KR20190087249A - 발광소자 패키지 및 광원 장치 - Google Patents
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 265
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 263
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 124
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 124
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 44
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 251
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 106
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 24
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 23
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 22
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 12
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- -1 TiO 2 Chemical class 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910017750 AgSn Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 229920001123 polycyclohexylenedimethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016347 CuSn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100396546 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) tif-6 gene Proteins 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical group 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 2
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 238000004887 air purification Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 229920006128 poly(nonamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
발명의 실시 예에 개시된 발광소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체에 서로 이격된 제1 및 제2관통홀; 상기 제1관통홀에 대면하는 제1본딩부와 상기 제2관통홀에 대면하는 제2본딩부를 갖는 발광소자; 상기 제1관통홀의 둘레에 배치된 제1금속부; 및 상기 제2관통홀의 둘레에 배치된 제2금속부를 포함하며, 상기 제1금속부는 상기 제1본딩부에 연결되며, 상기 제2금속부는 상기 제2본딩부에 연결되며, 상기 제1 및 제2금속부의 두께는 상기 발광소자의 하부에 배치된 상기 몸체의 두께보다 작고, 상기 제1 및 제2금속부의 두께 합은 상기 제1 및 제2관통홀의 상부 폭보다 작을 수 있다.
Description
발명의 실시 예는 발광소자 패키지, 발광소자 패키지 제조방법, 및 이를 갖는 광원 장치에 관한 것이다.
발명의 실시 예는 반도체 소자 패키지, 반도체 소자 패키지 제조방법, 및 이를 갖는 광원 장치에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다.
한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
발명의 실시 예는 반도체 소자 또는 발광소자의 하부에 몸체의 관통홀이 배치되고 상기 관통홀의 표면 및 상기 몸체의 바닥 중 적어도 하나 또는 모두에 금속부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 반도체 소자 또는 발광 소자와 중첩되는 영역에 몸체의 관통 홀과 금속부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체의 상면과 하면 사이에 관통된 복수의 관통홀에 금속부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체의 바닥에 도전부의 확산을 억제할 수 있는 개구부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체와 소자 사이에 제1수지가 배치되어, 소자 하부를 지지 및 고정시켜 줄 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체 상부에 오목한 하나 또는 복수의 리세스가 배치되며, 상기 리세스에 제1수지가 배치되어, 소자 하부를 지지 및 고정시켜 줄 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 발광소자의 하부 둘레에 제2수지가 배치되어, 발광소자를 고정할 수 있도록 한 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체에 서로 이격된 제1 및 제2관통홀; 상기 제1관통홀에 대면하는 제1본딩부와 상기 제2관통홀에 대면하는 제2본딩부를 갖는 발광소자; 상기 제1관통홀의 둘레에 배치된 제1금속부; 및 상기 제2관통홀의 둘레에 배치된 제2금속부를 포함하며, 상기 제1금속부는 상기 제1본딩부에 연결되며, 상기 제2금속부는 상기 제2본딩부에 연결되며, 상기 제1 및 제2금속부의 두께는 상기 발광소자의 하부에 배치된 상기 몸체의 두께보다 작고, 상기 제1 및 제2금속부의 두께 합은 상기 제1 및 제2관통홀의 상부 폭보다 작을 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1금속부로부터 상기 몸체의 하면으로 연장된 제1연장부; 및 상기 제2금속부로부터 상기 몸체의 하면으로 연장된 제2연장부를 포함하며, 상기 제1 및 제2연장부의 폭은 상기 제1 및 제2관통홀의 폭보다 클 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1연장부와 상기 제2연장부 사이에 배치된 상기 몸체의 하면은 상기 몸체의 상면 방향으로 오목한 오목부를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1연장부는 상기 몸체의 측면 중 적어도 3측면과 같은 수직 평면 상에 배치되며, 상기 제2연장부는 상기 몸체의 측면 중 적어도 3측면과 같은 수직 평면 상에 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1관통홀의 외측에 하나 또는 복수의 절연부가 배치되며, 상기 제2관통홀의 외측에 하나 또는 복수의 절연부가 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 수지 재질로 형성되며, 상기 발광소자와 상기 몸체 사이에 제1수지를 포함하며, 상기 제1수지는 상기 제1 및 제2본딩부 사이에 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 상기 발광소자와 수직 방향으로 중첩되는 내측부와, 상기 발광소자의 양 측면으로부터 외측으로 연장된 외측부를 포함하는 리세스를 포함하며, 상기 리세스는 상기 발광소자 아래에 복수로 배치되며, 상기 리세스에는 상기 제1수지가 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 상기 발광소자의 코너들 중 적어도 하나 또는 둘 이상의 영역 아래에 배치된 리세스를 포함하며, 상기 리세스의 내측부는 상기 발광소자와 수직 방향으로 중첩되며, 상기 리세스에 배치된 제2수지를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광소자는 상기 제1 및 제2관통홀 각각에 배치된 도전 돌기 및 도전부 중 적어도 하나 또는 모두를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 상기 발광소자 아래의 제1몸체와, 상기 발광소자 둘레에 제2몸체를 포함하며, 상기 제2몸체는 상기 발광소자가 배치된 캐비티를 포함하며, 상기 캐비티 내에 몰딩부를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2금속부의 두께를 기준으로 상기 제1 및2금속부의 두께는 상기 발광소자의 하부에 배치된 몸체의 두께와의 비율이 1: 30 내지 1: 100의 범위를 가질 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체에서 상기 제1 및 제2관통홀을 갖는 그룹은 복수개가 서로 이격되며, 상기 발광소자는 상기 제1 및 제2관통홀의 그룹 각각의 위에 배치되며, 상기 제1 및 제2관통홀에 배치된 상기 제1 및 제2금속부는 상기 제1 및 제2관통홀의 그룹 위에 배치된 각각의 발광소자를 직렬 또는 병렬로 연결해 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2관통홀은 상면 중심과 하면 중심이 서로 어긋나게 배치되며, 상기 제1 및 제2관통홀의 하면 중심 간의 간격이 상면 중심 간의 간격보다 더 클 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 광원 장치는, 상부에 제1 및 제2패드를 갖는 회로 기판; 및 상기 회로 기판에 하나 또는 복수의 발광소자 패키지가 배치되며, 상기 발광소자 패키지의 제1 및 제2관통홀에 배치된 제1 및 제2도전부를 포함하며, 상기 제1도전부는 상기 제1패드와 상기 발광소자의 제1본딩부 및 상기 제1관통홀 내의 제1금속부에 연결되며, 상기 제2도전부는 상기 제2패드와 상기 발광소자 패키지의 제2본딩부 및 상기 제2관통홀 내의 제2금속부에 연결될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 또는 발광소자의 본딩부들과 대면하는 몸체의 관통홀에 금속부를 제공하여, 본딩부와의 접착력 및 전기 전도성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 관통홀 및 바닥에 배치된 금속부를 도전부로 본딩하여 줌으로써, 관통홀 내의 도전부의 전기적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 관통홀을 통해 도전부와 소자의 본딩부를 연결시켜 주어, 플립 칩의 본딩부의 접착력 및 전기 전도성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 관통홀에 소자의 본딩부와 도전부가 연결될 수 있도록 하여, 플립 칩의 접착력 및 전기 전도성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 소자 하부와 몸체 사이에 제1수지를 배치하여, 소자의 접착력 및 지지력을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 몸체 상부 및 소자 하부에에 리세스를 배치하고 소자 하부에 제1수지를 배치하여, 소자의 접착력 및 지지력을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 소자 하부 둘레를 제2수지로 몸체에 접착시켜 주어, 소자의 접착력 및 지지력을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지, 이를 갖는 광원 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지에서 발광소자가 제거된 평면도이다.
도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 4는 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이다.
도 5는 도 1의 발광소자 패키지의 제1변형 예이다.
도 6은 도 5의 발광소자 패키지에서 몸체의 리세스를 지나는 B-B측 단면도이다.
도 7은 도 5의 발광소자 패키지의 B1-B1측 단면도이다.
도 8은 도 5의 발광소자 패키지의 B2-B2측 단면도이다.
도 9는 도 5의 발광소자 패키지에서 리세스를 나타낸 단면도이다.
도 10은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제2변형 예이다.
도 11은 도 10의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 12는 도 10의 발광소자 패키지의 저면을 나타낸 사시도이다.
도 13은 도 10의 발광소자 패키지의 C-C측 단면도이다.
도 14는 도 13의 발광소자 패키지의 C-C측 단면도로서, 관통홀의 다른 예이다.
도 15는 도 14의 발광소자 패키지의 다른 예이다.
도 16은 도 14 및 도 15의 발광소자 패키지에서 관통홀의 상세한 도면이다.
도 17은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 금속부의 변형 예이다.
도 18은 도 10의 발광소자 패키지의 다른 예이다.
도 19는 도 10의 발광소자 패키지의 다른 예이다.
도 20은 도 19의 발광소자 패키지에서 발광소자가 없는 몸체의 예이다.
도 21은 도 19의 발광소자 패키지의 C1-C1측 단면도이다.
도 22는 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 저면도로서, 절연부를 갖는 예이다.
도 23은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에서 캐비티 없는 구조의 예이다.
도 24는 발명의 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 25는 도 24의 발광소자 패키지의 D-D측 단면도이다.
도 26은 도 24의 발광소자 패키지의 D1-D1측 단면도이다.
도 27은 도 24의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 28은 발명의 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 평면도이다.
도 29는 도 28의 발광소자 패키지의 E-E측 단면도이다.
도 30은 도 28의 발광소자 패키지의 E1-E1측 단면도이다.
도 31은 발명의 실시 예(들)에 따른 발광소자 패키지의 관통홀 내에 도전부를 배치한 예이다.
도 32는 발명의 실시 예(들)에 따른 발광소자 패키지의 관통홀 내에 도전 돌기를 배치한 예이다.
도 33 내지 도 36은 발명의 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제조 과정을 설명한 도면이다.
도 37은 도 6의 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치의 예이다.
도 38은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 평면도이다.
도 39는 도 38의 발광소자의 F-F선 단면도이다.
도 40은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 다른 예를 나타낸 평면도이다.
도 41은 도 40의 발광소자의 H-H측 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지에서 발광소자가 제거된 평면도이다.
도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 4는 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이다.
도 5는 도 1의 발광소자 패키지의 제1변형 예이다.
도 6은 도 5의 발광소자 패키지에서 몸체의 리세스를 지나는 B-B측 단면도이다.
도 7은 도 5의 발광소자 패키지의 B1-B1측 단면도이다.
도 8은 도 5의 발광소자 패키지의 B2-B2측 단면도이다.
도 9는 도 5의 발광소자 패키지에서 리세스를 나타낸 단면도이다.
도 10은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제2변형 예이다.
도 11은 도 10의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 12는 도 10의 발광소자 패키지의 저면을 나타낸 사시도이다.
도 13은 도 10의 발광소자 패키지의 C-C측 단면도이다.
도 14는 도 13의 발광소자 패키지의 C-C측 단면도로서, 관통홀의 다른 예이다.
도 15는 도 14의 발광소자 패키지의 다른 예이다.
도 16은 도 14 및 도 15의 발광소자 패키지에서 관통홀의 상세한 도면이다.
도 17은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 금속부의 변형 예이다.
도 18은 도 10의 발광소자 패키지의 다른 예이다.
도 19는 도 10의 발광소자 패키지의 다른 예이다.
도 20은 도 19의 발광소자 패키지에서 발광소자가 없는 몸체의 예이다.
도 21은 도 19의 발광소자 패키지의 C1-C1측 단면도이다.
도 22는 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 저면도로서, 절연부를 갖는 예이다.
도 23은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에서 캐비티 없는 구조의 예이다.
도 24는 발명의 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 25는 도 24의 발광소자 패키지의 D-D측 단면도이다.
도 26은 도 24의 발광소자 패키지의 D1-D1측 단면도이다.
도 27은 도 24의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 28은 발명의 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 평면도이다.
도 29는 도 28의 발광소자 패키지의 E-E측 단면도이다.
도 30은 도 28의 발광소자 패키지의 E1-E1측 단면도이다.
도 31은 발명의 실시 예(들)에 따른 발광소자 패키지의 관통홀 내에 도전부를 배치한 예이다.
도 32는 발명의 실시 예(들)에 따른 발광소자 패키지의 관통홀 내에 도전 돌기를 배치한 예이다.
도 33 내지 도 36은 발명의 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제조 과정을 설명한 도면이다.
도 37은 도 6의 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치의 예이다.
도 38은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 평면도이다.
도 39는 도 38의 발광소자의 F-F선 단면도이다.
도 40은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 다른 예를 나타낸 평면도이다.
도 41은 도 40의 발광소자의 H-H측 단면도이다.
이하 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다. 상기 소자 패키지의 반도체 소자는 자외선, 적외선 또는 가시광선의 광을 발광하는 발광소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 상기 발광소자가 적용된 패키지 또는 광원 장치에 비 발광소자 예컨대, 제너 다이오드와 같은 소자나 파장이나 열을 감시하는 센싱 소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 발광소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다.
<제1실시 예>
도 1은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이고, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지에서 발광소자가 제거된 평면도이며, 도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 저면도이고, 도 4는 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이고, 도 5는 도 1의 발광소자 패키지의 제1변형 예이며, 도 6은 도 5의 발광소자 패키지에서 몸체의 리세스를 지나는 B-B측 단면도이고, 도 7은 도 5의 발광소자 패키지의 B1-B1측 단면도이고, 도 8은 도 5의 발광소자 패키지의 B2-B2측 단면도이며, 도 9는 도 5의 발광소자 패키지에서 리세스를 나타낸 단면도이고, 도 10은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제2변형 예이며, 도 11은 도 10의 발광소자 패키지의 저면도이고, 도 12는 도 10의 발광소자 패키지의 저면을 나타낸 사시도이며, 도 13은 도 10의 발광소자 패키지의 C-C측 단면도이고, 도 14는 도 13의 발광소자 패키지의 C-C측 단면도로서, 관통홀의 다른 예이고, 도 15는 도 10의 발광소자 패키지의 다른 예이며, 도 16은 도 10의 발광소자 패키지의 다른 예이고, 도 17은 도 16의 발광소자 패키지에서 발광소자가 없는 몸체의 예이며, 도 18은 도 16의 발광소자 패키지의 C1-C1측 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 발광소자 패키지(100)는, 몸체(110) 및 발광소자(120)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(110)는 제1몸체(115)와 제2몸체(110A)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(110A)는 제1 몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 제2 몸체(110A)는 제1 몸체(115)의 상부 둘레에 배치될 수 있다. 제2 몸체(110A)는 제1 몸체(115)의 상부 위에 캐비티(102)를 제공할 수 있다. 일 예로서, 제1 몸체(115)와 제2 몸체(110A)은 서로 일체형으로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 제1 몸체(115)와 제2 몸체(110A)은 서로 별개로 형성된 후 부착되거나 결합될 수 있다. 이러한 결합을 위해, 제1 몸체(115)와 제2 몸체(110A)는 걸림홈 또는/및 걸림턱과 같은 결합 구조를 가질 수 있다.
상기 제1몸체(115)는 발광소자를 지지하는 몸체부일 수 있고, 상기 제2몸체(110A)는 반사부일 수 있다. 다른 표현으로서, 제1 몸체(115)는 하부 몸체, 제2 몸체(110A)는 상부 몸체로 지칭될 수도 있다. 또한, 실시예에 의하면, 몸체(110)는 캐비티(102)를 제공하는 제2 몸체(110A)를 포함하지 않고, 평탄한 상부면을 제공하는 제1 몸체(115)만을 포함할 수도 있다. 상기 제2 몸체(110A)는 발광소자(120)의 둘레에 배치되며, 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 상부 방향으로 반사시킬 수 있다. 상기 제2 몸체(110A)는 제1 몸체(115)의 상면에 대하여 경사지게 배치될 수 있다.
상기 몸체(110)는 캐비티(102)를 포함할 수 있다. 상기 캐비티(102)는 바닥면과, 바닥면에서 몸체(110)의 상면에 대해 경사진 측면(132)을 포함할 수 있다. 상기 측면(132)는 스텝 구조를 포함할 수 있다. 실시예에 의하면, 몸체(110)는 캐비티(102)를 갖는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(102) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.
예로서, 상기 몸체(110)는 수지 재질 또는 절연성 수지 재질일 수 있다. 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 그 내부에 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 재질의 필러를 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 열 가소성 수지로 형성될 수 있다.
발광소자 패키지(100)는 제1방향(X)의 길이가 제2방향(Y)의 길이와 같거나 클 수 있다. 이하의 설명에서 제1방향은 X 방향이며, 제2방향은 X 방향과 직교하는 Y 방향이며, 제3방향은 X,Y 방향과 직교하는 Z 방향일 수 있다. 발광소자(120)가 직사각형 형상인 경우, 상기 제1방향은 상기 발광소자(120)의 변들 중 길이가 더 긴 변의 방향일 수 있다. 예컨대, 제1방향은 발광소자(120)의 장변 방향이며, 제2방향은 단변 방향일 수 있다. 상기 발광소자(120)가 정사각형 형상인 경우, 상기 제1 방향과 상기 제2방향의 양 변의 길이는 서로 동일할 수 있다.
