CN110943151B - 发光元件搭载用封装体、发光装置以及发光模块 - Google Patents

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Abstract

本发明的发光元件搭载用封装体(1)具有：绝缘基体(11)，在主面(11a)具有搭载发光元件(2)的凹部(12)；布线导体(13)，设置于凹部(12)的底面中的凹部(12)的内壁(12a)侧周缘部；以及绝缘基体(11)的侧面，在主面(11a)侧具有倾斜面(11b)，远离布线导体(13)且从凹部(12)的内壁(12a)一直到主面(11a)以及倾斜面(11b)设置有金属层(14)。

Description

发光元件搭载用封装体、发光装置以及发光模块
本申请是国际申请日为2016年02月23日、国际申请号为PCT/JP2016/055248、国家申请号为201680009516.X、发明名称为“发光元件搭载用封装体、发光装置以及发光模块”的PCT发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及例如搭载发光二极管等发光元件的发光元件搭载用封装体、发光装置以及发光模块。
背景技术
在现有技术中，已知具有用于搭载发光元件的凹部的发光元件搭载用封装体(参照JP特开2009-239017号公报)。
发明内容
发明要解决的课题
但是，近几年发光装置要求小型化以及高亮度化，伴随发光元件搭载用封装体的小型化，透过凹部的壁部泄漏的光量可能会变多。
用于解决课题的手段
根据本发明的一个方式，发光元件搭载用封装体具有：绝缘基体，在主面具有搭载发光元件的凹部；布线导体，设置于所述凹部的底面中的所述凹部的内壁侧周缘部；以及所述绝缘基体的侧面，在所述主面一侧具有倾斜面；远离所述布线导体且从所述凹部的内壁一直到所述主面以及所述倾斜面设置有金属层。
根据本发明的另一方式，发光装置具有：上述结构的发光元件搭载用封装体；以及在该发光元件搭载用封装体的所述凹部搭载的发光元件。
根据本发明另一方式，在发光模块中，上述结构的发光装置经由接合材料与模块用基板的连接垫连接。
发明效果
本发明的一个方式的发光元件搭载用封装体具有：绝缘基体，在主面具有搭载发光元件的凹部；布线导体，设置于凹部的底面中的凹部的内壁侧周缘部；以及绝缘基体的侧面，在主面侧具有倾斜面；远离布线导体且从凹部的内壁一直到主面以及倾斜面设置有金属层，因此通过金属层，能够良好地抑制光透过凹部的壁部而泄漏到外部。
本发明的另一方式的发光装置具有：上述结构的发光元件搭载用封装体；以及在发光元件搭载用封装体的所述凹部搭载的发光元件，因此能够作为可向外部良好地辐射光的发光装置。
根据本发明的另一方式的发光模块，在发光模块中，上述结构的发光装置经由接合材料与模块用基板的连接垫连接，因此能够作为可向外部良好地辐射光的发光模块。
附图说明
图1的(a)是表示本发明的第1实施方式的发光装置的俯视图，图1的(b)是图1的(a)的仰视图。
图2的(a)是图1的(a)的A-A线处的纵剖面图，图2的(b)是图2的(a)的B部的主要部分放大纵剖面图。
图3的(a)是表示图1的发光装置中的发光元件搭载用封装体的制造方法的一个工序的俯视图，图3的(b)是图3的(a)的A-A线处的纵剖面图。
图4的(a)是表示图1的发光装置中的发光元件搭载用封装体的制造方法的一个工序的俯视图，图4的(b)是图4的(a)的A-A线处的纵剖面图。
图5的(a)是表示图1的发光装置中的发光元件搭载用封装体的制造方法的一个工序的俯视图，图5的(b)是图5的(a)的A-A线处的纵剖面图。
图6是表示在使用了图1中的发光装置的模块用基板安装的发光模块的纵剖面图。
图7是本发明的第1实施方式的另一例的发光装置的主要部分放大纵剖面图。
图8的(a)是表示本发明的第2实施方式的发光装置的俯视图，图8的(b)是图8的(a)的仰视图。
