KR20070082538A - 발광 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

발광 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070082538A
KR20070082538A KR1020070015329A KR20070015329A KR20070082538A KR 20070082538 A KR20070082538 A KR 20070082538A KR 1020070015329 A KR1020070015329 A KR 1020070015329A KR 20070015329 A KR20070015329 A KR 20070015329A KR 20070082538 A KR20070082538 A KR 20070082538A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
metal frame
metal
emitting element
substrate
Prior art date
Application number
KR1020070015329A
Other languages
English (en)
Inventor
미츠토시 히가시
마사히로 스노하라
유이치 다구치
아키노리 시라이시
게이 무라야마
나오유키 고이즈미
히데아키 사카구치
Original Assignee
신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 filed Critical 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20070082538A publication Critical patent/KR20070082538A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05571—Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T83/00—Cutting
    • Y10T83/04—Processes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 발광 소자(12) 및 발광 소자(12)가 배치된 기판(11)을 포함하는 발광 장치(10)로서, 발광 소자(12)를 수용하고 기판(11)으로부터 상향으로 경사지는 형상을 갖는 수용부(28) 및 발광 소자(12)를 둘러싸고 거의 거울과 같은 면으로 이루어진 수용부(28)의 측면(28A)을 포함하는 금속 프레임(15)이 기판(11)상에 설치되는 것을 특징으로 한다.
수용부, 금속 프레임, 발광 소자, 삽입부, 금속 덮개

Description

발광 장치 및 그 제조 방법{LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 종래의 발광 장치의 단면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치의 단면도.
도 3은 도 2에 나타낸 금속 프레임의 평면도.
도 4는 본 실시예의 발광 장치에 적용가능한 다른 금속 프레임의 평면도.
도 5a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 일 단계를 나타내는 도면.
도 5b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 일 단계를 나타내는 도면.
도 5c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 일 단계를 나타내는 도면.
도 5d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 일 단계를 나타내는 도면.
도 5e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 일 단계를 나타내는 도면.
도 5f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 일 단계를 나 타내는 도면.
도 5g는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 일 단계를 나타내는 도면.
도 5h는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 일 단계를 나타내는 도면.
도 5i는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 일 단계를 나타내는 도면.
도 6a는 도 5d에 나타낸 금속판의 평면도.
도 6b는 금속판 상에 형성된 복수의 오목부를 포함하는 도 5e에 나타낸 금속판의 평면도.
도 6c는 금속판 상에 형성된 복수의 수용부를 포함하는 도 5f에 나타낸 금속판의 평면도.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 장치의 단면도.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 단계를 나타내는 도면.
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 장치의 단면도.
도 10은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 장치의 평면도.
도 11은 금속 프레임의 평면도.
도 12는 제 3 실시예의 변형예에 따른 발광 장치의 단면도.
도 13은 절단부를 포함하는 다른 금속 프레임의 평면도.
도 14는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 단계를 나타내는 도면.
도 15는 도 14에 나타낸 금속판의 평면도.
도 16은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 장치의 단면도.
도 17은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 장치의 평면도.
도 18은 금속 덮개의 평면도.
도 19a는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 일 단계를 나타내는 도면.
도 19b는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 일 단계를 나타내는 도면.
도 19c는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 일 단계를 나타내는 도면.
도 19d는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 일 단계를 나타내는 도면.
도 19e는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 일 단계를 나타내는 도면.
도 19f는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 일 단계를 나타내는 도면.
도 20a는 도 19a에 나타낸 금속판의 평면도.
도 20b는 도 19b에 나타낸 금속판의 평면도.
도 20c는 도 19c에 나타낸 금속판의 평면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
11 … 기판 12 … 발광 소자
13 … 형광체 함유 수지 15 … 금속 프레임
15A … 금속 프레임(15)의 하면 16 … 밀봉 수지
18 … 기판 본체 19 … 배선 패턴
21 … 관통홀 22 … 비어
23 … 배선 25 … 전극
26 … 범프 28 … 수용부
28A … 수용부(28)의 측면 θ2 … 경사 각도
M1 … 금속 프레임(15)의 두께
본 발명은 발광 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이고, 특히 발광 소자를 수용하는 수용부의 면을 반사경으로서 사용하는 발광 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
도 1은 종래의 발광 장치의 단면도이다. 도 1에 나타낸 θ1은 수용부(109)의 하면(109B)에 대한 수용부(109)의 측면(109A)의 경사 각도를 나타낸다(이하, "경사 각도(θ1)"로 지칭).
도 1을 참조하면, 종래의 발광 장치(100)는 기판(101), 발광 소자(102), 형광체 함유 수지(103), 및 밀봉 수지(104)를 포함한다.
기판(101)은 기판 본체(106) 및 배선 패턴(107)을 포함한다. 기판 본체(106)는 수용부(109) 및 복수의 관통홀(111)을 포함한다. 수용부(109)는 발광 소자(102)를 수용하기 위한 것이다. 수용부(109)는 수용부(109)의 하면(109B)으로부터 상향으로 경사지는 형상을 갖는다.
수용부(109)의 측면(109A)은 수용부(109)의 하면(109B)에 대한 경사 각도(θ1)를 형성하는 경사면이다. 수용부(109)의 측면(109A)은 발광 소자(102)를 둘러싸도록 배치된다. 수용부(109)의 측면(109A)은 반사경으로서 기능하여 발광 소자(102)로부터 방출된 광을 반사한다. 기판 본체(106)의 재료는 세라믹 또는 수지가 될 수 있다. 수지는 발광 소자(102)로부터 방출된 광에 함유된 자외선에 의해 열화된다는 문제점을 가지므로, 기판 본체(106)의 재료로서는 세라믹이 바람직하다. 세라믹이 기판 본체(106)의 재료로서 사용되는 경우, 수용부(109)는 세라믹 기판을 카운터싱크(countersink)(스크랩(scrap))함으로써 형성된다.
배선 패턴(107)이 관통홀(111)을 충전하도록 배치되어 관통홀(111)을 통하여 기판 본체(106)의 하면(106a)에 도달한다. 발광 소자(102)는 범프(112)를 통하여 배선 패턴(107)에 플립 칩 접속(flip-chip connect)된다.
형광체 함유 수지(103)는 발광 소자(102)를 덮도록 배치된다. 형광체 함유 수지(103)로 덮인 발광 소자(102)를 밀봉하도록 밀봉 수지(104)가 수용부(109) 상에 배치된다(예를 들면, 특허참조문헌 1 참조).
[특허참조문헌 1] JP-A-2005-311314
그러나, 종래의 발광 장치(100)는 세라믹 기판을 카운터싱크(스크랩)함으로써 수용부(109)를 형성하기 때문에, 수용부(109)의 측면(109A)의 충분한 평탄도를 얻을 수 없으므로 발광 소자(102)에 의해 방출된 광을 수용부(109)의 측면(109A)을 사용하여 효율적으로 반사시키기가 어렵다. 이 때문에 발광 장치(100)의 광효율이 감소되는 문제가 야기된다.
종래의 발광 장치(100)는 기판(101)상에 형성된 수용부(109)를 갖는다. 예를 들면, 수용부(109)의 측면(109A)의 경사 각도(θ1)를 변경하기 위해 전체 기판(101)을 다른 기판으로 교환해야만 하므로, 발광 장치(100)의 비용이 증가하게 된다.
본 발명의 형태에 따르면,
발광 소자,
상기 발광 소자가 배치된 기판, 및
상기 발광 소자를 수용하는 수용부를 포함하는 상기 기판상에 설치된 금속 프레임을 구비하는 발광 장치로서,
상기 수용부는 상기 기판으로부터 상향으로 경사지는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치가 제공된다.
본 발명에 따르면, 기판으로부터 상향으로 경사지는 형상을 갖는 금속 프레 임과 기판을 분리 형성함으로써, 거의 거울과 같은 면으로 이루어진 수용부의 면(반사경으로서 기능하는 면)을 갖는 금속 프레임을 기판상에 형성할 수 있다. 이를 통해 발광 장치의 발광 효율이 향상된다.
금속 프레임과 기판을 분리 형성함으로써, 상기 기판상에서 금속 프레임을 다른 프레임으로 교환할 수 있다. 이를 통해, 반사경으로서 기능하는 수용부의 면의 경사 각도를 용이하게 변경할 수 있다.
상기 발광 장치에서, 상기 기판은 금속 프레임의 적어도 일부가 삽입되는 금속 프레임 삽입부를 포함하고,
금속 프레임의 외부 형상을 변형가능하게 하는 절단부가 금속 프레임 상에 설치되는 것이 바람직하다.
상기 발광 장치는,
발광 소자를 둘러싸는 수용부의 면에 설치되어, 발광 소자로부터 방출된 광을 반사하는 반사 부재를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 형태에 따르면,
발광 소자, 발광 소자가 배치된 기판을 포함하는 발광 장치가 제공되는데,
발광 소자를 수용하는 수용부 및 발광 소자로부터 방출된 광을 통과시키는 관통홀을 포함하는 금속 덮개가 기판상에 설치된다.
본 발명에 따르면, 발광 소자를 수용하는 수용부, 발광 소자로부터 방출된 광을 통과시키는 관통홀을 포함하는 금속 덮개, 및 기판을 분리 형성함으로써, 거의 거울과 같은 면으로 이루어진 수용부의 면(반사경으로서 기능하는 면)을 갖는 금속 덮개를 기판상에 설치할 수 있다. 이를 통해, 발광 장치의 발광 효율이 향상된다.
