CN109904301A - 芯片级封装多面发光led及其封装方法、背光模组 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种芯片级封装多面发光LED及其封装方法、背光模组，先设置包覆LED芯片的正面出光面和侧面出光面的发光转换胶并进行固化；再形成覆盖LED芯片正面出光面上处于第一状态的发光转换胶层的反射胶并进行固化处理，得到相互结合且处于第二状态的荧光胶层和反射胶层；得到的LED正面出光面发出的光通过发光转换胶层后，被反射胶层反射回来从LED的侧面出光面发出，从而使得LED产生的光从LED侧面的发光面发射出去，相对现有从正面发光面发出的LED，其发光角度更大，混光效果更好，因此可以在应用于背光源领域时，不使用光学透镜，省去光学透镜的硬件成本和贴装的人力成本，使背光源成本大幅下降的同时，提升混光效果。

Description

芯片级封装多面发光LED及其封装方法、背光模组

技术领域

本发明涉及LED(Light Emitting Diode，发光二极管)领域，尤其涉及一种芯片级封装多面发光LED及其封装方法、背光模组。

背景技术

随着LED的应用和发展，对LED的尺寸要求越来越小。为了满足减小LED尺寸的要求，出现了芯片级封装(Chip Scale Package，CSP)LED，目前的CSPLED主要有两种结构：

一种是五面出光CSP LED，参见图1所示，其结构原理是在倒装LED芯片11(FlipLED chip)模压荧光胶层12后，再做成品切割得到单颗的CSP LED，其四个侧面以及顶部的正面都是出光面，底部的背面则设置有电极111。这种结构的缺点是发光角度较大，不利于后续透镜的匹配。

另一种是单面出光CSP LED，参见图2所示，其相对图1所示的五面出光CSP LED，首先在倒装LED芯片21四周制作与芯片等高的白胶墙23，用于阻挡芯片侧面发出的光，其后在倒装LED芯片21和白胶墙23上方粘贴一层荧光胶层22，再对其进行切割，得到单颗只有顶部的正面出光的单面出光LED，底部的背面则设置有电极211。这种结构的缺点白胶与荧光胶及芯片结合面小、导致白墙易脱落。

不管是五面出光还是单面出光的CSP LED，在应用于电视机背光领域时，都需要额外贴装光学透镜，通过光学透镜使LED光源发出的光发散，由点光源变成面光源。贴装光学透镜既增加硬件成本，又增加人力成本，会导致背光源整体成本上升。另外，上述结构的CSPLED在贴装光学透镜后在光源上方都会存在由于混光不均匀导致出现严重的亮斑。

发明内容

本发明提供的芯片级封装多面发光LED及其封装方法、背光模组，主要解决的技术问题是：解决现有CSP LED应用需增加光学透镜，成本高、效果差的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种芯片级封装多面发光LED的封装方法，包括步骤：

