CN101180741A - 具有减小了温度依赖性的AlInGaP LED - Google Patents

具有减小了温度依赖性的AlInGaP LED Download PDF

Info

Publication number
CN101180741A
CN101180741A CNA2006800111629A CN200680011162A CN101180741A CN 101180741 A CN101180741 A CN 101180741A CN A2006800111629 A CNA2006800111629 A CN A2006800111629A CN 200680011162 A CN200680011162 A CN 200680011162A CN 101180741 A CN101180741 A CN 101180741A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
epitaxial loayer
lattice constant
grown
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006800111629A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101180741B (zh
Inventor
M·R·克拉梅斯
N·F·加德纳
F·M·斯特兰卡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Lumileds LLC
Original Assignee
Philips Lumileds Lighing Co LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Lumileds Lighing Co LLC filed Critical Philips Lumileds Lighing Co LLC
Publication of CN101180741A publication Critical patent/CN101180741A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101180741B publication Critical patent/CN101180741B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

Abstract

为了将AlInGaP LED层的晶格常数增加到大于GaAs的晶格常数，以用来降低温度灵敏性，在衬底上形成设计的生长层，其中该生长层具有等于或者几乎等于所需AlInGaP层的晶格常数的晶格常数。在一实施例中，在GaAs衬底上生长分级的InGaP或InGaAs层。在层生长过程中增加铟的量，使得最终的晶格常数等于所需的AlInGaP有源层的晶格常数。在另一例中，在GaAs衬底上生长非常薄的InGaP、InGaAs或者AlInGaP层，其中InGaP、InGaAs或者AlInGaP层是应变的(压缩的)。然后从GaAs分离InGaP、InGaAs或者AlInGaP薄层，并松弛，使得薄层的晶格常数增加到所需覆盖AlInGaP LED层的晶格常数。然后在InGaP、InGaAs或者AlInGaP薄层上生长LED层。