图9的(a)是图8的(a)的A-A线处的纵剖面图，图9的(b)是图9的(a)的B部的主要部分放大纵剖面图。
图10的(a)是表示本发明的第3实施方式的发光装置的俯视图，图10的(b)是图10的(a)的仰视图。
图11的(a)是图11的(a)的A-A线处的纵剖面图，图11的(b)是图11的(a)的B部的主要部分放大纵剖面图。
符号说明
1......发光元件搭载用封装体
11......绝缘基体
11a......主面
11b......倾斜面
11c......露出部
12......凹部
12a......内壁
13......布线导体
14......金属层
15......发光元件搭载层
16......中央端子层
111......绝缘母基板
111b......槽
112......构成绝缘基体的区域
2......发光元件
3......连接构件
4......密封材料。
具体实施方式
参照附图，说明本发明的几个例示性的实施方式。
(第1实施方式)
本发明的第1实施方式的发光装置如图1以及图2所例示那样，包括：发光元件搭载用封装体1；以及搭载在形成于发光元件搭载用封装体1的凹部12内的发光元件2。发光装置安装在例如构成发光模块的模块用基板5上。
本实施方式的发光元件搭载用封装体1具有：在主面11a具有搭载发光元件2的凹部12的绝缘基体11；设置于凹部12的内壁12a侧周缘部的布线导体13；在主面11a侧具有倾斜面11b的绝缘基体11的侧面。布线导体13从凹部12的底面一直设置到绝缘基体11的内部以及主面11a。发光元件搭载用封装体1具有远离布线导体13且从凹部12的内壁12a一直设置到主面11a以及倾斜面11b的金属层14。在平面透视下，在图1中用虚线示出了作为凹部12的内壁的区域。此外，在图1以及图2中，发光装置设置在假想的xyz空间内，以下为了便于说明，“上方向”指假想的z轴的正方向。另外，以下说明中的上下的区分是为了便于说明，实际上，并不对使用发光元件搭载用封装体1等时的上下进行限定。
绝缘基体11在主面11a、即一个主面(图1以及图2中是上表面)具有凹部12，在俯视下，具有矩形板状的形状。绝缘基体11的侧面在一个主面侧具有倾斜面11b。在绝缘基体11的四个侧面中的每一个侧面，倾斜面11b在俯视下沿绝缘基体11的外缘被设置成带状。绝缘基体11作为用于支承发光元件2的支承体起作用，发光元件2经由低熔点钎料或者导电性树脂等粘接剂粘接固定在设置于凹部12的底面的布线导体13上。
绝缘基体11例如能够使用氧化铝质烧结体(氧化铝陶瓷)、氮化铝质烧结体、莫来石(mullite)质烧结体或者玻璃陶瓷烧结体等陶瓷。
绝缘基体11例如在由氮化铝质烧结体形成的情况下通过以下方式来制作，即，在作为主成分的氮化铝、作为烧结助剂的氧化钇、氧化铒等原料粉末中添加适当的有机粘合剂以及溶剂等混合后作为泥浆状，利用刮刀法(doctor blade method)、压延辊法(calenderrollmethod)等将其成形为片状而得到陶瓷生片，然后，对陶瓷生片实施适当的冲压加工，并且将陶瓷生片层叠多片来形成绝缘基体11用的生层叠体，在高温(约1800℃)下煅烧，由此来制作绝缘基体11。另外，作为主成分的氮化铝是指，在将绝缘基体11整体的质量设为100质量％时，氮化铝的质量在绝缘基体11中包含80质量％以上。优选，在绝缘基体11中含有95质量％以上的氮化铝。若包含95质量％以上的氮化铝，则很容易将绝缘基体11的热传导率设为150W/mK以上，所以能够作为散热性出色的发光元件搭载用封装体1。
凹部12是用于容纳发光元件2并将其搭载于底面的区域，设置在绝缘基体11的一个主面(在图1以及图2中是绝缘基体11的上表面)。在图1所示的例子中，凹部12在俯视下是矩形状。通过对绝缘基体11用的陶瓷生片进行激光加工、基于模具的冲压加工等，从而在多个陶瓷生片形成作为凹部12的贯通孔，将这些陶瓷生片和未形成贯通孔的陶瓷生片层叠，由此能够形成这样的凹部12。
