CN117750818A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示面板及其制备方法。该显示面板包括衬底、设置于衬底一侧的驱动电路层以及与驱动电路层电连接的发光单元。其中，发光单元包括颜色不同的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；第二发光单元和第三发光单元；第一发光单元和第二发光单元包括有机发光二极管和/或量子点发光二极管，设置于驱动电路层远离衬底的一侧；第三发光单元为微发光二极管，设置于驱动电路层与衬底之间；显示面板还包括设置于第三发光单元远离衬底的一侧的支撑部，支撑部在衬底上的正投影与第三发光单元在衬底上的正投影重叠，用于在制作第一发光单元和第二发光单元时支撑掩膜板。该显示面板能够为支撑部提供充足的设置空间，同时提高像素开口率。

Description

显示面板及其制备方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

随着显示技术的快速发展，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板相比于液晶显示面板(Liquid Cristal Display，LCD)，具有全固态、主动发光、亮度高、对比度高、超薄、功耗低、无视角限制、工作温度范围宽等诸多优点，日益受到重视。

目前，在制备OLED显示面板的制程中，通常使用蒸镀工艺制作发光单元，在蒸镀制程中，为了使高精细金属掩膜板(Fine Metal Mask，FMM)得到有效支撑，需要占用较多的空间用于制作支撑柱，以用于支撑FMM。那么，当像素密度进一步增大时，支撑柱所需占用的空间会严重影响到像素开口空间的大小，从而造成了发光单元的发光比例的减小，像素开口率下降。

发明内容

本申请提供一种显示面板及其制备方法，旨在解决现有技术中显示面板上支撑柱所占用的空间影响像素开口空间导致像素开口率下降的问题。

为了解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种显示面板。所述显示面板包括：

衬底；

驱动电路层，设置于所述衬底的一侧；

发光单元，电连接于所述驱动电路层；所述发光单元包括颜色不同的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；

其中，所述第一发光单元和所述第二发光单元包括有机发光二极管和/或量子点发光二极管，且设置于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧；所述第三发光单元为微发光二极管，且设置于所述驱动电路层与所述衬底之间；

所述显示面板还包括支撑部，所述支撑部设置于所述第三发光单元远离衬底的一侧，且所述支撑部在所述衬底上的正投影与所述第三发光单元在所述衬底上的正投影重叠，用于在制作所述第一发光单元和所述第二发光单元时支撑掩膜板。

其中，所述显示面板还包括缓冲层和第一封装层，所述缓冲层设置于所述衬底与所述驱动电路层之间，所述缓冲层远离所述衬底的一侧开设有多个容置槽，每个容置槽内设置一个所述第三发光单元，所述第三发光单元的第一电极和第二电极朝向所述容置槽的槽口；

所述第一封装层设置于所述缓冲层与所述驱动电路层之间，用于封装所述第三发光单元，所述第一封装层设有开孔，以使所述第一电极和所述第二电极暴露。

其中，所述驱动电路层设置于所述第一封装层远离所述衬底的一侧，且与所述第一电极和所述第二电极电连接，以用于驱动所述第三发光单元发光。

其中，所述显示面板还包括像素定义层、第一电极层、发光层和第二电极层；

所述第一电极层设置于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，所述第一电极层包括多个第三电极，所述第三电极在垂直于所述衬底的方向上与所述第三发光单元错位；

所述像素定义层设置于所述第三电极层远离所述衬底的一侧，所述像素定义层开设多个像素开口，所述像素开口与所述第三电极一一对应且使所述第三电极暴露；

所述发光层设置于所述像素开口内，且覆盖所述第三电极；所述发光层包括不同颜色的第一发光层和第二发光层，所述第一发光层和所述第二发光层以预设规律分别设置于对应的所述像素开口内；

所述第二电极层设置于所述发光层远离衬底的一侧，所述第二电极层包括多个相互电连接的第四电极，所述第四电极设置于所述像素开口内且覆盖所述发光层；其中，每个像素开口中，所述第三电极、所述第一发光层与所述第四电极形成所述第一发光单元，所述第三电极、所述第二发光层与所述第四电极形成所述第二发光单元。

其中，所述支撑部设置于所述像素定义层远离所述衬底的一侧，且所述支撑部在所述衬底上的正投影与所述第三发光单元在所述衬底上的正投影重叠；

所述显示面板还包括第二封装层和盖板，所述第二封装层设置于所述第二电极层远离所述衬底的一侧，用于封装所述第一发光单元和所述第二发光单元，所述盖板盖设于所述第二封装层远离衬底的一侧。

其中，所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元组成多个重复单元；所述重复单元包括第一重复单元和第二重复单元；