금속 덮개 및 기판을 분리 형성함으로써, 기판상에서 금속 덮개를 다른 덮개로 교환할 수 있다. 이를 통해, 관통홀의 크기를 용이하게 변경할 수 있다.
상기 발광 장치는,
발광 소자를 둘러싸는 금속 덮개의 면에 설치되어, 발광 소자로부터 방출된 광을 반사하는 반사 부재를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 형태에 따르면, 발광 소자, 상기 발광 소자가 배치된 기판 및 상기 발광 소자를 수용하는 수용부를 포함하는 금속 프레임을 포함하며, 상기 수용부는 상기 기판상에 설치되고, 상기 기판으로부터 상향으로 경사지는 형상을 갖는 발광 장치의 제조 방법으로서,
상기 금속 프레임이 형성되는 복수의 금속 프레임 형성 영역을 포함하는 금속판을 준비하는 금속판 준비 단계, 및
프레스 가공에 의해, 상기 금속 프레임 형성 영역에 대응하는 금속판 상에 상기 수용부를 형성하는 수용부 형성 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 프레스 가공에 의해 금속판 상에 수용부를 형성함으로써, 반사경으로서 기능하는 수용부의 면을 거의 거울과 같은 면으로 하는 것이 가능하다. 이를 통해, 발광 장치의 발광 효율이 향상된다.
상기 발광 장치의 제조 방법은,
상기 수용부 형성 단계 후, 프레스 가공에 의해 상기 금속 프레임 형성 영역의 외부 형상 위치를 따라 상기 금속판을 절단하는 금속판 절단 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 발광 장치의 제조 방법은,
상기 수용부 형성 단계 및 상기 금속판 절단 단계 사이에 상기 발광 소자를 둘러싼 상기 수용부의 면에 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 반사하는 반사 부재를 형성하는 반사 부재 형성 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 형태에 따르면,
발광 소자, 상기 발광 소자가 배치된 기판 및 상기 발광 소자를 수용하는 수용부를 포함하는 금속 프레임을 포함하며, 상기 수용부는 상기 기판으로부터 상향으로 경사지는 형상을 갖고, 상기 기판은 상기 금속 프레임의 적어도 일부가 삽입되는 금속 프레임 삽입부를 포함하는 발광 장치의 제조 방법으로서,
상기 금속 프레임이 형성되는 복수의 금속 프레임 형성 영역을 포함하는 금속판을 준비하는 금속판 준비 단계,
프레스 가공에 의해, 상기 금속 프레임 형성 영역에 대응하는 상기 금속판 상에 상기 수용부를 형성하는 수용부 형성 단계, 및
상기 금속판 상에 상기 금속 프레임의 외부 형상을 변형가능하게 하는 절단부를 형성하는 절단부 형성 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 프레스 가공에 의해 금속판 상에 수용부를 형성함으로써, 반사경으로서 기능하는 수용부의 면을 거의 거울과 같은 면으로 하는 것이 가능하다. 이를 통해 발광 장치의 발광 효율이 향상된다.
금속 프레임의 외부 형상을 변형가능하게 하는 절단부를 금속 프레임 상에 형성함으로써 접착제를 사용하지 않고도 기판의 금속 프레임 삽입부에 금속 프레임을 탑재할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 발광 소자, 상기 발광 소자가 배치된 기판, 상기 발광 소자를 수용하는 상기 기판상에 배치되는 수용부 및 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 통과시키는 관통홀을 포함하는 금속 덮개를 포함하는 발광 장치의 제조 방법으로서,
상기 금속 덮개가 형성되는 복수의 금속 프레임 형성 영역을 포함하는 금속판을 준비하는 금속판 준비 단계,
프레스 가공에 의해, 상기 금속 프레임 형성 영역에 대응하는 금속판 상에 상기 수용부를 형성하는 수용부 형성 단계, 및
프레스 가공에 의해, 상기 수용부가 형성되는 위치에 대응하는 상기 금속판에 관통홀을 형성하는 관통홀 형성 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 프레스 가공에 의해 금속판 상에 수용부를 형성함으로써, 반사경으로서 기능하는 수용부의 면을 거의 거울과 같은 면으로 하는 것이 가능하다. 이를 통해, 발광 장치의 발광 효율이 향상된다.
본 발명에 따르면, 발광 장치의 발광 효율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 반사경 기능을 갖는 수용부의 형상을 용이하게 변경할 수 있다.
도면을 기초로 하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
(제 1 실시예)
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치의 단면도이다. 도 2에 나타낸 θ2는 금속 프레임(15)의 하면(15A)에 대한 수용부(28)의 측면(28A)의 경사 각도를 나타낸다(이하, "경사 각도(θ2)"로 지칭).
도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치(10)는 기판(11), 발광 소자(12), 형광체 함유 수지(13), 금속 프레임(15) 및 밀봉 수지(16)를 포함한다.
기판(11)은 기판 본체(18) 및 배선 패턴(19)을 포함한다. 기판 본체(18)는 판 형상을 가지며 복수의 관통홀(21)을 포함한다. 관통홀(21)은 비어(22)를 배치하기 위한 것이다. 기판 본체(18)의 재료는, 예를 들면 수지, 세라믹, 유리 또는 실리콘이 될 수 있다. 실리콘이 기판 본체(18)의 재료로 사용되는 경우, 절연층(도시 생략)은 기판 본체(18) 및 배선 패턴(19) 사이에 설치된다.
배선 패턴(19)은 비어(22) 및 배선(23)을 포함한다. 각각의 비어(22)는 관통홀(21)에 설치된다. 비어(22)의 상단은 범프(26)를 통하여 발광 소자(12)의 전극(25)에 전기적으로 접속된다. 비어(22)의 하단은 배선(23)에 접속된다. 비어(22)의 재료는 도전 금속이 될 수 있다. 비어(22)의 재료로서의 도전 금속은 예를 들면 구리(Cu)가 될 수 있다.
배선(23)은 기판 본체(18)의 하면(18A) 상에 설치된다. 배선(23)은 비어 (22)의 하단에 접속된다. 배선(23)은 비어(22)와 범프(26)를 통하여 발광 소자(12)에 전기적으로 접속된다. 배선(23)은 발광 장치(10)의 외부 접속 단자로서 기능한다. 배선(23)의 재료는 도전 금속이 될 수 있다. 배선(23)을 위한 재료로서의 도전 금속은 예를 들면 기판 본체(18)의 하면(18A) 상에 순차적으로 적층되는, 구리층, 니켈(Ni)층 및 금(Au)층을 포함하는 Cu/Ni/Au층막이 될 수 있다.
발광 소자(12)는 광을 방출하는 소자이며 전극(25)을 포함한다. 발광 소자(12)의 전극(25)은 범프(26)를 통하여 비어(22)에 전기적으로 접속된다. 발광 소자(12)는 비어(22)에 플립 칩 접속된다. 발광 장치(10)가 백색광을 방출하는 경우, 예를 들면 청색광을 방출하는 발광 다이오드(LED) 소자가 발광 소자(12)로서 사용될 수 있다.
발광 소자(12)를 덮도록, 형광체 함유 수지(13)가 설치된다. 형광체 함유 수지(13)는 형광체 입자가 혼합되어 있는 투명 수지이다. 투명 수지는 예를 들면 실리콘 수지가 될 수 있다.
투명 수지로서 실리콘 수지를 사용함으로써, 발광 소자(12)로부터 방출된 광에 함유된 자외선이 형광체 함유 수지(13)를 통과할 때, 형광체 함유 수지(13)의 열화를 억제할 수 있다.
발광 장치(10)가 백색광을 방출하는 경우, 예를 들면 황색광을 방출하는 형광체 입자가 형광체 함유 수지 내의 형광체 입자로서 사용될 수 있다. 예를 들면, YAG 형광체가 황색광을 방출하는 형광체로서 사용될 수 있다.
도 3은 도 2에 나타낸 금속 프레임의 평면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하여 금속 프레임(15)을 설명한다. 금속 프레임(15)은 접착제(도시 생략)를 통하여 기판(11)에 고정된다. 금속 프레임(15) 및 기판(11)은 분리 형성된다. 금속 프레임(15)은 발광 소자(12)를 둘러싼 프레임 형상을 가지며 수용부(28)를 포함한다. 수용부(28)는 기판(11)으로부터 상향으로 경사지는 형상을 갖는다. 수용부(28)의 하단은 사각형 형상을 가지며 수용부(28)의 상단은 수용부(28)의 하단보다 더 큰 사각형이다. 수용부(28)는 발광 소자(12)를 수용하기 위한 것이다.
수용부(28)는 발광 소자(12)를 둘러싼 측면(28A)을 포함한다. 수용부(28)의 측면(28A)은 금속 프레임(15)의 하면(15A)에 대한 경사 각도(θ2)를 형성하는 경사면이다. 수용부(28)의 측면(28A)은 발광 소자(12)로부터 방출하는 광을 반사하는 반사경으로서 기능한다. 경사 각도(θ2)는 광이 원하는 방향으로 반사될 수 있는 각도이다. 경사 각도(θ2)는 예를 들면 45 내지 55도의 범위로 설정될 수 있다. 수용부(28)는 예를 들면 금속판의 프레스 가공을 통하여 형성될 수 있다.
예를 들면, Cu, Fe, Au, Ag, Al, Ni, Pd 및 Pt 중 한 종류 이상의 금속이 금속 프레임(15)의 재료로서 사용될 수 있다. 특히, Cu 합금 또는 Fe-Ni 합금이 금속 프레임(15)의 재료로서 바람직하다. 발광 소자(12)의 두께가 80㎛인 경우, 금속 프레임(15)의 두께(M1)는 예를 들면 120㎛가 될 수 있다.
