CN207690828U - 一种led发光装置 - Google Patents
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- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种LED发光装置,包括:具有碗杯的支架,所述碗杯具有底面和与所述底面连接的侧壁,所述底面具有LED芯片安装区;LED芯片,安装于所述碗杯底部的芯片安装区;反射胶,形成于所述碗杯的侧壁并向所述底面延伸,所述碗杯底面的芯片安装区外周设置有隔离部,用于隔离所述LED芯片和所述反射胶,以避免所述反射胶覆盖所述LED芯片的侧面。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,特别涉及一种LED发光装置。
背景技术
由于发光二极管(LED)具有高安全性、低能耗、高光效、寿命长、环保等多种优点被越来越广泛地应用于电脑、液晶显示器、手机、大尺寸液晶电视及室内照明和室外照明领域。随着LED应用越广泛,对其品质要求的越高。
实用新型内容
本实用新型提供一种LED发光装置,其包括:具有碗杯的支架,所述碗杯具有底面和与所述底面连接的侧壁,所述底面具有LED芯片安装区;LED芯片,安装于所述碗杯的芯片安装区;反射胶,形成于所述碗杯的侧壁并向所述底面延伸,所述碗杯底面的芯片安装区外周设置有隔离部,用于隔离所述LED芯片和所述反射胶,以避免所述反射胶覆盖所述LED芯片的侧面。
优选地,所述反射胶不接触所述LED芯片的侧壁。
优选地,所述隔离部为沟槽结构,其底部低于所述芯片安装区的表面。所述沟槽的条数可以是一条或者多条,沟槽宽度W优选为0.005~0.5mm,更优选范围为0.01~0.1mm,沟槽深度D优选为0.005~0.15mm,多条沟槽情况下,沟槽间距S优选为0.005~0.1mm;所述沟槽截面形状可以是V字形、方形或者弧形;所述沟槽图案可以是环芯片安装区的闭合图案,亦可以是非闭合图案。
优选地,所述碗杯底面除所述沟槽外,其余区域位于同一水平面上。
在一些实施例中,所述沟槽位于所述芯片安装区的外侧。
在一些实施例中,所述沟槽也可以位于所述芯片安装区的边缘。
在一些实施例中,所述沟槽还可以同时位于所述芯片安装区的外侧的边缘部分区域。
优选地,所述反射胶形成在非芯片安装区,并形成弧面,其可以通过接触式或者非接触式点胶,或者印刷方式实现。
优选地,所述反射胶对可见光反射率为95%以上,更优为98%以上,具体材料可以是由树脂、硅胶等与二氧化钛、氧化锌、二氧化锆、硫酸钡等白色粉末配制而成。
优选地,所述LED发光装置还包括抗静电元件,其安装于所述碗杯的底面,并被所述反射胶覆盖。
在一些实施例中,所述支架底部安装抗静电元件的位置形成一定深度的凹孔,将所述抗静电元件埋入该凹孔中,使得该抗静电元件更容易被反射胶遮盖。
与现有技术相比,本实用新型提供的一种LED发光装置,至少包括以下技术效果:
(1)在支架的非芯片安装区形成一弧面反射胶,并利用沟槽对反射胶扩散时的阻挡效果,可防止芯片侧面爬胶影响芯片侧面出光,同时增加反射胶点胶制程的可行性和效率;
(2)采用高反射率的反射胶覆盖支架的底面金属及抗静电元件,可降低封装支架和抗静电元件对光的吸收,从而实现封装效率的提升。
本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。此外,附图数据是描述概要,不是按比例绘制。
图1是现有一种LED发光装置的剖面示意图.
