JP7335574B2 - 発光素子パッケージ - Google Patents
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Description
実施例は、半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法、光源装置に関するものである。
GaN、AlGaN等の化合物を含む半導体素子は、広くて調整が容易なバンドギャップエネルギーを有する等の多様な長所を有することから、発光素子、受光素子及び各種ダイオード等に多様に用いられている。
特に、ＩＩＩ族‐Ｖ族またはＩＩ族‐ＶＩ族化合物半導体物質を利用した発光ダイオード(Light Emitting Diode)やレーザダイオード(Laser Diode)のような発光素子は、薄膜成長技術及び素子材料の開発により赤色、緑色、青色及び紫外線等多様な波長帯域の光を具現できる長所がある。また、ＩＩＩ族‐Ｖ族またはＩＩ族‐ＶＩ族化合物半導体物質を利用した発光ダイオードやレーザダイオードのような発光素子は、蛍光物質を利用したり色を組合わせることで、効率のよい白色光源も具現可能である。このような発光素子は、蛍光灯、白熱灯等既存の光源に比べて、低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、環境親和性の長所を有する。
さらに、光検出器や太陽電池のような受光素子も、ＩＩＩ族‐Ｖ族またはＩＩ族‐ＶＩ族化合物半導体物質を利用して製作する場合、素子材料の開発により多様な波長領域の光を吸収して光電流を生成することで、ガンマ線からラジオ波長領域まで多様な波長領域の光を利用することができる。また、このような受光素子は、速い応答速度、安全性、環境親和性及び素子材料の容易な調節といった長所を有することで、電力制御または超高周波回路や通信用モジュールにも容易に利用することができる。
従って、半導体素子は、光通信手段の送信モジュール、LCD(Liquid Crystal Display)表示装置のバックライトを構成する冷陰極管(CCFL：Cold Cathode Fluorescence Lamp)を代替できる発光ダイオードバックライト、蛍光灯や白熱電球を代替できる白色発光ダイオード照明装置、自動車ヘッドライト及び信号灯及びガスや火災を感知するセンサ等にまで応用が拡散している。また、半導体素子は、高周波応用回路やその他電力制御装置、通信用モジュールにまで応用が拡大されつつある。
発光素子(Light Emitting Device)は、例えば周期律表上のＩＩＩ族‐Ｖ族元素またはＩＩ族‐ＶＩ族元素を利用して電気エネルギーが光エネルギーに変換される特性のｐ‐ｎ接合ダイオードとして提供され、化合物半導体の組成比を調節することで、多様な波長を具現することができる。
例えば、窒化物半導体は、高い熱的安定性と幅広いバンドギャップエネルギーによって、光素子及び高出力電子素子の開発分野で大きな注目を浴びている。特に、窒化物半導体を利用した青色(Blue)発光素子、緑色(Green)発光素子、紫外線(UV)発光素子、赤色(RED)発光素子等は、商用化されて広く用いられている。
例えば、紫外線発光素子の場合、２００nm～４００nmの波長帯に分布している光を発生する発光ダイオードとして、前記波長帯域において、短波長の場合、殺菌、浄化等に用いられ、長波長の場合、露光装置または硬化装置等に用いられる。
紫外線は、波長が長い順にUV‐A(３１５nm～４００nm)、UV‐B(２８０nm～３１５nm)、UV‐C(２００nm～２８０nm)の３種類に分けられる。UV‐A(３１５nm～４００nm)領域は産業用UV硬化、印刷インク硬化、露光装置、偽札鑑別、光触媒殺菌、特殊照明(水族館/農業用等)等の多様な分野に応用されており、UV‐B(２８０nm～３１５nm)領域は医療用として用いられ、UV‐C(２００nm～２８０nm)領域は空気浄化、浄水、殺菌製品等に適用されている。
一方、高出力を提供できる半導体素子が求められており、高電源を印加して出力を高めることができる半導体素子に対する研究が行われている。
また、半導体素子パッケージにおいて、半導体素子の光抽出効率を向上させ、パッケージ端における光度を向上させることができる方案に対する研究が行われている。また、半導体素子パッケージにおいて、パッケージ電極と半導体素子の間のボンディング結合力を向上させることができる方案に対する研究が行われている。
また、半導体素子パッケージにおいて、工程効率の向上及び構造変更により、製造コストを減らし製造収率を向上させることができる方案に対する研究が行われている。
実施例は、光抽出効率及び電気的特性を向上させることができる半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法、光源装置を提供することを目的とする。
また、実施例は、工程効率を向上させ新たなパッケージ構造を提示して、製造コストを減らし製造収率を向上させることができる半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法、光源装置を提供することを目的とする。
また、実施例は、半導体素子パッケージが基板等に再ボンディングされる過程で、半導体素子パッケージのボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生することを防止できる半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
実施例に係る発光素子パッケージは、上面と下面を貫通する第１及び第２開口部を含む本体と、前記本体の上に配置され、第１及び第２ボンディング部を含む発光素子と、前記本体の下に配置され、前記第１及び第２ボンディング部とそれぞれ電気的に連結された第１及び第２導電層とを含み、前記第１及び第２ボンディング部は、前記第１及び第２開口部内から下部方向に延長されて突出した突出部をそれぞれ含むことができる。
実施例に係る発光素子パッケージは、前記本体と前記発光素子との間に配置された樹脂をさらに含むことができる。
実施例によれば、前記第１及び第２ボンディング部の前記突出部は、前記第１及び第２開口部内にそれぞれ配置される。
実施例によれば、前記第１ボンディング部の前記突出部の下面は、前記第１開口部の上面より低く配置される。
実施例によれば、前記第１ボンディング部の前記突出部は、円柱形状または多角柱形状に提供される。
実施例によれば、前記第１及び第２ボンディング部の形状は、前記第１及び第２開口部の上部領域の形状に対応して提供される。
実施例によれば、前記第１導電層と前記第２導電層は、前記本体の下面で相互離隔して配置される。
実施例によれば、前記第１及び第２ボンディング部の前記突出部の幅は、前記第１及び第２開口部の上部領域の幅より小さく提供される。
実施例によれば、前記第１導電層の上面の第１領域は、前記第１開口部の下に配置され、前記第１導電層の前記上面の第２領域は、前記本体の下面の下に配置される。
実施例によれば、前記第１導電層の前記上面の前記第１領域は、前記第１開口部と垂直方向に重なって配置される。
実施例によれば、前記第１導電層の前記上面の前記第２領域は、前記本体の前記下面と垂直方向に重なって配置される。
実施例によれば、前記第１導電層の一部領域は、前記第１ボンディング部の前記突出部の周りに配置される。
実施例によれば、前記第１及び第２ボンディング部は、Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag alloy、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITOを含む群から選択される少なくとも１つの物質またはその合金を含むことができる。
実施例によれば、前記第１及び第２導電層は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu、SAC(Sn-Ag-Cu)を含む群から選択される少なくとも１つの物質またはその合金を含むことができる。
実施例によれば、前記樹脂は、ホワイトシリコーンを含むことができる。
実施例によれば、前記樹脂は、前記本体の前記上面と前記発光素子の下面に直接接触して提供される。
実施例によれば、前記樹脂は、前記第１及び第２ボンディング部の周りに提供される。
実施例によれば、前記本体は、前記本体の前記上面から前記下面方向に凹むように提供されるリセスをさらに含み、前記樹脂は、前記リセスに提供される。
実施例によれば、前記本体の側面と前記第１導電層の側面は、同一平面に提供される。
実施例によれば、前記本体の前記上面は、全体領域で平坦な形状に提供される。
実施例に係る発光素子パッケージは、上面と下面を貫通する第１及び第２開口部を含む本体と、前記本体の上に配置された発光素子と、反射物質を含む接着剤とを含み、前記本体は、前記第１開口部と前記第２開口部との間に配置される第１リセスを含み、前記接着剤は、前記第１リセスに配置され、前記発光素子は、前記第１開口部の上に配置された第１電極と、前記第２開口部の上に配置された第２電極と、前記第１電極と電気的に連結される第１半導体層、前記第２電極と電気的に連結される第２半導体層、及び前記第１及び第２半導体層の間に配置された活性層を含む半導体構造物と、前記半導体構造物の上に配置された基板とを含み、前記第１電極は、第１方向に前記第１開口部と重なる第１ボンディング部及び前記第１ボンディング部から延長される第１分岐電極を含み、前記第２電極は、前記第１方向に前記第２開口部と重なる第２ボンディング部を含み、前記第１方向は、前記本体の下面から前記本体の上面に向かう方向であり、前記第１及び前記第２ボンディング部の面積の和は、前記基板の上面面積を基準に１０％以下に提供される。
実施例によれば、前記接着剤が前記発光素子と前記第１方向を基準に重なる面積は、前記第１及び第２開口部と前記第１及び第２ボンディング部が重なる領域の面積より大きく提供される。
実施例によれば、前記接着剤は、前記本体の上面及び前記発光素子の下面と直接接触して配置される。
実施例に係る発光素子パッケージは、前記第１開口部に提供され、前記第１ボンディング部の下面と直接接触して配置された第１導電層と、前記第２開口部に提供され、前記第２ボンディング部の下面と直接接触して配置された第２導電層とを含むことができる。
実施例によれば、前記第１導電層は、前記第１開口部の上部領域に提供される第１上部導電層と前記第１開口部の下部領域に提供される第１下部導電層を含み、前記第１上部導電層と前記第１下部導電層は、相互異なる物質を含むことができる。
実施例に係る発光素子パッケージは、前記本体の上面に提供され、前記第１開口部から離隔して配置された第１上部リセスと、前記本体の上面に提供され、前記第２開口部から離隔して配置された第２上部リセスとを含むことができる。
実施例に係る発光素子パッケージは、前記第１上部リセスに提供される第１樹脂部と前記第２上部リセスに提供される第２樹脂部を含み、前記第１樹脂部と前記第２樹脂部は、ホワイトシリコーンを含むことができる。
実施例に係る発光素子パッケージは、前記本体の下面に提供され、前記第１開口部から離隔して配置された第１下部リセスと、前記本体の下面に提供され、前記第２開口部から離隔して配置された第２下部リセスとを含むことができる。
実施例に係る発光素子パッケージは、前記第１下部リセスに提供される第１樹脂部と前記第２下部リセスに提供される第２樹脂部を含み、前記第１樹脂部と前記第２樹脂部は、前記本体と同じ物質を含むことができる。
実施例に係る発光素子パッケージは、上面と下面を貫通する第１、第２開口部、及び前記第１及び第２開口部の間に配置された第１リセスを含む本体と、前記第１リセスの上に配置された接着剤と、前記接着剤の上に配置された発光素子と、前記本体と前記発光素子との間に配置された第１及び第２導電体とを含み、前記発光素子は、前記第１開口部の上に配置された第１電極と、前記第２開口部の上に配置された第２電極と、前記第１電極と電気的に連結される第１導電型半導体層、前記第２電極と電気的に連結される第２導電型半導体層、及び前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間に配置された活性層を含む半導体構造物と、前記半導体構造物の上に配置された基板とを含み、前記第１導電体は、前記第１電極から前記第１開口部の内部まで配置され、前記第２導電体は、前記第２電極から前記第２開口部の内部まで配置される。
実施例によれば、前記第１電極は、第１方向に前記第１開口部と重なる第１ボンディング部及び前記第１ボンディング部から延長される第１分岐電極を含み、前記第２電極は、前記第１方向に前記第２開口部と重なる第２ボンディング部を含み、前記第１方向は、前記本体の下面から前記本体の上面に向かう方向であり、前記第１及び前記第２ボンディング部の面積の和は、前記基板の上面面積を基準に１０％以下に提供される。
実施例に係る発光素子パッケージは、上面と下面を貫通する第１及び第２開口部を含む本体と、前記本体の上に配置され、第１電極と第２電極を含む発光素子と、前記本体と前記発光素子との間に配置され、反射物質を含む接着剤と、前記本体の前記第１開口部に配置され、前記発光素子の第１電極と電気的に連結された第１導電体と、前記本体の前記第２開口部に配置され、前記発光素子の第２電極と電気的に連結された第２導電体と、前記第１開口部に配置され、前記第１導電体と電気的に連結された第１導電層と、前記第２開口部に配置され、前記第２導電体と電気的に連結された第２導電層とを含み、前記発光素子は、基板と、前記基板の上に配置された第１半導体層、第２半導体層、及び前記第１及び第２半導体層の間に配置された活性層と、前記第１半導体層の上に配置され、第１パッド電極及び前記第１パッド電極から延長される第１分岐電極を含む前記第１電極と、前記第２半導体層の上に配置され、第２パッド電極を含む前記第２電極とを含み、前記本体は、前記第１開口部と前記第２開口部との間に配置される第１リセスを含み、前記接着剤は、前記第１リセスに配置され、前記第１開口部は、前記本体の下面から前記本体の上面に向かう第１方向を基準に前記第１パッド電極と重なり、前記第２開口部は、前記第１方向を基準に前記第２パッド電極と重なり、前記第１導電層は、前記第１導電体の下面及び側面に直接接触して配置され、前記第２導電層は、前記第２導電体の下面及び側面に直接接触して配置される。
実施例によれば、前記第１及び前記第２パッド電極の面積の和は、前記基板の上面面積を基準に１０％以下に提供される。
実施例によれば、前記接着剤が前記発光素子と前記第１方向を基準に重なる面積は、前記第１及び第２開口部と前記第１及び第２パッド電極が重なる領域の面積より大きく提供される。
実施例に係る発光素子パッケージは、前記第１開口部に提供され、前記第１ボンディング部の側面及び下面と直接接触して配置された第１導電層と、前記第２開口部に提供され、前記第２ボンディング部の側面及び下面と直接接触して配置された第２導電層とを含むことができる。
実施例によれば、前記第１導電層は、前記第１開口部の上部領域に提供される第１上部導電層と前記第１開口部の下部領域に提供される第１下部導電層を含み、前記第１上部導電層と前記第１下部導電層は、相互異なる物質を含むことができる。
実施例に係る半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法によれば、光抽出効率及び電気的特性と信頼性を向上させることができる利点がある。
実施例に係る半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法によれば、工程効率を向上させ新たなパッケージ構造を提示して、製造コストを減らし製造収率を向上させることができる利点がある。
実施例に係る半導体素子パッケージは反射率が高い本体を提供することで、反射体が変色しないように防止することができ、半導体素子パッケージの信頼性を改善できる利点がある。
実施例に係る半導体素子パッケージ及び半導体素子の製造方法によれば、半導体素子パッケージが基板等に再ボンディングされる過程で、半導体素子パッケージのボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生することを防止できる利点がある。
以下、添付された図面を参照して実施例を説明する。実施例の説明において、各層(膜)、領域、パターンまたは構造物が基板、各層(膜)、領域、パッドまたはパターンの「上」または「下」に形成されると記載される場合、「上」と「下」は「直接」または「他の層を介して」形成されるものも含む。また、各階の上または下に対する基準は、図面を基準に説明するが、実施例がこれに限定されるものではない。
以下、添付された図面を参照して、本発明の実施例に係る半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法に対して詳しく説明する。以下では、半導体素子の例として、発光素子が適用された場合を基に説明する。
まず、図１～図３を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージを説明することにする。
図１は本発明の実施例に係る発光素子パッケージの平面図であり、図２は本発明の実施例に係る発光素子パッケージの底面図であり、図３は図１に示された発光素子パッケージのＤ‐Ｄ線断面図である。
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図１～図３に示されたように、パッケージ本体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
前記パッケージ本体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２を含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、相互離隔して配置される。
前記パッケージ本体１１０は、本体１１３を含むことができる。前記本体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置される。前記本体１１３は、一種の電極分離線の機能をすることができる。前記本体１１３は、絶縁部材と称することもできる。
前記本体１１３は、前記第１フレーム１１１の上に配置される。また、前記本体１１３は、前記第２フレーム１１２の上に配置される。
前記本体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置された傾斜面を提供することができる。前記本体１１３の傾斜面によって、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上にキャビティＣが提供される。
実施例によれば、前記パッケージ本体１１０は、キャビティＣがある構造で提供されてもよく、キャビティＣなしに上面が平坦な構造で提供されてもよい。
例えば、前記本体１１３は、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコーン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、セラミック、PSG(photo sensitive glass)、サファイア(Al２O３)等を含む群から選択される少なくとも１つから形成される。また、前記本体１１３は、TiO２とSiO２のような高屈折フィラーを含むことができる。
前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、絶縁性フレームから提供される。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ本体１１０の構造的な強度を安定的に提供することができる。
また、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、導電性フレームから提供されてもよい。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ本体１１０の構造的な強度を安定的に提供することができ、前記発光素子１２０に電気的に連結される。
前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２が、絶縁性フレームから形成される場合と導電性フレームから形成される場合の差異点に対しては、後でさらに説明することにする。
実施例によれば、前記発光素子１２０は、第１パッド電極１２１、第２パッド電極１２２、半導体構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
前記発光素子１２０は、図３に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記半導体構造物１２３を含むことができる。前記半導体構造物１２３と前記本体１１３との間に前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２が配置される。
前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２は、ボンディング部と称することもできる。例えば、前記第１パッド電極１２１は第１ボンディング部と称し、前記第２パッド電極１２２は第２ボンディング部と称することもできる。
前記半導体構造物１２３は、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に配置された活性層を含むことができる。前記第１パッド電極１２１は、前記第１導電型半導体層と電気的に連結される。また、前記第２パッド電極１２２は、前記第２導電型半導体層と電気的に連結される。
前記発光素子１２０は、前記パッケージ本体１１０の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記パッケージ本体１１０によって提供される前記キャビティＣ内に配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２は、前記発光素子１２０の下部面で相互離隔して配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記第１フレーム１１１の上に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記第２フレーム１１２の上に配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記半導体構造物１２３と前記第１フレーム１１１との間に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記半導体構造物１２３と前記第２フレーム１１２との間に配置される。
前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２は、Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag alloy、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITOを含む群から選択される１つ以上の物質または合金を利用して単層または多層に形成される。
一方、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図１～図３に示されたように、第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２を含むことができる。前記第１フレーム１１１は、前記第１開口部ＴＨ１を含むことができる。前記第２フレーム１１２は、前記第２開口部ＴＨ２を含むことができる。
前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１に提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１を貫通して提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１と重なって提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１と重なって提供される。
前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２に提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２を貫通して提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２と重なって提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２と重なって提供される。
前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、相互離隔して配置される。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の下部面の下で相互離隔して配置される。
実施例によれば、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１パッド電極１２１の幅より大きく提供される。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２パッド電極１２２の幅より大きく提供される。
実施例によれば、前記第１パッド電極１２１の下部領域が、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域内に配置される。前記第１パッド電極１２１の底面が前記第１フレーム１１１の上面より低く配置される。
また、前記第２パッド電極１２２の下部領域が、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域内に配置される。前記第２パッド電極１２２の底面が、前記第２フレーム１１２の上面より低く配置される。
また、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１開口部ＴＨ１の下部領域の幅Ｗ２より小さくまたは同一に提供される。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２開口部ＴＨ２の下部領域の幅より小さくまたは同一に提供される。
前記第１開口部ＴＨ１は、下部領域から上部領域に行くほど幅が漸減する傾斜形態に提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、下部領域から上部領域に行くほど幅が漸減する傾斜形態に提供される。
ただし、これに限定されるものではなく、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域と下部領域の間の傾斜面は、傾きが相互異なる複数の傾斜面を有することができ、前記傾斜面は曲率を持って配置される。
前記第１フレーム１１１及び前記第２フレーム１１２の下面領域で、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅Ｗ３は、数百μmに提供される。前記第１フレーム１１１及び前記第２フレーム１１２の下面領域で、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅Ｗ３は、例えば１００μm～１５０μmに提供される。
前記第１フレーム１１１及び前記第２フレーム１１２の下面領域で、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅Ｗ３は、実施例に係る発光素子パッケージ１００が今後回路基板、サブマウント等に実装される場合に、パッド間の電気的な短絡(short)が発生することを防止するために、一定距離以上に提供されるように選択される。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、接着剤１３０を含むことができる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記本体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置される。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図１～図３に示されたように、リセスＲを含むことができる。
前記リセスＲは、前記本体１１３に提供される。前記リセスＲは、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間に提供される。前記リセスＲは、前記本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０と前記第１方向に重なって提供される。
例えば、前記接着剤１３０は、前記リセスＲに配置される。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２との間に配置される。例えば、前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１の側面と前記第２パッド電極１２２の側面に接触して配置される。
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例えば前記本体１１３の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下部面に直接接触して配置される。
例えば、前記接着剤１３０は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、例えば、前記接着剤１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤はホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤１３０は、別の表現として第１樹脂と称することもできる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子１２０の下面に光が放出される場合、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記接着剤１３０は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ１００の光抽出効率を改善することができる。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記接着剤１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤１３０は、TiO２、シリコーン等を含む物質から構成される。
実施例によれば、前記リセスＲの深さＴ１は、前記第１開口部ＴＨ１の深さＴ２または前記第２開口部ＴＨ２の深さＴ２より小さく提供される。
前記リセスＲの深さＴ１は、前記接着剤１３０の接着力を考慮して決定される。また、前記リセスＲが深さＴ１は、前記本体１１３の安定した強度を考慮したり、及び/又は、前記発光素子１２０から放出される熱によって前記発光素子パッケージ１００にクラック(crack)が発生しないように決定される。
前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。ここで、前記アンダーフィル(under fill)工程は、発光素子１２０をパッケージ本体１１０に実装した後前記接着剤１３０を前記発光素子１２０の下部に配置する工程であるか、前記発光素子１２０をパッケージ本体１１０に実装する工程で、前記接着剤１３０を介して実装するために前記接着剤１３０を前記リセスＲに配置した後前記発光素子１２０を配置する工程である。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下面と前記本体１１３の上面との間に前記接着剤１３０が充分に提供されるように第１深さ以上に提供される。また、前記リセスＲは、前記本体１１３の安定した強度を提供するために第２深さ以下に提供される。
前記リセスＲの深さＴ１と幅Ｗ４は、前記接着剤１３０の形成位置及び固定力に影響を及ぼすことがある。前記リセスＲの深さＴ１と幅Ｗ４は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される前記接着剤１３０によって充分な固定力が提供されるように決定される。
例えば、前記リセスＲの深さＴ１は、数十μmに提供される。前記リセスＲの深さＴ１は、４０μm～６０μmに提供される。
また、前記リセスＲの幅Ｗ４は、数十μm～数百μmに提供される。ここで、前記リセスＲの幅Ｗ４は、前記発光素子１２０の長軸方向に提供される。
前記リセスＲの幅Ｗ４は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２との間の間隔より狭く提供される。前記リセスＲの幅Ｗ４は、１４０μm～１６０μmに提供される。例えば、前記リセスＲの幅Ｗ４は、１５０μmに提供される。
前記第１開口部ＴＨ１の深さＴ２は、前記第１フレーム１１１の厚さに対応して提供される。前記第１開口部ＴＨ１の深さＴ２は、前記第１フレーム１１１の安定した強度を維持できる厚さで提供される。
前記第２開口部ＴＨ２の深さＴ２は、前記第２フレーム１１２の厚さに対応して提供される。前記第２開口部ＴＨ２の深さＴ２は、前記第２フレーム１１２の安定した強度を維持できる厚さで提供される。
前記第１開口部ＴＨ１の深さＴ２及び前記第２開口部ＴＨ２の深さＴ２は、前記本体１１３の厚さに対応して提供される。前記第１開口部ＴＨ１の深さＴ２及び前記第２開口部ＴＨ２の深さＴ２は、前記本体１１３の安定した強度を維持できる厚さで提供される。
例えば、前記第１開口部ＴＨ１の深さＴ２は、数百μmに提供される。前記第１開口部ＴＨ１の深さＴ２は１８０μm～２２０μmに提供される。例えば、前記第１開口部ＴＨ１の深さＴ２は２００μmに提供される。
例えば、前記Ｔ２‐Ｔ１の厚さは、少なくとも１００μm以上に選択される。これは、前記本体１１３のクラックフリー(crack free)を提供できる射出工程の厚さが考慮されたものである。
実施例によれば、Ｔ１厚さとＴ２厚さの比(Ｔ２/Ｔ１)は、２～１０に提供される。例えば、Ｔ２の厚さが２００μmに提供される場合、Ｔ１の厚さは２０μm～１００μmに提供される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に設定される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
実施例によれば、前記接着剤１３０が前記発光素子１２０と前記第１方向を基準に重なる面積は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２と前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２が重なる領域の面積より大きく提供される。
このように、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積が小さく提供されることで、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子１２０の下には反射特性が優れる前記接着剤１３０が提供される。よって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記接着剤１３０に反射されて発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図１～図３に示されたように、モールディング部１４０を含むことができる。
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供される。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置される。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ本体１１０によって提供されるキャビティＣに配置される。
前記モールディング部１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０から放出される光が入射され、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例えば、前記モールディング部１４０は、蛍光体、量子ドット等を含む群から選択される少なくとも１つを含むことができる。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図１～図３に示されたように、第１導電層３２１と第２導電層３２２を含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置される。
前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１パッド電極１２１の幅より大きく提供される。
前記第１パッド電極１２１は、前記第１開口部ＴＨ１が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第１パッド電極１２１の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の前記第２方向の幅より小さく提供される。
前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下面と直接接触して配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１と電気的に連結される。前記第１導電層３２１は、前記第１フレーム１１１によって取り囲まれるように配置される。
前記第１開口部ＴＨ１の上部領域で、前記第１導電層３２１の上部部分は、前記第１パッド電極１２１の下部部分の周りに配置される。前記第１導電層３２１の上面は、前記第１パッド電極１２１の下面より高く配置される。
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２パッド電極１２２の幅より大きく提供される。
前記第２パッド電極１２２は、前記第２開口部ＴＨ２が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第２パッド電極１２２の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の前記第２方向の幅より小さく提供される。
前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下面と直接接触して配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２と電気的に連結される。前記第２導電層３２２は、前記第２フレーム１１２によって取り囲まれるように配置される。
前記第２開口部ＴＨ２の上部領域で、前記第２導電層３２２の上部部分は、前記第２パッド電極１２２の下部部分の周りに配置される。前記第２導電層３２２の上面は、前記第２パッド電極１２２の下面より高く配置される。
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される１つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。
例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第１及び第２導電層３２１、３２２は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図１～図３に示されたように、第１下部リセスＲ１０と第２下部リセスＲ２０を含むことができる。前記第１下部リセスＲ１０と前記第２下部リセスＲ２０は、相互離隔して配置される。
前記第１下部リセスＲ１０は、前記第１フレーム１１１の下面に提供される。前記第１下部リセスＲ１０は、前記第１フレーム１１１の下面から上面方向に凹むように提供される。前記第１下部リセスＲ１０は、前記第１開口部ＴＨ１から離隔して配置される。
前記第１下部リセスＲ１０は、数μm～数十μmの幅で提供される。前記第１下部リセスＲ１０に樹脂部が提供される。前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部は、例えば前記本体１１３と同一物質から提供される。
ただし、これに限定されるものではなく、前記樹脂部は、前記第１及び第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性がよくない物質から選択されて提供される。または、前記樹脂部は、前記第１及び第２導電層３２１、３２２との表面張力が低い物質から選択されて提供される。
例えば、前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部は、前記第１フレーム１１１、前記第２フレーム１１２、前記本体１１３が射出工程等によって形成される過程で提供される。
前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部は、前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域の周囲に配置される。前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域は一種の島(island)形状に周囲の前記第１フレーム１１１をなす下面から分離して配置される。
例えば、図２に示されたように、前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域は、前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部と前記本体１１３によって、周辺の前記第１フレーム１１１からアイソレーション(isolation)される。
よって、前記樹脂部が前記第１及び第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性がよくない物質または前記樹脂部と前記第１及び第２導電層３２１、３２２との間の表面張力が低い物質で配置される場合、前記第１開口部ＴＨ１に提供される前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１から外れ、前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部または前記本体１１３を越えて拡散することが防止される。
これは、前記第１導電層３２１と前記樹脂部及び前記本体１１３の接着関係または前記樹脂部と前記第１及び第２導電層３２１、３２２の間の濡れ性、表面張力等がよくない点を利用したものである。即ち、前記第１導電層３２１をなす物質が前記第１フレーム１１１とよい接着特性を有するように選択される。そして、前記第１導電層３２１をなす物質が前記樹脂部及び前記本体１１３とよくない接着特性を有するように選択される。