在图1以及图2所示的例子中，布线导体13设置在绝缘基体11的凹部12的底面、内部以及另一个主面(下表面)，且设置在凹部12底面中的凹部12的内壁12a侧周缘部。布线导体13的一端部例如被导出到凹部12的底面，且被设置在凹部12的内壁12a侧周缘部。布线导体13的另一端部被导出到绝缘基体11的另一个主面(图1以及图2中是下表面)。布线导体13用于电连接搭载于发光元件搭载用封装体1的发光元件2和外部的模块用基板5。布线导体13包括贯通导体，该贯通导体对设置于绝缘基体11的凹部12的底面或者内部的布线导体和贯通构成绝缘基体11的绝缘层而位于另一个主面的布线导体进行电连接。
布线导体13可使用钨(W)、钼(Mo)、锰(Mn)、银(Ag)或者铜(Cu)等金属材料。例如，在绝缘基体11由氮化铝质烧结体形成的情况下，在W、Mo或者Mn等高熔点金属粉末中添加适当的有机粘合剂以及溶媒等进行混合后获得布线导体13用的导体膏，预先通过丝网印刷法在构成绝缘基体11的陶瓷生片上将该导体膏印刷涂敷成给定的图案，与构成绝缘基体11的陶瓷生片同时煅烧，由此使其附着形成在绝缘基体11的给定位置处。在布线导体13是贯通导体的情况下，通过基于模具或打孔机(punching)的冲压加工、激光加工，在生片形成贯通孔，通过印刷法在该贯通孔中填充布线导体13用的导体膏，从而形成布线导体13。
在布线导体13露出的表面，还通过电解电镀法或者无电解镀法，附着镀覆层。镀覆层由镍、铜、金或者银等耐蚀性、与连接构件3的连接性出色的金属形成，例如，依次附着厚度为0.5～5μm左右的镀镍层和0.1～3μm左右的镀金层。由此，能够有效抑制布线导体13发生腐蚀，并且能够使布线导体13与发光元件2在接合材料作用下的接合、布线导体13与接合线(bonding wire)等连接构件3的接合、布线导体13与外部的模块用基板5的布线的接合牢固。
此外，镀覆层并不限于镀镍层/镀金层，也可以是包含镀镍层/镀钯层/镀金层等其他镀覆层。
此外，在布线导体13的从绝缘基体11露出的表面，可以附着1～10μm左右的镀银层。若在布线导体13的最表面附着有镀银层，则可作为能够良好地反射从发光元件2向布线导体13侧放出的光的发光装置。
此外，优选在搭载发光元件2的布线导体13的最表面附着镀银层，在其他布线导体13的最表面附着镀金层。这是因为，镀金层与镀银层相比，与连接构件3、外部的模块用基板5的连接垫51之间的接合性出色，而镀银层与镀金层相比，对光的反射率高。此外，将附着在布线导体13的最表面的镀覆层设为银和金的合金镀覆层，例如，可以设为银和金的无限固溶的合金镀覆层。
此外，在搭载发光元件2的布线导体13上附着厚度为10～80μm左右的镀铜层，例如，在镀镍层与镀金层之间设置厚度为10～80μm左右的镀铜层，从而可以提高布线导体13的热传导，容易使发光元件2的热良好地散热到发光元件搭载用封装体1。并且，在绝缘基体11的下表面的布线导体13上也同样地附着厚度为10～80μm左右的镀铜层，从而可以容易地从发光元件搭载用封装体1向外部的模块用基板5散热。
远离布线导体13来设置金属层14，将金属层14从凹部12的内壁12a一直设置到主面11a以及倾斜面11b。这里，金属层14远离布线导体13是表示布线导体13与金属层14彼此电独立。例如，在布线导体13如图2所示那样从凹部12的底面延伸到凹部12的壁部内部的情况下，金属层14的端部远离凹部12的底面，即，从凹部12的内壁12a的中途起进行设置。这样的情况下，例如从凹部12的底面起设置0.05mm～0.2mm左右的间隙，从凹部12的内壁12a的中途起设置金属层14。优选金属层14的凹部12的内壁12a侧的端部在将发光元件2搭载到凹部12的底面时，位于比发光元件的发光面更靠凹部12的底面侧的位置处。金属层14设置于俯视下包围凹部12的主面11a的整个面，且延伸到绝缘基体11的四个侧面中的倾斜面11b。若将金属层14从凹部12的内壁12a起一直设置到主面11a以及倾斜面11b，则即使从发光元件2发出的光在绝缘基体11内部发生了漫反射，也能够抑制光从绝缘基体11的上表面侧或者绝缘基体11的侧面侧透过。
