KR20190053523A - 발광소자 패키지, 광원장치 및 발광소자 패키지 제조방법 - Google Patents

발광소자 패키지, 광원장치 및 발광소자 패키지 제조방법 Download PDF

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Abstract

발명의 실시 예에 개시된 발광소자 패키지는, 형광체를 갖는 유리 재질의 파장 변환층의 제1영역 위에 접착층을 형성하는 단계; 상기 파장 변환층의 제2영역 위에 반사성 수지 재질의 몸체를 형성하는 단계; 및 상기 접착층 상에 발광소자를 부착하는 단계; 상기 몸체를 적어도 하나의 발광 소자를 갖는 패키지 크기로 다이싱하는 단계를 포함한다. 상기 발광소자는 상부에 제1 및 제2본딩부, 상기 제1 및 제2본딩부 아래에 발광 구조물, 및 상기 발광 구조물 아래에 상기 접착층에 접착된 기판을 포함하며, 상기 몸체는 상면과 하면이 관통되는 개구부를 가지며, 상기 발광소자는 상기 개구부에 배치되며, 상기 파장 변환층의 측면은 상기 몸체의 측면과 같은 수직 평면 상으로 형성될 수 있다.

Description

발광소자 패키지, 광원장치 및 발광소자 패키지 제조방법{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, LIGHTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
실시 예는 발광소자 패키지, 발광소자 패키지 제조방법, 광원 장치에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다.
한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
발광 다이오드를 갖는 패키지는 실리콘과 같은 무기물에 형광체를 분산시켜 제작한다. 그러나, 고출력 패키지의 경우 높은 광 에너지에 의해 유기물 형광체층에 크랙이 발생하는 문제가 있다.
칩 스케일 패키지의 광원으로 플립칩을 사용하는 경우, 플립칩의 측면 및 하부로 방출되는 광의 색 변환 효율의 개선이 요구되고 있다.
발명의 실시 예는 열화 및 변색이 적은 무기물의 파장 변환층을 갖는 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
발명의 실시 예는 광 효율이 개선된 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
발명의 실시 예는 발광소자 및 상기 발광소자의 둘레에 몸체를 배치하고 상기 발광소자와 몸체 상에 무기물의 파장 변환층을 배치한 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
발명의 실시 예는 발광소자와 몸체, 상기 발광소자와 파장 변환층을 접착층으로 접착시킨 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
발명의 실시 예는 균일한 색 분포를 제공할 수 있는 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법은, 형광체를 갖는 유리 재질의 파장 변환층의 제1영역 위에 접착층을 형성하는 단계; 상기 파장 변환층의 제2영역 위에 반사성 수지 재질의 몸체를 형성하는 단계; 및 상기 접착층 상에 발광소자를 부착하는 단계; 상기 몸체를 적어도 하나의 발광 소자를 갖는 패키지 크기로 다이싱하는 단계를 포함하며, 상기 발광소자는 상부에 제1 및 제2본딩부, 상기 제1 및 제2본딩부 아래에 발광 구조물, 및 상기 발광 구조물 아래에 상기 접착층에 접착된 기판을 포함하며, 상기 몸체는 상면과 하면이 관통되는 개구부를 가지며, 상기 발광소자는 상기 개구부에 배치되며, 상기 파장 변환층의 측면은 상기 몸체의 측면과 같은 수직 평면 상으로 형성될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 몸체를 형성하는 단계는, 상기 파장 변환층 상에 레지스트층을 형성하는 단계; 상기 레지스트층 중에서 상기 제1영역과 대응된 영역을 식각하는 단계; 및 상기 제1영역 상에 몸체를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 식각되지 않은 레지스트층은 제거되고 상기 접착층이 형성될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 몸체를 형성하는 단계는, 상기 파장 변환층의 제2영역 상에 상기 개구부를 갖는 몸체를 형성하거나 인쇄할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 몸체를 형성하는 단계는, 상기 접착층 상에 상기 발광소자를 부착한 다음 상기 몸체를 상기 파장 변환층의 제2영역 위에 형성하는 단계를 포함하며, 상기 몸체는 상기 접착층 및 상기 발광소자의 측면 상에 배치되며, 상기 몸체의 상부는 상기 발광소자의 상면에 연장될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 파장 변환층 상에 상기 개구부가 제1방향으로 복수로 배치되며, 상기 복수의 개구부 각각에는 상기 발광소자가 배치되며, 상기 파장 변환층의 측면은 상기 몸체의 측면과 같은 수직 평면 상에 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 하부에 제1 및 제2본딩부, 상기 제1 및 제2본딩부 상에 발광 구조물 및 기판을 포함하는 발광소자; 상기 발광소자의 둘레에 반사성 수지 재질의 몸체; 상기 발광소자와 상기 몸체 상에 파장 변환층; 및 상기 파장 변환층과 상기 발광 소자 사이, 및 상기 발광소자와 상기 몸체 사이에 접착된 접착층을 포함하며, 상기 발광 소자는 상기 파장 변환층의 제1영역과 수직 방향으로 중첩되며, 상기 몸체는 상기 파장 변환층의 제1영역 외측에 배치된 제2영역과 수직 방향으로 중첩되는 개구부를 가지며, 상기 파장 변환층은 형광체를 갖는 유리 재질로 형성되며, 상기 발광소자의 제1 및 제2본딩부는 상기 몸체의 하부로부터 노출될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 접착층은 상기 몸체와 상기 발광소자의 기판 측면 사이에 배치되며, 상기 몸체의 하부와 상기 발광 소자의 하면 사이에 노출될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 접착층은 상기 몸체와 상기 발광소자의 기판 측면 사이에 배치되며, 상기 몸체의 하부는 상기 발광소자의 하면으로 연장될 수 있다.
실시 예에 따른 광원 장치에 의하면, 복수의 프레임; 및 상기 복수의 프레임 상에 하부에 제1 및 제2본딩부가 배치된 하나 이상의 상기 발광소자 패키지를 포함하며, 상기 복수의 프레임은 도전층을 갖고 상기 제1 및 제2본딩부에 대면하는 관통홀을 가질 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 파장 변환층의 열화를 줄일 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 파장 변환층의 변색을 줄일 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 고온 및 고습 환경에 적용될 수 있는 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 고출력 패키지로 제공할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 발광소자 패키지의 제조공정을 단순화할 수 있고 공정 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 파장 변환층에서의 크랙 발생을 줄일 수 있어, 패키지의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반사율이 높은 몸체와 무기물의 파장 변환층을 제공함으로써, 반사 몸체가 변색되지 않도록 방지할 수 있어 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있는 장점이 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 발명의 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 저면도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이다.
도 4는 도 1의 발광소자 패키지의 제1변형 예이다.
도 5는 도 1의 발광소자 패키지의 제2변형 예이다.
도 6은 도 4 또는 도 5의 발광소자 패키지의 측 단면도의 예이다.
도 7 내지 도 14는 발명의 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제조과정을 나타낸 도면이다.
도 15는 발명의 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 16은 도 15의 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 17은 도 15의 발광소자 패키지의 B-B측 단면도이다.
도 18 내지 도 21은 발명의 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제조 과정을 나타낸 도면이다.
도 22는 도 21의 웨이퍼 상에서 단위 유닛의 크기를 커팅한 예를 보여주는 도면이다.
도 23은 도 22에 의해 커팅된 패키지의 예이다.
도 24는 도 3의 발광소자 패키지를 갖는 광원장치의 예이다.
도 25는 도 3의 발광소자 패키지를 갖는 광원장치의 다른 예이다.
도 27은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 갖는 램프의 예이다.
도 27은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 일 예를 설명하는 평면도이다.
도 28은 도 27에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.
발명의 실시 예는 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 발명의 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.
발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. 발명에서 소자 패키지는 반도체 소자나 자외선, 적외선 또는 가시광선의 광을 발광하는 발광소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 상기 발광소자가 적용된 패키지 또는 광원 장치에 비 발광소자 예컨대, 제너 다이오드와 같은 소자나 파장이나 열을 감시하는 센싱 소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 발광소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다.
<제1실시 예>
도 1은 발명의 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 저면도이며, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 평면도이고, 도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이며, 도 4는 도 1의 발광소자 패키지의 제1변형 예이고, 도 5는 도 1의 발광소자 패키지의 제2변형 예이며, 도 6은 도 4 또는 도 5의 발광소자 패키지의 측 단면도의 예이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 발광소자 패키지(100)는, 발광소자(151), 상기 발광소자(151)의 둘레에 몸체(120), 및 상기 몸체(120)와 상기 발광소자(151)의 위에 파장 변환층(110)을 포함한다. 발광소자 패키지(100)는 상기 몸체(120)와 상기 발광소자(151)의 사이의 영역과 상기 발광소자(151)와 상기 파장 변환층(110) 사이의 영역에 배치된 접착층(130)을 포함한다.
상기 발광소자(151)는 청색 광을 발광할 수 있다. 다른 예로서, 상기 발광소자(151)는 녹색 광 또는 적색 광을 발광할 수 있다. 다른 예로서, 상기 발광소자(151)는 자외 광을 발광할 수 있다. 상기 발광소자(151)는 자외선부터 가시광선의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있다.
상기 발광소자(151)는 상기 몸체(120) 내에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(151)는 상기 몸체(120)의 개구부(R1) 내에 배치될 수 있다. 상기 몸체(120)의 개구부(R1)는 상면과 하면이 관통되는 구멍일 수 있다.
상기 발광소자(151)는 하부에 제1 본딩부(51) 및 제2 본딩부(52)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(51,52)는 제1방향으로 서로 이격될 수 있다. 상기 제1 본딩부(51)와 상기 제2 본딩부(52)는 상기 발광소자(151)의 하부 면에서 서로 이격되고, 상기 몸체(120)의 하면에 노출될 수 있다.
상기 발광소자(151)는 발광 구조물(50)을 포함할 수 있다. 상기 발광구조물(50)은 상기 제1 및 제2본딩부(51,52) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(151)는 상기 발광 구조물(50) 위에 기판(55)을 포함할 수 있다. 상기 기판(55)은 투광 층으로서, 절연성 재질 또는 반도체 재질로 형성될 수 있다. 상기 기판(55)은 예컨대, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(55)은 표면에 요철 패턴이 형성될 수 있다. 상기 기판(55)는 제거되거나, 다른 수지 재질의 투광층이 배치될 수 있다. 상기 기판(55)은 발광소자(151)의 최상층에 배치되거나, 광 추출 층으로 기능할 수 있다.
여기서, 상기 발광소자(151)가 플립 칩으로 배치된 경우, 상기 기판(55)의 상면 및 측면을 통해 대부분의 광이 방출될 수 있다. 상기 기판(55)의 상면으로 진행하는 광은 파장 변환층(110)으로 진행할 수 있으며, 상기 기판(55)의 측면으로 진행하는 광은 반사되지 않을 경우 손실되므로 상기 몸체(120)를 통해 반사시켜 줄 수 있다. 이러한 플립칩 발광소자(151)는 상기 기판(55)의 측면으로 진행하는 광의 반사를 위해, 상기 몸체(120)와 인접한 영역에 배치될 수 있다.
상기 발광 구조물(50)은 기판(55)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 발광 구조물(50)은 상기 기판(55)이 제거될 경우, 발광소자(151)의 상부에 노출될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(50)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(50)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(50)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(50)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층은 상기 기판(55)과 상기 활성층 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층은 상기 활성층과 상기 제1,2본딩부(51,52) 사이에 배치될 수 있다.
상기 발광 구조물(50)은 상기 제1도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2도전형 반도체층의 적어도 한 층의 상면 또는/및 하면에 다른 반도체층이 더 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(51)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 본딩부(52)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 반대로, 상기 제2 본딩부(52)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 본딩부(51)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 본딩부(51)는 상기 발광 구조물(53)의 제1영역 아래에 배치될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(52)는 상기 발광 구조물(53)의 제2영역 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(51)와 상기 제2 본딩부(52)는 금속 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1,2본딩부(51,52)는 Ti, Al, Sn, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2본딩부(51,52)는 전극 또는 패드일 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(51,52)는 회로기판이나 프레임 상에 본딩될 수 있다. 상기 제1 본딩부(51) 및 상기 제2 본딩부(52)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(151)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(151)에서 발광된 빛은 파장 변환층(110)으로 제공될 수 있게 된다.
