JP5217153B2 - 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子に関する。

溶媒に可溶な高分子量の発光材料や電荷輸送材料は塗布法により発光素子における有機層を形成できることから種々検討されており、その例として、ジフェニルアミノアントラセンジイル基と、フルオレンジイル基とを含む高分子化合物が知られている（特許文献1）。

国際公開第２００５／４９５４６号パンフレット

しかしながら、上記の高分子化合物は、その耐熱性、蛍光強度が必ずしも十分でなく、上記の高分子化合物を用いた発光素子は、その素子寿命、発光効率等の素子特性が必ずしも十分でないという問題があった。
本発明の目的は、発光材料や電荷輸送材料として有用で、耐熱性、蛍光強度等に優れた高分子化合物およびそれを用いた素子寿命、発光効率等の素子特性に優れた高分子発光素子を提供することにある。

即ち本発明は、下記式（１）で表される繰り返し単位の１種類以上と下記式（２）および（３）から選ばれる繰り返し単位の１種類以上とを含む高分子化合物を提供するものである。

（式中、Ａｒ¹は置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい一価の芳香族複素環基を表し、Ａｒ²は置換基を有していてもよいアリーレン基または置換基を有していてもよい二価の芳香族複素環基を表す。Ｚは縮合環構造を有する二価の芳香族基を表し、該基は置換基を有していてもよい。２個のＡｒ¹は、同一であっても異なっていてもよく、２個のＡｒ²は、同一であっても異なっていてもよい。）

（式中、Ａ環およびＢ環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表すが、Ａ環およびＢ環の少なくとも１つが、複数個のベンゼン環が縮合した芳香族炭化水素環であり、２つの結合手はそれぞれＡ環またはＢ環上に存在し、ＲｗおよびＲｘはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表し、ＲｗとＲｘは互いに結合して環を形成していてもよい。）

（式中、Ｃ環およびＤ環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香環を表し、２つの結合手はそれぞれＣ環またはＤ環上に存在する。Ｙは酸素原子、硫黄原子または−Ｏ−Ｃ（Ｒ^K）₂−を表す。Ｒ^Kは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表す。２個のＲ^Kは、同一であっても異なっていてもよい。）

本発明の高分子化合物は、発光材料や電荷輸送材料として有用で、耐熱性、蛍光強度等に優れ、該高分子化合物を使用した発光素子は素子寿命、発光効率等の性能に優れる。したがって、本発明の高分子化合物を含む高分子ＬＥＤは、液晶ディスプレイのバックライトまたは照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイなどに使用できる。

本発明の高分子化合物は上記式（１）で示される繰り返し単位を１種または２種以上含む。

式（１）において、Ａｒ¹は置換基を有していてもよいアリール基または一価の芳香族複素環基を表す。２個のＡｒ¹は、同一であっても異なっていてもよい。Ａｒ¹は好ましくはアリール基を表す。

ここでアリール基とは、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団であり、独立したベンゼン環または縮合環をもつものが含まれる。アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは６〜４８であり、より好ましくは６〜３０であり、より一層好ましくは６〜１８であり、さらに好ましくは６〜１０であり、特に好ましくは６である。該炭素数は置換基の炭素数は含まない。アリール基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基などが挙げられ、好ましくはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基であり、より好ましくはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基であり、さらに好ましくはフェニル基である。

一価の芳香族複素環基とは、芳香族複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度、好ましくは４〜２０であり、より好ましくは４〜９であり、さらに好ましくは４〜５である。なお、一価の芳香族複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。一価の芳香族複素環基の具体例としては、２−チエニル基、３−チエニル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、６−イソキノリル基、などが例示され、２−チエニル基、３−チエニル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、６−イソキノリル基が好ましく、２−チエニル基、３−チエニル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基がより好ましく、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基がさらに好ましい。

Ａｒ¹が置換基を有する場合、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであり、より一層好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基および置換カルボキシル基から選ばれるものであり、さらに好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基から選ばれるものであり、特に好ましくはアルキル基である。

ここに、アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数１〜１５であり、より好ましくは１〜１０であり、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられ、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が挙げられる。

アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数１〜１５であり、その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基、２−エトキシエチルオキシ基などが挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が挙げられる。

アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が挙げられる。

アリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリール基は、全炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８である。その具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示され、これらはさらにアルキル基、アルコキシ基、アルキルオキシカルボニル基などの置換基を有していてもよい。これらの有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、炭素数１〜１２のアルキル基および/または炭素数１〜１２のアルコキシ基および/またはアルキルオキシカルボニル基を１つ以上置換基として有するフェニル基が好ましく、その具体例としては、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、メシチル基、４−ｉ−プロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｉ−ブチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、４−ペンチルフェニル基、４−イソアミルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、２，６−ジメチル−４−ｔ−ブチルフェニル基、４−ヘプチルフェニル基、４−オクチルフェニル基、４−ノニルフェニル基、４−デシルフェニル基、４−ドデシルフェニル基、３−メチルオキシフェニル基、４−メチルオキシフェニル基、３，５−ジメチルオキシフェニル基、４−プロピルオキシフェニル基、４−ｉ−プロピルオキシフェニル基、４−ブチルオキシフェニル基、４−ｉ−ブチルオキシフェニル基、４−ｔ−ブチルオキシフェニル基、４−ヘキシルオキシフェニル基、３，５−ジヘキシルオキシフェニル基、４−ヘプチルオキシフェニル基、４−オクチルオキシフェニル基、４−ノニルオキシフェニル基、４−（メトキシメトキシ）フェニル基、３−（メトキシメトキシ）フェニル基、４−（２−エトキシ−エトキシ）フェニル基、３−（２−エトキシ−エトキシ）フェニル基、３,５−ビス（２−エトキシ−エトキシ）フェニル基、３−メトキシカルボニルフェニル基、４−メトキシカルボニルフェニル基、３，５−ジメトキシカルボニルフェニル基、３−エトキシカルボニルフェニル基、４−エトキシカルボニルフェニル基、３−エチルオキシカルボニル−４−メトキシフェニル基、３−エチルオキシカルボニル−４−エトキシフェニル基、３−エチルオキシカルボニル−４−ヘキシルオキシフェニル基などが挙げられる。

アリールオキシ基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基（Ｃ₁〜Ｃ₁₂は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基が好ましい。
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基として具体的にはメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１,３,５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、ｉ−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ｉ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基などが例示される。

アリールチオ基は、炭素数が通常３〜６０程度であり、その具体例としては、フェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基が好ましい。

アリールアルキル基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基が挙げられる。

アリールアルコキシ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８であり、その具体例としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基などのフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基が挙げられる。

アリールアルキルチオ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基が挙げられる。

アリールアルケニル基は、炭素数が通常８〜６０程度であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルケニル基が好ましい。

アリールアルキニル基は、炭素数が通常８〜６０程度であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基が好ましい。

置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基があげられ、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は該置換基の炭素数を含めないで通常１〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８である。
具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基などが例示される。

置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基があげられる。置換シリル基の炭素数は通常１〜６０程度、好ましくは炭素数３〜４８である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロピリシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示される。

アシル基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。

アシルオキシ基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。

イミン残基は、炭素数２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、以下の構造式で示される基などが例示される。

アミド基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基、などが例示される。

酸イミド基は、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基が挙げられ、炭素数が４〜２０程度であり、具体的には以下に示す基などが例示される。

１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度、好ましくは４〜２０である。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。

置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基で置換されたカルボキシル基があげられ、炭素数が通常２〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８であり、その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、などが挙げられる。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。

式（１）において、Ａｒ²は置換基を有していてもよいアリーレン基または二価の芳香族複素環基を表す。２個のＡｒ²は、同一であっても異なっていてもよい。Ａｒ²は好ましくはアリーレン基を表す。

ここでアリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた原子団であり、独立したベンゼン環または縮合環をもつものが含まれる。アリーレン基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは６〜４８であり、より好ましくは６〜３０であり、より一層好ましくは６〜１８であり、さらに好ましくは６〜１０であり、特に好ましくはは６である。該炭素数は置換基の炭素数は含まない。アリーレン基の具体例としては、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基、１,４−ナフチレン基、１,５−ナフチレン基、２,６−ナフチレン基、１,４−アントラセニレン基、１,５−アントラセニレン基、２,６−アントラセニレン基、９，１０−アントラセニレン基、２，７−フェナントリレン基、１,７−ナフタセニレン基、２,８−ナフタセニレン基などが挙げられ、好ましくは１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基、１,５−ナフチレン基、２,６−ナフチレン基、１,４−アントラセニレン基、１,５−アントラセニレン基、２,６−アントラセニレン基、９，１０−アントラセニレン基であり、より好ましくは１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基、１,５−ナフチレン基、２,６−ナフチレン基であり、さらに好ましくは１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基であり、特に好ましくは１，４−フェニレン基である。

二価の芳香族複素環基とは、芳香族複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度、好ましくは４〜２０であり、より好ましくは４〜９であり、さらに好ましくは４〜５である。二価の芳香族複素環基の具体例としては、２，５−チエニル基、２，５−ピロリル基、２，５−フリル基、２，４−ピリジル基、２，６−ピリジル基、２，４−キノリル基、２，６−キノリル基、１，４−イソキノリル基、１，５−イソキノリル基などが例示され、２，５−チエニル基、２，４−ピリジル基、２，６−ピリジル基、２，４−キノリル基、２，６−キノリル基、１，４−イソキノリル基、１，５−イソキノリル基が好ましく、２，５−チエニル基、２，４−ピリジル基、２，６−ピリジル基がより好ましく、２，４−ピリジル基、２，６−ピリジル基がさらに好ましい。

Ａｒ²が置換基を有する場合、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであり、より一層好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基および置換カルボキシル基から選ばれるものであり、さらに好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基から選ばれるものであり、特に好ましくはアルキル基である。

アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例は、上記式（１）におけるＡｒ¹が置換基を有する場合の置換基におけるそれらの定義、具体例と同様である。

式（１）におけるＺは縮合環構造を有する二価の芳香族基を表す。該基は置換基を有していてもよい。ここで、縮合環構造を有する二価の芳香族基とは、縮合環を有する芳香族炭化水素化合物または芳香族複素環化合物から水素原子２個を除いた原子団である。該二価の芳香族基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは６〜４８であり、より好ましくは１０〜３０であり、より一層好ましくは１０〜２２であり、さらに好ましくは１０〜１８であり、中でも好ましくは１２〜１６であり、特に好ましくは１４である。該炭素数は置換基の炭素数は含まない。該二価の芳香族基の具体例としては、１,４−ナフチレン基、１,５−ナフチレン基、２,６−ナフチレン基、１,４−アントラセンジイル基、１,５−アントラセンジイル基、２,６−アントラセンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フェナントリレン基、１,７−ナフタセニレン基、２,８−ナフタセニレン基、２，７−フルオレンジイル基、２，７−ピレンジイル基、４，１０−ピレンジイル基、２，６−キノリンジイル基、１，５−イソキノリンジイル基、５，８−キノキサリンジイル基、４,７−ベンゾ[１，２，５]チアジアゾールジイル基、４,７−ベンゾチアゾールジイル基、２，７−カルバゾールジイル基、３，７−ジベンゾフランジイル基、３，７−ジベンゾチオフェンジイル基、３，７−フェノキサジンジイル基などが挙げられ、好ましくは１,４−ナフチレン基、１,５−ナフチレン基、２,６−ナフチレン基、１,４−アントラセンジイル基、１,５−アントラセンジイル基、２,６−アントラセンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フルオレンジイル基、５，８−キノキサリンジイル基、４,７−ベンゾ[１，２，５]チアジアゾールジイル基、４,７−ベンゾチアゾールジイル基、２，７−カルバゾールジイル基、３，７−ジベンゾフランジイル基、３，７−ジベンゾチオフェンジイル基、３，７−フェノキサジンジイル基であり、より好ましくは１,４−ナフチレン基、１,５−ナフチレン基、２,６−ナフチレン基、１,４−アントラセンジイル基、１,５−アントラセンジイル基、２,６−アントラセンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フルオレンジイル基、４,７−ベンゾ[１，２，５]チアジアゾールジイル基であり、より一層好ましくは１,４−ナフチレン基、１,５−ナフチレン基、２,６−ナフチレン基、１,４−アントラセンジイル基、１,５−アントラセンジイル基、２,６−アントラセンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フルオレンジイル基であり、さらに好ましくは１,４−アントラセンジイル基、１,５−アントラセンジイル基、２,６−アントラセンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フルオレンジイル基であり、中でも好ましくは９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フルオレンジイル基であり、特に好ましくは９，１０−アントラセンジイル基である。

