JPH05291698A - 面型光半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
面型光半導体素子およびその製造方法Info
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- JPH05291698A JPH05291698A JP11819092A JP11819092A JPH05291698A JP H05291698 A JPH05291698 A JP H05291698A JP 11819092 A JP11819092 A JP 11819092A JP 11819092 A JP11819092 A JP 11819092A JP H05291698 A JPH05291698 A JP H05291698A
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
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- H01S5/18341—Intra-cavity contacts
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低い電流で動作するＩｎＰ系の面型光半導体
素子を実現する。 【構成】 ｎ型ＤＢＲ１０２はＧａＡｓ系半導体で作ら
れ、低温成長で形成したｎ−ＩｎＰバッファー層１０３
を介してＩｎＧａＡｓ活性層１０６が形成され、さらに
その上方にｐ型ＤＢＲ１０９が形成されている。
素子を実現する。 【構成】 ｎ型ＤＢＲ１０２はＧａＡｓ系半導体で作ら
れ、低温成長で形成したｎ−ＩｎＰバッファー層１０３
を介してＩｎＧａＡｓ活性層１０６が形成され、さらに
その上方にｐ型ＤＢＲ１０９が形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は機器間の光インターコネ
クションなどに使われる半導体面型光素子に関する。
クションなどに使われる半導体面型光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】面型光素子とは、半導体基板と垂直方向
に光を出す素子であり、垂直共振器型の面発光レーザ
（ＶＣＳＥＬＤ）や、半導体多層膜から成る分布反射鏡
（ＤＢＲ）の間にｐｎｐｎ構造を形成した垂直共振器型
面入出力光電融合素子（ＶＳＴＥＰ）などを指す。面型
光素子の特徴は基板と垂直方向に光が取り出せ、素子サ
イズ自体も小型にできるということから、２次元集積化
が可能になるという点にある。ＶＣＳＥＬＤやＶＣ−Ｖ
ＳＴＥＰの材料系としては主としてＧａＡｓ系が用いら
れているが、ＩｎＰ系でのＶＣＳＥＬＤも試作され始め
ている。
に光を出す素子であり、垂直共振器型の面発光レーザ
（ＶＣＳＥＬＤ）や、半導体多層膜から成る分布反射鏡
（ＤＢＲ）の間にｐｎｐｎ構造を形成した垂直共振器型
面入出力光電融合素子（ＶＳＴＥＰ）などを指す。面型
光素子の特徴は基板と垂直方向に光が取り出せ、素子サ
イズ自体も小型にできるということから、２次元集積化
が可能になるという点にある。ＶＣＳＥＬＤやＶＣ−Ｖ
ＳＴＥＰの材料系としては主としてＧａＡｓ系が用いら
れているが、ＩｎＰ系でのＶＣＳＥＬＤも試作され始め
ている。
【０００３】図２はＩｎＰ系で作ったＶＣＳＥＬＤの素
子構造を示してある。光スイッチング研究会（ＰＳＴ１
９−１２、１９９１年）に報告されているものである。
材料系にＩｎＰ系を用いると、光通信用光源として重要
な１μｍの波長帯域がこれによってカバーできることに
なるので各所で関心が持たれている。
子構造を示してある。光スイッチング研究会（ＰＳＴ１
９−１２、１９９１年）に報告されているものである。
材料系にＩｎＰ系を用いると、光通信用光源として重要
な１μｍの波長帯域がこれによってカバーできることに
なるので各所で関心が持たれている。
【０００４】図２において、２１は基板のｎ−ＩｎＰ、
２２はｎ−ＩｎＧａＡａＳＰ／ＩｎＰ−ＤＢＲで周期数
は３０．５対である。２３はｎ−ＩｎＰでクラッド層、
２４はｐ−ＩｎＧａＡｓＰで活性層、３１はｐ−ＩｎＰ
でクラッド層、２５はｐ−ＩｎＧａＡｓＰでコンタクト
層、２６はα−Ｓｉ／Ｓｉ０2多層膜でｐ側の反射鏡と
して働く。２７、２８はそれぞれｐ電極、ｎ電極であ
る。２９、３０はそれぞれｐ−ＩｎＰ、ｎ−ＩｎＰでこ
の部分に流れる電流を阻止する役目を果たす。
２２はｎ−ＩｎＧａＡａＳＰ／ＩｎＰ−ＤＢＲで周期数
は３０．５対である。２３はｎ−ＩｎＰでクラッド層、
２４はｐ−ＩｎＧａＡｓＰで活性層、３１はｐ−ＩｎＰ
でクラッド層、２５はｐ−ＩｎＧａＡｓＰでコンタクト
層、２６はα−Ｓｉ／Ｓｉ０2多層膜でｐ側の反射鏡と
して働く。２７、２８はそれぞれｐ電極、ｎ電極であ
る。２９、３０はそれぞれｐ−ＩｎＰ、ｎ−ＩｎＰでこ
の部分に流れる電流を阻止する役目を果たす。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＩｎＰ系面型光
素子の問題点は、９９．９％といった高い反射率を有し
たＤＢＲを作製するのが難しいという点にあった。その
理由はＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系ではＩｎＰとＩｎＧａ
ＡｓＰの間の屈折率差が小さいことにあった。もちろん
ＤＢＲの層数を増やせば反射率を上げることが可能であ
るが、厚みも増えるので、成長に時間がかかり、プロセ
スも段差がついて難しくなる。
素子の問題点は、９９．９％といった高い反射率を有し
たＤＢＲを作製するのが難しいという点にあった。その
理由はＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系ではＩｎＰとＩｎＧａ
ＡｓＰの間の屈折率差が小さいことにあった。もちろん
ＤＢＲの層数を増やせば反射率を上げることが可能であ
るが、厚みも増えるので、成長に時間がかかり、プロセ
スも段差がついて難しくなる。
【０００６】例えばＧａＡｓ系では１５−２０対で十分
な反射率が実現できるのに対して、ＩｎＰ系では４０対
前後の半導体多層膜が必要となる。また１μｍ帯のＩｎ
Ｐ系では０．８μｍ帯のＧａＡｓ系に比べて１層当りの
膜厚（λ／４波長）が厚くなるので、その分でも厚みが
余計いることになる。
な反射率が実現できるのに対して、ＩｎＰ系では４０対
前後の半導体多層膜が必要となる。また１μｍ帯のＩｎ
Ｐ系では０．８μｍ帯のＧａＡｓ系に比べて１層当りの
膜厚（λ／４波長）が厚くなるので、その分でも厚みが
余計いることになる。
【０００７】本発明の目的は、ＤＢＲの層数が増大し、
成長やプロセスが難しくなるといった従来の１μｍ帯の
面型光半導体素子の課題を解決することにある。
成長やプロセスが難しくなるといった従来の１μｍ帯の
面型光半導体素子の課題を解決することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに本発明が提供する面型半導体素子は、ＧａＡｓ又は
ＡｌＧａＡｓの基板の上にＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦
１）とＡｌyＧａ1-yＡｓ（０≦ｙ≦１）とを交互に積層
し、それぞれの厚さを媒質内の光の波長の１／４とした
半導体分布反射鏡と、この半導体分布反射鏡の上に５５
０゜Ｃ以下での温度で成長させたＩｎＰバッファー層
と、このバッファー層の上に形成されＩｎzＧａ1-zＡｓ
wＰ1-w活性層（０≦ｚ，ｗ≦１）を含む中間層と、この
中間層の上に形成された多層膜反射鏡とでなることを特
徴とする。
めに本発明が提供する面型半導体素子は、ＧａＡｓ又は
ＡｌＧａＡｓの基板の上にＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦
１）とＡｌyＧａ1-yＡｓ（０≦ｙ≦１）とを交互に積層
し、それぞれの厚さを媒質内の光の波長の１／４とした
半導体分布反射鏡と、この半導体分布反射鏡の上に５５
０゜Ｃ以下での温度で成長させたＩｎＰバッファー層
と、このバッファー層の上に形成されＩｎzＧａ1-zＡｓ
wＰ1-w活性層（０≦ｚ，ｗ≦１）を含む中間層と、この
中間層の上に形成された多層膜反射鏡とでなることを特
徴とする。
【０００９】前述の課題を解決するために本発明が提供
する面型半導体素子の製造方法は、ＧａＡｓ又はＡｌＧ
ａＡｓの基板の上にＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）と
ＡｌyＧａ1-yＡｓ（０≦ｙ≦１）とを交互に積層し、そ
れぞれの厚さを媒質内の光りの波長の１／４として半導
体分布反射鏡を形成し、その上に５５０゜Ｃ以下でＩｎ
Ｐバッファー層を形成し、その上にＩｎzＧａ1-zＡｓw
Ｐ1-w活性層（０≦ｚ，ｗ≦１）を含む中間層を形成
し、さらにその上に多層膜反射鏡が形成することを特徴
とする。
する面型半導体素子の製造方法は、ＧａＡｓ又はＡｌＧ
ａＡｓの基板の上にＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）と
ＡｌyＧａ1-yＡｓ（０≦ｙ≦１）とを交互に積層し、そ
れぞれの厚さを媒質内の光りの波長の１／４として半導
体分布反射鏡を形成し、その上に５５０゜Ｃ以下でＩｎ
Ｐバッファー層を形成し、その上にＩｎzＧａ1-zＡｓw
Ｐ1-w活性層（０≦ｚ，ｗ≦１）を含む中間層を形成
し、さらにその上に多層膜反射鏡が形成することを特徴
とする。
【００１０】
【作用】基板側のＤＢＲをＧａＡｓ系で作製した製造と
するので１μｍ：ｅ帯の波長に対して屈折率差を大きく
とれる。それによってＩｎＰ系でＤＢＲを作製した時と
比べて高 反射率を得るのに必要な層数を減らすことが
できる。ＡｌxＧａ1-xＡｓ／ＡｌyＧａ1-yＡｓ−ＤＢＲ
の上に５５０゜Ｃ以下という比較的に低温でＩｎＰバッ
ファー層を形成しておくと、その上にＩｎＰ系半導体
を、鏡面状にきれいに成長させることができる。ＩｎＰ
バッファー層を６００〜７００゜Ｃといった通常の温度
でＧａＡｓ系半導体の上に成長させると大きな島状にＩ
ｎＰの成長が進行してしまい表面が凸凹してしまう。そ
れに対して５５０゜Ｃ以下といった低温でＩｎＰバッフ
ァー層を成長させると島の大きさが小さくなり、短時間
に島同志が一緒になって成長表面が平坦になってしま
う。そして、この様なＩｎＰバッファー層を間に入れる
ことによってＩｎＰ系半導体を格子定数の異なるＧａＡ
ｓ系半導体の上に鏡面状に成長させることが可能とな
る。
するので１μｍ：ｅ帯の波長に対して屈折率差を大きく
とれる。それによってＩｎＰ系でＤＢＲを作製した時と
比べて高 反射率を得るのに必要な層数を減らすことが
できる。ＡｌxＧａ1-xＡｓ／ＡｌyＧａ1-yＡｓ−ＤＢＲ
の上に５５０゜Ｃ以下という比較的に低温でＩｎＰバッ
ファー層を形成しておくと、その上にＩｎＰ系半導体
を、鏡面状にきれいに成長させることができる。ＩｎＰ
バッファー層を６００〜７００゜Ｃといった通常の温度
でＧａＡｓ系半導体の上に成長させると大きな島状にＩ
ｎＰの成長が進行してしまい表面が凸凹してしまう。そ
れに対して５５０゜Ｃ以下といった低温でＩｎＰバッフ
ァー層を成長させると島の大きさが小さくなり、短時間
に島同志が一緒になって成長表面が平坦になってしま
う。そして、この様なＩｎＰバッファー層を間に入れる
ことによってＩｎＰ系半導体を格子定数の異なるＧａＡ
ｓ系半導体の上に鏡面状に成長させることが可能とな
る。
【００１１】
【実施例】図１は本発明に関わる一実施例である。同図
において１０１はｎ−ＧａＡｓ、１０２はλ／４厚のＡ
ｌＡｓ（Ｓｉドープ、ドーピング濃度Ｎ＝２ｘ１０18ｃ
ｍ-3）、ＧａＡｓ（Ｓｉドープ、Ｎ＝２ｘ１０18ｃ
ｍ-3）が交互に積層されて形成されたｎ型ＤＢＲであ
る。λはＩｎＧａＡｓ活性層１０６による発振（波長は
１．５μｍ）に対応する媒質内の波長を表す。ＩｎＧａ
Ａｓ活性層１０６の層厚は１００Ａで、アンドープであ
る。１０３はｎ−ＩｎＰバッファー層（Ｎ＝２ｘ１０18
ｃｍ-3、層厚は２００Ａ）で、この部分は５００゜Ｃで
成長してある。成長にはＭＯＣＶＤ法を用いているが、
ここ以外は６５０゜Ｃで成長してある。１０４はｎ−Ｉ
ｎＰ（Ｓｉドープ、Ｎ＝２ｘ１０18ｃｍ-3、層厚は（λ
−δ））である。１０５、１０７はそれぞれｎ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰであり、両、方とも層厚
はδであり、ドーピング濃度は２ｘ１０18ｃｍ-3（１０
５はＳｉドープ、１０７はＺｎドープ）である。ｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ１０５、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ１０７は組成
を放物線状に変化させてあり、活性層１０６に接する側
のバンドギャップ波長は１．３μｍ、反対側のバンドギ
ャップ波長はＩｎＰと同じにしてある。１１５は厚さ２
００Ａのｐ−ＩｎＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長は
１．３μｍ、Ｎ＝２ｘ１０19ｃｍ-3）であり、コンタク
ト層として働く。１０９はｐ型ＤＢＲでλ／４厚のα−
Ｓｉ１１６とＳｉＯ2１１７が３周期、繰り返して積層
され形成されている。１１０はＣｒ／Ａｕ、１１１はｎ
−ＧａＡｓ１１３の上に形成されたＡｕＧｅ−Ｎｉ／Ａ
ｕであり、それぞれｐ型、ｎ型の電極となる。光出力は
基板側から得られる。
において１０１はｎ−ＧａＡｓ、１０２はλ／４厚のＡ
ｌＡｓ（Ｓｉドープ、ドーピング濃度Ｎ＝２ｘ１０18ｃ
ｍ-3）、ＧａＡｓ（Ｓｉドープ、Ｎ＝２ｘ１０18ｃ
ｍ-3）が交互に積層されて形成されたｎ型ＤＢＲであ
る。λはＩｎＧａＡｓ活性層１０６による発振（波長は
１．５μｍ）に対応する媒質内の波長を表す。ＩｎＧａ
Ａｓ活性層１０６の層厚は１００Ａで、アンドープであ
る。１０３はｎ−ＩｎＰバッファー層（Ｎ＝２ｘ１０18
ｃｍ-3、層厚は２００Ａ）で、この部分は５００゜Ｃで
成長してある。成長にはＭＯＣＶＤ法を用いているが、
ここ以外は６５０゜Ｃで成長してある。１０４はｎ−Ｉ
ｎＰ（Ｓｉドープ、Ｎ＝２ｘ１０18ｃｍ-3、層厚は（λ
−δ））である。１０５、１０７はそれぞれｎ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰであり、両、方とも層厚
はδであり、ドーピング濃度は２ｘ１０18ｃｍ-3（１０
５はＳｉドープ、１０７はＺｎドープ）である。ｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ１０５、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ１０７は組成
を放物線状に変化させてあり、活性層１０６に接する側
のバンドギャップ波長は１．３μｍ、反対側のバンドギ
ャップ波長はＩｎＰと同じにしてある。１１５は厚さ２
００Ａのｐ−ＩｎＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長は
１．３μｍ、Ｎ＝２ｘ１０19ｃｍ-3）であり、コンタク
ト層として働く。１０９はｐ型ＤＢＲでλ／４厚のα−
Ｓｉ１１６とＳｉＯ2１１７が３周期、繰り返して積層
され形成されている。１１０はＣｒ／Ａｕ、１１１はｎ
−ＧａＡｓ１１３の上に形成されたＡｕＧｅ−Ｎｉ／Ａ
ｕであり、それぞれｐ型、ｎ型の電極となる。光出力は
基板側から得られる。
【００１２】ｎ型ＤＢＲ１０２の周期数は２４．５であ
りこれで９９．９％の反射率が実現できる。ＩｎＰ系で
同じ反射率を得ようとすると４０周期は必要であるの
で、成長層厚が大幅に薄くできる。図１のような構造と
することによって素子の全体の高さは２μｍ程度と低く
抑えることができた。発振閾値電流はメサ径が１０μｍ
の素子で約１ｍＡであった。
りこれで９９．９％の反射率が実現できる。ＩｎＰ系で
同じ反射率を得ようとすると４０周期は必要であるの
で、成長層厚が大幅に薄くできる。図１のような構造と
することによって素子の全体の高さは２μｍ程度と低く
抑えることができた。発振閾値電流はメサ径が１０μｍ
の素子で約１ｍＡであった。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば光通信用光源として重要
な１μｍの波長帯域でレーザ光が得られ、素子の全体の
高さが低く抑えられた低閾値で動作する面型光半導体素
子が実現できる。本実施例ではＶＣＳＥＬＤについて説
明したがＶＳＴＥＰへの適用も可能であることはもちろ
んである。
な１μｍの波長帯域でレーザ光が得られ、素子の全体の
高さが低く抑えられた低閾値で動作する面型光半導体素
子が実現できる。本実施例ではＶＣＳＥＬＤについて説
明したがＶＳＴＥＰへの適用も可能であることはもちろ
んである。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図。
【図２】従来例を示す斜示図。
１０１ ｎ−ＧａＡｓ １０２ ｎ型ＤＢＲ １０３ ｎ−ＩｎＰバッファー層 １０４，２１，２３，３０ ｎ−ＩｎＰ １０５ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ １０６ ＩｎＧａＡｓＰ化活性層 １０７，１１５，２４，２５ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ １０８，２９，３１ ｐ−ＩｎＰ １０９ ｐ型ＤＢＲ １１０ ｃｒ／Ａｕ １１１ ＡｕＧｅ−Ｎｉ／Ａｕ １１２ ＳｉＮ １１３ ｎ−ＧａＡｓ １１４ ｐ−ＧａＡｓ １１６ α−Ｓｉ １１７ ＳｉＯ2 ２２ ｎ−ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ−ＤＢＲ ２６ α−Ｓｉ／ＳｉＯ多層膜 ２７ ｐ電極 ２８ ｎ電極
Claims (2)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓの基板の上に
ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）とＡｌyＧａ1-yＡｓ
（０≦y ≦１）とを交互に積層し、それぞれの厚さを媒
質内の光の波長の１／４とした半導体分布反射鏡と、こ
の半導体分布反射鏡の上に５５０゜Ｃ以下での温度で成
長させたＩｎＰバッファー層と、このバッファー層の上
に形成されＩｎzＧａ1-zＡｓwＰ1-w活性層（０≦ｚ，ｗ
≦１）を含む中間層と、この中間層の上に形成れた多層
膜反射鏡とでなることを特徴とする面型光半導体素子。 - 【請求項２】 ＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓの基板の上に
ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）とＡｌyＧａ1-yＡｓ
（０≦y≦１）とを交互に積層し、それぞれの厚さを媒
質内の光の波長の１／４として半導体分布反射鏡を形成
し、その上に５５０゜Ｃ以下でＩｎＰバッファー層を形
成し、その上にＩｎzＧａ1-zＡｓwＰ1-w活性層（０≦
ｚ，ｗ≦１）を含む中間層を形成し、さらにその上に多
層膜反射鏡が形成することを特徴とする面型光半導体素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11819092A JP2871288B2 (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 面型光半導体素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11819092A JP2871288B2 (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 面型光半導体素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291698A true JPH05291698A (ja) | 1993-11-05 |
| JP2871288B2 JP2871288B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=14730388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11819092A Expired - Fee Related JP2871288B2 (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 面型光半導体素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2871288B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0822630A1 (en) * | 1996-07-30 | 1998-02-04 | Hewlett-Packard Company | A long-wavelength infra-red vertical cavity surface-emitting laser on a gallium arsenide substrate |
| EP0829934A1 (fr) * | 1996-09-13 | 1998-03-18 | Alcatel | Procédé de fabrication d'un composant optoélectronique à semiconducteur et composant et matrice de composants fabriqués selon ce procédé |
| FR2753576A1 (fr) * | 1996-09-13 | 1998-03-20 | Alsthom Cge Alcatel | Procede de fabrication d'un laser semiconducteur a emission de surface |
| EP0869593A1 (fr) * | 1997-04-03 | 1998-10-07 | Alcatel | Laser semiconducteur à émission de surface |
| JP2002026392A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置 |
| KR100404043B1 (ko) * | 2001-10-19 | 2003-11-03 | 주식회사 비첼 | 수직으로 집적화된 고출력 면발광 반도체 레이저 장치 및그 제조 방법 |
| KR100550513B1 (ko) * | 2001-09-05 | 2006-02-13 | 히다찌 케이블 리미티드 | 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| KR100726324B1 (ko) * | 2005-12-05 | 2007-06-11 | 주식회사 레이칸 | 산화막 구경을 갖는 장파장 표면방출 레이저 소자 및 그제조방법 |
-
1992
- 1992-04-10 JP JP11819092A patent/JP2871288B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
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| US5805624A (en) * | 1996-07-30 | 1998-09-08 | Hewlett-Packard Company | Long-wavelength infra-red vertical cavity surface-emitting laser on a gallium arsenide substrate |
| EP0829934A1 (fr) * | 1996-09-13 | 1998-03-18 | Alcatel | Procédé de fabrication d'un composant optoélectronique à semiconducteur et composant et matrice de composants fabriqués selon ce procédé |
| FR2753576A1 (fr) * | 1996-09-13 | 1998-03-20 | Alsthom Cge Alcatel | Procede de fabrication d'un laser semiconducteur a emission de surface |
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