상기 제1본딩부(51)는 상기 발광소자(151)의 하면 면적의 20% 이상의 면적으로 배치되어, 방열 효율 및 본딩력을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 제2본딩부(52)는 상기 발광소자(151)의 하면 면적의 20% 이상의 면적으로 배치되어, 방열 효율 및 본딩력을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자(151)는 상기 발광 구조물(50)과 상기 제1,2본딩부(51,52) 사이에 반사층이 배치될 수 있다. 상기 반사층은 금속 또는/및 비 금속 재질로 형성될 수 있다. 상기 반사층은 상기 발광 구조물(53)로부터 발생된 광을 기판 방향으로 반사시켜 줄 수 있다. 상기 반사층은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 몸체(120)는 상기 발광소자(151)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 몸체(120)는 상기 발광소자(151)의 모든 측면의 외측에 배치될 수 있다. 상기 몸체(120)는 상면 및 하면이 개방된 개구부(R1)을 가지며, 상기 개구부(R1) 내에 상기 발광소자(151)가 배치될 수 있다. 상기 개구부(R1)의 높이 또는 깊이는 상기 몸체(120)의 두께(c)와 동일할 수 있다. 상기 개구부(R1)는 하면 면적이 상기 발광 소자(151)의 하면 면적보다 큰 면적으로 제공되어, 발광소자(151)가 삽입될 수 있다. 상기 개구부(R1)의 하면 면적은 상면 면적과 동일할 수 있다.
상기 몸체(120)의 하면은 상기 발광소자(151)의 하면과 같은 평면이거나 다른 평면일 수 있다. 상기 몸체(120)의 하면이 상기 발광소자(151)의 하면과 같은 평면인 경우, 상기 몸체(120)의 하부는 회로 기판에 밀착되어 상기 발광소자(151)의 하 방향으로 누설되는 것을 차단할 수 있다. 상기 몸체(120)의 하면이 상기 발광소자(151)의 하면보다 돌출된 경우, 상기 제1 및 제2본딩부(51,52) 아래에 배치된 본딩층 예컨대, 솔더 페이스트, Ag 페이스트, SAC(Sn-Ag-Cu) 계열의 물질을 압착 정도를 낮출 수 있어, 상기 발광소자(151)의 본딩부(51,52)와 본딩층 간의 접합 효율이 개선될 수 있다. 상기 몸체(120)의 하면이 돌출된 경우, 상기 발광소자(151)의 하면을 기준을 100 마이크로 미터(㎛) 이하로 돌출될 수 있다. 상기 몸체(120)의 하면이 상기 발광소자(151)의 본딩부(51,52)보다 낮게 배치된 경우, 발광소자(151)의 본딩부(51,52)의 정렬에 따른 간섭을 줄여줄 수 있다. 따라서, 상기 몸체(120)의 두께(c)는 상기 발광소자(151)의 두께의 ±100㎛의 범위일 수 있다. 상기 발광소자(151)의 두께는 상기 기판(55)의 상면부터 제1,2본딩부(51,52)의 하면까지의 직선 거리일 수 있다. 상기 몸체(120)의 하면 위치는 상기 발광소자(151)의 하면을 기준으로 Z 방향으로 ±90㎛의 범위에 배치될 수 있다.
상기 몸체(120)의 폭(b)은 제1방향(X) 또는/및 제2방향(Y)의 폭으로서, 상기 개구부(R1)의 외측과 상기 몸체(120)의 외측 사이의 거리일 수 있다. 상기 몸체(120)의 폭(b)은 50 마이크로 미터 이상 예컨대, 50 내지 300 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 몸체(120)의 폭(b)가 상기 범위보다 작은 경우, 광이 투과되어 광 손실이 발생될 수 있고 강성이 저하될 수 있다. 상기 몸체(120)의 폭(b)가 상기 범위보다 큰 경우 웨이퍼 상에서의 패키지 수율이 줄어들 수 있다.
상기 몸체(120)는 절연 재질 또는 수지재질일 수 있다. 상기 몸체(120)는 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 몸체(120)는 다른 예로서, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)일 수 있다. 상기 몸체(120)가 수지 재질 내부에 금속 산화물, 예로서 TiO2, SiO2, Al2O3 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 몸체(120)는 백색 재질이거나 흑색 재질일 수 있다. 상기 몸체(120)가 백색 재질인 경우, 광을 반사시켜 줄 수 있어 광 반사 효율이 개선될 수 있다. 상기 몸체(120)가 흑색 재질인 경우, 광을 흡수할 수 있어 명암도를 개선시켜 줄 수 있다. 상기 흑색 재질은 카본 블랙, 산화티탄, 산화철, 크롬, 은 미립자를 선택적으로 포함할 수 있다.
파장 변환층(110)은 상기 몸체(120)와 상기 발광소자(151) 위에 배치될 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 유기물이 아닌 무기물 재질로 형성될 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 예컨대, 유리(glass) 재질을 포함할 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 투명한 유리 재질일 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 투명한 무기물의 유리 재질일 수 있다. 차량용 램프와 같은 고출력 패키지에서는 고전류가 인가되고 높은 광 에너지를 방출하게 된다. 이러한 높은 광 에너지를 장시간 조사할 경우, 실리콘과 같은 유기물로 형성된 파장 변환층(110)은 크랙이나 색이 변화되는 문제가 발생될 수 있다. 발명의 실시 예는 유리 분말과 같은 무기물을 소결하여 제작하므로 유기물에 비해 높은 광 에너지를 잘 견딜 수 있다.
상기 파장 변환층(110)은 유리 재질이므로, 고온 및 장 시간 동안 사용하더라도, 열화 및 변색이 적어, 고출력 및 고효율의 층으로 제공될 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 투광성 유리 재질이므로, 에폭시나 실리콘 재질에 비해 광투과율이 저하되지 않을 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 기포를 제거하여, 기포로 인한 광 효율의 저하를 방지할 수 있고 크랙 발생을 발생할 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 투광성 유리 재질에 형광체를 균일하게 분포시켜 줄 수 있어, 파장 변환 효율이 개선될 수 있고 색 좌표 분포가 개선될 수 있다.
상기 파장 변환층(110)은 내부에 확산제나 형광체와 같은 불순물을 포함할 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 형광체나 양자점 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 형광체나 양자점은 상기 발광소자(151)에서 방출된 광을 흡수하여 장 파장으로 여기하여 방출하게 된다. 상기 파장 변환층(110)은 청색, 황색, 녹색, 적색의 광을 발광할 수 있다. 상기 형광체는 녹색 형광체, 적색 형광체, 황색 형광체 및 청색 형광체 중 적어도 한 종류 또는 두 종류를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 YAG계, TAG계, Silicate계, Sulfide계 또는 Nitride계 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 상기 발광소자(151)의 일부 광과 상기 형광체에 의해 파장 변환된 일부 광이 혼색되어, 타켓 광을 방출할 수 있다. 상기 타켓 광은 백색 광일 수 있다. 상기 타켓 광은 녹색, 청색 또는 적색 광일 수 있다.
상기 파장 변환층(110)은 수평한 하면과 수평한 상면을 가질 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 상면과 하면이 평행할 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 상기 발광소자(151)와 수직 방향으로 중첩되는 제1영역(a1)과, 상기 몸체(120)와 수직 방향으로 중첩되는 제2영역(a2)을 포함하며, 상기 파장 변환층(110)의 제1영역(a1)과 상기 제2영역(a2)은 동일한 두께(a)를 가질 수 있다. 상기 제2영역(a2)은 상기 제1영역(a1)의 외측 둘레에 배치될 수 있다.
상기 파장 변환층(110)의 두께(a)는 300 마이크로 미터 이하 예컨대, 3 내지 300 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 파장 변환층(110)의 두께(a)가 상기 범위보다 큰 경우 파장 변환 효율의 개선이 미미할 수 있고 다이싱(dicing) 공정이 어려울 수 있고 패키지 두께가 증가되거나 재료가 낭비될 수 있다. 상기 파장 변환층(110)의 두께(a)가 상기 범위보다 작은 경우 파장 변환 효율이 저하될 수 있고 핸들링이 어려울 수 있으며 강성 저하가 발생될 수 있다.
상기 파장 변환층(110)의 하면 면적은 상면 면적과 동일할 수 있다. 상기 파장 변환층(110)의 하면 면적은 상기 발광소자(151)의 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 파장 변환층(110)의 상면 면적은 상기 발광소자(151)의 하면 면적 및 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 파장 변환층(110)의 제1방향의 너비는 상기 발광소자(151)의 제1방향의 너비보다 클 수 있다. 상기 파장 변환층(110)의 제2방향의 너비는 상기 발광소자(151)의 제2방향의 너비보다 클 수 있다. 상기 파장 변환층(110)의 너비는 상면 및 하면이 제1 및 제2방향으로 상기 발광소자(151)의 상면 및 하면의 너비보다 클 수 있다. 이러한 파장 변환층(110)은 상기 발광소자(151)의 영역보다 큰 영역으로 배치되므로, 상기 발광소자(151)의 영역을 벗어난 광들도 파장 변환하여 방출할 수 있다.
상기 파장 변환층(110)의 상면 및 하면 중 적어도 하나 또는 모두에는 광 추출 구조가 형성될 수 있다. 상기 광 추출 구조는 오목한 부분과 볼록한 부분이 교대로 배치된 구조이거나, 러프한 돌기들이 배치될 수 있다.
접착층(130)은 상기 파장 변환층(110)과 상기 발광소자(151) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착층(130)은 상기 발광소자(151)와 상기 몸체(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착층(130)의 제1부는 상기 파장 변환층(110)의 제1영역 아래에 배치되고, 제2부는 상기 제1부로부터 상기 발광소자(151)와 상기 몸체(120) 사이의 영역으로 연장될 수 있다.
상기 접착층(130)은 투명한 수지 재질일 수 있다. 상기 접착층(130)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질일 수 있다. 상기 접착층(130)은 유기물 재질일 수 있다. 상기 접착층(130)의 두께(e)는 50 마이크로 미터 이하 예컨대, 2 내지 50 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 접착층(130)의 두께(e)가 상기 범위보다 큰 경우 접착력의 개선보다는 광 손실율이 더 증가될 수 있고 상기 범위보다 작은 경우 접착력의 개선이 저하될 수 있다. 상기 접착층(130)은 상기 발광소자(151)의 상부에 배치된 투광성 재질의 기판(55)의 상면 및 측면에 접촉되어, 상기 기판(55)의 측 방향으로 진행하는 광의 손실을 줄여줄 수 있다.
상기 접착층(130)은 상기 발광소자(151)의 상면과 측면을 상기 파장 변환층(110)과 상기 몸체(120)에 접착시켜 줄 수 있다. 상기 접착층(130)의 하단부(Ra)는 상기 파장 변환층(110)의 방향으로 오목한 곡면이거나, 그 반대 방향으로 볼록한 곡면일 수 있다. 상기 접착층(130)의 하단부(Ra)는 상기 몸체(120)의 하면과 같거나 상기 몸체(120)의 하면과 이격되게 배치될 수 있다.
상기 파장 변환층(110)의 제1영역(a1)은 상기 접착층(130)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 상기 접착층(130)을 통해 입사되거나 반사된 광을 파장 변환할 수 있다.