これによって、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１から前記樹脂部または前記本体１１３が提供される領域方向に溢れて、前記樹脂部または前記本体１１３が提供される領域外部に溢れたり拡散することが防止され、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１が提供される領域に安定的に配置される。よって、前記第１開口部ＴＨ１に配置される第１導電層３２１が溢れる場合、前記樹脂部または前記本体１１３が提供される第１下部リセスＲ１０の外側領域に前記第１導電層３２１が拡張することを防止することができる。また、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１内で前記第１パッド電極１２１の下面に安定的に連結される。
よって、前記発光素子パッケージが回路基板に実装される場合、第１導電層３２１と第２導電層３２２が相互接触して短絡する問題を防止することができ、前記第１及び第２導電層３２１、３２２を配置する工程において、前記第１及び第２導電層３２１、３２２の量を制御し易くなる。
また、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１から前記第１下部リセスＲ１０に延長されて配置される。よって、前記第１下部リセスＲ１０内には、前記第１導電層３２１及び/または前記樹脂部が配置される。
また、前記第２下部リセスＲ２０は、前記第２フレーム１１２の下面に提供される。前記第２下部リセスＲ２０は、前記第２フレーム１１２の下面から上面方向に凹むように提供される。前記第２下部リセスＲ２０は、前記第２開口部ＴＨ２から離隔して配置される。
前記第２下部リセスＲ２０は、数μm～数十μmの幅で提供される。前記第２下部リセスＲ２０に樹脂部が提供される。前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部は、例えば前記本体１１３と同一物質から提供される。
ただし、これに限定されるものではなく、前記樹脂部は、前記第１及び第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性がよくない物質から選択されて提供される。または、前記樹脂部は、前記第１及び第２導電層３２１、３２２との表面張力が低い物質から選択されて提供される。
例えば、前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部は、前記第１フレーム１１１、前記第２フレーム１１２、前記本体１１３が射出工程等によって形成される過程で提供される。
前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部は、前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域の周囲に配置される。前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域は一種の島(island)形状に周囲の前記第２フレーム１１２をなす下面から分離して配置される。
例えば、図２に示されたように、前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域は、前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部と前記本体１１３によって、周辺の前記第２フレーム１１２からアイソレーション(isolation)される。
よって、前記樹脂部が前記第１及び第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性がよくない物質または前記樹脂部と前記第１及び第２導電層３２１、３２２との間の表面張力が低い物質で配置される場合、前記第２開口部ＴＨ２に提供される前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２から外れ、前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部または前記本体１１３を越えて拡散することが防止される。
これは、前記第２導電層３２２と前記樹脂部及び前記本体１１３の接着関係または前記樹脂部と前記第１及び第２導電層３２１、３２２の間の濡れ性、表面張力等がよくない点を利用したものである。即ち、前記第２導電層３２２をなす物質が前記第２フレーム１１２とよい接着特性を有するように選択される。そして、前記第２導電層３２２をなす物質が前記樹脂部及び前記本体１１３とよくない接着特性を有するように選択される。
これによって、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２から前記樹脂部または前記本体１１３が提供される領域方向に溢れて、前記樹脂部または前記本体１１３が提供される領域外部に溢れたり拡散することが防止され、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２が提供される領域に安定的に配置される。よって、前記第２開口部ＴＨ２に配置される第２導電層３２２が溢れる場合、前記樹脂部または前記本体１１３が提供される第２下部リセスＲ２０の外側領域に前記第２導電層３２２が拡張することを防止することができる。また、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２内で前記第２パッド電極１２２の下面に安定的に連結される。
よって、前記発光素子パッケージが回路基板に実装される場合、第１導電層３２１と第２導電層３２２が相互接触して短絡する問題を防止することができ、前記第１及び第２導電層３２１、３２２を配置する工程において、前記第１及び第２導電層３２１、３２２の量を制御し易くなる。
また、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２から前記第２下部リセスＲ２０に延長されて配置される。よって、前記第２下部リセスＲ２０内には、前記第２導電層３２１及び/または前記樹脂部が配置される。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図３に示されたように樹脂部１３５を含むことができる。
参考的に、図１の図示において、前記第１フレーム１１１、前記第２フレーム１１２、前記本体１１３の配置関係が明確となるように、前記樹脂部１３５と前記モールディング部１４０は図示を省略した。
前記樹脂部１３５は、前記第１フレーム１１１と前記発光素子１２０との間に配置される。前記樹脂部１３５は、前記第２フレーム１１２と前記発光素子１２０との間に配置される。前記樹脂部１３５は、前記パッケージ本体１１０に提供されるキャビティＣの底面に提供される。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１の側面に配置される。前記樹脂部１３５は、前記第２パッド電極１２２の側面に配置される。前記樹脂部１３５は、前記半導体構造物１２３の下に配置される。
例えば、前記樹脂部１３５は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から放出される光を反射する反射部となることができ、例えばTiO２等の反射物質を含む樹脂からなることができ、またはホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２の周囲を密封することができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が前記第１開口部ＴＨ１領域と前記第２開口部ＴＨ２領域を外れて前記発光素子１２０の外側面方向に拡散して移動することを防止することができる。前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側面方向に拡散して移動する場合、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の活性層と接して短絡による不良を誘発することがある。よって、前記樹脂部１３５が配置される場合、前記第１及び第２導電層３２１、３２２と活性層による短絡を防止することができ、実施例に係る発光素子パッケージの信頼性を向上させることができる。
また、実施例によれば、前記発光素子１２０の下面と周りに保護層が提供されてもよい。このような場合、前記活性層の表面に絶縁性の保護層が提供されるので、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側面方向に拡散して移動する場合にも、前記発光素子１２０の活性層に前記第１及び第２導電層３２１、３２２が電気的に連結されることを防止することができる。
一方、前記発光素子１２０の下面及び周りに絶縁性の保護層が配置される場合にも、前記発光素子１２０の前記基板１２４の周りには、絶縁性保護層が配置されない場合もある。このとき、前記基板１２４が伝導性物質から提供される場合、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記基板１２４に接することになると、短絡による不良が発生することがある。よって、前記樹脂部１３５が配置される場合、前記第１及び第２導電層３２１、３２２と前記基板１２４による短絡を防止することができ、実施例に係る発光素子パッケージの信頼性を向上させることができる。
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ本体１１０の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
一方、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部１３５が別途に提供されず、前記モールディング部１４０が前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２に直接接触するように配置されてもよい。
また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部１３５が別途に提供されず、前記接着剤１３０が前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の周りに配置されてもよい。
このとき、前記接着剤１３０は第１樹脂と称することもでき、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２は第１及び第２ボンディング部とそれぞれ称することもできる。
一方、前記接着剤１３０は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域に配置されてもよい。前記発光素子１２０が前記パッケージ本体１１０の上に提供される過程で、前記接着剤１３０の一部が前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２領域に移動することがある。前記接着剤１３０の一部は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の内部で、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の側面領域に配置される。前記接着剤１３０の一部は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の内部で、前記第１及び第２導電層３２１、３２２の上に配置されてもよい。
前記接着剤１３０は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域を密封することができ、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２を介して湿気または異物質が外部から前記発光素子１２０が配置された領域に流入することを防止することができる。
また、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間に前記接着剤１３０が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体１１０の上面に前記リセスＲが提供されなくてもよい。
また、実施例によれば、前記半導体構造物１２３は化合物半導体から提供される。前記半導体構造物１２３は、例えばＩＩ族‐ＶＩ族またはＩＩＩ族‐Ｖ族化合物半導体から提供される。例えば、前記半導体構造物１２３は、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、リン(P)、ヒ素(As)、窒素(N)から選択された少なくとも２以上の元素を含んで提供される。
前記半導体構造物１２３は、第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層を含むことができる。
前記第１及び第２導電型半導体層は、ＩＩＩ族‐Ｖ族またはＩＩ族‐ＶＩ族の化合物半導体の少なくとも１つから具現することができる。前記第１及び第２導電型半導体層は、例えばInxAlyGa１‐x‐yN(０≦x≦１、０≦y≦１、０≦x+y≦１)の組成式を有する半導体材料から形成される。例えば、前記第１及び第２導電型半導体層は、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等を含む群から選択される少なくとも１つを含むことができる。前記第１導電型半導体層は、Si、Ge、Sn、Se、Te等のｎ型ドーパントがドーピングされたｎ型半導体層からなることができる。前記第２導電型半導体層は、Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等のｐ型ドーパントがドーピングされたｐ型半導体層からなることができる。
前記活性層は、化合物半導体から具現することができる。前記活性層は、例えばＩＩＩ族‐Ｖ族またはＩＩ族‐ＶＩ族の化合物半導体の少なくとも１つから具現することができる。前記活性層が多重井戸構造で具現された場合、前記活性層は交互に配置された複数の井戸層と複数の障壁層を含むことができ、InxAlyGa１‐x‐yN(０≦x≦１、０≦y≦１、０≦x+y≦１)の組成式を有する半導体材料で配置される。例えば、前記活性層はInGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、AlGaAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP、InP/GaAsを含む群から選択される少なくとも１つを含むことができる。
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、前記第１開口部ＴＨ１領域を介して前記第１パッド電極１２１に電源が連結され、前記第２開口部ＴＨ２領域を介して前記第２パッド電極１２２に電源が連結される。
これによって、前記第１パッド電極１２１及び前記第２パッド電極１２２を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子１２０が駆動される。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ本体１１０の上部方向に提供される。
一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージ１００は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。
ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。
しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第１パッド電極と第２パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。
よって、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体１１０が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
これによって、本体１１３を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体１１３は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。
例えば、前記本体１１３は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも１つの物質を含むことができる。
次に、図４～図８を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法を説明することにする。
図４～図８を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法を説明することにおいて、図１～図３を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。
まず、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、図４に示されたように、パッケージ本体１１０が提供される。
前記パッケージ本体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２を含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、相互離隔して配置される。
前記パッケージ本体１１０は、本体１１３を含むことができる。前記本体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置される。
前記本体１１３は、前記第１フレーム１１１の上に配置される。また、前記本体１１３は、前記第２フレーム１１２の上に配置される。
前記本体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置された傾斜面を提供することができる。前記本体１１３の傾斜面によって、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上にキャビティＣが提供される。
また、前記第１フレーム１１１は、第１開口部ＴＨ１を含むことができる。前記第２フレーム１１２は、第２開口部ＴＨ２を含むことができる。
前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１に提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１を貫通して提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２に提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２を貫通して提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
前記パッケージ本体１１０は、前記本体１１３に提供されるリセスＲを含むことができる。
前記リセスＲは、前記本体１１３に提供される。前記リセスＲは、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間に提供される。前記リセスＲは、前記本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。
実施例によれば、前記リセスＲの長さＬ２が前記第１開口部ＴＨ１の長さＬ１または前記第２開口部ＴＨ２の長さＬ１より大きく提供される。
次に、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、図４に示されたように、前記リセスＲに接着剤１３０が提供される。
前記接着剤１３０は、前記リセスＲ領域にDOTTING方式等により提供される。例えば、前記接着剤１３０は、前記リセスＲが形成された領域に一定量提供され、前記リセスＲを溢れるように提供される。
また、実施例によれば、図４に示されたように、前記リセスＲの長さＬ２は、前記第２開口部ＴＨ２の長さＬ１より大きく提供される。前記第２開口部ＴＨ２の長さＬ１は、前記発光素子１２０の短軸方向の長さより小さく提供される。また、前記リセスＲの長さＬ２は、前記発光素子１２０の短軸方向の長さより大きく提供される。
実施例に係る発光素子パッケージ製造工程で、前記発光素子１２０の下部に提供される前記接着剤１３０の量が多い場合、前記リセスＲに提供される前記接着剤１３０が前記発光素子１２０の下部に接着しながら溢れる部分は、前記リセスＲの長さＬ２方向に移動する。これによって、前記接着剤１３０の量が設計よりも多く塗布される場合にも、前記発光素子１２０が前記本体１１３から浮き上がることなく安定的に固定される。
そして、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、図５に示されたように、前記パッケージ本体１１０の上に発光素子１２０が提供される。
実施例によれば、前記発光素子１２０が前記パッケージ本体１１０の上に配置される過程で前記リセスＲは一種のアラインキー(align key)の役割をすることもできる。
前記発光素子１２０は、前記接着剤１３０によって前記本体１１３に固定される。前記リセスＲに提供される前記接着剤１３０の一部は、前記発光素子１２０の第１パッド電極１２１及び第２パッド電極１２２方向に移動して硬化する。
これによって、前記発光素子１２０の下面と前記本体１１３の上面との間の広い領域に前記接着剤１３０が提供され、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間の固定力が向上する。
実施例によれば、図３を参照して説明したように、前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１と重なって提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１と重なって提供される。
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２と重なって提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２と重なって提供される。
次に、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、図６に示されたように、第１導電層３２１と第２導電層３２２が形成される。
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図３及び図６に示されたように、前記第１開口部ＴＨ１を介して前記第１パッド電極１２１の下面が露出する。また、前記第２開口部ＴＨ２を介して前記第２パッド電極１２２の下面が露出する。
実施例によれば、前記第１開口部ＴＨ１に前記第１導電層３２１が形成される。また、前記第２開口部ＴＨ２に前記第２導電層３２２が形成される。
前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１パッド電極１２１の幅より大きく提供される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下面と直接接触して配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１と電気的に連結される。前記第１導電層３２１は、前記第１フレーム１１１によって取り囲まれるように配置される。
図３に示されたように、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域で、前記第１導電層３２１の上部部分は、前記第１パッド電極１２１の下部部分の周りに配置される。前記第１導電層３２１の上面は、前記第１パッド電極１２１の下面より高く配置される。
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２パッド電極１２２の幅より大きく提供される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下面と直接接触して配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２と電気的に連結される。前記第２導電層３２２は、前記第２フレーム１１２によって取り囲まれるように配置される。
図３に示されたように、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域で、前記第２導電層３２２の上部部分は、前記第２パッド電極１２２の下部部分の周りに配置される。前記第２導電層３２２の上面は、前記第２パッド電極１２２の下面より高く配置される。
例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを利用して形成してもよい。前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、ソルダペースト(solder paste)または銀ペースト(silver paste)等を利用して形成することもできる。
そして、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、図７に示されたように、樹脂部１３５が形成される。
前記樹脂部１３５は、図３を参照して説明したように、前記第１フレーム１１１と前記発光素子１２０との間に配置される。前記樹脂部１３５は、前記第２フレーム１１２と前記発光素子１２０との間に配置される。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１の側面に配置される。前記樹脂部１３５は、前記第２パッド電極１２２の側面に配置される。前記樹脂部１３５は、前記半導体構造物１２３の下に配置される。
例えば、前記樹脂部１３５は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。例えば、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から放出される光を反射する反射部となることができ、例えばTiO２等の反射物質を含む樹脂からなることができる。前記樹脂部１３５は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ本体１１０の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
次に、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、図８に示されたように、前記発光素子１２０の上にモールディング部１４０が提供される。
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供される。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置される。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ本体１１０によって提供されるキャビティＣに配置される。前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置される。
前記モールディング部１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０から放出される光が入射され、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例えば、前記モールディング部１４０は、蛍光体、量子ドット等を含む群から選択される少なくとも１つを含むことができる。
一方、以上の説明では、図６に示されたように前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が先に形成され、図７及び図８に示されたように前記樹脂部１３５と前記モールディング部１４０が形成される場合を基準に説明した。
しかし、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法の別の例によれば、前記樹脂部１３５と前記モールディング部１４０が先に形成され、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が後に形成されてもよい。
また、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法のさらに別の例によれば、前記樹脂部１３５が形成されず、前記パッケージ本体１１０のキャビティ内に前記モールディング部１４０のみが形成されてもよい。
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、前記第１開口部ＴＨ１領域を介して前記第１パッド電極１２１に電源が連結され、前記第２開口部ＴＨ２領域を介して前記第２パッド電極１２２に電源が連結される。
これによって、前記第１パッド電極１２１及び前記第２パッド電極１２２を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子１２０が駆動される。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ本体１１０の上部方向に提供される。
一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージ１００は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。
ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがあり、これによって前記発光素子の位置が変わり、前記発光素子パッケージの光学的、電気的特性及び信頼性が低下することがある。
しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第１電極と第２電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。
よって、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体１１０が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
これによって、本体１１３を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体１１３は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。
例えば、前記本体１１３は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも１つの物質を含むことができる。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に設定される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
実施例によれば、前記接着剤１３０が前記発光素子１２０と前記第１方向を基準に重なる面積は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２と前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２が重なる領域の面積より大きく提供される。
このように、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積が小さく提供されることで、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子１２０の下には反射特性が優れる前記接着剤１３０が提供される。よって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記接着剤１３０に反射されて発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。
一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージは、多様な変形例を含むことができる。
まず、図９～図１７を参照して実施例に係る発光素子パッケージに適用された本体の変形例に対して説明することにする。図９～図１７を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図１～図８を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。
図９～図１１は、図３に示された発光素子パッケージに適用された本体の変形例を説明する図面である。
実施例に係る発光素子パッケージ１００によれば、図９に示されたように、本体１１３は、上面に提供される少なくとも２つのリセスを含むことができる。
例えば、前記本体１１３は、上面中央領域から前記第１フレーム１１１の側に配置された第１リセスＲ１１を含むことができる。前記第１リセスＲ１１は、前記第１フレーム１１１の終端に接して提供される。
また、前記本体１１３は、上面中央領域から前記第２フレーム１１２の側に配置された第２リセスＲ１２を含むことができる。前記第２リセスＲ１２は、前記第２フレーム１１２の終端に接して提供される。
前記第１リセスＲ１１は、前記本体１１３の上面と前記第１フレーム１１１の上面から下向に凹むように提供される。前記第２リセスＲ１２は、前記本体１１３の上面と前記第２フレーム１１２の上面から下向に凹むように提供される。
実施例に係る発光素子パッケージ１００によれば、接着剤１３０が前記第１リセスＲ１１と前記第２リセスＲ１２に提供される。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２との間に配置される。例えば、前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１の側面と前記第２パッド電極１２２の側面に接触して配置される。
前記第１リセスＲ１１と前記第２リセスＲ１２は、前記発光素子１２０の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。
前記第１リセスＲ１１と前記第２リセスＲ１２は、前記発光素子１２０の下面と前記本体１１３の上面との間に前記接着剤１３０が充分に提供されるように第１深さ以上に提供される。また、前記第１リセスＲ１１と前記第２リセスＲ１２は、前記本体１１３の安定した強度を提供するために第２深さ以下に提供される。
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例えば前記本体１１３の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下部面に直接接触して配置される。
また、前記第１リセスＲ１１及び前記接着剤１３０は、前記第１開口部ＴＨ１に提供される前記第１導電層３２１が前記発光素子１２０の下部領域に移動することを防止することができる。また、前記第２リセスＲ１２及び前記接着剤１３０は、前記第２開口部ＴＨ２に提供される前記第２導電層３２２が前記発光素子１２０の下部領域に移動することを防止することができる。これによって、前記第１導電層３２１の移動または前記第２導電層３２２の移動によって前記発光素子１２０が電気的に短絡(short)したり劣化することを防止することができる。
一方、図９は実施例に係る発光素子パッケージに適用された本体１１３の断面図を示し、図１０及び図１１は図９に示された前記本体１１３の平面図を示す。
例えば、図１０に示されたように、前記第１リセスＲ１１と前記第２リセスＲ１２は、前記本体１１３の中央領域を挟んで相互離隔して配置される。前記第１リセスＲ１１と前記第２リセスＲ１２は、前記本体１１３の中央領域を挟んで相互平行するように配置される。
また、図１１に示されたように、前記第１リセスＲ１１と前記第２リセスＲ１２は、前記本体１１３の中央領域を挟んで相互離隔して配置される。一方、前記第１リセスＲ１１と前記第２リセスＲ１２は、前記本体１１３の中央領域を挟んで、その周りで閉ループ状に相互連結されて配置されてもよい。
一方、図１２～図１４は図３に示された発光素子パッケージに適用された本体の別の変形例を説明する図面である。
実施例に係る発光素子パッケージ１００によれば、図１２に示されたように、本体１１３は、上面に提供される少なくとも３つのリセスを含むことができる。
例えば、前記本体１１３は、上面中央領域から前記第１フレーム１１１の側に配置された第１リセスＲ２１を含むことができる。前記第１リセスＲ２１は、前記本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。
また、前記本体１１３は、上面中央領域から前記第２フレーム１１２の側に配置された第３リセスＲ２３を含むことができる。前記第３リセスＲ２３は、前記本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。
また、前記本体１１３は、上面中央領域に配置された第２リセスＲ２２を含むことができる。前記第２リセスＲ２２は、前記本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第２リセスＲ２２は、前記第１リセスＲ２１と前記第３リセスＲ２３との間に配置される。
実施例に係る発光素子パッケージ１００によれば、接着剤１３０が前記第１リセスＲ２１、前記第２リセスＲ２２、前記第３リセスＲ２３に提供される。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２との間に配置される。例えば、前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１の側面と前記第２パッド電極１２２の側面に接触して配置される。
前記第１リセスＲ２１、前記第２リセスＲ２２、前記第３リセスＲ２３は、前記発光素子１２０を前記パッケージ本体に付着するために、前記発光素子１２０の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。
前記第１リセスＲ２１、前記第２リセスＲ２２、前記第３リセスＲ２３は、前記発光素子１２０の下面と前記本体１１３の上面との間に前記接着剤１３０が充分に提供されるように第１深さ以上に提供される。また、前記第１リセスＲ２１、前記第２リセスＲ２２、前記第３リセスＲ２３は、前記本体１１３の安定した強度を提供するために第２深さ以下に提供される。
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例えば前記本体１１３の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下部面に直接接触して配置される。
また、前記第１リセスＲ２１及び前記接着剤１３０は、前記第１開口部ＴＨ１に提供される前記第１導電層３２１が前記発光素子１２０の下部領域に移動することを防止することができる。また、前記第３リセスＲ２３及び前記接着剤１３０は、前記第２開口部ＴＨ２に提供される前記第２導電層３２２が前記発光素子１２０の下部領域に移動することを防止することができる。これによって、前記第１導電層３２１の移動または前記第２導電層３２２の移動によって前記発光素子１２０が電気的に短絡(short)したり劣化することを防止することができる。
一方、図１２は実施例に係る発光素子パッケージに適用された本体１１３の断面図を示し、図１３及び図１４は図１２に示された前記本体１１３の平面図を示す。
例えば、図１３に示されたように、前記第１リセスＲ２１、前記第２リセスＲ２２、前記第３リセスＲ２３は、前記本体１１３の上面で相互離隔して一方向に平行するように配置される。前記第１リセスＲ２１、前記第２リセスＲ２２、前記第３リセスＲ２３は、前記本体１１３の上面から一方向に延長されて配置される。
また、図１４に示されたように、前記第１リセスＲ２１と前記第３リセスＲ２３は、前記本体１１３の中央領域を挟んで相互離隔して配置される。一方、前記第１リセスＲ２１と前記第３リセスＲ２３は、前記本体１１３の中央領域を挟んで、その周りで閉ループ状に相互連結されて配置されてもよい。また、前記第２リセスＲ２２は、前記本体１１３の中央領域に配置される。前記第２リセスＲ２２は、前記第１リセスＲ２１と前記第３リセスＲ２３によって取り囲まれた空間内に配置されてもよい。
一方、図１５～図１７は図３に示された発光素子パッケージに適用された本体のさらに別の変形例を説明する図面である。
実施例に係る発光素子パッケージ１００によれば、図１５に示されたように、本体１１３は、上面に提供される少なくとも２つのリセスを含むことができる。
例えば、前記本体１１３は、上面中央領域から前記第１フレーム１１１の側に配置された第１リセスＲ３１を含むことができる。前記第１リセスＲ３１は、前記本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第１リセスＲ３１は、前記第１フレーム１１１の終端から離隔して配置される。
また、前記本体１１３は、上面中央領域から前記第２フレーム１１２の側に配置された第２リセスＲ３２を含むことができる。前記第２リセスＲ３２は、前記本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第２リセスＲ３２は、前記第２フレーム１１２の終端から離隔して配置される。
実施例に係る発光素子パッケージ１００によれば、接着剤１３０が前記第１リセスＲ３１、前記第２リセスＲ３２に提供される。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２との間に配置される。例えば、前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１の側面と前記第２パッド電極１２２の側面に接触して配置される。
前記第１リセスＲ３１と前記第２リセスＲ３２は、前記発光素子１２０の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。
前記第１リセスＲ３１と前記第２リセスＲ３２は、前記発光素子１２０の下面と前記本体１１３の上面との間に前記接着剤１３０が充分に提供されるように第１深さ以上に提供される。また、前記第１リセスＲ３１と前記第２リセスＲ３２は、前記本体１１３の安定した強度を提供するために第２深さ以下に提供される。
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例えば前記本体１１３の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下部面に直接接触して配置される。
また、前記第１リセスＲ３１及び前記接着剤１３０は、前記第１開口部ＴＨ１に提供される前記第１導電層３２１が前記発光素子１２０の下部領域に移動することを防止することができる。また、前記第２リセスＲ３２及び前記接着剤１３０は、前記第２開口部ＴＨ２に提供される前記第２導電層３２２が前記発光素子１２０の下部領域に移動することを防止することができる。これによって、前記第１導電層３２１の移動または前記第２導電層３２２の移動によって前記発光素子１２０が電気的に短絡(short)したり劣化することを防止することができる。
一方、図１５は実施例に係る発光素子パッケージに適用された本体１１３の断面図を示し、図１６及び図１７は図１５に示された前記本体１１３の平面図を示す。
