CN100403576C - 双面板型有机电致发光显示器件及其制造方法 - Google Patents

双面板型有机电致发光显示器件及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种双面板型有机电致发光器件，该器件包括：彼此分隔开的第一和第二基板；形成在第一基板上方的栅线、数据线和电源线；连接到栅线和数据线上的开关薄膜晶体管；连接到电源线和开关薄膜晶体管上的驱动薄膜晶体管，该驱动薄膜晶体管包括驱动半导体层、驱动源极、驱动漏极、位于驱动半导体层下面的第一驱动栅极和位于驱动半导体层上面的第二驱动栅极；在第一基板上方的电连接器，该电连接器包括连接到驱动薄膜晶体管上的连接电极层；第一和第二薄膜晶体管连接器将开关薄膜晶体管连接到驱动薄膜晶体管；以及在第二基板上的有机电致发光二极管，该有机电致发光二极管连接到电连接器上。

Description

双面板型有机电致发光显示器件及其制造方法
本发明要求享有2003年12月26日在韩国递交的韩国专利申请2003-0097938的权益，在此结合其全部作为参考。
技术领域
本发明涉及一种显示器件及其制造方法，尤其涉及一种有源矩阵电致发光显示器件及其制造方法。
背景技术
随着对显示信息需求的增加，对于具有外形薄、重量轻以及能耗小的平板显示器件的需求也日益增加。因此，各种平板显示(FPD)器件，如液晶显示(LCD)器件、等离子显示(PDP)器件、场致发光显示(FED)器件以及电致发光显示(ELD)器件都得到了发展。
ELD器件利用电致发光现象，其中当将电信号施加到荧光物质上时就会产生光。根据用于激励载流子的源的不同，ELD器件可以分为无机电致发光显示(IELD)器件和有机电致发光显示(OELD)器件。OELD器件由于其具有显示光的可见波长范围宽以及亮度高和需要的电压低的特点而得到了较好的发展。
因为OELD器件是自发光型的，所以它们具有高的对比度并且适用于超薄型显示器件。除此以外，因为其制造工艺简单，所以其环境污染度相对较低。而且，OELD显示器件仅需要几微秒(μs)的响应时间，所以OELD器件更适于显示移动图像，并且它们具有无限制的视角并可以稳定在低工作温度下。除此以外，因为OELD器件可以用5V-15V相度较低的电压驱动，所以生产和设计其驱动电路都比较容易。
虽然OELD器件的结构与IELD的结构比较相似，但OELD的发光理论却不同于IELD器件。例如，OELD器件通过电子和空穴的复合发光，因而其一般被称为有机发光二极管器件。最近，通常将具有多个设置为矩阵结构的像素和与像素连接的薄膜晶体管的有源矩阵型ELD器件用于平板显示器件。有源矩阵型还可以用于OELD器件，并且这通常被称为有源矩阵OELD器件。
图1示出了现有技术OELD器件的截面图。在图1中，彼此分隔开并且具有彼此相对的内表面的第一和第二基板10和60具有多个子像素区域。然后，在各像素区域P中沿着第一基板10的内表面形成包括多个薄膜晶体管(TFT)T的阵列层AL，并且连接到TFT T上的第一电极48形成在各像素区域P中的阵列层Al上。接下来，红、绿和蓝有机电致发光(EL)层54交替形成在第一电极48上，并且将第二电极56形成在有机EL层54上。因此，第一和第二电极48和58以及设置在其间的有机EL层54构成有机EL二极管E。图1中的有机EL器件是底部型OELD，其中从有机EL层54发出的光穿过第一电极48发射到第一基板10外。
在图1中，第二基板60用作封装基板并且其包含在第二基板60内部中心部分的凹进部分62，其中凹进部分62充满吸潮材料，如干燥剂64，用于去除潮气和氧以保护有机EL二极管E。除此以外，第二基板60的内表面与第二电极56分隔开，其中用密封剂70沿着第一和第二基板10和60的外围部分将第一和第二基板10和60粘接在一起以完成封装。
图2A是现有技术有源矩阵OELD器件的基本像素结构平面图。在图2A中，将栅线22沿第一方向设置，并且将电源线28和数据线42沿与栅线22垂直交叉的第二方向设置，使得电源线28和数据线42与栅线22交叉以限定像素区域P。将开关薄膜晶体管TS设置在栅线22和数据线42交叉点的附近，并且将驱动薄膜晶体管TD设置在像素区域P中邻近于开关薄膜晶体管TS的区域。除此以外，发光二极管的第一电极48连接到像素区域P中的驱动薄膜晶体管TD。
存储电容CST设置在电源线28的上方，并且该存储电容包括用作第一存储电极的电容电极16和用作第二存储电容电极的电源线28的一部分。虽然没有示出，有机电致发光层和第二电极顺序形成在第一电极48上以形成发光二极管(LED)E。因而，形成第一电极48的区域通常被称为有机电致发光区域。
在图2A中，开关薄膜晶体管(TFT)TS包括从栅线22延伸出的开关栅极23，以及与电容电极16形成为一体的开关半导体层31。开关TFT TS还包括从数据线42延伸出的开关源极35a，和跨过开关栅极23与开关源极35a彼此分隔开的开关漏极35b。开关源极35a和漏极35b通过接触孔与开关半导体层31连接。
驱动薄膜晶体管TD包括驱动栅极20和驱动半导体层14，其中驱动半导体层14与电容电极16和开关半导体层31同时形成，但其与电容电极16和开关半导体层31都分隔开。驱动栅极20通过接触孔与开关漏极35b连接。而且，驱动TFT TD包括驱动源极38和驱动漏极40，该驱动源极和驱动漏极都在驱动半导体层14上形成岛状图形形状。驱动漏极40和驱动源极38分别通过第一接触孔32和第二接触孔34与驱动半导体层14连接。
在图2A中，从电源线28延伸出的电源电极26与驱动源极38的一部分重叠，从而使驱动源极38通过第三接触孔36与电源电极26连接。LED E的第一电极48与驱动漏极40重叠并且通过对应于第一接触孔32的第四接触孔46与驱动漏极40连接。
图2B是根据现有技术沿着示出了驱动薄膜晶体管、存储电容和发光二极管的图2A中的IIb-IIb线提取的截面图。在图2B中，缓冲层12沿着基板10的内表面形成。驱动薄膜晶体管TD和存储电容CST设置在缓冲层12上，并且将发光二极管(LED)E形成在基板10上方。
特别的是，驱动半导体层14和电容电极16形成在缓冲层12上。驱动半导体层14包括在驱动半导体层14中间部分内的有源区域14a，以及沿着有源区域14a的相对侧的源极和漏极区域14b和14c。驱动半导体层14和电容电极16彼此分隔开，但都以相同的材料同时形成。然后，栅绝缘层18和驱动栅极20顺序形成在驱动半导体层14的有源区域14a上，使得栅绝缘层18和驱动栅极20不覆盖源极区域14b和漏极区域14c。
接下来，第一钝化层24形成在缓冲层12上以覆盖驱动半导体层14、电容电极16、栅绝缘层18和驱动栅极20。然后，电源线28和电源电极26形成在第一钝化层24上，其中电源线28与电容电极16重叠从而使电容电极16和电源线28构成存储电容CST。接下来，第二钝化层30形成在第一钝化层24上以覆盖电源电极26和电源线28。第一钝化层和第二钝化层24和30都具有分别暴露出驱动半导体层14的漏极区域14c和源极区域14b的第一和第二接触孔32和34。第二钝化层30还具有暴露出电源电极26一部分的第三接触孔36。
