CN110845988A - 一种遮光胶、其制备方法及应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种遮光胶、其制备方法及应用，该遮光胶包括以下质量份的组分：硅胶：90质量份至110质量份；二氧化硅粉末：1质量份至5质量份；氧化铝粉末：1质量份至5质量份；二氧化钛粉末：50质量份至80质量份。本发明的遮光胶具有抗沉淀、加强散热、遮光且不影响粘合度和硬度的效果，能够用于制备LED芯片的封装件，遮挡LED芯片的侧面，从而实现LED芯片的单面发光。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片封装技术领域，具体涉及一种遮光胶、其制备方法及应用。
背景技术
在LED灯的制造过程中，需要对LED芯片进行封装。传统的LED芯片封装工艺是对LED芯片逐个点胶，较为费时，生产成本高，而且难以控制并且减少LED芯片封装的体积以及厚度。新型的芯片级封装技术即CSP能够减少封装体积，使封装件更薄，有助于散热。现有的CSP LED通常是五面发光，即LED芯片的顶面和四个侧面均能发光，五面发光的工艺相对比较简单，但满足不了对产品出光的角度、一致性等要求。单面发光的LED芯片需要使用遮光胶遮挡LED芯片的四个侧面。而目前单面发光的LED芯片CSP制造方法较为复杂，且难以控制荧光层厚度，导致生产成本高，发光效果难以控制，且现有的遮光胶普遍存在散热性能、遮光效果或加工性能不足的问题。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的第一目的是提供一种遮光胶，该遮光胶具有良好的散热性能、遮光性能和加工性能。
本发明的第二目的是提供上述遮光胶的制备方法，该制备方法简单，并且能够提高遮光胶的性能。
本发明的第三目的是提供上述遮光胶的应用，使用上述遮光胶能够制备单面发光LED芯片。
为实现本发明的第一目的，本发明提供了一种遮光胶，其包括以下质量份的组分：
硅胶：90质量份至110质量份；
二氧化硅粉末：1质量份至5质量份；
氧化铝粉末：1质量份至5质量份；
二氧化钛粉末：50质量份至80质量份。
由上可见，本发明提供了一种遮光胶，该遮光胶用于制备LED芯片的封装件时，能够遮挡LED芯片的侧面，从而实现LED芯片的单面发光。当采用包括上述组分的遮光胶时，本发明的遮光胶具有较好的加工流动性，能够包裹LED芯片的侧面，同时具有适中的粘稠度，能够防止粉状物料的过快沉淀，而且粉料的添加不影响胶水的粘合度，固化后的遮光胶具有较好的强度和柔韧性，当需要切割时，能够提高切割效率，减少切割损坏，避免切割时变形或破裂。本发明的遮光胶固化后具有良好的遮光效果并且具有加强的散热效果。具体地，硅胶用量可以在90质量份至110质量份范围内，高于该用量会导致遮光胶容易裂膜，低于该用量会导致遮光胶不能成型；二氧化硅粉末用量可以在1质量份至5质量份范围内，高于该用量会导致遮光胶粘稠度过高，低于该用量会导致氧化铝沉淀过快沉淀；氧化铝粉末用量可以在1质量份至5质量份范围内，高于该用量会增加硅胶膜硬度，低于该用量会导致散热效果差；二氧化钛粉末的用量可以在50质量份至80质量份范围内，高于该用量会影响粘合度，低于该组分则遮光效果差。
进一步的技术方案是，硅胶由A胶和B胶组成；A胶包含乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液；B胶包含苯基硅树脂、苯基含氢聚硅氧烷和乙炔基环己醇。
由上可见，本发明的遮光胶中的硅胶组分由A胶和B胶组成，A胶作为主剂，主要由含不饱和键的聚硅氧烷和催化剂组成，B胶作为交联剂，主要由苯基硅树脂、含硅氢键的聚硅氧烷和抑制剂等组成。在使用前，A胶与B胶可以分开储存，提高硅胶的使用期限，在制备遮光胶时，将A胶、B胶与其他粉料组分混合，在固化过程中，A胶与B胶中的交联组分反应，使得遮光胶固化。
进一步的技术方案是，硅胶由质量比1∶5的A胶和B胶组成；相对于硅胶质量百分数为100wt％，A胶由16wt％至17wt％的乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和0.03wt％至0.05wt％的铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液组成，B胶由63wt％至64wt％的苯基硅树脂、19wt％至20wt％的苯基含氢聚硅氧烷和0.05wt％至0.07wt％的乙炔基环己醇组成。更进一步的技术方案是，相对于硅胶质量百分数为100wt％，A胶由16.63wt％的乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和0.04wt％的铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液组成，B胶由63.5wt％的苯基硅树脂、19.77wt％的苯基含氢聚硅氧烷和0.06wt％的乙炔基环己醇组成。
