TW201909449A - 發光裝置封裝 - Google Patents
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Abstract
根據一實施例之一種發光裝置封裝包括：一主體，其包括穿過該主體之一上表面及該主體之一下表面的第一及第二開口；一發光裝置，其安置於該主體上且包括第一及第二接合部分；以及第一及第二導電層，其安置於該主體下且分別電連接至該第一接合部分及該第二接合部分，其中該第一接合部分及該第二接合部分中之每一者包括分別在該第一開口及該第二開口內在一向下方向上突出且延伸的一突出部分。
Description
實施例涉及一種半導體裝置封裝，一種半導體裝置封裝之製造方法及一種光源設備。
包括諸如GaN及AlGaN之化合物的半導體裝置具有許多價值，諸如寬且易於調整之帶隙能量，因此裝置可不同地用作發光裝置、光接收裝置及各種二極體。
特定言之，由於薄膜生長技術之發展及裝置材料，藉由使用III-V族或II-VI族化合物半導體物質獲得的諸如發光二極體及雷射二極體之發光裝置可實施具有各種波長帶之光，諸如紅色、綠色、藍色及紫外線。另外，藉由使用III-V族或II-VI族化合物半導體物質獲得的諸如發光二極體及雷射二極體之發光裝置可藉由使用螢光物質或組合色彩而實施具有高效率之白光源。相比於諸如螢光燈及白熾燈之習知光源，此發光裝置具有諸如低功率消耗、半永久壽命、快速回應速度、安全性及環境友好性之優勢。
另外，在使用III-V族或II-VI族化合物半導體物質製造諸如光偵測器或太陽能電池之光接收裝置時，隨著裝置材料之發展，藉由吸收具有各種波長域之光生成了光電流，從而使得可使用具有各種波長域之光，諸如自伽馬射線至無線電波。另外，上文之光接收裝置具有諸如快速回應速度、安全性、環境友好性及易於控制裝置材料之優勢，從而使得光接收裝置可易於用於功率控制件、超高頻電路或通信模組。
因此，半導體裝置已被應用且擴展至光學通信工具之傳輸模組、替換構成液晶顯示器(LCD)之背光的冷陰極螢光燈(CCFL)的發光二極體背光、可替換螢光燈或白熾燈泡的發白光二極體照明設備、車輛前燈、信號 燈及用於偵測氣體或火之感測器。另外，半導體裝置之應用可擴展至高頻應用電路、功率控制設備或通信模組。
舉例而言，發光裝置可提供為具有如下特性之p-n接面二極體：藉由使用元素週期表中之III-V族元素或II-VI族元素將電能轉換成光能，且可藉由調整化合物半導體物質之組成比率來實現各種波長。
舉例而言，由於氮化物半導體具有高熱穩定性及寬帶隙能量，因此其在光學裝置及高功率電子裝置之開發領域中受到極大關注。特定言之，使用氮化物半導體之藍色發光裝置、綠色發光裝置、紫外(UV)發光裝置及紅色發光裝置已被商業化且廣泛使用。
舉例而言，紫外發光裝置是指生成在波長範圍200nm至400nm中分佈之光的發光二極體。在上文波長範圍中，短波長可用於滅菌、淨化或其類似者且長波長可用於步進器、固化設備或其類似者。
紫外線可按長波長之次序分為UV-A(315nm至400nm)、UV-B(280nm至315nm)及UV-C(200nm至280nm)。UV-A(315nm至400nm)域應用於各種領域，諸如工業UV固化、印刷油墨之固化、曝光機器、偽造金錢之鑑別、光催化滅菌、特殊照明(諸如水族箱/農業)，UV-B(280nm至315nm)域應用於醫療用途，且UV-C(200nm至280nm)域應用於空氣淨化、水淨化、滅菌產品等。
同時，由於已要求能夠提供高輸出之半導體裝置，因此已開始研究能夠藉由應用高功率源而增大輸出功率之半導體裝置。
另外，關於半導體裝置封裝，已開始研究改良半導體裝置之光提取效率及改良封裝階段中之光強度的方法。另外，關於半導體裝置封裝，已開始研究改良封裝電極與半導體裝置之間的接合強度之方法。
另外，關於半導體裝置封裝，已開始研究藉由改良製程效率及改變結構來降低製造成本並改良製造良率之方法。
實施例可提供一種能夠改良光提取效率及電特性之半導體裝置封裝，一種該半導體裝置封裝之製造方法，及一種光源設備。
實施例可提供一種能夠降低製造成本並改良製造良率之半 導體裝置封裝，一種該半導體裝置封裝之製造方法，及一種光源設備。
實施例提供一種可防止在將半導體裝置封裝重新接合至基板或其類似者之製程期間在半導體裝置封裝之接合區域中出現重新熔融現象的半導體裝置封裝，及一種半導體裝置封裝製造方法。
根據實施例之發光裝置封裝包含：主體，其包含穿過主體之上表面及主體之下表面的第一及第二開口；發光裝置，其安置於主體上且包含第一及第二接合部分；及第一及第二導電層，其安置於主體下且分別電連接至第一及第二接合部分，其中第一及第二接合部分中之每一者包含分別在第一及第二開口內在向下方向上突出且延伸的突出部分。
根據實施例之發光裝置封裝可進一步包含安置於主體與發光裝置之間的樹脂。
根據實施例，第一及第二接合部分之突出部分可分別安置於第一及第二開口中。
根據實施例，第一接合部分之突出部分的下表面可安置為低於第一開口之上表面。
根據實施例，第一接合部分之突出部分可以圓柱形形狀或多邊形管柱形狀提供。
根據實施例，第一及第二接合部分之形狀可提供為對應於第一及第二開口之上部區域的形狀。
根據實施例，第一導電層及第二導電層可安置成在主體之下表面上彼此間隔開。
根據實施例，第一及第二接合部分之突出部分的寬度可提供為小於第一及第二開口之上部區域的寬度。
根據實施例，第一導電層之上表面的第一區域安置於第一開口下，且第一導電層之上表面的第二區域可安置於主體之下表面下。
根據實施例，第一導電層之上表面的第一區域可安置成在豎直方向上與第一開口重疊。
根據實施例，第一導電層之上表面上的第二區域可安置成在豎直方向上與主體之下表面重疊。
根據實施例，第一導電層的一部分可安置於第一接合部分之突出部分的周邊處。
根據實施例，第一及第二接合部分可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO或其合金。
根據實施例，第一及第二導電層可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Cu、SAC(Sn-Ag-Cu)或其合金。
根據實施例，樹脂可包含白色聚矽氧。
根據實施例，樹脂可提供成與主體之上表面及發光裝置之下表面直接接觸。
根據實施例，樹脂可提供在第一及第二接合部分之周邊處。
根據實施例，主體可進一步包含提供為自主體之上表面朝向其下表面凹入的凹槽，且樹脂可被提供至凹槽。
根據實施例，主體之側表面及第一導電層之側表面可提供在相同平面上。
根據實施例，主體之上表面可提供為在整個區域上呈平坦形狀。
根據實施例之發光裝置封裝包含：主體，其包含穿過主體之上表面及主體之下表面的第一及第二開口；發光裝置，其安置於主體上；及包含反射材料之黏著劑，其中主體包含安置於第一開口與第二開口之間的第一凹槽，且黏著劑安置於第一凹槽中，且其中發光裝置包含：安置於第一開口上之第一電極；安置於第二開口上之第二電極；半導體結構，其包含電連接至第一電極之第一半導體層、電連接至第二電極之第二半導體層及安置於第一與第二半導體層之間的作用層；及安置於半導體結構上之基板，且其中第一電極包含在第一方向上與第一開口重疊之第一接合部分及自第一接合部分延伸之第一分支電極，且第二電極包含在第一方向上與第二開口重疊之第二接合部分，且其中第一方向為自主體之下表面朝向主體之上表面的方向，且基於基板之上表面的面積，第一與第二接合部分之面積的總和 可提供為10%或更小。
根據實施例，黏著劑基於第一方向與發光裝置重疊之面積可提供為大於第一及第二開口與第一及第二接合部分重疊之區域的面積。
根據實施例，黏著劑可安置成與主體之上表面及發光裝置之下表面直接接觸。
根據實施例之發光裝置封裝包含：第一導電層，其提供於第一開口中且安置成與第一接合部分之下表面直接接觸；及第二導電層，其提供於第二開口中且安置成與第二接合部分之下表面直接接觸。
根據實施例，第一導電層包含提供於第一開口之上部區域中的第一上部導電層及提供於第一開口之下部區域中的第一下部導電層，且第一上部導電層及第一下部導電層可包含彼此不同的材料。
根據實施例之發光裝置封裝包含：第一上部凹槽，其提供於主體之上表面上且安置成與第一開口間隔開；及第二上部凹槽，其提供於主體之上表面上且安置成與第二開口間隔開。
根據實施例之發光裝置封裝可包含提供於第一上部凹槽上之第一樹脂部分及提供於第二上部凹槽上之第二樹脂部分，且第一樹脂部分及第二樹脂部分可包含白色聚矽氧。
根據實施例之發光裝置封裝包含：第一下部凹槽，其提供於主體之下表面上且安置成與第一開口間隔開；及第二下部凹槽，其提供於主體之下表面上且安置成與第二開口間隔開。
根據實施例之發光裝置封裝包含提供於第一下部凹槽上之第一樹脂部分及提供於第二下部凹槽上之第二樹脂部分，且第一樹脂部分及第二樹脂部分可包含與主體相同之材料。
根據實施例之發光裝置封裝包含：主體，其包含穿過上表面及下表面之第一及第二開口，及安置於第一與第二開口之間的第一凹槽；安置於第一凹槽上之黏著劑；安置於黏著劑上之發光裝置；及安置於主體與發光裝置之間的第一及第二導體，其中發光裝置包含：安置於第一開口上之第一電極；安置於第二開口上之第二電極；半導體結構，其包含電連接至第一電極之第一導電型半導體層、電連接至第二電極之第二導電型半導體層及 安置於第一導電型半導體層與第二導電型半導體層之間的作用層；及安置於半導體結構上之基板，且其中第一導體可安置成自第一電極至第一開口之內部，且第二導體可安置成自第二電極至第二開口之內部。
根據實施例，第一電極包含在第一方向上與第一開口重疊之第一接合部分及自第一接合部分延伸之第一分支電極，且第二電極包含在第一方向上與第二開口重疊之第二接合部分，且其中第一方向為自主體之下表面朝向主體之上表面的方向，且基於基板之上表面的面積，第一與第二接合部分之面積的總和可提供為10%或更小。
根據實施例之發光裝置封裝包含：主體，其包含穿過上表面及下表面之第一及第二開口；安置於主體上且包含第一電極及第二電極之發光裝置；包含反射材料且安置於主體與發光裝置之間的黏著劑；安置於主體之第一開口處且電連接至發光裝置之第一電極的第一導體；安置於主體之第二開口處且電連接至發光裝置之第二電極的第二導體；安置於第一開口處且電連接至第一導體之第一導電層；及安置於第二開口處且電連接至第二導體之第二導電層，其中發光裝置包含：基板；安置於主體上安置的第一半導體層與第二半導體層之間的作用層，及第一與第二半導體層；安置於第一半導體層上且包含第一襯墊電極及自第一襯墊電極延伸之第一分支電極的第一電極；及安置於第二半導體層上且包含第二襯墊電極之第二電極，且其中主體包含安置於第一開口與第二開口之間的第一凹槽，黏著劑安置於第一凹槽處，第一開口基於自主體之下表面朝向主體之上表面的第一方向與第一襯墊電極重疊，第二開口基於第一方向與第二襯墊電極重疊，第一導電層安置成與第一導體之下表面及側表面直接接觸，第二導電層可安置成與第二導體之下表面及側表面直接接觸。
根據實施例，基於基板之上表面的面積，第一與第二襯墊電極之面積的總和可提供為10%或更小。
根據實施例，黏著劑基於第一方向與發光裝置重疊之面積可提供為大於第一及第二開口與第一及第二襯墊電極重疊之區域的面積。
根據實施例之發光裝置封裝包含：第一導電層，其提供於第一開口中且安置成與第一接合部分之側表面及下表面直接接觸；及第二導 電層，其提供於第二開口中且安置成與第二接合部分之側表面及下表面直接接觸。
根據實施例，第一導電層包含提供於第一開口之上部區域中的第一上部導電層及提供於第一開口之下部區域中的第一下部導電層，且第一上部導電層及第一下部導電層可包含彼此不同的材料。
根據實施例之半導體裝置封裝及半導體裝置封裝的製造方法可改良光提取效率、電特性及可靠性。
根據實施例之半導體裝置封裝及半導體裝置封裝的製造方法可改良製程效率，並提出新的封裝結構，藉此降低製造成本並改良製造良率。
根據實施例，半導體裝置封裝具備具有高反射率之主體，從而使得可防止反射器變色，藉此改良半導體裝置封裝之可靠性。
根據實施例，半導體裝置封裝及半導體裝置之製造方法可防止在將半導體裝置封裝重新接合至基板或其類似者或熱處理半導體裝置封裝之製程期間在半導體裝置封裝之接合區域中出現重新熔融現象。
100‧‧‧發光裝置封裝
110‧‧‧封裝主體
111‧‧‧第一框架
112‧‧‧第二框架
113‧‧‧主體
120‧‧‧發光裝置
121‧‧‧第一襯墊電極
121a‧‧‧突出部分
122‧‧‧第二襯墊電極
122a‧‧‧突出部分
123‧‧‧半導體結構
123a‧‧‧第一導電型半導體層
123b‧‧‧作用層
123c‧‧‧第二導電型半導體層
124‧‧‧基板
125‧‧‧第一分支電極
126‧‧‧第二分支電極
127‧‧‧第一電極
128‧‧‧第二電極
130‧‧‧黏著劑
135‧‧‧樹脂部分
140‧‧‧模製部分
200‧‧‧發光裝置封裝
221‧‧‧第一導體
222‧‧‧第二導體
300‧‧‧發光裝置封裝
310‧‧‧電路板
311‧‧‧第一襯墊
312‧‧‧第二襯墊
313‧‧‧基板
321‧‧‧第一導電層
321a‧‧‧第一上部導電層
321b‧‧‧第一下部導電層
322‧‧‧第二導電層
322a‧‧‧第二上部導電層
322b‧‧‧第二下部導電層
400‧‧‧發光裝置封裝
410‧‧‧電路板
411‧‧‧第一襯墊
412‧‧‧第二襯墊
413‧‧‧基板
C‧‧‧空腔
L1‧‧‧長度
L2‧‧‧長度
L11‧‧‧距離
R‧‧‧凹槽
R1‧‧‧第一凹槽
R2‧‧‧第二凹槽
R3‧‧‧第一上部凹槽
R4‧‧‧第二上部凹槽
R5‧‧‧第一下部凹槽
R6‧‧‧第二下部凹槽
R10‧‧‧第一下部凹槽
R11‧‧‧第一凹槽
R12‧‧‧第二凹槽
R20‧‧‧第二下部凹槽
R21‧‧‧第一凹槽
R22‧‧‧第二凹槽
R23‧‧‧第三凹槽
R31‧‧‧第一凹槽
R32‧‧‧第二凹槽
T1‧‧‧深度/厚度
T2‧‧‧深度/厚度
TH1‧‧‧第一開口
TH2‧‧‧第二開口
TH3‧‧‧開口
TH4‧‧‧開口
TH5‧‧‧開口
W1‧‧‧寬度
W2‧‧‧寬度
W3‧‧‧寬度
W4‧‧‧寬度
圖1為根據本發明之實施例的發光裝置封裝的平面圖。
圖2為圖1中展示之發光裝置封裝的仰視圖。
圖3為圖1中展示之發光裝置封裝的沿著線D-D截取之橫截面圖。
圖4至圖8為解釋根據本發明之實施例的發光裝置封裝之製造方法的視圖。
圖9至圖11為解釋應用於圖3中展示之發光裝置封裝的主體之經修改實例的視圖。
圖12至圖14為解釋應用於圖3中展示之發光裝置封裝的主體之另一經修改實例的視圖。
圖15至圖17為解釋應用於圖3中展示之發光裝置封裝的主體之又一經修改實例的視圖。
圖18為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例的視圖。
圖19為解釋應用於圖18中展示之發光裝置封裝的第一框架、第二框架及主體的配置關係之視圖。
圖20為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例的視圖。
圖21為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例的視圖。
圖22為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖23為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖24為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖25至圖27為解釋應用於根據本發明之實施例的發光裝置封裝的開口之經修改實例的視圖。
圖28為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖29為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖30為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖31為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖32為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖33為解釋應用於根據本發明之實施例的發光裝置封裝的發光裝置之電極配置的平面圖。
圖34為圖33中展示之發光裝置的沿著線F-F截取之橫截面圖。
圖35為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的圖式。
圖36為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
圖37為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例的視圖。
在下文中，將參考附圖描述實施例。在實施例之描述中，應理解，在將層(或薄膜)、區域、圖案或結構稱為在另一層(或薄膜)、區域、圖案或結構「上」或「下」時，術語「上」及「下」包含「直接」或「藉由插入另一層(間接)」之含義。此外，關於在每一層「上」及「下」之參考係基於圖式，但實施例不限於此。
在下文中，將參考附圖詳細描述根據本發明之實施例的半導體裝置封裝及半導體裝置封裝之製造方法。在下文中，將基於發光裝置應用為半導體裝置之實例的狀況進行描述。
首先，將參看圖1至圖3描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝。
圖1為根據本發明之實施例的發光裝置封裝的平面圖，圖2為根據本發明之實施例的發光裝置封裝的仰視圖，圖3為發光裝置封裝之沿著線D-D截取的橫截面圖。
根據實施例之發光裝置封裝100可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖1至圖3中所展示。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架111與第二框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。主體113亦可被稱為絕緣部件。
主體113可安置於第一框架111上。另外，主體113可安置於第二框架112上。
主體113可提供安置於第一框架111及第二框架112上之傾斜表面。空腔C可由主體113之傾斜表面提供於第一框架111及第二框架112上。
根據實施例，封裝主體110可提供於具有空腔C之結構中，或可提供於具有平坦上表面而無空腔C之結構中。
舉例而言，主體113可由選自以下組成之群組的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)等。另外，主體113可包含諸如TiO2及SiO2之高折射率填料。
第一框架111及第二框架112可提供為絕緣框架。第一框架111及第二框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度。
另外，第一框架111及第二框架112可提供為導電框架。第一框架111及第二框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度，且可電連接至發光裝置120。
稍後將描述將第一框架111及第二框架112形成為絕緣框架之狀況與將第一框架111及第二框架112形成為導電框架之狀況之間的差異。
根據實施例，發光裝置120可包含第一襯墊電極121、第二襯墊電極122、半導體結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置於基板124下之半導體結構123，如圖3中所展示。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可安置於半導體結構123與主體113之間。
第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可被稱為接合部分。舉例而言，第一襯墊電極121可被稱為第一接合部分，且第二襯墊電極122可被稱為第二接合部分。
半導體結構123可包含第一導電型半導體層、第二導電型半導體層，及安置於第一導電型半導體層與第二導電型半導體層之間的作用層。第一襯墊電極121可電連接至第一導電型半導體層。另外，第二襯墊電極122可電連接至第二導電型半導體層。
發光裝置120可安置於封裝主體110上。發光裝置120可安置於第一框架111及第二框架112上。發光裝置120可安置於由封裝主體110提供之空腔C中。
第一襯墊電極121可安置於發光裝置120之下表面上。第二襯墊電極122可安置於發光裝置120之下表面上。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可安置成在發光裝置120之下表面上彼此間隔開。
第一襯墊電極121可安置於第一框架111上。第二襯墊電極122可安置於第二框架112上。
第一襯墊電極121可安置於半導體結構123與第一框架111之間。第二襯墊電極122可安置於半導體結構123與第二框架112之間。
第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可藉由使用選自以下組成之群組的至少一種材料形成於多個層中的單層中：Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO 或其合金。
同時，根據實施例之發光裝置封裝100可包含第一開口TH1及第二開口TH2，如圖1至圖3中所展示。第一框架111可包含第一開口TH1。第二框架112可包含第二開口TH2。
第一開口TH1可提供於第一框架111處。第一開口TH1可藉由穿過第一框架111而提供。第一開口TH1可藉由在第一方向上穿過第一框架111之上表面及下表面而提供。
第一開口TH1可安置於發光裝置120之第一襯墊電極121下。第一開口TH1可提供為與發光裝置120之第一襯墊電極121重疊。第一開口TH1可提供為在自第一框架111之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第一襯墊電極121重疊。
第二開口TH2可提供於第二框架112處。第二開口TH2可藉由穿過第二框架112而提供。第二開口TH2可藉由在第一方向上穿過第二框架112之上表面及下表面而提供。
第二開口TH2可安置於發光裝置120之第二襯墊電極122下。第二開口TH2可提供為與發光裝置120之第二襯墊電極122重疊。第二開口TH2可提供為在自第二框架112之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第二襯墊電極122重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下表面下彼此間隔開。
根據實施例，第一開口TH1之上部區域的寬度W1可大於第一襯墊電極121之寬度。另外，第二開口TH2之上部區域的寬度可大於第二襯墊電極122的寬度。
根據實施例，第一襯墊電極121之下部部分可安置於第一開口TH1之上部區域中。第一襯墊電極121之底部表面可安置為低於第一框架111之上表面。
另外，第二襯墊電極122之下部部分可安置於第二開口TH2之上部區域中。第二襯墊電極122之底部表面可安置為低於第二框架112之 上表面。
另外，第一開口TH1之上部區域的寬度W1可小於或等於第一開口TH1之下部區域的寬度W2。第二開口TH2之上部區域的寬度可小於或等於第二開口TH2之下部區域的寬度。
第一開口TH1可提供為寬度自下部區域至上部區域逐漸降低之傾斜形狀。第二開口TH2可提供為寬度自下部區域至上部區域逐漸降低之傾斜形狀。
然而，本發明不限於此，且第一開口TH1及第二開口TH2之上部與下部區域之間的傾斜表面可具有具不同斜率之多個傾斜表面，且傾斜表面可安置有曲率。
在第一框架111及第二框架112之下表面區域中的第一開口TH1與第二開口TH2之間的寬度W3可提供為幾百微米。作為實例，在第一框架111及第二框架112之下表面區域中的第一開口TH1與第二開口TH2之間的寬度W3可提供為100至150微米。
在第一框架111及第二框架112之下表面區域中的第一開口TH1與第二開口TH2之間的寬度W3可選擇為提供為超過預定距離，以在根據實施例之發光裝置封裝100稍後安裝在電路板、子基板或其類似者上時防止襯墊之間的電短路。
另外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含黏著劑130。
黏著劑130可安置於主體113與發光裝置120之間。黏著劑130可安置於主體113之上表面與發光裝置120之下表面之間。
另外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含凹槽R，如圖1至圖3中所展示。
凹槽R可提供於主體113處。凹槽R可提供於第一開口TH1與第二開口TH2之間。凹槽R可提供為自主體113之上表面朝向其下表面凹入。凹槽R可安置於發光裝置120下。凹槽R可提供為在第一方向上與發光裝置120重疊。
作為實例，黏著劑130可安置於凹槽R中。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一襯墊電極 121與第二襯墊電極122之間。作為實例，黏著劑130可安置成接觸第一襯墊電極121之側表面及第二襯墊電極122之側表面。
黏著劑130可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩定的固定力。黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。又，作為實例，當黏著劑130包含反射功能時，黏著劑130可包含白色聚矽氧。作為另一表示，黏著劑130可被稱為第一樹脂。
黏著劑130可在主體113與發光裝置120之間提供穩定的固定力。當光被發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供光漫射功能。當光自發光裝置120發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可藉由提供光漫射功能而改良發光裝置封裝100之光提取效率。另外，黏著劑130可反射自發光裝置120發射之光。當黏著劑130包含反射功能時，黏著劑130可由包含TiO2、聚矽氧等之材料形成。
根據實施例，凹槽R之深度T1可提供為小於第一開口TH1之深度T2或第二開口TH2之深度T2。
可考慮黏著劑130之黏著力來判定凹槽R之深度T1。另外，可藉由考慮主體113之穩定強度，及/或發光裝置封裝100不會由於自發光裝置120發射之熱而產生裂痕來判定凹槽R之深度T1。
凹槽R可在發光裝置120下提供可在其中執行一種下填充製程之適當空間。此處，下填充製程可為將發光裝置120安裝在封裝主體110上，且接著將黏著劑130安置於發光裝置120下之製程，且可為將黏著劑130安置於凹槽R中，且接著安置發光裝置120，以便在將發光裝置120安裝至封裝主體110上之製程中藉由黏著劑130進行安裝的製程。凹槽R可提供為第一深度或更深，從而使得黏著劑130可充分提供於發光裝置120之下表面與主體113之上表面之間。另外，凹槽R可提供為第二深度或更 淺以提供主體113之穩定強度。
凹槽R之深度T1及寬度W4可影響黏著劑130之形成位置及固定力。可判定凹槽R之深度T1及寬度W4，從而使得安置於主體113與發光裝置120之間的黏著劑130可充分提供固定力。
作為實例，凹槽R之深度T1可提供為幾十微米。凹槽R之深度T1可提供為40至60微米。
另外，凹槽R之寬度W4可提供為幾十微米至幾百微米。此處，凹槽R之寬度W4可提供在發光裝置120之長軸方向上。
凹槽R之寬度W4可窄於第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之間的距離。凹槽R之寬度W4可提供為140至160微米。作為實例，凹槽R之寬度W4可提供為150微米。
第一開口TH1之深度T2可提供為對應於第一框架111之厚度。第一開口TH1之深度T2可提供為能夠維持第一框架111之穩定強度的厚度。
第二開口TH2之深度T2可提供為對應於第二框架112之厚度。第二開口TH2之深度T2可提供為能夠維持第二框架112之穩定強度的厚度。
第一開口TH1之深度T2及第二開口TH2之深度T2可提供為對應於主體113的厚度。第一開口TH1之深度T2及第二開口TH2之深度T2可提供為能夠維持主體113之穩定強度的厚度。
作為實例，第一開口TH1之深度T2可提供為幾百微米。第一開口TH1之深度T2可提供為180至220微米。作為實例，第一開口TH1之深度T2可提供為200微米。
作為實例，可將T2-T1之厚度選擇為至少100微米或更大。此係考慮到能夠提供不含裂痕之主體113的注入製程之厚度。
根據實施例，厚度T2與厚度T1之比率T2/T1可提供為2至10。作為實例，當T2之厚度提供為200微米時，T1之厚度可提供為20至100微米。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯 墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
根據實施例，黏著劑130基於第一方向與發光裝置120重疊之面積可提供為大於第一開口TH1及第二開口TH2與第一襯墊電極121及第二襯墊電極122重疊之區域的面積。
如上文所描述，由於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下表面的光的量。另外，可在發光裝置120下提供具有良好反射特性之黏著劑130。因此，在發光裝置120之向下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上方向有效發射，從而使得可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含模製部分140，如圖1至圖3中所展示。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之空腔C處。
模製部分140可包含絕緣材料。另外，模製部分140可包含波長轉換構件，其被組態成入射自發光裝置120發射之光並提供經波長轉換之光。作為實例，模製部分140可包含選自由以下組成之群組的至少一者：磷光體、量子點等。
另外，如圖1至圖3中所展示，根據實施例之發光裝置封裝100可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可提供在第一開口TH1處。第一導電層321可安置於第一襯墊電極121下。第一導電層321之寬度可提供為大於第一襯墊電極121之寬度。
第一襯墊電極121可具有在垂直於形成第一開口TH1之第一方向的第二方向上的寬度。第一襯墊電極121之寬度可提供為小於第一開口TH1在第二方向上的寬度。
第一導電層321可安置成與第一襯墊電極121之下表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一襯墊電極121。第一導電層321可安置成由第一框架111包圍。