然后，分别将驱动源极和驱动漏极38和40形成在第二钝化层30上。驱动漏极40通过第一接触孔32与漏极区域14c连接，并且驱动源极38分别通过第二接触孔34和第三接触孔36与源极区域14b和电源电极26连接。
接下来，将具有暴露出驱动漏极40的第四接触孔46的第三钝化层44形成在第二钝化层30上以覆盖驱动源极38和漏极40。驱动半导体层14、驱动栅极20以及驱动源极和漏极38和40形成驱动薄膜晶体管TD。
然后，将由透明导电材料形成的第一电极48形成在第三钝化层44上，并且通过第四接触孔46与驱动漏极40连接。接下来，层间绝缘层50形成在第三钝化层44上以覆盖第一电极48，并且其包括暴露出部分第一电极48的开口。接下来，形成有机电致(EL)层54以通过形成在层间绝缘层50内的开口与第一电极48连接，并且由不透明导电材料形成的第二电极56形成在层间绝缘层50和有机(EL)层54上。因此，第一电极48用作阳极而第二电极56用作阴极，其中第一和第二电极48和56以及有机EL层54形成发光二极管(LED)E。
在图1、图2A和图2B所示的OELD器件中，将TFT阵列部分AL(图1中)和有机发光二极管(LED)E都形成在同一基板上，如第一基板10，并且将附加的第二基板，如第二基板60，与第一基板粘接起来以将其封装。然而，当TFT阵列部分和有机LED二极管以上述方式形成在一个基板上时，OELD器件的产量将决定于TFT和有机LED二极管的产量。因为有机LED二极管的产量相对较低，所以整个OELD的产量将受到有机LED二极管的产量的限制。例如，甚至完好地制造了TFT，由于有机电致发光层的缺陷可能导致具有大约为1000埃(
Figure C20041010277200111
)厚度的OELD器件的质量下降。因而，既浪费了材料还增加了生产成本。
通常，根据用于显示图像的光发射方向，OELD器件分为底部发射型和顶部发射型。底部发射型OELD器件具有密封性好、工艺灵活性高的优点。然而，底部发射型OELD器件由于将薄膜晶体管和存储电容形成在基板上的结构导致的孔径比低而使其不适合作为高分辨率器件。与底部发射型OELD器件相比，顶部发射型OELD器件由于具有高孔径比的简单电路结构所以具有较长的使用寿命。然而，在顶部发射型OELD器件中，阴极通常形成在有机电致发光层上。结果，由于可用于阴极的材料少所以导致顶部发射型OELD的透射比和光学效率差。如果将薄膜型钝化层形成在阴极上以防止光透射比的减小，则薄膜型钝化层不能阻止外部空气渗透到有机电致发光层中。
另外，因为现有技术有源矩阵OELD器件在发光方向内包括薄膜晶体管和存储电容，所以降低了发光面积并减小了孔径比。为了克服上述问题，可以通过提高器件发光的电流强度，但这样会导致OELD器件的使用寿命降低。
发明内容
因此，本发明涉及一种能够基本上克服由于现有技术的限制和缺点导致的一个或多个问题的OELD器件及其制造方法。
本发明的一个目的是提供一种能够提高产量并降低生产成本的OELD器件。
本发明的另一目的是提供一种具有高分辨率、高孔径比以及长使用寿命的OELD器件。
本发明的再一目的是提供一种分别在第一和第二基板上形成TFT阵列和有机发光二极管的双面板型OELD器件。
本发明的又一目的是提供一种具有双栅结构驱动TFT的双面板型OELD器件。
本发明的其它特点和优点将在下面的描述中表现出来，并且其在描述中是显而易见的，或者可以根据本发明实践得到。本发明的上述和其它优点能通过文字描述部分和权利要求及附图中指出的结构中实现和得到。
为了实现上述和其他优点并与本发明的目的一致，如具体和概括描述的，一种双面板型有机电致发光器件包括：以一定距离彼此分隔开的第一和第二基板；形成在第一基板上的栅线、数据线和电源线；连接到栅线和数据线上的开关薄膜晶体管；连接到电源线和开关薄膜晶体管上的驱动薄膜晶体管；驱动薄膜晶体管包括驱动半导体层、驱动源极、驱动漏极、位于驱动半导体层下面的第一驱动栅极和位于驱动半导体层上面的第二驱动栅极；在第一基板上面的电连接器，电连接器包括连接到驱动薄膜晶体管上的连接电极层；连接开关薄膜晶体管到驱动薄膜晶体管上的第一和第二薄膜晶体管连接器；和在第二基板上的有机电致发光二极管，有机电致发光二极管连接到电连接器上。
另一方面，一种双面板型有机电致发光器件的制造方法，包括如下步骤：在第一基板上形成栅线、开关栅极、第一驱动栅极和第一薄膜晶体管连接器；在第一基板上形成第一绝缘层以覆盖栅线、开关栅极、第一驱动栅极和第一薄膜晶体管连接器；在第一绝缘层上形成对应于开关栅极的开关半导体层和对应于第一驱动栅极的驱动半导体层；形成与驱动半导体层连接的驱动源极和驱动漏极、与开关半导体层连接的开关源极和开关漏极，并且数据线与栅线垂直交叉；在驱动源极和驱动漏极之间的驱动半导体内形成驱动沟道，并且在开关源极和开关漏极之间的开关半导体层内形成开关沟道；在第一绝缘层上形成第二绝缘层以覆盖驱动源极和驱动漏极、驱动沟道、开关源极和开关漏极、开关沟道和数据线；在第二绝缘层上形成电源线和电源电极，电源线与数据线有一定间隔并且与栅线垂直交叉而且电源电极从驱动源极上的电源线上延伸出；在第二绝缘层上形成第三绝缘层以覆盖电源线和电源电极；对第三和第二绝缘层构图以形成暴露出驱动漏极的一部分的第一接触孔和暴露出开关漏极的一部分的第二接触孔；在形成驱动漏极后利用掩模通过对感光有机层曝光和显影形成连接图案；在第三绝缘层上形成第二薄膜晶体管连接器、第二驱动栅极和连接电极层，第二薄膜晶体管连接器通过第二接触孔连接开关漏极，使第二驱动栅极完全连接到第二薄膜晶体管连接器上并与第二驱动栅极对应，并且连接电极层完全覆盖连接图案并通过第一接触孔连接驱动漏极；在第二基板上形成有机发光二极管；将具有有机发光二极管的第二基板连接到具有连接电极层的第一基板上从而使连接电极层和有机发光二极管互相电连接。
另一方面，一种双面板型有机电致发光器件，包括以一定距离分隔开的第一和第二基板；在第一基板上沿第一方向延伸形成的栅线；一对以一定距离互相分隔开并在第一基板上沿第二方向延伸形成的数据线；形成在第一基板上各对数据线之间并沿第二方向形成的电源线，并且该电源线与一对数据线的其中之一限定第一像素、与该对数据线的另一条限定第二像素；分别连接到第一和第二像素的一对数据线上的第一和第二开关薄膜晶体管，第一和第二薄膜晶体管关于电源线对称排列；分别连接到电源线和相应的开关薄膜晶体管上的第一和第二驱动薄膜晶体管，第一和第二驱动薄膜晶体管关于电源线对称排列，并且各第一和第二驱动薄膜晶体管都包括驱动半导体层、驱动源极、驱动漏极、位于驱动半导体层下面的第一驱动栅极和位于驱动半导体上面的第二驱动栅极；分别从电源线相反的方向延伸出到第一和第二像素的第一和第二电源电极，并且该电源电极分别与相应的驱动源极重叠；在第一基板上各第一和第二像素内的电连接器，电连接器包括与相应的驱动薄膜晶体管连接的连接电极层；在各第一和第二像素内的第一和第二薄膜晶体管，第一和第二薄膜晶体管连接器将相应的开关薄膜晶体管连接到相应的驱动薄膜晶体管上；以及在第二基板上的有机电致发光二极管，使各有机电致发光二极管连接到各第一和第二像素中的电连接器上。