所述第一重复单元中，所述第一发光单元位于所述第三发光单元的第一方向，所述第二发光单元位于所述第三发光单元的第一方向的反方向；

所述第二重复单元中，所述第二发光单元位于所述第三发光单元的第一方向，所述第一发光单元位于所述第三发光单元的第一方向的反方向；

所述重复单元呈矩阵排列，所述第一重复单元和所述第二重复单元在任一行和/或任一列均交替排列；

其中，相邻的第一重复单元和第二重复单元中，相邻的两个所述第一发光单元和/或相邻的两个所述第二发光单元共用一个掩膜板的蒸镀开口。

为了解决上述技术问题，本申请提供的第二个技术方案为：提供一种显示面板的制备方法。所述制备方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上制作缓冲层，并在所述缓冲层上开设多个容置槽；

将第三发光单元转移至所述容置槽中；所述第三发光单元为微发光二极管；

在所述第三发光单元远离衬底的一侧制作驱动电路层，并将驱动电路层与所述第三发光单元电连接；

在所述驱动电路层上制作像素定义层，并在所述像素定义层上开设多个像素开口，所述像素开口在垂直于所述衬底的方向上与所述第三发光单元错位；

在所述像素定义层上制作支撑部，所述支撑部位于所述第三发光单元远离衬底的一侧，且所述支撑部在所述衬底上的正投影与所述第三发光单元在所述衬底上的正投影重叠；

将掩膜板对位设置于支撑部上，通过蒸镀工艺在所述像素开口内形成第一发光单元和第二发光单元。

其中，所述将第三发光单元转移至所述容置槽中的步骤之后还包括：

在所述缓冲层上制作第一封装层，封装所述第三发光单元，并在第一封装层上开设多个开孔，以将所述第三发光单元的第一电极和第二电极暴露；

所述在所述驱动电路层上制作像素定义层的步骤之前还包括：

在所驱动电路层上制作第一电极层，通过图案化工艺形成多个第三电极，并使第三电极在垂直于所述衬底的方向上与所述第三发光单元错位，且所述像素开口使所述第三电极暴露。

其中，所述将掩膜板对位设置于支撑部上，通过蒸镀工艺在所述像素开口内形成第一发光单元和第二发光单元的步骤具体包括：

将第一掩膜板设置于所述支撑部上，并使所述第一掩膜板的第一蒸镀开口与所述像素定义层的第一像素开口对位，通过蒸镀工艺在所述第一像素开口内形成第一发光层；

将第二掩膜板设置于所述支撑部上，并使所第二掩膜板的第二蒸镀开口921与所述像素定义层的第二像素开口对位，通过蒸镀工艺在所述第二像素开口内形成第二发光层；

在所述第一发光层和所述第二发光层上制作第二电极层，以在所述像素开口内形成多个相互电连接的第四电极；其中，每个所述第一像素开口内，所述第三电极、所述第一发光层与所述第四电极形成所述第一发光单元；每个所述第二像素开口内，所述第三电极、所述第二发光层与所述第四电极形成所述第二发光单元。

其中，所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元组成多个重复单元；所述重复单元包括第一重复单元和第二重复单元；

所述第一重复单元中，所述第一发光单元位于所述第三发光单元的第一方向，所述第二发光单元位于所述第三发光单元的第一方向的反方向；

所述第二重复单元中，所述第二发光单元位于所述第三发光单元的第一方向，所述第一发光单元位于所述第三发光单元的第一方向的反方向；

所述重复单元呈矩阵排列，所述第一重复单元和所述第二重复单元在任一行和/或任一列均交替排列；

其中，相邻的第一重复单元和第二重复单元中，相邻的两个所述第一发光单元和/或相邻的两个所述第二发光单元共用一个所述掩膜板的蒸镀开口。

本申请的有益效果：区别于现有技术，本申请提供了一种显示面板及其制备方法，该显示面板包括依次层叠设置的衬底、驱动电路层和发光单元；其中，发光单元包括颜色不同的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，通过驱动电路层驱动发光单元，以实现图像显示。通过将第三发光单元设置为微发光二极管，使得第三发光单元无需通过蒸镀工艺制作；同时，将第三发光单元设置于驱动电路层与衬底之间，以在驱动电路层远离衬底的一侧的第三发光元件的上方位置设置支撑部，以用于在制作第一发光单元和第二发光单元时支撑掩模板，既提供了足够的空间用于设置支撑部，以用于支撑掩模板，避免掩模板张网变形，而且无需牺牲发光单元的开口空间，不会影响第一发光单元和第二发光单元的开口空间，从而有效提高显示面板的像素开口率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出任何创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本申请第一实施例提供的显示面板的平面结构示意图；