상기 몸체(120)의 개구부(R1)는 상기 발광소자(151)의 개수와 동일할 수 있다. 상기 개구부(R1)의 바텀 뷰 형상은 상기 발광소자(151)의 바닥 면에서 외곽 형상과 동일할 수 있다. 상기 개구부(R1)의 바닥 면적은 상기 발광소자(151)의 하면 면적 또는 상면 면적보다 클 수 있다. 발명의 실시 예는 상기 파장 변환층(110)의 제2영역(a2) 아래에 몸체(120)를 배치하고, 상기 제1영역(a1) 아래에 발광소자(151)를 접착층(130)으로 접착시켜 줄 수 있다. 이에 따라 발광소자(151)의 측 방향에서 몸체(120)로 광을 반사시키고 업(up) 방향에서 발광소자(151)의 상면 면적보다 큰 면적을 갖고 광의 파장을 변환시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예는 플립 칩 타입의 발광소자(151)의 측면에 개구부(R1)를 갖는 몸체(120)를 배치하고 상기 몸체(120)와 상기 발광소자(151) 상부에 유리 재질의 파장 변환층(110)을 배치하여, 열화 및 변색이 적은 고출력 및 고효율의 패키지로 제공할 수 있다. 발명의 실시 예에 따르면, 발광소자 패키지(100)에서 파장 변환층(110)의 크랙 발생을 줄여, 패키지의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. 발명의 실시 예에 의하면, 발광소자 패키지(100)를 고온 및 장시간 사용하더라도, 파장 변환층(110)의 열화 현상이나 변색이 없이 고출력 패키지에서의 성능 저하를 방지할 수 있다.
도 4 내지 도 6은 도 1 내지 도 3의 발광소자 패키지의 변형 예이다. 상기 변형 예를 설명함에 있어서, 상기의 구성과 동일한 부분은 중복 설명은 생략하고 선택적으로 적용할 수 있다.
도 4 및 도 6을 참조하면, 발광소자 패키지는 파장 변환층(110) 아래에 복수의 발광소자(151,153)가 배치될 수 있다. 상기 복수의 발광소자(151,153)는 제1방향으로 배치될 수 있다. 상기 복수의 발광소자(151,153)의 외측에는 몸체(120)가 배치될 수 있다. 상기 몸체(120)는 상기 각 발광소자(151)의 측면 외측에 배치되어, 상기 발광소자(151)로부터 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 몸체(120)는 제1방향으로 배치된 복수의 개구부(R1,R2)를 포함하여, 상기 각 개구부(R1,R2)에 상기 발광소자(151)가 배치될 수 있다.
상기 접착층(130)은 상기 몸체(120)와 상기 발광소자(151,153) 사이, 상기 파장 변환층(110)과 상기 발광소자(151,153) 사이에 접착될 수 있다. 상기 제1방향으로 배열된 복수의 발광소자(151,153)는 상기 파장 변환층(110) 아래에 2개 이상 또는 3개 이상일 수 있다. 상기 2개 또는 3개 이상의 발광소자(151)는 동일한 컬러를 발광할 수 있으며, 또는 동일한 컬러 내에서 동일한 피크 파장을 갖는 소자들이 배치되거나 서로 다른 피크 파장을 갖는 소자들이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자(151,153)들 중 적어도 하나는 다른 랭크를 갖게 되므로 발광소자(151)의 사용 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
도 5 및 도 6과 같이, 발광소자 패키지는 파장 변환층(110) 아래에 복수의 발광소자(151,153,155,157)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자(151,153,155,157)는 제1방향 및 제2방향으로 복수로 배치될 수 있다. 상기 발광소자(151)는 N행과 M열로 배치될 수 있고, 상기 N과 M은 2이상일 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 유리 재질로서, 도 1 내지 도 3의 설명을 참조하기로 한다. 상기 몸체(120)의 재질 및 상기 접착층(130)의 재질은 도 1 내지 도 3의 설명을 참조하기로 한다.
도 4 내지 도 6과 같이, 상기 복수의 발광소자(151,153)는 하부에 제1,2본딩부(51,52)를 갖고 회로 기판에 연결될 수 있고, 직렬로 구동되거나 병렬로 구동될 수 있다. 상기 파장 변환층(110)의 하면 면적은 상기 복수의 발광소자(151,153)의 상면 면적의 합보다 큰 면적으로 제공될 수 있고, 무기물 재질로 제공되어, 파장 변환층(110)의 열화 및 변색이 적을 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자(151)의 측면 광을 반사시켜 주어, 타켓 광으로의 변환 효율을 증가시켜 줄 수 있고 광 추출 효율의 저하를 방지할 수 있다.
도 7 내지 도 14는 발명의 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조 과정을 설명한 도면이다. 도 7 내지 도 14를 설명함에 있어서, 상기의 구성과 동일한 부분은 상기의 구성을 선택적으로 적용하기로 한다. 상기 도 7 내지 도 14에서 (a)는 평면도 상에서 본 도면이며, (b)는 (a)의 부분 측 단면도를 나타낸다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 파장 변환층(110)으로 이루어진 웨이퍼(Wafer) 상에 레지스트층(112)을 형성하게 된다. 여기서, 상기 웨이퍼는 유리 재질 내에 형광체를 갖는 층 또는 필름으로 제공될 수 있다. 상기 웨이퍼는 도 2의 파장 변환층(110)의 두께(a)와 동일한 두께로 제공될 수 있다. 상기 레지스트층(110)은 상기 웨이퍼의 상면 전체에 형성되며, 포토 레지스트(PR: Photo resist) 재질로 형성될 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 레지스트층(112)이 형성되면, 상기 레지스트층(112)을 마스크 패턴을 이용하여 식각한 후 패턴을 제공한다. 상기 레지스트층(112)의 패턴은 제1방향과 제2방향으로 분리될 수 있다. 상기 식각 공정은 건식 또는/및 습식 식각을 이용할 수 있다. 상기 레지스트층(112)의 패턴의 각 영역은 도 1에서의 개구부(R1)의 크기일 수 있다. 상기 레지스트층(112)의 패턴 둘레에는 상기 웨이퍼인 파장 변환층(110)가 노출될 수 있다. 상기 식각된 영역은 발광 소자가 배치되는 제1영역일 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 레지스트층(112)의 패턴의 외측 즉, 제2영역 상에 몸체(125)가 형성될 수 있다. 상기 몸체(125)는 도 1의 몸체(110)과 동일한 재질일 수 있다. 상기 몸체(125)는 상기 레지스트층(112)의 외측 및 상기 웨이퍼 상에 형성될 수 있다. 상기 몸체(125)은 인쇄 또는 스크린 프린트 방식으로 형성될 수 있다. 상기 몸체(125)는 디스펜싱 방식으로 제공될 수 있다. 상기 몸체(125)의 재질은 수지 재질로서, 백색 수지이거나 흑색 수지 재질일 수 있다. 상기 몸체(125)의 재질은 실리콘 또는 에폭시와 같은 재질에 금속 산화물이 첨가된 층일 수 있으며, 상기의 몸체일 수 있다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 상기 몸체(125)가 형성되면, 상기 레지스트층(112)의 패턴을 제거한다. 상기 레지스트층(112)의 패턴 제거는 건식 식각 또는/및습식 식각 공정을 이용할 수 있다. 이에 따라 상기 몸체(125)은 매트릭스 형태로 배열된 복수의 개구부(R1)가 형성되며, 상기 복수의 개구부(R1)를 통해 상기 웨이퍼인 파장 변환층(110)이 노출될 수 있다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 상기 몸체(125)의 각 개구부(R1)에는 접착층(135)이 형성될 수 있다. 상기 접착층(135)은 디스펜싱 공정으로 각 개구부에 도포될 수 있다. 상기 접착층(135)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 투명한 수지 재질일 수 있다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 상기 몸체(125)의 각 개구부(R1)에 접착층(135)가 형성되면, 상기 각 개구부(R1)에 발광소자(151)를 배치하여, 상기 발광소자(151)를 접착층(135)에 접착시켜 줄 수 있다. 이러한 접착층(135)은 상기 발광소자(151)를 가압시켜 접착할 때, 상기 발광소자(151)의 측면으로 연장되어, 상기 발광소자(151)의 측면과 상기 몸체(125) 사이의 영역으로 연장될 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자(151)의 상면 및 측면에 접착층(135)이 배치될 수 있다. 상기 발광소자(151)은 상기 파장 변환층(110)의 제1영역 상에 배치될 수 있다.
상기 발광소자(151)는 도 3의 발광소자(151)를 180도 방향으로 뒤집은 구조로서, 상부에 제1,2본딩부(51,52)가 배치되고 하부에 발광 구조물 및 기판이 배치된 구성이다. 상기 발광소자(151)의 제1,2본딩부(51,52)는 상부에 노출된 구조이며, 상기 몸체(125)의 상면보다 더 돌출될 수 있다.
도 13 및 도 14을 참조하면, 발광소자(151)에 접착된 접착층(135)을 경화한 다음, 상기 발광소자(151)를 갖는 패키지 단위(unit)로 다이싱(dicing)하게 된다. 이때 상기 다이싱은 커팅 라인(CL1,CL2)을 따라 상기 몸체(125)부터 상기 웨이퍼인 파장 변환층(110)의 하면까지 커팅하여 개별 패키지 크기로 제공될 수 있다. 여기서, 상기 다이싱 공정시 상기 패키지 크기를 1개의 발광소자(151)를 갖는 패키지, 2개 또는 그 이상의 발광소자(151)를 갖는 패키지 단위로 다이싱할 수 있다. 이에 따라 도 1, 도 3 또는 도 5와 같은 패키지가 제공될 수 있다.
발명의 실시 예는 파장 변환층(110)으로 이루어진 웨이퍼 상에 몸체(125)을 형성하여 개구부(R1)를 배열한 다음, 상기 개구부(R1)에 접착층(135)를 도포하고 상기 발광소자(151)를 각 개구부(R1)에 부착시켜 주고 패키지 크기로 다이싱할 수 있다. 이에 따라 발광소자(151)의 측면 방향으로 반사성 수지 재질의 몸체(125)가 배치될 수 있고, 상기 발광소자(151) 및 상기 몸체(125)의 상부 방향 또는 웨이퍼 방향으로 상기 파장 변환층(110)이 배치될 수 있다. 이러한 패키지는 도 1 내지 도 6과 같은 패키지로 제공되어, 유리 재질의 파장 변환층(110)을 갖고 열화 및 변색이 적은 광원으로 제공할 수 있다.
발광소자 패키지의 제조 과정의 다른 예로서, 도 7과 도 11 내지 도 14를 참조한다.
도 7 및 도 11를 참조하면, 파장 변환층(110)으로 이루어진 웨이퍼 상에 개구부(R1)가 배치된 몸체(125)을 형성하게 된다. 상기 몸체(125)은 사출 성형을 통해 개구부(R1)를 갖고 상기 웨이퍼 상에 형성될 수 있다. 상기 개구부(R1)에는 상기 웨이퍼가 노출될 수 있다.
상기 몸체(125)의 사출 성형 공정은 상기 웨이퍼 상에 상기 개구부(R1)를 제외한 영역에 몸체 재질을 주입하여 형성될 수 있으며, 상기 몸체 재질은 실리콘, 에폭시 또는 실리콘 몰딩 컴파운드, 또는 에폭시 몰딩 컴파운드 재질일 수 있다. 상기 몸체(125)은 반사성 수지 재질로 형성될 수 있다.
도 11 및 도 12와 같이, 상기 몸체(125)의 개구부(R1)에는 접착층(135)이 형성될 수 있다. 상기 접착층(135)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투명 재질로서, 디스펜싱 공정을 통해 상기 각 개구부(R1)에 형성될 수 있다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 상기 몸체(125)의 각 개구부(R1)에 접착층(135)이 형성되면, 상기 각 개구부(R1)에 발광소자(151)를 배치하여, 상기 발광소자(151)를 접착층(135)에 접착시켜 줄 수 있다. 이러한 접착층(135)은 상기 발광소자(151)를 가압시켜 접착할 때, 상기 발광소자(151)의 측면으로 연장되어, 상기 발광소자(151)의 측면과 상기 몸체(125) 사이의 영역으로 연장될 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자(151)의 상면 및 측면에 접착층(135)이 배치될 수 있다.
상기 발광소자(151)는 도 3의 발광소자(151)를 180도 방향으로 뒤집은 구조로서, 상부에 제1,2본딩부(51,52)가 배치되고 하부에 발광 구조물 및 기판이 배치된 구성이다. 상기 발광소자(151)의 제1,2본딩부(51,52)는 상부에 노출된 구조이며, 상기 몸체(120)의 상면보다 더 돌출될 수 있다.
