CN111969092B - 一种led芯片的封装工艺 - Google Patents
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- 238000012858 packaging process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000013329 compounding Methods 0.000 claims abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 claims description 8
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 8
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 8
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 1-ethynylcyclohexan-1-ol Chemical compound C#CC1(O)CCCCC1 QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSVRVHYFPPQFTI-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-methyl-trimethylsilyloxysilane;platinum Chemical compound [Pt].C[Si](C)(C)O[Si](C)(C=C)C=C DSVRVHYFPPQFTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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Abstract
本发明提出一种LED芯片的封装工艺，包括以下步骤：S1、提供载体，以及排布在所述载体上的LED芯片的矩阵阵列，相邻的所述LED芯片之间具有间隙；S2、采用防沉降荧光胶填充所述间隙，所述防沉降荧光胶控制在与LED芯片的顶面平齐的厚度，烘干固化所述防沉降荧光胶；S3、于所述LED芯片的矩阵阵列上涂覆速干型荧光胶，以覆盖在LED芯片的顶面，烘干固化所述速干型荧光胶；S4、在固化后的速干型荧光胶上复合AB胶保护膜；S5、切割所述LED芯片的矩阵阵列，得到LED芯片封装件。通过本发明的LED芯片的封装工艺制备得到的LED芯片封装件，可改善LED芯片的荧光胶层出现荧光粉沉降的情况。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED芯片的封装工艺。
背景技术
在LED灯的制作过程中，需要对LED芯片进行封装。封装后的LED芯片有单面(顶面)发光和多面发光等类型，对于多面发光的LED芯片需要对其四侧面和顶面进行荧光胶涂覆，但是同时涂覆五个发光面，在压平固化过程，容易出现荧光粉向四侧底部沉降的情况，导致出光不均，光效弱，底部出现黄边的情况，严重影响产品质量。
发明内容
为克服现有技术的不足，本发明提出一种LED芯片的封装工艺，可改善LED芯片的荧光胶层出现荧光粉沉降的情况。
本发明提出一种LED芯片的封装工艺，包括以下步骤：
S1、提供载体，以及排布在所述载体上的LED芯片的矩阵阵列，相邻的所述LED芯片之间具有间隙；
S2、采用防沉降荧光胶填充所述间隙，所述防沉降荧光胶控制在与LED芯片的顶面平齐的厚度，烘干固化所述防沉降荧光胶；
S3、于所述LED芯片的矩阵阵列上涂覆速干型荧光胶，以覆盖在LED芯片的顶面，烘干固化所述速干型荧光胶；
S4、在固化后的速干型荧光胶上复合AB胶保护膜；
S5、切割所述LED芯片的矩阵阵列，得到LED芯片封装件。
作为本发明的优选方案，步骤S2的烘干固化的条件为100-120℃的温度下，预热0.15-0.20小时，然后升温至125-150℃，烘干固化2.5-3.5小时。
作为本发明的优选方案，步骤S3的烘干固化条件为在138-150℃的温度下，烘干固化0.8-1.5小时。
作为本发明的优选方案，所述烘干固化操作在加热模具内进行，所述加热模具包括上模和下模。
作为本发明的优选方案，步骤S2防沉降荧光胶控制在与LED芯片的顶面平齐的厚度为通过以下操作进行：在LED芯片的矩阵阵列上涂覆所述防沉降荧光胶，通过第一压板压在防沉降荧光胶上使其流动填充所述间隙，且不超过LED芯片的顶面。
作为本发明的优选方案，所述速干型荧光胶涂覆后，通过第二压板压平后再进行固化。
作为本发明的优选方案，所述防沉降荧光胶由85～115重量份的AB胶、76～83重量份的荧光粉、0.3～0.8重量份的防沉降粉、1～3重量份的扩散粉混合制得。
作为本发明的优选方案，所述防沉降粉包括纳米硅酸铝、超细硅酸钙和气相二氧化硅，所述纳米硅酸铝、超细硅酸钙和气相二氧化硅的用量比为1：2：4。
作为本发明的优选方案，所述速干型荧光胶由85～115重量份的AB胶、76～83重量份的荧光粉和150～280重量份的稀释剂混合制得。
作为本发明的优选方案，所述稀释剂为二甲苯。
与现有技术对比，本发明的优异性体现在：
本发明的LED芯片的封装工艺为先在LED芯片的四侧涂覆荧光胶，固化烘干后，再涂覆顶面的荧光胶进行封装，可减少顶侧荧光胶的荧光粉在固化前向侧面转移造成过量加速沉降的情况。且本发明封装LED芯片侧面采用的荧光胶为防沉降荧光胶，由85～115重量份的AB胶、76～83重量份的荧光粉、0.3～0.8重量份的防沉降粉、1～3重量份的扩散粉混合制得；防沉降粉包括纳米硅酸铝、超细硅酸钙和气相二氧化硅，所述纳米硅酸铝、超细硅酸钙和气相二氧化硅的用量比为1：2：4。通过对各种防沉降剂进行粗细级配搭配，并将各个组分的加入比例调整到最佳，能达到稳定的防沉降效果，减少荧光粉向LED芯片底部转移，出现黄边的情况。此外，本发明封装LED芯片顶面采用的是速干型荧光胶，有助于荧光粉均匀分散并快速固化定型，有助于提高出光效率，且烘干过程稀释剂挥发，固化后的膜层不含稀释剂，不影响荧光粉的含量。
附图说明
图1为本发明的LED芯片的封装工艺的流程示意图。
图2为本发明的LED芯片封装后的结构示意图。
具体实施方式
如下结合附图，对本申请方案作进一步描述：
一种LED芯片的封装工艺，包括以下步骤：
S1、参见图1中的(a)图所示，提供载体1，以及排布在所述载体1上的LED芯片2的矩阵阵列，相邻的所述LED芯片2之间具有间隙3。
S2、参见图1中的(b)图所示，采用防沉降荧光胶4填充所述间隙3，所述防沉降荧光胶4控制在与LED芯片2的顶面平齐的厚度，烘干固化所述防沉降荧光胶4。具体通过以下操作进行：
S2.1、在LED芯片2的矩阵阵列上涂覆所述防沉降荧光胶4，所述防沉降荧光胶4由85～115重量份的AB胶、76～83重量份的荧光粉、0.3～0.8重量份的防沉降粉、1～3重量份的扩散粉混合制得。所述防沉降粉包括纳米硅酸铝、超细硅酸钙和气相二氧化硅，所述纳米硅酸铝、超细硅酸钙和气相二氧化硅的用量比为1：2：4。
S2.2、通过第一压板41压在防沉降荧光胶4上使其流动填充所述间隙3，且不超过LED芯片2的顶面。
S2.3、在100-120℃的温度下，预热0.15-0.20小时，然后升温至125-150℃，烘干固化2.5-3.5小时。
S3、参见图1中的(c)图所示，于所述LED芯片2的矩阵阵列上涂覆速干型荧光胶5，以覆盖在LED芯片2的顶面，烘干固化所述速干型荧光胶5。具体通过以下操作进行：
S3.1、所述速干型荧光胶由85～115重量份的AB胶、76～83重量份的荧光粉和150～280重量份的稀释剂混合制得；所述稀释剂为二甲苯。
S3.2、参见图1中的(d)图所示，采用涂胶机进行将所述速干型荧光胶5涂覆在LED芯片2的矩阵阵列上，以覆盖在LED芯片2的顶面，通过第二压板51压平。
S3.3、在138-150℃的温度下，烘干固化0.8-1.5小时。
S4、参见图1中的(e)图所示，在固化后的速干型荧光胶5上复合AB胶保护膜6。
S5、切割所述LED芯片2的矩阵阵列，得到LED芯片2封装件，如图2所示。
步骤S2和S3所述的烘干固化操作在加热模具内进行，所述加热模具包括上模和下模。
所述AB胶由A胶和B胶组成；相对于所述硅胶质量百分数为100wt％，所述A胶由16.63wt％的乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和0.04wt％的铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液组成，所述B胶由63.5wt％的苯基硅树脂、19.77wt％的苯基含氢聚硅氧烷和0.06wt％的乙炔基环己醇组成。
性能对比测试：
按上述封装工艺与下表1实施例1-3的组分配比进行实施；按表2对比例1的组分配比制得荧光胶，将该荧光胶直接涂覆在LED芯片四侧面和顶面后烘干固化。将实施例1-3制得的LED芯片封装件与对比例1制得的LED芯片封装件进行性能对比测试，结果如表3所示。
表1
表2
| 对比例1荧光胶组分 | 重量份 |
| AB胶 | 100 |
| 荧光粉 | 80 |
| 扩散粉 | 2 |
表3
由表3测试结果可知，实施例1-3通过先在LED芯片的四侧涂覆防沉降荧光胶，固化烘干后，再涂覆顶面的速干型荧光胶进行封装，可减少顶侧荧光胶的荧光粉在固化前向侧面转移造成过量加速沉降的情况。并且防沉降荧光胶通过对各种防沉降剂进行粗细级配搭配，并将各个组分的加入比例调整到最佳，能达到稳定的防沉降效果，封装后的LED芯片颜色一致性Y轴与X轴的偏差在0.01以内，且发光均匀，光效高。而对比例1采用现有技术封装的LED芯片，出现荧光粉沉降的黄边，且光效差，颜色不均，Y轴与X轴的偏差超过0.03。
上述优选实施方式应视为本申请方案实施方式的举例说明，凡与本申请方案雷同、近似或以此为基础作出的技术推演、替换、改进等，均应视为本专利的保护范围。
Claims (8)
1.一种LED芯片的封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供载体，以及排布在所述载体上的LED芯片的矩阵阵列，相邻的所述LED芯片之间具有间隙；
S2、采用防沉降荧光胶填充所述间隙，所述防沉降荧光胶控制在与LED芯片的顶面平齐的厚度，烘干固化所述防沉降荧光胶；
S3、于所述LED芯片的矩阵阵列上涂覆速干型荧光胶，以覆盖在LED芯片的顶面，烘干固化所述速干型荧光胶；
S4、在固化后的速干型荧光胶上复合AB胶保护膜；
S5、切割所述LED芯片的矩阵阵列，得到LED芯片封装件；
所述防沉降荧光胶由85～115重量份的AB胶、76～83重量份的荧光粉、0.3～0.8重量份的防沉降粉、1～3重量份的扩散粉混合制得；
所述速干型荧光胶由85～115重量份的AB胶、76～83重量份的荧光粉和150～280重量份的稀释剂混合制得。
2.根据权利要求1所述的LED芯片的封装工艺，其特征在于，步骤S2的烘干固化的条件为100-120℃的温度下，预热0.15-0.20小时，然后升温至125-150℃，烘干固化2.5-3.5小时。
3.根据权利要求1所述的LED芯片的封装工艺，其特征在于，步骤S3的烘干固化条件为在138-150℃的温度下，烘干固化0.8-1.5小时。
4.根据权利要求1或2或3所述的LED芯片的封装工艺，其特征在于，所述烘干固化操作在加热模具内进行，所述加热模具包括上模和下模。
5.根据权利要求1所述的LED芯片的封装工艺，其特征在于，步骤S2防沉降荧光胶控制在与LED芯片的顶面平齐的厚度为通过以下操作进行：在LED芯片的矩阵阵列上涂覆所述防沉降荧光胶，通过第一压板压在防沉降荧光胶上使其流动填充所述间隙，且不超过LED芯片的顶面。
6.根据权利要求1所述的LED芯片的封装工艺，其特征在于，所述速干型荧光胶涂覆后，通过第二压板压平后再进行固化。
7.根据权利要求1所述的LED芯片的封装工艺，其特征在于，所述防沉降粉包括纳米硅酸铝、超细硅酸钙和气相二氧化硅，所述纳米硅酸铝、超细硅酸钙和气相二氧化硅的用量比为1：2：4。
8.根据权利要求1所述的LED芯片的封装工艺，其特征在于，所述稀释剂为二甲苯。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010907912.2A CN111969092B (zh) | 2020-09-02 | 2020-09-02 | 一种led芯片的封装工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010907912.2A CN111969092B (zh) | 2020-09-02 | 2020-09-02 | 一种led芯片的封装工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111969092A CN111969092A (zh) | 2020-11-20 |
| CN111969092B true CN111969092B (zh) | 2022-04-22 |
Family
ID=73392255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010907912.2A Active CN111969092B (zh) | 2020-09-02 | 2020-09-02 | 一种led芯片的封装工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111969092B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN112331754B (zh) * | 2020-11-10 | 2022-03-18 | 深圳市中科创激光技术有限公司 | 光扩散剂及其制备方法、光扩散剂的应用 |
| CN114156375A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-08 | 深圳市德明新微电子有限公司 | 一种led封装方法 |
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|---|---|---|---|---|
| KR20170011824A (ko) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| CN110183979A (zh) * | 2019-06-24 | 2019-08-30 | 弗洛里光电材料（苏州）有限公司 | 多层复合膜及其应用 |
| CN110845988A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-02-28 | 安晟技术(广东)有限公司 | 一种遮光胶、其制备方法及应用 |
| CN110854109A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-02-28 | 安晟技术(广东)有限公司 | 一种正装led芯片的封装方法 |
-
2020
- 2020-09-02 CN CN202010907912.2A patent/CN111969092B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111969092A (zh) | 2020-11-20 |
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