由上可见，本发明进一步限定了A胶和B胶中各组分的用量，当采用上述用量时，A胶和B胶能够很好地配合交联，且胶体具有较好的加工性能和粘合性能。
进一步的技术方案是，A胶在80rpm下粘度为5700mPa s至8400mPa s，B胶在80rpm下粘度为4600mPa s至7000mPa s。
由上可见，本发明进一步限定了A胶和B胶的粘度，在上述粘度范围内的胶体具有较好的加工流动性能。
进一步的技术方案是，遮光胶包括以下质量份的组分：
硅胶：100质量份；
二氧化硅粉末：1.5质量份；
氧化铝粉末：3质量份；
二氧化钛粉末：60质量份。
由上可见，本发明进一步限定了遮光胶的优选配方，该配方能够取得抗沉淀、加强散热、遮光且不影响粘合度和硬度的效果，综合性能较佳。
为实现本发明的第二目的，本发明提供了一种遮光胶的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤A：根据上述遮光胶准备各组分原料并添加各组分原料；
步骤B：将各组分原料混合分散均匀；
步骤C：脱泡处理。
由上可见，本发明还提供了上述遮光胶的制备方法，该制备方法简单，通过原料的分散和脱泡，进一步提高了遮光胶的性能，避免遮光胶内存在气泡而导致封装缺陷。
进一步的技术方案是，在步骤A中，按照二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、硅胶的顺序依次添加各组分原料；在步骤B中，使用玻璃棒顺时针或逆时针搅拌3至5分钟，使原料分散均匀；在步骤C中，将步骤B所得的混合物放入真空脱泡机公转、自转5至8分钟进行搅拌脱泡。
由上可见，本发明各组分按一定顺序添加能够使得各组分更好地分散，避免硅胶过早固化，按一定方向搅拌有利于分散并减少胶体中的气泡，真空脱泡搅拌可以除去遮光胶中的气泡同时起到分散作用。
为实现本发明的第三目的，本发明提供了一种遮光胶的应用，将上述遮光胶用于LED芯片侧面遮光，得到单面发光的LED芯片封装件。
由上可见，本发明提供了遮光胶在制备单面发光LED芯片封装中的应用，其中LED芯片可以是正装芯片或倒装芯片，LED芯片可以采用现有的封装结构，采用本发明的遮光胶进行侧面遮光，能够达到优异的遮光效果，同时具有良好的抗沉淀性能和加工性能。
进一步的技术方案是，遮光胶用于制备单面发光的LED芯片封装件包括以下步骤：
步骤1：提供载体，以及排布在所述载体上的LED芯片的矩阵阵列，相邻的LED芯片之间具有空隙；
步骤2：在所述矩阵阵列上涂覆所述遮光胶，所述遮光胶填充所述空隙；
步骤3：固化所述遮光胶；
步骤4：除去所述LED芯片上表面的遮光胶；
步骤5：在所述矩阵阵列上涂覆荧光胶，固化所述荧光胶后切割所述矩阵阵列，得到LED芯片封装件。
由上可见，本发明的遮光胶适用于LED芯片阵列上的LED芯片侧面的遮光，能够批量化生产封装的LED芯片，尤其适用于倒装LED芯片的封装。本发明的遮光胶具有较高的强度和柔韧性，能够提高切割效率，避免切割时胶层变形或破裂。
附图说明
图1是本发明的遮光胶制备倒装LED芯片CSP实施例的示意图。
具体实施方式
在本发明的实施例中使用的遮光胶包括以下组分：硅胶在90质量份至110质量份，二氧化硅粉末1质量份至5质量份，氧化铝粉末1质量份至5质量份，二氧化钛粉末50质量份至80质量份。其中，硅胶由质量比1：5的A胶和B胶组成，相对于硅胶质量百分数为100wt％，A胶由16.63wt％的乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和0.04wt％的铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液组成，B胶由63.5wt％的苯基硅树脂、19.77wt％的苯基含氢聚硅氧烷和0.06wt％的乙炔基环己醇组成。采用上述组分时能够有效填充空隙，起到遮光作用，不影响胶水的粘合度，加强散热效果并且防止粉状物料的过快沉淀。
遮光胶的制备步骤包括：按照二氧化硅、氧化铝粉、二氧化钛、A胶、B胶的先后顺序依次添加物料，通过玻璃棒顺时针搅拌5分钟，放入真空脱泡机公转、自转8分钟进行搅拌脱泡。采用上述制备方法制得的不同组分用量的遮光胶的实施例和对比例，其性能参数如下表1所示。
表1遮光胶实施例及对比例组分及性能
由上可见，在本发明限定的遮光胶组分用量范围内，实施例1至3能够达到抗沉淀，加强散热，遮光，且不影响粘合度和硬度的效果，其中实施例1综合效果更佳。而对比例1中二氧化钛用量过低，有明显的芯片蓝光透出，不符合遮光要求。对比例2中氧化铝粉用量过多，导致胶膜硬度过大，后期有裂膜现象，同时大大增加了胶液的粘稠度，导致粉状不均匀。
将上述实施例遮光胶用于制备倒装LED芯片CSP，包括以下步骤：