Description

具有减小了温度依赖性的AlInGaP LED
技术领域
本发明涉及一种发光二极管(LED)，以及尤其是涉及一种形成AlInGaPLED的技术，其可见光的输出具有减小的温度依赖性。
背景技术
使用(AlxGa1-x)1-yInyP LED来产生从红色到琥珀色的可见波长。通常通过在GaAs生长衬底上生长包括夹入发光有源层的p型和n型层的外延层，形成AlInGaP LED。由于高质量的三重和四重衬底非常难制造，所以通常使用GaAs衬底。为了制造低缺陷的LED层，(AlxGa1-x)1-yInyP外延层的晶格常数必须和GaAs的晶格常数匹配。为了匹配GaAs的晶格常数，y＝0.48。调节x的值以获得所需的发射波长。
AlInGaP LED的光输出对温度的依赖性很大。例如，在温度为80-120摄氏度的范围时，在有用波长的内量子效率显著降低，导致在室温下从2/3的光输出到1/2的光输出。在某些应用中，例如交通信号灯、尾灯和显示器中，光输出的这种变化及其明显。
需要的是一种降低AlInGaP LED温度敏感性的技术。
发明内容
本申请人发现，如果AlInGaP有源层的晶格常数大于GaAs的晶格常数，则AlInGaP LED具有减小的温度敏感性。晶格常数可以随着铟的百分比的增加而增加。晶格常数的增加增加了直接带隙(相对于间接带隙)复合的百分比，由此增加了量子效率。然而，对于AlInGaP LED来说只有GaAs和Ge是真正的生长衬底，每一个都具有类似的晶格常数，大约5.65。
为了增加AlInGaP层的晶格常数，在衬底上形成设计的生长层，其中生长层具有等于或者大约等于用于发光器件所需的AlInGaP外延层的晶格常数。在一个实施例中，生长层具有(AlxGa1-x)1-yInyP的组成，其中0≤x≤1.0，y＞0.48。
在一个实施例中，在GaAs或者Ge衬底上生长分级的InGaAs或者InGaP层。在层生长过程中铟的量增加，使得最终的晶格常数等于AlInGaP有源层中所需要的带隙特性。通过对InGaAs或者InGaP层分级，残余应变相当低，产生可接受的位错密度(例如，＜10E6/cm2)。
可以在AlInGaP有源LED层上面生长厚的(～5到100um)透明窗口层，例如GaP、AlGaP或者AlGaAs。对于LED器件该层提供增加了光提取和电流扩展。可以将生成的晶片金属化并切成小块，并安装到封装中，以提供工作的LED。可替换地，可以在吸收缓冲层和LED活性区之间生长分布的布拉格反射器(DBR)外延层堆叠体，例如AlGaAs/AlGaAs，以朝着晶片的上表面向下反射光，以增加LED的亮度。
在另一个实施例中，在GaAs或者Ge生长衬底上生长非常薄的InGaP、InGaAs或者AlInGaP层，其中InGaP、InGaAs或者AlInGaP层是完全应变的(被压缩的)并摆脱了异质外延引起的附加位移。将氢离子注入到生长衬底的上表面中。然后将晶片连接到在载体衬底上生长的氧化连接层上，其可以是Si、Ge、GaAs或者其它半导体、陶瓷或者金属或者其合金。加热生成的结构，生成氢气泡，其从生长衬底分离InGaP、InGaAs或者AlInGaP层。然后松弛InGaP、InGaAs或者AlInGaP层，使得其晶格常数增大。如果晶片连接允许应变层膨胀则氧化物连接层是任意的。选择铟含量，使得松弛的InGaP、InGaAs或者AlInGaP层和所需的上面的AlInGaP外延层具有相同的晶格常数。然后在松弛的InGaP、InGaAs或者AlInGaP层上面生长AlInGaP LED层。随后，可以将LED层连接到最后的主衬底或者封装元件，并例如通过刻蚀或者抛光或者其任意组合去除掉载体衬底和氧化层。光提取特征部分，例如形状或者纹理(或者任意的或者有秩序的)或者光子晶体结构可以应用到LED结构的上表面。使得可以电接触LED层，并将晶片切块。将生成的芯片安装到封装中以提供工作的LED。如上所述，可以将相同的器件制造方法应用于使用InGaP或者InGaAs分级缓冲层的技术。
可替换地，可以在AlInGaP LED层上面生长厚的(～5到100um)透明窗口层，例如GaP、AlGaP或者AlGaAs。然后，可以去除掉载体衬底和氧化层，对于由厚窗口层提供的剩余结构是机械支撑。通过升高温度和压力，可以将生成的结构连接到导电的透明衬底，例如GaP。可以选择晶片连接条件，使得连接表面提供良好的导电性以及透光性。可以将生成的晶片金属化并切成小块，并安装到封装中，以提供完全透明的LED。可以将相同的器件制造方法应用到使用InGaP或者InGaAs分级缓冲层的技术中。
因此，申请人已经发明了具有放大了的晶格常数的基础LED外延层的AlInGaP LED。放大的晶格常数理想地影响AlInGaP有源层的特性。AlInGaP有源层甚至可以具有这样的组成，使得它可以被压缩和拉伸，因为将它的晶格常数限制到外延生长层的放大晶格常数。有源层可以是包括量子阱的多层。
附图说明
图1A和图1B是导带边缘和提供有效产生光的直接带隙的价带顶边的例子的图。
图2是AlInGaP LED的横截面图，其具有放大晶格常数，这通过设计具有大于GaAs的晶格常数并等于所需AlInGaP层的晶格常数的生长层形成。
图3是示出了当y已经从0.48(匹配于GaAs)增加到0.53时(AlxGa1-x)1-yInyPLED的降低温度依赖性的图。
图4是对于多种衬底，包括GaAs，晶格常数相对能隙的图，描述了申请人所期望的AlInGaP LED层晶格常数增加，从5.65埃(GaAs的晶格常数)到5.65和5.73之间，以降低AlInGaP LED的温度敏感度。
图5是在分级的InGaAs或者InGaP层上生长的具有放大晶格常数的AlInGaP LED的横截面图。
图6A-6F在不同的制造阶段，当形成设计的具有大于GaAs的晶格常数的生长层，和在生长层上生长AlInGaP外延层时，LED结构的横截面图。
图7A-7B是在制造的不同阶段，另一LED结构的横截面图，其中形成厚的上窗口(图6F的步骤之后)，以及沿着其它层去除掉光吸收载体衬底(例如硅)，并用透明衬底任意地替换。
图8A-8B是在制造的不同阶段，另一LED结构的横截面图，其中反射器(例如金属镜或者布拉格反射器)和支撑衬底连接在p层上面，并且一同去除掉光吸收载体衬底(例如硅)和其它层。
图9A-9C是在制造的不同阶段，另一LED结构的横截面图，其中器件形成为倒装晶片，去除了光吸收载体衬底(例如硅)和其它层，并且将芯片的上表面进一步处理成(例如变粗糙)具有光提取特征部分。
图10是用于生成LED的封装的一个实施例的分解图。
具体实施方式
在直接带隙半导体中，可以高效发光，因为价带中的最大能量级和导带中的最小能量级出现在相同的k矢量。图1A是对于直接带隙半导体材料，能量相对k矢量的简单表示，其中价带最大值具有和导带最小值相同的k矢量。实际上，能量-k矢量曲线不是那么简单。图1B是对于直接带隙闪锌矿半导体的能量-k矢量图，示出了用于导带的直接带隙最小值(Γ)和间接带隙最小值(L和X)。对于电子来说Γ最小值必须是低于L或者X最小值的能量，以高效地跨过价带和导带之间的间隙，以产生直接带隙转变并产生光。如果X或者L最小值在低于Γ能量级的能量级，则增加的载流子数将包含在间接带隙转变中并且不产生光。申请人已经发现对于(AlxGa1-x)1-yInyP LED的不良热特性的下述三个原因，其中y＝0.48，以匹配GaAs生长衬底的晶格常数：
1.在L最小值时载流子量随着温度增加，导致较少的电子包含在直接带隙转变中；
2.在p型AlInP：Mg上限定层提供的相对较浅的导带势垒上，从AlInGaP有源层，存在随着温度升高而增加的电子泄漏；以及
3.由于霍尔-肖克利-里德复合的非辐射增加，所以存在辐射复合的百分比随着温度的升高而降低，其在升高温度时更活跃。