S1、将发光转换胶设置包覆在LED芯片的正面出光面和侧面出光面；

S2、在预设第一固化条件下对所述发光转换胶进行固化处理得到第一状态的发光转换胶层；

S3、在所述LED芯片正面出光面上处于所述第一状态的发光转换胶层上设置反射胶；

S4、在预设第二固化条件下对所述第一状态的发光转换胶层以及所述反射胶进行固化处理，得到处于第二状态的发光转换胶层和反射胶层。

在本发明的一种实施例中，在所述步骤S1之前，还包括：

S11、将所述LED芯片按设定间隔排列在耐高温膜上；

在所述步骤S4之后，还包括步骤：

S41、沿相邻LED芯片之间的间隔进行等距切割；

S42、去除所述LED芯片上的所述耐高温膜。

在本发明的一种实施例中，所述得到处于第二状态的发光转换胶层和反射胶层之后，还包括步骤：

按照设定图案对反射胶层进行切割得到开窗结构，使得所述LED芯片正面出光面发出的部分光透过所述开窗结构向外发射。

在本发明的一种实施例中，对所述反射胶层切割的厚度小于或等于所述反射胶层的厚度。

在本发明的一种实施例中，所述第一状态为未完全固化状态，所述第一固化条件包括：

烘烤温度为60℃至120℃，烘烤时间为10分钟至60分钟。

在本发明的一种实施例中，所述第二状态为完全固化状态，所述第二固化条件包括：

烘烤温度为130℃至170℃，烘烤时间为80分钟至240分钟。

为了解决上述问题，本发明还提供了一种芯片级封装多面发光LED，包括LED芯片，设置在所述LED芯片正面出光面和侧面出光面上的发光转换胶层，以及设置在所述LED芯片正面出光面上的发光转换胶层之上的反射胶层，所述LED芯片正面出光面发出的至少部分光通过所述发光转换胶层之后被所述反射胶层反射回所述发光转换胶层，并从所述LED芯片侧面出光面的发光转换胶层发射出去。

在本发明的一种实施例中，所述反射胶层之上还设有开窗结构，所述LED芯片正面出光面发出的部分光透过所述开窗结构向外发射。

在本发明的一种实施例中，所述反射胶层为包含白色颗粒的硅树脂层。

为了解决上述问题，本发明还提供了一种背光模组，包括导光板和设置于所述导光板侧面的LED组件，所述LED组件由如上所述的多面发光LED组成。

本发明的有益效果是：

本发明提供的多面发光LED封装方法、多面发光LED及背光模组，在得到多面发光LED时，先设置包覆LED芯片的正面出光面和侧面出光面的发光转换胶，然后在预设第一固化条件下对的发光转换胶进行固化处理得到第一状态的发光转换胶层；再在LED芯片正面出光面上处于第一状态的发光转换胶层上设置反射胶，最后在预设第二固化条件下对第一状态的发光转换胶层以及反射胶进行固化处理，得到处于第二状态的发光转换胶层和反射胶层；这样得到的LED正面出光面上发出的至少部分光通过发光转换胶层后，被反射胶层反射回来从LED的侧面出光面发出，从而使得LED产生的光从LED侧面的发光面发射出去，相对现有从正面发光面发出的LED，其发光角度更大，混光效果更好，因此可以在应用于背光源领域时，可以不使用光学透镜，省去光学透镜的硬件成本和贴装的人力成本，使背光源成本大幅下降的同时，提升混光效果。

另外，本发明中的第一状态和第二状态可分别为未完全固化状态和完全固化状态。也即本发明在形成发光转换胶之后，先对其进行半固化(即未完全固化)，在其完全固化之前在上面形成反射胶，然后再一起完全固化，发光转换胶层与反胶层接触面积大，且反射胶可与未完全固化的发光转换胶发生化学键合反应，使得二者的相互结合效果更为稳定、可靠，避免二者脱离，保证LED产品的可靠性。

附图说明

图1为一种五面出光CSP LED示意图；

图2为一种单面出光CSP LED示意图；

图3为本发明实施例一的芯片级封装多面发光LED封装方法流程图；

图4为本发明实施例一的未完全固化的发光转换胶层示意图；

图5为本发明实施例一的发光转换胶层和反射胶层分布示意图；

图6为本发明实施例一的芯片级封装多面发光LED批量封装流程图；

图7为本发明实施例一的“十”字形的开窗示意图；

图8为本发明实施例一的“井”字形的开窗示意图；

图9为本发明实施例一的圆形嵌套的开窗示意图；

图10为本发明实施例二的芯片级封装多面发光LED批量封装流程图；

图11为本发明实施例二的倒装LED芯片排列示意图；

图12为本发明实施例二的未完全固化的发光转换胶层示意图；

图13为本发明实施例二的全固化的发光转换胶层和白胶层示意图；

图14为本发明实施例二的芯片级封装批量LED芯片切割示意图；

图15为本发明实施例二的切割后的芯片级封装LED芯片去除耐高温膜后的示意图；

其中，图1中11为倒装LED芯片，12为荧光胶层，111为电极；图2中21为倒装LED芯片，22为荧光胶层，211为电极，23为白胶墙；图4中41为LED芯片，42为半固化状态的发光转换胶；图5中51为LED芯片，511为LED芯片正面出光面，52为半固化状态的发光转换胶，53为反射胶；图11中121为倒装LED芯片，122为高温膜；图12中123为发光转换胶层；图13中124为白胶层。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面通过具体实施方式结合附图对本发明实施例作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例一：