상기한 바와 같이, 금속 프레임(15) 및 기판(11)을 분리 형성함으로써, 거의 거울과 같은 면으로 이루어진 수용부(28)의 측면(28A)(반사경으로서 기능하는 면)을 포함하는 금속 프레임(15)이 기판(11)상에 설치될 수 있다. 이를 통해, 발광 장치(10)의 발광 효율이 향상된다.
금속 프레임(15) 및 기판(11)을 분리 형성함으로써, 금속 프레임(15)은 기판(11)상에 다른 금속 프레임으로 교환될 수 있다. 이를 통해, 수용부(28)의 측면(28A)의 경사 각도(θ2)를 용이하게 변경할 수 있다.
기판(11)상의 금속 프레임(15)이 다른 금속 프레임으로 교환되는 경우, 기판(11)의 구성을 변경할 필요는 없다. 이것은 기판상에 배치된 수용부(109)를 갖는 기판(101)을 포함하는 종래의 발광 장치(100)와 비교할 때, 발광 장치(10)의 비용이 절감된다.
도 2를 참조하여 밀봉 수지(16)를 설명한다. 밀봉 수지(16)는 형광체 함유 수지(13)를 덮도록 수용부(28) 상에 형성된다. 밀봉 수지(16)는 형광체 함유 수지(13)로 덮인 발광 소자(12)를 밀봉하기 위한 것이다. 예를 들면, 실리콘 수지가 밀봉 수지(16)로서 사용될 수 있다.
이 실시예의 발광 장치에 따르면, 금속 프레임(15) 및 기판(11)을 분리 형성함으로써, 거의 거울과 같은 면으로 이루어진 수용부(28)의 측면(28A)(반사경으로서 기능하는 면)을 포함하는 금속 프레임(15)을 기판(11)상에 형성할 수 있다. 이를 통해, 발광 장치(10)의 발광 효율이 향상된다.
금속 프레임(15) 및 기판(11)을 분리 형성함으로써, 금속 프레임(15)은 기판(11)상에 다른 금속 프레임으로 교환될 수 있다. 이를 통해, 반사경으로서 기능하는 수용부(28)의 면(28A)의 경사 각도(θ2)를 용이하게 변경할 수 있다.
밀봉 수지(16)가 이 실시예의 발광 장치(10)상에 설치되지만, 이 실시예는 밀봉 수지(16)를 포함하지 않는 발광 장치에 적용될 수 있다.
도 4는 이 실시예의 발광 장치에 적용될 수 있는 다른 금속 프레임의 평면도이다.
도 4를 참조하면, 금속 프레임(30)은 발광 소자(12)를 수용하는 수용부(31)를 포함한다. 수용부(31)는 수용부(31)의 하단으로부터 상향으로 경사지는 형상을 갖는다. 수용부(31)의 하단은 원형으로 형성되고 수용부(31)의 상단은 사각형으로 형성된다. 수용부(31)의 측면(31A, 31B)은 발광 소자(12)를 둘러싸도록 설계된다. 수용부(31)의 측면(31A, 31B)은 거의 거울과 같은 면으로 형성된다. 수용부(31)의 측면(31A, 31B)은 금속 프레임(30)의 하면에 대하여 소정의 각도를 갖는 경사면이다. 소정의 각도는 상기한 수용부(28)의 측면(28A)의 경사 각도(θ2)와 대략 동일한 각도로 설정될 수 있다(도 2 참조). 수용부(31)의 측면(31A, 31B)의 각각은 발광 소자(12)로부터 방출된 광을 반사하는 반사경으로서 기능한다.
이렇게 구성된 금속 프레임(30)은 금속 프레임(15) 대신에 기판(11)상에 설치될 수 있다. 기판(11)상에 배치된 금속 프레임(30)을 갖는 기판(11)을 포함하는 발광 장치는 제 1 실시예의 발광 장치(10)와 동일한 이점을 갖는다.
기판(11)상에 배치된 금속 프레임은 그 측면이 거의 거울과 같은 면으로 형성되어 반사경으로서 기능하는 수용부를 포함하고, 도 3 및 도 4에 나타낸 금속 프레임(15, 30)의 형상으로 제한되는 것은 아니다.
도 5a 내지 도 5i는 본 발명의 제 1 실시예에 다른 발광 장치를 제조하는 단계를 나타낸다. 도 5a 내지 도 5i에서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치 (10)의 구성성분과 동일한 구성성분에는 동일한 부호를 붙인다. 도 5d 내지 도 5f에 나타낸 부호 A는 금속 프레임(15)이 형성되는 금속판(35)의 영역을 나타낸다(이하, "금속 프레임 형성 영역(A)"으로 지칭).
도 6a는 도 5d에 나타낸 금속판의 평면도이다. 도 6b는 도 5e에 나타낸 복수의 오목부를 포함하는 금속판의 평면도이다. 도 6c는 도 5f에 나타낸 금속판상에 형성된 복수의 수용부를 포함하는 금속판의 평면도이다.
도 5a 내지 도 6c를 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치(10)를 제조하는 방법을 설명한다.
먼저, 도 5a에 나타낸 단계는 공지 기술에 의해 비어(22) 및 배선(23)으로 구성된 복수의 관통홀(21) 및 배선(19)을 포함하는 기판 본체(18)를 포함하는 기판(11)을 형성한다.
더 상세하게는, 기판 본체(18)의 재료가 실리콘인 경우, 복수의 관통홀(21)은 건식 에칭에 의해 기판 본체(18)에 형성되고, 절연층(도시 생략)은 (관통홀(21)의 내벽을 포함하는) 기판 본체(18)의 면에 형성된다. 다음으로, 금속박(도시 생략)이 기판 본체(18)의 하면(18A)에 도포되고, 금속박을 급전층으로서 사용한 전해 도금법에 의해 Cu막과 같은 도전 금속막이 증착되어 복수의 관통홀(21)의 내면에 성장된다. Cu층, Ni층 및 Au층이 기판 본체(18)의 하면(18A)에 순차적으로 적층되어, 스퍼터링법에 의해 Cu/Ni/Au 다층막을 형성한다. Cu/Ni/Au 다층막의 불필요한 부분을 제거하여 배선(23)을 형성한다.
도 5b에 나타낸 단계는 발광 소자(12)를 비어(22)에 플립 칩 접속한다. 더 상세하게는, 범프(26)는 비어(22)의 상단 상에 형성되고 발광 소자(12)의 전극(25)이 용융 상태에서 범프(26)에 대향하여 프레스 가공되어, 발광 소자(12)를 비어(22)에 플립 칩 접속한다. 발광 장치(10)가 백색광을 방출하는 경우, 예를 들면 청색광을 방출하는 발광 다이오드(LED) 소자가 발광 소자(12)로서 사용될 수 있다.
다음으로, 도 5c에 나타낸 단계는 발광 소자(12)를 덮도록 형광체 함유 수지(13)를 형성한다. 형광체 함유 수지(13)는 잉크젯법을 통하여 형성될 수 있다. 형광체 함유 수지(13)는 형광체 입자가 혼합된 투명 수지이다. 예를 들면, 실리콘 수지가 투명 수지로서 사용될 수 있다. 발광 장치(10)가 백색광을 방출하는 경우, 예를 들면 황색광을 방출하는 형광체 입자가 형광체 함유 수지(13) 내에서 형광체 입자로서 사용될 수 있다. 예를 들면, YAG 형광체가 황색광을 방출하는 형광체로서 사용될 수 있다.
도 5d에 나타낸 단계는 복수의 금속 프레임 형성 영역(A)(도 6 참조)을 포함하는 금속판(35)을 준비한다(금속판 준비 단계). 예를 들면, Cu, Fe, Au, Ag, Al, Ni, Pd 및 Pt 중 한 종류 이상의 금속이 금속판(35)의 재료로서 사용될 수 있다. 특히, Cu 합금 또는 Fe-Ni 합금이 금속판(35)의 재료로서 바람직하다. 금속 프레임(15)의 두께(M1)와 대략 동일하도록 금속판(35)의 두께(M2)가 설정된다. 더 정확하게는, 발광 소자(12)가 80㎛ 두께인 경우, 금속판(35)의 두께(M2)는 예를 들면 120㎛이다.
다음으로, 도 5e에 나타낸 단계는 판으로 이루어진 하부 금형(die)(36) 및 복수의 돌출부를 포함하는 상부 금형(37)을 사용함으로써 금속판(35)을 프레스 가 공하여, 금속 프레임 형성 영역(A)에 대응하는 금속판 상의 거의 거울과 같은 면으로 형성된 측면(28A)을 포함하는 오목부(39)를 형성한다(도 6b 참조). 돌출부(38)는 수용부(28)의 형상에 대응한다. 돌출부(38)의 면(38A)은 경사면이다. 상부 금형(37)의 면(37A)에 대한 돌출부(38)의 면(38A)의 경사 각도(θ3)가 오목부(39)의 면(28A)(수용부(28)의 측면)의 경사 각도(θ2)와 대략 동일하도록 설정된다. 경사 각도(θ3)는 예를 들면 45 내지 55도의 범위 내로 설정될 수 있다. 오목부(39)의 하면에 위치된 불필요한 금속막부(35b)가 도 5f에 나타낸 단계에서 펀칭되는 경우, 오목부(39)가 수용부(28)에 만들어진다.
이렇게, 하부 금형(36) 및 상부 금형(37)을 사용하는 프레스 가공에 의해, 거의 거울과 같은 면으로 이루어진 수용부(28)의 측면(28A)이 금속 프레임 형성 영역(A)에 대응하여 금속판(35) 상에 형성된다.