申请人已经判断出上面的原因#1控制着温度的灵敏性。当有源层的Al含量(例如x)增加时，上述的每一个问题都会恶化。x的增加对于将发射波长从650nm(深红)缩短到560nm(黄/绿)是必要的。而且，在升高温度时较高的Al含量对于高效的光度操作是必须的，因为热的晶格膨胀导致发射峰波长的明显红色偏移(～0.1-0.2nm/K)。
对不同晶格常数，申请人已经对载流子浓度和分布、发射波长、量子效率和(AlxGa1-x)1-yInyP LED的温度依赖性进行了分析，并发现用于这种材料系统的Γ和L最小值(～110meV)之间的小能量分隔使得L最小值控制红(～630nm)LED对温度的依赖性。换句话说，间接L最小值中的高电子数是(AlxGa1-x)1-yInyPLED的温度依赖性中的主要因素。
因此，申请人探寻出一种方法，增加有源区中Γ和L最小值之间的能量分隔，以随着温度的增加降低间接带隙转变的百分比，并由此降低(AlxGa1-x)1-yInyPLED的温度依赖性。
申请人已经发现，通过增加Γ和L最小值之间的能量分隔，放大晶格常数的AlInGaP有源层显著降低了LED的温度依赖性。如之前所述的，为了使材料匹配GaAs生长衬底的的晶格常数，将常规LED中的y设置为0.48，以便于具有相对小的位错缺陷。较高的y值导致在GaAs衬底上生长的LED材料具有不能接受的高密度位错。
在本发明的一个实施例中，中请人使用(AlxGa1-x)1-yInyP的外延层形成LED，其中y＝0.53，其具有大于GaAs的晶格常数。为了实现目标的红发射(～630nm)，可能需要Al含量的增加(和对于y＝0.48的～8％相比，对于y＝0.53，增加到～20％)。还可以将y＞0.48的(AlxGa1-x)1-yInyP材料设计成具有所需的大晶格常数，以降低温度依赖性。
图2是LED 18的一个实施例的横截面图，其中有源层具有(AlxGa1-x)0.47In0.53P的组成(晶格常数大于GaAs的晶格常数)。在图2中，衬底19具有形成在其上的生长层20。在下面描述用于生长LED层的多个设计的生长层和衬底。生长层20具有和上面层，包括有源层，相同的或者几乎相同的晶格常数。在生长层20上生长InGaP缓冲层21。在缓冲层21上生长n型AlInP的下限定层22。AlInP限定层22具有高于有源层的带隙的带隙。在限定层22上生长可以包括多个层的(AlxGa1-x)0.47In0.53P的有源层24。在有源层24上生长AlInP的p型上限定层26。高掺杂的p型AlInGaP接触层可以设置在层26上面。形成分别和p和n型限定层电接触的p金属电极和n金属电极，用于正向偏置LED，并将电子和空穴注入到有源层24中用于辐射复合。
选择有源层24中的Al含量用于所需的可见波长(例如红到绿)。
AlInP限定层的相对大晶格常数，导致该限定层的带隙能量和具有等于GaAs的晶格常数的AlInP相比，稍微降低(例如，降低～12meV)。尽管在限制注入的载流子到有源层中，这降低了该限定层的影响，但是由于有源层较大的晶格常数所以直接带隙复合的增加大大抵消了这种缺陷。
图3是示出了当y从0.48增加到0.53时，(AlxGa1-x)1-yInyP LED的预计降低温度依赖性的曲线。描绘了外部和内部量子效率相对于与p-n结温度。
不需要选择AlInGaP有源层的组成，以精确地匹配堆叠体中其它AlInGaP外延层的放大晶格常数(例如在有源层中的y没必要等于下面层中的y)。例如如果AlInGaP有源层非常薄(或者由多个薄层构成)，则可以选择AlInGaP有源层的组成，使得有源层可以压缩或者拉伸，而没有不可接受的缺陷，因为将它的晶格常数限制到下面外延生长层的放大晶格常数。也就是，相对于下面的AlInGaP外延层，在拉伸或者压缩应变下可以提供有源发光层或者有源区内的其它层。
图4示出了对于构成(AlxGa1-x)1-yInyP系统的构成材料，能隙相对晶格常数的图。优选的AlInGaP材料的晶格常数大于5.65并小于大约5.73。如果AlInGaP有源层没有被压缩或者拉伸，这对应于从y＞0.48到y＜0.66的区域。
图5描述了形成具有大于GaAs的晶格常数的AlInGaP有源层的一种方法。图5示出了开始GaAs衬底40的横截面图，具有5.65的晶格常数。为了产生具有较大晶格常数的生长层(例如高达5.73)，在GaAs衬底40上生长分级的InxGa1-xAs缓冲层42，直到晶格常数和AlInGaP LED层所需的相同。在一个例子中，x在大约1微米的厚度上从0逐步到0.08，以实现5.69的晶格常数。最大的x是大约0.18。0.18的x将实现大约5.73的晶格常数。
在另一个实施例中，分级层是InyGa1-yP，铟在y＝0.48处开始，并增加到0.66。0.66的y将实现大约5.73的晶格常数。在美国专利号6232138中找到了生长分级层的细节，在这里引作参考，其描述了设计生长层，用于形成具有新材料系统的发光层，尤其是AlInGaP红外激光器和晶体管。在本发明中，设计生长层的原因不是为了新材料系统，而是为了对通常使用的材料系统改善温度灵敏性。
为了降低残余应力，In的百分比增加到稍微低于分级层的上表面的点，并然后对于剩余厚度降低很小的量，以实现上表面的预期晶格常数。
在生长所需的InxGa1-xAs缓冲层以增大晶格常数之后，可以生长InGaAs(或者InGaP)的均匀保护层43，以降低缺陷密度。均匀层43可以具有稍微小于在分级缓冲层42内实现的最大In组分的In组分。然后在生长InGaP缓冲层44之后生长n型AlInP限定层46。如果分级缓冲层42是InyGa1-yP，则保护层43可以是InGaP缓冲层44。然后生长具有所需放大晶格常数的发光AlInGaP LED有源层48，例如(AlxGa1-x)0.47In0.53P，用于产生可见红光或者较短的波长。和只有一个适当量相反，如果拉伸的或者压缩的有源层是可接受的，则对于特殊的生长层(例如保护层或者分级层)在有源层中适当的铟含量可能具有一定的范围。在一个实施例中，波长在630nm(红)和560nm(绿)之间。然后生长p型AlInP上限定层50。然后可以在层50上设置高掺杂p型(Al，In，Ga)P接触层。还可以使用限定层的其它组分。
任意地，可以在AlInGaP LED层上生长厚的(～5到100um)透明窗口层，例如GaP、AlGaP或者AlGaAs。对于LED器件来说，这种层提供了增加的光提取和电流扩展，并且不需要晶格匹配于下面层。
然后在上下表面上形成适当的n和p金属触点。将晶片切成小块，并将芯片安装到封装中以形成可操作的LED。在Krames等人的美国专利号6525335中描述了形成AlInGaP LED的一种方法，在这里引作参考。
LED层的晶格常数可能稍微不同于没有引起不可接受的缺陷的均匀保护层43的。
如果GaAs衬底40和分级的AlGaAs层42(或者分级的InGaP层)用于将电流引入到pn结的n侧，则那些材料将是n掺杂的。可替换地，可以去除掉光吸收GaAs和InGaAs材料，并用连接在下限定层46之下的透明衬底替换。在这种情况中，全透明LED芯片是可能的。在一个实施例中，p和n层通过芯片相同侧上的金属层电接触，以形成倒装晶片，其中然后将p和n金属触点直接连接到底座。在Kern等人的美国专利号6274399中描述了倒装晶片，在这里引作参考。可以将LED芯片定形以提供增加的光提取。
图6A-6F描述了一种方法，用于设计具有与例如(AlxGa1-x)0.47In0.53P的所需有源层组分的晶格常数匹配的晶格常数的生长层。如之前所述，在LED外延结构内的薄层的适当铟含量可以在一定的范围内，同时仍然可使得薄层具有几乎和基础外延层和生长层相同的晶格常数。也就是，这种薄层可以在拉伸或者压缩应力下。特殊的例子是使用一个或多个降低了In的有源发光层，以便于使得降低这些层的所需Al含量，用于产生一定波长的光。