为了解决现有CSP LED应用需增加光学透镜，成本高、效果差的问题，本实施例提供一种新的多面发光LED封装方法，通过该封装方法得到的LED在应用时不需要增加光学透镜，成本低，效果好。

参见图3所示，本实施例提供的多面发光LED封装方法包括：

S301：将发光转换胶设置包覆在LED芯片的正面出光面和侧面出光面。

一般的LED芯片具有四个侧面，且每个侧面都为出光面，顶部的面为正面，正面也为出光面。所以一般LED芯片具有侧面出光面和正面出光面。目前的LED都是主要是应用LED芯片的正面出光面。例如目前市面上的倒装LED芯片就具有四个侧面出光面和一个正面出光面，与正面出光面相对的为底部的背面，正电极和负电极则设置于该背面。对于正装LED芯片和垂直LED芯片在此就不再赘述。

本实施例中，在LED芯片的正面出光面和侧面出光面上设置发光转换胶的方式可以是任意设置发光转换胶的方式，例如包括但不限于各种印刷方式、涂覆、点胶方式等。

本实施例中的发光转换胶可以是包含荧光粉的荧光胶，也可以是包含量子点光致材料的胶体，或者其他可实现发光转换的发光转换胶。

S302：在预设第一固化条件下对包覆LED芯片的正面出光面和侧面出光面的发光转换胶进行固化处理得到第一状态的发光转换胶层。

本实施例中的第一固化条件也可称之为未完全固化条件(或半固化条件)，第一状态为未完全固化状态，本实施例中的未完全固化(也可称之为半固化)是指发光转换胶既不是处于液态状态，也不是处于完全固化状态，而是处于液态和完全固化状态之间的一个状态。第一固化条件具体可以根据发光转换胶的材料特性、用料量等因素灵活设定。例如在一种示例中，第一固化条件包括：烘烤温度为60℃至120℃，烘烤时间为10分钟至60分钟，例如可以具体取烘烤温度为60℃，烘烤时间为60分钟，或取烘烤温度为80℃，烘烤时间为50分钟，或取烘烤温度为100℃，烘烤时间为30分钟，或取烘烤温度为120℃，烘烤时间为10分钟。

应当理解的是，本实施例中对发光转换胶的固化方式并不限于上述烘烤的方式，也可以采用其他任意能控制发光转换胶固化程度的方式。

通过该步骤，LED芯片的正面出光面和侧面出光面周围会形成一层未完全固化状态的发光转换胶。参见图4所示，在LED芯片41的正面出光面和侧面出光面周围形成有未完全固化状态(也即半固化状态)的发光转换胶42。

S303：在覆盖LED芯片正面出光面上处于第一状态的发光转换胶层上设置反射胶。

如上所述，本实施例中的第一状态可以是未完全固化状态，本步骤可在发光转换胶处于未完全固化状态时，在LED芯片正面出光面上的处于未完全固化状态的发光转换胶层之上设置反射胶，便于反射胶与发光转换胶相结合。且在一种示例中，在LED芯片正面出光面上的处于未完全固化状态的发光转换胶层之上形成反射胶之后，可以静置一段时间，以使得反射胶与发光转换胶充分初步结合。

本实施例中，将发光转换胶具体固化到什么什么程度，可以根据发光转换胶材料和反射胶材料的特性等因素灵活选定。

通过该步骤，会在LED芯片正面出光面上的半固化发光转换胶层之上形成反射胶。参见图5所示，在LED芯片51的正面出光面511上的半固化发光转换胶层52之上形成有反射胶53。

当然，应当理解的是，本实施例中的第一状态也可以是完全固化状态，此时则可直接在完全刮花的发光转换胶层上设置反射胶。

S304：在预设第二固化条件下对处于第一状态的发光转换胶层以及S303中设置的反射胶进行固化处理，得到处于第二状态的发光转换胶层和反射胶层。

通过该步骤可以将发光转换胶和反射胶全部固化进而得到LED。也即本实施例中的第二固化条件可为全固化条件，第二状态可为完全固化状态。本实施例中第二固化条件具体可以根据发光转换胶和反射胶的材料特性、用料量等因素灵活设定。例如在一种示例中，第二固化条件包括：烘烤温度为130℃至170℃，烘烤时间为80分钟至240分钟。例如可以具体取烘烤温度为130℃，烘烤时间为240分钟，或取烘烤温度为150℃，烘烤时间为180分钟，或取烘烤温度为170℃，烘烤时间为80分钟；具体的烘烤温度和烘烤时间可以根据具体应用场景灵活设定。

应当理解的是，本实施例中对发光转换胶和反射胶的固化方式也并不限于上述烘烤的方式，也可以采用其他任意能实现发光转换胶和反射胶固化的方式。

应当理解的是，本实施例中的反射胶理论上可以采用任意能实现全反射的各种胶体，也可以是多种胶体混合在一起的复合胶。例如，在一种示例中，反射胶为包含预设白色颗粒的硅树脂。本实施例中的白色颗粒可包括TiO₂颗粒、BaSO₄颗粒、SiO₂颗粒和Al₂O₃颗粒中的至少一种，颗粒的粒径可以为20um至40um。硅树脂与TiO₂颗粒、SiO₂颗粒和Al2O₂颗粒中的至少一种的白色粉末混合后形成白色的硅胶，TiO₂颗粒、BaSO₄颗粒、SiO₂颗粒和Al₂O₃颗粒的加入可以使得反射层的发射率达到97％以上，从而尽可能减少光损失。这样LED芯片正面出光面的光会通过反射层与底部基板的多次反射从侧面发出，且根据上述反射率分析可知，增加白胶层不会对光通量造成太多的损失，但会使产品发光角度由120°或145°变成160°甚至更大，因此可以在不使用透镜的情况下，使混光更加均匀。

在本实施例中，在执行上述步骤S301之前，还可包括：

将所述LED芯片按设定间隔排列在耐高温膜上；

在执行上述S304步骤之后，还可包括以下步骤：

沿相邻LED芯片之间的间隔进行等距切割；

去除LED芯片上的所述耐高温膜。

可见，本实施例中的多面发光LED封装方法适用于单颗LED芯片的封装，也适用于批量LED芯片的封装。下面就以批量封装的一种实现流程为示例进行说明。该封装过程参见图6所示，包括：

S601：将各LED芯片按设定间隔排列在耐高温膜上。

本实施例中选择耐高温膜作为封装过程中的载体，在封装完成之后可以去除。本实施例中的耐高温膜是指耐150℃以上的膜。

本实施例中各LED芯片之间的间隔可以根据要形成的LED的规格要求或者应用场景对尺寸的要求等灵活设定，可以等间隔设置，也可根据需求采用不等间隔的方式进行设置。

S602：在耐高温膜上将发光转换胶设置包覆在LED芯片的正面出光面和侧面出光面。具体设置过程参见上述介绍，在此不再赘述。

S603：在预设第一固化条件下对所述发光转换胶进行固化处理得到未完全固化状态的发光转换胶层。具体参见上述介绍，在此不再赘述。

S604：在LED芯片正面出光面上处于未完全固化状态的发光转换胶层上设置反射胶。具体参见上述介绍，在此不再赘述。

S605：在预设第二固化条件下对处于未完全固化状态的发光转换胶层以及S603设置的反射胶进行固化处理，得到相互结合且处于固化状态的发光转换胶层和反射胶层。具体参见上述介绍，在此不再赘述。

S606：沿相邻LED芯片之间的间隔进行等距切割；具体可以沿着相邻LED芯片之间间隔的中心线切割，切割时可以不对底部的耐高温膜切割，以便于一次性去除耐高温膜，也可以对底部的耐高温膜切割，切割后或在后续的使用过程中再单颗的进行耐高温膜的去除；应当理解的是，本步骤中在切割时并不限于等距切割，也可以根据应用需要采用非等间距切割的方式进行切割。

S607：去除耐高温膜。

通过本实施例的上述方法制得的多面发光LED包括LED芯片，设置在LED芯片正面出光面和侧面出光面上的发光转换胶层，以及设置在LED芯片正面出光面上的发光转换胶层之上的反射胶层，该LED芯片正面出光面发出的至少部分光通过发光转换胶层之后被所述反射胶层反射回发光转换胶层，并从LED芯片侧面出光面的发光转换胶层发射出去，也即该多面发光LED的光从可从LED芯片的四个侧面发出去。

在本实施例中，为了调整LED的混光效果，也可以通过在反射层上开窗的方式，以控制适当比例的光以预设的形状从LED顶部射出。此时，在本实施例中，在上述步骤S304得到处于固化状态的发光转换胶层和反射胶层之后，还包括：

对LED芯片正面出光面上的反射胶层按设定图案进行反射胶切割处理得到开窗结构，使得LED芯片正面出光面发出的部分光透过该开窗结构向外发射。应当理解的是，本实施例中对反射胶层切割形成开窗结构时，可以是在上述步骤S304之后的任意时刻切割，例如可以是在上述去除耐高温膜步骤之后切割，也可以是在得到反射胶层之后，去除耐高温膜之前切割。本实施例中开窗结构的形状(也即设定图案)具体可以根据需求灵活设定，且切割时形成开窗结构的具体切割区域(也即开窗结构供光线发出的区域)可以根据预设的需要从LED顶部发出的光线比例灵活设定。例如设定图案可以为“十”字形，矩形，菱形，“井”字形，椭圆形，三角形和圆形中的任意一种。具体的，参见图7所示，该图所示则是在反射胶层上开设了一个“十”字形的开窗，使得LED芯片正面出光面发出的光透过该“十”字形开窗向外发射。参见图8，该图所示则是在反射胶层上开设了一个“井”字形的开窗，使得LED芯片正面出光面发出的光透过该“井”字形开窗向外发射。参见图9，该图所示则是在反射胶层上开设了一个通过圆嵌套组合的开窗，使得LED芯片正面出光面发出的光透过该“圆嵌套组合的开窗字形开窗向外发射。

本实施例中，在做反射胶切割处理时，对反射胶层切割的厚度小于或等于反射胶层的厚度。也即根据需求，反射胶的开窗深度，可以一直延伸至发光转换胶层，也可以距发光转换胶有一定的距离，可以通过具体的切割模具的形状进行控制。图7-9所示的几种开窗都是反射胶层切割的厚度等于反射胶层的厚度(即延伸至发光转换胶层)，但根据需求，可以在切割时距发光转换胶有一定的距离，以保证预设比例的光从该开窗部分射出。应当理解的是，本实施例中在反射胶层上形成开窗结构的方式并不限于上述通过切割形成的方式；例如也可以通过在发光转换胶层上设置相应形状结构的模具，然后再设置反射胶，并对反射胶进行半固化处理之后撤掉模具，这样原来模具所在的地方就形成开窗结构，然后再将发光转换胶和反射胶完全固化，从而得到具有开窗接口的反射胶。

通过本实施例提供的LED封装方法进行封装得到的芯片级封装LED，芯片级封装LED正面出光面上发出的光经由发光转换胶层后，可被反射胶层反射回来从LED的侧面出光面发出，从而使得LED正面产生的至少部分光从LED侧面的发光面发射出去，相对现有从正面发光面发出的LED，其发光角度更大，混光效果更好，因此可以在应用于背光源领域时，可以不使用光学透镜，省去光学透镜的硬件成本和贴装的人力成本，使背光源成本大幅下降的同时，提升混光效果。

本实施例提供的封装方法在形成发光转换胶之后，还可先对其进行半固化，在其完全固化之前在上面设置反射胶，然后再一起固化，发光转换胶层与反胶层接触面积大，且反射胶可与未完全固化的发光转换胶发生化学键合反应，使得二者的结合效果更为稳定、可靠，避免二者脱离，保证LED产品的可靠性。

