CN105304739B - 太阳能电池叠堆 - Google Patents

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Abstract

一种太阳能电池叠堆，其具有：第一半导体太阳能电池，其中第一半导体太阳能电池具有由第一材料构成的pn结，所述第一材料具有第一晶格常数；第二半导体太阳能电池，其中第二半导体太阳能电池具有由第二材料构成的pn结，所述第二材料具有第二晶格常数，其中第一晶格常数小于第二晶格常数，所述太阳能电池叠堆具有变质缓冲器，其中变质缓冲器包括下方的第一AlInGaAs层或AlInGaP层和中间的第二AlInGaAs层或AlInGaP层以及上方的第三AlInGaAs层或AlInGaP层的序列，并且变质缓冲器构造在第一半导体太阳能电池和第二半导体太阳能电池之间，并且在变质缓冲器中晶格常数沿着变质缓冲器的厚度延伸变化，其中晶格常数和In含量在变质缓冲器的至少两个层之间增大，而Al含量降低。

Description

太阳能电池叠堆
技术领域
本发明涉及一种根据权利要求1的前序部分所述的太阳能电池叠堆。
背景技术
在III-V型多族太阳能电池的外延中使用所谓变质缓冲器(metamorphe Puffer)，以便在变质缓冲器上以高的质量沉积由具有与衬底的或者位于缓冲器下方的层的晶格常数不同的晶格常数的材料构成的半导体层。通过变体缓冲器构成所谓的具有与原始衬底的晶格常数不同的晶格常数的虚拟衬底。由此，例如对于多族太阳能电池的不同元件而言可以增大材料选择的空间并且提高多族太阳能电池的效率。
期望的是，在制造期间普遍地增大变体缓冲器的晶格常数。由此，使缓冲器的大多层压缩地撑紧，其中与拉伸地撑紧的缓冲器相比错位均匀地构造并且尤其产生更少的裂纹。此外期望的是，变体缓冲器所有层对于确定波长的光是透明的，使得光能够在其他太阳能电池中用于光电的能量转换。
由A.Zakaria、Richard R.King、M.Jackson和M.S.Goorsky所著的《Comparison ofarsenide and phosphide based graded buffer layers used in invertedmetamorphic solar cells》(J.Appl.Phys.112，024907(2012))已知分别具有变体缓冲器的多种太阳能电池叠堆。此外，由US 2013/0312818A1已知具有如在图4中所示出的那样的变质缓冲器的太阳能电池叠堆。在W.Guter，J.S.P.Philipps，M.Steiner，G.Siefer，A.Wekkeli，E.Welser，E.Olivia，A.Bett和F.Dimroth所著的《Current-matchedtriple-junction solar cell reaching 41.1％conversion efficiency underconcentrated sunlight》(Applied Physics Letters 94，223504，2009年)中公开了变质太阳能电池叠堆。
在J.所著的《Kontrolle von Spannungsrelaxation und Defektbildungin metamorphen III-V Halbleiterheterostrukturen für hocheffizienteHalbleiter-Solarzellen》(2009年博士论文，基尔技术学院)中公开了其他具有变质缓冲器的太阳能电池叠堆。
此外在变质缓冲器中期望的是，通过错位或者其他晶体缺陷的形成已经在缓冲器中减少晶格应力，其中将晶体缺陷尽可能定位在缓冲器中。尤其应当防止丝线错位(Fadenversetzungen)侵入到半导体层叠堆的其他部分中。为此，在变质缓冲器中优选增大具有晶格常数的缓冲层的硬度，以便尤其减少错位蔓延到位于其上方的层中和/或使位于其上方的层难以松弛。与此不同，由V.Klinger、T.Roesener、G Lorenz、M.Petzold和F.Dimroth所著的《Elastische und plastische Eigenschaften von III-V Halbleiternfür metamorphe Pufferstrukturen》(27.DGKK Workshop-Epitaxie von III/V-Halbleitern-Erlangen，2012年12月6./7.)公开了，对于根据本申请的图5的由三元化合物A10.4InxGa0.6-x(0＜x＜0.6)构成的变质缓冲器(其中元素镓逐渐由铟替代)晶格常数随着铟含量的增大而增大，而纳米硬度随着铟含量的增大而降低，在本附图2中作为实线示出。
发明内容
由此，本发明的任务是说明一种扩展现有技术的装置。
所述任务通过具有权利要求1的特征的太阳能电池叠堆来解决。从属权利要求的主题是本发明的有利构型。