在图6A中，通过MOCVD或者MBE，GaAs衬底60(晶格常数＝5.65)在其上生长非常薄层的InGaP或者InGaAs 62。选择层62的铟含量，使得如果层62从GaAs衬底60释放，则它的晶格常数将大于5.65，并优选在5.66到5.73的范围中。对于InyGa1-yP，这种晶格匹配条件对应于0.48＜y＜0.66的范围，以及对于InxGa1-xAs，对应于0＜x＜0.18的范围。选择这种层的厚度足够低，使得它在将产生位错的临界厚度之下。在一个实施例中，层62的组分是In0.18Ga0.82As，并且其厚度大约是100。通过生长非常薄的InGaP或者InGaAs层62，将该层拉伸(压缩)成具有5.65的晶格常数，但是存在很少的缺陷。可以使用大于或者小于100埃的厚度，只要缺陷密度在可接受的范围内(也就是没有超出临界厚极限)。
在图6B中，将氢气64注入到GaAs衬底60的上表面中，以便于形成起泡层。在一个实施例中，以125keV的能量以8×10E16/cm2的注入剂量注入H+离子。
在图6C中，载体衬底66(例如硅)具有形成(热生长或沉积)在其表面上厚度为大约0.1到2微米的氧化物连接层68。载体衬底66可以是任何材料，包括透明衬底。在图6D中，两个晶片开始接触，并且InGaP或者InGaAs层62连接到氧化物层68上。如果层62和氧化物层68足够平，则两个层将在压力和高温下接合。
在图6E中，将连接的晶片在惰性气体中加热到大约500摄氏度或者更高，以使得氢气膨胀并从GaAs衬底60分离薄InGaP或者InGaAs层62。因为氧化物68不是刚性的，所以层62将松弛(膨胀)以在5.66和5.73之间增加其松弛的晶格常数。剩余的结构变成新的生长衬底，和原始的GaAs衬底相比具有新的(不同的)晶格常数。
如果晶片连接界面允许InGaP或者InGaAs层62足够松弛，则氧化物连接层68是任意的。
在图6F中，在通过生长任意延伸薄InGaP或者InGaAs缓冲层62(以稳定层62)后，生长n型InGaP缓冲层70，选择其中的In量以产生晶格匹配的缓冲层。其它的组分对于缓冲层可能是适当的。在缓冲层70上生长AlInGaPLED限制和有源层22、24、26(之前相对于图2和5所描述的)，因此AlInGaP有源区24是与InGaP或者InGaAs层62(起到衬底的作用)相晶格匹配。一些层，尤其是有源区内的层，可以稍微受到拉伸或者压应力的作用。可以在p限定层上设置任意高掺杂的AlInGaP p接触层71。
例如，通过刻蚀、研磨或者抛光可以去除掉一个或者多个载体衬底66、氧化物层68，生长和缓冲层62和70(它们通常吸收光)，以及其它的层，并且通过加热和施压可以将透明衬底(例如GaP或者SiC)接合到n层22。在Kish等人的美国专利号5376580中描述了连接透明衬底，在这里引入参考。
尽管上述的实施例指定InGaP或者InGaAs作为生长层62，但是还可以使生长层是AlInGaP。实际上，可以选择AlInGaP组分，其提供所需晶格常数同时还保持对从有源层24发出的光透明。当在这种情况中时，可选择透明的载体衬底66(适当的衬底包括GaP、蓝宝石、SiC等等)。在这种情况中，衬底、氧化物和生长层可以保留在器件结构中，并且可以将LED制造成倒装晶片，其中光通过透明衬底收集(例如图9B，但是没有层66，68，62，70的分离)。
还可以在III-V材料系统中(例如GaN)中使用图6A-6F的剥离技术，以设计具有所需晶格常数的生长层。
图7A描述了图6F的结构，其具有厚(～5到100um)透明窗口层73，例如在p+AlInGaP接触层71上生长的GaP、AlGaP或者AlGaAs。该层73为LED器件提供了增加的光提取和电流扩展。为了进一步改善光提取，通过抛光、研磨、刻蚀或者其它适当的工艺去除掉光吸收载体衬底66、氧化物层68、InGaAs层62和InGaP层70。如图7B所示，然后通过加压和加热将透明衬底76(例如n-GaP)连接到n-AlInp层22。然后在导电窗口层73上形成P电极78，并在导电透明衬底76上形成n电极79。在一个实施例中，n电极79包括反射层(例如Au或者Ag)，以便于充当镜子来穿过窗口层73反射光。形成P电极78以便于不阻挡大量的光。通过形成非常薄的金属(例如金)可以使P电极78透明，或者可以形成占据很小的表面面积的p电极78。
图8A和8B描述了一个实施例，其中不是形成窗口层，而是形成一个反射层，等于镜子/反射接触80。镜子/反射接触80可以是反射性金属，例如银，或者分布的布拉格反射器(DBR)。支撑衬底82是连接到所述层的晶片。支撑衬底82可以是具有适当热系数的任何导电材料，例如GaAs、Si、GaP、SiC或者金属，例如钼、铜、铜钨或者其它金属或者其合金。金属镜可以沉积在LED层上或者金属镜可以在晶片连接之前首先沉积在支撑衬底82上。然后形成适当的p和n电极78、79。镜子/反射接触80向上反射光并反射出LED以增加光提取。
代替研磨、抛光或者刻蚀载体衬底66，可以使用剥离技术。在这种工艺中，使用湿法刻蚀，例如HF，刻蚀氧化物层68，以剥离掉上面的结构。
除了氧化物之外可以使用剥离材料。在美国专利号6372609中描述了一种使用注入的氢作为分离层的绝缘硅片(SOI)技术，在这里作为参考引入，在那个专利中描述的某些工艺细节可以应用于当前的技术中。
图9A-9C描述了如何将LED结构形成为倒装晶片，在相同侧具有两个触点。在图9A中，刻蚀层24、26和71以露出n-AlInP限定层22，用于电接触。然后形成金属的n电极83以电接触该n-AlInP限定层22，并形成p电极84以接触该p+AlInGaP71。
在图9B中，p和n电极连接到封装元件87上面的金属焊盘85和86。在将电极连接到封装元件87之后可以去除掉载体衬底66和层68、62和70。通孔88、89将焊盘85、86电耦合到封装元件87上的p和n电极90、91。电极90、91可以焊接到电路板上或者另一个封装上的焊盘。
在图9C中，进一步处理LED的上表面(例子中的n-AlInP层)，以具有光提取特征部分92。这种特性部分可以包括粗加工或者其它技术，例如整齐的纹理或者光子学结晶技术，以增加光输出。
在所有的实施例中，可以在LED结构内形成分布的布拉格反射器(DBR)堆叠体，以反射有源层发射的光。例如在图7-9中，可以在有源层24上面或者下面形成DBR堆叠体，或者对于谐振空腔LED在下面和上面形成DBR堆叠体。调节DBR以反射发射光的波长。
使用上述的工艺产生发射可见红光的较小温度灵敏性的AlInGaP LED。还可以使用上述的技术产生发射黄光到绿光的AlInGaP LED。
尽管这里所示的一些例子规定了AlInGaP材料的一些组分和晶格常数，但是这些规定的组分和晶格常数对于本发明不是必须的。例如y可以从0.48变化到0.66，以及x可以从0变化到1.0。
上述的LED结构可以封装在表面安装的封装中或者在任何其它的封装中。图10是表面安装封装的一个实施例的分解图。LED管芯安装在底座94上面。金属散热条95和反射器盖96放置到模制的引线框98中。例如，模制的引线框98是填充了塑料的模制围绕金属引线100、101，其向管芯93上的p和n金属触点提供电路径。将底座94的底表面连接到条95。在管芯93的顶部p金属(假设LED不是倒装晶片)和金属引线100之间连接了一个线(未示出)，并在金属条95和用于电连接到n层的金属引线101之间连接一个线(未示出)。可增加一个光学透镜104。通过引线框98的底部露出条95，以便于直接接触其上安装封装的散热片，例如电绝缘铝电路板。
可以使用很多其它类型的封装。
尽管已经示出和描述了本发明的特殊实施例，但是对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明较宽方案的条件下可以作出变化和变形，附带的权利要求将所有的这些变化和变形包含在它们的范围之内，如同落在本发明的真实精神和范围内。