도 13 및 도 14을 참조하면, 발광소자(151)에 접착된 접착층(135)을 경화한 다음, 상기 발광소자(151)를 갖는 패키지 단위로 다이싱하게 된다. 이때 상기 다이싱은 커팅 라인(CL1,CL2)을 따라 상기 몸체(125)부터 상기 웨이퍼의 하면까지 커팅하여 개별 패키지 크기로 제공될 수 있다. 여기서, 상기 다이싱 공정시 상기 패키지 크기를 1개의 발광소자(151)를 갖는 패키지, 2개 또는 그 이상의 발광소자(151)를 갖는 패키지 단위로 다이싱할 수 있다. 이에 따라 도 3 및 도 5와 같은 패키지가 제공될 수 있다.
발명의 실시 예는 파장 변환층(110)으로 이루어진 웨이퍼 상에 몸체(125)를 포토 레지스트층을 이용하여 인쇄하거나, 사출 성형을 통해 형성하여 개구부(R1)를 배열한 다음, 상기 개구부(R1)에 접착층(135)을 도포하고 상기 발광소자(151)를 각 개구부(R1)에 부착시켜 주고 소정 패키지 크기로 다이싱할 수 있다. 이에 따라 발광소자(151)의 측면 방향으로 반사성 수지 재질의 몸체(125)이 배치될 수 있고, 상기 발광소자(151) 및 상기 몸체(125)의 상부 방향 또는 웨이퍼 방향으로 상기 파장 변환층(110)이 배치될 수 있다. 이러한 패키지는 도 1 내지 도 6과 같은 패키지로 제공되어, 유리 재질의 파장 변환층(110)을 갖고 열화 및 변색이 적은 광원으로 제공할 수 있다.
<제2실시 예>
도 15 내지 도 17은 발명의 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 15 내지 도 17을 참조하면, 발광소자 패키지(101)는, 발광소자(151), 상기 발광소자(151)의 둘레에 몸체(120), 및 상기 몸체(120)와 상기 발광소자(151) 위에 파장 변환층(110)을 포함한다. 상기 발광소자 패키지(101)는 상기 몸체(120)와 상기 발광소자(151)의 사이의 영역과 상기 발광소자(151)와 상기 파장 변환층(110) 사이의 영역에 배치된 접착층(130)을 포함한다.
상기 발광소자(151)는 청색 광을 발광할 수 있다. 다른 예로서, 상기 발광소자(151)는 녹색 광 또는 적색 광을 발광할 수 있다. 다른 예로서, 상기 발광소자(151)는 자외 광을 발광할 수 있다. 상기 발광소자(151)는 자외선부터 가시광선의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있다.
상기 발광소자(151)는 상기 몸체(120) 내에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(151)는 상기 몸체(120) 내에 임베디드(embedded)된 구조로 배치될 수 있다.
상기 발광소자(151)는 하부에 제1 본딩부(51) 및 제2 본딩부(52)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(51,52)는 제1방향으로 서로 이격될 수 있다. 상기 제1 본딩부(51)와 상기 제2 본딩부(52)는 상기 발광소자(151)의 하부 면에서 서로 이격되고, 상기 몸체(120)의 하면에 노출될 수 있다.
상기 발광소자(151)는 발광 구조물(50)을 포함할 수 있다. 상기 발광구조물(50)은 상기 제1 및 제2본딩부(51,52) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(151)는 상기 발광 구조물(50) 위에 기판(55)을 포함할 수 있다. 상기 기판(55)은 투광 층으로서, 절연성 재질 또는 반도체 재질로 형성될 수 있다. 상기 기판(55)은 예컨대, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(55)은 표면에 요철 패턴이 형성될 수 있다. 상기 기판(55)는 제거되거나, 다른 수지 재질의 투광층이 배치될 수 있다. 상기 기판(55)은 발광소자(151)의 최상층에 배치되거나, 광 추출 층으로 기능할 수 있다.
여기서, 상기 발광소자(151)가 플립 칩으로 배치된 경우, 상기 기판(55)의 상면 및 측면을 통해 대부분의 광이 방출될 수 있다. 상기 기판(55)의 상면으로 진행하는 광은 파장 변환층(110)으로 진행할 수 있으며, 상기 기판(55)의 측면으로 진행하는 광은 반사되지 않을 경우 손실되므로 상기 몸체(120)을 통해 반사시켜 줄 수 있다. 이러한 플립칩 발광소자(151)는 상기 기판(55)의 측면으로 진행하는 광의 반사를 위해, 상기 몸체(120)와 인접한 영역에 배치될 수 있다.
상기 발광 구조물(50)은 기판(55)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 발광 구조물(50)은 상기 기판(55)이 제거될 경우, 발광소자(151)의 상부에 노출될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(50)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(50)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(50)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(55)는 제1실시 예의 설명을 참조하기로 한다.
상기 제1 본딩부(51)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 본딩부(52)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 반대로, 상기 제2 본딩부(52)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 본딩부(51)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 본딩부(51)는 상기 발광 구조물(53)의 제1영역 아래에 배치될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(52)는 상기 발광 구조물(53)의 제2영역 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(51)와 상기 제2 본딩부(52)는 금속 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1,2본딩부(51,52)는 Ti, Al, Sn, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2본딩부(51,52)는 전극 또는 패드일 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(51,52)는 회로기판이나 프레임 상에 본딩될 수 있다. 상기 제1 본딩부(51) 및 상기 제2 본딩부(52)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(151)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(151)에서 발광된 빛은 파장 변환층(110)으로 제공될 수 있게 된다.
상기 제1본딩부(51)는 상기 발광소자(151)의 하면 면적의 20% 이상의 면적으로 배치되어, 방열 효율 및 본딩력을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 제2본딩부(52)는 상기 발광소자(151)의 하면 면적의 20% 이상의 면적으로 배치되어, 방열 효율 및 본딩력을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자(151)는 상기 발광 구조물(50)과 상기 제1,2본딩부(51,52) 사이에 반사층이 배치될 수 있다. 상기 반사층은 금속 또는/및 비 금속 재질로 형성될 수 있다. 상기 반사층은 상기 발광 구조물(53)로부터 발생된 광을 기판 방향으로 반사시켜 줄 수 있다. 상기 반사층은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 몸체(120)는 상기 발광소자(151)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 몸체(120)는 상기 발광소자(151)의 모든 측면의 외측에 배치될 수 있다. 상기 몸체(120)는 상면 및 하면이 개방된 개구부를 가지며, 상기 개구부 내에 상기 발광소자(151)가 배치될 수 있다. 상기 개구부는 상면 면적이 하면 면적보다 클 수 있다.
상기 몸체(120)의 하면은 상기 발광소자(151)의 하면과 같은 평면이거나 다른 평면일 수 있다. 상기 몸체(120)의 하면이 상기 발광소자(151)의 하면과 같은 경우, 상기 몸체(120)의 하부는 회로 기판에 밀착되어 상기 발광소자(151)의 하 방향으로 누설되는 것을 차단할 수 있다. 상기 몸체(120)의 하면이 상기 발광소자(151)의 하면보다 돌출된 경우, 상기 제1 및 제2본딩부(51,52) 아래에 배치된 접합 부재 예컨대, 솔더 페이스트, Ag 페이스트, SAC(Sn-Ag-Cu) 계열의 물질을 압착 정도를 낮출 수 있어, 상기 발광소자(151)의 본딩부(51,52)와 본딩층 간의 접합 효율이 개선될 수 있다. 상기 몸체(120)의 하면이 돌출된 경우, 상기 발광소자(151)의 하면을 기준을 100 마이크로 미터 이하로 돌출될 수 있다. 상기 몸체(120)의 하면이 상기 발광소자(151)의 본딩부(51,52)보다 낮게 배치된 경우, 발광소자(151)의 본딩부(51,52)의 정렬에 따른 간섭을 줄여줄 수 있다. 따라서, 상기 몸체(120)의 두께(c)는 상기 발광소자(151)의 두께의 ±100㎛의 범위일 수 있다. 상기 몸체(120)의 하면은 상기 발광소자(151)의 하면을 기준으로 ±90㎛의 범위일 수 있다.
상기 발광소자(151)와 상기 몸체(120)의 측면 사이의 거리(d1)는 50 마이크로 미터 이상 예컨대, 50 내지 300 마이크로 미터의 범위로 배치될 수 있다. 상기 거리(d1)는 몸체(120)의 폭으로서, 상기 범위보다 작은 경우 광 투과 손실 및 강성 저하가 발생될 수 있고 상기 범위보다 큰 경우 반사 효율의 개선이 미미할 수 있고 패키지 제조 수율이 줄어들 수 있다.
상기 몸체(120)는 절연 재질 또는 수지재질일 수 있다. 상기 몸체(120)는 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 몸체(120)는 다른 예로서, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)일 수 있다. 상기 몸체(120)가 수지 재질 내부에 금속 산화물, 예로서 TiO2, SiO2, Al2O3 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 몸체(120)는 백색 재질이거나 흑색 재질일 수 있다. 상기 몸체(120)가 백색 재질인 경우, 광을 반사시켜 줄 수 있어 광 반사 효율이 개선될 수 있다. 상기 몸체(120)가 흑색 재질인 경우, 광을 흡수할 수 있어 명암도를 개선시켜 줄 수 있다. 상기 흑색 재질은 카본 블랙, 산화티탄, 산화철, 크롬, 은 미립자를 선택적으로 포함할 수 있다.
파장 변환층(110)은 상기 몸체(120)와 상기 발광소자(151) 위에 배치될 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 유기물이 아닌 무기물 재질로 형성될 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 예컨대, 유리(glass) 재질을 포함할 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 투명한 유리 재질일 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 투명한 무기물의 유리 재질일 수 있다. 차량용 램프와 같은 고출력 패키지에서는 고전류가 인가되고 높은 광 에너지를 방출하게 된다. 이러한 높은 광 에너지를 장시간 조사할 경우, 실리콘과 같은 유기물로 형성된 파장 변환층(110)은 크랙이나 색이 변화되는 문제가 발생될 수 있다. 발명의 실시 예는 유리 분말과 같은 무기물을 소결하여 제작하므로 유기물에 비해 높은 광 에너지를 잘 견딜 수 있다.
상기 파장 변환층(110)은 유리 재질이므로, 고온 및 장 시간 동안 사용하더라도, 열화 및 변색이 적어, 고출력 및 고효율의 층으로 제공될 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 투광성 유리 재질이므로, 에폭시나 실리콘 재질에 비해 광투과율이 저하되지 않을 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 기포를 제거하여, 기로로 인한 광 효율의 저하를 방지할 수 있고 크랙 발생을 발생할 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 투광성 유리 재질에 형광체를 균일하게 분포시켜 줄 수 있어, 파장 변환 효율이 개선될 수 있고 색 좌표 분포가 개선될 수 있다.
상기 파장 변환층(110)은 내부에 확산제나 형광체와 같은 불순물을 포함할 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 형광체나 양자점 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 형광체나 양자점은 상기 발광소자(151)에서 방출된 광을 흡수하여 장 파장으로 여기하여 방출하게 된다. 상기 파장 변환층(110)은 청색, 황색, 녹색, 적색의 광을 발광할 수 있다. 상기 형광체는 녹색 형광체, 적색 형광체, 황색 형광체 및 청색 형광체 중 적어도 한 종류 또는 두 종류를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 YAG계, TAG계, Silicate계, Sulfide계 또는 Nitride계 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 파장 변환층(110)은 상기 발광소자(151)의 일부 광과 상기 형광체에 의해 파장 변환된 일부 광이 혼색되어, 타켓 광을 방출할 수 있다. 상기 타켓 광은 백색 광일 수 있다.
상기 파장 변환층(110)은 수평한 하면과 수평한 상면을 가질 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 상면과 하면이 평행할 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 상기 발광소자(151)와 수직 방향으로 중첩되는 제1영역과, 상기 몸체(120)와 수직 방향으로 중첩되는 제2영역을 포함하며, 상기 제1영역과 상기 제2영역은 동일한 두께를 가질 수 있다. 상기 제2영역은 상기 제1영역의 외측 둘레에 배치될 수 있다.
상기 파장 변환층(110)의 두께(a)는 300 마이크로 미터 이하 예컨대, 3 내지 300 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 파장 변환층(110)의 두께(a)가 상기 범위보다 큰 경우 파장 변환 효율의 개선이 미미할 수 있고 다이싱 공정이 어려울 수 있고 패키지 두께가 증가되거나 재료가 낭비될 수 있다. 상기 파장 변환층(110)의 두께(a)가 상기 범위보다 작은 경우 파장 변환 효율이 저하될 수 있고 핸들링이 어려울 수 있으며 강성 저하가 발생될 수 있다.
