JP2014194017A - 共役高分子化合物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記構造式で表される繰り返し単位を含む共役高分子化合物。
(Ry’は下記構造式で表される基;R**はH、アルキル基又はアリール基)−(R4)c2−(Q2)n4−Y2(M2)a2(Z2)b2(R4は2価の芳香族基;Q2は2価の有機基;Y2は−CO2 -を表し、M2は金属カチオンまたはアンモニウムカチオンを表し、Z2はF-、Cl-、Br-、I-、OH-、RbSO3 -、RbCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -またはPF6 -を表す。
【選択図】なし
Description
本発明の目的は、高輝度で発光する電界発光素子を与えうる、または、高効率の光電変素子を与えうる積層構造体を提供することにある。
(1)
(式中、Ar1は2価の芳香族基を表し、R1は式(2)で表される基を含む置換基を表し、該Ar1はR1以外の置換基を有していてもよい。n1は1以上の整数を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。)
−(R2)c1−(Q1)n2−Y1 (M1)a1(Z1)b1 (2)
(式中、R2は置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表し、Q1は置換基を有していてもよい2価の有機基を表し、Y1はカルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニルカチオンまたはスルホニルカチオンを表し、M1はF-、Cl-、Br-、I-、OH-、RaSO3 -、RaCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -またはPF6 -を表し、Z1は金属イオンまたは置換基を有していてもよいアンモニウムイオンを表し、c1は0または1を表し、n2は0以上の整数を表し、c1が0の際はn2は0を表す。a1は1以上の整数を表し、b1は0以上の整数を表す。a1およびb1は、式(2)で表される置換基の電荷が0となるよう選択される。Raは置換基を有していてもよい炭素数1〜30のアルキル基または置換基を有していてもよい炭素数6〜50のアリール基を表す。Q1が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。M1が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Z1が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。)
(3)
(式中、Ar2は2価の芳香族基を表し、R3は式(4)で表される基を含む置換基を表し、該Ar2はR3以外の置換基を有していてもよい。n3は1以上の整数を表す。R3が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。)
−(R4)c2−(Q2)n4−Y2(M2)a2(Z2)b2 (4)
(式中、R4は置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表し、Q2は置換基を有していてもよい2価の有機基を表し、Y2は、−CO2 -、−SO3 -、−SO2 -、または−PO3 2-を表し、M2は金属カチオンまたは置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンを表し、Z2はF-、Cl-、Br-、I-、OH-、RbSO3 -、RbCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -またはPF6 -を表し、c2は0または1を表し、n4は0以上の整数を表す。ただし、Y2がSO3 -の場合、n4は0である。a2は1以上の整数を表し、b2は0以上の整数を表す。a2およびb2は、式(4)で表される置換基の電荷が0となるよう選択される。Rbは置換基を有していてもよい炭素数1〜30のアルキル基または置換基を有していてもよい炭素数6〜50のアリール基を表す。Q2が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。M2が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Z2が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
(5)
(式中、Ar3は2価の芳香族基を表し、R5は式(6)で表される基を含む置換基を表し、該Ar3はR5以外の置換基を有していてもよい。n5は1以上の整数を表す。R5が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。)
−R6{−(CH2)n6−Y3}m1 (6)
(式中、R6は1価の芳香族基を表し、n6は0以上の整数を表し、m1は1以上の整数を表す。Y3は−CNまたは式(7)〜(14)で表される基を表す。Y3が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。n6が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。式(6)中、ヘテロ原子が4個以上含まれる。
−O−(R’O)a4−R” (7)
−S−(R’S)a3−R” (8)
−C(=O)−(R’−C(=O))a3−R” (9)
−C(=S)−(R’−C(=S))a3−R” (10)
−N(R’)−(N(R’))a3−R” (11)
−C(=O)O−(R’−C(=O)O)a3−R” (12)
−C(=O)−O−(R’O)a3−R” (13)
−NHC(=O)−(R’NHC(=O))a3−R” (14)
(式(7)〜(14)中、R’は置換基を有していてもよい2価の炭化水素基を表し、R’’は水素原子、置換基を有していてもよい1価の炭化水素基、−COOH、−SO3H、−OH、−SH、−NRc 2、−CNまたは−C(=O)NRc 2を表し、a3は0以上の整数を表し、a4は3〜20の整数を表す。Rcは置換基を有していてもよい炭素数1〜30のアルキル基または置換基を有していてもよい炭素数6〜50のアリール基を表す。R’が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。))
(15)
(式中、R7は置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表す。Q3は置換基を有していてもよいアルキレン基または置換基を有していてもよいオキシアルキレン基を表し、Y1はカルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニルカチオンまたはスルホニルカチオンを表し、M1はF-、Cl-、Br-、I-、OH-、RaSO3 -、RaCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -またはPF6 -を表し、Z1は金属イオンまたは置換基を有していてもよいアンモニウムイオンを表し、n2は0以上の整数を表す。a1は1以上の整数を表し、b1は0以上の整数を表す。a1およびb1は、式(15)で表される繰り返し単位の電荷が0となるよう選択される。Raは置換基を有していてもよい炭素数1〜30のアルキル基または置換基を有していてもよい炭素数6〜50のアリール基を表す。複数個あるR7、Y1、M1、a1、b1、n2は同一でも異なっていてもよい。また、Z1が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Q3が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。)
(16)
(式中、R8は置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表す。Q4は置換基を有していてもよいアルキレン基または置換基を有していてもよいオキシアルキレン基を表し、Y2は、−CO2 -、−SO3 -、−SO2 -または−PO3 -を表し、M2は金属カチオンまたは置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンを表し、Z2はF-、Cl-、Br-、I-、OH-、RbSO3 -、RbCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -またはPF6 -を表し、n4は0以上の整数を表す。ただし、Y2がSO3−の場合、n4は0である。a2は1以上の整数を表し、b2は0以上の整数を表す。a2およびb2は、式(16)で表される繰り返し単位の電荷が0となるよう選択される。Rbは置換基を有していてもよい炭素数1〜30のアルキル基または置換基を有していてもよい炭素数6〜50のアリール基を表す。複数個あるR8、Y2、M2、a2、b2、n4は同一でも異なっていてもよい。また、Z2が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Q4が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。)
(17)
(式中、R6は1価の芳香族基を表し、n6は0以上の整数を表し、m1は1以上の整数を表す。Y3は−CNまたは式(7)〜(14)で表される基を表す。複数個あるR6、m1、n6、Y3は、同一でも異なっていてもよい。
−O−(R’O)a4−R” (7)
−S−(R’S)a3−R” (8)
−C(=O)−(R’−C(=O))a3−R” (9)
−C(=S)−(R’−C(=S))a3−R” (10)
−N(R’)−(N(R’))a3−R” (11)
−C(=O)O−(R’−C(=O)O)a3−R” (12)
−C(=O)−O−(R’O)a3−R” (13)
−NHC(=O)−(R’NHC(=O))a3−R” (14)
(式(7)〜(14)中、R’は置換基を有していてもよい2価の炭化水素基を表し、R’’は水素原子、置換基を有していてもよい1価の炭化水素基、−COOH、−SO3H、−OH、−SH、−NRc 2、−CNまたは−C(=O)NRc 2を表し、a3は0以上の整数を表し、a4は3〜20の整数を表す。Rcは置換基を有していてもよい炭素数1〜30のアルキル基または置換基を有していてもよい炭素数6〜50のアリール基を表す。
R’が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。)
式(2)で表される基は、Ar1に直接結合していてもよく、置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボニレン基、アダマンチレン基等の炭素原子数1〜50程度の2価のアルキレン基、置換基を有していてもよいオキシメチレン基、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、オキシブチレン基、オキシペンチレン基、オキシヘキシレン基、オキシノニレン基、オキシドデシレン、シクロプロピレンオキシ基、シクロブチレンオキシ基、シクロペンチレンオキシ基、シクロへキシレンオキシ基、シクロノニレンオキシ基、シクロドデシレンオキシ基、ノルボニレンオキシ基、アダマンチレンオキシ基等の炭素原子数1〜50程度のオキシアルキレン基、置換基を有していてもよいイミノ基、置換基を有していてもよいシリレン基、置換基を有していてもよいエテニレン基またはエチニレン基、置換基を有していてもよいメタントリイル基、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を介してAr1に結合していてもよい。1つの態様として、R1は式(2)で表される基である。
アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、s−ブトキシ基、t−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ラウリルオキシ基等が挙げられる。前記アルコキシ基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。フッ素原子で置換されたアルコキシ基としては、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基等が挙げられる。また、該アルコキシ基には、メトキシメチルオキシ基、2−メトキシエチルオキシ基も含まれる。
アリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、C1〜C12アルコキシフェノキシ基、C1〜C12アルキルフェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられる。アリールオキシ基の中では、C1〜C12アルコキシフェノキシ基及びC1〜C12アルキルフェノキシ基が好ましい。
アリールアルケニル基の具体例としては、フェニル−C2〜C12アルケニル基、C1〜C12アルコキシフェニル−C2〜C12アルケニル基、C1〜C12アルキルフェニル−C2〜C12アルケニル基、1−ナフチル−C2〜C12アルケニル基、2−ナフチル−C2〜C12アルケニル基等が挙げられ、C1〜C12アルコキシフェニル−C2〜C12アルケニル基、C2〜C12アルキルフェニル−C2〜C12アルケニル基が好ましい。
アリールアルキニル基の具体例としては、フェニル−C2〜C12アルキニル基、C1〜C12アルコキシフェニル−C2〜C12アルキニル基、C1〜C12アルキルフェニル−C2〜C12アルキニル基、1−ナフチル−C2〜C12アルキニル基、2−ナフチル−C2〜C12アルキニル基等が挙げられ、C1〜C12アルコキシフェニル−C2〜C12アルキニル基、C1〜C12アルキルフェニル−C2〜C12アルキニル基が好ましい。
−(R2)c1−(Q1)n2−Y1(M1)a1(Z1)b1 (2)
(式中、R2は置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表し、Q1は置換基を有していてもよい2価の有機基を表し、Y1はカルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニルカチオンまたはスルホニルカチオンを表し、M1はF-、Cl-、Br-、I-、OH-、RaSO3 -、RaCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -またはPF6 -を表し、Z1は金属イオンまたは置換基を有していてもよいアンモニウムイオンを表し、c1は0または1を表し、n2は0以上の整数を表す。ただし、c1が0の場合、n2は0である。a1は1以上の整数を表し、b1は0以上の整数を表す。a1およびb1は、式(2)で表される置換基の電荷が0となるよう選択される。Raは置換基を有していてもよい炭素数1〜30のアルキル基または置換基を有していてもよい炭素数6〜50のアリール基を表す。)
カルボカチオンとしては、例えば、
(ここにRは、同一又は相異なり、アルキル基、アリール基を表す。)
で表される基があげられる。
アンモニウムカチオンとしては、例えば、
(ここにRは、同一又は相異なり、アルキル基、アリール基を表す。)
で表される基があげられる。
ホスホニルカチオンとしては、例えば、
(ここにRは、同一又は相異なり、アルキル基、アリール基を表す。)
で表される基があげられる。
スルホニルカチオンとしては、例えば、
(ここにRは、同一又は相異なり、アルキル基、アリール基を表す。)
で表される基があげられる。
式(2)中、Y1は、原料モノマーの合成の容易さおよび原料モノマーおよび共役高分子化合物の空気、湿気または熱に対する安定性の観点からは、アンモニウムカチオンが好ましい。
置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。Raの具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基等の炭素数1〜20のアルキル基、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントラセニル基、2−アントラセニル基、9−アントラセニル基等の炭素数6〜30のアリール基が挙げられる。
(式中、Ryは式(2)で表される基を含む置換基を表し、R*は、Ry、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。)
で表される繰り返し単位が、より好ましい。
(15)
(式中、R7は置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表し、Q3は置換基を有していてもよいアルキレン基または置換基を有していてもよいオキシアルキレン基を表し、n2、Y1、M1、Z1、a1およびb1は前述と同じ意味を表す。複数個あるn2、R7、Y1、M1、a1およびb1は同一でも異なっていてもよい。また、Q3が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Z1が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
(18)
(式中、R7、n2、Y1、M1、Z1、a1およびb1は前述と同じ意味を表す。)
(式中、Ry'は式(4)で表される基を含む置換基を表し、R**は、Ry'、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。)
で表される繰り返し単位が、より好ましい。
(16)
(式中、R8は置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表し、Q4は置換基を有していてもよいアルキレン基または置換基を有していてもよいオキシアルキレン基を表し、n4、Y2、M2、Z2、a2およびb2は前述と同じ意味を表す。複数個あるn4、R8、Y2、M2、a2およびb2は同一でも異なっていてもよい。また、Q4が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Z2が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。)
(19)
(式中、R8、n4、Y2、M2、Z2、a2およびb2は前述と同じ意味を表す。)
Ar3で表される2価の芳香族基としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、式1〜15、式27〜30、式38〜40又は式42で表される環から水素原子を2個除いた基が好ましく、式1〜6、式8、式14、式27、式28、式38又は式42で表される環から水素原子を2個除いた基がより好ましく、式1、式38又は式42で表される環から水素原子を2個除いた基がさらに好ましい。
−R6{−(CH2)n6−Y3}m1 (6)
(式中、R6は1価の芳香族基を表し、n6は0以上の整数を表し、m1は1以上の整数を表す。Y3は−CNまたは式(7)〜(14)で表される基を表す。Y3が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。n6が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。式(6)中、ヘテロ原子が4個以上含まれる。
−O−(R’O)a4−R” (7)
−S−(R’S)a3−R” (8)
−C(=O)−(R’−C(=O))a3−R” (9)
−C(=S)−(R’−C(=S))a3−R” (10)
−N(R’)−(N(R’))a3−R” (11)
−C(=O)O−(R’−C(=O)O)a3−R” (12)
−C(=O)−O−(R’O)a3−R” (13)
−NHC(=O)−(R’NHC(=O))a3−R” (14)
(式(7)〜(14)中、R’は置換基を有していてもよい2価の炭化水素基を表し、R’’は水素原子、置換基を有していてもよい1価の炭化水素基、−COOH、−SO3H、−OH、−SH、−NRc 2、−CNまたは−C(=O)NRc 2を表し、a3は0以上の整数を表し、a4は3〜20の整数を表す。Rcは置換基を有していてもよい炭素数1〜30のアルキル基または置換基を有していてもよい炭素数6〜50のアリール基を表す。
R’が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。)1つの態様として、R6は式(6)で表される基である。
該置換基の具体例としては、前述のAr1が有していてもよいR1以外の置換基と同様の置換基が挙げられる。該置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
R’は置換基を有していてもよく、該置換基としては、前述のAr1が有していてもよいR1以外の置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
(式中、Ry''は式(6)で表される基を含む置換基を表し、R***は、Ry''、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。)
で表される繰り返し単位がより好ましい。
(17)
(式中、n6、m1、R6、Y3は前述と同じ意味を表す。複数個あるn6、m1、R6およびY3は、同一でも異なっていてもよい。)
(20)
(式中、Ar4は置換基を有していてもよい2価の芳香族基または置換基を有していてもよい2価の芳香族アミン残基を表す。Xは置換基を有していてもよいイミノ基、置換基を有していてもよいシリレン基、置換基を有していてもよいエテニレン基またはエチニレン基を表し、m2およびm3は、それぞれ独立に0または1を表し、m2およびm3の少なくとも1つは1である。)
(21)
式中、Ar8、Ar9、Ar10及びAr11は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基または置換基を有していてもよい2価の複素環基を表し、Ar12、Ar13及びAr14は置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい1価の複素環基を表し、n12及びm4は、それぞれ独立に、0または1を表す。
(22)
(式中、Ar5は、置換基を有していてもよいピリジンジイル基、置換基を有していてもよいピラジンジイル基、置換基を有していてもよいピリミジンジイル基、置換基を有していてもよいピリダジンジイル基または置換基を有していてもよいトリアジンジイル基を表す。)
(30)
(式中、Rxはアルカリ金属を表し、RYはアルキル基またはアルコキシ基を表す。)
Y4−Aa−Y5 (23)
(式中Y4及びY5は、それぞれ独立に、縮合重合に関与する基を示す。)
Y9−Ab−Y10 (24)
(式中、Abは前記一般式(20)で表される繰り返し単位または一般式(22)で表される繰り返し単位であり、Y9及びY10は、それぞれ独立に、縮合重合に関与する基を示す。)
さらに、前記縮合重合に関与する基として選択され得るスルホニウムメチル基としては、下記式:
−CH2S+Me2E-、または、−CH2S+Ph2E-
(Eはハロゲン原子を示し、Phはフェニル基を示す。)
で表される基が例示される。
−CH2P+Ph3E-
(Eはハロゲン原子を示す。)
で表される基が例示される。
−CH2PO(OR’)2
(R’はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基を示す。)
で表される基が例示される。
<積層構造体>
本発明の積層構造体は、第1の電極および第2の電極と、該第1の電極と該第2の電極との間に発光層もしくは電荷分離層を有し、該発光層もしくは電荷分離層と該第1の電極との間に共役高分子化合物を含む層を有し、該共役高分子化合物が式(1)で表される繰り返し単位、式(3)で表される繰り返し単位および式(5)で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる1種以上の繰り返し単位を有する。