根据本发明的主题提供一种太阳能电池叠堆，其具有第一半导体太阳能电池，其中所述第一半导体太阳能电池具有由第一材料构成的pn结，所述第一材料具有第一晶格常数，并且具有第二半导体太阳能电池，其中所述第二半导体太阳能电池具有由第二材料构成的pn结，所述第二材料具有第二晶格常数，其中第一晶格常数小于第二晶格常数，并且所述太阳能电池叠堆具有变质缓冲器，其中所述变质缓冲器包括由下方的第一AlInGaAs层或AlInGaP层和中间的第二AlInGaAs层或AlInGaP层以及上方的第三AlInGaAs层或AlInGaP层组成的序列，并且变质缓冲器构造在第一半导体太阳能电池和第二半导体太阳能电池之间，其中在变质缓冲器中晶格常数沿着厚度延伸、即沿着变质缓冲器的层的序列变化，其中在变质缓冲器的至少两个层之间晶格常数和In含量增大而Al含量减小。理解为，所述三个层直接层叠或者在第一层和第二层之间和/或在第二层和第三层之间构造其他层。
要注意的是，变质缓冲器的层数是至少三个，然而根据应用情况也可以制造六层或者直至三十层或更多单独的层。此外要注意的是，通常薄地、优选在600nm以下、最优选在300nm以下构造变质缓冲器的各个层。此外，材料的晶格常数总是涉及没有夹紧的状态。特别地，基本上在两个层之间的接合点(Fügungsstelle)处两个邻接的层的横向的(in-plane)晶格常数几乎相等，而垂直的(out-of-plane)晶格常数和没有夹紧的情形中的晶格常数不同。
根据本发明的装置的优点是，借助变质缓冲器下方的第一层中的高的Al含量尽管另一增大的晶格常数但与位于其下方的层以及位于其上方的层相比，发生特别软的层、即具有小的纳米硬度的层在缓冲器内的构造。以下，借助概念“纳米硬度”表示缓冲器的相应层的硬度。要注意的是，纳米硬度以第一近似在单个层内视为均匀且恒定的。此外要注意的是，借助下方第一层的概念表示那个离第一半导体太阳能电池最近地构造的层。借助软层的构造，减轻缺陷匹配错位在下方的第一层中的形成。研究示出，错位优选构造在第一层中并且保持在所述第一层中，并且不侵入到半导体太阳能电池的位于下方的和/或位于上方的激活层。由此，防止激活层中的带电粒子扩散长度的不期望的减少以及太阳能电池叠堆中的半导体太阳能电池的效率的降低。换言之，借助具有与变质缓冲器的其他层相比最高的铝含量的第一层的构造并且与直接与变质缓冲器材料锁合地连接的其他层相比在第一层中引入一种“期望断裂位置(Sollbruchstelle)”，其方式是，与环绕的层相比特别软地构造第一层。
当变质缓冲器中的半导体层的硬度根据本发明随着晶格常数的增大而增大时，在具有较小晶格常数且较小硬度的层几乎完全松驰之前，使具有较大晶格常数且较大硬度的层松驰。理解为，最软的不完全松驰的层分别构造“期望断裂位置”。
另一个优点是，借助第一层的引入减小通过压缩的或者扩张的应力的影响引起的半导体衬底的弯曲。尤其在外延中的其他层的增长(Aufwachsen)时实现层增长的改善的均匀性和改善的可复现性并且可以在原处制造太阳能电池叠堆的全部层。由此，能够使具有非常不同的晶格常数或者带距(以下也称作带隙的能量)的半导体太阳能电池简单且低成本地以及以高的效率在外延过程的范畴中连续地增长。可靠地从变质缓冲器内的“期望断裂位置”减轻缺陷位置或者错位的构造，这有助于半导体层叠堆的松弛，其中通过硬度梯度的变化同时抑制缺陷位置和错位在变质缓冲器外的区域中的扩散。
另一个优点是，太阳能电池叠堆根据本发明的主题在其制造之后具有更小的残留应力。在太阳能电池叠堆中，这引起更高的运行安全性和更高的效率。
另一个优点是，多个具有不同的晶格常数和带隙的半导体太阳能电池叠堆可以简单地如此接合成太阳能叠堆，使得提高太阳能电池叠堆的总效率。
在一种扩展方案中，在变体缓冲器的三个层的序列中，In含量和晶格常数从一层到随后的层分别升高，而Al含量分别降低。当在变体缓冲器的至少两个层之间In含量升高至少1％而Al含量降低至少1％时是特别优选的。
在一种扩展方案中，变质缓冲器的第一层具有比第一半导体太阳能电池更大的晶格常数。在一种优选的扩展方案中，第一层的铝含量大于或者至少等于变体缓冲器的所有其他层的铝含量。研究示出，错位优选构造在变质缓冲器的第一最软层中。
在一种优选的实施方式中，变质缓冲器的晶格常数朝第二半导体太阳能电池的方向从层至层地优选分别增大至少最优选分别增大至少
在一种扩展方案中，变质缓冲器的层具有第三晶格常数。所述第三晶格常数大于第二半导体太阳能电池的晶格常数。研究示出，由此可以进一步改善变质缓冲器的松弛。
在一种优选的实施方式中，变质缓冲器具有在第三层上方并且与第三层材料锁合连接的第四层。第四层的晶格常数小于第三层的晶格常数。在详细的研究中可以示出，可以通过第四层的晶格常数和层厚度的适当选择进一步优化、即减少由于变质生长引起的晶片弯曲。