다음으로, 도 5f에 나타낸 단계는, 상부 금형(42)의 몇몇의 돌출부(43)가 삽입되는 개구부(41A)를 포함하는 하부 금형(41) 및 복수의 돌출부(43)를 포함하는 상부 금형(42)을 사용하면서, 불필요한 금속판부(35b)를 펀칭하여 금속판부(35)를 프레스 가공함으로써 금속판(35)의 금속 프레임 형성 영역(A)에 수용부(28)를 형성한다(수용부 형성 단계). 돌출부(43)는 수용부(28) 및 개구부(41A)의 형상에 대응한다. 이 수용부 형성 단계에 의해, 금속 프레임(15)에 대응하는 구조체는 금속판(35)의 금속 프레임 형성 영역(A)에 형성된다(도 6c 참조).
이러한 방식으로, 금속판(35)을 프레스 가공하여 수용부(28)를 형성함으로써, 반사경으로서 기능하는 수용부(28)의 측면(28A)을 거의 거울과 같은 면으로 하 는 것이 가능하다. 이를 통해, 발광 장치(10)의 발광 효율이 향상된다.
2단계의 프레스 가공을 통하여 수용부(28)를 형성함으로써, 단일 단계의 프레스 가공을 통하여 수용부(28)가 형성되는 경우와 비교할 때, 수용부(28)의 측면(28A)의 평탄도를 향상시킬 수 있다.
도 5g에 나타낸 단계는, 상부 금형(46)의 몇몇의 돌출부(47)가 삽입되는 개구부(45a)를 포함하는 하부 금형(45) 및 개구부(45a)의 형상에 대응하는 복수의 돌출부(47)를 포함하는 상부 금형(46)을 사용하면서, 금속판(35)을 프레스 가공함으로써 (금속 프레임(15)에 대응하는 구조체가 형성되는) 금속 프레임 형성 영역(A)에 대응하는 금속판부(35)의 일부를 절단한다. 이를 통해, 금속 프레임(15)을 개편화(個片化)하여 복수의 금속 프레임(15)이 제조된다.
이러한 방식으로, 프레스 가공에 의해 금속 프레임 형성 영역(A)에 대응하는 금속판(35)을 절단하여 복수의 금속 프레임(15)을 제조함으로써, 수용부(28)를 형성하고 동일한 프레스 가공 머신 도구 상에서 금속 프레임(15)을 개편화할 수 있다. 이를 통해, 다이서(dicer)의 사용과 같은 프레스 가공 이외의 방법이 채용되어 금속 프레임(15)을 절단하여 금속 프레임(15)을 개편화하는 경우와 비교할 때, 금속 프레임(15)의 제조 비용이 절감된다.
다음으로, 도 5h에 나타낸 단계는 도 5c에 나타낸 구조체 상에 금속 프레임(15)을 고정하기 위해 접착제(도시 생략)를 사용한다. 도 5i에 나타낸 단계는 밀봉 수지(16)로 수용부(28)를 충전하여 형광체 함유 수지(13)로 덮인 발광 소자(12)를 밀봉한다. 이를 통해, 발광 장치(10)가 생산된다. 예를 들면, 실리콘 수지가 밀봉 수지(16)로서 사용될 수 있다.
이 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 방법에 따르면, 금속판(35)을 프레스 가공하여 수용부(28)를 형성함으로써 반사경으로서 기능하는 수용부(28)의 측면(28A)을 거의 거울과 같은 면으로 하는 것이 가능하다. 이를 통해, 발광 장치(10)의 발광 효율이 향상된다.
다이서의 사용과 같은 프레스 가공 이외의 방법을 채용하여 금속 프레임(15)을 절단하여 개편화하는 경우와 비교할 때, 프레스 가공에 의해 수용부(28)을 형성하고 금속 프레임(15)을 개편화함으로써, 발광 장치(10)의 제조 비용(금속 프레임(15)의 제조 비용)을 절감할 수 있다.
이 실시예에 따른 발광 장치(10)를 제조하는 방법에서, 발광 소자(12)가 기판(11)상에 탑재되고 발광 소자(12)가 형광체 함유 수지(13)로 덮이고 금속 프레임(15)이 기판(11)에 고정되고 형광체 함유 수지(13)로 덮이는 발광 소자(12)가 밀봉 수지(16)로 밀봉되는 경우를 설명했지만, 금속 프레임(15)이 기판(11)에 고정되고, 발광 소자(12)가 기판(11)상에 탑재되고, 발광 소자(12)가 형광체 함유 수지(13)로 덮이고, 형광체 함유 수지(13)로 덮인 발광 소자(12)가 밀봉 수지(16)로 밀봉되는 다른 공정의 이용도 가능하다.
(제 2 실시예)
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 장치의 단면도이다. 도 7에서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치(10)의 구성성분과 동일한 구성성분에는 동일한 부호를 붙인다.
도 7을 참조하면, 제 2 실시예에 따른 발광 장치(50)는, 반사 부재(51)가 제 1 실시예에 따른 발광 장치(10)의 구성에 부가된다는 점을 제외하고는, 발광 장치(10)와 동일하다.
반사 부재(51)는 수용부(28)의 측면(28A)을 덮도록 설치된다. 반사 부재(51)는 발광 소자(12)에 의해 방출된 광을 효율적으로 반사하기 위한 것이다. 반사 부재(51)로서, 예를 들면 금속 입자가 분산된 용매를 포함하는 금속막 또는 도체 페이스트가 사용될 수 있다. 금속막의 재료로서, 예를 들면 Au, Ag, Al, Ni, Pd 및 Pt 중 적어도 하나의 금속이 사용될 수 있다. 도금법, 진공 증착법, 스퍼터링법 등에 의해 금속막이 형성될 수 있다.
도체 페이스트에서의 용매는, 예를 들면 글리세린 함유 또는 미함유한 물 또는 유기 용매가 될 수 있다. 유기 용매로서, 예를 들면 알코올, 에테르, 크실렌, 또는 톨루엔이 사용될 수 있다. 도체 페이스트에서의 금속 입자는 Au, Ag, Al, Ni, Pd, 및 Pt와 같은 금속 중 적어도 하나를 포함하는 입자가 될 수 있다. 도체 페이스트는 분사 코팅법, 잉크젯법, 또는 디스펜싱법(dispensing method)에 의해 형성될 수 있다.
이 실시예에 따른 발광 장치를 사용하면, 수용부(28)의 측면(28A)에 반사 부재를 설치함으로써, 발광 소자(12)로부터 방출된 광을 효율적으로 반사할 수 있다. 이를 통해, 발광 장치(50)의 발광 효율이 향상된다.
제 2 실시예에 따른 발광 장치(50)는, 반사 부재(51)를 형성하는 반사 부재 형성 단계가 도 5f에 나타낸 단계(수용부 형성 단계)와 도 5g에 나타낸 단계 사이 에 제공된다는 점을 제외하고는, 제 1 실시예에 따른 발광 장치(10)에 대한 공정과 동일한 공정으로 제조될 수 있다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 단계를 나타낸다. 도 8에서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치(10)의 구성성분과 동일한 구성성분에는 동일한 부호를 붙인다. 도 8에 나타낸 예에서, 반사 부재(51)는 도금법에 의해 형성된다.
도 8을 참조하여 반사 부재 형성 단계를 설명한다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 복수의 수용부(28)가 형성되는 금속판(35)을 급전층으로서 사용하는 전해 도금법에 의해 금속막이 증착되어 (수용부(28)의 측면(28A)을 포함하는) 금속판(35)의 면에 성장된다. 이를 통해, 반사 부재(51)가 형성된다.
이러한 방식으로, 금속판(35) 상에 설치된 복수의 수용부(28)의 측면(28A) 상에 반사 부재(51)를 동시에 형성함으로써, 반사 부재(51)가 각각의 금속 프레임(15)의 측면(28A) 상에 개편화되는 경우와 비교할 때, 발광 장치(50)의 생산성이 향상된다.
반사 부재(51)로서의 금속막 공정은 진공 증착법 또는 스퍼터링법과 같은 도금법 이외의 방법에 의해 형성될 수 있다. 잉크젯법 또는 디스펜싱법에 의해 복수의 수용부(28)의 각 측면(28A) 상에 상기한 도체 페이스트가 반사 부재(51)로서 형성될 수 있다.
반사 부재 형성 단계 후, 도 5g 내지 도 5i에 나타낸 단계와 동일한 단계를 이행함으로써 복수의 발광 장치(50)가 제조된다.
이 실시예의 발광 장치를 제조하는 방법에 따르면, 금속판(35) 상에 설치된 복수의 수용부(28)의 측면(28A) 상에 반사 부재(51)를 동시에 형성함으로써, 반사 부재(51)가 개편(個片)으로서 각각의 금속 프레임(15)의 측면(28A) 상에 형성되는 경우와 비교할 때, 발광 장치(50)의 생산성을 향상시킬 수 있다.
반사 부재(51)를 포함하는 금속 프레임(15)을 기판(11)에 고정하고, 발광 소자(12)를 기판(11)상에 탑재하고, 형광체 함유 수지(13)로 발광 소자(12)를 덮고, 밀봉 수지(16)를 사용함으로써 형광체 함유 수지(13)로 덮인 발광 소자(12)를 밀봉함으로써, 이 실시예에 따른 발광 장치(50)가 제조될 수 있다.