例えば、図１６に示されたように、前記第１リセスＲ３１と前記第２リセスＲ３２は、前記本体１１３の上面で相互離隔して一方向に平行するように配置される。前記第１リセスＲ３１と前記第２リセスＲ３２は、前記本体１１３の上面から一方向に延長されて配置される。
また、図１７に示されたように、前記第１リセスＲ３１と前記第２リセスＲ３２は、前記本体１１３の中央領域を挟んで相互離隔して配置される。一方、前記第１リセスＲ３１と前記第２リセスＲ３２は、前記本体１１３の中央領域を挟んで、その周りで閉ループ状に相互連結されて配置されてもよい。
次に、図１８及び図１９を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例を説明することにする。
図１８は本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例を示した図面であり、図１９は図１８に示された発光素子パッケージに適用された第１フレーム、第２フレーム、本体の配置関係を説明する図面である。
図１８及び図１９を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図１～図１７を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。
実施例に係る発光素子パッケージは、図１８及び図１９に示されたように、パッケージ本体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
前記パッケージ本体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２を含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、相互離隔して配置される。
前記パッケージ本体１１０は、本体１１３を含むことができる。前記本体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置される。前記本体１１３は、一種の電極分離線の機能をすることができる。
前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、絶縁性フレームから提供される。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ本体１１０の構造的な強度を安定的に提供することができる。
また、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、導電性フレームから提供されてもよい。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ本体１１０の構造的な強度を安定的に提供することができ、前記発光素子１２０に電気的に連結される。
前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２が、絶縁性フレームから形成される場合と導電性フレームから形成される場合の差異点に対しては、後でさらに説明することにする。
例えば、前記本体１１３は、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコーン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、セラミック、PSG(photo sensitive glass)、サファイア(Al２O３)等を含む群から選択される少なくとも１つから形成される。また、前記本体１１３は、TiO２とSiO２のような高屈折フィラーを含むことができる。
実施例によれば、前記発光素子１２０は、第１パッド電極１２１、第２パッド電極１２２、半導体構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
前記発光素子１２０は、図１８に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記半導体構造物１２３を含むことができる。前記半導体構造物１２３と前記本体１１３との間に前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２が配置される。
前記発光素子１２０は、前記パッケージ本体１１０の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記パッケージ本体１１０によって提供される前記キャビティＣ内に配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２は、前記発光素子１２０の下部面で相互離隔して配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記第１フレーム１１１の上に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記第２フレーム１１２の上に配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記半導体構造物１２３と前記第１フレーム１１１との間に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記半導体構造物１２３と前記第２フレーム１１２との間に配置される。
一方、実施例に係る発光素子パッケージは、図１８及び図１９に示されたように、第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２を含むことができる。前記第１フレーム１１１は、前記第１開口部ＴＨ１を含むことができる。前記第２フレーム１１２は、前記第２開口部ＴＨ２を含むことができる。
前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１に提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１を貫通して提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１と重なって提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１と重なって提供される。
前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２に提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２を貫通して提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２と重なって提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２と重なって提供される。
前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、相互離隔して配置される。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の下部面の下で相互離隔して配置される。
実施例によれば、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１パッド電極１２１の幅より大きく提供される。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２パッド電極１２２の幅より大きく提供される。
実施例によれば、前記第１パッド電極１２１の下部領域が、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域内に配置される。前記第１パッド電極１２１の底面が前記第１フレーム１１１の上面より低く配置される。
また、前記第２パッド電極１２２の下部領域が、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域内に配置される。前記第２パッド電極１２２の底面が、前記第２フレーム１１２の上面より低く配置される。
実施例に係る発光素子パッケージは、接着剤１３０を含むことができる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記本体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置される。
実施例に係る発光素子パッケージは、図１８及び図１９に示されたように、リセスＲを含むことができる。
前記リセスＲは、前記本体１１３に提供される。前記リセスＲは、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間に提供される。前記リセスＲは、前記本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０と前記第１方向に重なって提供される。
例えば、前記接着剤１３０は、前記リセスＲに配置される。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２との間に配置される。例えば、前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１の側面と前記第２パッド電極１２２の側面に接触して配置される。
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例えば前記本体１１３の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下部面に直接接触して配置される。
例えば、前記接着剤１３０は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。例えば、前記接着剤１３０は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤１３０は、別の表現として第１樹脂と称することもできる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子１２０の下面に光が放出される場合、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記接着剤１３０は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ１００の光抽出効率を改善することができる。
前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下面と前記本体１１３の上面との間に前記接着剤１３０が充分に提供されるように第１深さ以上に提供される。また、前記リセスＲは、前記本体１１３の安定した強度を提供するために第２深さ以下に提供される。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、第１導電層３２１と第２導電層３２２を含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置される。
前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１パッド電極１２１の幅より大きく提供される。
前記第１パッド電極１２１は、前記第１開口部ＴＨ１が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第１パッド電極１２１の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の前記第２方向の幅より小さく提供される。
前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下面と直接接触して配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１と電気的に連結される。前記第１導電層３２１は、前記第１フレーム１１１によって取り囲まれるように配置される。
前記第１開口部ＴＨ１の上部領域で、前記第１導電層３２１の上部部分は、前記第１パッド電極１２１の下部部分の周りに配置される。前記第１導電層３２１の上面は、前記第１パッド電極１２１の下面より高く配置される。
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２パッド電極１２２の幅より大きく提供される。
前記第２パッド電極１２２は、前記第２開口部ＴＨ２が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第２パッド電極１２２の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の前記第２方向の幅より小さく提供される。
前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下面と直接接触して配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２と電気的に連結される。前記第２導電層３２２は、前記第２フレーム１１２によって取り囲まれるように配置される。
前記第２開口部ＴＨ２の上部領域で、前記第２導電層３２２の上部部分は、前記第２パッド電極１２２の下部部分の周りに配置される。前記第２導電層３２２の上面は、前記第２パッド電極１２２の下面より高く配置される。
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される１つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。
例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第１及び第２導電層３２１、３２２は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、図１８及び図１９に示されたように、第１下部リセスＲ１０と第２下部リセスＲ２０を含むことができる。前記第１下部リセスＲ１０と前記第２下部リセスＲ２０は、相互離隔して配置される。
前記第１下部リセスＲ１０は、前記第１フレーム１１１の下面に提供される。前記第１下部リセスＲ１０は、前記第１フレーム１１１の下面から上面方向に凹むように提供される。前記第１下部リセスＲ１０は、前記第１開口部ＴＨ１から離隔して配置される。
前記第１下部リセスＲ１０は、数μm～数十μmの幅で提供される。前記第１下部リセスＲ１０に樹脂部が提供される。前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部は、例えば前記本体１１３と同一物質から提供される。
例えば、前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部は、前記第１フレーム１１１、前記第２フレーム１１２、前記本体１１３が射出工程等によって形成される過程で提供される。
前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部は、図２を参照して説明したように、前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域の周囲に配置される。前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域は一種の島(island)形状に周囲の前記第１フレーム１１１をなす下面から分離して配置される。
例えば、図２を参照して説明したように、前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域は、前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部と前記本体１１３によって、周辺の前記第１フレーム１１１からアイソレーション(isolation)される。
よって、前記第１開口部ＴＨ１に提供される前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１から外れ、前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部または前記本体１１３を越えて拡散することが防止される。
これによって、前記第１導電層３２１が前記樹脂部または前記本体１１３が提供される領域から溢れることが防止され、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１が提供される領域に安定的に配置される。また、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１内で前記第１パッド電極１２１の下面に安定的に連結される。
また、前記第２下部リセスＲ２０は、前記第２フレーム１１２の下面に提供される。前記第２下部リセスＲ２０は、前記第２フレーム１１２の下面から上面方向に凹むように提供される。前記第２下部リセスＲ２０は、前記第２開口部ＴＨ２から離隔して配置される。
前記第２下部リセスＲ２０は、数μm～数十μmの幅で提供される。前記第２下部リセスＲ２０に樹脂部が提供される。前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部は、例えば前記本体１１３と同一物質から提供される。
例えば、前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部は、前記第１フレーム１１１、前記第２フレーム１１２、前記本体１１３が射出工程等によって形成される過程で提供される。
前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部は、図２を参照して説明したように、前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域の周囲に配置される。前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域は一種の島(island)形状に周囲の前記第２フレーム１１２をなす下面から分離して配置される。
例えば、図２を参照して説明したように、前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域は、前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部と前記本体１１３によって、周辺の前記第２フレーム１１２からアイソレーション(isolation)される。
よって、前記第２開口部ＴＨ２に提供される前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２から外れ、前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部または前記本体１１３を越えて拡散することが防止される。
これによって、前記第２導電層３２２が前記樹脂部または前記本体１１３が提供される領域から溢れることが防止され、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２が提供される領域に安定的に配置される。また、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２内で前記第２パッド電極１２２の下面に安定的に連結される。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、図１８及び図１９に示されたように、第１上部リセスＲ３と第２上部リセスＲ４を含むことができる。
前記第１上部リセスＲ３は、前記第１フレーム１１１の上面に提供される。前記第１上部リセスＲ３は、前記第１フレーム１１１の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第１上部リセスＲ３は、前記第１開口部ＴＨ１から離隔して配置される。
前記第１上部リセスＲ３は、図１９に示されたように、上部方向から見たとき、前記第１パッド電極１２１の周辺に隣接するように提供される。例えば、前記第１上部リセスＲ３は、前記第１パッド電極１２１の周辺に「［」状に提供される。
実施例によれば、前記第１上部リセスＲ３は、前記第１下部リセスＲ１０と垂直方向に重ならないように提供される。前記第１上部リセスＲ３と前記第１下部リセスＲ１０が垂直方向に重なると、その間に配置された前記第１フレーム１１１の厚さが薄く提供される場合に、前記第１フレーム１１１の強度が弱まる点を考慮したものである。
別の実施例によれば、前記第１フレーム１１１の厚さが充分に提供される場合、前記第１上部リセスＲ３と前記第１下部リセスＲ１０が垂直方向に重なるように提供されてもよい。
前記第２上部リセスＲ４は、前記第２フレーム１１２の上面に提供される。前記第２上部リセスＲ４は、前記第２フレーム１１２の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第２上部リセスＲ４は、前記第２開口部ＴＨ２から離隔して配置される。
実施例によれば、前記第２上部リセスＲ４は、前記第２下部リセスＲ２０と垂直方向に重ならないように提供される。前記第２上部リセスＲ４と前記第２下部リセスＲ２０が垂直方向に重なると、その間に配置された前記第２フレーム１１２の厚さが薄く提供される場合に、前記第２フレーム１１２の強度が弱まる点を考慮したものである。
別の実施例によれば、前記第２フレーム１１２の厚さが充分に提供される場合、前記第２上部リセスＲ４と前記第２下部リセスＲ２０が垂直方向に重なるように提供されてもよい。
前記第２上部リセスＲ４は、図１９に示されたように、上部方向から見たとき、前記第２パッド電極１２２の周辺に隣接するように提供される。例えば、前記第２上部リセスＲ４は、前記第２パッド電極１２２の周辺に「］」状に提供される。
例えば、前記第１上部リセスＲ３と前記第２上部リセスＲ４は、数十μm～数百μmの幅で提供される。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、図１８に示されたように、樹脂部１３５を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１上部リセスＲ３と前記第２上部リセスＲ４に提供される。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１の側面に配置される。前記樹脂部１３５は、前記第１上部リセスＲ３に提供され、前記第１パッド電極１２１が配置された領域まで延長されて提供される。前記樹脂部１３５は、前記半導体構造物１２３の下に配置される。
前記第１上部リセスＲ３の終端から前記発光素子１２０の隣接した終端までの距離Ｌ１１は、数百μm以下に提供される。例えば、前記第１上部リセスＲ３の終端から前記発光素子１２０の隣接した終端までの距離Ｌ１１は２００μmと同一またはより小さく提供される。
前記第１上部リセスＲ３の終端から前記発光素子１２０の隣接した終端までの距離Ｌ１１は、前記第１上部リセスＲ３に満たされる前記樹脂部１３５の粘性等によって決定される。
前記第１上部リセスＲ３の終端から前記発光素子１２０の隣接した終端までの距離Ｌ１１は、前記第１上部リセスＲ３に塗布された前記樹脂部１３５が前記第１パッド電極１２１が配置された領域まで延長されて形成され得る距離に選択される。
また、前記樹脂部１３５は、前記第２パッド電極１２２の側面に配置される。前記樹脂部１３５は、前記第２上部リセスＲ４に提供され、前記第２パッド電極１２２が配置された領域まで延長されて提供される。前記樹脂部１３５は、前記半導体構造物１２３の下に配置される。
また、前記樹脂部１３５は、前記半導体構造物１２３の側面にも提供される。前記樹脂部１３５が前記半導体構造物１２３の側面に配置されることで、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記半導体構造物１２３の側面に移動することを効果的に防止することができる。また、前記樹脂部１３５が前記半導体構造物１２３の側面に配置されるとき、前記半導体構造物１２３の活性層の下に配置されるようにすることができ、これによって前記発光素子１２０の光抽出効率を向上させることができる。
前記第１上部リセスＲ３と前記第２上部リセスＲ４は、前記樹脂部１３５が提供される充分な空間を提供することができる。
例えば、前記樹脂部１３５は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は反射性物質を含むことができ、例えばTiO２及び/またはシリコーンを含むホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２の周囲を密封することができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が前記第１開口部ＴＨ１領域と前記第２開口部ＴＨ２領域を外れて前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ本体１１０の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に設定される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
実施例によれば、前記接着剤１３０が前記発光素子１２０と前記第１方向を基準に重なる面積は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２と前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２が重なる領域の面積より大きく提供される。
このように、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積が小さく提供されることで、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子１２０の下には反射特性が優れる前記接着剤１３０が提供される。よって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記接着剤１３０に反射されて発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、モールディング部１４０を含むことができる。
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供される。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置される。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ本体１１０によって提供されるキャビティＣに配置される。前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置される。
また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部１３５が別途に提供されず、前記接着剤１３０が前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の周りに配置されてもよい。
このとき、前記接着剤１３０は第１樹脂と称することもでき、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２は第１及び第２ボンディング部とそれぞれ称することもできる。
一方、前記接着剤１３０は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域に配置されてもよい。前記発光素子１２０が前記パッケージ本体１１０の上に提供される過程で、前記接着剤１３０の一部が前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２領域に移動することがある。前記接着剤１３０の一部は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の内部で、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の側面領域に配置される。前記接着剤１３０の一部は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の内部で、前記第１及び第２導電層３２１、３２２の上に配置されてもよい。
前記接着剤１３０は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域を密封することができ、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２を介して湿気または異物質が外部から前記発光素子１２０が配置された領域に流入することを防止することができる。
また、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間に前記接着剤１３０が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体１１０の上面に前記リセスＲが提供されなくてもよい。
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、前記第１開口部ＴＨ１領域を介して前記第１パッド電極１２１に電源が連結され、前記第２開口部ＴＨ２領域を介して前記第２パッド電極１２２に電源が連結される。
これによって、前記第１パッド電極１２１及び前記第２パッド電極１２２を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子１２０が駆動される。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ本体１１０の上部方向に提供される。
一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージ１００は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。
ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。
しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第１パッド電極と第２パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。
よって、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体１１０が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
これによって、本体１１３を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体１１３は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。
例えば、前記本体１１３は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも１つの物質を含むことができる。
次に、図２０を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。
図２０を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図１～図１９を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。
実施例に係る発光素子パッケージは、図２０に示されたように、パッケージ本体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
前記パッケージ本体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２を含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、相互離隔して配置される。
前記パッケージ本体１１０は、本体１１３を含むことができる。前記本体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置される。前記本体１１３は、一種の電極分離線の機能をすることができる。
前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、絶縁性フレームから提供される。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ本体１１０の構造的な強度を安定的に提供することができる。
また、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、導電性フレームから提供されてもよい。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ本体１１０の構造的な強度を安定的に提供することができ、前記発光素子１２０に電気的に連結される。
前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２が、絶縁性フレームから形成される場合と導電性フレームから形成される場合の差異点に対しては、後でさらに説明することにする。
例えば、前記本体１１３は、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコーン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、セラミック、PSG(photo sensitive glass)、サファイア(Al２O３)等を含む群から選択される少なくとも１つから形成される。また、前記本体１１３は、TiO２とSiO２のような高屈折フィラーを含むことができる。
実施例によれば、前記発光素子１２０は、第１パッド電極１２１、第２パッド電極１２２、半導体構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
前記発光素子１２０は、図２０に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記半導体構造物１２３を含むことができる。前記半導体構造物１２３と前記本体１１３との間に前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２が配置される。
前記発光素子１２０は、前記パッケージ本体１１０の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記パッケージ本体１１０によって提供される前記キャビティＣ内に配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２は、前記発光素子１２０の下部面で相互離隔して配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記第１フレーム１１１の上に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記第２フレーム１１２の上に配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記半導体構造物１２３と前記第１フレーム１１１との間に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記半導体構造物１２３と前記第２フレーム１１２との間に配置される。
一方、実施例に係る発光素子パッケージは、図２０に示されたように、第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２を含むことができる。前記第１フレーム１１１は、前記第１開口部ＴＨ１を含むことができる。前記第２フレーム１１２は、前記第２開口部ＴＨ２を含むことができる。
前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１に提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１を貫通して提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１と重なって提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１と重なって提供される。
前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２に提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２を貫通して提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２と重なって提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２と重なって提供される。
前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、相互離隔して配置される。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の下部面の下で相互離隔して配置される。
実施例によれば、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１パッド電極１２１の幅より大きく提供される。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２パッド電極１２２の幅より大きく提供される。
実施例によれば、前記第１パッド電極１２１の下部領域が、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域内に配置される。前記第１パッド電極１２１の底面が前記第１フレーム１１１の上面より低く配置される。
また、前記第２パッド電極１２２の下部領域が、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域内に配置される。前記第２パッド電極１２２の底面が、前記第２フレーム１１２の上面より低く配置される。
実施例に係る発光素子パッケージは、接着剤１３０を含むことができる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記本体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置される。
実施例に係る発光素子パッケージは、図２０に示されたように、リセスＲを含むことができる。
前記リセスＲは、前記本体１１３に提供される。前記リセスＲは、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間に提供される。前記リセスＲは、前記本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０と前記第１方向に重なって提供される。
例えば、前記接着剤１３０は、前記リセスＲに配置される。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２との間に配置される。例えば、前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１の側面と前記第２パッド電極１２２の側面に接触して配置される。
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例えば前記本体１１３の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下部面に直接接触して配置される。
例えば、前記接着剤１３０は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。例えば、前記接着剤１３０は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤１３０は、別の表現として第１樹脂と称することもできる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子１２０の下面に光が放出される場合、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記接着剤１３０は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ１００の光抽出効率を改善することができる。
前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下面と前記本体１１３の上面との間に前記接着剤１３０が充分に提供されるように第１深さ以上に提供される。また、前記リセスＲは、前記本体１１３の安定した強度を提供するために第２深さ以下に提供される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に設定される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
実施例によれば、前記接着剤１３０が前記発光素子１２０と前記第１方向を基準に重なる面積は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２と前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２が重なる領域の面積より大きく提供される。
このように、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積が小さく提供されることで、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子１２０の下には反射特性が優れる前記接着剤１３０が提供される。よって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記接着剤１３０に反射されて発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、第１導電層３２１と第２導電層３２２を含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置される。
前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１パッド電極１２１の幅より大きく提供される。
前記第１パッド電極１２１は、前記第１開口部ＴＨ１が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第１パッド電極１２１の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の前記第２方向の幅より小さく提供される。
前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下面と直接接触して配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１と電気的に連結される。前記第１導電層３２１は、前記第１フレーム１１１によって取り囲まれるように配置される。