在一种特别优选的实施方式中，在变体缓冲器的层的序列内仅仅构造AlInGaAs层或者仅仅构造AlInGaP层。
在一种扩展方案中，在四个层的序列中，第一层具有比第二层更小的晶格常数且更小的纳米硬度，而第三层具有比第二层更大的晶格常数且更大的纳米硬度。此外，设置第四层并且其具有比第三层更小的晶格常数和更小的纳米硬度。由此，通过其他缺陷匹配错位的形成改善位于下方的层的晶格缺陷匹配的松弛。在一种优选实施方式中，在三个层的序列中，第一层与第二层以及第二层与第三层材料锁合地连接。
在另一种实施方式中，设置第三半导体太阳能电池，其中在第二半导体太阳能电池和第三半导体太阳能电池之间构造另一个变质缓冲器。换言之，在整个太阳能电池叠堆中构造两个在空间上至少通过太阳能电池彼此分离的变质缓冲器。在另一种实施方式中，在两个半导体太阳能电池之间构造两个变质缓冲器的序列。此外优选的是，半导体太阳能电池中的每一个包含一个pn结。此外要注意的是，变质缓冲器层不是隧道二极管的pn结的一部分。
附图说明
以下参照附图进一步阐述本发明。在此，借助相同的参考标记描述相同类型的部件。所示出的实施方式是强烈示意性的，即间距和横向的以及垂直的延伸是不按比例的并且只要没有其他说明也不具有可推导的几何互相关系。附图示出：
图1：具有变质缓冲器的太阳能电池叠堆的根据本发明的第一实施方式；
图2：对于不同化学计量的与晶格常数相关的纳米硬度；
图3a：图1的具有变质缓冲器的太阳能电池叠堆的实施方式的另一示图；
图3b：图1的具有变质缓冲器的太阳能电池叠堆的另一实施方式的示图；
图3c：具有两个变质缓冲器的根据本发明的另一实施方式；
图4：根据现有技术的变质缓冲器的示图；
图5：根据现有技术的变质缓冲器的示图。
具体实施方式
图1的示图示出第一实施方式的示意图，其具有太阳能电池叠堆10，所述太阳能电池叠堆具有半导体太阳能电池IGP，其中所述半导体太阳能电池IGP具有由具有晶格常数的第一材料构成的pn结，并且具有第一半导体太阳能电池GA和第二半导体太阳能电池IGA，其中所述第一半导体太阳能电池GA具有由第一材料构成的pn结，所述第一材料具有第一晶格常数，其中所述第二半导体太阳能电池IGA具有由第二材料构成的pn结，所述第二材料具有第二晶格常数，其中第一晶格常数相应于第二晶格常数(晶格匹配地)，而第三晶格常数大于第二晶格常数。在太阳能电池叠堆10的第一半导体太阳能电池GA和第二半导体太阳能电池IGA之间构造变质缓冲器40，以便在两个半导体太阳能电池GA和IGA的不同晶格常数之间进行调解(vermitteln)。通过半导体太阳能电池IGP发生到太阳能电池叠堆10中的光入射L。理解为，各个太阳能电池GA、IGA、IGP的参考标记指出优选使用的化学物质，即GA代表锗砷，IGA代表铟镓砷，而IGP代表铟镓磷。
在变质缓冲器40的各个层的示图中，相应的层的所示出的宽度是相应的层的晶格常数a的度量。在各个层中，晶格常数a部分示为恒定的而且通过层的厚度示为增大的或者减小的。理解为，在两个层之间的边界面上彼此接触的层的内面的晶格常数a(也称作横向的晶格常数a)几乎相等。
在此，变质缓冲器40由总共六个单独的层组成。在第一太阳能电池GA上构造变质缓冲器40的第一变质缓冲器层MP1，所述第一变质缓冲器层具有比第一太阳能电池GA的晶格常数a稍大的晶格常数。在所述第一层MP1上构造第二变质缓冲器层MP2，所述第二变质缓冲器层具有比所述第一变质缓冲器层MP1的晶格常数稍大的晶格常数。在所述第二层MP2上构造第三变质缓冲器层MP3，所述第三变质缓冲器层具有比所述第二变质缓冲器层MP2的晶格常数稍大的晶格常数。在所述第三层MP3上构造第四变质缓冲器层MP4，所述第四变质缓冲器层具有比所述第三变质缓冲器层MP3的晶格常数稍大的晶格常数。在所述第四层MP4上构造第五变质缓冲器层MP5，所述第五变质缓冲器层具有比第四变质缓冲器层MP4的晶格常数稍大的晶格常数。在所述第五层MP5上构造第六变质缓冲器层MP6，所述第六变质缓冲器层具有比所述第五变质缓冲器层MP5的晶格常数稍小的晶格常数。在所述第六层MP6上构造第二太阳能电池IGA。
为了阐明根据本发明的实施方式，与太阳能电池叠堆10并行地在第一示图D1中并且在第二示图D2中示出所选择的用于第一半导体太阳能电池GA和第二半导体太阳能电池IGA之间的变质缓冲器40的区域的物理参数。在第一示图D1中，沿着X轴示出晶格常数a的大小(虚线变化)和带隙Eg的大小(点线变化)，而沿着Y轴示出缓冲器40的各个层的序列。在第二示图D2中，沿着X轴记录(In)GaP或者(Al)InGaAs的铟含量(虚线变化)和铝含量(点线变化)，而沿着Y轴同样示出缓冲器40的各个层的序列。在示图D2中分别仅仅借助化学符号描述In和Al含量的相应变化。为清晰起见，以下仅仅说明相应化学元素的全名。