(제 3 실시예)
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 장치의 단면도이다. 도 10은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 장치의 평면도이다. 도 9 및 도 10에서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치(10)의 구성성분과 동일한 구성성분에는 동일한 부호를 붙인다. 도 9에서, θ4는 금속 프레임(62)의 하면(62A)에 대한 수용부(65)의 측면(65a)의 경사 각도를 나타낸다(이하, "경사 각도(θ4)"로 지칭). θ5는 금속 프레임(62)의 하면(62A)에 대한 수용부(65)의 측면(65b)의 경사 각도를 나타낸다(이하, "경사 각도(θ5)"로 지칭).
도 9 및 도 10을 참조하면, 제 3 실시예에 따른 발광 장치(60)는, 제 1 실시예에 따른 발광 장치(10)에 설치된 기판(11) 및 금속 프레임(15) 대신에 기판(61) 및 금속 프레임(62)이 설치된다는 점을 제외하고는, 발광 장치(10)와 동일하다.
기판(61)은 비어(22) 및 배선(23)을 포함하는 기판 본체(63) 및 배선 패턴 (19)을 포함한다. 기판 본체(63)는 복수의 관통홀(21) 및 금속 프레임 삽입부(64)를 포함한다. 금속 프레임 삽입부(64)는 금속 프레임(62)이 삽입된 오목부이다. 금속 프레임 삽입부(64)는 하면(62A)과 접촉된다. 금속 프레임 삽입부(64)의 외주면(62B)의 깊이(D1)는 금속 프레임(62)의 두께(M3)와 대략 동일하다. 기판 본체(63)의 재료는 예를 들면 수지, 세라믹, 유리, 또는 실리콘이 될 수 있다. 실리콘이 기판 본체(63)의 재료로서 사용되는 경우, 절연층(도시 생략)은 기판 본체(63) 및 배선 패턴(19) 사이에 설치된다.
도 11은 금속 프레임의 평면도이다.
도 9 및 도 11을 참조하면, 금속 프레임(62)은 기판(61)으로부터 분리 형성되어 기판(61)상에 형성된 금속 프레임 수용부(64)에 설치된다. 금속 프레임(62)은 발광 소자(12)를 둘러싼 프레임 형상을 가지며 수용부(65) 및 절단부(66)를 포함한다.
수용부(65)는 기판(61)으로부터 상향으로 경사지는 형상을 갖는다. 수용부(65)는 발광 소자(12)를 수용하기 위한 것이다. 수용부(65)의 하단은 사각형의 형상이고 수용부(65)의 상단은 수용부(65)의 하단보다 더 큰 사각형이다.
수용부(65)의 측면(65a, 65b)은 발광 소자(12)를 둘러싸도록 설치된다. 수용부(65)의 측면(65a, 65b)은 경면 처리(mirror-polished)된다. 수용부(65)의 측면(65a)은 금속 프레임(62)의 하면(62A)에 대한 경사 각도(θ4)를 형성하는 경사면이다. 수용부(65)의 측면(65b)은 금속 프레임(62)의 하면(62A)에 대한 경사 각도(θ5)를 형성하는 경사면이다. 경사 각도(θ5)는 경사 각도(θ4)와 대략 동일하다. 수용부(65)의 측면(65a, 65b)은 발광 소자(12)로부터 방출된 광을 반사하는 반사경으로서 기능한다.
경사 각도(θ4, θ5)는 원하는 방향으로 광이 반사될 수 있는 각도이다. 경사 각도(θ4, θ5)는 예를 들면 45 내지 55도의 범위 내로 설정될 수 있다. 수용부(65)는 예를 들면 금속판의 프레스 가공을 통하여 형성될 수 있다.
예를 들면, Cu, Fe, Au, Ag, Al, Ni, Pd 및 Pt 중 한 종류 이상의 금속이 금속 프레임(62)의 재료로서 사용될 수 있다. 특히, Cu 합금 또는 Fe-Ni 합금이 금속 프레임(62)의 재료로서 바람직하다. 발광 소자(12)의 두께가 80㎛인 경우, 금속 프레임(62)의 두께(M3)는 예를 들면 120㎛가 될 수 있다.
상기한 바와 같이, 금속 프레임(62) 및 기판(61)을 분리 형성함으로써, 기판(61)의 금속 프레임 삽입부(64)에 수용부(65)의 측면(65a, 65b)(반사경으로서 기능하는 면)을 포함하는 금속 프레임(62)을 거의 거울과 같은 면으로 설치할 수 있다. 이를 통해, 발광 장치(60)의 발광 효율이 향상된다.
금속 프레임(62) 및 기판(61)을 분리 형성함으로써, 기판(61)상에 금속 프레임(62)이 다른 금속 프레임으로 교환될 수 있다. 이를 통해, 수용부(65)의 측면(65a, 65b)의 경사 각도(θ4, θ5)를 용이하게 변경할 수 있다.
금속 프레임(62)이 다른 금속 프레임으로 교환되는 경우, 기판(61)의 구성을 변경할 필요는 없다. 이를 통해, 기판(101)상에 배치된 수용부(109)를 갖는 기판(101)을 포함하는 종래의 발광 장치(100)와 비교할 때, 발광 장치(60)의 비용을 절감할 수 있다.
절단부(66)는 수용부(65)의 두 측면(65b) 사이에 위치된 금속 프레임(62)을 절단하도록 설치된다. 이렇게 금속 프레임(62)은 갭(gap)부를 포함하는 프레임의 형상을 갖는다. 금속 프레임 삽입부(64)에 삽입된 금속 프레임(62)의 절단부(66)는 밀봉 수지(16)로 충전된다. 절단부(66)의 폭(W1)은 예를 들면 0.1㎜가 될 수 있다.
금속 프레임(62) 상에 이러한 절단부(66)를 설치함으로써, C1 및 C2 방향으로 금속 프레임(62)의 코너부(corner part)(62D, 62E)를 프레스 가공하여 금속 프레임(62)의 외형을 변형시킬 수 있다. 이를 통해, 접착제를 사용하지 않고도 금속 프레임(62)이 금속 프레임 삽입부(64)에 장착될 수 있다.
이 실시예의 발광 장치에 따르면, 금속 프레임(62) 및 기판(61)을 분리 형성함으로써, 기판(61)의 금속 프레임 삽입부(64)에 거의 거울과 같은 면으로 이루어진 수용부(65)의 측면(65a, 65b)(반사경으로서 기능하는 면)을 포함하는 금속 프레임(62)을 설치할 수 있다. 이를 통해, 발광 장치(60)의 발광 효율이 향상된다.
금속 프레임(62) 및 기판(61)을 분리 형성함으로써, 기판(61)상에 금속 프레임(62)이 다른 금속 프레임으로 교환될 수 있다. 이를 통해, 수용부(65)의 측면(65a, 65b)의 경사 각도(θ4, θ5)를 용이하게 변경할 수 있다.
금속 프레임(62) 상에 절단부(66)를 설치함으로써, 금속 프레임(62)의 외부 형상을 변형시킬 수 있다. 이를 통해, 접착제를 사용하지 않고도 금속 프레임(62)이 금속 프레임 삽입부(64)에 장착될 수 있다. 금속 프레임(62)의 외주면(62B)은 금속 프레임(62)의 탄성력에 의해 금속 프레임 삽입부(64)에 대향하여 프레스 가공 된다. 이를 통해, 금속 프레임(62)이 기판 본체(63)의 금속 프레임 삽입부(64)에 장착된다.
이 실시예에 따른 발광 장치(60)는 수용부(65)의 측면(65a, 65b) 상에 제 2 실시예에서 설명된 반사 부재(51)를 포함할 수 있다.
도 12는 제 3 실시예의 변형예에 따른 발광 장치의 단면도이다. 도 12에서, 제 3 실시예에 따른 발광 장치(60)의 구성성분과 동일한 구성성분에는 동일한 부호를 붙인다.
도 12를 참조하면, 제 3 실시예의 변형예에 따른 발광 장치(70)는, 제 3 실시예의 발광 장치(60)에 설치된 기판(61) 대신에 기판(71)이 설치된다는 점을 제외하고는, 발광 장치(60)와 동일한 구성을 갖는다.
기판(71)은 비어(22) 및 배선(23)을 포함하는 배선 패턴(19) 및 기판 본체(72)를 포함한다. 기판 본체(72)는 복수의 관통홀(21) 및 금속 프레임 삽입부(73)를 포함한다. 금속 프레임 삽입부(73)는 금속 프레임(62) 중 적어도 일부를 삽입하는 오목부이다. 금속 프레임 삽입부(73)의 깊이(D2)는 금속 프레임(62)의 두께(M3)보다 더 작다(D2 < M3).
기판 본체(72)의 재료는 예를 들면 수지, 세라믹, 유리, 또는 실리콘이 될 수 있다. 실리콘이 기판 본체(72)의 재료로서 사용되는 경우, 절연층(도시 생략)은 기판 본체(72) 및 배선 패턴(19) 사이에 설치된다.
기판(71)상에 배치된 금속 프레임 삽입부(73)를 갖는 기판(71)을 포함하는 발광 장치(70)는 제 3 실시예의 발광 장치(60)의 이점과 동일한 이점을 갖는다. 발광 장치(70)에 적용가능한 금속 프레임은 단지 거의 거울과 같은 면으로 이루어진 수용부의 측면 및 단일 절단부를 포함하는 것을 필요로 할 뿐이고 금속 프레임(62)의 형상에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 후술하는 도 13에 나타낸 금속 프레임(75)이 적용가능하다.
도 13은 절단부를 포함하는 다른 금속 프레임의 평면도이다. 도 13에서, 도 4에 나타낸 금속 프레임(30)의 구성성분과 동일한 구성성분에는 동일한 부호를 붙인다.