Claims (52)

1.一种发光器件，包括：
发光二极管(LED)部分，包括：
-形成在生长层上的第一导电型的第一(AlxGa1-x)1-yInyP外延层，所述生长层具有大于GaAs的晶格常数的晶格常数；
-在该第一(AlxGa1-x)1-yInyP外延层上外延生长的有源层，其中所述有源层包括由包含Al、Ga、In和P的任意组合材料的一个或多个层，使得该有源层具有大于GaAs的晶格常数并基本上等于生长层的晶格常数的晶格常数，其中所述有源层发射可见光；以及
-在该有源层上生长的第二导电型的第二外延层。
2.如权利要求1的器件，其中0≤x≤0.1，以及y＞0.48。
3.如权利要求1的器件，其中该生长层包括形成在分级InGaAs层上的外延层。
4.如权利要求1的器件，其中该生长层包括形成在分级InGaP层上的外延层。
5.如权利要求1的器件，其中该生长层包括在GaAs衬底上生长的InGaP或者InGaAs外延层，其中当覆盖GaAs衬底时，InGaP或者InGaAs层受应变，然后当从GaAs衬底释放时松弛以扩大其晶格常数。
6.如权利要求1的器件，其中该有源层没有应变。
7.如权利要求1的器件，其中该有源层有应变。
8.如权利要求1的器件，其中该第一外延层是n型限定层，以及该笫二外延层是p型限定层。
9.如权利要求1的器件，其中其中该笫一外延层是AlInP限定层，以及该第二外延层是AlInP限定层。
10.如权利要求1的器件，还包括覆盖笫二外延层的反射性材料。
11.如权利要求1的器件，还包括覆盖该第二外延层的透明窗口层。
12.如权利要求1的器件，其中该生长层是在GaAs衬底上外延生长的InGaP层。
13.如权利要求1的器件，其中该生长层是在GaAs衬底上外延生长的InGaAs层。
14.如权利要求1的器件，其中该器件还包括生长层。
15.如权利要求1的器件，其中y大约等于0.53。
16.如权利要求1的器件，其中该有源层的晶格常数大于5.66。
17.如权利要求1的器件，其中该有源层的晶格常数在5.66和5.73之间。
18.如权利要求1的器件，其中所述可见光是红光。
19.如权利要求1的器件，其中所述可见光是黄光。
20.如权利要求1的器件，其中所述可见光是绿光。
21.如权利要求1的器件，其中该生长层包括InxGa1-xAs外延层，其中0＜x＜0.18。
22.如权利要求1的器件，其中该生长层包括InyGa1-yP，其中0.48＜y＜0.66。
23.如权利要求1的器件，还包括在第一外延层和有源层之间的至少一个插入外延层。
24.如权利要求1的器件，还包括在有源层和第二外延层之间的至少一个插入外延层。
25.如权利要求1的器件，其中该有源层具有第一表面和相对的第二表面，该器件还包括相对有源层的第一表面形成的窗口层和相对有源层的第二表面的连接衬底。
26.如权利要求1的器件，还包括：
衬底；以及
在该衬底和有源层之间的反射器。
27.如权利要求1的器件，还包括和有源层的至少一个表面相对的至少一个反射器。
28.一种方法，包括：
在第一衬底的上提供晶体生长层，该生长层具有大于GaAs的晶格常数的晶格常数；以及
覆盖生长层生长发光二极管(LED)层，该LED层包括第一导电类型的第一(AlxGa1-x)1-yInyP外延层、第二导电类型的第二外延层以及设置在第一和第二外延层之间的有源层，该有源层包括由含有Al、Ga、In和P的任意组合材料构成的一个层或者多个层，其中该有源层具有的晶格常数大于GaAs的并基本上等于生长层的晶格常数，以及其中有源层发射可见光。
29.如权利要求28的方法，其中其中0≤x≤0.1，以及y＞0.48。
30.如权利要求28的方法，其中形成晶体生长层包括在GaAs衬底上形成分级的InGaAs，同时增加铟的量，直到获得大于GaAs的晶格常数的所需晶格常数。
31.如权利要求28的方法，其中形成晶体生长层包括在GaAs衬底上形成分级的InGaP，同时增加铟的量，直到获得大于GaAs的晶格常数的所需晶格常数。
32.如权利要求28的方法，其中形成晶体生长层包括：
在GaAs衬底上生长包括InGaP、InGaAs或者AlInGaP的外延层，其中当覆盖GaAs时外延层应变；
将氢气注入到GaAs衬底中，起到分离层的作用；
将外延层连接到第一衬底；
加热GaAs衬底，使得氢气引起外延层从GaAs分离，由此当从GaAs衬底释放时，应变的外延层松弛，以扩大其晶格常数，松弛的外延层包括生长层。
33.如权利要求32的方法，还包括：
在第一衬底上形成连接层；
其中将外延层连接到第一衬底底包括将外延层连接到该连接层。
34.如权利要求28的方法，其中该笫一外延层是n型限定层，以及该第二外延层是p型限定层。
35.如权利要求28的方法，其中该第一外延层是AlInP限定层，以及该第二外延层是AlInP限定层。
36.如权利要求28的方法，还包括形成覆盖第二外延层形成反射性材料。
37.如权利要求28的方法，其中第一衬底是GaAs衬底，以及其中生长层是在GaAs衬底上外延生长的InGaP层。
38.如权利要求28的方法，其中第一衬底是GaAs衬底，以及其中生长层是在GaAs衬底上外延生长的AlInGaP层。
39.如权利要求28的方法，其中第一衬底是GaAs衬底，以及其中生长层是在GaAs衬底上外延生长的InGaAs层。
40.如权利要求28的方法，其中y等于大约0.53。
41.如权利要求28的方法，其中该有源层的晶格常数大于5.66。
42.如权利要求28的方法，其中该有源层的晶格常数在5.66和5.73之间。
43.如权利要求28的方法，其中该生长层包括InxGa1-xAs外延层，其中0＜x＜0.18。
44.如权利要求28的方法，其中该生长层包括InyGa1-yP外延层，其中0.48＜y＜0.66。
45.如权利要求28的方法，还包括在第一外延层和有源层之间生长至少一个插入外延层。
46.如权利要求28的方法，还包括在有源层和第二外延层之间生长至少一个插入外延层。
47.如权利要求28的方法，还包括去除掉生长层和第一衬底，留下剩余的结构。
48.如权利要求47的方法，还包括将透明衬底连接到剩余的结构。
49.如权利要求28的方法，还包括：
提供和有源层的表面相对的反射层；以及
去除掉所述生长层和第一衬底。
50.如权利要求28的方法，还包括在所述有源层的表面上形成窗口层。
51.如权利要求28的方法，还包括：
在有源层的相同侧上形成电接触，以形成倒装晶片LED器件；以及
去除掉所述生长层和第一衬底。
52.如权利要求28的方法，其中所述第一衬底是透明的。
CN2006800111629A 2005-04-05 2006-04-03 具有减小了温度依赖性的AlInGaP LED Active CN101180741B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/100,080 US7244630B2 (en) 2005-04-05 2005-04-05 A1InGaP LED having reduced temperature dependence
US11/100,080 2005-04-05
PCT/IB2006/051000 WO2006106467A1 (en) 2005-04-05 2006-04-03 Allngap led having reduced temperature dependence