Ｚが置換基を有する場合、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであり、より一層好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基および置換カルボキシル基から選ばれるものであり、さらに好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基から選ばれるものであり、特に好ましくはアルキル基である。

アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例は、上記式（１）におけるＡｒ¹が置換基を有する場合の置換基におけるそれらの定義、具体例と同様である。

式（１）の繰り返し単位として、具体的には、以下のもの（Ｓ−１〜Ｓ−５１）、以下のものに、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基等の置換基を有するものが挙げられる。
なお、以下において、芳香族炭化水素環における結合手は、任意の位置をとり得ることを表す。

式（１）の表す繰り返し単位として、好ましくはＳ−１〜Ｓ−３、Ｓ−６〜Ｓ−９、Ｓ−１１〜Ｓ−２０、Ｓ−３１〜Ｓ−３４、Ｓ−３７〜Ｓ−４０、Ｓ−４３〜Ｓ−４６、Ｓ−４８、Ｓ−５０およびＳ−１〜Ｓ−３、Ｓ−６〜Ｓ−９、Ｓ−１１〜Ｓ−２０、Ｓ−３１〜Ｓ−３４、Ｓ−３７〜Ｓ−４０、Ｓ−４３〜Ｓ−４６、Ｓ−４８、Ｓ−５０それぞれにアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基等の置換基を有するものであり、より好ましくはＳ−１〜Ｓ−３、Ｓ−６〜Ｓ−９、Ｓ−１１〜Ｓ−２０、Ｓ−３４、Ｓ−４０、Ｓ−４６、Ｓ−５０およびＳ−１〜Ｓ−３、Ｓ−６〜Ｓ−９、Ｓ−１１〜Ｓ−２０、Ｓ−３４、Ｓ−４０、Ｓ−４６、Ｓ−５０
それぞれにアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基等の置換基を有するものであり、より一層好ましくはＳ−１〜Ｓ−３、Ｓ−６〜Ｓ−９、Ｓ−１１〜Ｓ−２０それぞれにアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基等の置換基を有するものであり、さらに好ましくはＳ−１〜Ｓ−３、Ｓ−６〜Ｓ−９、Ｓ−１４〜Ｓ−１５およびＳ−１〜Ｓ−３、Ｓ−６〜Ｓ−９、Ｓ−１４〜Ｓ−１５それぞれにアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基等の置換基を有するものであり、中でも好ましくは、Ｓ−９、Ｓ−１４〜Ｓ−１５およびＳ−９、Ｓ−１４〜Ｓ−１５それぞれにアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基等の置換基を有するものである。

緑色発光を得るという観点などから、特に好ましくはＳ−９およびＳ−９にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基等の置換基を有するものであり、例えば下記式（Ｓ−５２）で表される二価の基が挙げられる。

（式中、Ｒ_D、Ｒ_E、Ｒ_F、Ｒ_G、Ｒ_HおよびＲ_Iはそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。Ｒ_D、Ｒ_E、Ｒ_F、Ｒ_G、Ｒ_HおよびＲ_Iがそれぞれ複数存在する場合は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｄ、ｅ、ｆおよびｇはそれぞれ独立に０〜４の整数を表し、ｈおよびｉはそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。）

式（Ｓ−５２）中のＲ_D、Ｒ_E、Ｒ_F、Ｒ_G、Ｒ_HおよびＲ_Iが表すアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例は、上記式（１）におけるＡｒ¹が置換基を有する場合の置換基におけるそれらの定義、具体例と同様である。溶解性、合成のしやすさ、素子特性などの観点から、式（Ｓ−５２）中のＲ_D、Ｒ_E、Ｒ_F、Ｒ_G、Ｒ_HおよびＲ_Iが表す置換基としては、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであり、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基および置換カルボキシル基から選ばれるものであり、より一層好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基から選ばれるものであり、さらに好ましくはアルキル基、アルコキシ基であり、特に好ましくはアルキル基である。

式（Ｓ−５２）中のｄ、ｅ、ｆおよびｇはそれぞれ独立に０〜４の整数を表し、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０〜１の整数であり、さらに好ましくは０である。

式（Ｓ−５２）中のｈおよびｉははそれぞれ独立に０〜５の整数を表し、素子特性、溶解性などの観点から、好ましくは１〜３の整数であり、より好ましくは１である。

化合物の安定性の観点から、Ｒ_IおよびＲ_Hは窒素原子のパラ位に存在することが好ましい。

また、青色発光を得るという観点などから、さらに好ましくはＳ−１４およびＳ−１４にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基等の置換基を有するものであり、例えば下記式（Ｓ−５３）で表される二価の基が挙げられる。

（式中、Ｒ_M1、Ｒ_M2、Ｒ_M3およびＲ_M4はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。Ｒ_M1、Ｒ_M2、Ｒ_M3およびＲ_M4がそれぞれ複数存在する場合は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｍ１およびｍ３はそれぞれ独立に０〜４の整数を表し、ｍ２およびｍ４はそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。Ｒ_L1およびＲ_L2はそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を表す。）

式（Ｓ−５３）中のＲ_M1、Ｒ_M2、Ｒ_M3およびＲ_M4が表すアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例は、上記式（１）におけるＡｒ¹が置換基を有する場合の置換基におけるそれらの定義、具体例と同様である。溶解性、合成のしやすさ、素子特性などの観点から、式（Ｓ−５３）中のＲ_M1、Ｒ_M2、Ｒ_M3およびＲ_M4が表す置換基としては、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであり、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基および置換カルボキシル基から選ばれるものであり、より一層好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基から選ばれるものであり、さらに好ましくはアルキル基、アルコキシ基であり、特に好ましくはアルキル基である。

式（Ｓ−５３）中のｍ１およびｍ３はそれぞれ独立に０〜４の整数を表し、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０〜１の整数であり、さらに好ましくは０である。

式（Ｓ−５３）中のｍ２およびｍ４ははそれぞれ独立に０〜５の整数を表し、素子特性、溶解性などの観点から、好ましくは１〜３の整数であり、より好ましくは１である。

式（Ｓ−５３）中のＲ_L1およびＲ_L2が表すアルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基の定義、具体例は、上記式（１）におけるＡｒ¹が置換基を有する場合の置換基におけるそれらの定義、具体例と同様である。溶解性、合成のしやすさ、素子特性などの観点から、式（Ｓ−５３）中のＲ_L1およびＲ_L2が表す置換基としては、アルキル基、アリール基が好ましい。

本発明の高分子化合物は、前記式（２）および式（３）から選ばれる繰り返し単位を１種類以上含む。

式（２）において、Ａ環およびＢ環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表すが、その少なくとも１つが、複数個のベンゼン環が縮合した芳香族炭化水素環である。該芳香族炭化水素環はさらにベンゼン環以外の芳香族炭化水素環および／または非芳香族炭化水素系縮合環状化合物が縮合していてもよい。本発明の高分子化合物のＡ環における芳香族炭化水素環とＢ環における芳香族炭化水素環とは互いに同じ環構造であっても異なる環構造であってもよいが、耐熱性、蛍光強度の観点から、Ａ環における芳香族炭化水素環とＢ環における芳香族炭化水素環とは互いに異なる環構造の芳香族炭化水素環であることが好ましい。

芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環単独または複数個のベンゼン環が縮合したものが好ましく、その例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等の芳香族炭化水素環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられる。

Ａ環とＢ環との組合せとして、好ましくはベンゼン環とナフタレン環、ベンゼン環とアントラセン環、ベンゼン環とフェナントレン環、ナフタレン環とアントラセン環、ナフタレン環とフェナントレン環、アントラセン環とフェナントレン環の組合せが挙げられ、ベンゼン環とナフタレン環の組み合わせがより好ましい。

なお、Ａ環における芳香族炭化水素環とＢ環における芳香族炭化水素環とは互いに異なる環構造であるとは、
式（２）における

を平面構造式で表したときに、
Ａ環における芳香族炭化水素環と、Ｂ環におけるそれとが、構造式の中央の５員環の頂点と、頂点に対向する辺の中点とを結んだ対称軸（点線）に対して非対称であることをいう。

例えば、Ａ環およびＢ環がナフタレン環である場合、

の場合にはＡ環とＢ環とは環構造が異なる。

一方、Ａ環およびＢ環がナフタレン環であっても、

の場合にはＡ環とＢ環とは環構造が同じである。

芳香族炭化水素環が置換基を有する場合、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであり、より一層好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基および置換カルボキシル基から選ばれるものであり、さらに好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基から選ばれるものであり、特に好ましくはアルキル基である。

アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例は、上記式（１）におけるＡｒ¹が置換基を有する場合の置換基におけるそれらの定義、具体例と同様である。

式（２）中、ＲｗおよびＲｘはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表し、ＲｗとＲｘはそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。

ＲｗおよびＲｘにおける、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例は、上記式（１）におけるＡｒ¹が置換基を有する場合の置換基におけるそれらの定義、具体例と同様である。

蛍光強度、素子の発光効率という観点では、ＲｗとＲｘが炭素または他の元素の総数５〜２０の環を形成している場合が優れている。

式（２）の繰り返し単位として、具体的には、以下のもの（１Ａ−１〜１Ａ−６４、１Ｂ−１〜１Ｂ−６４、１Ｃ−１〜１Ｃ−６４、１Ｄ−１〜１Ｄ−１８）、以下のものに、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基等の置換基を有するものが挙げられる
なお、以下において、芳香族炭化水素環における結合手は、任意の位置をとり得ることを表す。

（式中、ＲｗおよびＲｘは前記と同じ意味を表す。）

上記式（２）で示される繰り返し単位において、耐熱性、蛍光強度等の観点から、好ましくは、２つの結合手がそれぞれＡ環およびＢ環上に一つずつ存在するものであり、より好ましくは、Ａ環とＢ環が、それぞれベンゼン環とナフタレン環との組合せからなるものである。
中でも、下記式（１−１）、（１−２）で示される繰り返し単位、（１−３）、（１−４）で示される繰り返し単位が好ましい。