图2是图1中提供的显示面板的A-B向的剖面结构示意图；

图3是本申请第二实施例提供的显示面板的剖面结构示意图；

图4是本申请第二实施例提供的显示面板的平面结构示意图；

图5是本申请一实施方式提供的显示面板的制备方法的流程示意图；

图6是图5实施方式中步骤S10～S30的工艺流程图；

图7为图5实施方式中步骤S40的工艺流程图；

图8为图5实施方式中步骤S50～S60的工艺流程图；

图9是本申请一实施方式提供的步骤S70的流程示意图；

图10是图9实施例对应的工艺流程示意图。

附图标记：

100-显示面板；10-衬底；11-缓冲层；111-容置槽；12-第一封装层；121-开孔；20-驱动电路层；21-第一金属层；211-遮光层；212-第一电源走线；22-晶体管器件层；23-第一电极层；30-发光单元；301-第三电极；302-第四电极；31-第一发光单元；311-第一发光层；32-第二发光单元；321-第二发光层；33-第三发光单元；331-第一电极；332-第二电极；333-外延层；40-像素定义层；41-像素开口；411-第一像素开口；412-第二像素开口；50-支撑部；60-第二电极层；70-第二封装层；80-盖板；91-第一掩膜板；911-第一蒸镀开口；92-第二掩膜板；921-第二蒸镀开口；TFT-驱动晶体管。

具体实施方式

下面结合说明书附图，对本申请实施例的方案进行详细说明。

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请。

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

下面结合附图和实施例对本申请进行详细地说明。

请参阅图1和图2，图1是本申请第一实施例提供的显示面板的平面结构示意图，图2是图1中提供的显示面板的A-B向的剖面结构示意图。在本实施例中，提供一种显示面板100。该显示面板100包括衬底10、驱动电路层20和发光单元30，用于显示图像。

其中，衬底10用于承载驱动电路层20和发光单元30。衬底10具体可为玻璃基板或柔性基板，具体可根据实际需要进行设置。驱动电路层20设置于衬底10的一侧，驱动电路层20包括多个子像素驱动电路，子像素驱动电路与发光单元30电连接，用于驱动发光单元30发光。发光单元30与驱动电路层20电连接，发光单元30包括颜色不同的第一发光单元31、第二发光单元32和第三发光单元33，用于实现全彩显示；具体地，第一发光单元31、第二发光单元32和第三发光单元33可分别为红色发光单元30、绿色发光单元30和蓝色发光单元30，以分别发射红光、绿光和蓝光。

在本实施例中，第一发光单元31和第二发光单元32包括有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode，OLED)和/或量子点发光二极管(Quantum Dot Light EmittingDiode，QLED)，例如第一发光单元31和第二发光单元32可以全部为OLED，或全部为QLED，或者也可以部分为OLED，部分为QLED，具体可根据实际需要进行设置；具体地，第一发光单元31和第二发光单元32设置于驱动电路层20远离衬底10的一侧，采用蒸镀工艺制作；第三发光单元33为微发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)，无需采用蒸镀工艺制作，且设置于驱动电路层20与衬底10之间，即第三发光单元33为Micro-LED，并设置在驱动电路层20的下面。

进一步地，显示面板100还包括支撑部50，支撑部50设置于第三发光单元33远离衬底10的一侧，且支撑部50在衬底10上的正投影与第三发光单元33在衬底10上的正投影重叠，用于在制作第一发光单元31和第二发光单元32时支撑掩模板。即，通过将Micro-LED作为第三发光单元33，并将其设置在驱动电路层20下面，使得驱动电路层20上方原本用于设置第三发光层的空间可用于设置支撑部50，为支撑部50的设置提供了足够的空间，且无需牺牲第一发光单元31和第二发光单元32的像素开口41空间，从而提高了显示面板100的像素开口41率。

同时，红色发光单元30为第一发光单元31，绿色发光单元30为第二发光单元32，第三发光单元33为蓝色发光单元30，即将蓝色发光单元30设置为Micro-LED，还能够提高显示面板100的品质。需要说明，对于有机发光二极管器件来说，红色和绿色器件的效率和寿命较佳，而蓝色的OLED相对较差；对于微发光二极管器件来说，其具有高效率和高稳定性等优点，但制作成本较高，而且在制作大尺寸面板时，巨量转移较为困难，而且红色和绿色Micro-LED随着芯片尺寸的减小，效率会大幅下降；本实施例中，通过将蓝色Micro-LED、红色和绿色的OLED和/或QLED集成在同一显示面板100中，由于蓝色发光单元30采用Micro-LED，可以大幅降低Micro-LED的转移困难和成本，并且将蓝色发光单元30设置为蓝色Micro-LED，使得其发光效率与红色和绿色发光单元30相对持平，能够提高显示面板100的寿命。

如图2所示，在本实施例中，显示面板100还包括缓冲层11和第一封装层12，缓冲层11设置于衬底10与驱动电路层20之间，缓冲层11远离衬底10的一侧开设有多个容置槽111，用于容置第三发光单元33。具体地，缓冲层11可为透明材质，例如透明光刻胶材质，缓冲层11的厚度范围为2～15μm，以使用于容置第三发光单元33的容置槽111的深度能够满足第三发光单元33的容置需求。其中，容置槽111可通过光刻工艺蚀刻形成。