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101180741A true CN101180741A (zh) 2008-05-14
CN101180741B CN101180741B (zh) 2010-05-19

Family

ID=36658681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800111629A Active CN101180741B (zh) 2005-04-05 2006-04-03 具有减小了温度依赖性的AlInGaP LED

Country Status (6)

Country Link
US (3) US7244630B2 (zh)
EP (1) EP1869716A1 (zh)
JP (1) JP5373253B2 (zh)
CN (1) CN101180741B (zh)
TW (1) TWI399865B (zh)
WO (1) WO2006106467A1 (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102194930A (zh) * 2010-03-09 2011-09-21 Lg伊诺特有限公司 用于制造发光器件的基板和用于制造发光器件的方法
CN102893373A (zh) * 2010-05-19 2013-01-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于生长半导体装置的复合生长衬底
CN102986031A (zh) * 2010-04-01 2013-03-20 耶恩聚合物系统公司 表面发光的半导体发光二极管
CN103367578A (zh) * 2012-03-30 2013-10-23 隆达电子股份有限公司 发光二极管
CN104576628A (zh) * 2013-10-25 2015-04-29 广东德力光电有限公司 一种新型白光led结构及其制作方法
CN104576627A (zh) * 2013-10-25 2015-04-29 广东德力光电有限公司 一种高显色性白光led结构及其制作方法
CN105304739A (zh) * 2014-05-21 2016-02-03 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 太阳能电池叠堆
CN107851699A (zh) * 2015-09-15 2018-03-27 信越半导体株式会社 发光组件的安装方法
CN108051951A (zh) * 2017-12-29 2018-05-18 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 Led光源、背光模组及液晶显示装置
CN110600417A (zh) * 2019-08-02 2019-12-20 中国科学院微电子研究所 一种GaAs衬底上的外延转移方法及制得的半导体器件