可以理解，上述概括的介绍以及下面详细的描述都是示意性和解释性的并且可以对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
用于进一步解释本发明并包含在说明书内组成本说明书一部分的附图，解释了本发明的实施例并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中，
图1是表示现有技术OELD器件的截面图；
图2A是表示现有技术有源矩阵OELD的基本像素结构的平面图；
图2B是表示根据现有技术，沿着示出了驱动薄膜晶体管、存储电容、发光二极管的图2A中的IIb-IIb线提取的截面图；
图3是表示按照本发明的示例性双面板型OELD器件的截面图；
图4A是表示根据本发明图3中的下面板中示例性的基本像素结构平面图；
图4B是表示沿着图4A中的线IVb-IVb提取的截面图并根据本发明描述了驱动TFT的层结构和电图案；
图5A是根据本发明图3中的下面板中另一示例性基本像素结构的平面图；
图5B是沿图5A中的Vb-Vb线提取的截面图并示出了根据本发明的驱动TFT的层结构和电图案；
图6A-6I是表示本发明图5A中的基本像素结构的生产工艺平面图；
图7A-7I是表示沿着表示本发明驱动TFT的生产工艺的图6A-6I中的VII-VII线提取的截面图；
图8是表示本发明图3中下面板的另一示例性基本像素结构的平面图；
图9A是表示本发明中OELD器件的两个基本像素的等效电路图；
图9B是表示本发明中OELD器件的两个基本像素的另一等效电路图；
图10A和10B是表示本发明中相邻两像素的示例性像素结构的平面图。
具体实施方式
下面将参考附图详细描述本发明的优选实施例。
图3是按照本发明的示例性双面板型OELD器件的截面图。在图3中，彼此分隔开并具有彼此相对的内表面的第一和第二基板110和170包括多个像素区域P和多个在像素区域P之间的非像素区域NP。在各像素区域P中具有驱动薄膜晶体管(TFT)TD的阵列层AL形成在第一基板110的内表面。除此以外，电连接器166形成在各子像素区域内的阵列层AL上并且连接到驱动TFT TD。电连接器166可以包括导电材料，如金属材料，并且将驱动TFT TD与有机发光二极管(LED)E互相电连接。例如，驱动TFT T可以包括反相交错型TFT并且可以包括非晶硅或微晶硅。
在图3中，将例如由透明传导材料形成的第一电极182形成在第二基板170的内表面。除此以外，将层间绝缘层184和隔板186顺序形成在第一电极182上，其中将层间绝缘层184和隔板186形成在与非像素区域NP对应的位置上。更进一步，非像素区域NP可以与驱动TFT TD和多条形成在阵列层AL内的线相对应，从而使非像素区域NP可以限定其内的像素区域P。隔板186可以具有包括锥形侧边的梯形横截面。
将包括红、绿和蓝有机发光层188a、188b和188c的有机电致发光(EL)层188交替设置在由隔板186限定的像素区域P内的第一电极182上。除此以外，将第二电极190形成在有机EL层188上并且将其设置在各像素区域P内。因而，有机EL层188和第二电极190可以通过隔板186与相邻像素区域P的有机EL层和第二电极互相分隔开。
层间绝缘层184和隔板186可以起到使第二电极190自动对准到有机EL层188上的结构元件的作用。除此以外，隔板186还起到在隔像素区域P中对第二电极190和有机EL层188构图的功能。因此，第一电极182、有机EL层188和第二电极190构成有机发光二极管(LED)E。
在图3中，密封剂192沿着第一基板和第二基板110和170的外围区域形成以将第一基板和第二基板110和170粘接在一起。因此，在第一基板和第二基板110和170之间形成盒间隙，并且阵列层AL上的电连接器166与有机EL二极管E的第二电极190连接。因而，虽然在第一和第二基板110和170之间存在盒间隙，但第一基板110上的驱动TFT TD可以与第二基板170上的有机EL二极管E互相电连接。例如，电连接器166可以具有与盒间隙相同或比其大的高度。
有机LED E的第一电极182可以由透明导电材料形成，如氧化铟锡(ITO)，并且有机LED E的第二电极190由不透明导电材料形成，如金属材料，从而使得从有机LED E发出的光直接射到第二基板170上。因而，图3中的OELD器件是双面板型OELD从而使光可以从上部发射。除此以外，虽然没有示出，可以将用于全色显示的颜色变换介质设置在第二基板170和第一电极182之间，或设置在第一电极182和有机EL层188之间。如果图3中的双面板型OELD器件采用颜色变换介质，则有机EL层180发射单色光，如蓝光或绿光。
根据本发明，因为将阵列层AL和有机LED E形成在不同的基板上，所以能得到较高的生产效率和可靠性，并能实现高孔径比。
图4A是表示根据本发明图3中的下面板中的示例性基本像素结构的平面图。在图4A中，栅线114形成在第一基板110上并沿第一方向延伸。除此以外，数据线132和电源线152形成在第一基板110上并沿与第一方向垂直的第二方向延伸。数据线132和电源线152彼此分隔开并通过与栅线114的交叉限定像素区域P。
在图4A中，开关薄膜晶体管(TFT)TS设置在栅线114和数据线132交叉点附近。除此以外，驱动薄膜晶体管(TFT)TD沿着邻近于电源线152的像素区域P的上半部分设置。开关TFT TS包括从栅线114延伸出的开关栅极112、从数据线132延伸出的开关源极134、跨过开关栅极112与开关源极134彼此分隔开的开关漏极136、以及在开关栅极112上方的开关半导体层122。
在图4A中，开关半导体层122具有岛状形状并且设置在开关源极134和开关漏极136之间。除此之外，开关TFT TS包括在开关源极134和开关漏极136之间的开关半导体层122上的沟道CH。虽然没有示出，开关半导体层122包含非掺杂非晶硅层和掺杂非晶硅层的双层结构。除此以外，开关半导体层122包括微晶硅和/或非晶硅。
在图4A中，TFT连接器116形成在第一基板110上，并且部分TFT连接器116沿着第二方向在开关漏极136的下面延伸。因此，TFT连接器116通过第一接触孔130与开关漏极136连接。第一电容电极138设置在栅线114和电源线152交叉点的附近，其中第一电容电极138从开关漏极136延伸出。除此以外，从电源线152延伸出的第二电容电极150与第一电容电极138重叠。因此，第一和第二电容电极138和150构成具有插入的绝缘层146(在图4B中)的存储电容CST。