步骤a：如图1(a)所示，在载板10上贴第一热解膜11，在第一热解膜11上贴第一双面膜12。其中，载板10为钢板，载板10上设有倒装LED芯片20的矩阵定位标记；第一热解膜11具有粘结性，在加热后粘结性消失，易于剥离；第一双面膜12可以是硅胶双面膜，其双面具有粘性。载板10、第一热解膜11和第一双面膜12共同构成倒装LED芯片20的载体，载板10、第一热解膜11和第一双面膜12可以通过具有压膜辊的冷裱机进行贴合。
步骤b：如图1(b)所示，在第一双面膜12上排布倒装LED芯片20的矩阵阵列，具体地，由于第一热解膜11和第一双面膜12具有一定的透明度，可以在第一双面膜12上方确定载板10上的矩阵定位标记，例如可以通过视觉检测仪器进行定位，再根据矩阵定位标记在第一双面膜12上排布倒装LED芯片20的矩阵阵列，排布可以通过排片机等装置进行。相邻的倒装LED芯片20之间具有空隙21。第一双面膜12包括涂胶区域以及在涂胶区域之外的第一空余区域，矩阵阵列设置在涂胶区域内。在本实施例中，第一空余区域设置在涂胶区域的四周。
步骤c：在矩阵阵列上涂覆遮光胶30。遮光胶30的涂覆过程可以将带有倒装LED芯片20的载体用夹具固定，采用涂胶机进行覆膜。
步骤d：如图1(c)所示，将第一压件压在遮光胶30上，使得遮光胶30填充空隙21，遮光胶30不超出涂胶区域。其中，第一压件包括第一压板40和保护膜41，保护膜41与遮光胶30接触，第一压板40设置在保护膜41上，第一压板40平行于载板10。保护膜41可以保持遮光胶30固化表面的光滑洁净，第一压板40可以是玻璃板，用来提供一定的压力。将第一压板40下压，使保护膜41靠近倒装LED芯片20的上表面，减少倒装LED芯片20上表面的残留遮光胶30。
步骤e：固化遮光胶30。固化条件可以是在75℃至90℃下固化45min至80min，在115℃至125℃下固化15min至45min。具体在本实施例中，固化过程可以在烘箱内进行，80℃下烘烤1h，120℃下烘烤0.5h。
步骤f：如图1(d)所示，剥离第一压件，除去倒装LED芯片20上表面的遮光胶30。具体地，可以使用消膜剂除去倒装LED芯片20上表面的遮光胶30，将消膜剂沾在无纺布上，手动使用镊子夹紧无纺布拭擦倒装LED芯片20上表面。消膜剂包括以下组分：稀释剂50质量份至70质量份，工业酒精30质量份至40质量份，丙酮10质量份至30质量份。采用该消膜剂能够有效清除芯片表面多余的残膜，且清除残膜后，后续烘烤不会发泡，加强了芯片与荧光膜的粘结度。
步骤g：在矩阵阵列上涂覆荧光胶50。荧光胶50的涂覆过程可以将带有倒装LED芯片20的载体用夹具固定，采用涂胶机进行覆膜。荧光胶50包括以下组分：硅胶在90质量份至110质量份，荧光粉40质量份至60质量份，二氧化硅粉末1质量份至5质量份，DP胶1质量份至3质量份。采用上述组分能够提高荧光胶的光效，加强粘结力，更好控制荧光膜的厚薄度，并且提高后续的切割效率。
步骤h：如图1(e)所示，在第一空余区域放置支撑块60，支撑块60的高度大于倒装LED芯片20的高度。在本实施例中，支撑块60的数目为4个，每一个支撑块60的高度相同，4个支撑块分别设置在涂胶区域四周的第一空余区域上。
步骤i：如图1(e)所示，将第二压件放置在支撑块60上，第二压件在矩阵阵列上方压平荧光胶50。第二压件包括第二压板70、第二热解膜71、第二双面膜72和高温膜73，第二热解膜71贴在第二压板70上，第二双面膜72贴在第二热解膜71上，第二双面膜72包括贴合区域以及在贴合区域之外的第二空余区域，贴合区域与涂胶区域对应设置，第二空余区域与第一空余区域对应设置，高温膜73贴在贴合区域上。第二压件以第二压板70朝上、高温膜73朝下的方式放置在支撑块60上，高温膜73与荧光胶50接触，第二双面膜72与支撑块60接触。其中，第二热解膜71具有粘结性，在加热后粘结性消失，易于剥离；第二双面膜72可以是硅胶双面膜，其双面具有粘性；高温膜73没有粘性，表面光滑，避免粘荧光层或导致荧光层表面粗糙。第二压板70、第二热解膜71、第二双面膜72和高温膜73可以通过具有压膜辊的冷裱机进行贴合。支撑块60支撑在第一双面膜12和第二双面膜72之间，第一双面膜12和第二双面膜72对支撑块60有一定的粘结作用，避免固化等过程中第二压件相对于载体位移而导致封装厚度变化。本发明可以根据CSP封装件的厚度要求，选择合适的支撑块60的高度以及高温膜73的厚度，CSP封装件的厚度等于支撑块60的高度减去高温膜73的厚度。具体在本实施例中，支撑块60的高度为0.55mm，高温膜的厚度为0.15mm，可以得到厚度为0.4mm的封装芯片。
步骤j：固化荧光胶50；固化条件为：在75℃至90℃下固化45min至80min，在115℃至125℃下固化15m in至45min；具体在本实施例中，固化可以在烘箱中进行，固化条件为80℃烘烤1h，120℃烘烤0.5h。
步骤k：剥离第二压件，剥离载板10，切割矩阵阵列，得到倒装LED芯片20的CSP封装件。第一热解膜11或第一双面膜12上可以设有切割标记，根据切割标记切割矩阵阵列。
以上仅为本发明遮光胶应用的优选实施例，本发明的遮光胶可以应用于不同工艺来制造单面发光LED芯片封装件，尤其适用于利用芯片阵列批量封装LED芯片的场合，本发明的遮光胶固化后具有较高的强度和柔韧性，能够提高切割效率，减少切割损坏。
最后需要强调的是，以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明。凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种遮光胶，其特征在于包括以下质量份的组分：
硅胶：90质量份至110质量份；
二氧化硅粉末：1质量份至5质量份；
氧化铝粉末：1质量份至5质量份；
二氧化钛粉末：50质量份至80质量份。
2.根据权利要求1所述的一种遮光胶，其特征在于：
所述硅胶由A胶和B胶组成；
所述A胶包含乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液；
所述B胶包含苯基硅树脂、苯基含氢聚硅氧烷和乙炔基环己醇。
3.根据权利要求2所述的一种遮光胶，其特征在于：
所述硅胶由质量比1∶5的所述A胶和所述B胶组成；
相对于所述硅胶质量百分数为100wt％，所述A胶由16wt％至17wt％的乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和0.03wt％至0.05wt％的铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液组成，所述B胶由63wt％至64wt％的苯基硅树脂、19wt％至20wt％的苯基含氢聚硅氧烷和0.05wt％至0.07wt％的乙炔基环己醇组成。
4.根据权利要求3所述的一种遮光胶，其特征在于：
相对于所述硅胶质量百分数为100wt％，所述A胶由16.63wt％的乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和0.04wt％的铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液组成，所述B胶由63.5wt％的苯基硅树脂、19.77wt％的苯基含氢聚硅氧烷和0.06wt％的乙炔基环己醇组成。
5.根据权利要求2所述的一种遮光胶，其特征在于：
所述A胶在80rpm下粘度为5700mPa s至8400mPa s，所述B胶在80rpm下粘度为4600mPas至7000mPa s。
6.根据权利要求1至5任一项所述的一种遮光胶，其特征在于包括以下质量份的组分：
硅胶：100质量份；
二氧化硅粉末：1.5质量份；
氧化铝粉末：3质量份；
二氧化钛粉末：60质量份。
7.一种遮光胶的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤A：根据权利要求1至6任一项所述的一种遮光胶准备各组分原料并添加各组分原料；
步骤B：将各组分原料混合分散均匀；
步骤C：脱泡处理。
8.根据权利要求7所述的一种遮光胶的制备方法，其特征在于：
在所述步骤A中，按照二氧化硅粉末、氧化铝粉末、二氧化钛粉末、硅胶的顺序依次添加各组分原料；
在所述步骤B中，使用玻璃棒顺时针或逆时针搅拌3至5分钟，使原料分散均匀；
在所述步骤C中，将所述步骤B所得的混合物放入真空脱泡机公转、自转5至8分钟进行搅拌脱泡。
9.一种遮光胶的应用，其特征在于将权利要求1至6任一项所述的一种遮光胶用于LED芯片侧面遮光，得到单面发光的LED芯片封装件。
10.根据权利要求9所述的一种遮光胶的应用，其特征在于包括以下步骤：
步骤1：提供载体，以及排布在所述载体上的LED芯片的矩阵阵列，相邻的所述LED芯片之间具有空隙；
步骤2：在所述矩阵阵列上涂覆所述遮光胶，所述遮光胶填充所述空隙；
步骤3：固化所述遮光胶；
步骤4：除去所述LED芯片上表面的所述遮光胶；
步骤5：在所述矩阵阵列上涂覆荧光胶，固化所述荧光胶后切割所述矩阵阵列，得到LED芯片封装件。
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|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111969092A (zh) * | 2020-09-02 | 2020-11-20 | 安晟技术(广东)有限公司 | 一种led芯片的封装工艺 |
| CN112310265A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-02 | 杭州数通光电有限公司 | 用于植物照明的光源及其制作方法 |