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6958497B2 (en) * 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
KR20050113200A (ko) 2003-02-26 2005-12-01 크리, 인코포레이티드 복합 백색 광원 및 그 제조 방법
EP2264798B1 (en) 2003-04-30 2020-10-14 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
EP1569263B1 (de) * 2004-02-27 2011-11-23 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zum Verbinden zweier Wafer
TWI248222B (en) * 2005-05-12 2006-01-21 Univ Nat Central Light emitting diode and manufacturing method thereof
US8148713B2 (en) * 2008-04-04 2012-04-03 The Regents Of The University Of California Method for fabrication of semipolar (Al, In, Ga, B)N based light emitting diodes
JP4225510B2 (ja) * 2005-07-06 2009-02-18 昭和電工株式会社 化合物半導体発光ダイオードおよびその製造方法
DE102006004591A1 (de) * 2005-09-29 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip
DE102005047152A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Epitaxiesubstrat, Verfahren zu seiner Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
JP2008159629A (ja) * 2006-12-20 2008-07-10 Rohm Co Ltd 光通信用半導体素子
KR100818466B1 (ko) * 2007-02-13 2008-04-02 삼성전기주식회사 반도체 발광소자
US20080197369A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Cree, Inc. Double flip semiconductor device and method for fabrication
US7683380B2 (en) * 2007-06-25 2010-03-23 Dicon Fiberoptics, Inc. High light efficiency solid-state light emitting structure and methods to manufacturing the same
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US20090173956A1 (en) 2007-12-14 2009-07-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Contact for a semiconductor light emitting device
US8692286B2 (en) 2007-12-14 2014-04-08 Philips Lumileds Lighing Company LLC Light emitting device with bonded interface
US8299480B2 (en) * 2008-03-10 2012-10-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same, and epitaxial wafer
TW200950162A (en) * 2008-04-04 2009-12-01 Univ California Method for fabrication of semipolar (Al, In, Ga, B)N based light emitting diodes
WO2009124317A2 (en) * 2008-04-04 2009-10-08 The Regents Of The University Of California Mocvd growth technique for planar semipolar (al, in, ga, b)n based light emitting diodes
JP2010067903A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Toshiba Corp 発光素子
TWI373861B (en) * 2008-12-11 2012-10-01 Nat Univ Tsing Hua Fabrication method of light emitting element and its light emitting element
US7972936B1 (en) * 2009-02-03 2011-07-05 Hrl Laboratories, Llc Method of fabrication of heterogeneous integrated circuits and devices thereof
US8017958B2 (en) * 2009-06-30 2011-09-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. P-contact layer for a III-P semiconductor light emitting device
FR2953328B1 (fr) * 2009-12-01 2012-03-30 S O I Tec Silicon On Insulator Tech Heterostructure pour composants electroniques de puissance, composants optoelectroniques ou photovoltaiques
CN101859860B (zh) * 2010-05-04 2013-04-10 厦门市三安光电科技有限公司 具有双反射层的铝镓铟磷系发光二极管的制备方法
JP5801542B2 (ja) 2010-07-13 2015-10-28 昭和電工株式会社 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ
US9543468B2 (en) 2010-10-12 2017-01-10 Alliance For Sustainable Energy, Llc High bandgap III-V alloys for high efficiency optoelectronics
DE102010052727B4 (de) * 2010-11-26 2019-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips und derartiger Halbleiterchip
JP5608589B2 (ja) * 2011-03-10 2014-10-15 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
CN107109220B (zh) 2014-10-31 2020-04-10 亮锐控股有限公司 具有温度稳定通量和饱和红色色点的磷光体转换led
WO2017005188A1 (en) * 2015-07-06 2017-01-12 The Hong Kong University Of Science And Technology Semiconductor device and method of forming the same
US10014271B2 (en) * 2015-11-20 2018-07-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and method of manufacturing the same
US10615311B2 (en) 2016-04-22 2020-04-07 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and display comprising same
TWI698057B (zh) * 2018-02-13 2020-07-01 國立交通大學 具有透明導電層之二維光子晶體面射型雷射
US11721954B2 (en) 2019-07-19 2023-08-08 Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. Vertical cavity surface emitting laser diode (VCSEL) having AlGaAsP layer with compressive strain
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
CN114220894A (zh) * 2021-12-02 2022-03-22 泉州三安半导体科技有限公司 一种不可见光发光二极管及其制备方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3406907B2 (ja) * 1990-08-20 2003-05-19 株式会社東芝 半導体発光ダイオード
JP3086748B2 (ja) * 1991-07-26 2000-09-11 株式会社東芝 高電子移動度トランジスタ
JP3242967B2 (ja) * 1992-01-31 2001-12-25 株式会社東芝 半導体発光素子
EP1179842A3 (en) * 1992-01-31 2002-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor substrate and method for preparing same
JP2758803B2 (ja) 1992-12-17 1998-05-28 日本電気株式会社 電界効果トランジスタ
US5376580A (en) 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
JPH07254732A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Toshiba Corp 半導体発光装置
GB2293488A (en) 1994-09-20 1996-03-27 Hewlett Packard Co Alingap light emitting diodes
JPH08307005A (ja) * 1995-05-10 1996-11-22 Hitachi Ltd 半導体レーザ素子
SG60012A1 (en) * 1995-08-02 1999-02-22 Canon Kk Semiconductor substrate and fabrication method for the same
US6233264B1 (en) * 1996-08-27 2001-05-15 Ricoh Company, Ltd. Optical semiconductor device having an active layer containing N
US6072196A (en) * 1996-09-05 2000-06-06 Ricoh Company, Ltd. semiconductor light emitting devices
US6107648A (en) * 1997-03-13 2000-08-22 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having a structure which relieves lattice mismatch
US6232138B1 (en) * 1997-12-01 2001-05-15 Massachusetts Institute Of Technology Relaxed InxGa(1-x)as buffers
JP3253267B2 (ja) * 1997-12-05 2002-02-04 ローム株式会社 半導体発光素子
US6100544A (en) * 1998-05-20 2000-08-08 Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. Light-emitting diode having a layer of AlGaInP graded composition
US6194742B1 (en) * 1998-06-05 2001-02-27 Lumileds Lighting, U.S., Llc Strain engineered and impurity controlled III-V nitride semiconductor films and optoelectronic devices
JP2000068554A (ja) * 1998-08-21 2000-03-03 Sharp Corp 半導体発光素子
JP3525061B2 (ja) * 1998-09-25 2004-05-10 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
JP2000124092A (ja) * 1998-10-16 2000-04-28 Shin Etsu Handotai Co Ltd 水素イオン注入剥離法によってｓｏｉウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたｓｏｉウエーハ
JP4286983B2 (ja) * 1999-07-27 2009-07-01 昭和電工株式会社 ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード
DE10008583A1 (de) * 2000-02-24 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optisch transparenten Substrates und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Halbleiterchips
JP4024994B2 (ja) * 2000-06-30 2007-12-19 株式会社東芝 半導体発光素子
JP2002026393A (ja) * 2000-06-30 2002-01-25 Toshiba Corp 半導体発光素子およびそれを用いた表示装置
JP2002111052A (ja) * 2000-09-28 2002-04-12 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
US6525335B1 (en) * 2000-11-06 2003-02-25 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light emitting semiconductor devices including wafer bonded heterostructures
US7968362B2 (en) * 2001-03-27 2011-06-28 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system
JP4084620B2 (ja) * 2001-09-27 2008-04-30 信越半導体株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
US20030089921A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-15 Motorola, Inc Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate having a niobium concentration
EP1459362A2 (de) * 2001-12-21 2004-09-22 Aixtron AG Verfahren zum abscheiden von iii-v-halbleiterschichten auf einem nicht-iii-v-substrat
US6777257B2 (en) * 2002-05-17 2004-08-17 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of fabricating a light emitting device and light emitting device
EP1385199A1 (en) * 2002-07-24 2004-01-28 IMEC vzw, Interuniversitair Microelectronica Centrum vzw Method for making thin film devices intended for solar cells or SOI application
JP2004128452A (ja) * 2002-07-31 2004-04-22 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子の製造方法及び発光素子
JP3872398B2 (ja) * 2002-08-07 2007-01-24 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法及び発光素子
FR2845523B1 (fr) * 2002-10-07 2005-10-28 Procede pour realiser un substrat par transfert d'une plaquette donneuse comportant des especes etrangeres, et plaquette donneuse associee
US6927412B2 (en) * 2002-11-21 2005-08-09 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light emitter
JP4500516B2 (ja) * 2002-12-13 2010-07-14 三菱電機株式会社 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP4140007B2 (ja) * 2003-04-28 2008-08-27 信越半導体株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
US7119377B2 (en) * 2004-06-18 2006-10-10 3M Innovative Properties Company II-VI/III-V layered construction on InP substrate
JP5364368B2 (ja) * 2005-04-21 2013-12-11 エイオーネックス・テクノロジーズ・インコーポレイテッド 基板の製造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102194930A (zh) * 2010-03-09 2011-09-21 Lg伊诺特有限公司 用于制造发光器件的基板和用于制造发光器件的方法
CN102986031A (zh) * 2010-04-01 2013-03-20 耶恩聚合物系统公司 表面发光的半导体发光二极管
CN102986031B (zh) * 2010-04-01 2016-08-03 耶恩聚合物系统公司 表面发光的半导体发光二极管
CN102893373B (zh) * 2010-05-19 2016-07-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于生长半导体装置的复合生长衬底
CN102893373A (zh) * 2010-05-19 2013-01-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于生长半导体装置的复合生长衬底
CN103367578A (zh) * 2012-03-30 2013-10-23 隆达电子股份有限公司 发光二极管
CN104576628A (zh) * 2013-10-25 2015-04-29 广东德力光电有限公司 一种新型白光led结构及其制作方法
CN104576627A (zh) * 2013-10-25 2015-04-29 广东德力光电有限公司 一种高显色性白光led结构及其制作方法
CN104576628B (zh) * 2013-10-25 2018-04-06 广东德力光电有限公司 一种新型白光led结构及其制作方法
CN104576627B (zh) * 2013-10-25 2018-06-01 广东德力光电有限公司 一种高显色性白光led结构及其制作方法
CN105304739A (zh) * 2014-05-21 2016-02-03 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 太阳能电池叠堆
CN105304739B (zh) * 2014-05-21 2017-11-07 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 太阳能电池叠堆
CN107851699A (zh) * 2015-09-15 2018-03-27 信越半导体株式会社 发光组件的安装方法
CN107851699B (zh) * 2015-09-15 2019-06-04 信越半导体株式会社 发光组件的安装方法
CN108051951A (zh) * 2017-12-29 2018-05-18 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 Led光源、背光模组及液晶显示装置
CN110600417A (zh) * 2019-08-02 2019-12-20 中国科学院微电子研究所 一种GaAs衬底上的外延转移方法及制得的半导体器件