在第一示图D1中示出，晶格常数a从第一半导体太阳能电池GA开始直至第五变质缓冲器层MP5地增大，而在第六变质缓冲器层MP6时减小，以便在随后的第二半导体太阳能电池IGA中保持恒定。为清晰起见，阶梯状地示出没有夹紧的晶格常数a的变化。然而要注意的是，内面的晶格常数在缓冲器的普遍非常薄的层中近似连续地变化。在此，将具有小于600nm的厚度的层称作薄的层。与晶格常数a的所述变化不同地，带隙的能量Eg从第二太阳能电池直至第一变质缓冲器层MP1跳跃地增大。在从第一变质层MP1直至包括第五变质层MP5的变化中，能带间隙Eg的能量阶梯状地降低。从第五变质层MP5到第六变质层MP6，带隙Eg的能量再次升高，以便最终从第六变质层MP6直至第二太阳能电池IGA下降到第一太阳能电池GA的水平以下。
在第二示图D2中示出，第一变质层MP1与随后的层MP2至MP6相比具有最高铝含量。从第一层MP1出发，随后的层MP2至MP6的铝含量阶梯状地降低，其中层MP6具有最低的铝含量。
与铝含量的变化不同，在第一变质缓冲器层MP1直至包含第五变质缓冲器层MP5之间铟含量阶梯状地升高。随后，铟含量从第五变质缓冲器层MP5出发直至第六变质缓冲器层MP6再次降低。换言之，在变质缓冲器中，第五变质缓冲器层MP5具有最高的铟含量。在此也应当注意的是，由于清楚性的原因相应的层中的各个组合物示为均匀的。然而理解为，在两个重叠的层之间的边界面上所述组合物近似连续地变化。
在图2的示图中对于不同的AlyInxGal-x-yAs化合物半导体组合描绘关于晶格常数a的纳米硬度NH。以下，为清晰起见仅仅列出化合物半导体组合的化学公式的表示。
借助实线示出已知的变化，如已经在描述引言中所提及的那样。研究还示出，结果以虚线示出，在纳米硬度NH随着In含量的进一步升高而再次升高之前，从二元化合物AlAs出发通过Al1-xlnxAs的三元化合物到二元化合物InAs、即Al逐渐由In替代，晶格常数a从二元AlAs出发增大，而纳米硬度NH直至In含量约0.6地降低到最小，其中最终元素In完全替代元素Al。在所述变化中不利的是，纳米硬度NH仅仅在大的晶格常数a时并且在非常高的In含量时才增大0.6以上。如果在此第三太阳能电池IGA的晶格常数小于A10.4In0.6As，则不能实现在缓冲器中硬度随着晶格常数的增大而增大。
其他研究(以点划线示出)示出，通过元素Al、In和Ga的根据本发明的组合尤其对于四元化合物AlylnxGal-x-yAs已经对于小的In含量能够实现纳米硬度NH随着晶格常数a的增大而增大。为此，在通过由In和Ga适当替代Al使纳米硬度NH与虚线变化相比在小得多的晶格常数a时再次增大之前，尤其从AlyGal-yAs或者AlylnxGal-x-yAs出发通过由In替代Al纳米硬度才下降。换言之，纳米硬度NH的增大能够实现，现在在远低于0.6的In含量时、即在小的晶格常数时纳米硬度NH随着晶格常数a的增大而增大。
优点是，在小的晶格常数a时几乎在变质缓冲器内的任何位置处嵌入具有与位于下方的层相比更高的纳米硬度NH的各个层，以便由此影响错位的扩散和松弛。在此有利的是，松弛出现在软的层中。省去附加的所谓的阻挡层在变质缓冲器外的构造。
在图3a的示图中相应于图1地示出具有层序列的太阳能电池叠堆的又一示图。以下，仅仅阐述与图1的实施方式的区别。在示图D1中示出前5个层MP1至MP5的纳米硬度NH的变化。据此，第一层MP1的纳米硬度NH最高并且阶梯状地直至第三层MP3中的最小值地降低，以便随后尽管进一步增大的晶格常数a再次阶梯状地直至第五层MP5地增大。由此，在缓冲器40的中间构造特别软的层MP3。尽管MP5层的硬度可能比层MP1中的硬度更小，但是在更大的晶格常数时在层MP3至MP5中缓冲器的硬度增大并且抑制错位的扩散。
在图3b的示图中相应于图1地示出具有层序列的太阳能电池叠堆的另一示图。以下，仅仅阐述与图1的实施方式的区别。在示图D2中示出前5个缓冲器层MP1至MP5的铝含量的变化。在此，层MP1和MP2的铝含量相等，但是在到层MP3的过渡中降低。层MP3和MP4再次具有相同的铝含量，而层MP5具有更低的铝含量。在示图D1中示出前5个层MP1至MP5的纳米硬度NH的变化。据此，第一层MP1的纳米硬度NH最高并且阶梯状地至第二层MP2地降低，以便再次至第三层MP3地阶梯状地增大。然而在此，第三层MP3的纳米硬度NH小于第一层MP1的纳米硬度NH。从第三层MP3出发，纳米硬度NH阶梯状地直至第四层MP4地降低，其中第四层MP4的纳米硬度NH然而小于第二层MP2的纳米硬度NH。从第四层MP4出发，纳米硬度NH阶梯状地直至第五层MP5地增大，其中第五层MP5的纳米硬度NH然而小于第三层MP3的纳米硬度NH并且小于第一层MP1的纳米硬度NH。
在纳米硬度NH方面多个最小值的构造的优点是松弛，只要所述松弛完全出现，优选构造在缓冲器内的软层中并且借助缓冲器的多个软层有效地抑制错位到半导体太阳能电池中的扩散。