（式中、Ｒ_p1、Ｒ_q1、Ｒ_p2、Ｒ_q2、Ｒ_p3、Ｒ_q3、Ｒ_p4およびＲ_q4はそれぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。ａは０〜３の整数を表し、ｂは０〜５の整数を表す。Ｒ_p1、Ｒ_q1、Ｒ_p2、Ｒ_q2、Ｒ_p3、Ｒ_q3、Ｒ_p4およびＲ_q4が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒ_w1、Ｒ_x1、Ｒ_w2、Ｒ_x2、Ｒ_w3、Ｒ_x3、Ｒ_w4およびＲ_x4はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表し、Ｒ_w1とＲ_x1、Ｒ_w2とＲ_x2、Ｒ_w3とＲ_x3、Ｒ_w4とＲ_x4はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。）

上記式（１−１）、（１−２）、（１−３）および（１−４）において、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｒ_p1、Ｒ_q1、Ｒ_p2、Ｒ_q2、Ｒ_p3、Ｒ_q3、Ｒ_p4およびＲ_q4がアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、フッ素原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基がさらに好ましい。

上記式（１−１）、（１−２）、（１−３）および（１−４）において、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｒ_w1、Ｒ_x1、Ｒ_w2、Ｒ_x2、Ｒ_w3、Ｒ_x3、Ｒ_w4およびＲ_x4としてはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、フッ素原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基がより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基がさらに好ましい。
アルキル基、アルコキシ基、アリール基として、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等の炭素数が通常１〜２０程度の直鎖、分岐または環状のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、 ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、シクロヘキシルメチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基等の炭素数が通常１〜２０程度のアルコキシ基；フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基等の炭素数が通常６〜６０程度のアリール基等が例示される。
ここに、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基として具体的にはメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｉ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基などが例示される。

上記式（１−１）、（１−２）、（１−３）および（１−４）で示される繰り返し単位の具体例として、Ｒ_w1とＲ_x1、Ｒ_w2とＲ_x2、Ｒ_w3とＲ_x3、Ｒ_w4とＲ_x4がそれぞれ互いに結合して環を形成しているものとしては、それぞれ、下記式群（１−１−２）、（１−２−２）、（１−３−２）および（１−４−２）が例示される。これらの構造に、さらに置換基を有していても良い。

上記式（１−１）および（１−２）において、高分子量化の観点および耐熱性向上の観点からは、ａ＝ｂ＝０であることが好ましい。

本発明の高分子化合物のなかで、原料化合物の合成の容易さからは、式（１−１）、（１−３）、（１−４）で示される繰り返し単位を含むものが好ましく、より好ましくは式（１−１）である。

合成した高分子化合物の有機溶媒への溶解性を向上させる観点と耐熱性とのバランスから、Ｒ_w1、Ｒ_x1はアルキル基が好ましく、炭素数が３以上のものがより好ましく、７以上がより一層好ましく、８以上がさらに好ましい。特に好ましくはｎ−オクチル基であり、下記式（１Ｅ−１）で示される構造である。

（１Ｅ−１）

式（３）において、Ｃ 環およびＤ 環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環を示す。

該芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等の芳香族炭化水素環； ピリジン環、ビピリジン環、フェナントロリン環、キノリン環、イソキノリン環、チオフェン環、フラン環、ピロール環などの複素芳香環が挙げられる。ここでＣ 環およびＤ 環の芳香環の種類は、同一でも異なっていてもよい。該芳香環として、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環であり、より好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環であり、さらに好ましくはベンゼン環である。

該芳香環が置換基を有する場合、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであり、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基および置換カルボキシル基から選ばれるものであり、さらに好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基から選ばれるものであり、特に好ましくはアルキル基、アルコキシ基から選ばれるものである。

アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例は、上記式（１）におけるＡｒ¹が置換基を有する場合の置換基におけるそれらの定義、具体例と同様である。

式（３）においてＹは酸素原子、硫黄原子または−Ｏ−Ｃ（Ｒ^K）₂−を表す。

式（３）のＹが表す−Ｏ−Ｃ（Ｒ^K）₂−におけるＲ^Kは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表す。２個のＲ^Kは、同一であっても異なっていてもよい。

アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例は、上記式（１）におけるＡｒ¹が置換基を有する場合の置換基におけるそれらの定義、具体例と同様である。溶解性、合成のしやすさ、素子特性などの観点から、Ｒ^Kが表す置換基としては、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであり、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基および置換カルボキシル基から選ばれるものであり、より一層好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基から選ばれるものであり、さらに好ましくはアルキル基、アルコキシ基であり、特に好ましくはアルキル基である。

式（３）にて表される繰り返し単位として、具体的には、以下のもの（Ｇ−１〜Ｇ−２６、Ｈ−１〜Ｈ−２６、Ｋ−１〜Ｋ−２６）、以下のものに、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基等の置換基を有するものが挙げられる
なお、以下において、芳香環における結合手は、任意の位置をとり得ることを表す。

（式中、Ｒ^Kは式（３）におけるＲ^Kと同じ意味を表す。）

式（３）の表す繰り返し単位として、好ましくはＧ−１〜Ｇ−２２、Ｈ−１〜Ｈ−２２、Ｋ−１〜Ｋ−２２およびＧ−１〜Ｇ−２２、Ｈ−１〜Ｈ−２２、Ｋ−１〜Ｋ−２２それぞれにアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基等の置換基を有するものであり、より好ましくはＧ−１〜Ｇ−１２、Ｈ−１〜Ｈ−１２、Ｋ−１〜Ｋ−１２およびＧ−１〜Ｇ−１２、Ｈ−１〜Ｈ−１２、Ｋ−１〜Ｋ−１２それぞれにアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基等の置換基を有するものであり、より一層好ましくはＧ−１〜Ｇ−２、Ｈ−１〜Ｈ−２、Ｋ−１〜Ｋ−２およびＧ−１〜Ｇ−２、Ｈ−１〜Ｈ−２、Ｋ−１〜Ｋ−２それぞれにアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基等の置換基を有するものであり、さらに好ましくはＧ−１、Ｈ−１、Ｋ−１およびＧ−１、Ｈ−１、Ｋ−１にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基等の置換基を有するものであり、特に好ましくは下記式（Ｇ−２７）にて表される二価の基である。

（式中、Ｙは式（３）におけるＹと同じ意味を表し、Ｒ^sおよびＲ^tはそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表す。Ｒ^SおよびＲ^tが複数存在する場合には、同一であっても異なっていてもよい。ｍおよびｎはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。）

式（Ｇ−２７）中のＲ^sおよびＲ^tが表すアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例は、上記式（１）におけるＡｒ¹が置換基を有する場合の置換基におけるそれらの定義、具体例と同様である。溶解性、合成のしやすさ、素子特性などの観点から、式（Ｇ−２７）中のＲ^sおよびＲ^tが表す置換基としては、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであり、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基および置換カルボキシル基から選ばれるものであり、より一層好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基から選ばれるものであり、さらに好ましくはアルキル基、アルコキシ基であり、特に好ましくはアルコキシ基である。

式（Ｇ−２７）中のｍおよびｎはそれぞれ独立に０〜３の整数を表し、好ましくは１〜２の整数であり、より好ましくは１である。

本発明の高分子化合物が含む全繰り返し単位に対する、式（１）にて表される繰り返し単位と式（２）で表される繰り返し単位と式（３）で表される繰り返し単位の合計の割合は、通常、１〜１００モル％であり、好ましくは１０〜１００モル％であり、より好ましくは３０から１００モル％であり、より一層好ましくは４０〜１００モル％であり、さらに好ましくは４０〜８０モル％であり、さらに一層好ましくは４０〜７０モル％であり、特に好ましくは４０〜６０モル％である。蛍光強度、素子特性等の観点からは、式（１）にて表される繰り返し単位と、式（２）にて表される繰り返し単位と式（３）にて表される繰り返し単位の合計とのモル比は、０．０１：９９．９９〜７０．００：３０．００であることが好ましく、０．１０：９９．９０〜５０．００：５０．００であることがより好ましい。

本発明の高分子化合物は、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点等から、上記式（１）、（２）および（３）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を１種類以上含むことが好ましい。上記式（１）、（２）および（３）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位として好ましいものは、下記式（４）および/または（５）で表される繰り返し単位である。

−Ａｒ³− （４）

（式中、Ａｒ³は置換基を有していてもよい二価の芳香族基を表す。）

（式（５）において、Ａｒ⁶、Ａｒ⁷、Ａｒ⁸およびＡｒ⁹はそれぞれ独立に１，４−フェニレン基または４，４’−ビフェニレン基を表す。Ａｒ¹⁰、Ａｒ¹¹およびＡｒ¹²はそれぞれ独立にアリール基を表す。Ａｒ⁶、Ａｒ⁷、Ａｒ⁸、Ａｒ⁹、Ａｒ¹⁰、Ａｒ¹¹およびＡｒ¹²は置換基を有していてもよい。ｘおよびｙはそれぞれ独立に０または正の整数を示す。）

式（４）において、Ａｒ³は置換基を有していてもよい二価の芳香族基を表す。

ここで二価の芳香族基とは、芳香族炭化水素化合物または芳香族複素環化合物から水素原子２個を除いた原子団である。該二価の芳香族基は、炭素数が通常５〜６０程度、好ましくは５〜４８であり、より好ましくは６〜３０であり、さらに好ましくは６〜２２であり、特に好ましくは６〜１４である。該炭素数は置換基の炭素数は含まない。

二価の芳香族基の具体例としては、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基、１,４−ナフチレン基、１,５−ナフチレン基、２,６−ナフチレン基、１,４−アントラセンジイル基、１,５−アントラセンジイル基、２,６−アントラセンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フェナントリレン基、１,７−ナフタセニレン基、２,８−ナフタセニレン基、２，７−フルオレンジイル基、２，７−ピレンジイル基、４，１０−ピレンジイル基、２，６−ピリジル基、２，５−チオフェニル基、２，５−フラニル基、２，６−キノリンジイル基、１，５−イソキノリンジイル基、５，８−キノキサリンジイル基、４,７−ベンゾ[１，２，５]チアジアゾールジイル基、４,７−ベンゾチアゾールジイル基、２，７−カルバゾールジイル基、３，７−フェノキサジンジイル基などが挙げられ、好ましくは１，４−フェニレン基、１,４−ナフチレン基、１,５−ナフチレン基、２,６−ナフチレン基、１,４−アントラセンジイル基、１,５−アントラセンジイル基、２,６−アントラセンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フルオレンジイル基、５，８−キノキサリンジイル基、４,７−ベンゾ[１，２，５]チアジアゾールジイル基、４,７−ベンゾチアゾールジイル基、２，７−カルバゾールジイル基、３，７−フェノキサジンジイル基であり、より好ましくは２，７−フルオレンジイル基、３，７−フェノキサジンジイル基である。

二価の芳香族基が置換基を有する場合、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであり、より一層好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基および置換カルボキシル基から選ばれるものであり、さらに好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基から選ばれるものである。

アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例は、上記式（１）におけるＡｒ¹が置換基を有する場合の置換基におけるそれらの定義、具体例と同様である。

式（５）におけるＡｒ¹⁰、Ａｒ¹¹およびＡｒ¹²はそれぞれ独立にアリール基を表し、ここでアリール基とは、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団であり、独立したベンゼン環または縮合環をもつものが含まれる。アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは６〜４８であり、より好ましくは６〜３０であり、より一層好ましくは６〜１８であり、さらに好ましくは６〜１０であり、特に好ましくは６である。該炭素数は置換基の炭素数は含まない。アリール基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基などが挙げられ、好ましくはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基であり、より好ましくはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基であり、特に好ましくはフェニル基である。