| CN115260983A (zh) * | 2022-08-01 | 2022-11-01 | 旭宇光电（深圳）股份有限公司 | Led封装材料、led光源及其封装方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102473811A (zh) * | 2009-07-23 | 2012-05-23 | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 具有模制的反射侧壁涂层的led |
| CN104253194A (zh) * | 2014-09-18 | 2014-12-31 | 易美芯光（北京）科技有限公司 | 一种芯片尺寸白光led的封装结构及方法 |
| CN104916763A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-09-16 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种芯片级封装led的封装方法 |
| CN105778513A (zh) * | 2014-12-18 | 2016-07-20 | 北京科化新材料科技有限公司 | 液体硅橡胶复合物 |
| CN207690828U (zh) * | 2018-01-04 | 2018-08-03 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种led发光装置 |
| CN109904301A (zh) * | 2017-12-11 | 2019-06-18 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 芯片级封装多面发光led及其封装方法、背光模组 |
-
2019
- 2019-11-06 CN CN201911080402.6A patent/CN110845988A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102473811A (zh) * | 2009-07-23 | 2012-05-23 | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 具有模制的反射侧壁涂层的led |
| CN104253194A (zh) * | 2014-09-18 | 2014-12-31 | 易美芯光（北京）科技有限公司 | 一种芯片尺寸白光led的封装结构及方法 |
| CN105778513A (zh) * | 2014-12-18 | 2016-07-20 | 北京科化新材料科技有限公司 | 液体硅橡胶复合物 |
| CN104916763A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-09-16 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种芯片级封装led的封装方法 |
| CN109904301A (zh) * | 2017-12-11 | 2019-06-18 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 芯片级封装多面发光led及其封装方法、背光模组 |
| CN207690828U (zh) * | 2018-01-04 | 2018-08-03 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种led发光装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 徐开先 等: "《传感器实用技术》", 31 December 2016, 国防工业出版社 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111969092A (zh) * | 2020-09-02 | 2020-11-20 | 安晟技术(广东)有限公司 | 一种led芯片的封装工艺 |
| CN111969092B (zh) * | 2020-09-02 | 2022-04-22 | 安晟技术(广东)有限公司 | 一种led芯片的封装工艺 |
| CN112310265A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-02 | 杭州数通光电有限公司 | 用于植物照明的光源及其制作方法 |
| CN115260983A (zh) * | 2022-08-01 | 2022-11-01 | 旭宇光电（深圳）股份有限公司 | Led封装材料、led光源及其封装方法 |
| CN115260983B (zh) * | 2022-08-01 | 2024-04-05 | 旭宇光电（深圳）股份有限公司 | Led封装材料、led光源及其封装方法 |
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