其中，第三发光单元33包括外延层333、第一电极331和第二电极332，第一电极331和第二电极332分别为阳极和阴极，或者第一电极331和第二电极332分别为阴极和阳极，在本实施例中以第一电极331为阳极、第二电极332为阴极进行说明。第三发光单元33通过巨量转移工艺转移至容置槽111中，每个容置槽111中设置一个第三发光单元33，且第三发光单元33的第一电极331和第二电极332朝向容置槽111的槽口，即第三单元倒置于容置槽111中，外延层333朝向衬底10方向、第一电极331和第二电极332朝向驱动电极层的方向设置。

其中，第一封装层12设置于缓冲层11和驱动电路层20之间，用于封装第三发光单元33，即将第一封装层12设置于缓冲层11远离衬底10的一侧并覆盖第三发光单元33，以将第三发光单元33封装起来。第一封装层12同样可采用透明绝缘材质，例如透明光刻胶或无机透明绝缘材料，本实施例中优选透明光刻胶材料；第一封装层12上还设有多个开孔121，开孔121与第三发光单元33的第一电极331和第二电极332对位设置，以使第一电极331和第二电极332暴露，以与驱动电路层20电连接。

其中，驱动电路层20设置于第一封装层12远离衬底10的一侧，且与第一电极331和第二电极332电连接，以用于驱动第三发光单元33发光。具体地，驱动电路层20包括多个子像素驱动电路，子像素驱动电路与发光单元30一一对应且电连接，子像素驱动电路包括驱动晶体管TFT，驱动晶体管TFT与发光单元30电连接，用于驱动发光单元30发光。

进一步地，显示面板100还包括像素定义层40、第一电极层23、发光层和第二电极层60。其中，第一电极层23设置于驱动电路层20远离衬底10的一侧，第一电极层23包括多个第三电极301，第三电极301与驱动电路层20的子像素驱动电路对应电连接，第三电极301具体可通过图案化工艺形成，第三电极301用于作为第一发光单元31和第二发光单元32的阳极。具体地，第三电极301在垂直于衬底10的方向上与第三发光单元33错位，即第三电极301在衬底10上的正投影与第三发光单元33在衬底10上的正投影不重叠，以使第一发光单元31、第二发光单元32和第三发光单元33在垂直于衬底10的方向上完全错开，避免相互遮挡。

其中，像素定义层40设置于第三电极301远离衬底10的一侧，像素定义层40具体可通过光刻工艺制作，像素定义层40开设有多个像素开口41，像素开口41与第三电极301一一对应且是第三电极301暴露，即第三电极301至少部分位于多个像素开口41中，以保证后续发光层与第三电极301的接触面积。具体地，像素定义层40设置在驱动电路层20上，且覆盖第三电极301的边缘部位。

其中，支撑部50设置于像素定义层40远离衬底10的一侧，且支撑部50在衬底10上的正投影与第三发光单元33在衬底10上的正投影重叠。可以理解，由于第三发光单元33为Micro-LED，无需通过蒸镀工艺制作，且第三发光单元33设置在驱动电路层20下方，因此，驱动电路层20上方原本用于设置第三发光单元33的空间可用于设置支撑部50，从而可在不牺牲像素开口41的空间的情况下向支撑部50提供了充足的设置空间；支撑部50具体可通过光刻工艺形成，以用于在蒸镀形成发光层的制程中支撑掩模板，避免掩模板张网变形。

其中，发光层设置于像素开口41内，且覆盖第三电极301，与第三电极301形成欧姆接触。发光层包括不同颜色的第一发光层311和第二发光层321，第一发光层311用于发射红光，第二发光层321用于发射绿光，第一发光层311和第二发光层321以预设规律分别设置于对应的像素开口41内。具体地，第一发光层311和第二发光层321通过两次蒸镀工艺形成，即第一发光层311通过第一次蒸镀制作形成，然后第二发光层321通过第二次蒸镀制作形成。

其中，第二电极层60设置于发光层远离衬底10的一侧，第二电极层60包括多个相互电连接的第四电极302，第四电极302设置于像素开口41内且覆盖发光层，与对应的发光层形成欧姆接触，以作为第一发光单元31和第二发光单元32的阴极；第二电极层60具体可通过蒸镀或光刻工艺形成，具体可根据实际需求进行选择。其中，每个像素开口41中，第三电极301、第一发光层311和第四电极302形成第一发光单元31，第三电极301、第二发光层321和第四电极302形成第二发光单元32。

进一步地，显示面板100还包括第二封装层70和盖板80，第二封装层70设置于第二电极层60远离衬底10的一侧，且填充于像素开口41中，用于封装第一发光单元31和第二发光单元32，第二封装层70在远离衬底10的一侧流平，第二封装层70具体可包括无机绝缘层和/或有机绝缘层，可为单层结构或多层结构，具体可根据实际需要进行设置。其中，盖板80盖设于第二封装层70远离衬底10的一侧，用于保护第二封装层70以及隔绝外部水氧和灰尘。在本实施例中，显示面板100的出光侧为衬底10所在的一侧，即第一发光单元31、第二发光单元32和第三发光单元33的出光方向朝向衬底10的方向；当然，在其他实施例中，显示面板100的出光侧也可为盖板80所在的一侧，即第一发光单元31、第二发光单元32和第三发光单元33的出光方向为朝向盖板80的方向。