前記第１開口部ＴＨ１の上部領域で、前記第１導電層３２１の上部部分は、前記第１パッド電極１２１の下部部分の周りに配置される。前記第１導電層３２１の上面は、前記第１パッド電極１２１の下面より高く配置される。
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２パッド電極１２２の幅より大きく提供される。
前記第２パッド電極１２２は、前記第２開口部ＴＨ２が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第２パッド電極１２２の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の前記第２方向の幅より小さく提供される。
前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下面と直接接触して配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２と電気的に連結される。前記第２導電層３２２は、前記第２フレーム１１２によって取り囲まれるように配置される。
前記第２開口部ＴＨ２の上部領域で、前記第２導電層３２２の上部部分は、前記第２パッド電極１２２の下部部分の周りに配置される。前記第２導電層３２２の上面は、前記第２パッド電極１２２の下面より高く配置される。
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される１つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。
例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第１及び第２導電層３２１、３２２は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、図２０に示されたように、第１上部リセスＲ３と第２上部リセスＲ４を含むことができる。
前記第１上部リセスＲ３は、前記第１フレーム１１１の上面に提供される。前記第１上部リセスＲ３は、前記第１フレーム１１１の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第１上部リセスＲ３は、前記第１開口部ＴＨ１から離隔して配置される。
前記第１上部リセスＲ３は、図１９に示されたように、上部方向から見たとき、前記第１パッド電極１２１の周辺に隣接するように提供される。例えば、前記第１上部リセスＲ３は、前記第１パッド電極１２１の周辺に「［」状に提供される。
前記第２上部リセスＲ４は、前記第２フレーム１１２の上面に提供される。前記第２上部リセスＲ４は、前記第２フレーム１１２の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第２上部リセスＲ４は、前記第２開口部ＴＨ２から離隔して配置される。
前記第２上部リセスＲ４は、図１９に示されたように、上部方向から見たとき、前記第２パッド電極１２２の周辺に隣接するように提供される。例えば、前記第２上部リセスＲ４は、前記第２パッド電極１２２の周辺に「］」状に提供される。
例えば、前記第１上部リセスＲ３と前記第２上部リセスＲ４は、数十μm～数百μmの幅で提供される。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、図２０に示されたように、樹脂部１３５を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１上部リセスＲ３と前記第２上部リセスＲ４に提供される。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１の側面に配置される。前記樹脂部１３５は、前記第１上部リセスＲ３に提供され、前記第１パッド電極１２１が配置された領域まで延長されて提供される。前記樹脂部１３５は、前記半導体構造物１２３の下に配置される。
前記第１上部リセスＲ３の終端から前記発光素子１２０の隣接した終端までの距離Ｌ１１は、数百μm以下に提供される。例えば、前記第１上部リセスＲ３の終端から前記発光素子１２０の隣接した終端までの距離Ｌ１１は２００μmと同一またはより小さく提供される。
前記第１上部リセスＲ３の終端から前記発光素子１２０の隣接した終端までの距離Ｌ１１は、前記第１上部リセスＲ３に満たされる前記樹脂部１３５の粘性等によって決定される。
前記第１上部リセスＲ３の終端から前記発光素子１２０の隣接した終端までの距離Ｌ１１は、前記第１上部リセスＲ３に塗布された前記樹脂部１３５が前記第１パッド電極１２１が配置された領域まで延長されて形成され得る距離に選択される。
また、前記樹脂部１３５は、前記第２パッド電極１２２の側面に配置される。前記樹脂部１３５は、前記第２上部リセスＲ４に提供され、前記第２パッド電極１２２が配置された領域まで延長されて提供される。前記樹脂部１３５は、前記半導体構造物１２３の下に配置される。
また、前記樹脂部１３５は、前記半導体構造物１２３の側面にも提供される。前記樹脂部１３５が前記半導体構造物１２３の側面に配置されることで、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記半導体構造物１２３の側面に移動することを効果的に防止することができる。また、前記樹脂部１３５が前記半導体構造物１２３の側面に配置されるとき、前記半導体構造物１２３の活性層の下に配置されるようにすることができ、これによって前記発光素子１２０の光抽出効率を向上させることができる。
前記第１上部リセスＲ３と前記第２上部リセスＲ４は、前記樹脂部１３５が提供される充分な空間を提供することができる。
例えば、前記樹脂部１３５は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は反射性物質を含むことができ、例えばTiO２及び/またはシリコーンを含むホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２の周囲を密封することができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が前記第１開口部ＴＨ１領域と前記第２開口部ＴＨ２領域を外れて前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ本体１１０の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、モールディング部１４０を含むことができる。
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供される。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置される。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ本体１１０によって提供されるキャビティＣに配置される。前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置される。
また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部１３５が別途に提供されず、前記接着剤１３０が前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の周りに配置されてもよい。
このとき、前記接着剤１３０は第１樹脂と称することもでき、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２は第１及び第２ボンディング部とそれぞれ称することもできる。
一方、前記接着剤１３０は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域に配置されてもよい。前記発光素子１２０が前記パッケージ本体１１０の上に提供される過程で、前記接着剤１３０の一部が前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２領域に移動することがある。前記接着剤１３０の一部は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の内部で、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の側面領域に配置される。前記接着剤１３０の一部は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の内部で、前記第１及び第２導電層３２１、３２２の上に配置されてもよい。
前記接着剤１３０は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域を密封することができ、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２を介して湿気または異物質が外部から前記発光素子１２０が配置された領域に流入することを防止することができる。
また、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間に前記接着剤１３０が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体１１０の上面に前記リセスＲが提供されなくてもよい。
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、前記第１開口部ＴＨ１領域を介して前記第１パッド電極１２１に電源が連結され、前記第２開口部ＴＨ２領域を介して前記第２パッド電極１２２に電源が連結される。
これによって、前記第１パッド電極１２１及び前記第２パッド電極１２２を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子１２０が駆動される。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ本体１１０の上部方向に提供される。
一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージ１００は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。
ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。
しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第１パッド電極と第２パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。
よって、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体１１０が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
これによって、本体１１３を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体１１３は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。
例えば、前記本体１１３は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも１つの物質を含むことができる。
次に、図２１を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。
図２１を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図１～図２０を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。
図２１に示された発光素子パッケージは、図１８～図２０を参照して説明した発光素子パッケージと比べて、第１上部リセスＲ３と第２上部リセスＲ４の形成位置に差がある。
実施例に係る発光素子パッケージは、図２１に示されたように、上部方向から見たとき、前記第１上部リセスＲ３の一部領域が半導体構造物１２３と垂直方向に重なるように提供される。例えば、前記第１パッド電極１２１に隣接した前記第１上部リセスＲ３の側面領域が前記半導体構造物１２３の下に延長されて提供される。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、図２１に示されたように、上部方向から見たとき、前記第２上部リセスＲ４の一部領域が前記半導体構造物１２３と垂直方向に重なるように提供される。例えば、前記第２パッド電極１２２に隣接した前記第２上部リセスＲ４の側面領域が前記半導体構造物１２３の下に延長されて提供される。
これによって、前記第１上部リセスＲ３と前記第２上部リセスＲ４に満たされる前記樹脂部１３５が、前記第１パッド電極３２１と前記第２パッド電極１２２周辺を効果的に密封することができる。
また、前記第１上部リセスＲ３と前記第２上部リセスＲ４が前記発光素子１２０の下に前記樹脂部１３５が提供される充分な空間を提供することができる。前記第１上部リセスＲ３と前記第２上部リセスＲ４は、前記発光素子１２０の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。
例えば、前記樹脂部１３５は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。例えば、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から放出される光を反射する反射部となることができ、例えばTiO２等の反射物質を含む樹脂からなることができる。前記樹脂部１３５は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２の周囲を密封することができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が前記第１開口部ＴＨ１領域と前記第２開口部ＴＨ２領域を外れて前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ本体１１０の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に設定される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
実施例によれば、前記接着剤１３０が前記発光素子１２０と前記第１方向を基準に重なる面積は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２と前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２が重なる領域の面積より大きく提供される。
このように、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積が小さく提供されることで、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子１２０の下には反射特性が優れる前記接着剤１３０が提供される。よって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記接着剤１３０に反射されて発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、前記第１開口部ＴＨ１領域を介して前記第１パッド電極１２１に電源が連結され、前記第２開口部ＴＨ２領域を介して前記第２パッド電極１２２に電源が連結される。
これによって、前記第１パッド電極１２１及び前記第２パッド電極１２２を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子１２０が駆動される。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ本体１１０の上部方向に提供される。
一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージ１００は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。
ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。
しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第１パッド電極と第２パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。
よって、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体１１０が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
これによって、本体１１３を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体１１３は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。
例えば、前記本体１１３は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも１つの物質を含むことができる。
次に、図２２を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。
図２２を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図１～図２１を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。
実施例に係る発光素子パッケージは、図２２に示されたように、パッケージ本体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
前記パッケージ本体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２を含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、相互離隔して配置される。
前記パッケージ本体１１０は、本体１１３を含むことができる。前記本体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置される。前記本体１１３は、一種の電極分離線の機能をすることができる。
前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、絶縁性フレームから提供される。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ本体１１０の構造的な強度を安定的に提供することができる。
また、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、導電性フレームから提供されてもよい。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ本体１１０の構造的な強度を安定的に提供することができ、前記発光素子１２０に電気的に連結される。
前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２が、絶縁性フレームから形成される場合と導電性フレームから形成される場合の差異点に対しては、後でさらに説明することにする。
実施例によれば、前記発光素子１２０は、第１パッド電極１２１、第２パッド電極１２２、半導体構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
前記発光素子１２０は、図２２に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記半導体構造物１２３を含むことができる。前記半導体構造物１２３と前記本体１１３との間に前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２が配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２は、前記発光素子１２０の下部面で相互離隔して配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記第１フレーム１１１の上に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記第２フレーム１１２の上に配置される。
一方、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図２２に示されたように、第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２を含むことができる。前記第１フレーム１１１は、前記第１開口部ＴＨ１を含むことができる。前記第２フレーム１１２は、前記第２開口部ＴＨ２を含むことができる。
前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１に提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１を貫通して提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１と重なって提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１と重なって提供される。
前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２に提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２を貫通して提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２と重なって提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２と重なって提供される。
前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、相互離隔して配置される。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の下部面の下で相互離隔して配置される。
実施例によれば、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１パッド電極１２１の幅より大きく提供される。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２パッド電極１２２の幅より大きく提供される。
実施例によれば、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１パッド電極１２１の幅より大きく提供される。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２パッド電極１２２の幅より大きく提供される。
実施例によれば、前記第１パッド電極１２１の下部領域が、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域内に配置される。前記第１パッド電極１２１の底面が前記第１フレーム１１１の上面より低く配置される。
また、前記第２パッド電極１２２の下部領域が、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域内に配置される。前記第２パッド電極１２２の底面が、前記第２フレーム１１２の上面より低く配置される。
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図２２に示されたように、接着剤１３０を含むことができる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記本体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置される。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図２２に示されたように、リセスＲを含むことができる。
前記リセスＲは、前記本体１１３に提供される。前記リセスＲは、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間に提供される。前記リセスＲは、前記本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０と前記第１方向に重なって提供される。
例えば、前記接着剤１３０は、前記リセスＲに配置される。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２との間に配置される。例えば、前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１の側面と前記第２パッド電極１２２の側面に接触して配置される。
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例えば前記本体１１３の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下部面に直接接触して配置される。
例えば、前記接着剤１３０は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。例えば、前記接着剤１３０は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤１３０は、別の表現として第１樹脂と称することもできる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子１２０の下面に光が放出される場合、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記接着剤１３０は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ１００の光抽出効率を改善することができる。
前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下面と前記本体１１３の上面との間に前記接着剤１３０が充分に提供されるように第１深さ以上に提供される。また、前記リセスＲは、前記本体１１３の安定した強度を提供するために第２深さ以下に提供される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に設定される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
実施例によれば、前記接着剤１３０が前記発光素子１２０と前記第１方向を基準に重なる面積は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２と前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２が重なる領域の面積より大きく提供される。
このように、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積が小さく提供されることで、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子１２０の下には反射特性が優れる前記接着剤１３０が提供される。よって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記接着剤１３０に反射されて発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図２２に示されたように、第１導電層３２１と第２導電層３２２を含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置される。
前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１パッド電極１２１の幅より大きく提供される。
前記第１パッド電極１２１は、前記第１開口部ＴＨ１が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第１パッド電極１２１の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の前記第２方向の幅より小さく提供される。
前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下面と直接接触して配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１と電気的に連結される。前記第１導電層３２１は、前記第１フレーム１１１によって取り囲まれるように配置される。
前記第１開口部ＴＨ１の上部領域で、前記第１導電層３２１の上部部分は、前記第１パッド電極１２１の下部部分の周りに配置される。前記第１導電層３２１の上面は、前記第１パッド電極１２１の下面より高く配置される。
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２パッド電極１２２の幅より大きく提供される。
前記第２パッド電極１２２は、前記第２開口部ＴＨ２が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第２パッド電極１２２の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の前記第２方向の幅より小さく提供される。
前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下面と直接接触して配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２と電気的に連結される。前記第２導電層３２２は、前記第２フレーム１１２によって取り囲まれるように配置される。
前記第２開口部ＴＨ２の上部領域で、前記第２導電層３２２の上部部分は、前記第２パッド電極１２２の下部部分の周りに配置される。前記第２導電層３２２の上面は、前記第２パッド電極１２２の下面より高く配置される。
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される１つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。
例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができる。
一方、実施例に係る前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、図２２に示されたように、複数の層で提供されてもよく、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第１及び第２導電層３２１、３２２は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。
例えば、前記第１導電層３２１は第１上部導電層３２１ａと第１下部導電層３２１ｂを含むことができる。前記第１上部導電層３２１ａは、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域に提供される。前記第１下部導電層３２１ｂは、前記第１開口部ＴＨ１の下部領域に提供される。
また、前記第２導電層３２２は第２上部導電層３２２ａと第２下部導電層３２２ｂを含むことができる。前記第２上部導電層３２２ａは、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域に提供される。前記第２下部導電層３２２ｂは、前記第２開口部ＴＨ２の下部領域に提供される。
実施例によれば、前記第１上部導電層３２１ａと前記第１下部導電層３２１ｂは、相互異なる物質を含むことができる。前記第１上部導電層３２１ａと前記第１下部導電層３２１ｂは、相互異なる溶融点を有することができる。例えば、前記第１上部導電層３２１ａの溶融点が前記第１下部導電層３２１ｂの溶融点より高く選択される。
例えば、前記第１上部導電層３２１ａを形成する導電性ペーストと前記第１下部導電層３２１ｂを形成する導電性ペーストが相互異なるように提供される。実施例によれば、前記第１上部導電層３２１ａは、例えば銀ペーストを利用して形成し、前記第１下部導電層３２１ｂは、例えばソルダペーストを利用して形成することができる。
実施例によれば、前記第１上部導電層３２１ａが銀ペーストから形成される場合に、前記第１開口部ＴＨ１に提供される銀ペーストが前記第１パッド電極１２１と前記第１フレーム１１１の間に拡散して浸透する程度が弱いか無いと検出された。
よって、前記第１上部導電層３２１ａが銀ペーストから形成される場合、前記発光素子１２０が電気的に短絡または劣化することを防止することができる。
また、前記第１上部導電層３２１ａは銀ペーストから形成し、前記第１下部導電層３２１ｂはソルダペーストから形成する場合、全体第１導電層３２１を銀ペーストから形成する場合より製造コスト節減できる利点もある。
同様に、前記第２上部導電層３２２ａを形成する導電性ペーストと前記第２下部導電層３２２ｂを形成する導電性ペーストが相互異なるように提供される。実施例によれば、前記第２上部導電層３２２ａは、例えば銀ペーストを利用して形成し、前記第２下部導電層３２２ｂは、例えばソルダペーストを利用して形成することができる。
実施例によれば、前記第２上部導電層３２２ａが銀ペーストから形成される場合に、前記第２開口部ＴＨ２に提供される銀ペーストが前記第２パッド電極１２２と前記第２フレーム１１２の間に拡散して浸透する程度が弱いか無いと検出された。
よって、前記第２上部導電層３２２ａが銀ペーストから形成される場合、前記発光素子１２０が電気的に短絡または劣化することを防止することができる。
また、前記第２上部導電層３２２ａは銀ペーストから形成し、前記第２下部導電層３２１ｂはソルダペーストから形成する場合、全体第２導電層３２２を銀ペーストから形成する場合より製造コスト節減できる利点もある。
一方、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図２２に示されたように、第１下部リセスＲ１０と第２下部リセスＲ２０を含むことができる。前記第１下部リセスＲ１０と前記第２下部リセスＲ２０は、相互離隔して配置される。
前記第１下部リセスＲ１０は、前記第１フレーム１１１の下面に提供される。前記第１下部リセスＲ１０は、前記第１フレーム１１１の下面から上面方向に凹むように提供される。前記第１下部リセスＲ１０は、前記第１開口部ＴＨ１から離隔して配置される。
前記第１下部リセスＲ１０は、数μm～数十μmの幅で提供される。前記第１下部リセスＲ１０に樹脂部が提供される。前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部は、例えば前記本体１１３と同一物質から提供される。
例えば、前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部は、前記第１フレーム１１１、前記第２フレーム１１２、前記本体１１３が射出工程等によって形成される過程で提供される。
前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部は、前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域の周囲に配置される。前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域は一種の島(island)形状に周囲の前記第１フレーム１１１をなす下面から分離して配置される。
例えば、図２に示されたように、前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域は、前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部と前記本体１１３によって、周辺の前記第１フレーム１１１からアイソレーション(isolation)される。
よって、前記第１開口部ＴＨ１に提供される前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１から外れ、前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部または前記本体１１３を越えて拡散することが防止される。
これによって、前記第１導電層３２１が前記樹脂部または前記本体１１３が提供される領域から溢れることが防止され、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１が提供される領域に安定的に配置される。また、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１内で前記第１パッド電極１２１の下面に安定的に連結される。
また、前記第２下部リセスＲ２０は、前記第２フレーム１１２の下面に提供される。前記第２下部リセスＲ２０は、前記第２フレーム１１２の下面から上面方向に凹むように提供される。前記第２下部リセスＲ２０は、前記第２開口部ＴＨ２から離隔して配置される。
前記第２下部リセスＲ２０は、数μm～数十μmの幅で提供される。前記第２下部リセスＲ２０に樹脂部が提供される。前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部は、例えば前記本体１１３と同一物質から提供される。
例えば、前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部は、前記第１フレーム１１１、前記第２フレーム１１２、前記本体１１３が射出工程等によって形成される過程で提供される。
前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部は、前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域の周囲に配置される。前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域は一種の島(island)形状に周囲の前記第２フレーム１１２をなす下面から分離して配置される。
例えば、図２に示されたように、前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域は、前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部と前記本体１１３によって、周辺の前記第２フレーム１１２からアイソレーション(isolation)される。
よって、前記第２開口部ＴＨ２に提供される前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２から外れ、前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部または前記本体１１３を越えて拡散することが防止される。
これによって、前記第２導電層３２２が前記樹脂部または前記本体１１３が提供される領域から溢れることが防止され、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２が提供される領域に安定的に配置される。また、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２内で前記第２パッド電極１２２の下面に安定的に連結される。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図２２に示されたように樹脂部１３５を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１フレーム１１１と前記発光素子１２０との間に配置される。前記樹脂部１３５は、前記第２フレーム１１２と前記発光素子１２０との間に配置される。前記樹脂部１３５は、前記パッケージ本体１１０に提供されるキャビティＣの底面に提供される。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１の側面に配置される。前記樹脂部１３５は、前記第２パッド電極１２２の側面に配置される。前記樹脂部１３５は、前記半導体構造物１２３の下に配置される。
例えば、前記樹脂部１３５は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。例えば、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から放出される光を反射する反射部となることができ、例えばTiO２等の反射物質を含む樹脂からなることができる。前記樹脂部１３５は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２の周囲を密封することができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が前記第１開口部ＴＨ１領域と前記第２開口部ＴＨ２領域を外れて前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ本体１１０の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図２２に示されたように、モールディング部１４０を含むことができる。
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供される。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置される。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ本体１１０によって提供されるキャビティＣに配置される。前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置される。
また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部１３５が別途に提供されず、前記接着剤１３０が前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の周りに配置されてもよい。
このとき、前記接着剤１３０は第１樹脂と称することもでき、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２は第１及び第２ボンディング部とそれぞれ称することもできる。