在图3c的示图中示出具有两个彼此层叠的变质缓冲器的序列、即变质缓冲器40和另一变质缓冲器50的根据本发明的第二实施方式。以下，结合图1仅仅阐述与所述实施方式的区别。在具有另一个或者相同的第二晶格常数的第二太阳能电池(在此替代IGA地以IGA1表示)上，构造具有总共5个变质层的序列的第二变质缓冲器50，以第七变质层MP7开始直至包含第十一变质层MP11。第三太阳能电池IGA2与第十一变质层MP11连接。第二变质缓冲器50的晶格常数a在平均上大于第一缓冲器40的平均晶格常数a。示出的是，晶格常数的相对变化在相应的缓冲器中的层序列方面是可比较的、即第一缓冲器40的倒数第二层和第二变质缓冲器50的倒数第二层在相应的缓冲器内具有最大晶格常数a。
为清晰起见，没有示出用于所述两个缓冲器的第一示图D1。在第二示图D2中示出两个缓冲器40和50的铝浓度的变化以及铟浓度的变化。据此，在第一缓冲器40内，第一层MP1和第二层MP2具有相等的并且同时最高的铝浓度。从第二层MP2出发，铝浓度直至第三层MP3和第四层MP4地阶梯状地降低，其中第三层MP3中的和第四层MP4中的铝浓度相等。从第四层MP4出发，铝浓度直至第五层MP5地阶梯状地降低并且直至第六层MP6地再次阶梯状地升高。然而在此，第六层MP6的铝浓度小于第四层MP4的铝浓度。第二太阳能电池IGA1不具有铝浓度。
在第二缓冲器50中，第七层MP7具有最高的铝浓度。从第七层MP7出发，铝浓度从层到层地直至第十层地阶梯状地降低。
在铟浓度方面，在第一缓冲器40中从第一层MP1出发直至第五层MP5从层到层地构造阶梯状的升高。从第五层MP5出发直至第六层MP6和第二半导体太阳能电池IGA1，铟浓度阶梯状地近似降低成第四层MP4的浓度，以便在层的另一序列的另一变化中直至第二缓冲器50中的第七层MP7地重新阶梯状地升高。从第七层MP7出发直至第十层MP10，从层到层地在铟浓度中构造阶梯状的升高。从第十层MP10出发直至第十一层MP11，铟浓度阶梯状地近似降低成新的第九层MP9的浓度。
应当注意，在第四实施方式中也构造纳米硬度NH的结合根据本发明的第二和第三实施方式示出的变化。理解为，也能够组合纳米硬度NH的变化的不同构造。
优点是，借助多个变质缓冲器序列的制造，轻而易举地均衡应当在原位彼此叠堆的各个半导体太阳能电池的较大的晶格差异。在此，能够在变体缓冲器40和50的较软层中可靠捕捉可能的错位。
在图4和图5中共同示出根据变质缓冲器100的实施方式的现有技术。在此，变质缓冲器100同样由6个变质层MPA至MPF组成。为清晰起见，在两个图4和5中，对于相应的第一示图D1示出晶格常数a或者带隙Eg、纳米硬度NH的变化，而对于相应的示图D2示出铝浓度和铟浓度的变化。以下仅仅阐述与根据本发明的实施方式的区别。
对于在图4中所示出的实施方式而言示出，根据第一示图D1纳米硬度NH从缓冲器100的第一层MPA出发直至第五层MPE阶梯状地降低。在第二示图D2中，铝浓度在缓冲器100内是恒定的。所述材料组合根据现有技术如此选择，使得所有缓冲器层对于在其下方的太阳能电池中还可以用于光电能量转换的光具有足够的透明度。然而，这对于松弛而言是不利的。
在图5中相应于图4中的实施方式的纳米硬度NH的变化，而缓冲器100内的铝浓度阶梯状地连续升高。所述材料组合根据现有技术通常如此选择，使得所有缓冲器层对于在其下方的太阳能电池中还可以用于光电能量转换的光而言具有足够的透明度。具有更小In含量或者更小晶格常数的AlInGaAs和AIInGaP层通常无论如何比具有更高In含量的层更透明。因此，对于具有小的In含量层也可以选择更小的Al含量，以便保证足够的透明度。然而，这对于松弛而言也是不利的。

Claims (14)

1.一种太阳能电池叠堆(10)，其具有：
第一半导体太阳能电池(GA)，其中，所述第一半导体太阳能电池(GA)具有由第一材料构成的pn结，所述第一材料具有第一晶格常数；
第二半导体太阳能电池(IGA，IGA1)，其中，所述第二半导体太阳能电池(IGA，IGA1)具有由第二材料构成的pn结，所述第二材料具有第二晶格常数；
所述第一晶格常数小于所述第二晶格常数；
变质缓冲器(40)，其中，所述变质缓冲器(40)包括下方的第一AlInGaAs层或AlInGaP层和中间的第二AlInGaAs层或AlInGaP层以及上方的第三AlInGaAs层或AlInGaP层的序列，并且所述变质缓冲器(40)构造在所述第一半导体太阳能电池(GA)和所述第二半导体太阳能电池(IGA，IGA1)之间，并且在所述变质缓冲器(40)中所述晶格常数(a)沿着所述变质缓冲器(40)的厚度延伸变化，
其特征在于，