请参阅图3和图4，图3是本申请第二实施例提供的显示面板的剖面结构示意图，图4是本申请第二实施例提供的显示面板的平面结构示意图。在本实施例中，提供另一种显示面板100，该显示面板100中，第一发光单元31、第二发光单元32和第三发光单元33组成多个重复单元。具体地，重复单元包括第一重复单元和第二重复单元；其中，第一重复单元中，第一发光单元31位于第三发光单元33的第一方向，第二发光单元32位于第三发光单元33的第一方向的反方向；第二重复单元中，第二发光单元32位于第三发光单元33的第一方向，第一发光单元31位于第三发光单元33的第一方向的反方向。可以理解为，一个第一发光单元31、一个第二发光单元32和一个第三发光单元33组成一个重复单元；在第一重复单元中，第一发光单元31、第二发光单元32和第三发光单元33的排列方式为“R-B-G”，R代表第一发光单元31，B代表第三发光单元33，G代表第二发光单元32；而在第二重复单元中，第一发光单元31、第二发光单元32和第三发光单元33的排列方式为“G-B-R”；即，每个重复单元中，第一发光单元31和第二发光单元32分别设置于第三发光单元33的相对两侧，例如第一重复单元中，第一发光单元31位于第三发光单元33的左侧，第二发光单元32位于第三发光单元33的右侧，第二重复单元中，第一发光单元31位于第三发光单元33的右侧，第二发光单元32位于第三发光单元33的左侧。

同时，重复单元呈矩阵排列，第一重复单元和第二重复单元在任一行和/或任一列均交替排列；从而使得在同一行或同一列中，相邻的第一重复单元和第二重复单元中，第一重复单元中的第一发光单元31和第二重复单元中的第一发光单元31相邻，或第一重复单元中的第二发光单元32和第二重复单元中的第二发光单元32相邻；由于在同一行和/或同一列中，第一发光单元31两两相邻，第二发光单元32两两相邻，因此相邻的两个第一发光单元31在蒸镀工艺制程中可共用掩膜板上的同一个蒸镀开口，相邻的两个第二发光单元32在蒸镀工艺制程中也可共用掩膜板上的同一个蒸镀开口，从而使得第一发光单元31和第二发光单元32的关键尺寸能够减小为原来的二分之一，因此可使显示面板100的像素密度提高一倍，可有效提高像素分辨率。

在本实施例中，如图3所示，沿矩阵的行方向，每一行中，第一重复单元与第二重复单元交替排列，每一列中，为同一重复单元，使得在列方向上，第一发光单元31为单独一列，第二发光单元32为单独的一列。在其他实施列中，沿矩阵的行方向，每一行中，第一重复单元与第二重复单元交替排列，每一列中，第一重复单元与第二重复单元也可交替排列，使得发光单元30在行方向和列方向上的排列规律相同，且能够使各颜色的发光单元30分布更加均衡，提高显示效果。

请参阅图5，图5为本申请一实施方式提供的显示面板的制备方法的流程示意图。在本实施方式中，提供一种显示面板100的制备方法，该制备方法用于制备如上文实施例所涉及的显示面板100。该制备方法包括以下步骤：

S10：提供衬底10；

S20：在衬底10上制作缓冲层11，并在缓冲层11上开设多个容置槽111；

S30：将第三发光单元33转移至容置槽111中；其中，第三发光单元33为微发光二极管；

S40：在第三发光单元33远离衬底10的一侧制作驱动电路层20，并将驱动电路层20与第三发光单元33电连接；

S50：在驱动电路层20上制作像素定义层40，并在像素定义层40上开设多个像素开口41，像素开口41在垂直于衬底10的方向上与第三发光单元33错位；

S60：在像素定义层40上制作支撑部50，支撑部50位于第三发光单元33远离衬底10的一侧，且支撑部50在衬底10上的正投影与第三发光单元33在衬底10的正投影重叠；

S70：将掩膜板对位设置在支撑部50上，通过蒸镀工艺在像素开口41内形成第一发光单元31和第二发光单元32。

请参阅图6，图6是图5实施方式中步骤S10～S30的工艺流程图。具体地，步骤S10中提供的衬底10具体可为玻璃基板或柔性透明基板，具体可根据实际需要进行设置。步骤S20中，在衬底10上形成一厚度范围为2～15μm的缓冲层11，并通过光刻方式或其他蚀刻方式在缓冲层11上形成多个容置槽111，以用于容置第三发光单元33。在步骤S30中，通过巨量转移方式将第三发光单元33转移至容置槽111中，每个容置槽111中设置一个第三发光单元33。具体地，第三发光单元33的第一电极331和第二电极332朝上，以方便后续与驱动电路层20电连接；相比于第三发光单元33的电极朝下的设置方式，该方式可减少金属走线的设置和金属层的数量，以及导电孔的数量。