除此以外，驱动TFT TD包括驱动栅极118、驱动半导体层124、驱动源极140和驱动漏极142。包括连接图案158和连接电极层162的电连接器166设置在像素区域P中邻近于驱动TFT TD的区域。驱动栅极118形成在第一基板110上并沿着第二方向从TFT连接器116延伸出。驱动半导体层124具有岛状形状并且设置在驱动栅极118上方，而且驱动源极和漏极140和142也具有岛状图案。因此，驱动源极140通过第二接触孔144连接到从电源线152延伸出的电源电极142，并且驱动漏极142通过第三接触孔154连接到连接电极层162。
在图4B中，连接图案158可以是柱形并且由绝缘材料形成，并且连接电极层162与连接图案158重叠。除此以外，与开关TFT TS相似，驱动TFT TD也在驱动源极和漏极140和142之间的驱动半导体层124上有沟道CH。相似地，驱动半导体层124可以包含非掺杂非晶硅层124a(图4B)和掺杂非晶硅层124b(图4B)的双层结构，并且驱动半导体层124由微晶硅和/或非晶硅形成。
图4B是表示沿图4A中的IVb-IVb线提取的截面图并根据本发明描述了驱动TFT的层结构和电图案。在图4B中，驱动栅极118形成在基板110上并且栅绝缘层120形成在基板110上以覆盖驱动栅极118。如图4A所示，栅绝缘层120包括第一接触孔130，通过该接触孔开关漏极136与TFT连接器116连接。驱动半导体层124形成在栅绝缘层120上，尤其是在驱动栅极118上，并且包括非掺杂非晶硅的有源层124a和掺杂非晶硅的欧姆接触层124b。可以选择的是，有源层124a由微晶硅代替非晶硅形成。
在图4B中，驱动源极和漏极140和142形成在栅绝缘层120上方以连接欧姆接触层124b，其中驱动源极和漏极140和142彼此分隔开。除此以外，去除驱动源极和漏极140和142之间的部分欧姆接触层层124b以暴露出下面的部分有源层124a，这样就在有源层124a内形成了沟道CH。因此，驱动TFTTD形成在基板110上，并且包括驱动栅极118、驱动半导体层124、驱动源极140和驱动漏极142。
在图4B中，第一钝化层146形成在栅绝缘层120的上方以覆盖驱动源极和驱动漏极140和142。除此以外，第一钝化层146可以具有用于暴露出部分驱动源极140的第二接触孔144。
电源线152和电源电极148形成在第一钝化层146上，其中，如图4A所示，电源线152与栅线114垂直交叉。电源电极148从驱动源极140上方的电源线152上延伸出，并且通过第二接触孔144与驱动源极140连接。
在图4B中，第二钝化层156形成在第一钝化层146上以覆盖电源线152和电源电极148，其中第一钝化层146和第二钝化层156具有暴露出部分驱动漏极142的第三接触孔154。除此以外，连接图案158形成在像素区域P内邻近于驱动TFT TD的第二钝化层156上，其中连接图案158包括绝缘材料，如有机绝缘材料或感光有机材料。连接电极层162形成在第二钝化层156上以使其与连接图案158重叠，并且通过第三接触孔154与驱动漏极142连接。连接图案158和连接电极层162构成电连接器166。此外，如图3所示，连接图案158具有比驱动TFT TD更高的高度从而使重叠的连接电极层162与有机LED E的第二电极190连接。
图5A是根据本发明图3中的下面板的另一示例性基本像素结构的平面图。图5A所示的下面板具有与图4A所示的相似的层结构，但也包括很多不同。在图5A中，栅线214沿第一方向形成在基板210上，数据线232和电源线252沿着垂直于第一方向的第二方向形成在基板210上方。数据线232和电源线252彼此分隔开以通过与栅线214的交叉形成像素区域P。
开关薄膜晶体管(TFT)TS设置在栅线214和数据线232交叉点附近。此外，驱动薄膜晶体管(TFT)TD设置在邻近于电源线252的像素区域P内。开关TFT TS包括从栅线214延伸出的开关栅极212、从数据线232延伸出的开关源极234、跨过开关栅极212与开关源极234彼此分隔开的开关漏极236以及设置在开关栅极212上封的开关半导体层222。开关半导体层222具有岛状形状并且设置在开关源极234和开关漏极236之间。除此之外，开关TFT TS包括在开关源极234和开关漏极236之间的开关半导体层222内的沟道CH。虽然没有示出，开关半导体层222可以是包含非掺杂非晶硅层和掺杂非晶硅层的双层结构。开关半导体层222还可以包括微晶硅和/或非晶硅。
在图5A中，第一TFT连接器216形成在基板210上，并且沿着第二方向位于在开关漏极236的下方。进一步，第二TFT连接器265形成为与第一TFT连接器216重叠，不像图4A中的下面板。第二TFT连接器265连接电极层262用相同的材料并同时形成。因此，第一TFT连接器216通过第一接触孔230与开关漏极236连接，并且第二TFT连接器265也可以通过第四接触孔257与开关漏极236连接。
第一电容电极238从开关漏极236延伸出，并且设置在栅线214和电源线252交叉点附近。除此以外，第二电容电极250从电源线252延伸出并且与第一电容电极238重叠。因此，第一和第二电容电极238和250构成具有插入的绝缘层246(在图5B中)的存储电容CST。
除此以外，驱动TFT TD包括第一驱动栅极218、驱动半导体层224、驱动源极240、驱动漏极242和第二驱动栅极264。此外，包括连接图案258和连接电极层262的电连接器266形成在邻近于驱动TFT TD的像素区域P内。第一驱动栅极218沿着第二方向从第一TFT连接器216延伸出并形成在基板210上。此外，驱动半导体层224具有岛状形状并且设置在第一驱动栅极218上方，其中驱动源极和漏极240和242也可以具有岛状图案。
在图5A中，驱动源极240通过第二接触孔244连接到从电源线252延伸出的电源电极248上，并且通过第三接触孔254将驱动漏极242连接到连接电极层262上。此外，第二驱动栅极264从第二TFT连接器265延伸出并且与第一驱动栅极218重叠，第二驱动栅极264和连接电极层262可以由相同的材料同时形成。如图5B所示，连接图案258可以是柱形并且由绝缘材料形成，并且连接电极层262与连接图案258重叠。
在图5A中，与开关TFT TS相似，驱动TFT TD也在驱动源极和漏极240和242之间的驱动半导体层224上具有沟道CH。驱动半导体层224包含非掺杂非晶硅层224a(在图5B中)和掺杂非晶硅层224b(在图5B)的双层结构，并且驱动半导体层224包括微晶硅和/或非晶硅。
图5B是沿着图5A中的Vb-Vb线提取的截面图并根据本发明描述驱动TFT的层结构和电图案。图5B中的驱动TFT与图4B中的驱动TFT相似，但不同于图4B的是具有双栅极结构。在图5B中，驱动栅极218形成在基板210上，并且栅绝缘层220形成在基板210上以覆盖驱动栅极218。如图5A所示，第一TFT连接器216形成在基板210上，并且栅绝缘层220也覆盖第一TFT连接器216。更进一步，栅绝缘层220可以具有第一接触孔230(图5A中)，通过该接触孔开关漏极236与第一TFT216连接。