在所述变质缓冲器(40)的至少两个层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)之间，所述晶格常数(a)和In含量升高，而Al含量降低。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池叠堆(10)，其特征在于，在所述变质缓冲器(40)的三个层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)的序列中，所述In含量和所述晶格常数(a)从一个层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)到一个随后的层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)分别升高，而所述Al含量分别降低。
3.根据以上权利要求中任一项所述的太阳能电池叠堆(10)，其特征在于，在所述变质缓冲器(40)的至少两个层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)之间，所述In含量升高至少1％，而所述Al含量降低至少1％。
4.根据权利要求1或2所述的太阳能电池叠堆(10)，其特征在于，所述变质缓冲器(40)的晶格常数朝所述第二半导体太阳能电池(IGA)的方向从层至层地分别增大至少
5.根据权利要求1或2所述的太阳能电池叠堆(10)，其特征在于，所述变质缓冲器(40)的晶格常数朝所述第二半导体太阳能电池(IGA)的方向从层至层地分别增大至少
6.根据权利要求1或2所述的太阳能电池叠堆(10)，其特征在于，所述变质缓冲器(40)的一个层具有第三晶格常数，并且所述第三晶格常数大于所述第二半导体太阳能电池(IGA)的晶格常数。
7.根据权利要求1或2所述的太阳能电池叠堆(10)，其特征在于，在所述变质缓冲器(40)的三个层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)的序列内仅仅构造AlInGaAs层或者仅仅构造AlInGaP层。
8.根据权利要求1或2所述的太阳能电池叠堆(10)，其特征在于，在三个层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)的序列中，所述第一层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)具有比所述第二层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)更小的晶格常数(a)和更小的纳米硬度(NH)，而所述第二层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)具有比所述第三层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)更小的晶格常数(a)和更小的纳米硬度(NH)。
9.根据权利要求1或2所述的太阳能电池叠堆(10)，其特征在于，在层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)的序列中，所述序列的第一层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)具有比所述第一半导体太阳能电池(GA)更大的晶格常数(a)。
10.根据权利要求1或2所述的太阳能电池叠堆(10)，其特征在于，在四个层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)的序列中，设置第四层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)，并且所述第四层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)布置在所述第三层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)上方并且与所述第三层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)材料接合地连接，并且所述第四层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)具有比所述第三层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)更小的晶格常数(a)。
11.根据权利要求1或2所述的太阳能电池叠堆(10)，其特征在于，在三个层的序列中，所述第一层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)与所述第二层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)材料接合地连接以及所述第二层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)与所述第三层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)材料接合地连接。