式（５）におけるＡｒ⁶、Ａｒ⁷、Ａｒ⁸、Ａｒ⁹、Ａｒ¹⁰、Ａｒ¹¹およびＡｒ¹²が置換基を有する場合、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであり、より一層好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基および置換カルボキシル基から選ばれるものであり、さらに好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基から選ばれるものであり、特に好ましくはアルキル基である。

アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例は、上記式（１）におけるＡｒ¹が置換基を有する場合の置換基におけるそれらの定義、具体例と同様である。

式（５）が表す繰り返し単位の具体例としては、下記式（５−１）〜（５−４）が挙げられる。ここで、Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、またはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものである。

本発明の高分子化合物は、素子特性の観点から、式（１）で表される繰り返し単位を１種類以上含み、かつ式（２）で表される繰り返し単位を１種類以上含み、かつ式（４）で表される繰り返し単位を１種類以上含むことがより好ましく、式（１）で表される繰り返し単位を１種類含み、かつ式（２）で表される繰り返し単位を１種類含み、かつ式（４）で表される繰り返し単位を２種類含むことがさらに好ましい。さらにより好ましい組み合わせとしては、式（Ｓ−５２）で表される繰り返し単位１種類と式（１−１）で表される繰り返し単位と、置換基を有する２，７−フルオレンジイル基１種類と、置換基を有する３，７−フェノキサジンジイル基１種類からなる組み合わせである。

本発明の高分子化合物のサイズ排除クロマトグラフィー（以後、SECと呼ぶ）によるポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）は、通常１０³〜１０⁸程度であり、好ましくは１０⁴〜１０⁶である。また、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は通常１０³〜１０⁸程度であり、成膜性の観点および素子にした場合の効率の観点から、好ましくは５×１０⁴〜５×１０⁶、より好ましくは１０⁵〜１０⁶である。

また、本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていることが好ましい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基または複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。

本発明の高分子化合物は発光材料や電荷輸送材料等として用いる場合、他の高分子化合物と混合して用いてもよい。

次に本発明の高分子化合物の好ましい製造方法について説明する。

本発明の高分子化合物は、例えば、下記式（ａ）で示される化合物と下記式（ｂ）で示される化合物と、さらに必要に応じて下記式（ｃ）にて示される化合物とを原料として用いて縮合重合することにより製造することができる。

（式（ａ）においてＡｒ¹、Ａｒ²およびＺはそれぞれ式（１）におけるＡｒ¹、Ａｒ²およびＺと同じ意味を表す。Ｙ¹はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、式（ａ−１）で表されるスルホネート基、メトキシ基、ホウ酸エステル基、ホウ酸基、式（ａ−２）で表される基、式（ａ−３）で表される基、又は式（ａ−４）で表される基を表す。）

（式（ｂ）において、Ａｒ¹³は式（２）または式（３）が示す二価の基を表す。Ｙ¹は式（ａ）におけるＹ¹と同じ意味を表す。）

（式（ｃ）において、Ａｒ¹⁴は式（４）または式（５）が示す二価の基を表す。Ｙ¹は式（ａ）におけるＹ¹と同じ意味を表す。）

（式（ａ−１）においてＲ^aは置換基を有していてもよいアルキル基またはアリール基を表す。）

（式（ａ−２）においてＸ_Aはハロゲン原子を表す。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。）

（式（ａ−３）においてＸ_Aはハロゲン原子を表す。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。）

（式（ａ−４）においてＲ^aは、式（ａ−１）におけるＲ^aと同じ意味を表す。）

式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）におけるＹ¹はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、式（ａ−１）で表されるスルホネート基、メトキシ基、ホウ酸エステル基、ホウ酸基（即ち、−B(OH)₂で表される基）、式（ａ−２）で表される基、式（ａ−３）で表される基、又は式（ａ−４）で表される基を表す。

Ｙ¹におけるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。

Ｙ¹におけるホウ酸エステル基としては例えば、下記式で示される基が例示される。

式（ａ−１）中のＲ^aにおけるアルキル基またはアリール基の定義、具体例としては、それぞれ、式（１）におけるＡｒ¹が置換基を有する場合のアルキル基またはアリール基の定義、具体例と同様である。式（ａ−１）で表されるスルホネート基としては例えば、メタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基、フェニルスルホネート基、４−メチルフェニルスルホネート基等が挙げられる。

式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）で示される化合物は、あらかじめ合成、単離したものを用いてもよいし、反応系中で調製してそのまま使用してもよい。

式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）におけるＹ¹は合成の簡便さや取り扱いやすさ、毒性の点などから、ハロゲン原子、ホウ酸エステル基、ホウ酸基であることが好ましい。

縮合重合の方法としては、式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）で示される単量体を、必要に応じ、適当な触媒や適当な塩基を用い、反応させる方法が挙げられる。

縮合重合の触媒としては、例えば、パラジウム[テトラキス（トリフェニルホスフィン）]、[トリス（ジベンジリデンアセトン）]ジパラジウム、パラジウムアセテートなどのパラジウム錯体、ニッケル[テトラキス（トリフェニルホスフィン）]、［1,3-ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン］ジクロロニッケル、[ビス（１，４−シクロオクダジエン）]ニッケルなどのニッケル錯体などの遷移金属錯体と、必要に応じ、さらにトリフェニルホスフィン、トリ（ｔ−ブチルホスフィン）、トリシクロヘキシルホスフィン、ジフェニルホスフィノプロパン、ビピリジルなどの配位子からなる触媒が挙げられる。
該触媒としては、あらかじめ合成したものを用いることもできるし、反応系中で調製したものを用いることもできる。本発明においては、該触媒を単独で又は２種以上混合して使用することができる。
該触媒は任意の量で用いることができるが、一般的には式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）で示される化合物のモル数の和に対する、遷移金属化合物の量として０．００１〜３００モル％が好ましく、０．００５〜５０モル％がより好ましく、０．０１〜２０モル％がさらに好ましい。

縮合重合において必要に応じ塩基を用いる場合がある。塩基としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウムなどの無機塩基、フッ化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウムなどの有機塩基が挙げられる。
該塩基は任意の量で用いることができるが、一般的には式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）で示される化合物のモル数の和に対して、０．５〜２０当量が好ましく、１〜１０当量がより好ましい。

縮合重合は、溶媒の非存在下においても実施可能であるが、通常、有機溶媒存在下で行われる。
使用する有機溶媒としては、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドなどが挙げられる。これらの有機溶媒は単独で用いてもよいし、二種以上を混合して組み合わせてもよい。
有機溶媒の使用量は、通常、モノマーの濃度が０．１〜９０重量％になるような割合で使用する。好ましい割合は１〜５０重量％であり、より好ましい割合は２〜３０重量％である。
有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般的に副反応を抑制するために、脱酸素処理を行うことが望ましい。

縮合重合を実施する反応温度は、反応媒体が液状を保つ範囲であれば、特に限定されない。好ましい温度範囲は、−１００℃〜２００℃であり、より好ましくは−８０℃〜１５０℃であり、さらに好ましくは０℃〜１２０℃である。
反応時間は、反応温度などの反応条件で変わるが、通常、１時間以上、好ましくは２〜５００時間である。

縮合重合は必要に応じて脱水条件下で行うことが望ましい場合がある。特に、式（ａ）（ｂ）、（ｃ）におけるＹ¹が式（ａ−２）で表される基である場合は、脱水条件下で行うことが必要である。

縮合重合の条件としては、例えば、Suzuki反応により重合する方法（ケミカル レビュー（Chem.Rev.），第95巻，2457頁（1995年））、Grignard反応により重合する方法（共立出版、高分子機能材料シリーズ第２巻、高分子の合成と反応（２）、432〜433頁）、山本重合法により重合する方法（プログレッシブ ポリマー サイエンス（Prog.Polym.Sci.）,第17巻,1153〜1205頁，1992年）、等が例示される。

後処理は、公知の方法に準じて行うことが可能である。例えば、メタノールなどの低級アルコールに反応溶液を加えて析出させた沈殿を濾過、乾燥することにより、目的とする高分子化合物を得ることができる。
上記の後処理で得られた高分子化合物の純度が低い場合は、再結晶、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィーなどの通常の方法にて精製することが可能である。

次に、本発明の高分子発光素子について説明する。

本発明の高分子発光素子は、陽極及び陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が本発明の高分子化合物を含むことを特徴とする。
有機層は、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、インターレイヤー層等のいずれであってもよいが、有機層が発光層であることが好ましい。
ここに、発光層とは、発光する機能を有する層をいい、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいい、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。また、インターレイヤー層とは、発光層と陽極との間で発光層に隣接して存在し、発光層と陽極、又は発光層と、正孔注入層若しくは正孔輸送層とを隔離する役割をもつ層のことである。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。また、電子注入層と正孔注入層を総称して電荷注入層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、及び電子注入層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。

有機層が発光層である場合、有機層である発光層がさらに正孔輸送性材料、電子輸送性材料又は発光性材料を含んでいてもよい。ここで、発光性材料とは、蛍光及び／又は燐光を示す材料のことを言う。

本発明の高分子化合物と正孔輸送性材料と混合する場合には、その混合物全体に対して、正孔輸送性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の高分子材料と電子輸送性材料を混合する場合には、その混合物全体に対して電子輸送性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。さらに、本発明の高分子化合物と発光性材料を混合する場合にはその混合物全体に対して発光性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の高分子化合物と発光性材料、正孔輸送性材料及び／又は電子輸送性材料を混合する場合には、その混合物全体に対して発光性材料の混合割合は１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％であり、正孔輸送性材料と電子輸送性材料はそれらの合計で１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％である。従って本発明の高分子化合物の含有量は９８ｗｔ％〜１ｗｔ％、好ましくは９０ｗｔ％〜２０ｗｔ％である。

混合する正孔輸送性材料、電子輸送性材料、及び発光性材料は、公知の低分子化合物、三重項発光錯体、又は高分子化合物が使用できるが、高分子化合物を用いることが好ましい。
高分子化合物の正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び発光性材料としては、ＷＯ９９／１３６９２、ＷＯ９９／４８１６０、ＧＢ２３４０３０４Ａ、ＷＯ００／５３６５６、ＷＯ０１／１９８３４、ＷＯ００／５５９２７、ＧＢ２３４８３１６、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ００／０６６６５、ＷＯ９９／５４９４３、ＷＯ９９／５４３８５、ＵＳ５７７７０７０、ＷＯ９８／０６７７３、ＷＯ９７／０５１８４、ＷＯ００／３５９８７、ＷＯ００／５３６５５、ＷＯ０１／３４７２２、ＷＯ９９／２４５２６、ＷＯ００／２２０２７、ＷＯ００／２２０２６、ＷＯ９８／２７１３６、ＵＳ５７３６３６、ＷＯ９８／２１２６２、ＵＳ５７４１９２１、ＷＯ９７／０９３９４、ＷＯ９６／２９３５６、ＷＯ９６／１０６１７、ＥＰ０７０７０２０、ＷＯ９５／０７９５５、特開平２００１−１８１６１８、特開平２００１−１２３１５６、特開平２００１−３０４５、特開平２０００−３５１９６７、特開平２０００−３０３０６６、特開平２０００−２９９１８９、特開平２０００−２５２０６５、特開平２０００−１３６３７９、特開平２０００−１０４０５７、特開平２０００−８０１６７、特開平１０−３２４８７０、特開平１０−１１４８９１、特開平９−１１１２３３、特開平９−４５４７８等に開示されているポリフルオレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体及び共重合体、芳香族アミン及びその誘導体の（共）重合体が例示される。