在图5B中，驱动半导体层224形成在栅绝缘层220上，尤其是驱动栅极218上，并且驱动半导体层224包括非掺杂非晶硅的有源层224a和掺杂非晶硅的欧姆接触层224b。可以选择的是，有源层224a可以由微晶硅代替非晶硅形成。
驱动源极和漏极240和242形成在栅绝缘层220上以连接欧姆接触层224b，其中驱动源极和漏极240和242彼此分隔开。除此以外，去除驱动源极和漏极240和242之间的部分欧姆接触层224b以暴露出下面的部分有源层224a，这样就形成了在有源层224a内的沟道CH。因此，驱动TFT TD形成在基板210上，并且包括驱动栅极218、驱动半导体层224、驱动源极240和驱动漏极242。
在图5B中，第一钝化层246形成在栅绝缘层220的上方以覆盖驱动源极和驱动漏极240和242，并且第一钝化层246包括用于暴露部分驱动源极240的第二接触孔244。此外，如图5A所示，电源线252和电源电极248形成在第一钝化层246上，其中电源线252与栅线214垂直交叉。因此，电源电极248从驱动源极240上方的电源线252延伸出，并且其通过第二接触孔244与驱动源极240连接。
第二钝化层256形成在第一钝化层246上以覆盖电源线252和电源电极248。因此，第一钝化层246和第二钝化层256都具有暴露出部分驱动漏极242的第三接触孔254。如图5A所示，第一和第二钝化层246和256都还进一步包括暴露出部分开关漏极236的第四接触孔257。
在图5B中，连接图案258形成在邻近于驱动TFT TD的像素区域P内的第二钝化层256上，并且连接图案258包括绝缘材料，如有机绝缘材料或感光有机材料。连接电极层262形成在第二钝化层256上以使其与连接图案258重叠，并且通过第三接触孔254使连接电极层262与驱动漏极242连接。因此，连接图案258和连接电极层262构成电连接器266。此外，连接图案258具有比驱动TFT TD更高的高度从而重叠的连接电极层262与有机LED E的第二电极连接，如图3所示。此外，第二驱动栅极264形成在第二钝化层256上。
如图5A所示，第二驱动栅极264从第二TFT连接器265延伸出，并且该连接器通过第四接触孔257与开关漏极236连接，这样第二驱动栅极264与第一驱动栅极218一样与开关TFT TS电连接。此外，第二驱动栅极264与第一驱动栅极218重叠并且与第一驱动栅极218具有相同的平板形状。更进一步，第二驱动栅极264与连接电极层262用相同的材料同时形成。
在图5A和图5B中，第一和第二驱动栅极218和264分别设置在有源层224a的下面和有源层224a的上面。因此，沟道CH分为后沟道B-CH和前沟道F-CH。因此，第一驱动栅极218影响设置在驱动源极246和漏极242之间的前沟道F-CH，并且第二驱动栅极264影响设置在驱动源极246和漏极242之间的后沟道B-CH。因而，由于第一和第二驱动栅极218和264的双栅结构，驱动TFT TD可以加速沟道CH内的载流子的运动。
图6A-6I是表示按照本发明图5A中的基本像素结构的制造工艺平面图，并且图7A-7I是表示沿表示本发明的驱动TFT的制造工艺的图6A-6I中的VII-VII线提取的截面图。在图6A和图7A中，第一金属层形成在基板110上，并且对其构图以形成驱动栅极218。更进一步，在对第一金属层构图后的步骤中也将栅线214、开关栅极212和第一TFT连接器216形成在基板110上。因此，栅线214沿着第一方向延伸形成，并且开关栅极212沿着垂直于第一方向的第二方向从栅线214延伸出。此外，第一TFT连接器216和驱动栅极218沿着第二方向形成，并且互相连接。如图6A所示，第一TFT连接器216和驱动栅极218与栅线214和栅极212分隔开。
在图6B和图7B中，第一绝缘层220，如栅绝缘层，形成在基板210上以覆盖栅线214、开关栅极212、第一TFT连接器和驱动栅极218。然后，非掺杂非晶硅(a-Si)层和掺杂非晶硅(n+a-Si)层形成在第一绝缘层220上，然后利用光刻工艺对其同时构图以在开关栅极212上方形成开关半导体层222并在驱动栅极218上方形成驱动半导体层224。
开关和驱动半导体层222和224可以具有岛状图形形状。驱动半导体层224包括非掺杂非晶硅的有源层224a和掺杂非晶硅的欧姆接触层224b。虽然在图6B和图7B中没有示出，开关半导体层222也包括非掺杂非晶硅的有源层和掺杂非晶硅的欧姆接触层。然而，可以使用微晶硅代替非晶硅。此外，第一绝缘层220可以包括从例如包括氮化硅(SiNX)和氧化硅(SiO2)中选出的无机材料。
在图6C和图7C中，对第一绝缘层220构图以形成暴露出部分第一TFT连接器216的第一接触孔230。第一接触孔230的形成工艺可以早于形成开关和驱动半导体层222和224的步骤。
在图6D和图7D中，第二金属层形成在第一绝缘层220上以覆盖开关和驱动半导体层222和224，并且然后利用掩模工艺对其构图以形成驱动源极240和驱动漏极242。此外，数据线232、开关源极234、开关漏极236和第一电容电极238也同时形成。驱动源极和漏极240和242形成为岛状图案以连接驱动半导体层224，并且其跨过驱动栅极218彼此分隔开。数据线232形成为与栅线214垂直交叉。开关源极234从数据线232延伸出以连接开关半导体层222的末端部分，并且开关漏极236与开关源极234分隔开以连接开关半导体层222的另一末端部分。
第一电容电极238从开关漏极236延伸出，并且基本上是矩形形状。此外，开关漏极236与第一TFT连接器216重叠并且通过第一接触孔230与第一TFT连接器216连接，这样驱动栅极218通过第一TFT连接器216与开关漏极236连接。
在形成驱动源极和漏极240和242之后，利用驱动源极240和漏极242作为掩模去除暴露在驱动源极和漏极240和242之间的部分欧姆接触层224b。因此，可以将部分有源层224a暴露出，从而在驱动源极和漏极240和242之间形成沟道CH。按这种方式，利用开关源极234和漏极236作为掩模去除开关半导体层222的部分欧姆接触层，在开关源极和漏极234和236之间也形成附加的沟道CH。因此，驱动薄膜晶体管(TFT)TD包括驱动栅极218、有源层224a、欧姆接触层224b、驱动源极240和驱动漏极242。更进一步，开关薄膜晶体管(TFT)TS包括开关栅极212、开关半导体层222、开关源极234和开关漏极236。
在图6E和图7E中，在形成驱动TFT TD和开关TFT TS后，第二绝缘层246，如第一钝化层，形成在第一绝缘层220上以覆盖驱动TFT TD和开关TFT TS。然后，利用掩模工艺对第二绝缘层246构图，以形成暴露出部分驱动源极240的第二接触孔244。第二绝缘层246可以包含无机材料，如氮化硅(SiNX)或氧化硅(SiO2)。