상기 제1방향에는 발광소자(120)의 양 단변이 서로 반대측에 배치되며, 제2방향에는 발광소자(120)의 양 장변이 서로 반대측에 배치될 수 있다.
상기 몸체(110)는 제1방향에 배치된 제1 및 제2측면(S1,S2)과, 제2방향에 배치된 제3 및 제4측면(S3,S4)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2측면(S1,S2) 사이의 간격이 상기 제3 및 제4측면(S3,S4)의 제1방향 길이일 수 있다. 상기 제3 및 제4측면(S3,S4) 사이의 간격은 상기 제1 및 제2측면(S1,S2)의 제1방향의 길이일 수 있다.
상기 몸체(110)는 절연성 재질로 형성될 수 있다. 이러한 몸체(110)는 상면 또는 캐비티(102)의 바닥에 금속 프레임이 제거된 구조이므로, 금속 프레임을 갖는 구조에 비해 몸체 재질의 선택의 폭이 넓을 수 있다. 상기 몸체(110)는 금속 프레임 예컨대, 리드 프레임과 일체로 사출하지 않아, 금속부의 두께를 상기 리드 프레임의 두께보다 얇게 제공될 수 있다. 상기 몸체(110)는 리드 프레임과 미리 사출하지 않게게 되므로, 몸체(110)의 관통홀의 위치 변경, 캐비티(102)의 형상, 몸체(110)의 사이즈, 또는 패키지 사이즈에 대한 설계 변경이 용이할 수 있다.
상기 몸체(100)의 두께(t1)는 100 마이크로 미터 이상 예컨대, 100 내지 800 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 몸체(100)의 두께(t1)는 제1몸체(115)의 두께(t2)과 상기 제2몸체(110A)의 두께의 합일 수 있으며, 상기 제2몸체(110A)의 두께는 상기 발광소자(120)의 두께 이상일 수 있다. 이러한 제2몸체(110A)의 상면은 광의 지향각 분포를 위해 상기 발광소자(120)의 상면과 같거나 더 높은 위치에 배치될 수 있다. 다른 예는 제2몸체(110A)는 도 23과 같이 제1몸체(115)로부터 제거될 수 있으며, 이러한 발광소자 패키지는 130도 이상의 광 지향각 분포를 가질 수 있다.
상기 몸체(110)는 관통홀(TH1,TH2)을 구비할 수 있다. 상기 몸체(110)는 하나 또는 복수의 관통홀을 구비할 수 있다. 상기 관통홀(TH1,TH2)은 서로 이격된 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 발광소자(120)의 아래에 배치된 상기 몸체(110)의 상면에서 하면을 관통할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 제1몸체(115)의 상면에서 하면을 관통할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 캐비티(102)의 바닥에서 상기 제1몸체(115)의 하면까지 관통될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 몸체(110)의 상면에서 하면 방향으로 관통될 수 있다.
실시예에 의하면, 제1 관통홀(TH1)의 상부 영역의 폭 또는 면적은 제1 관통홀(TH1)의 하부 영역의 폭 또는 면적에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)의 상부 영역의 폭 또는 면적은 제2 관통홀(TH2)의 하부 영역의 폭 또는 면적에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.
상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1, TH2)의 내면은 수직한 면이거나, 경사진 면 또는 곡면 중에서 적어도 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다. 예컨대, 도 12 및 도 13과 같이, 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)은 둘레에 경사진 면을 포함할 수 있다.
상기 제1 몸체(115)의 하면 영역에서 제1 관통홀(TH1)와 제2 관통홀(TH2) 사이의 간격은 100 마이크로 미터 내지 600 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 몸체(115)의 하면 영역에서 제1 관통홀(TH1)과 제2 관통홀(TH2) 사이의 간격은, 상기 발광소자 패키지(100)가 회로기판, 또는 서브 마운트에 실장되는 경우에, 전기적인 간섭을 방지하기 위하여 상기의 범위로 이격될 수 있다. 상기 제1 및 관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 제1 몸체(115)의 두께(t2)와 동일할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 제1 몸체(115)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다. 상기 몸체(110)의 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 400 마이크로 미터 이하 예컨대, 80 내지 400 마이크로 미터의 범위 또는 100 내지 300 마이크로 미터의 범위로 제공될 수 있다. 여기서, 상기 제1몸체(115)의 두께(t2)는 400 마이크로 미터 이하 예컨대, 80 내지 400 마이크로 미터의 범위 또는 100 내지 300 마이크로 미터의 범위로 제공될 수 있다. 상기 제1몸체(115)의 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 상기 제1몸체(115)의 두께와 같거나 두꺼울 수 있다. 상기 제1몸체(115)의 두께는 상기 금속부(111,113)의 두께 즉, 관통홀(TH1,TH2)에서의 수평 방향 두께보다 클 수 있다. 상기 발광소자(120)의 하부에 배치된 상기 몸체(110)의 상면 및 하면 사이의 간격은 상기 금속부(111,113)의 두께 즉, 관통홀에서의 수평 방향 두께보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 상기 금속부(111,113)의 두께(t3)보다 클 수 있다.
상기 제 1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 발광소자(120)의 영역과 수직 방향으로 중첩된 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 탑뷰 형상이 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상, 직선과 곡선을 갖는 비정형 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제 1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상부 길이는, 제1방향과 제2방향이 동일한 길이로 제공되거나, 어느 한 방향의 길이가 더 길게 제공될 수 있다. 상기 제 1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 하부 길이는, 제1방향과 제2방향이 동일한 길이로 제공되거나, 어느 한 방향의 길이가 더 길게 제공될 수 있다.
상기 제1관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121) 아래에서 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)의 제2본딩부(122)의 아래에서 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부 형상과 하부 형상이 동일할 수 있다. 다른 예로서, 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부 형상과 하부 형상이 다를 수 있다. 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)는 상부 형상과 하부 형상이 대칭적일 수 있다. 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)는 상부 형상과 하부 형상이 비 대칭적일 수 있다. 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)는 제1방향과 제2방향 중 적어도 하나로 상부 형상의 중심과 하부 형상의 중심이 동일한 수직 직선 상에 배치되거나, 서로 다른 수직한 직선 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 도 10 내지 도 12와 같이, 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상부 형상과 하부 형상은 서로 다른 형상이거나, 제1방향으로 상부 및 하부 중심이 서로 다를 위치에 배치될 수 있다. 도 10 내지 도 12와 같이, 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상부 형상과 하부 형상은 서로 다른 형상이거나, 제2방향으로 상부 및 하부 중심이 서로 다를 위치에 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 도 3, 도 6 및 도 7과 같이, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 및 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 기판(124)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 제1방향의 길이가 제2방향의 길이와 같거나 제1방향의 길이가 제2방향의 길이보다 더 길 수 있다.
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 기판(124)은 투광 층으로서, 절연성 재질 또는 반도체 재질로 형성될 수 있다. 상기 기판(124)은 예컨대, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(124)은 표면에 요철 패턴이 형성될 수 있다. 상기 기판(124)는 제거될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤≤x≤≤1, 0≤≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다.
상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤≤x≤≤1, 0≤≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광소자(120)의 둘레에 몸체(110)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 둘레에는 제2몸체(110A)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 제1몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(102) 내에 배치될 수 있다. 상기 캐비티(102)의 외측 둘레에 배치된 내 측면(132)은 경사지거나 수직할 수 있으며, 예컨대 경사진 면은 1단 이상 또는 2단 이상으로 경사지게 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 몸체(110) 또는 제1몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 몸체(110) 또는 제1몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 상기 몸체(111) 또는 제1몸체(115)와 대면할 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 제1방향으로 이격될 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)와 동일한 방향으로 이격될 수 있다.
상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 전극 또는 패드일 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 또는 제2몸체(110A)의 상부 방향으로 추출될 수 있게 된다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(110) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(110) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)과 상기 제2 본딩부(122)는 금속 재질 및 비금속 재질 중 적어도 하나 또는 모두를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 발광소자(120)는 내부에 하나 또는 복수의 발광 셀을 포함할 수 있다. 상기 발광 셀은 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합, p-n-p 접합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광 셀은 하나의 발광소자 내에서 서로 직렬로 연결될 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자(120)는 하나 또는 복수의 발광 셀을 가질 수 있으며, 하나의 발광소자에 n개의 발광 셀이 배치된 경우 n배의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 예컨대, 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 2개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 6V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 또는 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 3개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 9V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 상기 발광소자(120)에 배치된 발광 셀의 개수는 1개 또는 2개 내지 5개일 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 몸체(110)과 상기 발광소자(120) 사이의 영역에는 소정의 갭(Gap)이 배치될 수 있다. 상기 갭의 높이는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 두께와 같거나 클 수 있다. 상기 갭에는 제1수지(160)가 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이의 영역과 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(110)의 상면 사이의 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이의 영역과 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 제1몸체(115)의 상면 또는 캐비티 바닥 사이의 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)를 상기 몸체(110)에 부착시켜 줄 수 있다. 상기 제1수지(160)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 내부에 금속 산화물 또는 필러를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1수지(160)는 TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 금속 산화물 또는 불순물을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 도 31에 도시된 도전부(221,223)가 형성되기 전에 상기 발광소자(120)의 하부에 디스펜싱되어, 상기 발광소자(120)를 상기 제1몸체(115) 상에 부착 및 고정시켜 줄 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자(120)의 유동이나 틸트를 방지할 수 있다. 또한 상기 제1수지(160)는 상기 도전부(221,223)가 리멜팅되더라도, 상기 제1몸체(115)에 상기 발광소자(120)를 고정시켜 줄 수 있다.
상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(110) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1수지(160)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 또한, 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1수지(160)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제1수지(160)는 TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 금속 산화물 또는 불순물을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.
상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(110)에 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)에 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)를 상기 몸체(110)에 접착시켜 주어, 상기 발광소자(120)의 지지력을 증가시켜 줄 수 있고 상기 발광소자(120)의 틸트를 방지할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 접촉되어, 도 7과 같은 회로 기판(201) 상에서 상기 발광소자(120)와 본딩되는 도전부(221,223)가 리멜팅될 경우, 상기 발광소자(120)의 유동을 방지하고 상기 발광소자(120)를 지지할 수 있다.
발명의 실시 예는 도 16과 같이, 발광소자(120)의 하부 둘레에 제2수지(162)가 배치될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)의 하부 둘레와 상기 제1몸체(115)의 상면 사이를 접착시켜 줄 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 제1수지(160)과 동일한 수지 재질일 수 있다. 상기 제2수지(162)는 반사성 수지 재질로 형성되어, 입사된 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)의 측면에 접촉될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)의 기판(124)의 하면보다 낮은 영역에 배치될 수 있으며, 상기 발광 구조물(123)의 측면에 접촉될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 제1,2본딩부(121,122)와 상기 제1수지(160)와 접촉될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)에 인접한 내측부의 두께는 외측부의 두께보다 두꺼울 수 있다. 이에 따라 발광소자(120)의 하부 둘레에 대한 고정력이 증가될 수 있고, 습기 침투를 억제할 수 있다.
발명에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)은 상기 몸체(110)의 상면과 하면을 Z 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 발광소자(120)와 수직 방향(Z)으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)의 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향으로 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 몸체(110)의 상면에서 하면으로 향하는 Z 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 이러한 제1 관통홀(TH1)을 통해 상기 제1 본딩부(121)를 노출시켜 줌으로써, 상기 제1 관통홀(TH1)에 채워지거나 배치되는 한 종류 또는 두 종류 이상의 도전성 물질을 통해 전기적인 경로 및 방열 경로로 제공할 수 있다.
상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향으로 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 몸체(110)의 상면에서 하면으로 향하는 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 이러한 제2 관통홀(TH2)을 통해 상기 제2 본딩부(122)를 노출시켜 줌으로써, 상기 제2 관통홀(TH2)에 채워지거나 배치되는 한 종류 또는 두 종류 이상의 도전성 물질을 통해 전기적인 경로 및 방열 경로로 제공할 수 있다.
상기 제1 관통홀(TH1)과 상기 제2 관통홀(TH2)은 제1방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)과 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)과 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)와 Z축 방향으로 중첩될 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 제1관통홀(TH1)은 X 방향의 폭과 Y 방향의 길이가 서로 동일하거나 Y 방향의 길이가 X 방향의 폭보다 클 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 X 방향의 폭과 Y 방향의 길이가 서로 동일하거나 Y 방향의 길이가 X 방향의 길폭보다 클 수 있다. 이러한 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 제1,2방향의 폭 및 길이는 제1 및 제2본딩부(121,122)의 크기에 의해 달라질 수 있다. X 방향으로 상기 제1 관통홀(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 본딩부(121)의 너비에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, X 방향으로 상기 제2 관통홀(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부에서 X 방향의 폭은 서로 동일하거나 다를 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 X 방향의 폭은 서로 동일하거나 다를 수 있다. Y 방향으로 상기 제1 관통홀(TH1)의 상부 영역의 길이가 상기 제1 본딩부(121)의 길이에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, Y 방향으로 상기 제2 관통홀(TH2)의 상부 영역의 길이가 상기 제2 본딩부(122)의 길이에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부에서 Y 방향의 길이는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 Y 방향의 길이는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 예컨대, 상기 제1본딩부(121)의 하면 면적은 상기 제1관통홀(TH1)의 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 제2본딩부(122)의 하면 면적은 상기 제2관통홀(TH2)의 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)은 상부 형상과 하부 형상이 대칭 형상이거나 비 대칭 형상으로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 발광소자(110)의 두 본딩부(121,122)가 중첩되는 방향(X)과 동일한 방향의 폭이 두 본딩부(121,122)가 중첩되지 않는 방향(Y)의 길이보다 작을 수 있다.
상기 제1관통홀(TH1)의 상면 중심과 하면 중심은 같은 중심에 배치되거나, 서로 어긋나게 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)의 상면 중심과 하면 중심은 같은 중심에 배치되거나, 서로 어긋나게 배치될 수 있다. 도 1과 같은 구조에서는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상면과 하면의 중심이 서로 동일할 수 있다. 도 10과 같은 구조에서는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상면과 하면의 중심이 서로 다를 수 있다. 여기서, 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상면과 하면의 중심이 서로 어긋나게 배치된 경우, 두 관통홀(TH1,TH2)의 상면 중심 간의 직선 거리는 하면 중심 간의 직선 거리보다 더 작을 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 금속부(111,113)를 포함할 수 있다. 상기 금속부(111,113)는 서로 이격된 제1 및 제2금속부(111,113)를 포함할 수 있다. 상기 제1금속부(111)와 상기 제2금속부(113)는 물리적으로 분리될 수 있다. 상기 제1금속부(111)와 상기 제2금속부(113)는 수직 방향 또는 Z 방향으로 중첩되지 않게 배치될 수 있다.
상기 제1금속부(111)는 상기 제1관통홀(TH1)의 표면과 상기 몸체(110)의 바닥 중 적어도 하나 또는 모두에 배치될 수 있다. 상기 제2금속부(113)는 상기 제2관통홀(TH2)의 표면과 상기 몸체(110)의 바닥 중 적어도 하나 또는 모두에 배치될 수 있다. 상기 제1금속부(111)는 상기 제1관통홀(TH1)의 표면 전체에 배치될 수 있다. 상기 제2금속부(113)는 상기 제2관통홀(TH2)의 표면 전체에 배치될 수 있다. 상기 제1금속부(111)는 상기 제1관통홀(TH1)의 상면에 노출될 수 있다. 상기 제2금속부(113)는 상기 제2관통홀(TH2)의 상면에 노출될 수 있다. 상기 제1금속부(111)의 상면은 상기 제1관통홀(TH1)의 상면에서 상기 발광소자(120)의 하부에 배치된 몸체(110)의 상면과 같은 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제2금속부(113)의 상면은 상기 제2관통홀(TH2)의 상면에서 상기 발광소자(120)의 하부에 배치된 몸체(110)의 상면과 같은 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제1,2금속부(111,113)는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1,2금속부(111,113)의 내부 홀은 수직 방향으로 관통되는 제1,2관통홀(TH1,TH2)의 센터 홀 또는 내부 홀일 수 있다.
상기 제1금속부(111)의 두께가 상기 제1관통홀(TH1)의 상부 폭 또는 제1,2방향의 폭 중 작은 폭의 1/2 미만으로 배치될 수 있으며, 이 경우 제1금속부(111)의 내부에는 제1관통홀(TH1)의 센터에 홀이 배치된 구조로 제공될 수 있다. 상기 제2금속부(113)의 두께가 상기 제2관통홀(TH2)의 상부 폭 또는 제1,2방향의 폭 중 작은 폭의 1/2 미만으로 배치될 수 있으며, 이 경우 제2금속부(113)의 내부에는 제2관통홀(TH2)의 센터에 홀이 배치된 구조로 제공될 수 있다. 상기 제1금속부(111)와 상기 제2금속부(113)의 합 두께는 상기 제 1 또는 제2관통홀(TH1)의 제1,2방향의 상부 폭보다 작을 수 있다. 이 경우, 제1 및 제2금속부(111,113)이 동일한 두께인 경우이다.
상기 제1금속부(111) 및 상기 제2금속부(113)는 금속으로 제공될 수도 있다. 상기 제1 및 제2금속부(111,113)은 예컨대, 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 중에서 선택될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1금속부(111) 및 상기 제2금속부(113)는 다층으로서, 상기 몸체(110)에 접촉된 제1층 및 상기 제1층 아래의 제2층을 포함할 수 있으며, 상기 제1층은 Ti, Cr, Ta, Pt 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 제2층은 Au, Ag, Cu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2금속부(111,113)의 두께(t3)는 상기 발광소자(120)의 하부에 배치된 몸체(110)의 상면과 하면 사이의 두께(t2)보다 작을 수 있다. 상기 두께 t3는 두께 t2의 1/30 이하 예컨대, 1/30 내지 1/100 이하일 수 있다. 상기 t3:t2의 비율은 1:30 내지 1:100의 범위일 수 있다. 이는 상기 몸체(110)의 표면에 상기 금속부(111,113)를 증착 공정 또는 도금 공정을 통해 형성시켜 주어, 얇은 두께로 제공될 수 있다. 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 리드 프레임과 몸체를 일체로 사출하지 않고 있어, 발광 소자 하부에 배치된 리드 프레임과 몸체 결합 시 두 물질 간의 열 팽창 계수의 차이에 따른 문제를 해결할 수 있다. 또한 몸체(110)에 미리 제공된 관통홀(TH1,TH2)의 표면에 금속을 이용하여 증착 공정 또는 도금 공정을 수행함으로써, 상기 금속부(111,113)의 두께(t3)는 상기 관통홀(TH1,TH2)의 제1방향의 상부 폭의 1/3 이하일 수 있다. 즉, 상기 금속부(111,113)의 두께(t3)가 상기 관통홀(TH1,TH2)의 상부 폭의 1/3 이상일 경우, 관통홀(TH1,TH2)의 상부 폭의 확보가 어려워 본딩부와 도전부의 접촉 면적이 감소될 수 있다.
상기 제1 및 제2금속부(111,113)의 두께(t3)는 5 마이크로 미터 이하 예컨대, 2 내지 5 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 금속부(111,113)의 두께(t3)가 상기 범위보다 크면 열 전도율의 개선이나 전기 전도 특성의 개선이 미미하며, 상기 범위보다 작으면 방열 효율이나 전기 전도특성이 저하될 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 상기 몸체(110)의 표면에 증착 공정, 또는 도금 공정을 통해 형성될 수 있다.
다른 예로서, 상기 제1금속부(111)는 상기 제1관통홀(TH1)의 표면 일부에 배치될 수 있다. 상기 제1금속부(111)는 상기 제1관통홀(TH1)의 표면 중에서 제2측면(S2)보다 제1측면(S1)에 더 인접한 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2금속부(113)는 상기 제2관통홀(TH2)의 표면 일부에 배치될 수 있다. 상기 제2금속부(113)는 상기 제2관통홀(TH2)의 표면 중에서 제1측면(S1)보다 제2측면(S2)에 더 인접한 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 제1 및 제2금속부(111,113) 간의 간격은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 중심 간의 간격보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 제1 및 제2금속부(111,113) 간의 간격은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 중심 간의 간격보다 클 수 있다.
다른 예로서, 상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 상기 발광소자(120)를 상기 몸체(110) 또는 제1몸체(115) 상에서 상기 제1수지(160), 또는 제1,2수지(160,162)로 접착한 다음 형성될 수 있다. 도 17을 참조하면, 상기 제1금속부(111)는 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121)와 대면하는 제1금속 연결부(Pc1)를 포함할 수 있다. 상기 제1금속 연결부(Pc1)는 상기 제1관통홀(TH1)과 중첩되는 상기 제1본딩부(121)의 하면 영역의 50% 이상과 접촉될 수 있다. 상기 제1금속 연결부(Pc1)는 상기 제1관통홀(TH1) 상에 배치된 제1본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2금속부(113)는 상기 발광소자(120)의 제2본딩부(122)와 대면하는 제2금속 연결부(Pc2)를 포함할 수 있다. 상기 제2금속 연결부(Pc2)는 상기 제2관통홀(TH2)과 중첩되는 상기 제2본딩부(122)의 하면 영역의 50% 이상과 접촉될 수 있다. 상기 제2금속 연결부(Pc2)는 상기 제2관통홀(TH2) 상에 배치된 제2본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 및 제2금속 연결부(Pc1,Pc2)의 두께는 상기 캐비티(102)의 바닥과 상기 몸체 하면 사이의 간격 예컨대, 제1몸체(115)의 두께보다 얇은 두께로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2금속 연결부(Pc1,Pc2)의 두께는 상기 제1,2금속부(111,113)의 두께와 동일할 수 있다.
상기 제1 및 제2금속 연결부(Pc1,Pc2)는 상기 각 관통홀(TH1,TH2)의 상부 영역을 커버할 수 있다. 상기 제1 및 제2금속 연결부(Pc1,Pc2)는 상기 발광소자(120)과 수직 방향으로 중첩되는 영역 내에 배치될 수 있다.
도 3 및 도 4와 같이, 상기 제1금속부(111)는 상기 몸체(110)의 바닥으로 연장된 제1연장부(111B)를 포함할 수 있다. 상기 제1연장부(111B)는 상기 제1금속부(111)로부터 연장될 수 있다. 상기 제1연장부(111B)는 상기 제1관통홀(TH1)에 배치된 제1금속부(111)로부터 연장될 수 있다. 상기 제1연장부(111B)의 하면 면적은 상기 몸체(110)의 바닥 면적의 1/2 이하 예컨대, 1/2 내지 1/5 범위일 수 있다. 상기 제1금속부(111) 및 제1연장부(111B)는 동일한 적층 구조로 형성될 수 있다.
상기 제2금속부(113)는 상기 몸체(110)의 바닥으로 연장된 제2연장부(113B)를 포함할 수 있다. 상기 제2연장부(113B)는 상기 제2금속부(113)로부터 연장될 수 있다. 상기 제2연장부(113B)는 상기 제2관통홀(TH2)에 배치된 제2금속부(113)로부터 연장될 수 있다. 상기 제2연장부(113B)의 하면 면적은 상기 몸체(110)의 바닥 면적의 1/2 이하 예컨대, 1/2 내지 1/5 범위일 수 있다. 상기 제2금속부(113) 및 제2연장부(113B)는 동일한 적층 구조로 형성될 수 있다.
다른 예로서, 상기 제2연장부(113B)는 상기 제2관통홀(TH2)을 기준으로 상기 제2관통홀(TH2)과 상기 몸체(110)의 제2측면(S2) 사이의 몸체 바닥의 일부 또는 전체에 배치될 수 있다. 다른 예로서, 상기 몸체(110)의 제2측면(S2)에는 상기 제2연장부(113B)의 일부가 연장될 수 있다.
도 3과 같이, 상기 제1연장부(111B)는 상기 제1관통홀(TH1)을 기준으로 상기 제1관통홀(TH1)과 상기 몸체(110)의 제1측면(S1) 사이의 몸체 바닥의 일부 또는 전체에 배치될 수 있다. 다른 예로서, 상기 몸체(110)의 제1측면(S1)에는 상기 제1연장부(111B)의 일부가 연장될 수 있다. 상기 제2연장부(113B)는 상기 제2관통홀(TH2)을 기준으로 상기 제2관통홀(TH2)과 상기 몸체(110)의 제2측면(S2) 사이의 바닥 일부 또는 바닥 전체에 배치될 수 있다. 상기 제2연장부(113B)의 일부는 몸체(110)의 제2측면(S2)에 배치될 수 있다.
도 3 및 도 4와 같이, 상기 제1연장부(111B)는 상기 몸체(110)의 제1측면(S1), 제3 및 제4측면(S3,S4)의 하부에 노출될 수 있다. 상기 제2연장부(113B)는 상기 몸체(110)의 제2측면(S1), 제3 및 제4측면(S3,S4)의 하부에 노출될 수 있다. 상기 제1연장부(111B)는 몸체(110)의 측면들 중 적어도 1측면 또는 2측면 이상과 같은 수직 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제2연장부(113B)는 몸체(110)의 측면들 중 적어도 1측면 또는 2측면 이상과 같은 수직 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제1연장부(111B)는 상기 몸체(110)의 적어도 3측면 예컨대, 제1측면(S1), 제3 및 제4측면(S3,S4)과 동일한 수직 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제2연장부(113B)는 상기 몸체(110)의 적어도 3측면 예컨대, 제2측면(S1), 제3 및 제4측면(S3,S4)과 동일한 수직 평면 상에 배치될 수 있다.
상기 제1연장부(111B)의 내측부는 상기 제1관통홀(TH1)을 기준으로 제2관통홀(TH2) 방향 또는 제2측면(S2) 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제2연장부(113B)의 내측부는 상기 제2관통홀(TH2)을 기준으로 제1관통홀(TH1) 방향 또는 제1측면(S1) 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제1 및 제2연장부(111B,113B) 사이에는 상기 몸체(110)의 하면 즉, 제1몸체(115)의 하면이 노출될 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(111,113) 사이에 배치된 상기 몸체(110)의 하면은 오목한 오목부(R5)를 구비할 수 있다. 상기 오목부(R5)는 상기 몸체(110)의 하면에서 상면 방향으로 오목하며, 곡면 또는 각진 면을 포함할 수 있다. 상기 오목부(R5)의 표면은 러프한 면을 포함할 수 있다. 상기 오목부(R5)는 상기 제1 및 제2연장부(111B,113B)가 제거된 영역으로서, 전기적으로 제1 및 제2금속부(111,113)를 분리시켜 줄 수 있다. 상기 오목부(R5)의 제2방향(Y) 길이는 상기 제1 및 제2연장부(111B,113B)의 길이와 동일할 수 있다. 상기 오목부(R5)의 제2방향(Y) 길이는 상기 몸체(110)의 하면의 제2방향 길이와 동일할 수 있다. 이러한 오목부(R5)는 도 34 및 도 35와 같이, 몸체의 하부를 통해 금속부를 증착하거나 형성한 후 레이져 스크라이빙 공정을 통해 금속부의 일부 영역을 제거하여 두 금속부로 분리시킨 영역일 수 있다. 상기 오목부(R5)의 깊이는 1 마이크로 미터 이하 예컨대, 0.01 내지 1 마이크로 미터 범위일 수 있다. 상기 오목부(R5)의 깊이는 상기 금속부(111,113)의 두께 이하일 수 있다. 상기 오목부(R5)의 깊이가 상기 범위보다 큰 경우, 제1,2관통홀(TH1,TH2) 사이의 강성이 저하될 수 있다.
도 2 및 도 3과 같이, 상기 제1 및 제2금속부(111,113)의 제2방향 길이는 상기 제1 및 제2연장부(111B,113B)의 제2방향 길이보다 작을 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2금속부(111,113)로부터 발생된 열은 제1 및 제2연장부(111B,113B)를 통해 확산되어 방열될 수 있다.
상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 상기 제1 및 제2금속부(111,113)의 표면적은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 표면적보다는 작을 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 상기 제1 및 제2금속부(111,113)의 각 면적은 상기 제1 및 제2연장부(111B,113B)의 각 면적이 면적보다 작을 수 있다.
상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 상기 제1 및 제2금속부(111,113)의 높이는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 높이보다 크고, 상기 제1몸체(115)의 두께보다 클 수 있다. 이는 상기 제1 및 제2금속부(111,113)의 높이는 상기 제1 및 제2연장부의 두께를 포함하고 있어, 상기 제1 및 제2금속부(111,113)의 높이는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 하면보다 더 아래로 돌출될 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(111,113)의 상단은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상면과 같거나 더 낮게 배치될 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1 및 제2금속부(111,113)의 상부는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)을 통해 상기 제1몸체(115)의 상면으로 연장될 수 있다. 예컨대, 도 18과 같이 제1 및 제2금속부(111,113)의 상부(111D,113D)는 상기 몸체(110)의 상면으로 연장되고, 상기 발광소자(120)의 제1 및 제2본딩부(121,122)와 대면할 수 있다.
상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 상기 발광소자(120)의 하부 영역 내에 배치되며, 상기 발광소자(120)의 측면 외측으로 돌출되지 않을 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 영역에 배치되거나, 도 18과 같이 몸체(110)의 상면에 연장되더라도, 상기 발광소자(120)의 측면 외측으로 노출되지 않을 수 있다. 이는 상기 몸체(110)의 재질이 상기 금속부(111,113)의 재질보다 반사 특성이 더 우수하여, 상기 금속부(111,113)이 상기 발광소자(120)의 외측에 노출될 경우, 광의 반사 특성이 저하될 수 있다.
상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)와 연결될 수 있다. 상기 제1금속부(111)는 상기 제1본딩부(121)와 접촉되거나 연결될 수 있다. 상기 제2금속부(113)는 상기 제2본딩부(122)와 접촉되거나 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(111,113)와 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이의 계면은 금속 또는 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)층이 배치될 수 있다. 상기 금속 또는 금속간 화합물층은 CuxSny, AgxSny, AuxSny 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 x는 0<x<1, y=1-x, x>y의 조건을 만족할 수 있다.
도 28과 같이, 상기 발광소자 패키지는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에 도전부(221,223)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에 도전부(221,223) 예컨대, 솔더 페이스트, 실버 페이스트와 같은 도전성 페이스트를 포함할 수 있다. 상기 도전부(221,223)는 금속부(111,113)와 본딩부(121,122)를 연결시켜 줄 수 있다. 상기 도전부(221,223)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 도전부(221,223)는 CuxSny계, AgxSny계, AuxSny계, SAC계 페이스트 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 x는 0<x<1, y=1-x, x>y의 조건을 만족할 수 있다. 상기 도전전 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다.
상기 도전부(221,223)는 상기 관통홀(TH1,TH2) 내부에 배치되고 상기 관통홀(TH1,TH2)의 하부에 노출되지 않을 수 있다. 예컨대, 상기 도전부(221,223)는 하부에 절연 재질의 물질이 채워져 상기 도전부(221,223)이 하부로 누출되는 것을 차단할 수 있다. 이러한 도전부(221,223)가 상기 관통홀(TH1,TH2)에 배치된 경우, 상기 금속부(111,113)는 하부의 연장부(111B,113B)를 통해 회로 기판이나 서브 마운트와 같은 지지 부재와 도전성 페이스트로 접합될 수 있다.
도 34을 참조하면, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에는 회로 기판(201) 상에 배치되는 도전부(221,223)가 배치될 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1)에는 제1도전부(221)가 배치되고, 상기 제2관통홀(TH2)에는 제2도전부(223)가 배치될 수 있다. 상기 제1도전부(221)는 상기 제1금속부(111)의 표면과 상기 제1관통홀(TH1)의 표면에 접촉될 수 있다. 상기 제1도전부(221)는 상기 제1관통홀(TH1)에서 상기 제1금속부(111)의 표면에 접촉될 수 있다. 상기 제2도전부(223)는 상기 제2금속부(113)의 표면과 상기 제2관통홀(TH2)의 표면에 접촉될 수 있다. 상기 제2도전부(223)는 상기 제2관통홀(TH2) 내에서 상기 제2금속부(113)의 표면에 접촉될 수 있다.
상기 제1도전부(221)는 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121)와, 상기 제1금속부(111) 및 상기 회로 기판(201)의 제1패드(211)에 연결될 수 있다. 상기 제2도전부(223)는 상기 발광소자(120)의 제2본딩부(122)와, 상기 제2금속부(113) 및 상기 회로 기판(201)의 제2패드(213)에 연결될 수 있다. 상기 제1도전부(221)는 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2도전부(223)는 상기 발광소자(120)의 제2본딩부(122)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2도전부(221,223)에 의한 전기적인 및 열적인 경로를 최소화할 수 있다.
상기 회로 기판(201)은 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 상기 회로 기판(201)은 수지 재질의 PCB, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB), 리지드 PCB(rigid PCB) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다. 상기 회로 기판(201)은 수지 또는 금속 재질의 베이스층 상에 절연층 또는 보호층(203)이 배치되며, 상기 절연층 또는 보호층(203)으로부터 노출된 패드(211,213)가 배치된다. 상기 패드(211,213)는 하나 또는 복수의 발광소자 패키지를 전기적으로 연결시켜 줄 수 있다. 상기 절연층 또는 보호층(203)은 솔더 레지스트 재질이거나, 수지 재질일 수 있다.
상기 회로 기판(201)의 각 패드(211,213)는 예컨대, Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다.
상기 제1패드(211)는 상기 제1도전부(221)를 통해 상기 제1본딩부(121)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2패드(213)는 상기 제2도전부(223)을 통해 상기 제2본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다.