一方、前記接着剤１３０は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域に配置されてもよい。前記発光素子１２０が前記パッケージ本体１１０の上に提供される過程で、前記接着剤１３０の一部が前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２領域に移動することがある。前記接着剤１３０の一部は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の内部で、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の側面領域に配置される。前記接着剤１３０の一部は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の内部で、前記第１及び第２導電層３２１、３２２の上に配置されてもよい。
前記接着剤１３０は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域を密封することができ、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２を介して湿気または異物質が外部から前記発光素子１２０が配置された領域に流入することを防止することができる。
また、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間に前記接着剤１３０が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体１１０の上面に前記リセスＲが提供されなくてもよい。
一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージ１００によれば、前記第１フレーム１１１は、下面に提供される下部リセスと上面に提供される上部リセスを含むことができる。例えば、前記第１フレーム１１１は、下面に提供される少なくとも１つの下部リセスを含むことができる。また、前記第１フレーム１１１は、上面に提供される少なくとも１つの上部リセスを含むことができる。また、前記第１フレーム１１１は、上面に提供される少なくとも１つの上部リセスと下面に提供される少なくとも１つの下部リセスを含むこともできる。また、前記第１フレーム１１１は、上面と下面のいずれにもリセスが形成されていない構造で提供されてもよい。
同様に、前記第２フレーム１１２は、下面に提供される少なくとも１つの下部リセスを含むことができる。また、前記第２フレーム１１２は、上面に提供される少なくとも１つの上部リセスを含むことができる。また、前記第２フレーム１１２は、上面に提供される少なくとも１つの上部リセスと下面に提供される少なくとも１つの下部リセスを含むこともできる。また、前記第２フレーム１１２は、上面と下面のいずれにもリセスが形成されていない構造で提供されてもよい。
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、前記第１開口部ＴＨ１領域を介して前記第１パッド電極１２１に電源が連結され、前記第２開口部ＴＨ２領域を介して前記第２パッド電極１２２に電源が連結される。
これによって、前記第１パッド電極１２１及び前記第２パッド電極１２２を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子１２０が駆動される。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ本体１１０の上部方向に提供される。
一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージ１００は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。
ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。
しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第１パッド電極と第２パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。
よって、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体１１０が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
これによって、本体１１３を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体１１３は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。
例えば、前記本体１１３は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも１つの物質を含むことができる。
一方、図１～図２２を参照して説明した実施例に係る発光素子パッケージ１００は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。
次に、図２３を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。
図２３に示された本発明の実施例に係る発光素子パッケージ３００は、図１～図２２を参照して説明した発光素子パッケージ１００が回路基板３１０に実装されて供給される例を示す。
図２３を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージ３００を説明することにおいて、図１～図２２を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。
実施例に係る発光素子パッケージ３００は、図２３に示されたように、回路基板３１０、パッケージ本体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
前記回路基板３１０は、第１パッド３１１、第２パッド３１２、基板３１３を含むことができる。前記基板３１３に前記発光素子１２０の駆動を制御する電源供給回路が提供される。
前記パッケージ本体１１０は、前記回路基板３１０の上に配置される。前記第１パッド３１１と前記第１パッド電極１２１が電気的に連結される。前記第２パッド３１２と前記第２パッド電極１２２が電気的に連結される。
前記第１パッド３１１と前記第２パッド３１２は、導電性物質を含むことができる。例えば、前記第１パッド３１１と前記第２パッド３１２は、Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn、Alを含む群から選択される少なくとも１つの物質またはその合金を含むことができる。前記第１パッド３１１と前記第２パッド３１２は、単層または多層で提供される。
前記パッケージ本体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２を含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、相互離隔して配置される。
前記パッケージ本体１１０は、本体１１３を含むことができる。前記本体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置される。前記本体１１３は、一種の電極分離線の機能をすることができる。
前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、絶縁性フレームから提供される。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ本体１１０の構造的な強度を安定的に提供することができる。
また、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、導電性フレームから提供されてもよい。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ本体１１０の構造的な強度を安定的に提供することができ、前記発光素子１２０に電気的に連結される。
前記パッケージ本体１１０は、上面から下面まで第１方向に貫通する第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２を含むことができる。前記第１フレーム１１１は、前記第１開口部ＴＨ１を含むことができる。前記第２フレーム１１２は、前記第２開口部ＴＨ２を含むことができる。
前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１に提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１を貫通して提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１と重なって提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１と重なって提供される。
前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２に提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２を貫通して提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２と重なって提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２と重なって提供される。
前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、相互離隔して配置される。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の下部面の下で相互離隔して配置される。
実施例によれば、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１パッド電極１２１の幅より大きく提供される。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２パッド電極１２２の幅より大きく提供される。
実施例によれば、前記第１パッド電極１２１の下部領域が、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域内に配置される。前記第１パッド電極１２１の底面が前記第１フレーム１１１の上面より低く配置される。
また、前記第２パッド電極１２２の下部領域が、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域内に配置される。前記第２パッド電極１２２の底面が、前記第２フレーム１１２の上面より低く配置される。
実施例に係る発光素子パッケージ３００は、図２３に示されたように、接着剤１３０を含むことができる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記本体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置される。
また、実施例に係る発光素子パッケージ３００は、図２３に示されたように、リセスＲを含むことができる。
前記リセスＲは、前記本体１１３に提供される。前記リセスＲは、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間に提供される。前記リセスＲは、前記本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０と前記第１方向に重なって提供される。
例えば、前記接着剤１３０は、前記リセスＲに配置される。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２との間に配置される。例えば、前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１の側面と前記第２パッド電極１２２の側面に接触して配置される。
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例えば前記本体１１３の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下部面に直接接触して配置される。
例えば、前記接着剤１３０は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。例えば、前記接着剤１３０は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤１３０は、別の表現として第１樹脂と称することもできる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子１２０の下面に光が放出される場合、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記接着剤１３０は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ３００の光抽出効率を改善することができる。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に設定される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
実施例によれば、前記接着剤１３０が前記発光素子１２０と前記第１方向を基準に重なる面積は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２と前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２が重なる領域の面積より大きく提供される。
このように、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積が小さく提供されることで、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子１２０の下には反射特性が優れる前記接着剤１３０が提供される。よって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記接着剤１３０に反射されて発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。
また、実施例に係る発光素子パッケージ３００は、図２３に示されたように、第１導電層３２１と第２導電層３２２を含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置される。
前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１パッド電極１２１の幅より大きく提供される。
前記第１パッド電極１２１は、前記第１開口部ＴＨ１が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第１パッド電極１２１の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の前記第２方向の幅より小さく提供される。
前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下面と直接接触して配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１と電気的に連結される。前記第１導電層３２１は、前記第１フレーム１１１によって取り囲まれるように配置される。
前記第１開口部ＴＨ１の上部領域で、前記第１導電層３２１の上部部分は、前記第１パッド電極１２１の下部部分の周りに配置される。前記第１導電層３２１の上面は、前記第１パッド電極１２１の下面より高く配置される。
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２パッド電極１２２の幅より大きく提供される。
前記第２パッド電極１２２は、前記第２開口部ＴＨ２が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第２パッド電極１２２の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の前記第２方向の幅より小さく提供される。
前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下面と直接接触して配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２と電気的に連結される。前記第２導電層３２２は、前記第２フレーム１１２によって取り囲まれるように配置される。
前記第２開口部ＴＨ２の上部領域で、前記第２導電層３２２の上部部分は、前記第２パッド電極１２２の下部部分の周りに配置される。前記第２導電層３２２の上面は、前記第２パッド電極１２２の下面より高く配置される。
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される１つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。
例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第１及び第２導電層３２１、３２２は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。
実施例によれば、前記回路基板３１０の前記第１パッド３１１と前記第１導電層３２１が電気的に連結される。また、前記回路基板３１０の前記第２パッド３１２と前記第２導電層３２２が電気的に連結される。
一方、実施例によれば、前記第１パッド３１１と前記第１導電層３２１との間に別途のボンディング層がさらに提供されてもよい。また、前記第２パッド３１２と前記第２導電層３２２との間に別途のボンディング層がさらに提供されてもよい。
また、別の実施例によれば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、共晶接合によって前記回路基板３１０に実装される。
図２３を参照して説明した実施例に係る発光素子パッケージ３００は、前記回路基板３１０から供給される電源が前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２を介して前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２にそれぞれ伝達される。このとき、前記回路基板３１０の前記第１パッド３１１と前記第１導電層３２１が直接接触して前記回路基板３１０の前記第２パッド３１２と前記第２導電層３２２が直接接触する。
よって、図２３に示された実施例に係る発光素子パッケージ３００によれば、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２が絶縁性フレームから形成されてもよい。また、図２３に示された実施例に係る発光素子パッケージ３００によれば、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２が伝導性フレームから形成されてもよい。
以上で説明したように、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第１パッド電極と第２パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。
よって、実施例に係る発光素子パッケージは、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。
また、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体１１０が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
これによって、本体１１３を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体１１３は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。
例えば、前記本体１１３は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも１つの物質を含むことができる。
一方、図２４に示された本発明の実施例に係る発光素子パッケージ４００は、図１～図２２を参照して説明した発光素子パッケージ１００が回路基板４１０に実装されて供給される別の例を示す。
図２４を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージ４００を説明することにおいて、図１～図２３を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。
実施例に係る発光素子パッケージ４００は、図２４に示されたように、回路基板４１０、パッケージ本体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
前記回路基板４１０は、第１パッド４１１、第２パッド４１２、基板４１３を含むことができる。前記基板３１３に前記発光素子１２０の駆動を制御する電源供給回路が提供される。
前記パッケージ本体１１０は、前記回路基板４１０の上に配置される。前記第１パッド４１１と前記第１パッド電極１２１が電気的に連結される。前記第２パッド４１２と前記第２パッド電極１２２が電気的に連結される。
前記第１パッド４１１と前記第２パッド４１２は、導電性物質を含むことができる。例えば、前記第１パッド４１１と前記第２パッド４１２は、Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn、Alを含む群から選択される少なくとも１つの物質またはその合金を含むことができる。前記第１パッド４１１と前記第２パッド４１２は、単層または多層で提供される。
前記パッケージ本体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２を含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、相互離隔して配置される。
前記パッケージ本体１１０は、本体１１３を含むことができる。前記本体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置される。前記本体１１３は、一種の電極分離線の機能をすることができる。
前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、導電性フレームから提供される。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ本体１１０の構造的な強度を安定的に提供することができ、前記発光素子１２０に電気的に連結される。
前記パッケージ本体１１０は、上面から下面まで第１方向に貫通する第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２を含むことができる。前記第１フレーム１１１は、前記第１開口部ＴＨ１を含むことができる。前記第２フレーム１１２は、前記第２開口部ＴＨ２を含むことができる。
前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１に提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１を貫通して提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１と重なって提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１と重なって提供される。
前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２に提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２を貫通して提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２と重なって提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２と重なって提供される。
前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、相互離隔して配置される。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の下部面の下で相互離隔して配置される。
実施例によれば、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１パッド電極１２１の幅より大きく提供される。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２パッド電極１２２の幅より大きく提供される。
実施例によれば、前記第１パッド電極１２１の下部領域が、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域内に配置される。前記第１パッド電極１２１の底面が前記第１フレーム１１１の上面より低く配置される。
また、前記第２パッド電極１２２の下部領域が、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域内に配置される。前記第２パッド電極１２２の底面が、前記第２フレーム１１２の上面より低く配置される。
実施例に係る発光素子パッケージ４００は、図２４に示されたように、接着剤１３０を含むことができる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記本体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置される。
また、実施例に係る発光素子パッケージ４００は、図２４に示されたように、リセスＲを含むことができる。
前記リセスＲは、前記本体１１３に提供される。前記リセスＲは、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間に提供される。前記リセスＲは、前記本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０と前記第１方向に重なって提供される。
例えば、前記接着剤１３０は、前記リセスＲに配置される。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２との間に配置される。例えば、前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１の側面と前記第２パッド電極１２２の側面に接触して配置される。
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例えば前記本体１１３の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下部面に直接接触して配置される。
例えば、前記接着剤１３０は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。例えば、前記接着剤１３０は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤１３０は、別の表現として第１樹脂と称することもできる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子１２０の下面に光が放出される場合、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記接着剤１３０は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ３００の光抽出効率を改善することができる。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に設定される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
実施例によれば、前記接着剤１３０が前記発光素子１２０と前記第１方向を基準に重なる面積は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２と前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２が重なる領域の面積より大きく提供される。
このように、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積が小さく提供されることで、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子１２０の下には反射特性が優れる前記接着剤１３０が提供される。よって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記接着剤１３０に反射されて発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。
また、実施例に係る発光素子パッケージ４００は、図２４に示されたように、第１導電層３２１と第２導電層３２２を含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置される。
前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１パッド電極１２１の幅より大きく提供される。
前記第１パッド電極１２１は、前記第１開口部ＴＨ１が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第１パッド電極１２１の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の前記第２方向の幅より小さく提供される。
前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下面と直接接触して配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１と電気的に連結される。前記第１導電層３２１は、前記第１フレーム１１１によって取り囲まれるように配置される。
前記第１開口部ＴＨ１の上部領域で、前記第１導電層３２１の上部部分は、前記第１パッド電極１２１の下部部分の周りに配置される。前記第１導電層３２１の上面は、前記第１パッド電極１２１の下面より高く配置される。
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２パッド電極１２２の幅より大きく提供される。
前記第２パッド電極１２２は、前記第２開口部ＴＨ２が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第２パッド電極１２２の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の前記第２方向の幅より小さく提供される。
前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下面と直接接触して配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２と電気的に連結される。前記第２導電層３２２は、前記第２フレーム１１２によって取り囲まれるように配置される。
前記第２開口部ＴＨ２の上部領域で、前記第２導電層３２２の上部部分は、前記第２パッド電極１２２の下部部分の周りに配置される。前記第２導電層３２２の上面は、前記第２パッド電極１２２の下面より高く配置される。
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される１つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。
例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第１及び第２導電層３２１、３２２は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。
実施例によれば、前記回路基板４１０の前記第１パッド４１１と前記第１導電層３２１が電気的に連結される。また、前記回路基板４１０の前記第２パッド４１２と前記第２導電層３２２が電気的に連結される。
前記第１パッド４１１が前記第１フレーム１１１に電気的に連結される。また、前記第２パッド４１２が前記第２フレーム１１２に電気的に連結される。
一方、実施例によれば、前記第１パッド４１１と前記第１フレーム１１１との間に別途のボンディング層がさらに提供されてもよい。また、前記第２パッド４１２と前記第２フレーム１１２との間に別途のボンディング層がさらに提供されてもよい。
図２４を参照して説明した実施例に係る発光素子パッケージ４００は、前記回路基板４１０から供給される電源が前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２を介して前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２にそれぞれ伝達される。このとき、前記回路基板４１０の前記第１パッド４１１と前記第１フレーム１１１が直接接触して前記回路基板４１０の前記第２パッド４１２と前記第２フレーム１１２が直接接触する。
以上で説明したように、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第１パッド電極と第２パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。
よって、実施例に係る発光素子パッケージは、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。
また、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体１１０が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
これによって、本体１１３を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体１１３は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。
例えば、前記本体１１３は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも１つの物質を含むことができる。
一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージの場合、各パッド電極の下に１つの開口部が提供される場合を基準に説明した。
しかし、別の実施例に係る発光素子パッケージによれば、各パッド電極の下に複数の開口部が提供されてもよい。また、複数の開口部は、相互異なる幅を有する開口部として提供されてもよい。
また、実施例に係る開口部の形状は、図２５～図２７に示されたように多様な形状で提供されてもよい。
例えば、図２５に示されたように、実施例に係る開口部ＴＨ３は、上部領域から下部領域まで同じ幅で提供されてもよい。
また、図２６に示されたように、実施例に係る開口部ＴＨ４は、多段構造の形状で提供されてもよい。例えば、開口部ＴＨ４は、２段構造の相互異なる傾斜角を有する形状で提供されてもよい。また、開口部ＴＨ４は、３段以上の相互異なる傾斜角を有する形状で提供されてもよい。
また、図２７に示されたように、開口部ＴＨ５は、上部領域から下部領域に行きながら幅が変わる形状で提供されてもよい。例えば、開口部ＴＨ５は、上部領域から下部領域に行きながら曲率を有する形状で提供されてもよい。
また、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージによれば、パッケージ本体１１０は、上面が平坦な部材１１３のみを含み、傾斜するように配置された反射部を含まないように提供されてもよい。
他の表現として、実施例に係る発光素子パッケージによれば、前記パッケージ本体１１０は、キャビティＣを提供する構造で提供されてもよい。また、前記パッケージ本体１１０は、キャビティＣなしに上面が平坦な構造で提供されてもよい。
また、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージによれば、前記パッケージ本体１１０の第１及び第２フレーム１１１、１１２に第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が提供される場合を基に説明したが、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記パッケージ本体１１０の本体１１３に提供されてもよい。
このように前記パッケージ本体１１０の本体１１３に、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が提供される場合に、前記発光素子１２０の長軸方向の前記本体１１３の上面長さは、前記発光素子１２０の第１パッド電極１２１と第２パッド電極１２２の間の長さより大きく提供される。
また、前記パッケージ本体１１０の本体１１３に前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が提供される場合に、実施例に係る発光素子パッケージは第１及び第２フレーム１１１、１１２を含まなくてもよい。
次に、図２８を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。
図２８を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図１～図２７を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。
実施例に係る発光素子パッケージは、図２８に示されたように、パッケージ本体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
前記パッケージ本体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２を含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、相互離隔して配置される。
前記パッケージ本体１１０は、本体１１３を含むことができる。前記本体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置される。前記本体１１３は、一種の電極分離線の機能をすることができる。
例えば、前記本体１１３は、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコーン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、セラミック、PSG(photo sensitive glass)、サファイア(Al２O３等を含む群から選択される少なくとも１つから形成される。また、前記本体１１３は、TiO２とSiO２のような高屈折フィラーを含むことができる。
実施例によれば、前記発光素子１２０は、第１パッド電極１２１、第２パッド電極１２２、半導体構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
前記発光素子１２０は、図２８に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記半導体構造物１２３を含むことができる。前記半導体構造物１２３と前記本体１１３との間に前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２が配置される。
前記発光素子１２０は、前記パッケージ本体１１０の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記パッケージ本体１１０によって提供される前記キャビティＣ内に配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２は、前記発光素子１２０の下部面で相互離隔して配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記第１フレーム１１１の上に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記第２フレーム１１２の上に配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記半導体構造物１２３と前記第１フレーム１１１との間に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記半導体構造物１２３と前記第２フレーム１１２との間に配置される。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、接着剤１３０を含むことができる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記本体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置される。
実施例に係る発光素子パッケージは、図２８に示されたように、リセスＲを含むことができる。
前記リセスＲは、前記本体１１３に提供される。前記リセスＲは、前記本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０と前記第１方向に重なって提供される。
例えば、前記接着剤１３０は、前記リセスＲに配置される。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２との間に配置される。例えば、前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１の側面と前記第２パッド電極１２２の側面に接触して配置される。
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例えば前記本体１１３の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下部面に直接接触して配置される。
例えば、前記接着剤１３０は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。例えば、前記接着剤１３０は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤１３０は、別の表現として第１樹脂と称することもできる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子１２０の下面に光が放出される場合、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記接着剤１３０は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ１００の光抽出効率を改善することができる。
前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下面と前記本体１１３の上面との間に前記接着剤１３０が充分に提供されるように第１深さ以上に提供される。また、前記リセスＲは、前記本体１１３の安定した強度を提供するために第２深さ以下に提供される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に設定される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
このように、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積が小さく提供されることで、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子１２０の下には反射特性が優れる前記接着剤１３０が提供される。よって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記接着剤１３０に反射されて発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、第１導電層３２１と第２導電層３２２を含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置される。
前記第１導電層３２１は、前記第１フレーム１１１の上に提供される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下に配置される。
前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下面と直接接触して配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１と電気的に連結される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１と前記第１フレーム１１１を固定させる機能を提供することができる。
前記第２導電層３２２は、前記第２フレーム１１２の上に提供される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下に配置される。
前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下面と直接接触して配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２と電気的に連結される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２と前記第２フレーム１１２を固定させる機能を提供することができる。
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される１つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。
例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第１及び第２導電層３２１、３２２は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、図２８に示されたように、樹脂部１３５を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１の側面に配置される。また、前記樹脂部１３５は、前記第２パッド電極１２２の側面に配置される。前記樹脂部１３５は、前記半導体構造物１２３の下に配置される。
例えば、前記樹脂部１３５は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は反射性物質を含むことができ、例えばTiO２及び/またはシリコーンを含むホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２の周囲を密封することができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が前記第１パッド電極１２１の下の領域と前記第２パッド電極１２２の下の領域を外れて、前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ本体１１０の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、モールディング部１４０を含むことができる。
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供される。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置される。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ本体１１０によって提供されるキャビティＣに配置される。前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置される。
また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部１３５が別途に提供されず、前記接着剤１３０が前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の周りに配置されてもよい。
このとき、前記接着剤１３０は第１樹脂と称することもでき、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２は第１及び第２ボンディング部とそれぞれ称することもできる。
また、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間に前記接着剤１３０が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体１１０の上面に前記リセスＲが提供されなくてもよい。
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、前記第１導電層３２１を介して前記第１パッド電極１２１に電源が連結され、前記第２導電層３２２を介して前記第２パッド電極１２２に電源が連結される。
これによって、前記第１パッド電極１２１及び前記第２パッド電極１２２を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子１２０が駆動される。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ本体１１０の上部方向に提供される。
一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージ１００は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。
ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。
しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第１パッド電極と第２パッド電極は、フレームの上に提供される導電層を介して駆動電源が提供される。そして、フレームの上に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。
よって、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体１１０が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
これによって、本体１１３を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体１１３は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。
例えば、前記本体１１３は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも１つの物質を含むことができる。
次に、図２９を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。
図２９を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図１～図２８を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。
実施例に係る発光素子パッケージは、図２９に示されたように、パッケージ本体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
前記パッケージ本体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２を含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、相互離隔して配置される。
前記パッケージ本体１１０は、本体１１３を含むことができる。前記本体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置される。前記本体１１３は、一種の電極分離線の機能をすることができる。
例えば、前記本体１１３は、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコーン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、セラミック、PSG(photo sensitive glass)、サファイア(Al２O３)等を含む群から選択される少なくとも１つから形成される。また、前記本体１１３は、TiO２とSiO２のような高屈折フィラーを含むことができる。
実施例によれば、前記発光素子１２０は、第１パッド電極１２１、第２パッド電極１２２、半導体構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
前記発光素子１２０は、図２９に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記半導体構造物１２３を含むことができる。前記半導体構造物１２３と前記本体１１３との間に前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２が配置される。
前記発光素子１２０は、前記パッケージ本体１１０の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記パッケージ本体１１０によって提供される前記キャビティＣ内に配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２は、前記発光素子１２０の下部面で相互離隔して配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記第１フレーム１１１の上に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記第２フレーム１１２の上に配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記半導体構造物１２３と前記第１フレーム１１１との間に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記半導体構造物１２３と前記第２フレーム１１２との間に配置される。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、接着剤１３０を含むことができる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記本体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置される。
実施例に係る発光素子パッケージは、図２９に示されたように、リセスＲを含むことができる。
前記リセスＲは、前記パッケージ本体１１０に提供される。前記リセスＲは、前記パッケージ本体１１０の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０と前記第１方向に重なって提供される。
前記リセスＲは、前記第１フレーム１１１の上面、前記本体１１３の上面、前記第２フレーム１１２の上面によって提供される。例えば、前記本体１１３の上面は平坦な形状に提供され、前記第１フレーム１１１の上面は段付階段状に提供され、前記第２フレーム１１２の上面は段付階段状に提供される。
例えば、前記接着剤１３０は、前記リセスＲに配置される。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１の側面と前記第２パッド電極１２２の側面に接触して配置される。前記接着剤１３０は、前記第１フレーム１１１の段付階段状の領域と前記第２フレーム１１２の段付階段状の領域の間に提供される。
このように、実施例によれば、前記リセスＲが、前記第１フレーム１１１の上面の一部領域から前記第２フレーム１１２の上面の一部領域まで延長されて幅広く提供される。
よって、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の安定した固定力を提供することができる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３の上面に直接接触して配置される。前記接着剤１３０は、前記第１フレーム１１１の上面に直接接触して配置される。前記接着剤１３０は、前記第２フレーム１１２の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下部面に直接接触して配置される。
例えば、前記接着剤１３０は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。例えば、前記接着剤１３０は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤１３０は、別の表現として第１樹脂と称することもできる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子１２０の下面に光が放出される場合、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記接着剤１３０は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ１００の光抽出効率を改善することができる。
前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下面と前記本体１１３の上面との間に前記接着剤１３０が充分に提供されるように第１深さ以上に提供される。また、前記リセスＲは、前記本体１１３の安定した強度を提供するために第２深さ以下に提供される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に設定される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
このように、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積が小さく提供されることで、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子１２０の下には反射特性が優れる前記接着剤１３０が幅が広く且つ厚く提供される。よって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記接着剤１３０に反射されて発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、第１導電層３２１と第２導電層３２２を含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置される。
前記第１導電層３２１は、前記第１フレーム１１１の上に提供される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下に配置される。
前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下面と直接接触して配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１と電気的に連結される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１と前記第１フレーム１１１を固定させる機能を提供することができる。
前記第２導電層３２２は、前記第２フレーム１１２の上に提供される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下に配置される。
前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下面と直接接触して配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２と電気的に連結される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２と前記第２フレーム１１２を固定させる機能を提供することができる。
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される１つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。
例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第１及び第２導電層３２１、３２２は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、図２９に示されたように、樹脂部１３５を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１の側面に配置される。また、前記樹脂部１３５は、前記第２パッド電極１２２の側面に配置される。前記樹脂部１３５は、前記半導体構造物１２３の下に配置される。
例えば、前記樹脂部１３５は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は反射性物質を含むことができ、例えばTiO２及び/またはシリコーンを含むホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２の周囲を密封することができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が前記第１パッド電極１２１の下の領域と前記第２パッド電極１２２の下の領域を外れて、前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ本体１１０の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、モールディング部１４０を含むことができる。
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供される。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置される。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ本体１１０によって提供されるキャビティＣに配置される。前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置される。
また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部１３５が別途に提供されず、前記接着剤１３０が前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の周りに配置されてもよい。
このとき、前記接着剤１３０は第１樹脂と称することもでき、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２は第１及び第２ボンディング部とそれぞれ称することもできる。
また、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間に前記接着剤１３０が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体１１０の上面に前記リセスＲが提供されなくてもよい。
実施例に係る発光素子パッケージは、前記第１導電層３２１を介して前記第１パッド電極１２１に電源が連結され、前記第２導電層３２２を介して前記第２パッド電極１２２に電源が連結される。
これによって、前記第１パッド電極１２１及び前記第２パッド電極１２２を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子１２０が駆動される。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ本体１１０の上部方向に提供される。
一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。
ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。
しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第１パッド電極と第２パッド電極はフレームの上に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、フレームの上に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。
よって、実施例に係る発光素子パッケージは、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。
また、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体１１０が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
これによって、本体１１３を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体１１３は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。
例えば、前記本体１１３は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも１つの物質を含むことができる。
次に、図３０を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。
図３０を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図１～図２９を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。
実施例に係る発光素子パッケージは、図３０に示されたように、パッケージ本体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
図３０に示された実施例に係る発光素子パッケージは、図２８を参照して説明した発光素子パッケージに比べて、第１リセスＲ１と第２リセスＲ２をさらに含むことができる。
前記第１リセスＲ１は、前記第１フレーム１１１の上面に提供される。前記第１リセスＲ１は、前記第１フレーム１１１の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第１リセスＲ１は、前記リセスＲから離隔して配置される。
前記第２リセスＲ２は、前記第２フレーム１１２の上面に提供される。前記第２リセスＲ２は、前記第２フレーム１１２の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第２上部リセスＲ４は、前記リセスＲから離隔して配置される。
実施例によれば、前記第１リセスＲ１に前記第１導電層３２１が提供される。そして、前記第１リセスＲ１領域に前記第１パッド電極１２１が提供される。また、前記第２リセスＲ２に前記第２導電層３２２が提供される。そして、前記第２リセスＲ２領域に前記第２パッド電極１２２が提供される。前記第１及び第２リセスＲ１、Ｒ２は、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が提供される充分な空間を提供することができる。
例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第１及び第２導電層３２１、３２２は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、図３０に示されたように、樹脂部１３５を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１の側面に配置される。また、前記樹脂部１３５は、前記第２パッド電極１２２の側面に配置される。前記樹脂部１３５は、前記半導体構造物１２３の下に配置される。
例えば、前記樹脂部１３５は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は反射性物質を含むことができ、例えばTiO２及び/またはシリコーンを含むホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２の周囲を密封することができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が前記第１リセスＲ１領域と前記第２リセスＲ２領域を外れて前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ本体１１０の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に設定される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
このように、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積が小さく提供されることで、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子１２０の下には反射特性が優れる前記接着剤１３０が提供される。よって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記接着剤１３０に反射されて発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、モールディング部１４０を含むことができる。
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供される。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置される。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ本体１１０によって提供されるキャビティＣに配置される。前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置される。
また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部１３５が別途に提供されず、前記接着剤１３０が前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の周りに配置されてもよい。
このとき、前記接着剤１３０は第１樹脂と称することもでき、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２は第１及び第２ボンディング部とそれぞれ称することもできる。
また、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間に前記接着剤１３０が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体１１０の上面に前記リセスＲが提供されなくてもよい。
実施例に係る発光素子パッケージは、前記第１導電層３２１を介して前記第１パッド電極１２１に電源が連結され、前記第２導電層３２２を介して前記第２パッド電極１２２に電源が連結される。
これによって、前記第１パッド電極１２１及び前記第２パッド電極１２２を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子１２０が駆動される。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ本体１１０の上部方向に提供される。
一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。
ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。
しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第１パッド電極と第２パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。
よって、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体１１０が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
これによって、本体１１３を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体１１３は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。
例えば、前記本体１１３は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも１つの物質を含むことができる。
次に、図３１を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。
図３１を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図１～図３０を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。
実施例に係る発光素子パッケージは、図３１に示されたように、パッケージ本体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
図３１に示された実施例に係る発光素子パッケージは、図２９を参照して説明した発光素子パッケージに比べて、第１リセスＲ１と第２リセスＲ２をさらに含むことができる。
前記第１リセスＲ１は、前記第１フレーム１１１の上面に提供される。前記第１リセスＲ１は、前記第１フレーム１１１の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第１リセスＲ１は、前記リセスＲから離隔して配置される。
前記第２リセスＲ２は、前記第２フレーム１１２の上面に提供される。前記第２リセスＲ２は、前記第２フレーム１１２の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第２上部リセスＲ４は、前記リセスＲから離隔して配置される。
実施例によれば、前記第１リセスＲ１に前記第１導電層３２１が提供される。そして、前記第１リセスＲ１領域に前記第１パッド電極１２１が提供される。また、前記第２リセスＲ２に前記第２導電層３２２が提供される。そして、前記第２リセスＲ２領域に前記第２パッド電極１２２が提供される。前記第１及び第２リセスＲ１、Ｒ２は、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が提供される充分な空間を提供することができる。
例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第１及び第２導電層３２１、３２２は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、図３１に示されたように、樹脂部１３５を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１の側面に配置される。また、前記樹脂部１３５は、前記第２パッド電極１２２の側面に配置される。前記樹脂部１３５は、前記半導体構造物１２３の下に配置される。
例えば、前記樹脂部１３５は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は反射性物質を含むことができ、例えばTiO２及び/またはシリコーンを含むホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２の周囲を密封することができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が前記第１リセスＲ１領域と前記第２リセスＲ２領域を外れて前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ本体１１０の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に設定される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
このように、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積が小さく提供されることで、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子１２０の下には反射特性が優れる前記接着剤１３０が提供される。よって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記接着剤１３０に反射されて発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、モールディング部１４０を含むことができる。
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供される。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置される。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ本体１１０によって提供されるキャビティＣに配置される。前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置される。
また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部１３５が別途に提供されず、前記接着剤１３０が前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の周りに配置されてもよい。
このとき、前記接着剤１３０は第１樹脂と称することもでき、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２は第１及び第２ボンディング部とそれぞれ称することもできる。
また、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間に前記接着剤１３０が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体１１０の上面に前記リセスＲが提供されなくてもよい。
実施例に係る発光素子パッケージは、前記第１導電層３２１を介して前記第１パッド電極１２１に電源が連結され、前記第２導電層３２２を介して前記第２パッド電極１２２に電源が連結される。
これによって、前記第１パッド電極１２１及び前記第２パッド電極１２２を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子１２０が駆動される。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ本体１１０の上部方向に提供される。
一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。
ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。
しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第１パッド電極と第２パッド電極はフレームの上に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、フレームの上に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。
よって、実施例に係る発光素子パッケージは、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。
また、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体１１０が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
これによって、本体１１３を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体１１３は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。
例えば、前記本体１１３は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも１つの物質を含むことができる。
次に、図３２を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。
図３２を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図１～図３１を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。
実施例に係る発光素子パッケージは、図３２に示されたように、本体１１３、発光素子１２０を含むことができる。
実施例によれば、前記本体１１３にリセスＲ、第１開口部ＴＨ１、第２開口部ＴＨ２が提供される。前記リセスＲは、前記本体１１３の上面に提供される。前記本体１１３は、図３２に示されたように、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２を含むことができる。
また、実施例によれば、前記発光素子１２０は、第１パッド電極１２１、第２パッド電極１２２、半導体構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
前記発光素子１２０は、図３２に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記半導体構造物１２３を含むことができる。前記半導体構造物１２３と前記本体１１３との間に前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２が配置される。
前記発光素子１２０は、前記本体１１３の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記本体１１３によって提供される前記キャビティＣ内に配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２は、前記発光素子１２０の下部面で相互離隔して配置される。
前記第１開口部ＴＨ１は、前記本体１１３に提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記本体１１３を貫通して提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記本体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１と重なって提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記本体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１と重なって提供される。
前記第２開口部ＴＨ２は、前記本体１１３に提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記本体１１３を貫通して提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記本体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２と重なって提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記本体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２と重なって提供される。
前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、相互離隔して配置される。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の下部面の下で相互離隔して配置される。
実施例によれば、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅が前記第１パッド電極１２１の幅より大きく提供される。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２パッド電極１２２の幅より大きく提供される。
実施例によれば、前記第１パッド電極１２１の下部領域が、前記第１開口部ＴＨ１内に配置される。前記第１パッド電極１２１の底面が前記本体１１３の上面より低く配置される。
また、前記第２パッド電極１２２の下部領域が、前記第２開口部ＴＨ２内に配置される。前記第２パッド電極１２２の底面が前記本体１１３の上面より低く配置される。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、接着剤１３０を含むことができる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記本体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置される。
実施例に係る発光素子パッケージは、図３２に示されたように、前記リセスＲを含むことができる。
前記リセスＲは、前記本体１１３に提供される。前記リセスＲは、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間に提供される。前記リセスＲは、前記本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０と前記第１方向に重なって提供される。
