CN111785710B - Led灯珠及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种LED灯珠及其制备方法，其中，LED灯珠制备方法包括：于支撑膜表面制备荧光胶层；于荧光胶层表面制备具备粘性的硅胶层，硅胶层的粘度大于1000mpa.s；将多颗倒装LED芯片排列于硅胶层表面，并进行压合；对压合后的硅胶层进行固化，并进行切割得到单颗白光芯片；将白光芯片固定于封装支架上；于白光芯片四周围高反射率白胶得到LED灯珠，高反射率白胶的厚度不高于荧光胶层。其通过在荧光胶层表面制备具有粘性的硅胶层的方式完成贴膜工艺，使用该方法制备得到的LED灯珠相对于现有技术中无硅胶结构或少量硅胶结构来说，提升亮度了1.5～3％,同时将LED灯珠的发光角度增大至150°。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种LED灯珠及其制备方法。
背景技术
现阶段，陶瓷大功率封装中使用的大部分是倒装芯片，且在封装过程中一般通过喷涂或贴膜的工艺完成荧光粉工艺。为了得到更均匀的光斑，贴膜工艺使用的越发频繁，在这过程中，首先会在倒装芯片发光侧表面上点透明硅胶，之后将膜片贴上去，并通过压合膜片的方式把硅胶挤压出来完成贴膜。但是，这一工艺中对硅胶的用量并不好控制，对产品亮度有较大影响。
发明内容
为了克服以上不足，本发明提供了一种LED灯珠及其制备方法，有效解决现有LED灯珠封装过程中用量不易控制的问题。
本发明提供的技术方案为：
一种LED灯珠制备方法，包括：
于支撑膜表面制备荧光胶层；
于所述荧光胶层表面制备具备粘性的硅胶层，所述硅胶层的粘度大于1000mpa.s；
将多颗倒装LED芯片排列于所述硅胶层表面，并进行压合；
对压合后的硅胶层进行固化，并进行切割得到单颗白光芯片；
将所述白光芯片固定于封装支架上；
于所述白光芯片四周围高反射率白胶得到LED灯珠，所述高反射率白胶的厚度不高于荧光胶层。
本发明还提供了一种LED灯珠，包括：
封装支架；
设置于所述封装支架表面的倒装LED芯片；
于所述倒装LED芯片中与电极侧相对的发光侧表面设置的荧光胶层，所述荧光胶层的尺寸大于倒装LED芯片发光侧表面的尺寸；
于所述倒装LED芯片四周设置的硅胶层，所述硅胶层的厚度不大于倒装LED芯片的厚度，且所述硅胶层呈规则的方形围设于倒装LED芯片四周；及
于所述硅胶层四周设置的高反射率白胶层。
在本发明提供的LED灯珠及其制备方法中，通过在荧光胶层表面制备具有粘性的硅胶层的方式完成贴膜工艺，使用该方法制备得到的LED灯珠相对于现有技术中无硅胶结构或少量硅胶结构来说，提升亮度了1.5～3％。另外，该方法能够简单方便的实现倒装LED芯片四周硅胶结构的制备，相较于其他结构形成的硅胶结构来说，制备方法简单易于实现的同时将LED灯珠的发光角度增大至150°。
附图说明
图1为本发明一实例中LED灯珠结构示意图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明实施案例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本发明的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
本发明提供的LED灯珠制备方法中包括：S10于支撑膜表面制备荧光胶层；S20于荧光胶层表面制备具备粘性的硅胶层，硅胶层的粘度大于1000mpa.s；S30将多颗倒装LED芯片排列于硅胶层表面，并进行压合；S40对压合后的硅胶层进行固化，并进行切割得到单颗白光芯片；S50将白光芯片固定于封装支架上；S60于白光芯片四周围高反射率白胶得到LED灯珠，高反射率白胶的厚度不高于荧光胶层。具体，在得到的LED灯珠中包括：封装支架、设置于封装支架表面的倒装LED芯片、于倒装LED芯片中与电极侧相对的发光侧表面设置的荧光胶层，于倒装LED芯片四周设置的硅胶层及于硅胶层四周设置的高反射率白胶层的LED灯珠。
具体，在制备荧光胶层中，将一定质量比(硅胶:荧光粉＝1:0.3～3)的硅胶与荧光粉称量好，均匀搅拌并真空脱泡后将其置于支撑膜表面，设定刮刀高度，刮出一定厚度的荧光胶层后进行烘烤得到全干的厚度为30～200μm的荧光胶层。烘烤的条件可根据实际情况进行限定，如在一实例中，在温度150℃下，烘烤1h。
制备得到荧光胶层之后，在该荧光胶层表面涂覆一定厚度的透明硅胶，并在一定条件下对其进行烘烤，如80～120℃下烘烤10～40min，使其呈现半固化的状态。这里，具备粘性具体指代荧光胶层处于未完全固化状态，即固液共存且无法流动的状态，此时该荧光胶层的粘度应大于1000mpa.s。