本発明の積層構造体を用いた電界発光素子は、陰極、陽極、及び前記陰極と陽極との間に発光層を有する。本発明の電界発光素子は、通常任意の構成要素として基板をさらに有することができ、かかる基板の面上に前記陰極、陽極、発光層および本発明の共役高分子化合物を含む層、並びに必要に応じてその他の任意の構成要素を設けた構成とすることができる。
例えば、陽極と発光層との間には正孔注入層、インターレイヤー、正孔輸送層のうちの1層以上を有することができる。正孔注入層が存在する場合は、発光層と正孔注入層との間にインターレイヤー、正孔輸送層のうちの1層以上を有することができる。
一方、陰極と有機発光層との間には電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層のうちの1層以上を有することができる。電子注入層が存在する場合は、有機発光層と電子注入層との間に電子輸送層、正孔ブロック層のうちの1層以上を有することができる。
本発明に用いられる共役高分子化合物を含む層は、正孔注入層、正孔輸送層、インターレイヤー、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等に用いることができる。共役高分子化合物を含む層を正孔注入層、正孔輸送層、インターレイヤーとして用いる場合、第1の電極は陽極となり、第2の電極は陰極となる。共役高分子化合物を含む層を電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層として用いる場合、第1の電極は陰極となり、第2の電極は陽極となる。
発光層とは、電界を印加した際に、陽極側に隣接する層より正孔を受け取り、陰極側に隣接する層より電子を受け取る機能、受け取った電荷(電子と正孔)を電界の力で移動させる機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能を有する層をいう。
電子注入層及び電子輸送層とは、陰極から電子を受け取る機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有する層をいう。また、正孔ブロック層とは、主に陽極から注入された正孔を障壁する機能を有し、さらに必要に応じて陰極から電子を受け取る機能、電子を輸送する機能のいずれかを有する層をいう。
正孔注入層及び正孔輸送層とは、陽極から正孔を受け取る機能、正孔を輸送する機能、発光層へ正孔を供給する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有する層をいう。また、インターレイヤー層とは、陽極から正孔を受け取る機能、正孔を輸送する機能、発光層へ正孔を供給する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能の少なくとも1つ以上を有し、通常、発光層に隣接して配置され、発光層と陽極、または発光層と正孔注入層若しくは正孔輸送層とを隔離する役割をもつ。
なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。また、電子注入層と正孔注入層を総称して電荷注入層と呼ぶ。
「(正孔輸送層及び/またはインターレイヤー)」は、正孔輸送層のみからなる層、インターレイヤーのみからなる層、正孔輸送層−インターレイヤーの層構成、インターレイヤー−正孔輸送層の層構成、またはその他の、正孔輸送層及びインターレイヤーをそれぞれ1層以上含む任意の層構成を示す。
「(正孔ブロック層及び/または電子輸送層)」は、正孔ブロック層のみからなる層、電子輸送層のみからなる層、正孔ブロック層−電子輸送層の層構成、電子輸送層−正孔ブロック層の層構成、またはその他の、正孔ブロック層及び電子輸送層をそれぞれ1層以上含む任意の層構成を示す。以下の層構成の説明においても同様である。
ここで、「繰返し単位A」は、電極−正孔注入層−(正孔輸送層及び/またはインターレイヤー)−発光層−(正孔ブロック層及び/または電子輸送層)−電子注入層の層構成の単位を示す。
下記層構成において、本発明に用いられる共役高分子化合物を含む層は、正孔注入層、正孔輸送層、インターレイヤー、電子注入層、電子輸送層および正孔ブロック層からなる群から選ばれる1つ以上の層として用いることができる。
(d)陽極−正孔輸送層−発光層−陰極
(e)陽極−発光層−電子輸送層−陰極
(f)陽極−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−陰極
(d’)陽極−インターレイヤー層−発光層−陰極
(e’)陽極−正孔輸送層−インターレイヤー層−発光層−陰極
(f’)陽極−インターレイヤー層−発光層−電子輸送層−陰極
(g’)陽極−正孔輸送層−インターレイヤー層−発光層−電子輸送層−陰極
(h)陽極−電荷注入層−発光層−陰極
(i)陽極−発光層−電荷注入層−陰極
(j)陽極−電荷注入層−発光層−電荷注入層−陰極
(k)陽極−電荷注入層−正孔輸送層−発光層−陰極
(l)陽極−正孔輸送層−発光層−電荷注入層−陰極
(m)陽極−電荷注入層−正孔輸送層−発光層−電荷注入層−陰極
(n)陽極−電荷注入層−発光層−電子輸送層−陰極
(o)陽極−発光層−電子輸送層−電荷注入層−陰極
(p)陽極−電荷注入層−発光層−電子輸送層−電荷注入層−陰極
(q)陽極−電荷注入層−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−陰極
(r)陽極−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−電荷注入層−陰極
(s)陽極−電荷注入層−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−電荷注入層−陰極
また(d’)〜(g’)に類似して、これら構造の各一について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造も例示される。なおこの場合、インターレイヤー層が正孔注入層及び/または正孔輸送層を兼ねてもよい。
本発明の電界発光素子を構成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、金属フィルム、シリコン基板、これらを積層したものなどが用いられる。前記基板としては、市販のものが入手可能であり、または公知の方法により製造することができる。
本発明の電界発光素子がディスプレイ装置の画素を構成する際には、当該基板上に画素駆動用の回路が設けられていてもよいし、当該駆動回路上に平坦化膜が設けられていてもよい。平坦化膜が設けられる場合には、該平坦化膜の中心線平均粗さ(Ra)がRa<10nmを満たすことが好ましい。
Raは、日本工業規格JISのJIS−B0601−2001に基いて、JIS−B0651からJIS−B0656およびJIS−B0671−1等を参考に計測できる。
本発明の電界発光素子を構成する陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、インターレイヤー、発光層等で用いられる有機半導体材料への正孔供給性の観点から、かかる陽極の発光層側表面の仕事関数が4.0eV以上であることが好ましい。
陽極の材料には、金属、合金、金属酸化物、金属硫化物などの電気伝導性化合物、またはこれらの混合物等を用いる事ができる。陽極の材料の例としては、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化モリブデン等の導電性金属酸化物、または、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの導電性金属酸化物と金属との混合物等が挙げられる。
前記陽極は、これら材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。多層構造である場合は、仕事関数が4.0eV以上である材料を発光層側の最表面層に用いることがより好ましい。
また、短絡等の電気的接続の不良を防止する観点から、陽極の発光層側表面の中心線平均粗さ(Ra)はRa<10nmを満たす事が望ましく、より好ましくはRa<5nmである。
このような陽極の具体的な構成例としては、
(i) Ag−MoO3
(ii)(Ag-Pd-Cu合金)−(ITO及び/またはIZO)
(iii)(Al-Nd合金)−(ITO及び/またはIZO)
(iV)(Mo-Cr合金)−(ITO及び/またはIZO)
(V) (Ag-Pd-Cu合金)−(ITO及び/またはIZO)−MoO3
などが例示される。十分な光反射率を得る為に、Al、Ag、Al合金、Ag合金、Cr合金などの高光反射性金属層の膜厚は50nm以上である事が好ましく、より好ましくは80nm以上である。ITO、IZO、MoO3などの高仕事関数材料層の膜厚は通常、5nm〜500nmの範囲である。
本発明の電界発光素子において、本発明に用いられる共役高分子化合物以外の正孔注入層を形成する材料としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、スターバースト型アミン、フタロシアニン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール) 誘導体、有機シラン誘導体、およびこれらを含む重合体が挙げられる。また、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の導電性金属酸化物、ポリアニリン、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子およびオリゴマー、ポリ(3、4−エチレンジオキシチオフェン)・ポリスチレンスルフォン酸、ポリピロール等の有機導電性材料およびこれらを含む重合体、アモルファスカーボンを挙げることができる。さらに、テトラシアノキノジメタン誘導体(例えば2,3,5,6-テトラフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン)、1,4-ナフトキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ポリニトロ化合物、などのアクセプター性有機化合物、オクタデシルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤等も好適に使用できる。
前記材料は単一の成分で用いても複数の成分からなる組成物として用いてもよい。また、前記正孔注入層は、前記材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、正孔輸送層あるいはインターレイヤーで用いることができる材料として列記する材料も正孔注入層で用いることができる。
この場合には、下層を溶媒不溶にする方法を用いることができる。溶媒不溶にする方法としては、高分子化合物に架橋基を付け、架橋させて不溶化する方法、芳香族ビスアジドに代表される芳香環を有する架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合し、架橋させて不溶化する方法、アクリレート基に代表される芳香環を有しない架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合し、架橋させて不溶化する方法、下層を紫外光に感光させて架橋させ、上層の製造に用いる有機溶媒に対して不溶化する方法、下層を加熱して架橋させ、上層の製造に用いる有機溶媒に対して不溶化する方法などが挙げられる。下層を加熱する場合の加熱の温度は通常100℃〜300℃程度であり、時間は通常1分〜1時間程度である。
また、架橋以外で下層を溶解させずに積層するその他の方法として、隣り合った層の製造に異なる極性の溶液を用いる方法があり、たとえば、下層に水溶性の高分子化合物を用い、上層に油溶性の高分子化合物を用いて、塗布しても下層が溶解しないようにする方法などがある。