도 13을 참조하면, 금속 프레임(75)은, 절단부(76)가 도 4에 나타낸 금속 프레임(30)에 부가된다는 점을 제외하고는, 금속 프레임(30)과 동일한 구성을 갖는다. 절단부(76)는 금속 프레임(75)의 일부분을 절단하도록 형성된다.
상기 구성의 금속 프레임(75)이 발광 장치(60, 70)에 배치된 금속 프레임(62) 대신에 설치되는 경우라 하더라도, 발광 장치(60, 70)의 이점과 동일한 이점을 얻을 수 있다.
제 2 실시예에서 설명된 반사 부재는 금속 프레임(75)의 수용부(31)의 측면(31A, 31B) 상에 설치될 수 있다.
제 3 실시예에 따른 발광 장치(60)는, 도 5f(수용부 형성 단계) 및 제 5g에 나타낸 단계 사이에 절단부(66)를 형성하는 절단부 형성 단계가 제공된다는 점을 제외하고는, 제 1 실시예에 따른 발광 장치(10)에 대한 공정과 동일한 공정으로 제조될 수 있다.
도 14는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 단계를 나타낸 다. 도 14 및 도 15에서, 제 3 실시예에 따른 발광 장치(60)의 구성성분과 동일한 구성성분에는 동일한 부호를 붙인다. 도 14 및 도 15에 나타낸 부호 E는 금속 프레임(62)이 형성되는 금속판(35)의 영역을 나타낸다(이하, "금속 프레임 형성 영역(E)"으로 지칭).
도 14를 참조하여 절단부 형성 단계를 설명한다.
도 14에 나타낸 바와 같이, 상부 금형(78)의 몇몇 돌출부(79)가 삽입되는 개구부(77A)를 포함하는 하부 금형(77) 및 절단부(66)의 형상에 대응하는 복수의 돌출부(79)를 포함하는 상부 금형(78)을 사용한 프레스 가공에 의해, 절단부(66)는 수용부(65)가 형성되는 금속판(35)의 금속 프레임 형성 영역(E)에 형성된다(도 15 참조). 이를 통해, 금속판(35)의 금속 프레임 형성 영역(E)에 금속 프레임(62)에 대응하는 구조체가 생성된다.
이러한 방식으로, 금속 프레임(62)의 외부 형상을 변형가능하게 하는 절단부(66)를 금속 프레임(62) 상에 형성함으로써, 접착제를 사용하지 않고도 기판(61)의 금속 프레임 삽입부(64)에 금속 프레임(62)이 장착될 수 있다.
수용부(65)를 형성하는 프레스 가공 및 절단부(66)를 형성하는 프레스 가공을 분리 이행함으로써, 수용부(65) 및 절단부(66)가 프레스 가공의 단일 처리에서 형성되는 경우와 비교할 때, 수용부(65)의 측면(65a, 65b)의 평탄도를 향상시킬 수 있다.
절단 부재 형성 단계 후, 제 1 실시예에서 설명된 도 5g 내지 도 5i에 나타낸 단계와 동일한 단계를 이행함으로써 복수의 발광 장치(60)가 제조된다.
이 실시예의 발광 장치를 제조하는 방법에 따르면, 프레스 가공에 의해 금속판(35) 상에 수용부(65)를 형성함으로써 반사경으로서 기능하는 수용부(65)의 측면(65a, 65b)을 거의 거울과 같은 면으로 하는 것이 가능하다. 이를 통해, 발광 장치(60)의 발광 효율이 향상된다.
금속 프레임(62) 상에 금속 프레임(62)의 외부 형상을 변형가능하게 하는 절단부(66)를 형성함으로써, 접착제를 사용하지 않고도 기판(61)의 금속 프레임 삽입부(64)에 금속 프레임(62)이 장착될 수 있다.
수용부(65)를 형성하는 프레스 가공 및 절단부(66)를 형성하는 프레스 가공을 분리 형성함으로써, 수용부(65)의 측면(65a, 65b)의 평탄도를 향상시킬 수 있다.
기판(61)의 금속 프레임 삽입부(64)에 금속 프레임(62)을 장착하고, 기판(61)상에 발광 소자(12)를 탑재하고, 형광체 함유 수지(13)로 발광 소자(12)를 덮고, 밀봉 수지(16)를 사용하여 형광체 함유 수지(13)로 덮인 발광소자를 밀봉함으로써, 이 실시예에 따른 발광 장치(60)가 제조될 수 있다. 제 3 실시예의 변형예에 따른 발광 장치(70)는 발광 장치(60)의 방식과 유사한 방식으로 생산될 수 있다.
(제 4 실시예)
도 16은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 장치의 단면도이다. 도 17은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 장치의 평면도이다. 도 18은 금속 덮개의 평면도이다. 도 16에서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치(10)의 구성성분과 동일한 구성성분에는 동일한 부호를 붙인다. 도 16에 나타낸 M4는 기판 본체(18)와 접촉하는 부분에서의 금속 덮개(81)의 두께(이하, "두께(M4)"로 지칭)를 나타낸다.
도 16 내지 도 18을 참조하면, 제 4 실시예에 따른 발광 장치(80)는, 제 1 실시예에 따른 발광 장치(10)에 설치된 금속 프레임(15) 및 밀봉 수지(16) 대신에 금속 덮개(81) 및 밀봉 수지(82)가 설치된다는 점을 제외하고는, 발광 장치(10)와 동일한 구성을 갖는다.
금속 덮개(81)는 기판(11)상에 설치된다. 금속 덮개(81)는 수용부(84) 및 관통홀(85)을 포함한다. 수용부(84)는 기판(11)에 접촉하는 측의 금속 덮개(81) 상에 설치된다. 수용부(84)는 형광체 수지(13)로 덮인 발광 소자(12)를 수용하기 위한 것이다. 수용부(84)는 돔(dome) 형상을 갖는다. 수용부(84)의 면(84A)은 거의 거울과 같은 면이고 발광 소자(12)로부터 광을 반사하는 반사경으로서 기능한다. 수용부(84)는 예를 들면 금속판을 프레스 가공함으로써 형성된다.
수용부(84)가 형성되는 위치에 대응하는 금속 덮개(81)를 관통하도록 관통홀(85)이 형성된다. 관통홀(85)은 발광 소자(12)로부터 방출된 광을 금속 덮개(81) 외부로 방출하기 위한 것이다. 관통홀(85)은 예를 들면 수용부(84)가 형성되는 금속판을 프레스 가공함으로써 형성된다. 관통홀(85)의 직경(R1)은 예를 들면 1㎜이다.
금속 덮개(81)의 재료는 예를 들면 Cu, Fe, Au, Ag, Al, Ni, Pd 및 Pt와 같은 금속 중 적어도 하나가 될 수 있다. 특히, Cu 합금 또는 Fe-Ni 합금이 금속 덮 개(81)의 재료로서 바람직하다. 발광 소자(12)의 두께가 80㎛인 경우, 금속 덮개(81)의 두께(M4)는 예를 들면 180㎛가 될 수 있다.
밀봉 수지(82)는 수용부(84)를 충전하는데 제공된다. 밀봉 수지(82)는 형광체 함유 수지(13)로 덮인 발광 소자를 밀봉하기 위한 것이다. 예를 들면, 실리콘 수지가 밀봉 수지(82)로서 사용될 수 있다.
이 실시예의 발광 장치에 따르면, 발광 소자(12)를 수용하는 수용부(84) 및 발광 소자(12)와 기판(11)으로부터 방출된 광을 통과시키는 관통홀(85)을 포함하는 금속 덮개(81)를 분리 형성함으로써, 거의 거울과 같은 면으로 이루어진 수용부(84)의 면(84A)을 갖는 금속 덮개(81)를 기판(11)상에 설치할 수 있다. 이를 통해, 발광 장치(80)의 발광 효율이 향상된다.
금속 덮개(81) 및 기판(11)을 분리 형성함으로써, 기판(11)상에서 금속 덮개(81)가 다른 금속 덮개로 교환될 수 있다. 이를 통해, 관통홀(85)의 직경(R1)의 크기를 용이하게 변경할 수 있다.
이 실시예에 따른 발광 장치(80)는 밀봉 수지(82)를 포함하는 경우를 예를 들어 설명했지만, 밀봉 수지를 생략할 수도 있다. 밀봉 수지(82)를 포함하지 않는 발광 장치는 이 실시예에 따른 발광 장치(80)의 이점과 동일한 이점을 갖는다. 제 2 실시예에서 설명된 반사 부재(51)는 수용부(84)의 면(84A)에 설치될 수 있다. 수용부(84)의 면(84A)에 반사 부재(51)를 설치함으로써, 발광 장치(80)의 발광 효율이 향상될 수 있다.
도 19a 내지 도 19f는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 단계를 나타낸다. 도 19a 내지 도 19f에서, 제 4 실시예에 따른 발광 장치(80)의 구성성분과 동일한 구성성분에는 동일한 부호를 붙인다. 도 19a 내지 도 19c에 나타낸 부호 B는 금속 덮개(81)가 형성되는 금속판(87)의 영역을 나타낸다(이하, "금속 덮개 형성 영역(B)"로 지칭).
도 20a는 도 19a에 나타낸 금속 덮개의 평면도이다. 도 20b는 도 19b에 나타낸 금속 덮개의 평면도이다. 도 20c는 도 19c에 나타낸 금속 덮개의 평면도이다.
도 19a 내지 도 20c를 참조하여 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 장치(80)를 제조하는 방법을 설명한다.
