり、
   Ｒ^３は、水素原子、置換基を有していてもよいヒドロカルビル基または置換基を有していてもよいヒドロカルビルオキシ基であり、
   Ｍ^１は、金属カチオンまたは式：ＮＲ^３ _４で表される基である。
   Ｒ^１、Ｘ^１、Ｚ^１、Ｒ^３、Ｍ^１およびｍ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   但し、Ｒ^１が単結合の場合、ｍ^１は１である。）
   
   （式（２）中、
   ｍ^２およびｎ^２は、それぞれ独立に、１以上の整数である。
   Ａｒ^２は、置換基を有していてもよい（ｎ^２＋２）価の芳香族基であり、
   Ｒ^２は、（ｍ^２＋１）価の有機基であり、
   Ｘ^２は、窒素原子、硫黄原子およびリン原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の原子を含む１価の有機基である。
   Ｒ^２、Ｘ^２およびｍ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
   
   （式（３）中、
   Ａｒ^３は、置換基を有していてもよい、Ｈ３−５、Ｈ３−６、Ｈ３−７またはＨ３−８で表される芳香族複素環式化合物の環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた２価の芳香族複素環基である。）
   

   
2. 前記Ｘ^１が、式：−ＣＯ₂Ｍ^１で表される基である、請求項１に記載の電極形成用の組成物。
3. 前記Ｍ^１が、アルカリ金属カチオンまたはアルカリ土類金属カチオンである、請求項１または２に記載の電極形成用の組成物。
4. 前記Ｘ^２が、ラクタム構造を有する１価の有機基、または、同一の芳香族複素環が直接結合した構造を有する１価の有機基である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電極形成用の組成物。
5. 前記Ａｒ^１が、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、ベンゼン、ピレンまたはペリレンの環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^１＋２）個を除いた（ｎ^１＋２）価の芳香族基である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電極形成用の組成物。
6. 前記Ａｒ^２が、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、ベンゼン、ピレンまたはペリレンの環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｎ^２＋２）個を除いた（ｎ^２＋２）価の芳香族基である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電極形成用の組成物。
7. 前記式（２）で表される構成単位が、式（５）で表される構成単位である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電極形成用の組成物。
   

   

   （式（５）中、
   ｍ^２およびＲ^２は、前記と同じ意味を表す。
   Ｘ^３は、ラクタム構造を有する１価の有機基、または、同一の芳香族複素環が直接結合した構造を有する１価の有機基であり、複数存在するＸ^３は、互いに同一であっても異なっていてもよい。）
8. 前記Ｒ ^２ が、ヒドロカルビル基を構成する炭素原子に直接結合するｍ ^２ 個の水素原子を取り除いた残りの原子団、ヒドロカルビルオキシ基を構成する炭素原子に直接結合するｍ ^２ 個の水素原子を取り除いた残りの原子団、または、ヒドロカルビルアミノ基を構成する炭素原子に直接結合するｍ ^２ 個の水素原子を取り除いた残りの原子団である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の電極形成用の組成物。
9. 式（６）で表されるイオン性化合物をさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の電極形成用の組成物。
   

   

   （式（６）中、
   ａおよびｂは、それぞれ独立に、１以上の整数である。
   Ｍ^２は、金属カチオンまたは式：ＮＲ^３ _４で表されるアンモニウムカチオンであり、Ｒ^３は、前記と同じ意味を表し、
   Ｚ²は、アニオンであり、
   Ｍ^２およびＺ²が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の電極形成用の組成物を用いて形成された電極。
11. 請求項１０に記載の電極を有する、発光素子または光電変換素子。
12. 式（７）で表される構成単位を含む高分子化合物。
    

    

    （式（７）中、
    ｍ^３は、１以上の整数である。
    Ｒ^４は、（ｍ^３＋１）価の有機基であり、
    Ｘ^４は、ラクタム構造を有する１価の有機基、または、同一の芳香族複素環が直接結合した構造を有する１価の有機基である。
    複数存在するＲ^４、Ｘ^４およびｍ^３は、互いに同一であっても異なっていてもよい。）
13. 前記Ｘ^４がピロリドン構造を有する１価の有機基である、請求項１２に記載の高分子化合物。
14. 前記式（７）で表される構成単位が、式（８）、式（９）または式（１０）で表される構成単位である、請求項１３に記載の高分子化合物。
    

    

    （式（８）中、
    Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立に、２価の有機基であり、複数存在するＲ^５およびＲ^６は、互いに同一でも異なっていてもよい。）
    （式（９）中、
    Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立に、２価の有機基であり、複数存在するＲ^５およびＲ^６は、互いに同一でも異なっていてもよい。）
    （式（１０）中、Ｒ^５は、２価の有機基であり、複数存在するＲ^５は、互いに同一でも異なっていてもよい。）
15. 前記Ｘ^４が、同一の芳香族複素環が直接結合した構造を有する１価の有機基である、請求項１３に記載の高分子化合物。
16. 式（１１）で表される構成単位を含む、請求項１５に記載の高分子化合物。
    

    

    （式（１１）中、Ｒ^５は、２価の有機基であり、複数存在するＲ^５は、互いに同一でも異なっていてもよい。）
17. 式（１２）で表される化合物。
    

    

    （式（１２）中、
    ｍ^４は、１以上の整数である。
    Ｒ^７は、（ｍ^４＋１）価の有機基であり、
    Ｘ^５は、ラクタム構造を有する１価の有機基、または、同一の芳香族複素環が直接結合した構造を有する１価の有機基であり、
    Ｙは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、パラトルエンスルホナート基、トリフルオロメタンスルホナート基、メタンスルホナート基、ホウ酸残基またはホウ酸エステル基である。
    複数存在するＲ^７、Ｘ^５、Ｙおよびｍ^４は、互いに同一でも異なっていてもよい。）