图2是实施例1的LED发光装置的剖面示意图。
图3是实施例1所示LED发光装置的支架的剖面示意图。
图4~5是图3所示LED封装支架的俯视图。
图6是实施例2的LED发光装置的剖面示意图。
图7是实施例3的LED发光装置的剖面示意图。
图8是实施例4的LED发光装置的剖面示意图。
图9是实施例5的LED发光装置的剖面示意图。
图10是实施例6的LED发光装置的剖面示意图。
图中各标号表示如下:100:现有LED封装结构;200:本实用新型封装结构;110、210:支架;120、220:LED芯片;130、230:抗静电元件;140、240:封装胶;211:碗杯结构;212:碗杯侧壁;213:碗杯底面;214:芯片安装区;215:沟槽结构;216:支架顶部;217:支架底部;218:支架电极隔离区;250:反射胶。
具体实施方式
下面结合示意图对本实用新型的LED发光装置进行详细的描述,在进一步介绍本实用新型之前,应当理解,由于可以对特定的实施例进行改造,因此,本实用新型并不限于下述的特定实施例。还应当理解,由于本实用新型的范围只由所附权利要求限定,因此所采用的实施例只是介绍性的,而不是限制性的。
应当理解,本实用新型所使用的术语仅出于描述具体实施方式的目的,而不是旨在限制本实用新型。如本实用新型所使用的,单数形式“一”、“一种”和“所述”也旨在包括复数形式,除上下文清楚地表明之外。应进一步理解,当在本实用新型中使用术语“包含”、"包括"、“含有”时,用于表明陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或封装件的存在,而不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、封装件、和/或它们的组合的存在或增加。
除另有定义之外,本实用新型所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本实用新型所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。应进一步理解,本实用新型所使用的术语应被理解为具有与这些术语在本说明书的上下文和相关领域中的含义一致的含义,并且不应以理想化或过于正式的意义来理解,除本实用新型中明确如此定义之外。
目前,普通照明LED封装大多采用注塑成型的EMC、PPA等支架,其封装结构如图1示,该LED发光装置100一般包括:具有碗杯的支架110、安装于支架碗杯内的LED芯片120和抗静电元件130、以及将各电子元件进行密封和兼具波长转换功能的封装胶140。该LED封装结构的制程主要包括:(1)在支架的碗杯底部(通常表面镀金属层)安装LED芯片、抗静电元件然后进行焊线;(2)在碗杯内点封装胶、烘烤等。尽管该封装工艺简单,然而支架底部的金属镀层反射率较低、齐纳管等元器件的吸光属性,明显不利于封装体出光效率的提升。
下面实施例提供一种可增加支架底面反射出光和防止抗静电等元器件吸光的LED发光装置。
实施例1
如图2所示,根据本实用新型的第一个较佳实施例,一种LED发光装置200,主要包括:支架210、LED芯片220,抗静电元件230及封装胶240。
如图3所示,该支架210具有顶部216、底部217以及位于两者之间的碗杯结构211,该碗杯211具有底面213、与底面连接的侧壁212,在底面213设置LED芯片安装区214,其一般位于碗杯211底部的中间区域,在芯片安装区外周设置有沟槽结构215。
具体的,碗杯211的侧壁212优选倾斜于底面213,碗杯211的底面213优选镀有金属层(图中未视出),沟槽215的条数可以是一条或者多条,优选为1~4条,沟槽宽度W优选为0.005~0.5mm,更优选范围为0.01~0.1mm,沟槽深度D优选为0.001~0.15mm,在采用多条沟槽情况下,沟槽215之间的间距S优选为0.005~0.1mm,沟槽215截面形状可以是V字形、方形或者弧形,在本实施例中采用V字形。
图4和5显示了支架210的俯视图,从图中可看出,沟槽215图案可以是环绕LED芯片安装区214的闭合图案,亦可以是非闭合图案,其中图4所示基板结构的沟槽215为非闭合式,在此情况下,沟槽215的末端优先与底面的电极隔离区218相连,图5所示基板结构的沟槽215为闭合式。
LED芯片220和抗静电元件230安装于碗杯的底面上,其中LED芯片220位于沟槽215的内侧,反射胶250形成在碗杯的非芯片安装区域,并形成弧面,将碗杯底面金属镀层及抗静电元件遮盖,其可以通过接触式或者非接触式点胶,或者印刷方式实现,该反射胶250对可见光的反射率为95%以上,更优为98%以上,具体材料可以是由树脂、硅胶等与二氧化钛、氧化锌、二氧化锆、硫酸钡等白色粉末配制而成。封装胶240针对LED芯片、抗静电元件等电子元器件及其电路进行行密封保护,其中亦可加入波长转换材料,从而兼具波长转换功能,实现LED封装。
如图2所示,由于在LED芯片220的外周围区域形成沟槽215结构,在形成反射胶250时沟槽215对反射胶扩散可起到缓冲阻挡作用,从而可以控制反射胶流到沟槽215内,其靠近LED芯片220的部分基本只是填平沟槽215,基本不会高于碗杯底面211,因此不会覆盖到LED芯片的侧面,最终实现封装效率提升的同时,增加反射胶250点胶制程的可行性和效率。
实施例2
请参看图6,区别于实施例1的是,本实施例中碗杯底面上的沟槽215的截面为方形。
实施例3
请参看图7,区别于实施例1的是,本实施例中碗杯底面上的沟槽215截面形状为曲线状,例如可以是弧形、U型等。
实施例4
请参看图8,区别于实施例1的是,本实施例的支架内安装抗静电元件230的位置形成一定深度的凹孔,将抗静电元件230部分埋入其中,从而使得反射胶250更容易遮盖该抗静电元件。
实施例5
在支架的碗杯底面213上形成条沟槽215,可兼容放置不同尺寸芯片,LED芯片安装位置可以限制在沟槽215的内侧,亦可覆盖部分沟槽。在前面各实施例中,LED芯片220均安装于沟槽215的内侧。请参看图9,在本实施例中LED芯片220的边缘覆盖部分沟槽215,被遮盖沟槽可由固晶胶填充。
实施例6
在支架的碗杯底面213上形成条沟槽215,可兼容放置一颗或者多颗LED芯片,芯片固晶位置可以限制在沟槽的内侧,亦可覆盖部分沟槽。在前面实施例中,均只在支架的碗杯内安装一颗LED芯片。请参看附图10,在本实施例中,在碗杯的LED芯片安装区安装多颗LED芯片,同时LED芯片的边缘覆盖部分沟槽。
应当理解的是,上述具体实施方案仅为本实用新型的部分优选实施例,以上实施例还可以进行各种组合、变形。本实用新型的范围不限于以上实施例,凡依本实用新型所做的任何变更,皆属本实用新型的保护范围之内。
Claims (15)
1.一种LED发光装置,包括:
具有碗杯的支架,所述碗杯具有底面和与所述底面连接的侧壁,所述底面具有LED芯片安装区;
LED芯片,安装于所述碗杯的芯片安装区;
反射胶,形成于所述碗杯的侧壁并向所述底面延伸,其特征在于:所述碗杯底面的芯片安装区外周设置有隔离部,用于隔离所述LED芯片和所述反射胶,以避免所述反射胶覆盖所述LED芯片的侧面。
2.根据权利要求1所述的LED发光装置,其特征在于:所述反射胶不接触所述LED芯片的侧壁。
3.根据权利要求1所述的LED发光装置,其特征在于:所述隔离部为沟槽结构,其底部低于所述芯片安装区的表面。
4.根据权利要求3所述的LED发光装置,其特征在于:所述碗杯底面除所述沟槽外,其余区域位于同一水平面上。
5.根据权利要求3所述的LED发光装置,其特征在于:所述沟槽的条数为一条或者多条。
6.根据权利要求5所述的一种LED发光装置,其特征在于:所述沟槽为多条,沟槽之间的间距S为范围0.005-0.1mm。
7.根据权利要求3所述的LED发光装置,其特征在于:所述沟槽为截面为V字形、方形或者弧形。
8.根据权利要求3所述的LED发光装置,其特征在于:所述沟槽的宽度W为0.005-0.5mm。
9.根据权利要求3所述的LED发光装置,其特征在于:所述沟槽深度D为0.001-0.15mm。
10.根据权利要求3所述的LED发光装置,其特征在于:所述LED芯片位于所述沟槽所在区域的内侧。
11.根据权利要求3所述的LED发光装置,其特征在于:所述LED芯片的边缘覆盖部分所述沟槽。
12.根据权利要求1所述的LED发光装置,其特征在于:所述反射胶对于可见光的反射率为95%以上。
13.根据权利要求1所述的LED发光装置,其特征在于:所述反射胶具有弧面。
14.根据权利要求1所述的LED发光装置,其特征在于:还包括一抗静电元件,其安装于所述碗杯的底面,并被所述反射胶覆盖。
15.根据权利要求14所述的LED发光装置,其特征在于:所述碗杯的底面具有凹陷,所述抗静电元件安装于所述凹陷内。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201820010566.6U CN207690828U (zh) | 2018-01-04 | 2018-01-04 | 一种led发光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201820010566.6U CN207690828U (zh) | 2018-01-04 | 2018-01-04 | 一种led发光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN207690828U true CN207690828U (zh) | 2018-08-03 |
Family
ID=62990855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201820010566.6U Active CN207690828U (zh) | 2018-01-04 | 2018-01-04 | 一种led发光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN207690828U (zh) |
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