12.根据权利要求1或2所述的太阳能电池叠堆(10)，其特征在于，设置第三半导体太阳能电池，并且在所述第二半导体太阳能电池(IGA，IGA1)和所述第三半导体太阳能电池之间构造另一个变质缓冲器(50)，或者在所述第一半导体太阳能电池(GA)和所述第二半导体太阳能电池(IGA，IGA1)之间布置所述变质缓冲器(40)和所述另一个变质缓冲器(50)。
13.根据权利要求1或2所述的太阳能电池叠堆(10)，其特征在于，所述半导体太阳能电池(IGP，GA，IGA，IGA1，IGA2)中的每一个包含一个P/N结。
14.根据权利要求1或2所述的太阳能电池叠堆(10)，其特征在于，所述变质缓冲器层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)不是隧道二极管的pn结的一部分。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017005950A1 (de) * 2017-06-21 2018-12-27 Azur Space Solar Power Gmbh Solarzellenstapel
CN108461568B (zh) * 2018-03-27 2020-06-02 扬州乾照光电有限公司 一种具有布拉格反射镜的多结太阳能电池及其制作方法
CN110707172B (zh) * 2019-10-21 2021-09-24 扬州乾照光电有限公司 一种具有布拉格反射层的多结太阳电池及制作方法
CN110718599B (zh) * 2019-10-21 2021-07-16 扬州乾照光电有限公司 一种具有变质缓冲层的多结太阳能电池及制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1377095A (zh) * 2001-03-23 2002-10-30 洲磊科技股份有限公司 斜切底材上的半导体发光二极管
CN101180741A (zh) * 2005-04-05 2008-05-14 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 具有减小了温度依赖性的AlInGaP LED

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8173891B2 (en) * 2002-05-21 2012-05-08 Alliance For Sustainable Energy, Llc Monolithic, multi-bandgap, tandem, ultra-thin, strain-counterbalanced, photovoltaic energy converters with optimal subcell bandgaps
US8067687B2 (en) * 2002-05-21 2011-11-29 Alliance For Sustainable Energy, Llc High-efficiency, monolithic, multi-bandgap, tandem photovoltaic energy converters
US20060162768A1 (en) * 2002-05-21 2006-07-27 Wanlass Mark W Low bandgap, monolithic, multi-bandgap, optoelectronic devices
US7122734B2 (en) * 2002-10-23 2006-10-17 The Boeing Company Isoelectronic surfactant suppression of threading dislocations in metamorphic epitaxial layers
US8536445B2 (en) 2006-06-02 2013-09-17 Emcore Solar Power, Inc. Inverted metamorphic multijunction solar cells
US9117966B2 (en) * 2007-09-24 2015-08-25 Solaero Technologies Corp. Inverted metamorphic multijunction solar cell with two metamorphic layers and homojunction top cell