这里，绝缘基体11的侧面中的倾斜面11b的倾斜角度θ1是5°～20°。这里，如图2所示的例子那样，倾斜角度θ1表示倾斜面11b与绝缘基体11的除倾斜面11b以外的侧面的延长线之间的角度。另外，绝缘基体11的四个侧面中的倾斜面11b的倾斜角度可以全部是相同的角度，但是绝缘基体11的四个侧面中的倾斜面11b的倾斜角度也可以不同。例如，能够与倾斜面11b距主面11a的深度(z方向)相匹配地增大倾斜面11b的倾斜角度，或者通过使倾斜角度不同来确认俯视时发光元件搭载用封装体1的方向。
金属层14使用铝、银等相比绝缘基体11相对于发光元件2所发出的光的反射率更为出色的金属。特别是，金属层14优选使用反射率比布线导体13或者附着在布线导体13所露出的表面的镀覆层更为出色的金属。例如，在布线导体13以W为主成分且附着在布线导体13所露出的表面的最表面的镀覆层是由金形成的情况下，最好选择由反射率出色的铝等形成的金属层14。例如，通过采用蒸镀法、离子镀法、溅射法等薄膜形成技术，将金属层14从凹部12的内壁12a一直设置到主面11a以及倾斜面11b。此外，为了提高绝缘基体11与金属层14的紧贴性，也可以在绝缘基体11与金属层14之间设置紧贴层。
这样的金属层14例如可通过以下的制造方法来制作。
首先，如图3所示的例子那样，准备在主面111a以及内部具有布线导体13的绝缘母基板111。在绝缘母基板111的中央部设置构成在主面111a具有凹部12的绝缘基体11的区域112，沿构成绝缘基体11的区域112的四个外缘分别设置在剖视时为V字状的槽111b。V字状的槽111b例如能够通过利用切削刀在绝缘母基板111用的生层叠体的一个主面沿着构成绝缘基体11的区域112的四个外缘进行V字状的切入来形成。在图3所示的例子中V字状的槽111b是具有朝向构成绝缘基体11的区域112侧以及其他区域侧倾斜的倾斜程度相同的内面的槽111b，但是也可以是具有朝向构成绝缘基体11的区域112侧以及其他区域侧倾斜的倾斜程度分别不同的内面的槽111b，例如是具有构成绝缘基体11的区域112侧倾斜了15°的内面以及其他区域侧与绝缘母基板111的主面111a垂直的内面(倾斜角度0°)的槽111b。
另外，在绝缘基体11上形成金属层14前，优选预先形成为在布线导体13露出的表面预先附着了上述的镀覆层的状态。由此，在制作发光元件搭载用基板1时，能够利用镀覆液等来抑制金属层14的表面发生变质。
接着，如图4所示，在凹部12的内壁12a、绝缘母基板111的主面111a、V字状的槽111b的内面形成金属层14。金属层14从凹部12的内壁12a一直不间断地形成到主面11a以及V字状的槽111b的内面。这里，通过利用遮挡板、薄膜等来预先覆盖凹部12的底面以及布线导体13的表面，从而能够使得金属层14不会附着于凹部12的底面以及布线导体13的表面，能够形成为金属层14远离了布线导体13的状态。
最后，通过沿V字状的槽111b分离构成绝缘基体11的区域112和其他区域，从而能够如图5所示那样形成具有从凹部12的内壁12a一直设置到主面11a以及倾斜面11b的金属层14的发光元件搭载用封装体1。作为分离构成绝缘基体11的区域112和其他区域的方法，能够使用沿V字状的槽111b进行分割的方法等。另外，在图4所示的工序中，若不将金属层14形成在槽111b的底部，则在将绝缘母基板111分离成构成绝缘基体11的区域112和其他区域时，能够抑制因分离时的应力导致金属层14从倾斜面11b被剥下的情况，能够从凹部12的内壁12a一直到主面11a以及倾斜面11b良好地形成金属层14。
V字状的槽111b的内角θ2形成为10°～40°。通过在槽111b的内面良好地形成金属层14，并且使槽111b的底部侧的槽111b的宽度变窄，从而使得金属层14很难附着于槽111b的底部，能够构成从凹部12的内壁12a一直到主面11a以及倾斜面11b良好地形成了金属层14的发光元件搭载用封装体1。
此外，在发光元件搭载用封装体1较小型的情况下，为了容易进行处理，并高效地制造大量的封装体，也可以使用多个构成绝缘基体11的区域112纵横排列的批量生产用基板来制作封装体。在该情况下，通过沿各个构成绝缘基体11的区域112的外缘预先形成V字状的槽111b，与多个构成绝缘基体11的区域112同时形成金属层14，从而能够高效地形成具有从凹部12的内壁12a一直设置到主面11a以及倾斜面11b的金属层14的发光元件搭载用封装体1。
发光元件搭载用封装体1通过在凹部12内搭载发光元件2，并电连接发光元件2的电极和布线导体13，从而被制作成发光装置。在发光元件2为引线接合型的情况下，在利用焊料等接合材料将发光元件2固定在布线导体13上之后，经由接合线等连接构件3电连接发光元件2的电极和布线导体13，从而将发光元件2搭载到发光元件搭载用封装体1。在发光元件2为倒装片型的情况下，经由焊料凸块或者金凸块等连接构件3对发光元件2的电极和布线导体13进行电连接和机械连接，从而将发光元件2搭载到发光元件搭载用封装体1。
另外，根据需要，利用由树脂、玻璃等构成的密封材料4或者由树脂、玻璃等构成的盖体等，密封发光元件2。此外，发光元件搭载用封装体1可以在凹部12内搭载多个发光元件2，也可以搭载齐纳二极管等小型电子部件。
如图6所示的例子那样，本发明的发光装置经由焊料等接合材料6与外部的模块用基板5的连接垫51相连，从而成为发光模块。
根据本实施方式的发光元件搭载用封装体1，具有：在主面11a具有搭载发光元件2的凹部12的绝缘基体11；设置于凹部12的底面中的凹部12的内壁12a侧周缘部的布线导体13；和在主面11a侧具有倾斜面11b的绝缘基体11的侧面，从凹部12的内壁12a一直到主面11a以及倾斜面11b设置有金属层14，且该金属层14远离了布线导体13，由此能够通过金属层14良好地抑制光透过凹部12的壁部而泄漏到外部。
此外，若如图2所示的例子那样，在绝缘基体11的厚度方向上，金属层14中的侧面侧的端部与主面11a之间的距离大于金属层14中的内壁12a侧的端部与主面11a之间的距离，则能够通过金属层14良好地抑制光透过凹部12的壁部在绝缘基体11的侧面方向上泄漏到外部。
此外，若如图2所示的例子那样，在绝缘基体11的厚度方向上，金属层14中的侧面侧的端部与主面11a之间的距离大于凹部12的深度，则能够通过金属层14良好地抑制光透过凹部12的壁部在绝缘基体11的侧面方向上泄漏到外部。如图2所示的例子那样，只要形成为如下的结构即可，即，倾斜面11b的深度(绝缘基板11的厚度方向上的从主面11a到倾斜面11b的端部的深度)大于凹部12的深度(绝缘基板11的厚度方向上的从主面11a到凹部12的底面的深度)，且金属层14中的侧面侧的端部与主面11a之间的距离大于凹部12的深度。
此外，绝缘基体11的倾斜面11b可以如图7所示的例子那样，在纵剖观察时向外侧凸的曲面状的倾斜面11b。若设为在纵剖观察时向外侧凸的曲面状的倾斜面11b，则如上所述那样，在使用绝缘母基板111制作的凹部12的内壁12a、绝缘母基板111的主面111a、槽111b的内面形成金属层14时，通过增大绝缘母基板111的主面111a侧的槽111b的内面的内角，并且增大槽111b的宽度，能够良好地在绝缘母基板111的主面111a侧的槽111b的内面形成金属层14，并且通过减小槽111b的底部侧的内面的内角，并且减小槽111b的宽度，能够使得金属层14很难附着于槽111b的底部，能够设计成从凹部12的内壁12a一直到绝缘基体11的主面11a以及倾斜面11b良好地形成了金属层14的发光元件搭载用封装体1。另外，在倾斜面11b为凸曲面状的情况下，优选将倾斜面11b的上端部和下端部相连的假想线的倾斜角度处于上述的倾斜面11b的倾斜角度θ1的范围内。
此外，若绝缘基体11的主面11a和倾斜面11b的表面比凹部12的内壁12a更加平坦(表面的凹凸小)，则在凹部12内封入密封材料4时，能够通过凹部12的内壁12a的表面的凹凸，提高金属层14与密封材料4的紧贴性，从而能够提高封入到凹部12内的密封材料4的可靠性，而且能够在绝缘基体11的主面11a以及倾斜面11b处提高绝缘基体11与金属层14的紧贴性，因此能够设计成可靠性出色的发光元件搭载用封装体1。例如，如图3～图5所示的例子那样，在分离槽111b来制作发光元件搭载用封装体1的情况下，绝缘基体11的除倾斜面11b以外的侧面与倾斜面11b相比，凹凸容易变大。通过将金属层14的端部设置在槽111b中，很难从绝缘基体11剥离金属层14的端部，能够设计成从凹部12的内壁12a一直到主面11a以及倾斜面11b良好地设置了金属层14的发光元件搭载用封装体1。
根据本实施方式的发光装置，具有上述结构的发光元件搭载用封装体1和搭载于发光元件搭载用封装体1的凹部12的发光元件2，从而能够作为小型且高亮度的发光装置。
根据本实施方式的发光模块，由于上述结构的发光装置经由接合材料6与模块用基板5的连接垫51连接，所以能够作为小型且高亮度的发光模块。
本发明的第1实施方式的发光元件搭载用封装体1在使用暗色系的绝缘基体11作为绝缘基体11的小型发光元件搭载用封装体中能够有效使用。
本发明的第1实施方式的发光元件搭载用封装体1能够被有效地用作在使用短波长的发光元件2的发光装置例如用于UV(ultra violet)装置等的发光装置中使用的发光元件搭载用封装体1。
(第2实施方式)
接着，参照图8以及图9，说明本发明的第2实施方式的发光装置。
在本发明的第2实施方式的发光装置中，与上述第1实施方式的发光装置不同的点在于，如图8以及图9所示的例子那样，绝缘基体11的侧面具有倾斜角度不同的多个倾斜面，即具有倾斜角度不同的第1倾斜面以及第2倾斜面。
在第2实施方式中，倾斜面11b具有：与绝缘基体11的主面11a相对的另一个主面(图8以及图9中是绝缘基体11的下表面)侧的第1倾斜面；以及设置在比第1倾斜面更靠绝缘基体11的一个主面11a(图8以及图9中是绝缘基体11的上表面)侧的第2倾斜面。第2倾斜面被设置成倾斜角度大于第1倾斜面。
根据本实施方式的发光元件搭载用封装体1，能够与第1实施方式的发光元件搭载用封装体1同样地，通过金属层14，良好地抑制光透过凹部12的壁部而泄漏到外部。
此外，若在绝缘基体11的侧面具有倾斜角度不同的多个倾斜面11b，与第1实施方式的发光元件搭载用封装体1所示那样纵剖观察时具有1个直线状的倾斜面11b的情况相比，由于能够进一步将绝缘基体11的除倾斜面11b以外的侧面与第1倾斜面之间的角度、第1倾斜面与第2倾斜面之间的角度、第2倾斜面与绝缘基体11的主面11a之间的角度(内角)当中的每一个角度增大为钝角，所以相邻的面之间的金属层14彼此的连接变得很好，能够设计成从凹部12的内壁12a一直到绝缘基体11的主面11a以及倾斜面11b良好地形成了金属层14的发光元件搭载用封装体1。另外，在倾斜面11b具有多个倾斜面的情况下，优选将倾斜面11b的上端部和下端部相连的假想线与绝缘基体11的除倾斜面11b以外的侧面的延长线之间的角度处于上述的第1实施方式中的倾斜面11b的倾斜角度θ1的范围内。
第2实施方式的发光元件搭载用封装体1例如可通过以下方式制作。
首先，与第1实施方式同样地，准备绝缘母基板111。在绝缘母基板111的中央部设置构成在主面111a具有凹部12的绝缘基体11的区域112，沿构成绝缘基体11的区域112的四个外缘分别设置剖视时具有绝缘母基板111的一个主面111a侧(开口侧)与底部侧的内角不同的内面的槽111b。槽111b具有设置在底部侧的第1斜面和设置在绝缘母基板111的一个主面111a(开口)侧且被设置成槽111b的内角比第1斜面大的第2斜面。这样的槽111b例如能够通过以下方式形成，即，利用具有角度不同的进刀角(knife angle)的切削刀，在绝缘母基板111用的生层叠体的一个主面，沿构成绝缘基体11的区域112的四个外缘分别切入。在上述情况下，与第1实施方式同样地，在使用绝缘母基板111来制作时，容易在绝缘母基板111的主面111a侧的槽111b的第2斜面形成金属层14，并且能够抑制槽111b的底部侧的金属层14朝向第1斜面形成，从而能够设计成从凹部12的内壁12a一直到绝缘基体11的主面11a以及倾斜面11b良好地设置了金属层14的发光元件搭载用封装体1。另外，在第2实施方式的发光元件搭载用封装体中，也可以使用多个构成绝缘基体11的区域112纵横排列的批量生产用的基板来制作。
此外，在绝缘母基板111形成V字状的槽111b且在V字状的槽111b的内面的整个面形成金属层14之后，也可以通过激光加工等，去除V字状的槽111b的底部和金属层14的端部，从而设置具有纵剖观察时一个主面111a侧(开口侧)与底部侧的内角不同的内面的槽111b。在该情况下，容易调整第1倾斜面的深度，并且由于在第1倾斜面与第2倾斜面的边界设置金属层14的端部，所以能够作为在倾斜面良好地形成了金属层14的发光元件搭载用封装体1。
此外，也可以是具有纵剖观察时第1倾斜面为向外侧凸的曲面状而第2倾斜面为直线状的倾斜面11b的发光元件搭载用封装体1。
此外，也可以在凹部12的底面设置发光元件搭载层15，或者在绝缘基体11的另一个主面(图8以及图9中是绝缘基体11的下表面)设置中央端子层16。发光元件搭载层15以及中央端子层16可通过与上述的布线导体13相同的材料以及方法来制作，并在露出的表面附着与布线导体13相同的镀覆层。发光元件搭载层15例如用于搭载发光元件2。中央端子层16例如与设置在绝缘基板11的另一个主面侧的布线导体13相同，被用于与外部的模块用基板5的连接垫51的接合中。
此外，若如图8所示的例子那样，在绝缘基体11的主面11a设置有在金属层14露出绝缘基体11的露出部11c(金属层14的非形成区域)，则例如能够用于确认发光装置的方向性等。
本发明的第2实施方式的发光元件搭载用封装体1与第1实施方式的发光元件搭载用封装体1相同，可有效被用作在使用短波长的发光元件2的发光装置例如用于UV(ultraviolet)装置等的发光装置中使用的发光元件搭载用封装体1。
(第3实施方式)
接着，参照图10以及图11，说明本发明的第3实施方式的发光装置。
在本发明的第3实施方式的发光装置中，与上述实施方式的发光装置不同的点在于，如图10以及图11所示的例子那样，在俯视下凹部12为圆形状，并且在凹部12内具有凹部12的底面侧的内壁12a向凹部12的内侧(发光元件2侧)突出的突出部12b。
根据本实施方式的发光元件搭载用封装体，与第1实施方式的发光元件搭载用封装体1相同，能够通过金属层14良好地抑制光透过凹部12的壁部泄漏到外部。
突出部12b被设置成突出程度是在凹部12的内壁12a设置的金属层14的厚度以上。突出部12b被设置成距凹部12的底面起具有0.05mm～0.2mm左右的厚度，且从凹部12的内壁12a向凹部12内突出0.05mm～3mm左右。突出部12b被形成为绝缘基体11的一部分。这样的突出部12b在陶瓷生片中形成会成为凹部12的贯通孔时，能够通过对陶瓷生片进行冲裁而形成为突出部12b的形状。
若设置凹部12的底面侧的内壁12a向凹部12的内侧(发光元件2侧)突出的突出部12b，则能够良好地使在凹部12的内壁12a侧周缘部设置的布线导体13和在内壁12a设置的金属层14相远离。此外，若如图10以及图11所示的例子那样，使金属层14从凹部12的内壁12a一直延伸到突出部12b上，即，将金属层14延伸设置到突出部12b上，则能够提高绝缘基体11与金属层14的紧贴性，从而能够设计成可靠性出色的发光元件搭载用封装体1。在该情况下，若使突出部12b的表面比凹部12的内壁12a更平坦(表面的凹凸小)，则能够进一步提高绝缘基体11与金属层14的紧贴性。