本实施例提供的封装方法还可根据需求在反射层上开设预设图案和尺寸的窗口，以使得部分光按照预设比例和形状从LED顶部射出，调整混光效果，进一步保证混光的均匀性。

实施例二：

为了更好的理解本发明，本实施例以LED芯片为倒装LED芯片为示例进行说明。但应当理解的是，本发明对于正装LED芯片和垂直LED芯片进行相适应的调整之后也适用。

本实施例以批量封装倒装LED芯片为示例进行说明。参见图10所示，包括：

S1001：倒装LED芯片排列：参见图11所示，将倒装LED芯片121按照设计好的距离排列到高温膜上122。

S1002：设置发光转换胶：例如发光转换胶可采用荧光胶，且可采用涂覆或模压等工艺将荧光胶转移到倒装LED芯片表面及四周。

S1003：半固化：发光转换胶形成后，在80℃的环境中烘烤40min左右，使其处于半固化的状态；半固化之后得到的荧光胶层参见12中标记123所示。

S1004：设置反射胶：例如反射胶可采用白胶，且可采用涂覆或模压等工艺，将白胶转移到LED芯片正面之上的半固化的发光转换胶表面，用于阻挡产品上面光出的光。

本实施例中的白胶一般选用含TiO₂颗粒、BaSO₄颗粒、SiO₂颗粒、Al₂O₃颗粒成分的硅胶，其反射率可以达到97％以上，芯片上面的光会通过白胶与底部基板的多次反射从侧面发出，增加白胶层不会对光通量造成太多的损失，但会使产品发光角度由120°或145°变成160°甚至更大，可以在不使用透镜的情况下，使混光更加均匀。

S1005：全固化：将荧光胶与白胶一起进行150℃的长时间(例如180分钟)烘烤，可以使荧光胶与白胶之间产生化学键，提高两者的结合性。烘烤之后得到如图13所示的固化的荧光胶层123和固化的白胶层124。

S1006：切割：使用切割机沿着材料之间的中心进行切割，切割刀的厚度要与之前设计好的切割道宽度进行匹配，如图14所示。

S1007：切割后去除高温膜：切割后去除高温膜，使之成为单颗的四面发光CSP LED灯珠，如图15所示。

S1008：开窗：该步骤为可选步骤，具体可以根据LED使用场景及要求的不同，通过改变白胶的形状来控制产品顶部的出光形状及比例，白胶的开窗深度，可以一直延伸至荧光胶，也可以距荧光胶有一定的距离，可以通过模具的形状进行灵活控制。

可见，通过本实施例和上述实施例一所示的芯片级封装多面发光LED封装方法得到的芯片级封装多面发光LED，包括LED芯片，设置在LED芯片正面出光面和侧面出光面上的发光转换胶层，以及设置在LED芯片正面出光面上的发光转换胶层之上的反射胶层，LED芯片正面出光面发出的至少部分光通过发光转换胶层之后被反射胶层反射回发光转换胶层，并从LED芯片侧面出光面的发光转换胶层发射出去，相对现有从正面发光面发出的LED，其发光角度更大，混光效果更好，因此可以在应用于背光源领域时，可以不用光学透镜，省去光学透镜的硬件成本和贴装的人力成本，使背光源成本大幅下降的同时，提升混光效果。本实施例中的芯片级封装多面发光LED不需要衬底，成本低、尺寸更精小，且散热性能更好。

在一些应用场景中，根据当前混光效果需求，还可在反射层上设置开窗结构，使得LED芯片正面出光面发出的部分光透过开窗结构向外发射，以控制适当比例的光以预设的形状从LED顶部射出，以进一步提升混光的均匀性。且如上所示，本实施例中具体的开窗形状、深度等都可以根据具体需求灵活设定。本实施例中的反射胶层可以为各种能实现光反射的胶层，如上所示，包括但不限于含白色颗粒的硅树脂层，该白色颗粒包括但不限于TiO₂颗粒、BaSO₄颗粒、SiO₂颗粒、Al₂O₃颗粒中的至少一种。