本発明の電界発光素子において、本発明に用いられる共役高分子化合物以外の正孔輸送層およびインターレイヤーを構成する材料としては、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール) 誘導体、有機シラン誘導体、およびこれらの構造を含む重合体が挙げられる。また、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子およびオリゴマー、ポリピロール等の有機導電性材料も挙げることができる。
前記材料は単成分であってもあるいは複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記正孔輸送層およびインターレイヤーは、前記材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、正孔注入層で用いることができる材料として列記する材料も正孔輸送層で用いることができる。
正孔輸送層およびインターレイヤーの成膜方法としては、正孔注入層の成膜と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、前記したスピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法および印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法などが挙げられる。溶液からの成膜に用いる溶媒の例としては、正孔注入層の成膜方法で列記した溶媒が挙げられる。
本発明の電界発光素子において、発光層が高分子化合物を含む場合、高分子化合物材料としては、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール、ポリアルキルチオフェン等の共役高分子化合物を好適に用いることができる。
また、これら高分子材料を含む発光層は、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系色素化合物や、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子色素化合物を含有してもよい。また、ナフタレン誘導体、アントラセン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン若しくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエン若しくはその誘導体、トリス(2-フェニルピリジン)イリジウムなどの燐光を発光する金属錯体を含有してもよい。
発光層が燐光を発光する金属錯体を含む場合、該金属錯体としては、トリス(2-フェニルピリジン)イリジウム、チエニルピリジン配位子含有イリジウム錯体、フェニルキノリン配位子含有イリジウム錯体、トリアザシクロノナン骨格含有テルビウム錯体等が挙げられる。
また、低分子化合物の具体例としては、例えば、特開昭57−51781、「有機薄膜仕事関数データ集[第2版]」(シーエムシー出版、2006年発行)、「有機EL素子の開発と構成材料」(シーエムシー出版、2006年発行)等に記載されている化合物が例示される。
前記材料は単成分であってもあるいは複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記発光層は、前記材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
溶液からの成膜に用いる溶媒の例としては、正孔注入層の成膜方法で列記した溶媒が挙げられる。
本発明の電界発光素子において、本発明に用いられる共役高分子化合物以外の電子輸送層および正孔ブロック層を構成する材料としては、公知のものが使用でき、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などが挙げられる。これらのうち、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、または8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましい。
前記材料は単成分であってもあるいは複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記電子輸送層および正孔ブロック層は、前記材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、電子注入層で用いることができる材料として列記する材料も電子輸送層および正孔ブロック層で用いることができる。
溶液からの成膜に用いる溶媒の例としては、正孔注入層の成膜方法で列記した溶媒が挙げられる。
本発明の電界発光素子において、本発明に用いられる共役高分子化合物以外の電子注入層を構成する材料としては、公知のものが使用でき、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体などが挙げられる。
前記材料は単成分であってもあるいは複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記電子注入層は、前記材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、電子輸送層および正孔ブロック層で用いることができる材料として列記する材料も電子注入層で用いることができる。
溶液からの成膜に用いる溶媒の例としては、正孔注入層の成膜方法で列記した溶媒が挙げられる。
本発明の電界発光素子において、陰極は、発光層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子注入層などに隣接して、これらの層へ電子を供給する機能を有するものである。該陰極は、単一の材料または複数の材料からなる単層構造であってもよいし、複数層からなる多層構造であってもよい。多層構造である場合、第1陰極層とカバー陰極層の2層構造もしくは第1陰極層、第2陰極層およびカバー陰極層の3層構造が好ましい。ここで、第1陰極層は、陰極の中で最も発光層側にある層をいい、カバー陰極層は2層構造の場合は第1陰極層を、3層構造の場合は第1陰極層と第2陰極層を覆う層をいう。電子供給能の観点からは、第1陰極層の材料の仕事関数が3.5eV以下であることが好ましい。また、仕事関数が3.5eV以下の金属の酸化物、フッ化物、炭酸化物、複合酸化物なども第1陰極層材料として好適に用いられる。カバー陰極層の材料には、抵抗率が低く、水分への耐腐食性が高い金属、金属酸化物などが好適に用いられる。
第1陰極層材料の具体例としては、アルカリ金属やアルカリ土類金属、前記金属を1種類以上含む合金、前記金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、複合酸化物、及びこれらの混合物からなる群より選択される1つ以上の材料などが挙げられる。アルカリ金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、複合酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化ルビジウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウム、モリブデン酸カリウム、チタン酸カリウム、タングステン酸カリウム、モリブデン酸セシウム等が挙げられる。アルカリ土類金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、複合酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、炭酸化バリウム、モリブデン酸バリウム、タングステン酸バリウム等が挙げられる。アルカリ金属またはアルカリ土類金属を1種類以上含む合金の例としては、Li-Al合金、Mg-Ag合金、Al-Ba合金、Mg-Ba合金、Ba-Ag合金、Ca-Bi-Pb-Sn合金、等が挙げられる。また、第1陰極層材料として列記した材料と電子注入層を構成する材料として列記した材料との組成物も第1陰極層に使用できる。第2陰極層の材料としては、第1陰極層の材料と同様の材料が例示される。
カバー陰極層材料の具体例としては、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、スズ、鉛、ニッケル、チタン、等の低抵抗金属及びこれらを含む合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化モリブデン等の導電性金属酸化物、さらにこれらの導電性金属酸化物と金属との混合物等が挙げられる。
また、陰極側からの光透過率を向上させる事を目的として、陰極のカバー陰極層上に反射防止層を設ける事もできる。反射防止層に用いられる材料としては、屈折率が1.8 〜3.0程度であることが好ましく、例えば、ZnS, ZnSe, WO3などが挙げられる。反射防止層の膜厚は材料の組み合せによって異なるが、通常10nm〜150nmの範囲である。例えば、陰極として、第1陰極層としてBaを5nm、第2陰極層としてAlを1nm、カバー陰極層としてAgを15nm積層させた場合、カバー陰極層に接して反射防止層としてWO3を21nm積層させると、発光層側からの光透過率は10%程度向上する。
本発明の電界発光素子が任意に有しうる膜厚5nm以下の絶縁層は、電極との密着性向上、電極からの電荷(即ち正孔または電子)注入改善、隣接層との混合防止などの機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料(ポリメチルメタクリレートなど)等が挙げられる。膜厚5nm以下の絶縁層を設けた電界発光素子としては、陰極に隣接して膜厚5nm以下の絶縁層を設けたもの、陽極に隣接して膜厚5nm以下の絶縁層を設けたものが挙げられる。
次に、本発明の積層構造体を用いて製造することができる光電変換素子について説明する。
2,7−ジブロモ−9,9−ビス(4−へキシルオキシ−3−エトキシカルボニルフェニル)−フルオレン(BSAFBr2)の合成
2,7−ジブロモ−9−フルオレノン(20.3g)、サリチル酸エチル(59.8g)、メルカプト酢酸(0.55g)を300mLフラスコに入れ、窒素置換した。メタンスルホン酸(250mL)を添加し、混合物を75℃で終夜撹拌した。混合物を放冷し、氷水に添加して1時間撹拌した。生じた固体をろ別し、温アセトニトリルで洗浄した。混合物をアセトンから再結晶することで、固体を得た。この固体(3.3g)、1−ブロモヘキサン(2.5g)、炭酸カリウム(3.5g)、18−クラウン−6(0.4g)をN、N−ジメチルホルムアミド(DMF)(35 mL)に溶解させ、溶液をフラスコへ移して105℃で終夜撹拌した。混合物を室温まで放冷し、氷水へ加え、1時間撹拌した。
生じた固体を回収し、エタノールより再結晶することで、2,7−ジブロモ−9,9−ビス(4−へキシルオキシ−3−エトキシカルボニルフェニル)−フルオレン(BSAFBr2)を得た。
BSAFBr2
ポリ(9,9−ビス(4−へキシルオキシ−3−エトキシカルボニルフェニル)−フルオレン)(BSAFP)の合成
BSAFBr2(2.0g)を200mLフラスコに入れ、窒素置換した。脱水テトラヒドロフラン(75mL)をシリンジにより添加し、混合物を55℃に昇温した。そこに、2,2’−ビピリジン(0.68g)、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(1.2g)を添加し、55℃で5時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶液をメタノール(200mL)、水(200mL)、15%アンモニア水(50mL)の混合液に滴下した。生じた沈殿物をろ過により収集し、減圧乾燥をした後、トルエンに再溶解させた。溶液をセライトを用いてろ過した後、ろ液をアルミナカラムに通液し、カラム処理液を減圧濃縮した。濃縮した溶液にメタノールを滴下し、生じた沈殿物をろ過により収集したのち減圧乾燥することで、式(A)で表される繰返し単位からなる白色のBSAFP(752mg)を得た。BSAFPの数平均分子量(Mn)は398000であり、重量平均分子量(Mw)は729000であり、分散(Mw/Mn)は1.83であった。
(A)
BSAFPリチウム塩(BSAFLi)の合成
BSAFP(160mg)を100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン(20mL)、エタノール(20mL)を添加し、混合物を55℃に昇温した。そこに、水酸化リチウム(100mg)を水(2mL)に溶かした水溶液を添加し、55℃で1時間撹拌した。反応系中に固体が析出した後、さらにメタノール(40mL)を添加してさらに2時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体(150mg)を得た。NMRスペクトルにより、BSAFP内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られたBSAFPのリチウム塩を共役高分子化合物1とよぶ。共役高分子化合物1は式(B)で表される繰返し単位からなる。共役高分子化合物1のHOMOの軌道エネルギーは−5.78eV、LUMOの軌道エネルギーは−3.14eVであった。
(B)
BSAFPナトリウム塩(BSAFNa)の合成
BSAFP(200mg)を100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン(20mL)、エタノール(20mL)を添加し、混合物を55℃に昇温した。そこに、水酸化ナトリウム(200mg)を水(2mL)に溶かした水溶液を添加し、55℃で3時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体(180mg)を得た。NMRスペクトルにより、BSAFP内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られたBSAFPのナトリウム塩を共役高分子化合物2とよぶ。共役高分子化合物2は式(C)で表される繰返し単位からなる。共役高分子化合物2のHOMOの軌道エネルギーは−5.67eV、LUMOの軌道エネルギーは−3.04eVであった。
(C)
BSAFPカリウム塩(BSAFK)の合成
BSAFP(150mg)を100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン(20mL)、エタノール(20mL)を添加し、混合物を55℃に昇温した。そこに、水酸化カリウム(200mg)を水(2mL)に溶かした水溶液を添加し、55℃で3時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体(130mg)を得た。NMRスペクトルにより、BSAFP内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られたBSAFPのカリウム塩を共役高分子化合物3とよぶ。共役高分子化合物3は式(D)で表される繰返し単位からなる。共役高分子化合物3のHOMOの軌道エネルギーは−5.65eV、LUMOの軌道エネルギーは−3.02eVであった。
(D)
BSAFPセシウム塩(BSAFCs)の合成
BSAFP(100mg)を100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン(20mL)、エタノール(20mL)を添加し、混合物を55℃に昇温した。そこに、水酸化セシウム(200mg)を水(2mL)に溶かした水溶液を添加し、55℃で3時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体(90mg)を得た。NMRスペクトルにより、BSAFP内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られたBSAFPのセシウム塩を共役高分子化合物4とよぶ。共役高分子化合物4は式(E)で表される繰返し単位からなる。共役高分子化合物4のHOMOの軌道エネルギーは−5.65eV、LUMOの軌道エネルギーは−3.11eVであった。
(E)
BSAFPテトラメチルアンモニウム塩(BSAFNMe4)の合成
BSAFP(100mg)を100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン(20mL)、エタノール(20mL)を添加し、混合物を55℃に昇温した。そこに、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(27.3mg)を水(2mL)に溶かした水溶液を添加し、55℃で3時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体(90mg)を得た。NMRスペクトルにより、BSAFP内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失し、代わりにテトラメチルアンモニウムイオンのシグナルが現れていることを確認した。得られたBSAFPのアンモニウム塩を共役高分子化合物5とよぶ。共役高分子化合物5は式(F)で表される繰返し単位からなる。共役高分子化合物5のHOMOの軌道エネルギーは−5.75eV、LUMOの軌道エネルギーは−2.89eVであった。
(F)
エチレングリコール鎖含有BSAFP(BSAF−EG)の合成
BSAFP(100mg)を100mLフラスコに入れ、窒素置換した。トリエチレングリコールモノメチルエーテル(20mL)、トリエチレングリコールジメチルエーテル(20mL)、濃硫酸(1mL)を添加し、混合物を150℃に昇温2日間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、水(100mL)、メタノール(100mL)の混合液に滴下した。生じた沈殿物をろ過により収集し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体(90mg)を得た。NMRスペクトルにより、BSAFP内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失し、代わりにトリエチレングリコールメチルエステルのシグナルが現れていることを確認した。得られたエチレングリコール鎖含有BSAFPを共役高分子化合物6とよぶ。共役高分子化合物6は式(G)で表される繰返し単位からなる。共役高分子化合物6のHOMOの軌道エネルギーは−5.84eV、LUMOの軌道エネルギーは−3.18eVであった。
(G)
2,7−ビス(4,4,5,5−テトラメチル-1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9,9−ビス(4−へキシルオキシ−3−エトキシカルボニルフェニル)−フルオレン(BSAFBE)の合成
窒素雰囲気下、BSAFBr2(100g)、ビス(ピナコラート)ジボロン(68.08g)、[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)ジクロロメタン錯体(5.97g)、1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン(4.05g)、酢酸カリウム(71.75g)、ジオキサン(1300mL)を混合し、110℃に加熱し、10時間加熱還流した。放冷後、反応溶液をろ過し、ろ液を減圧濃縮した。反応混合物をトルエンに溶解させ、アセトニトリルに加えて再沈殿をし、生じた沈殿物を回収した。沈殿物をトルエンに溶解させ、溶液に活性炭を加えて攪拌した後ろ過を行い、ろ液を減圧濃縮した。さらに、アセトニトリルおよび水を加えて攪拌後ろ過を行い、ろ別した固体をトルエンに溶解させてアセトニトリルより再沈殿を行うことで、2,7−ビス(4,4,5,5−テトラメチル-1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9,9−ビス(4−へキシルオキシ−3−エトキシカルボニルフェニル)−フルオレン(BSAFBE)(78.6g)を得た。
BSAFBE
フェニル基共重合体(重合体A(BSAF−Ph))の合成
不活性雰囲気下、1,4-ジブロモベンゼン(0.21g)、BSAFBE(0.80g)、トリフェニルホスフィンパラジウム(0.01g)、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド(アルドリッチ製、商品名Aliquat336(登録商標))(0.20g)、トルエン(10mL)を混合し、105℃に加熱した。この反応溶液に2M 炭酸ナトリウム(Na2CO3)水溶液(5mL)を滴下し、10時間還流させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、メタノール120ml中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。この溶液をメタノール120ml、水50mLの混合溶媒中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。この溶液をアセトン120mlに滴下して30分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して20時間減圧乾燥させた。得られたフェニル基共重合体(重合体A(BSAF−Ph))の収量は400mgであった。
重合体A(BSAF−Ph)のポリスチレン換算の数平均分子量は、1.2×104であった。仕込みから推定されるBSAF−Phに含まれる繰り返し単位は、式(H)で表される繰り返し単位である。
(H)
重合体A(BSAF-Ph)のセシウム塩(BSAFCs-Ph)の合成
重合体A(BSAF-Ph)(200mg)を100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン(20mL)、エタノール(5mL)を添加し、混合物を55℃に昇温した。そこに、水酸化セシウム(200mg)を水(1mL)に溶かした水溶液を添加し、55℃で3時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体(190mg)を得た。NMRスペクトルにより、重合体A(BSAF−Ph)のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体A(BSAF-Ph)のセシウム塩を共役高分子化合物7とよぶ。共役高分子化合物7は式(I)で表される繰り返し単位からなる。共役高分子化合物7のHOMOの軌道エネルギーは−5.78eV、LUMOの軌道エネルギーは−3.19eVであった。
(I)
ピラジン共重合体(9:1)(重合体B(BSAF-pyrazine(9:1)))の合成
不活性雰囲気下、BSAFBr2(0.35g)、BSAFBE(0.5g)、2,5−ジブロモピラジン(0.03g)トリフェニルホスフィンパラジウム(0.002g)、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド(アルドリッチ製、商品名Aliquat336(登録商標))(0.20g)、トルエン(10mL)を混合し、105℃に加熱した。この反応溶液に2M Na2CO3水溶液(5mL)を滴下し、5時間還流させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、メタノール120ml中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。この溶液をメタノール120ml、水50mLの混合溶媒中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。この溶液をアセトン120mlに滴下して30分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して20時間減圧乾燥させた。ピラジン共重合体(9:1)(重合体B(BSAF-pyrazine(9:1)))の収量は550mgであった。
重合体B(BSAF-pyrazine(9:1))のポリスチレン換算の数平均分子量は、4.5×104であった。重合体B(BSAF-pyrazine(9:1))は式(J)で表される。式(J)中、m:nは繰り返し単位のモル比を表す。
(J)
重合体B(BSAF-pyrazine(9:1))のナトリウム塩(BSAFNa-pyrazine(9:1))の合成
重合体B(BSAF-pyrazine(9:1))(200mg)を100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン(20mL)、エタノール(5mL)を添加し、混合物を55℃に昇温した。そこに、水酸化ナトリウム(120mg)を水(1mL)に溶かした水溶液を添加し、55℃で3時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体(120mg)を得た。NMRスペクトルにより、重合体B(BSAF-pyrazine(9:1))のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体B(BSAF-pyrazine(9:1))のナトリウム塩を共役高分子化合物8とよぶ。共役高分子化合物8は式(K)で表される。式(K)中、m:nは繰り返し単位のモル比を表す。共役高分子化合物8のHOMOの軌道エネルギーは−5.65eV、LUMOの軌道エネルギーは−3.14eVであった。
(K)
ピラジン共重合体(99:1)(重合体C(BSAF-pyrazine(99:1)))の合成
不活性雰囲気下、BSAFBr2(0.43g)、BSAFBE(0.5g)、2,5−ジブロモピラジン(0.003g)トリフェニルホスフィンパラジウム(0.002g)、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド(アルドリッチ製、商品名Aliquat336(登録商標))(0.20g)、トルエン(10mL)を混合し、105℃に加熱した。この反応溶液に2M Na2CO3水溶液(5mL)を滴下し、5時間還流させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、メタノール120ml中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。この溶液をメタノール120ml、水50mLの混合溶媒中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。この溶液をアセトン120mlに滴下して30分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して20時間減圧乾燥させた。ピラジン共重合体(99:1)(重合体C(BSAF-pyrazine(99:1)))の収量は530mgであった。
重合体C(BSAF-pyrazine(99:1))のポリスチレン換算の数平均分子量は、6.8×104であった。重合体C(BSAF-pyrazine(99:1))は式(L)で表される。式(L)中、m:nは繰り返し単位のモル比を表す。
(L)
重合体C(BSAF-pyrazine(99:1))のナトリウム塩(BSAFNa-pyrazine(99:1))の合成
重合体C(BSAF-pyrazine(99:1))(200mg)を100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン(20mL)、エタノール(5mL)を添加し、混合物を55℃に昇温した。そこに、水酸化ナトリウム(120mg)を水(1mL)に溶かした水溶液を添加し、55℃で3時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体(150mg)を得た。NMRスペクトルにより、重合体C(BSAF-pyrazine(99:1))のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体C(BSAF-pyrazine(99:1))のナトリウム塩を共役高分子化合物9とよぶ。共役高分子化合物9は式(M)で表される。式(M)中、m:nは繰り返し単位のモル比を表す。共役高分子化合物9のHOMOの軌道エネルギーは−5.58eV、LUMOの軌道エネルギーは−2.99eVであった。
(M)
N,N−ビス(4−ブロモフェニル)−N’,N'−ビス(4−ブチルフェニル)−1,4−フェニレンジアミン(芳香族アミンA)の合成
不活性雰囲気下、300mL三つ口フラスコにトリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム0.24g(0.27mmol)、ジフェニルホスフィノフェロセン0.22g(0.4mmol)、ナトリウムターシャルブトキシド2.56g(26.7mmol)、およびトルエン125mLを入れ、室温で10分間撹拌した。続いて、トリス−(4−ブロモフェニル)アミン 12.9g(26.7mmol)を入れ、さらに室温で10分間撹拌した。その後、ビス(4−ブチルフェニル)アミン 5g(17.8mmol)を入れ、125℃まで昇温、9時間還流させた。反応終了後、反応液をろ過して不溶物を除去後、シリカゲルのショートカラムを通し,さらにシクロヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、N,N−ビス(4−ブロモフェニル)−N’,N'−ビス(4−ブチルフェニル)−1,4−フェニレンジアミン(芳香族アミンA)(2.96g、収率24%)を得た。
芳香族アミンA
芳香族アミンA共重合体(重合体D(BSAF-芳香族アミンA))の合成
芳香族アミンA(0.21g)、BSAFBr2 0.38gおよび2,2’−ビピリジル 390mgを脱水したテトラヒドロフラン28mlに溶解した後、窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス(1、5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)690mgを加え、60℃まで昇温し、3時間反応させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、25%アンモニア水10ml/メタノール120ml/イオン交換水50ml混合溶液中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、トルエン50mlに溶解させた。この溶液に1Nの塩酸30mlを加えて室温で3時間撹拌し、水層を除去後、4%アンモニア水30mlを加えて室温で3時間撹拌、水層を除去した。残ったトルエン溶液をメタノール150mlにて気化することにより再沈殿させ、不溶物をろ過して除去した。その後、再びトルエンに溶かしてアルミナカラム(活性アルミナ10g)を通して精製を行い、回収したトルエン溶液をメタノール200mlに滴下して30分間攪拌し、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥させた。得られた芳香族アミンA共重合体(重合体D(BSAF-芳香族アミンA))の収量は300mgであった。
重合体D(BSAF-芳香族アミンA)のポリスチレン換算の数平均分子量は、4.8×104であった。重合体D(BSAF-芳香族アミンA)は式(N)で表される。式(N)中、m:nは繰り返し単位のモル比を表す。
(N)
重合体D(BSAF-芳香族アミンA)のセシウム塩(BSAFCs-芳香族アミンA)の合成
重合体D(BSAF-芳香族アミンA)(200mg)を100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン(20mL)、エタノール(10mL)を添加し、混合物を55℃に昇温した。そこに、水酸化セシウム(200mg)を水(2mL)に溶かした水溶液を添加し、55℃で3時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体(190mg)を得た。NMRスペクトルにより、重合体D(BSAF-芳香族アミンA)のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体D(BSAF-芳香族アミンA)のセシウム塩を共役高分子化合物10とよぶ。共役高分子化合物10は式(O)で表される。式(O)中、m:nは繰り返し単位のモル比を表す。共役高分子化合物10のHOMOの軌道エネルギーは−5.63eV、LUMOの軌道エネルギーは−3.02eVであった。
(O)
芳香族アミンB共重合体(重合体E(BSAF-芳香族アミンB))の合成
不活性雰囲気下、BSAFBr2(0.41g)、BSAFBE(0.5g)、N,N’-ビス(4−ブロモフェニル)−N,N’−ビス(4−t−ブチル-2,6−ジメチルフェニル)1,4−フェニレンジアミン(0.11g)トリフェニルホスフィンパラジウム(0.002g)、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド(アルドリッチ製、商品名Aliquat336(登録商標))(0.20g)、トルエン(10mL)を混合し、105℃に加熱した。この反応溶液に2M Na2CO3水溶液(5mL)を滴下し、8時間還流させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、メタノール120ml中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。この溶液をメタノール120ml、水50mLの混合溶媒中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。この溶液をアセトン120mlに滴下して30分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して20時間減圧乾燥させた。得られた芳香族アミンB共重合体(重合体E(BSAF-芳香族アミンB))の収量は400mgであった。
重合体E(BSAF-芳香族アミンB)のポリスチレン換算の数平均分子量は、3.6×105であった。重合体E(BSAF-芳香族アミンB)は式(P)で表される。式(P)中、m:nは繰り返し単位のモル比を表す。
(P)
なお、N,N’-ビス(4−ブロモフェニル)−N,N’−ビス(4−t−ブチル-2,6−ジメチルフェニル)1,4−フェニレンジアミンは、例えば、特開2008−74917号公報の合成例1に記載されている方法で合成することができる。
重合体E(BSAF-芳香族アミンB)のセシウム塩(BSAFCs-芳香族アミンB)の合成
重合体E(BSAF-芳香族アミンB)(200mg)を100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン(20mL)、エタノール(5mL)を添加し、混合物を55℃に昇温した。そこに、水酸化セシウム(200mg)を水(1mL)に溶かした水溶液を添加し、55℃で3時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体(160mg)を得た。NMRスペクトルにより、重合体E(BSAF-芳香族アミンB)のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体E(BSAF-芳香族アミンB)のセシウム塩を共役高分子化合物11とよぶ。共役高分子化合物11は式(Q)で表される。式(Q)中、m:nは繰り返し単位のモル比を表す。共役高分子化合物11のHOMOの軌道エネルギーは−5.21eV、LUMOの軌道エネルギーは−2.62eVであった。
(Q)
アミノ基含有フルオレンポリマー(重合体F(BSAF-FN))の合成
不活性雰囲気下、BSAFBr2(0.41g)、BSAFBE(0.5g)、2,7−ジブロモ−9,9−ビス(4−N,N-ジエチルアミノフェニル)−フルオレン、(0.08g)トリフェニルホスフィンパラジウム(0.002g)、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド(アルドリッチ製、商品名Aliquat336(登録商標))(0.20g)、トルエン(10mL)を混合し、105℃に加熱した。この反応溶液に2M Na2CO3水溶液(5mL)を滴下し、7時間還流させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、メタノール120ml中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。この溶液をメタノール120ml、水50mLの混合溶媒中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。この溶液をアセトン120mlに滴下して30分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して20時間減圧乾燥させた。得られたアミノ基含有フルオレンポリマー(重合体F(BSAF-FN))の収量は430mgであった。
重合体F(BSAF-FN)のポリスチレン換算の数平均分子量は、1.2×104であった。
重合体F(BSAF-FN)は式(R)で表される。式(R)中、m:nは繰り返し単位のモル比を表す。
(R)
なお、2,7−ジブロモ−9,9−ビス(4−N,N-ジエチルアミノフェニル)−フルオレンは例えば、ポリマー(Polymer)第49巻、218頁(2008年)に記載されている方法で合成することができる。
重合体F(BSAF-FN)のセシウム塩(BSAFCs−FN)の合成
重合体F(BSAF-FN)(200mg)を100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン(20mL)、エタノール(5mL)を添加し、混合物を55℃に昇温した。そこに、水酸化セシウム(200mg)を水(1mL)に溶かした水溶液を添加し、55℃で3時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体(180mg)を得た。NMRスペクトルにより、重合体F(BSAF-FN)のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体F(BSAF-FN)のセシウム塩を共役高分子化合物12とよぶ。共役高分子化合物12は式(S)で表される。式(S)中、m:nは繰り返し単位のモル比を表す。共役高分子化合物12のHOMOの軌道エネルギーは−5.53eV、LUMOの軌道エネルギーは−2.76eVであった。
(S)
2,7−ジブロモ−9,9−ビス[3,4−ビス[2−[2−(2−メトキシエトキシ)エトキシ]エトキシ]フェニル]フルオレン(FEGBr2)の合成
不活性雰囲気下、2,7−ジブロモフルオレノン(50g)およびカテコール(345g)を混合し、130に昇温した。3-メルカプトプロピオン酸(1.96g)および硫酸(7g)を添加し、130度で1.5時間反応させた。放冷後、水(2L)に投入し、析出した結晶をろ過により回収した。結晶をエタノールに溶解させ、ろ過をした後、ろ液を濃縮し、濃縮液を水に加えて再沈殿を行った。生じた固体をろ過により回収し、トルエンに溶解させ、ろ過をした後、エタノールを加え、溶液をヘキサンに滴下し、5℃に冷却した。生じた固体をろ過により回収し、減圧乾燥することで白色固体を得た。不活性雰囲気下、白色固体20g、トリエチレングリコールモノメチルエステルトシラート(72g)、無水炭酸カリウム(52g)、アセトニトリル(500mL)を混合し、加熱還流下、4時間攪拌させた。放冷後、反応溶液をろ過し、ろ液を減圧濃縮した。反応混合物を酢酸エチルを展開溶媒とするシリカゲルクロマトグラフィー、さらにTHFおよび酢酸エチルの混合溶媒を展開溶媒とするシリカゲルクロマトグラフィーにより精製することで、2,7−ジブロモ−9,9−ビス[3,4−ビス[2−[2−(2−メトキシエトキシ)エトキシ]エトキシ]フェニル]フルオレン(FEGBr2)(18g、収率43.2%)を得た。
FEGBr2
エチレングリコール鎖含有フルオレン共重合体(重合体G(BSAF−FEG))
不活性雰囲気下、FEGBr2(0.80g)、BSAFBE(0.98g)、トリフェニルホスフィンパラジウム(0.01g)、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド(アルドリッチ製、商品名Aliquat336(登録商標))(0.20g)、トルエン(10mL)を混合し、105℃に加熱した。この反応溶液に2M Na2CO3水溶液(5mL)を滴下し、10時間還流させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、メタノール120ml中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。この溶液をメタノール120ml、水50mLの混合溶媒中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。この溶液をアセトン120mlに滴下して30分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して20時間減圧乾燥させた。得られたエチレングリコール鎖含有フルオレン共重合体(重合体G(BSAF−FEG))の収量は920mgであった。
BSAF−FEGのポリスチレン換算の数平均分子量は、1.2×104であった。重合体G(BSAF−FEG)は式(T)で表される繰り返し単位からなる。
(T)
重合体G(BSAF−FEG)のセシウム塩(BSAFCs−FEG)の合成
重合体G(BSAFCs−FEG)(200mg)を100mLフラスコに入れ、窒素置換した。
テトラヒドロフラン(20mL)、エタノール(5mL)を添加し、混合物を55℃に昇温した。そこに、水酸化セシウム(200mg)を水(1mL)に溶かした水溶液を添加し、55℃で3時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体(170mg)を得た。NMRスペクトルにより、重合体G(BSAFCs−FEG)のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体G(BSAFCs−FEG)のセシウム塩を共役高分子化合物13とよぶ。共役高分子化合物13は式(U)で表される繰り返し単位からなる。共役高分子化合物13のHOMOの軌道エネルギーは−5.52eV、LUMOの軌道エネルギーは−2.91eVであった。
(U)
(2,7−ジブロモ)-9H−フルオレン-9,9-ジプロピオン酸ジブチルエステル(F2COOBuBr2)の合成
2,7−ジブロモフルオレン(8.02g)およびベンジルトリエチルアンモニウムクロリド(0.56g)を30mLのベンゼンに溶解させた後、窒素雰囲気下において50%水酸化ナトリウム水溶液8mLを滴下し、15分攪拌した。N-ブチルアクリレート(12.65g)を滴下し、室温で5時間反応させた。反応溶液を酢酸エチル200mLに希釈し、水で3回、塩水で1回洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥させた。溶液をろ過し、溶媒留去した後、ジクロロメタンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらにヘキサンから再結晶を行うことで(2,7−ジブロモ)-9H−フルオレン-9,9-ジプロピオン酸(F2COOBuBr2)(7.87g、55%)を得た。
F2COOBuBr2
カルボン酸基含有フルオレンポリマー(重合体H(F8−F2COOBu))の合成
不活性雰囲気下、2,7−ビス(1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9,9−ジオクチルフルオレン(1.00g)、F2COOBuBr2(1.09g)、トリフェニルホスフィンパラジウム(0.03g)、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド(アルドリッチ製、商品名Aliquat336(登録商標))(0.20g,アルドリッチ製)、トルエン(20mL)を混合し、105℃に加熱した。この反応溶液に2M Na2CO3水溶液(5mL)を滴下し、4時間還流させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、メタノール120ml中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。この溶液をメタノール120ml、水50mLの混合溶媒中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。この溶液をアセトン120mlに滴下して30分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して20時間減圧乾燥させた。得られたカルボン酸基含有フルオレンポリマー(重合体H(F8−F2COOBu))の収量は300mgであった。
重合体H(F8−F2COOBu) のポリスチレン換算の数平均分子量は、3.5×104であった。重合体H(F8−F2COOBu)は式(V)で表される繰り返し単位からなる。
(V)
カルボン酸基含有フルオレンポリマーナトリウム塩(F8−F2COONa)の合成
重合体H(F8−F2COOBu)(200mg)を100mLフラスコに入れ、窒素置換した。
テトラヒドロフラン(20mL)、エタノール(5mL)を添加し、混合物を55℃に昇温した。そこに、水酸化ナトリウム(120mg)を水(1mL)に溶かした水溶液を添加し、55℃で3時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。
生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体(120mg)を得た。NMRスペクトルにより、重合体H(F8−F2COOBu)のブチルエステル部位のブチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体H(F8−F2COOBu)のナトリウム塩を共役高分子化合物14とよぶ。共役高分子化合物14は式(W)で表される繰返し単位からなる。共役高分子化合物14のHOMOの軌道エネルギーは−5.56eV、LUMOの軌道エネルギーは−2.75eVであった。
(W)
カルボン酸基含有フェニレンポリマー(重合体I(F8-PhCOOMe))の合成
不活性雰囲気下、2,7−ビス(1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9,9−ジオクチルフルオレン(1.00g)、2,5−ジブロモ安息香酸メチル(アルドリッチ製)(0.52g)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0.01g)、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド(アルドリッチ製、商品名Aliquat336(登録商標))(0.20g,アルドリッチ製)、トルエン(20mL)を混合し、105℃に加熱した。この反応溶液に2M Na2CO3水溶液(5mL)を滴下し、4時間還流させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、メタノール120ml中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。この溶液をメタノール120ml、水50mLの混合溶媒中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。この溶液をアセトン120mlに滴下して30分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して20時間減圧乾燥させた。得られたカルボン酸基含有フェニレンポリマー(重合体I(F8-PhCOOMe))の収量は300mgであった。
重合体I(F8-PhCOOMe)のポリスチレン換算の数平均分子量は、3.5×104であった。重合体I(F8-PhCOOMe)は式(X)で表される繰り返し単位からなる。
(X)
カルボン酸基含有フェニレンポリマーセシウム塩(F8−PhCOOCs)の合成
重合体I(F8-PhCOOMe)(160mg)を100mLフラスコに入れ、窒素置換した。
テトラヒドロフラン(20mL)、エタノール(5mL)を添加し、混合物を55℃に昇温した。そこに、水酸化セシウム(120mg)を水(1mL)に溶かした水溶液を添加し、55℃で3時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体(110mg)を得た。NMRスペクトルにより、重合体I(F8-PhCOOMe)のメチルエステル部位のメチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体I(F8-PhCOOMe)のナトリウム塩を共役高分子化合物15とよぶ。共役高分子化合物15は式(Y)で表される繰返し単位からなる。共役高分子化合物15のHOMOの軌道エネルギーは−5.72eV、LUMOの軌道エネルギーは−2.93eVであった。
(Y)
ポリウレタンナトリウム塩(非共役イオ−Na)の合成
1,3−ブタンジオール(1.0g)、ジブチルスズジラウレート(7.5mg)、ジメチルオールプロピオン酸(0.5g)を100mLフラスコに入れ、DMF(50mL)を添加し、90℃で30分間撹拌した。イソホロンジイソシアネート(3.3g)を加え、90℃で3時間加熱した。60℃まで温度を下げ、1M水酸化ナトリウム水溶液を加えて中和した。60℃でさらに1時間撹拌した後、溶媒を留去することで白色の固体(2.0g)を得た。得られたポリウレタンナトリウム塩を非共役高分子化合物1とよぶ。非共役高分子化合物1は式(Z)で表される繰返し単位からなる。
(Z)
<電界発光素子>
成膜されたガラス基板を空気中で、200℃で10分加熱して正孔注入層を不溶化させ、基板を室温まで自然冷却させ、正孔注入層を得た。
ここで正孔注入材料溶液には、スタルクヴイテック社製PEDOT:PSS溶液(ポリ(3,4‐エチレンジオキシチオフェン)・ポリスチレンスルフォン酸、「製品名:Baytron」)を用いた。
還流冷却器及びオーバーヘッドスターラを装備した1リットルの三つ口丸底フラスコに、2,7−ビス(1,3,2−ジオキシボロール)−9,9−ジ(1−オクチル)フルオレン(3.863g、7.283mmol)、N,N−ジ(p−ブロモフェニル)−N−(4−(ブタン−2−イル)フェニル)アミン(3.177g、6.919mmol)及びジ(4−ブロモフェニル)ベンゾシクロブタンアミン(156.3mg、0.364mmol)を添加した。次いで、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド(アルドリッチ製、商品名Aliquat336(登録商標))(2.29g)、続いてトルエン50mLを添加した。PdCl2(PPh3)2触媒(4.9mg)を添加した後、混合物を、105℃の油浴中で15分間撹拌した。炭酸ナトリウム水溶液(2.0M、14mL)を添加し、反応物を105℃の油浴中、16.5時間撹拌した。次いで、フェニルボロン酸(0.5g)を添加し、反応物を7時間撹拌した。水層を除去し、有機層を水50mLで洗浄した。有機層を反応フラスコに戻し、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム0.75g及び水50mLを添加した。反応物を85℃の油浴中、16時間撹拌した。水層を除去し、有機層を100mLの水で3回洗浄し、次いでシリカゲル及び塩基性アルミナのカラムに通した。次いで、ポリマーを含むトルエン溶液をメタノールに沈殿させる操作を2回繰り返し、ポリマーを60℃で真空乾燥し、正孔輸送性高分子4.2gを得た。正孔輸送性高分子材料のポリスチレン換算の重量平均分子量は124,000であり、分散(Mw/Mn)は2.8であった。
上記で得た正孔注入層形成済み基板の正孔注入層の上に、正孔輸送層形成用組成物をスピンコート法により塗布し、膜厚20nmの塗膜を得た。
この塗膜を設けた基板を不活性(窒素)雰囲気下で、190℃で20分間加熱し、塗膜を不溶化させた後、室温まで自然冷却させ、正孔輸送層を得た。
上記で得た正孔輸送層形成済み基板の正孔輸送層の上に、発光層形成用組成物をスピンコート法により塗布し、膜厚80nmの塗膜を得た。
この塗膜を設けた基板を不活性(窒素)雰囲気下で、130℃で20分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、発光層を得た。
上記で得た発光層形成済み基板の発光層の上に、前記組成物をスピンコート法により塗布し、膜厚10nmの塗膜を得た。
この塗膜を設けた基板を不活性(窒素)雰囲気下で、100℃で10分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、共役高分子化合物2を含む層を得た。
共役高分子化合物1の代わりに、共役高分子化合物2を用いた以外は、実施例16と同様に操作し、電界発光素子2を得た。
共役高分子化合物1の代わりに、共役高分子化合物3を用いた以外は、実施例16と同様に操作し、電界発光素子3を得た。
共役高分子化合物1の代わりに、共役高分子化合物4を用いた以外は、実施例16と同様に操作し、電界発光素子4を得た。
共役高分子化合物1の代わりに、共役高分子化合物5を用いた以外は、実施例16と同様に操作し、電界発光素子5を得た。
共役高分子化合物を含む層の形成以外は、実施例16と同様に操作し、電界発光素子6を得た。共役高分子化合物を含む層は、メタノールとテトラヒドロフランとを体積比1:1で混合した溶媒(溶解度パラメータ11.0)と共役高分子化合物6とを混合し、共役高分子化合物6が0.2重量%の組成物を得、発光層形成した基板の発光層の上に、該組成物をスピンコート法により塗布することにより、膜厚10nmの層を形成した。
共役高分子化合物1の代わりに、共役高分子化合物7を用いた以外は、実施例16と同様に操作し、電界発光素子7を得た。
共役高分子化合物1の代わりに、共役高分子化合物8を用いた以外は、実施例16と同様に操作し、電界発光素子8を得た。
共役高分子化合物1の代わりに、共役高分子化合物9を用いた以外は、実施例16と同様に操作し、電界発光素子9を得た。
共役高分子化合物1の代わりに、共役高分子化合物10を用いた以外は、実施例16と同様に操作し、電界発光素子10を得た。
共役高分子化合物1の代わりに、共役高分子化合物11を用いた以外は、実施例16と同様に操作し、電界発光素子11を得た。
共役高分子化合物1の代わりに、共役高分子化合物12を用いた以外は、実施例16と同様に操作し、電界発光素子12を得た。
共役高分子化合物1の代わりに、共役高分子化合物13を用いた以外は、実施例16と同様に操作し、電界発光素子13を得た。
共役高分子化合物1の代わりに、共役高分子化合物14を用いた以外は、実施例16と同様に操作し、電界発光素子14を得た。
共役高分子化合物1の代わりに、共役高分子化合物15を用いた以外は、実施例16と同様に操作し、電界発光素子15を得た。
共役高分子化合物1を含む層を形成しなかった以外は、実施例16と同様に操作し、電界発光素子16を得た。
共役高分子化合物1の代わりに、非共役高分子化合物1を用いた以外は、実施例16と同様に操作し、電界発光素子17を得た。
Claims (8)
- 式(16’)で表される繰り返し単位を含む共役高分子化合物。
(16’)
(式中、Ry’は式(4)で表される基を表し、R**は水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。)
−(R4)c2−(Q2)n4−Y2(M2)a2(Z2)b2 (4)
(式中、R4は置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表し、Q2は置換基を有していてもよい2価の有機基を表し、Y2は−CO2 -を表し、M2は金属カチオンまたは置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンを表し、Z2はF-、Cl-、Br-、I-、OH-、RbSO3 -、RbCOO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -またはPF6 -を表し、c2は1を表し、n4は0以上の整数を表す。a2は1以上の整数を表し、b2は0以上の整数を表す。a2およびb2は、式(4)で表される基の電荷が0となるよう選択される。Rbは置換基を有していてもよい炭素数1〜30のアルキル基または置換基を有していてもよい炭素数6〜50のアリール基を表す。Q2が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。M2が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Z2が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。) - 式(17’)で表される繰り返し単位を含む共役高分子化合物。
(17’)
(式中、Ry’’は式(6)で表される基を含む置換基を表し、R***は水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。)
−R6{−(CH2)n6−Y3}m1 (6)
(式中、R6は(1+m1)価の芳香族基を表し、n6は0以上の整数を表し、m1は1以上の整数を表す。Y3は式(7)または式(13)で表される基を表す。Y3が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。n6が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。式(6)中、ヘテロ原子が4個以上含まれる。
−O−(R’O)a4−R” (7)
−C(=O)−O−(R’O)a3−R” (13)
(式(7)および式(13)中、R’は置換基を有していてもよい2価の炭化水素基を表し、R’’は水素原子、置換基を有していてもよい1価の炭化水素基、−COOH、−SO3H、−OH、−SH、−NRc 2、−CNまたは−C(=O)NRc 2を表し、a3は3〜20の整数を表し、a4は3〜20の整数を表す。Rcは置換基を有していてもよい炭素数1〜30のアルキル基または置換基を有していてもよい炭素数6〜50のアリール基を表す。R’が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。)) - 共役高分子化合物中に含まれる式(16’)で表される繰り返し単位の数の合計が、該共役高分子化合物が有する全繰り返し単位の数の合計を100モルとした場合、15〜100モルである、請求項1または3に記載の共役高分子化合物。
- 共役高分子化合物中に含まれる式(17’)で表される繰り返し単位の数の合計が、該共役高分子化合物が有する全繰り返し単位の数の合計を100モルとした場合、15〜100モルである請求項2または3に記載の共役高分子化合物。
- 共役高分子化合物の数平均分子量が、5×103以上1×108以下である、請求項1〜5のいずれかに記載の共役高分子化合物。
- 共役高分子化合物の最低非占有分子軌道(LUMO)の軌道エネルギーが、−5.0eV以上−2.0eV以下である、請求項1〜6のいずれかに記載の共役高分子化合物。
- 共役高分子化合物の最高占有分子軌道(HOMO)の軌道エネルギーが、−6.0eV以上−3.0eV以下である、請求項1〜7のいずれかに記載の共役高分子化合物。
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