在图6F和图7F中，在形成第二接触孔244，第三金属层形成在第二绝缘层246上。此后，通过掩模工艺对第三金属层构图同时形成电源线252、电源电极248和第二电容电极250。因此，电源线252与栅线214垂直交叉，并且连同栅线和数据线214和232一起限定像素区域P。此外，电源电极248从电源线252延伸出以与部分驱动源极240重叠，并且通过第二接触孔244与驱动源极240连接。第二电容电极250从电源线252延伸出以与第一电容电极238重叠，并且连同第一电容电极238和第二绝缘层246一起构成存储电容CST。
在图6G和图7G中，第三绝缘层256，例如第二钝化层，形成在第二绝缘层246上以覆盖电源电极248、第二电容电极250和电源线252。然后，对第一和第二钝化层246和256同时构图以形成暴露出部分驱动漏极242的第三接触孔254和暴露出部分开关漏极236的第四接触孔257。第四接触孔257对应于第一接触孔230的位置，并且第三绝缘层256包括有机绝缘材料和无机绝缘材料中的一种。
在图6H和图7H中，感光有机层沿着第三绝缘层256的整个表面形成，并且对其构图以在邻近于驱动TFT TD的像素区域P内形成连接图案258。感光有机层可以包括有机材料，如光学丙烯酸材料。此外，连接图案258具有比驱动TFT TD高的高度。
在图6I和图7I中，导电材料，如金属材料或氧化铟锡(ITO)，形成在第三绝缘层256上方以覆盖连接图案258。然后，对导电材料构图以同时形成连接电极层262、第二驱动栅极264和第二TFT连接器265。因此，连接电极层262与连接图案258重叠，并且通过第三接触孔254与驱动漏极242连接，其中连接图案258和连接电极262构成电连接器266。
在图6I和图7I中，形成第二驱动栅极264以对应于第一驱动栅极218的位置，并且也形成第二TFT连接器265以对应于第一TFT连接216的位置。更进一步，与第一驱动栅极218和第一TFT连接器216相似，第二驱动栅极264和第二TFT连接器265互相连接。第二TFT连接器265通过第四接触孔257与开关漏极236连接，这样，第二驱动栅极265也与开关TFT TS连接。同时，电连接器266具有比驱动TFT TD和第二驱动栅极264的总高度高的高度。
在图6I和图7I中，驱动TFT TD有两个子TFT。例如，第一子TFT包括第一驱动栅极218并且第二子TFT包括第二驱动栅极264。因此，驱动半导体层224具有两个沟道CH。例如，后沟道B-CH受第一驱动栅极218影响，并且前沟道F-CH受第二驱动栅极264影响。因而，驱动TFTTD具有改进的工作特性，例如更快的载流子移动速度。
图8是表示本发明图3中下面板的另一示例性基本像素结构的平面图。图8所示的像素结构与图5A中的像素结构相似，但也有很多不同。在图8中，与图5A所示的像素相似，栅线314沿第一方向形成在基板310上，数据线332和电源线352沿垂直于第一方向的第二方向形成在基板210上。数据线332和电源线352彼此分隔开并通过与栅线314的交叉形成像素区域P。此外，开关薄膜晶体管(TFT)TS设置在栅线314和数据线332交叉点的附近，并且，驱动薄膜晶体管(TFT)TD设置在邻近于电源线352的像素区域P内，并且附加地包括第一和第二驱动栅极318和364。开关TFT TS和驱动TFT TD通过第一和第二TFT连接器316和365互相电连接，并且第一和第二连接器分别一体连接到第一和第二驱动栅极318和364上。
在图8中，第一和第二TFT连接器316和365分别经由多个接触孔330a、330b、和330c以及357a、357b、和357c与开关TFT TS的开关漏极336连接。特别的是，第一TFT连接器316通过形成在第一绝缘层220内(在图5B中)的第一组接触孔330a、330b、和330c连接到开关漏极336上，并且第二TFT连接器365通过形成在第二和第三绝缘层246和256内(在图5B中)的第二组接触孔357a、357b、和357c连接到开关漏极336上。
通过多个接触孔330a、330b、和330c以及357a、357b、和357c的连接可以增大第一TFT连接器316和第二开关漏极336之间、以及第二TFT连接器365和开关漏极336之间的连接区域。因此，增加了提供到驱动TFT TD上的电流量，从而提高了驱动TFT TD的工作特性。接触孔的数量和几何结构可以根据驱动TFT的特性而发生变化。
图9A是表示本发明的OELD器件的两个基本像素的等效电路图。在图9A中，两个像素P彼此邻接，其中栅线GL沿第一方向设置，并且数据线DL和电源线PL沿与第一方向垂直的第二方向设置。各像素P包括开关薄膜晶体管(TFT)TS、驱动薄膜晶体管(TFT)TD、存储电容CST和发光二极管(LED)E。因此，可以开关TFT TS的栅极连接到栅线GL、开关TFT TS的源极连接到数据线DL、并且开关TFT TS的开关漏极连接到驱动TFT TD的驱动栅极以及存储电容CST的第一电极。此外，存储电容CST的第二电极连接到相应的电源线PL，驱动TFT TD的驱动源极连接到相应的电源线PL，并且驱动TFT TD的驱动漏极连接到(LED)E的第一电极。
在图9A中，各像素P具有相同的结构，但也可以关于电源线PL不对称，其中各像素P可以需要一条栅线、一条数据线和一条电源线使LED E发光。左像素的电源线PL邻近于右像素的数据线DL，但左像素的电源线PL与右像素的数据线DL有一定的间隔SA，该间隔称为间隙区域。然而，该间隙区域SA会减小像素的尺寸和TFT的尺寸。
图9B是表示本发明的OELD器件的两个基本像素的另一等效电路图。在图9B中，与图9A中所示的结构不同，两像素P彼此邻接并关于电源线PL互相对称。在图9B中，栅线GL沿着第一方向延伸形成，数据线DL和电源线PL沿着垂直于第一方向的第二方向延伸形成。与图9A相似，图9B的各像素P包括开关薄膜晶体管(TFT)TS、驱动薄膜晶体管(TFT)TD、存储电容CST和发光二极管(LED)E。然而，左和右像素中的存储电容CST的第二电极连接到同一电源线PL上，并且附加地，左和右像素的驱动源极也连接到相同的电源线PL上。具体地说，虽然左右像素使用不同的数据线DL，但是左右像素共用电源线PL。此外，左像素与右像素具有对称的结构。因此，图9A中的间隙区域SA在图9B中是没有必要的，并且像素尺寸和TFT尺寸可以扩大到间隙区域SA差不多大。
图10A和10B是表示本发明的相邻两像素的示例性像素结构的平面图。在图10A和图10B中，栅线414沿着第一方向延伸设置，数据线和电源线432和452沿垂直于第一方向的第二方向延伸设置。例如，将两条数据线432设置在左边和右边，电源线452位于两数据线432之间，从而与栅线414一起限定了第一和第二像素P1和P2。此外，第一和第二像素P1和P2共用同一条电源线452。
第一像素P1内的开关TFT TS、驱动TFT TD和存储电容CST与第二像素P2内的上述结构对称。例如，第一像素P1的开关TFT TS位于左下角，而第二像素P2的开关TFT TS位于右下角。此外，第二存储电极450沿着左右两方向从相同的电源线452延伸形成并且分别覆盖第一和第二像素P1和P2的第一存储电容438。更进一步，电源电极448从相同的电源线沿左右两方向延伸并分别覆盖第一和第二像素P1和P2的驱动源极440。因此，由于第一和第二像素P1和P2共用电源线PL，所以第一像素P1的所有元件与第二像素P2的所有元件具有对称的结构。
在图10A中，通过第一接触孔430和第二接触孔457将第一和第二的TFT连接器416和465连接到开关TFT TS的开关漏极436上。然而，图10B中的第一TFT连接器416通过多个第一组接触孔430a、430b和430c连接到开关漏极436上，并且图10B中的第二TFT连接器465通过多个第二组接触孔457a、457b和457c连接到开关漏极436上。例如，图10B中的像素与图10A中的相比，具有多个用于TFT连接器的接触孔。
根据本发明，由于将阵列层和有机EL二极管形成在不同的基板上，所以可以得到较高的生产效率并且提高了产量。第二，由于本发明的下面板用于OELD器件，所以降低了薄膜晶体管的限制并且获得了高孔径比。第三，因为驱动TFT具有双栅结构，所以提高了驱动TFT TD的操作特性。更进一步，由于两像素共用相同的电源线并且具有对称的结构，可以获得增大了的像素和TFT。
对于本领域的普通技术人员来说，没有脱离本发明的精神和范围的任何修改和变换仍然在本发明的双面板型有机电致发光器件的范围内。因而，可以理解，本发明覆盖包含在所附权利要求及其等同物范围内的各种修改和变化。

Claims (36)

1.一种双面板型有机电致发光器件，包括：
彼此分隔开的第一和第二基板；
形成在所述第一基板上方的栅线、数据线和电源线；
连接到所述栅线和数据线的开关薄膜晶体管；
连接到所述电源线和开关薄膜晶体管上的驱动薄膜晶体管，该驱动薄膜晶体管包括驱动半导体层、驱动源极、驱动漏极、位于所述驱动半导体层下面的第一驱动栅极和位于所述驱动半导体层上面的第二驱动栅极；
在第一基板上方的电连接器，该电连接器包括连接到所述驱动薄膜晶体管上的连接电极层；
将所述开关薄膜晶体管连接到所述驱动薄膜晶体管上的第一和第二薄膜晶体管连接器；以及
在所述第二基板上的有机电致发光二极管，该有机电致发光二极管连接到所述电连接器。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述驱动源极通过第一接触孔连接到所述电源线上，并且所述驱动漏极通过第二接触孔连接到所述电连接器上。
3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一薄膜晶体管连接器从所述第一驱动栅极延伸出并通过第三接触孔连接到所述开关薄膜晶体管上，并且所述第二薄膜晶体管连接器从所述第二驱动栅极延伸出并且通过第四接触孔连接到所述开关薄膜晶体管上。
4.根据据权利要求3所述的器件，还进一步包括存储电容，该存储电容包括一体连接到所述开关薄膜晶体管的开关漏极上的第一电容电极和一体连接到所述电源线上的第二电容电极。
5.根据权利要求1所述的器件，还进一步包括：
覆盖所述栅线、第一驱动栅极和第一薄膜晶体管连接器的第一绝缘层；
覆盖所述数据线、驱动源极和驱动漏极的第二绝缘层；以及
覆盖所述电源线的第三绝缘层；
其中所述第二驱动栅极和第二电连接器设置在所述第三绝缘层上。
6.根据权利要求1所述的器件，进一步包括从位于所述驱动源极上方的电源线延伸出的电源电极。
7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述电连接器包括位于所述连接电极层下面的连接图案，并且该连接图案包括感光有机材料。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述连接电极层完全覆盖所述连接图案并通过第五接触孔与所述驱动薄膜晶体管的驱动漏极连接。
9.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第二驱动栅极、第二薄膜晶体管连接器和连接电极层用相同的材料同时形成。
10.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述电连接器具有比所述驱动薄膜晶体管高的高度。
11.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述有机电致发光二极管包括第一电极、有机电致发光层和第二电极，并且所述连接电极层与所述第二电极和驱动漏极连接。
12.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：
在所述第一电极上的层间绝缘层；以及
在所述层间绝缘层上的隔板；
其中所述层间绝缘层与所述栅线、数据线和电源线对应，并且所述隔板具有梯形侧边。
13.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管包括分别具有后沟道和前沟道的第一和第二子薄膜晶体管，该后沟道受所述第一驱动栅极影响，而该前沟道受所述第二驱动栅极影响。
14.一种双面板型有机电致发光器件的制造方法，包括如下步骤：
在第一基板上形成栅线、开关栅极、第一驱动栅极和第一薄膜晶体管连接器；
在所述第一基板上形成第一绝缘层以覆盖所述栅线、开关栅极、第一驱动栅极和第一薄膜晶体管连接器；
在所述第一绝缘层上形成对应于所述开关栅极的开关半导体层和对应于所述第一驱动栅极的驱动半导体层；
形成与所述驱动半导体层连接的驱动源极和驱动漏极、与所述开关半导体层连接的开关源极和开关漏极，以及与所述栅线垂直交叉的数据线；
在所述驱动源极和驱动漏极之间的驱动半导体内形成驱动沟道，并且在所述开关源极和开关漏极之间的开关半导体层内形成开关沟道；
在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层以覆盖所述驱动源极、驱动漏极、驱动沟道、开关源极、开关漏极、开关沟道和数据线；
在所述第二绝缘层上形成电源线和电源电极，该电源线与所述数据线分隔开并且与所述栅线垂直交叉，而且所述电源电极从所述驱动源极上方的电源线延伸出；
在所述第二绝缘层上形成第三绝缘层以覆盖所述电源线和电源电极；
对所述第三和第二绝缘层构图以形成暴露出部分驱动漏极的第一接触孔和暴露出部分开关漏极的第二接触孔；
通过使用掩模对感光有机层曝光和显影形成邻接于所述驱动漏极的连接图案；