通过上述封装得到的LED可以应用于各种发光领域，例如其可以制作成背光模组应用于显示背光领域(可以是电视、显示器、手机等终端的背光模组)。此时可以将其应用于背光模组，例如一种背光模组中，包括导光板和设置于导光板侧面的LED组件，该LED组件就可采用上面的多面发光LED组成。除了可应用于显示背光领域外，还可应用于按键背光领域、拍摄领域、家用照明领域、医用照明领域、装饰领域、汽车领域、交通领域等。应用于按键背光领域时，可以作为手机、计算器、键盘等具有按键设备的按键背光光源；应用于拍摄领域时，可以制作成摄像头的闪光灯；应用于家用照明领域时，可以制作成落地灯、台灯、照明灯、吸顶灯、筒灯、投射灯等；应用于医用照明领域时，可以制作成手术灯、低电磁照明灯等；应用于装饰领域时可以制作成各种装饰灯，例如各种彩灯、景观照明灯、广告灯；应用于汽车领域时，可以制作成汽车车灯、汽车指示灯等；应用于交通领域时，可以制成各种交通灯，也可以制成各种路灯。上述应用仅仅是本实施例所示例的几种应用，应当理解的是LED的应用并不限于上述示例的几种领域。

本实施例中的LED在应用时不再需要贴装光学透镜，成本低，且由于从侧面出光的出光角度大，同时还可根据需要从LED顶部按预设比例和形状出光以保证混光效果，相对现有采用光学透镜进行混光的LED，混光效果更好。

以上内容是结合具体的实施方式对本发明实施例所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种芯片级封装多面发光LED的封装方法，其特征在于，包括步骤：

S1、将发光转换胶设置包覆在LED芯片的正面出光面和侧面出光面；

S2、在预设第一固化条件下对所述发光转换胶进行固化处理得到第一状态的发光转换胶层；

S3、在所述LED芯片正面出光面上处于所述第一状态的发光转换胶层上设置反射胶；

S4、在预设第二固化条件下对所述第一状态的发光转换胶层以及所述反射胶进行固化处理，得到处于第二状态的发光转换胶层和反射胶层。

2.如权利要求1所述的芯片级封装多面发光LED的封装方法，其特征在于，在所述步骤S1之前，还包括：

S11、将所述LED芯片按设定间隔排列在耐高温膜上；

在所述步骤S4之后，还包括步骤：

S41、沿相邻LED芯片之间的间隔进行等距切割；

S42、去除所述LED芯片上的所述耐高温膜。

3.如权利要求1所述的芯片级封装多面发光LED的封装方法，其特征在于，所述得到处于第二状态的发光转换胶层和反射胶层之后，还包括步骤：

按照设定图案对反射胶层进行切割得到开窗结构，使得所述LED芯片正面出光面发出的部分光透过所述开窗结构向外发射。

4.如权利要求3所述的芯片级封装多面发光LED的封装方法，其特征在于，对所述反射胶层切割的厚度小于或等于所述反射胶层的厚度。

5.如权利要求1-4任一项所述的多面发光LED封装方法，其特征在于，所述第一状态为未完全固化状态，所述第一固化条件包括：

烘烤温度为60℃至120℃，烘烤时间为10分钟至60分钟。

6.如权利要求1-4任一项所述的芯片级封装多面发光LED的封装方法，其特征在于，所述第二状态为完全固化状态，所述第二固化条件包括：

烘烤温度为130℃至170℃，烘烤时间为80分钟至240分钟。

7.一种芯片级封装多面发光LED，其特征在于，包括LED芯片，设置在所述LED芯片正面出光面和侧面出光面上的发光转换胶层，以及设置在所述LED芯片正面出光面上的发光转换胶层之上的反射胶层，所述LED芯片正面出光面发出的至少部分光通过所述发光转换胶层之后被所述反射胶层反射回所述发光转换胶层，并从所述LED芯片侧面出光面的发光转换胶层发射出去。

8.如权利要求7所述的芯片级封装多面发光LED，其特征在于，所述反射胶层之上还设有开窗结构，所述LED芯片正面出光面发出的部分光透过所述开窗结构向外发射。

9.如权利要求7或8所述的芯片级封装多面发光LED，其特征在于，所述反射胶层为包含白色颗粒的硅树脂层。

10.一种背光模组，其特征在于，包括导光板和设置于所述导光板侧面的LED组件，所述LED组件由如权利要求7-9任一项所述的多面发光LED组成。