도 19a에 나타낸 단계는 복수의 금속 덮개(81) 형성 영역(B)를 포함하는 금속판(87)을 준비한다(금속판 준비 단계). 예를 들면, Cu, Fe, Au, Ag, Al, Ni, Pd 및 Pt 중 적어도 하나의 금속이 금속판(87)의 재료로서 사용될 수 있다. 특히, Cu 합금 또는 Fe-Ni 합금이 금속판(87)의 재료로서 바람직하다. 금속 덮개(81)의 두께(M4)와 대략 동일하도록 금속판(87)의 두께(M5)가 설정된다. 더 정확하게는, 발광 소자(12)의 두께가 80㎛인 경우, 금속판(87)의 두께(M5)는 예를 들면 180㎛가 될 수 있다.
도 19b에 나타낸 단계는 판 형상을 갖는 하부 금형(88) 및 복수의 돌출부(92)를 포함하는 상부 금형(91)을 사용한 프레스 가공에 의해 금속판(87)의 금속 덮개 형성 영역(B)에 수용부(84)(도 20b 참조)를 형성한다(수용부 형성 단계). 돌출부(92)는 수용부(84)의 형상에 대응한다.
이러한 방식으로, 하부 금형(88) 및 상부 금형(91)을 사용한 프레스 가공에 의해 금속판(87) 상에 수용부(84)를 형성함으로써, 반사경으로서 기능하는 수용부(84)의 면(84A)을 거의 거울과 같은 면으로 하는 것이 가능하다. 이를 통해, 발광 장치(80)의 발광 효율이 향상된다.
도 19c에 나타낸 단계는 상부 금형(94)의 몇몇 돌출부(95)가 삽입되는 개구부(93A)를 포함하는 하부 금형(93) 및 복수의 돌출부(95)를 포함하는 상부 금형(94)을 사용하는 프레스 가공을 통하여 금속판(87)의 금속 덮개 형성 영역(B)에 관통홀(85)을 형성한다(관통홀 형성 단계). 이를 통해, 금속판(87)의 금속 덮개 형성 영역(B)에 금속 덮개(81)에 대응하는 구조체가 형성된다(도 20c 참조). 돌출부(94)는 관통홀(85)의 형상에 대응한다. 관통홀(85)의 직경(R1)은 예를 들면 1㎜이다.
수용부(84)를 형성하는 프레스 가공 및 관통홀(85)을 형성하는 프레스 가공을 분리 이행함으로써, 수용부(84) 및 관통홀(85)이 프레스 가공의 단일 처리로 형성되는 경우와 비교할 때, 수용부(84)의 면(84A)의 평탄도를 향상시킬 수 있다.
도 19d에 나타낸 단계는 상부 금형(98)의 몇몇 돌출부(97)가 삽입되는 개구부(97A)를 포함하는 하부 금형(97) 및 복수의 돌출부(99)를 포함하는 상부 금형(98)을 사용하는 프레스 가공에 의해, (금속 덮개(81)에 대응하는 구조체가 형성되는) 금속 덮개 형성 영역(B)를 절단한다. 이를 통해, 복수의 금속 덮개(81)가 생산된다. 돌출부(9)는 금속 덮개 형성 영역(B) 및 개구부(97A)의 형상에 대응한다.
이러한 방식으로, 프레스 가공에 의해 수용부(84)를 형성하고, 관통홀(85)을 형성하고, 금속판(35)을 펀칭(금속 덮개(81)를 개편화하는 공정)함으로써, 다이서의 사용과 같은 프레스 가공이 채용되지 않는 방법으로 금속 덮개(81)를 개편화하는 경우와 비교할 때, 금속 덮개(81)의 제조 비용을 절감할 수 있다.
다음으로, 도 19e에 나타낸 단계는 도 5c에 나타낸 구조체 상에 금속 덮개(81)를 고정하기 위해 접착제(도시 생략)를 사용한다. 도 19f에 나타낸 단계는 관통홀(85)을 통하여 밀봉 수지(82)로 수용부(84)를 충전하여, 형광체 함유 수지(13)로 덮인 발광 소자(12)를 밀봉한다. 이를 통해, 발광 장치(80)가 생산된다. 밀봉 수지(82)로서는 예를 들면 실리콘 수지가 사용될 수 있다.
이 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 방법을 사용하면, 금속판(87)을 프레스 가공함으로써 반사경으로서 기능하는 수용부(84)의 면(84A)을 거의 거울과 같은 면으로 하여 수용부(84)를 형성하는 것이 가능하다. 이를 통해, 발광 장치(80)의 발광 효율이 향상된다.
수용부(84)를 형성하는 프레스 가공 및 관통홀(85)을 형성하는 프레스 가공을 분리 이행함으로써, 수용부(84)의 면(84A)의 평탄도를 향상시킬 수 있다.
또한, 수용부(84)를 형성하고, 관통홀(85)을 형성하고, 프레스 가공에 의해 금속판(87)을 펀칭(금속 덮개(81)를 개편화)함으로써, 다이서의 사용과 같은 프레스 가공이 채용되지 않는 방법으로 금속 덮개(81)를 개편화하는 경우와 비교할 때, 발광 장치(80)의 제조 비용을 절감할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예를 설명했지만, 본 발명은 이에 제한되는 것이 아니고 청구항에 규정된 그 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변경과 변형이 가능하다.
제 1 내지 제 4 실시예에서 발광 소자(12) 및 배선(19)이 서로 플립 칩 접속되는 발광 장치(10, 50, 60, 70, 80)를 설명했지만, 본 발명은 또한 발광 소자(12) 및 배선 패턴(19)이 배선 본딩을 통하여 서로 접속되는 발광 장치에도 적용가능하다.
제 1 내지 제 4 실시예에서 수용부(28, 31, 65, 84)는 프레스 가공에 의해 형성되지만, 에칭법과 같은 프레스 가공 이외의 방법을 사용하여 수용부(28, 31, 65, 84)를 형성할 수 있다.
본 발명은 수용부의 면을 반사경으로서 사용한 발광 장치 및 그 제조 방법에 적용가능하다.
본 발명에 따르면, 발광 장치의 발광 효율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 반사경 기능을 갖는 수용부의 형상을 용이하게 변경할 수 있다.

Claims (12)

  1. 발광 소자,
    상기 발광 소자가 배치된 기판, 및
    상기 발광 소자를 수용하는 수용부를 포함하는 상기 기판상에 설치된 금속 프레임을 구비하는 발광 장치로서,
    상기 수용부는 상기 기판으로부터 상향으로 경사지는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 금속 프레임의 적어도 일부가 삽입되는 금속 프레임 삽입부를 포함하고,
    상기 금속 프레임의 외부 형상을 변형가능하게 하는 절단부가 상기 금속 프레임 상에 설치되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 소자를 둘러싼 상기 수용부의 면에 설치되어, 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 반사하는 반사 부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  4. 발광 소자, 및
    상기 발광 소자가 배치된 기판을 구비하는 발광 장치로서,
    상기 발광 소자를 수용하는 수용부 및 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 통과시키는 관통홀을 구비하는 금속 덮개가 상기 기판상에 설치되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 발광 소자를 둘러싼 상기 금속 덮개의 면에 설치되어, 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 반사하는 반사 부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  6. 발광 소자, 상기 발광 소자가 배치된 기판 및 상기 발광 소자를 수용하는 수용부를 포함하는 금속 프레임을 구비하되, 상기 수용부는 상기 기판상에 설치되고 상기 기판으로부터 상향으로 경사지는 형상을 갖는 발광 장치를 제조하는 방법으로서,
    상기 금속 프레임이 형성되는 복수의 금속 프레임 형성 영역을 포함하는 금속판을 준비하는 금속판 준비 단계, 및
    프레스 가공에 의해, 상기 금속 프레임 형성 영역에 대응하는 상기 금속판 상에 상기 수용부를 형성하는 수용부 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 수용부 형성 단계 후, 프레스 가공에 의해 상기 금속 프레임 형성 영역의 외부 형상 위치를 따라 상기 금속판을 절단하는 금속판 절단 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 수용부 형성 단계와 상기 금속판 절단 단계 사이에, 상기 발광 소자를 둘러싼 상기 수용부의 면에 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 반사하는 반사 부재를 형성하는 반사 부재 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  9. 발광 소자, 상기 발광 소자가 배치된 기판 및 상기 발광 소자를 수용하는 수용부를 포함하는 금속 프레임을 구비하되, 상기 수용부는 상기 기판으로부터 상향으로 경사지는 형상을 가지며, 상기 기판은 상기 금속 프레임의 적어도 일부가 삽입되는 금속 프레임 삽입부를 포함하는 발광 장치를 제조하는 방법으로서,
    상기 금속 프레임이 형성되는 복수의 금속 프레임 형성 영역을 포함하는 금속판을 준비하는 금속판 준비 단계,
    프레스 가공에 의해, 상기 금속 프레임 형성 영역에 대응하는 상기 금속판 상에 상기 수용부를 형성하는 수용부 형성 단계, 및
    상기 금속 프레임의 외부 형상을 변형가능하게 하는 절단부를 상기 금속판 상에 형성하는 절단부 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  10. 발광 소자, 상기 발광 소자가 배치된 기판, 상기 발광 소자를 수용하는 상기 기판상에 배치되는 수용부 및 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 통과시키는 관통홀을 포함하는 금속 덮개를 구비하는 발광 장치를 제조하는 방법으로서,
    상기 금속 덮개가 형성되는 복수의 금속 덮개 형성 영역을 포함하는 금속판을 준비하는 금속판 준비 단계,
    프레스 가공에 의해, 상기 금속 덮개 형성 영역에 대응하는 상기 금속판 상에 상기 수용부를 형성하는 수용부 형성 단계, 및
    프레스 가공에 의해, 상기 수용부가 형성되는 위치에 대응하는 상기 금속판에 관통홀을 형성하는 관통홀 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 수용부 형성 단계 후, 프레스 가공에 의해 상기 금속 프레임 형성 영역의 외부 형상 위치를 따라 상기 금속판을 절단하는 금속판 절단 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 수용부 형성 단계 후, 프레스 가공에 의해 상기 금속 덮개 형성 영역의 외부 형상 위치를 따라 상기 금속판을 절단하는 금속판 절단 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
KR1020070015329A 2006-02-16 2007-02-14 발광 장치 및 그 제조 방법 KR20070082538A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-00038950 2006-02-16
JP2006038950A JP4828248B2 (ja) 2006-02-16 2006-02-16 発光装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070082538A true KR20070082538A (ko) 2007-08-21

Family

ID=37909540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070015329A KR20070082538A (ko) 2006-02-16 2007-02-14 발광 장치 및 그 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7838897B2 (ko)
EP (2) EP3007241A1 (ko)
JP (1) JP4828248B2 (ko)
KR (1) KR20070082538A (ko)
TW (1) TW200737555A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190087249A (ko) * 2018-01-16 2019-07-24 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 광원 장치
WO2020139022A1 (ko) * 2018-12-27 2020-07-02 안상정 반도체 발광소자
KR20200080634A (ko) * 2018-12-27 2020-07-07 안상정 반도체 발광소자

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
JP2008258530A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
EP2017891A1 (en) * 2007-07-20 2009-01-21 ABB Technology AG Semiconductor module
US9086213B2 (en) 2007-10-17 2015-07-21 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes
JP5185683B2 (ja) * 2008-04-24 2013-04-17 パナソニック株式会社 Ｌｅｄモジュールの製造方法および照明器具の製造方法