在第一開口TH1之上部區域中，第一導電層321之上部部分可安置於第一襯墊電極121之下部部分的周邊處。第一導電層321之上表面可安置成高於第一襯墊電極121之下表面。
第二導電層322可提供在第二開口TH2處。第二導電層322可安置於第二襯墊電極122下。第二導電層322之寬度可提供為大於第二襯墊電極122之寬度。
第二襯墊電極122可具有在垂直於形成第二開口TH2之第一方向的第二方向上的寬度。第二襯墊電極122之寬度可提供為小於第二開口TH2在第二方向上的寬度。
第二導電層322可安置成與第二襯墊電極122之下表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二襯墊電極122。第二導電層322可安置成由第二框架112包圍。
在第二開口TH2之上部區域中，第二導電層322之上部部分可安置於第二襯墊電極122之下部部分的周邊處。第二導電層322之上表面可安置成高於第二襯墊電極122之下表面。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Cu或其合金。然而，本發明不限於此，且可在第一導電層321及第二導電層322中使用能夠確保導電功能之材料。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用 導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏或其類似者，且可由多個層或由多個層構成之單層或由不同材料構成之合金構成。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，如圖1至圖3中所展示，根據實施例之發光裝置封裝100可包含第一下部凹槽R10及第二下部凹槽R20。第一下部凹槽R10及第二下部凹槽R20可安置成彼此間隔開。
第一下部凹槽R10可提供在第一框架111之下表面處。第一下部凹槽R10可提供為自第一框架111之下表面朝向其上表面凹入。第一下部凹槽R10可安置成與第一開口TH1間隔開。
第一下部凹槽R10可具備幾微米至幾十微米的寬度。樹脂部分可提供在第一下部凹槽R10處。作為實例，填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分可具備與主體113相同之材料。
然而，本發明不限於此，且樹脂部分可具備選自與第一導電層321及第二導電層322具有不佳黏著力及可濕性之材料的材料。替代地，可自相對於第一導電層321及第二導電層322具有低表面張力之材料提供並選擇樹脂部分。
作為實例，可在經由注入製程或其類似者形成第一框架111、第二框架112及主體113之製程中提供填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分。
填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分可安置於第一框架111的提供第一開口TH1之下表面區域周圍。第一框架111的提供第一開口TH1之下表面區域可安置成與在其周圍的呈島狀物形狀的形成第一框架111之下表面分離。
作為實例，如圖2中所展示，第一框架111的提供第一開口TH1之下表面區域可由填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分及主體113與其周圍的第一框架111隔離。
因此，當樹脂部分由與第一導電層321及第二導電層322具有不佳黏著力及可濕性之材料，或在樹脂部分與第一導電層321及第二導電層322之間具有低表面張力的材料安置時，有可能防止第一開口TH1中 提供之第一導電層321自第一開口TH1移動，並擴散至填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分或主體113上。
此係基於第一導電層321與樹脂部分及主體113之間的黏著關係，或樹脂部分與第一導電層321及第二導電層322之間的可濕性、表面張力等並不良好的事實。亦即，形成第一導電層321之材料可選擇為與第一框架111具有良好黏著性質。另外，形成第一導電層321之材料可選擇為與樹脂部分及主體113具有不佳黏著性質。
由於第一導電層321並不自第一開口TH1朝向提供樹脂部分或主體113之區域溢出，因此有可能防止第一導電層321溢出或延伸至提供樹脂部分或主體113之區域外部，從而使得第一導電層321可穩定地安置於提供第一開口TH1之區域中。因此，在第一導電層321安置於第一開口TH1中時，有可能防止第一導電層321延伸至提供樹脂部分或主體113之第一下部凹槽R10外部。另外，第一導電層321可在第一開口TH1中穩定地連接至第一襯墊電極121之下表面。
因此，在將發光裝置封裝安裝在電路板上時，有可能防止第一導電層321與第二導電層322彼此接觸且短路的問題，且極易於在安置第一導電層321及第二導電層322之製程中控制第一導電層321及第二導電層322的量。
另外，第一導電層321可安置成自第一開口TH1延伸至第一下部凹槽R10。因此，第一導電層321及/或樹脂部分可安置於第一下部凹槽R10中。
另外，第二下部凹槽R20可提供在第二框架112之下表面處。第二下部凹槽R20可提供為自第二框架112之下表面朝向其上表面凹入。第二下部凹槽R20可安置成與第二開口TH2間隔開。
第二下部凹槽R20可具備幾微米至幾十微米的寬度。樹脂部分可提供在第二下部凹槽R20處。作為實例，填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分可具備與主體113相同之材料。
然而，本發明不限於此，且樹脂部分可具備選自與第一導電層321及第二導電層322具有不佳黏著力及可濕性之材料的材料。替代地， 可自相對於第一導電層321及第二導電層322具有低表面張力之材料提供並選擇樹脂部分。
作為實例，可在經由注入製程或其類似者形成第一框架111、第二框架112及主體113之製程中提供填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分。
填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分可安置於第二框架112的提供第二開口TH2之下表面區域周圍。第二框架112的提供第二開口TH2之下表面區域可安置成與在其周圍的呈島狀物形狀的形成第二框架112之下表面分離。
作為實例，如圖2中所展示，第二框架112的提供第二開口TH2之下表面區域可由填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分及主體113與其周圍的第二框架112隔離。
因此，當樹脂部分由與第一導電層321及第二導電層322具有不佳黏著力及可濕性之材料，或在樹脂部分與第一導電層321及第二導電層322之間具有低表面張力的材料安置時，有可能防止提供第二開口TH2之第一及第二導電層322自第二開口TH2移動，並擴散至填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分或主體113上。
此係基於第二導電層322與樹脂部分及主體113之間的黏著關係，或樹脂部分與第一導電層321及第二導電層322之間的可濕性、表面張力等並不良好的事實。亦即，形成第二導電層322之材料可選擇為與第二框架112具有良好黏著性質。另外，形成第二導電層322之材料可選擇為與樹脂部分及主體113具有不佳黏著性質。
由於第二導電層322並不自第二開口TH2朝向提供樹脂部分或主體113之區域溢出，因此有可能防止第二導電層322溢出或延伸至提供樹脂部分或主體113之區域外部，從而使得第二導電層322可穩定地安置於提供第二開口TH2之區域中。因此，在第二導電層322安置於第二開口TH2中時，有可能防止第二導電層322延伸至提供樹脂部分或主體113之第二下部凹槽R20外部。另外，第二導電層322可在第二開口TH2中穩定地連接至第二襯墊電極122之下表面。
因此，在將發光裝置封裝安裝在電路板上時，有可能防止第一導電層321與第二導電層322彼此接觸且短路的問題，且極易於在安置第一導電層321及第二導電層322之製程中控制第一導電層321及第二導電層322的量。
另外，第二導電層322可安置成自第二開口TH2延伸至第二下部凹槽R20。因此，第二導電層322及/或樹脂部分可安置於第二下部凹槽R20中。
另外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含樹脂部分135，如圖3中所展示。
為供參考，如圖1中所展示，並未展示樹脂部分135及模製部分140，從而使得可很好地顯示第一框架111、第二框架112及主體113的配置關係。
樹脂部分135可安置於第一框架111與發光裝置120之間。樹脂部分135可安置於第二框架112與發光裝置120之間。樹脂部分135可提供在封裝主體110中提供之空腔C的底部表面處。
樹脂部分135可安置於第一襯墊電極121之側表面上。樹脂部分135可安置於第二襯墊電極122之側表面上。樹脂部分135可安置於半導體結構123下。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可為反射自發光裝置120發射之光的反射部分，作為實例，其可為含有諸如TiO2之反射材料的樹脂，或可包含白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置於發光裝置120下以執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122周圍密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322自第一開口TH1區域及第二開口TH2區域移動，並在發光裝置120之外側表面的方向上擴散且移動。當第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120 之外側表面方向上擴散且移動時，第一導電層321及第二導電層322可與發光裝置120的作用層接觸，藉此由於短路而造成故障。因此，在安置了樹脂部分135時，有可能防止由於第一導電層321及第二導電層322與作用層之短路t，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
另外，根據實施例，保護層可提供於發光裝置120之下表面及周邊上。在此狀況下，由於絕緣保護層提供於作用層之表面上，因此即使在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外側表面方向上擴散且移動時，仍有可能防止第一導電層321及第二導電層322電連接至發光裝置120之作用層。
同時，在絕緣保護層安置於發光裝置120之下表面及周邊上的狀況下，絕緣保護層可能並不安置於發光裝置120之基板124的周邊處。此時，在基板124具備導電材料時，當第一導電層321及第二導電層322與基板124接觸時，由於短路可能發生故障。因此，在安置了樹脂部分135時，有可能防止由於第一導電層321及第二導電層322與基板124之短路，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
另外，當樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧的具有反射性質之材料時，樹脂部分135可將自發光裝置120發射之光朝向封裝主體110之上方向反射，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
同時，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例，可不單獨地提供樹脂部分135，且可安置模製部分140，以便與第一框架111及第二框架112直接接觸。
另外，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝的另一實例，可不單獨地提供樹脂部分135，且黏著劑130可提供在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之周邊處。
此時，黏著劑130可被稱為第一樹脂，且第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可分別被稱為第一接合部分及第二接合部分。
同時，黏著劑130可安置於第一開口TH1及第二開口TH2之上部區域處。黏著劑130的部分可在發光裝置120提供於封裝主體110上之製程中移動至第一開口TH1及第二開口TH2。黏著劑130的部分可在 第一開口TH1及第二開口TH2中安置於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之側表面區域處。黏著劑130的部分可在第一開口TH1及第二開口TH2中安置於第一導電層321及第二導電層322上。
黏著劑130可密封第一開口TH1及第二開口TH2之上部區域，且防止水分或外來物質經由第一開口TH1及第二開口TH2自外部流動至安置發光裝置120之區域中。
另外，在充分確保了用於在發光裝置120與封裝主體110之間提供黏著劑130的空間時，可不在封裝主體110之上表面上提供凹槽R。
另外，根據實施例，半導體結構123可提供為化合物半導體。半導體結構123可提供為例如II-VI族或III-V族化合物半導體。作為實例，半導體結構123可具備選自鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、磷(P)、砷(As)及氮(N)的至少兩種或兩種以上元素。
半導體結構123可包含第一導電型半導體層、作用層及第二導電型半導體層。
第一及第二導電型半導體層可被實施為II-VI族或III-V族化合物半導體中的至少一者。第一及第二導電型半導體層可由具有InxAlyGa1-x-yN(0x1、0y1、0x+y1)之實驗公式的半導體材料形成。舉例而言，第一及第二導電型半導體層可包含選自由以下組成之群組的至少一者：GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等。第一導電型半導體層可為摻雜有諸如Si、Ge、Sn、Se或Te之n型摻雜劑的n型半導體層。第二導電型半導體層可為摻雜有諸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba之p型摻雜劑的p型半導體層。
作用層可被實施為化合物半導體。作用層可被實施為III-V族或II-VI族化合物半導體中的至少一者。當作用層被實施為多井結構時，作用層可包含交替安置之多個井層及多個阻擋層，且作用層可安置為具有InxAlyGa1-x-yN(0x1、0y1、0x+y1)之實驗公式的半導體材料。舉例而言，作用層可包含選自由以下組成之群組的至少一者：InGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、AlGaAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP及InP/GaAs。
在根據實施例之發光裝置封裝100中，電力可經由第一開口TH1之區域連接至第一襯墊電極121，且電力可經由第二開口TH2之區域連接至第二襯墊電極122。
因此，發光裝置120可由經由第一襯墊電極121及第二襯墊電極122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝100可被供應且安裝在子基板、電路板或其類似者上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與提供於發光裝置封裝中的發光裝置之間的接合區域中會發生重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一襯墊電極及第二襯墊電極可藉由安置於開口中的導電層而具備驅動電力。另外，可選擇安置於開口中之導電層的熔點，以便具有高於一般接合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜的樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接著，參看圖4至圖8，將描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝的製造方法。
在參看圖4至圖8描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝的製造方法時，可省略對與參看圖1至圖3所描述之內容重疊的內容的描述。
首先，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝的製造方法，如圖4中所展示，可提供封裝主體110。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架111與第二框架112之間。
主體113可安置於第一框架111上。另外，主體113可安置於第二框架112上。
主體113可提供安置於第一框架111及第二框架112上之傾斜表面。空腔C可由主體113之傾斜表面提供於第一框架111及第二框架112上。
另外，第一框架111可包含第一開口TH1。第二框架112可包含第二開口TH2。
第一開口TH1可提供於第一框架111處。第一開口TH1可藉由穿過第一框架111而提供。第一開口TH1可藉由在第一方向上穿過第一框架111之上表面及下表面而提供。
第二開口TH2可提供於第二框架112處。第二開口TH2可藉由穿過第二框架112而提供。第二開口TH2可藉由在第一方向上穿過第二框架112之上表面及下表面而提供。
封裝主體110可包含提供於主體113中之凹槽R。
凹槽R可提供於主體113處。凹槽R可提供於第一開口TH1與第二開口TH2之間。凹槽R可提供為自主體113之上表面朝向其下表面凹入。
根據實施例，凹槽R之長度L2可大於第一開口TH1之長 度L1或第二開口TH2之長度L1。
接下來，在根據實施例之發光裝置封裝的製造方法中，可在凹槽R處提供黏著劑130，如圖4中所展示。
可經由點漬法或其類似者在凹槽區域處提供黏著劑130。舉例而言，可將黏著劑130以預定量提供至形成凹槽R之區域，且可將其提供為溢出凹槽R。
另外，根據實施例，如圖4中所展示，凹槽R之長度L2可大於第二開口TH2之長度L1。第二開口TH2之長度L1可小於發光裝置120在短軸方向上的長度。另外，凹槽R之長度L2可大於發光裝置120在短軸方向上的長度。
在根據實施例之發光裝置封裝製造製程中，當在發光裝置120下提供之黏著劑130的量較大時，提供在凹槽R處的黏著劑130之溢出部分在黏附至發光裝置120之下部部分時可在凹槽R之長度L2方向上移動。因此，即使在所塗覆之黏著劑130的量大於設計量時，發光裝置120仍可被穩定地固定而不會自主體113抬起。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝的製造方法，如圖5中所展示，可將發光裝置120提供於封裝主體110上。
根據實施例，在將發光裝置120安置於封裝主體110上之製程中，凹槽R亦可用以充當一種對準鍵。
發光裝置120可由黏著劑130固定在主體113處。提供在凹槽R處的黏著劑130之部分可在發光裝置120之第一襯墊電極121及第二襯墊電極122的方向上移動且可固化。
因此，黏著劑130可提供在發光裝置120之下表面與主體113之上表面之間的較寬區域處，且可改良發光裝置120與主體113之間的固定力。
根據實施例，如上文參看圖3所描述，第一開口TH1可安置於發光裝置120之第一襯墊電極121下。第一開口TH1可提供為與發光裝置120之第一襯墊電極121重疊。第一開口TH1可提供為在自第一框架111之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第一襯墊電極 121重疊。
第二開口TH2可安置於發光裝置120之第二襯墊電極122下。第二開口TH2可提供為與發光裝置120之第二襯墊電極122重疊。第二開口TH2可提供為在自第二框架112之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第二襯墊電極122重疊。
接下來，根據根據實施例之發光裝置封裝的製造方法，如圖6中所展示，可形成第一導電層321及第二導電層322。
在根據實施例之發光裝置封裝100中，如圖3及圖6中所展示，第一襯墊電極121之下表面可經由第一開口TH1曝露。另外，第二襯墊電極122之下表面可經由第二開口TH2曝露。
根據實施例，可在第一開口TH1處形成第一導電層321。另外，可在第二開口TH2處形成第二導電層322。
第一導電層321可提供在第一開口TH1處。第一導電層321可安置於第一襯墊電極121下。第一導電層321之寬度可提供為大於第一襯墊電極121之寬度。第一導電層321可安置成與第一襯墊電極121之下表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一襯墊電極121。第一導電層321可安置成由第一框架111包圍。
如圖3中所展示，在第一開口TH1之上部區域中，第一導電層321之上部部分可安置於第一襯墊電極121之下部部分的周邊處。第一導電層321之上表面可安置成高於第一襯墊電極121之下表面。
第二導電層322可提供在第二開口TH2處。第二導電層322可安置於第二襯墊電極122下。第二導電層322之寬度可提供為大於第二襯墊電極122之寬度。第二導電層322可安置成與第二襯墊電極122之下表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二襯墊電極122。第二導電層322可安置成由第二框架112包圍。
如圖3中所展示，在第二開口TH2之上部區域中，第二導電層322之上部部分可安置於第二襯墊電極122之下部部分的周邊處。第二導電層322之上表面可安置成高於第二襯墊電極122之下表面。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322亦可藉由使 用導電膏形成。第一導電層321及第二導電層322可由焊錫膏、銀膏或其類似者形成。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝的製造方法，如圖7中所展示，可形成樹脂部分135。
如上文參看圖3所描述，樹脂部分135可安置於第一框架111與發光裝置120之間。樹脂部分135可安置於第二框架112與發光裝置120之間。
樹脂部分135可安置於第一襯墊電極121之側表面上。樹脂部分135可安置於第二襯墊電極122之側表面上。樹脂部分135可安置於半導體結構123下。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可為反射自發光裝置120發射之光的反射部分，作為實例，其可為含有諸如TiO2之反射材料的樹脂。樹脂部分135可包含白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置於發光裝置120下以執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
另外，當樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧的具有反射性質之材料時，樹脂部分135可將自發光裝置120發射之光朝向封裝主體110之上方向反射，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
接下來，根據根據實施例之發光裝置封裝的製造方法，如圖8中所展示，可將模製部分140提供於發光裝置120上。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之空腔C處。模製部分140可安置於樹脂部分135上。
模製部分140可包含絕緣材料。另外，模製部分140可包含波長轉換構件，其被組態成入射自發光裝置120發射之光並提供經波長轉換之光。作為實例，模製部分140可包含選自由以下組成之群組的至少一 者：磷光體、量子點等。
同時，在上文描述中，如圖6中所展示，首先描述形成第一導電層321及第二導電層322之狀況，且接著如圖7及圖8中所展示，描述了形成樹脂部分135及模製部分140的狀況。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝的製造方法之另一實例，可首先形成樹脂部分135及模製部分140，且可稍後形成第一導電層321及第二導電層322。
根據根據實施例之發光裝置封裝的製造方法之另一實例，可不形成樹脂部分135，且可僅在封裝主體110之空腔處形成模製部分140。
在根據實施例之發光裝置封裝100中，電力可經由第一開口TH1之區域連接至第一襯墊電極121，且電力可經由第二開口TH2之區域連接至第二襯墊電極122。
因此，發光裝置120可由經由第一襯墊電極121及第二襯墊電極122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝100可被供應且安裝在子基板、電路板或其類似者上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在框架與提供於發光裝置封裝中的發光裝置之間的接合區域中會發生重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。因此，發光裝置之位置可發生改變，且發光裝置封裝之光學及電特性與可靠性可退化。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一電極及第二電極可藉由安置於開口中的導電層而具備驅動電力。另外，可選擇安置於開口中之導電層的熔點，以便具有高於一般接合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜的樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
根據實施例，黏著劑130基於第一方向與發光裝置120重疊之面積可提供為大於第一開口TH1及第二開口TH2與第一襯墊電極121及第二襯墊電極122重疊之區域的面積。
如上文所描述，由於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下表面的光的量。另外，可在發光裝置120下提供具有良好反射特性之黏著劑130。因此，在發光裝置120之向下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上方向有效發射，從而使得可改良光提取效率。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝可包含各種 修改。
首先，將參看圖9至圖17描述應用於根據實施例之發光裝置封裝的主體的修改實例。在參看圖9至圖17描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參看圖1至圖8所描述之內容重疊的內容的描述。
圖9至圖11為解釋應用於圖3中展示之發光裝置封裝的主體之經修改實例的視圖。
根據根據實施例之發光裝置封裝100，如圖9中所展示，主體113可包含提供在其上表面處的至少兩個凹槽。
作為實例，主體113可包含自其上表面之中心區域安置於第一框架111側處的第一凹槽R11。第一凹槽R11可提供為接觸第一框架111之末端部分。
另外，主體113可包含自其上表面之中心區域安置於第二框架112側處的第二凹槽R12。第二凹槽R12可提供為接觸第二框架112之末端部分。
第一凹槽R11可提供為自主體113之上表面及第一框架111之上表面向下凹入。第二凹槽R12可提供為自主體113之上表面及第二框架112之上表面向下凹入。
根據根據實施例之發光裝置封裝100，黏著劑130可被提供至第一凹槽R11及第二凹槽R12。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之間。舉例而言，黏著劑130可安置成接觸第一襯墊電極121之側表面及第二襯墊電極122之側表面。
第一凹槽R11及第二凹槽R12可在發光裝置120下提供可在其中執行一種下填充製程之適當空間。
第一凹槽R11及第二凹槽R12可提供為第一深度或更深，從而使得黏著劑130可充分提供於發光裝置120之下表面與主體113之上表面之間。另外，第一凹槽R11及第二凹槽R12可提供為第二深度或更淺以提供主體113之穩定強度。
黏著劑130可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩 定的固定力。黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
另外，第一凹槽R11及黏著劑130可防止提供在第一開口TH1處之第一導電層321移動至發光裝置120之下部區域。另外，第二凹槽R12及黏著劑130可防止提供在第二開口TH2處之第二導電層322移動至發光裝置120之下部區域。因此，有可能防止發光裝置120電短路或因第一導電層321之移動或第二導電層322之移動而降級。
同時，圖9展示應用於根據實施例之發光裝置封裝的主體113之橫截面圖，且圖10及圖11展示圖9中展示之主體113的平面圖。
舉例而言，如圖10中所展示，第一凹槽R11及第二凹槽R12可彼此間隔開，其中主體113之中心區域插入該兩凹槽間。第一凹槽R11及第二凹槽R12可安置成彼此平行，其中主體113之中心區域插入該兩凹槽間。
另外，如圖11中所展示，第一凹槽R11及第二凹槽R12可彼此間隔開，其中主體113之中心區域插入該兩凹槽間。同時，第一凹槽R11及第二凹槽R12可安置成圍繞主體113之中心區域以封閉迴路形狀彼此連接。
同時，圖12至圖14為解釋應用於圖3中展示之發光裝置封裝的主體之另一經修改實例的視圖。
根據根據實施例之發光裝置封裝100，如圖12中所展示，主體113可包含提供於其上表面上的至少三個凹槽。
作為實例，主體113可包含自其上表面之中心區域安置於第一框架111側上的第一凹槽R21。第一凹槽R21可提供為自主體113之上表面在下表面方向上凹入。
另外，主體113可包含自其上表面之中心區域安置於第二框架112側處的第三凹槽R23。第三凹槽R23可提供為自主體113之上表面在下表面方向上凹入。
另外，主體113可包含安置於其上表面之中心區域處的第二 凹槽R22。第二凹槽R22可提供為自主體113之上表面在下表面方向上凹入。第二凹槽R22可安置於第一凹槽R21與第三凹槽R23之間。
根據根據實施例之發光裝置封裝100，黏著劑130可提供於第一凹槽R21、第二凹槽R22及第三凹槽R23中。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之間。舉例而言，黏著劑130可安置成接觸第一襯墊電極121之側表面及第二襯墊電極122之側表面。
第一凹槽R21、第二凹槽R22及第三凹槽R23可在發光裝置120下提供可在其中執行一種下填充製程之適當空間，以便將發光裝置120附接至封裝主體。
第一凹槽R21、第二凹槽R22及第三凹槽R23可提供為第一深度或更深，從而使得黏著劑130可充分提供於發光裝置120之下表面與主體113之上表面之間。另外，第一凹槽R21、第二凹槽R22及第三凹槽R23可提供為第二深度或更淺以提供主體113之穩定強度。
黏著劑130可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩定的固定力。黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
另外，第一凹槽R11及黏著劑130可防止提供在第一開口TH1處之第一導電層321移動至發光裝置120之下部區域。另外，第二凹槽R12及黏著劑130可防止提供在第二開口TH2處之第二導電層322移動至發光裝置120之下部區域。因此，有可能防止發光裝置120電短路或因第一導電層321之移動或第二導電層322之移動而降級。
同時，圖12展示應用於根據實施例之發光裝置封裝的主體113之橫截面圖，且圖13及圖14展示圖12中展示之主體113的平面圖。
舉例而言，如圖13中所展示，第一凹槽R21、第二凹槽R22及第三凹槽R23可在主體113之上表面上彼此間隔開並在一個方向上平行安置。第一凹槽R21、第二凹槽R22及第三凹槽R23可安置成在主體113之上表面上在一個方向上延伸。
另外，如圖14中所展示，第一凹槽R21及第三凹槽R23可彼此間隔開，其中主體113之中心區域插入該兩凹槽間。同時，第一凹槽R21及第三凹槽R23可安置成圍繞主體113之中心區域以封閉迴路形狀彼此連接。另外，第二凹槽R22可安置於主體113之中心區域中。第二凹槽R22可安置於由第一凹槽R21及第三凹槽R23包圍之空間中。
同時，圖15至圖17為解釋應用於圖3中展示之發光裝置封裝的主體之又一經修改實例的視圖。
根據根據實施例之發光裝置封裝100，如圖15中所展示，主體113可包含提供於其上表面上的至少兩個凹槽。
作為實例，主體113可包含自其上表面之中心區域安置於第一框架111側上的第一凹槽R31。第一凹槽R31可提供為自主體113之上表面在下表面方向上凹入。第一凹槽R31可安置成與第一框架111之末端部分間隔開。
另外，主體113可包含自其上表面之中心區域安置於第二框架112側處的第二凹槽R32。第二凹槽R32可提供為自主體113之上表面在下表面方向上凹入。第二凹槽R32可安置成與第二框架112之末端部分間隔開。
根據根據實施例之發光裝置封裝100，黏著劑130可提供於第一凹槽R31及第二凹槽R32中。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之間。舉例而言，黏著劑130可安置成接觸第一襯墊電極121之側表面及第二襯墊電極122之側表面。
第一凹槽R31及第二凹槽R32可在發光裝置120下提供可在其中執行一種下填充製程之適當空間。
第一凹槽R31及第二凹槽R32可提供為第一深度或更深，從而使得黏著劑130可充分提供於發光裝置120之下表面與主體113之上表面之間。另外，第一凹槽R31及第二凹槽R32可提供為第二深度或更淺以提供主體113之穩定強度。
黏著劑130可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩 定的固定力。黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
另外，第一凹槽R31及黏著劑130可防止提供在第一開口TH1處之第一導電層321移動至發光裝置120之下部區域。另外，第二凹槽R32及黏著劑130可防止提供在第二開口TH2處之第二導電層322移動至發光裝置120之下部區域。因此，有可能防止發光裝置120電短路或因第一導電層321之移動或第二導電層322之移動而降級。
同時，圖15展示應用於根據實施例之發光裝置封裝的主體113之橫截面圖，且圖16及圖17展示圖15中展示之主體113的平面圖。
舉例而言，如圖16中所展示，第一凹槽R31及第二凹槽R32可在主體113之上表面上彼此間隔開並在一個方向上平行安置。第一凹槽R31及第二凹槽R32可安置成在主體113之上表面上在一個方向上延伸。
另外，如圖17中所展示，第一凹槽R31及第二凹槽R32可彼此間隔開，其中主體113之中心區域插入該兩凹槽間。同時，第一凹槽R31及第二凹槽R32可安置成圍繞主體113之中心區域以封閉迴路形狀彼此連接。
接下來，將參看圖18及圖19描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
圖18為說明根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例的視圖，且圖19為解釋應用於圖18中展示之發光裝置封裝的第一框架、第二框架及主體之配置關係的視圖。
在參看圖18及圖19描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參看圖1至圖17所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝100可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖18及圖19中所展示。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架 111與第二框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。
第一框架111及第二框架112可提供為絕緣框架。第一框架111及第二框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度。
另外，第一框架111及第二框架112可提供為導電框架。第一框架111及第二框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度，且可電連接至發光裝置120。
稍後將描述將第一框架111及第二框架112形成為絕緣框架之狀況與將第一框架111及第二框架112形成為導電框架之狀況之間的差異。
舉例而言，主體113可由選自以下組成之群組的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)等。另外，主體113可包含諸如TiO2及SiO2之高折射率填料。
根據實施例，發光裝置120可包含第一襯墊電極121、第二襯墊電極122、半導體結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置於基板124下之半導體結構123，如圖18中所展示。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可安置於半導體結構123與主體113之間。
發光裝置120可安置於封裝主體110上。發光裝置120可安置於第一框架111及第二框架112上。發光裝置120可安置於由封裝主體110提供之空腔C中。
第一襯墊電極121可安置於發光裝置120之下表面上。第二襯墊電極122可安置於發光裝置120之下表面上。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可安置成在發光裝置120之下表面上彼此間隔開。
第一襯墊電極121可安置於第一框架111上。第二襯墊電極122可安置於第二框架112上。
第一襯墊電極121可安置於半導體結構123與第一框架111之間。第二襯墊電極122可安置於半導體結構123與第二框架112之間。
同時，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一開口TH1及第二開口TH2，如圖18及圖19中所展示。第一框架111可包含第一開口TH1。第二框架112可包含第二開口TH2。
第一開口TH1可提供於第一框架111處。第一開口TH1可藉由穿過第一框架111而提供。第一開口TH1可藉由在第一方向上穿過第一框架111之上表面及下表面而提供。
第一開口TH1可安置於發光裝置120之第一襯墊電極121下。第一開口TH1可提供為與發光裝置120之第一襯墊電極121重疊。第一開口TH1可提供為在自第一框架111之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第一襯墊電極121重疊。
第二開口TH2可提供於第二框架112處。第二開口TH2可藉由穿過第二框架112而提供。第二開口TH2可藉由在第一方向上穿過第二框架112之上表面及下表面而提供。
第二開口TH2可安置於發光裝置120之第二襯墊電極122下。第二開口TH2可提供為與發光裝置120之第二襯墊電極122重疊。第二開口TH2可提供為在自第二框架112之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第二襯墊電極122重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下表面下彼此間隔開。
根據實施例，第一開口TH1之上部區域的寬度W1可大於第一襯墊電極121之寬度。另外，第二開口TH2之上部區域的寬度可大於第二襯墊電極122的寬度。
根據實施例，第一襯墊電極121之下部部分可安置於第一開口TH1之上部區域中。第一襯墊電極121之底部表面可安置為低於第一框架111之上表面。
另外，第二襯墊電極122之下部部分可安置於第二開口TH2之上部區域中。第二襯墊電極122之底部表面可安置為低於第二框架112之上表面。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含黏著劑130。
黏著劑130可安置於主體113與發光裝置120之間。黏著劑130可安置於主體113之上表面與發光裝置120之下表面之間。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含凹槽R，如圖18及圖19中所展示。
凹槽R可提供於主體113處。凹槽R可提供於第一開口TH1與第二開口TH2之間。凹槽R可提供為自主體113之上表面朝向其下表面凹入。凹槽R可安置於發光裝置120下。凹槽R可提供為在第一方向上與發光裝置120重疊。
作為實例，黏著劑130可安置於凹槽R中。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之間。作為實例，黏著劑130可安置成接觸第一襯墊電極121之側表面及第二襯墊電極122之側表面。
黏著劑130可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩定的固定力。黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。作為實例，黏著劑130可包含白色聚矽氧。作為另一表示，黏著劑130可被稱為第一樹脂。
黏著劑130可在主體113與發光裝置120之間提供穩定的固定力。當光被發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供光漫射功能。當光自發光裝置120發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可藉由提供光漫射功能而改良發光裝置封裝100之光提取效率。
凹槽R可在發光裝置120下提供可在其中執行一種下填充製程之適當空間。凹槽R可提供為第一深度或更深，從而使得黏著劑130可充分提供於發光裝置120之下表面與主體113之上表面之間。另外，凹 槽R可提供為第二深度或更淺以提供主體113之穩定強度。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可提供在第一開口TH1處。第一導電層321可安置於第一襯墊電極121下。第一導電層321之寬度可提供為大於第一襯墊電極121之寬度。
第一襯墊電極121可具有在垂直於形成第一開口TH1之第一方向的第二方向上的寬度。第一襯墊電極121之寬度可提供為小於第一開口TH1在第二方向上的寬度。
第一導電層321可安置成與第一襯墊電極121之下表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一襯墊電極121。第一導電層321可安置成由第一框架111包圍。
在第一開口TH1之上部區域中，第一導電層321之上部部分可安置於第一襯墊電極121之下部部分的周邊處。第一導電層321之上表面可安置成高於第一襯墊電極121之下表面。
第二導電層322可提供在第二開口TH2處。第二導電層322可安置於第二襯墊電極122下。第二導電層322之寬度可提供為大於第二襯墊電極122之寬度。
第二襯墊電極122可具有在垂直於形成第二開口TH2之第一方向的第二方向上的寬度。第二襯墊電極122之寬度可提供為小於第二開口TH2在第二方向上的寬度。
第二導電層322可安置成與第二襯墊電極122之下表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二襯墊電極122。第二導電層322可安置成由第二框架112包圍。
在第二開口TH2之上部區域中，第二導電層322之上部部分可安置於第二襯墊電極122之下部部分的周邊處。第二導電層322之上表面可安置成高於第二襯墊電極122之下表面。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Cu或其合金。然而，本發明不限於 此，且可在第一導電層321及第二導電層322中使用能夠確保導電功能之材料。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏或其類似者，且可由多個層或由多個層構成之單層或由不同材料構成之合金構成。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，如圖18及圖19中所展示，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一下部凹槽R10及第二下部凹槽R20。第一下部凹槽R10及第二下部凹槽R20可安置成彼此間隔開。
第一下部凹槽R10可提供在第一框架111之下表面處。第一下部凹槽R10可提供為自第一框架111之下表面朝向其上表面凹入。第一下部凹槽R10可安置成與第一開口TH1間隔開。
第一下部凹槽R10可具備幾微米至幾十微米的寬度。樹脂部分可提供在第一下部凹槽R10處。作為實例，填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分可具備與主體113相同之材料。
作為實例，可在經由注入製程或其類似者形成第一框架111、第二框架112及主體113之製程中提供填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分。
如上文參看圖2所描述，填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分可安置於第一框架111的提供第一開口TH1之下表面區域周圍。第一框架111的提供第一開口TH1之下表面區域可安置成與在其周圍的呈島狀物形狀的形成第一框架111之下表面分離。
作為實例，如上文參看圖2所描述，第一框架111的提供第一開口TH1之下表面區域可由填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分及主體113與其周圍的第一框架111隔離。
因此，有可能防止第一開口TH1中提供之第一導電層321自第一開口TH1移動，並擴散至填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分或主體113上。
由於第一導電層321並不自第一開口TH1朝向提供樹脂部 分或主體113之區域溢出，因此有可能防止第一導電層321溢出或延伸至提供樹脂部分或主體113之區域外部，從而使得第一導電層321可穩定地安置於提供第一開口TH1之區域中。另外，第一導電層321可在第一開口TH1中穩定地連接至第一襯墊電極121之下表面。
另外，第二下部凹槽R20可提供在第二框架112之下表面處。第二下部凹槽R20可提供為自第二框架112之下表面朝向其上表面凹入。第二下部凹槽R20可安置成與第二開口TH2間隔開。
第二下部凹槽R20可具備幾微米至幾十微米的寬度。樹脂部分可提供在第二下部凹槽R20處。作為實例，填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分可具備與主體113相同之材料。
作為實例，可在經由注入製程或其類似者形成第一框架111、第二框架112及主體113之製程中提供填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分。
如上文參看圖2所描述，填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分可安置於第二框架112的提供第二開口TH2之下表面區域周圍。第二框架112的提供第二開口TH2之下表面區域可安置成與在其周圍的呈島狀物形狀的形成第二框架112之下表面分離。
作為實例，如上文參看圖2所描述，第二框架112的提供第二開口TH2之下表面區域可由填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分及主體113與其周圍的第二框架112隔離。
因此，有可能防止第二開口TH2中提供之第二導電層322自第二開口TH2移動，並擴散至填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分或主體113上。
由於第二導電層322並不自第二開口TH2朝向提供樹脂部分或主體113之區域溢出，因此有可能防止第二導電層322溢出或延伸至提供樹脂部分或主體113之區域外部，從而使得第二導電層322可穩定地安置於提供第二開口TH2之區域中。另外，第二導電層322可在第二開口TH2中穩定地連接至第二襯墊電極122之下表面。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一上部凹槽R3 及第二上部凹槽R4，如圖18及圖19中所展示。
第一上部凹槽R3可提供於第一框架111之上表面上。第一上部凹槽R3可提供為自第一框架111之上表面在下表面方向上凹入。第一上部凹槽R3可安置成與第一開口TH1間隔開。
在自其上方向檢視時，第一上部凹槽R3可提供為鄰近於第一襯墊電極121之周邊，如圖19中所展示。舉例而言，第一上部凹槽R3可以「[」形狀提供至第一襯墊電極121之周邊。
根據實施例，第一上部凹槽R3可提供為以免在豎直方向上與第一下部凹槽R10重疊。當第一上部凹槽R3與第一下部凹槽R10在豎直方向上彼此重疊，且安置於其間之第一框架111的厚度過薄時，第一框架111之強度可降低。
根據另一實施例，在充分提供了第一框架111之厚度時，第一上部凹槽R3及第一下部凹槽R10被提供為以便在豎直方向上彼此重疊。
第二上部凹槽R4可提供於第二框架112之上表面上。第二上部凹槽R4可提供為自第二框架112之上表面在下表面方向上凹入。第二上部凹槽R4可安置成與第二開口TH2間隔開。
根據實施例，第二上部凹槽R4可提供為以免在豎直方向上與第二下部凹槽R20重疊。當第二上部凹槽R4與第二下部凹槽R20在豎直方向上彼此重疊，且安置於其間之第二框架112的厚度過薄時，第二框架112之強度可降低。
根據另一實施例，在充分提供了第二框架112之厚度時，第二上部凹槽R4及第二下部凹槽R20被提供為以便在豎直方向上彼此重疊。
在自其上方向檢視時，第二上部凹槽R4可提供為鄰近於第二襯墊電極122之周邊，如圖19中所展示。舉例而言，第二上部凹槽R4可以「]」形狀提供至第二襯墊電極122之周邊。
舉例而言，第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4可具備幾十微米至幾百微米的寬度。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含樹脂部分135，如圖18中所展示。
樹脂部分135可提供在第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4處。
樹脂部分135可安置於第一襯墊電極121之側表面處。樹脂部分135可提供在第一上部凹槽R3處，並提供為延伸至安置第一襯墊電極121之區域。樹脂部分135可安置於半導體結構123下。
自第一上部凹槽R3之末端至發光裝置120之鄰近末端部分的距離L11可為幾百微米或更小。作為實例，自第一上部凹槽R3之末端部分至發光裝置120之鄰近末端部分的距離L11可提供為等於或小於200微米。
自第一上部凹槽R3之末端部分至發光裝置120之鄰近末端部分的距離L11可藉由填充在第一上部凹槽R3處之樹脂部分135的黏度等來判定。
自第一上部凹槽R3之末端部分至發光裝置120之鄰近末端部分的距離L11可藉由填充在第一上部凹槽R3處之樹脂部分135的黏度等來判定。
另外，樹脂部分135可安置於第二襯墊電極122之側表面處。樹脂部分135可提供在第二上部凹槽R4處，並提供為延伸至安置第二襯墊電極122之區域。樹脂部分135可安置於半導體結構123下。
另外，樹脂部分135亦可提供在半導體結構123之側表面處。樹脂部分135可安置於半導體結構123之側表面上，且因此有可能有效地防止第一導電層321及第二導電層322移動至半導體結構123之側表面。另外，在樹脂部分135安置於半導體結構123之側表面上時，樹脂部分135可安置於半導體結構123之作用層下，且因此可改良發光裝置120之光提取效率。
第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4可提供可在其中提供樹脂部分135之充分空間。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可包含諸如TiO2之反射材料，及/或包含聚矽氧之白色聚 矽氧。
樹脂部分135可安置於發光裝置120下以執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122周圍密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322自第一開口TH1區域及第二開口TH2區域移動，並朝向發光裝置120擴散且移動。
另外，當樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧的具有反射性質之材料時，樹脂部分135可將自發光裝置120發射之光朝向封裝主體110之上方向反射，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
根據實施例，黏著劑130基於第一方向與發光裝置120重疊之面積可提供為大於第一開口TH1及第二開口TH2與第一襯墊電極121及第二襯墊電極122重疊之區域的面積。
如上文所描述，由於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下表面的光的量。另外，可在發光裝置120下提供具有良好反射特性之黏著劑130。因此，在發光裝置120之向下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上方向有效發射，從而使得可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部分140。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之空腔C處。模製部分140可安置於樹脂部分135上。
另外，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝的另一實例，可不單獨地提供樹脂部分135，且黏著劑130可提供在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之周邊處。
此時，黏著劑130可被稱為第一樹脂，且第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可分別被稱為第一接合部分及第二接合部分。
同時，黏著劑130可安置於第一開口TH1及第二開口TH2之上部區域處。黏著劑130的部分可在發光裝置120提供於封裝主體110上之製程中移動至第一開口TH1及第二開口TH2。黏著劑130的部分可在第一開口TH1及第二開口TH2中安置於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之側表面區域處。黏著劑130的部分可在第一開口TH1及第二開口TH2中安置於第一導電層321及第二導電層322上。
黏著劑130可密封第一開口TH1及第二開口TH2之上部區域，且防止水分或外來物質經由第一開口TH1及第二開口TH2自外部流動至安置發光裝置120之區域中。
另外，在充分確保了用於在發光裝置120與封裝主體110之間提供黏著劑130的空間時，可不在封裝主體110之上表面上提供凹槽R。
在根據實施例之發光裝置封裝100中，電力可經由第一開口TH1之區域連接至第一襯墊電極121，且電力可經由第二開口TH2之區域連接至第二襯墊電極122。
因此，發光裝置120可由經由第一襯墊電極121及第二襯墊電極122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝100可被供應且安裝在子基板、電路板或其類似者上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在子基板、電路板或其類 似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與提供於發光裝置封裝中的發光裝置之間的接合區域中會發生重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一襯墊電極及第二襯墊電極可藉由安置於開口中的導電層而具備驅動電力。另外，可選擇安置於開口中之導電層的熔點，以便具有高於一般接合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜的樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接下來，將參看圖20描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參看圖20描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參看圖1至圖19所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖20中所展示。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架 111與第二框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。
第一框架111及第二框架112可提供為絕緣框架。第一框架111及第二框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度。
另外，第一框架111及第二框架112可提供為導電框架。第一框架111及第二框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度，且可電連接至發光裝置120。
稍後將描述將第一框架111及第二框架112形成為絕緣框架之狀況與將第一框架111及第二框架112形成為導電框架之狀況之間的差異。
舉例而言，主體113可由選自以下組成之群組的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)等。另外，主體113可包含諸如TiO2及SiO2之高折射率填料。
根據實施例，發光裝置120可包含第一襯墊電極121、第二襯墊電極122、半導體結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置於基板124下之半導體結構123，如圖20中所展示。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可安置於半導體結構123與主體113之間。
發光裝置120可安置於封裝主體110上。發光裝置120可安置於第一框架111及第二框架112上。發光裝置120可安置於由封裝主體110提供之空腔C中。
第一襯墊電極121可安置於發光裝置120之下表面上。第二襯墊電極122可安置於發光裝置120之下表面上。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可安置成在發光裝置120之下表面上彼此間隔開。
第一襯墊電極121可安置於第一框架111上。第二襯墊電極122可安置於第二框架112上。
第一襯墊電極121可安置於半導體結構123與第一框架111之間。第二襯墊電極122可安置於半導體結構123與第二框架112之間。
同時，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一開口TH1及第二開口TH2，如圖20中所展示。第一框架111可包含第一開口TH1。第二框架112可包含第二開口TH2。
第一開口TH1可提供於第一框架111處。第一開口TH1可藉由穿過第一框架111而提供。第一開口TH1可藉由在第一方向上穿過第一框架111之上表面及下表面而提供。
第一開口TH1可安置於發光裝置120之第一襯墊電極121下。第一開口TH1可提供為與發光裝置120之第一襯墊電極121重疊。第一開口TH1可提供為在自第一框架111之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第一襯墊電極121重疊。
第二開口TH2可提供於第二框架112處。第二開口TH2可藉由穿過第二框架112而提供。第二開口TH2可藉由在第一方向上穿過第二框架112之上表面及下表面而提供。
第二開口TH2可安置於發光裝置120之第二襯墊電極122下。第二開口TH2可提供為與發光裝置120之第二襯墊電極122重疊。第二開口TH2可提供為在自第二框架112之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第二襯墊電極122重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下表面下彼此間隔開。
根據實施例，第一開口TH1之上部區域的寬度W1可大於第一襯墊電極121之寬度。另外，第二開口TH2之上部區域的寬度可大於第二襯墊電極122的寬度。
根據實施例，第一襯墊電極121之下部部分可安置於第一開口TH1之上部區域中。第一襯墊電極121之底部表面可安置為低於第一框架111之上表面。
另外，第二襯墊電極122之下部部分可安置於第二開口TH2之上部區域中。第二襯墊電極122之底部表面可安置為低於第二框架112之上表面。
根據實施例之發光裝置封裝可包含黏著劑130。
黏著劑130可安置於主體113與發光裝置120之間。黏著劑130可安置於主體113之上表面與發光裝置120之下表面之間。
根據實施例之發光裝置封裝可包含凹槽R，如圖20中所展示。
凹槽R可提供於主體113處。凹槽R可提供於第一開口TH1與第二開口TH2之間。凹槽R可提供為自主體113之上表面朝向其下表面凹入。凹槽R可安置於發光裝置120下。凹槽R可提供為在第一方向上與發光裝置120重疊。
作為實例，黏著劑130可安置於凹槽R中。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之間。作為實例，黏著劑130可安置成接觸第一襯墊電極121之側表面及第二襯墊電極122之側表面。
黏著劑130可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩定的固定力。黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。作為實例，黏著劑130可包含白色聚矽氧。作為另一表示，黏著劑130可被稱為第一樹脂。
黏著劑130可在主體113與發光裝置120之間提供穩定的固定力。當光被發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供光漫射功能。當光自發光裝置120發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可藉由提供光漫射功能而改良發光裝置封裝100之光提取效率。
凹槽R可在發光裝置120下提供可在其中執行一種下填充製程之適當空間。凹槽R可提供為第一深度或更深，從而使得黏著劑130可充分提供於發光裝置120之下表面與主體113之上表面之間。另外，凹 槽R可提供為第二深度或更淺以提供主體113之穩定強度。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
根據實施例，黏著劑130基於第一方向與發光裝置120重疊之面積可提供為大於第一開口TH1及第二開口TH2與第一襯墊電極121及第二襯墊電極122重疊之區域的面積。
如上文所描述，由於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下表面的光的量。另外，可在發光裝置120下提供具有良好反射特性之黏著劑130。因此，在發光裝置120之向下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上方向有效發射，從而使得可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可提供在第一開口TH1處。第一導電層321可安置於第一襯墊電極121下。第一導電層321之寬度可提供為大於第一襯墊電極121之寬度。
第一襯墊電極121可具有在垂直於形成第一開口TH1之第一方向的第二方向上的寬度。第一襯墊電極121之寬度可提供為小於第一開口TH1在第二方向上的寬度。
第一導電層321可安置成與第一襯墊電極121之下表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一襯墊電極121。第一導電層321可 安置成由第一框架111包圍。
在第一開口TH1之上部區域中，第一導電層321之上部部分可安置於第一襯墊電極121之下部部分的周邊處。第一導電層321之上表面可安置成高於第一襯墊電極121之下表面。
第二導電層322可提供在第二開口TH2處。第二導電層322可安置於第二襯墊電極122下。第二導電層322之寬度可提供為大於第二襯墊電極122之寬度。
第二襯墊電極122可具有在垂直於形成第二開口TH2之第一方向的第二方向上的寬度。第二襯墊電極122之寬度可提供為小於第二開口TH2在第二方向上的寬度。
第二導電層322可安置成與第二襯墊電極122之下表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二襯墊電極122。第二導電層322可安置成由第二框架112包圍。
在第二開口TH2之上部區域中，第二導電層322之上部部分可安置於第二襯墊電極122之下部部分的周邊處。第二導電層322之上表面可安置成高於第二襯墊電極122之下表面。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Cu或其合金。然而，本發明不限於此，且可在第一導電層321及第二導電層322中使用能夠確保導電功能之材料。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏或其類似者，且可由多個層或由多個層構成之單層或由不同材料構成之合金構成。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4，如圖20中所展示。
第一上部凹槽R3可提供於第一框架111之上表面上。第一上部凹槽R3可提供為自第一框架111之上表面在下表面方向上凹入。第一上部凹槽R3可安置成與第一開口TH1間隔開。
在自其上方向檢視時，第一上部凹槽R3可提供為鄰近於第一襯墊電極121之周邊，如圖19中所展示。舉例而言，第一上部凹槽R3可以「[」形狀提供至第一襯墊電極121之周邊。
第二上部凹槽R4可提供於第二框架112之上表面上。第二上部凹槽R4可提供為自第二框架112之上表面在下表面方向上凹入。第二上部凹槽R4可安置成與第二開口TH2間隔開。
在自其上方向檢視時，第二上部凹槽R4可提供為鄰近於第二襯墊電極122之周邊，如圖19中所展示。舉例而言，第二上部凹槽R4可以「]」形狀提供至第二襯墊電極122之周邊。
舉例而言，第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4可具備幾十微米至幾百微米的寬度。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含樹脂部分135，如圖20中所展示。
樹脂部分135可提供在第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4處。
樹脂部分135可安置於第一襯墊電極121之側表面處。樹脂部分135可提供在第一上部凹槽R3處，並提供為延伸至安置第一襯墊電極121之區域。樹脂部分135可安置於半導體結構123下。
自第一上部凹槽R3之末端至發光裝置120之鄰近末端部分的距離L11可為幾百微米或更小。作為實例，自第一上部凹槽R3之末端部分至發光裝置120之鄰近末端部分的距離L11可提供為等於或小於200微米。
自第一上部凹槽R3之末端部分至發光裝置120之鄰近末端部分的距離L11可藉由填充在第一上部凹槽R3處之樹脂部分135的黏度等來判定。
自第一上部凹槽R3之末端部分至發光裝置120之鄰近末端部分的距離L11可藉由填充在第一上部凹槽R3處之樹脂部分135的黏度等來判定。
另外，樹脂部分135可安置於第二襯墊電極122之側表面 處。樹脂部分135可提供在第二上部凹槽R4處，並提供為延伸至安置第二襯墊電極122之區域。樹脂部分135可安置於半導體結構123下。
另外，樹脂部分135亦可提供在半導體結構123之側表面處。樹脂部分135可安置於半導體結構123之側表面上，且因此有可能有效地防止第一導電層321及第二導電層322移動至半導體結構123之側表面。另外，在樹脂部分135安置於半導體結構123之側表面上時，樹脂部分135可安置於半導體結構123之作用層下，且因此可改良發光裝置120之光提取效率。
第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4可提供可在其中提供樹脂部分135之充分空間。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可包含諸如TiO2之反射材料，及/或包含聚矽氧之白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置於發光裝置120下以執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122周圍密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322自第一開口TH1區域及第二開口TH2區域移動，並朝向發光裝置120擴散且移動。
另外，當樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧的具有反射性質之材料時，樹脂部分135可將自發光裝置120發射之光朝向封裝主體110之上方向反射，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部分140。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之空腔C處。模製部分140可安置於樹脂部分135上。
另外，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝的另一實 例，可不單獨地提供樹脂部分135，且黏著劑130可提供在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之周邊處。
此時，黏著劑130可被稱為第一樹脂，且第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可分別被稱為第一接合部分及第二接合部分。
同時，黏著劑130可安置於第一開口TH1及第二開口TH2之上部區域處。黏著劑130的部分可在發光裝置120提供於封裝主體110上之製程中移動至第一開口TH1及第二開口TH2。黏著劑130的部分可在第一開口TH1及第二開口TH2中安置於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之側表面區域處。黏著劑130的部分可在第一開口TH1及第二開口TH2中安置於第一導電層321及第二導電層322上。
黏著劑130可密封第一開口TH1及第二開口TH2之上部區域，且防止水分或外來物質經由第一開口TH1及第二開口TH2自外部流動至安置發光裝置120之區域中。
另外，在充分確保了用於在發光裝置120與封裝主體110之間提供黏著劑130的空間時，可不在封裝主體110之上表面上提供凹槽R。
在根據實施例之發光裝置封裝100中，電力可經由第一開口TH1之區域連接至第一襯墊電極121，且電力可經由第二開口TH2之區域連接至第二襯墊電極122。
因此，發光裝置120可由經由第一襯墊電極121及第二襯墊電極122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝100可被供應且安裝在子基板、電路板或其類似者上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與提供於發光裝置封裝中的發光裝置之間的接合區域中會發生重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一襯墊電極及第二襯墊電極可藉由安 置於開口中的導電層而具備驅動電力。另外，可選擇安置於開口中之導電層的熔點，以便具有高於一般接合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜的樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接下來，將參看圖21描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參看圖21描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參看圖1至圖20所描述之內容重疊的內容的描述。
圖21中展示之發光裝置封裝不同於參看圖18至圖20所描述之發光裝置封裝之處在於第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4之形成位置。
在根據實施例之發光裝置封裝中，如圖21中所展示，在自其上方向檢視時，第一上部凹槽R3之區域的部分可在豎直方向上與半導體結構123重疊。作為實例，第一上部凹槽R3的鄰近於第一襯墊電極121之側表面區域可提供為在半導體結構123下延伸。
另外，在根據實施例之發光裝置封裝中，如圖21中所展示，在自其上方向檢視時，第二上部凹槽R4之區域的部分可在豎直方向上與半導體結構123重疊。作為實例，第二上部凹槽R4的鄰近於第二襯墊電極 122之側表面區域可提供為在半導體結構123下延伸。
因此，填充在第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4處之樹脂部分135可有效地密封第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之周邊。
另外，第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4可在發光裝置120下提供可在其中提供樹脂部分135之充分空間。第一上部凹槽R3及第二上部凹槽R4可在發光裝置120下提供可在其中執行一種下填充製程之適當空間。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可為反射自發光裝置120發射之光的反射部分，作為實例，其可為含有諸如TiO2之反射材料的樹脂。樹脂部分135可包含白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置於發光裝置120下以執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122周圍密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322自第一開口TH1區域及第二開口TH2區域移動，並朝向發光裝置120擴散且移動。
另外，當樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧的具有反射性質之材料時，樹脂部分135可將自發光裝置120發射之光朝向封裝主體110之上方向反射，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據 根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
根據實施例，黏著劑130基於第一方向與發光裝置120重疊之面積可提供為大於第一開口TH1及第二開口TH2與第一襯墊電極121及第二襯墊電極122重疊之區域的面積。
如上文所描述，由於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下表面的光的量。另外，可在發光裝置120下提供具有良好反射特性之黏著劑130。因此，在發光裝置120之向下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上方向有效發射，從而使得可改良光提取效率。
在根據實施例之發光裝置封裝100中，電力可經由第一開口TH1之區域連接至第一襯墊電極121，且電力可經由第二開口TH2之區域連接至第二襯墊電極122。
因此，發光裝置120可由經由第一襯墊電極121及第二襯墊電極122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝100可被供應且安裝在子基板、電路板或其類似者上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與提供於發光裝置封裝中的發光裝置之間的接合區域中會發生重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一襯墊電極及第二襯墊電極可藉由安置於開口中的導電層而具備驅動電力。另外，可選擇安置於開口中之導電層的熔點，以便具有高於一般接合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電 連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜的樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接下來，將參看圖22描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參看圖22描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參看圖1至圖21所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖22中所展示。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架111與第二框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。
第一框架111及第二框架112可提供為絕緣框架。第一框架111及第二框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度。
另外，第一框架111及第二框架112可提供為導電框架。第一框架111及第二框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度，且可電連接至發光裝置120。
稍後將描述將第一框架111及第二框架112形成為絕緣框架之狀況與將第一框架111及第二框架112形成為導電框架之狀況之間的差異。
根據實施例，發光裝置120可包含第一襯墊電極121、第二襯墊電極122、半導體結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置於基板124下之半導體結構123，如圖22中所展示。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可安置於半導體結構123與主體113之間。
第一襯墊電極121可安置於發光裝置120之下表面上。第二襯墊電極122可安置於發光裝置120之下表面上。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可安置成在發光裝置120之下表面上彼此間隔開。
第一襯墊電極121可安置於第一框架111上。第二襯墊電極122可安置於第二框架112上。
同時，根據實施例之發光裝置封裝100可包含第一開口TH1及第二開口TH2，如圖22中所展示。第一框架111可包含第一開口TH1。第二框架112可包含第二開口TH2。
第一開口TH1可提供於第一框架111處。第一開口TH1可藉由穿過第一框架111而提供。第一開口TH1可藉由在第一方向上穿過第一框架111之上表面及下表面而提供。
第一開口TH1可安置於發光裝置120之第一襯墊電極121下。第一開口TH1可提供為與發光裝置120之第一襯墊電極121重疊。第一開口TH1可提供為在自第一框架111之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第一襯墊電極121重疊。
第二開口TH2可提供於第二框架112處。第二開口TH2可藉由穿過第二框架112而提供。第二開口TH2可藉由在第一方向上穿過第二框架112之上表面及下表面而提供。
第二開口TH2可安置於發光裝置120之第二襯墊電極122下。第二開口TH2可提供為與發光裝置120之第二襯墊電極122重疊。第二開口TH2可提供為在自第二框架112之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第二襯墊電極122重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下表面下彼此間隔 開。
根據實施例，第一開口TH1之上部區域的寬度W1可大於第一襯墊電極121之寬度。另外，第二開口TH2之上部區域的寬度可大於第二襯墊電極122的寬度。
根據實施例，第一襯墊電極121之下部部分可安置於第一開口TH1之上部區域中。第一襯墊電極121之底部表面可安置為低於第一框架111之上表面。
另外，第二襯墊電極122之下部部分可安置於第二開口TH2之上部區域中。第二襯墊電極122之底部表面可安置為低於第二框架112之上表面。
另外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含黏著劑130，如圖22中所展示。
黏著劑130可安置於主體113與發光裝置120之間。黏著劑130可安置於主體113之上表面與發光裝置120之下表面之間。
另外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含凹槽R，如圖22中所展示。
凹槽R可提供於主體113處。凹槽R可提供於第一開口TH1與第二開口TH2之間。凹槽R可提供為自主體113之上表面朝向其下表面凹入。凹槽R可安置於發光裝置120下。凹槽R可提供為在第一方向上與發光裝置120重疊。
作為實例，黏著劑130可安置於凹槽R中。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之間。作為實例，黏著劑130可安置成接觸第一襯墊電極121之側表面及第二襯墊電極122之側表面。
黏著劑130可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩定的固定力。黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧類材料、聚矽氧類材料， 以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。作為實例，黏著劑130可包含白色聚矽氧。作為另一表示，黏著劑130可被稱為第一樹脂。
黏著劑130可在主體113與發光裝置120之間提供穩定的固定力。當光被發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供光漫射功能。當光自發光裝置120發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可藉由提供光漫射功能而改良發光裝置封裝100之光提取效率。
凹槽R可在發光裝置120下提供可在其中執行一種下填充製程之適當空間。凹槽R可提供為第一深度或更深，從而使得黏著劑130可充分提供於發光裝置120之下表面與主體113之上表面之間。另外，凹槽R可提供為第二深度或更淺以提供主體113之穩定強度。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
根據實施例，黏著劑130基於第一方向與發光裝置120重疊之面積可提供為大於第一開口TH1及第二開口TH2與第一襯墊電極121及第二襯墊電極122重疊之區域的面積。
如上文所描述，由於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下表面的光的量。另外，可在發光裝置120下提供具有良好反射特性之黏著劑130。因此，在發光裝置120之向下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發 光裝置封裝100之上方向有效發射，從而使得可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含第一導電層321及第二導電層322，如圖22中所展示。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可提供在第一開口TH1處。第一導電層321可安置於第一襯墊電極121下。第一導電層321之寬度可提供為大於第一襯墊電極121之寬度。
第一襯墊電極121可具有在垂直於形成第一開口TH1之第一方向的第二方向上的寬度。第一襯墊電極121之寬度可提供為小於第一開口TH1在第二方向上的寬度。
第一導電層321可安置成與第一襯墊電極121之下表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一襯墊電極121。第一導電層321可安置成由第一框架111包圍。
在第一開口TH1之上部區域中，第一導電層321之上部部分可安置於第一襯墊電極121之下部部分的周邊處。第一導電層321之上表面可安置成高於第一襯墊電極121之下表面。
第二導電層322可提供在第二開口TH2處。第二導電層322可安置於第二襯墊電極122下。第二導電層322之寬度可提供為大於第二襯墊電極122之寬度。
第二襯墊電極122可具有在垂直於形成第二開口TH2之第一方向的第二方向上的寬度。第二襯墊電極122之寬度可提供為小於第二開口TH2在第二方向上的寬度。
第二導電層322可安置成與第二襯墊電極122之下表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二襯墊電極122。第二導電層322可安置成由第二框架112包圍。
在第二開口TH2之上部區域中，第二導電層322之上部部分可安置於第二襯墊電極122之下部部分的周邊處。第二導電層322之上表面可安置成高於第二襯墊電極122之下表面。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成 之群組的一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Cu或其合金。然而，本發明不限於此，且可在第一導電層321及第二導電層322中使用能夠確保導電功能之材料。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏或其類似者。
同時，根據實施例，如圖22中所展示，第一導電層321及第二導電層322可具備多層，及或可包含多層或由多個層構成之單層或由不同材料構成之合金。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
作為實例，第一導電層321可包含第一上部導電層321a及第一下部導電層321b。第一上部導電層321a可提供在第一開口TH1之上部區域處。第一下部導電層321b可提供在第一開口TH1之下部區域處。
另外，第二導電層322可包含第二上部導電層322a及第二下部導電層322b。第二上部導電層322a可提供在第二開口TH2之上部區域處。第二下部導電層322b可提供在第二開口TH2之下部區域處。
根據實施例，第一上部導電層321a及第一下部導電層321b可包含不同材料。第一上部導電層321a及第一下部導電層321b可具有不同熔點。作為實例，第一上部導電層321a之熔點可選擇為高於第一下部導電層321b之熔點。
舉例而言，可不同地提供形成第一上部導電層321a之導電膏及形成第一下部導電層321b之導電膏。根據實施例，舉例而言，第一上部導電層321a可藉由使用銀膏形成，且第一下部導電層321b可藉由使用焊錫膏形成。
根據實施例，在用銀膏形成第一上部導電層321a時，提供在第一開口TH1處之銀膏在第一襯墊電極121與第一框架111之間擴散及滲透的程度被偵測為較弱或不存在該擴散及滲透。
因此，在用銀膏形成第一上部導電層321a時，有可能防止發光裝置120短路或退化。
另外，在用銀膏形成第一上部導電層321a且用焊錫膏形成 第一下部導電層321b時，相比於用銀膏形成整個第一導電層321之狀況，製造成本可降低。
類似地，可不同地提供形成第二上部導電層322a之導電膏及形成第二下部導電層322b之導電膏。根據實施例，舉例而言，第二上部導電層322a可藉由使用銀膏形成，且第二下部導電層322b可藉由使用焊錫膏形成。
根據實施例，在用銀膏形成第二上部導電層322a時，提供在第二開口TH2處之銀膏在第二襯墊電極122與第二框架112之間擴散及滲透的程度被偵測為較弱或不存在該擴散及滲透。
因此，在用銀膏形成第二上部導電層322a時，有可能防止發光裝置120短路或退化。
另外，在用銀膏形成第二上部導電層322a且用焊錫膏形成第二下部導電層322b時，相比於用銀膏形成整個第二導電層322之狀況，製造成本可降低。
同時，如圖22中所展示，根據實施例之發光裝置封裝100可包含第一下部凹槽R10及第二下部凹槽R20。第一下部凹槽R10及第二下部凹槽R20可安置成彼此間隔開。
第一下部凹槽R10可提供在第一框架111之下表面處。第一下部凹槽R10可提供為自第一框架111之下表面朝向其上表面凹入。第一下部凹槽R10可安置成與第一開口TH1間隔開。
第一下部凹槽R10可具備幾微米至幾十微米的寬度。樹脂部分可提供在第一下部凹槽R10處。作為實例，填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分可具備與主體113相同之材料。
作為實例，可在經由注入製程或其類似者形成第一框架111、第二框架112及主體113之製程中提供填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分。
填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分可安置於第一框架111的提供第一開口TH1之下表面區域周圍。第一框架111的提供第一開口TH1之下表面區域可安置成與在其周圍的呈島狀物形狀的形成第一框架 111之下表面分離。
作為實例，如圖2中所展示，第一框架111的提供第一開口TH1之下表面區域可由填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分及主體113與其周圍的第一框架111隔離。
因此，有可能防止第一開口TH1中提供之第一導電層321自第一開口TH1移動，並擴散至填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分或主體113上。
因此，有可能防止第一導電層321溢出或延伸至提供樹脂部分或主體113之區域外部，從而使得第一導電層321可穩定地安置於提供第一開口TH1之區域中。另外，第一導電層321可在第一開口TH1中穩定地連接至第一襯墊電極121之下表面。
另外，第二下部凹槽R20可提供在第二框架112之下表面處。第二下部凹槽R20可提供為自第二框架112之下表面朝向其上表面凹入。第二下部凹槽R20可安置成與第二開口TH2間隔開。
第二下部凹槽R20可具備幾微米至幾十微米的寬度。樹脂部分可提供在第二下部凹槽R20處。作為實例，填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分可具備與主體113相同之材料。
作為實例，可在經由注入製程或其類似者形成第一框架111、第二框架112及主體113之製程中提供填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分。
填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分可安置於第二框架112的提供第二開口TH2之下表面區域周圍。第二框架112的提供第二開口TH2之下表面區域可安置成與在其周圍的呈島狀物形狀的形成第二框架112之下表面分離。
作為實例，如圖2中所展示，第二框架112的提供第二開口TH2之下表面區域可由填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分及主體113與其周圍的第二框架112隔離。
因此，有可能防止第二開口TH2中提供之第二導電層322自第二開口TH2移動，並擴散至填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分或 主體113上。
因此，有可能防止第二導電層322溢出或延伸至提供樹脂部分或主體113之區域外部，從而使得第二導電層322可穩定地安置於提供第二開口TH2之區域中。另外，第二導電層322可在第二開口TH2中穩定地連接至第二襯墊電極122之下表面。
另外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含樹脂部分135，如圖22中所展示。
樹脂部分135可安置於第一框架111與發光裝置120之間。樹脂部分135可安置於第二框架112與發光裝置120之間。樹脂部分135可提供在封裝主體110中提供之空腔C的底部表面處。
樹脂部分135可安置於第一襯墊電極121之側表面上。樹脂部分135可安置於第二襯墊電極122之側表面上。樹脂部分135可安置於半導體結構123下。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可為反射自發光裝置120發射之光的反射部分，作為實例，其可為含有諸如TiO2之反射材料的樹脂。樹脂部分135可包含白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置於發光裝置120下以執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122周圍密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322自第一開口TH1區域及第二開口TH2區域移動，並朝向發光裝置120擴散且移動。
另外，當樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧的具有反射性質之材料時，樹脂部分135可將自發光裝置120發射之光朝向封裝主體110之上方向反射，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含模製部分140， 如圖22中所展示。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之空腔C處。模製部分140可安置於樹脂部分135上。
另外，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝的另一實例，可不單獨地提供樹脂部分135，且黏著劑130可提供在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之周邊處。
此時，黏著劑130可被稱為第一樹脂，且第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可分別被稱為第一接合部分及第二接合部分。
同時，黏著劑130可安置於第一開口TH1及第二開口TH2之上部區域處。黏著劑130的部分可在發光裝置120提供於封裝主體110上之製程中移動至第一開口TH1及第二開口TH2。黏著劑130的部分可在第一開口TH1及第二開口TH2中安置於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之側表面區域處。黏著劑130的部分可在第一開口TH1及第二開口TH2中安置於第一導電層321及第二導電層322上。
黏著劑130可密封第一開口TH1及第二開口TH2之上部區域，且防止水分或外來物質經由第一開口TH1及第二開口TH2自外部流動至安置發光裝置120之區域中。
另外，在充分確保了用於在發光裝置120與封裝主體110之間提供黏著劑130的空間時，可不在封裝主體110之上表面上提供凹槽R。
同時，根據上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝100，第一框架111可包含提供在下表面處之下部凹槽及提供在上表面處之上部凹槽。作為實例，第一框架111可包含提供在下表面處之至少一個下部凹槽。另外，第一框架111可包含提供在上表面處之至少一個上部凹槽。另外，第一框架111可包含提供在上表面處之至少一個上部凹槽及提供在下表面處之至少一個下部凹槽。另外，第一框架111可具備凹槽並不形成於上表面及下表面處之結構。
類似地，第二框架112可包含提供在下表面處之至少一個下部凹槽。另外，第二框架112可包含提供在上表面處之至少一個上部凹槽。 另外，第二框架112可包含提供在上表面處之至少一個上部凹槽及提供在下表面處之至少一個下部凹槽。另外，第二框架112可具備凹槽並不形成於上表面及下表面處之結構。
在根據實施例之發光裝置封裝100中，電力可經由第一開口TH1之區域連接至第一襯墊電極121，且電力可經由第二開口TH2之區域連接至第二襯墊電極122。
因此，發光裝置120可由經由第一襯墊電極121及第二襯墊電極122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝100可被供應且安裝在子基板、電路板或其類似者上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與提供於發光裝置封裝中的發光裝置之間的接合區域中會發生重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一襯墊電極及第二襯墊電極可藉由安置於開口中的導電層而具備驅動電力。另外，可選擇安置於開口中之導電層的熔點，以便具有高於一般接合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜的樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
同時，上文參看圖1至圖22所描述的根據實施例之發光裝置封裝100可被供應且安裝在子基板、電路板或其類似者上。
接著，將參看圖23描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
圖23中展示的根據本發明之實施例的發光裝置封裝300為參看圖1至圖22所描述之發光裝置封裝100安裝在電路板310上且被供應的實例。
在參看圖23描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝300之製造方法時，可省略與參看圖1至圖22所描述之內容重疊的描述。
根據實施例之發光裝置封裝300可包含電路板310、封裝主體110及發光裝置120，如圖23中所展示。
電路板310可包含第一襯墊311、第二襯墊312及基板313。基板313可具備組態成控制發光裝置120之驅動的電力供應電路。
封裝主體110可安置於電路板310上。第一襯墊311與第一襯墊電極121可彼此電連接。第二襯墊312與第二襯墊電極122可彼此電連接。
第一襯墊311及第二襯墊312可包含導電材料。舉例而言，第一襯墊311及第二襯墊312可包含選自由以下組成之群組的一種材料：Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn及Al或其合金。第一襯墊311及第二襯墊312可提供為單層或多個層。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架111與第二框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。
第一框架111及第二框架112可提供為絕緣框架。第一框架111及第二框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度。
另外，第一框架111及第二框架112可提供為導電框架。第一框架111及第二框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度，且可電連接至發光裝置120。
封裝主體110可包含自其上表面至下表面穿過第一方向的第一開口TH1及第二開口TH2。第一框架111可包含第一開口TH1。第二框架112可包含第二開口TH2。
第一開口TH1可提供於第一框架111處。第一開口TH1可藉由穿過第一框架111而提供。第一開口TH1可藉由在第一方向上穿過第一框架111之上表面及下表面而提供。
第一開口TH1可安置於發光裝置120之第一襯墊電極121下。第一開口TH1可提供為與發光裝置120之第一襯墊電極121重疊。第一開口TH1可提供為在自第一框架111之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第一襯墊電極121重疊。
第二開口TH2可提供於第二框架112處。第二開口TH2可藉由穿過第二框架112而提供。第二開口TH2可藉由在第一方向上穿過第二框架112之上表面及下表面而提供。
第二開口TH2可安置於發光裝置120之第二襯墊電極122下。第二開口TH2可提供為與發光裝置120之第二襯墊電極122重疊。第二開口TH2可提供為在自第二框架112之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第二襯墊電極122重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下表面下彼此間隔開。
根據實施例，第一開口TH1之上部區域的寬度W1可大於第一襯墊電極121之寬度。另外，第二開口TH2之上部區域的寬度可大於第二襯墊電極122的寬度。
根據實施例，第一襯墊電極121之下部部分可安置於第一開口TH1之上部區域中。第一襯墊電極121之底部表面可安置為低於第一框架111之上表面。
另外，第二襯墊電極122之下部部分可安置於第二開口TH2之上部區域中。第二襯墊電極122之底部表面可安置為低於第二框架112之上表面。
根據實施例之發光裝置封裝300可包含黏著劑130，如圖23中所展示。
黏著劑130可安置於主體113與發光裝置120之間。黏著劑130可安置於主體113之上表面與發光裝置120之下表面之間。
另外，根據實施例之發光裝置封裝300可包含凹槽R，如圖23中所展示。
凹槽R可提供於主體113處。凹槽R可提供於第一開口TH1與第二開口TH2之間。凹槽R可提供為自主體113之上表面朝向其下表面凹入。凹槽R可安置於發光裝置120下。凹槽R可提供為在第一方向上與發光裝置120重疊。
作為實例，黏著劑130可安置於凹槽R中。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之間。作為實例，黏著劑130可安置成接觸第一襯墊電極121之側表面及第二襯墊電極122之側表面。
黏著劑130可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩定的固定力。黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。作為實例，黏著劑130可包含白色聚矽氧。作為另一表示，黏著劑130可被稱為第一樹脂。
黏著劑130可在主體113與發光裝置120之間提供穩定的固定力。當光被發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供光漫射功能。當光自發光裝置120發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可藉由提供光漫射功能而改良發光裝置 封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
根據實施例，黏著劑130基於第一方向與發光裝置120重疊之面積可提供為大於第一開口TH1及第二開口TH2與第一襯墊電極121及第二襯墊電極122重疊之區域的面積。
如上文所描述，由於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下表面的光的量。另外，可在發光裝置120下提供具有良好反射特性之黏著劑130。因此，在發光裝置120之向下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上方向有效發射，從而使得可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝300可包含第一導電層321及第二導電層322，如圖23中所展示。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可提供在第一開口TH1處。第一導電層321可安置於第一襯墊電極121下。第一導電層321之寬度可提供為大於第一襯墊電極121之寬度。
第一襯墊電極121可具有在垂直於形成第一開口TH1之第一方向的第二方向上的寬度。第一襯墊電極121之寬度可提供為小於第一開口TH1在第二方向上的寬度。
第一導電層321可安置成與第一襯墊電極121之下表面直 接接觸。第一導電層321可電連接至第一襯墊電極121。第一導電層321可安置成由第一框架111包圍。
在第一開口TH1之上部區域中，第一導電層321之上部部分可安置於第一襯墊電極121之下部部分的周邊處。第一導電層321之上表面可安置成高於第一襯墊電極121之下表面。
第二導電層322可提供在第二開口TH2處。第二導電層322可安置於第二襯墊電極122下。第二導電層322之寬度可提供為大於第二襯墊電極122之寬度。
第二襯墊電極122可具有在垂直於形成第二開口TH2之第一方向的第二方向上的寬度。第二襯墊電極122之寬度可提供為小於第二開口TH2在第二方向上的寬度。
第二導電層322可安置成與第二襯墊電極122之下表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二襯墊電極122。第二導電層322可安置成由第二框架112包圍。
在第二開口TH2之上部區域中，第二導電層322之上部部分可安置於第二襯墊電極122之下部部分的周邊處。第二導電層322之上表面可安置成高於第二襯墊電極122之下表面。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Cu或其合金。然而，本發明不限於此，且可在第一導電層321及第二導電層322中使用能夠確保導電功能之材料。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏或其類似者，且可由多個層或由多個層構成之單層或由不同材料構成之合金構成。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
根據實施例，電路板310之第一襯墊311與第一導電層321可電連接。另外，電路板310之第二襯墊312與第二導電層322可電連接。
同時，根據實施例，單獨的接合層可另外提供於第一襯墊311與第一導電層321之間。另外，單獨的接合層可另外提供於第二襯墊 312與第二導電層322之間。
此外，根據另一實施例，第一導電層321及第二導電層322可藉由共晶接合安裝在電路板310上。
參看圖23所描述的根據實施例之發光裝置封裝300被組態成使得自電路板310供應之電力分別經由第一導電層321及第二導電層322供應至第一襯墊電極121及第二襯墊電極122。此時，電路板310之第一襯墊311與第一導電層321彼此直接接觸，且電路板310之第二襯墊312與第二導電層322直接接觸。
因此，根據圖23中展示的根據實施例之發光裝置封裝300，第一框架111及第二框架112可用絕緣框架形成。另外，根據圖23中展示的根據實施例之發光裝置封裝300，第一框架111及第二框架112可用導電框架形成。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一襯墊電極及第二襯墊電極可藉由安置於開口中的導電層而具備驅動電力。另外，可選擇安置於開口中之導電層的熔點，以便具有高於一般接合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜的樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
同時，圖24中展示的根據本發明之實施例的發光裝置封裝400為參看圖1至圖22所描述之發光裝置封裝100安裝在電路板410上且被供應的實例。
在參看圖24描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝400之製造方法時，可省略與參看圖1至圖23所描述之內容重疊的描述。
根據實施例之發光裝置封裝400可包含電路板410、封裝主體110及發光裝置120，如圖24中所展示。
電路板410可包含第一襯墊411、第二襯墊412及基板413。基板413可具備組態成控制發光裝置120之驅動的電力供應電路。
封裝主體110可安置於電路板310上。第一襯墊311與第一襯墊電極121可彼此電連接。第二襯墊312與第二襯墊電極122可彼此電連接。
第一襯墊311及第二襯墊312可包含導電材料。舉例而言，第一襯墊311及第二襯墊312可包含選自由以下組成之群組的一種材料：Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn及Al或其合金。第一襯墊311及第二襯墊312可提供為單層或多個層。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架111與第二框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。
第一框架111及第二框架112可提供為導電框架。第一框架111及第二框架112可穩定地提供封裝主體110之結構強度，且可電連接至發光裝置120。
封裝主體110可包含自其上表面至下表面穿過第一方向的第一開口TH1及第二開口TH2。第一框架111可包含第一開口TH1。第二框架112可包含第二開口TH2。
第一開口TH1可提供於第一框架111處。第一開口TH1可藉由穿過第一框架111而提供。第一開口TH1可藉由在第一方向上穿過第一框架111之上表面及下表面而提供。
第一開口TH1可安置於發光裝置120之第一襯墊電極121下。第一開口TH1可提供為與發光裝置120之第一襯墊電極121重疊。第一開口TH1可提供為在自第一框架111之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第一襯墊電極121重疊。
第二開口TH2可提供於第二框架112處。第二開口TH2可藉由穿過第二框架112而提供。第二開口TH2可藉由在第一方向上穿過第二框架112之上表面及下表面而提供。
第二開口TH2可安置於發光裝置120之第二襯墊電極122下。第二開口TH2可提供為與發光裝置120之第二襯墊電極122重疊。第二開口TH2可提供為在自第二框架112之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第二襯墊電極122重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下表面下彼此間隔開。
根據實施例，第一開口TH1之上部區域的寬度W1可大於第一襯墊電極121之寬度。另外，第二開口TH2之上部區域的寬度可大於第二襯墊電極122的寬度。
根據實施例，第一襯墊電極121之下部部分可安置於第一開口TH1之上部區域中。第一襯墊電極121之底部表面可安置為低於第一框架111之上表面。
另外，第二襯墊電極122之下部部分可安置於第二開口TH2之上部區域中。第二襯墊電極122之底部表面可安置為低於第二框架112之上表面。
根據實施例之發光裝置封裝400可包含黏著劑130，如圖24中所展示。
黏著劑130可安置於主體113與發光裝置120之間。黏著劑130可安置於主體113之上表面與發光裝置120之下表面之間。
另外，根據實施例之發光裝置封裝400可包含凹槽R，如圖24中所展示。
凹槽R可提供於主體113處。凹槽R可提供於第一開口TH1與第二開口TH2之間。凹槽R可提供為自主體113之上表面朝向其下表面凹入。凹槽R可安置於發光裝置120下。凹槽R可提供為在第一方向上與發光裝置120重疊。
作為實例，黏著劑130可安置於凹槽R中。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之間。作為實例，黏著劑130可安置成接觸第一襯墊電極121之側表面及第二襯墊電極122之側表面。
黏著劑130可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩定的固定力。黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。作為實例，黏著劑130可包含白色聚矽氧。作為另一表示，黏著劑130可被稱為第一樹脂。
黏著劑130可在主體113與發光裝置120之間提供穩定的固定力。當光被發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供光漫射功能。當光自發光裝置120發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可藉由提供光漫射功能而改良發光裝置封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電 極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
根據實施例，黏著劑130基於第一方向與發光裝置120重疊之面積可提供為大於第一開口TH1及第二開口TH2與第一襯墊電極121及第二襯墊電極122重疊之區域的面積。
如上文所描述，由於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下表面的光的量。另外，可在發光裝置120下提供具有良好反射特性之黏著劑130。因此，在發光裝置120之向下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上方向有效發射，從而使得可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝400可包含第一導電層321及第二導電層322，如圖24中所展示。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可提供在第一開口TH1處。第一導電層321可安置於第一襯墊電極121下。第一導電層321之寬度可提供為大於第一襯墊電極121之寬度。
第一襯墊電極121可具有在垂直於形成第一開口TH1之第一方向的第二方向上的寬度。第一襯墊電極121之寬度可提供為小於第一開口TH1在第二方向上的寬度。
第一導電層321可安置成與第一襯墊電極121之下表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一襯墊電極121。第一導電層321可安置成由第一框架111包圍。
在第一開口TH1之上部區域中，第一導電層321之上部部分可安置於第一襯墊電極121之下部部分的周邊處。第一導電層321之上表面可安置成高於第一襯墊電極121之下表面。
第二導電層322可提供在第二開口TH2處。第二導電層322可安置於第二襯墊電極122下。第二導電層322之寬度可提供為大於第二襯墊電極122之寬度。
第二襯墊電極122可具有在垂直於形成第二開口TH2之第 一方向的第二方向上的寬度。第二襯墊電極122之寬度可提供為小於第二開口TH2在第二方向上的寬度。
第二導電層322可安置成與第二襯墊電極122之下表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二襯墊電極122。第二導電層322可安置成由第二框架112包圍。
在第二開口TH2之上部區域中，第二導電層322之上部部分可安置於第二襯墊電極122之下部部分的周邊處。第二導電層322之上表面可安置成高於第二襯墊電極122之下表面。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Cu或其合金。然而，本發明不限於此，且可在第一導電層321及第二導電層322中使用能夠確保導電功能之材料。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏或其類似者，且可由多個層或由多個層構成之單層或由不同材料構成之合金構成。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
根據實施例，電路板410之第一襯墊411與第一導電層321可電連接。另外，電路板410之第二襯墊412與第二導電層322可電連接。
第一襯墊411可電連接至第一框架111。此外，第二襯墊412可電連接至第二框架112。
同時，根據實施例，單獨的接合層可另外提供於第一襯墊411與第一框架111之間。另外，單獨的接合層可另外提供於第二襯墊412與第二框架112之間。
參看圖24所描述的根據實施例之發光裝置封裝400被組態成使得自電路板410供應之電力分別經由第一導電層321及第二導電層322供應至第一襯墊電極121及第二襯墊電極122。此時，電路板410之第一襯墊411與第一框架111彼此直接接觸，且電路板410之第二襯墊412與第二框架112直接接觸。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置 封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一襯墊電極及第二襯墊電極可藉由安置於開口中的導電層而具備驅動電力。另外，可選擇安置於開口中之導電層的熔點，以便具有高於一般接合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜的樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
同時，在上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝的狀況下，發光裝置封裝係基於一個開口提供在每一襯墊電極下之狀況進行解釋。
然而，根據根據另一實施例之發光裝置封裝，多個開口可提供在每一襯墊電極下。另外，多個開口可提供為具有不同寬度之開口。
此外，可以如圖25至圖27中展示的各種形狀提供根據實施例之開口的形狀。
舉例而言，如圖25中所展示，根據實施例之開口TH3可自其上部區域至下部區域具備相同寬度。
此外，如圖26中所展示，根據實施例之開口TH4可以多階梯式結構之形狀提供。作為實例，開口TH4可以具有不同傾角之兩個階梯式結構的形狀提供。另外，開口TH4可以具有不同傾角之兩個或多於兩個階梯式結構的形狀提供。
此外，如圖27中所展示，開口TH5可以自上部區域至下部 區域寬度改變之形狀提供。作為實例，開口TH5可以自上部區域至下部區域具有曲率之形狀提供。
另外，根據上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝，封裝主體110僅包含上表面平坦之支撐部件，且可不具備安置成傾斜之反射部分。
作為另一表示，根據根據實施例之發光裝置封裝，封裝主體110可具備提供空腔C之結構。此外，封裝主體110可具備並未提供空腔C的上表面平坦之結構。
此外，根據上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝，儘管第一開口TH1及第二開口TH2提供在封裝主體110之第一框架111及第二框架112處，但第一開口TH1及第二開口TH2可提供於封裝主體110之主體113中。
當第一開口TH1及第二開口TH2如上文所描述般提供於封裝主體110之主體113中時，主體113之上表面根據發光裝置120之長軸方向的長度可提供為大於發光裝置120之第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之間的長度。
另外，當第一開口TH1及第二開口TH2提供於封裝主體110之主體113中時，根據實施例之發光裝置封裝可不包含第一框架111及第二框架112。
接下來，將參看圖28描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參看圖28描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參看圖1至圖27所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖28中所展示。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架111與第二框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。
舉例而言，主體113可由選自以下組成之群組的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)等。另外，主體113可包含諸如TiO2及SiO2之高折射率填料。
根據實施例，發光裝置120可包含第一襯墊電極121、第二襯墊電極122、半導體結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置於基板124下之半導體結構123，如圖28中所展示。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可安置於半導體結構123與主體113之間。
發光裝置120可安置於封裝主體110上。發光裝置120可安置於第一框架111及第二框架112上。發光裝置120可安置於由封裝主體110提供之空腔C中。
第一襯墊電極121可安置於發光裝置120之下表面上。第二襯墊電極122可安置於發光裝置120之下表面上。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可安置成在發光裝置120之下表面上彼此間隔開。
第一襯墊電極121可安置於第一框架111上。第二襯墊電極122可安置於第二框架112上。
第一襯墊電極121可安置於半導體結構123與第一框架111之間。第二襯墊電極122可安置於半導體結構123與第二框架112之間。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含黏著劑130。
黏著劑130可安置於主體113與發光裝置120之間。黏著劑130可安置於主體113之上表面與發光裝置120之下表面之間。
根據實施例之發光裝置封裝可包含凹槽R，如圖28中所展示。
凹槽R可提供於主體113處。凹槽R可提供為自主體113之上表面朝向其下表面凹入。凹槽R可安置於發光裝置120下。凹槽R可提供為在第一方向上與發光裝置120重疊。
作為實例，黏著劑130可安置於凹槽R中。黏著劑130可 安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之間。作為實例，黏著劑130可安置成接觸第一襯墊電極121之側表面及第二襯墊電極122之側表面。
黏著劑130可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩定的固定力。黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。作為實例，黏著劑130可包含白色聚矽氧。作為另一表示，黏著劑130可被稱為第一樹脂。
黏著劑130可在主體113與發光裝置120之間提供穩定的固定力。當光被發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供光漫射功能。當光自發光裝置120發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可藉由提供光漫射功能而改良發光裝置封裝100之光提取效率。
凹槽R可在發光裝置120下提供可在其中執行一種下填充製程之適當空間。凹槽R可提供為第一深度或更深，從而使得黏著劑130可充分提供於發光裝置120之下表面與主體113之上表面之間。另外，凹槽R可提供為第二深度或更淺以提供主體113之穩定強度。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩 定接合力提供至待安裝之發光裝置。
如上文所描述，由於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下表面的光的量。另外，可在發光裝置120下提供具有良好反射特性之黏著劑130。因此，在發光裝置120之向下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上方向有效發射，從而使得可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可提供於第一框架111上。第一導電層321可安置於第一襯墊電極121下。
第一導電層321可安置成與第一襯墊電極121之下表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一襯墊電極121。第一導電層321可具備將第一襯墊電極121與第一框架111彼此固定之功能。
第二導電層322可提供於第二框架112上。第二導電層322可安置於第二襯墊電極122下。
第二導電層322可安置成與第二襯墊電極122之下表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二襯墊電極122。第二導電層322可具備將第二襯墊電極122與第二框架112彼此固定之功能。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Cu或其合金。然而，本發明不限於此，且可在第一導電層321及第二導電層322中使用能夠確保導電功能之材料。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏或其類似者，且可由多個層或由多個層構成之單層或由不同材料構成之合金構成。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含樹脂部分135，如圖28中所展示。
樹脂部分135可安置於第一襯墊電極121之側表面處。樹 脂部分135可安置於第二襯墊電極122之側表面處。樹脂部分135可安置於半導體結構123下。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可包含諸如TiO2之反射材料，及/或包含聚矽氧之白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置於發光裝置120下以執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122周圍密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322自第一襯墊電極321及第二襯墊電極322下之區域移動，並朝向發光裝置120擴散且移動。
另外，當樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧的具有反射性質之材料時，樹脂部分135可將自發光裝置120發射之光朝向封裝主體110之上方向反射，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部分140。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之空腔C處。模製部分140可安置於樹脂部分135上。
另外，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝的另一實例，可不單獨地提供樹脂部分135，且黏著劑130可提供在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之周邊處。
此時，黏著劑130可被稱為第一樹脂，且第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可分別被稱為第一接合部分及第二接合部分。
另外，在充分確保了用於在發光裝置120與封裝主體110之間提供黏著劑130的空間時，可不在封裝主體110之上表面上提供凹槽R。
在根據實施例之發光裝置封裝100中，電力可經由第一導電層321連接至第一襯墊電極121。且電力可經由第二導電層322連接至第二 襯墊電極122。
因此，發光裝置120可由經由第一襯墊電極121及第二襯墊電極122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝100可被供應且安裝在子基板、電路板或其類似者上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與提供於發光裝置封裝中的發光裝置之間的接合區域中會發生重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一襯墊電極及第二襯墊電極可藉由安置於框架上的導電層而具備驅動電力。另外，可選擇安置於框架上之導電層的熔點，以便具有高於一般接合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜的樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接下來，將參看圖29描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參看圖29描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參看圖1至圖28所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖29中所展示。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架111與第二框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。
舉例而言，主體113可由選自以下組成之群組的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)等。另外，主體113可包含諸如TiO2及SiO2之高折射率填料。
根據實施例，發光裝置120可包含第一襯墊電極121、第二襯墊電極122、半導體結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置於基板124下之半導體結構123，如圖29中所展示。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可安置於半導體結構123與主體113之間。
發光裝置120可安置於封裝主體110上。發光裝置120可安置於第一框架111及第二框架112上。發光裝置120可安置於由封裝主體110提供之空腔C中。
第一襯墊電極121可安置於發光裝置120之下表面上。第二襯墊電極122可安置於發光裝置120之下表面上。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可安置成在發光裝置120之下表面上彼此間隔開。
第一襯墊電極121可安置於第一框架111上。第二襯墊電極122可安置於第二框架112上。
第一襯墊電極121可安置於半導體結構123與第一框架111之間。第二襯墊電極122可安置於半導體結構123與第二框架112之間。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含黏著劑130。
黏著劑130可安置於主體113與發光裝置120之間。黏著劑130可安置於主體113之上表面與發光裝置120之下表面之間。
根據實施例之發光裝置封裝可包含凹槽R，如圖29中所展示。
凹槽R可提供在封裝主體110處。凹槽R可提供為自封裝主體110之上表面朝向其下表面凹入。凹槽R可安置於發光裝置120下。凹槽R可提供為在第一方向上與發光裝置120重疊。
凹槽R可藉由第一框架111之上表面、主體113之上表面及第二框架112之上表面提供。作為實例，主體113之上表面可以平坦形狀提供，第一框架111之上表面以具有不同高度之階梯式形狀提供，且第二框架112之上表面可以具有不同高度之階梯式階形提供。
作為實例，黏著劑130可安置於凹槽R中。黏著劑130可安置於發光裝置120與封裝主體110之間。黏著劑130可安置於第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之間。黏著劑130可安置成接觸第一襯墊電極121之側表面及第二襯墊電極122之側表面。黏著劑130可提供於第一框架111之階梯式階形區域與第二框架112之階梯式階形區域之間。
如上文所描述，根據實施例，凹槽R可被廣泛提供以自第一框架111之上表面的部分延伸至第二框架112之上表面的部分。
因此，黏著劑130可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩定的固定力。黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。黏著劑130可在發光裝置120與第一框架111之間提供穩定的固定力。黏著劑130可在發光裝置120與第二框架112之間提供穩定的固定力。
黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。黏著劑130可安置成與第一框架111之上表面直接接觸。黏著劑130可安置成與第二框架112之上表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。作為實 例，黏著劑130可包含白色聚矽氧。作為另一表示，黏著劑130可被稱為第一樹脂。
黏著劑130可在主體113與發光裝置120之間提供穩定的固定力。當光被發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供光漫射功能。當光自發光裝置120發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可藉由提供光漫射功能而改良發光裝置封裝100之光提取效率。
凹槽R可在發光裝置120下提供可在其中執行一種下填充製程之適當空間。凹槽R可提供為第一深度或更深，從而使得黏著劑130可充分提供於發光裝置120之下表面與主體113之上表面之間。另外，凹槽R可提供為第二深度或更淺以提供主體113之穩定強度。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
如上文所描述，由於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下表面的光的量。另外，可在發光裝置120下將具有良好反射特性之黏著劑130提供為較寬且較厚。因此，在發光裝置120之向下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上方向有效發射，從而使得可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可提供於第一框架111上，第一導電層321可安置於第一襯墊電極121下。
第一導電層321可安置成與第一襯墊電極121之下表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一襯墊電極121。第一導電層321可具備將第一襯墊電極121與第一框架111彼此固定之功能。
第二導電層322可提供於第二框架112上。第二導電層322可安置於第二襯墊電極122下。
第二導電層322可安置成與第二襯墊電極122之下表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二襯墊電極122。第二導電層322可具備將第二襯墊電極122與第二框架112彼此固定之功能。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Cu或其合金。然而，本發明不限於此，且可在第一導電層321及第二導電層322中使用能夠確保導電功能之材料。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏或其類似者，且可由多個層或由多個層構成之單層或由不同材料構成之合金構成。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含樹脂部分135，如圖29中所展示。
樹脂部分135可安置於第一襯墊電極121之側表面處。樹脂部分135可安置於第二襯墊電極122之側表面處。樹脂部分135可安置於半導體結構123下。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可包含諸如TiO2之反射材料，及/或包含聚矽氧之白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置於發光裝置120下以執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。 另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122周圍密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322自第一襯墊電極321及第二襯墊電極322下之區域移動，並朝向發光裝置120擴散且移動。
另外，當樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧的具有反射性質之材料時，樹脂部分135可將自發光裝置120發射之光朝向封裝主體110之上方向反射，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部分140。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之空腔C處。模製部分140可安置於樹脂部分135上。
另外，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝的另一實例，可不單獨地提供樹脂部分135，且黏著劑130可提供在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之周邊處。
此時，黏著劑130可被稱為第一樹脂，且第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可分別被稱為第一接合部分及第二接合部分。
另外，在充分確保了用於在發光裝置120與封裝主體110之間提供黏著劑130的空間時，可不在封裝主體110之上表面上提供凹槽R。
在根據實施例之發光裝置封裝中，電力可經由第一導電層321連接至第一襯墊電極121，且電力可經由第二導電層322連接至第二襯墊電極122。
因此，發光裝置120可由經由第一襯墊電極121及第二襯墊電極122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝可被供應且安裝在子基板、電路板或其類似者上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與 提供於發光裝置封裝中的發光裝置之間的接合區域中會發生重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一襯墊電極及第二襯墊電極可藉由安置於框架上的導電層而具備驅動電力。另外，可選擇安置於框架上之導電層的熔點，以便具有高於一般接合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜的樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接下來，將參看圖30描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參看圖30描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參看圖1至圖29所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖30中所展示。
相比於參看圖28所描述之發光裝置封裝，圖30中展示的根據實施例之發光裝置封裝可進一步包含第一凹槽R1及第二凹槽R2。
第一凹槽R1可提供在第一框架111之上表面處。第一凹槽R1可提供為自第一框架111之上表面朝向其下表面凹入。第一凹槽R1可 安置成與凹槽R間隔開。
第二凹槽R2可提供在第二框架112之上表面處。第二凹槽R2可提供為自第二框架112之上表面朝向其下表面凹入。第二上部凹槽R4可安置成與凹槽R間隔開。
根據實施例，第一導電層321可提供在第一凹槽R1處。另外，第一襯墊電極121可提供在第一凹槽R1之區域處。此外，第二導電層322可提供在第二凹槽R2處。另外，第二襯墊電極122可提供在第二凹槽R2之區域處。第一凹槽R1及第二凹槽R2可提供可在其中提供第一導電層321及第二導電層322之充分空間。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏或其類似者，且可由多個層或由多個層構成之單層或由不同材料構成之合金構成。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含樹脂部分135，如圖30中所展示。
樹脂部分135可安置於第一襯墊電極121之側表面處。樹脂部分135可安置於第二襯墊電極122之側表面處。樹脂部分135可安置於半導體結構123下。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可包含諸如TiO2之反射材料，及/或包含聚矽氧之白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置於發光裝置120下以執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122周圍密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322自第一凹槽R1及第二凹槽R2之區域移動，並朝向發光裝置120擴散且移動。
另外，當樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧的具有反射性質 之材料時，樹脂部分135可將自發光裝置120發射之光朝向封裝主體110之上方向反射，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
如上文所描述，由於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下表面的光的量。另外，可在發光裝置120下提供具有良好反射特性之黏著劑130。因此，在發光裝置120之向下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上方向有效發射，從而使得可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部分140。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之空腔C處。模製部分140可安置於樹脂部分135上。
另外，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝的另一實例，可不單獨地提供樹脂部分135，且黏著劑130可提供在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之周邊處。
此時，黏著劑130可被稱為第一樹脂，且第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可分別被稱為第一接合部分及第二接合部分。
另外，在充分確保了用於在發光裝置120與封裝主體110之間提供黏著劑130的空間時，可不在封裝主體110之上表面上提供凹槽R。
在根據實施例之發光裝置封裝中，電力可經由第一導電層 321連接至第一襯墊電極121，且電力可經由第二導電層322連接至第二襯墊電極122。
因此，發光裝置120可由經由第一襯墊電極121及第二襯墊電極122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝可被供應且安裝在子基板、電路板或其類似者上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與提供於發光裝置封裝中的發光裝置之間的接合區域中會發生重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一襯墊電極及第二襯墊電極可藉由安置於框架上的導電層而具備驅動電力。另外，可選擇安置於框架上之導電層的熔點，以便具有高於一般接合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝100即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝100及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜的樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接下來，將參看圖31描述根據本發明之實施例的發光裝置 封裝之另一實例。
在參看圖31描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參看圖1至圖30所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖31中所展示。
相比於參看圖29所描述之發光裝置封裝，圖31中展示的根據實施例之發光裝置封裝可進一步包含第一凹槽R1及第二凹槽R2。
第一凹槽R1可提供在第一框架111之上表面處。第一凹槽R1可提供為自第一框架111之上表面朝向其下表面凹入。第一凹槽R1可安置成與凹槽R間隔開。
第二凹槽R2可提供在第二框架112之上表面處。第二凹槽R2可提供為自第二框架112之上表面朝向其下表面凹入。第二上部凹槽R4可安置成與凹槽R間隔開。
根據實施例，第一導電層321可提供在第一凹槽R1處。另外，第一襯墊電極121可提供在第一凹槽R1之區域處。此外，第二導電層322可提供在第二凹槽R2處。另外，第二襯墊電極122可提供在第二凹槽R2之區域處。第一凹槽R1及第二凹槽R2可提供可在其中提供第一導電層321及第二導電層322之充分空間。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏或其類似者，且可由多個層或由多個層構成之單層或由不同材料構成之合金構成。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含樹脂部分135，如圖31中所展示。
樹脂部分135可安置於第一襯墊電極121之側表面處。樹脂部分135可安置於第二襯墊電極122之側表面處。樹脂部分135可安置於半導體結構123下。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。另 外，樹脂部分135可包含諸如TiO2之反射材料，及/或包含聚矽氧之白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置於發光裝置120下以執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122周圍密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322自第一凹槽R1及第二凹槽R2之區域移動，並朝向發光裝置120擴散且移動。
另外，當樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧的具有反射性質之材料時，樹脂部分135可將自發光裝置120發射之光朝向封裝主體110之上方向反射，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
如上文所描述，由於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下表面的光的量。另外，可在發光裝置120下提供具有良好反射特性之黏著劑130。因此，在發光裝置120之向下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上方向有效發射，從而使得可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部分140。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主 體110提供之空腔C處。模製部分140可安置於樹脂部分135上。
另外，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝的另一實例，可不單獨地提供樹脂部分135，且黏著劑130可提供在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之周邊處。
此時，黏著劑130可被稱為第一樹脂，且第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可分別被稱為第一接合部分及第二接合部分。
另外，在充分確保了用於在發光裝置120與封裝主體110之間提供黏著劑130的空間時，可不在封裝主體110之上表面上提供凹槽R。
在根據實施例之發光裝置封裝中，電力可經由第一導電層321連接至第一襯墊電極121，且電力可經由第二導電層322連接至第二襯墊電極122。
因此，發光裝置120可由經由第一襯墊電極121及第二襯墊電極122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝可被供應且安裝在子基板、電路板或其類似者上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與提供於發光裝置封裝中的發光裝置之間的接合區域中會發生重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一襯墊電極及第二襯墊電極可藉由安置於框架上的導電層而具備驅動電力。另外，可選擇安置於框架上之導電層的熔點，以便具有高於一般接合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因 此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜的樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
接下來，將參看圖32描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參看圖32描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參看圖1至圖31所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含主體113及發光裝置120，如圖32中所展示。
根據實施例，主體113可具備凹槽R、第一開口TH1及第二開口TH2。凹槽R可提供於主體113之上表面上。主體113可包含第一開口TH1及第二開口TH2，如圖32中所展示。
另外，根據實施例，發光裝置120可包含第一襯墊電極121、第二襯墊電極122、半導體結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置於基板124下之半導體結構123，如圖32中所展示。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可安置於半導體結構123與主體113之間。
發光裝置120可安置於主體113上。發光裝置120可安置於藉由主體113提供之空腔C中。
第一襯墊電極121可安置於發光裝置120之下表面上。第二襯墊電極122可安置於發光裝置120之下表面上。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可安置成在發光裝置120之下表面上彼此間隔開。
第一開口TH1可提供在主體113處。第一開口TH1可藉由穿過主體113而提供。第一開口TH1可藉由在第一方向上穿過主體113之上表面及下表面而提供。
第一開口TH1可安置於發光裝置120之第一襯墊電極121下。第一開口TH1可提供為與發光裝置120之第一襯墊電極121重疊。第一開口TH1可提供為在自主體113之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第一襯墊電極121重疊。
第二開口TH2可提供在主體113處。第二開口TH2可藉由穿過主體113而提供。第二開口TH2可藉由在第一方向上穿過主體113之上表面及下表面而提供。
第二開口TH2可安置於發光裝置120之第二襯墊電極122下。第二開口TH2可提供為與發光裝置120之第二襯墊電極122重疊。第二開口TH2可提供為在自主體113之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第二襯墊電極122重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下表面下彼此間隔開。
根據實施例，第一開口TH1之上部區域的寬度可大於第一襯墊電極121之寬度。另外，第二開口TH2之上部區域的寬度可大於第二襯墊電極122的寬度。
根據實施例，第一襯墊電極121之下部部分可安置於第一開口TH1中。第一襯墊電極121之底部表面可安置為低於主體113之上表面。
另外，第二襯墊電極122之下部部分可安置於第二開口TH2中。第二襯墊電極122之底部表面可安置為低於主體113之上表面。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含黏著劑130。
黏著劑130可安置於主體113與發光裝置120之間。黏著劑130可安置於主體113之上表面與發光裝置120之下表面之間。
根據實施例之發光裝置封裝可包含凹槽R，如圖32中所展示。
凹槽R可提供於主體113處。凹槽R可提供於第一開口TH1與第二開口TH2之間。凹槽R可提供為自主體113之上表面朝向其下表面凹入。凹槽R可安置於發光裝置120下。凹槽R可提供為在第一方向上與 發光裝置120重疊。
作為實例，黏著劑130可安置於凹槽R中。黏著劑130可安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之間。作為實例，黏著劑130可安置成接觸第一襯墊電極121之側表面及第二襯墊電極122之側表面。
黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。作為實例，黏著劑130可包含白色聚矽氧。作為另一表示，黏著劑130可被稱為第一樹脂。
黏著劑130可在主體113與發光裝置120之間提供穩定的固定力。當光被發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供光漫射功能。當光自發光裝置120發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可藉由提供光漫射功能而改良發光裝置封裝100之光提取效率。
凹槽R可在發光裝置120下提供可在其中執行一種下填充製程之適當空間。凹槽R可提供為第一深度或更深，從而使得黏著劑130可充分提供於發光裝置120之下表面與主體113之上表面之間。另外，凹槽R可提供為第二深度或更淺以提供主體113之穩定強度。
舉例而言，主體113可由選自以下組成之群組的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)等。另外，主體113可包含諸如TiO2及SiO2之高折射率填料。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電 極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
根據實施例，黏著劑130基於第一方向與發光裝置120重疊之面積可提供為大於第一開口TH1及第二開口TH2與第一襯墊電極121及第二襯墊電極122重疊之區域的面積。
如上文所描述，由於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下表面的光的量。另外，可在發光裝置120下提供具有良好反射特性之黏著劑130。因此，在發光裝置120之向下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝之上方向有效發射，從而使得可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導電層321可安置於提供在主體113之下表面處的第一下部凹槽R5處。第一導電層321可安置於主體113下。第一導電層321之寬度可提供為大於第一襯墊電極121之寬度。
第一襯墊電極121可具有在垂直於形成第一開口TH1之第一方向的第二方向上的寬度。第一襯墊電極121之寬度可提供為小於第一開口TH1在第二方向上的寬度。
第一導電層321可安置成與第一襯墊電極121之下表面直接接觸。第一導電層321可電連接至第一襯墊電極121。第一導電層321可安置成在第一下部凹槽R5中由主體113包圍。
第二導電層322可安置於提供在主體113之下表面處的第二下部凹槽R6處。第二導電層322可安置於主體113下。第二導電層322之寬度可提供為大於第二襯墊電極122之寬度。
第二襯墊電極122可具有在垂直於形成第二開口TH2之第一方向的第二方向上的寬度。第二襯墊電極122之寬度可提供為小於第二開口TH2在第二方向上的寬度。
第二導電層322可安置成與第二襯墊電極122之下表面直接接觸。第二導電層322可電連接至第二襯墊電極122。第二導電層322可安置成在第二下部凹槽R6中由主體113包圍。
第一導電層321之上表面的第一區域可安置於第一開口TH1下。第一導電層321之上表面的第一區域可安置成在豎直方向上與第一開口TH1重疊。
此外，第一導電層321之上表面的第二區域可安置於主體113之下表面下。第一導電層321之上表面的第二區域可安置成在豎直方向上與主體113之下表面重疊。
第二導電層322之上表面的第一區域可安置於第二開口TH2下。第二導電層322之上表面的第一區域可安置成在豎直方向上與第二開口TH2重疊。
此外，第二導電層322之上表面的第二區域可安置於主體113之下表面下。第二導電層322之上表面的第二區域可安置成在豎直方向上與主體113之下表面重疊。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Cu等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導電層321及第二導電層322。
第一導電層321及第二導電層322可由具有良好熱耗散性質之金屬材料或其合金形成。由於第一導電層321及第二導電層322可由具有良好熱發射特性之材料形成，因此自發光裝置120生成之熱可被有效地釋放至外部。因此，可改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏或其類似者，且可由多個層或由多個層構成之單層或由不同材料構成之合金構成。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含樹脂部分135，如圖32中所展示。
樹脂部分135可安置於第一襯墊電極121之側表面處。樹脂部分135可安置於第二襯墊電極122之側表面處。樹脂部分135可安置於半導體結構123下。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可包含諸如TiO2之反射材料，及/或包含聚矽氧之白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置於發光裝置120下以執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與主體113之間的黏著力。
樹脂部分135可在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122周圍密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322自第一開口TH1及第二開口TH2之區域移動，並朝向發光裝置120擴散且移動。
另外，當樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧的具有反射性質之材料時，樹脂部分135可將自發光裝置120發射之光朝向封裝主體110之上方向反射，藉此改良發光裝置封裝100之光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含模製部分140。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於主體113上。模製部分140可安置於藉由主體113提供之空腔C處。模製部分140可安置於樹脂部分135上。
另外，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝的另一實例，可不單獨地提供樹脂部分135，且黏著劑130可提供在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之周邊處。
此時，黏著劑130可被稱為第一樹脂，且第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可分別被稱為第一接合部分及第二接合部分。
同時，黏著劑130可安置於第一開口TH1及第二開口TH2之上部區域處。黏著劑130的部分可在發光裝置120提供於封裝主體110上之製程中移動至第一開口TH1及第二開口TH2。黏著劑130的部分可在 第一開口TH1及第二開口TH2中安置於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之側表面區域處。黏著劑130的部分可在第一開口TH1及第二開口TH2中安置於第一導電層321及第二導電層322上。
黏著劑130可密封第一開口TH1及第二開口TH2之上部區域，且防止水分或外來物質經由第一開口TH1及第二開口TH2自外部流動至安置發光裝置120之區域中。
另外，在充分確保了用於在發光裝置120與封裝主體110之間提供黏著劑130的空間時，可不在封裝主體110之上表面上提供凹槽R。
另外，根據另一實施例，第一導電層321及第二導電層322可安置成延伸至主體113之側壁的末端部分。第一導電層321及第二導電層322可安置成藉由黏著樹脂或其類似者黏附至主體113之下表面。第一導電層321之側表面及主體113之第一側表面可在相同平面處提供。此外，第二導電層322之側表面及主體113之第二側表面可在相同平面處提供。
在根據實施例之發光裝置封裝100中，電力可經由第一開口TH1之區域連接至第一襯墊電極121，且電力可經由第二開口TH2之區域連接至第二襯墊電極122。
因此，發光裝置120可由經由第一襯墊電極121及第二襯墊電極122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上方向上提供。
此外，根據另一實施例，黏著劑130、樹脂部分135及主體113可包含相同材料。
另外，根據本發明之實施例，可考慮到在主體113、黏著劑130、樹脂部分135與發光裝置120之間匹配的熱膨脹係數(CTE)來選擇黏著劑130及樹脂部分135的實體性質，且因此可改良發光裝置封裝由於熱衝擊之裂痕或分層。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝可被供應且安裝在子基板、電路板或其類似者上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與 提供於發光裝置封裝中的發光裝置之間的接合區域中會發生重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一襯墊電極及第二襯墊電極可藉由安置於開口下之導電層而具備驅動電力。另外，可選擇安置於開口下之導電層的熔點，以便具有高於一般接合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝100接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，主體113在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止主體113由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜的樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
同時，作為實例，倒裝晶片發光裝置可提供於上文所描述的發光裝置封裝中。
作為實例，倒裝晶片發光裝置可提供為在六個表面方向上發射光之透射型倒裝晶片發光裝置，或可提供為在五個表面方向上發射光之反射型倒裝晶片發光裝置。
在五個表面方向上發射光之反射型倒裝晶片發光裝置可具有反射層在接近於封裝主體110之方向上安置的結構。舉例而言，反射型倒裝晶片發光裝置可包含絕緣反射層(例如，分佈式布拉格反射器、全方向反射器等)及/或導電型反射層(例如，Ag、Al、Ni、Au等)。
此外，倒裝晶片發光裝置可包含電連接至第一導電型半導體層之第一電極，及電連接至第二導電型半導體層之第二電極，且可提供為在 第一電極與第二電極之間發射光之一般水平發光裝置。
此外，在六個表面方向上發射光之倒裝晶片發光裝置可提供為透射型倒裝晶片發光裝置，其包含反射層安置於第一電極襯墊與第二電極襯墊之間的反射區域，及發射光之透射區域。
此處，透射型倒裝晶片發光裝置意謂將光發射至一上表面、四個側表面及一下表面之六個表面的裝置。另外，反射型倒裝晶片發光裝置意謂將光發射至上表面及四個側表面之裝置。
接著，將參考附圖描述應用於根據本發明之實施例的發光裝置封裝之倒裝晶片發光裝置的實例。
首先，參看圖33及圖34，將描述根據本發明之實施例的發光裝置。圖33為解釋應用於根據本發明之實施例的發光裝置封裝之發光裝置的電極配置的平面圖，且圖34為圖33中展示的發光裝置之沿著線F-F截取的橫截面圖。
同時，出於理解之目的，如圖33中所展示，僅在概念上展示第一電極127與第二電極128之相對配置關係。第一電極127可包含第一襯墊電極121及第一分支電極125。第二電極128可包含第二襯墊電極122及第二分支電極126。
根據實施例之發光裝置可包含安置於基板124上之半導體結構123，如圖33及圖34中所展示。
基板124可選自由以下組成之群組：藍寶石基板(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP及Ge。舉例而言，基板124可提供為凹凸圖案形成於上表面上之圖案化藍寶石基板(PSS)。
半導體結構123可包含第一導電型半導體層123a、作用層123b及第二導電型半導體層123c。作用層123b可安置於第一導電型半導體層123a與第二導電型半導體層123c之間。作為實例，作用層123b可安置於第一導電型半導體層123a上，且第二導電型半導體層123c可安置於作用層123b上。
根據實施例，第一導電型半導體層123a可提供為n型半導體層，且第二導電型半導體層123c可提供為p型半導體層。當然，根據另 一實施例，第一導電型半導體層123a可提供為p型半導體層，且第二導電型半導體層123c可提供為n型半導體層。
根據實施例之發光裝置可包含第一電極127及第二電極128，如圖33及圖34中所展示。
第一電極127可包含第一襯墊電極121及第一分支電極125。第一電極127可電連接至第二導電型半導體層123c。第一分支電極125可自第一襯墊電極121分支出來。第一分支電極125可包含自第一襯墊電極121分支出來的多個分支電極。
第二電極128可包含第二襯墊電極122及第二分支電極126。第二電極128可電連接至第一導電型半導體層123a。第二分支電極126可自第二襯墊電極122分支出來。第二分支電極126可包含自第二襯墊電極122分支出來的多個分支電極。
第一分支電極125及第二分支電極126可安置成以指形彼此交錯。藉由第一分支電極125及第二分支電極126經由第一襯墊電極121及第二襯墊電極122供應之電源可被擴散且提供在整個半導體結構123處。
第一電極127及第二電極128可形成為單層結構或多層結構。舉例而言，第一電極127及第二電極128可為歐姆電極。舉例而言，第一電極127及第二電極128可由ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au及Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au及Hf的至少一種材料，或其中的兩種或兩種以上的合金形成。
同時，可在半導體結構123處進一步提供保護層。保護層可提供在半導體結構123之上表面處。另外，保護層可提供在半導體結構123之側表面處。保護層可提供成使得曝露出第一襯墊電極121及第二襯墊電極122。另外，可在基板124之周邊及下表面處選擇性地提供保護層。
作為實例，保護層可提供為絕緣材料。舉例而言，保護層可由選自由以下組成之群組的至少一種材料形成：SixOy、SiOxNy、SixNy及AlxOy。
在根據實施例之發光裝置中，在作用層123b中生成之光可在發光裝置之六個表面方向上發射。在作用層123b中生成之光可穿過發光 裝置之上表面、下表面及四個側表面在六個表面方向上發射。
發射至發光裝置之上表面的光可在參看圖1至圖32所描述之凹槽區域處入射。
為供參考，參看圖1至圖32所描述之發光裝置的配置方向與圖33及圖34中展示的發光裝置之配置方向展示為彼此相對。
如參看圖1至圖32所描述，在第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之間發射的光可入射至安置於凹槽區域處之黏著劑130。在發光裝置之下游方向上發射的光可被黏著劑130光學擴散，且可改良光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
舉例而言，第一襯墊電極121根據發光裝置之長軸方向的寬度可為幾十微米。第一襯墊電極121之寬度可為例如70至90微米。另外，第一襯墊電極121之面積可為幾千平方微米。
另外，第二襯墊電極122根據發光裝置之長軸方向的寬度可為幾十微米。第二襯墊電極122之寬度可為例如70至90微米。另外，第二襯墊電極122之面積可為幾千平方微米。
如上文所描述，由於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下表面的光的量。另外，可在發光裝置120下提供具有良好反射特性之黏著劑130。因此，在發光裝置120之向下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發 光裝置封裝100之上方向有效發射，從而使得可改良光提取效率。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝係基於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122與第一導電層321及第二導電層322直接接觸的狀況進行描述。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝的另一實例，另一導電組件可進一步安置於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122與第一導電層321及第二導電層322之間。
接下來，將參看圖35描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例。
在參看圖35描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與參看圖1至圖34所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝200可包含封裝主體110及發光裝置120，如圖35中所展示。
封裝主體110可包含第一框架111及第二框架112。第一框架111及第二框架112可安置成彼此間隔開。
封裝主體110可包含主體113。主體113可安置於第一框架111與第二框架112之間。主體113可充當一種電極分離線。主體113亦可被稱為絕緣部件。
主體113可安置於第一框架111上。另外，主體113可安置於第二框架112上。
主體113可提供安置於第一框架111及第二框架112上之傾斜表面。空腔C可由主體113之傾斜表面提供於第一框架111及第二框架112上。
根據實施例，封裝主體110可提供於具有空腔C之結構中，或可提供於並無空腔C的具有平坦上表面之結構中。
舉例而言，主體113可由選自以下組成之群組的至少一者形成：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚醯胺9T(PA9T)、聚矽氧、環氧模製化合物(EMC)、聚矽氧模製化合物(SMC)、陶瓷、光敏性玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)等。另外，主體113可包含諸如TiO2 及SiO2之高折射率填料。
根據實施例，發光裝置120可包含第一襯墊電極121、第二襯墊電極122、半導體結構123及基板124。
發光裝置120可包含安置於基板124下之半導體結構123，如圖35中所展示。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可安置於半導體結構123與主體113之間。
半導體結構123可包含第一導電型半導體層、第二導電型半導體層，及安置於第一導電型半導體層與第二導電型半導體層之間的作用層。第一襯墊電極121可電連接至第一導電型半導體層。另外，第二襯墊電極122可電連接至第二導電型半導體層。
發光裝置120可安置於封裝主體110上。發光裝置120可安置於第一框架111及第二框架112上。發光裝置120可安置於由封裝主體110提供之空腔C中。
第一襯墊電極121可安置於發光裝置120之下表面上。第二襯墊電極122可安置於發光裝置120之下表面上。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可安置成在發光裝置120之下表面上彼此間隔開。
第一襯墊電極121可安置於第一框架111上。第二襯墊電極122可安置於第二框架112上。
第一襯墊電極121可安置於半導體結構123與第一框架111之間。第二襯墊電極122可安置於半導體結構123與第二框架112之間。
同時，根據實施例之發光裝置封裝200可包含第一開口TH1及第二開口TH2，如圖35中所展示。第一框架111可包含第一開口TH1。第二框架112可包含第二開口TH2。
第一開口TH1可提供於第一框架111處。第一開口TH1可藉由穿過第一框架111而提供。第一開口TH1可藉由在第一方向上穿過第一框架111之上表面及下表面而提供。
第一開口TH1可安置於發光裝置120之第一襯墊電極121下。第一開口TH1可提供為與發光裝置120之第一襯墊電極121重疊。第一開口TH1可提供為在自第一框架111之上表面朝向其下表面的第一方向 上與發光裝置120之第一襯墊電極121重疊。
第二開口TH2可提供於第二框架112處。第二開口TH2可藉由穿過第二框架112而提供。第二開口TH2可藉由在第一方向上穿過第二框架112之上表面及下表面而提供。
第二開口TH2可安置於發光裝置120之第二襯墊電極122下。第二開口TH2可提供為與發光裝置120之第二襯墊電極122重疊。第二開口TH2可提供為在自第二框架112之上表面朝向其下表面的第一方向上與發光裝置120之第二襯墊電極122重疊。
第一開口TH1及第二開口TH2可安置成彼此間隔開。第一開口TH1及第二開口TH2可安置成在發光裝置120之下表面下彼此間隔開。
根據實施例，第一開口TH1之上部區域的寬度W1可大於第一襯墊電極121之寬度。另外，第二開口TH2之上部區域的寬度可大於第二襯墊電極122的寬度。
如圖35中所展示，根據實施例之發光裝置封裝200可包含第一導體221及第二導體222。另外，根據實施例之發光裝置封裝200可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。
第一導體221可安置於第一襯墊電極121下。第一導體221可電連接至第一襯墊電極121。第一導體221可安置成在第一方向上與第一襯墊電極121重疊。
第一導體221可提供在第一開口TH1處。第一導體221可安置於第一襯墊電極121與第一導電層321之間。第一導體221可電連接至第一襯墊電極121及第一導電層321。
第一導體221之下表面可安置為低於第一開口TH1之上表面。第一導體221之下表面可安置為低於第一導電層321之上表面。
第一導體221可安置於第一開口TH1上。另外，第一導體221可安置成自第一襯墊電極121延伸至第一開口TH1之內部。
另外，第二導體222可安置於第二襯墊電極122下。第二導 體222可電連接至第二襯墊電極122。第二導體222可安置成在第一方向上與第二襯墊電極122重疊。
第二導體222可提供在第二開口TH2處。第二導體222可安置於第二襯墊電極122與第二導電層322之間。第二導體222可電連接至第二襯墊電極122及第二導電層322。
第二導體222之下表面可安置為低於第二開口TH2之上表面。第二導體222之下表面可安置為低於第二導電層322之上表面。
第二導體222可安置於第二開口TH2上。另外，第二導體222可安置成自第二襯墊電極122延伸至第二開口TH2之內部。
根據實施例，第一導電層321可安置於第一導體221之下表面及側表面上，第一導電層321可安置成與第一導體221之下表面及側表面直接接觸。
第一導電層321可提供在第一開口TH1處。第一導電層321可安置於第一襯墊電極121下。第一導電層321之寬度可大於第一襯墊電極121之寬度。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝200，第一導電層321與第一襯墊電極121之間的電連接可由第一導體221較穩定地提供。
另外，根據實施例，第二導電層322可安置於第二導體222之下表面及側表面上，第二導電層322可安置成與第二導體222之下表面及側表面直接接觸。
第二導電層322可提供在第二開口TH2處。第二導電層322可安置於第二襯墊電極122下。第二導電層322之寬度可大於第二襯墊電極122之寬度。
如上文所描述，根據根據實施例之發光裝置封裝200，第二導電層322與第二襯墊電極122之間的電連接可由第二導體222較穩定地提供。
舉例而言，第一導體221及第二導體222可經由單獨的接合材料分別穩定地接合至第一襯墊電極121及第二襯墊電極122。另外，第 一導體221及第二導體222之側表面及下表面可分別與第一導電層321及第二導電層322接觸。因此，相比於第一導電層321及第二導電層322分別直接接觸第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之下表面的狀況，可進一步增大第一導電層321及第二導電層322分別接觸第一導體221及第二導體222之面積。因此，可經由第一導體221及第二導體222將電力穩定地自第一導電層321及第二導電層322提供至第一襯墊電極121及第二襯墊電極122。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Cu或其合金。然而，本發明不限於此，且可在第一導電層321及第二導電層322中使用能夠確保導電功能之材料。
作為實例，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏或其類似者，且可由多個層或由多個層構成之單層或由不同材料構成之合金構成。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，第一導體221及第二導體222可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Cu等或其合金。然而，本發明不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導體221及第二導體222。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含黏著劑130。
黏著劑130可安置於主體113與發光裝置120之間。黏著劑130可安置於主體113之上表面與發光裝置120之下表面之間。
另外，根據實施例之發光裝置封裝100可包含凹槽R，如圖35中所展示。
凹槽R可提供於主體113處。凹槽R可提供於第一開口TH1與第二開口TH2之間。凹槽R可提供為自主體113之上表面朝向其下表面凹入。凹槽R可安置於發光裝置120下。凹槽R可提供為在第一方向上與發光裝置120重疊。
作為實例，黏著劑130可安置於凹槽R中。黏著劑130可 安置於發光裝置120與主體113之間。黏著劑130可安置於第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之間。作為實例，黏著劑130可安置成接觸第一襯墊電極121之側表面及第二襯墊電極122之側表面。
黏著劑130可在發光裝置120與封裝主體110之間提供穩定的固定力。黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。作為實例，黏著劑130可安置成與主體113之上表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
作為實例，黏著劑130可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。作為實例，黏著劑130可包含白色聚矽氧。作為另一表示，黏著劑130可被稱為第一樹脂。
黏著劑130可在主體113與發光裝置120之間提供穩定的固定力。當光被發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供光漫射功能。當光自發光裝置120發射至發光裝置120之下表面時，黏著劑130可藉由提供光漫射功能而改良發光裝置封裝100之光提取效率。另外，黏著劑130可反射自發光裝置120發射之光。當黏著劑130包含反射功能時，黏著劑130可由包含TiO2、聚矽氧等之材料形成。
根據實施例，凹槽R之深度T1可提供為小於第一開口TH1之深度T2或第二開口TH2之深度T2。
可考慮黏著劑130之黏著力來判定凹槽R之深度T1。另外，可藉由考慮主體113之穩定強度，及/或發光裝置封裝100不會由於自發光裝置120發射之熱而產生裂痕來判定凹槽R之深度T1。
凹槽R可在發光裝置120下提供可在其中執行一種下填充製程之適當空間。此處，下填充製程可為將發光裝置120安裝在封裝主體110上，且接著將黏著劑130安置於發光裝置120下之製程，且可為將黏著劑130安置於凹槽R中，且接著安置發光裝置120，以便在將發光裝置120安裝至封裝主體110上之製程中藉由黏著劑130進行安裝的製程。
凹槽R之深度T1及寬度W4可影響黏著劑130之形成位置 及固定力。可判定凹槽R之深度T1及寬度W4，從而使得安置於主體113與發光裝置120之間的黏著劑130可充分提供固定力。
作為實例，凹槽R之深度T1可提供為幾十微米。凹槽R之深度T1可提供為40至60微米。
另外，凹槽R之寬度W4可提供為幾十微米至幾百微米。此處，凹槽R之寬度W4可提供在發光裝置120之長軸方向上。
凹槽R之寬度W4可窄於第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之間的距離。凹槽R之寬度W4可提供為比第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之寬度或直徑大幾百微米。凹槽R之寬度W4可提供為300至400微米。
第一開口TH1之深度T2可提供為對應於第一框架111之厚度。第一開口TH1之深度T2可提供為能夠維持第一框架111之穩定強度的厚度。
第二開口TH2之深度T2可提供為對應於第二框架112之厚度。第二開口TH2之深度T2可提供為能夠維持第二框架112之穩定強度的厚度。
第一開口TH1之深度T2及第二開口TH2之深度T2可提供為對應於主體113的厚度。第一開口TH1之深度T2及第二開口TH2之深度T2可提供為能夠維持主體113之穩定強度的厚度。
作為實例，第一開口TH1之深度T2可提供為幾百微米。第一開口TH1之深度T2可提供為180至220微米。作為實例，第一開口TH1之深度T2可提供為200微米。
作為實例，可將T2-T1之厚度選擇為至少100微米或更大。此係考慮到能夠提供不含裂痕之主體113的注入製程之厚度。
根據實施例，厚度T2與厚度T1之比率T2/T1可提供為2至10。作為實例，當T2之厚度提供為200微米時，T1之厚度可提供為20至100微米。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為10%或更小。根據 根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為0.7%或更多，從而使得可穩定地配置第一導體221及第二導體222。
根據實施例，黏著劑130基於第一方向與發光裝置120重疊之面積可提供為大於第一開口TH1及第二開口TH2與第一襯墊電極121及第二襯墊電極122重疊之區域的面積。
如上文所描述，由於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下表面的光的量。另外，可在發光裝置120下提供具有良好反射特性之黏著劑130。因此，在發光裝置120之向下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上方向有效發射，從而使得可改良光提取效率。
另外，根據實施例之發光裝置封裝200可包含模製部分140，如圖35中所展示。
模製部分140可提供於發光裝置120上。模製部分140可安置於第一框架111及第二框架112上。模製部分140可安置於由封裝主體110提供之空腔C處。
模製部分140可包含絕緣材料。另外，模製部分140可包含波長轉換構件，其被組態成入射自發光裝置120發射之光並提供經波長轉換之光。作為實例，模製部分140可包含選自由以下組成之群組的至少一者：磷光體、量子點等。
另外，如圖35中所展示，根據實施例之發光裝置封裝200 可包含第一下部凹槽R10及第二下部凹槽R20。第一下部凹槽R10及第二下部凹槽R20可安置成彼此間隔開。
第一下部凹槽R10可提供在第一框架111之下表面處。第一下部凹槽R10可提供為自第一框架111之下表面朝向其上表面凹入。第一下部凹槽R10可安置成與第一開口TH1間隔開。
第一下部凹槽R10可具備幾微米至幾十微米的寬度。樹脂部分可提供在第一下部凹槽R10處。作為實例，填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分可具備與主體113相同之材料。
然而，本發明不限於此，且樹脂部分可具備選自與第一導電層321及第二導電層322具有不佳黏著力及可濕性之材料的材料。替代地，可自相對於第一導電層321及第二導電層322具有低表面張力之材料提供並選擇樹脂部分。
作為實例，可在經由注入製程或其類似者形成第一框架111、第二框架112及主體113之製程中提供填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分。
填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分可安置於第一框架111的提供第一開口TH1之下表面區域周圍。第一框架111的提供第一開口TH1之下表面區域可安置成與在其周圍的呈島狀物形狀的形成第一框架111之下表面分離。
因此，當樹脂部分由與第一導電層321及第二導電層322具有不佳黏著力及可濕性之材料，或在樹脂部分與第一導電層321及第二導電層322之間具有低表面張力的材料安置時，有可能防止第一開口TH1中提供之第一導電層321自第一開口TH1移動，並擴散至填充在第一下部凹槽R10處之樹脂部分或主體113上。
此係基於第一導電層321與樹脂部分及主體113之間的黏著關係，或樹脂部分與第一導電層321及第二導電層322之間的可濕性、表面張力等並不良好的事實。亦即，形成第一導電層321之材料可選擇為與第一框架111具有良好黏著性質。另外，形成第一導電層321之材料可選擇為與樹脂部分及主體113具有不佳黏著性質。
由於第一導電層321並不自第一開口TH1朝向提供樹脂部分或主體113之區域溢出，因此有可能防止第一導電層321溢出或延伸至提供樹脂部分或主體113之區域外部，從而使得第一導電層321可穩定地安置於提供第一開口TH1之區域中。因此，在第一導電層321安置於第一開口TH1中時，有可能防止第一導電層321延伸至提供樹脂部分或主體113之第一下部凹槽R10外部。另外，第一導電層321可在第一開口TH1中穩定地連接至第一襯墊電極121之下表面。
因此，在將發光裝置封裝安裝在電路板上時，有可能防止第一導電層321與第二導電層322彼此接觸且短路的問題，且極易於在安置第一導電層321及第二導電層322之製程中控制第一導電層321及第二導電層322的量。
另外，第一導電層321可安置成自第一開口TH1延伸至第一下部凹槽R10。因此，第一導電層321及/或樹脂部分可安置於第一下部凹槽R10中。
另外，第二下部凹槽R20可提供在第二框架112之下表面處。第二下部凹槽R20可提供為自第二框架112之下表面朝向其上表面凹入。第二下部凹槽R20可安置成與第二開口TH2間隔開。
第二下部凹槽R20可具備幾微米至幾十微米的寬度。樹脂部分可提供在第二下部凹槽R20處。作為實例，填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分可具備與主體113相同之材料。
然而，本發明不限於此，且樹脂部分可具備選自與第一導電層321及第二導電層322具有不佳黏著力及可濕性之材料的材料。替代地，可自相對於第一導電層321及第二導電層322具有低表面張力之材料提供並選擇樹脂部分。
作為實例，可在經由注入製程或其類似者形成第一框架111、第二框架112及主體113之製程中提供填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分。
填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分可安置於第二框架112的提供第二開口TH2之下表面區域周圍。第二框架112的提供第二開 口TH2之下表面區域可安置成與在其周圍的呈島狀物形狀的形成第二框架112之下表面分離。
因此，當樹脂部分由與第一導電層321及第二導電層322具有不佳黏著力及可濕性之材料，或在樹脂部分與第一導電層321及第二導電層322之間具有低表面張力的材料安置時，有可能防止提供第二開口TH2之第一及第二導電層322自第二開口TH2移動，並擴散至填充在第二下部凹槽R20處之樹脂部分或主體113上。
此係基於第二導電層322與樹脂部分及主體113之間的黏著關係，或樹脂部分與第一導電層321及第二導電層322之間的可濕性、表面張力等並不良好的事實。亦即，形成第二導電層322之材料可選擇為與第二框架112具有良好黏著性質。另外，形成第二導電層322之材料可選擇為與樹脂部分及主體113具有不佳黏著性質。
由於第二導電層322並不自第二開口TH2朝向提供樹脂部分或主體113之區域溢出，因此有可能防止第二導電層322溢出或延伸至提供樹脂部分或主體113之區域外部，從而使得第二導電層322可穩定地安置於提供第二開口TH2之區域中。因此，在第二導電層322安置於第二開口TH2中時，有可能防止第二導電層322延伸至提供樹脂部分或主體113之第二下部凹槽R20外部。另外，第二導電層322可在第二開口TH2中穩定地連接至第二襯墊電極122之下表面。
因此，在將發光裝置封裝安裝在電路板上時，有可能防止第一導電層321與第二導電層322彼此接觸且短路的問題，且極易於在安置第一導電層321及第二導電層322之製程中控制第一導電層321及第二導電層322的量。
另外，第二導電層322可安置成自第二開口TH2延伸至第二下部凹槽R20。因此，第二導電層322及/或樹脂部分可安置於第二下部凹槽R20中。
另外，根據實施例之發光裝置封裝200可包含樹脂部分135，如圖35中所展示。
樹脂部分135可安置於第一框架111與發光裝置120之間。 樹脂部分135可安置於第二框架112與發光裝置120之間。樹脂部分135可提供在封裝主體110中提供之空腔C的底部表面處。
樹脂部分135可安置於第一襯墊電極121之側表面上。樹脂部分135可安置於第二襯墊電極122之側表面上。樹脂部分135可安置於半導體結構123下。
作為實例，樹脂部分135可包含環氧類材料、聚矽氧類材料，以及包含環氧類材料及聚矽氧類材料之混合式材料中的至少一者。另外，樹脂部分135可為反射自發光裝置120發射之光的反射部分，作為實例，其可為含有諸如TiO2之反射材料的樹脂，或可包含白色聚矽氧。
樹脂部分135可安置於發光裝置120下以執行密封功能。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第一框架111之間的黏著力。另外，樹脂部分135可改良發光裝置120與第二框架112之間的黏著力。
樹脂部分135可在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122周圍密封。樹脂部分135可防止第一導電層321及第二導電層322自第一開口TH1區域及第二開口TH2區域移動，並在發光裝置120之外側表面的方向上擴散且移動。當第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外側表面方向上擴散且移動時，第一導電層321及第二導電層322可與發光裝置120的作用層接觸，藉此由於短路而造成故障。因此，在安置了樹脂部分135時，有可能防止由於第一導電層321及第二導電層322與作用層之短路t，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
另外，根據實施例，保護層可提供於發光裝置120之下表面及周邊上。在此狀況下，由於絕緣保護層提供於作用層之表面上，因此即使在第一導電層321及第二導電層322在發光裝置120之外側表面方向上擴散且移動時，仍有可能防止第一導電層321及第二導電層322電連接至發光裝置120之作用層。
同時，在絕緣保護層安置於發光裝置120之下表面及周邊上的狀況下，絕緣保護層可能並不安置於發光裝置120之基板124的周邊處。此時，在基板124具備導電材料時，當第一導電層321及第二導電層322與基板124接觸時，由於短路可能發生故障。因此，在安置了樹脂部分135 時，有可能防止由於第一導電層321及第二導電層322與基板124之短路，藉此改良根據實施例之發光裝置封裝的可靠性。
另外，當樹脂部分135包含諸如白色聚矽氧的具有反射性質之材料時，樹脂部分135可將自發光裝置120發射之光朝向封裝主體110之上方向反射，藉此改良發光裝置封裝200之光提取效率。
同時，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝之另一實例，可不單獨地提供樹脂部分135，且可安置模製部分140，以便與第一框架111及第二框架112直接接觸。
另外，根據根據本發明之實施例的發光裝置封裝的另一實例，可不單獨地提供樹脂部分135，且黏著劑130可提供在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之周邊處。
此時，黏著劑130可被稱為第一樹脂，且第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可分別被稱為第一接合部分及第二接合部分。
同時，黏著劑130可安置於第一開口TH1及第二開口TH2之上部區域處。黏著劑130的部分可在發光裝置120提供於封裝主體110上之製程中移動至第一開口TH1及第二開口TH2。黏著劑130的部分可在第一開口TH1及第二開口TH2中安置於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之側表面區域處。黏著劑130的部分可在第一開口TH1及第二開口TH2中安置於第一導電層321及第二導電層322上。另外，黏著劑130的部分可在第一開口TH1及第二開口TH2中安置於第一導體221及第二導體222之側表面處。
黏著劑130可密封第一開口TH1及第二開口TH2之上部區域，且防止水分或外來物質經由第一開口TH1及第二開口TH2自外部流動至安置發光裝置120之區域中。
另外，在充分確保了用於在發光裝置120與封裝主體110之間提供黏著劑130的空間時，可不在封裝主體110之上表面上提供凹槽R。
在根據實施例之發光裝置封裝200中，電力可經由第一開口TH1之區域連接至第一襯墊電極121，且電力可經由第二開口TH2之區域連接至第二襯墊電極122。
因此，發光裝置120可由經由第一襯墊電極121及第二襯墊電極122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上方向上提供。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝200可被供應且安裝在子基板、電路板或其類似者上。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與提供於發光裝置封裝中的發光裝置之間的接合區域中會發生重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一襯墊電極及第二襯墊電極可藉由安置於開口中的導電層而具備驅動電力。另外，可選擇安置於開口中之導電層的熔點，以便具有高於一般接合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝200即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝200及發光裝置封裝的製造方法，封裝主體110在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止封裝主體110由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜的樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為10%或更小。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電 極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為10%或更小，以便確保自發光裝置發射之發光區域並增大光提取效率。
另外，根據實施例，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可提供為0.7%或更多。根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為0.7%或更多，以便將穩定接合力提供至待安裝之發光裝置。
根據根據實施例之發光裝置封裝，基於基板124之上表面的面積，第一襯墊電極121與第二襯墊電極122之面積的總和可設定為0.7%或更多，從而使得可穩定地配置第一導體221及第二導體222。
根據實施例，黏著劑130基於第一方向與發光裝置120重疊之面積可提供為大於第一開口TH1及第二開口TH2與第一襯墊電極121及第二襯墊電極122重疊之區域的面積。
如上文所描述，由於第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之面積提供為較小，因此可增大透射至發光裝置120之下表面的光的量。另外，可在發光裝置120下提供具有良好反射特性之黏著劑130。因此，在發光裝置120之向下方向上發射的光在黏著劑130處被反射，且被朝向發光裝置封裝100之上方向有效發射，從而使得可改良光提取效率。
同時，根據實施例之發光裝置封裝可應用於光源設備。
此外，基於工業領域，光源設備可包括顯示設備、照明設備、頭燈等。
作為光源設備之實例，顯示設備包括：底部蓋、安置於底部蓋上之反射板、發射光且包括發光裝置之發光模組、安置於反射板之前方且導引自發光模組發射之光的光導板、包括安置於光導板之前方的稜鏡薄片之光學薄片、安置於光學薄片之前方的顯示面板、連接至顯示面板且將影像信號供應至顯示面板之影像信號輸出電路，及安置於顯示面板之前方的彩色濾光片。本文中，底部蓋、反射板、發光模組、光導板及光學薄片可形成背光單元。另外，顯示設備可具有安置各自發射紅光、綠光及藍光之發光裝置而不包括彩色濾光片之結構。
作為光源設備之另一實例，頭燈可包括：包括安置於基板上之發光裝置封裝的發光模組、用於在預定方向上(例如，前向方向上)反射自發光模組發射之光的反射器、用於向前折射光之透鏡，及用於阻擋或反射由反射器反射且被引導至透鏡之光的一部分，以形成設計者所要之光分佈圖案的遮光物。
作為另一光源設備之照明設備可包括蓋、光源模組、散熱片、電力供應器、內殼及插口。另外，根據實施例之光源設備可進一步包括部件及支架中的至少一者。光源模組可包括根據實施例之發光裝置封裝。
同時，上文所描述的根據實施例之發光裝置封裝可包含各種修改。
在下文中，將參看圖式描述根據實施例之發光裝置封裝的修改，且每一修改可應用於上文所描述的發光裝置封裝之實施例中的每一者。另外，可藉由在並不彼此衝突之範圍內組合多個修改來應用下文所描述的每一修改。
首先，將參看圖36描述根據本發明之實施例的發光裝置封裝之又一實例。在參看圖36描述根據實施例之發光裝置封裝時，可省略對與上文所描述之內容重疊的內容的描述。
根據實施例之發光裝置封裝可包含主體113及發光裝置120。主體113可包含第一開口TH1及第二開口TH2。發光裝置120可包含第一襯墊電極121及第二襯墊電極122。
第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可分別電連接至發光裝置120之第一半導體層及第二半導體層，且可分別被稱為第一接合部分及第二接合部分。
第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可分別包含突出部分121a及122a。舉例而言，第一襯墊電極121及第二襯墊電極122可包含分別在第一開口TH1及第二開口TH2中突出以向下延伸之突出部分121a及122a。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之突出部分121a及122a可分別安置於第一開口TH1及第二開口TH2中。
第一襯墊電極121之突出部分121a的下表面可安置為低於 第一開口TH1之上表面。第二襯墊電極122之突出部分122a的下表面可安置為低於第二開口TH2之上表面。
作為實例，第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之突出部分121a及122a可提供為圓柱形形狀或多邊形管柱形狀。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之形狀可選擇為對應於第一開口TH1及第二開口TH2之上部區域的形狀。第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之突出部分121a及122a的寬度或直徑可提供為小於第一開口TH1及第二開口TH2之上部區域的寬度或直徑。
根據實施例之發光裝置封裝可包含第一導電層321及第二導電層322。第一導電層321可安置成與第二導電層322間隔開。第一導電層321及第二導電層322可安置成在主體113之下表面上彼此間隔開。
第一導電層321之上表面的第一區域可安置於第一開口TH1下。第一導電層321之上表面的第一區域可安置成在豎直方向上與第一開口TH1重疊。第一導電層321可安置於第一襯墊電極121下。第一導電層321可安置於第一襯墊電極121之突出部分121a的周邊處。
另外，第一導電層321之上表面的第二區域可安置於主體113之下表面下。第一導電層321之上表面的第二區域可安置成在豎直方向上與主體113之下表面重疊。舉例而言，第一導電層321之上表面可經由黏著樹脂連接至主體113之下表面。
第二導電層322之上表面的第一區域可安置於第二開口TH2下。第二導電層322之上表面的第一區域可安置成在豎直方向上與第二開口TH2重疊。第二導電層322可安置於第二襯墊電極122下。第二導電層322可安置於第二襯墊電極122之突出部分122a的周邊處。
另外，第二導電層322之上表面的第二區域可安置於主體113之下表面下。第二導電層322之上表面的第二區域可安置成在豎直方向上與主體113之下表面重疊。舉例而言，第二導電層322之上表面可經由黏著樹脂連接至主體113之下表面。
第一導電層321及第二導電層322可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：Ag、Au、Pt、Sn、Cu等或其合金。然而，本發明 不限於此，且能夠確保導電功能之材料可用於第一導電層321及第二導電層322。
舉例而言，第一導電層321及第二導電層322可藉由使用導電膏形成。導電膏可包含焊錫膏、銀膏或其類似者，且可包含多個層或由多個層構成之單層或由不同材料構成之合金。作為實例，第一導電層321及第二導電層322可包含SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，第一導電層321及第二導電層322可安置成延伸至主體113之末端部分。
第一導電層321及第二導電層322可提供一種引線框功能。第一導電層321及第二導電層322可分別電連接至第一襯墊電極121及第二襯墊電極122。
另外，根據實施例之發光裝置封裝可包含黏著劑130。黏著劑130可被稱為第一樹脂，如上文所描述。
黏著劑130可在發光裝置120與主體113之間提供穩定的固定力。黏著劑130可安置成例如與主體113之上表面直接接觸。另外，黏著劑130可安置成與發光裝置120之下表面直接接觸。
舉例而言，黏著劑130可安置成在第一襯墊電極121及第二襯墊電極122之周邊及發光裝置120之下部部分移動。另外，黏著劑130可安置成在第一開口TH1及第二開口TH2內部移動。
黏著劑130可密封第一開口TH1及第二開口TH2之上部區域，且防止水分或外來物質經由第一開口TH1及第二開口TH2自外部流動至安置發光裝置120之區域中。另外，黏著劑130可改良發光裝置120與主體113之間的固定力。
另外，在充分確保了用於在發光裝置120與主體113之間提供黏著劑130的空間時，可不在封裝主體110之上表面上提供凹槽。
根據實施例之發光裝置封裝可安裝且供應在子基板、電路板或其類似者上。此時，第一導電層321及第二導電層322可分別電連接至提供於子基板、電路板或其類似者上之第一襯墊部分及第二襯墊部分。
在根據實施例之發光裝置封裝中，電力可經由第一開口TH1 之區域連接至第一襯墊電極121，且電力可經由第二開口TH2之區域連接至第二襯墊電極122。
因此，發光裝置120可由經由第一襯墊電極121及第二襯墊電極122供應之驅動電力驅動。另外，自發光裝置120發射之光可在封裝主體110之上方向上提供。
然而，在將習知發光裝置封裝安裝在子基板、電路板或其類似者上時，可應用諸如回焊之高溫製程。此時，在回焊製程中，在引線框與提供於發光裝置封裝中的發光裝置之間的接合區域中會發生重新熔融現象，從而使得電連接及實體耦接之穩定性可被削弱。
然而，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，根據實施例之發光裝置的第一襯墊電極及第二襯墊電極可藉由安置於開口中的導電層而具備驅動電力。另外，可選擇安置於開口中之導電層的熔點，以便具有高於一般接合材料之熔點的值。
因此，由於根據實施例之發光裝置封裝即使在藉由回焊製程將發光裝置封裝接合至主基板時仍不造成重新熔融現象，因此電連接及實體接合力可不退化。
另外，根據根據實施例之發光裝置封裝及發光裝置封裝的製造方法，主體113在發光裝置封裝之製造製程中無需曝露於高溫。因此，根據實施例，有可能防止主體113由於曝露於高溫而受損或變色。
因此，可擴寬形成主體113之材料的選擇範圍。根據實施例，可藉由不僅使用諸如陶瓷之昂貴材料且還使用相對便宜的樹脂材料來提供主體113。
舉例而言，主體113可包含選自由以下組成之群組的至少一種材料：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(PCT)樹脂、環氧模製化合物(EMC)樹脂及聚矽氧模製化合物(SMC)樹脂。
同時，在上文描述中，係基於主體113包含空腔C之狀況進行描述。發光裝置120可安置於空腔C中。然而，根據另一實施例，如圖37中所展示，主體113可以不包含空腔之形式提供。舉例而言，主體113可具備平坦上表面而不包含空腔。
主體113之側表面及第一導電層321之側表面可提供在相同平面上。另外，主體113之另一側表面及第二導電層322之側表面可提供在相同平面上。
另外，在上文描述中，係基於安置於主體113之下表面上的第一導電層321及第二導電層322安置為延伸至主體113之側表面的狀況進行描述。然而，安置於主體113之下表面上的第一導電層321及第二導電層322可不延伸至主體113之側表面，且可僅安置於主體113之下表面的一部分中，並且可安置成在豎直方向上與空腔C重疊。
同時，黏著劑130亦可安置於發光裝置120之側表面上。此係因為黏著劑130可由於提供於發光裝置120之表面上的OH-而在發光裝置120之側表面上向上滑動。此時，當提供於發光裝置120之側表面上的黏著劑130之厚度過厚時，光強度Po可降低，從而使得有必要適當地控制其厚度。另外，由於黏著劑130可安置於發光裝置120之側表面上，因此黏著劑130可以雙保護膜結構提供，且可改良防潮性，並且可保護發光裝置120免於其他污染物。
另外，在黏著劑130例如提供在發光裝置120下及周圍時，可經由離心分離法或其類似者提供黏著劑130。黏著劑130可被塗覆至主體113，且黏著劑130可經由離心分離法擴散至發光裝置120之下部部分及周邊區域中。如上文所描述，在應用離心分離法或其類似者時，黏著劑130中所含有的反射材料可被沈澱至下部部分區域中。因此，僅一種透明模製部分安置於發光裝置120之作用層的側上，且反射材料可安置於低於發光裝置120之作用層的區域中，從而使得可進一步改良光強度Po。
此外，根據另一實施例，黏著劑130及主體113可包含相同材料。
另外，根據實施例，可考慮到在主體113、黏著劑130與發光裝置120之間匹配的熱膨脹係數(CTE)來選擇黏著劑130之實體性質，且因此可改良發光裝置封裝由於熱衝擊之裂痕或分層。
上文實施例中描述之特徵、結構、效應等包括在至少一個實施例中且不限於僅一個實施例。此外，關於實施例中所描述之特徵、結構、 效應等，一般技術者可藉由組合或修改執行其他實施例。因此，與組合及修改相關之內容應視為包括在實施例之範疇中。
儘管已在前述描述中提出並闡述較佳實施例，但不應將本發明視為限於此。一般技術者將顯而易見，在不脫離本發明之實施例的固有特徵的情況下，可在範疇內進行未說明之各種變形及修改。舉例而言，可藉由修改來執行實施例中具體展示之每一組件。另外，顯而易見的是，與修改及變形相關之差異包括在本發明之隨附申請專利範圍中設定的實施例之範疇中。
Claims (10)
- 一種發光裝置封裝，其包含：一主體，其包含穿過該主體之一上表面及該主體之一下表面的第一及第二開口；一發光裝置，其安置於該主體上且包含第一及第二接合部分；及第一及第二導電層，其安置於該主體下且分別電連接至該第一接合部分及該第二接合部分，其中該第一接合部分及該第二接合部分中之每一者包含分別在該第一開口及該第二開口內在一向下方向上突出且延伸的一突出部分。
- 如請求項1之發光裝置封裝，其進一步包含安置於該主體與該發光裝置之間的一樹脂。
- 如請求項1之發光裝置封裝，其中該第一接合部分及該第二接合部分之該等突出部分分別安置於該第一開口及該第二開口中。
- 如請求項1之發光裝置封裝，其中該第一接合部分之該突出部分的一下表面安置為低於該第一開口之一上表面。
- 如請求項1之發光裝置封裝，其中該第一接合部分之該突出部分係以一圓柱形形狀或一多邊形管柱形狀提供。
- 如請求項1之發光裝置封裝，其中該第一接合部分及該第二接合部分之一形狀提供為分別對應於該第一開口及該第二開口之上部區域的形狀。
- 如請求項1之發光裝置封裝，其中該第一接合部分及該第二接合部分之該等突出部分的一寬度提供為小於該第一開口及該第二開口之上部區域的寬度。
- 如請求項1之發光裝置封裝，其中該第一導電層之一上表面的一第一區域安置於該第一開口下，且其中該第一導電層之該上表面的一第二區域安置於該主體之該下表面下。
- 如請求項1之發光裝置封裝，其中該第一導電層的一部分安置於該第一接合部分之該突出部分的周邊處。
- 如請求項2之發光裝置封裝，其中該樹脂包含一白色聚矽氧。
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