低分子化合物の蛍光性材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン若しくはその誘導体、又はテトラフェニルブタジエン若しくはその誘導体などを用いることができる。
具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。
三重項発光錯体としては、例えば、イリジウムを中心金属とするIr(ppy)₃、Btp₂Ir(acac)、白金を中心金属とするPtOEP、ユーロピウムを中心金属とするEu(TTA)₃phen等が挙げられる。

三重項発光錯体として具体的には、例えばNature, (1998), 395, 151、Appl. Phys. Lett. (1999), 75(1), 4、Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 4105(Organic Light-Emitting Materials and DevicesＩＶ), 119、J. Am. Chem. Soc., (2001), 123, 4304、Appl. Phys. Lett., (1997), 71(18), 2596、Syn. Met., (1998), 94(1), 103、Syn. Met., (1999), 99(2), 1361、Adv. Mater., (1999), 11(10), 852 、Jpn.J.Appl.Phys.,34, 1883 (1995)などに記載されている。

本発明の高分子組成物は、正孔輸送材料、電子輸送材料、及び発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と本発明の高分子化合物とを含有し、発光材料や電荷輸送材料として用いることができる。
その正孔輸送材料、電子輸送材料、及び発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と本発明の高分子化合物の含有比率は、用途に応じて決めればよいが、発光材料の用途の場合は、上記の発光層におけるのと同じ含有比率が好ましい。

本発明の高分子組成物のポリスチレン換算の数平均分子量は通常１０³〜１０⁸程度であり、好ましくは１０⁴〜１０⁶である。また、ポリスチレン換算の重量平均分子量は通常１０³〜１０⁸程度であり、成膜性の観点及び素子にした場合の効率の観点から、１×１０⁴〜５×１０⁶であることが好ましい。ここで、高分子組成物の平均分子量とは、２種類以上の高分子化合物を混合して得られた組成物をＧＰＣで分析して求めた値をいう。

本発明の高分子発光素子が有する発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

発光層の形成方法としては、例えば、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。

印刷法等で用いる溶液（インク組成物）としては、少なくとも１種類の本発明の高分子化合物が含有されていればよく、また本発明の高分子化合物以外に正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、溶媒、安定剤などの添加剤を含んでいてもよい。
該インク組成物中における本発明の高分子化合物の割合は、溶媒を除いた組成物の全重量に対して通常は２０ｗｔ％〜１００ｗｔ％であり、好ましくは４０ｗｔ％〜１００ｗｔ％である。
またインク組成物中に溶媒が含まれる場合の溶媒の割合は、組成物の全重量に対して１ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％であり、好ましくは６０ｗｔ％〜９９．５ｗｔ％であり、より好ましくは８０ｗｔ％〜９９．０ｗｔ％である。
インク組成物の粘度は印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法などインク組成物中が吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。

本発明の溶液は、発明の高分子化合物の他に、粘度及び/又は表面張力を調節するための添加剤を含有していてもよい。該添加剤としては、粘度を高めるための高分子量の高分子化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤などを適宜組み合わせて使用すればよい。
前記の高分子量の高分子化合物としては、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよい。例えば、高分子量のポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、又は本発明の高分子化合物のうち分子量が大きいものなどを用いることができる。重量平均分子量が５０万以上が好ましく、１００万以上がより好ましい。
貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。すなわち、溶液中の固形分に対する貧溶媒を少量添加することで、粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、溶液中の固形分が析出しない範囲で、溶媒の種類と添加量を選択すればよい。保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、溶液全体に対して５０ｗｔ％以下であることが好ましく、３０ｗｔ％以下であることが更に好ましい。

また、本発明の溶液は、保存安定性を改善するために、本発明の高分子化合物の他に、酸化防止剤を含有していてもよい。酸化防止剤としては、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤などが例示される。

インク組成物として用いる溶媒としては特に制限はないが、該インク組成物を構成する溶媒以外の材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。
これらのうち、高分子化合物等の溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、１−メチルナフタレン、テトラリン、アニソール、エトキシベンゼン、シクロヘキサン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、デカリン、安息香酸メチル、シクロヘキサノン、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトン、アセトフェノン、ベンゾフェノンが好ましい。

溶液中の溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることが好ましく、２〜３種類であることがより好ましく、２種類であることがさらに好ましい。
溶液中に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であることが好ましく、２００℃以上の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、２種類の溶媒ともに、６０℃において１ｗｔ％以上の芳香族重合体が溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において１ｗｔ％以上の芳香族重合体が溶解することが好ましい。
溶液中に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、溶液中の全溶媒の重量の４０〜９０ｗｔ％であることが好ましく、５０〜９０ｗｔ％であることがより好ましく、６５〜８５ｗｔ％であることがさらに好ましい。
溶液中に含まれる本発明の芳香族重合体は、１種類でも２種類以上でもよく、素子特性等を損なわない範囲で本発明の芳香族重合体以外の高分子化合物を含んでいてもよい。
本発明の溶液には、水、金属及びその塩を１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。金属としては、具体的にはリチウム、ナトリウム、カルシウム、カリウム、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、白金、イリジウム等が挙げられる。また、ケイ素、リン、フッ素、塩素、及び／又は臭素を１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。

本発明の溶液を用いて、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等により薄膜を作製することができる。中でも、本発明の溶液をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法により成膜する用途に用いることが好ましく、インクジェット法で成膜する用途に用いることがより好ましい。

本発明の溶液を用いて薄膜を作製する場合、溶液に含まれる高分子化合物のガラス転移温度が高いため、１００℃以上の温度でベークすることが可能であり、１３０℃の温度でベークしても素子特性の低下が非常に小さい。また、高分子化合物の種類によっては、１６０℃以上の温度でベークすることも可能である。

本発明の溶液を用いて作製できる薄膜としては、発光性薄膜、導電性薄膜、及び有機半導体薄膜が例示される。

本発明の導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物などをドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が１００Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□以下であることがさらに好ましい。
本発明の有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きい方が、１０^-5ｃｍ²／Ｖ／秒以上であることが好ましい。より好ましくは、１０^-3ｃｍ²／Ｖ／秒以上であり、さらに好ましくは、１０^-1ｃｍ²／Ｖ／秒以上である。
ＳｉＯ₂などの絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に該有機半導体薄膜を形成し、Ａｕなどでソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。

本発明の高分子発光素子は、素子の輝度等の観点から陽極と陰極との間に３．５Ｖ以上の電圧を印加したときの最大外部量子収率が１％以上であることが好ましく、１．５％以上がより好ましい。

本発明の高分子発光素子としては、陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた高分子発光素子、陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子、陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。
例えば、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
またこれら構造の各一について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造も例示される。すなわち、以下のａ’）〜ｄ’）の構造が例示される。
ａ’）陽極／インターレイヤー層／発光層／陰極
ｂ’）陽極／正孔輸送層／インターレイヤー層／発光層／陰極
ｃ’）陽極／インターレイヤー層／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ’）陽極／正孔輸送層／インターレイヤー層／発光層／電子輸送層／陰極
本発明の高分子発光素子が正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送性材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などが例示される。

具体的には、該正孔輸送性材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送性材料として、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体等の高分子正孔輸送性材料が好ましく、より好ましくはポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。

また、低分子化合物の正孔輸送性材料としてはピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。低分子の正孔輸送性材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。
ポリシラン若しくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
ポリシロキサン若しくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送性材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。

正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送性材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送性材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子発光素子が電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送性材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体等が例示される。

具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送性材料では、粉末からの真空蒸着法、又は溶液若しくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、上記の高分子バインダーを併用してもよい。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び／又は高分子バインダーを溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。

溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。
さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。

本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子が挙げられる。
例えば、具体的には、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
またこれら構造の各一について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造も例示される。なおこの場合、インターレイヤー層が正孔注入層及び／又は正孔輸送層を兼ねてもよい。

電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送性材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送性材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくする
ためには、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０²以下がより好ましく、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０¹以下がさらに好ましい。
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小
さくするためには、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０²Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０¹Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。

通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。

電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。

電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。

膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
具体的には、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｖ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｗ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｙ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｚ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
またこれら構造の各一について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造も例示される。なおこの場合、インターレイヤー層が正孔注入層及び／又は正孔輸送層を兼ねてもよい。

上記の構造ａ）〜ａｂ）にインターレイヤー層を適用する構造について、インターレイヤー層としては、陽極と発光層との間に設けられ、陽極又は正孔注入層若しくは正孔輸送層と、発光層を構成する高分子化合物との中間のイオン化ポテンシャルを有する材料で構成されることが好ましい。
インターレイヤー層に用いる材料として、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などの、芳香族アミンを含むポリマーが例示される。
インターレイヤー層の成膜の方法に制限はないが、例えば高分子材料を用いる場合においては溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、インターレイヤー層に用いる材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
インターレイヤー層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよい。例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

該インターレイヤー層を発光層に隣接して設ける場合、特に両方の層を塗布法により形成する場合には、２つの層の材料が混合して素子の特性等に対して好ましくない影響を与える場合がある。インターレイヤー層を塗布法で形成した後、発光層を塗布法で形成する場合、２つの層の材料の混合を少なくする方法としては、インターレイヤー層を塗布法で形成した後、該インターレイヤー層を加熱して発光層作成に用いる有機溶媒に対して不溶化した後、発光層を形成する方法が挙げられる。加熱の温度は通常１５０℃〜３００℃程度であり、時間は通常１分〜１時間程度である。この場合、加熱により溶媒不溶化しなかった成分を除くため、加熱した後、発光層を形成する前に、該インターレイヤー層を発光層形成に用いる溶媒でリンスすることで取り除くことができる。加熱による溶媒不溶化が十分に行われた場合は、溶媒によるリンスが省略できる。加熱による溶媒不溶化が十分に行われるためには、インターレイヤー層に用いる高分子化合物として分子内に少なくとも一つの重合可能な基を含むものを用いることが好ましい。さらには重合可能な基の数が、分子内の構成単位の数に対して５％以上であることが好ましい。

本発明の高分子発光素子を形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。
通常本発明の高分子発光素子が有する陽極及び陰極の少なくとも一方が透明又は半透明である。陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。

該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。

陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、又は金属酸化物、金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。

本発明の高分子発光素子で用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、又はそれらのうち２つ以上の合金、又はそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。

陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、又は金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、又は金属酸化物、金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。該高分子発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。
該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、金属板、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子が傷付くのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより、製造工程で吸着した水分又は硬化樹脂を通り抜けて浸入する微量の水分が素子にダメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策を採ることが好ましい。

本発明の高分子発光素子は面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライト等として用いることができる。
本発明の高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極又は陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（数平均分子量および重量平均分子量）
ここで、数平均分子量および重量平均分子量については、ＧＰＣ（島津製作所製：ＬＣ−１０Ａｖｐ）によりポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量を求めた。測定する重合体は、約０．５ｗｔ％の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに５０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相はテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／ｍｉｎの流速で流した。カラムは、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。

(蛍光スペクトル)
蛍光スペクトルの測定は以下の方法で行った。重合体の０．８ｗｔ％トルエン溶液を石英上にスピンコートして重合体の薄膜を作製した。この薄膜を３５０ｎｍの波長で励起し、蛍光分光光度計（堀場製作所製Ｆｌｕｏｒｏｌｏｇ）を用いて蛍光スペクトルを測定した。薄膜での相対的な蛍光強度を得るために、水のラマン線の強度を標準に、波数プロットした蛍光スペクトルをスペクトル測定範囲で積分して、分光光度計（Ｖａｒｉａｎ社製 Ｃａｒｙ５Ｅ）を用いて測定した、励起波長での吸光度で割り付けた値を求めた。

（ガラス転移温度）
ガラス転移温度はＤＳＣ（ＤＳＣ２９２０、ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製）により求めた。

＜合成例１＞
[化合物（Ｊ１）の合成]
不活性雰囲気下、三口フラスコに９，１０−ジブロモアントラセン３７．６ｇ（０．１１ｍｏｌ）、Ｎ−（４−ｔ−ブチルフェニル）アニリン５０．４ｇ（０．２２ｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム２５．８ｇ（０．２７ｍｏｌ）、[トリス（ジベンジリデンアセトン）]ジパラジウム２．１ｇ（２．２ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン１．８ｇ（９ｍｍｏｌ）、脱水トルエン９１ｍＬを加え、１００℃にて攪拌した。その後、反応溶液を室温まで冷却し、１Ｎ塩酸水溶液６．２ｇ、メタノール１２５０ｍＬを攪拌しながら加え、析出した結晶を濾過し、ＭｅＯＨ、蒸留水にて洗浄し、減圧乾燥して粗生成物を得た。該粗生成物をヘキサンにて再結晶を行い、目的とする化合物（Ｊ１）を６１ｇ（収率１００％、ＨＰＬＣ面百値９９．３％）得た。
¹Ｈ−ＮＭＲ (２９９．４ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ３) ： １．２７ (ｓ,１８H), ６．８６ (ｍ，２Ｈ), ７．０８ (ｍ, ８Ｈ), ７．２０ (ｍ, ８Ｈ), ７．３６ (ｍ, ４Ｈ)，８．２１ (ｍ, ４Ｈ)
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ）） ： ６２５ [Ｍ＋Ｈ]⁺

[化合物（Ｊ２）の合成]
不活性雰囲気下、三口フラスコに化合物（Ｊ１）５０．０ｇ（８０ｍｍｏｌ）、クロロホルム１１６７ｍＬを加え均一溶液にし、Ｎ−ブロモスクシンイミド２９．４ｇ（１６５ｍｍｏｌ）と脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６７ｍＬからなる溶液を２５−３５℃にて攪拌しながら滴下し、さらに２５−３５℃にて攪拌した。その後、反応混合物を加熱還流させ２５℃まで冷却し、メタノール１３３０ｍＬを滴下し、析出した結晶を濾過、メタノール洗浄、減圧乾燥して、目的とする化合物（Ｊ２）を５９ｇ（収率９５％、ＨＰＬＣ面百値９９．２％）得た。

¹Ｈ−ＮＭＲ (２９９．４ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ３) ： １．２７ (ｓ,１８H), ６．９０ (ｍ，４Ｈ), ７．０８ (ｍ, ４Ｈ), ７．２５ (ｍ, ８Ｈ), ７．３９ (ｍ, ４Ｈ)，８．１６ (ｍ, ４Ｈ)
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ）） ： ７８１ [Ｍ＋Ｈ]⁺

＜合成例２＞
[化合物（Ｊ３）の合成]
不活性雰囲気下、三口フラスコに９，１０−ジブロモアントラセン１５．０ｇ（４４．６ｍｍｏｌ）、Ｎ−（４−メチルフェニル）アニリン１６．４ｇ（８９．２ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム１０．３ｇ（１０７．０ｍｍｏｌ）、[トリス（ジベンジリデンアセトン）]ジパラジウム０．８２ｇ（０．８９ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．７５ｇ（３．５７ｍｍｏｌ）、脱水トルエン１００ｍＬを加え、１００℃にて５時間攪拌した。その後、反応溶液を室温まで冷却し、１Ｎ塩酸水溶液にて中和し、メタノール５００ｍＬを攪拌しながら加え、析出した結晶を濾過し、ＭｅＯＨ、蒸留水にて洗浄し、減圧乾燥して目的とする化合物（Ｊ３）を２２．７ｇ（収率９３％、ＨＰＬＣ面百値９８．５％）得た。
¹Ｈ−ＮＭＲ (２９９．４ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ３) ： ２．２６ (ｓ,６H), ６．８６ (ｍ，２Ｈ), ７．０３(ｍ, １２Ｈ), ７．１７ (ｍ, ４Ｈ), ７．３４ (ｍ, ４Ｈ)，８．１８ (ｍ, ４Ｈ)
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ）） ： ５４１[Ｍ＋Ｈ]⁺

[化合物（Ｊ４）の合成]
不活性雰囲気下、三口フラスコに化合物（Ｊ３）５．０ｇ（９．２ｍｍｏｌ）、クロロベンゼン１５０ｍＬを加え加熱して均一溶液にし、Ｎ−ブロモスクシンイミド３．４ｇと脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド８ｍＬからなる溶液を２５−３５℃にて攪拌しながら滴下し、さらに２５−３５℃にて４時間攪拌した。その後、反応混合物を加熱還流させ２５−３５℃まで冷却し、析出した結晶を濾過、減圧乾燥して、粗生成物を得た。粗生成物をメタノールに懸濁させた後、結晶を濾過、メタノール洗浄、減圧乾燥することで、目的とする化合物（Ｊ４）を６．０ｇ（収率９２．３％、ＨＰＬＣ面百値９９．７％）得た。
¹Ｈ−ＮＭＲ (２９９．４ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ３) ： ２．２６ (ｓ,６H), ６．８７ (ｍ，４Ｈ), ７．０３(ｍ, ８Ｈ), ７．２６ (ｍ, ４Ｈ), ７．３７ (ｍ, ４Ｈ)，８．１１ (ｍ, ４Ｈ)
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ）） ： ６９６ [Ｍ]^+・

＜合成例３＞
[２，６−ジ−ｔ−ブチルアントラセンの合成]
アントラセン１５３ｇ、ｔ−ブチルアルコール１９１ｇ、トリフルオロ酢酸８６０ｍＬを８０−８４℃にて２４時間攪拌した後、４℃まで冷却し析出した沈殿物を濾過、トルエン洗浄、ヘキサンで洗浄し灰色の固体を得た。該固体をトルエンにて再結晶することで目的とする２，６−ジ−ｔ−ブチルアントラセンを７６．２ｇ（収率３０．５％、ＨＰＬＣ面百値９９．１％）得た。

[９，１０−ジブロモ−２，６−ジ−ｔ−ブチルアントラセンの合成]
２，６−ジ−ｔ−ブチルアントラセン７６．２ｇおよび四塩化炭素２．４Ｌからなる溶液に、臭素８２．５ｇおよび四塩化炭素２４０ｍＬからなる溶液を２４〜３０℃にて１時間かけて滴下し、さらに３時間攪拌を行った。次いで、氷浴中にて１０％水酸化ナトリウム水溶液１Ｌを１．５時間かけて滴下し、水層を有機層から分離した。得られた有機層を水洗し、体積が５００ｍＬになるまで四塩化炭素を減圧留去し、得られた溶液を攪拌しながら７℃まで冷却し、析出した結晶をろ取することにより、目的とする９，１０−ジブロモ−２，６−ジ−ｔ−ブチルアントラセン１１０ｇ（収率９５％、ＨＰＬＣ面百値９９．７％）得た。
¹Ｈ−ＮＭＲ (２９９．４ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ３) ： １．４９ (ｓ,１８H), ７．７０ (ｄ，２Ｈ), ８．４５(ｓ, ２Ｈ), ８．５０ (ｄ, ２Ｈ)

[化合物（Ｊ５）の合成]
不活性雰囲気下、９，１０−ジブロモ−２，６−ジ−ｔ−ブチルアントラセン５０．０ｇ、Ｎ−（４−ｔ−ブチルフェニル）アニリン５０．０ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム２５．７ｇ、[トリス（ジベンジリデンアセトン）]ジパラジウム２．０ｇ、トリ−ｔ−ブチルホスフィン１．８ｇ、脱水トルエン３００ｍＬを加え、９０℃にて１時間攪拌した。その後、反応溶液を室温まで冷却し、１Ｎ塩酸水溶液３１８ｍＬにて中和し、メタノール１Ｌを攪拌しながら加え、析出した結晶を濾過し、ＭｅＯＨにて洗浄した。該結晶をトルエン９００ｍＬに溶解させ、ヘキサン９００ｍＬを加えて２ｈｒ攪拌し、析出した結晶を濾過、減圧乾燥して目的とする化合物（Ｊ５）を４５．１ｇ（収率５５％、ＨＰＬＣ面百値９９．０％）得た。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ）） ： ７３７ [Ｍ＋Ｈ]⁺

[化合物（Ｊ６）の合成]
不活性雰囲気下、化合物（Ｊ５）４０．０ｇ、クロロベンゼン８４０ｍＬを加え加熱して均一溶液にし、Ｎ−ブロモスクシンイミド１７．７ｇと脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド４０ｍＬからなる溶液を３０℃にて攪拌しながら滴下し、７℃にて１２時間攪拌した。その後、反応混合物にヘキサン３３６０ｍＬを加えて１時間攪拌し、析出した沈殿を濾過にて除去し、濾液を全量が２００ｍＬになるまで濃縮し析出した固体をろ取した。該固体をトルエンにて再結晶することにより、目的とする化合物（Ｊ６）を２５．７ｇ（収率５３％、ＨＰＬＣ面百値９９．３％）得た。
¹Ｈ−ＮＭＲ (２９９．４ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ３) ： １．２１ (ｓ,１８H), １．２６ (ｓ，１８Ｈ), ６．８９(ｍ, ４Ｈ), ７．０７ (ｍ, ４Ｈ)，７．２５ (ｍ, ８Ｈ)，７．４２（ｄ，２Ｈ），８．０１（ｍ，４Ｈ）
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ）） ： ８９３ [Ｍ＋Ｈ]⁺

＜比較例１＞
[高分子化合物１の合成]
不活性雰囲気下、下記化合物（Ｊ２）を０．１８８ｇ（０.２４ｍｍｏｌ）、下記化合物（Ｊ１３）を２．０６ｇ（３．７６ｍｍｏｌ）、下記化合物（Ｊ１４）を２．１０ｇ（３．９６ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（２．７ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２９．６ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．５２ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（４０ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２Ｍ Ｎａ₂ＣＯ₃水溶液（１０．９ｍｌ）を滴下し、２時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（５０ｍｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え８０℃で２時間撹拌した。冷却後、水（５２ｍｌ）で２回、３％酢酸水溶液（５２ｍｌ）で２回、水（５２ｍｌ）で２回洗浄し、得られた溶液をメタノール（６２０ｍＬ）に滴下、ろ取することで沈殿物を得た。該沈殿物をトルエン（１２４ｍＬ）に溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（６２０ｍｌ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物１の収量は２．５４ｇであった。
高分子化合物１のポリスチレン換算数平均分子量は、１．１×１０⁵であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は２．５×１０⁵であった。蛍光強度は４．５、ガラス転移温度は７３℃であった。