상기 파장 변환층(110)의 하면 면적은 상기 발광소자(151)의 상면면적보다 크다. 상기 파장 변환층(110)의 상면 면적은 상기 발광소자(151)의 하면 면적 및 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 파장 변환층(110)의 제1방향의 너비는 상기 발광소자(151)의 제1방향의 너비보다 클 수 있다. 상기 파장 변환층(110)의 제2방향의 너비는 상기 발광소자(151)의 제2방향의 너비보다 클 수 있다. 상기 파장 변환층(110)의 너비는 상면 및 하면이 제1 및 제2방향으로 상기 발광소자(151)의 상면 및 하면의 너비보다 클 수 있다. 이러한 파장 변환층(110)은 상기 발광소자(151)의 영역보다 큰 영역으로 배치되므로, 상기 발광소자(151)의 영역을 벗어난 광들도 파장 변환하여 방출할 수 있다.
상기 파장 변환층(110)의 상면 및 하면 중 적어도 하나 또는 모두에는 광 추출 구조가 형성될 수 있다. 상기 광 추출 구조는 오목한 부분과 볼록한 부분이 교대로 배치된 구조이거나, 러프한 돌기들이 배치될 수 있다.
접착층(130)은 상기 파장 변환층(110)과 상기 발광소자(151) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착층(130)은 상기 발광소자(151)와 상기 몸체(120) 사이의 일부 영역에 배치될 수 있다. 상기 접착층(130)의 제1부는 상기 파장 변환층(110)의 제1영역 아래에 배치되고, 제2부는 상기 제1부로부터 상기 발광소자(151)와 상기 몸체(120) 사이의 영역으로 연장될 수 있다.
상기 접착층(130)의 상면 면적은 상기 발광소자(151)의 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 접착층(130)의 외 측면(Re2)은 상기 발광소자(151)의 하면 방향으로 갈수록 상기 발광소자(151)의 측면과의 간격이 좁아질 수 있다. 상기 접착층(130)의 외 측면(Re2)은 상기 기판(55)의 측면과 대응되는 영역이 상기 발광소자(151)의 하면으로 갈수록 상기 발광소자(151)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 접착층(130)의 하단부(Re1)는 상기 발광 구조물(50)의 하단보다 상기 기판 하면에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 접착층(130)의 하단부(Re1)는 상기 발광소자(151)의 하단으로부터 이격될 수 있다. 상기 접착층(130)의 하단부(Re1)는 상기 발광 구조물(50)에 접촉되거나 비 접촉될 수 있다.
상기 접착층(130)의 외 측면(Re2)은 경사진 면이거나 곡면 또는 각진 면일 수 있다. 상기 접착층(130)의 외 측면(Re2)의 경사진 각도는 상기 기판(55)의 각 측면을 기준으로 45도 이하 예컨대, 30도 이하일 수 있다. 상기 접착층(130)의 외 측면(Re2)은 상단 및 하단부를 연결한 직선이 상기 발광소자(151)의 기판(55)의 측면에 대해 경사진 각도로 제공됨으로써, 상기 기판(55)을 통해 측 방향으로 방출된 광을 파장 변환층(110)으로 반사시켜 줄 수 있다.
상기 접착층(130)은 투명한 수지 재질일 수 있다. 상기 접착층(130)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질일 수 있다. 상기 접착층(130)은 유기물 재질일 수 있다. 상기 발광 소자(151)과 파장 변환층(11) 사이에 배치된 접착층(130)의 두께(e)는 50 마이크로 미터 이하 예컨대, 2 내지 50 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 접착층(130)의 두께(e)가 상기 범위보다 큰 경우 접착력의 개선보다는 광 손실율이 더 증가될 수 있고 상기 범위보다 작은 경우 접착력의 개선이 저하될 수 있다. 상기 접착층(130)은 상기 발광소자(151)의 상부에 배치된 투광성 재질의 기판(55)의 상면 및 측면에 접촉되어, 광 손실을 줄여줄 수 있다. 상기 접착층(130)은 상기 발광소자(151)의 상면과 측면을 상기 파장 변환층(110)과 상기 몸체(120)에 접착시켜 줄 수 있다. 상기 접착층(130)의 하단부는 상기 몸체(120)의 하면에 노출되지 않고 상기 몸체(120)의 하면으로부터 이격될 수 있다.
상기 접착층(130)의 하단부(Re1)는 상기 몸체(120)의 하면과 같거나 상기 몸체(120)의 하면과 이격되게 배치될 수 있다. 상기 파장 변환층(110)의 제1영역(a1)은 상기 접착층(130)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 파장 변환층(110)은 상기 접착층(130)을 통해 입사되거나 반사된 광을 파장 변환할 수 있다. 상기 파장 변환층(110)의 제2영역(a2)은 상기 몸체(120)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다.
상기 접착층(120)의 상면 외곽은 상기 발광소자(151)의 측면으로부터 소정 거리의 폭(d)으로 형성될 수 있다. 상기 폭(d)은 200 마이크로 미터 이하 예컨대, 1 내지 200 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 폭(d)가 상기 범위보다 큰 경우 상기 몸체(110)과 파장 변환층(120) 사이의 영역 간의 폭이 줄어들어 광이 누설될 수 있다.
상기 몸체(120)의 개구부는 상기 발광소자(151)의 개수와 동일할 수 있다. 상기 몸체(120)는 상기 발광소자(151)의 측면과 대면할 수 있다. 상기 몸체(120)의 일부는 상기 발광소자(151)의 측면에 접촉될 수 있다. 상기 몸체(120)의 일부는 상기 발광 구조물(50)의 측면에 접촉되거나 제1방향으로 대면하게 배치될 수 있다. 상기 몸체(120)의 하부는 상기 발광소자(151)의 하면과 제3방향으로 대면하거나 접촉될 수 있다. 상기 몸체(120)의 하부는 상기 제1,2본딩부(51,52)에 접촉되거나 제1방향으로 대면하게 배치될 수 있다. 상기 몸체(120)의 하부가 상기 발광소자(151)의 하부에 배치됨으로써, 상기 제1,2본딩부(51,52)의 둘레를 감싸고 상기 제1,2본딩부(51,52)의 외측으로 누설된 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 몸체(120)의 하부는 상기 제1,2본딩부(51,52) 사이의 분리 영역에 배치될 수 있다.
상기 몸체(120)의 하면은 상기 제1,2본딩부(51,52)의 하면과 같은 평면에 배치될 수 있다. 상기 몸체(120)의 측면은 상기 파장 변환층(110)의 측면과 같은 수직 평면 상에 배치될 수 있다.
발명의 실시 예는 상기 파장 변환층(110)의 제2영역(a2) 아래에 몸체(120)를 배치하고, 상기 제1영역(a1) 아래에 발광소자(151)를 접착층(130)으로 접착시켜 줄 수 있다. 이에 따라 발광소자(151)의 측 방향에서 몸체(120)로 광을 반사시키고 업 방향에서 발광소자(151)의 상면면적보다 큰 면적을 갖고 광의 파장을 변환시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예는 플립 칩 타입의 발광소자(151)의 측면에 몸체(120)를 배치하고 상기 몸체(120)와 상기 발광소자(151) 상부에 유리 재질의 파장 변환층(110)을 배치하여, 열화 및 변색이 적은 고출력 및 고효율의 패키지로 제공할 수 있다. 발광소자(151) 패키지에서 파장 변환층(110)의 크랙 발생을 줄여, 패키지의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 고온 및 장시간 사용하더라도, 파장 변환층(110)의 열화 현상이나 변색이 없이 고출력 패키지에서의 성능 저하를 방지할 수 있다.
도 18 내지 도 21을 참조하여, 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조 과정을 설명하기로 한다. 상기 도 18 내지 도 21에서 (a)는 평면도 상에서 본 도면이며, (b)는 (a)의 부분 측 단면도를 나타낸다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 파장 변환층(110)으로 이루어진 웨이퍼 상에 접착층(135)를 발광소자와 중첩되는 제1영역에 대응시켜 형성하게 된다. 상기 접착층(135)은 각 발광소자의 제1영역에 대응되는 위치에 디스펜싱될 수 있다.
도 19 및 도 20을 참조하면, 상기 접착층(135) 상에 발광소자(151)를 접착시켜 준다. 상기 발광소자(151)는 도 2와 같이, 제1,2본딩부(51,52)와 발광 구조물, 기판을 갖는 구성일 수 있으며, 도 2의 180도 회전 구조로 접착될 수 있다. 즉, 상기 발광소자(151)의 기판이 상기 접착층(135)에 접착될 수 있다.
도 20 및 도 21를 참조하면, 상기 발광소자(151)가 상기 접착층(135)에 접착된 후, 상기 몸체(125)으로 상기 발광소자(151)의 외측 사이에 형성하게 된다. 상기 몸체(125)는 상기 발광소자(151)를 노출시키는 디스펜싱 방법으로 상기 파장 변환층(110)의 제2영역 상에 형성될 수 있으며, 상기 접착층(135)의 외측과 상기 발광소자(151)의 외측에 배치되어, 상기 발광소자(151)의 외측 둘레를 감싸게 된다. 상기 몸체(125)의 재질은 상기의 몸체 재질일 수 있다. 상기 몸체(125)의 상부는 상기 발광소자(151)의 상면에 연장될 수 있다.
도 20 및 도 21를 참조하면, 상기 발광소자(151)의 외측에 배치된 상기 몸체(125)이 경화되면, 커팅 라인(CL1,CL2)을 따라 단위 패키지 크기로 다이싱하게 된다. 이러한 다이싱된 패키지는 도 15 내지 도 17과 같은 패키지로 제공될 수 있다.
도 22 및 도 23과 같이, 도 21과 같이 제조된 구조에서 커팅 라인(CL0)을 통해 2개 또는 3개 이상의 발광소자(151)를 갖는 패키지로 커팅될 수 있다.
제2실시 예는 파장 변환층으로 이루어진 웨이퍼 상에서 접착층을 미리 도포한 다음, 발광 소자를 플립 칩 형태로 접착시킨 후, 몸체를 인쇄 방식 또는 디스펜싱 공정을 통해 형성하고, 개별 패키지 단위로 커팅할 수 있다.
<광원 장치>
도 24는 도 3의 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치, 광원 패키지 또는 광원 모듈의 예이다.
도 24를 참조하면, 발명의 실시 예에 따른 광원 모듈은 회로기판(201) 상에 하나 또는 복수의 발광소자 패키지(100)가 배치될 수 있다.
상기 회로기판(201)은 패드(211,213)을 갖는 기판 부재를 포함할 수 있다. 상기 회로기판(201)은 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board)을 포함하며, 예를 들어, 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판을 포함할 수 있다. 상기 기판(201)이 바닥에 금속층이 배치된 메탈 코아 PCB로 배치될 경우, 발광소자(151)의 방열 효율은 개선될 수 있다. 상기 회로 기판(201)은 연성 회로 기판 또는 비연성 회로 기판을 포함할 수 있다.
상기 회로 기판(201)에 상기 발광소자(151)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다. 발광소자 패키지(100)의 제1,2본딩부(51,52)와 회로 기판(201)의 각 패드(211,213)들과 본딩층(221,223)으로 연결될 수 있다. 이에 따라 발광소자 패키지(100)의 발광소자(151)는 회로 기판(201)의 각 패드(211,213)들로부터 전원을 공급받을 수 있다. 상기 회로 기판(201)의 각 패드(221,223)는 예컨대, Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 본딩층은 솔더 페이스트 재질이거나, Ag 페이스트 재질이거나, Sn와 Ag과 Cu와 같은 금속이 혼합된 페이스트 재질일 수 있다.
도 25는 도 3의 발광소자 패키지를 갖는 광원 패키지, 광원 장치 또는 광원 모듈의 다른 예이다.
도 25를 참조하면, 발명의 실시 예에 따른 광원 패키지는 발광소자 패키지(100)는 하부에 발광소자(151)의 제1,2본딩부(51,52)가 노출되며, 상기 발광소자(151)의 하부에 복수의 프레임(210,22)이 배치된다. 상기 복수의 프레임 사이에 지지 몸체(250)가 배치될 수 있다.
상기 복수의 프레임(210,220)은 상기 발광소자(151) 아래에 상기 제1본딩부(51)와 대면하는 제1프레임(210)과, 상기 발광소자(151) 아래에 상기 제2본딩부(52)와 대면하는 제2프레임(220)을 포함할 수 있다. 상기 지지 몸체(250)는 상기 발광소자(151) 아래에 상기 발광소자(151)와 대면하게 배치될 수 있다.
상기 복수의 프레임(210,220)은 전도성 프레임일 수 있다. 상기 복수의 프레임(210,220)은 금속 예컨대, 전도성 프레임일 수 있으며, 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 중에서 선택될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 복수의 프레임(210,220)은 절연성 프레임일 수 있다. 상기 절연성 프레임은, 수지 재질 또는 절연 재질일 수 있으며, 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다.
상기 복수의 프레임(120,130) 중 적어도 하나 또는 모두는 관통홀(TH1,TH2)을 포함할 수 있다. 상기 관통홀(TH1,TH2)은 상기 제1프레임(120)에 배치된 제1관통홀(TH1), 상기 제2프레임(130)에 배치된 제2관통홀(TH2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 제1방향으로 서로 이격되게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 제1,2프레임(120,130)의 상면에서 하면까지 관통되는 홀일 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 상기 제1,2프레임(120,130)의 두께와 동일할 수 있다.
상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 탑뷰 형상이 원형, 다각형 또는 타원 형상이거나, 곡선과 직선을 갖는 형상일 수 있다. 상기 제1,2관통홀(TH1,TH2)의 측 단면은, 상부와 하부 폭이 동일하거나, 하부 폭이 상부 폭보다 넓을 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 측 단면은 하부로 갈수록 점차 넓은 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부 폭이 하부 폭보다 넓고, 측면이 곡률을 갖는 곡면이거나 서로 다른 곡률을 갖는 곡면이 변곡점을 갖고 배치될 수 있다.
상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 X 방향의 폭이 Y 방향의 길이와 같거나 작을 수 있다. 상기 발광소자(151)의 측면의 길이가 X 방향의 길이가 Y 방향의 길이와 같거나 작게 배치되므로, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 발광소자(151)의 사이즈를 기준으로 관통홀(TH1,TH2)의 크기를 확장할 수 있는 Y방향으로 증가시켜 줄 수 있다. 상기 관통홀(TH1,TH2) 간의 간격은 발광소자(151)의 사이즈에 따라 달라질 수 있다. 이러한 제1,2관통홀(TH1,TH2)의 상부 영역의 폭이 하부 영역의 폭와 같거나 좁게 배치됨으로써, 상기 프레임(210,220)의 강성 저하를 방지할 수 있고 전기적인 경로를 제공할 수 있다.
여기서, 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 제1 프레임(210)에 하나 또는 복수로 제공될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 제1 프레임(210)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 제1 프레임(210)의 상면과 하면을 Z 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 발광소자(151)의 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 발광소자(151)의 제1 본딩부(51) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 발광소자(151)의 상기 제1 본딩부(51)과 Z 방향으로 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 제1 프레임(120)의 상면에서 하면으로 향하는 Z 방향으로 상기 발광소자(151)의 상기 제1 본딩부(51)과 중첩되어 제공될 수 있다. 이러한 제1 관통홀(TH1)을 통해 상기 제1 본딩부(51)를 노출시켜 줌으로써, 상기 제1 관통홀(TH1)에 채워지는 도전성 물질을 통해 전기적인 경로 및 방열 경로로 제공할 수 있다.
상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 제2 프레임(220)에 하나 또는 복수로 제공될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 제2 프레임(220)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 제2 프레임(220)의 상면과 하면을 Z 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(151)의 상기 제2 본딩부(52) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(151)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(151)의 상기 제2 본딩부(52)와 수직 방향으로 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 제2 프레임(220)의 상면에서 하면으로 향하는 방향으로 상기 발광소자(151)의 상기 제2 본딩부(52)과 중첩되어 제공될 수 있다. 이러한 제2 관통홀(TH2)을 통해 상기 제2 본딩부(52)를 노출시켜 줌으로써, 상기 제2 관통홀(TH2)에 채워지는 도전성 물질을 통해 전기적인 경로 및 방열 경로로 제공할 수 있다.
상기 각 관통홀(TH1,TH2)의 상부 면적은 상기 각 본딩부(51,52)의 하면 면적의 30% 이상 예컨대, 30% 내지 100%의 범위를 가질 수 있다. 또한 상기 각 관통홀(TH1,TH2)과 각 본딩부(51,52)는 대면하는 영역을 가질 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(151)의 상기 제1 본딩부(51)과 상기 제1 프레임(210)이 상기 제1관통홀(TH1)에 의해 제공되는 물질에 의해 부착될 수 있다. 상기 발광소자(151)의 상기 제2 본딩부(52)과 상기 제2 프레임(220)이 상기 제1관통홀(TH1)에 의해 제공되는 물질에 의해 부착될 수 있다.
상기 제1,2 관통홀(TH1,TH2)의 상부 영역으로부터 X 방향으로 상기 제1 및 제2 본딩부(51,52)의 측면 끝단까지의 거리는 40 마이크로 미터 이상 예컨대, 40 내지 60 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 거리가 40 마이크로 미터 이상일 때 상기 제1 및 제2 본딩부(51,52)이 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)의 저면에서 노출되지 않도록 하기 위한 공정 마진을 확보할 수 있다. 또한, 상기 거리가 60 마이크로 미터 이하일 때 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)에 노출되는 상기 제1 및 제2 본딩부(51,52)의 면적을 확보할 수 있고, 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)에 의해 노출되는 제1 및 제2 본딩부(51,52)의 저항을 낮출 수 있어 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)에 의해 노출되는 상기 제1 및 제2 본딩부(51,52)로 전류 주입을 원활히 할 수 있다.
상기 지지 몸체(250)는 상기 제1 및 제2프레임(210,220) 사이에 배치되고, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(250)는 상기 제1 및 제2프레임(210,220)의 두께와 동일한 두께로 형성될 수 있다.
도전층(321,323)은 상기 제1 및 제2 관통 홀(TH1,TH2) 내에 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 도전층(321,323)은 상기 제1 및 제2 본딩부(51,52) 아래에 배치될 수 있다. 상기 도전층(321,323)은 상기 제1관통홀(TH1)에 배치된 제1도전층(321)과 상기 제2관통홀(TH2)에 배치된 제2도전층(323)을 포함한다. 상기 제1 및 제2 도전층(321,323)의 상부 및 하부 폭은 상기 제1 및 제2 본딩부(51,52)의 상부 및 하부 폭에 비해 작게 제공될 수 있다.
상기 도전층(321,323)은 상기 제1 및 제2 본딩부(51,52)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 도전층(321,323)은 상기 제1 및 제2본딩부(51,52)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 도전층(321,323)은 상기 프레임(210,220)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.
상기 도전층(321,323)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 도전층(321,323)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.
상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에는 도전층(321,323)으로서, 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. 상기 도전층(321,323)은 솔더 페이스트로서, 파우더 입자 또는 파티클 입자와 플럭스의 혼합으로 형성될 수 있다. 예로서, 상기 도전층(321,323)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 도전층(321,323)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질 또는 SAC 계열의 물질을 포함할 수 있다.
상기 각 본딩부(51,52) 중 적어도 하나는 금속간 화합물층에 의해 결합될 수 있다. 상기 금속간 화합물은 CuxSny, AgxSny, AuxSny 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 x는 0<x<1, y=1-x, x>y의 조건을 만족할 수 있다. 본 발명의 발광소자 패키지는 상기 관통홀(TH1,TH2) 중 적어도 하나 또는 모두에 도전성 물질 예컨대, 도전층(321,323) 또는 도전성 페이스트가 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 도전층(321)은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 체적의 30% 이상 예컨대, 30% 내지 100%의 범위로 채워질 수 있고, 상기 범위보다 작은 경우 전기적인 신뢰성이 저하될 수 있고 상기 범위보다 큰 경우 도전층(321,323)의 돌출로 인해 회로 기판과의 본딩력이 저하될 수 있다.
상기 발광소자(151)의 제1본딩부(51)는 상기 제1도전층(321)을 구성하는 물질과 상기 제1도전층(321)을 형성되는 과정 또는 상기 제1도전층(321)이 제공된 후 열처리 과정에서, 상기 제1도전층(321)과 제1프레임(210) 또는/및 제1본딩부(51) 사이에 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)을 갖는 합금층이 형성될 수 있다. 상기 합금층이 AgSn, CuSn, AuSn 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 금속간 화합물층을 포함할 수 있다. 상기 금속간 화합물층은 제1 물질과 제2 물질의 결합으로 형성될 수 있으며, 제1 물질은 도전층(321)으로부터 제공될 수 있고, 제2 물질은 상기 제1본딩부(51)로부터 제공될 수 있다.
상기 발광소자(151)의 제2본딩부(52)는 상기 제2도전층(323)을 구성하는 물질과 상기 제2도전층(323)을 형성되는 과정 또는 상기 제2도전층(323)이 제공된 후 열처리 과정에서, 상기 제2도전층(323)과 제2프레임(220) 또는/및 제2본딩부(52) 사이에 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)을 갖는 합금층이 형성될 수 있다. 상기 합금층은 AgSn, CuSn, AuSn 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 금속간 화합물층을 포함할 수 있다. 상기 금속간 화합물층은 제1 물질과 제2 물질의 결합으로 형성될 수 있으며, 제1 물질은 제2도전층(323)으로부터 제공될 수 있고, 제2 물질은 상기 제2본딩부(52)로부터 제공될 수 있다.
상기 제1,2도전층(321,323)이 Sn 물질을 포함하고 상기 도전층(321,323)에 접촉된 금속층이 Ag 물질을 포함하는 경우, 상기 도전층(321,323)이 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Sn 물질과 Ag 물질의 결합에 의하여 AgSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.
또는, 상기 도전층(321,323)이 Sn 물질을 포함하고 상기 도전층(321,323)에 접촉된 금속층이 Au 물질을 포함하는 경우, 상기 도전층(321,323)이 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Sn 물질과 Au 물질의 결합에 의하여 AuSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.
또는, 상기 도전층(321,323)이 Sn 물질을 포함하고 상기 도전층(321,323)에 접촉된 금속층이 Cu 물질을 포함하는 경우, 상기 도전층(321,323)이 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Sn 물질과 Cu 물질의 결합에 의하여 CuSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.
또는 상기 도전층(321,323)이 Ag 물질을 포함하고 상기 도전층(321,323)에 접촉된 금속층의 일부 층이 Sn 물질을 포함하는 경우, 상기 도전층(321,323)이 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Ag 물질과 Sn 물질의 결합에 의하여 AgSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.
이상에서 설명된 금속간 화합물층은 다른 본딩 물질에 비해 더 높은 용융점을 가질 수 있다. 또한, 상기 금속한 화합물층이 형성되는 열처리 공정은 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 낮은 온도에서 수행될 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 지지 몸체(250)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 지지 몸체(250)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1관통홀(TH1)의 제1도전층(321)이 상기 제1본딩부(51)에 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제2관통홀(TH2)의 제2도전층(323)이 상기 제2 본딩부(52)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 제1 및 제2도전층(321,323)에 외부 전원이 공급될 수 있고, 이에 따라 상기 발광소자(151)가 구동될 수 있다. 상기 발광소자(151)의 제1 및 제2본딩부(51,52)는 상기 제1,2도전층(321,323)과 상기 제1,2프레임(210,220)와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 발광소자(151)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 도전층(321,323)이 상기 발광소자(151)의 외측 방향으로 이동되는 경우, 상기 도전층(321,323)이 상기 발광소자(151)의 측면을 타고 확산될 수도 있다. 이와 같이, 상기 도전층(321,323)이 상기 발광소자(151)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(151)의 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층이 전기적으로 단락될 수도 있다. 상기 제1 도전층(321,323)이 상기 발광소자(151)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(151)의 광 추출 효율이 저하될 수도 있다. 이를 위해, 상기 발광소자(151)의 하부 둘레에 수지(162,164)가 배치되어, 상기 도전층(321,323)이 영역을 벗어나 외부 방향으로 이동되는 것이 방지될 수 있다. 따라서, 상기 수지(162,164)는 상기 도전층(321,323)이 상기 발광소자(151)의 측면으로 이동되는 것이 방지될 수 있으며, 상기 발광소자(151)가 전기적으로 단락되는 것이 방지되고 광 추출 효율이 향상될 수 있다.
상기 지지 몸체(250)는 절연 재질 또는 수지재질일 수 있다. 상기 몸체(250)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PI(Poly Imide), PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 지지 몸체(250)가 수지 재질인 경우, 내부에 금속 산화물, 예로서 TiO2, SiO2, Al2O3 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.
상기 지지 몸체(250)에는 제1리세스(160)를 포함할 수 있다. 상기 제1리세스(160)는 상기 지지 몸체(250)의 하면으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1리세스(160)는 상기 지지 몸체(250)에 제공될 수 있다. 상기 제1리세스(160)는 상기 지지 몸체(250)의 상부에 하나 또는 복수로 배치될 수 있다.
상기 제1리세스(160)는 상기 제1,2관통홀(TH1,TH2) 사이에 배치되거나, 적어도 일부 영역 또는 모든 영역이 상기 발광소자(151)과 수직 방향으로 중첩되게 배치될 수 있다. 상기 제1리세스(160)는 상기 지지 몸체(250)의 상부가 오목하게 함몰된 영역으로서, 상기 지지 몸체(250)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1리세스(160)의 일부는 상기 발광소자(151) 아래에 배치될 수 있다.
상기 발광소자(151)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1리세스(160)는 상기 제1 본딩부(51)와 상기 제2 본딩부(52) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1리세스(160)의 깊이는 상기 제1 관통 홀(TH1)의 깊이에 비해 작게 제공될 수 있다. 상기 제1리세스(160)의 깊이는 상기 지지 몸체(250)의 안정적인 강도를 고려하거나 및/또는 상기 발광소자(151)에서 방출되는 열에 의해 상기 지지 몸체(250)에 크랙이 발생하지 않도록 결정될 수 있다.
제1수지(162)는 제1리세스(160)에 배치될 수 있다. 상기 제1수지(162)는 상기 발광소자(151)와 상기 지지 몸체(250) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1수지(162)는 상기 발광소자(151)의 하면과 상기 지지 몸체(250)의 상면에 접착될 수 있다. 상기 제1수지(162)는 상기 발광소자(151)의 하면과 제1 및 제2프레임(210,220)의 상면에 접착될 수 있다. 상기 제1수지(162)는 상기 제1 본딩부(52)와 상기 제2본딩부(52) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1수지(162)는 상기 제1 본딩부(51)의 측면과 상기 제2 본딩부(52)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1수지(162)는 상기 발광소자(151)와 상기 지지 몸체(250) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1수지(162)는 예로서 상기 지지 몸체(250)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1수지(162)는 상기 발광소자(151)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1수지(162)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1수지(162)는 상기 발광소자(151)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 제1수지(162)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제1수지는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제1수지(162)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제1수지(162)는 예로서 TiO2, SiO2, Al2O3 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.
상기 제1리세스(160)는 상기 발광소자(151) 하부에 일종의 언더필 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 상기 제1리세스(160)는 상기 발광소자(151)의 하면과 상기 지지 몸체(250)의 상면 사이에 상기 제1수지(162)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1리세스(160)는 상기 지지 몸체(250)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.
상기 제1리세스(160)의 깊이와 폭은 상기 제1수지(162)의 형성 위치 및 고정력에 영향을 미칠 수 있다. 상기 제1리세스(160)의 깊이와 폭은 상기 지지 몸체(250)와 상기 발광소자(151) 사이에 배치되는 상기 제1수지(162)에 의하여 충분한 고정력이 제공될 수 있도록 결정될 수 있다. 예로서, 상기 제1리세스(160)의 깊이는 20 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1리세스(160)의 폭은 140 마이크로 미터 내지 160 마이크로 미터로 제공될 수 있다.
제2수지(164)는 상기 발광소자(151)의 하면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2수지(164)는 제1,2프레임(210,220)과 상기 발광소자 패키지(100) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2수지(164)의 내측부는 제1,2프레임(210,220)과 상기 발광소자(151) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2수지(164)의 외측부는 제1,2프레임(210,220)과 상기 몸체(120) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2수지(164)는 상기 발광소자(151)의 하면, 상기 몸체(120)의 하면 및 상기 접착층(130)의 하면에 접촉될 수 있다. 이러한 제2수지(164)는 하 방향으로 누설되는 광을 반사시키고 상기 발광소자(151)의 하부로 침투하는 습기를 차단할 수 있다.
상기 제2수지(164)는 상기 제1수지(162)와 동일할 수 있다. 상기 제2수지(164)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1,2수지(162,164)은 상기 발광소자(151)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 제1,2수지(162,164)이 반사 기능을 포함하는 경우, 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수도 있다.
상기한 광원 장치, 광원 모듈 또는 광원 패키지 상에는 광학 시트 또는 광학 렌즈가 배치될 수 있다.
도 26은 발명의 실시 예(들)에 따른 발광소자 패키지가 적용된 램프의 예이다.
도 26을 참조하면, 램프는 스탑 램프, 안개등, 방향 지시등, 리어 램프, 후진등, 안개등, 차폭등, 상향등, 하향등과 같은 차량 램프에 선택적으로 적용될 수 있다. 차량용 램프는 브라켓(20), 상기 브라켓(20) 상에 배치되는 실시 예에 따른 발광소자 패키지(10), 상기 발광소자 패키지(20)를 덮는 렌즈(20)를 포함할 수 있다. 이러한 차량용 램프에서 발광소자 패키지(20)는 고전류가 인가되는 고출력 램프에 적용되어 크랙 발생이 개선될 수 있고 열화나 변색이 감소될 수 있다.
도 27는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자의 일 예를 나타낸 평면도이고, 도 28는 도 27에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.
한편, 이해를 돕기 위해, 도 27를 도시함에 있어, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172) 아래에 배치되지만, 상기 제1 본딩부(1171)에 전기적으로 연결된 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 본딩부(1172)에 전기적으로 연결된 제2 서브전극(1142)이 보일 수 있도록 도시되었다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 도 28과 같이, 기판(1105) 위에 배치된 발광 구조물(1110)을 포함할 수 있다. 상기 기판(1105)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(1105)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(1110)은 제1 도전형 반도체층(1111), 활성층(1112), 제2 도전형 반도체층(1113)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(1112)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 상기 활성층(1112)이 배치되고, 상기 활성층(1112) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 투광성 전극층(1130)을 포함할 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)은 전류 확산을 향상시켜 광출력을 증가시킬 수 있다. 예로서, 상기 투광성 전극층(1130)은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)은 투광성의 물질을 포함할 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)은, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO, Pt, Ni, Au, Rh, Pd를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 반사층(1160)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 제1 반사층(1161), 제2 반사층(1162), 제3 반사층(1163)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 투광성 전극층(1130) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 반사층(1162)은 상기 투광성 전극층(1130)을 노출시키는 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 반사층(1162)은 상기 투광성 전극층(1130) 위에 배치된 복수의 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. 상기 제1 반사층(1161)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상부 면을 노출시키는 복수의 제2 개구부(h2)를 포함할 수 있다.
상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 연결될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제2 반사층(1162)과 연결될 수 있다. 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에 물리적으로 직접 접촉되어 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 상기 반사층(1160)은 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 접촉될 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)의 상부 면에 물리적으로 접촉될 수 있다.
상기 반사층(1160)은 절연성 반사층으로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 반사층(1160)은 DBR(Distributed Bragg Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 반사층(1160)은 ODR(Omni Directional Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 반사층(1160)은 DBR층과 ODR층이 적층되어 제공될 수도 있다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)을 포함할 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 개구부(h2) 내부에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 배치될 수 있다. 예로서, 실시 예에 따른 발광소자(1000)에 의하면, 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113), 상기 활성층(1112)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(1111)의 일부 영역까지 배치되는 리세스 내에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 배치될 수 있다.
상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 반사층(1161)에 제공된 제2 개구부(h2)를 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 개구부(h2)와 상기 리세스는 수직으로 중첩할 수 있고 예로서, 상기 제1 서브전극(1141)은, 복수의 리세스 영역에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.
상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 위에 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제2 서브전극(1142)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 상기 투광성 전극층(1130)이 배치될 수 있다.
상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제2 서브전극(1142)은, 복수의 P 영역에서 상기 투광성 전극층(1130)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 서브전극(1142)은, 복수의 P 영역에서 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 복수의 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 투광성 전극층(1130)의 상면에 직접 접촉될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 서로 극성을 가질 수 있고, 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다. 도 28에서 영역 R11,R12,R13은 각 서브 전극의 영역별 중첩 영역을 구분하기 위해 나타낸다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 보호층(1150)을 포함할 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 제2 서브전극(1142)을 노출시키는 복수의 제3 개구부(h3)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제3 개구부(h3)는 상기 제2 서브전극(1142)에 제공된 복수의 PB 영역에 대응되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 보호층(1150)은 상기 제1 서브전극(1141)을 노출시키는 복수의 제4 개구부(h4)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제4 개구부(h4)는 상기 제1 서브전극(1141)에 제공된 복수의 NB 영역에 대응되어 배치될 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 반사층(1160) 위에 배치될 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 제1 반사층(1161), 상기 제2 반사층(1162), 상기 제3 반사층(1163) 위에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 보호층(1150)은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(1150)은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 상기 보호층(1150) 위에 배치된 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)를 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(1171)는 상기 제1 반사층(1161) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 제2 반사층(1162) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 제1 본딩부(1171)와 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(1171)는 복수의 NB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 복수의 상기 제4 개구부(h4)를 통하여 상기 제1 서브전극(1141)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 NB 영역은 상기 제2 개구부(h2)와 수직으로 어긋나도록 배치될 수 있다. 상기 복수의 NB 영역과 상기 제2 개구부(h2)가 서로 수직으로 어긋나는 경우, 상기 제1 본딩부(1171)로 주입되는 전류가 상기 제1 서브전극(1141)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 상기 복수의 NB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다.
또한, 상기 제2 본딩부(1172)는 복수의 PB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 복수의 상기 제3 개구부(h3)를 통하여 상기 제2 서브전극(1142)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 PB 영역과 상기 복수의 제1 개구부(h1)가 수직으로 중첩되지 않도록 하는 경우 상기 제2 본딩부(1172)로 주입되는 전류가 상기 제2 서브전극(1142)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 상기 복수의 PB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다. 복수의 영역을 통해 전원이 공급될 수 있으므로, 접촉 면적 증가 및 접촉 영역의 분산에 따라 전류 분산 효과가 발생되고 동작전압이 감소될 수 있는 장점이 있다.
이에 따라, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 상기 발광 구조물(1110)의 활성층(1112)에서 발광되는 빛을 반사시켜 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)에서 광 흡수가 발생되는 것을 최소화하여 광도(Po)를 향상시킬 수 있다. 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 굴절률이 다른 물질이 서로 반복하여 배치된 DBR 구조를 이룰 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2 중 적어도 하나 이상을 포함하는 단층 또는 적층 구조로 배치될 수 있다. 또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 ODR층으로 제공될 수도 있다. 또 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 DBR층과 ODR층이 적층된 일종의 하이브리드(hybrid) 형태로 제공될 수도 있다.
실시 예에 따른 발광소자가 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지로 구현되는 경우, 상기 발광 구조물(1110)에서 제공되는 빛은 상기 기판(1105)을 통하여 방출될 수 있다. 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에서 반사되어 상기 기판(1105) 방향으로 방출될 수 있다.
또한, 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은 상기 발광 구조물(1110)의 측면 방향으로도 방출될 수 있다. 또한, 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면 중에서, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 제공되지 않은 영역을 통하여 외부로 방출될 수 있다.