US20110041898A1 (en) * 2009-08-19 2011-02-24 Emcore Solar Power, Inc. Back Metal Layers in Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US8895342B2 (en) * 2007-09-24 2014-11-25 Emcore Solar Power, Inc. Heterojunction subcells in inverted metamorphic multijunction solar cells
EP2610924B1 (en) * 2011-12-27 2019-09-11 SolAero Technologies Corp. Inverted metamorphic multijunction solar cell with two metamorphic layers and homojunction top cell
DE102008024230A1 (de) * 2008-05-19 2009-11-26 Avancis Gmbh & Co. Kg Schichtsystem für Solarzellen
RU2382439C1 (ru) * 2008-06-05 2010-02-20 Общество с ограниченной ответственностью "Национальная инновационная компания "Новые энергетические проекты" (ООО "Национальная инновационная компания "НЭП") Каскадный фотопреобразователь и способ его изготовления
JP5570736B2 (ja) * 2009-02-06 2014-08-13 シャープ株式会社 化合物半導体太陽電池の製造方法
DE102009025198A1 (de) * 2009-06-17 2010-12-30 Solarion Ag Photovoltaik Verfahren zur Herstellung von CIGS-Solarzellen
JP5215284B2 (ja) * 2009-12-25 2013-06-19 シャープ株式会社 多接合型化合物半導体太陽電池
CN102237420A (zh) * 2010-04-23 2011-11-09 太聚能源股份有限公司 多接面太阳能电池结构及其制作方法
US8852994B2 (en) * 2010-05-24 2014-10-07 Masimo Semiconductor, Inc. Method of fabricating bifacial tandem solar cells
KR101428146B1 (ko) * 2011-12-09 2014-08-08 엘지이노텍 주식회사 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
DE102012004734A1 (de) 2012-03-08 2013-09-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mehrfachsolarzelle und deren Verwendung
US9559237B2 (en) * 2013-04-10 2017-01-31 The Boeing Company Optoelectric devices comprising hybrid metamorphic buffer layers

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1377095A (zh) * 2001-03-23 2002-10-30 洲磊科技股份有限公司 斜切底材上的半导体发光二极管
CN101180741A (zh) * 2005-04-05 2008-05-14 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 具有减小了温度依赖性的AlInGaP LED

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Publication number Publication date
US10566486B2 (en) 2020-02-18
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RU2015118924A (ru) 2016-12-10
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EP2947702B1 (de) 2019-03-20

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