本发明的第3实施方式的发光元件搭载用封装体1与第1实施方式的发光元件搭载用封装体1相同，可被有效用作在使用短波长的发光元件2的发光装置例如用于UV(ultraviolet)装置等的发光装置中使用的发光元件搭载用封装体1。
本发明并不限于上述的实施方式的例子，能够进行各种变更。例如，虽然布线导体13的另一端部被导出到绝缘基体11的下表面，但是也可以导出到绝缘基体11的侧面。例如，也可以在绝缘基体11的侧面设置孔，具有在孔的内面附着了导体的所谓城堡型(castellation)导体。另外，在该情况下，设置于倾斜面11b的金属层14被设置成远离了设置于绝缘基体11的侧面的城堡型导体。
此外，虽然在上述的实施方式中，在纵剖观察时凹部12的内壁12a与底面垂直，但是也可以是纵剖观察时凹部12的内壁12a倾斜，使得开口侧大于底面侧。在该情况下，可以如第3实施方式所记载的那样，使突出部12b的表面比凹部12的内壁12a更平坦(表面的凹凸小)，使金属层14从凹部12的内壁12a一直延伸到突出部12b上。
此外，也可以是在绝缘基体11的角部形成了倒角部或者圆弧状的切口部的大致矩形状的发光元件搭载用封装体1。在该情况下，优选在倒角部或者切口部的表面形成金属层14。
此外，也可以在绝缘基体11的主面11a设置多个凹部12，在各个凹部12的内壁12a设置金属层14。
此外，虽然在上述的实施例中，发光元件2的搭载面和布线导体13是相同的高度，但是发光元件2的搭载面和布线导体13的高度也可以不同。例如，可以在突出部12b上形成布线导体13。
此外，在第1～第3实施方式中，可以是使用分别记载在其他实施方式中的结构的构成。

Claims (10)

1.一种发光元件搭载用封装体，其特征在于，具有：
绝缘基体，该绝缘基体为矩形板状，在主面具有搭载发光元件的凹部，且具有在主面一侧各自具备倾斜面的4个侧面；
布线导体，设置于所述凹部的底面中的所述凹部的内壁侧周缘部；以及
金属层，远离所述布线导体且从所述凹部的内壁一直设置到所述主面以及所述倾斜面，
该金属层的自所述凹部的所述内壁起在所述主面处的厚度大于在所述倾斜面处的厚度，
所述绝缘基体的4个所述倾斜面的倾斜角度不同，
所述绝缘基体的侧面具有倾斜面和垂直面，从所述主面形成到所述倾斜面的所述金属层未形成于所述倾斜面的端部，形成于所述倾斜面的所述金属层形成为从所述主面到所述倾斜面的端部逐渐变薄，
所述主面与所述倾斜面的表面比所述凹部的内壁平坦。
2.根据权利要求1所述的发光元件搭载用封装体，其特征在于，
所述金属层中所述侧面一侧的端部与所述主面之间的距离大于所述金属层中所述内壁侧的端部与所述主面之间的距离。
3.根据权利要求1所述的发光元件搭载用封装体，其特征在于，
所述金属层中所述侧面一侧的端部与所述主面之间的距离大于所述凹部的深度。
4.根据权利要求1所述的发光元件搭载用封装体，其特征在于，
纵剖观察时，所述倾斜面是凸曲面状。
5.根据权利要求1所述的发光元件搭载用封装体，其特征在于，
所述倾斜面具有倾斜角度不同的第1倾斜面以及第2倾斜面。
6.根据权利要求5所述的发光元件搭载用封装体，其特征在于，
所述绝缘基体具有与所述主面相对的另一个主面，
所述第1倾斜面设置在所述另一个主面一侧，所述第2倾斜面设置在所述主面一侧，
所述第2倾斜面的倾斜角度比所述第1倾斜面大。
7.根据权利要求1所述的发光元件搭载用封装体，其特征在于，
所述凹部的底面侧的内壁具有向所述凹部的内侧突出的突出部。
8.根据权利要求7所述的发光元件搭载用封装体，其特征在于，
所述金属层延伸设置到所述突出部上。
9.一种发光装置，其特征在于，具有：
权利要求1～8中任一项所述的发光元件搭载用封装体；以及
在该发光元件搭载用封装体的所述凹部搭载的发光元件。
10.一种发光模块，其特征在于，具有：
权利要求9所述的发光装置；以及
具有连接垫且所述发光装置经由接合材料与所述连接垫连接的模块用基板。
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