例えば、前記接着剤１３０は、前記リセスＲに配置される。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２との間に配置される。例えば、前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１の側面と前記第２パッド電極１２２の側面に接触して配置される。
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例えば前記本体１１３の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下部面に直接接触して配置される。
例えば、前記接着剤１３０は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。例えば、前記接着剤１３０は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤１３０は、別の表現として第１樹脂と称することもできる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子１２０の下面に光が放出される場合、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記接着剤１３０は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ１００の光抽出効率を改善することができる。
前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下面と前記本体１１３の上面との間に前記接着剤１３０が充分に提供されるように第１深さ以上に提供される。また、前記リセスＲは、前記本体１１３の安定した強度を提供するために第２深さ以下に提供される。
例えば、前記本体１１３は、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコーン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、セラミック、PSG(photo sensitive glass)、サファイア(Al２O３)等を含む群から選択される少なくとも１つから形成される。また、前記本体１１３は、TiO２とSiO２のような高屈折フィラーを含むことができる。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に設定される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
実施例によれば、前記接着剤１３０が前記発光素子１２０と前記第１方向を基準に重なる面積は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２と前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２が重なる領域の面積より大きく提供される。
このように、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積が小さく提供されることで、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子１２０の下には反射特性が優れる前記接着剤１３０が提供される。よって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記接着剤１３０に反射されて発光素子パッケージの上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、第１導電層３２１と第２導電層３２２を含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置される。
前記第１導電層３２１は、前記本体１１３の下面に提供される第１下部リセスＲ５に配置される。前記第１導電層３２１は、前記本体１１３の下に配置される。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１パッド電極１２１の幅より大きく提供される。
前記第１パッド電極１２１は、前記第１開口部ＴＨ１が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第１パッド電極１２１の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の前記第２方向の幅より小さく提供される。
前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下面と直接接触して配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１と電気的に連結される。前記第１導電層３２１は、前記第１下部リセスＲ５内で前記本体１１３によって取り囲まれるように配置される。
前記第２導電層３２２は、前記本体１１３の下面に提供される第２下部リセスＲ６に配置される。前記第２導電層３２２は、前記本体１１３の下に配置される。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２パッド電極１２２の幅より大きく提供される。
前記第２パッド電極１２２は、前記第２開口部ＴＨ２が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第２パッド電極１２２の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の前記第２方向の幅より小さく提供される。
前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下面と直接接触して配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２と電気的に連結される。前記第２導電層３２２は、前記第２下部リセスＲ６内で前記本体１１３によって取り囲まれるように配置される。
前記第１導電層３２１の上面の第１領域は、前記第１開口部ＴＨ１の下に配置される。前記第１導電層３２１の上面の前記第１領域は、前記第１開口部ＴＨ１と垂直方向に重なって配置される。
また、前記第１導電層３２１の上面の第２領域は、前記本体１１３の下面の下に配置される。前記第１導電層３２１の上面の前記第２領域は、前記本体１１３の下面と垂直方向に重なって配置される。
前記第２導電層３２２の上面の第１領域は、前記第２開口部ＴＨ２の下に配置される。前記第２導電層３２２の上面の前記第１領域は、前記第２開口部ＴＨ２と垂直方向に重なって配置される。
また、前記第２導電層３２２の上面の第２領域は、前記本体１１３の下面の下に配置される。前記第２導電層３２２の上面の前記第２領域は、前記本体１１３の下面と垂直方向に重なって配置される。
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される１つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、放熱特性がよい金属物質またはその合金で形成される。前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が放熱特性がよい物質で形成されることで、前記発光素子１２０から発生した熱が外部に効果的に放出される。これによって、実施例に係る発光素子パッケージの信頼性が向上する。
例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第１及び第２導電層３２１、３２２は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、図３２に示されたように、樹脂部１３５を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１の側面に配置される。また、前記樹脂部１３５は、前記第２パッド電極１２２の側面に配置される。前記樹脂部１３５は、前記半導体構造物１２３の下に配置される。
例えば、前記樹脂部１３５は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は反射性物質を含むことができ、例えばTiO２及び/またはシリコーンを含むホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間の接着力を向上させることができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２の周囲を密封することができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が前記第１開口部ＴＨ１領域と前記第２開口部ＴＨ２領域を外れて前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ本体１１０の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、モールディング部１４０を含むことができる。
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供される。前記モールディング部１４０は、前記本体１１３の上に配置される。前記モールディング部１４０は、前記本体１１３によって提供されるキャビティＣに配置される。前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置される。
また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部１３５が別途に提供されず、前記接着剤１３０が前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の周りに配置されてもよい。
このとき、前記接着剤１３０は第１樹脂と称することもでき、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２は第１及び第２ボンディング部とそれぞれ称することもできる。
一方、前記接着剤１３０は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域に配置されてもよい。前記発光素子１２０が前記パッケージ本体１１０の上に提供される過程で、前記接着剤１３０の一部が前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２領域に移動することがある。前記接着剤１３０の一部は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の内部で、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の側面領域に配置される。前記接着剤１３０の一部は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の内部で、前記第１及び第２導電層３２１、３２２の上に配置されてもよい。
前記接着剤１３０は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域を密封することができ、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２を介して湿気または異物質が外部から前記発光素子１２０が配置された領域に流入することを防止することができる。
また、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間に前記接着剤１３０が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体１１０の上面に前記リセスＲが提供されなくてもよい。
また、別の実施例によれば、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記本体１１３の側壁の終端まで延長されて配置される。また、前記第１及び第２導電層３２１、３２２は、接着性樹脂等を介して前記本体１１３の下面に接着されて配置されてもよい。前記第１導電層３２１の側面と前記本体１１３が第１側面は、同一平面に提供される。また、前記第２導電層３２２の側面と前記本体１１３の第２側面は、同一平面に提供される。
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、前記第１開口部ＴＨ１領域を介して前記第１パッド電極１２１に電源が連結され、前記第２開口部ＴＨ２領域を介して前記第２パッド電極１２２に電源が連結される。
これによって、前記第１パッド電極１２１及び前記第２パッド電極１２２を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子１２０が駆動される。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ本体１１０の上部方向に提供される。
また、別の実施例によれば、前記接着剤１３０、前記樹脂部１３５、前記本体１１３が同一物質を含むこともできる。
そして、実施例によれば、前記本体１１３、前記接着剤１３０、前記樹脂部１３５、前記発光素子１２０の間のCTE(Coefficient of Thermal Expansion)マッチングを考慮して前記接着剤１３０と前記樹脂部１３５の物性を選択することで、熱衝撃によるクラック(crack)や剥離問題が発生することを改善することができる。
一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。
ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。
しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第１パッド電極と第２パッド電極は、開口部の下に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部の下に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。
よって、実施例に係る発光素子パッケージは、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。
また、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程で本体１１３が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、本体１１３が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
これによって、本体１１３を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体１１３は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。
例えば、前記本体１１３は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも１つの物質を含むことができる。
一方、以上で説明した発光素子パッケージには、例えばフリップチップ発光素子が提供される。
例えば、フリップチップ発光素子は、６面方向に光が放出される透過型フリップチップ発光素子として提供されてもよく、５面方向に光が放出される反射型フリップチップ発光素子として提供されてもよい。
前記５面方向に光が放出される反射型フリップチップ発光素子は、前記パッケージ本体１１０に近い方向に反射層が配置された構造を有することができる。例えば、前記反射型フリップチップ発光素子は、第１及び第２電極パッドと半導体構造物の間に絶縁性反射層(例えば、Distributed Bragg Reflector、Omni Directional Reflector等)及び/または伝導性反射層(例えば、Ag、Al、Ni、Au等)を含むことができる。
また、前記６面方向に光が放出されるフリップチップ発光素子は、第１導電型半導体層と電気的に連結される第１電極、第２導電型半導体層と電気的に連結される第２電極を有し、前記第１電極と前記第２電極の間から光が放出される一般的な水平型発光素子として提供されてもよい。
また、前記６面方向に光が放出されるフリップチップ発光素子は、前記第１及び第２電極パッドの間に反射層が配置された反射領域と光が放出される透過領域を両方とも含む透過型フリップチップ発光素子として提供されてもよい。
ここで、透過型フリップチップ発光素子は、上部面、４つの側面、下部面の６面から光が放出される素子を意味する。また、反射型フリップチップ発光素子は、上部面、４つの側面の５面から光が放出される素子を意味する。
次に、添付された図面を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージに適用されたフリップチップ発光素子の例を説明することにする。
まず、図３３及び図３４を参照して、本発明の実施例に係る発光素子を説明することにする。図３３は本発明の実施例に係る発光素子パッケージに適用された発光素子の電極配置を説明する平面図であり、図３４は図３３に示された発光素子のＦ‐Ｆ線断面図である。
一方、理解し易いように、図３３の図示において、第１電極１２７と第２電極１２８の相対的な配置関係のみを概念的に図示した。前記第１電極１２７は、第１パッド電極１２１と第１分岐電極１２５を含むことができる。前記第２電極１２８は、第２パッド電極１２２と第２分岐電極１２６を含むことができる。
実施例に係る発光素子は、図３３及び図３４に示されたように、基板１２４の上に配置された半導体構造物１２３を含むことができる。
前記基板１２４は、サファイア基板(Al２O３)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Geを含む群から選択される。例えば、前記基板１２４は、上部面に凹凸パターンが形成されたPSS(Patterned Sapphire Substrate)として提供される。
前記半導体構造物１２３は、第１導電型半導体層１２３ａ、活性層１２３ｂ、第２導電型半導体層１２３ｃを含むことができる。前記活性層１２３ｂは、前記第１導電型半導体層１２３ａと前記第２導電型半導体層１２３ｃの間に配置される。例えば、前記第１導電型半導体層１２３ａの上に前記活性層１２３ｂが配置され、前記活性層１２３ｂの上に前記第２導電型半導体層１２３ｃが配置される。
実施例によれば、前記第１導電型半導体層１２３ａはｎ型半導体層として提供され、前記第２導電型半導体層１２３ｃはｐ型半導体層として提供される。勿論、別の実施例によれば、前記第１導電型半導体層１２３ａがｐ型半導体層として提供され、前記第２導電型半導体層１２３ｃがｎ型半導体層として提供されてもよい。
実施例に係る発光素子は、図３３及び図３４に示されたように、第１電極１２７と第２電極１２８を含むことができる。
前記第１電極１２７は、第１パッド電極１２１と第１分岐電極１２５を含むことができる。前記第１電極１２７は、前記第２導電型半導体層１２３ｃに電気的に連結される。前記第１分岐電極１２５は、前記第１パッド電極１２１から分岐して配置される。前記第１分岐電極１２５は、前記第１パッド電極１２１から分岐した複数の分岐電極を含むことができる。
前記第２電極１２８は、第２パッド電極１２２と第２分岐電極１２６を含むことができる。前記第２電極１２８は、前記第１導電型半導体層１２３ａに電気的に連結される。前記第２分岐電極１２６は、前記第２パッド電極１２２から分岐して配置される。前記第２分岐電極１２６は、前記第２パッド電極１２２から分岐した複数の分岐電極を含むことができる。
前記第１分岐電極１２５と前記第２分岐電極１２６は、フィンガー(finger)状に交互に配置されてもよい。前記第１分岐電極１２５と前記第２分岐電極１２６によって、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２を介して供給される電源が前記半導体構造物１２３全体に拡散して提供される。
前記第１電極１２７と前記第２電極１２８は、単層または多層構造に形成されてもよい。例えば、前記第１電極１２７と前記第２電極１２８は、オーミック電極からなることができる。例えば、前記第１電極１２７と前記第２電極１２８は、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうちの少なくとも１つまたはこれらのうち２つ以上の物質の合金からなることができる。
一方、前記半導体構造物１２３に保護層がさらに提供されてもよい。前記保護層は、前記半導体構造物１２３の上面に提供される。また、前記保護層は、前記半導体構造物１２３の側面に提供されてもよい。前記保護層は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２が露出するように提供される。また、前記保護層は、前記基板１２４の周り及び下面にも選択的に提供される。
例えば、前記保護層は、絶縁物質から提供される。例えば、前記保護層は、SixOy、SiOxNy、SixNy、AlxOyを含む群から選択される少なくとも１つの物質から形成される。
実施例に係る発光素子は、前記活性層１２３ｂから生成した光が発光素子の６面方向に発光することができる。前記活性層１２３ｂから生成した光が発光素子の上面、下面、４つの側面を介して６面方向に放出される。
前記発光素子の上面に放出される光は、図１～図３２を参照して説明したリセスＲ領域に入射する。
参考的に、図１～図３２を参照して説明した発光素子の配置方向と、図３３及び図３４に示された発光素子の配置方向は、相互反対に図示されている。
図１～図３２を参照して説明したように、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２との間に放出される光が、前記リセスＲ領域に配置された前記接着剤１３０に入射する。前記発光素子の下部方向に放出された光が前記接着剤１３０によって拡散し、光抽出効率が向上する。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に設定される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
例えば、前記第１パッド電極１２１の前記発光素子の長軸方向の幅は、数十μmに提供される。前記第１パッド電極１２１の幅は、例えば７０μm～９０μmに提供される。また、前記第１パッド電極１２１の面積は、数千μm２に提供される。
また、前記第２パッド電極１２２の前記発光素子の長軸方向の幅は、数十μmに提供される。前記第２パッド電極１２２の幅は、例えば７０μm～９０μmに提供される。また、前記第２パッド電極１２２の面積は、数千μm２に提供される。
このように、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積が小さく提供されることで、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子１２０の下には反射特性が優れる前記接着剤１３０が提供される。よって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記接着剤１３０に反射されて発光素子パッケージの上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。
一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージは、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２が前記第１及び第２導電層３２１、３２２と直接接触する場合を基に説明した。
しかし、実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２と前記第１及び第２導電層３２１、３２２の間に、別途の導電性構成要素がさらに配置されてもよい。
次に、図３５を参照して、実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。
図３５を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図１～図３４を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。
実施例に係る発光素子パッケージ２００は、図３５に示されたように、パッケージ本体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
前記パッケージ本体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２を含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、相互離隔して配置される。
前記パッケージ本体１１０は、本体１１３を含むことができる。前記本体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置される。前記本体１１３は、一種の電極分離線の機能をすることができる。前記本体１１３は、絶縁部材と称することもできる。
前記本体１１３は、前記第１フレーム１１１の上に配置される。また、前記本体１１３は、前記第２フレーム１１２の上に配置される。
前記本体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置された傾斜面を提供することができる。前記本体１１３の傾斜面によって、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上にキャビティＣが提供される。
実施例によれば、前記パッケージ本体１１０は、キャビティＣがある構造で提供されてもよく、キャビティＣなしに上面が平坦な構造で提供されてもよい。
例えば、前記本体１１３は、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコーン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、セラミック、PSG(photo sensitive glass)、サファイア(Al２O３)等を含む群から選択される少なくとも１つから形成される。また、前記本体１１３は、TiO２とSiO２のような高屈折フィラーを含むことができる。
実施例によれば、前記発光素子１２０は、第１パッド電極１２１、第２パッド電極１２２、半導体構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
前記発光素子１２０は、図３５に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記半導体構造物１２３を含むことができる。前記半導体構造物１２３と前記本体１１３との間に前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２が配置される。
前記半導体構造物１２３は、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に配置された活性層を含むことができる。前記第１パッド電極１２１は、前記第１導電型半導体層と電気的に連結される。また、前記第２パッド電極１２２は、前記第２導電型半導体層と電気的に連結される。
前記発光素子１２０は、前記パッケージ本体１１０の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記パッケージ本体１１０によって提供される前記キャビティＣ内に配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２は、前記発光素子１２０の下部面で相互離隔して配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記第１フレーム１１１の上に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記第２フレーム１１２の上に配置される。
前記第１パッド電極１２１は、前記半導体構造物１２３と前記第１フレーム１１１との間に配置される。前記第２パッド電極１２２は、前記半導体構造物１２３と前記第２フレーム１１２との間に配置される。
一方、実施例に係る発光素子パッケージ２００は、図３５に示されたように、第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２を含むことができる。前記第１フレーム１１１は、前記第１開口部ＴＨ１を含むことができる。前記第２フレーム１１２は、前記第２開口部ＴＨ２を含むことができる。
前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１に提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１を貫通して提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１と重なって提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第１パッド電極１２１と重なって提供される。
前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２に提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２を貫通して提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２と重なって提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第２パッド電極１２２と重なって提供される。
前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、相互離隔して配置される。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の下部面の下で相互離隔して配置される。
実施例によれば、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１パッド電極１２１の幅より大きく提供される。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２パッド電極１２２の幅より大きく提供される。
実施例に係る発光素子パッケージ２００は、図３５に示されたように、第１導電体２２１と第２導電体２２２を含むことができる。また、実施例に係る発光素子パッケージ２００は、第１導電層３２１と第２導電層３２２を含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置される。
前記第１導電体２２１は、前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１導電体２２１は、前記第１パッド電極１２１に電気的に連結される。前記第１導電体２２１は、前記第１パッド電極１２１と前記第１方向に重なって配置される。
前記第１導電体２２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供される。前記第１導電体２２１は、前記第１パッド電極１２１と前記第１導電層３２１との間に配置される。前記第１導電体２２１は、前記第１パッド電極１２１及び前記第１導電層３２１と電気的に連結される。
前記第１導電体２２１の下面は、前記第１開口部ＴＨ１の上面より低く配置される。前記第１導電体２２１の下面は、前記第１導電層３２１の上面より低く配置される。
前記第１導電体２２１は、前記第１開口部ＴＨ１の上に配置される。また、前記第１導電体２２１は、前記第１パッド電極１２１から前記第１開口部ＴＨ１の内部まで延長されて配置される。
また、前記第２導電体２２２は、前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２導電体２２２は、前記第２パッド電極１２２に電気的に連結される。前記第２導電体２２２は、前記第２パッド電極１２２と前記第１方向に重なって配置される。
前記第２導電体２２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供される。前記第２導電体２２２は、前記第２パッド電極１２２と前記第２導電層３２２との間に配置される。前記第２導電体２２２は、前記第２パッド電極１２２及び前記第２導電層３２２と電気的に連結される。
前記第２導電体２２２の下面は、前記第２開口部ＴＨ２の上面より低く配置される。前記第２導電体２２２の下面は、前記第２導電層３２２の上面より低く配置される。
前記第２導電体２２２は、前記第２開口部ＴＨ２の上に配置される。また、前記第２導電体２２２は、前記第２パッド電極１２２から前記第２開口部ＴＨ２の内部まで延長されて配置される。
実施例によれば、前記第１導電体２２１の下面及び側面に前記第１導電層３２１が配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１導電体２２１の下面及び側面に直接接触して配置される。
前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１パッド電極１２１の幅より大きく提供される。
このように実施例に係る発光素子パッケージ２００によれば、前記第１導電体２２１によって前記第１導電層３２１と前記第１パッド電極１２１間に電気的結合がさらに安定的に提供される。
また、実施例によれば、前記第２導電体２２２の下面及び側面に前記第２導電層３２２が配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２導電体２２２の下面及び側面に直接接触して配置される。
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２パッド電極１２２の幅より大きく提供される。
このように実施例に係る発光素子パッケージ２００によれば、前記第２導電体２２２によって前記第２導電層３２２と前記第２パッド電極１２２の間に電気的結合がさらに安定的に提供される。
例えば、前記第１及び第２導電体２２１、２２２は、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２に、それぞれ別途のボンディング物質を介して安定的にボンディングされる。また、前記第１及び第２導電体２２１、２２２の側面及び下面が前記第１及び第２導電層３２１、３２２にそれぞれ接触する。よって、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の下面にそれぞれ直接接触する場合より、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記第１及び第２導電体２２１、２２２とそれぞれ接触する面積が大きくなる。これによって、前記第１及び第２導電体２２１、２２２を介して前記第１及び第２導電層３２１、３２２から前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２に電源がそれぞれ安定的に供給される。
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される１つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。
例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。
また、前記第１及び第２導電体２２１、２２２は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される１つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第１及び第２導電体２２１、２２２に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、接着剤１３０を含むことができる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記本体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置される。
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図３５に示されたように、リセスＲを含むことができる。
前記リセスＲは、前記本体１１３に提供される。前記リセスＲは、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間に提供される。前記リセスＲは、前記本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０と前記第１方向に重なって提供される。
例えば、前記接着剤１３０は、前記リセスＲに配置される。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間に配置される。前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２との間に配置される。例えば、前記接着剤１３０は、前記第１パッド電極１２１の側面と前記第２パッド電極１２２の側面に接触して配置される。
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例えば前記本体１１３の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下部面に直接接触して配置される。
例えば、前記接着剤１３０は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、例えば、前記接着剤１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤はホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤１３０は、別の表現として第１樹脂と称することもできる。
前記接着剤１３０は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子１２０の下面に光が放出される場合、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記接着剤１３０は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ１００の光抽出効率を改善することができる。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記接着剤１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤１３０は、TiO２、シリコーン等を含む物質から構成される。
実施例によれば、前記リセスＲの深さＴ１は、前記第１開口部ＴＨ１の深さＴ２または前記第２開口部ＴＨ２の深さＴ２より小さく提供される。
前記リセスＲの深さＴ１は、前記接着剤１３０の接着力を考慮して決定される。また、前記リセスＲが深さＴ１は、前記本体１１３の安定した強度を考慮したり、及び/又は、前記発光素子１２０から放出される熱によって前記発光素子パッケージ１００にクラック(crack)が発生しないように決定される。
前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。ここで、前記アンダーフィル(under fill)工程は、発光素子１２０をパッケージ本体１１０に実装した後前記接着剤１３０を前記発光素子１２０の下部に配置する工程であるか、前記発光素子１２０をパッケージ本体１１０に実装する工程で、前記接着剤１３０を介して実装するために前記接着剤１３０を前記リセスＲに配置した後前記発光素子１２０を配置する工程である。
前記リセスＲの深さＴ１と幅Ｗ４は、前記接着剤１３０の形成位置及び固定力に影響を及ぼすことがある。前記リセスＲの深さＴ１と幅Ｗ４は、前記本体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される前記接着剤１３０によって充分な固定力が提供されるように決定される。
例えば、前記リセスＲの深さＴ１は、数十μmに提供される。前記リセスＲの深さＴ１は、４０μm～６０μmに提供される。
また、前記リセスＲの幅Ｗ４は、数十μm～数百μmに提供される。ここで、前記リセスＲの幅Ｗ４は、前記発光素子１２０の長軸方向に提供される。
前記リセスＲの幅Ｗ４は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２との間の間隔より狭く提供される。前記リセスＲの幅Ｗ４は、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の幅または直径より数百μm大きく提供されてもよい。例えば、前記リセスＲの幅Ｗ４は３００μm～４００μmに提供される。
前記第１開口部ＴＨ１の深さＴ２は、前記第１フレーム１１１の厚さに対応して提供される。前記第１開口部ＴＨ１の深さＴ２は、前記第１フレーム１１１の安定した強度を維持できる厚さで提供される。
前記第２開口部ＴＨ２の深さＴ２は、前記第２フレーム１１２の厚さに対応して提供される。前記第２開口部ＴＨ２の深さＴ２は、前記第２フレーム１１２の安定した強度を維持できる厚さで提供される。
前記第１開口部ＴＨ１の深さＴ２及び前記第２開口部ＴＨ２の深さＴ２は、前記本体１１３の厚さに対応して提供される。前記第１開口部ＴＨ１の深さＴ２及び前記第２開口部ＴＨ２の深さＴ２は、前記本体１１３の安定した強度を維持できる厚さで提供される。
例えば、前記第１開口部ＴＨ１の深さＴ２は、数百μmに提供される。前記第１開口部ＴＨ１の深さＴ２は１８０μm～２２０μmに提供される。例えば、前記第１開口部ＴＨ１の深さＴ２は２００μmに提供される。
例えば、前記Ｔ２‐Ｔ１の厚さは、少なくとも１００μm以上に選択される。これは、前記本体１１３のクラックフリー(crack free)を提供できる射出工程の厚さが考慮されたものである。
実施例によれば、Ｔ１厚さとＴ２厚さの比(Ｔ２/Ｔ１)は、２～１０に提供される。例えば、Ｔ２の厚さが２００μmに提供される場合、Ｔ１の厚さは２０μm～１００μmに提供される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に設定される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
また、実施例に係る発光素子パッケージによれば、前記第１導電体２２１及び第２導電体２２２が安定的に配置されるように前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
実施例によれば、前記接着剤１３０が前記発光素子１２０と前記第１方向を基準に重なる面積は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２と前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２が重なる領域の面積より大きく提供される。
このように、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積が小さく提供されることで、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子１２０の下には反射特性が優れる前記接着剤１３０が提供される。よって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記接着剤１３０に反射されて発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。
また、実施例に係る発光素子パッケージ２００は、図３５に示されたように、モールディング部１４０を含むことができる。
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供される。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２の上に配置される。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ本体１１０によって提供されるキャビティＣに配置される。
前記モールディング部１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０から放出される光が入射され、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例えば、前記モールディング部１４０は、蛍光体、量子ドット等を含む群から選択される少なくとも１つを含むことができる。
また、実施例に係る発光素子パッケージ２００は、図３５に示されたように、第１下部リセスＲ１０と第２下部リセスＲ２０を含むことができる。前記第１下部リセスＲ１０と前記第２下部リセスＲ２０は、相互離隔して配置される。
前記第１下部リセスＲ１０は、前記第１フレーム１１１の下面に提供される。前記第１下部リセスＲ１０は、前記第１フレーム１１１の下面から上面方向に凹むように提供される。前記第１下部リセスＲ１０は、前記第１開口部ＴＨ１から離隔して配置される。
前記第１下部リセスＲ１０は、数μm～数十μmの幅で提供される。前記第１下部リセスＲ１０に樹脂部が提供される。前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部は、例えば前記本体１１３と同一物質から提供される。
ただし、これに限定されるものではなく、前記樹脂部は、前記第１及び第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性がよくない物質から選択されて提供される。または、前記樹脂部は、前記第１及び第２導電層３２１、３２２との表面張力が低い物質から選択されて提供される。
例えば、前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部は、前記第１フレーム１１１、前記第２フレーム１１２、前記本体１１３が射出工程等によって形成される過程で提供される。
前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部は、前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域の周囲に配置される。前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域は一種の島(island)形状に周囲の前記第１フレーム１１１をなす下面から分離して配置される。
よって、前記樹脂部が前記第１及び第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性がよくない物質または前記樹脂部と前記第１及び第２導電層３２１、３２２との間の表面張力が低い物質で配置される場合、前記第１開口部ＴＨ１に提供される前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１から外れ、前記第１下部リセスＲ１０に満たされる樹脂部または前記本体１１３を越えて拡散することが防止される。
これは、前記第１導電層３２１と前記樹脂部及び前記本体１１３の接着関係または前記樹脂部と前記第１及び第２導電層３２１、３２２の間の濡れ性、表面張力等がよくない点を利用したものである。即ち、前記第１導電層３２１をなす物質が前記第１フレーム１１１とよい接着特性を有するように選択される。そして、前記第１導電層３２１をなす物質が前記樹脂部及び前記本体１１３とよくない接着特性を有するように選択される。
これによって、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１から前記樹脂部または前記本体１１３が提供される領域方向に溢れて、前記樹脂部または前記本体１１３が提供される領域外部に溢れたり拡散することが防止され、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１が提供される領域に安定的に配置される。よって、前記第１開口部ＴＨ１に配置される第１導電層３２１が溢れる場合、前記樹脂部または前記本体１１３が提供される第１下部リセスＲ１０の外側領域に前記第１導電層３２１が拡張することを防止することができる。また、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１内で前記第１パッド電極１２１の下面に安定的に連結される。
よって、前記発光素子パッケージが回路基板に実装される場合、第１導電層３２１と第２導電層３２２が相互接触して短絡する問題を防止することができ、前記第１及び第２導電層３２１、３２２を配置する工程において、前記第１及び第２導電層３２１、３２２の量を制御し易くなる。
また、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１から前記第１下部リセスＲ１０に延長されて配置される。よって、前記第１下部リセスＲ１０内には、前記第１導電層３２１及び/または前記樹脂部が配置される。
また、前記第２下部リセスＲ２０は、前記第２フレーム１１２の下面に提供される。前記第２下部リセスＲ２０は、前記第２フレーム１１２の下面から上面方向に凹むように提供される。前記第２下部リセスＲ２０は、前記第２開口部ＴＨ２から離隔して配置される。
前記第２下部リセスＲ２０は、数μm～数十μmの幅で提供される。前記第２下部リセスＲ２０に樹脂部が提供される。前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部は、例えば前記本体１１３と同一物質から提供される。
ただし、これに限定されるものではなく、前記樹脂部は、前記第１及び第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性がよくない物質から選択されて提供される。または、前記樹脂部は、前記第１及び第２導電層３２１、３２２との表面張力が低い物質から選択されて提供される。
例えば、前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部は、前記第１フレーム１１１、前記第２フレーム１１２、前記本体１１３が射出工程等によって形成される過程で提供される。
前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部は、前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域の周囲に配置される。前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域は一種の島(island)形状に周囲の前記第２フレーム１１２をなす下面から分離して配置される。
よって、前記樹脂部が前記第１及び第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性がよくない物質または前記樹脂部と前記第１及び第２導電層３２１、３２２との間の表面張力が低い物質で配置される場合、前記第２開口部ＴＨ２に提供される前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２から外れ、前記第２下部リセスＲ２０に満たされる樹脂部または前記本体１１３を越えて拡散することが防止される。
これは、前記第２導電層３２２と前記樹脂部及び前記本体１１３の接着関係または前記樹脂部と前記第１及び第２導電層３２１、３２２の間の濡れ性、表面張力等がよくない点を利用したものである。即ち、前記第２導電層３２２をなす物質が前記第２フレーム１１２とよい接着特性を有するように選択される。そして、前記第２導電層３２２をなす物質が前記樹脂部及び前記本体１１３とよくない接着特性を有するように選択される。
これによって、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２から前記樹脂部または前記本体１１３が提供される領域方向に溢れて、前記樹脂部または前記本体１１３が提供される領域外部に溢れたり拡散することが防止され、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２が提供される領域に安定的に配置される。よって、前記第２開口部ＴＨ２に配置される第２導電層３２２が溢れる場合、前記樹脂部または前記本体１１３が提供される第２下部リセスＲ２０の外側領域に前記第２導電層３２２が拡張することを防止することができる。また、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２内で前記第２パッド電極１２２の下面に安定的に連結される。
よって、前記発光素子パッケージが回路基板に実装される場合、第１導電層３２１と第２導電層３２２が相互接触して短絡する問題を防止することができ、前記第１及び第２導電層３２１、３２２を配置する工程において、前記第１及び第２導電層３２１、３２２の量を制御し易くなる。
また、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２から前記第２下部リセスＲ２０に延長されて配置される。よって、前記第２下部リセスＲ２０内には、前記第２導電層３２１及び/または前記樹脂部が配置される。
また、実施例に係る発光素子パッケージ２００は、図３５に示されたように樹脂部１３５を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１フレーム１１１と前記発光素子１２０との間に配置される。前記樹脂部１３５は、前記第２フレーム１１２と前記発光素子１２０との間に配置される。前記樹脂部１３５は、前記パッケージ本体１１０に提供されるキャビティＣの底面に提供される。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１の側面に配置される。前記樹脂部１３５は、前記第２パッド電極１２２の側面に配置される。前記樹脂部１３５は、前記半導体構造物１２３の下に配置される。
例えば、前記樹脂部１３５は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から放出される光を反射する反射部となることができ、例えばTiO２等の反射物質を含む樹脂からなることができ、またはホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
前記樹脂部１３５は、前記第１パッド電極１２１と前記第２パッド電極１２２の周囲を密封することができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が前記第１開口部ＴＨ１領域と前記第２開口部ＴＨ２領域を外れて前記発光素子１２０の外側面方向に拡散して移動することを防止することができる。前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側面方向に拡散して移動する場合、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の活性層と接して短絡による不良を誘発することがある。よって、前記樹脂部１３５が配置される場合、前記第１及び第２導電層３２１、３２２と活性層による短絡を防止することができ、実施例に係る発光素子パッケージの信頼性を向上させることができる。
また、実施例によれば、前記発光素子１２０の下面と周りに保護層が提供されてもよい。このような場合、前記活性層の表面に絶縁性の保護層が提供されるので、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側面方向に拡散して移動する場合にも、前記発光素子１２０の活性層に前記第１及び第２導電層３２１、３２２が電気的に連結されることを防止することができる。
一方、前記発光素子１２０の下面及び周りに絶縁性の保護層が配置される場合にも、前記発光素子１２０の上部の側面または、前記基板１２４の周りには、絶縁性保護層が配置されない場合もある。このとき、前記基板１２４が伝導性物質から提供される場合、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の上部の側面または、前記基板１２４に接することになると、短絡による不良が発生することがある。よって、前記樹脂部１３５が配置される場合、前記第１及び第２導電層３２１、３２２と前記発光素子１２０の上部の側面または、前記基板１２４による短絡を防止することができ、実施例に係る発光素子パッケージの信頼性を向上させることができる。
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ本体１１０の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
一方、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部１３５が別途に提供されず、前記モールディング部１４０が前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２に直接接触するように配置されてもよい。
また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部１３５が別途に提供されず、前記接着剤１３０が前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の周りに配置されてもよい。
このとき、前記接着剤１３０は第１樹脂と称することもでき、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２は第１及び第２ボンディング部とそれぞれ称することもできる。
一方、前記接着剤１３０は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域に配置されてもよい。前記発光素子１２０が前記パッケージ本体１１０の上に提供される過程で、前記接着剤１３０の一部が前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２領域に移動することがある。前記接着剤１３０の一部は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の内部で、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の側面領域に配置される。前記接着剤１３０の一部は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の内部で、前記第１及び第２導電層３２１、３２２の上に配置されてもよい。また、前記接着剤１３０の一部は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の内部で、前記第１及び第２導電体２２１、２２２側面に配置されてもよい。
前記接着剤１３０は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域を密封することができ、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２を介して湿気または異物質が外部から前記発光素子１２０が配置された領域に流入することを防止することができる。
また、前記発光素子１２０と前記パッケージ本体１１０との間に前記接着剤１３０が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体１１０の上面に前記リセスＲが提供されなくてもよい。
実施例に係る発光素子パッケージ２００は、前記第１開口部ＴＨ１領域を介して前記第１パッド電極１２１に電源が連結され、前記第２開口部ＴＨ２領域を介して前記第２パッド電極１２２に電源が連結される。
これによって、前記第１パッド電極１２１及び前記第２パッド電極１２２を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子１２０が駆動される。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ本体１１０の上部方向に提供される。
一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージ２００は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。
ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。
しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第１パッド電極と第２パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。
よって、実施例に係る発光素子パッケージ２００は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。
また、実施例に係る発光素子パッケージ２００及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体１１０が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
これによって、本体１１３を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体１１３は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。
例えば、前記本体１１３は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも１つの物質を含むことができる。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に設定される。
また、実施例によれば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
また、実施例に係る発光素子パッケージによれば、前記第１導電体２２１及び第２導電体２２２が安定的に配置されるように前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
実施例によれば、前記接着剤１３０が前記発光素子１２０と前記第１方向を基準に重なる面積は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２と前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２が重なる領域の面積より大きく提供される。
このように、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の面積が小さく提供されることで、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子１２０の下には反射特性が優れる前記接着剤１３０が提供される。よって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記接着剤１３０に反射されて発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。
一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージは、光源装置に適用することができる。
また、光源装置は、産業分野によって、表示装置、照明装置、ヘッドランプ等を含むことができる。
光源装置の例として、表示装置は、ボトムカバーと、ボトムカバーの上に配置される反射板と、光を放出し発光素子を含む発光モジュールと、反射板の前方に配置され、発光モジュールから発される光を前方に案内する導光板と、導光板の前方に配置されるプリズムシートを含む光学シートと、光学シートの前方に配置されるディスプレイパネルと、ディスプレイパネルと連結され、ディスプレイパネルに画像信号を供給する画像信号出力回路と、ディスプレイパネルの前方に配置されるカラーフィルターを含むことができる。ここで、ボトムカバー、反射板、発光モジュール、導光板及び光学シートは、バックライトユニット(Backlight Unit)を構成することができる。また、表示装置は、カラーフィルターを含まず、赤色(Red)、緑色(Gren)、青色(Blue)の光を放出する発光素子がそれぞれ配置される構造を有することもできる。
光源装置の別の例として、ヘッドランプは、基板の上に配置される発光素子パッケージを含む発光モジュール、発光モジュールから照射される光を一定方向、例えば前方に反射させるリフレクター(reflector)、リフレクターによって反射される光を前方に屈折させるレンズ、及びリフレクターによって反射されてレンズに向かう光の一部分を遮断または反射して、設計者が所望する配光パターンをなすようにするシェード(shade)を含むことができる。
光源装置の別の例である照明装置は、カバー、光源モジュール、放熱体、電源提供部、内部ケース、ソケットを含むことができる。また、実施例に係る光源装置は、部材とホルダーのうちいずれか１つ以上をさらに含むことができる。前記光源モジュールは、実施例に係る発光素子パッケージを含むことができる。
一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージは、多様な変形例を含むことができる。
以下、図面を参照して実施例に係る発光素子パッケージの変形例を説明する。各変形例は、以上で説明した発光素子パッケージの実施例にそれぞれ適用することができる。また、以下で説明される各変形例は、相互衝突しない範囲内で複数の変形例を組合せて適用してもよい。
まず、図３６を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明する。図３６を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、以上で説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。
実施例に係る発光素子パッケージは、本体１１３と発光素子１２０を含むことができる。前記本体１１３は、第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２を含むことができる。前記発光素子１２０は、第１及び第２パッド電極１２１、１２２を含むことができる。
前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２は、前記発光素子１２０の第１及び第２半導体層にそれぞれ電気的に連結され、それぞれ第１及び第２ボンディング部と称することもできる。
前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２は、それぞれ突出部１２１ａ、１２２ａを含むことができる。例えば、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２内で下部方向に延長されて突出した突出部１２１ａ、１２２ａをそれぞれ含むことができる。前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の突出部１２１ａ、１２２ａは、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２内にそれぞれ配置される。
前記第１パッド電極１２１の突出部１２１ａの下面は、前記第１開口部ＴＨ１の上面より低く配置される。前記第２パッド電極１２２の突出部１２２ａの下面は、前記第２開口部ＴＨ２の上面より低く配置される。
前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の突出部１２１ａ、１２２ａは、例えば円柱形状または多角柱形状に提供される。前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の形状は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域の形状に対応して選択される。前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の突出部１２１ａ、１２２ａの幅または直径は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域の幅または直径より小さく提供される。
実施例に係る発光素子パッケージは、第１及び第２導電層３２１、３２２を含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置される。前記第１及び第２導電層３２１、３２２は、前記本体１１３の下面で相互離隔して配置される。
前記第１導電層３２１の上面の第１領域は、前記第１開口部ＴＨ１の下に配置される。前記第１導電層３２１の上面の前記第１領域は、前記第１開口部ＴＨ１と垂直方向に重なって配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の下に配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッド電極１２１の突出部１２１ａ周りに配置される。
また、前記第１導電層３２１の上面の第２領域は、前記本体１１３の下面の下に配置される。前記第１導電層３２１の上面の第２領域は、前記本体１１３の下面と垂直方向に重なって配置される。例えば、前記第１導電層３２１の上面は、前記本体１１３の下面に接着性樹脂を介して結合されてもよい。
前記第２導電層３２２の上面の第１領域は、前記第２開口部ＴＨ２の下に配置される。前記第２導電層３２２の上面の前記第１領域は、前記第２開口部ＴＨ２と垂直方向に重なって配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の下に配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２パッド電極１２２の突出部１２２ａ周りに配置される。
また、前記第２導電層３２２の上面の第２領域は、前記本体１１３の下面の下に配置される。前記第２導電層３２２の上面の第２領域は、前記本体１１３の下面と垂直方向に重なって配置される。例えば、前記第２導電層３２２の上面は、前記本体１１３の下面に接着性樹脂を介して結合されてもよい。
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される１つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。
例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。
また、前記第１及び第２導電層３２１、３２２は、前記本体１１３の側壁の終端まで延長されて配置される。
前記第１及び第２導電層３２１、３２２は一種のリードフレームの機能を提供することができる。前記第１及び第２導電層３２１、３２２は、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２とそれぞれ電気的に連結される。
そして、実施例に係る発光素子パッケージは、接着剤１３０を含むことができる。前記接着剤は、上述したように第１樹脂と称することができる。
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例えば前記本体１１３の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下部面に直接接触して配置される。
例えば、前記接着剤１３０は、前記第１及び第２パッド電極１２１、１２２の周り及び前記発光素子１２０の下部に移動して配置される。また、前記接着剤１３０は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２内部に移動して配置されてもよい。
前記接着剤１３０は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域を密封することができ、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２を介して湿気または異物質が外部から前記発光素子１２０が配置された領域に流入することを防止することができる。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間の固定力を向上させることができる。
また、前記発光素子１２０と前記本体１１３との間に前記接着剤１３０が提供される空間を充分確保できる場合、前記本体１１３の上面にリセスが提供されなくてもよい。
実施例に係る発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。このとき、前記第１及び第２導電層３２１、３２２はサブマウントまたは回路基板等に提供される第１及び第２パッド部とそれぞれ電気的に連結される。
実施例に係る発光素子パッケージは、前記第１開口部ＴＨ１領域を介して前記第１パッド電極１２１に電源が連結され、前記第２開口部ＴＨ２領域を介して前記第２パッド電極１２２に電源が連結される。
これによって、前記第１パッド電極１２１及び前記第２パッド電極１２２を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子１２０が駆動される。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記本体１１３の上部方向に提供される。
ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。
しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第１パッド電極と第２パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。
よって、実施例に係る発光素子パッケージは、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。
また、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程で本体１１３が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、本体１１３が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
これによって、本体１１３を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体１１３は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。
例えば、前記本体１１３は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも１つの物質を含むことができる。
一方、以上の説明では、前記本体１１３がキャビティＣを含む場合を基準に説明した。前記キャビティＣに前記発光素子１２０が配置される。しかし、別の実施例によれば、図３７に示されたように、前記本体１１３はキャビティを含まない形態で提供されてもよい。例えば、前記本体１１３はキャビティを含まず、上面が平坦な形状で提供されてもよい。
前記本体１１３の側面と前記第１導電層３２１の側面は、同一平面に提供される。また、前記本体１１３の他側面と前記第２導電層３２２の側面は、同一平面に提供される。
また、以上の説明では、前記本体１１３の下面に配置された前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記本体１１３の側面まで延長されて配置される場合を基準に説明した。しかし、前記本体１１３の下面に配置された前記第１及び第２導電層３２１、３２２は、前記本体１１３の側面まで延長されず、前記本体１１３の下面一部領域にのみ配置されてもよく、前記キャビティＣと垂直方向に重なって配置されてもよい。
一方、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の側面にも配置される。これは、前記発光素子１２０の表面に提供されるＯＨ-によって前記接着剤１３０が前記発光素子１２０の側面に沿ってのぼることがあるからである。このとき、前記発光素子１２０の側面に提供される前記接着剤１３０の厚さが厚過ぎると光度Ｐｏが低くなるので、適切な厚さの制御が必要である。また、前記接着剤１３０が前記発光素子１２０の側面に配置されるので、二重保護膜構造で提供されて耐湿性が向上し、その他汚染物質から前記発光素子１２０を保護できる利点がある。
また、前記接着剤１３０が前記発光素子１２０の下部及び周りに提供されることで、例えば前記接着剤１３０が遠心分離工法等によって提供されてもよい。前記接着剤１３０が前記本体１１３に塗布され、遠心分離工法によって前記接着剤１３０が前記発光素子１２０の下部及び周り領域に拡散して提供される。このように、遠心分離工法等が適用される場合、前記接着剤１３０に含まれた反射物質が下部領域に沈降する。これによって、前記発光素子１２０の活性層の側面には一種のクリアモールディング部のみが配置され、反射物質は前記発光素子１２０の活性層より低い領域に配置されるので、光度Ｐｏをより向上させることができる。
また、別の実施例によれば、前記接着剤１３０と前記前記本体１１３が同一物質を含むこともできる。
そして、実施例によれば、前記本体１１３、前記接着剤１３０、前記発光素子１２０の間のCTE(Coefficient of Thermal Expansion)マッチングを考慮して前記接着剤１３０の物性を選択することで、熱衝撃によるクラック(crack)や剥離が発生する問題を改善することができる。
以上の実施例で説明された特徴、構造、効果等は少なくとも１つの実施例に含まれ、必ず１つの実施例のみに限定されるものではない。さらに、各実施例で例示された特徴、構造、効果等は、実施例が属する分野で通常の知識を有する者によって別の実施例に組合せまたは変形して実施可能である。従って、そのような組合せと変形に係る内容は、実施例の範囲に含まれると解釈されるべきである。
以上、実施例を中心に説明したが、これは単なる例示にすぎず、実施例を限定するものではなく、実施例が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上に例示されていない多様な変形と応用が可能であろう。例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は変形して実施可能であり、そしてそのような変形と応用に係る差異点は、添付された特許請求の範囲で設定する実施例の範囲に含まれると解釈されるべきである。
１１０ パッケージ本体、１１１ 第１フレーム、１１２ 第２フレーム、１１３ 本体、１２０ 発光素子、１２１ 第１パッド電極、１２２ 第２パッド電極、１２３ 半導体構造物、１２５ 第１分岐電極、１２６ 第２分岐電極、１２７ 第１電極、１２８ 第２電極、１３０ 接着剤、１３５ 樹脂部、１４０ モールディング部、２２１ 第１導電体、２２２ 第２導電体、３１０ 回路基板、３１１ 第１パッド、３１２ 第２パッド、３１３ 基板、３２１ 第１導電層、３２１ａ 第１上部導電層、３２１ｂ 第１下部導電層、３２２ 第２導電層、３２２ａ 第２上部導電層、３２２ｂ 第２下部導電層、Ｒ リセス、ＴＨ１ 第１開口部、ＴＨ２ 第２開口部。
Claims (19)
- 上面と下面とを貫通した第１開口部を含む第１フレームと、
上面と下面とを貫通した第２開口部を含む第２フレームと、
前記第１フレームと前記第２フレームとは、相互離隔して配置され、
前記第１フレームと前記第２フレームとの間、かつ前記第１フレームと前記第２フレームの上に配置される本体と、
前記本体の上に配置され、第１ボンディング部と第２ボンディング部とを含む発光素子と、
前記第１ボンディング部と前記第２ボンディング部とそれぞれ電気的に連結された第１及び第２導電層と、
前記第１フレームの上面、かつ前記第１ボンディング部に隣接するように設置され、前記第１フレームの上面から下面に凹むように設置される第１上部リセスと、
前記第１上部リセスに設置され、前記第１ボンディング部に延長される第１樹脂と、
を含み、
前記第１ボンディング部と前記第２ボンディング部とは、前記発光素子の下面に配置され、前記第１ボンディング部と前記第１開口部とは、前記第１フレームの上面から下面に向かう第一方向に重なって配置され、前記第２ボンディング部と前記第２開口部とは、前記第一方向に重なって配置され、前記第１ボンディング部の底面が前記第１フレームの上面より低く配置され、前記第２ボンディング部の底面が前記第２フレームの上面より低く配置され、
前記第１ボンディング部は、前記第１フレームの前記下面に向かう方向に延長され、前記第２ボンディング部は、前記第２フレームの前記下面に向かう方向に延長され、
前記第１ボンディング部の下面は、前記第１フレームの前記第１開口部の上面より低く、かつ前記第１開口部内に設置され、前記第２ボンディング部の下面は、前記第２フレームの前記第２開口部の上面より低く、かつ前記第２開口部内に設置され、
前記第１導電層は、前記第１ボンディング部の前記下面と直接接触して配置され、前記第１ボンディング部と電気的に連結され、前記第２導電層は、前記第２ボンディング部の前記下面と直接接触して配置され、前記第２ボンディング部と電気的に連結される、発光素子パッケージ。 - 前記本体と前記発光素子との間に配置された第２樹脂をさらに含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第１ボンディング部は、前記第１フレームの前記下面に向かう方向に延長されて突出した突出部を含み、前記第２ボンディング部は、前記第２フレームの前記下面に向かう方向に延長されて突出した突出部を含む、請求項１または２に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第１ボンディング部の前記突出部は、前記第１開口部内に配置され、前記第２ボンディング部の前記突出部は、前記第２開口部内に配置される、請求項３に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第１ボンディング部の前記突出部は、円柱形状または多角柱形状に設置される、請求項３または４に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第１ボンディング部の形状は、前記第１開口部の上部領域の形状に対応され、前記第２ボンディング部の形状は、前記第２開口部の上部領域の形状に対応される、請求項１から５のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第１導電層と前記第２導電層は、前記本体の下面で相互離隔して配置される、請求項１から６のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第１ボンディング部と前記第２ボンディング部との前記突出部の幅は、それぞれ前記第１及び第２開口部の上部領域の幅より小さい、請求項３から５のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第１導電層の上面の第１領域は、前記第１開口部の下に配置され、
前記第１導電層の前記上面の第２領域は、前記本体の下面の下に配置される、請求項１から８のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。 - 前記第１導電層の前記上面の前記第１領域は、前記第１開口部と前記第一方向に重なって配置される、請求項９に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第１導電層の前記上面の前記第２領域は、前記本体の前記下面と前記第一方向に重なって配置される、請求項９または１０に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第１導電層の一部領域は、前記第１ボンディング部の前記突出部の周りに配置される、請求項３から５のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第１ボンディング部と前記第２ボンディング部とは、Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag alloy、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITOを含む群から選択される少なくとも１ つの物質またはその合金を含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第１及び第２導電層は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu、SAC(Sn-Ag-Cu)を含む群から選択される少なくとも１つの物質またはその合金を含む、請求項１から１３のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第１または前記第２樹脂は、ホワイトシリコーンを含む、請求項２に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第２樹脂は、前記本体の前記上面と前記発光素子の下面に直接接触して設置される、請求項２または１５に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第２樹脂は、前記第１ボンディング部と前記第２ボンディング部との側面と接触して設置される、請求項２、１５、１６のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- 前記本体の側面と前記第１導電層の側面は、同一平面に設置される、請求項１から１７のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- 前記本体の前記上面は、全体領域で平坦な形状になる、請求項１から１８のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
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