＜実施例１＞
[高分子化合物２の合成]
不活性雰囲気下、下記化合物（Ｊ２）を０．１８８ｇ（０.２４ｍｍｏｌ）、下記化合物（Ｊ８）を２．２５ｇ（３．７６ｍｍｏｌ）、下記化合物（Ｊ９）を２．７４ｇ（３．９６ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（２．７ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２９．６ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．５２ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（４０ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２Ｍ Ｎａ₂ＣＯ₃水溶液（１０．９ｍｌ）を滴下し、４．５時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（５０ｍｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え８０℃で２時間撹拌した。冷却後、水（５２ｍｌ）で２回、３％酢酸水溶液（５２ｍｌ）で２回、水（５２ｍｌ）で２回洗浄し、得られた溶液をメタノール（６２０ｍＬ）に滴下、ろ取することで沈殿物を得た。該沈殿物をトルエン（１２４ｍＬ）に溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（６２０ｍｌ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物２の収量は２．５５ｇであった。
高分子化合物２のポリスチレン換算数平均分子量は、１．０×１０⁵であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は２．３×１０⁵であった。蛍光強度は７．１、ガラス転移温度は１３６℃であった。比較例１記載の高分子化合物１と比べ、本願発明にかかる高分子化合物２は、蛍光強度が強く、耐熱性に優れるものである。
なお、化合物（Ｊ８）および（Ｊ９）は国際公開特許ＷＯ２００５／０５６６３３の１４８〜１５０頁に記載の方法で合成した。

＜実施例２＞
[高分子化合物３の合成]
不活性雰囲気下、下記化合物（Ｊ２）を０．１５７ｇ（０.２０ｍｍｏｌ）、下記化合物（Ｊ１０）を１．８３５ｇ（３．１５ｍｍｏｌ）、下記化合物（Ｊ１４）を１．７７７ｇ（３．３５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（２．３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２４．８ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．４３ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（３４ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２Ｍ Ｎａ₂ＣＯ₃水溶液（９．１ｍｌ）を滴下し、１．５時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（４１ｍｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え８０℃で２時間撹拌した。冷却後、水（４４ｍｌ）で２回、３％酢酸水溶液（４４ｍｌ）で２回、水（４４ｍｌ）で２回洗浄し、得られた溶液をメタノール（５２０ｍＬ）に滴下、ろ取することで沈殿物を得た。該沈殿物をトルエン（１０４ｍＬ）に溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（５２０ｍｌ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物３の収量は２．１９ｇであった。
高分子化合物３のポリスチレン換算数平均分子量は、１．１×１０⁵であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は３．３×１０⁵であった。
なお、化合物（Ｊ１０）は特許文献の特開２００４−５９８９９の９０頁に記載の方法で合成した。

＜実施例３＞
高分子化合物２の、１．２ｗｔ％キシレン溶液を調製した。スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより５０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、上記調製したキシレン溶液を用いてスピンコートにより９００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約１００ｎｍであった。これを窒素ガス雰囲気下１３０℃で１時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、ＥＬ素子を作製した。なお真空度が、１×１０^-4Ｐａ以下に到達したのち、金属の蒸着を開始した。得られた素子に電圧を引加することにより、緑色のＥＬ発光（ピーク波長５２５ｎｍ）が得られた。該素子は５．５Ｖで１００ｃｄ／ｍ²の発光を示し、最大輝度は約６０００ｃｄ／ｍ²以上と高輝度が得られた。
該素子を４９ｍＡ／ｃm2の定電流密度で駆動したところ、半減寿命は４８時間と、同じ電流密度で駆動した下記比較例２と比べ本発明の高分子化合物２の方が長寿命であった。

＜実施例４＞
高分子化合物３の、１．０ｗｔ％キシレン溶液を調製し、実施例３と同様にＥＬ素子を作製した。発光層は、スピンコートにより４０００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約８０ｎｍであった。得られた素子に電圧を引加することにより、緑色のＥＬ発光（ピーク波長５３０ｎｍ）が得られた。該素子は６Ｖで１００ｃｄ／ｍ²の発光を示し、最大輝度は約１２０００ｃｄ／ｍ²以上と高輝度が得られた。
該素子を４９ｍＡ／ｃm2の定電流密度で駆動したところ、半減寿命は２５０時間以上と、同じ電流密度で駆動した下記比較例２と比べ本発明の高分子化合物３の方が長寿命であった。

＜比較例２＞
実施例３記載の高分子化合物２の代わりに、高分子化合物１を用いて、１．２％キシレン溶液を調製し、これを用いて実施例３と同様にＥＬ素子を作製した。発光層は、スピンコートにより１３００ｒｐｍの回転速度で成膜した。得られた素子に電圧を印加することにより、緑色のＥＬ発光（ピーク波長５２５ｎｍ）が得られた。
該素子を４９ｍＡ／ｃm2の定電流密度で駆動したところ、半減寿命は０．０７時間であった。

＜比較例３＞
[高分子化合物４の合成]
不活性雰囲気下、下記化合物（Ｊ６）を０．１５７ｇ（０.１７ｍｍｏｌ）、下記化合物（Ｊ１３）を１．５０ｇ（２．７４ｍｍｏｌ）、下記化合物（Ｊ１４）を１．５５ｇ（２．９２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（２．０ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２１．６ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．３８ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（２９ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２Ｍ Ｎａ₂ＣＯ₃水溶液（７．９ｍｌ）を滴下し、４．５時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（３６ｍｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え８０℃で２時間撹拌した。冷却後、水（３８ｍｌ）で２回、３％酢酸水溶液（３８ｍｌ）で２回、水（３８ｍｌ）で２回洗浄し、得られた溶液をメタノール（４５０ｍＬ）に滴下、ろ取することで沈殿物を得た。該沈殿物をトルエン（９０ｍＬ）に溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（４５０ｍｌ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物４の収量は１．７５ｇであった。
高分子化合物４のポリスチレン換算数平均分子量は、８．３×１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．９×１０⁵であった。蛍光強度は４．５、ガラス転移温度は７８℃であった。

＜実施例５＞
[高分子化合物５の合成]
不活性雰囲気下、下記化合物（Ｊ６）を０．１８０ｇ（０.２０ｍｍｏｌ）、下記化合物（Ｊ８）を１．８９ｇ（３．１５ｍｍｏｌ）、下記化合物（Ｊ９）を２．３２ｇ（３．３５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（２．３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２４．８ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．４３ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（３４ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２Ｍ Ｎａ₂ＣＯ₃水溶液（９．１ｍｌ）を滴下し、２時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（４１ｍｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え８０℃で２時間撹拌した。冷却後、水（４４ｍｌ）で２回、３％酢酸水溶液（４４ｍｌ）で２回、水（４４ｍｌ）で２回洗浄し、得られた溶液をメタノール（５２０ｍＬ）に滴下、ろ取することで沈殿物を得た。該沈殿物をトルエン（１０４ｍＬ）に溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（５２０ｍｌ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物５の収量は１．４８ｇであった。
高分子化合物５のポリスチレン換算数平均分子量は、８．８×１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．８×１０⁵であった。蛍光強度は８．１、ガラス転移温度は１３８℃であった。比較例３記載の高分子化合物４と比べ、本願発明にかかる高分子化合物５は、蛍光強度が強く、耐熱性に優れるものである。

＜実施例６＞
高分子化合物５の、１．２ｗｔ％キシレン溶液を調製し、実施例３と同様にＥＬ素子を作製した。発光層は、スピンコートにより１４００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約８０ｎｍであった。得られた素子に電圧を引加することにより、緑色のＥＬ発光（ピーク波長５２０ｎｍ）が得られた。該素子は５Ｖで１００ｃｄ／ｍ²の発光を示し、最大輝度は約１２０００ｃｄ／ｍ²以上と高輝度が得られた。
該素子を４９ｍＡ／ｃm2の定電流密度で駆動したところ、半減寿命は３時間と、同じ電流密度で駆動した下記比較例４と比べ本発明の高分子化合物５の方が長寿命であった。

＜比較例４＞
実施例６記載の高分子化合物５の代わりに、高分子化合物４を用いて、１．２％キシレン溶液を調製し、これを用いて実施例３と同様にＥＬ素子を作製した。発光層は、スピンコートにより９００ｒｐｍの回転速度で成膜した。得られた素子に電圧を印加することにより、緑色のＥＬ発光（ピーク波長５２５ｎｍ）が得られた。
該素子を４９ｍＡ／ｃm2の定電流密度で駆動したところ、半減寿命は０．０２時間であった。

＜実施例７＞
[高分子化合物６の合成]
不活性雰囲気下、下記化合物（Ｊ７）を０．６３０ｇ（０．６９ｍｍｏｌ）、下記化合物（Ｊ８）を０．２７６ｇ（０．４６ｍｍｏｌ）、下記化合物（Ｊ９）を０．８１０ｇ（１．１７ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（０．８ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（４．９ｍｇ）、２０ｗｔ％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（８．５ｇ）、トルエン（１３ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱し、３時間還流させた。反応後、４−ｔ−ブチルブロモベンゼン（１２３ｍｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え６５℃で２時間撹拌した。冷却後、２Ｎ塩酸（２６ｍｌ）で２回、１０％酢酸ナトリウム水溶液（２６ｍｌ）で２回、水（２６ｍｌ）で２回洗浄し、セライトを通し、得られた溶液をメタノール（５１０ｍＬ）に滴下、ろ取することで沈殿物を得た。該沈殿物をトルエン（１０４ｍＬ）に溶解させ、得られたトルエン溶液をメタノール（５２０ｍｌ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し乾燥させる操作を２回実施した。得られた高分子化合物６の収量は０．９５ｇであった。
高分子化合物６のポリスチレン換算数平均分子量は、２．８×１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は５．２×１０⁴であった。蛍光強度は４．９、ガラス転移温度は１２５℃であった。
なお、化合物（Ｊ７）は国際公開特許ＷＯ２００５／０４９５４６の１２頁に記載の方法で合成した。

＜実施例８＞
[高分子化合物６による発光素子の作成]
高分子化合物６の、１．８ｗｔ％キシレン溶液を調製し、実施例３と同様にＥＬ素子を作製した。発光層は、スピンコートにより９００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約９０ｎｍであった。得られた素子に電圧を引加することにより、青色のＥＬ発光（ピーク波長４６０ｎｍ）が得られた。

＜実施例９＞
［高分子化合物７の合成］
１００ｍＬ 二口フラスコに、下記化合物（Ｊ４）を０．０３１２ｇ（０．０４４ｍｍｏｌ）、下記化合物（Ｊ９）を１．５２４ｇ（２．２０ｍｍｏｌ）、下記化合物（Ｊ１１）を１．２５４ｇ（１．９２ｍｍｏｌ）、下記化合物（Ｊ１２）を０．１０３ｇ（０．２２ｍｍｏｌ）、相間移動触媒であるＡｌｉｑｕａｔ^TM０．３４ｇを加え、フラスコ内をアルゴンガスにて置換した。次いで、トルエン１９ｍＬを加え、攪拌しながらＡｒバブリングを３０分行った。次いで、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１．９ｍｇ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液４．５ｍＬを加え、１００℃にて２．５時間攪拌した後、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム２．９ｍｇを追加し、さらに１００℃にて３時間攪拌を行った。次いで、４−ｔ−ブチルフェニルホウ酸０．２０ｇ、トルエン１５ｍＬを加え、１００℃にて１．５時間攪拌した。室温まで冷却した後、トルエン８０ｍＬ、水５０ｍＬを加えて攪拌した後、有機層を水層と分離した。該有機層に水を加え攪拌した後、水層と分離した有機層をメタノール５００ｍＬに滴下し、得られた沈殿物を濾過、乾燥した。該沈殿物をトルエン１００ｍＬに溶解し、シリカゲルとアルミナのカラムに通液させ、メタノール８００ｍＬに滴下し、得られた沈殿物を濾過、乾燥し、高分子化合物７を１．７ｇ得た。ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝１．０×１０⁵、Ｍｗ＝２．３×１０⁵であった。