在所述第三绝缘层上形成第二薄膜晶体管连接器、第二驱动栅极和连接电极层，所述第二薄膜晶体管连接器通过所述第二接触孔连接所述开关漏极，所述第二驱动栅极一体连接到所述第二薄膜晶体管连接器上并与所述第一驱动栅极相对应，以及所述连接电极层完全覆盖所述连接图案并通过所述第一接触孔与所述驱动漏极连接；
在第二基板上形成有机发光二极管；以及
粘接具有所述有机发光二极管的第二基板和具有所述连接电极层的第一基板，使得所述连接电极层和有机发光二极管互相电连接。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘层具有暴露出部分所述第一薄膜晶体管连接器的第三接触孔，并且所述开关漏极通过该第三接触孔与所述第一薄膜晶体管连接器连接。
16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述形成开关源极和开关漏极的步骤包括形成从所述开关漏极延伸出的第一电容电极的步骤。
17.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述形成电源线和电源电极的步骤包括形成从位于所述第一电容电极上方的电源线延伸出第二电容电极的步骤。
18.根据权利要求14所述的方法，还进一步包括具有所述第一和第二驱动栅极、驱动源极、驱动漏极和驱动半导体层的驱动薄膜晶体管。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管包括具有后沟道和前沟道的第一和第二子薄膜晶体管，该后沟道受所述第一驱动栅极影响，而该前沟道受所述第二驱动栅极影响。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述连接图案具有比所述驱动薄膜晶体管高的高度。
21.根据权利要求14所述的方法，还进一步包括具有所述开关栅极、开关源极、开关漏极和开关半导体层的开关薄膜晶体管。
22.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述形成有机发光二极管的步骤包括：
在所述第二基板上形成第一电极；
在与所述驱动和开关薄膜晶体管、电源线以及栅线和数据线对应的位置中的第一电极上形成层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成隔板，该隔板具有梯形侧边；
在由所述隔板限定的区域内的第一电极上形成有机电致发光层；以及
在所述有机电致发光层上形成第二电极。
23.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，对所述第三和第二绝缘层构图的步骤包括形成多个暴露出所述开关漏极的多个部分的第二接触孔。
24.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘层包括多个暴露出所述第一薄膜晶体管连接器的多个部分的第三接触孔，并且所述开关漏极通过所述多个第三接触孔连接所述第一薄膜晶体管连接器。
25.一种双面板型有机电致发光器件，包括
彼此分隔开的第一和第二基板；
在所述第一基板上沿第一方向形成的栅线；
一对彼此分隔开并在第一基板上方沿第二方向形成的数据线；
设置在所述第一基板上方的所述一对数据线之间并沿第二方向形成的电源线，该电源线连同一对数据线中的一条限定出第一像素、并且连同该对数据线的另一条限定出第二像素；
分别连接到所述第一和第二像素的一对数据线的第一和第二开关薄膜晶体管，该第一和第二开关薄膜晶体管关于所述电源线对称设置；
分别连接到所述电源线和相应的开关薄膜晶体管的第一和第二驱动薄膜晶体管，所述第一和第二驱动薄膜晶体管关于所述电源线对称设置，并且各第一和第二驱动薄膜晶体管包括驱动半导体层、驱动源极、驱动漏极、位于所述驱动半导体层下面的第一驱动栅极和位于所述驱动半导体上方的第二驱动栅极；
分别从所述电源线反向延伸到所述第一和第二像素的第一和第二电源电极，并且该电源电极分别与相应的驱动源极重叠；
在各第一和第二像素内的所述第一基板上方的电连接器，该电连接器包括与相应的驱动薄膜晶体管连接的连接电极层；
在各第一和第二像素内的第一和第二薄膜晶体管连接器，该第一和第二薄膜晶体管连接器将相应的开关薄膜晶体管连接到相应的驱动薄膜晶体管上；以及
在所述第二基板上的有机电致发光二极管，各有机电致发光二极管连接到各第一和第二像素内的电连接器。
26.根据权利要求25所述的器件，其特征在于，所述驱动源极通过第一接触孔连接到所述电源线上，并且所述驱动漏极通过第二接触孔连接到所述电连接器上。
27.根据权利要求25所述的器件，其特征在于，所述第一薄膜晶体管连接器从所述第一驱动栅极延伸出并且通过第三接触孔连接到所述开关薄膜晶体管上，并且其中所述第二薄膜晶体管连接器从所述第二驱动栅极延伸出并通过第四接触孔连接到所述开关薄膜晶体管上。
28.根据权利要求25所述的器件，还进一步包括分别设置在所述第一和第二像素内的第一和第二存储电容，其中各第一和第二存储电容包括一体连接到相应的开关薄膜晶体管的开关漏极上的第一电容电极和一体连接到所述电源线上的第二电容电极。
29.根据权利要求28所述的器件，其特征在于，所述第一和第二存储电容的第二电容电极位于相应的第一电容电极上方并分别从所述电源线反向延伸到第一和第二像素内，其中第一和第二存储电容关于所述电源线对称。
30.根据权利要求25所述的器件，还进一步包括
覆盖所述栅线、第一驱动栅极和第一薄膜晶体管连接器的第一绝缘层；
覆盖所述一对数据线、驱动源极和驱动漏极的第二绝缘层；以及
覆盖所述电源线、第一和第二电源电极的第三绝缘层；
其中所述第二驱动栅极和电连接器设置在所述第三绝缘层上。
31.根据权利要求25所述的器件，其特征在于，所述第一像素内的电连接器与第二像素内的电连接器关于所述电源线对称设置，并且该位于第一像素内和第二像素内的电连接器包括位于所述连接电极层的下面并由感光有机材料形成的连接图案。
32.根据权利要求25所述的器件，其特征在于，所述连接电极层完全覆盖所述连接图案并通过接触孔与各驱动薄膜晶体管的驱动漏极连接。
33.根据权利要求25所述的器件，其特征在于，所述电连接器具有比所述驱动薄膜晶体管高的高度。
34.根据权利要求25所述的器件，其特征在于，所述各有机电致发光二极管包括第一电极、有机电致发光层和第二电极，所述第一电极由透明导电材料形成，并且所述连接电极层连接所述第二电极和驱动漏极。
35.根据权利要求34所述的器件，还进一步包括：
在所述第一电极上的层间绝缘层；以及
在所述层间绝缘层上的隔板；
其中，所述层间绝缘层与所述栅线、一对数据线以及电源线对应，并且所述隔板具有梯形侧边。
36.根据权利要求25所述的器件，其特征在于，各所述驱动薄膜晶体管包括具有后沟道和前沟道的第一和第二子薄膜晶体管，该后沟道受所述第一驱动栅极影响，而该前沟道受所述第二驱动栅极影响。
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