之后，将倒装LED芯片规则排列于具备粘性的硅胶层表面，在压合机设备下进行压合，使倒装LED芯片和硅胶层结合在一起并烘烤。为了保证芯片出光及压合后透明硅胶不会溢出至倒装LED芯片的电极侧表面，可根据实际情况对硅胶层的厚度进行限定，确保压合后倒装LED芯片周围的透明硅胶厚度不大于芯片的厚度。对于倒装LED芯片来说，一般厚度在150～250μm，为实现目的，可限定硅胶层的厚度较倒装LED芯片小一些，如，当倒装LED芯片厚度为150μm时，限定硅胶层的厚度为小于100μm；当倒装LED芯片厚度为250μm时，限定硅胶层的厚度为小于200μm等。应当清楚，由于压合后硅胶层的上升高度除了受限于自身的厚度之外，同时受限于支撑膜的面积及倒装LED芯片的数量等因素，故这里对其厚度不做具体限定，在实际应用中能够实现发明目的均可。在一实例中，将蓝光倒装LED芯片等距离固定在高温发泡膜上之后，将排列在发泡膜表面的倒装LED芯片进一步置于硅胶层表面，并于压合机设备中进行压合；之后在150℃的温度下烘烤3～5min去除发泡膜的粘性以将发泡膜移除，再在150℃的温度下烘烤3h，完成倒装LED芯片于硅胶层中的固化。
固化之后，对其进行切割得到单颗白光芯片。在这过程中，首先将整板白光芯片放在UV膜上，并将UV膜放于裂片机平台上，等待切割；按照要求切割得到单颗白光芯片后，过UV机对UV膜进行解UV，并将白光芯片翻到蓝膜上。
之后，将白光芯片固在封装支架上(陶瓷支架、EMC支架、PPT、PCE等)，并于白光芯片四周围高反射率白胶(反射率大于95％，由硅胶中掺杂如二氧化钛的反射颗粒得到)，在一定条件(如150℃温度下，烘烤1～2h)下对高反射率白胶进行烘烤后得到LED灯珠，最后对其进行测试、切割、分选、编带及入库。这里，高反射率白胶的厚度不高于荧光胶层，即高反射率白胶不能溢出至荧光胶层表面。在其他实施例中，最后可以根据需求进行压膜，在压膜后进行测试、切割、分选、编带及入库。
在一实例中，压膜透镜后得到的LED灯珠结构示意图如图1所示，在该LED灯珠中，倒装LED芯片6固定于陶瓷支架1上，透明硅胶3围设于倒装LED芯片6的四周，荧光胶层4设置于倒装LED芯片6的发光侧表面，高反射率白胶2围设于透明硅胶3四周，透镜5固定于整个芯片上。
在由上述方法制备得到的LED灯珠中，通过在荧光胶层表面制备具有粘性的硅胶层及压合的方式完成贴膜工艺，相对于现有LED灯珠的制备方法来说，不会出现胶量难控制问题，且相对于现有无硅胶结构或少量硅胶结构的LED灯珠来说，提升亮度了1.5～3％。另外，其通过简单的方法在荧光胶层和倒装LED芯片之间制备方形的硅胶结构(荧光胶层的尺寸较倒装LED芯片大，且倒装LED芯片设置于荧光胶层的中心位置，荧光胶层和倒装LED芯片相接的位置制备围设倒装LED芯片设置硅胶)，能够实现发光角度增加的同时，相较于其他硅胶结构来说，制备方法明显简单且易于实现。
应当说明的是，上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种LED灯珠制备方法，其特征在于，包括：
于支撑膜表面制备荧光胶层；
于所述荧光胶层表面制备具备粘性的硅胶层，所述硅胶层的粘度大于1000mpa.s；
将多颗倒装LED芯片排列于所述硅胶层表面，并进行压合；
对压合后的硅胶层进行固化，并进行切割得到单颗白光芯片；
将所述白光芯片固定于封装支架上；
于所述白光芯片四周围高反射率白胶得到LED灯珠，所述高反射率白胶的厚度不高于荧光胶层。
2.如权利要求1所述的LED灯珠制备方法，其特征在于，在所述于所述白光芯片四周围高反射率白胶得到LED灯珠中，还包括对围有高反射率白胶的LED芯片进行压膜的步骤。
3.如权利要求1或2所述的LED灯珠制备方法，其特征在于，所述硅胶层的厚度小于倒装LED芯片的厚度。
4.如权利要求1或2所述的LED灯珠制备方法，其特征在于，所述荧光胶层的厚度为30~200μm。
5.一种LED灯珠，其特征在于，包括：
封装支架；
设置于所述封装支架表面的倒装LED芯片；
于所述倒装LED芯片中与电极侧相对的发光侧表面设置的荧光胶层，所述荧光胶层的尺寸大于倒装LED芯片发光侧表面的尺寸；
于所述倒装LED芯片四周设置的硅胶层，所述硅胶层的厚度不大于倒装LED芯片的厚度，且所述硅胶层表面平整、呈规则的方形围设于倒装LED芯片四周；及
于所述硅胶层四周设置的高反射率白胶层。
6.如权利要求5所述的LED灯珠，其特征在于，所述LED灯珠还包括设于荧光胶层表面的透镜。
7.如权利要求5所述的LED灯珠，其特征在于，在所述LED灯珠中，所述荧光胶层的厚度为30~200μm。
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| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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