여기서, 도전부(221,223)의 접합 공정을 보면, 상기 제1 및 제2도전부(221,223)는 액상의 재질로 제공되며, 회로기판(201)의 제1 및 제2패드(211,213) 상에 위치시킨 후, 회로 기판(201) 상에 정렬된 발광소자(120)를 결합하게 된다. 이때 상기 제1패드(211) 상에 배치된 제1도전부(221)는 제1관통홀(TH1)에 주입되고, 상기 제2패드(213) 상에 배치된 제2도전부(223)는 제2관통홀(TH2)에 주입될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이에 배치된 제1몸체(115) 또는 몸체(110)의 상면 및 하면은 수지 재질로 형성되어 있어, 상기 제1 및 제2도전부(221,223)의 확산을 방지할 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2도전부(221,223) 사이에 배치된 제1몸체(115)는 액상의 도전성 페이스트가 확산되는 것을 방지할 수 있고 상기 제1 및 제2도전부(221,223) 간의 전기적인 간섭을 차단할 수 있다.
상기 제1금속부(111)의 제1연장부(111B)와 상기 제2금속부(113)의 제2연장부(113B)는 회로 기판(201)과 연결되어 열을 전도하거나 상기 회로 기판(201)의 패드(211,213)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 도 7과 같이 상기 제1금속부(111)의 제1연장부(111B)와 상기 제2금속부(113)의 제2연장부(113B)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 인접한 부분이 상기 회로 기판(201)의 제1 및 제2패드(211,213) 상에 대면하거나 접촉될 수 있다. 상기 제1금속부(111)의 제1연장부(111B)와 상기 제2금속부(113)의 제2연장부(113B)는 상기 회로 기판(201) 상의 보호층(203)과 대면하거나 접촉될 수 있다. 상기 회로 기판(201)의 보호층(203)이 절연성 재질로 배치되어, 상기 제1 및 제2연장부(111B,113B)를 따라 도전부(221,223)가 확산되는 것을 방지할 수 있다.
발명의 실시 예는 도전부(221,223)의 유동 또는 확산을 수지 재질의 몸체(110)로 방지할 수 있고 상기 각 관통홀(TH1,TH2) 내에 금속부(111,113)를 각각 배치하여, 도전부(221,223)의 접합성을 개선시켜 줄 수 있다. 이러한 도전부(221,223)의 확산을 억제할 수 있어, 상기 도전부(221,223)가 일정한 분포나 형상을 갖게 되므로, 도전부(221,223)의 불균일한 분포로 인한 전기적 오픈 문제나 열 전달 효율의 저하 문제를 방지할 수 있다. 상기 각 관통홀(TH1,TH2)의 일부 표면에 수지가 노출되고 다른 표면에 금속부(111,113)가 배치되므로, 도전부(221,223)가 배치되는 관통홀(TH1,TH2) 내에 보이드(void)가 형성되는 것을 억제하거나 보이드 양을 줄여줄 수 있다. 또는 상기 관통홀(TH1,TH2) 내에는 상기 도전부(221,223)와 금속부(111,113) 또는 본딩부(121,122) 사이에 보이드를 포함할 수 있다.
상기 도전부(221,223)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213)를 구성하는 물질과 상기 도전부(221,222)의 물질이 화합되어 금속간 화합물층에 의해 결합될 수 있다. 상기 금속간 화합물은 CuxSny, AgxSny, AuxSny 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 x는 0<x<1, y=1-x, x>y의 조건을 만족할 수 있다.
상기 발광소자(120)의 본딩부(121,122)는 상기 도전부(221,223)를 구성하는 물질과 상기 도전부(221,223)를 형성되는 과정 또는 상기 도전부(221,223)이 제공된 후 열처리 과정에서, 상기 도전부(221,223)과 상기 본딩부(121,122) 사이 또는 상기 도전부(221,223)과 상기 패드(211,213) 사이, 또는 도전부(221,223)과 금속부(111,113) 사이에 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)층이 형성될 수 있다. 예 로서, 상기 도전부(221,223)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 도전부(221,223)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.
예로서, 상기 도전부(221,223)를 이루는 물질과 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213) 또는 금속부(111,113)의 금속 간의 결합에 의해 합금층이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 도전부(221,223)과 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213) 또는 금속부(111,113)이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 도전부(221,223) 및 합금층이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 합금층이 AgSn, CuSn, AuSn 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 금속간 화합물층을 포함할 수 있다. 상기 금속간 화합물층은 제1 물질과 제2 물질의 결합으로 형성될 수 있으며, 제1 물질은 도전부(221,223)으로부터 제공될 수 있고, 제2 물질은 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213) 또는 금속부(111,113)로부터 제공될 수 있다.
상기 도전부(221,223)가 Sn 물질을 포함하고 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213) 또는 금속부(111,113)의 금속층이 Ag 물질을 포함하는 경우, 상기 도전부(221,223)가 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Sn 물질과 Ag 물질의 결합에 의하여 AgSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.
또는, 상기 도전부(221,223)가 Sn 물질을 포함하고 상기 금속층이 Au 물질을 포함하는 경우, 상기 도전부(221,223)가 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Sn 물질과 Au 물질의 결합에 의하여 AuSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.
또는, 상기 도전부(221,223)가 Sn 물질을 포함하고 상기 금속층이 Cu 물질을 포함하는 경우, 상기 도전부(221,223)가 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Sn 물질과 Cu 물질의 결합에 의하여 CuSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.
또는 상기 도전부(221,223)가 Ag 물질을 포함하고 상기 금속층의 일부 층이 Sn 물질을 포함하는 경우, 상기 도전부(221,223)가 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Ag 물질과 Sn 물질의 결합에 의하여 AgSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다. 이상에서 설명된 금속간 화합물층은 다른 본딩 물질에 비해 더 높은 용융점을 가질 수 있다. 또한, 상기 금속한 화합물층이 형성되는 열처리 공정은 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 낮은 온도에서 수행될 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상부 몸체를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(115)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 4 및 도 6과 같이 몰딩부(190)를 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 제2몸체(110A)에 의하여 제공된 캐비티(102)에 배치될 수 있다.
상기 몰딩부(190)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 투명한 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(190)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 청색, 녹색, 적색, 백색, 적외선 또는 자외선의 광을 발광할 수 있다. 상기 형광체, 또는 양자점은 청색, 녹색, 적색의 광을 발광할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 형성하지 않을 수 있다.
상기 몰딩부(190) 내부 또는 하부에 배치되는 형광체는, 불화물(fluoride) 화합물의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 MGF계 형광체, KSF계 형광체 또는 KTF계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 서로 다른 피크 파장을 발광할 수 있으며, 상기 발광소자로부터 방출된 광을 서로 다른 황색과 적색 또는 서로 다른 적색 피크 파장으로 발광할 수 있다. 상기 형광체 중 한 종류는 적색 형광체를 포함할 수 있다. 상기 적색 형광체는 610 nm에서 650 nm까지의 파장범위를 가질 수 있으며, 상기 파장은 10 nm 미만의 반치폭을 가질 수 있다. 상기 적색 형광체는 플루오라이트(fluoride)계 형광체를 포함할 수 있다. 상기 플루오라이트계 형광체는, KSF계 적색 K2SiF6:Mn4 +, K2TiF6:Mn4 +, NaYF4:Mn4 +, NaGdF4:Mn4 +, K3SiF7:Mn4+ 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 KSF계 형광체 예컨대, KaSi1-cFb:Mn4+ c의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 a는 1 ≤≤ a ≤≤ 2.5, 상기 b는 5 ≤≤ b ≤≤ 6.5, 상기 c는 0.001 ≤≤ c ≤≤ 0.1를 만족할 수 있다. 또한 상기 플루오라이트계 적색 형광체는 고온/고습에서의 신뢰성 향상을 위하여 각각 Mn을 함유하지 않는 불화물로 코팅되거나 형광체 표면 또는 Mn을 함유하지 않는 불화물 코팅 표면에 유기물 코팅을 더 포함할 수 있다. 상기와 같은 플루어라이트계 적색 형광체의 경우 기타 형광체와 달리 10nm 이하의 협반치폭을 구현할 수 있기 때문에, 고해상도 장치에 활용될 수 있다.
실시 예에 따른 형광체 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y는 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다. 또한, 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제 등이 추가로 적용될 수 있다.
상기 양자점 형광체는, II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 적색 광을 발광할 수 있다. 상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자(120)의 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122)는 제1 및 제2금속부(111,113) 및 도전부(221,223)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 도전부(221,223)의 용융점이 다른 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다. 그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 도전부와 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 회로 기판이나 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다. 또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다. 예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
도 5내지 도 9는 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제1변형 예이며, 상기에 개시된 구성과 동일한 부분은 상기의 구성 및 설명을 참조하기로 한다. 제1변형 예는 상기에 개시된 구성을 선택적으로 포함할 수 있다.
도 5 내지 도 9를 참조하면, 발광소자 패키지는 몸체(110) 상에는 오목한 리세스(Recess)가 배치될 수 있다. 상기 리세스는 하나 또는 복수로 배치될 수 있으며, 상기 리세스 각각은 몸체(110)의 상면 중에서 상기 발광소자(120)과 적어도 일부 또는 모두가 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 리세스가 복수인 경우, 적어도 하나의 리세스는 상기 발광소자(120)과 적어도 일부 또는 모두가 중첩될 수 있다. 상기 복수의 리세스는 발광소자(120)의 영역 아래에서 제2방향으로 배열될 수 있다.
상기 리세스(R1,R2)는 서로 이격된 제1 및 제2리세스(R1,R2)를 포함할 수 있다. 제1리세스(R1)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이의 영역에서 제3측면(S3) 방향으로 배치되며, 상기 제2리세스(R2)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이의 영역에서 제4측면(S4) 방향으로 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2리세스(R1,R2)는 상기 제1 및 제2금속부(111,113) 사이의 영역을 기준으로 제3측면(S3) 및 제4측면(S4) 방향으로 배치될 수 있다. 또는 도 10 및 도 14와 같이, 상기 몸체(110)의 리세스는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이의 영역에 오목한 제3리세스(R3)를 포함할 수 있다. 상기 제3리세스(R3)는 제1 및 제2금속부(111,113) 사이의 영역에 오목하게 배치될 수 있다.
도 5, 도 6 및 도 8과 같이, 상기 리세스(R1,R2)는 상기 제1몸체(115) 상에 오목하게 배치될 수 있다. 상기 리세스(R1,R2)에는 제1수지(160)의 일부가 배치될 수 있다. 상기 리세스(R1,R2)에 배치된 상기 제1수지(160)는 발광소자(120)의 하면과 접착되어, 상기 발광소자(120)가 틸트되거나 유동하는 것을 방지할 수 있다. 상기 리세스(R1,R2)는 제1몸체(115) 상에 하나 또는 복수로 배치되어, 상기 제1수지(160)의 일부와 결합될 수 있다. 상기 리세스(R1,R2)는 적어도 일부가 발광소자(120)과 수직 방향으로 중첩되는 내측부와, 적어도 일부가 발광소자(120)의 측면 외측으로 돌출된 외측부를 포함할 수 있다. 이러한 리세스(R1,R2)은 일부가 발광소자(120)의 내측에서 외측으로 돌출되므로, 발광소자(120)의 가압에 따라 확산되는 제1수지(160)를 담을 수 있다. 상기 제1몸체(115)와 발광소자(120) 사이에는 제1수지(160)가 접착될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 측면에 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 제1 및 제2본딩부(121,122)와 제1 및 제2금속부(111,113) 사이를 통해 상기 관통홀(TH1,TH2)내에 배치된 도전부(221,223)에 접촉될 수 있다.
상기 리세스(R1,R2)의 깊이는 상기 몸체(110)의 상면으로부터 소정 깊이로 형성될 수 있으며, 예컨대 20 마이크로 미터 이상 또는 20 내지 60 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 리세스(R1,R2)의 깊이가 상기 범위보다 크면 제1몸체(115)의 강성이 저하될 수 있고 상기 범위보다 작으면 지지력이 미미할 수 있다. 이러한 리세스(R1,R2)의 깊이는 상기 제1몸체(115)의 두께보다 작을 수 있다.
도 5 및 도 9와 같이, 상기 몸체(110)는 상기 발광소자(110)가 배치된 상면에 오목한 리세스(Ra)가 배치될 수 있다. 상기 리세스(Ra)는 설명의 편의를 위해, 제4리세스로 설명하기로 한다. 상기 제4리세스(Ra)는 상기 발광소자(120)의 코너들 중 적어도 한 코너에 배치될 수 있다. 다른 예로서, 상기 제4리세스(Ra)는 도 16과 같이, 발광소자(120)의 코너들 각각에 배치될 수 있다.
상기 제4리세스(Ra)는 상기 몸체(110)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 배치될 수 있다. 상기 제4리세스(Ra)의 내측부는 상기 발광소자(120)의 하면과 수직 방향으로 중첩되며, 외측부는 상기 발광소자(120)의 하면 외측으로 노출될 수 있다. 상기 제4리세스(Ra)의 내측부는 상기 발광소자(120)의 측면과의 이격 거리(b)가 최소 0.1 마이크로 미터 이상으로 배치되어, 발광소자(120)의 하면과의 접착력이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제4리세스(Ra)의 외측부는 내측부의 면적과 동일하거나 더 작을 수 있다. 상기 제4리세스(Ra)는 상기 발광소자(120)의 측면 중 인접한 두 측면과 상기 두 측면의 경계인 코너에 각각 배치될 수 있다. 상기 제4리세스(Ra)는 상기 발광소자(120)의 코너를 기준으로 상기 코너에 접한 두 측면 방향 또는 직각 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제4리세스(Ra)의 탑뷰 형상은 다각형 형상이거나, 타원 또는 원 형상을 포함할 수 있다. 상기 제4리세스(Ra)에는 제2수지(162)가 배치될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)의 코너측 하면에 접착될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)의 측면에 접착될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)의 적어도 한 코너, 또는 한 코너 이상에 배치되어, 상기 발광소자(120)의 하면과 접착되고, 상기 발광소자(120)를 지지할 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)의 코너에 인접한 본딩부에 접촉될 수 있다. 이러한 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)가 회전 또는 틸트되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제2수지(162)는 상기 제1수지(160)과 접촉되거나 연결될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 제2수지(162)는 내부에 금속 산화물 또는 필러를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2수지(162)는 TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 금속 산화물 또는 불순물을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)를 상기 몸체(110) 상에 부착 및 고정시켜 줄 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2수지(160,162)는 발광소자(120)의 유동이나 틸트를 방지할 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 도전부(221,223)가 리멜팅되더라도, 상기 몸체(110)에 상기 발광소자(120)를 고정시켜 줄 수 있다.
상기 제4리세스(Ra)는 상기 제1관통홀(TH1)으로부터 적어도 80 마이크로 미터 이상 이격될 수 있으며, 예컨대 80 내지 120 마이크로 미터의 범위로 이격될 수 있다. 상기 제4리세스(Ra)와 상기 제1관통홀(TH1) 사이의 거리가 상기 범위보다 가까운 경우, 상기 제4리세스(Ra)와 상기 제1관통홀(TH1) 사이의 영역에서의 강성이 저하될 수 있다. 상기 제4리세스(Ra)는 상기 발광소자(120)의 어느 한 코너에서 전극의 방향을 식별하기 위한 얼라인 마크로 기능할 수 있다.
여기서, 상기 몸체(110)과 상기 제1수지(160) 및 상기 제2수지(162)는 동일한 수지 재질로 형성될 수 있으며, 이 경우 상기 제1 및 제2수(160,162))와 몸체(110)의 접착력이 개선될 수 있다. 예컨대, 상기 몸체(110)과 상기 제1수지(160) 및 상기 제2수지(162)는 화이트 실리콘 재질일 수 있다. 상기 몸체(110)가 내부에 캐비티를 갖는 구조로 제공되므로, 몸체(110)의 측방향에서 캐비티 내부로 진행하는 습기를 차단할 수 있다.
여기서, 상기 몸체(110)의 캐비티(102)의 측면(132)과 상기 발광소자(120) 사이의 최소 간격(a)은 50 마이크로 미터 이상 예컨대, 50 내지 200 마이크로 미터의 범위로 배치될 수 있다. 이에 따라 몸체(110)의 내부 측면(132)와 발광소자(120) 사이의 거리를 줄여주어, 광 손실을 줄일 수 있다.
발명의 제1변형 예에는 도 31과 같이, 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 도전부(221,223)가 배치될 수 있다. 상기 도전부(221,223)는 상기에 개시된 설명을 참조하기로 한다.
도 10 내지 도 14는 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제2변형 예이다. 상기에 개시된 구성과 동일한 부분은 상기의 구성 및 설명을 참조하기로 한다. 제2변형 예는 상기에 개시된 구성을 선택적으로 포함할 수 있다.
도 10 내지 도 14를 참조하면, 발광소자 패키지는 몸체(110)의 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)이 상부와 하부 형상이 비대칭일 수 있다.
도 11과 같이, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부 형상이 X 방향의 폭(c)과 Y 방향의 길이(d)가 서로 다를 수 있으며, 예컨대, d > c를 만족할 수 있다. 상기 각 관통홀(TH1,TH2)의 폭(c)는 상기 몸체(110)의 하면의 X 방향 길이의 15% 이하 예컨대, 5% 내지 15%의 범위일 수 있다. 상기 각 관통홀(TH1,TH2)의 길이(d)는 상기 몸체(110)의 하면의 Y 방향 길이의 10% 이상 예컨대, 10% 내지 40%의 범위일 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상부 형상이 제2방향의 길이(d)가 제1방향의 폭(c)보다 1.5배 이상 크게 배치되어, 상기 제2방향으로 관통홀(TH1,TH2)의 길이를 증가시켜 줄 수 있다.
X 방향으로 상기 제1 관통홀(TH1)의 상부 영역의 폭(c)이 상기 제1 본딩부(121)의 너비에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, X 방향으로 상기 제2 관통홀(TH2)의 상부 영역의 폭(c)이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부에서 X 방향의 폭(c)은 서로 동일하거나 다를 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 X 방향의 폭은 서로 동일하거나 다를 수 있다. Y 방향으로 상기 제1 관통홀(TH1)의 상부 영역의 길이(d)가 상기 제1 본딩부(121)의 길이에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, Y 방향으로 상기 제2 관통홀(TH2)의 상부 영역의 길이(d)가 상기 제2 본딩부(122)의 길이에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부에서 Y 방향의 길이(d)는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 Y 방향의 길이는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 예컨대, 상기 제1본딩부(121)의 하면 면적은 상기 제1관통홀(TH1)의 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 제2본딩부(122)의 하면 면적은 상기 제2관통홀(TH2)의 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)는 발광소자(110)의 두 본딩부(121,122)가 중첩되는 방향(X)과 동일한 방향의 폭이 두 본딩부(121,122)가 중첩되지 않는 방향(Y)의 길이보다 더 작을 수 있다.
상기 관통홀(TH1,TH2)의 상부 형상과 하부 형상이 다를 수 있다. 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)은 상부 형상과 하부 형상이 비 대칭 형상으로 형성될 수 있다. 상기 제1본딩부(121)의 하면 면적은 상기 제1관통홀(TH1)의 하면 면적보다 클 수 있다. 상기 제2본딩부(122)의 하면 면적은 상기 제2관통홀(TH2)의 하면 면적보다 클 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1)의 하면 면적은 상기 제1관통홀(TH1)의 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)의 하면 면적은 상기 제2관통홀(TH2)의 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1)의 상면 중심과 하면 중심은 제1 및 제2방향 중에서 적어도 한 방향 또는 두 방향에서 서로 어긋나게 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)의 상면 중심과 하면 중심은 제1 및 제2방향 중에서 적어도 한 방향 또는 두 방향에서 서로 어긋나게 배치될 수 있다. 여기서, 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상면과 하면의 중심이 서로 어긋나게 배치된 경우, 두 관통홀(TH1,TH2)의 상면 중심 간의 직선 거리는 하면 중심 간의 직선 거리보다 더 작을 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1)의 하면 중심은 상면 중심보다 몸체(110)의 제1측면(S1) 방향에 더 인접하거나, 제1측면 방향으로 이동되어 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)의 하면 중심은 상면 중심보다 몸체(110)의 제2측면(S2) 방향에 더 인접하거나, 제2측면 방향으로 이동되어 배치될 수 있다. 제1방향으로 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상면 중심 간의 거리는 상기 하면 중심 간이 거리보다 작을 수 있다.
도 11 내지 도 13과 같이, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이의 제1몸체(115)의 영역을 보면, 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이의 몸체 상면에서의 거리보다 몸체 하면 거리가 더 좁을 수 있다. 이러한 구조에서 관통홀(TH1,TH2)을 경사진 면으로 제공한 경우, 두 관통홀(TH1,TH2)에 배치된 금속부(111,113) 간의 간격 확보가 어렵거나 경사진 면의 각도를 증가시켜 줄 수 없다.
도 13 및 도 14와 같이, 발명의 실시 예는 상기 제1관통홀(TH1)의 하면 중심이 상면 중심에 비해 제1측면(S1) 방향으로 이동되며, 상기 제2관통홀(TH2)의 하면 중심이 상면 중심에 비해 제2측면(S2) 방향으로 이동되므로, 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에서 서로 대향되는 두 내면(Sa,Sb)의 경사 각도를 다르게 제공할 수 있다. 여기서, 내면(Sa,Sb)는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 몸체(110)의 양측면에 가까운 측면은 제1내면(Sa)으로 설명하며, 상기 제1내면(Sa)과 대응되거나 대향되는 면은 제2내면(Sb)으로 설명하기로 한다. 예컨대, 상기 제1관통홀(TH1)에서 제1관통홀(TH1)의 하면을 기준으로 제1내면(Sa)의 경사 각도는 제2내면(Sb)의 경사 각도보다 크게 제공할 수 있다. 예컨대, 제1관통홀(TH2)에서 제2관통홀(TH2)의 하면을 기준으로 제1내면(Sa)의 경사 각도는 제2내면(Sb)의 경사 각도보다 크게 제공할 수 있다. 상기 제1 및 제2내면(Sa,Sb)의 경사 각도는 각 관통홀의 상단과 하면을 연결한 직선의 각도일 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제1내면(Sa)은 경사진 면, 또는 수직한 면과 경사진 면이 연결된 면이거나, 오목한 곡면을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제2내면(Sb)은 경사진 면, 또는 수직한 면과 경사진 면이 연결된 면이거나, 오목한 곡면을 포함할 수 있다. 도 14와 같이 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제2내면(Sb)은 상부가 수직한 면이고 하부가 경사진 면인 경우, 관통홀(TH1,TH2)에서 경사진 면을 갖는 하부의 높이가 수직한 면을 갖는 상부의 높이보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제1내면(Sa)의 상단과 상기 제2내면(Sb)의 상단은 곡면이거나, 각진 면일 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제1내면(Sa)의 상단과 상기 제2내면(Sb)의 상단이 곡면인 경우, 금속부(111,113)과의 접합효율이 개선될 수 있고, 관통홀(TH1,TH2)의 상단부 파손을 방지할 수 있다. 이러한 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제1내면(Sa)이 제2내면(Sb)보다 더 넓은 면적을 갖고 경사진 면으로 제공되므로, 액상으로 제공되는 도전부(221,223)의 주입이 용이하고, 도전부(221,223)와의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 또한 주입 효율이 증가되므로, 도전부(221,223)와 본딩부(121,122) 사이의 영역에서의 보이드 발생을 억제할 수 있다. 즉, 도 31과 같이, 관통홀(TH1,TH2)에 도전부(221,223)이 배치될 수 있고, 또는 도 37과 같이 회로 기판(201) 상에서 상기 도전부(221,223)가 관통홀(TH1,TH2) 내에 배치될 수 있다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 제2수지(162)는 발광소자(120)의 하부 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 발광소자(120)의 하부 둘레와 제1몸체(115) 사이를 접착시켜 줄 수 있다. 상기 제2수지(162)는 발광소자(120)의 하부 둘레를 따라 배치될 수 있으며, 상기 제1수지(160)와 상기 제1,2본딩부(121,122)와 연결될 수 있다. . 상기 제2수지(162)는 발광소자(120)의 하부 고정력을 강화시켜 주어, 상기 발광소자(120)가 틸트되거나 유동하는 것을 방지할 수 있다.
상기 몸체(110) 또는 제1몸체(115)에 배치된 제1,2관통홀(TH1,TH2)은 경사진 구조를 포함할 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1)에서 제1관통홀(TH1)의 상면을 기준으로 제1내면(Sa)의 제1경사 각도(e1)는 제2내면(Sb)의 제2경사 각도(e2)보다 작을 수 있다. 상기 제1경사 각도 c1는 60도 87도의 범위일 수 있으며, 제2경사각도는 c1<c2의 관계를 가지며, 65도 내지 90도의 범위일 수 있다. 상기 제1 및 제2내면(Sa,Sb)의 제1,2경사 각도(e1,e2)는 각 관통홀(TH1,TH2)의 상단과 하단을 연결한 직선의 각도일 수 있다. 상기 제1 및 제2경사 각도(c1,c2)의 차이는 1도 이상 예컨대, 1도 내지 10도의 범위일 수 있다. 상기 제1 및 제2경사 각도(c1,c2)의 차이가 1도 미만인 경우, 제1내면(Sa)에서의 금속부(111,113)의 내부 홀을 통해 도전부가 주입되는 효율이 저하될 수 있다. 또한 상기 제1,2경사 각도(c1,c2)는 c1≥c2인 경우, 제2내면(Sb)의 금속부에 도전부의 도포 량이 증가하게 되어, 상기 도전부가 다른 금속부나 다른 금속부에 도포된 도전부와 전기적으로 연결되는 쇼트문제가 발생될 수 있다.
여기서, 상기 관통홀(TH1,TH2)은 제1방향으로 서로 대면하는 두 내면(Sa,Sb)는 각도 차이가 존재하며, 제2방향으로 서로 대면하는 두 내면(예컨대, 제3,4내면)은 각도 차이가 없을 수 있다. 상기 제3 및 제4내면은 경사진 각도로 제공될 수 있고, 상기 제1내면과 같은 경사 각도를 가질 수 있다. 상기 제3 및 제4내면은 상기 제2내면의 경사 각도 이상이며 상기 제1내면의 경사 각도 이하일 수 있다. 상기 제3 및 제4내면은 서로 동일한 경사 각도를 가질 수 있다.
상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제2내면(Sb)은 상부가 수직한 면이고 하부가 경사진 면인 경우, 관통홀(TH1,TH2)에서 경사진 면을 갖는 하부의 높이가 수직한 면을 갖는 상부의 높이보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제1내면(Sa)의 상단과 상기 제2내면(Sb)의 상단은 곡면이거나, 각진 면일 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제1내면(Sa)의 상단과 상기 제2내면(Sb)의 상단이 곡면인 경우, 금속부(111,113)과의 접합효율이 개선될 수 있고, 단부 파손을 방지할 수 있다. 이러한 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제1내면(Sa)이 제2내면(Sb)보다 더 넓은 면적을 갖고 경사진 면으로 제공되므로, 액상으로 제공되는 도전부(221,223)의 주입이 용이하고, 도전부(221,223)와의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 또한 주입 효율이 증가되므로, 도전부(221,223)와 본딩부(121,122) 사이의 영역에서의 보이드 발생을 억제할 수 있다. 이러한 관통홀(TH1,TH2)에는 도 31 및 도 37과 같이, 도전부(221,223)가 배치될 수 있다.
도 16과 같이, 상기 제1관통홀(TH1)의 상부 폭(b1)는 하부 폭(b2)보다 작을 수 있다. 상기 하부 폭(b2)은 상부 폭(b1)의 1.1배 내지 3배의 범위로 배치될 수 있어, 하부 영역을 통한 도전부의 주입 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 제1내면(Sa)의 상단과 하단을 수직하게 연장한 제1방향 거리(a1)는 제2내면(Sb)의 상단과 하단을 수직하게 연장한 제2방향의 거리(a2)보다 클 수 있다. 상기 a1는 a2의 1.1 배지 4배의 범위일 수 있어, 제1내면(Sa)의 면적을 극대화시켜 주어 도전부와의 접촉 면적을 증가시켜 줄 수 있다. 또한 상기 관통홀(TH1)에서 제1내면(Sa)은 발광소자(120)의 측면으로부터 소정 거리(e3) 예컨대, 200 마이크로 미터 이상 예컨대, 200 내지 500 마이크로 미터로 이격되어, 도전부가 몸체 상으로 침투하는 문제나 많은 양의 수지가 관통홀로 침투하는 문제를 억제할 수 있다.
여기서, 상기 발광소자(120)를 제1수지(160)에 접착한 다음, 상기 금속부(111,113)를 증착할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 눌려지는 압력에 의해 측 방향으로 확산될 수 있다. 상기 확산된 제1수지(160)는 상기 관통홀(TH1,TH2) 중 적어도 하나 또는 모두의 표면에 연장될 수 있다. 상기 관통홀(TH1,TH2)에 연장된 상기 제1수지(160)의 일부는 관통홀(TH1,TH2)의 표면에서 돌기 형태로 배치될 수 있다. 이러한 돌기 형태의 제1수지(160)의 연장부는 금속부(111,113)이 증착되면, 상기 금속부(111,113)과 상기 관통홀(TH1,TH2)의 표면 사이에 배치될 수 있다. 상기 돌기 형태의 제1수지(160)의 연장부는 상기 관통홀(TH1,TH2)의 상부에 배치될 수 있다. 상기 돌기 형태의 제1수지(160)의 연장부는 금속부(111,113)와 접촉되고 상기 금속부(111,113)의 표면을 러프하거나 관통홀의 중심 방향으로 돌출시켜 줄 수 있다.
도 17을 참조하면, 발광소자(120)는 상기 제1,2수지(160,162) 중 적어도 하나 또는 모두에 접착될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 하부에 제1,2본딩부(121,122) 각각에 대응되는 관통홀(TH1,TH2)은 금속부(111,113)가 배치될 수 있다.
여기서, 상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 상기 발광소자(120)를 상기 몸체(110) 또는 제1몸체(115) 상에서 상기 제1수지(160) 또는/및 제1수지(162)로 접착한 다음 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 제1금속부(111)는 상기 제1관통홀(TH1)의 표면 전체와 상기 제1관통홀(TH1)의 하부에 노출된 상기 제1본딩부(121)의 하면에 증착될 수 있다. 상기 제1금속부(111)는 상기 몸체(110)의 하면에 제1연장부(111B)가 증착될 수 있다. 상기 제2금속부(113)는 상기 제2관통홀(TH2)의 표면 전체와 상기 제2관통홀(TH2)의 하부에 노출된 상기 제2본딩부(122)의 하면에 증착될 수 있다. 상기 제2금속부(113)는 상기 몸체(110)의 하면에 제2연장부(111B)가 증착될 수 있다.
상기 제1금속부(111)는 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121)와 대면하는 제1금속 연결부(Pc1)를 포함할 수 있다. 상기 제1금속 연결부(Pc1)는 상기 제1관통홀(TH1)과 중첩되는 상기 제1본딩부(121)의 하면 영역의 50% 이상과 접촉될 수 있다. 상기 제1금속 연결부(Pc1)는 상기 제1관통홀(TH1) 상에 배치된 제1본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2금속부(113)는 상기 발광소자(120)의 제2본딩부(122)와 대면하는 제2금속 연결부(Pc2)를 포함할 수 있다. 상기 제2금속 연결부(Pc2)는 상기 제2관통홀(TH2)과 중첩되는 상기 제2본딩부(122)의 하면 영역의 50% 이상과 접촉될 수 있다. 상기 제2금속 연결부(Pc2)는 상기 제2관통홀(TH2) 상에 배치된 제2본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 및 제2금속 연결부(Pc1,Pc2)의 두께는 상기 캐비티(102)의 바닥과 상기 몸체 하면 사이의 간격 예컨대, 제1몸체(115)의 두께보다 얇은 두께로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2금속 연결부(Pc1,Pc2)의 두께는 상기 제1,2금속부(111,113)의 두께와 동일할 수 있다. 상기 제1 및 제2금속 연결부(Pc1,Pc2)는 상기 각 관통홀(TH1,TH2)의 상부 영역을 커버할 수 있다. 상기 제1 및 제2금속 연결부(Pc1,Pc2)는 상기 발광소자(120)와 수직 방향으로 중첩되는 영역 내에 배치될 수 있다.
도 18은 발광소자(120)의 둘레에 배치된 제4리세스(Ra)가 발광소자(120)의 각 코너부에 각각 배치될 수 있다. 이러한 제4리세스(Ra)에는 제2수지가 배치되어, 발광소자(120)의 틸트나 유동을 방지할 수 있다. 상기 복수의 제4리세스(Ra)는 제1 및 제2본딩부(121,122)의 외측 코너와 대응되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2수지는 상기 각 본딩부(121,122)의 외측 코너와 접착되어, 각 본딩부(121,122)의 틸트를 방지할 수 있다.
상기 발광소자(120)에서 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이의 영역에서 제2방향으로 배치된 제1 내지 제3리세스(R1,R2,R3)를 포함하며, 상기 제3리세스(R3)는 제1 및 제2리세스(R1,R2)와 동일한 형상이거나 다른 형상일 수 있다. 상기 제3리세스(R3)는 제1 및 제2리세스(R1,R2) 사이에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3리세스(R1,R2,R3)에는 상기에 개시된 제1수지가 배치되고 발광소자(120)의 하면과 접착될 수 있다.
도 19 내지 도 21을 참조하면, 금속부(111,113)의 일부가 몸체(110)의 상면에 연장될 수 있다. 상기 제1금속부(111)는 제3연장부(111D)가 상기 발광소자(120)의 하부에 배치된 몸체 상면으로 연장되고, 제2금속부(113)는 제4연장부(113D)가 몸체 상면으로 연장될 수 있다. 상기 제3연장부(111D)는 제1관통홀(TH1)의 상부 둘레에 배치되고 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121)의 하면 면적보다 작은 면적일 수 있다. 상기 제4연장부(113D)는 제2관통홀(TH2)의 상부 둘레에 배치되고 상기 발광소자(120)의 제2본딩부(122)의 하면 면적보다 작은 면적일 수 있다. 상기 제3 및 제4연장부(111D,113D)는 발광소자(120)의 영역 내에 배치되고 발광소자(120)의 측면보다 더 외측으로 돌출되지 않게 배치되어, 금속 재질로 인한 광 손실을 방지할 수 있다. 상기 제3 및 제4연장부(111D,113D)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)와 중첩되는 영역에서 서로 대면하게 배치되므로, 접합 면적이 증가될 수 있고, 도전부의 삽입 면적이 증가될 수 있고 접촉 효율이 개선될 수 있다. 상기 제3 및 제4연장부(111D,113D)는 제1 및 제2금속부(111,113)의 두께와 동일한 두께일 수 있다. 상기 제3 및 제4연장부(111D,113D)는 제1 및 제2금속부(111,113)으로부터 연장되거나 별도의 공정으로 캐비티(102)의 바닥에 노출된 제1 및 제2금속부(111,113) 상으로 도금이나 증착 공정으로 형성될 수 있다.
도 22는 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 저면도로서, 절연부가 배치된 예이다.
도 22를 참조하면, 제1관통홀(TH1)의 하부 주변에는 복수의 제1절연부(51,52,53)가 배치되고, 상기 복수의 제1절연부(51,52,53)는 상기 제1관통홀(TH1)에 주입되는 도전부가 측 방향으로 확산되어, 관통홀(TH1)에 주입되는 페이스트 양이 줄어들거나 추가적으로 페이스트를 더 주입하는 문제를 방지할 수 있다. 상기 복수의 제1절연부(51,52,53)은 서로 이격되어, 제1금속부(111)와 제1연장부(111B)의 연결 경로를 하나 이상 제공할 수 있다.
상기 제2관통홀(TH2)의 하부 주변에는 복수의 제2절연부(61,62,63)가 배치되고, 상기 복수의 제2절연부(61,62,63)은 상기 제2관통홀(TH2)에 주입되는 도전부가 측 방향으로 확산되어, 관통홀(TH2)에 주입되는 페이스트 양이 줄어들거나 추가적으로 페이스트를 더 주입하는 문제를 방지할 수 있다. 상기 복수의 제2절연부(61,62,63)은 서로 이격되어, 제2금속부(113)와 제2연장부(113B)의 연결 경로를 하나 이상 제공할 수 있다.
상기 복수의 제1절연부(51,52,53)는 상기 제1연장부(111B)의 일부가 제거되어 몸체 하면이 노출된 구조이거나, 몸체 하면 일부가 돌출된 구조일 수 있다. 상기 복수의 제2절연부(61,62,63)는 상기 제2연장부(113B)의 일부가 제거되어 몸체 하면에 노출된 구조이거나, 몸체 하면 일부가 돌출된 구조일 수 있다.
상기에 개시된 실시 예 또는 변형 예는 하나의 발광 소자를 예로 설명하였으나, 몸체와 상기 제1 및 제2금속부의 제1,2연장부의 연장에 따라 하나 이상 예컨대, 복수의 발광소자를 제1방향 또는 제2방향으로 직렬 또는 병렬로 배치하고 직렬 또는 병렬로 연결할 수 있다.
도 23은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에서 캐비티 없는 구조로서, 몰딩부(190)가 상기 제1몸체(115)의 상면 전체에 접촉될 수 있다. 이 경우, 상기 몰딩부(190)의 측면과 상기 제1몸체(115) 또는 몸체의 측면은 같은 수직 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(19)의 측면과 상기 몸체의 측면, 제1 또는 제2연장부(111B,113B)는 같은 수직 평면 상에 배치될 수 있다. 이러한 패키지 구조에서는 광의 지향각을 개선시켜 줄 수 있고, 하나 또는 복수의 발광 소자를 제1방향 또는 제2방향으로 배치하고 직렬 또는 병렬로 연결할 수 있다.
<제2실시 예>
도 24은 발명의 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이고, 도 25는 도 24의 발광소자 패키지의 D-D측 단면도이며, 도 26은 도 24의 발광소자 패키지의 D1-D1측 단면도이고, 도 27은 도 24의 발광소자 패키지의 저면도이고, 도 28은 발명의 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 평면도이며, 도 29는 도 28의 발광소자 패키지의 E-E측 단면도이고, 도 30은 도 28의 발광소자 패키지의 E1-E1측 단면도이다. 제2실시 예를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 구성과 동일한 부분은 상기의 구성 및 설명을 참조하기로 한다. 제2실시 예의 구성은 상기에 개시된 구성을 선택적으로 포함할 수 있다.
도 24 내지 도 27을 참조하면, 발광소자 패키지는 몸체(110) 내에 복수의 발광소자(120A,120B)가 제1방향(X) 또는/및 제2방향(Y)으로 배치될 수 있다. 상기 복수의 발광소자(120A,120B)는 몸체(110)의 제1측면(S1)에 인접한 제1발광소자(120A)와, 제2측면(S2)에 인접한 제2발광소자(120B)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(110)의 하부에는 상기 제1 및 제2발광소자(120A,120B) 각각의 아래에 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)가 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2발광소자(120A,120B) 아래에 배치된 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 몸체(110)의 상면에서 하면까지 관통될 수 있다. 상기 제1 및 제2발광소자(120A,120B) 아래에 배치된 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 제1몸체(115)의 상면에서 하면까지 관통될 수 있다.
상기 제1 및 제2발광소자(120A,120B) 아래에 배치된 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에는 금속부(111,112,113)가 배치될 수 있다. 상기 관통홀(TH1,TH2)의 구조 및 금속부(111,112,113)의 구성은 상기에 개시된 설명을 참조하기로 한다. 상기 제1 및 제2발광소자(120A,120B)는 상기 몸체(110) 상에 제1방향 또는/및 제2방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2발광소자(120A,120B) 각각의 하부에는 상기에 개시된 관통홀(TH1,TH2)이 배치될 수 있으며, 상기 관통홀(TH1,TH2)에는 금속부가 배치될 수 있다. 상기 각 발광소자(120A,120B)는 상기 각 관통홀(TH1,TH2)에 배치된 금속부를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 몸체(110)는 상기 제1발광소자(120A)가 배치된 제1캐비티(102A)와 제2발광소자(120B)가 배치된 제2캐비티(120B)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2캐비티(102A,102B)는 제1방향으로 이격되며, 도 25와 같이 몸체(110)의 장벽부(10D)에 의해 공간적으로 분리될 수 있다. 상기 장벽부(10D)는 상기 제1 및 제2캐비티(102A,102B) 사이에 배치되어, 광을 반사시켜 줄 수 있다.
상기 몸체(110)는 상기 제1 및 제2캐비티(102A,102B)이 지나는 제1방향으로 장벽부들이 제2방향으로 배치된 측벽부(10A,10B)보다 낮게 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)의 측벽부(10A,10B)는 상기 장벽부(10D)의 상면보다 더 높게 배치되어, 제2방향으로의 광 지향각 분포는 좁게 하고, 제1방향으로의 광 지향각 분포는 넓게 제공할 수 있다.
상기 제1 및 제2발광소자(120A,120B)는 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다. 여기서, 상기 제1발광소자(120A)의 제1본딩부(121)는 제1금속부(111)와 연결되고, 제2본딩부(122)는 중간측 제3금속부(112)와 연결될 수 있다. 상기 제2발광소자(120B)의 제2본딩부(122)는 제2금속부(113)와 연결되고, 제1본딩부(121)는 제4금속부(112A)와 연결될 수 있다. 상기 제3 및 제4금속부(112,112A)는 연장부(112B)에 의해 서로 연결될 수 있다. 상기 제3 및 제4금속부(112,112A)는 연장부(112B)는 두 발광소자(120A,120B)를 직렬로 연결시켜 주고, 방열 플레이트로 기능할 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 직렬로 연결된 발광소자(120A,120B)들의 양 전극이 될 수 있다.
상기 몸체(110) 상에는 몰딩부(190)가 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 두 캐비티(102A,102B)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 투명한 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(120A,120B)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(190)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다. 상기 발광소자(120A,120B)는 청색, 녹색, 적색, 백색, 적외선 또는 자외선의 광을 발광할 수 있다. 상기 형광체, 또는 양자점은 청색, 녹색, 적색의 광을 발광할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 형성하지 않을 수 있다.
상기 몰딩부(190) 내부 또는 하부에 배치되는 형광체는, 불화물(fluoride) 화합물의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 MGF계 형광체, KSF계 형광체 또는 KTF계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 서로 다른 피크 파장을 발광할 수 있으며, 상기 발광소자로부터 방출된 광을 서로 다른 황색과 적색 또는 서로 다른 적색 피크 파장으로 발광할 수 있다. 상기 형광체 중 한 종류는 적색 형광체를 포함할 수 있다. 상기 적색 형광체는 610 nm에서 650 nm까지의 파장범위를 가질 수 있으며, 상기 파장은 10 nm 미만의 반치폭을 가질 수 있다. 상기 적색 형광체는 플루오라이트(fluoride)계 형광체를 포함할 수 있다. 상기 플루오라이트계 형광체는, KSF계 적색 K2SiF6:Mn4 +, K2TiF6:Mn4 +, NaYF4:Mn4 +, NaGdF4:Mn4 +, K3SiF7:Mn4+ 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 KSF계 형광체 예컨대, KaSi1-cFb:Mn4+ c의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 a는 1 ≤≤ a ≤≤ 2.5, 상기 b는 5 ≤≤ b ≤≤ 6.5, 상기 c는 0.001 ≤≤ c ≤≤ 0.1를 만족할 수 있다. 또한 상기 플루오라이트계 적색 형광체는 고온/고습에서의 신뢰성 향상을 위하여 각각 Mn을 함유하지 않는 불화물로 코팅되거나 형광체 표면 또는 Mn을 함유하지 않는 불화물 코팅 표면에 유기물 코팅을 더 포함할 수 있다. 상기와 같은 플루어라이트계 적색 형광체의 경우 기타 형광체와 달리 10nm 이하의 협반치폭을 구현할 수 있기 때문에, 고해상도 장치에 활용될 수 있다.
실시 예에 따른 형광체 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y는 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다. 또한, 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제 등이 추가로 적용될 수 있다.
상기 양자점 형광체는, II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 적색 광을 발광할 수 있다. 상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다.
도 26을 참조하면, 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(120A,120B) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 제2몸체(10C)에 의하여 제공된 캐비티(102A,102B)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 제2몸체(10C)의 상면 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2캐비티(102A,102B)는 장벽부(10E)에 의해 분리될 수 있다. 다른 예로서, 상기 장벽부(10E)는 도 25와 같이 낮게 배치될 수 있으며, 이 경우 상기 몰딩부(190)가 상기 장벽부(10E) 상면에 배치될 수 있다.
상기 몰딩부(190)는 상기 제1몸체(115) 상에 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 단층 또는 다층의 몰딩부는 형광체를 선택적으로 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 단층 또는 다층의 한 층이 상기 제2몸체(10C)의 상면 또는 상기 몸체(110)의 상면에 배치될 수 있다. 여기서, 상기 몸체(110)의 상면은 상기 몸체(110)의 하면의 반대측 면으로서, 최 상측 면일 수 있다. 상기 몰딩부(190)가 상기 몸체(110)의 상면에 배치된 경우, 상기 몰딩부(190)의 측면과 동일한 수직 측면으로 제공될 수 있다. 즉, 상기 몰딩부(190)의 상면 면적은 상기 몸체(110)의 상면 면적과 동일할 수 있다.
도 22 및 도 26에서 상기 몰딩부(190)의 측면은 상기 몸체(110)의 측면과 같은 수직 평면 상에 배치될 수 있다. 이는 수지 재질의 몸체(110) 상기 상기 몰딩부(190)를 형성한 후, 소정 크기의 패키지 단위로 커팅할 때, 상기 몸체(110)과 상기 몰딩부(190)가 함께 커팅될 수 있다. 이 경우, 상기 몸체(110)의 하면 면적은 상기 몰딩부(190)의 상면 면적과 같거나 클 수 있다. 상기 패키지 단위는 발광소자 또는 캐비티를 1개 이상 예컨대, n개(2 이상의 정수)를 갖는 단위로 커팅될 수 있다. 또한 발광소자 또는 캐비티가 n행 m열 (n,m은 1 또는 2이상의 정수)로 배열될 수 있다.
도 29와 같은 복수의 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 금속부(111,112,112A,113)에는 도 31 또는 도 37과 같은 도전부(221,223)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에 도전부(221,223) 예컨대, 솔더 페이스트, 실버 페이스트와 같은 도전성 페이스트를 포함할 수 있다. 상기 도전부(221,223)는 금속부(111,113)와 본딩부(121,122)를 연결시켜 줄 수 있다. 상기 도전부(221,223)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 도전부(221,223)는 CuxSny계, AgxSny계, AuxSny계, SAC계 페이스트 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 x는 0<x<1, y=1-x, x>y의 조건을 만족할 수 있다. 상기 도전전 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다.
상기 도전부(221,223)는 상기 관통홀(TH1,TH2) 내부에 배치되고 상기 관통홀(TH1,TH2)의 하부에 노출되지 않을 수 있다. 예컨대, 상기 도전부(221,223)는 하부에 절연 재질의 물질이 채워져 상기 도전부(221,223)이 하부로 누출되는 것을 차단할 수 있다. 이러한 도전부(221,223)가 상기 관통홀(TH1,TH2)에 배치된 경우, 상기 금속부(111,112,112A,113)는 하부의 연장부를 통해 회로 기판이나 서브 마운트와 같은 지지 부재와 도전성 페이스트로 접합될 수 있다. 이에 따라 복수의 발광소자(120A,120B)를 직렬로 연결시켜 줄 수 있다.
도 29 및 도 37과 같이, 상기 복수의 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에는 회로 기판(201) 상에 배치되는 도전부(221,223)가 배치될 수 있다. 상기 복수의 제1관통홀(TH1)에는 제1도전부(221)가 배치되고, 상기 복수의 제2관통홀(TH2)에는 제2도전부(223)가 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 그룹은 복수의 그룹이 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 각 발광소자(120A,120B)는 각 관통홀(TH1,TH2)의 그룹 상에 배치될 수 있다.
여기서, 도전부(221,223)의 접합 공정을 보면, 상기 제1 및 제2도전부(221,223)는 액상의 재질로 제공되며, 회로기판(201)의 제1 및 제2패드(211,213) 상에 위치시킨 후, 회로 기판(201) 상에 정렬된 발광소자(120)를 결합하게 된다. 이때 상기 제1패드(211) 상에 배치된 제1도전부(221)는 제1관통홀(TH1)에 주입되고, 상기 제2패드(213) 상에 배치된 제2도전부(223)는 제2관통홀(TH2)에 주입될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이에 배치된 제1몸체(115) 또는 몸체(110)의 상면 및 하면은 수지 재질로 형성되어 있어, 상기 제1 및 제2도전부(221,223)의 확산을 방지할 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2도전부(221,223) 사이에 배치된 제1몸체(115)는 액상의 도전성 페이스트가 확산되는 것을 방지할 수 있고 상기 제1 및 제2도전부(221,223) 간의 전기적인 간섭을 차단할 수 있다.
상기 도전부(221,223)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213)를 구성하는 물질과 상기 도전부(221,222)의 물질이 화합되어 금속간 화합물층에 의해 결합될 수 있다. 상기 금속간 화합물은 CuxSny, AgxSny, AuxSny 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 x는 0<x<1, y=1-x, x>y의 조건을 만족할 수 있다.
상기 발광소자(120)의 본딩부(121,122)는 상기 도전부(221,223)를 구성하는 물질과 상기 도전부(221,223)를 형성되는 과정 또는 상기 도전부(221,223)이 제공된 후 열처리 과정에서, 상기 도전부(221,223)와 상기 본딩부(121,122) 사이 또는 상기 도전부(221,223)과 상기 패드(211,213) 사이, 또는 도전부(221,223)과 금속부(111,112,112A,113) 사이에 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)층이 형성될 수 있다. 예 로서, 상기 도전부(221,223)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 도전부(221,223)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.
예로서, 상기 도전부(221,223)를 이루는 물질과 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213) 또는 금속부(111,112,112A,113)의 금속 간의 결합에 의해 합금층이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 도전부(221,223)과 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213) 또는 금속부(111,112,112A,113)들의 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 도전부(221,223) 및 합금층이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 합금층이 AgSn, CuSn, AuSn 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 금속간 화합물층을 포함할 수 있다. 상기 금속간 화합물층은 제1 물질과 제2 물질의 결합으로 형성될 수 있으며, 제1 물질은 도전부(221,223)으로부터 제공될 수 있고, 제2 물질은 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213) 또는 금속부(111,112,112A,113)로부터 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상부 몸체를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(115)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
도 26과 같이, 상기 각 발광소자(120A,120B)의 하부에는 적어도 하나 또는 복수의 리세스(R1,R2)가 배치되고 제1수지(160)로 발광소자(120A,120B)를 몸체(110)에 접착시켜 줄 수 있다. 또한 각 발광소자(120A,120B)의 적어도 한 코너 또는 2코너 이상에는 제4리세스(Ra)가 배치되고 제2수지(160)로 채워져 발광소자(120A,120B)의 코너부에서 하면 또는 측면을 지지할 수 있다. 이러한 제1 및 제2수지로 각 발광소자(120A,120B)의 틸트를 방지할 수 있어, 관통홀 구조의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 28 내지 도 30은 제2실시 예의 변형 예로서, 제1 및 제2발광소자(120A,120B)를 병렬로 연결할 수 있다. 제2발광소자(120B)의 제2본딩부(122)는 제1발광소자(120A)의 제2본딩부(122)는 금속부(112,112A) 및 연장부(112B)에 의해 서로 연결될 수 있다. 이에 따라 제1발광소자(120A)는 제1본딩부(121)는 제1금속부(111)에 연결되고, 제2발광소자(120B)의 제1본딩부(121)는 제2금속부(114) 및 연장부(114B)에 연결될 수 있다. 즉, 제1 및 제2발광소자(120A,120B)의 제1본딩부(121)는 몸체(110)의 양단부에 배치되어, 회로 기판과 병렬로 연결될 수 있고, 제2본딩부(122)는 공통으로 연결될 수 있다.
도 29와 같은 복수의 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 금속부(111,112,112A,113)에는 도 31 또는 도 37과 같은 도전부(221,223)를 포함할 수 있다.
도 30과 같이, 상기 각 발광소자(120A,120B)의 하부에는 적어도 하나 또는 복수의 리세스(R1,R2)가 배치되고 제1수지(160)로 발광소자(120A,120B)를 몸체(110)에 접착시켜 줄 수 있다. 또한 각 발광소자(120A,120B)의 적어도 한 코너 또는 2코너 이상에는 제4리세스(Ra)가 배치되고 제2수지(160)로 채워져 발광소자(120A,120B)의 코너부에서 하면 또는 측면을 지지할 수 있다. 이러한 제1 및 제2수지로 각 발광소자(120A,120B)의 틸트를 방지할 수 있어, 관통홀 구조의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 32는 발명의 실시 예(들)에 따른 발광소자 패키지의 관통홀 내에 도전 돌기를 배치한 예이다.
도 32를 참조하면, 발광소자 패키지는 발광소자(120)의 하부에 도전돌기(21A,22A)를 포함할 수 있다. 상기 도전돌기(21A,22A)는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에 배치될 수 있다. 상기 도전돌기(21A,22A)는 제1 및 제2금속부(111,113)에 인접하거나 연결될 수 있다. 상기 도전돌기(21A,22A)와 상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에 배치될 수 있다. 상기 도전돌기(21A,22A)는 상기 제1본딩부(121)로부터 몸체 하면 방향으로 돌출된 제1도전돌기(21A)와, 상기 제2본딩부(122)로부터 몸체 하면 방향으로 돌출된 제2도전 돌기(22A)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2도전돌기(21A,22A)는 도 31 또는 도 37의 제1 및 제2도전부(221,223)에 접촉될 수 있고, 도 37의 제1 및 제2패드(211,213)에 연결될 수 있다. 상기 제 1 및 제2도전돌기(21A,22A)의 높이 또는 두께는 상기 제1몸체(115)의 두께보다 작거나 크게 제공되어, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에서 주입되는 도전부(221,223)와 연결될 수 있고 상기 회로 기판(201)의 제 1 및 제2패드(211,213)와 대면할 수 있다. 상기 제1 및 제2도전돌기(21A,22A)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)을 통해 상기 몸체(111)의 하면에 노출될 수 있다.
상기 도전돌기(21A,22A)는 기둥 형상 예컨대, 원 기둥 형상 또는 다각 기둥 형상을 포함할 수 있다. 상기 도전돌기(21A,22A)는 본딩부(121,122) 상에서 씨드층이 배치되고 상기 씨드층 상에 기둥 형태로 돌출된 금속 기둥을 포함할 수 있다. 상기 금속 기둥은 Cu, Au, Ag 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 금속 기둥은 바텀뷰 형상이 원 기둥 또는 다각 기둥 형상일 수 있다.
상기 발광소자 패키지는 도 37과 같은 회로 기판(201) 상의 제1 및 제2패드(211,213)에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 도전돌기(21A,22A)는 패드(211,213)와 대면하고 도전부(221,223)와 연결될 수 있다. 상기 도전부(221,223)는 상기 패드(211,213)와 도전돌기(21A,22A) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 도전돌기(21A,22A)는 상기 본딩부(121,122)로부터 전도된 열을 패드로 최단 경로로 전달할 수 있어, 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있고, 상기 도전부(221,223)의 주입 효율 저하에 따른 문제를 줄여줄 수 있다. 다른 예로서, 상기 도전 돌기(21A,22A)의 상부 둘레에 도전부가 아닌 절연 부재가 배치될 수 있어, 상기 도전 돌기(21A,22A)를 지지할 수 있다. 이 경우 도전부(221,223)는 도전돌기(21A,22A)의 하부 및 그 둘레에 패드(211,213) 사이에 배치되어, 전기적으로 연결시켜 줄 수 있다.
도 33 내지 도 36은 발명의 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제조 과정을 설명한 도면이다.
도 33과 같이, 몸체(110)는 제1몸체(115)와 제2몸체(110A)를 갖고, 제2몸체(110A)의 내부에 캐비티(102)를 구비할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상면에서 하면까지 관통되는 복수의 관통홀(TH1,TH2)를 형성할 수 있다. 상기 복수의 관통홀(TH1,TH2)은 상기에 개시된 수직한 내면, 경사진 내면, 오목한 곡면을 갖는 내면 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 복수의 관통홀(TH1,TH2)은 탑재될 발광소자의 영역 내에 배치될 수 있고 발광소자의 본딩부와 대면되는 영역에 형성될 수 있다.
도 34와 같이, 몸체(110)의 하면 및 상기 관통홀(TH1,TH2)의 내면에는 금속부및 연장부로 구분되는 금속층(111,111B,113,113B)이 형성될 수 있으며, 서로 연결될 수 있다. 상기 금속부 및 연장부로 구분되는 금속층(111,111B,113,113B)는 증착 장비를 이용하여 증착될 수 있다. 다른 예로서, 상기 금속층(111,111B,113,113B)는 도금 공정을 통해 형성될 수 있다. 상기 금속층(111,111B,113,113B)은 예컨대, 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 중에서 선택될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
도 35를 참조하면, 상기 금속층(111,111B,113,113B)이 서로 연결되어 형성되면, 레이져 스크라이빙 장비를 이용하여, 제1금속부(111) 및 제1연장부(111B)와, 제2금속부(113) 및 제2연장부(113B)로 분리시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 레이져가 조사된 부분에는 오목한 오목부(R5)가 몸체 표면보다 낮게 배치될 수 있다.
이러한 금속부들이 분리되면, 제1수지(160)를 이용하여 발광소자(120)를 정렬시켜 부착하게 된다. 이때 발광소자(120)의 제1본딩부(121)는 제1관통홀(TH1) 상에 위치시키고, 제2본딩부(122)는 제2관통홀(TH2)에 위치시켜, 몸체(110) 상에 결합하게 된다. 이때 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하면에 부착되고, 상기에 개시된 리세스(R1,R2,R3) 내로 이동될 수 있어, 제1수지(160)의 외부 이탈을 방지할 수 있다.
이후, 미리 제공된 몸체의 제4리세스에 제2수지를 형성할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
이후, 몰딩부(190)를 상기 발광소자(120) 상에 배치할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 캐비티(102)에 제공될 수 있다.
이후, 상기 몰딩부(190)가 형성된 후 또는 형성되기 전에, 패키지 단위(Unit 1)로 상기 몸체(110)의 측면을 커팅하게 된다. 이에 따라 상기에 개시된 발광소자 패키지로 제공될 수 있다. 여기서, 복수의 발광소자를 갖는 패키지로 제공할 경우, 2개 또는 그 이상의 의 발광 소자를 갖는 패키지 단위로 커팅할 수 있다. 예컨대, 제1방향으로 2개 이상, 제2방향으로 2개 이상 또는 제1,2방향으로 2개 이상의 발광소자를 갖는 패키지로 커팅할 수 있다.
발명의 다른 패키지의 제조 공정의 예로서, 도 30과 같이, 몸체에 관통홀(TH1,TH2)를 형성하게 된다(스텝 1). 이후, 도 16 및 도 37과 같이, 상기 몸체 상에서 발광 소자(120)를 제1,2수지(1601,162) 중 적어도 하나로 접착시켜 준다(스텝 2). 이때 스텝 2에서는 금속부를 형성하기 전에 발광소자를 몸체 상에 수지로 접착 및 고정하게 된다. 스텝 3에는 상기 발광소자가 고정되면, 상기 몸체(110)의 관통홀(TH1,TH2)을 통해 도 34와 같이 증착하거나, 도 17과 같이 각 본딩부(121,122)의 하면까지 금속부(111,113)를 증착시켜 금속 연결부(Pc1,Pc2)를 형성하게 된다(스텝 3). 이때 본딩부에 금속부를 형성하지 않을 경우 마스크를 형성한 다음 형성할 수 있다. 스텝 4에서는 도 35와 같이, 레이저 스크라이빙 공정을 통해 전기적으로 분리할 금속부 부분을 제거하여, 각 본딩부에 연결된 금속부를 제공할 수 있다. 여기서, 상기 몰딩부를 형성하는 공정은 스텝 2를 진행한 후 형성하거나, 스텝 4를 진행한 후 진행될 수 있다. 상기 몰딩부는 캐비티 내부 또는 발광소자 상에 배치되거나, 상기 몸체의 상면에 배치될 수 있다. 이후 패키지 단위로 커팅되어, 1개 또는 2개 이상의 발광소자를 갖는 패키지 단위로 제공될 수 있다.
도 37은 광원 장치의 예로서, 상기에 개시된 발광소자 패키지를 회로 기판(201)상에 배치된 도전부(221,223)를 이용하여 결합시켜 줄 수 있다. 이러한 회로 기판(201)는 발광소자 패키지(100)와 상기 금속부(111,113)과 도전부(221,223)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 회로 기판(201) 상에는 하나 또는 복수의 발광소자 패키지가 배열될 수 있다. 상기 발광소자 패키지의 배열방향은 제1방향으로 배열되거나, 제2방향으로 배열되거나, 제1,2방향으로 배열될 수 있다.
상기 제1관통홀(TH1)에는 제1금속부(111) 및 제1도전부(221)가 배치되며, 상기 제1금속부(111) 및 상기 제1도전부(221)는 상기 제1본딩부(121)와 제1패드(211) 사이를 연결시켜 줄 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)에는 제2금속부(113)와 제2도전부(223)가 배치되며, 상기 제2금속부(113) 및 상기 제2도전부(223)는 상기 제2본딩부(122)와 제2패드(213) 사이를 연결시켜 줄 수 있다.
상기 제1금속부(111)의 제1연장부(111B)와 상기 제2금속부(113)의 제2연장부(113B)는 상기 회로 기판(201) 상의 보호층(203)과 대면하거나 접촉될 수 있다. 상기 회로 기판(201)의 보호층(203)이 절연성 재질로 배치되어, 상기 제1 및 제2연장부(111B,113B)를 따라 도전부(221,223)가 확산되는 것을 방지할 수 있다.
도 38는 발명의 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도이고, 도 39는 도 38에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.
한편, 이해를 돕기 위해, 도 38를 도시함에 있어, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172) 아래에 배치되지만, 상기 제1 본딩부(1171)에 전기적으로 연결된 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 본딩부(1172)에 전기적으로 연결된 제2 서브전극(1142)이 보일 수 있도록 도시되었다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 도 39와 같이, 기판(1105) 위에 배치된 발광 구조물(1110)을 포함할 수 있다. 상기 기판(1105)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(1105)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(1110)은 제1 도전형 반도체층(1111), 활성층(1112), 제2 도전형 반도체층(1113)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(1112)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 상기 활성층(1112)이 배치되고, 상기 활성층(1112) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 투광성 전극층(1130)을 포함할 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)은 전류 확산을 향상시켜 광출력을 증가시킬 수 있다. 예로서, 상기 투광성 전극층(1130)은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)은 투광성의 물질을 포함할 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)은, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO, Pt, Ni, Au, Rh, Pd를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 반사층(1160)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 제1 반사층(1161), 제2 반사층(1162), 제3 반사층(1163)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 투광성 전극층(1130) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 반사층(1162)은 상기 투광성 전극층(1130)을 노출시키는 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 반사층(1162)은 상기 투광성 전극층(1130) 위에 배치된 복수의 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. 상기 제1 반사층(1161)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상부 면을 노출시키는 복수의 제2 개구부(h2)를 포함할 수 있다.
상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 연결될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제2 반사층(1162)과 연결될 수 있다. 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에 물리적으로 직접 접촉되어 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 상기 반사층(1160)은 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 접촉될 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)의 상부 면에 물리적으로 접촉될 수 있다.
상기 반사층(1160)은 절연성 반사층으로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 반사층(1160)은 DBR(Distributed Bragg Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 반사층(1160)은 ODR(Omni Directional Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 반사층(1160)은 DBR층과 ODR층이 적층되어 제공될 수도 있다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)을 포함할 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 개구부(h2) 내부에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 배치될 수 있다. 예로서, 실시 예에 따른 발광소자(1000)에 의하면, 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113), 상기 활성층(1112)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(1111)의 일부 영역까지 배치되는 리세스 내에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 배치될 수 있다.
상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 반사층(1161)에 제공된 제2 개구부(h2)를 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 개구부(h2)와 상기 리세스는 수직으로 중첩할 수 있고 예로서, 상기 제1 서브전극(1141)은, 복수의 리세스 영역에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.
상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 위에 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제2 서브전극(1142)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 상기 투광성 전극층(1130)이 배치될 수 있다.
상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제2 서브전극(1142)은, 복수의 P 영역에서 상기 투광성 전극층(1130)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 서브전극(1142)은, 복수의 P 영역에서 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 복수의 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 투광성 전극층(1130)의 상면에 직접 접촉될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 서로 극성을 가질 수 있고, 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다. 도 39에서 영역 R11,R12,R13은 각 서브 전극의 영역별 중첩 영역을 구분하기 위해 나타낸다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 보호층(1150)을 포함할 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 제2 서브전극(1142)을 노출시키는 복수의 제3 개구부(h3)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제3 개구부(h3)는 상기 제2 서브전극(1142)에 제공된 복수의 PB 영역에 대응되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 보호층(1150)은 상기 제1 서브전극(1141)을 노출시키는 복수의 제4 개구부(h4)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제4 개구부(h4)는 상기 제1 서브전극(1141)에 제공된 복수의 NB 영역에 대응되어 배치될 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 반사층(1160) 위에 배치될 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 제1 반사층(1161), 상기 제2 반사층(1162), 상기 제3 반사층(1163) 위에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 보호층(1150)은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(1150)은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 상기 보호층(1150) 위에 배치된 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)를 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(1171)는 상기 제1 반사층(1161) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 제2 반사층(1162) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 제1 본딩부(1171)와 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(1171)는 복수의 NB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 복수의 상기 제4 개구부(h4)를 통하여 상기 제1 서브전극(1141)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 NB 영역은 상기 제2 개구부(h2)와 수직으로 어긋나도록 배치될 수 있다. 상기 복수의 NB 영역과 상기 제2 개구부(h2)가 서로 수직으로 어긋나는 경우, 상기 제1 본딩부(1171)로 주입되는 전류가 상기 제1 서브전극(1141)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 상기 복수의 NB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다.
또한, 상기 제2 본딩부(1172)는 복수의 PB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 복수의 상기 제3 개구부(h3)를 통하여 상기 제2 서브전극(1142)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 PB 영역과 상기 복수의 제1 개구부(h1)가 수직으로 중첩되지 않도록 하는 경우 상기 제2 본딩부(1172)로 주입되는 전류가 상기 제2 서브전극(1142)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 상기 복수의 PB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다. 복수의 영역을 통해 전원이 공급될 수 있으므로, 접촉 면적 증가 및 접촉 영역의 분산에 따라 전류 분산 효과가 발생되고 동작전압이 감소될 수 있는 장점이 있다.
이에 따라, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 상기 발광 구조물(1110)의 활성층(1112)에서 발광되는 빛을 반사시켜 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)에서 광 흡수가 발생되는 것을 최소화하여 광도(Po)를 향상시킬 수 있다. 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 굴절률이 다른 물질이 서로 반복하여 배치된 DBR 구조를 이룰 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2 중 적어도 하나 이상을 포함하는 단층 또는 적층 구조로 배치될 수 있다. 또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 ODR층으로 제공될 수도 있다. 또 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 DBR층과 ODR층이 적층된 일종의 하이브리드(hybrid) 형태로 제공될 수도 있다.
실시 예에 따른 발광소자가 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지로 구현되는 경우, 상기 발광 구조물(1110)에서 제공되는 빛은 상기 기판(1105)을 통하여 방출될 수 있다. 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에서 반사되어 상기 기판(1105) 방향으로 방출될 수 있다.
또한, 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은 상기 발광 구조물(1110)의 측면 방향으로도 방출될 수 있다. 또한, 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면 중에서, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 제공되지 않은 영역을 통하여 외부로 방출될 수 있다.
이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자(1000)는 상기 발광 구조물(1110)을 둘러싼 6면 방향으로 빛을 방출할 수 있게 되며, 광도를 현저하게 향상시킬 수 있다.
한편, 실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 발광소자(1000)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공될 수 있다.
예로서, 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체 면적은 상기 발광 구조물(1110)의 제1 도전형 반도체층(1111)의 하부 면의 가로 길이 및 세로 길이에 의하여 정의되는 면적에 대응될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체 면적은 상기 기판(1105)의 상부 면 또는 하부 면의 면적에 대응될 수 있다.
이와 같이, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공되도록 함으로써, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면으로 방출되는 빛의 양이 증가될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(1000)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다.
또한, 상기 발광소자(1000)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 본딩부(1171)의 면적과 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합은 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공될 수 있다.
이와 같이, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공되도록 함으로써, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)를 통하여 안정적인 실장이 수행될 수 있고, 상기 발광소자(1000)의 전기적인 특성을 확보할 수 있게 된다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 광 추출 효율 및 본딩의 안정성 확보를 고려하여, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 30% 이상이고 60% 이하로 선택될 수 있다.
즉, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 30% 이상 내지 100% 이하인 경우, 상기 발광소자(1000)의 전기적 특성을 확보하고, 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하여 안정적인 실장이 수행될 수 있다.
또한, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 0% 초과 내지 60% 이하인 경우, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면으로 방출되는 광량이 증가하여 상기 발광소자(1000)의 광추출 효율이 향상되고, 광도(Po)가 증가될 수 있다.
실시 예에서는 상기 발광소자(1000)의 전기적 특성과 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하고, 광도를 증가시키기 위해, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 30% 이상 내지 60% 이하로 선택하였다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자(1000)에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제3 반사층(1163)의 상기 발광소자(1000)의 장축 방향에 따른 길이는 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이의 간격에 대응되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사층(1163)의 면적은 예로서 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체의 10% 이상이고 25% 이하로 제공될 수 있다.
상기 제3 반사층(1163)의 면적이 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체의 10% 이상일 때, 상기 발광소자의 하부에 배치되는 몸체(110)가 변색되거나 균열의 발생을 방지할 수 있고, 25% 이하일 경우 상기 발광소자의 6면으로 발광하도록 하는 광추출효율을 확보하기에 유리하다.
또한, 다른 실시 예에서는 이에 한정하지 않고 상기 광추출효율을 더 크게 확보하기 위해 상기 제3 반사층(1163)의 면적을 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체의 0% 초과 내지 10% 미만으로 배치할 수 있고, 상기 몸체(110)에 변색 또는 균열의 발생을 방지하는 효과를 더 크게 확보하기 위해 상기 제3 반사층(1163)의 면적을 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체의 25% 초과 내지 100% 미만으로 배치할 수 있다.
또한, 상기 발광소자(1000)의 장축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 상기 제1 본딩부(1171) 또는 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 제공된 제2 영역으로 상기 발광 구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다.
또한, 상기 발광소자(1000)의 단축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 상기 제1 본딩부(1171) 또는 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 제공된 제3 영역으로 상기 발광구조물에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)의 크기는 상기 제1 본딩부(1171)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)의 면적은 상기 제1 본딩부(1171)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 상기 제1 반사층(1161)의 한 변의 길이는 상기 제1 본딩부(1171)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.
또한, 상기 제2 반사층(1162)의 크기는 상기 제2 본딩부(1172)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 반사층(1162)의 면적은 상기 제2 본딩부(1172)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 상기 제2 반사층(1162)의 한 변의 길이는 상기 제2 본딩부(1172)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에 의하여, 상기 발광 구조물(1110)로부터 방출되는 빛이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)에 입사되지 않고 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(1110)에서 생성되어 방출되는 빛이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)에 입사되어 손실되는 것을 최소화할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자(1000)에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 배치되므로, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있게 된다.
앞에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자(1000)는 예를 들어 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지 형태로 제공될 수 있다. 이때, 발광소자(1000)가 실장되는 몸체(110)가 수지 등으로 제공되는 경우, 상기 발광소자(1000)의 하부 영역에서, 상기 발광소자(1000)로부터 방출되는 단파장의 강한 빛에 의하여 몸체(110)가 변색되거나 균열이 발생될 수 있다.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자(1000)에 의하면 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 영역 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있으므로, 상기 발광소자(1000)의 하부 영역에 배치된 몸체(110)가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 본딩부(1171), 상기 제2 본딩부(1172), 상기 제3 반사층(1163)이 배치된 상기 발광소자(1000)의 상부 면의 20% 이상 면적에서 상기 발광 구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다.
이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(1000)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다. 또한, 상기 발광소자(1000)의 하부 면에 근접하게 배치된 몸체(110)가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있게 된다.
또한, 실시 예예 따른 발광소자(1000)에 의하면, 상기 투광성 전극층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 상기 반사층(1160)이 접착될 수 있다. 상기 반사층(1160)이 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있게 됨으로써, 상기 반사층(1160)이 상기 투광성 전극층(1130)에 접촉되는 것에 비하여 접착력이 향상될 수 있게 된다.
상기 반사층(1160)이 상기 투광성 전극층(1130)에만 직접 접촉되는 경우, 상기 반사층(1160)과 상기 투광성 전극층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다. 예를 들어, 절연층과 금속층이 결합되는 경우, 물질 상호 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다.
예로서, 상기 반사층(1160)과 상기 투광성 전극층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약한 경우, 두 층 간에 박리가 발생될 수 있다. 이와 같이 상기 반사층(1160)과 상기 투광성 전극층(1130) 사이에 박리가 발생되면 발광소자(1000)의 특성이 열화될 수 있으며, 또한 발광소자(1000)의 신뢰성을 확보할 수 없게 된다.
그러나, 실시 예에 의하면, 상기 반사층(1160)이 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있으므로, 상기 반사층(1160), 상기 투광성 전극층(1130), 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력 및 접착력이 안정적으로 제공될 수 있게 된다.
따라서, 실시 예에 의하면, 상기 반사층(1160)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로, 상기 반사층(1160)이 상기 투광성 전극층(1130)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있게 된다. 또한, 상기 반사층(1160)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로 발광소자(1000)의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.
한편, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 투광성 전극층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 상기 활성층(1112)으로부터 발광된 빛은 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통해 상기 반사층(1160)에 입사되어 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 활성층(1112)에서 생성된 빛이 상기 투광성 전극층(1130)에 입사되어 손실되는 것을 감소시킬 수 있게 되며 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자(1000)에 의하면 광도가 향상될 수 있게 된다.
도 41 및 도 42를 참조하여 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 플립칩 발광소자의 다른 예를 설명하기로 한다. 도 41은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 전극 배치를 설명하는 평면도이고, 도 42는 도 41에 도시된 발광소자의 H-H 선에 따른 단면도이다.
도 41 및 도 42를 도시함에 있어, 제1 전극(627)과 제2 전극(628)의 상대적인 배치 관계 만을 개념적으로 도시하였다. 상기 제1 전극(627)은 제1 본딩부(621)와 제1 가지전극(625)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 제2 본딩부(622)와 제2 가지전극(626)을 포함할 수 있다.
발광소자는, 도 41 및 도 42에 도시된 바와 같이, 기판(624) 위에 배치된 발광 구조물(623)을 포함할 수 있다.
상기 기판(624)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(624)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(623)은 제1 도전형 반도체층(623a), 활성층(623b), 제2 도전형 반도체층(623c)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(623b)은 상기 제1 도전형 반도체층(623a)과 상기 제2 도전형 반도체층(623c) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(623a) 위에 상기 활성층(623b)이 배치되고, 상기 활성층(623b) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(623c)이 배치될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(623a)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(623c)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(623a)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(623c)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다.
발광소자는 제1 전극(627)과 제2 전극(628)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(627)은 제1 본딩부(621)와 제1 가지전극(625)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(627)은 상기 제2 도전형 반도체층(623c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)은 상기 제1 본딩부(621)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)은 상기 제1 본딩부(621)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 제2 본딩부(622)와 제2 가지전극(626)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 상기 제1 도전형 반도체층(623a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 가지전극(626)은 상기 제2 본딩부(622)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제2 가지전극(626)은 상기 제2 본딩부(622)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.
상기 제1 가지전극(625)와 상기 제2 가지전극(626)은 핑거(finger) 형상으로 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)과 상기 제2 가지전극(626)에 의하여 상기 제1 본딩부(621)와 상기 제2 본딩부(622)를 통하여 공급되는 전원이 상기 발광 구조물(623) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.
상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.
한편, 상기 발광 구조물(623)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 발광 구조물(623)의 상면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 발광 구조물(623)의 측면에 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 제1 본딩부(621)와 상기 제2 본딩부(622)가 노출되도록 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 기판(624)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.
예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 상기 활성층(623b)에서 생성된 빛이 발광소자의 6면 방향으로 발광될 수 있다. 상기 활성층(623b)에서 생성된 빛이 발광소자의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.
참고로, 상기의 실시 예들에 설명된 발광소자의 상하 배치 방향과 도 40 및 도 41에 도시된 발광소자의 상하 배치 방향은 서로 반대로 도시되어 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(621, 622)의 면적의 합은 상기 기판(624)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(621, 622)의 면적의 합은 상기 기판(624)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다. 상기 제1 및 제2 본딩부(621, 622)는 실시 예에 개시된 도전체이거나 패드일 수 있다.
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(621, 622)의 면적의 합은 상기 기판(624)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(621, 622)의 면적의 합은 상기 기판(624)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.
예로서, 상기 제1 본딩부(621)의 상기 발광소자의 장축 방향에 따른 폭은 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 본딩부(621)의 폭은 예로서 70 마이크로 미터 내지 90 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 본딩부(621)의 면적은 수천 제곱 마이크로 미터로 제공될 수 있다.
또한, 상기 제2 본딩부(622)의 상기 발광소자의 장축 방향에 따른 폭은 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제2 본딩부(622)의 폭은 예로서 70 마이크로 미터 내지 90 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(622)의 면적은 수천 제곱 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(621, 622)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다.
발광소자의 다른 예로서, 제1전극과 제2전극 중 적어도 하나는 패턴 형태로 구현될 수 있고, 상기 패턴 형태의 전극에 도 29와 같은 도전 돌기가 배치될 수 있다. 상기 패턴은 하나 또는 복수의 암 형상 또는 가지 형상을 갖는 패턴을 포함할 수 있다. 또는 상기 발광소자의 각 본딩부에는 도 29와 같은 도전 돌기가 배치될 수 있다. 상기 발광소자는 하나의 발광 셀을 갖는 구조로 설명되었다. 이는 발광 셀이 상기의 발광 구조물을 포함하는 경우, 발광소자의 구동 전압은 하나의 발광 셀에 걸리는 전압일 수 있다. 실시 예에 개시된 발광소자의 예로서, 2개의 발광 셀을 갖는 발광소자가 개시될 수 있다.
이상에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 본딩부는 관통홀에 배치된 금속부 및 도전부를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 관통홀에 배치된 도전부의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 몸체를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
또한 프레임의 관통 홀의 하부 형상을 대칭적 또는 비 대칭적으로 형성하여, 도전부과 도전돌기의 결합 면적을 증가시켜 주어, 크랙 발생을 억제하고, 패키지의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다.
또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다.
광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 또는 조명 모듈로 구현될 수 있으며, 상기 발광 모듈 또는 조명 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.
광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110: 몸체
110A: 제2몸체
111,113: 금속부
111B,113B: 연장부
115: 제1몸체
120: 발광소자
121,122: 본딩부
TH1,TH2: 관통홀
160: 제1수지
162: 제2수지
201: 회로 기판
211,213: 패드
221,223: 도전부
110A: 제2몸체
111,113: 금속부
111B,113B: 연장부
115: 제1몸체
120: 발광소자
121,122: 본딩부
TH1,TH2: 관통홀
160: 제1수지
162: 제2수지
201: 회로 기판
211,213: 패드
221,223: 도전부
Claims (14)
- 몸체;
상기 몸체에 서로 이격된 제1 및 제2관통홀;
상기 제1관통홀에 대면하는 제1본딩부와 상기 제2관통홀에 대면하는 제2본딩부를 갖는 발광소자;
상기 제1관통홀의 둘레에 배치된 제1금속부; 및
상기 제2관통홀의 둘레에 배치된 제2금속부를 포함하며,
상기 제1금속부는 상기 제1본딩부에 연결되며,
상기 제2금속부는 상기 제2본딩부에 연결되며,
상기 제1 및 제2금속부의 두께는 상기 발광소자의 하부에 배치된 상기 몸체의 두께보다 작고,
상기 제1 및 제2금속부의 두께 합은 상기 제1 및 제2관통홀의 상부 폭보다 작은 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 제1금속부로부터 상기 몸체의 하면으로 연장된 제1연장부; 및
상기 제2금속부로부터 상기 몸체의 하면으로 연장된 제2연장부를 포함하며,
상기 제1 및 제2연장부의 폭은 상기 제1 및 제2관통홀의 폭보다 큰 발광소자 패키지. - 제2항에 있어서,
상기 제1연장부와 상기 제2연장부 사이에 배치된 상기 몸체의 하면은 상기 몸체의 상면 방향으로 오목한 오목부를 포함하는 발광소자 패키지. - 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 제1연장부는 상기 몸체의 측면 중 적어도 3측면과 같은 수직 평면 상에 배치되며,
상기 제2연장부는 상기 몸체의 측면 중 적어도 3측면과 같은 수직 평면 상에 배치되는 발광소자 패키지. - 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 제1관통홀의 외측에 하나 또는 복수의 절연부가 배치되며,
상기 제2관통홀의 외측에 하나 또는 복수의 절연부가 배치되는 발광소자 패키지. - 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 몸체는 수지 재질로 형성되며,
상기 발광소자와 상기 몸체 사이에 제1수지를 포함하며,
상기 제1수지는 상기 제1 및 제2본딩부 사이에 배치되는 발광소자 패키지. - 제6항에 있어서,
상기 몸체는 상기 발광소자와 수직 방향으로 중첩되는 내측부와, 상기 발광소자의 양 측면으로부터 외측으로 연장된 외측부를 포함하는 제1리세스를 포함하며,
상기 제1리세스는 상기 발광소자 아래에 복수로 배치되며,
상기 제1리세스에는 상기 제1수지가 배치되는 발광소자 패키지. - 제6항에 있어서,
상기 몸체는 상기 발광소자의 코너들 중 적어도 하나 또는 둘 이상의 영역 아래에 배치된 리세스를 포함하며,
상기 리세스의 내측부는 상기 발광소자와 수직 방향으로 중첩되며,
상기 리세스에 배치된 제2수지를 포함하는 발광소자 패키지. - 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 발광소자는 상기 제1 및 제2관통홀 각각에 배치된 도전 돌기 또는 도전부를 포함하는 발광소자 패키지. - 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 몸체는 상기 발광소자 아래의 제1몸체와, 상기 발광소자 둘레에 제2몸체를 포함하며,
상기 제2몸체는 상기 발광소자가 배치된 캐비티를 포함하며,
상기 캐비티 내에 몰딩부를 포함하는 발광소자 패키지. - 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 제1 및 제2금속부의 두께를 기준으로 상기 제1 및2금속부의 두께는 상기 발광소자의 하부에 배치된 몸체의 두께와의 비율이 1:30 내지 1:100의 범위를 갖는 발광소자 패키지. - 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 몸체에서 상기 제1 및 제2관통홀을 갖는 그룹은 복수개가 서로 이격되며,
상기 발광소자는 상기 제1 및 제2관통홀의 그룹 각각의 위에 배치되며,
상기 제1 및 제2관통홀에 배치된 상기 제1 및 제2금속부는 상기 제1 및 제2관통홀의 그룹 위에 배치된 각각의 발광소자를 직렬 또는 병렬로 연결해 주는 발광소자 패키지. - 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 제1 및 제2관통홀은 상면 중심과 하면 중심이 서로 어긋나게 배치되며,
상기 제1 및 제2관통홀의 하면 중심 간의 간격이 상면 중심 간의 간격보다 더 넓은 발광소자 패키지. - 상부에 제1 및 제2패드를 갖는 회로 기판; 및
상기 회로 기판에 하나 또는 복수의 발광소자 패키지가 배치되며,
상기 발광소자 패키지는, 청구항 2 또는 3의 발광소자 패키지이며,
상기 발광소자 패키지의 제1 및 제2관통홀에 배치된 제1 및 제2도전부를 포함하며,
상기 제1도전부는 상기 제1패드와 상기 발광소자의 제1본딩부 및 상기 제1관통홀 내의 제1금속부에 연결되며,
상기 제2도전부는 상기 제2패드와 상기 발광소자 패키지의 제2본딩부 및 상기 제2관통홀 내의 제2금속부에 연결되는 광원 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180005735 | 2018-01-16 | ||
| KR20180005735 | 2018-01-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190087249A true KR20190087249A (ko) | 2019-07-24 |
| KR102550291B1 KR102550291B1 (ko) | 2023-07-03 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180041228A KR102550291B1 (ko) | 2018-01-16 | 2018-04-09 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102550291B1 (ko) |
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- 2018-04-09 KR KR1020180041228A patent/KR102550291B1/ko active IP Right Grant
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| KR20160046198A (ko) * | 2014-10-20 | 2016-04-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
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| KR102550291B1 (ko) | 2023-07-03 |
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