＜実施例１０＞
［高分子化合物７による発光素子の作成］
スパッタ法によりＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（Ｂａｙｅｒ製、Ｂｙｔｒｏｎ Ｐ CH 8000）の懸濁液を、スピンコートにより８０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で200℃、15分間乾燥し、次にインターレーヤー層を形成した。次に、実施例９にて得られた高分子化合物７をキシレンに溶解させた。このとき、固形分の濃度は約１．５ｗｔ％となるように調製した。このキシレン溶液を用いてスピンコートにより、90nmの厚みで成膜した。その後、窒素雰囲気下で１３０℃１時間乾燥した後、陰極として、バリウムを、次いでアルミニウムを蒸着して、有機ＥＬ素子を作製した。得られた素子に電圧を印加したところ、高分子化合物７由来のピーク波長５２５ｎｍの緑色発光を示した。また、この素子は7.4Vの電圧を印加した際に、最大発光効率11.5cd/Aを示し、その際の色度座標C.I.E.1931（x,y）＝（0.291,0.585）であった。

＜実施例１１＞
［高分子化合物８の合成］
化合物（Ｊ４）０．０８０ｍｍｏｌ、化合物（Ｊ９）４．０４ｍｍｏｌ、化合物（Ｊ１２）０．４０ｍｍｏｌ、下記化合物（Ｊ１６）３．５２ｍｍｏｌをモノマーとして使用した以外は、実施例９と同様の処方にて、高分子化合物８を３．２ｇ得た。ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝１．４×１０⁵、Ｍｗ＝２．９×１０⁵であった。

＜実施例１２＞
［高分子化合物８による発光素子の作成］
スパッタ法によりＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（Ｂａｙｅｒ製、Ｂｙｔｒｏｎ Ｐ CH 8000）の懸濁液を、スピンコートにより８０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で200℃、15分間乾燥し、次にインターレーヤー層を形成した。次に、高分子化合物８をキシレンに溶解させた。このとき、固形分の濃度は約１．５ｗｔ％となるように調製した。このキシレン溶液を用いてスピンコートにより、85nmの厚みで成膜した。その後、窒素雰囲気下で１３０℃１時間乾燥した後、陰極として、バリウムを、次いでアルミニウムを蒸着して、有機ＥＬ素子を作製した。得られた素子に電圧を印加したところ、高分子化合物８由来のピーク波長５２５ｎｍの緑色発光を示した。また、この素子は7.4Vの電圧を印加した際に、最大発光効率12.2cd/Aを示し、その際の色度座標C.I.E.1931（x,y）＝（0.271,0.565）であった。

＜比較例５＞
スパッタ法によりＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（Ｂａｙｅｒ製、Ｂｙｔｒｏｎ Ｐ CH 8000）の懸濁液を、スピンコートにより８０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で200℃、15分間乾燥し、次にインターレーヤー層を形成した。次に、特許文献１（国際公開第２００５／４９５４６号パンフレット）の２１頁、実施例８における処方と同様にして、下記化合物（Ｊ４）０．６０ｍｍｏｌ、化合物（Ｊ１４）６．１２ｍｍｏｌ、化合物（Ｊ１５）５．４０ｍｍｏｌを縮合重合して得られた高分子化合物９をキシレンに溶解させた。このとき、固形分の濃度は約１．５ｗｔ％となるように調製した。このキシレン溶液を用いてスピンコートにより、90nmの厚みで成膜した。その後、窒素雰囲気下で１３０℃１時間乾燥した後、陰極として、バリウムを、次いでアルミニウムを蒸着して、有機ＥＬ素子を作製した。得られた素子に電圧を印加したところ、高分子化合物９由来のピーク波長５３５ｎｍの緑色発光を示した。また、この素子は4.8Vの電圧を印加した際に、最大発光効率8.5cd/Aを示し、その際の色度座標C.I.E.1931（x,y）＝（0.354,0.609）であった。
このように、式（２）で表される繰り返し単位を含まない高分子化合物９と比べ、実施例１０および実施例１２にてそれぞれ使用した高分子化合物７および高分子化合物８は、高い効率を示し、本願発明にかかる高分子化合物は高分子発光素子に用いる材料として優れた性質を有するものである。

Claims (29)

1. 下記式（１）で表される繰り返し単位の１種類以上と下記式（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）および（Ｇ−２７）から選ばれる繰り返し単位の１種類以上とを含む高分子化合物であり、
   式（１）で表される繰り返し単位と、式（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）および（Ｇ−２７）で表される繰り返し単位の合計とのモル比が、０．１０：９９．９０〜５０．００：５０．００であることを特徴とする高分子化合物。
   
   

   

   （式中、Ａｒ¹は置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい一価の芳香族複素環基を表し、Ａｒ²は置換基を有していてもよいアリーレン基または置換基を有していてもよい二価の芳香族複素環基を表す。Ｚは縮合環構造を有する二価の芳香族基を表し、該基は置換基を有していてもよい。２個のＡｒ¹は、同一であっても異なっていてもよく、２個のＡｒ²は、同一であっても異なっていてもよい。）
   
   

   

   
   

   

   （式中、Ｒ _p1 、Ｒ _q1 、Ｒ _p2 、Ｒ _q2 、Ｒ _p3 、Ｒ _q3 、Ｒ _p4 およびＲ _q4 はそれぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。ａは０〜３の整数を表し、ｂは０〜５の整数を表す。Ｒ _p1 、Ｒ _q1 、Ｒ _p2 、Ｒ _q2 、Ｒ _p3 、Ｒ _q3 、Ｒ _p4 およびＲ _q4 が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒ _w1 、Ｒ _x1 、Ｒ _w2 、Ｒ _x2 、Ｒ _w3 、Ｒ _x3 、Ｒ _w4 およびＲ _x4 はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表し、Ｒ _w1 とＲ _x1 、Ｒ _w2 とＲ _x2 、Ｒ _w3 とＲ _x3 、Ｒ _w4 とＲ _x4 はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。）
   
   

   

   （式中、Ｙは酸素原子、硫黄原子または−Ｏ−Ｃ（Ｒ ^K ） ₂ −を表す。Ｒ ^K は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表す。２個のＲ ^K は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ ^s およびＲ ^t はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表す。Ｒ ^S およびＲ ^t が複数存在する場合には、同一であっても異なっていてもよい。ｍおよびｎはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。）
2. さらに下記式（４）または（５）で表される繰り返し単位を１種類以上含むことを特徴とする請求項１に記載の高分子化合物。
   
   −Ａｒ³− （４）
   （式中、Ａｒ³は置換基を有していてもよい二価の芳香族基を表す。）
   
   

   

   （式中Ａｒ⁶、Ａｒ⁷、Ａｒ⁸およびＡｒ⁹はそれぞれ独立に１，４−フェニレン基または４，４’−ビフェニレン基を表す。Ａｒ¹⁰、Ａｒ¹¹およびＡｒ¹²はそれぞれ独立にアリール基を表す。Ａｒ⁶、Ａｒ⁷、Ａｒ⁸、Ａｒ⁹、Ａｒ¹⁰、Ａｒ¹¹およびＡｒ¹²は置換基を有していてもよい。ｘおよびｙはそれぞれ独立に０または正の整数を示す。）
3. 式（１）において、Ｚが縮合環を有する置換もしくは無置換の芳香族炭化水素化合物から水素原子２個を除いた原子団であることを特徴とする、請求項１または２に記載の高分子化合物。
4. 式（１）において、Ｚが置換基を有していてもよいアントラセンジイル基または置換基を有していてもよいフルオレンジイル基であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の高分子化合物。
5. 式（１）において、Ａｒ¹が置換基を有していてもよいフェニル基であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の高分子化合物。
6. 式（１）で表される繰り返し単位が、下記式（Ｓ−５２）で表される二価の基であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の高分子化合物。
   
   

   

   （式中、Ｒ_D、Ｒ_E、Ｒ_F、Ｒ_G、Ｒ_HおよびＲ_Iはそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。Ｒ_D、Ｒ_E、Ｒ_F、Ｒ_G、Ｒ_HおよびＲ_Iがそれぞれ複数存在する場合は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｄ、ｅ、ｆおよびｇはそれぞれ独立に０〜４の整数を表し、ｈおよびｉはそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。）
7. 式（１）で表される繰り返し単位が、下記式（Ｓ−５３）で表される二価の基であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の高分子化合物。
   
   

   

   （式中、Ｒ_M1、Ｒ_M2、Ｒ_M3およびＲ_M4はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。Ｒ_M1、Ｒ_M2、Ｒ_M3およびＲ_M4がそれぞれ複数存在する場合は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｍ１およびｍ３はそれぞれ独立に０〜４の整数を表し、ｍ２およびｍ４はそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。Ｒ_L1およびＲ_L2はそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を表す。）
8. 式（４）で表される繰り返し単位が、置換基を有する２，７−フルオレンジイル基または置換基を有する３，７−フェノキサジンジイル基であることを特徴とする請求項２〜７のいずれかに記載の高分子化合物。
9. 式（Ｓ−５２）で表される繰り返し単位、式（１−１）で表される繰り返し単位、置換基を有する２，７−フルオレンジイル基および置換基を有する３，７−フェノキサジンジイル基からなることを特徴とする請求項２〜６および請求項８のいずれかに記載の高分子化合物。
10. 正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料と、請求項１〜９のいずれかに記載の高分子化合物とを含有することを特徴とする高分子組成物。
11. 請求項１〜９のいずれかに記載の高分子化合物を含有することを特徴とする溶液。
12. 請求項１０に記載の高分子組成物を含有することを特徴とする溶液。
13. ２種類以上の有機溶媒を含有する請求項１１又は１２に記載の溶液。
14. ２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓの粘度を有する請求項１１〜１３のいずれかに記載の溶液。
15. 請求項１〜９のいずれかに記載の高分子化合物、又は請求項１０に記載の高分子組成物を含有する発光性薄膜。
16. 蛍光の量子収率が５０％以上である請求項１５記載の発光性薄膜。
17. 請求項１〜９のいずれかに記載の高分子化合物、又は請求項１０に記載の高分子組成物を含有する導電性薄膜。
18. 請求項１〜９のいずれかに記載の高分子化合物、又は請求項１０に記載の高分子組成物を含有する有機半導体薄膜。
19. 請求項１８に記載の有機半導体薄膜を有することを特徴とする有機トランジスタ。
20. インクジェット法を用いることを特徴とする請求項１５〜１８のいずれかに記載の薄膜の製膜方法。
21. 陽極及び陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が請求項１〜９のいずれかに記載の高分子化合物、又は請求項１０に記載の高分子組成物を含むことを特徴とする高分子発光素子。
22. 前記有機層が発光層である請求項２１記載の高分子発光素子。
23. 前記発光層がさらに正孔輸送材料、電子輸送材料又は発光材料を含む請求項２２記載の高分子発光素子。
24. 陽極及び陰極からなる電極間に、発光層と電荷輸送層とを有し、該電荷輸送層が請求項１〜９のいずれかに記載の高分子化合物、又は請求項１０に記載の高分子組成物を含む請求項２１に記載の高分子発光素子。
25. 陽極及び陰極からなる電極間に、発光層と電荷輸送層とを有し、該電荷輸送層と電極との間に電荷注入層を有し、該電荷注入層が請求項１〜９のいずれかに記載の高分子化合物、又は請求項１０に記載の高分子組成物を含む請求項２１記載の高分子発光素子。
26. 請求項２１〜２５のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とする面状光源。
27. 請求項２１〜２５のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。
28. 請求項２１〜２５のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
29. 請求項２１〜２５のいずれかに記載の高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。