其中，在本实施例中，在步骤S30之后，还包括：

步骤S31：在缓冲层11上制作第一封装层12，封装第三发光单元33，并在第一封装层12上开设多个开孔121，以将第三发光单元33的第一电极331和第二电极332暴露。

具体地，将第三发光单元33转移至容置槽111中后，在缓冲层11上制作一层第一封装层12，以将第三发光单元33封装于容置槽111中，第一封装层12的厚度范围为2～15μm，以保证封装有效性；同时，通过光刻工艺或其他蚀刻方式在第一封装层12上形成多个开孔121，以将第三发光单元33的第一电极331和第二电极332暴露。

请参阅图7，图7为图5实施方式中步骤S40的工艺流程图。在本实施方式中，步骤S40为制作驱动电路层20的步骤，该步骤具体包括：

S41：在第一封装层12上制作第一金属层21，并通过图案化工艺形成第一电源走线212，并使第一电源走线212与第三发光单元33的第二电极332电连接；

S42：在第一金属层21上制作晶体管器件层22，以形成子像素驱动电路。

在本实施方式中，第一金属层21可采用金属铝、铜、钼等或其合金，通过图案化工艺形成第一电源走线212、遮光层211等结构，其中第一电源走线212延伸至第一封装层12的部分开孔121中与第三发光单元33的第二电极332实现欧姆接触，第一电源走线212可用于向第三发光单元33的第二电极332提供第一公共电压，即第三发光单元33所需的低压。其中，遮光层211可用于遮挡晶体管器件层22中的有源层，避免有源层受到光照导致晶体管输出特性发生偏移的问题。

其中，晶体管器件层22可通过一系列的光刻工艺制作，以形成薄膜晶体管阵列，实现对第三发光单元33和即将制作的第一发光单元31及第二发光单元32的驱动控制和信号走线传输。具体地，薄膜晶体管阵列可采用非晶硅(a-Si)、低温多晶硅(LTPS)、铟镓锌氧化物(IGZO)、低温多晶氧化物(LTPO)等半导体材料制作，具体可根据实际需要进行选择，对此不做具体限制。

容易理解，在该制作步骤中，薄膜晶体管阵列组合形成多个子像素驱动电路，每个子像素驱动电路中至少包括两个晶体管，一个为开关晶体管，一个为驱动晶体管，以形成常见的2T1C子像素驱动电路；且在晶体管器件层22中还形成有扫描线、数据线、第二电源走线，其中，扫描线与开关晶体管的栅极电连接，用于向子像素电路提供扫描信号，数据线与开关晶体管的漏极电连接，用于向子像素驱动电路提供数据信号，第二电源走线与驱动晶体管的漏极电连接，用于向子像素驱动电路提供驱动电压。

请参阅图8，图8为图5实施方式中步骤S50～S60的工艺流程图。

在本实施例中，在步骤S42之后，步骤S50之前还包括：

S43：在驱动电路层20上制作第一电极层23，通过图案化工艺形成多个第三电极301，并使第三电极301在垂直于衬底10的方向上与第三发光单元33错位，且像素开口41使第三电极301暴露。

具体地，在本实施例中，第三电极301用于作为第一发光单元31和第二发光单元32的阳极，且第三电极301与驱动电路层20电连接，第三电极301具体与对应的子像素驱动电路中的驱动晶体管的源极电连接，以使驱动晶体管向第一发光单元31和第二发光单元32提供驱动信号。

具体地，在第一电极层23制作完成后，进一步在驱动电路层20上制作像素定义层40，像素定义层40可通过光刻工艺形成，且像素定义层40形成有多个与第三电极301一一对应的像素开口41，且像素开口41使得第三电极301层暴露。

进一步地，像素定义层40制作完成后，进一步在像素定义层40上制作支撑部50，支撑部50同样可通过光刻工艺形成，支撑部50的高度具体可根据实际需要进行设置，支撑部50具体位于第三发光单元33上方且与第三发光单元33在垂直于衬底10的方向上重叠，即支撑部50位于原本用于制作第三发光单元33的位置，而第三发光单元33采用Micro-LED，无需蒸镀形成，因此可将第三发光单元33设置于驱动电路层20下面，以在驱动电路层20上面为支撑部50的设置提供充足的空间，且无需牺牲第一发光单元31和第二发光单元32的像素开口41面积，能够提供像素开口41率。