Also Published As

Publication number Publication date
US7244630B2 (en) 2007-07-17
US20090230381A1 (en) 2009-09-17
TW200705715A (en) 2007-02-01
US20060220031A1 (en) 2006-10-05
JP2006352089A (ja) 2006-12-28
CN101180741B (zh) 2010-05-19
US7544525B2 (en) 2009-06-09
US20070131961A1 (en) 2007-06-14
JP5373253B2 (ja) 2013-12-18
TWI399865B (zh) 2013-06-21
WO2006106467A1 (en) 2006-10-12
EP1869716A1 (en) 2007-12-26
US7863631B2 (en) 2011-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101180741B (zh) 具有减小了温度依赖性的AlInGaP LED
US20180175236A1 (en) Semiconductor light emitting device growing active layer on textured surface
JP5726255B2 (ja) 歪みが低減された発光層を備えるｉｉｉ−窒化物発光デバイス
Horng et al. Development and fabrication of AlGaInP-based flip-chip micro-LEDs
US20020068373A1 (en) Method for fabricating light emitting diodes
US8314414B2 (en) Light emitting device and light emitting device package for improving a light emission efficency
US20070018183A1 (en) Roughened high refractive index layer/LED for high light extraction
JP2013102240A (ja) 二重ヘテロ構造の発光領域を有するｉｉｉ族窒化物発光デバイス
US10038030B2 (en) Light-emitting diode
JP4393306B2 (ja) 半導体発光素子およびその製造方法並びに半導体装置
US20130334551A1 (en) Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR20110014681A (ko) 대향 표면들과 결합된 전기적 콘택들을 구비하는 활성영역을 갖는 발광소자 및 그 형성방법
EP3073538B1 (en) Red light emitting device and lighting system
US20110024775A1 (en) Methods for and devices made using multiple stage growths
CN105355746A (zh) 包括递变区域的半导体发光器件
KR102007401B1 (ko) 발광소자
Horng et al. High-power AlGaInP light-emitting diodes with patterned copper substrates by electroplating
KR102581856B1 (ko) 자외선 발광소자 및 조명시스템
KR101510383B1 (ko) 고성능의 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및이의 제조 방법
KR101534845B1 (ko) 고성능의 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및이의 제조 방법
KR101198760B1 (ko) 수직형 발광 소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant