CN109285932B - 发光器件封装 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种发光器件封装。发光器件封装包括第一框架和第二框架，该第一框架和第二框架被布置成彼此隔开；主体，该主体被布置在第一和第二框架之间并且包括凹部；第一粘合剂，该第一粘合剂在凹部上；发光器件，该发光器件在第一粘合剂上；第二粘合剂，该第二粘合剂被布置在第一和第二框架与发光器件之间；以及树脂部分，该树脂部分被布置成围绕第二粘合剂和发光器件的部分区域。
Description
技术领域
本实施例涉及半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源装置。
背景技术
包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点，诸如宽且易于调节的带隙能，因此该器件能够以各种方式用作发光器件、光接收器件和各种二极管。
特别地，由于薄膜生长技术和器件材料的发展，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够实现具有各种波段的光，诸如红色、绿色、蓝色和紫外线。另外，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够通过使用荧光物质或组合颜色来实现具有高效率的白光源。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，这种发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、快速响应速度、安全性和环境友好性的优点。
此外，当使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，随着器件材料的发展，通过吸收具有各种波长域的光来产生光电流，使得能够使用具有各种波长域的光，例如从伽马射线到无线电波。另外，上述光接收器件具有诸如响应速度快、安全、环保、易于控制器件材料等优点，使得光接收器件能够方便地用于电源控制、超高频电路或通信模块。
因此，半导体器件已经应用并扩展到光通信工具的传输模块、替换构成液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光源、可替换荧光灯或白炽灯泡的白色发光二极管照明装置、车辆前灯、交通灯和用于检测气体或火的传感器。另外，半导体器件的应用能够被扩展到高频应用电路、电力控制装置或通信模块。
例如，发光器件可以被提供作为具有通过使用元素周期表中的III-V族元素或II-VI族元素将电能转换成光能的特性的pn结二极管，并且能够通过调节化合物半导体物质的组分比实现各种波长。
例如，因为氮化物半导体具有高热稳定性和宽带隙能，所以在光学器件和高电力电子设备的开发领域中已经受到极大关注。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件、紫外(UV)发光器件和红色发光器件被商业化并广泛使用。
例如，紫外发光器件指的是产生分布在200nm至400nm的波长范围内的光的发光二极管。在上述波长范围中，短波长可以被用于灭菌、纯化等，并且长波长可以被用于光刻机、固化装置等。
紫外线可以按照长波长的顺序被分类成UV-A(315nm至400nm)、UV-B(280nm至315nm)和UV-C(200nm至280nm)。UV-A(315nm至400nm)领域被应用于各种领域，诸如工业UV固化、印刷油墨固化、曝光机、鉴别假币、光催化灭菌、特殊照明(诸如水族箱/农业)，UV-B(280nm至315nm)域被应用于医疗用途，并且UV-C(200nm至280nm)域被应用于空气净化、水净化、灭菌产品等。
同时，由于已经要求能够提供高输出的半导体器件，因此正在进行能够通过施加高电力源来增加输出电力的半导体器件的研究。
另外，对于半导体器件封装，已经进行改进半导体器件的光提取效率和改进封装阶段中的光强度的方法的研究。另外，关于半导体器件封装，已经进行改进封装电极和半导体器件之间的结合强度的方法的研究。
另外，对于半导体器件封装，已经进行通过改进工艺效率和改变结构来降低制造成本和改进制造产量的方法的研究。
发明内容
实施例可以提供能够改进光提取效率和电特性的半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源装置。
实施例可以提供能够降低制造成本并且改进制造产量的半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源装置。
实施例提供半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法，其能够防止在将半导体器件重新结合到衬底等的工艺期间在半导体器件封装的结合区域中发生再熔化现象。
根据实施例的制造发光器件封装的方法包括：形成包括穿过其上表面和下表面的第一开口的第一框架、包括穿过其上表面和下表面的第二开口的第二框架、以及被布置在第一框架与第二框架之间并且包括布置成从其上表面朝向其下表面凹入的凹部的主体；向凹部设置粘合剂；在主体上设置发光器件，其包括第一结合部和第二结合部，其中第一结合部布置在第一开口上并且第二结合部布置在第二开口上，并且发光器件的下表面与粘合剂附接接触；固化粘合剂；在第一和第二框架上的第一和第二结合部周围设置树脂部分；以及在第一和第二开口处分别设置第一和第二导电层。
根据实施例，树脂部分可以设置在第一上凹部和第二上凹部中，第一上凹部可以布置成与第一开口隔开并且设置成从第一框架的上表面朝向第一框架的下表面凹入，并且第二上凹部可以布置为与第二开口隔开并且设置成从第二框架的上表面朝向第二框架的下表面凹入。
根据实施例的制造发光器件封装的方法还可以包括：在设置树脂部分之后在发光器件上设置模制部。
根据实施例的制造发光器件封装的方法还可以包括：在分别在第一开口和第二开口处设置第一导电层和第二导电层之后在发光器件上设置模制部(molding part)。
根据实施例，第一导电层和第二导电层可以以导电膏的形式设置在第一开口和第二开口中。
根据实施例，在第一开口和第二开口处设置第一导电层和第二导电层可以包括：在第一开口和第二开口中设置第一导电膏；在第一和第二开口中进一步设置第二导电膏，其中第一导电膏和第二导电膏可以包括不同的材料。
根据实施例，第一导电层可以设置在第一开口中并且可以与第一结合部的下表面直接接触，并且第二导电层可以设置在第二开口中并且可以与第二结合部的下表面直接接触。
根据实施例，在第一开口处设置第一导电层可以包括在第一开口中设置第一上导电层和第一下导电层，并且第一上导电层和第一下导电层可以包括不同的材料。
根据实施例，第一上导电层可以设置为与第一结合部直接接触，并且第一下导电层可以设置为与第一上导电层直接接触。
根据实施例，树脂部分可以包括白色硅酮(silicone)。
根据实施例，第一导电层和第二导电层可以布置为在主体的下表面上彼此隔开。
根据实施例，第一和第二结合部可以设置有选自由Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO或其合金组成的组中的至少一种材料。
根据实施例，第一导电层和第二导电层可以设置有选自由Ag、Au、Pt、Sn和Cu、SAC(Sn-Ag-Cu)或合金组成的组中的至少一种材料。
根据实施例，粘合剂可以设置成与主体的上表面和发光器件的下表面直接接触。
根据实施例的制造发光器件封装的方法包括：形成包括第一开口的第一框架、包括第二开口的第二框架、以及布置在第一框架与第二框架之间并包括被设置从其上表面朝向其下表面凹入的凹部的主体；向凹部设置粘合剂；在主体上设置发光器件，该发光器件包括第一结合部和第二结合部，其中第一结合部布置在第一开口上，并且第二结合部布置在第二开口上，并且发光器件的下表面被附接为接触粘合剂；固化粘合剂；在第一和第二结合部周围设置树脂部分；以及通过设置导电膏，分别在第一和第二开口处形成第一和第二导电层。
根据实施例，第一导电层可以设置在第一开口中并且形成为与第一结合部的下表面直接接触，并且第二导电层可以设置在第二开口中并且被形成为与第二结合部的下表面直接接触。
根据实施例，在第一开口处形成第一导电层可以包括在第一开口中形成第一上导电层和第一下导电层，并且第一上导电层和第一下导电层可以包括不同的材料。
根据实施例，第一上导电层可以形成为与第一结合部直接接触，并且第一下导电层可以形成为与第一上导电层直接接触。
根据实施例，树脂部分可以包括白色硅酮。
根据实施例，第一导电层和第二导电层可以设置有选自由Ag、Au、Pt、Sn、Cu和SAC(Sn-Ag-Cu)或者其合金组成的组中的至少一种材料。
根据实施例的制造发光器件封装的方法包括：形成包括穿过其上表面和下表面的第一开口的第一框架、包括穿过其上表面和其下表面的第二开口的第二框架、以及包括布置在第一框架与第二框架之间并且包括被设置从其上表面朝向其下表面凹入的凹部的封装主体；向主体的凹部设置粘合剂；在封装主体上在其下表面上设置发光器件，该发光器件包括第一结合部和第二结合部，其中第一结合部布置在第一开口上，并且第二结合部布置在第二开口上，并且发光器件的下表面被附接为接触粘合剂；在第一框架的上表面与第一结合部的侧表面之间，以及在第二框架的上表面与第二结合部的侧表面之间设置树脂部分；以及在第一开口处设置第一导电层并且在第二开口处设置第二导电层。
根据实施例，树脂部分可以形成在第一上凹部处，第一上凹部被布置成与第一开口隔开并且设置成从第一框架的上表面朝向第一框架的下表面凹入，并且可以形成在第二上凹部中，该第二上凹部布置成与第二开口隔开并设置成从第二框架的上表面朝向第二框架的下表面凹入。
根据实施例的制造发光器件封装的方法还可以包括在设置树脂部分之后在发光器件上设置模制部。
根据实施例的制造发光器件封装的方法可以进一步包括：在第一开口处设置第一导电层并且在第一开口处设置第二导电层之后在发光器件上设置模制部。
根据实施例，第一导电层和第二导电层可以以导电膏的形式设置在第一开口和第二开口处。
根据实施例，在第一开口处设置第一导电层并且在第二开口处设置第二导电层可以包括：在第一开口和第二开口中设置第一导电膏；在第一和第二开口中进一步设置第二导电膏，其中第一导电膏和第二导电膏可以包括不同的材料。
根据实施例的发光器件封装包括：第一框架和第二框架，该第一框架和第二框架布置成彼此隔开并且分别包括第一开口和第二开口；主体，该主体被布置在第一框架与第二框架之间并且包括凹部；粘合剂，该粘合剂在凹部上；发光器件，该发光器件在粘合剂上并且包括第一和第二结合部；以及第一和第二导体，该第一和第二导体分别在第一和第二结合部上，其中第一和第二导体分别布置在第一和第二开口中，第一和第二开口还包括第一框架和第二框架中的每个的上表面上的第一区域和第一框架和第二框架中的每个的下表面上的第二区域，并且第一区域的上表面的宽度更小比第二区域的下表面的宽度。
根据实施例的发光器件封装包括：第一框架和第二框架，该第一框架和第二框架被布置为彼此隔开；主体，该主体布置在第一框架与第二框架之间；发光器件，该发光器件包括第一结合部和第二结合部；以及粘合剂，该粘合剂被布置在主体与发光器件之间，其中第一框架包括穿过第一框架的上表面和下表面的第一开口和布置成与第一开口隔开并且设置为从第一框架的上表面朝向第一框架的下表面凹入的第一上凹部，第二框架包括穿过第二框架的上表面和下表面的第二开口和第二上凹部，该第二上凹部被布置成与第二开口隔开并且被设置为从第二框架的上表面朝向第二框架的下表面凹入，该主体包括设置成从其上表面朝向其下表面凹入的凹部，粘合剂布置在凹部上，第一结合部设置在第一开口上，并且第二结合部布置在第二开口上，并且树脂部分布置在第一上凹部与第一结合部的侧表面之间以及第二上凹部与第二结合部的侧表面之间。
根据实施例的发光器件封装还可以包括：第一导电层，该第一导电层被设置在第一开口中并且布置为与第一结合部的下表面直接接触；第二导电层，该第二导电层被设置在第二开口中并且设置成与第二结合部的下表面直接接触。
根据实施例，第一导电层可以包括设置在第一开口的上部区域处的第一上导电层和设置在第一开口的下部区域处的第一下导电层，并且第一上导电层和第一下导电层可以包括不同的材料。
根据实施例，树脂部分可以包括白色硅酮。
根据实施例的发光器件封装还可以包括：第一导体，该第一导体被布置在第一结合部下面并且电连接到第一结合部；第二导体，该第二导体被布置在第二结合部下面并且电连接到第二结合部；第一导电层，该第一导电层被设置在第一开口处并且布置成与第一导体的下表面和侧表面直接接触；以及第二导电层，该第二导电层被设置在第二开口处并且被布置成与第二导体的下表面和侧表面直接接触。
根据实施例，第一导电层可以布置为与第一结合部的下表面直接接触，并且第二导电层可以被布置为与第二结合部的下表面直接接触。
根据实施例，第一导体可以布置在第一开口中，并且第二导体可以布置在第二开口中。
根据实施例，第一开口可以被设置为使得上部区域的宽度小于下部区域的宽度，并且可以包括倾斜表面，其中宽度从下部区域到上部区域逐渐减小。
根据实施例的发光器件封装包括：第一框架和第二框架，该第一框架和第二框架被布置为彼此隔开；主体，该主体被布置在第一框架与第二框架之间并包括凹部；第一粘合剂，该第一粘合剂在凹部上；发光器件，该发光器件在第一粘合剂上；第二粘合剂，该第二粘合剂被布置在第一和第二框架与发光器件之间；以及树脂部分，该树脂部分被布置成围绕第二粘合剂和发光器件的部分区域；其中发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及布置在第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层；第一结合部，该第一结合部在发光结构上并且电连接到第一导电类型半导体层；第二结合部，该第二结合部被布置为与发光结构上的第一结合部隔开并且电连接到第二导电类型半导体层，其中第一框架包括第一区域和第一上凹部，在第一区域中第二粘合剂和第一结合部被布置，第一上凹部被布置成围绕第一区域的一部分，并且第二框架包括第二区域和第二上凹部，在第二区域中第二粘合剂和第二结合部被布置，第二上凹部被布置成围绕第二区域的一部分，其中树脂部分被布置在第一和第二上凹部上，其中第一上凹部包括第一内侧表面，其在垂直于发光结构的下表面并且平行于发光结构的侧表面的第一方向中与发光结构重叠，当在发光结构的侧表面与第一结合部的侧表面之间的第二方向中的第一距离等于或大于40微米时，发光结构的侧表面与第二方向中的第一内侧表面之间的距离小于第一距离，当发光结构的侧表面与第一结合部的侧表面之间的在第二方向中的第一距离小于40微米时，发光结构的侧表面与第二方向中的第一内侧表面之间的距离大于第一距离，并且第二方向被设置为垂直于第一方向。
根据实施例的发光器件封装包括：第一框架和第二框架，该第一框架和第二框架被布置为彼此隔开；主体，该主体被布置在第一框架与第二框架之间并且包括凹部；第一粘合剂，该第一粘合剂在凹部上；发光器件，该发光器件在第一粘合剂上并且包括第一和第二结合部；以及第二粘合剂，该第二粘合剂被布置在第一和第二框架与发光器件之间，其中第一和第二结合部分别电连接到第一和第二框架，并且第一和第二框架中的每个包括第一和第二上凹部，该第一和第二上凹部被设置在发光器件的外围区域中，并且第二粘合剂被布置在第一和第二上凹部中，其中第二粘合剂被布置在第一和第二上凹部上，并且从发光器件的侧表面到在发光器件的下表面下面布置的第一上凹部的侧表面的第一距离大于从发光器件的侧表面到第一结合部的侧表面的第二距离。
根据实施例的发光器件封装包括：第一框架和第二框架，该第一框架和第二框架被布置为彼此隔开；主体，该主体被布置在第一框架与第二框架之间；发光器件，该发光器件包括电连接到第一框架的第一结合部和电连接到第二框架的第二结合部；第一粘合剂，该第一粘合剂被布置在主体与发光器件之间；以及第二粘合剂，该第二粘合剂被布置在第一和第二框架与发光器件之间，其中第一和第二框架中的每个包括第一和第二上凹部，该第一和第二上凹部被设置成从上表面朝向其下表面在第一方向中凹入，第二粘合剂被布置在第一和第二上凹部中，第一粘合剂被布置在主体的上表面中形成的凹部中，并且当从发光器件的向上方向观察时，从发光器件的侧表面到在发光器件的下表面下面布置的第一上凹部的侧表面的第一距离大于从发光器件的侧表面到第一结合部的侧表面的第二距离。
根据实施例，从发光器件的侧表面到第一结合部的侧表面的第二距离可以设置为数十微米。
根据实施例，从发光器件的侧表面到第一结合部的侧表面的第二距离可以设置为40至50微米。
根据实施例，第一上凹部的部分区域可以布置为在第一方向中与第一结合部的下表面重叠。
根据实施例，第一粘合剂可以是绝缘粘合剂，并且第二粘合剂可以被设置为导电粘合剂。
根据实施例，第一粘合剂可以与主体的上表面直接接触并且与发光器件的下表面直接接触，并且第二粘合剂可以与第一框架的上表面直接接触并且与第一框架的下表面直接接触。
根据实施例的发光器件封装可以包括第一树脂部分，该第一树脂部分设置在第一和第二上凹部中，并且与第二粘合剂接触。
根据实施例，第一树脂部分可以与发光器件的下表面直接接触并且与第二粘合剂的侧表面直接接触。
根据实施例，第一粘合剂可以布置为基于第一方向与发光器件重叠，第二粘合剂可以布置为基于第一方向与第一结合部重叠。
根据实施例，第一粘合剂可以布置在第一结合部与第二结合部之间。
根据实施例的发光器件封装包括：第一框架和第二框架，该第一框架和第二框架被布置为彼此隔开；主体，该主体被布置在第一框架与第二框架之间并且包括凹部；第一粘合剂，该第一粘合剂在凹部上；发光器件，该发光器件在第一粘合剂上并且包括第一和第二结合部；以及第二粘合剂，该第二粘合剂被布置在第一和第二框架与发光器件之间，其中第一和第二结合部分别电连接到第一和第二框架，并且第一和第二框架中的每个包括第一和第二上凹部，该第一和第二上凹部被设置在发光器件的外围区域中，并且第二粘合剂被布置在第一和第二上凹部中，其中第二粘合剂被布置在第一和第二上凹部上，并且从发光器件的侧表面到在发光器件的下表面下面布置的第一上凹部的侧表面之间的距离被设置为小于从发光器件的侧表面到第一结合部的侧表面的第二距离，并且从发光器件的侧表面到第一结合部的侧表面的第二距离可以被设置为大于40微米。
根据实施例的发光器件封装包括：第一框架和第二框架，该第一框架和第二框架被布置为彼此隔开；主体，该主体被布置在第一框架与第二框架之间；发光器件，该发光器件包括电连接到第一框架的第一结合部和电连接到第二框架的第二结合部；第一粘合剂，该第一粘合剂被布置在主体与发光器件之间；以及第二粘合剂，该第二粘合剂被布置在第一和第二框架与发光器件之间，其中第一和第二框架中的每个包括第一和第二上凹部，该第一和第二上凹部设置成从上表面朝向其下表面在第一方向中凹入，第二粘合剂被布置在第一和第二上凹部中，第一粘合剂被布置在主体的上表面中形成的凹部中，并且当从发光器件的向上方向观察时，从发光器件的侧表面到在发光器件的下表面下面布置的第一上凹部的侧表面之间的距离被设置为小于从发光器件的侧表面到第一结合部的侧表面的第二距离，并且从发光器件的侧表面到第一结合部的侧表面的第二距离可以被设置为大于40微米。
根据实施例，从发光器件的侧表面到第一结合部的侧表面的第二距离可以被设置为50至90微米。
根据实施例，第一上凹部的部分区域可以被布置为在第一方向中与第一结合部的下表面重叠。
根据实施例，第一粘合剂可以是绝缘粘合剂，并且第二粘合剂可以被设置为导电粘合剂。
根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法可以改进光提取效率、电特性和可靠性。
根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法能够改进工艺效率并提出新的封装结构，从而降低制造成本并且提高制造产量。
根据实施例，半导体器件封装被设置有具有高反射率的主体，从而能够防止反射体变色，从而改进半导体器件封装的可靠性。
根据实施例，半导体器件封装和制造半导体器件的方法能够防止在将半导体器件封装重新结合到衬底等的工艺期间在半导体器件封装的结合区域中发生再熔化现象。
附图说明
图1是根据本发明的实施例的发光器件封装的平面图。
图2是在图1中示出的发光器件封装的底视图。
图3是沿着图1中示出的发光器件封装的线D-D截取的横截面图。
图4是解释被应用于根据本发明的实施例的发光器件封装的第一框架、第二框架和主体的排列关系的视图。
图5a至5b是解释通过根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法设置封装体的状态的视图。
图6a至6b是解释通过根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法设置发光器件的状态的视图。
图7a至7b是解释通过根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法在开口处设置导电层的状态的视图。
图8a至8b是解释通过制造根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法设置模制部的状态的视图。
图9是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例的视图。
图10是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图11是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图12是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图13是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图14是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图15是根据本发明的实施例的发光器件封装的平面图。
图16是图15中所示的发光器件封装的底视图。
图17是沿图15中所示的发光器件封装的线F-F截取的横截面图。
图18是解释被应用于根据本发明的实施例的发光器件封装的第一框架、第二框架和主体的排列关系的视图。
图19是解释被应用于根据本发明的实施例的发光器件封装的发光器件、第一框架和第二粘合剂的排列关系的视图。
图20至图23是解释根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法的视图。
图24是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例的视图。
图25是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例的视图。
图26是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例的视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述实施例。在实施例的描述中，将会理解，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一层(或膜)、区域、图案或结构“上”或“下”时，“上”和“下”的术语都包括“直接”或“通过(间接)插入另一层”的含义。此外，将基于附图进行关于每层“上”和“下”的参考，但是实施例不限于此。
在下文中，将参考附图详细描述根据本发明的实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法。在下文中，将基于其中应用发光器件作为半导体器件的示例的情况来描述。
首先，将参考图1至图4描述根据本发明的实施例的发光器件封装。
图1是根据本发明的实施例的发光器件封装的平面图，图2是根据本发明的实施例的发光器件封装的底视图，图3是沿着发光器件封装的线D-D截取的横截面图，图4是解释应用于根据本发明的实施例的发光器件封装的第一框架、第二框架和主体的排列关系的视图。
根据实施例的发光器件封装100可以包括封装主体110和发光器件120，如图1至4中所示。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。主体113可以称为绝缘构件。
主体113可以布置在第一框架111上。另外，主体113可以布置在第二框架112上。
主体113可以在第一框架111和第二框架112上设置倾斜表面。腔体C可以通过主体113的倾斜表面设置在第一框架111和第二框架112上。
根据实施例，封装主体110可以被设置为具有腔体C的结构，或者可以被设置为具有平坦上表面而没有腔体C的结构。
例如，主体113可以由选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)(polychloro tri phenyl)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮、环氧模制化合物(EMC)(epoxy molding compound)、硅酮模制化合物(SMC)(silicone molding compound)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中的至少一种形成。另外，主体113可以包括高折射率填料(filler)，例如TiO2或SiO2。
第一框架111和第二框架112可以设置为绝缘框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度。
另外，第一框架111和第二框架112可以设置为导电框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
稍后将描述在形成第一框架111和第二框架112作为绝缘框架的情况与形成第一框架111和第二框架112作为导电框架的情况之间的差异。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的发光结构123，如图3中所示。第一结合部121和第二结合部122可以布置在发光结构123和封装主体110之间。
发光结构123可以包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及被布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层。第一结合部121可以电连接到第一导电类型半导体层。另外，第二结合部122可以电连接到第二导电类型半导体层。
发光器件120可以布置在封装主体110上。发光器件120可以布置在第一框架111和第二框架112上。发光器件120可以布置在由封装主体110提供的腔体C中。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以布置为在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一结合部121可以布置在第一框架111上。第二结合部122可以布置在第二框架112上。
第一结合部121可以布置在发光结构123和第一框架111之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和第二框架112之间。
第一结合部121和第二结合部122可以通过使用选自由Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO和Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO或其合金组成的组中的至少一种材料形成为单层或多层。
同时，根据实施例的发光器件封装100可以包括第一开口TH1和第二开口TH2，如图1至图4中所示。第一框架111可以包括第一开口TH1。第二框架112可以包括第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在第一框架111处。第一开口TH1可以通过穿过第一框架111来设置。第一开口TH1可以通过在第一方向中穿过第一框架111的上表面和下表面来设置。
第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一结合部121下面。第一开口TH1可以被设置为在从第一框架111的上表面朝向其下表面的第一方向中与发光器件120的第一结合部121重叠。
第二开口TH2可以设置在第二框架112处。第二开口TH2可以通过穿过第二框架112来设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过第二框架112的上表面和下表面来设置。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二结合部122下面。第二开口TH2可以设置为在从第二框架112的上表面朝向其下表面的第一方向中与发光器件120的第二结合部122重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为小于或等于第一结合部121的宽度。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为小于或等于第二结合部122的宽度。
因此，发光器件120的第一结合部121和第一框架111可以被更牢固地附接。另外，发光器件120的第二结合部122和第二框架112可以被更牢固地附接。
另外，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为小于或等于第一开口TH1的下部区域的宽度W2。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为小于或等于第二开口TH2的下部区域的宽度。
例如，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为几十微米到几百微米。此外，第一开口TH1的下部区域的宽度W2可以设置为比第一开口TH1的上部区域的宽度W1大几十微米到几百微米。
另外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为几十微米到几百微米。此外，第二开口TH2的下部区域的宽度可以设置为比第二开口TH2的上部区域的宽度大几十微米到几百微米。
另外，第一开口TH1的下部区域的宽度W2可以设置为宽于第一开口TH1的上部区域的宽度W1。第一开口TH1可以在预定深度处在上部区域中设置有预定宽度，并且可以朝向下部区域以倾斜形状设置。
另外，第二开口TH2的下部区域的宽度可以设置为宽于第二开口TH2的上部区域的宽度。第二开口TH2可以在预定深度处在上部区域中设置有预定宽度，并且可以朝向下部区域以倾斜形状设置。
例如，第一开口TH1可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。此外，第二开口TH2可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。
根据实施例，如图3中所示，第一开口TH1和第二开口TH2的下部区域都可以包括倾斜表面。
然而，本发明不限于此，并且第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域和下部区域之间的倾斜表面可以具有多个倾斜表面，所述倾斜表面具有不同斜率，并且倾斜表面可以被布置有曲率。
稍后将描述第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域的宽度W1和下部区域的宽度W2的变化的效果。
第一框架111和第二框架112的下表面区域中的第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度W3可以设置为几百微米。作为示例，第一框架111和第二框架112的下表面区域中的第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度W3可以设置为100至150微米。
第一框架111和第二框架112的下表面区域中的第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度W3可以被选择以被设置为超过预定距离，以防止当根据实施例的发光器件封装100之后被安装在电路板、子基板(submount)等上时焊盘之间的短路。
根据实施例的发光器件封装100可以包括粘合剂130。
粘合剂130可以布置在封装主体110和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在封装主体110的上表面和发光器件120的下表面之间。粘合剂130可以被布置在主体113的上表面与发光器件120的下表面之间。
此外，根据实施例的发光器件封装100可以包括凹部R，如图1至图4中所示。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹入。凹部R可以布置在发光器件120下面。凹部R可以设置为在第一方向中与发光器件120重叠。
根据实施例，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一结合部121和第一结合部121之间。作为示例，粘合剂130可以布置为与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
另外，粘合剂130可以布置在发光器件120和封装主体110之间。粘合剂130可以布置在发光器件120和第一框架111之间。粘合剂130可以布置在发光器件120和第二框架112之间。
粘合剂130可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，粘合剂130可以被布置，以使其直接接触主体113的上表面。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料(epoxy-based material)、硅酮基材料(silicone-based material)以及包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。此外，作为示例，当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以包括白色硅酮。
当光发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力，并且可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以通过提供光扩散功能来提高发光器件封装100的光提取效率。
另外，粘合剂130可以反射从发光器件120发射的光。当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以由包含TiO2、硅酮等的材料形成，并且粘合剂130可以由白色硅酮形成。
根据实施例，凹部R的深度T1可以被设置为小于第一开口TH1的深度T2或第二开口TH2的深度T2。
可以考虑粘合剂130的粘合力来确定凹部R的深度T1。另外，可以通过考虑主体113的稳定强度以及/或者没有由于从发光器件120发射的热量而在发光器件封装100中发生破裂来确定凹部R的深度T1。
凹部R可以提供适当的空间，在该空间中可以在发光器件120的下部处执行一种下填充工艺。这里，下填充工艺可以是将发光器件120安装在封装主体110上并且然后将粘合剂130布置在发光器件120的下部处的工艺，并且可以是将粘合剂130布置在凹部R中并且然后布置发光器件120以便在将发光器件120安装到封装主体110上的工艺中通过粘合剂130安装的工艺。可以在第一深度或更大的深度上设置凹部R，使得粘合剂130可以充分地设置在发光器件120的下表面与主体113的上表面之间。另外，凹部R可以以第二深度或更小的深度被设置，以提供主体113的稳定强度。
凹部R的深度T1和宽度W4可能影响粘合剂130的形成位置和固定力。凹部R的深度T1和宽度W4可以被确定，使得通过被布置在主体113和发光器件120之间的粘合剂130可以充分地提供固定力。
作为示例，凹部R的深度T1可以设置为几十微米。凹部R的深度T1可以设置为40至60微米。
另外，凹部R的宽度W4可以设置为几十微米到几百微米。这里，凹部R的宽度W4可以设置在发光器件120的主轴方向(major axis direction)上，以便于确保发光器件120和封装主体110之间的固定力。
凹部R的宽度W4可以比第一结合部121和第二结合部122之间的间隙窄。相对于发光器件120的主轴长度，凹部R的宽度W4可以被设置为5％或者更大到80％或者更小。当凹部R的宽度W4设置为发光器件120的主轴长度的5％或更大时，可以确保发光器件120和封装主体110之间的稳定的固定力，并且当凹部R的宽度W4设置为80％或更小时，粘合剂130可以被布置在凹部R和第一和第二开口TH1和TH2之间的第一和第二框架111和112中的每个上。因此，可以在发光器件120与第一和第二框架111和112之间确保固定力，第一和第二框架111和112位于凹部R与第一和第二开口TH1和TH2之间。
可以设置第一开口TH1的深度T2以对应于第一框架111的厚度。第一开口TH1的深度T2可以以能够以能够保持第一框架111的稳定强度的厚度来设置。
可以设置第二开口TH2的深度T2以对应于第二框架112的厚度。可以以能够保持第二框架112的稳定强度的厚度来设置第二开口TH2的深度T2。
可以设置第一开口TH1的深度T2和第二开口TH2的深度T2以对应于主体113的厚度。可以以能够保持主体113的稳定强度的厚度来设置第一开口TH1的深度T2和第二开口TH2的深度T2。
作为示例，第一开口TH1的深度T2可以设置为几百微米。第一开口TH1的深度T2可以设置为180至500微米。作为示例，第一开口TH1的深度T2可以设置为500微米。
作为示例，T2-T1的厚度可以选择为至少100微米或更大。这是考虑到能够提供主体113的无裂缝的注入工艺的厚度。
根据实施例，厚度T2与厚度T1的比率(T2/T1)可以设置为2至10。作为示例，当T2的厚度设置为200微米时，T1的厚度可以设置为20至100微米。当T1的厚度与T2的厚度的比率(T2/T1)为2或更大时，可以确保机械强度，使得在主体113中不发生裂缝或不破裂。此外，当T1的厚度和T2的厚度的比率(T2/T1)为10或者更小时，可以充分地排列布置在凹部R中的粘合剂130的量，因此发光器件120和封装主体110之间的固定力可以被改善。
此外，根据实施例的发光器件封装100可以包括模制部140，如图3中所示。
作为参考，在图1的图示中，未示出模制部140，使得可以很好地示出第一框架111、第二框架112和主体113的排列关系。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C上。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置为从发光器件120发射的入射光并且提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
另外，如图1至图4中所示，根据实施例的发光器件封装100可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。第一导电层321可以具有垂直于第一方向的第二方向的宽度。第一导电层321的宽度可以设置为小于第一结合部121的宽度。第一导电层321的上部区域的宽度可以设置为小于第一结合部121的宽度。
第一结合部121可以具有与形成第一开口TH1的第一方向垂直的第二方向的宽度。第一结合部121的宽度可以设置为大于第一开口TH1的上部区域的第二方向的宽度。
第一导电层321可以布置为与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以被布置成被第一框架111包围。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。第二导电层322的宽度可以设置为小于第二结合部122的宽度。第二导电层322的上部区域的宽度可以设置为小于第二结合部122的宽度。
第二结合部122可以具有垂直于形成第二开口TH2的第一方向的第二方向的宽度。第二结合部122的宽度可以设置为大于第二开口TH2的上部区域的第二方向的宽度。
第二导电层322可以布置为与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以被布置成被第二框架112包围。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt或其合金组成的组中的一种材料。然而，本发明不限于此，并且可以在第一导电层321和第二导电层322中使用能够确保导电功能的材料。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由由不同材料组成的多层或者由其合金组成的多层或者单层组成。
根据实施例，如图3中所示，第一导电层321和第二导电层322可以分别设置在第一开口TH1和第二开口TH2处。
如上所述，第一开口TH1和第二开口TH2可以具有第一区域和第二区域，并且第一区域的上表面的宽度W1可以设置为小于第二区域的下表面的宽度W2。因此，可以提供设置在第一和第二开口TH1和TH2处的第一和第二导电层321和322的体积，使得第一区域的体积小于第一和第二开口TH1和TH2的第二区域的体积。
作为示例，第一开口TH1和第二开口TH2的第一区域可以对应于第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域。另外，第一开口TH1和第二开口TH2的第二区域可以对应于第一开口TH1和第二开口TH2的下部区域。
如上所述，当第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域的宽度设置为窄时，第一和第二结合部121和122与第一和第二导电层321和322之间的接触面积可以被减少。因此，可以防止第一导电层321和第二导电层322在第一结合部121和第二结合部122的下表面沿发光器件120的侧表面方向扩散。
当第一导电层321和第二导电层322在侧表面方向中从第一结合部121和第二结合部122的下表面扩散时，扩散的第一导电层321和第二导电层322可以接触发光器件120的有源层，从而导致由于短路引起的故障。
然而，根据实施例，通过减小第一和第二结合部121和122与第一和第二导电层321和322之间的接触面积，能够防止第一和第二导电层321和322在发光器件120的侧表面方向中从第一和第二结合部121和122的下表面扩散，并且能够防止由于发光器件120引起的短路，从而提高发光器件封装的可靠性。
此外，根据实施例，当第一开口TH1和第二开口TH2的第二区域的下表面的宽度被设置为宽于其第一区域的上表面的宽度时，通过第二区域的下表面将第一和第二导电层321和322布置在第一和第二开口TH1和TH2中可以被容易地执行。
此外，根据实施例，当第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域的宽度设置为窄时，设置在第一和第二开口TH1和TH2的上部区域处的第一和第二导电层321和322的体积可以被减少。
因此，因为可以减少第一导电层321和第二导电层322的使用量，所以可以稳定地执行电连接并且可以降低制造成本。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一上凹部R3和第二上凹部R4，如图1、图3和图4中所示。
第一上凹部R3可以设置在第一框架111的上表面上。第一上凹部R3可以设置成在下表面方向中从第一框架111的上表面凹入。第一上凹部R3可以布置为在封装主体110的外部方向中与第一开口TH1隔开。
另外，根据实施例，第一上凹部R3的侧表面可以具有倾斜表面和曲率。此外，第一上凹部R3可以形成为球形，并且其侧表面可以形成为圆形。稍后将描述根据上述的效果。
如图4中所示，当从其向上方向观察时，第一上凹部R3可以包括封装主体110的外侧表面、封装主体的内侧表面、以及连接其外侧表面和内侧并且被布置成与凹部R延伸的方向平行的延伸侧表面。内侧表面可以被设置为与第一结合部121的三个侧面相邻。另外，第一上凹部R3的外表面可以设置在沿封装主体110的副轴方向(minor axis direction)彼此面对的两个短边以及沿主轴方向(major axis direction)的外围区域中。例如，第一上凹部R3可以具有三个外侧表面、三个内侧表面、两个延伸侧表面，并且可以以“[”形状设置在第一结合部121的周边中。当第一框架111具有第一开口TH1时，当第一上凹部R3被配置为具有与第一开口TH1分离的距离时，可以确保用于支撑发光器件120等的第一框架111的机械强度。因此，第一上凹部R3的配置可以包括上述配置，以便布置为围绕第一结合部121的部分区域。这里，稍后将会描述当第一上凹部R3被布置为围绕第一结合部121的部分区域时获得的效果。
第二上凹部R4可以设置在第二框架112的上表面上。第二上凹部R4可以设置成在下表面方向中从第二框架112的上表面凹入。第二上凹部R4可以布置为在封装主体110的外部方向中与第二开口TH2隔开。
另外，根据实施例，第二上凹部R4的侧表面可以具有倾斜表面和曲率。此外，第二上凹部R4可以形成为球形，并且其侧表面可以形成为圆形。稍后将描述根据上述的效果。
如图4中所示，当从其向上方向观察时，第二上凹部R4可以包括封装主体110的外侧表面、封装主体的内侧表面、以及连接其外侧表面和内侧表面并且被布置成与凹部R延伸的方向平行的延伸侧表面。内侧表面可以被设置为比第二结合部122的三侧相邻。另外，第二上凹部R4的外表面可以设置在沿着封装主体110的副轴方向彼此面对的两个短边以及沿主轴方向的外周区域中。例如，第二上凹部R4可以具有三个外侧表面、三个内侧表面、两个延伸侧表面，并且可以以“]”形状设置在第二结合部122的周边中。当第二框架112具有第二开口TH2时，当第二上凹部R4被配置成具有与第二开口TH2分离的距离时，可以确保用于支撑发光器件120等的第二框架112的机械强度。因此，第二上凹部R4的配置可以包括上述配置，以便于被布置为围绕第二结合部122的部分区域。这里，稍后将描述当第二上凹部R4被布置为围绕第二结合部122的部分区域时获得的效果。
例如，第一上凹部R3和第二上凹部R4可以设置有几十微米到几百微米的宽度，并且可以根据发光器件120和/或发光器件封装100的尺寸不同地设置。
此外，根据实施例的发光器件封装100可以包括树脂部分135，如图1、图3以及图4中所示。
树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以被设置在被设置在封装主体110中的腔体C的底表面处。
树脂部分135可以设置在第一上凹部R3和第二上凹部R4处。
树脂部分135可以布置在第一结合部121的侧表面上。树脂部分135可以设置在第一上凹部R3处，并且可以设置为延伸到其中布置第一结合部121的区域。树脂部分135可以布置在第一结合部121的外侧和发光器件120的外侧表面之间的发光结构123下面。
另外，树脂部分135可以布置在第二结合部122的侧表面上。树脂部分135可以设置在第二上凹部R4处，并且可以设置为延伸到其中布置第二结合部122的区域。树脂部分135可以布置在第一结合部121的外侧和发光器件120的外侧表面之间的发光结构123下面。
此外，在根据实施例的发光器件封装中，如图4中所示，当从其向上方向观察时，第一上凹部R3的部分区域可以在第一方向中与发光器件120的部分区域重叠。作为示例，第一上凹部R3的与第一结合部121相邻的内侧表面可以设置在发光结构123的内侧。
此外，在根据实施例的发光器件封装中，如图4中所示，当从其向上方向观察时，第二上凹部R4的部分区域可以在垂直方向中与发光结构123的部分区域重叠。作为示例，第二上凹部R4的与第二结合部122相邻的侧表面区域可以设置为在发光结构123下面延伸。
另外，第一上凹部R3和第二上凹部R4可以提供足够的空间，在该空间中树脂部分135可以布置在发光器件120下面。第一上凹部R3和第二上凹部R4可以提供适当的空间，在该空间中可以在发光器件120的下部处执行一种下填充工艺。
因此，填充在第一上凹部R3和第二上凹部R4处的树脂部分135可以有效地密封第一结合部121和第二结合部122的周边。
另外，在通过布置在主体113的凹部中的粘合剂130固定发光器件120和封装主体110之后，能够通过在第一和第二上凹部R3和R4处布置树脂部分135能够密封第一和第二结合部121和122的周边。如上所述，当第一上凹部R3和第二上凹部R4被布置为围绕第一结合部121和第二结合部122的部分区域并且根据制造顺序执行工艺时，能够更有效地改善当在后续工艺中第一和第二导电层321和322延伸到发光器件120的侧表面时可能发生与有源层接触的短路问题。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料以及包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以是反射从发光器件120发射的光的反射部，例如，包含诸如TiO2的反射材料的树脂，或者可以包括白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面并且可以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改善发光器件120和第一框架111之间的粘合力。树脂部分135可以改善发光器件120和第二框架112之间的粘合力。
另外，如上所述，当第一框架111具有球形形状并且其侧端具有圆形形状时，树脂部分的直接和/或间接接触第一框架的区域增加，因此，粘合剂可以进一步改善发光器件120和第一框架111之间的强度。这里，直接接触可以指的是第一框架111和树脂部分135彼此直接接触，间接接触可以指的是第一框架111涂覆有与构成第一框架111的材料不同的材料的实施例，并且指的是在树脂部分135和第一框架111之间布置另一种材料的实施例。
当第一框架111和树脂部分135之间的粘合强度不足时，可以在第一框架111和树脂部分135之间布置另一种材料，并且第一框架111可以涂覆有具有到树脂部分135和第一框架111的良好粘合性的材料。
当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的外侧表面方向中扩散和移动时，第一导电层321和第二导电层322可以与发光器件120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，通过在布置树脂部分135之后布置第一和第二导电层321和322的制造工艺，可以防止由于第一和第二导电层321和322以及有源层引起的短路，从而提高根据本实施例的发光器件封装的可靠性。
此外，当树脂部分135包括诸如TiO2或白色硅酮的具有反射特性的材料使得反射从发光器件120发射的光时，树脂部分135可以反射从发光器件120朝向封装主体110的向上方向反射的光，从而提高发光器件封装100的光提取效率。另外，当树脂部分135被布置以填充第一和第二上凹部R3和R4、如上所述的第一和第二上凹部R3和R4时，因为第一和第二上凹部R3和R4布置成围绕发光器件120的部分区域，在第一和第二上凹部R3和R4被布置的区域中的反射率可以增加。因此，可以提高发光器件封装100的光提取效率。
另外，根据实施例，模制部140可以布置在树脂部分135上。
同时，根据根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，树脂部分135可以不单独设置，并且模制部140可以布置为与第一框架111和第二框架112直接接触。
另外，根据实施例，发光结构123可以被设置为化合物半导体。作为示例，发光结构123可以被设置为II-VI族或III-V族化合物半导体。例如，发光结构123可以设置有选自铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)和氮(N)中的至少两种或更多种元素。
发光结构123可以包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。
第一和第二导电类型半导体层可以实施为II-VI族或III-V族化合物半导体中的至少一种。第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层可以由具有经验式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半导体材料形成。例如，第一和第二导电类型半导体层可以包括选自由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等组成的组中的至少一种。第一导电类型半导体层可以是掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se或Te的n型掺杂剂的n型半导体层。第二导电类型半导体层可以是掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的p型掺杂剂的p型半导体层。
有源层可以实施为化合物半导体。有源层可以实施为III-V族或II-VI族化合物半导体中的至少一种。当有源层实现为多阱结构时，有源层可以包括被交替地布置的多个阱层和多个势垒层，并且有源层可以作为具有经验式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半导体材料布置。例如，有源层可以包括选自由InGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、AlGaAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP和InP/GaAs组成的组中的至少一种。
在根据实施例的发光器件封装100中，电力可以通过第一开口TH1连接到第一结合部121，并且电力可以通过第二开口TH2连接到第二结合部122。
因此，发光器件120可以由通过第一结合部121和第二结合部122提供的驱动电力驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以被提供并且安装在子基板、电路板等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装处的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，从而可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件的第一电极和第二电极可以通过被布置在开口处的导电层被提供驱动电力。另外，布置在开口中的导电层的熔点可以选择为具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为根据实施例的发光器件封装100即使在通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板时也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，根据根据实施例的发光器件封装100和制造发光器件封装的方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，可以防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)(polyphtalamide)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)(polycyclohexylenedimethylene terephthalate)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
然后，参考附图，将描述根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法。
在参考附图描述根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法中，可以省略与参考图1至图4描述的内容重叠的内容的描述。
首先，根据根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，如图5a和5b中所示，可以设置封装主体110。
图5a和5b是图示通过根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法设置封装主体的状态的平面图和横截面图。
如图5a和5b中所示，封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以被布置在第一框架111和第二框架112之间。
主体113可以布置在第一框架111上。另外，主体113可以布置在第二框架112上。
主体113可以在第一框架111和第二框架112上设置倾斜表面。腔体C可以通过主体113的倾斜表面设置在第一框架111和第二框架112上。
另外，第一框架111可以包括第一开口TH1。第二框架112可以包括第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在第一框架111处。第一开口TH1可以通过穿过第一框架111来设置。第一开口TH1可以通过在第一方向中穿过第一框架111的上表面和下表面来设置。
第二开口TH2可以设置在第二框架112处。第二开口TH2可以通过穿过第二框架112来设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过第二框架112的上表面和下表面来设置。
封装主体110可以包括设置在主体113中的凹部R。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹入。
根据实施例，凹部R的长度L2可以设置为大于第一开口TH1的长度L1或第二开口TH2的长度L1。
接下来，在根据实施例的制造发光器件封装的方法中，可以在凹部R处设置粘合剂130，如图5a和5b中所示。
可以通过加点方法等在凹部区域处设置粘合剂130。例如，粘合剂130可以以预定量提供到其中形成凹部R的区域，并且可以设置为溢出凹部R。
另外，根据实施例，如图5a中所示，凹部R的长度L2可以大于第二开口TH2的长度L1。第二开口TH2的长度L1可以小于发光器件120在短轴方向中的长度。另外，凹部R的长度L2可以大于发光器件120在短轴方向中的长度。
在根据实施例的发光器件封装的制造工艺中，当设置在发光器件120下面的粘合剂130的量大时，设置在凹部R处同时被粘合到发光器件120的下部的粘合剂130的溢出部分可以在凹部R的长度L2方向中移动。因此，即使当施加的粘合剂130的量大于设计的量时，可以稳定地固定发光器件120而不从主体113抬起。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一上凹部R3和第二上凹部R4，如图5a和5b中所示。
第一上凹部R3可以设置在第一框架111的上表面上。第一上凹部R3可以设置成在下表面方向中从第一框架111的上表面凹入。第一上凹部R3可以布置为在封装主体110的外部方向中与第一开口TH1隔开。
另外，根据实施例，第一上凹部R3的侧表面可以具有倾斜表面和曲率。此外，第一上凹部R3可以形成为球形，并且其侧表面可以形成为圆形。
当从其向上方向观察时，第一上凹部R3可以包括封装主体110的外侧表面、封装主体的内侧表面、以及连接其外侧表面和内侧表面并且被布置成平行凹部R延伸的方向的延伸侧表面。内侧表面可以被设置为与第一开口TH1的三个侧面相邻。另外，第一上凹部R3的外表面可以设置在沿封装主体110的副轴方向彼此面对的两个短边和沿主轴方向的外围区域中。例如，第一上凹部R3可以以“[”形状设置在第一开口TH1的周边中。当第一框架111具有第一开口TH1时，当第一上凹部R3被配置为与第一开口TH1具有分离的距离时，可以确保用于支撑发光器件120等的第一框架111的机械强度。因此，第一上凹部R3的配置可以包括上述配置，以便布置成围绕第一开口TH1的部分区域。
第二上凹部R4可以设置在第二框架112的上表面上。第二上凹部R4可以设置成在下表面方向中从第二框架112的上表面凹入。第二上凹部R4可以布置为在封装主体110的外部方向中与第二开口TH2隔开。
另外，根据实施例，第二上凹部R4的侧表面可以具有倾斜表面和曲率。此外，第二上凹部R4可以形成为球形，并且其侧表面可以形成为圆形。稍后将描述根据上述的效果。
当从其向上方向观察时，第二上凹部R4可以包括封装主体110的外侧表面、封装主体的内侧表面、以及连接其外侧表面和内侧表面并且被布置成平行凹部R延伸的方向的延伸侧表面。内侧表面可以被布置成与第二开口TH2的三个侧面相邻。另外，第二上凹部R4的外表面可以设置在沿封装主体110的副轴方向彼此面对的两个短边和沿主轴方向的外围区域。例如，第二上凹部R4可以具有三个外侧表面、三个内侧表面、两个延伸侧表面，并且可以以“]”形状设置在第二开口TH2的周边中。当第二框架112具有第二开口TH2时，当第二上凹部R4配置成与第二开口TH2具有分离的距离时，可以确保用于支撑发光器件120等的第二框架112的机械强度。因此，第二上凹部R4的配置可以包括上述配置，以便布置为围绕第二开口TH2的部分区域。这里，稍后将描述当第二上凹部R4被布置为围绕第二结合部122的部分区域时获得的效果。
另外，根据根据实施例的制造发光器件封装的方法，如图6a和图6b中所示，发光器件120可以布置在封装主体110上。
图6a和6b是图示通过根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法设置发光器件的状态的平面图和横截面图。
根据实施例，在将发光器件120布置在封装主体110上的工艺中，凹部R还可以用作一种对准键(align key)。
发光器件120可以通过粘合剂130固定在主体113处。设置在凹部R处的粘合剂130的一部分可以在发光器件120的第一焊盘电极121和第二焊盘电极122的方向中移动并且可以固化。
因此，粘合剂130可以设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间的宽区域处，并且发光器件120和主体113之间的固定力可以被改善。
根据实施例，如参考图3所描述的，第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一结合部121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一结合部121重叠。第一开口TH1可以设置成从第一框架111的上表面朝向其下表面在第一方向中与发光器件120的第一结合部121重叠。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二结合部122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二结合部122重叠。第二开口TH2可以设置为在第一方向中从第二框架112的上表面朝向其下表面与发光器件120的第二结合部122重叠。
另外，根据根据实施例的制造发光器件封装的方法，如图6a和6b中所示，可以形成树脂部分135。
树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以被设置在封装主体110中提供的腔体C的底表面处。
树脂部分135可以设置在第一上凹部R3和第二上凹部R4处。
树脂部分135可以布置在第一结合部121的侧表面上。树脂部分135可以设置在第一上凹部R3处，并且可以设置为延伸到其中布置第一结合部121的区域。树脂部分135可以布置在发光结构123下面。
另外，树脂部分135可以布置在第二结合部122的侧表面上。树脂部分135可以设置在第二上凹部R4处，并且可以设置为延伸到其中布置第二结合部122的区域。树脂部分135可以布置在发光结构123下面。
第一上凹部R3和第二上凹部R4可以提供足够的空间，树脂部分135可以设置在该空间中。
因此，填充在第一上凹部R3和第二上凹部R4处的树脂部分135可以有效地密封第一结合部121和第二结合部122的周边。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料以及包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。例如，树脂部分135可以是反射从发光器件120发射的光的反射部，例如，包含诸如TiO2的反射材料的树脂。树脂部分135可以包括白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面并且可以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改善发光器件120和第一框架111之间的粘合力。树脂部分135可以改善发光器件120和第二框架112之间的粘合力。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120发射的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改善发光器件封装100的光提取效率。
根据实施例，发光器件120可以布置在封装主体110上，并且然后可以固化粘合剂130。另外，执行粘合剂130的固化，然后可以形成树脂135，并且树脂135可以单独固化。
此外，根据另一实施例，形成树脂部分135，并且然后可以同时执行对粘合剂130和树脂部分135的固化。
接下来，根据根据实施例的制造发光器件封装的方法，如图7a和7b中所示，可以形成第一导电层321和第二导电层322。
图7a和7b是图示通过根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法在开口处设置导电层的状态的平面图和横截面图。
在根据实施例的发光器件封装100中，第一结合部121的下表面可以通过第一开口TH1暴露。另外，第二结合部122的下表面可以通过第二开口TH2暴露。
根据实施例，第一导电层321可以形成在第一开口TH1处。另外，第二导电层322可以形成在第二开口TH2处。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。第一导电层321的宽度可以设置为小于第一结合部121的宽度。第一导电层321可以布置以直接接触第一结合部121的下表面。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以设置为由第一框架111围绕。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。第二导电层322的宽度可以设置为小于第二结合部122的宽度。第二导电层322可以设置为直接接触第二结合部的下表面。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以被布置为被第二框架112围绕。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。第一导电层321和第二导电层322可以由焊膏、银膏等形成。
同时，根据实施例，可以设置第一开口TH1和第二开口TH2，使得第一区域的上表面的宽度小于第二区域的下表面的宽度。因此，设置在第一和第二开口TH1和TH2处的第一和第二导电层321和322的量可以设置在第一和第二开口TH1和TH2的上部区域中，以小于其下部区域中的量。
如上所述，因为第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域的宽度设置为窄，所以第一和第二结合部121和122与第一和第二导电层321和322之间的接触面积可以被减少。因此，可以防止第一导电层321和第二导电层322在其侧表面方向中从第一结合部121和第二结合部122的下表面扩散。
当第一导电层321和第二导电层322从其下表面在第一结合部121和第二结合部122的侧表面方向中扩散时，扩散的第一导电层321和第二导电层322可以与发光器件120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。
然而，根据实施例，通过减小第一和第二结合部121和122与第一和第二导电层321和322接触的面积，可以防止第一和第二导电层321和322在其侧表面方向中从第一和第二结合部的下表面扩散，并且可以防止由于发光器件120的短路引起的故障，从而提高可靠性。
另外，如上所述，当在树脂部分135布置在第一和第二凹部上之后布置第一和第二导电层321和322时，树脂部分135可以防止导电层321和322在发光器件120的侧表面中扩散或者溢出。
另外，根据实施例，当第一开口TH1和第二开口TH2的下部区域的宽度设置为宽于其上部区域的宽度时，可以容易地执行通过第一和第二开口TH1和TH2形成第一和第二导电层321和322的工艺。
此外，根据实施例，当第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域的宽度设置为窄时，设置在第一和第二开口TH1和TH2的上部区域处的第一和第二导电层321和322的量可以减小。
因此，因为可以减少第一导电层321和第二导电层322的使用量，所以可以稳定地执行电连接并且可以降低制造成本。
接下来，根据根据实施例的制造发光器件封装的方法，如图8a和8b中所示，模制部140可以设置在发光器件120上。
图8a和8b是图示通过根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法设置模制部的状态的平面图和横截面图。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体提供的腔体C上。模制部140可以布置在树脂部分135上。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置为从发光器件120发射的入射光并且提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
如上所述，根据根据实施例的制造发光器件封装的方法，第一结合部121和第二结合部122的周边可以通过粘合剂130和树脂部分135稳定地密封。
因此，在通过第一开口TH1和第二开口TH2形成第一导电层321和第二导电层322的工艺中，可以有效地防止第一导电层321和第二导电层322在第一和第二结合部121和122的侧表面的方向中扩散。
因此，根据根据实施例的制造发光器件封装的方法，可以防止第一导电层321和第二导电层322在第一和第二结合部的侧表面的方向中从其下表面扩散并且可以防止由于发光器件120的短路引起的故障，从而提高可靠性。
同时，在上面的描述中，如图7a和7b中所示，首先是先形成第一导电层321和第二导电层322的情况，并且基于形成模制部140的情况对其进行描述，如图8a和8b中所示。
然而，根据根据实施例的制造发光器件封装的方法的另一示例，可以首先形成树脂部分135和模制部140，并且第一导电层321和第二导电层322可以被稍后形成。
另外，根据根据实施例的制造发光器件封装的方法的另一示例，可以不形成树脂部分135，并且可以仅在封装主体110的腔体中形成模制部140。
另外，根据另一实施例，可以首先形成第一导电层321和第二导电层322，并且可以稍后形成树脂部分135和模制部140。
在根据实施例的发光器件封装100中，电力可以通过第一开口TH1连接到第一结合部121，并且电力可以通过第二开口TH2连接到第二结合部122。
因此，发光器件120可以由通过第一结合部121和第二结合部122提供的驱动电力驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以被提供并且安装在子基板、电路板等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在框架和设置在发光器件封装的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，从而可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。因此，可以改变发光器件的位置，并且可以劣化发光器件封装的光学和电学特性以及可靠性。
然而，根据根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件的第一结合部和第二结合部可以通过被布置在开口处的导电层被提供驱动电力。因此，因为发光器件和封装主体110之间的结合材料和发光器件120和封装主体110之间以及发光器件封装和电路基板之间的结合材料彼此不同，所以能够防止再熔化的问题。另外，因为发光器件120通过封装主体110的第一和第二开口TH1和TH2电连接到电路板，所以可以防止重新熔化的问题。此外，可以选择布置在开口处的导电层的熔点，以使其具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为根据实施例的发光器件封装100即使在通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板时也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，根据根据实施例的发光器件封装100和制造发光器件封装的方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，可以防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
接下来，将参考图9描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在描述根据参考图9的实施例的发光器件封装时，可以省略与参考图1至图8描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体110和发光器件120，如图9中所示。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。
第一框架111和第二框架112可以设置为绝缘框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度。
另外，第一框架111和第二框架112可以设置为导电框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
稍后将描述形成第一框架111和第二框架112作为绝缘框架的情况与形成第一框架111和第二框架112作为导电框架的情况之间的差异。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的发光结构123，如图9中所示。第一结合部121和第二结合部122可以布置在发光结构123和封装主体110之间。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以布置为在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一结合部121可以布置在第一框架111上。第二结合部122可以布置在第二框架112上。
第一结合部121可以布置在发光结构123和第一框架111之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和第二框架112之间。
同时，根据实施例的发光器件封装可以包括第一开口TH1和第二开口TH2，如图9中所示。第一框架111可以包括第一开口TH1。第二框架112可以包括第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在第一框架111处。第一开口TH1可以通过穿过第一框架111来设置。第一开口TH1可以通过在第一方向中穿过第一框架111的上表面和下表面来设置。
第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一结合部121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一结合部121重叠。第一开口TH1可以设置为从第一框架111的上表面朝向其下表面在第一方向中与发光器件120的第一结合部121重叠。
第二开口TH2可以设置在第二框架112处。第二开口TH2可以通过穿过第二框架112来设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过第二框架112的上表面和下表面来设置。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二结合部122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二结合部122重叠。第二开口TH2可以设置为在第一方向中从第二框架112的上表面朝向其下表面与发光器件120的第二结合部122重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为小于或等于第一结合部121的宽度。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为小于或等于第二结合部122的宽度。
因此，发光器件120的第一结合部121和第一框架111可以被更牢固地附接。另外，发光器件120的第二结合部122和第二框架112可以被更牢固地附接。
另外，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为小于或等于第一开口TH1的下部区域的宽度W2。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为小于或等于第二开口TH2的下部区域的宽度。
例如，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为几十微米到几百微米。此外，第一开口TH1的下部区域的宽度W2可以设置为比第一开口TH1的上部区域的宽度W1大几十微米到几百微米。
另外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为几十微米到几百微米。此外，第二开口TH2的下部区域的宽度可以设置为比第二开口TH2的上部区域的宽度大几十微米到几百微米。
另外，第一开口TH1的下部区域的宽度W2可以设置为宽于第一开口TH1的上部区域的宽度W1。第一开口TH1可以在预定深度处在上部区域中设置有预定宽度，并且可以朝向下部区域以倾斜形状设置。
另外，第二开口TH2的下部区域的宽度可以设置为宽于第二开口TH2的上部区域的宽度。第二开口TH2可以在预定深度处在上部区域中设置有预定宽度，并且可以朝向下部区域以倾斜形状设置。
例如，第一开口TH1可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。此外，第二开口TH2可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。
然而，本发明不限于此，并且第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域和下部区域之间的倾斜表面可以具有多个倾斜表面，所述多个倾斜表面具有不同斜率，并且倾斜表面可以被布置有曲率。
第一框架111和第二框架112的下表面区域中的第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度W3可以设置为几百微米。作为示例，第一框架111和第二框架112的下表面区域中的第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度W3可以设置为100至150微米。
第一框架111和第二框架112的下表面区域中的第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度W3可以被选择以被设置为超过预定距离，以防止当根据实施例的发光器件封装100之后被安装电路板、子基板等上时焊盘之间的电短路。
根据实施例的发光器件封装可以包括粘合剂130，如图9中所示。
粘合剂130可以布置在封装主体110和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在封装主体110的上表面和发光器件120的下表面之间。粘合剂130可以被布置在主体113的上表面与发光器件120的下表面之间。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括凹部R，如图9中所示。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹入。凹部R可以布置在发光器件120下面。凹部R可以设置为在第一方向中与发光器件120重叠。
例如，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。作为示例，粘合剂130可以布置为与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
另外，粘合剂130可以布置在发光器件120和封装主体110之间。粘合剂130可以布置在发光器件120和第一框架111之间。粘合剂130可以布置在发光器件120和第二框架112之间。
粘合剂130可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，粘合剂130可以被布置，以使其直接接触主体113的上表面。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料以及包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。此外，作为示例，粘合剂130可以包括白色硅酮。
当光发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力，并且可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以通过提供光扩散功能来提高发光器件封装100的光提取效率。
另外，粘合剂130可以反射从发光器件120发射的光。当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以由包括TiO2、硅酮等的材料形成。
凹部R可以提供适当的空间，在该空间中可以在发光器件120的下部处执行一种下填充工艺。凹部R可以设置成第一深度或更大的深度，使得粘合剂130被充分地设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间。另外，凹部R可以设置成第二深度或更小，以提供主体113的稳定强度。
另外，如图9中所示，根据实施例的发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。第一导电层321的宽度可以设置为小于第一结合部121的宽度。第一导电层321的上部区域的宽度可以设置为小于第一结合部121的宽度。
第一结合部121可以具有垂直于形成第一开口TH1的第一方向的第二方向的宽度。第一结合部121的宽度可以设置为大于第一开口TH1的上部区域的第二方向的宽度。
第一导电层321可以布置为与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以被布置成被第一框架111包围。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。第二导电层322的宽度可以设置为小于第二结合部122的宽度。第二导电层322的上部区域的宽度可以设置为小于第二结合部122的宽度。
第二结合部122可以具有垂直于形成第二开口TH2的第一方向的第二方向的宽度。第二结合部122的宽度可以设置为大于第二开口TH2的上部区域的第二方向的宽度。
第二导电层322可以布置为与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以被布置成被第二框架112包围。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt或其合金组成的组中的一种材料。然而，本发明不限于此，并且可以在第一导电层321和第二导电层322中使用能够确保导电功能的材料。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等。
同时，根据实施例的第一导电层321和第二导电层322，如图8中所示示，可以被设置有多层。
作为示例，第一导电层321可以包括第一上导电层321a和第一下导电层321b。第一上导电层321a可以设置在第一开口TH1的上部区域。第一下导电层321b可以设置在第一开口TH1的下部区域。
此外，第二导电层322可以包括第二上导电层322a和第二下导电层322b。第二上导电层322a可以设置在第二开口TH2的上部区域。第二下导电层322b可以设置在第二开口TH2的下部区域。
根据实施例，第一上导电层321a和第一下导电层321b可以包括不同的材料。第一上导电层321a和第一下导电层321b可以具有不同的熔点。作为示例，第一上导电层321a的熔点可以选择为高于第一下导电层321b的熔点。
例如，可以不同地设置形成第一上导电层321a的导电膏和形成第一下导电层321b的导电膏。根据实施例，第一上导电层321a可以通过使用例如银膏形成，并且第一下导电层321b可以通过使用焊膏形成。
根据实施例，当形成第一上导电层321a以具有银膏时，设置在第一开口TH1处的银膏扩散并渗透在第一结合部121和第一框架111之间的程度被检测为弱或不存在。
因此，当第一上导电层321a形成为具有银膏时，可以防止发光器件120短路或劣化。
此外，当第一上导电层321a由银膏形成并且第一下导电层321b由焊膏形成时，与整个第一导电层321被形成为具有银膏的情况相比，制造成本可能会降低。
类似地，可以不同地设置形成第二上导电层322a的导电膏和形成第二下导电层322b的导电膏。根据实施例，第二上导电层322a可以通过使用例如银膏形成，并且第二下导电层322b可以通过使用焊膏形成。
根据实施例，当第二上导电层322a由银膏形成时，设置在第二开口TH2处的银膏在第二结合部122和第二框架112之间扩散和渗透的程度被发现是弱或者不存在。
因此，当第二上导电层322a由银膏形成时，可以防止发光器件120短路或劣化。
此外，当第二上导电层322a由银膏形成并且第二下导电层322b由焊膏形成时，与整个第二导电层322被形成为具有银膏的情况相比较，制造成本可能会降低。
根据实施例，如图9中所示，第一导电层321和第二导电层322可以分别设置在第一开口TH1和第二开口TH2处。
如上所述，第一开口TH1和第二开口TH2可以被设置为使得上部区域的宽度W1小于下部区域的宽度W2。因此，设置在第一开口TH1和第二开口TH2中的第一导电层321和第二导电层322的量可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域中，以使其小于其下部区域中的量。
如上所述，当第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域的宽度设置为窄时，第一和第二结合部121和122与第一和第二导电层321和322之间的接触面积可以被减少。因此，可以防止第一导电层321和第二导电层322在其侧表面方向中从第一结合部121和第二结合部122的下表面扩散。
当第一导电层321和第二导电层322从其下表面沿第一结合部121和第二结合部122的侧表面方向扩散时，扩散的第一导电层321和第二导电层322可以与发光器件120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。
然而，根据实施例，通过减小第一和第二结合部121和122与第一和第二导电层321和322接触的面积，可以防止第一和第二导电层321和322从第一和第二结合部的侧表面的下表面沿其侧表面方向扩散并且可以防止由于发光器件120的短路引起的故障，从而提高可靠性。
另外，根据实施例，当第一开口TH1和第二开口TH2的下部区域的宽度设置为宽于其上部区域的宽度时，在第一和第二开口TH1和TH2处形成第一导电层和第二导电层321和322的工艺可以被容易地执行。
此外，根据实施例，当第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域的宽度设置为窄时，设置在第一和第二开口TH1和TH2的上部区域处的第一和第二导电层321和322的量可以被减小。
因此，因为可以减少第一导电层321和第二导电层322的使用量，所以可以稳定地执行电连接并且可以降低制造成本。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一上凹部R3和第二上凹部R4，如图9中所示。
第一上凹部R3可以设置在第一框架111的上表面上。第一上凹部R3可以设置成在下表面方向中从第一框架111的上表面凹入。第一上凹部R3可以布置为与第一开口TH1隔开。
第二上凹部R4可以设置在第二框架112的上表面上。第二上凹部R4可以设置成在下表面方向中从第二框架112的上表面凹入。第二上凹部R4可以布置为与第二开口TH2隔开。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括树脂部分135，如图9中所示。
树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以被设置在封装主体110中提供的腔体C的底表面处。
树脂部分135可以设置在第一上凹部R3和第二上凹部R4处。
树脂部分135可以布置在第一结合部121的侧表面上。树脂部分135可以设置在第一上凹部R3处，并且可以设置为延伸到其中布置第一结合部121的区域。树脂部分135可以布置在发光结构123下面。
另外，树脂部分135可以布置在第二结合部122的侧表面上。树脂部分135可以设置在第二上凹部R4处，并且可以设置为延伸到其中布置第二结合部122的区域。树脂部分135可以布置在发光结构123下面。
另外，第一上凹部R3和第二上凹部R4可以提供足够的空间，在该空间中树脂部分135可以布置在发光器件120下面。第一上凹部R3和第二上凹部R4可以提供适当的空间，在该空间中可以在发光器件120的下部处执行一种下填充工艺(under-filling process)。
因此，填充在第一上凹部R3和第二上凹部R4处的树脂部分135可以有效地密封第一结合部121和第二结合部122的周边。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料以及包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。例如，树脂部分135可以是反射从发光器件120发射的光的反射部，例如，包含诸如TiO2的反射材料的树脂。树脂部分135可以包括白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面并且可以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改善发光器件120和第一框架111之间的粘合力。树脂部分135可以改善发光器件120和第二框架112之间的粘合力。
树脂部分135可以围绕第一结合部121和第二结合部122密封。树脂部分135可以防止第一导电层321和第二导电层322与第一开口TH1区域和第二开口TH2区域分离，并且在发光器件120的方向中扩散和移动。
当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的外侧表面方向中扩散和移动时，第一导电层321和第二导电层322可以与发光器件120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，当布置树脂部分135时，可以防止由于第一导电层321和第二导电层322以及有源层引起的短路，从而提高根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120发射的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改善发光器件封装100的光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装100可以包括模制部140，如
图9中所示。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体提供的腔体C上。模制部140可以布置在树脂部分135上。
在根据实施例的发光器件封装中，电力可以通过第一开口TH1连接到第一结合部121，并且电力可以通过第二开口TH2连接到第二结合部122。
因此，发光器件120可以由通过第一结合部121和第二结合部122提供的驱动电力驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以被提供并且安装在子基板、电路板等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装处的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，从而可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件的第一电极和第二电极可以通过被布置在开口处的导电层被提供驱动电力。另外，布置在开口中的导电层的熔点可以选择为具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为根据实施例的发光器件封装100即使在通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板时也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，根据根据实施例的发光器件封装100和制造发光器件封装的方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，可以防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
同时，根据上面参考图1至图9描述的实施例的发光器件封装100包括可以被提供并且被安装在子基板、电路板等上。
然后，将参考图10描述根据本发明的实施例的发光器件封装的又一个示例。
图10中示出的根据本发明的实施例的发光器件封装300可以作为其中参考图1至图9描述的发光器件封装被安装在电路板310上并且被提供的示例被示出。
在参考图10描述根据本发明的实施例的制造发光器件封装300的方法中，可以省略与参考图1至图9描述的内容重叠的描述。
根据实施例的发光器件封装300可以包括电路板310、封装主体110和发光器件120，如图10中所示。
电路板310可以包括第一焊盘311、第二焊盘312和支撑基板313。支撑基板313可以设置有电源电路，该电源电路被配置为控制发光器件120的驱动。
封装主体110可以布置在电路板310上。第一焊盘311和第一结合部121可以彼此电连接。第二焊盘312和第二结合部122可以彼此电连接。
第一焊盘311和第二焊盘312可以包括导电材料。例如，第一焊盘311和第二焊盘312可以包括从由Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn和Al或其合金组成的组中选择的一种材料。第一焊盘311和第二焊盘312可以设置为单层或多层。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。
第一框架111和第二框架112可以设置为绝缘框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度。
另外，第一框架111和第二框架112可以设置为导电框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
封装主体110可以包括第一开口TH1和第二开口TH2，第一开口TH1和第二开口TH2在第一方向中从封装主体110的上表面穿过到下表面。第一框架111可以包括第一开口TH1。第二框架112可以包括第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在第一框架111处。第一开口TH1可以通过穿过第一框架111来设置。第一开口TH1可以通过在第一方向中穿过第一框架111的上表面和下表面来设置。
第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一结合部121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一结合部121重叠。第一开口TH1可以设置为从第一框架111的上表面朝向其下表面在第一方向中与发光器件120的第一结合部121重叠。
第二开口TH2可以设置在第二框架112处。第二开口TH2可以通过穿过第二框架112来设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过第二框架112的上表面和下表面来设置。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二结合部122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二结合部122重叠。第二开口TH2可以设置为在第一方向中从第二框架112的上表面朝向其下表面与发光器件120的第二结合部122重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为小于或等于第一结合部121的宽度。另外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为小于或等于第二结合部122的宽度。
因此，发光器件120的第一结合部121和第一框架111可以被更牢固地附接。另外，发光器件120的第二结合部122和第二框架112可以被更牢固地附接。
另外，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为小于或等于第一开口TH1的下部区域的宽度W2。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为小于或等于第二开口TH2的下部区域的宽度。
例如，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为几十微米到几百微米。此外，第一开口TH1的下部区域的宽度W2可以设置为比第一开口TH1的上部区域的宽度W1大几十微米到几百微米。
另外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为几十微米到几百微米。此外，第二开口TH2的下部区域的宽度可以设置为比第二开口TH2的上部区域的宽度大几十微米到几百微米。
另外，第一开口TH1的下部区域的宽度W2可以设置为宽于第一开口TH1的上部区域的宽度W1。第一开口TH1可以在预定深度处在上部区域中设置有预定宽度，并且可以朝向下部区域以倾斜形状设置。
另外，第二开口TH2的下部区域的宽度可以设置为宽于第二开口TH2的上部区域的宽度。第二开口TH2可以在预定深度处在上部区域中设置有预定宽度，并且可以朝向下部区域以倾斜形状设置。
例如，第一开口TH1可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。此外，第二开口TH2可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。
然而，本发明不限于此，并且第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域和下部区域之间的倾斜表面可以具有多个倾斜表面，所述多个倾斜表面具有不同斜率，并且倾斜表面可以设置有曲率。
根据实施例的发光器件封装300可以包括粘合剂130，如图10中所示。
粘合剂130可以布置在封装主体110和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在封装主体110的上表面和发光器件120的下表面之间。粘合剂130可以被布置在主体113的上表面与发光器件120的下表面之间。
此外，根据实施例的发光器件封装300可以包括凹部R，如图10中所示。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹入。凹部R可以布置在发光器件120下面。凹部R可以设置为在第一方向中与发光器件120重叠。
例如，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。作为示例，粘合剂130可以布置为与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
另外，粘合剂130可以布置在发光器件120和封装主体110之间。粘合剂130可以布置在发光器件120和第一框架111之间。粘合剂130可以布置在发光器件120和第二框架112之间。
粘合剂130可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，粘合剂130可以被布置，以使其直接接触主体113的上表面。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料以及包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。此外，作为示例，粘合剂130可以包括白色硅酮。
当光发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力，并且可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以通过提供光扩散功能来提高发光器件封装300的光提取效率。
另外，粘合剂130可以反射从发光器件120发射的光。当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以由包括TiO2、硅酮等的材料形成。
此外，如图10中所示，根据实施例的发光器件封装300可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。第一导电层321的宽度可以设置为小于第一结合部121的宽度。第一导电层321的上部区域的宽度可以设置为小于第一结合部121的宽度。
第一结合部121可以具有与形成第一开口TH1的第一方向垂直的第二方向的宽度。第一结合部121的宽度可以设置为大于第一开口TH1的上部区域的第二方向的宽度。
第一导电层321可以布置为与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以被布置成被第一框架111包围。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。第二导电层322的宽度可以设置为小于第二结合部122的宽度。第二导电层322的上部区域的宽度可以设置为小于第二结合部122的宽度。
第二结合部122可以具有垂直于形成第二开口TH2的第一方向的第二方向的宽度。第二结合部122的宽度可以设置为大于第二开口TH2的上部区域的第二方向的宽度。
第二导电层322可以布置为与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以被布置成被第二框架112包围。
第一导电层321和第二导电层322可以包括从由Ag、Au和Pt或其合金组成的组中选择的一种材料。然而，本发明不限于此，并且可以在第一导电层321和第二导电层322中使用能够确保导电功能的材料。
根据实施例，电路板310的第一焊盘311和第一导电层321可以彼此电连接。另外，电路板310的第二焊盘312和第二导电层322可以彼此电连接。
同时，根据实施例，可以在第一焊盘311和第一导电层321之间另外设置单独的结合层。此外，可以在第二焊盘312和第二导电层322之间另外设置单独的结合层。
另外，根据另一实施例，第一导电层321和第二导电层322可以通过共晶焊安装在电路板310上。
根据参考图10描述的实施例的发光器件封装300被配置成使得从电路板310提供的电力分别通过第一导电层321和第二导电层322提供到第一结合部121和第二结合部122。此时，电路板310的第一焊盘311和第一导电层321彼此直接接触，并且电路板310的第二焊盘312和第二导电层322直接接触。
因此，根据图10中所示实施例的发光器件封装300，第一框架111和第二框架112可以形成为具有绝缘框架。另外，根据图10中所示实施例的发光器件封装300，第一框架111和第二框架112可以形成为具有导电框架。
如上所述，根据根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件的第一结合部和第二结合部可以通过被布置在开口处的导电层被提供驱动电力。另外，布置在开口中的导电层的熔点可以选择为具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装结合到主基板时，根据实施例的发光器件封装也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，可以防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
同时，图11中所示的根据本发明的实施例的发光器件封装400作为其中参考图1至图9描述的发光器件封装被安装在电路板410上并且被提供的示例被示出。
在描述根据本发明的制造发光器件封装400的方法中，可以省略与参考图1至图10描述的内容重叠的描述。
根据实施例的发光器件封装400可以包括电路板410、封装主体110和发光器件120，如图11中所示。
电路板410可以包括第一焊盘411、第二焊盘412和支撑基板413。支撑基板413可以设置有电源电路，该电源电路被配置为控制发光器件120的驱动。
封装主体110可以设置在电路板410上。第一焊盘411和第一结合部121可以彼此电连接。第二焊盘412和第二结合部122可以彼此电连接。
第一焊盘411和第二焊盘412可以包括导电材料。例如，第一焊盘411和第二焊盘412可以包括从由Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn和Al或其合金组成的组中选择的一种材料。第一焊盘411和第二焊盘412可以设置为单层或多层。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。
另外，第一框架111和第二框架112可以设置为导电框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
封装主体110可以包括第一开口TH1和第二开口TH2，第一开口TH1和第二开口TH2沿第一方向从封装主体110的上表面穿过到下表面。第一框架111可以包括第一开口TH1。第二框架112可以包括第二开口TH2
第一开口TH1可以设置在第一框架111处。第一开口TH1可以通过穿过第一框架111来设置。第一开口TH1可以通过在第一方向穿过第一框架111的上表面和下表面被设置。
第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一结合部121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一结合部121重叠。第一开口TH1可以设置为从第一框架111的上表面朝向其下表面在第一方向中与发光器件120的第一结合部121重叠。
第二开口TH2可以设置在第二框架112处。第二开口TH2可以通过穿过第二框架112来设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过第二框架112的上表面和下表面来设置。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二结合部122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二结合部122重叠。第二开口TH2可以设置为在第一方向中从第二框架112的上表面朝向其下表面与发光器件120的第二结合部122重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为小于或等于第一结合部121的宽度。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为小于或等于第二结合部122的宽度。
因此，发光器件120的第一结合部121和第一框架111可以被更牢固地附接。另外，发光器件120的第二结合部122和第二框架112可以被更牢固地附接。
另外，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为小于或等于第一开口TH1的下部区域的宽度W2。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为小于或等于第二开口TH2的下部区域的宽度。
例如，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为几十微米到几百微米。此外，第一开口TH1的下部区域的宽度W2可以设置为比第一开口TH1的上部区域的宽度W1大几十微米到几百微米。
另外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为几十微米到几百微米。此外，第二开口TH2的下部区域的宽度可以设置为比第二开口TH2的上部区域的宽度大几十微米到几百微米。
另外，第一开口TH1的下部区域的宽度W2可以设置为宽于第一开口TH1的上部区域的宽度W1。第一开口TH1可以在预定深度处在上部区域中设置有预定宽度，并且可以朝向下部区域以倾斜形状设置。
另外，第二开口TH2的下部区域的宽度可以设置为宽于第二开口TH2的上部区域的宽度。第二开口TH2可以在预定深度处在上部区域中设置有预定宽度，并且可以朝向下部区域以倾斜形状设置。
例如，第一开口TH1可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。此外，第二开口TH2可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。
然而，本发明不限于此，并且第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域和下部区域之间的倾斜表面可以具有多个倾斜表面，所述多个倾斜表面具有不同斜率，并且倾斜表面可以被布置有曲率。
根据实施例的发光器件封装400可以包括粘合剂130，如图11中所示。
粘合剂130可以布置在封装主体110和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在封装主体110的上表面和发光器件120的下表面之间。粘合剂130可以被布置在主体113的上表面与发光器件120的下表面之间。
此外，根据实施例的发光器件封装400可以包括凹部R，如图11中所示。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹入。凹部R可以布置在发光器件120下面。凹部R可以设置为在第一方向中与发光器件120重叠。
例如，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以设置在第一结合部121和第二粘合之间。作为示例，粘合剂130可以布置为与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
另外，粘合剂130可以布置在发光器件120和封装主体110之间。粘合剂130可以布置在发光器件120和第一框架111之间。粘合剂130可以布置在发光器件120和第二框架112之间。
粘合剂130可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，粘合剂130可以被布置，以使其直接接触主体113的上表面。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料以及包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。此外，作为示例，粘合剂130可以包括白色硅酮。
当光发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力，并且可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以通过提供光扩散功能来提高发光器件封装400的光提取效率。
另外，粘合剂130可以反射从发光器件120发射的光。当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以由包括TiO2、硅酮等的材料形成。
此外，如图11中所示，根据实施例的发光器件封装400可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。第一导电层321的宽度可以设置为小于第一结合部121的宽度。第一导电层321的上部区域的宽度可以设置为小于第一结合部121的宽度。
第一结合部121可以具有垂直于形成第一开口TH1的第一方向的第二方向的宽度。第一结合部121的宽度可以设置为大于第一开口TH1的上部区域的第二方向的宽度。
第一导电层321可以布置为与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以被布置成被第一框架111包围。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。第二导电层322的宽度可以设置为小于第二结合部122的宽度。第二导电层322的上部区域的宽度可以设置为小于第二结合部122的宽度。
第二结合部122可以具有垂直于形成第二开口TH2的第一方向的第二方向的宽度。第二结合部122的宽度可以设置为大于第二开口TH2的上部区域的第二方向的宽度。
第二导电层322可以布置为与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以被布置成被第二框架112包围。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt或其合金组成的组中的一种材料。然而，本发明不限于此，并且可以在第一导电层321和第二导电层322中使用能够确保导电功能的材料。
根据实施例，电路板410的第一焊盘411和第一导电层321可以彼此电连接。另外，电路板410的第二焊盘412和第二导电层322可以彼此电连接。
第一焊盘411可以电连接到第一框架111。另外，第二焊盘412可以电连接到第二框架112。
同时，根据实施例，可以在第一焊盘411和第一框架111之间另外设置单独的结合层。此外，可以在第二焊盘412和第二框架112之间另外设置单独的结合层。
参考图11描述的根据实施例的发光器件封装400可以被配置成使得从电路板410提供的电力分别通过第一导电层321和第二导电层322提供到第一结合部121和第二结合部122。此时，电路板410的第一焊盘411和第一框架111彼此直接接触，并且电路板410的第二焊盘412和第二框架112直接接触。
如上所述，根据根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件的第一结合部和第二结合部可以通过被布置在开口处的导电层被提供驱动电力。另外，布置在开口中的导电层的熔点可以选择为具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装结合到主基板时，根据实施例的发光器件封装也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，根据根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，可以防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
同时，在根据上述实施例的发光器件封装的情况下，基于在每个结合部下面设置一个开口的情况来解释发光器件封装。
然而，根据另一实施例的发光器件封装，可以在每个结合部下面设置多个开口。此外，多个开口可以设置为具有不同宽度或相同宽度的开口。
另外，根据根据上述实施例的发光器件封装，封装主体110仅包括其中上表面是平坦的支撑构件，并且可以不设置有被布置为倾斜的反射部。
作为另一示例，根据实施例的发光器件封装，封装主体110可以设置有其中设置腔体C的结构。此外，封装主体110可以设置有上表面是平坦的而没有设置腔体C的结构。
另外，根据根据上述实施例的发光器件封装，尽管基于第一和第二开口TH1和TH2设置在封装主体110的第一和第二框架111和112处的情况进行描述，但是第一开口TH1和第二开口TH2可以设置在封装主体110的主体113处。
当在如上所述的封装主体110的主体113处设置第一开口TH1和第二开口TH2时，根据发光器件120的主轴方向的主体113的上表面的长度可以是设置为大于发光器件120的第一结合部121和第二结合部122之间的长度。
另外，当第一开口TH1和第二开口TH2设置在封装主体110的主体113处时，根据实施例的发光器件封装可以不包括第一框架111和第二框架112。
接下来，将参考图12描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在描述根据参考图12的实施例的发光器件封装时，可以省略与图1至11描述的内容重叠的内容。
根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体110和发光器件120，如图12中所示。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。主体113可以称为绝缘构件。
主体113可以布置在第一框架111上。另外，主体113可以布置在第二框架112上。
主体113可以在第一框架111和第二框架112上设置倾斜表面。腔体C可以通过主体113的倾斜表面设置在第一框架111和第二框架112上。
根据实施例，封装主体110可以被设置为具有腔体C的结构，或者可以被设置为具有平坦上表面而没有腔体C的结构。
例如，主体113可以由选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮、环氧模制化合物(EMC)、硅酮模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中的至少一种形成。另外，主体113可以包括高折射率填料，例如TiO2或SiO2。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的发光结构123，如图12中所示。第一结合部121和第二结合部122可以布置在发光结构123和主体113之间。
发光结构123可以包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层。第一结合部121可以电连接到第一导电类型半导体层。另外，第二结合部122可以电连接到第二导电类型半导体层。
发光器件120可以布置在封装主体110上。发光器件120可以布置在第一框架111和第二框架112上。发光器件120可以布置在由封装主体110提供的腔体C中。
封装主体110可以包括第一开口TH1和第二开口TH2，第一开口TH1和第二开口TH2在第一方向中从封装主体110的上表面穿过到下表面。第一框架111可以包括第一开口TH1。第二框架112可以包括第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在第一框架111处。第一开口TH1可以通过穿过第一框架111来设置。第一开口TH1可以通过在第一方向中穿过第一框架111的上表面和下表面来设置。
第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一结合部121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一结合部121重叠。第一开口TH1可以设置为从第一框架111的上表面朝向其下表面在第一方向中与发光器件120的第一结合部121重叠。
第二开口TH2可以设置在第二框架112处。第二开口TH2可以通过穿过第二框架112来设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过第二框架112的上表面和下表面来设置。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二结合部122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二结合部122重叠。第二开口TH2可以设置为在第一方向中从第二框架112的上表面朝向其下表面与发光器件120的第二结合部122重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
根据实施例，发光器件120的第一结合部121和第二结合部122的尺寸可以设置为小于图21中所示的发光器件120的尺寸以便于提高光提取效率。第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为小于或等于第一焊盘电极121的宽度W1。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为小于或者等于第二焊盘电极122的的宽度。
另外，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为小于或等于第一开口TH1的下部区域的宽度W2。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为小于或等于第二开口TH2的下部区域的宽度。
例如，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为几十微米到几百微米。此外，第一开口TH1的下部区域的宽度W2可以设置为比第一开口TH1的上部区域的宽度W1大几十微米到几百微米。
此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为几十微米到几百微米。此外，第二开口TH2的下部区域的宽度可以设置为比第二开口TH2的上部区域的宽度大几十微米到几百微米。
另外，第一开口TH1的下部区域的宽度W2可以设置为宽于第一开口TH1的上部区域的宽度W1。第一开口TH1可以在预定深度处在上部区域中设置有预定宽度，并且可以朝向下部区域以倾斜形状设置。
另外，第二开口TH2的下部区域的宽度可以设置为宽于第二开口TH2的上部区域的宽度。第二开口TH2可以在预定深度处在上部区域中设置有预定宽度，并且可以朝向下部区域以倾斜形状设置。
例如，第一开口TH1可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。此外，第二开口TH2可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。
然而，本发明不限于此，并且第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域和下部区域之间的倾斜表面可以具有多个倾斜表面，所述多个倾斜表面具有不同斜率，并且可以设置倾斜表面有曲率。
根据实施例的发光器件封装，如图12中所示，可以包括第一导体221和第二导体222。此外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导体221可以布置在第一结合部121下面。第一导体221可以电连接到第一结合部121。第一导体221可以被布置为在第一方向中与第一结合部121重叠。
第一导体221可以设置在第一开口TH1处。第一导体221可以布置在第一结合部121和第一导电层321之间。第一导体221可以电连接到第一结合部121和第一导电层321。
第一导体221的下表面可以布置为低于第一开口TH1的上表面。第一导体221的下表面可以布置为低于第一导电层321的上表面。
第一导体221可以布置在第一开口TH1上。另外，第一导体221可以布置为从第一结合部121延伸到第一开口TH1的内部。
另外，第二导体222可以布置在第二结合部122下面。第二导体222可以电连接到第二结合部122。第二导体222可以布置为在第一方向中与第二结合部122重叠。
第二导体222可以设置在第二开口TH2处。第二导体222可以布置在第二结合部122和第二导电层322之间。第二导体222可以电连接到第二结合部122和第二导电层322。
第二导体222的下表面可以布置为低于第二开口TH2的上表面。第二导体222的下表面可以布置为低于第二导电层322的上表面。
第二导体222可以布置在第二开口TH2上。另外，第二导体222可以布置为从第二结合部122延伸到第二开口TH2的内部。
根据实施例，第一导电层321可以布置在第一导体221的下表面和侧表面上。第一导电层321可以布置为与第一导体221的下表面和侧表面直接接触。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。第一导电层321的宽度可以设置为大于第一结合部121的宽度。
如上所述，根据实施例的发光器件封装，第一导电层321和第一结合部121之间的电连接可以由第一导体221更稳定地提供。
此外，根据实施例，第二导电层322可以布置在第二导体222的下表面和侧表面上。第二导电层322可以布置为与第二导体222的下表面和侧表面直接接触。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。第二导电层322的宽度可以设置为大于第二结合部122的宽度。
如上所述，根据实施例的发光器件封装200，第二导体222可以更稳定地提供第二导电层322和第二结合部122之间的电连接。
例如，第一和第二导体221和222可以分别通过单独的结合材料稳定地结合到第一和第二结合部121和122。另外，第一导体221和第二导体222的侧表面和下表面可以分别与第一导电层321和第二导电层322接触。
因此，与第一导电层321和第二导电层322分别直接接触第一和第二结合部121和122的下表面的情况相比，可以进一步增加第一导电层321和第二导电层322分别与第一导体221和第二导体222接触的面积。
因此，可以经由第一导体221和第二导体222从第一导电层321和第二导电层322到第一结合部121和第二结合部122稳定地提供电力。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt等或其合金组成的组中的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以用于第一导电层321和第二导电层322。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由由不同材料组成的多层或者由其合金组成的多层或者单层组成。
另外，第一和第二导体221和222可以包括选自由Ag、Au、Pt、Sn、Al等或其合金组成的组中的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以用于第一导体221和第二导体222。
根据实施例的发光器件封装可以包括粘合剂130。
粘合剂130可以布置在封装主体110和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在封装主体110的上表面和发光器件120的下表面之间。粘合剂130可以被布置在主体113的上表面与发光器件120的下表面之间。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括凹部R，如图12中所示。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹入。凹部R可以布置在发光器件120下面。凹部R可以设置为在第一方向中与发光器件120重叠。
例如，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。作为示例，粘合剂130可以布置为与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
另外，粘合剂130可以布置在发光器件120和封装主体110之间。粘合剂130可以布置在发光器件120和第一框架111之间。粘合剂130可以布置在发光器件120和第二框架112之间。
粘合剂130可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，粘合剂130可以被布置，以使其直接接触主体113的上表面。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料以及包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。此外，作为示例，当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以包括白色硅酮。
当光发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力，并且可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以通过提供光扩散功能来提高发光器件封装的光提取效率。
另外，粘合剂130可以反射从发光器件120发射的光。当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以由包括TiO2、硅酮等的材料形成。
根据实施例，凹部R的深度T1可以被设置为小于第一开口TH1的深度T2或第二开口TH2的深度T2。
凹部R的深度T1可以考虑粘合剂130的粘合力来确定。另外，凹部R的深度T1可以通过考虑主体113的稳定强度以及/或者不会由于从发光器件120发射的热量而在发光器件封装中发生裂缝来确定。
凹部R可以提供适当的空间，在该空间中可以在发光器件120的下部处执行一种下填充工艺。这里，下填充工艺可以是在封装主体110上安装发光器件120并且然后将粘合剂130布置在发光器件120的下部的工艺，并且可以是将粘合剂130布置在凹部R中并且然后布置发光器件120以便于在将发光器件120安装在封装主体110的工艺中通过粘合剂130安装的工艺。
凹部R的深度T1和宽度W4可能影响粘合剂130的形成位置和固定力。可以确定凹部R的深度T1和宽度W4，使得通过被布置在主体113和发光器件120之间的粘合剂130可以充分地提供固定力。
作为示例，凹部R的深度T1可以设置为几十微米。凹部R的深度T1可以设置为40至60微米。
另外，凹部R的宽度W4可以设置为几十微米到几百微米。这里，凹部R的宽度W4可以设置在发光器件120的主轴方向中。
凹部R的宽度W4可以设置为比第一结合部121和第二结合部122之间的间隙窄。凹部R的宽度W4可以设置为比第一和第二结合部121和122的宽度或直径大数百微米。例如，凹部R的宽度W4可以设置为300至400微米。
可以设置第一开口TH1的深度T2以对应于第一框架111的厚度。第一开口TH1的深度T2可以以能够以能够保持第一框架111的稳定强度的厚度来设置。
可以设置第二开口TH2的深度T2以对应于第二框架112的厚度。第二开口TH2的深度T2可以以能够保持第二框架112的稳定强度的厚度设置。
可以设置第一开口TH1的深度T2和第二开口TH2的深度T2以对应于主体113的厚度。第一开口TH1的深度T2和第二开口TH2的深度T2可以以能够保持主体113的稳定强度的厚度设置。
作为示例，第一开口TH1的深度T2可以设置为几百微米。第一开口TH1的深度T2可以设置为180至220微米。作为示例，第一开口TH1的深度T2可以设置为200微米。
作为示例，T2-T1的厚度可以选择为至少100微米或更大。这是考虑到能够提供主体113的无裂缝的注入工艺的厚度。
根据实施例，厚度T2与厚度T1的比率(T2/T1)可以设置为2至10。例如，当T2的厚度设置为200微米时，T1的厚度可以设置为20至100微米。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小。根据根据实施例的发光器件封装，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以基于衬底124的上表面的面积设定为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光面积并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据根据实施例的发光器件封装，第一和第二结合部121和122的面积之和可以基于衬底124的上表面的面积设定为0.7％或更大，以便于将稳定的结合力提供给要被安装的发光器件。
此外，根据实施例的发光器件封装，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以基于衬底124的上表面的面积设定为0.7％或更大使得第一导体221和第二导体222可以以稳定的方式布置。
根据实施例，其中基于第一方向粘合剂130与发光器件120重叠的面积可以被设置为大于其中第一开口TH1和第二开口TH2与第一和第二结合部121和122重叠的区域的面积。
如上所述，因为第一结合部121和第二结合部122的面积设置为小，所以可以增加发射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向中发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝向发光器件封装100的向上方向被有效地发射，从而可以提高光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140，如图12中所示。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C上。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置为从发光器件120发射的入射光并且提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一上凹部R3和第二上凹部R4，如图12中所示。
第一上凹部R3可以设置在第一框架111的上表面上。第一上凹部R3可以设置成在下表面方向中从第一框架111的上表面凹入。第一上凹部R3可以布置为与第一开口TH1隔开。
第二上凹部R4可以设置在第二框架112的上表面上。第二上凹部R4可以设置成在下表面方向中从第二框架112的上表面凹入。第二上凹部R4可以布置为与第二开口TH2隔开。
例如，第一上凹部R3和第二上凹部R4可以设置有几十微米到几百微米的宽度。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括树脂部分135，如图12中所示。
树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以被设置在封装主体110中提供的腔体C的底表面处。
树脂部分135可以设置在第一上凹部R3和第二上凹部R4处。
树脂部分135可以布置在第一结合部121的侧表面上。树脂部分135可以设置在第一上凹部R3处，并且可以设置为延伸到其中布置第一结合部121的区域。树脂部分135可以布置在发光结构123下面。
另外，树脂部分135可以布置在第二结合部122的侧表面上。树脂部分135可以设置在第二上凹部R4处，并且可以设置为延伸到其中布置第二结合部122的区域。树脂部分135可以布置在发光结构123下面。
另外，在根据实施例的发光器件封装中，当从其向上方向观察时，第一上凹部R3的部分区域可以与垂直方向中的发光结构123的部分区域重叠。作为示例，第一上凹部R3的与第一结合部121相邻的侧表面区域可以设置为在发光结构123下面延伸。
另外，在根据实施例的发光器件封装中，当从其向上方向观察时，第二上凹部R4的部分区域可以与垂直中的发光结构123的部分区域重叠。作为示例，第二上凹部R4的与第二结合部122相邻的侧表面区域可以设置为在发光结构123下面延伸。
另外，第一上凹部R3和第二上凹部R4可以提供足够的空间，在该空间中树脂部分135可以布置在发光器件120下面。第一上凹部R3和第二上凹部R4可以提供适当的空间，在该空间中可以在发光器件120的下部处执行一种下填充工艺。
因此，填充在第一上凹部R3和第二上凹部R4处的树脂部分135可以有效地密封第一结合部121和第二结合部122的周边。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料以及包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以是反射从发光器件120发射的光的反射部，例如，包含诸如TiO2的反射材料的树脂，或者可以包括白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面并且可以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改善发光器件120和第一框架111之间的粘合力。树脂部分135可以改善发光器件120和第二框架112之间的粘合力。
树脂部分135可以围绕第一结合部121和第二结合部122密封。树脂部分135可以防止第一导电层321和第二导电层322与第一开口TH1区域和第二开口TH2区域分离，并且在发光器件120的外侧表面的方向中扩散和移动。
当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的外侧表面方向中扩散和移动时，第一导电层321和第二导电层322可以与发光器件120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，当布置树脂部分135时，能够防止由于第一导电层321和第二导电层322以及有源层引起的短路，从而提高根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，根据实施例，可以在发光器件120的下表面和周边处设置保护层。在这种情况下，因为在有源层的表面处设置绝缘保护层，即使当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的外侧表面方向中扩散和移动时，也能够防止第一导电层321和第二导电层322电连接到发光器件120的有源层。
同时，在绝缘保护层布置在发光器件120的下表面和周边的情况下，绝缘保护层可以不布置在发光器件120的上侧表面或者衬底124的周边上。在此时，当衬底124设置有导电材料时，当第一导电层321和第二导电层322与发光器件120的上侧表面或衬底124接触时，可能会发生由于短路引起的故障。因此，当布置树脂部分135时，可以防止由于第一和第二导电层321和322以及发光器件120的上侧表面或衬底124引起的短路，从而提高根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120发射的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改善发光器件封装的光提取效率。
同时，根据根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，树脂部分135可以不单独地设置，并且模制部140可以布置为与第一框架111和第二框架112直接接触。
在根据实施例的发光器件封装中，电力可以通过第一开口TH1连接到第一结合部121，并且电力可以通过第二开口TH2连接到第二结合部122。
因此，发光器件120可以由通过第一结合部121和第二结合部122提供的驱动电力驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以被提供并且被安装在子基板、电路板等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装处的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，从而可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件的第一结合部和第二结合部可以通过被布置在开口处的导电层被提供驱动电力。另外，布置在开口中的导电层的熔点可以选择为具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装结合到主基板时，根据实施例的发光器件封装也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，根据根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，可以防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小。根据根据实施例的发光器件封装，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以基于衬底124的上表面的面积设定为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光面积并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据根据实施例的发光器件封装，第一和第二结合部121和122的面积之和可以基于衬底124的上表面的面积设定为0.7％或更大，以便于将稳定的结合力提供给要被安装的发光器件。
此外，根据根据实施例的发光器件封装，第一和第二结合部121和122的面积之和可以基于衬底124的上表面的面积设定为0.7％或更大使得第一导体221和第二导体222可以以稳定的方式布置。
根据实施例，其中基于第一方向粘合剂130与发光器件120重叠的面积可以被设置为大于其中第一和第二开口TH1和TH2与第一和第二结合部121和122重叠的区域的面积。
如上所述，因为第一结合部121和第二结合部122的面积设置为小，所以可以增加发射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向中发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝向发光器件封装100的向上方向被有效地发射，从而可以提高光提取效率。
接下来，将参考图13描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在描述根据参考图13的实施例的发光器件封装时，可以省略与参考图1至13描述的内容重叠的内容。
根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体110和发光器件120。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。主体113可以称为绝缘构件。
主体113可以布置在第一框架111上。另外，主体113可以布置在第二框架112上。
主体113可以在第一框架111和第二框架112上设置倾斜表面。腔体C可以通过主体113的倾斜表面设置在第一框架111和第二框架112上。
根据实施例，封装主体110可以被设置为具有腔体C的结构，或者可以被设置为具有平坦上表面而没有腔体C的结构。
例如，主体113可以由选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮、环氧模制化合物(EMC)、硅酮模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中的至少一种形成。另外，主体113可以包括高折射率填料，例如TiO2或SiO2。
第一框架111和第二框架112可以设置为绝缘框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度。
另外，第一框架111和第二框架112可以设置为导电框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的发光结构123，如图13中所示。第一结合部121和第二结合部122可以布置在发光结构123和封装主体110之间。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以布置为在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一结合部121可以布置在第一框架111上。第二结合部122可以布置在第二框架112上。
第一结合部121可以布置在发光结构123和第一框架111之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和第二框架112之间。
同时，根据实施例的发光器件封装可以包括第一开口TH1和第二开口TH2，如图13中所示。第一框架111可以包括第一开口TH1。第二框架112可以包括第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在第一框架111处。第一开口TH1可以通过穿过第一框架111来设置。第一开口TH1可以通过在第一方向中穿过第一框架111的上表面和下表面来设置。
第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一结合部121下面。第一开口TH1可以被设置为在从第一框架111的上表面朝向其下表面的第一方向中与发光器件120的第一结合部121重叠。
第二开口TH2可以设置在第二框架112处。第二开口TH2可以通过穿过第二框架112来设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过第二框架112的上表面和下表面来设置。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二结合部122下面。第二开口TH2可以设置为在从第二框架112的上表面朝向其下表面的第一方向中与发光器件120的第二结合部122重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
在形成第一开口TH1和第二开口TH2的工艺中，图13中所示的发光器件封装示出分别在第一和第二引线框架111和112的上表面和下表面的方向中执行蚀刻的情况。
当蚀刻在第一引线框111和第二引线框112的上表面和下表面的方向中进行时，第一开口TH1和第二开口TH2的形状可以被设置为一种雪人形状。
第一开口TH1和第二开口TH2的宽度可以从下部区域到中间区域逐渐增加，并且然后再次减小。此外，宽度可以从其中宽度减小的中间区域到上部区域逐渐增加，并且然后再次减小。
第一开口TH1和第二开口TH2可以包括第一框架111和第二框架112中的每个的上表面上的第一区域，以及第一框架111和第二框架112中的每个的下表面上的第二区域。第一区域的上表面的宽度可以设置为小于第二区域的下表面的宽度。
另外，第一开口TH1的下部区域的宽度可以设置为比第一开口TH1的上部区域的宽度宽。第一开口TH1可以包括具有预定深度、以预定宽度在上部区域处设置的第一区域，和设置成与下部区域倾斜的形状的第二区域。另外，第一区域和第二区域可以形成为圆形形状，其中侧表面具有曲率，并且第一区域的上表面的宽度可以窄于第二区域的宽度。第一区域和第二区域彼此接触的部分可以具有弯曲部分。
此外，根据实施例，完成用于形成第一开口TH1和第二开口TH2的蚀刻工艺，并且然后可以执行第一框架111和第二框架112的涂镀工艺。因此，第一和第二镀层111a和112a可以分别形成在第一和第二框架111和112的表面上。
第一和第二镀层111a和112a可以分别设置在第一和第二框架111和112的上表面和下表面。此外，第一和第二镀层111a和112a可以设置在与第一和第二开口TH1和TH2接触的边界区域处。
作为示例，第一框架111和第二框架112可以设置有Cu层作为基本支撑构件。另外，第一和第二镀层111a和112a可以包括Ni层、Ag层等中的至少一种。
当第一和第二镀层111a和112a包括Ni层时，因为相对于Ni层的热膨胀的变化小，即使当通过热膨胀改变封装体的尺寸或排列位置时，布置在上部上的发光器件的位置可以通过Ni层稳定地固定。当第一和第二镀层111a和112a包括Ag层时，Ag层可以有效地反射从布置在上部的发光器件发射的光并提高光强度。
根据实施例，当发光器件120的第一结合部121和第二结合部122的尺寸可以设置为小以提高光提取效率时，第一开口TH1的上部区域的宽度可以设置为大于或等于第一结合部121的宽度。另外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为大于或等于第二结合部122的宽度。
另外，第一开口TH1的上部区域的宽度可以设置为小于或等于第一开口TH1的下部区域的宽度。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为小于或等于第二开口TH2的下部区域的宽度。
例如，第一开口TH1的上部区域的宽度可以设置为几十微米到几百微米。此外，第一开口TH1的下部区域的宽度可以设置为比第一开口TH1的上部区域的宽度大几十微米到几百微米。
另外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为几十微米到几百微米。此外，第二开口TH2的下部区域的宽度可以设置为比第二开口TH2的上部区域的宽度大几十微米到几百微米
另外，第一开口TH1的下部区域的宽度可以设置为宽于第一开口TH1的上部区域的宽度。第一开口TH1可以以预定深度在上部区域中设置有预定宽度，并且可以朝向下部区域以倾斜形状设置。
另外，第二开口TH2的下部区域的宽度可以设置为宽于第二开口TH2的上部区域的宽度。第二开口TH2可以以预定深度在上部区域中设置有预定宽度，并且可以朝向下部区域以倾斜形状设置。
例如，第一开口TH1可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。此外，第二开口TH2可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。
然而，本发明不限于此，第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域和下部区域之间的倾斜表面可以具有多个倾斜表面，所述多个倾斜表面具有不同斜率，并且倾斜表面可以设置有曲率。
如图13中所示，在根据实施例的发光器件封装中，当第一和第二结合部121和122的面积小时，第一和第二结合部121和122可以布置在第一和第二开口TH1和TH2中。
此时，因为第一结合部121和第二结合部122的面积小，所以难以确保第一导电层321和第二导电层322与第一结合部121和第二结合部122之间的粘合性。因此，根据实施例的发光器件封装可以包括第一导体221和第二导体222，以进一步确保第一导电层321和第二导电层322与第一结合部121和第二结合部122接触的面积。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导体221可以布置在第一结合部121下面。第一导体221可以电连接到第一结合部121。第一导体221可以被布置为在第一方向中与第一结合部121重叠。
第一导体221可以设置在第一开口TH1处。第一导体221可以布置在第一结合部121和第一导电层321之间。第一导体221可以电连接到第一结合部121和第一导电层321。
第一导体221的下表面可以布置为低于第一开口TH1的上表面。第一导体221的下表面可以布置为低于第一导电层321的上表面。
第一导体221可以布置在第一开口TH1上。另外，第一导体221可以布置为从第一结合部121延伸到第一开口TH1的内部。
另外，第二导体222可以布置在第二结合部122下面。第二导体222可以电连接到第二结合部122。第二导体222可以布置为在第一方向中与第二结合部122重叠。
第二导体222可以设置在第二开口TH2处。第二导体222可以布置在第二结合部122和第二导电层322之间。第二导体222可以电连接到第二结合部122和第二导电层322。
第二导体222的下表面可以布置为低于第二开口TH2的上表面。第二导体222的下表面可以布置为低于第二导电层322的上表面。
第二导体222可以布置在第二开口TH2上。另外，第二导体222可以布置为从第二结合部122延伸到第二开口TH2的内部。
根据实施例，第一导电层321可以布置在第一导体221的下表面和侧表面上。第一导电层321可以布置为与第一导体221的下表面和侧表面直接接触。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。第一导电层321的宽度可以设置为大于第一结合部121的宽度。
如上所述，根据实施例的发光器件封装，第一导体层221和第一结合部121之间的电连接可以由第一导体221更稳定地提供。
另外，根据实施例，第二导电层322可以布置在第二导体222的下表面和侧表面上。第二导电层322可以布置为与第二导体222的下表面和侧表面直接接触。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。第二导电层322的宽度可以设置为大于第二结合部122的宽度。
如上所述，根据实施例的发光器件封装，第二导体222可以更稳定地提供第二导电层322和第二结合部122之间的电连接。
例如，第一导体221和第二导体222可以分别经由单独的结合材料稳定地结合到第一结合部121和第二结合部122。另外，第一导体221和第二导体222的侧表面和下表面可以分别与第一导电层321和第二导电层322接触。
因此，与第一导电层321和第二导电层322分别直接接触第一和第二结合部121和122的下表面的情况相比，可以进一步增加第一导电层321和第二导电层322分别与第一导体221和第二导体222接触的面积。
因此，可以经由第一导体221和第二导体222从第一导电层321和第二导电层322到第一结合部121和第二结合部122稳定地提供电力。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt等或其合金组成的组中的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以用于第一导电层321和第二导电层322。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由由不同材料组成的多层或者由其合金组成的多层或者单层组成。
另外，第一导体221和第二导体222可以包括选自由Ag、Au、Pt、Sn、Al等或其合金组成的组中的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以用于第一导体221和第二导体222。
根据实施例的发光器件封装可以包括粘合剂130。
粘合剂130可以布置在封装主体110和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在封装主体110的上表面和发光器件120的下表面之间。粘合剂130可以被布置在主体113的上表面与发光器件120的下表面之间。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括凹部R，如图13中所示。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹入。凹部R可以布置在发光器件120下面。凹部R可以设置为在第一方向中与发光器件120重叠。
凹部R的侧表面可以具有倾斜表面和曲率。此外，凹部R可以形成为球形，并且其侧表面可以形成为圆形。
作为示例，粘合剂130可以布置在凹部R处。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一结合部121和第二结合部121之间。另外，粘合剂130可以布置以在其中第一结合部121和第二结合部122从凹部R被布置的方向中扩散。例如，粘合剂130可以布置为与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
另外，粘合剂130可以布置在发光器件120和封装主体110之间。粘合剂130可以布置在发光器件120和第一框架111之间。粘合剂130可以布置在发光器件120和第二框架112之间。
粘合剂130可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，粘合剂130可以被布置，以使其直接接触主体113的上表面。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料以及包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。此外，作为示例，当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以包括白色硅酮。
当光发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力，并且可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，粘合剂130可以通过提供光扩散功能来提高发光器件封装的光提取效率。
另外，粘合剂130可以反射从发光器件120发射的光。当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以由包括TiO2、硅酮等的材料形成。
凹部R可以提供适当的空间，在该空间中可以在发光器件120的下部处执行一种下填充工艺。这里，下填充工艺可以是在封装主体110上安装发光器件120并且然后将粘合剂130布置在发光器件120的下部的工艺，并且可以是将粘合剂130布置在凹部R中并且然后布置发光器件120以便于在将发光器件120安装在封装主体110的工艺中通过粘合剂130安装的工艺。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小。根据根据实施例的发光器件封装，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以基于衬底124的上表面的面积设定为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光面积并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据根据实施例的发光器件封装，第一和第二结合部121和122的面积之和可以基于衬底124的上表面的面积设定为0.7％或更大，以便于将稳定的结合力提供给要被安装的发光器件。
此外，根据根据实施例的发光器件封装，第一和第二结合部121和122的面积之和可以基于衬底124的上表面的面积设定为0.7％或更大使得第一导体221和第二导体222可以以稳定的方式布置。
根据实施例，其中基于第一方向粘合剂130与发光器件120重叠的面积可以被设置为大于其中第一和第二开口TH1和TH2与第一和第二结合部121和122重叠的区域的面积。
如上所述，因为第一结合部121和第二结合部122的面积设置为小，所以可以增加发射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向中发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝向发光器件封装100的向上方向被有效地发射，从而可以提高光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140，如图12中所示。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C上。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置为从发光器件120发射的入射光并且提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一上凹部R3和第二上凹部R4，如图13中所示。
第一上凹部R3可以设置在第一框架111的上表面上。第一上凹部R3可以设置成在下表面方向中从第一框架111的上表面凹入。第一上凹部R3可以布置为与第一开口TH1隔开。例如，第一上凹部R3的端部可以具有圆形形状。
第二上凹部R4可以设置在第二框架112的上表面上。第二上凹部R4可以设置成在下表面方向中从第二框架112的上表面凹入。第二上凹部R4可以布置为与第二开口TH2隔开。例如，第二上凹部R4的端部可以具有圆形形状。
例如，第一上凹部R3和第二上凹部R4可以设置有几十微米到几百微米的宽度。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括树脂部分135，如图13中所示。
树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以被设置在封装主体110中提供的腔体C的底表面处。
树脂部分135可以设置在第一上凹部R3和第二上凹部R4处。
树脂部分135可以设置在第一上凹部R3处并且设置为扩散到设置第一结合部121的区域。树脂部分135可以布置在发光结构123下面。树脂部分135可以布置为在第一结合部121的侧表面处延伸。
另外，树脂部分135可以设置在第二上凹部R4处并且设置为扩散到设置第二结合部122的区域。树脂部分135可以布置在发光结构123下面。树脂部分135可以布置为在第二结合部122的侧表面处延伸。
另外，在根据实施例的发光器件封装中，当从其向上方向观察时，第一上凹部R3的部分区域可以与垂直方向中的发光结构123的部分区域重叠。作为示例，第一上凹部R3的与第一结合部121相邻的侧表面区域可以设置为在发光结构123下面延伸。
另外，在根据实施例的发光器件封装中，当从其向上方向观察时，第二上凹部R4的部分区域可以与垂直中的发光结构123的部分区域重叠。作为示例，第二上凹部R4的与第二结合部122相邻的侧表面区域可以设置为在发光结构123下面延伸。
另外，第一上凹部R3和第二上凹部R4可以提供足够的空间，在该空间中树脂部分135可以布置在发光器件120下面。第一上凹部R3和第二上凹部R4可以提供适当的空间，在该空间中可以在发光器件120的下部处执行一种下填充工艺。
因此，填充在第一上凹部R3和第二上凹部R4处的树脂部分135可以有效地密封第一结合部121和第二结合部122的周边。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料以及包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以是反射从发光器件120发射的光的反射部，例如，包含诸如TiO2的反射材料的树脂，或者可以包括白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面并且可以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改善发光器件120和第一框架111之间的粘合力。树脂部分135可以改善发光器件120和第二框架112之间的粘合力。
树脂部分135可以围绕第一结合部121和第二结合部122密封。树脂部分135可以防止第一导电层321和第二导电层322与第一开口TH1区域和第二开口TH2区域分离，并且在发光器件120的外侧表面的方向中扩散和移动。
当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的外侧表面方向中扩散和移动时，第一导电层321和第二导电层322可以与发光器件120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，当布置树脂部分135时，可以防止由于第一导电层321和第二导电层322以及有源层引起的短路，从而提高根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，根据实施例，可以在发光器件120的下表面和周边处设置保护层。在这种情况下，因为在有源层的表面处设置绝缘保护层，即使当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的外侧表面方向中扩散和移动时，也能够防止第一导电层321和第二导电层322电连接到发光器件120的有源层。
同时，在绝缘保护层布置在发光器件120的下表面和周边的情况下，绝缘保护层可以不布置在发光器件120的上侧表面或者衬底124的周边上。在此时，当衬底124设置有导电材料时，当第一导电层321和第二导电层322与发光器件120的上侧表面或衬底124接触时，可能会发生由于短路引起的故障。因此，当布置树脂部分135时，可以防止由于第一和第二导电层321和322以及发光器件120的上侧表面或衬底124引起的短路，从而提高根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120发射的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改善发光器件封装的光提取效率。
同时，根据根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，树脂部分135可以不单独设置，并且模制部140可以布置为与第一框架111和第二框架112直接接触。
在根据实施例的发光器件封装中，电力可以通过第一开口TH1连接到第一结合部121，并且电力可以通过第二开口TH2连接到第二结合部122。
因此，发光器件120可以由通过第一结合部121和第二结合部122提供的驱动电力驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以被提供并且被安装在子基板、电路板等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装处的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，从而可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件的第一结合部和第二结合部可以通过被布置在开口处的导电层被提供驱动电力。另外，布置在开口中的导电层的熔点可以选择为具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装结合到主基板时，根据实施例的发光器件封装也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，根据根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，可以防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来设置主体113。
例如，主体113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小。根据根据实施例的发光器件封装，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以基于衬底124的上表面的面积设定为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光面积并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为0.7％或更大。根据根据实施例的发光器件封装，第一和第二结合部121和122的面积之和可以基于衬底124的上表面的面积设定为0.7％或更大，以便于将稳定的结合力提供给要被安装的发光器件。
此外，根据实施例的发光器件封装，第一和第二结合部121和122的面积之和可以基于衬底124的上表面的面积设定为0.7％或更大使得第一导体221和第二导体222可以以稳定的方式布置。
根据实施例，其中基于第一方向粘合剂130与发光器件120重叠的面积可以被设置为大于其中第一和第二开口TH1和TH2与第一和第二结合部121和122重叠的区域的面积。
如上所述，因为第一结合部121和第二结合部122的面积设置为小，所以可以增加发射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的向下方向中发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝向发光器件封装100的向上方向被有效地发射，从而可以提高光提取效率。
接下来，将参考图15至图19描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在描述根据参考图15至图19的实施例的发光器件封装时，可以省略与参考图1至14描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装1100可以包括封装主体1110和发光器件1120，如图15至19中所示。
封装主体1110可以包括第一框架1111和第二框架1112。第一框架1111和第二框架1112可以布置为彼此隔开。
封装主体1110可以包括主体1113。主体1113可以布置在第一框架1111和第二框架1112之间。主体1113可以执行作为一种电极分离线的功能。主体1113可以称为绝缘构件。
主体1113可以布置在第一框架1111上。另外，主体1113可以布置在第二框架1112上。
主体1113可以在第一框架1111和第二框架1112上设置倾斜表面。腔体C可以通过主体1113的倾斜表面设置在第一框架1111和第二框架1112上。
根据实施例，封装主体1110可以设置为具有腔体C的结构，或者可以设置为具有平坦上表面而没有腔体C的结构。
例如，主体1113可以由选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮、环氧模制化合物(EMC)、硅酮模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中的至少一种形成。另外，主体1113可以包括高折射率填料，例如TiO2或SiO2。
第一框架1111和第二框架1112可以被设置为导电框架。第一框架1111和第二框架1112可以稳定地提供封装主体1110的结构强度，并且可以电连接到发光器件1120。
根据实施例，发光器件1120可以包括第一结合部1121、第二结合部1122、发光结构1123和衬底1124。
发光器件1120可以包括布置在衬底1124下面的发光结构1123，如图17中所示。第一结合部1121和第二结合部1122可以布置在发光结构1123和封装主体1110之间。
发光器件1120可以布置在封装主体1110上。发光器件1120可以布置在第一框架1111和第二框架1112上。发光器件1120可以布置在由封装主体1110提供的腔体C中。发光器件120可以布置在主体1113上。
第一结合部1121可以布置在发光器件1120的下表面上。第二结合部1122可以布置在发光器件1120的下表面上。第一结合部1121和第二结合部1122可以布置为在发光器件1120的下表面上彼此隔开。
第一结合部1121可以布置在第一框架1111上。第二结合部1122可以布置在第二框架1112上。
第一结合部1121可以布置在发光结构1123和第一框架1111之间。第二结合部1122可以布置在发光结构1123和第二框架1112之间。
第一结合部1121和第二结合部1122可以通过使用选自由Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO和Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO或其合金组成的组中至少一种材料被形成为单层或多层。
根据实施例的发光器件封装1100可以包括第一粘合剂1130，如图17中所示。
第一粘合剂1130可以布置在主体1113和发光器件1120之间。第一粘合剂1130可以布置在主体1113的上表面和发光器件1120的下表面之间。
第一粘合剂1130可以布置为在第一方向中与发光器件1120重叠。基于从主体1113的下表面朝向其上表面的方向，第一粘合剂1130可以布置为与发光器件1120重叠。
此外，根据实施例的发光器件封装1100可以包括凹部R，如图15至19中所示。
凹部R可以设置在主体1113处。凹部R可以设置成从主体1113的上表面朝向其下表面沿第一方向凹入。凹部R可以布置在发光器件1120下面。凹部R可以设置为在第一方向中与发光器件1120重叠。
凹部R可以布置在第一结合部1121和第二结合部1122之间。凹部R可以设置为在第一方向中不与第一结合部1121重叠。凹部R可以设置成在第一方向中不与第二结合部1122重叠。
作为示例，第一粘合剂1130可以布置在凹部R处。第一粘合剂1130可以布置在发光器件1120和主体1113之间。第一粘合剂1130可以布置在第一结合部1121和第二结合部1122之间。作为示例，第一粘合剂1130可以布置为与第一结合部1121的侧表面和第二焊盘电极1122的侧表面接触。
第一粘合剂1130可以在发光器件1120和封装主体1110之间提供稳定的固定力。第一粘合剂1130可以在发光器件1120和主体1113之间提供稳定的固定力。作为示例，第一粘合剂1130可以被布置为与主体1113的上表面直接接触。另外，第一粘合剂1130可以布置为与发光器件1120的下表面直接接触。
第一粘合剂1130可以作为绝缘粘合剂提供。作为示例，第一粘合剂1130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包括环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。此外，作为示例，当第一粘合剂1130包括反射功能时，粘合剂130可以包括白色硅酮。
当光发射到发光器件1120的下表面时，第一粘合剂1130可以在主体1113和发光器件1120之间提供稳定的固定力，并且可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件1120发射到发光器件1120的下表面时，第一粘合剂1130可以通过提供光扩散功能来提高发光器件封装1100的光提取效率。另外，第一粘合剂1130可以反射从发光器件1120发射的光。当第一粘合剂1130包括反射功能时，第一粘合剂1130可以由包括TiO2、硅酮等的材料形成。
根据实施例，凹部R的深度T1可以设置为小于第一框架1111的厚度T2或第二框架1112的厚度T2。
可以在考虑第一粘合剂1130的粘合力的情况下来确定凹部R的深度T1。另外，可以通过考虑主体1113的稳定强度以及/或者不会由于从发光器件1120发射的热量而在发光器件封装1100中出现裂缝来确定凹部R的深度T1。
凹部R可以提供适当的空间，在该空间中可以在发光器件1120的下部处执行一种下填充工艺。这里，下填充工艺可以是在封装主体1110上安装发光器件1120并且然后将粘合剂1130布置在发光器件1120的下部的工艺，并且可以是将粘合剂1130布置在凹部R中并且然后布置发光器件1120以便于在将发光器件1120安装在封装主体1110的工艺中通过粘合剂1130安装的工艺。
凹部R可以设置成第一深度或更大的深度，使得第一粘合剂1130可以充分地设置在发光器件1120的下表面和主体1113的上表面之间。此外，凹部R可以在第二深度或更小的深度处设置，以提供主体1113的稳定强度。
凹部R的深度T1和宽度W4可能影响第一粘合剂1130的形成位置和固定力。凹部R的深度T1和宽度W4可以被确定为使得可以由布置在主体1113和发光器件1120之间的第一粘合剂1130充分地提供固定力。
作为示例，第一框架1111的厚度T2可以以几百微米的厚度设置。第一框架1111的厚度T2可以设置为180至500微米。作为示例，第一框架1111的厚度T2可以设置为500微米。
作为示例，T2-T1的厚度可以选择为至少100微米或更大。这是考虑到能够提供主体1113的无裂缝的注入工艺的厚度。
根据实施例，厚度T2与厚度T1的比率(T2/T1)可以设置为2至10。例如，当T2的厚度设置为200微米时，T1的厚度可以设置为20至100微米。当T1的厚度与T2的厚度的比率(T2/T1)为2或更大时，可以确保机械强度，使得在主体1113中不发生裂缝或不破裂。此外，当T1的厚度和T2的厚度的比率(T2/T1)为10或者更小时，可以充分地安排布置在凹部R中的第一粘合剂1130的量，因此发光器件1120和封装体1110之间的固定力可能被改善。
同时，根据实施例的发光器件封装1100可以包括第二粘合剂1133，如图17和图18中所示。
第二粘合剂1133可以布置在第一框架1111和发光器件1120之间。另外，第二粘合剂1133可以布置在第二框架1112和发光器件1120之间。
第二粘合剂1133可以布置在封装主体1110的上表面和发光器件1120的下表面之间。第二粘合剂1133可以布置为与封装主体的上表面直接接触。第二粘合剂1133可以布置为与发光器件1120的下表面直接接触。
第二粘合剂1133可以布置为与第一结合部1121的下表面直接接触。此外，第二粘合剂1133可以布置为与第二结合部1122的下表面直接接触。
作为示例，第二粘合剂1133可以作为导电粘合剂提供。第一框架1111和第一结合部1121可以通过第二粘合剂1133电连接。第二框架1112和第二结合部1122可以通过第二粘合剂1133电连接。
作为示例，第二导体1222可以包括选自由Ag、Au、Pt等或其合金组成的组中的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以用于第二导体1222。
作为示例，第二粘合剂1133可以通过使用导电膏形成。导电膏可以选自由焊膏、银膏等组成的组。
根据实施例，第一粘合剂1130和第二粘合剂1133可以包括不同的材料。作为示例，第一粘合剂1130可以设置为绝缘粘合剂，第二粘合剂1133可以设置为导电粘合剂。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一上凹部R10和第二上凹部R20，如图15至19中所示。
第一上凹部R10可以设置在第一框架1111的上表面处。第一上凹部R10可以设置成从第一框架1111的上表面沿下表面方向凹入。第一上凹部R10可以布置成与凹部R隔开。
第一上凹部R10可以基于从第一框架1111的下表面朝向其上表面的方向在第一方向中与第一结合部1121的部分区域重叠。第一上凹部R10可以基于第一方向与发光结构1123的部分区域重叠。
第一上凹部R10，如图18中所示，当从发光器件1120的向上方向观察时，可以包括封装主体1110的外侧表面、封装主体的内侧表面、以及连接其外侧表面和内侧表面并且被布置成平行于凹部R延伸的方向的延伸侧表面。内侧表面可以被设置为从第一结合部121的三个侧表面朝向内方向被延伸。此外，第一上凹部R10的外侧表面可以被设置在封装主体1110的副轴方向的彼此面对的两侧以及主轴方向的外围区域处。例如，第一上凹部R10可以具有三个外侧表面、三个内侧表面和两个延伸侧表面，并且可以以“[”形状设置在第一结合部1121的周边处。
另外，第一上凹部R10，如图18中所示，当从发光器件1120的向上方向观察时，可以设置成使得封装主体1110的内侧表面与第二粘合剂1133的三个侧面相邻。此外，第一上凹部R10的外侧表面可以被设置在封装主体1110的副轴方向的彼此面对的两侧和主轴方向的外围区域处。例如，第一上凹部R10可以具有三个外侧表面、三个内侧表面和两个延伸侧表面，并且可以以“[”形状设置在第二粘合剂1133的周边处。
第一框架1111可以包括第一区域，该第一区域被布置为从其中布置主体1113的区域在沿着发光器件1120的主轴方向设置第一上凹部R10的方向中延伸。作为示例，第二粘合剂1133可以布置在第一框架1111的第一区域上。第二粘合剂1133可以布置为基于第一方向与第一结合部1121重叠。
根据实施例，第一区域可以设置为平坦表面。第一区域可以对应于由三个内侧限定的区域。
在根据实施例的发光器件封装中，如图18中所示，当从发光器件1120的向上方向观察时，第一上凹部R10的部分区域可以在垂直方向中与发光结构1123重叠。作为示例，第一上凹部R10的与第一结合部1121相邻的三个内侧表面区域可以设置为在发光结构1123下面延伸。第一上凹部R10可以设置为与在垂直方向中与第一结合部1121重叠。
根据实施例，第二上凹部R20可以设置在第二框架1112的上表面上。第二上凹部R20可以设置成在下表面方向中从第二框架1112的上表面凹入。第二上凹部R20可以布置为与凹部R隔开。第二上凹部R20可以布置为与第一上凹部R10隔开。
第二上凹部R20可以基于从第一框架1112的下表面朝向其上表面的方向在第一方向中与第二结合部1122的部分区域重叠。第二上凹部R20可以基于第一方向与发光结构1123的部分区域重叠。
第二上凹部R20，如图18中所示，当从发光器件1120的向上方向观察时，可以包括封装主体1110的外侧表面、封装主体的内侧表面、以及连接其外侧表面和内侧表面并且被布置成平行于凹部R延伸的方向的延伸侧表面。内侧表面可以设置为从第二结合部1122的三个侧表面向内延伸。作为示例，第二上凹部R20可以具有三个外侧表面、三个内侧表面和两个延伸侧表面，并且可以以“]”形状设置在第二结合部1122的周边处。
另外，第二上凹部R20，如图18中所示，当从发光器件1120的向上方向观察时，可以设置成使得封装主体1110的内侧表面与第二粘合剂1133的三个侧面相邻。此外，第二上凹部R20的外侧表面可以设置在封装主体1110的副轴方向的彼此面对的两侧和主轴方向的外周区域处。例如，第二上凹部R20可以具有三个外侧表面、三个内侧表面和两个延伸侧表面，并且可以以“]”形状设置在第二粘合剂1133的周边处。
第二框架1112可以包括第一区域，该第一区域布置为从布置主体1113的区域沿着发光器件1120的主轴方向在第二上凹部R20被设置的方向中被延伸。作为示例，第二粘合剂1133可以布置在第二框架1112的第一区域上。第二粘合剂1133可以布置为基于第一方向与第二结合部1122重叠。
根据实施例，第一区域可以设置为平坦表面。第一区域可以对应于由三个内侧限定的区域。
此外，在根据实施例的发光器件封装中，如图18中所示，当从发光器件1120的向上方向观察时，第二上凹部R20的部分区域可以在垂直方向中与发光结构1123重叠。作为示例，第二上凹部R20的与第二结合部1122相邻的三个内侧表面区域可以设置为在发光结构1123下面延伸。第二上凹部R20可以布置为在垂直方向中与第二结合部1122重叠。
例如，第一上凹部R10和第二上凹部R20可以设置有几十微米到几百微米的宽度。
另外，根据实施例，第一上凹部R10和第二上凹部R20的侧表面可以具有倾斜表面和曲率。此外，第一上凹部R10和第二上凹部R20可以形成为球形，并且其侧表面可以形成为圆形。
根据实施例的发光器件封装1100，如图15至图19中所示，第二粘合剂1133可以布置在第一框架1111和第二框架1112处。
第二粘合剂1133可以设置在第一框架1111的第一区域上并且布置在第一结合部1121和第一框架1111之间。第二粘合剂1133可以布置为与第一结合部1121的下表面直接接触。
第二粘合剂1133可以设置在第二框架1112处并且布置在第二结合部1122下面。第二粘合剂1133可以布置为与第二结合部1122的下表面直接接触。
根据实施例，第二粘合剂1133可以设置在第一框架1111处，并且发光器件1120的第一结合部1121可以安装在第二粘合剂1133上。
此时，在将发光器件1120的第一结合部1121安装在第二粘合剂1133上的工艺中，第二粘合剂1133的一部分可以扩散到第一上凹部R10的区域中，并且扩散到发光结构1123的一侧以电连接到有源层，从而引起短路。
然而，根据实施例，如图17至图19中所示，从发光器件1120的侧表面到第一结合部1121的侧表面的第二距离D2可以被设置为小于从发光器件1120的侧表面到被布置在发光器件1120的下表面下面的第一上凹部R10的侧表面的第一距离D1。
另外，从发光器件1120的侧表面到第一结合部1121的侧表面的第二距离D2可以对应于从发光结构1123的侧表面到第一结合部1121的侧表面的距离。从发光器件1120的侧表面到布置在发光器件1120的下表面下面的第一上凹部R10的侧表面的第一距离D1可以对应于从发光结构1123的侧表面到被布置在发光结构1123的下表面下面的第一上凹部R10的内侧表面之间的距离。
作为示例，从发光器件1120的侧表面到第一结合部1121的侧表面的第二距离D2可以设置为几十微米。从发光器件1120的侧表面到第一结合部1121的侧表面的第二距离D2可以设置为40至50微米。
此外，从发光器件1120的侧表面到在发光器件1120的下表面下面并且在垂直方向中与发光器件1120重叠的第一上凹部R10的侧表面的第一距离D1可以设置为比第二距离D2大几微米或几十微米。
因此，根据本实施例，第一上凹部R10的部分区域可以布置为在第一方向中与第一结合部1121的第一区域重叠。因此，即使当第二粘合剂1133过度地设置并扩散到周边时，第二粘合剂1133可以扩散到第一上凹部R10的区域中，而不是沿着第一结合部1121的侧表面在向上方向中移动。
因此，根据本实施例，因为可以防止第二粘合剂1133沿着第一结合部1121的侧表面在发光结构1123的方向中扩散，所以可以防止发光器件1120通过作为导电材料的第二粘合剂1133的扩散而电短路。
另外，类似于在上面描述的，第二粘合剂1133可以设置在第一框架1112处，并且发光器件1120的第一结合部1122可以安装在第二粘合剂1133上。
此时，在将发光器件1120的第二结合部1122安装在第二粘合剂1133上的工艺中，第二粘合剂1133的一部分可以扩散到第二上凹部R20的区域中，并且可以沿第二结合部1122的侧表面扩散。
此外，根据实施例，如图17至图19中所示，当从发光器件1120的上部的方向观察时，从发光器件1120的侧表面到第二结合部1122的侧表面的距离可以设置为小于从发光器件1120的侧表面到在发光器件1120的下表面下面布置的第二上凹部R20的侧表面的距离。
第二上凹部R20的部分区域可以布置为在垂直方向中与第二结合部1122的下表面重叠。因此，即使当第二粘合剂1133过度地设置并扩散到周边时，第二粘合剂1133也可以扩散到第二上凹部R20的区域中，而不是沿着第二结合部1122的侧表面在向上方向中移动。
根据实施例，因为可以防止第二粘合剂1133沿着第一结合部1122的侧表面在发光结构1123的方向中扩散，所以可以防止发光器件1120通过作为导电材料的第二粘合剂1133的扩散而电短路。
如上所述，因为可以防止第二粘合剂1133沿着发光器件1120的侧表面上升，所以可以防止构成发光器件1120的第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层被电短路。另外，因为可以防止第二粘合剂1133布置在构成发光器件1120的有源层的侧表面上，所以可以提高发光器件1120的光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装1100可以包括第一树脂部分1135，如图15至图19中所示。
第一树脂部分1135可以布置在第一框架1111和发光器件1120之间。第一树脂部分1135可以布置在第二框架1112和发光器件1120之间。
第一树脂部分1135可以布置在第一结合部1121的侧表面上。第一树脂部分1135可以布置在第二结合部1122的侧表面上。第一树脂部分1135可以布置在发光结构1123的下面。第一树脂部分1135可以布置在第二粘合剂1133的侧表面上。
另外，第一树脂部分1135可以与发光器件1120的下表面直接接触。第一树脂部分1135可以布置为与第二粘合剂1133的侧表面直接接触。第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10处。第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20处。
另外，根据实施例，第二粘合剂1133可以溢出到第一上凹部R10。因此，第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中的第二粘合剂1133上。
根据实施例，即使当第二粘合剂1133通过第一树脂部分1135扩散到第一上凹部R10的区域中或扩散到第一结合部1121的侧表面时，也可以防止第二粘合剂1133在发光结构1123的侧表面方向中移动。
第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中并且与第二粘合剂1133接触。第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中并且设置在第二粘合剂1133的周边处。第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中并且设置在第一结合部1121的周边处。
第二粘合剂1133可以布置为由第一粘合剂1130和第一树脂部分1135围绕。因此，因为第一粘合剂和第二粘合剂以及由不同材料形成的树脂部分布置在发光器件1120和封装主体1110之间，所以可以提高发光器件封装1100的可靠性。
另外，根据实施例，第二粘合剂1133可以溢出到第二上凹部R20。因此，第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中的第二粘合剂1133上。
根据实施例，即使当第二粘合剂1133通过第一树脂部分1135扩散到第二上凹部R20的区域中或扩散到第二结合部1122的侧表面时，可以防止第二粘合剂1133在发光结构1123的侧表面的方向中移动。
第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中并且与第二粘合剂1133接触。第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中并且设置在第二粘合剂1133的周边处。第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中并且设置在第二结合部1122的周边处。
因此，填充在第一上凹部R10和第二上凹部R20中的第一树脂部分1135可以有效地密封第一结合部1121和第二结合部1122的周边。
作为示例，第一树脂部分1135可以包括环氧基材料、硅酮基材料以及包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，第一树脂部分1135可以是反射从发光器件1120发射的光的反射部，例如，包含诸如TiO2的反射材料的树脂，或者可以包括白色硅酮。
第一树脂部分1135可以布置在发光器件1120下面以执行密封功能。此外，第一树脂部分1135可以改善发光器件1120和第一框架1111之间的粘合力。第一树脂部分1135可以改善发光器件1120和第二框架1112之间的粘合力。
第一树脂部分1135可以围绕第一结合部1121和第二结合部1122密封。第一树脂部分1135可以防止第二粘合剂1133在发光器件1120的侧表面的方向中扩散和移动。
当第二粘合剂1133在发光器件1120的侧表面的方向中扩散和移动时，第二粘合剂1133可以与发光器件1120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，当布置第一树脂部分1135时，可以防止由于第二粘合剂1133和有源层引起的短路，从而提高根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，当第一树脂部分1135包括诸如白色硅酮的具有反射特性的材料时，第一树脂部分1135可以将从发光器件1120发射的光朝向封装主体1110的向上方向反射，从而提高发光器件封装1100的光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装1100可以包括第二树脂部分1140，如图17中所示。
为了参考，如图15中所示，未示出第二树脂部分1140，使得可以很好地显示第一框架1111、第二框架1112和主体1113的排列关系。
第二树脂部分1140可以设置在发光器件1120上。第二树脂部分1140可以布置在第一框架1111和第二框架1112上。第二树脂部分1140可以布置在由封装主体1110提供的腔体C上。第二树脂部分1140可以布置在第一树脂部分1135上。
第二树脂部分1140可以包括绝缘材料。另外，第二树脂部分1140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置为从发光器件1120发射的入射光并且提供波长转换的光。作为示例，第二树脂部分1140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
同时，根据根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，第一树脂部分1135可以不单独设置，并且第二树脂部分1140可以布置为与第一框架1111和第二框架1112直接接触。作为示例，第二树脂部分1140可以布置在第一上凹部R10和第二上凹部R20处。
此外，根据实施例，发光结构1123可以被设置为化合物半导体。发光结构1123可以被提供为例如II-VI族或III-V族化合物半导体。作为示例，发光结构1123可以设置有选自铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)和氮(N)中的至少两种或更多种元素。
在根据实施例的发光器件封装1100中，电力可以通过设置在第一框架1111上的第二粘合剂1133连接到第一结合部1121，并且电力可以通过被设置在第二框架1112上的第二粘合剂1133被连接到第二结合部1122。
因此，发光器件1120可以由通过第一结合部1121和第二结合部1122提供的驱动电力驱动。另外，从发光器件1120发射的光可以被设置在封装主体1110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装1100可以被提供并安装在子基板、电路板等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装处的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，从而可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件1120的第一结合部1121和第二结合部1122可以通过第二粘合剂1133接收驱动电力。另外，第二粘合剂1133的熔点可以选择为具有比普通结合材料更高的值。
因此，因为即使在通过回流工艺将发光器件封装1100结合到主基板时根据实施例的发光器件封装1100也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，根据根据实施例的发光器件封装1100和制造发光器件封装的方法，因为发光器件1120通过使用导电膏安装在封装主体1110上，所以在在发光器件封装的制造工艺中，封装主体1110不需要暴露在高温下。因此，根据实施例，可以防止封装体1110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体1113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来提供主体1113。
例如，主体1113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
然后，参考图20至23，将描述根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法。
在参考图20至图23描述根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法中，可以省略与参考图1至19描述的内容重叠的描述。
根据根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，如图20中所示，可以设置封装主体1110。
封装主体1110可以包括第一框架1111和第二框架1112。第一框架1111和第二框架1112可以布置为彼此隔开。
封装主体1110可以包括主体1113。主体1113可以布置在第一框架1111和第二框架1112之间。主体1113可以执行作为一种电极分离线的功能。主体1113可以称为绝缘构件。
主体1113可以布置在第一框架1111上。另外，主体1113可以布置在第二框架1112上。
主体1113可以在第一框架1111和第二框架1112上设置倾斜表面。腔体C可以通过主体1113的倾斜表面设置在第一框架1111和第二框架1112上。
根据实施例，封装主体1110可以被设置为具有腔体C的结构，或者可以被设置为具有平坦上表面而没有腔体C的结构。
封装主体1110可以包括凹部R，其被设置在主体1113处。凹部R可以设置在主体1113处。凹部R可以设置成从主体1113的上表面朝向其下表面凹入。
另外，第一框架1111可以包括第一上凹部R10。第一框架1112可以包括第二上凹部R20。
第一上凹部R10可以设置在第一框架1111的上表面上。第一上凹部R10可以设置成在下表面方向中从第一框架1111的上表面凹入。第一上凹部R10可以布置成与凹部R隔开。
第二上凹部R20可以设置在第二框架1112的上表面上。第二上凹部R20可以设置成在下表面方向中从第二框架1112的上表面凹入。第二上凹部R20可以布置成与凹部R隔开。
接下来，根据根据实施例的制造发光器件封装的方法，第二粘合剂1133被设置在第一框架1111和第二框架1112处，如图20中所示。
例如，第二粘合剂1133可以通过加点方法等设置在与第一上凹部R10相邻的部分区域和与第二上凹部R20相邻的部分区域上。
第二粘合剂1133可以设置有导电粘合剂。例如，第二粘合剂1133可以包括选自由Ag、Au、Pt等或其合金组成的组中的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且第二粘合剂1133可以使用能够确保导电功能的材料。
例如，第二粘合剂1133可以通过使用导电膏形成。导电膏可以选自由焊膏、银膏等组成的组。
另外，根据根据实施例的制造发光器件封装的方法，发光器件1120可以布置在封装主体1110上，如图20中所示。
根据实施例，在将发光器件1120布置在封装主体1110上的工艺中，凹部R可以用作一种对准键。
发光器件1120可以通过第二粘合剂1133固定在主体1113处。设置在第一框架1111处的第二粘合剂1133可以粘合到发光器件1120的第一结合部1121上。设置在第二框架1112处的第二粘合剂1133可以粘合到发光器件1120的第二结合部1122。
另外，根据实施例，第一粘合剂1130可以布置在凹部R处。
可以将第一粘合剂1130注入凹部R区域。例如，第一粘合剂1130可以以预定量提供到形成凹部R的区域，并且可以设置为溢出凹部R。
此外，根据实施例，如图21中所示，凹部R的长度L2可以设置为大于发光器件120在短轴方向中的长度。因此，根据实施例，第一粘合剂1130可以通过凹部R注入发光器件1120的下部区域
在根据实施例的发光器件封装制造工艺中，当设置在发光器件1120下面的第一粘合剂1130的量大时，被设置在凹部R处同时被粘合到发光器件1120的下部的第一粘合剂1130的溢出部分可以在凹部R的长度L2方向中被移动。
第一粘合剂1130可以布置为在设置在发光器件1120中的第一结合部1121和第二结合部1122的方向中移动。因此，即使当施加第一粘合剂1130的量以使其大于设计的量时，发光器件1120也可以稳定地固定而不从主体1113抬起。
根据实施例，第一粘合剂1130可以设置在发光器件1120的下表面和主体1113的上表面之间的宽区域，并且发光器件1120和主体1113之间的固定力可以被改进。
发光器件1120可以通过第一粘合剂1130和第二粘合剂1133固定到封装主体1110的上表面。第一粘合剂1130可以作为绝缘粘合剂被提供，第二粘合剂1133可以作为导电粘合剂被提供。
接下来，根据根据实施例的制造发光器件封装的方法，如图22中所示，可以形成树脂部分135。
第一树脂部分1135可以布置在第一框架1111和发光器件1120之间，如参考图17至19所描述的。第一树脂部分1135可以布置在第二框架1112和发光器件1120之间。
第一树脂部分1135可以布置在第一结合部1121的侧表面上。第一树脂部分1135可以布置在第二结合部1122的侧表面上。第一树脂部分1135可以布置在发光结构1123的下面。
另外，第一树脂部分1135可以与发光器件1120的下表面直接接触。第一树脂部分1135可以与第二粘合剂1133的侧表面直接接触。
第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中。第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中并且可以与第二粘合剂1133接触。第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中并且可以设置在第二粘合剂1133周围。树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中，并且可以设置在第一结合部1121周围。
第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中。第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中并且可以与第二粘合剂1133接触。第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中并且可以设置在第二粘合剂1133周围。树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中，并且可以设置在第二结合部1122周围。
作为示例，第一树脂部分1135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包括环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，第一树脂部分1135可以是反射从发光器件1120发射的光的反射部，例如，包含诸如TiO2的反射材料的树脂，或者可以包括白色硅酮。
第一树脂部分1135可以布置在发光器件1120下面以执行密封功能。另外，第一树脂部分1135可以改善发光器件1120和第一框架1111之间的粘合力。另外，第一树脂部分1135可以改善发光器件1120和第二框架1112之间的粘合力。
第一树脂部分1135可以密封第一结合部1121和第二结合部1122的周边。第一树脂部分1135可以防止第二粘合剂1133在发光器件1120的侧表面方向中被扩散和移动。
当第二粘合剂1133在发光器件1120的侧表面方向中扩散和移动时，第二粘合剂1133可以与发光器件1120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，当布置第一树脂部分1135时，可以防止第二粘合剂1133和有源层的短路，从而提高根据实施例的发光器件封装的可靠性。
此外，当第一树脂部分1135包括诸如白色硅酮的具有反射特性的材料时，第一树脂部分1135可以将从发光器件1120发射的光朝向封装主体1110的向上方向反射，从而提高发光器件封装1100的光提取效率。
接下来，根据根据实施例的制造发光器件封装的方法，如图23中所示，可以在发光器件1120上形成第二树脂部分1140。
第二树脂部分1140可以形成在发光器件1120上。第二树脂部分1140可以布置在第一框架1111和第二框架1112上。第二树脂部分1140可以布置在由封装主体1110提供的腔体C上。第二树脂部分1140可以布置在第一树脂部分1135上。
第二树脂部分1140可以包括绝缘材料。另外，第二树脂部分1140可以包括波长转换装置，该波长转换装置被配置为从发光器件1120发射的入射光并且提供波长转换的光。作为示例，第二树脂部分1140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
同时，在上面的描述中，如参考图20和图21所描述，参考其中在发光器件1120安装在封装主体1110上之后在发光器件1120下面形成第一粘合剂1130的情况进行描述。
然而，根据根据实施例的制造发光器件封装的方法的另一示例，如图20中所示，第二粘合剂1133设置在第一框架1111和第二框架1112上，并且在第一粘合剂1130形成在凹部R上之后，可以在第一粘合剂1130和第二粘合剂1133上设置并且固定发光器件1120。
另外，根据根据实施例的制造发光器件封装的方法的又一个示例，可以不形成第一树脂部分1135，并且可以仅在第二树脂部分1140的腔体处形成第二树脂部分1140。
在根据实施例的发光器件封装1100中，电力可以通过设置在第一框架1111处的第二粘合剂1133连接到第一结合部1121，并且电力可以通过设置在第二框架1112处的第二粘合剂1133连接到第二结合部1122。
因此，发光器件1120可以由通过第一结合部1121和第二结合部1122提供的驱动电力驱动。另外，从发光器件1120发射的光可以被设置在封装主体1110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装1100可以被提供并安装在子基板、电路板等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在框架和设置在发光器件封装的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，从而可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。因此，可以改变发光器件的位置，并且可以劣化发光器件封装的光学和电学特性以及可靠性。
然而，根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件1120的第一结合部1121和第二结合部1122可以通过第二粘合剂1133接收驱动电力。另外，第二粘合剂1133的熔点可以选择为具有比普通结合材料更高的值。
因此，因为根据实施例的发光器件封装1100即使在通过回流工艺将发光器件封装1100结合到主基板时也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，根据根据实施例的发光器件封装1100和制造发光器件封装的方法，因为发光器件1120通过使用导电膏安装在封装主体1110上，所以封装主体1110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露在高温下。因此，根据实施例，可以防止封装体1110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体1113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来提供主体1113。
例如，主体1113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
接下来，将参考图24描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在描述参考图24的根据实施例的发光器件封装时，可以省略与参考图1至图23描述的内容重叠的内容。
根据实施例的发光器件封装1100可以包括封装主体1110和发光器件1120，如图24中所示。
封装主体1110可以包括第一框架1111和第二框架1112。第一框架1111和第二框架1112可以布置为彼此隔开。
封装主体1110可以包括主体1113。主体1113可以布置在第一框架1111和第二框架1112之间。主体1113可以执行作为一种电极分离线的功能。主体1113可以称为绝缘构件。
第一框架1111和第二框架1112可以设置为导电框架。第一框架1111和第二框架1112可以稳定地提供封装主体1110的结构强度，并且可以电连接到发光器件1120。
例如，主体1113可以由选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮、环氧模制化合物(EMC)、硅酮模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中的至少一种形成。另外，主体1113可以包括高折射率填料，例如TiO2或SiO2。
根据实施例，发光器件1120可以包括第一结合部1121、第二结合部1122、发光结构1123和衬底1124。
发光器件1120可以布置在封装主体1110上。发光器件1120可以布置在第一框架1111和第二框架1112上。发光器件1120可以布置在由封装主体1110提供的腔体C中。发光器件120可以布置在主体1113上。
第一结合部1121可以布置在发光器件1120的下表面上。第二结合部1122可以布置在发光器件1120的下表面上。第一结合部1121和第二结合部1122可以布置为在发光器件1120的下表面上彼此隔开。
第一结合部1121可以布置在第一框架1111上。第二结合部1122可以布置在第二框架1112上。
第一结合部1121可以布置在发光结构1123和第一框架1111之间。第二结合部1122可以布置在发光结构1123和第二框架1112之间。
根据实施例的发光器件封装可以包括第一粘合剂1130。
第一粘合剂1130可以布置在主体1113和发光器件1120之间。第一粘合剂1130可以布置在主体1113的上表面和发光器件1120的下表面之间。
第一粘合剂1130可以布置为在第一方向中与发光器件1120重叠。基于从主体1113的下表面朝向其上表面的方向，第一粘合剂1130可以布置为与发光器件1120重叠。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括凹部R。
凹部R可以设置在主体1113处。凹部R可以设置成从主体1113的上表面朝向其下表面沿第一方向凹入。凹部R可以布置在发光器件1120下面。凹部R可以设置为在第一方向中与发光器件1120重叠。
凹部R可以布置在第一结合部1121和第二结合部1122之间。凹部R可以设置为在第一方向中不与第一结合部1121重叠。凹部R可以设置成在第一方向中不与第二结合部1122重叠。
作为示例，第一粘合剂1130可以布置在凹部R处。第一粘合剂1130可以布置在发光器件1120和主体1113之间。第一粘合剂1130可以布置在第一结合部1121和第二结合部1122之间。作为示例，第一粘合剂1130可以布置为与第一结合部1121的侧表面和第二焊盘电极1122的侧表面接触。
第一粘合剂1130可以在发光器件1120和封装主体1110之间提供稳定的固定力。第一粘合剂1130可以在发光器件1120和主体1113之间提供稳定的固定力。作为示例，第一粘合剂1130可以被布置为与主体1113的上表面直接接触。另外，第一粘合剂1130可以布置为与发光器件1120的下表面直接接触。
第一粘合剂1130可以作为绝缘粘合剂提供。作为示例，第一粘合剂1130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包括环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。此外，作为示例，当第一粘合剂1130包括反射功能时，粘合剂130可以包括白色硅酮。
当光发射到发光器件1120的下表面时，第一粘合剂1130可以在主体1113和发光器件1120之间提供稳定的固定力，并且可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件1120发射到发光器件1120的下表面时，第一粘合剂1130可以通过提供光扩散功能来提高发光器件封装1100的光提取效率。另外，第一粘合剂1130可以反射从发光器件1120发射的光。当第一粘合剂1130包括反射功能时，第一粘合剂1130可以由包括TiO2、硅酮等的材料形成。
同时，根据实施例的发光器件封装1100可以包括第二粘合剂1133，如图24中所示。
第二粘合剂1133可以布置在第一框架1111和发光器件1120之间。另外，第二粘合剂1133可以布置在第二框架1112和发光器件1120之间。
第二粘合剂1133可以布置在主体1113的上表面和发光器件1120的下表面之间。第二粘合剂1133可以布置为与主体1113的上表面直接接触。第二粘合剂1133可以布置为与发光器件1120的下表面直接接触。
第二粘合剂1133可以布置为与第一结合部1121的下表面直接接触。此外，第二粘合剂1133可以布置为与第二结合部1122的下表面直接接触。
作为示例，第二粘合剂1133可以作为导电粘合剂提供。第一框架1111和第一结合部1121可以通过第二粘合剂1133电连接。第二框架1112和第二结合部1122可以通过第二粘合剂1133电连接。
作为示例，第二导体1222可以包括从由Ag、Au、Pt等或其合金组成的组中选择的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以用于第二导体1222。
作为示例，第二粘合剂1133可以通过使用导电膏形成。导电膏可以选自由焊膏、银膏等组成的组。
根据实施例，第一粘合剂1130和第二粘合剂1133可以包括不同的材料。作为示例，第一粘合剂1130可以设置为绝缘粘合剂，并且第二粘合剂1133可以设置为导电粘合剂。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一上凹部R10和第二上凹部R20，如图24中所示。
第一上凹部R10可以设置在第一框架1111的上表面处。第一上凹部R10可以设置成从第一框架1111的上表面沿下表面方向凹入。第一上凹部R10可以布置成与凹部R隔开。
第一上凹部R10可以基于从第一框架1111的下表面朝向其上表面的方向在第一方向中与第一结合部1121重叠。第一上凹部R10可以基于第一方向与发光结构1123重叠。
如参考图18所描述的，当从发光器件1120的向上方向观察时，第一上凹部R10可以设置为从第一结合部1121的三个侧面向内延伸。例如，第一上凹部R10可以以“[”形状被设置在第一结合部1121的周边。
如参考图18所述，当从发光器件1120的向上方向观察时，第一上凹部R10可以设置为与第二粘合剂1133的三个侧面相邻。例如，第一上凹部R10可以以“[”形状被设置在第二粘合剂1133的周边。
第一框架1111可以包括在设置第一上凹部R10的方向中延伸的第一区域。作为示例，第二粘合剂1133可以布置在第一框架1111的第一区域中。第二粘合剂1133可以布置为基于第一方向与第一结合部1121重叠。
在根据实施例的发光器件封装中，如上参考图18所述，当从发光器件1120的向上方向观察时，第一上凹部R10的部分区域可以在垂直方向中与发光结构1123重叠。作为示例，第一上凹部R10的与第一结合部1121相邻的侧表面区域可以设置为在发光结构1123下面延伸。第一上凹部R10可以布置为在垂直方向与第一结合部1121重叠。
根据实施例，第二上凹部R20可以设置在第二框架1112的上表面上。第二上凹部R20可以设置成在下表面方向中从第二框架1112的上表面凹入。第二上凹部R20可以布置为与凹部R隔开。第二上凹部R20可以布置为与第一上凹部R10隔开。
第二上凹部R20可以基于从第一框架1112的下表面朝向其上表面的方向在第一方向中与第二结合部1122重叠。第二上凹部R20可以基于第一方向与发光结构1123重叠。
如参考图18所述，当从发光器件1120的向上方向观察时，第二上凹部R20可以设置为从第一结合部1121的三个侧面向内延伸。例如，第二上凹部R20可以以“]”形状设置在第二结合部1122的周边。
另外，如参考图18所述，当从发光器件1120的向上方向观察时，第二上凹部R20可以设置为与第二粘合剂1133的三个侧面相邻。例如，第二上凹部R20可以以“]”形状设置在第二粘合剂1133的周边。
第二框架1112可以包括在设置第二上凹部R20的方向中延伸的第一区域。作为示例，第二粘合剂1133可以布置在第二框架1112的第一区域中。第二粘合剂1133可以布置为基于第一方向与第二结合部1122重叠。
此外，在根据实施例的发光器件封装中，如上参考图18所述，当从发光器件1120的向上方向观察时，第二上凹部R20的部分区域可以在垂直方向中与发光结构1123重叠。作为示例，第二上凹部R20的与第二结合部1122相邻的侧表面区域可以设置为在发光结构1123下面延伸。第二上凹部R20可以设置为在垂直方向与第二结合部1122重叠。
例如，第一上凹部R10和第二上凹部R20可以设置有几十微米到几百微米的宽度。
根据实施例的发光器件封装1100，如图24中所示，第二粘合剂1133可以布置在第一框架1111和第二框架1112处。
第二粘合剂1133可以设置在第一框架1111上并且布置在第一结合部1121下面。第二粘合剂1133可以布置为与第一结合部1121的下表面直接接触。
第二粘合剂1133可以设置在第二框架1112上并且布置在第二结合部1122下面。第二粘合剂1133可以布置为与第二结合部1122的下表面直接接触。
根据实施例，第二粘合剂1133可以设置在第一框架1111处，并且发光器件1120的第一结合部1121可以安装在第二粘合剂1133上。
此时，在将发光器件1120的第一结合部1121安装在第二粘合剂1133上的工艺中，第二粘合剂1133的一部分可以扩散到第一上凹部R10的区域中，并且扩散到第一结合部1121的侧面。
然而，根据实施例，如图24中所示，当从发光器件1120的向上方向观察时，当充分地提供从发光器件1120的侧表面到第一结合部1121的侧表面的第二距离D2时，可以防止第二粘合剂1133的一部分在第一结合部1121的侧表面上扩散并且移动到发光器件1120的侧表面方向。
例如，从发光器件1120的侧表面到第一结合部1121的侧表面的第二距离D2可以设置为几十微米。从发光器件1120的侧表面到第一结合部1121的侧表面的第二距离D2可以设置为40微米或更大。作为示例，从发光器件1120的侧表面到第一结合部1121的侧表面的第二距离D2可以设置为50至90微米。
因此，当充分地提供从发光器件1120的侧表面到第一结合部1121的侧表面的第二距离D2时，从发光器件1120的侧表面到被布置在发光器件1120的下表面下面的第一上凹部R10的侧表面的第一距离D1可以设置为小于第二距离D2。
另外，可以将从发光器件1120的侧表面到被布置以在垂直方向中与发光器件1120重叠的第一上凹部R10的内侧表面的第一距离D1设置为比第二距离D2小几微米或几十微米。
根据实施例，第一上凹部R10的部分区域可以布置为在垂直方向中与第一结合部1121的下表面重叠。因此，即使当第二粘合剂1133过度地设置并扩散到周边时，第二粘合剂1133也可以扩散到第一上凹部R10区域中，而不是沿着第一结合部1121的侧表面在向上方向中移动。
根据实施例，因为可以防止第二粘合剂1133沿着第一结合部1121的侧表面在发光结构1123的方向中扩散，所以能够通过第二粘合剂1133的扩散防止发光器件1120被电短路，第二粘合剂1133是导电材料。
此外，当充分提供从发光器件1120的侧表面到第一结合部1121的侧表面的第二距离D2时，从发光器件1120的侧表面到被布置在发光器件1120的下表面下面的第一上凹部R10的侧表面的第一距离D1可以设置为负值。也就是说，发光器件1120可以布置成在垂直方向中不与第一上凹部R10重叠。
另外，类似于上述，第二粘合剂1133可以设置在第一框架1112处，发光器件1120的第一结合部1122可以安装在第二粘合剂1133上。
此时，在将发光器件1120的第二结合部1122安装在第二粘合剂1133上的工艺中，第二粘合剂1133的一部分可以扩散到第二上凹部R20的区域中，并且可以沿第二结合部1122的侧表面扩散。
然而，根据实施例，如图24中所示，当从发光器件1120的向上方向观察时，当充分提供从发光器件1120的侧表面到第二结合部1122的侧表面的第二距离时，可以防止第二粘合剂1133的一部分在第二结合部1122的侧表面上扩散并且移动到发光器件1120的侧表面方向。
例如，从发光器件1120的侧表面到第二结合部1122的侧表面的第二距离可以设置为几十微米。从发光器件1120的侧表面到第二结合部1122的侧表面的第二距离可以设置为40微米或更大。作为示例，从发光器件1120的侧表面到第二结合部1121的侧表面的第二距离可以设置为50至90微米。
因此，当充分提供从发光器件1120的侧表面到第二结合部1122的侧表面的第二距离时，从发光器件1120的侧表面到被布置在发光器件1120的下表面下面的第二上凹部R20的内侧表面的第一距离可以设置为小于第二距离。
另外，从发光器件1120的侧表面到布置为在垂直方向中与发光器件1120重叠的第二上凹部R20的内侧表面的第一距离D1可以被设置为比第二距离小几微米或几十微米。
根据实施例，第二上凹部R20的部分区域可以布置为在垂直方向中与第二结合部1121的下表面重叠。因此，即使当第二粘合剂1133过度地设置并扩散到周边时，第二粘合剂1133也可以扩散到第二上凹部R20区域中，而不是沿着第二结合部1122的侧表面在向上方向中移动。
根据实施例，因为可以防止第二粘合剂1133沿着第二结合部1122的侧表面在发光结构1123的方向中扩散，所以能够通过第二粘合剂1133的扩散防止发光器件1120被电短路，第二粘合剂1133是导电材料。
此外，当充分提供从发光器件1120的侧表面到第二结合部1122的侧表面的第二距离时，从发光器件1120的侧表面到被布置在发光器件1120的下表面下面的第二上凹部R20的内侧表面的第一距离可以被设置为负值。也就是说，发光器件1120可以布置成在垂直方向中不与第二上凹部R20重叠。
如上所述，因为可以防止第二粘合剂1133沿着发光器件1120的侧表面上升，所以可以防止构成发光器件1120的第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层被电短路。另外，因为可以防止第二粘合剂1133布置在构成发光器件1120的有源层的侧表面上，所以可以提高发光器件1120的光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装1100可以包括第一树脂部分1135、如图24中所示。
第一树脂部分1135可以布置在第一框架1111和发光器件1120之间。第一树脂部分1135可以布置在第二框架1112和发光器件1120之间。
第一树脂部分1135可以布置在第一结合部1121的侧表面上。第一树脂部分1135可以布置在第二结合部1122的侧表面上。第一树脂部分1135可以布置在发光结构1123的下面。第一树脂部分1135可以布置在第二粘合剂1133的侧表面上。
另外，第一树脂部分1135可以与发光器件1120的下表面直接接触。第一树脂部分1135可以布置为与第二粘合剂1133的侧表面直接接触。第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10处。第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20处。
另外，根据实施例，第二粘合剂1133可以溢出到第一上凹部R10。因此，第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中的第二粘合剂1133上。
根据实施例，即使当第二粘合剂1133通过第一树脂部分1135扩散到第一上凹部R10的区域中或扩散到第一结合部1121的侧表面时，可以防止第二粘合剂1133在发光结构1123的侧表面方向中移动。
第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中并且与第二粘合剂1133接触。第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中并且设置在第二粘合剂1133的周边处。第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中并且设置在第一结合部1121的周边处。
另外，根据实施例，第二粘合剂1133可以溢出到第二上凹部R20。因此，第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中的第二粘合剂1133上。
根据实施例，即使当第二粘合剂1133通过第一树脂部分1135扩散到第二上凹部R20的区域中或扩散到第二结合部1122的侧表面时，可以防止第二粘合剂1133在发光结构1123的侧表面的方向中移动。
第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中并且与第二粘合剂1133接触。第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中并且设置在第二粘合剂1133的外围。第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中并且设置在第二结合部1122的周边处。
因此，填充在第一上凹部R10和第二上凹部R20中的第一树脂部分1135可以有效地密封第一结合部1121和第二结合部1122的周边。
作为示例，第一树脂部分1135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包括环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。例如，第一树脂部分1135可以是反射从发光器件1120发射的光的反射部，例如，包含诸如TiO2的反射材料的树脂。树脂部分1135可以包括白色硅酮。
第一树脂部分1135可以布置在发光器件1120下面以执行密封功能。此外，第一树脂部分1135可以改善发光器件1120和第一框架1111之间的粘合力。第一树脂部分1135可以改善发光器件1120和第二框架1112之间的粘合力。
第一树脂部分1135可以围绕第一结合部1121和第二结合部1122密封。第一树脂部分1135可以防止第二粘合剂1133在发光器件1120的侧表面的方向中扩散和移动。
当第二粘合剂1133在发光器件1120的侧表面的方向中扩散和移动时，第二粘合剂1133可以与发光器件1120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，当布置第一树脂部分1135时，可以防止由于第二粘合剂1133和有源层引起的短路，从而提高根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，当第一树脂部分1135包括具有诸如白色硅酮的反射特性的材料时，第一树脂部分1135可以将从发光器件1120发射的光朝向封装主体1110的向上方向反射，从而提高发光器件封装1100的光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括第二树脂部分1140。
第二树脂部分1140可以设置在发光器件1120上。第二树脂部分1140可以布置在第一框架1111和第二框架1112上。第二树脂部分1140可以布置在由封装主体1110提供的腔体C上。第二树脂部分1140可以布置在第一树脂部分1135上。
在根据实施例的发光器件封装1100中，电力可以通过设置在第一框架1111上的第二粘合剂1133连接到第一结合部1121，并且电力可以通过被设置在第二框架1112上的第二粘合剂1133被连接到第二结合部1122。
因此，发光器件1120可以由通过第一结合部1121和第二结合部1122提供的驱动电力驱动。另外，从发光器件1120发射的光可以被设置在封装主体1110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装1100可以被提供并安装在子基板、电路板等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装处的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，从而可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件1120的第一结合部1121和第二结合部1122可以通过第二粘合剂1133接收驱动电力。另外，第二粘合剂1133的熔点可以选择为具有比普通结合材料更高的值。
因此，因为根据实施例的发光器件封装1100即使在通过回流工艺将发光器件封装1100结合到主基板时也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，根据根据实施例的发光器件封装1100和制造发光器件封装的方法，因为发光器件1120通过使用导电膏安装在封装主体1110上，所以在发光器件封装的制造工艺中，主体1110不需要暴露在高温下。因此，根据实施例，可以防止封装体1110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体1113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来提供主体1113。
例如，主体1113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
接下来，将参考图25描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
图25中示出的根据本发明的实施例的发光器件封装1300被示出作为参考图15至图24描述的发光器件封装1100被安装在电路板1310并且被提供的示例。
在描述根据参考图25的实施例的发光器件封装1300中，可以省略与参考图1至图25描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装1300可以包括电路板1310、封装主体1110和发光器件1120，如图25中所示。
电路板1310可以包括第一焊盘1311、第二焊盘1312和支撑基板1313。支撑基板1313可以设置有电源电路，该电源电路被配置为控制发光器件1120的驱动。
封装主体1110可以设置在电路板1310上。第一焊盘1311和第一结合部1121可以彼此电连接。第二焊盘1312和第二结合部1122可以彼此电连接。
第一焊盘1311和第二焊盘1312可以包括导电材料。例如，第一焊盘1311和第二焊盘1312可以包括从由Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn和Al或其合金组成的组中选择的一种材料。第一焊盘1311和第二焊盘1312可以设置为单层或多层。
封装主体1110可以包括第一框架1111和第二框架1112。第一框架1111和第二框架1112可以布置为彼此隔开。
封装主体1110可以包括主体1113。主体1113可以布置在第一框架1111和第二框架1112之间。主体1113可以执行作为一种电极分离线的功能。
第一框架1111和第二框架1112可以设置为导电框架。第一框架1111和第二框架1112可以稳定地提供封装主体1110的结构强度，并且可以电连接到发光器件1120。
根据实施例，发光器件1120可以包括第一结合部1121、第二结合部1122、发光结构1123和衬底1124。
发光器件1120可以布置在封装主体1110上。发光器件1120可以布置在第一框架1111和第二框架1112上。发光器件1120可以布置在由封装主体1110提供的腔体C中。发光器件120可以布置在主体1113上。
第一结合部1121可以布置在发光器件1120的下表面上。第二结合部1122可以布置在发光器件1120的下表面上。第一结合部1121和第二结合部1122可以布置为在发光器件1120的下表面上彼此隔开。
第一结合部1121可以布置在第一框架1111上。第二结合部1122可以布置在第二框架1112上。
第一结合部1121可以布置在发光结构1123和第一框架1111之间。第二结合部1122可以布置在发光结构1123和第二框架1112之间。
根据实施例的发光器件封装1300可以包括第一粘合剂1130，如
图25中所示。
第一粘合剂1130可以布置在封装主体1110和发光器件1120之间。第一粘合剂1130可以布置在封装主体1110的上表面和发光器件1120的下表面之间。
第一粘合剂1130可以布置为在第一方向中与发光器件1120重叠。基于从主体1113的下表面朝向其上表面的方向，第一粘合剂1130可以布置为与发光器件1120重叠。
另外，根据实施例的发光器件封装1300可以包括凹部R，如图25中所示。
凹部R可以设置在主体1113处。凹部R可以设置成从主体1113的上表面朝向其下表面在第一方向中凹入。凹部R可以布置在发光器件1120下面。凹部R可以设置为在第一方向中与发光器件1120重叠。
凹部R可以布置在第一结合部1121和第二结合部1122之间。凹部R可以设置成在第一方向中不与第一结合部1121重叠。凹部R可以设置成在第一方向中不与第二结合部1122重叠。
作为示例，第一粘合剂1130可以布置在凹部R处。第一粘合剂1130可以布置在发光器件1120和主体1113之间。第一粘合剂1130可以布置在第一结合部1121和第二结合部1122之间。作为示例，第一粘合剂1130可以布置为与第一结合部1121的侧表面和第二焊盘电极1122的侧表面接触。
第一粘合剂1130可以在发光器件1120和封装主体1110之间提供稳定的固定力。第一粘合剂1130可以在发光器件1120和主体1113之间提供稳定的固定力。作为示例，第一粘合剂1130可以被布置为与主体1113的上表面直接接触。另外，第一粘合剂1130可以布置为与发光器件1120的下表面直接接触。
第一粘合剂1130可以作为绝缘粘合剂提供。作为示例，第一粘合剂1130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包括环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。此外，作为示例，当第一粘合剂1130包括反射功能时，粘合剂130可以包括白色硅酮。
当光发射到发光器件1120的下表面时，第一粘合剂1130可以在主体1113和发光器件1120之间提供稳定的固定力，并且可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件1120发射到发光器件1120的下表面时，第一粘合剂1130可以通过提供光扩散功能来提高发光器件封装1100的光提取效率。另外，第一粘合剂1130可以反射从发光器件1120发射的光。当第一粘合剂1130包括反射功能时，第一粘合剂1130可以由包括TiO2、硅酮等的材料形成。
同时，根据实施例的发光器件封装1300可以包括第二粘合剂1133，如图25中所示。
第二粘合剂1133可以布置在第一框架1111和发光器件1120之间。另外，第二粘合剂1133可以布置在第二框架1112和发光器件1120之间。
第二粘合剂1133可以布置在封装主体1110的上表面和发光器件1120的下表面之间。第二粘合剂1133可以布置为与封装主体的上表面直接接触。第二粘合剂1133可以布置为与发光器件1120的下表面直接接触。
第二粘合剂1133可以布置为与第一结合部1121的下表面直接接触。此外，第二粘合剂1133可以布置为与第二结合部1122的下表面直接接触。
作为示例，第二粘合剂1133可以作为导电粘合剂提供。第一框架1111和第一结合部1121可以通过第二粘合剂1133电连接。第二框架1112和第二结合部1122可以通过第二粘合剂1133电连接。
作为示例，第二导体1222可以包括从由Ag、Au、Pt等或其合金组成的组中选择的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以用于第二导体1222。
作为示例，第二粘合剂1133可以通过使用导电膏形成。导电膏可以选自由焊膏、银膏等组成的组。
根据实施例，第一粘合剂1130和第二粘合剂1133可以包括不同的材料。作为示例，第一粘合剂1130可以设置为绝缘粘合剂，第二粘合剂1133可以设置为导电粘合剂。
另外，根据实施例的发光器件封装1300可以包括第一上凹部R10和第二上凹部R20，如图25中所示。
第一上凹部R10可以设置在第一框架1111的上表面处。第一上凹部R10可以设置成从第一框架1111的上表面沿下表面方向凹入。第一上凹部R10可以布置成与凹部R隔开。
第一上凹部R10可以基于从第一框架1111的下表面朝向其上表面的方向在第一方向中与第一结合部1121重叠。第一上凹部R10可以基于第一方向与发光结构1123重叠。
如参考图18所述的，当从发光器件1120的向上方向观察时，第一上凹部R10可以设置为从第一结合部1121的三个侧面向内延伸。例如，第一上凹部R10可以以“[”形状被设置在第一结合部1121的周边。
如参考图18所述的，当从发光器件1120的向上方向观察时，第一上凹部R10可以设置为与第二粘合剂1133的三个侧面相邻。例如，第一上凹部R10可以以“[”形状设置在第二粘合剂1133的周边。
第一框架1111可以包括在设置第一上凹部R10的方向中延伸的第一区域。作为示例，第二粘合剂1133可以布置在第一框架1111的第一区域中。第二粘合剂1133可以布置为基于第一方向与第一结合部1121重叠。
在根据实施例的发光器件封装中，如上参考图18所述，当从发光器件1120的向上方向观察时，第一上凹部R10的部分区域可以在垂直方向中与发光结构1123重叠。作为示例，第一上凹部R10的与第一结合部1121相邻的侧表面区域可以设置为在发光结构1123下面延伸。第一上凹部R10可以布置为在垂直方向与第一结合部1121重叠。
根据实施例，第二上凹部R20可以设置在第二框架1112的上表面上。第二上凹部R20可以设置成在下表面方向中从第二框架1112的上表面凹入。第二上凹部R20可以布置为与凹部R隔开。第二上凹部R20可以布置为与第一上凹部R10隔开。
第二上凹部R20可以基于从第一框架1112的下表面朝向其上表面的方向在第一方向中与第二结合部1122重叠。第二上凹部R20可以基于第一方向与发光结构1123重叠。
如参考图18所述，当从发光器件1120的向上方向观察时，第二上凹部R20可以设置为从第一结合部1121的三个侧面向内延伸。例如，第二上凹部R20可以以“]”形状设置在第二结合部1122的周边。
另外，如参考图18所述，当从发光器件1120的向上方向观察时，第二上凹部R20可以设置为与第二粘合剂1133的三个侧面相邻。例如，第二上凹部R20可以以“]”形状设置在第二粘合剂1133的周边。
第二框架1112可以包括在设置第二上凹部R20的方向中延伸的第一区域。作为示例，第二粘合剂1133可以布置在第二框架1112的第一区域中。第二粘合剂1133可以布置为基于第一方向与第二结合部1122重叠。
另外，在根据实施例的发光器件封装中，如上参考图18所述，当从发光器件1120的向上方向观察时，第二上凹部R20的部分区域可以在垂直方向中与发光结构1123重叠。作为示例，第二上凹部R20的与第二结合部1122相邻的侧表面区域可以设置为在发光结构1123下面延伸。第二上凹部R20可以布置为在垂直方向中与第二结合部1122重叠。
例如，第一上凹部R10和第二上凹部R20可以设置有几十微米到几百微米的宽度。
根据实施例的发光器件封装，如图25中所示，第二粘合剂1133可以布置在第一框架1111和第二框架1112处。
第二粘合剂1133可以设置在第一框架1111上并且布置在第一结合部1121下面。第二粘合剂1133可以布置为与第一结合部1121的下表面直接接触。
第二粘合剂1133可以设置在第二框架1112上并且布置在第二结合部1122下面。第二粘合剂1133可以布置为与第二结合部1122的下表面直接接触。
根据实施例，第二粘合剂1133可以设置在第一框架1111处，并且发光器件1120的第一结合部1121可以安装在第二粘合剂1133上。
此时，在将发光器件1120的第一结合部1121安装在第二粘合剂1133上的工艺中，第二粘合剂1133的一部分可以扩散到第一上凹部R10的区域中，并且扩散到第一结合部1121的侧面。
然而，根据实施例，如上面参考图17至图19所述，当从发光器件1120的向上方向观察时，从发光器件1120的侧表面到第一结合部1121的侧表面的第二距离D2可以设置为小于从发光器件1120的侧表面到布置在发光器件1120的下表面下面的第一上凹部R10的侧表面的距离D1。
作为示例，从发光器件1120的侧表面到第一结合部1121的侧表面的第二距离D2可以设置为几十微米。从发光器件1120的侧表面到第一结合部1121的侧表面的第二距离D2可以设置为40至50微米。
另外，从发光器件1120的侧表面到在发光器件1120的下表面下面并且在垂直方向中与发光器件1120中的发光器件1120重叠的第一上凹部R10的侧表面的第一距离D1可以设置为比第二距离D2大几微米或几十微米。
第一上凹部R10的部分区域可以布置为在垂直方向中与第一结合部1121的下表面重叠。因此，即使当第二粘合剂1133过度地设置并扩散到周边时，第二粘合剂1133也可以扩散到第一上凹部R10的区域中，而不是沿着第一结合部1121的侧表面在向上方向中移动。
根据本实施例，因为可以防止第二粘合剂1133沿着第一结合部1121的侧表面在发光结构1123的方向中扩散，所以可以防止发光器件1120通过作为导电材料的第二粘合剂1133的扩散被电短路。
另外，类似于上述，第二粘合剂1133可以设置在第一框架1112处，发光器件1120的第一结合部1122可以安装在第二粘合剂1133上。
此时，在将发光器件1120的第二结合部1122安装在第二粘合剂1133上的工艺中，第二粘合剂1133的一部分可以扩散到第二上凹部R20的区域中，并且可以沿第二结合部1122的侧表面扩散。
根据实施例，如上面参考图17至图19所述，当从发光器件1120的上部的方向观察时，从发光器件1120的侧表面到第二结合部1122的侧表面的距离可以设置为小于从发光器件1120的侧表面到在发光器件1120的下表面下面设置的第二上凹部R20的侧表面的距离。
第二上凹部R20的部分区域可以布置为在垂直方向中与第二结合部1122的下表面重叠。因此，即使当第二粘合剂1133过度地设置并扩散到周边时，第二粘合剂1133也可以扩散到第二上凹部R20的区域中，而不是沿着第二结合部1122的侧表面在向上方向中移动。
根据实施例，因为可以防止第二粘合剂1133沿着第一结合部1122的侧表面在发光结构1123的方向中扩散，所以可以防止发光器件1120通过作为导电材料的第二粘合剂1133的扩散被电短路。
如上所述，因为可以防止第二粘合剂1133沿着发光器件1120的侧表面上升，所以可以防止构成发光器件1120的第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层被电短路。另外，因为可以防止第二粘合剂1133布置在构成发光器件1120的有源层的侧表面上，所以可以提高发光器件1120的光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装1300可以包括第一树脂部分1135，如图25中所示。
第一树脂部分1135可以布置在第一框架1111和发光器件1120之间。第一树脂部分1135可以布置在第二框架1112和发光器件1120之间。
第一树脂部分1135可以布置在第一结合部1121的侧表面上。第一树脂部分1135可以布置在第二结合部1122的侧表面上。第一树脂部分1135可以布置在发光结构1123的下面。第一树脂部分1135可以布置在第二粘合剂1133的侧表面上。
另外，第一树脂部分1135可以与发光器件1120的下表面直接接触。第一树脂部分1135可以布置为与第二粘合剂1133的侧表面直接接触。第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10处。第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20处。
另外，根据实施例，第二粘合剂1133可以溢出到第一上凹部R10。因此，第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中的第二粘合剂1133上。
根据实施例，即使当第二粘合剂1133通过第一树脂部分1135扩散到第一上凹部R10的区域中或扩散到第一结合部1121的侧表面时，也可以防止第二粘合剂1133在发光结构1123的侧表面方向中移动。
第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中并且与第二粘合剂1133接触。第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中并且设置在第二粘合剂1133的周边处。第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中并且设置在第一结合部1121的周边处。
另外，根据实施例，第二粘合剂1133可以溢出到第二上凹部R20。因此，第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中的第二粘合剂1133上。
根据实施例，即使当第二粘合剂1133通过第一树脂部分1135扩散到第二上凹部R20的区域中或扩散到第二结合部1122的侧表面时，也可以防止第二粘合剂1133在发光结构1123的侧表面的方向中移动。
第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中并且与第二粘合剂1133接触。第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中并且设置在第二粘合剂1133的周边处。第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中并且设置在第二结合部1122的周边处。
因此，填充在第一上凹部R10和第二上凹部R20中的第一树脂部分1135可以有效地密封第一结合部1121和第二结合部1122的周边。
作为示例，第一树脂部分1135可以包括环氧基材料、硅酮基材料以及包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，第一树脂部分1135可以是反射从发光器件1120发射的光的反射部，例如，包含诸如TiO2的反射材料的树脂，或者可以包括白色硅酮。
第一树脂部分1135可以布置在发光器件1120下面以执行密封功能。此外，第一树脂部分1135可以改善发光器件1120和第一框架1111之间的粘合力。第一树脂部分1135可以改善发光器件1120和第二框架1112之间的粘合力。
第一树脂部分1135可以围绕第一结合部1121和第二结合部1122密封。第一树脂部分1135可以防止第二粘合剂1133在发光器件1120的侧表面的方向中扩散和移动。
当第二粘合剂1133在发光器件1120的侧表面的方向中扩散和移动时，第二粘合剂1133可以与发光器件1120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，当布置第一树脂部分1135时，可以防止由于第二粘合剂1133和有源层引起的短路，从而提高根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，当第一树脂部分1135包括具有诸如白色硅酮的反射特性的材料时，第一树脂部分1135可以将从发光器件1120发射的光朝向封装主体1110的向上方向反射，从而提高发光器件封装的光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装1300可以包括第二树脂部分1140，如图25中所示。
第二树脂部分1140可以设置在发光器件1120上。第二树脂部分1140可以布置在第一框架1111和第二框架1112上。第二树脂部分1140可以布置在由封装主体1110提供的腔体C上。第二树脂部分1140可以布置在第一树脂部分1135上。
第二树脂部分1140可以包括绝缘材料。另外，第二树脂部分1140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置为从发光器件1120发射的入射光并且提供波长转换的光。作为示例，第二树脂部分1140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
根据实施例，电路板1310的第一焊盘1311可以电连接到第一框架1111。另外，电路板1310的第二焊盘1312可以电连接到第二框架112。
第一焊盘1311和第二焊盘1312可以被称为第三粘合剂。作为示例，第一焊盘1311和第二焊盘1312可以由导电粘合剂形成。
根据实施例，第一粘合剂1130可以作为绝缘粘合剂提供，并且第二粘合剂1133和第三粘合剂可以作为导电粘合剂提供。另外，第二粘合剂1133和第三粘合剂可以包括不同的材料。
作为示例，第二粘合剂1133的熔点可以选择为高于第三粘合剂的熔点。因此，可以防止在通过第三粘合剂将封装主体1110安装在电路板1310上的工艺中发生第二粘合剂1133的再熔化现象。
因此，因为即使当根据实施例的发光器件封装1300通过回流工艺结合到主基板时不会发生再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
同时，根据实施例，可以在第一焊盘1311和第一框架1111之间另外设置单独的结合层。此外，可以在第二焊盘1312和第二框架1112之间另外设置单独的结合层。
如上所述，根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件1120的第一结合部1121和第二结合部1122可以通过第二粘合剂1133接收驱动电力。另外，第二粘合剂1133的熔点可以选择为具有高于普通结合材料的熔点的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装1100结合到主基板时根据实施例的发光器件封装不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，根据根据实施例的发光器件封装1100和制造发光器件封装的方法，因为发光器件1120通过使用导电膏安装在封装主体1110上，所以封装主体1110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露在高温下。因此，根据实施例，可以防止封装体1110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体1113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来提供主体1113。
例如，主体1113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
同时，根据根据上述实施例的发光器件封装，封装主体1110仅包括其中上表面是平坦的支撑构件，并且可以不设置有被布置为倾斜的反射部。
作为另一个表示，根据实施例的发光器件封装，封装主体1110可以设置有其中设置腔体C的结构。此外，封装主体1110可以设置有上表面是平坦而没有设置腔体C的结构。
同时，作为示例，可以在上述发光器件封装中设置倒装芯片发光器件。
作为示例，倒装芯片发光器件可以被设置为在六个表面方向中发光的透射型倒装芯片发光器件，或者可以被设置为在其中在五个表面方向中发射光的反射型倒装芯片发光器件。
其中光在五个表面方向中发射的反射型倒装芯片发光器件可以具有其中反射层沿靠近封装主体的方向布置的结构。例如，反射型倒装芯片发光器件可以包括在第一和第二结合部和发光结构之间的绝缘反射层(例如，分布式布拉格反射器、全向反射器等)和/或导电型反射层(例如，Ag、Al、Ni、Au等)。
另外，倒装芯片发光器件可以包括电连接到第一导电类型半导体层的第一结合部、和电连接到第二导电类型半导体层的第二结合部，并且可以被设置为其中在第一结合部和第二结合部之间发射光的普通水平发光器件。
此外，其中光在六个表面方向中发射的倒装芯片发光器件可以被设置为透射型倒装芯片发光器件，其包括反射区域和透射区域，在反射区域中反射层被布置在第一和第二结合之间部件，在透射区域中光被发射。
这里，透射型倒装芯片发光器件意指将光发射到上表面、四个侧表面和下表面的六个表面的器件。另外，反射型倒装芯片发光器件意指向上表面和四个侧表面发射光的器件。
同时，基于第一结合部1121和第二结合部1122与第二粘合剂1133直接接触的情况描述根据上述实施例的发光器件封装。
然而，根据根据实施例的发光器件封装的又一示例，可以在第一结合部1121和第二结合部1122与第二粘合剂1133之间进一步设置另一导电组件。
接下来，将参考图26描述根据实施例的发光器件封装的另一示例。
在描述根据参考图26的实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图25描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体1110、发光器件1120、第一导体1221和第二导体1222，如图12中所示。
封装主体1110可以包括第一框架1111和第二框架1112。第一框架1111和第二框架1112可以布置为彼此隔开。
封装主体1110可以包括主体1113。主体1113可以布置在第一框架1111和第二框架1112之间。主体1113可以执行作为一种电极分离线的功能。
第一框架1111和第二框架1112可以设置为导电框架。第一框架1111和第二框架1112可以稳定地提供封装主体1110的结构强度，并且可以电连接到发光器件1120。
根据实施例，发光器件1120可以包括第一结合部1121、第二结合部1122、发光结构1123和衬底1124。
发光器件1120可以布置在封装主体1110上。发光器件1120可以布置在第一框架1111和第二框架1112上。发光器件1120可以布置在由封装主体1110提供的腔体C中。发光器件120可以布置在主体1113上。
第一结合部1121可以布置在发光器件1120的下表面上。第二结合部1122可以布置在发光器件1120的下表面上。第一结合部1121和第二结合部1122可以布置为在发光器件1120的下表面上彼此隔开。
根据实施例，第一导体1221可以布置在第一结合部1121下面。第一导体1221可以电连接到第一结合部1121。第一导体1221可以布置为在第一方向中与第一结合部1121重叠。
另外，第二导体1222可以布置在第二结合部1122下面。第二导体1222可以电连接到第二结合部1122。第二导体1222可以布置为在第一个方向与第二结合部重叠1122。
根据实施例的发光器件封装可以包括第一粘合剂1130，如图26中所示。
第一粘合剂1130可以布置在封装主体1110和发光器件1120之间。第一粘合剂1130可以布置在封装主体1110的上表面和发光器件1120的下表面之间。
第一粘合剂1130可以布置为在第一方向中与发光器件1120重叠。基于从主体1113的下表面朝向其上表面的方向，第一粘合剂1130可以布置为与发光器件1120重叠。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括凹部R，如图26中所示。
凹部R可以设置在主体1113处。凹部R可以设置成在第一方向中从主体1113的上表面朝向其下表面凹入。凹部R可以布置在发光器件1120下面。凹部R可以设置为在第一方向中与发光器件1120重叠。
凹部R可以布置在第一结合部1121和第二结合部1122之间。凹部R可以设置成在第一方向中不与第一结合部1121重叠。凹部R可以设置成在第一方向中不与第二结合部1122重叠。
作为示例，第一粘合剂1130可以布置在凹部R处。第一粘合剂1130可以布置在发光器件1120和主体1113之间。第一粘合剂1130可以布置在第一结合部1121和第二结合部1122之间。作为示例，第一粘合剂1130可以布置为与第一结合部1121的侧表面和第二焊盘电极1122的侧表面接触。
第一粘合剂1130可以在发光器件1120和封装主体1110之间提供稳定的固定力。第一粘合剂1130可以在发光器件1120和主体1113之间提供稳定的固定力。作为示例，第一粘合剂1130可以被布置为与主体1113的上表面直接接触。另外，第一粘合剂1130可以布置为与发光器件1120的下表面直接接触。
第一粘合剂1130可以作为绝缘粘合剂提供。作为示例，第一粘合剂1130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包括环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。此外，作为示例，当第一粘合剂1130包括反射功能时，粘合剂130可以包括白色硅酮。
当光发射到发光器件1120的下表面时，第一粘合剂1130可以在主体1113和发光器件1120之间提供稳定的固定力，并且可以在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件1120发射到发光器件1120的下表面时，第一粘合剂1130可以通过提供光扩散功能来提高发光器件封装1100的光提取效率。另外，第一粘合剂1130可以反射从发光器件1120发射的光。当第一粘合剂1130包括反射功能时，第一粘合剂1130可以由包括TiO2、硅酮等的材料形成。
同时，根据实施例的发光器件封装可以包括第二粘合剂1133，如
图26中所示。
第二粘合剂1133可以布置在第一框架1111和发光器件1120之间。另外，第二粘合剂1133可以布置在第二框架1112和发光器件1120之间。
根据实施例，第一导体1221可以电连接到第一结合部1121。第二导体1222可以电连接到第二结合部1220。第一和第二导体221和222可以分别被布置在第一和第二结合部1121和1122与第二粘合剂1133之间。
根据实施例，第二粘合剂1133可以布置在第一导体1221的下表面和侧表面上，第二粘合剂1133可以布置为与第一导体1221的下表面和侧表面直接接触。
如上所述，根据实施例的发光器件封装，第二粘合剂1133和结合部1121之间的电连接可以由第一导体1221更稳定地提供。
另外，根据实施例，第二粘合剂1133可以布置在第二导体1222的下表面和侧表面上，第二粘合剂1133可以布置为与第二导体1222的下表面和侧表面直接接触。
如上所述，根据实施例的发光器件封装，第二粘合剂1133和第二结合部1122之间的电连接可以由第二导体1222更稳定地提供。
例如，第一和第二导体1221和1222可以分别经由单独的结合材料稳定地结合到第一和第二结合部1121和1122。另外，第一和第二导体1221和1222的侧表面和下表面可以分别与第二粘合剂1133接触。
因此，与第二粘合剂1133直接接触第一和第二导体1221和1222的下表面的情况相比，可以进一步增加第二粘合剂1133分别与第一和第二导体1221和1222接触的面积。因此，可以经由第一导体1221和第二导体1222从第二粘合剂1133到第一和第二结合部1121和1122稳定地提供电力。
可以提供第二粘合剂1133，例如，作为导电粘合剂。作为示例，第二导体1222可以包括从由Ag、Au、Pt等或其合金组成的组中选择的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以用于第二导体1222。
作为示例，第二粘合剂1133可以通过使用导电膏形成。导电膏可以选自由焊膏、银膏等组成的组。
根据实施例，第一粘合剂1130和第二粘合剂1133可以包括不同的材料。作为示例，第一粘合剂1130可以设置为绝缘粘合剂，并且第二粘合剂1133可以设置为导电粘合剂。
此外，第一和第二导体1221和1222可以包括选自由Ag、Au、Pt、Sn、Al等或其合金组成的组中的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以用于第一导体1221和第二导体1222。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一上凹部R3和第二上凹部R4，如图26中所示。
第一上凹部R3可以设置在第一框架1111的上表面上。第一上凹部R3可以设置成在下表面方向中从第一框架1111的上表面凹入。第一上凹部R3可以设置成与凹部R隔开。
第一上凹部R10可以基于从第一框架1111的下表面朝向其上表面的方向在第一方向中与第一结合部1121重叠。基于第一方向第一上凹部R10可以与发光结构1123重叠。
如参考图18所述，当从发光器件1120的向上方向观察时，第一上凹部R10可以设置为从第一结合部1121的三个侧面向内延伸。例如，第一上凹部R10可以以“[”形状被设置在第一结合部1121的周边。
如参考图18所述，当从发光器件1120的向上方向观察时，第一上凹部R10可以设置为与第二粘合剂1133的三个侧面相邻。例如，第一上凹部R10可以以“[”形状设置在第二粘合剂1133的周边。
第一框架1111可以包括在设置第一上凹部R10的方向中延伸的第一区域。作为示例，第二粘合剂1133可以布置在第一框架1111的第一区域中。第二粘合剂1133可以布置为基于第一方向与第一结合部1121重叠。
在根据实施例的发光器件封装中，如上参考图18所述，当从发光器件1120的向上方向观察时，第一上凹部R10的部分区域可以在垂直方向中与发光结构1123重叠。作为示例，第一上凹部R10的与第一结合部1121相邻的侧表面区域可以设置为在发光结构1123下面延伸。第一上凹部R10可以布置为在垂直方向与第一结合部1121重叠。
根据实施例，第二上凹部R20可以设置在第二框架1112的上表面上。第二上凹部R20可以设置成在下表面方向中从第二框架1112的上表面凹入。第二上凹部R20可以布置为与凹部R隔开。第二上凹部R20可以布置为与第一上凹部R10隔开。
基于从第一框架1112的下表面朝向其上表面的方向在第一方向中第二上凹部R20可以与第二结合部1122重叠。基于第一方向第二上凹部R20可以与发光结构1123重叠。
如参考图18所述，当从发光器件1120的向上方向观察时，第二上凹部R20可以设置为从第一结合部1121的三个侧面向内延伸。例如，第二上凹部R20可以以“]”形状设置在第二结合部1122的周边。
另外，如参考图18所述，当从发光器件1120的向上方向观察时，第二上凹部R20可以设置为与第二粘合剂1133的三个侧面相邻。例如，第二上凹部R20可以以“]”形状设置在第二粘合剂1133的周边。
第二框架1112可以包括在设置第二上凹部R20的方向中延伸的第一区域。作为示例，第二粘合剂1133可以布置在第二框架1112的第一区域中。第二粘合剂1133可以布置为基于第一方向与第二结合部1122重叠。
另外，在根据实施例的发光器件封装中，如上参考图18所述，当从发光器件1120的向上方向观察时，第二上凹部R20的部分区域可以在垂直方向中与发光结构1123重叠。作为示例，第二上凹部R20的与第二结合部1122相邻的侧表面区域可以设置为在发光结构1123下面延伸。第二上凹部R20可以布置为在垂直方向中与第二结合部1122重叠。
例如，第一上凹部R10和第二上凹部R20可以设置有几十微米到几百微米的宽度。
根据实施例的发光器件封装，如图16中所示，第二粘合剂1133可以布置在第一框架1111和第二框架1112处。
第二粘合剂1133可以设置在第一框架1111上并且布置在第一结合部1121下面。第二粘合剂1133可以布置为与第一导体1221的下表面直接接触。
第二粘合剂1133可以设置在第二框架1112上并且布置在第二结合部1122下面。第二粘合剂1133可以布置为与第二导体1222的下表面直接接触。
根据实施例，第二粘合剂1133可以设置在第一框架1111处，并且发光器件1120的第一结合部1121和第一导体1221可以安装在第二粘合剂1133上。
此时，在将发光器件1120的第一结合部1121和第一导体1221安装在第二粘合剂1133上的工艺中，第二粘合剂1133的一部分可以扩散到第一上凹部R10的区域，并扩散到第一导体1221的侧面。
然而，根据实施例，如上面参考图17至图19所述，当从发光器件1120的向上方向观察时，从发光器件1120的侧表面到第一结合部1121的侧表面的第二距离D2可以设置为小于从发光器件1120的侧表面到在发光器件1120的下表面下面布置的第一上凹部R10的侧表面的第一距离D1。
作为示例，从发光器件1120的侧表面到第一结合部1121的侧表面的第二距离D2可以设置为几十微米。从发光器件1120的侧表面到第一结合部1121的侧表面的第二距离D2可以设置为40至50微米。
另外，从发光器件1120的侧表面到在发光器件1120的下表面下面并且在垂直方向中与发光器件1120重叠的第一上凹部R10的侧表面的第一距离D1可以设置为比第二距离D2大几微米或几十微米。
第一上凹部R10的部分区域可以布置为在垂直方向中与第一结合部1121的下表面重叠。因此，即使当第二粘合剂1133过度地设置并扩散到周边时，第二粘合剂1133也可以扩散到第一上凹部R10的区域中，而不是沿着第一导体1221的侧表面在向上方向中移动。
另外，根据实施例，因为第一导体1221被设置在第一结合部1121和第二粘合剂1133之间，所以可以防止第二粘合剂1133沿着第一结合部1121的侧表面在向上方向中移动。
根据实施例，因为可以防止第二粘合剂1133沿着第一结合部1121的侧表面在发光结构1123的方向中扩散，所以能够通过第二粘合剂1133的扩散防止发光器件1120被电短路，第二粘合剂1133是导电材料。
另外，如上所述，第二粘合剂1133设置在第二框架1112处，并且发光器件1120的第二结合部1122可以安装在第二粘合剂1133上。
此时，在发光器件1120的第二结合部1122和第二导体1222安装在第二粘合剂1133上的工艺中，第二粘合剂1133的一部分可以扩散到第二上凹部R20，并且可以沿第二导体1222的侧表面扩散。
然而，根据实施例，如图17至图19中所示，当从发光器件1120的向上方向观察时，从发光器件1120的侧表面到第二结合部1122的侧表面的第二距离D2可以设置为小于从发光器件1120的侧表面到布置在发光器件1120的下表面下面的第二上凹部R20的侧表面的第一距离D1。
第二上凹部R20的部分区域可以布置为在垂直方向中与第二结合部1122的下表面重叠。因此，即使当第二粘合剂1133过度地设置并扩散到周边时，第二粘合剂1133也可以扩散到第二上凹部R20区域中，而不是沿着第二结合部1122的侧表面在上方向中移动。
另外，根据实施例，因为第二导体1222设置在第二结合部1122和第二粘合剂1133之间，所以可以防止第二粘合剂1133沿着第二结合部1122的侧表面在向上方向中移动。
根据本实施例，因为可以防止第二粘合剂1133沿着第一结合部1121的侧表面在发光结构1123的方向中扩散，所以可以防止发光器件1120通过作为导电材料的第二粘合剂1133的扩散被电短路。
如上所述，因为可以防止第二粘合剂1133沿着发光器件1120的侧表面上升，所以可以防止构成发光器件1120的第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层被电短路。另外，因为可以防止第二粘合剂1133布置在构成发光器件1120的有源层的侧表面上，所以可以提高发光器件1120的光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一树脂部分1135，如图26中所示。
第一树脂部分1135可以布置在第一框架1111和发光器件1120之间。第一树脂部分1135可以布置在第二框架1112和发光器件1120之间。
第一树脂部分1135可以布置在第一结合部1121的侧表面上。第一树脂部分1135可以布置在第二结合部1122的侧表面上。第一树脂部分1135可以布置在发光结构1123的下面。第一树脂部分1135可以布置在第二粘合剂1133的侧表面上。
树脂部分1135可以布置在第一导体1221的侧表面上。树脂部分1135可以布置在第二导体1222的侧表面上。
另外，第一树脂部分1135可以与发光器件1120的下表面直接接触。第一树脂部分1135可以布置为与第二粘合剂1133的侧表面直接接触。第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10处。第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20处。
另外，根据实施例，第二粘合剂1133可以溢出到第一上凹部R10。因此，第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中的第二粘合剂1133上。
根据实施例，即使当第二粘合剂1133通过第一树脂部分1135扩散到第一上凹部R10的区域中或扩散到第一结合部1121的侧表面时，也可以防止第二粘合剂1133在发光结构1123的侧表面方向中移动。
第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中并且与第二粘合剂1133接触。第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中并设置在第二粘合剂1133的周边处。第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中并且设置在第一结合部1121的周边。第一树脂部分1135可以布置在第一上凹部R10中并且设置在第一导体的周边处1221。
另外，根据实施例，第二粘合剂1133可以溢出到第二上凹部R20。因此，第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中的第二粘合剂1133上。
根据实施例，即使当第二粘合剂1133通过第一树脂部分1135扩散到第二上凹部R20的区域中或扩散到第二结合部1122的侧表面时，也可以防止第二粘合剂1133在发光结构1123的侧表面的方向中移动。
第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中并且与第二粘合剂1133接触。第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中并且设置在第二粘合剂1133的外围。第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中并且设置在第二结合部1122的周边处。第一树脂部分1135可以布置在第二上凹部R20中并且设置在第二导体1222的周边处。
因此，填充在第一上凹部R10和第二上凹部R20中的第一树脂部分1135可以有效地密封第一结合部1121和第二结合部1122的周边。
作为示例，第一树脂部分1135可以包括环氧基材料、硅酮基材料以及包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，第一树脂部分1135可以是反射从发光器件1120发射的光的反射部，例如，包含诸如TiO2的反射材料的树脂，或者可以包括白色硅酮。
第一树脂部分1135可以布置在发光器件1120下面以执行密封功能。此外，第一树脂部分1135可以改善发光器件1120和第一框架1111之间的粘合力。第一树脂部分1135可以改善发光器件1120和第二框架1112之间的粘合力。
第一树脂部分1135可以围绕第一结合部1121和第二结合部1122密封。第一树脂部分1135可以防止第二粘合剂1133在发光器件1120的侧表面的方向中扩散和移动。
当第二粘合剂1133在发光器件1120的侧表面的方向中扩散和移动时，第二粘合剂1133可以与发光器件1120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，当布置第一树脂部分1135时，可以防止由于第二粘合剂1133和有源层引起的短路，从而提高根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，当第一树脂部分1135包括具有诸如白色硅酮的反射特性的材料时，第一树脂部分1135可以将从发光器件1120发射的光朝向封装主体1110的向上方向反射，从而提高发光器件封装的光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括第二树脂部分1140，如图26中所示。
第二树脂部分1140可以设置在发光器件1120上。第二树脂部分1140可以布置在第一框架1111和第二框架1112上。第二树脂部分1140可以布置在由封装主体1110提供的腔体C上。第二树脂部分1140可以布置在第一树脂部分1135上。
第二树脂部分1140可以包括绝缘材料。另外，第二树脂部分1140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置为从发光器件1120发射的入射光并且提供波长转换的光。作为示例，第二树脂部分1140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
在根据实施例的发光器件封装中，电力可以通过设置在第一框架1111上的第二粘合剂1133连接到第一结合部1121，并且电力可以通过设置在第二框架1112上的粘合剂1133连接到第二结合部1122。
因此，发光器件1120可以由通过第一结合部1121和第二结合部1122提供的驱动电力驱动。另外，从发光器件1120发射的光可以被设置在封装主体1110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以被提供并且被安装在子基板、电路板等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装处的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，从而可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件1120的第一结合部1121和第二结合部1122可以通过第二粘合剂1133接收驱动电力。另外，第二粘合剂1133的熔点可以选择为具有比普通结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装1100结合到主基板时根据实施例的发光器件封装1100不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，根据根据实施例的发光器件封装1100和制造发光器件封装的方法，因为发光器件1120通过使用导电膏安装在封装主体1110上，所以封装主体1110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露在高温下。因此，根据实施例，可以防止封装体1110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体1113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料来提供主体1113。
例如，主体1113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
同时，根据根据上述实施例的发光器件封装，封装主体1110仅包括其中上表面是平坦的支撑构件，并且可以不设置有被布置为倾斜的反射部。
作为另一表示，根据实施例的发光器件封装，封装主体1110可以设置有其中设置腔体C的结构。此外，封装主体1110可以设置有其中上表面是平坦而不设置腔体C的结构。
同时，如上面参考图1至图26所描述的根据实施例的发光器件封装可以被应用于光源装置。
此外，光源装置可以包括基于工业领域的显示装置、照明装置、前照灯等。
作为光源装置的示例，显示装置包括底盖、设置在底盖上的反射板、发射光并包括发光器件的发光模块、布置在反射板的前面并且引导从发光模块发射的光的导光板、包括被布置在导光板前面的棱镜片的光学片、布置在光学片前面的显示面板、连接到显示面板并且将图像信号提供给显示面板的图像信号输出电路、以及布置在显示面板前面的滤色器。这里，底盖、反射板、发光模块、导光板和光学片可以形成背光单元。另外，显示装置可以具有布置每个发射红色、绿色和蓝色光的发光器件而不包括滤色器的结构。
作为光源装置的另一示例，前照灯可以包括发光模块，该发光模块包括布置在基板上的发光器件封装、用于例如在向前方向中的预定方向中反射从发光模块发射的光的反射器、用于向前折射光的透镜和用于阻挡或反射由反射器反射并被直射到透镜的光的一部分以形成设计者所希望的光分布图案的遮光物。
作为另一光源装置的照明装置可以包括盖、光源模块、散热器、电源、内壳和插座。另外，根据实施例的光源装置还可以包括构件和保持器中的至少一个。光源模块可以包括根据实施例的发光器件封装。
在上面的实施例中描述的特征、结构、效果等包括在至少一个实施例中，并且不仅限于一个实施例。此外，关于实施例中描述的特征、结构、效果等，可以通过本领域中普通技术人员的组合或修改来实现其他实施例。因此，与组合和修改相关的内容应被解释为包括在实施例的范围内。
尽管已经在前述说明书中提出并阐述优选的实施例，但是本发明不应该被解释为限于此。对于本领域的普通技术人员来说，将会显而易见的是，在没有脱离本发明的实施例的固有特征的情况下在范围内未被图示的各种变形和修改是可用的。例如，可以通过修改来执行实施例中具体示出的每个组件。另外，显而易见的是，与修改和变形相关的差异被包括在本发明的所附权利要求中设置的实施例的范围内。
Claims (16)
1.一种发光器件封装，包括：
第一框架和第二框架，所述第一框架和所述第二框架被布置成彼此隔开；
主体，所述主体被布置在所述第一框架与所述第二框架之间并且包括凹部；
第一粘合剂，所述第一粘合剂在所述凹部上；
发光器件，所述发光器件在所述第一粘合剂上；
第二粘合剂，所述第二粘合剂被布置在所述第一框架和所述第二框架与所述发光器件之间；以及
树脂部分，所述树脂部分被布置为围绕所述第二粘合剂和所述发光器件的部分区域，
其中，所述第一框架包括：第一区域，在所述第一区域中布置所述第二粘合剂；以及第一上凹部，所述第一上凹部被布置成围绕所述第一区域的一部分，
其中，所述第二框架包括：第二区域，在所述第二区域中布置所述第二粘合剂；以及第二上凹部，所述第二上凹部被设置成围绕所述第二区域的一部分，以及
其中，所述树脂部分被布置在所述第一上凹部和所述第二上凹部上，并且从所述第一上凹部和所述第二上凹部延伸以与所述发光器件的下表面和所述第二粘合剂的侧表面直接接触。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述发光器件包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及在所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间布置的有源层；第一结合部，所述第一结合部在所述发光结构上并且被电连接到所述第一导电类型半导体层；以及第二结合部，所述第二结合部被布置为与所述发光结构上的第一结合部隔开并且电连接到所述第二导电类型半导体层，
其中，所述第一结合部被布置在所述第一区域中，以及
其中，所述第二结合部被布置在所述第二区域中。
3.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，所述第一上凹部包括第一内侧表面，所述第一内侧表面在垂直于所述发光结构的下表面并且平行于所述发光结构的侧表面的第一方向中与所述发光结构重叠，
其中，当所述发光结构的侧表面与所述第一结合部的侧表面之间在第二方向中的第一距离等于或大于40微米时，在所述第二方向中所述发光结构的侧表面与所述第一内侧表面之间的距离小于所述第一距离，
其中，当所述发光结构的侧表面与所述第一结合部的侧表面之间在所述第二方向中的第一距离小于40微米时，所述第二方向中所述发光结构的侧表面与所述第一内侧表面之间的距离大于所述第一距离，以及
其中，所述第二方向被设置为垂直于所述第一方向。
4.根据权利要求3所述的发光器件封装，其中，所述第一上凹部的部分区域被布置为在所述第一方向中与所述第一结合部的下表面重叠。
5.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一粘合剂是绝缘粘合剂，并且所述第二粘合剂被提供为导电粘合剂。
6.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，所述第一粘合剂与所述主体的上表面直接接触并且与所述发光器件的下表面直接接触，以及
其中，所述第二粘合剂与所述第一框架的上表面直接接触并且与所述第一结合部的下表面直接接触。
7.根据权利要求3所述的发光器件封装，其中，所述第一粘合剂被布置成基于所述第一方向与所述发光器件重叠，以及
其中，所述第二粘合剂被布置成基于所述第一方向与所述第一结合部重叠。
8.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，所述第一粘合剂被布置在所述第一结合部与所述第二结合部之间。
9.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一粘合剂包括环氧基材料、硅酮基材料以及包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第二粘合剂包括焊膏或银膏中的至少一种。
11.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，所述第一上凹部被设置在所述第一框架的上表面上，以及
其中，所述第一上凹部被布置为与所述凹部隔开。
12.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，当从所述发光器件的上方观察时，在所述发光器件的侧表面与在所述发光器件的下表面下面布置的第一上凹部的侧表面之间的第一距离被设置成大于在所述发光器件的侧表面与所述第一结合部的侧表面之间的第二距离。
13.根据权利要求12所述的发光器件封装，其中，在所述发光器件的侧表面与所述第一结合部的侧表面之间的第二距离被设置为几十微米。
14.根据权利要求12所述的发光器件封装，其中，在所述发光器件的侧表面与所述第一结合部的侧表面之间的第二距离被设置在40微米至50微米的范围中。
15.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，当从所述发光器件的上方观察时，在所述发光器件的侧表面与在所述发光器件的下表面下面布置的第一上凹部的侧表面之间的第一距离被设置成小于在所述发光器件的侧表面与所述第一结合部的侧表面之间的第二距离，以及
其中，在所述发光器件的侧表面与所述第一结合部的侧表面之间的第二距离被设置成大于40微米。
16.根据权利要求15所述的发光器件封装，其中，在所述发光器件的侧表面与所述第一结合部的侧表面之间的第二距离被设置在50微米至90微米的范围中。
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| US10811578B1 (en) * | 2019-03-27 | 2020-10-20 | Lextar Electronics Corporation | LED carrier and LED package having the same |
| DE102020118693A1 (de) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Bauelement und verfahren zur herstellung eines bauelements |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004288657A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-10-14 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
| CN101276798A (zh) * | 2007-03-26 | 2008-10-01 | 国家半导体公司 | 隔离焊料垫 |
| KR20140061797A (ko) * | 2012-11-14 | 2014-05-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
| CN105280798A (zh) * | 2014-05-28 | 2016-01-27 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2666228B2 (ja) * | 1991-10-30 | 1997-10-22 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| US6936855B1 (en) * | 2002-01-16 | 2005-08-30 | Shane Harrah | Bendable high flux LED array |
| TW570301U (en) * | 2003-02-13 | 2004-01-01 | Shang-Hua You | Adhesive type LED lead frame |
| JP5137059B2 (ja) * | 2007-06-20 | 2013-02-06 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品用パッケージ及びその製造方法と電子部品装置 |
| KR20120096216A (ko) * | 2011-02-22 | 2012-08-30 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 |
| KR101905535B1 (ko) * | 2011-11-16 | 2018-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치 |
| EP2862207A1 (en) * | 2012-06-15 | 2015-04-22 | Sferrum GmbH | Led package and method for producing the same |
| US20140335635A1 (en) * | 2013-05-10 | 2014-11-13 | Osram Sylvania Inc. | Electronic assemblies including a subassembly film and methods of producing the same |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004288657A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-10-14 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
| CN101276798A (zh) * | 2007-03-26 | 2008-10-01 | 国家半导体公司 | 隔离焊料垫 |
| KR20140061797A (ko) * | 2012-11-14 | 2014-05-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
| CN105280798A (zh) * | 2014-05-28 | 2016-01-27 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
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