请参阅图9和图10，图9是本申请一实施方式提供的步骤S70的流程示意图，图10是图9实施例对应的工艺流程示意图。在本实施例中，步骤S70具体包括：

S71：将第一掩膜板91设置于支撑部50上，并使第一掩膜板91的第一蒸镀开口911与像素定义层40的第一像素开口411对位；

S72：通过蒸镀工艺在第一像素开口411内形成第一发光层311；

S73：将第二掩膜板92设置于支撑部50上，并使第二掩膜板92的第二蒸镀开口921与像素定义层40的第二像素开口412对位；

S74：通过蒸镀工艺在第二像素开口412内形成第二发光层321；

S75：在第一发光层311和第二发光层321上制作第二电极层60，以在像素开口41内形成多个相互电连接的第四电极302。

具体地，在制作第一发光层311时，采用第一掩膜板91，将第一掩膜板91对位设置在支撑部50上，由支撑部50支撑第一掩膜板91，第一掩膜板91具有多个呈阵列排列的第一蒸镀开口911，第一蒸镀开口911具体排列结构与第一发光单元31的排列结构相同，且第一蒸镀开口911与像素定义层40的第一像素开口411对位设置，像素定义层40的第一像素开口411内用于形成第一发光单元31；将第一掩膜板91对位设置好后，通过蒸镀工艺，以在第一像素开口411内形成第一发光层311，第一发光层311与对应的第一像素开口411中的第三电极301之间形成欧姆接触。同样地，在制作第二发光层321时，采用第二掩膜板92，将第二掩膜板92对位设置好后，通过蒸镀工艺，以在第二像素开口412内形成第二发光层321，第二发光层321与对应的第二像素开口412中的第三电极301之间形成欧姆接触。

然后，在第一发光层311和第二发光层321上制作第二电极层60，以在像素开口41内形成多个相互电连接的第四电极302，第四电极302作为第一发光单元31和第二发光单元32的阴极；多个第四电极302之间可通过连接部电连接，或者多个第四电极302形成一整层的第二发光层321，从而在第一像素开口411内，第三电极301、第一发光层311和第四电极302形成第一发光单元31，在第二像素开口412内，第三电极301、第二发光层321和第四电极302形成第二发光单元32。

在本实施方式中，与上文图4实施例相同，第一发光单元31、第二发光单元32和第三发光单元33组成多个重复单元；重复单元包括第一重复单元和第二重复单元；第一重复单元中，第一发光单元31位于第三发光单元33的第一方向，第二发光单元32位于第三发光单元33的第一方向的反方向；第二重复单元中，第二发光单元32位于第三发光单元33的第一方向，第一发光单元31位于第三发光单元33的第一方向的反方向；重复单元呈矩阵排列，第一重复单元和第二重复单元在任一行和/或任一列均交替排列；其中，相邻的第一重复单元和第二重复单元中，相邻的两个第一发光单元31和/或相邻的两个第二发光单元32共用一个掩膜板的蒸镀开口。

具体地，在制作第一发光单元31时，在步骤S71和步骤S72中，相邻的两个第一发光层311可通过第一掩膜板91上的同一个第一蒸镀开口911形成，在步骤S73和步骤S74中，相邻的两个第二发光层321可通过第二掩膜板92上的同一个第二蒸镀开口921形成。从而使得第一发光单元31和第二发光单元32的关键尺寸能够减小为原来的二分之一，因此可使显示面板100的像素密度提高一倍，可有效提高像素分辨率。

进一步地，在本实施方式中，制备方法还包括以下步骤：

S81：在第二电极层60上制作第二封装层70，以对发光单元30进行封装；

S82：在第二封装层70上盖设盖板80。

具体地，第二封装层70可包括无机绝缘材质和/或有机绝缘材质，具体可为单层结构或多层结构，具体可根据实际需要进行设置，以对第一发光单元31和第二发光单元32进行封装，避免第一发光单元31和第二发光单元32受到水氧侵蚀而失效。具体地，盖板80具体可为玻璃基板或有机材料基板，用于隔绝外部水氧和灰尘等，避免外部水氧进入面板内部，进一步提高显示面板100的使用寿命。

以上仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利保护范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括：

衬底；

驱动电路层，设置于所述衬底的一侧；

发光单元，电连接于所述驱动电路层；所述发光单元包括颜色不同的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；

其特征在于，所述第一发光单元和所述第二发光单元包括有机发光二极管和/或量子点发光二极管，且设置于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧；所述第三发光单元为微发光二极管，且设置于所述驱动电路层与所述衬底之间；

所述显示面板还包括支撑部，所述支撑部设置于所述第三发光单元远离衬底的一侧，且所述支撑部在所述衬底上的正投影与所述第三发光单元在所述衬底上的正投影重叠，用于在制作所述第一发光单元和所述第二发光单元时支撑掩膜板。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括缓冲层和第一封装层，所述缓冲层设置于所述衬底与所述驱动电路层之间，所述缓冲层远离所述衬底的一侧开设有多个容置槽，每个容置槽内设置一个所述第三发光单元，所述第三发光单元的第一电极和第二电极朝向所述容置槽的槽口；

所述第一封装层设置于所述缓冲层与所述驱动电路层之间，用于封装所述第三发光单元，所述第一封装层设有开孔，以使所述第一电极和所述第二电极暴露。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层设置于所述第一封装层远离所述衬底的一侧，且与所述第一电极和所述第二电极电连接，以用于驱动所述第三发光单元发光。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括像素定义层、第一电极层、发光层和第二电极层；

所述第一电极层设置于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，所述第一电极层包括多个第三电极，所述第三电极在垂直于所述衬底的方向上与所述第三发光单元错位；

所述像素定义层设置于所述第一电极层远离所述衬底的一侧，所述像素定义层开设多个像素开口，所述像素开口与所述第三电极一一对应且使所述第三电极暴露；

所述发光层设置于所述像素开口内，且覆盖所述第三电极；所述发光层包括不同颜色的第一发光层和第二发光层，所述第一发光层和所述第二发光层以预设规律分别设置于对应的所述像素开口内；

所述第二电极层设置于所述发光层远离衬底的一侧，所述第二电极层包括多个相互电连接的第四电极，所述第四电极设置于所述像素开口内且覆盖所述发光层；其中，每个像素开口中，所述第三电极、所述第一发光层与所述第四电极形成所述第一发光单元，所述第三电极、所述第二发光层与所述第四电极形成所述第二发光单元。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述支撑部设置于所述像素定义层远离所述衬底的一侧，且所述支撑部在所述衬底上的正投影与所述第三发光单元在所述衬底上的正投影重叠；

所述显示面板还包括第二封装层和盖板，所述第二封装层设置于所述第二电极层远离所述衬底的一侧，用于封装所述第一发光单元和所述第二发光单元，所述盖板盖设于所述第二封装层远离衬底的一侧。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元组成多个重复单元；所述重复单元包括第一重复单元和第二重复单元；

所述第一重复单元中，所述第一发光单元位于所述第三发光单元的第一方向，所述第二发光单元位于所述第三发光单元的第一方向的反方向；

所述第二重复单元中，所述第二发光单元位于所述第三发光单元的第一方向，所述第一发光单元位于所述第三发光单元的第一方向的反方向；

所述重复单元呈矩阵排列，所述第一重复单元和所述第二重复单元在任一行和/或任一列均交替排列；

其中，相邻的第一重复单元和第二重复单元中，相邻的两个所述第一发光单元和/或相邻的两个所述第二发光单元共用一个掩膜板的蒸镀开口。

7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上制作缓冲层，并在所述缓冲层上开设多个容置槽；

将第三发光单元转移至所述容置槽中；所述第三发光单元为微发光二极管；

在所述第三发光单元远离衬底的一侧制作驱动电路层，并将驱动电路层与所述第三发光单元电连接；

在所述驱动电路层上制作像素定义层，并在所述像素定义层上开设多个像素开口，所述像素开口在垂直于所述衬底的方向上与所述第三发光单元错位；

在所述像素定义层上制作支撑部，所述支撑部位于所述第三发光单元远离衬底的一侧，且所述支撑部在所述衬底上的正投影与所述第三发光单元在所述衬底上的正投影重叠；

将掩膜板对位设置于支撑部上，通过蒸镀工艺在所述像素开口内形成第一发光单元和第二发光单元。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述将第三发光单元转移至所述容置槽中的步骤之后还包括：

在所述缓冲层上制作第一封装层，封装所述第三发光单元，并在第一封装层上开设多个开孔，以将所述第三发光单元的第一电极和第二电极暴露；

所述在所述驱动电路层上制作像素定义层的步骤之前还包括：

在所驱动电路层上制作第一电极层，通过图案化工艺形成多个第三电极，并使第三电极在垂直于所述衬底的方向上与所述第三发光单元错位，且所述像素开口使所述第三电极暴露。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述将掩膜板对位设置于支撑部上，通过蒸镀工艺在所述像素开口内形成第一发光单元和第二发光单元的步骤具体包括：

将第一掩膜板设置于所述支撑部上，并使所述第一掩膜板的第一蒸镀开口与所述像素定义层的第一像素开口对位，通过蒸镀工艺在所述第一像素开口内形成第一发光层；

将第二掩膜板设置于所述支撑部上，并使所第二掩膜板的第二蒸镀开口921与所述像素定义层的第二像素开口对位，通过蒸镀工艺在所述第二像素开口内形成第二发光层；

在所述第一发光层和所述第二发光层上制作第二电极层，以在所述像素开口内形成多个相互电连接的第四电极；其中，每个所述第一像素开口内，所述第三电极、所述第一发光层与所述第四电极形成所述第一发光单元；每个所述第二像素开口内，所述第三电极、所述第二发光层与所述第四电极形成所述第二发光单元。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元组成多个重复单元；所述重复单元包括第一重复单元和第二重复单元；

所述第一重复单元中，所述第一发光单元位于所述第三发光单元的第一方向，所述第二发光单元位于所述第三发光单元的第一方向的反方向；

所述第二重复单元中，所述第二发光单元位于所述第三发光单元的第一方向，所述第一发光单元位于所述第三发光单元的第一方向的反方向；

所述重复单元呈矩阵排列，所述第一重复单元和所述第二重复单元在任一行和/或任一列均交替排列；

其中，相邻的第一重复单元和第二重复单元中，相邻的两个所述第一发光单元和/或相邻的两个所述第二发光单元共用一个所述掩膜板的蒸镀开口。