이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자(1000)는 상기 발광 구조물(1110)을 둘러싼 6면 방향으로 빛을 방출할 수 있게 되며, 광도를 현저하게 향상시킬 수 있다.
한편, 실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 발광소자(1000)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공될 수 있다.
예로서, 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체 면적은 상기 발광 구조물(1110)의 제1 도전형 반도체층(1111)의 하부 면의 가로 길이 및 세로 길이에 의하여 정의되는 면적에 대응될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체 면적은 상기 기판(1105)의 상부 면 또는 하부 면의 면적에 대응될 수 있다.
이와 같이, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공되도록 함으로써, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면으로 방출되는 빛의 양이 증가될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(1000)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다.
또한, 상기 발광소자(1000)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 본딩부(1171)의 면적과 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합은 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공될 수 있다.
이와 같이, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공되도록 함으로써, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)를 통하여 안정적인 실장이 수행될 수 있고, 상기 발광소자(1000)의 전기적인 특성을 확보할 수 있게 된다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 광 추출 효율 및 본딩의 안정성 확보를 고려하여, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 30% 이상이고 60% 이하로 선택될 수 있다.
즉, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 30% 이상 내지 100% 이하인 경우, 상기 발광소자(1000)의 전기적 특성을 확보하고, 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하여 안정적인 실장이 수행될 수 있다.
또한, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 0% 초과 내지 60% 이하인 경우, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면으로 방출되는 광량이 증가하여 상기 발광소자(1000)의 광추출 효율이 향상되고, 광도(Po)가 증가될 수 있다.
실시 예에서는 상기 발광소자(1000)의 전기적 특성과 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하고, 광도를 증가시키기 위해, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 30% 이상 내지 60% 이하로 선택하였다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자(1000)에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제3 반사층(1163)의 상기 발광소자(1000)의 장축 방향에 따른 길이는 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이의 간격에 대응되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사층(1163)의 면적은 예로서 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체의 10% 이상이고 25% 이하로 제공될 수 있다.
상기 제3 반사층(1163)의 면적이 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체의 10% 이상일 때, 상기 발광소자의 하부에 배치되는 패키지 몸체가 변색되거나 균열의 발생을 방지할 수 있고, 25% 이하일 경우 상기 발광소자의 6면으로 발광하도록 하는 광추출효율을 확보하기에 유리하다.
또한, 다른 실시 예에서는 이에 한정하지 않고 상기 광추출효율을 더 크게 확보하기 위해 상기 제3 반사층(1163)의 면적을 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체의 0% 초과 내지 10% 미만으로 배치할 수 있고, 상기 패키지 몸체에 변색 또는 균열의 발생을 방지하는 효과를 더 크게 확보하기 위해 상기 제3 반사층(1163)의 면적을 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체의 25% 초과 내지 100% 미만으로 배치할 수 있다.
또한, 상기 발광소자(1000)의 장축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 상기 제1 본딩부(1171) 또는 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 제공된 제2 영역으로 상기 발광 구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다.
또한, 상기 발광소자(1000)의 단축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 상기 제1 본딩부(1171) 또는 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 제공된 제3 영역으로 상기 발광구조물에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)의 크기는 상기 제1 본딩부(1171)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)의 면적은 상기 제1 본딩부(1171)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 상기 제1 반사층(1161)의 한 변의 길이는 상기 제1 본딩부(1171)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.
또한, 상기 제2 반사층(1162)의 크기는 상기 제2 본딩부(1172)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 반사층(1162)의 면적은 상기 제2 본딩부(1172)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 상기 제2 반사층(1162)의 한 변의 길이는 상기 제2 본딩부(1172)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에 의하여, 상기 발광 구조물(1110)로부터 방출되는 빛이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)에 입사되지 않고 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(1110)에서 생성되어 방출되는 빛이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)에 입사되어 손실되는 것을 최소화할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자(1000)에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 배치되므로, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있게 된다.
앞에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자(1000)는 예를 들어 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지 형태로 제공될 수 있다. 이때, 발광소자(1000)가 실장되는 패키지 몸체가 수지 등으로 제공되는 경우, 상기 발광소자(1000)의 하부 영역에서, 상기 발광소자(1000)로부터 방출되는 단파장의 강한 빛에 의하여 패키지 몸체가 변색되거나 균열이 발생될 수 있다.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자(1000)에 의하면 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 영역 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있으므로, 상기 발광소자(1000)의 하부 영역에 배치된 패키지 몸체가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 본딩부(1171), 상기 제2 본딩부(1172), 상기 제3 반사층(1163)이 배치된 상기 발광소자(1000)의 상부 면의 20% 이상 면적에서 상기 발광 구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다.
이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(1000)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다. 또한, 상기 발광소자(1000)의 하부 면에 근접하게 배치된 패키지 몸체가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있게 된다.
또한, 실시 예예 따른 발광소자(1000)에 의하면, 상기 투광성 전극층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 상기 반사층(1160)이 접착될 수 있다. 상기 반사층(1160)이 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있게 됨으로써, 상기 반사층(1160)이 상기 투광성 전극층(1130)에 접촉되는 것에 비하여 접착력이 향상될 수 있게 된다.
상기 반사층(1160)이 상기 투광성 전극층(1130)에만 직접 접촉되는 경우, 상기 반사층(1160)과 상기 투광성 전극층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다. 예를 들어, 절연층과 금속층이 결합되는 경우, 물질 상호 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다.
예로서, 상기 반사층(1160)과 상기 투광성 전극층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약한 경우, 두 층 간에 박리가 발생될 수 있다. 이와 같이 상기 반사층(1160)과 상기 투광성 전극층(1130) 사이에 박리가 발생되면 발광소자(1000)의 특성이 열화될 수 있으며, 또한 발광소자(1000)의 신뢰성을 확보할 수 없게 된다.
그러나, 실시 예에 의하면, 상기 반사층(1160)이 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있으므로, 상기 반사층(1160), 상기 투광성 전극층(1130), 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력 및 접착력이 안정적으로 제공될 수 있게 된다.
따라서, 실시 예에 의하면, 상기 반사층(1160)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로, 상기 반사층(1160)이 상기 투광성 전극층(1130)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있게 된다. 또한, 상기 반사층(1160)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로 발광소자(1000)의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.
한편, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 투광성 전극층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 상기 활성층(1112)으로부터 발광된 빛은 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통해 상기 반사층(1160)에 입사되어 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 활성층(1112)에서 생성된 빛이 상기 투광성 전극층(1130)에 입사되어 손실되는 것을 감소시킬 수 있게 되며 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자(1000)에 의하면 광도가 향상될 수 있게 된다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 발광소자는 발광 구조물이 단일 개 또는 하나의 발광 셀을 갖는 구조로 설명되었다. 이는 발광 셀이 상기의 발광 구조물을 포함하는 경우, 발광소자의 구동 전압은 하나의 발광 셀에 걸리는 전압일 수 있다. 실시 예에 개시된 발광소자의 예로서, 하나의 패키지 내에 2개 또는 3개 이상의 발광 셀을 갖는 발광소자를 포함할 수 있다. 이에 따라 고전압의 발광소자 패키지를 제공할 수 있다. 이러한 고전압의 발광소자 패키지는 전압 조절이 가능하여, 디밍 효과를 줄 수 있다.
한편, 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 하나 또는 복수개가 회로 기판에 배치되어 광원 장치에 적용될 수 있다. 또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다.
광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.
광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 발명의 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (9)

  1. 형광체를 포함하는 유리 재질의 파장 변환층의 제1영역 위에 접착층을 형성하는 단계;
    상기 파장 변환층의 제2영역 위에 반사성 수지 재질의 몸체를 형성하는 단계;
    상기 접착층 상에 발광소자를 부착하는 단계; 및
    상기 몸체를 적어도 하나의 발광 소자를 갖는 패키지 크기로 다이싱하는 단계를 포함하며,
    상기 발광소자는 상부에 제1 및 제2본딩부, 상기 제1 및 제2본딩부 아래에 발광 구조물, 및 상기 발광 구조물 아래에 상기 접착층에 접착된 기판을 포함하며,
    상기 몸체는 상면과 하면이 관통되는 개구부를 가지며,
    상기 발광소자는 상기 개구부에 배치되며,
    상기 파장 변환층의 측면은 상기 몸체의 측면과 같은 수직 평면 상으로 형성되는 발광소자 패키지 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 몸체를 형성하는 단계는,
    상기 파장 변환층 상에 레지스트층을 형성하는 단계;
    상기 레지스트층 중에서 상기 제1영역과 대응된 영역을 식각하는 단계; 및
    상기 제1영역 상에 몸체를 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 레지스트층 중에서 식각되지 않은 영역은 제거되고 상기 접착층이 형성되는 발광소자 패키지 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 몸체를 형성하는 단계는,
    상기 파장 변환층의 제2영역 상에 상기 개구부를 갖는 몸체를 형성하거나 인쇄하는 발광소자 패키지 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 몸체를 형성하는 단계는,
    상기 접착층 상에 상기 발광소자를 부착한 다음 상기 몸체를 상기 파장 변환층의 제2영역 위에 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 몸체는 상기 접착층 및 상기 발광소자의 측면 상에 배치되며,
    상기 몸체의 상부는 상기 발광소자의 상면에 연장되는 발광소자 패키지 제조방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 파장 변환층 상에 상기 개구부가 제1방향으로 복수로 배치되며,
    상기 복수의 개구부 각각에는 상기 발광소자가 배치되며,
    상기 파장 변환층의 측면은 상기 몸체의 측면과 같은 수직 평면 상에 배치되는 발광소자 패키지 제조방법.
  6. 하부에 제1 및 제2본딩부, 상기 제1 및 제2본딩부 상에 발광 구조물 및 기판을 포함하는 발광소자;
    상기 발광소자의 둘레에 반사성 수지 재질의 몸체;
    상기 발광소자와 상기 몸체 상에 파장 변환층; 및
    상기 파장 변환층과 상기 발광 소자 사이, 및 상기 발광소자와 상기 몸체 사이에 접착된 접착층을 포함하며,
    상기 발광 소자는 상기 파장 변환층의 제1영역과 수직 방향으로 중첩되며,
    상기 몸체는 상기 파장 변환층의 제1영역 외측에 배치된 제2영역과 수직 방향으로 중첩되는 개구부를 가지며,
    상기 파장 변환층은 형광체를 갖는 유리 재질로 형성되며,
    상기 발광소자의 제1 및 제2본딩부는 상기 몸체의 하부로부터 노출되는 발광소자 패키지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 접착층은 상기 몸체와 상기 발광소자의 기판 측면 사이에 배치되며, 상기 몸체의 하부와 상기 발광 소자의 하면 사이에 노출되는 발광소자 패키지.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 접착층은 상기 몸체와 상기 발광소자의 기판 측면 사이에 배치되며,
    상기 몸체의 하부는 상기 발광소자의 하면으로 연장되는 발광소자 패키지.
  9. 복수의 프레임; 및
    상기 복수의 프레임 상에 하부에 제1 및 제2본딩부가 배치된 하나 이상의 발광소자 패키지를 포함하며,
    상기 발광소자 패키지는 청구항 6 내지 8항 중 어느 하나이며,
    상기 복수의 프레임은 도전층을 갖고 상기 제1 및 제2본딩부에 대면하는 관통홀을 갖는 광원장치.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012222319A (ja) * 2011-04-14 2012-11-12 Nitto Denko Corp 蛍光反射シート、発光ダイオード装置およびその製造方法
KR20150136814A (ko) * 2014-05-28 2015-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR20160037964A (ko) * 2013-07-24 2016-04-06 쿨레지 라이팅 인크. 파장-변환 재료를 포함하는 발광 다이 및 관련된 방법
KR20160046198A (ko) * 2014-10-20 2016-04-28 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP2017069368A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012222319A (ja) * 2011-04-14 2012-11-12 Nitto Denko Corp 蛍光反射シート、発光ダイオード装置およびその製造方法
KR20160037964A (ko) * 2013-07-24 2016-04-06 쿨레지 라이팅 인크. 파장-변환 재료를 포함하는 발광 다이 및 관련된 방법
KR20150136814A (ko) * 2014-05-28 2015-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR20160046198A (ko) * 2014-10-20 2016-04-28 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP2017069368A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

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