JP2006512748A - Iii−v半導体皮膜を非iii−v基板に沈積する方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 シリコン基板に厚いIII−V半導体皮膜結晶を沈積させ、さらに基板上でIII−V構造部品とシリコン構造部品を組み合わせる。
【解決手段】 本発明は、厚いIII−V半導体皮膜を非III−V基板、特にシリコン基板に、ガス状の初期物質を反応炉の処理室に導入することによって沈積する方法に関するものである。シリコン基板に厚いIII−V半導体皮膜結晶を、欠点となる格子応力を生じさせることなく沈積するため、本発明は2つのIII−V皮膜の間に薄い中間皮膜を、低下させた成長温度で沈積することを提案している。
【解決手段】 本発明は、厚いIII−V半導体皮膜を非III−V基板、特にシリコン基板に、ガス状の初期物質を反応炉の処理室に導入することによって沈積する方法に関するものである。シリコン基板に厚いIII−V半導体皮膜結晶を、欠点となる格子応力を生じさせることなく沈積するため、本発明は2つのIII−V皮膜の間に薄い中間皮膜を、低下させた成長温度で沈積することを提案している。
Description
本発明は、III−V半導体皮膜、例えば砒化ガリウム、砒化アルミニウム、砒化ガリウムインジウムまたは砒化ガリウムインジウムアルミニウム燐化物を非III−V基板、例えばシリコンに、ガス状の初期物質を反応炉の処理室に導入することによって沈積する方法に関するものである。
本発明によれば、III−V皮膜の沈積はMOCVD法によって実施され、その場合初期物質としてTMG、TMI、TMAI、砒素、燐またはNH3が反応炉の加熱された処理室に導入され、処理温度に加熱された基板保持器にシリコンの基板が置かれている。砒化ガリウムが砒化ガリウムに、または燐化インジウムが燐化インジウム沈積される場合と違って、III−V皮膜をシリコン基板に沈積する場合は不適合が生ずる。この結果、成長した皮膜は高い欠陥密度を持っている。
一方シリコン基板はIII−V基板よりも低価格の利点があり、シリコン構造部品の一体化に適している。皮膜の品質を改善する可能性は厚い半導体皮膜の沈積である。しかしこれは皮膜の熱的な不適合性により制約される。この熱的不適合性は、格子の応力および高い応力を受ける皮膜の連続を生じさせる。このため皮膜に割れを生ずるか、または機械的な曲がりを生ずる。
さらに別の問題はIII−V皮膜組織、または基板のそのような皮膜組織から製作した電子的構造部品とシリコン構造部品との組合せである。特に1つの基板に光電子III−V構造部品とCMOS構造部品が組み合わされると好ましい。
本発明は、先ず本質的にシリコン基板の上に、欠点となる格子応力を生じさせることなく、厚いIII−V半導体皮膜結晶を沈積させという課題に基づいている。
さらに本発明は、1つの基板上でIII−V構造部品とシリコン構造部品を組み合わせるという課題に基づいている。
この課題は請求項に示す本発明によって解決され、請求項1は先ず本質的に2つのIII‐V皮膜の間に、薄い中間皮膜を低下させた成長温度で沈積することに主眼を置いている。中間皮膜用の低減した成長温度は、できれば少なくとも100℃、III−V皮膜の成長温度より低くなければならない。さらに中間皮膜の格子常数は、III−V皮膜の格子常数よりも低いことが好ましい。好ましい本発明の改善においては、それぞれがIII−V皮膜によって分離された多数の中間皮膜が沈積される。したがって薄い中間皮膜が、何回もそれぞれのIII−V皮膜の上に沈積される。中間皮膜は無応力で沈積されることが好ましい。中間皮膜は硼素またはシリコンを含有してもよい。中間皮膜の厚さはナノメータの範囲である。中間皮膜の間に沈積されるIII−Vは相当厚くてもよい。これは数ミクロンの厚さとすることができる。シリコン基板と第1のIII−V皮膜の間に結晶核皮膜があることが好ましく、これは同様にIII−V材料から構成することができる。III−V皮膜は低い温度で沈積した中間皮膜上では仮像的に成長する。これが応力を発生させる。圧縮応力が発生すると好ましい。圧縮応力は低温中間皮膜によって得られる。
本発明による方法は、III−V皮膜間の低温皮膜の成長によって、ほぼ応力を発生しないIII−V半導体皮膜が、(Al、Ga、In)(As、PN、Sb)のシステム内で成長することを可能とし、ここで低い温度は常に一般の成長温度より明確に、少なくとも100℃低くなければならない。冷却時の引っ張り応力によって好ましい圧縮応力が発生する。燐化インジウムのシステムの場合は、これはGaAs、AlAs、AlInAsまたはGaInAlAsPN低温皮膜によって実施できる。砒化ガリウムシステムの場合は、砒化アルミニウム、砒化硼素アルミニウムおよび砒化硼素が圧縮応力の低温皮膜として適している。しかし窒素系の材料に切り替えることもできる。
このような低温中間皮膜の沈積を繰返すことによって、熱的なもののみならず格子の不適合で発生する応力を低減し、全体としてほぼ応力のない任意の厚さの皮膜を沈積できるようになる。
導入部で述べた第2の課題は、先ず非III−V基板上特にシリコン基板上に、反応炉の処理室でガス状の初期物質を導入し、III−V半導体皮膜を沈積することによって解決される。このIII−V半導体皮膜は、III−V皮膜の沈積のため最適化された方向性を有する第1の基板上に沈積する。GaN皮膜の沈積のためには、特に(111)方向を有するシリコン基板が適している。この半導体皮膜は次の段階で、第1の基板の薄い膜とともに基板から引き離される。ともに引き離される膜の厚さは例えば50μmである。引き続いての処理段階で、引き離された皮膜は第1の基板の薄い膜とともに第2の基板上に塗布される。この第2の基板は(100)方向性を有するシリコン基板である。引き離した皮膜の塗布は接着によって行うことが好ましい。この接着はマスキングの段階で行われる。本発明によれば、塗布された皮膜の横方向の範囲は、第2の基板の範囲まで除去される。この除去はエッチングによって行うことが好ましい。続いて表面を形成する(100)シリコン結晶に、シリコン技術による皮膜のシリーズが塗布される。III−V皮膜組織に隣接するこれらの皮膜は、絶縁皮膜、導電皮膜、またはpまたはn添加のシリコン皮膜である。沈積されるIII−V皮膜は窒化ガリウム皮膜が好ましい。
本発明の第1の実施例において、シリコン基板上に先ず砒化ガリウムの結晶核皮膜が沈積される。この結晶核皮膜の上に、MOCVD法またはVPE法またはMBEによって、沈積された高品質の砒化ガリウム皮膜に対する代表的な文献で知られる成長温度において、砒化ガリウムの緩衝皮膜の沈積が行われる。この第1のIII−V皮膜の上に、続いて低温中間皮膜が沈積される。このため処理室内の温度すなわち基板温度は、少なくとも100℃低下される。次に、中間皮膜の成長のために必要なガスが処理室に導入される。このガスはトリメチルアルミニウムおよび砒素、または硼素化合物であってもよい。中間皮膜はこの低下させた温度で、5ないし50nmの希望する皮膜厚さになるまで沈積される。皮膜厚さは10ないし20nmであることが好ましい。
低温中間皮膜を沈積した後、処理室の温度を再び上昇させる。これは基板保持器を適切に加熱することによって実施される。それからさらに砒化ガリウム皮膜が仮像的に低温中間皮膜の上に沈積される。この砒化ガリウム皮膜は低温中間皮膜よりかなり厚い。その厚さは数μmに達する。
特に厚い緩衝皮膜を得るため、上記に説明した砒化ガリウム皮膜上にさらに、同様に砒化ガリウムより小さな格子常数を持つ低温中間皮膜を沈積する。この中間皮膜の上に改めて砒化ガリウムを沈積することができる。合計するとこの方法により、僅かな変位を持つ厚い砒化ガリウム皮膜が得られる。
第2の実施例において、III−V皮膜をIV組織に対して横方向に隣接して塗布する方法を説明する。
格子応力を発生することなくシリコン基板に厚いIII−V半導体皮膜結晶を沈積することができ、さらに基板上でIII−V構造部品とシリコン構造部品を組み合わせることができる。
図1に(111)シリコン基板の部分的な断面を示す。このシリコン基板上に実施例では2つのIII−V皮膜2、3が沈積される(図2参照)。これらの皮膜2、3は砒化ガリウム、窒化ガリウム、燐化インジウムまたは任意のその他のIII−V組成である。
この皮膜シリーズ2、3は、薄い膜1’によって第1の基板1から引き離される。この引き離された皮膜シリーズ1’、2、3は続いて第2の基板に接着される(図4参照)。第2の基板は(100)シリコン基板が好ましい。(100)シリコン表面はその後の沈積、特にシリコン皮膜の沈積に最適化されている。特にこの表面の方向はCMOS組織の沈積に最適化されている。
III−Vに隣接してこの種の組織を配置するため、図4に示し中間生成物は例えばマスキングで実施される横方向の組織を持つ。その後接着された皮膜シリーズ1’、2、3はエッチングにより除去される。これらの皮膜シリーズの除去は第2の基板4に喰い込むまで行われ、エッチングで除去された自由な表面の範囲5は(100)シリコン表面で、ここにCMOS組織を沈積することができる。
開示されたすべての特徴は本発明に対し基本的なものである。従って、対応する/添付の優先書類(事前出願のコピー)の開示もまたすべて本出願の開示内に含まれるものであり、その目的のためこれらの書類の特徴もこの出願の請求事項に含まれるものである。
シリコン基板に厚いIII−V半導体皮膜結晶を沈積させ、さらに基板上でIII−V構造部品とシリコン構造部品を組み合わせるために利用できる。
Claims (18)
- 厚いIII−V半導体皮膜を非III−V基板、特にシリコン基板に、ガス状の初期物質を反応炉の処理室に導入することによって沈積する方法において、
2つのIII−V皮膜の間に薄い中間皮膜を、低下させた成長温度で沈積することを特徴とする方法。 - 特に、中間皮膜の成長温度をIII−V皮膜の成長皮膜より少なくとも100℃低くしたことを特徴とする請求項1に記載する方法。
- 特に、中間皮膜の格子常数をIII−V皮膜の格子常数より小さくしたことを特徴とする請求項1または2に記載する方法。
- 特に、薄い低温中間皮膜を数回それぞれのIII−V皮膜の上に沈積させることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載する方法。
- 特に、中間皮膜に応力を生じさせないで沈積させることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載する方法。
- 特に、中間皮膜は硼素を含有することを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載する方法。
- 特に、中間皮膜は窒素を含有することを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載する方法。
- 特に、中間皮膜は5ないし50nmの厚さを有し、好ましくは10ないし20nmであることを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載する方法。
- 特に、沈積法としてMOCVD、VPEまたはMBEを使用することを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載する方法。
- 特に、薄い中間皮膜が第1のIII−V皮膜の直ぐ後で、第2のIII−V皮膜の直ぐ前における本来の位置に沈積されることを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載する方法。
- 特に、III−V皮膜および薄い中間皮膜が、2回以上の処理により順番に沈積されることを特徴とする請求項1ないし10のいずれかに記載する方法。
- 特に、厚いIII−V半導体皮膜上に構造部品皮膜が順番に沈積されることを特徴とする請求項1ないし11のいずれかに記載する方法。
- 特に、構造部品皮膜のシリーズから構造部品が製作されることを特徴とする請求項1ないし12のいずれかに記載する方法。
- III−V半導体皮膜を非III−V基板、特にシリコン基板に、ガス状の初期物質を反応炉の処理室に導入することによって塗布する方法において、
III−V皮膜は、III−V皮膜(2、3)の沈積のため最適化された方向性を有する第1の基板(1)、特に(111)シリコン基板の表面上に沈積され、皮膜(2、3)は第1の基板の薄い膜(1’)とともに引き離され、引き離された皮膜(2、3)は第1の基板(1)の薄い膜(1’)とともに第2の基板(4)、特に(100)シリコン基板に塗布され、必要な場合はマスキング処理の後、塗布された皮膜(2、3)の横方向の範囲(5)は第2の基板(4)まで除去されることを特徴とする方法。 - 特に、第1の基板(1)の薄い膜(1’)とともに引き離された皮膜(2、3)が、第2の基板(4)に接着されることを特徴とする請求項14に記載する方法。
- 特に、III−V皮膜が窒化ガリウム、砒化ガリウムまたは燐化インジウム皮膜であることを特徴とする請求項14または15に記載する方法。
- 特に、塗布された皮膜シリーズ(1’、2、3)から自由になった第2の基板(4)の範囲(5)に、絶縁皮膜、導電皮膜および/またはpまたはn添加皮膜が沈積されることを特徴とする請求項14ないし16のいずれかに記載する方法。
- 特に、自由になった第2の基板(4)の表面区間にCMOS組織が塗布されることを特徴とする請求項14ないし16のいずれかに記載する方法。
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