US7851818B2 (en) * 2008-06-27 2010-12-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fabrication of compact opto-electronic component packages
WO2010001309A1 (en) * 2008-07-01 2010-01-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Close proximity collimator for led
KR20100094246A (ko) * 2009-02-18 2010-08-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
DE102009019412A1 (de) 2009-04-29 2010-11-04 Fa. Austria Technologie & Systemtechnik Ag Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit LEDs und gedruckter Reflektorfläche sowie Leiterplatte, hergestellt nach dem Verfahren
JP2011109010A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2014026993A (ja) * 2010-11-08 2014-02-06 Panasonic Corp セラミック基板と発光ダイオードモジュール
CN102593302B (zh) * 2011-01-10 2014-10-15 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
US20130056773A1 (en) * 2011-09-02 2013-03-07 Wen Kun Yang Led package and method of the same
DE102012213178A1 (de) * 2012-04-30 2013-10-31 At & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft LED-Modul mit Leiterplatte
US9034672B2 (en) 2012-06-19 2015-05-19 Epistar Corporation Method for manufacturing light-emitting devices
EP2913856A4 (en) * 2012-10-25 2016-01-06 Panasonic Ip Man Co Ltd LIGHT EMITTING DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND BODY HAVING A LIGHT EMITTING DEVICE MOUNTED THEREON
US9673358B2 (en) * 2013-02-28 2017-06-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting module
KR102031967B1 (ko) * 2013-05-07 2019-10-14 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
CN103775866A (zh) * 2013-06-20 2014-05-07 苏州恒荣节能科技安装工程有限公司 一种led灯珠
US20150176800A1 (en) * 2013-12-25 2015-06-25 I-Chiun Precision Industry Co., Ltd. Supporting base for semiconductor chip
DE102014105839A1 (de) 2014-04-25 2015-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
WO2015193807A1 (en) * 2014-06-17 2015-12-23 Koninklijke Philips N.V. A flash module containing an array of reflector cups for phosphor-converted leds
JP6755090B2 (ja) * 2014-12-11 2020-09-16 シチズン電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6606331B2 (ja) * 2015-02-16 2019-11-13 ローム株式会社 電子装置
JP6533066B2 (ja) * 2015-02-18 2019-06-19 ローム株式会社 電子装置
JP6716706B2 (ja) * 2016-08-31 2020-07-01 Hoya株式会社 内視鏡用光源装置、内視鏡、及び内視鏡システム
WO2018207055A1 (en) * 2017-05-10 2018-11-15 3M Innovative Properties Company Multilayer construction having electrically continuous conductor
KR102385940B1 (ko) * 2017-09-01 2022-04-13 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원 장치
WO2019054760A1 (ko) * 2017-09-12 2019-03-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR102455086B1 (ko) 2017-09-12 2022-10-17 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원장치
CN109791966B (zh) * 2017-09-12 2023-08-08 苏州立琻半导体有限公司 发光器件封装
KR102392013B1 (ko) * 2017-09-15 2022-04-28 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
KR102413223B1 (ko) * 2017-12-19 2022-06-24 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
KR102624113B1 (ko) * 2018-06-08 2024-01-12 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법
KR20200129867A (ko) * 2019-05-10 2020-11-18 안상정 반도체 발광소자

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3618534B2 (ja) * 1997-11-28 2005-02-09 同和鉱業株式会社 光通信用ランプ装置とその製造方法
JPH11168172A (ja) * 1997-12-04 1999-06-22 Toshiba Tec Corp 半導体チップの製造方法及びその半導体チップによる３次元構造体、その製造方法及びその電気的接続方法
DE10122002A1 (de) * 2001-05-07 2002-11-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement und optoelektronisches Bauelement
JP4009097B2 (ja) * 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
SG173925A1 (en) * 2002-03-22 2011-09-29 Nichia Corp Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
TW563263B (en) * 2002-09-27 2003-11-21 United Epitaxy Co Ltd Surface mounting method for high power light emitting diode
JP4280050B2 (ja) * 2002-10-07 2009-06-17 シチズン電子株式会社 白色発光装置
JP4164006B2 (ja) * 2003-02-17 2008-10-08 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
US20040188696A1 (en) * 2003-03-28 2004-09-30 Gelcore, Llc LED power package
US6828590B2 (en) * 2003-05-07 2004-12-07 Bear Hsiung Light emitting diode module device
US7157744B2 (en) * 2003-10-29 2007-01-02 M/A-Com, Inc. Surface mount package for a high power light emitting diode
JP4587675B2 (ja) * 2004-01-23 2010-11-24 京セラ株式会社 発光素子収納パッケージおよび発光装置
JP4754850B2 (ja) 2004-03-26 2011-08-24 パナソニック株式会社 Ｌｅｄ実装用モジュールの製造方法及びｌｅｄモジュールの製造方法
US20050225222A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Joseph Mazzochette Light emitting diode arrays with improved light extraction
US7329982B2 (en) * 2004-10-29 2008-02-12 3M Innovative Properties Company LED package with non-bonded optical element

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190087249A (ko) * 2018-01-16 2019-07-24 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 광원 장치
WO2020139022A1 (ko) * 2018-12-27 2020-07-02 안상정 반도체 발광소자
KR20200080634A (ko) * 2018-12-27 2020-07-07 안상정 반도체 발광소자
US12107194B2 (en) 2018-12-27 2024-10-01 Wavelord Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
US8044429B2 (en) 2011-10-25
EP1821345A2 (en) 2007-08-22
EP1821345B1 (en) 2016-07-13
JP4828248B2 (ja) 2011-11-30
US20110032710A1 (en) 2011-02-10
US7838897B2 (en) 2010-11-23
TW200737555A (en) 2007-10-01
EP3007241A1 (en) 2016-04-13
EP1821345A3 (en) 2010-10-20
US20070187706A1 (en) 2007-08-16
JP2007220852A (ja) 2007-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20070082538A (ko) 발광 장치 및 그 제조 방법
KR100637476B1 (ko) 측면발광 다이오드 및 그 제조방법
EP2258001B1 (en) Light emitting device package
US7960750B2 (en) Light emitting diode package
US10593846B2 (en) Semiconductor light-emitting device, method for producing same, and display device
US8551794B2 (en) LED package and mold of manufacturing the same
JP5340417B2 (ja) サブマウント及びサブマウントの形成方法
CN110943151B (zh) 发光元件搭载用封装体、发光装置以及发光模块
US20160087161A1 (en) Lighting apparatus including an optoelectronic component
KR20050116803A (ko) 구조화 방식으로 금속화된 하우징 바디를 갖는 광전자소자,상기 광전자소자의 제조 방법 및 플라스틱을 포함하는하우징 바디를 구조화 방식으로 금속화하기 위한 방법
CN107275466B (zh) 引线架、封装及发光装置、以及其制造方法
KR20150135299A (ko) 반도체 부품 그리고 반도체 부품을 제조하는 방법
KR20170125095A (ko) 광소자 탑재용 패키지, 전자 장치 및 전자 모듈
EP1898462B1 (en) Semiconductor apparatus
KR20110058675A (ko) 발광 다이오드 및 그 제작방법
CN111727513A (zh) 电子部件搭载用封装件、电子装置以及电子模块
KR20090082470A (ko) 발광 장치, 그 제조 방법 및 실장 기판
JP2009141317A (ja) 光半導体パッケージおよびこれを備えた光電センサならびに光半導体パッケージの製造方法
JP5611246B2 (ja) オプトエレクトロニクス半導体部品
KR100792034B1 (ko) 측면발광 다이오드
TW201533928A (zh) 發光二極體封裝體及其製造方法
EP4391092A1 (en) Light-emitting device, and method for producing light-emitting device
EP4398291A1 (en) Wiring substrate and electronic device
KR100691174B1 (ko) 측면형 발광 다이오드 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid