CN112151643A - 一种倒装led芯片结构及其制作方法 - Google Patents
一种倒装led芯片结构及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112151643A CN112151643A CN201910565759.7A CN201910565759A CN112151643A CN 112151643 A CN112151643 A CN 112151643A CN 201910565759 A CN201910565759 A CN 201910565759A CN 112151643 A CN112151643 A CN 112151643A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led
- led chip
- chip
- support
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 78
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 7
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 6
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 3
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000005574 cross-species transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供一种倒装LED芯片结构,包括LED支架,LED支架包括支架正极、支架负极;倒装在LED支架碗杯内的LED芯片;形成于LED支架碗杯内将LED芯片包覆的绝缘反射胶;其中支架正极、支架负极中放置LED芯片的电极区域高于支架正极、支架负极的其他区域,其他区域包括支架正极、支架负极除放置LED芯片的电极区域外的区域,相比现有LED支架的电极区域为平底结构而言,通过垫高的电极区域,使得绝缘反射胶可以轻松的流入LED芯片底部;绝缘反射胶四周包覆LED芯片,避免产品出现微短路甚至完全短路的问题,同时也避免芯片底部空气热膨胀出现暗裂或破损的问题,提高了产品的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及LED的应用领域,尤其涉及一种倒装LED芯片结构及其制作方法。
背景技术
如今,LED已经广泛应用于液晶背光源领域和照明领域,随着LED应用环境的增多,市场对LED的要求也越来越高。LED的结构不同,其性能也大不相同,优化LED的结构,LED的性能也会得到提升。
目前,基于倒装LED芯片的结构,请参见图1,包括LED支架101、倒装LED芯片102、白胶103,具体的,首先采用焊料104将倒装LED芯片102固定在LED支架101的碗杯中,将白胶103填充到LED芯片102及LED支架101的缝隙,基于图1所示的LED结构,由于焊料厚度一般只有10-25um,LED芯片底部距离LED支架底面的高度为10-25um,LED芯片与LED支架的高度缝隙较小,填充白胶时,由于白胶从LED支架流入LED芯片底部正负极焊料之间的高度差较小,使得LED芯片底部正负极焊料之间白胶无法流入,最终导致产品出现微短路甚至完全短路;同时由于LED芯片底部没有白胶,使用时,LED芯片底部的空气在产品使用时由于受热膨胀,容易导致LED芯片出现暗裂或破损。
发明内容
本发明提供一种倒装LED芯片结构及其制作方法,主要解决的技术问题是:现有倒装LED芯片的结构的LED芯片底部正负极焊料之间白胶无法流入,导致LED芯片正负极之间的焊料存在迁移的情况产品出现微短路甚至完全短路,同时LED芯片底部的空气在产品使用时由于受热膨胀,容易导致LED芯片出现暗裂或破损的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种倒装LED芯片结构,包括:
LED支架,所述LED支架包括支架正极、支架负极;倒装在所述LED支架碗杯内的LED芯片;形成于所述LED支架碗杯内将所述LED芯片包覆的绝缘反射胶;
所述支架正极、支架负极中放置所述LED芯片的电极区域高于所述支架正极、支架负极的其他区域,所述其他区域包括所述支架正极、支架负极除放置所述LED芯片的电极区域外的区域。
可选的,所述绝缘反射胶填充所述LED芯片底部的正极引脚和负极引脚之间的绝缘间隙。
可选的,所述LED芯片底部具有正极引脚和负极引脚,所述正极引脚和负极引脚通过设置在所述电极区域上的焊料分别与所述支架正极、支架负极电连接,所述绝缘反射胶填充焊料之间的绝缘间隙。
可选的,所述放置所述LED芯片的电极区域大于所述LED芯片。
可选的,所述焊料的面积小于所述电极区域的面积。
进一步地,本发明还提供一种制作上述所述倒装芯片LED结构的制作方法,制作方法包括:
步骤S1:设计并制作LED支架,所述LED支架中放置LED芯片的电极区域高于LED支架电极的其他区域;
步骤S2:将焊料印刷在垫高的所述电极区域;
步骤S3:将所述LED芯片倒装在所述焊料上;
步骤S4:点胶,当绝缘反射胶流入所述LED芯片底部后,固化所述绝缘反射胶。
可选的,步骤S2中,通过3D钢网将所述焊料印刷在所述电极区域,所述3D钢网的开孔尺寸小于所述电极区域的面积。
可选的,步骤S3中,当所述焊料包括银胶,所述LED芯片放置在所述焊料上,并在恒温170℃烘烤1H;
当所述焊料包括锡膏或助焊剂,所述LED芯片放置在所述焊料上,并在最高炉温290℃的氮气环境下回流焊30s。
可选的,步骤S3之后,步骤S4之前,还包括,采用耐高温硅树脂将荧光片贴在所述LED芯片上,并在150℃的条件下烘烤3-4H。
可选的,所述步骤S4中,所述绝缘反射胶包括白胶,利用点胶设备在所述荧光片及所述LED支架周围喷涂一层白胶,在43℃的环境中静置1-2H所述倒装芯片LED结构,使得所述白胶流入所述LED芯片底部;或,通过离心机离心沉降所述白胶,使得所述白胶流入所述LED芯片底部,当所述白胶完全填充所述LED芯片底部时,将倒装芯片LED结构置于150℃的环境中烘烤3-4H,固化所述白胶。
有益效果
本发明提供一种倒装LED芯片结构,包括LED支架,LED支架包括支架正极、支架负极;倒装在LED支架碗杯内的LED芯片;形成于LED支架碗杯内将LED芯片包覆的绝缘反射胶;其中支架正极、支架负极中放置LED芯片的电极区域高于支架正极、支架负极的其他区域,其他区域包括支架正极、支架负极除放置LED芯片的电极区域外的区域;本发明提供的倒装LED芯片结构至少具有以下优点:
1、本发明提供的倒装LED芯片结构,放置LED芯片的电极区域高于支架正极、支架负极的其他区域,相比现有LED支架的电极区域为平底结构而言,通过垫高的电极区域,使得绝缘反射胶可以轻松的流入LED芯片底部;
2、本发明提供的倒装LED芯片结构,绝缘反射胶包覆LED芯片,进而LED芯片底部和周围全部被绝缘反射胶覆盖,避免焊料溢出、迁移等情况发生导致的产品出现微短路甚至完全短路的问题,同时也避免芯片底部空气热膨胀出现暗裂或破损的问题,提高了产品的可靠性。
附图说明
图1为现有倒装LED芯片的结构示意图;
图2为本发明实施例一提供的倒装LED芯片结构的结构示意图;
图3为本发明实施例一提供的支架正极电极、负极电极的电极区域示意图一;
图4为本发明实施例一提供的支架正极电极、负极电极的电极区域示意图二;
图5为本发明实施例一提供的支架正极电极、负极电极的电极区域大于芯片面积的示意图;
图6为本发明实施例一提供的倒装LED芯片结构的第一详细结构示意图;
图7为本发明实施例一提供的倒装LED芯片结构的第二详细结构示意图;
图8为本发明实施例一提供的倒装LED芯片结构的第三详细结构示意图;
图9为本发明实施例二提供的倒装芯片结构的制作方法流程图;
图10为本发明实施例二提供的LED支架的示意图;
图11为本发明实施例二提供的印刷焊料的示意图一;
图12为本发明实施例二提供的印刷焊料的示意图二;
图13为本发明实施例二提供的倒装LED芯片的示意图;
图14为本发明实施例二提供的贴荧光片的示意图;
图15为本发明实施例二提供的点胶的示意图;
图16为本发明实施例三提供的倒装LED芯片结构的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的内容更容易被理解,下面通过具体实施方式结合附图对本发明作进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例一:
现有倒装LED芯片首先采用焊料将倒装LED芯片固定在LED支架的碗杯中,将白胶填充到LED芯片及支架的缝隙,基于现有LED结构,LED芯片底部正负极焊料之间白胶无法流入,在长时间使用时,会导致LED芯片正负极之间的焊料存在迁移的情况(例如银迁移、锡膏拉丝),最终导致产品出现微短路甚至完全短路;同时由于LED芯片底部没有白胶,使用时,LED芯片底部的空气在产品使用时由于受热膨胀,容易导致LED芯片出现暗裂或破损。
为了解决上述问题,本实施例提供了一种倒装LED芯片结构,请参见图2,倒装LED芯片结构包括:
LED支架201,LED支架201包括支架正极2011、支架负极2012;倒装在LED支架201碗杯内的LED芯片202;形成于LED支架201碗杯内将LED芯片202四周包覆的绝缘反射胶203;其中绝缘反射胶203包覆该LED芯片202,包括该LED芯片202的底部和周围都被绝缘反射胶203包覆;具体的,LED芯片202具有正极引脚和负极引脚,该绝缘反射胶203覆盖LED芯片202周围以及LED芯片202底部的正极引脚和负极引脚之间。
在本实施例中,如图3所示,该支架正极2011、支架负极2012中放置LED芯片202的电极区域201a(图中虚线框对应的区域)高于支架正极2011、支架负极2012的其他区域201b,其他区域201b包括支架正极2011、支架负极2012除放置LED芯片202的电极区域201a外的区域;即本实施例中的倒装LED芯片结构的支架电极中的部分区域进行了垫高处理,使得放置LED芯片202的电极区域201a为垫高部分。
在本实施例中,该LED支架201可以为一体成型结构,即该支架正极2011、支架负极2012的电极区域201a与其他区域201b为一体形成,如图3所示;在一些实施例中,也可以是在支架正极2011、支架负极2012的部分区域中叠加与支架电极对应的电极材质得到电极区域201a,当然该电极材质可以与支架电极的材质完全一致,也可以是具有导电的金属材质,如图4所示,在支架正极2011、支架负极2012上叠加电极材质301得到垫高后的电极区域。
可以理解的是,本实施例中的电极区域201a包括正电极区域和负电极区域,当然该正电极区域、负电极区域的高度、形状相同、且为对称结构,较优的,该正电极区域、负电极区域的高度为30-50um,即该电极区域201a高于其他区域201b 30-50um,当LED芯片202通过设置在该电极区域201a上的焊料时,由于焊料厚度一般只有10-25um,则此时LED芯片202与LED支架201底面的提升至40-75um,当在LED支架201周围填充绝缘反射胶时,由于LED支架201与LED芯片202底部的高度差较大,使得绝缘反射胶利用该高度差自然的流入LED芯片202底部,进而在制作该LED芯片202时,绝缘反射胶203可以从LED芯片202周围流入LED芯片202的底部。
在本实施例中,该电极区域201a的形状可以是长方形、正方形,还可以是其他形状,如图3所示,该电极区域201a形状为长方形。值得注意的是,该电极区域201a的面积大于LED芯片202的面积,避免放置LED芯片202时无法完全与LED支架201电极接触,如图5所示,放置LED芯片的电极区域201a面积略大于LED芯片202的面积。
应当理解的是,如图6所示,本实施例中LED芯片202底部包括正极引脚和负极引脚(图中未示出),正极引脚和负极引脚通过设置在电极区域201a上的焊料204分别与支架正极2011、支架负极2012电连接;其中该焊料204的厚度包括10-25um,避免过厚的焊料204影响LED芯片202散热。在本实施例中,焊料204包括但不限于银胶、锡膏、助焊剂,较优的,该焊料204的面积小于电极区域201a的面积,当然该焊料204的面积可以小于该LED芯片202的面积,也可以与LED芯片202的面积相同,避免焊料204过多,发生焊料204迁移的问题,如图6所示,电极区域201a面积略大于LED芯片202的面积,焊料204的面积与LED芯片202的面积相同。由于本实施例中的,LED芯片204的正极引脚和负极引脚之间的设置有绝缘反射胶203,且正、负引脚与焊料204结合,因此,以支架201的底面为高度起算面,正极引脚和负极引脚之间的绝缘反射胶203的高度等于焊料204的高度,绝缘反射胶203层的宽度可以小于等于焊料204之间的间隙宽度,如图6所示,在焊料204之间设置有绝缘反射胶203,且该绝缘反射胶203的高度与焊料204的高度持平,绝缘反射胶203的宽度与焊接之间的宽度相同,且在LED支架201的支架正极2011、支架负极2012之间的缝隙中还设置有该绝缘反射胶203。该LED芯片202底部正、负引脚的绝缘反射胶203,可将LED芯片202正极引脚和负极引脚之间可靠隔离,避免正极引脚和负极引脚短路,且可避免LED芯片202底部的空气进入导致芯片出现暗裂或破损的问题,同时还可将到达LED芯片202底部的光反射出去,提高LED芯片202的出光率,防止LED芯片202底部漏光。
值得注意的是,如图7所示,本实施例提供的倒装LED芯片结构还包括形成于LED支架201碗杯内将LED芯片202覆盖的荧光片205,该荧光片205位于LED芯片202的正上方,该荧光片205的尺寸大于等于LED芯片202的尺寸,该荧光片205的大小略大于倒装芯片的尺寸,避免出现漏蓝光的情况。该荧光片205的材质包括但不限于硅胶、陶瓷或玻璃,具体可以根据产品功率大小、产品的可靠性进行灵活选择。在本实施例中,如图7所示,荧光片205的高度与绝缘反射胶203的高度持平,即荧光片205的周围也被绝缘反射胶203覆盖,较优的,该绝缘反射胶203具有一定弧度,与荧光片205接触的绝缘反射胶203的高度与荧光片205的高度相同,与LED支架201接触的绝缘反射胶203的高度与LED支架201碗杯的高度相同;在一些实施例中,如图8所示,该绝缘反射胶203也可以是水平结构,即绝缘反射胶203在水平方向上的任意高度都与荧光片205的高度相同;需要说明的是,为了产品在使用或运输过程中造成荧光片205损坏,本实施例中的荧光片205的高度低于LED支架201碗杯口水平面30-60um。
在本实施例中,绝缘反射胶203可以为任意具有绝缘、反射作用的胶体,实际应用中,绝缘反射胶203可以为白胶。该白胶可以是二氧化钛TiO2、二氧化硫SiO2、氧化铝Al2O3的硅胶(或甲基硅树脂或苯基硅树脂),其中TiO2、SiO2、Al2O3的粒径包括20-40um之间。
本实施例提供了一种倒装LED芯片结构,包括具有LED支架正极、支架负极的LED支架、倒装在LED支架碗杯内的LED芯片、将LED芯片四周包覆的绝缘反射胶;其中放置LED芯片的电极区域高于支架正极、支架负极的其他区域,相比现有LED支架的电极区域为平底结构而言,通过垫高的电极区域,使得绝缘反射胶可以轻松的流入LED芯片底部;进而LED芯片底部和周围全部被绝缘反射胶覆盖,避免焊料溢出、迁移等情况发生导致的产品出现微短路甚至完全短路的问题,同时也避免芯片底部空气热膨胀出现暗裂或破损的问题,提高了产品的可靠性。
实施例二:
本实施例提供一种制作实施例一中的倒装芯片LED结构的制作方法,如图9所示,该制作方法包括:
步骤S901:设计并制作LED支架,LED支架中放置LED芯片的电极区域高于LED支架电极的其他区域;
步骤S902:将焊料印刷在垫高的电极区域;
步骤S903:将LED芯片倒装在焊料上;
步骤S904:点胶,当绝缘反射胶流入LED芯片底部后,固化绝缘反射胶。
在本实施例中,重新设计LED支架,将放置LED芯片的电极区域进行垫高处理。具体的,LED支架包括支架正极、支架负极,且支架正极、支架负极中放置LED芯片的电极区域高于支架正极、支架负极的其他区域,其他区域包括支架正极、支架负极除放置LED芯片的电极区域外的区域;其中电极区域201a高于其他区域201b 30-50um,该电极区域的面积大于LED芯片的面积,避免放置芯片时无法完全与支架电极接触,如10所示。
在本实施例中,步骤S902中,通过3D钢网1101将焊料1201印刷在电极区域,其中焊料1201包括但不限于银胶、锡膏、助焊剂;3D钢网1101的开孔尺寸小于电极区域的面积,避免焊料1201过多迁移出垫高的电极区域,如图11、12所示。
在本实施例中,步骤S903中,根据焊料1201的材料不同,其具体过程不同。当焊料1201包括银胶,LED芯片1301放置在焊料1201上,并在恒温170℃烘烤1H;当焊料1201包括锡膏或助焊剂,LED芯片1301放置在焊料1201上,并在最高炉温290℃的氮气环境下回流焊30s,在氮气的环境下进行是为了避免焊料1201中的金属粒子被氧化;通过烘烤或回流焊使焊料1201熔融并与LED芯片1301及LED支架充分结合,如图13所示。
值得注意的是,当该倒装芯片LED结构包括荧光片1401时,在步骤S903之后,步骤S904之前,还包括,将荧光片1401贴在LED芯片1301上,具体的,采用耐高温硅树脂将荧光片1401贴在LED芯片1301上,并在150℃的条件下烘烤3-4H,使荧光片1401与LED芯片1301完全结合,其中荧光片1401可以是硅胶、陶瓷或玻璃材质,根据对产品功率大小及可靠性要求进行选择。可以理解的是,荧光片1401的大小略大于倒装芯片的尺寸,避免出现漏蓝光的情况,贴完荧光片1401后的高度略低于LED支架碗杯30-60um,避免在使用或运输过程中造成荧光片1401损坏,如图14所示。
需要说明的是,本实施例中,步骤S904中,绝缘反射胶包括白胶1502,利用点胶设备1501在荧光片1401及LED支架周围喷涂一层白胶1502,其中可以是TiO2、SiO2、Al2O3的硅胶(或甲基硅树脂或苯基硅树脂),该TiO2、SiO2、Al2O3的粒径包括20-40um之间,且白胶1502的厚度与荧光片1401高度持平,点完白胶1502后,在43℃的环境中静置1-2H倒装芯片LED结构,此时白胶1502的粘度达到最低,由于采用了LED支架电极垫高设置,使得LED芯片1301底部高度提升30-50um,现有的LED支架,焊料厚度为一般只有10-25um,则LED芯片1301底部的高度为10-25um,相对于倒装芯片LED结构,使得芯片底部高度由原来的10-25um提升至40-75um,此时白胶1502可以轻松的流入芯片底部;当白胶1502完全填充LED芯片1301底部时,将倒装芯片LED结构置于150℃的环境中烘烤3-4H,固化白胶1502,如图15所示。当然,在其他实施例中,当该倒装芯片LED结构不包括荧光片1401时,点胶时,利用点胶设备在LED芯片1301及LED支架周围喷涂一层白胶1502,在43℃的环境中静置1-2H倒装芯片LED结构,使得白胶1502流入LED芯片1301底部。
在本实施例中,除了控制白胶1502的温度、时间参数使得白胶1502完全填充入LED芯片1301底部,还可以利用离心机等工具;例如在利用点胶设备1501在荧光片1401及LED支架周围喷涂一层白胶1502后,将倒装LED芯片1301放入离心机中,通过离心机离心沉降白胶1502,在离心机工作过程中,由于离心力作用使得白胶1502逐渐下沉,使得白胶1502流入LED芯片1301底部,其中离心时间根据离心力的不同,可以进行灵活调整,例如当离心机的转速为1000-1200rpm,其该离心机的离心时间为150-300s,进而通过离心工艺加速白胶流入芯片电极底部。在一些实施例中,还可以通过改变白胶的材质加快白胶流入芯片底部,例如在白胶中加入稀释剂,降低白胶的粘度,或者选用粘度相对低一些的白胶;当白胶1502完全填充LED芯片1301底部时,将倒装芯片LED结构置于150℃的环境中烘烤3-4H,固化白胶1502,如图15所示。
本实施例提供了一种倒装芯片LED的制作方法,通过设计新支架、印刷焊料、放置倒装芯片、贴荧光片、点胶的制作步骤,使得LED芯片底部及LED芯片周围全部被白胶覆盖,避免硫化、银迁移、助焊剂溢出等情况发生,同时也避免LED芯片底部空气热膨胀导致的可靠性问题。另外,产品只有LED芯片上方的荧光胶发光,光指向性好,可以应用在有特殊要求的产品上。
实施例三:
本实施例提供一种由实施例二提供的制作方法制作的倒装LED芯片结构,如图16所示,该LED倒装LED芯片结构包括LED支架1601、倒装在LED支架1601碗杯内的LED支架1602、形成于LED支架1601碗杯内将LED支架1602四周包覆的绝缘反射胶1603、形成于LED支架1601碗杯内将LED支架1602覆盖的荧光片1604。
其中,LED支架1601包括支架正极16011、支架负极16012,支架正极16011、支架负极16012中放置LED支架1602的电极区域1601a高于支架正极16011、支架负极16012的其他区域1601b,其他区域1601b包括支架正极16011、支架负极16012除放置LED支架1602的电极区域1601a外的区域,电极区域1601a高于其他区域1601b30-50um。LED支架1601中的电极区域1601a和其他区域1601b为一体成型,进而在制作该LED支架1602时,绝缘反射胶1603可以从LED支架1602周围流入LED支架1602的底部。
本实施例中的电极区域1601a包括正电极区域1601a、负电极区域1601a,倒装LED支架1602结构还包括分别设置于正电极区域1601a、负电极区域1601a上的焊料层1605,该焊料层1605的厚度包括10-25um;LED支架1602底部的正极引脚和负极引脚通过该焊料层1605分别于正电极区域1601a、负电极区域1601a连接,其中正电极区域1601a、负电极区域1601a组成的区域面积大于LED支架1602的面积。
值得注意的是,本实施例中的绝缘反射胶1603包括白胶,该白胶设置于LED支架1602周围以及该正电极区域1601a、负电极区域1601a上的焊料层1605之间,且该焊料层1605支架的白胶的高度与焊料层1605持平,宽度相同,当然该LED支架1601正极、支架负极16012之间的缝隙也设置有白胶。
在本实施例中,荧光片1604位于LED支架1602的正上方,该荧光片1604的大小略大于倒装芯片的尺寸,避免出现漏蓝光的情况,其中荧光片1604的高度与绝缘反射胶1603的高度持平,具体的,与荧光片1604接触的绝缘反射胶1603的高度与荧光片1604的高度相同,与LED支架1601接触的绝缘反射胶1603的高度与LED支架1601碗杯的高度相同,为了产品在使用或运输过程中造成荧光片1604损坏,本实施例中的荧光片1604的高度低于LED支架1601碗杯口水平面30-60um。
本实施例提供的倒装LED芯片结构包括一体成型的LED支架,LED支架包括支架正极、支架负极,其中放置LED芯片的电极区域高于支架正极、支架负极的其他区域,且电极区域大于其他区域,避免放置LED芯片时无法完全与支架电极接触,同时该电极区域高于其他区域30-50um,使得绝缘反射胶可以从LED芯片周围轻松的流入LED芯片底部,进而绝缘反射胶覆盖LED芯片周围以及LED芯片底部的正极引脚和负极引脚之间,通过绝缘反射胶隔绝LED芯片底部的正极引脚和负极引脚件焊料,避免该LED在高温或高温高湿的环境下工作一段时间后,焊料中助焊剂或银会溢出到支架镀银层上等情况发生;且通过在LED芯片底面完全填充绝缘反射胶,避免LED在使用一段时间后,环境中的硫元素通过渗透进而LED支架内部,与LED支架内部的镀银层发生化学反应导致的LED硫化,同时也避免LED芯片底部空气热膨胀导致的可靠性问题;另外,本实施例提供的倒装LED芯片结构还包括将LED芯片覆盖的荧光片,进而该产品只有LED芯片上方的荧光片发光,光指向性好,提供产品的可靠性。
应当理解的是,本实施例提供的倒装LED芯片结构可以应用于各种发光领域,例如其可以制作成背光模组应用于显示背光领域(可以是电视、显示器、手机等终端的背光模组)。此时可以将其应用于背光模组。还可应用于按键背光领域、拍摄领域、家用照明领域、医用照明领域、装饰领域、汽车领域、交通领域等。应用于按键背光领域时,可以作为手机、计算器、键盘等具有按键设备的按键背光光源;应用于拍摄领域时,可以制作成摄像头的闪光灯;应用于家用照明领域时,可以制作成落地灯、台灯、照明灯、吸顶灯、筒灯、投射灯等;应用于医用照明领域时,可以制作成手术灯、低电磁照明灯等;应用于装饰领域时可以制作成各种装饰灯,例如各种彩灯、景观照明灯、广告灯;应用于汽车领域时,可以制作成汽车车灯、汽车指示灯等;应用于交通领域时,可以制成各种交通灯,也可以制成各种路灯。上述应用仅仅是本实施例所示例的几种应用,应当理解的是芯片级封装LED的应用并不限于上述示例的几种领域。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述,但是本发明并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本发明的启示下,在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,这些均属于本发明的保护之内。
Claims (10)
1.一种倒装芯片LED结构,其特征在于,包括:
LED支架,所述LED支架包括支架正极、支架负极;倒装在所述LED支架碗杯内的LED芯片;形成于所述LED支架碗杯内将所述LED芯片包覆的绝缘反射胶;
所述支架正极、支架负极中放置所述LED芯片的电极区域高于所述支架正极、支架负极的其他区域,所述其他区域包括所述支架正极、支架负极除放置所述LED芯片的电极区域外的区域。
2.如权利要求1所述的倒装芯片LED结构,其特征在于,所述绝缘反射胶填充所述LED芯片底部的正极引脚和负极引脚之间的绝缘间隙。
3.如权利要求2所述的倒装芯片LED结构,其特征在于,所述LED芯片底部具有正极引脚和负极引脚,所述正极引脚和负极引脚通过设置在所述电极区域上的焊料分别与所述支架正极、支架负极电连接,所述绝缘反射胶填充焊料之间的绝缘间隙。
4.如权利要求1所述的倒装芯片LED结构,其特征在于,所述放置所述LED芯片的电极区域大于所述LED芯片。
5.如权利要求1所述的倒装芯片LED结构,其特征在于,所述焊料的面积小于所述电极区域的面积。
6.一种倒装芯片LED结构的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
步骤S1:设计并制作LED支架,所述LED支架中放置LED芯片的电极区域高于LED支架电极的其他区域;
步骤S2:将焊料印刷在垫高的所述电极区域;
步骤S3:将所述LED芯片倒装在所述焊料上;
步骤S4:点胶,当绝缘反射胶流入所述LED芯片底部后,固化所述绝缘反射胶。
7.如权利要求6所述的倒装芯片LED结构的制作方法,其特征在于,步骤S2中,通过3D钢网将所述焊料印刷在所述电极区域,所述3D钢网的开孔尺寸小于所述电极区域的面积。
8.如权利要求6所述的倒装芯片LED结构的制作方法,其特征在于,步骤S3中,当所述焊料包括银胶,所述LED芯片放置在所述焊料上,并在恒温170℃烘烤1H;
当所述焊料包括锡膏或助焊剂,所述LED芯片放置在所述焊料上,并在最高炉温290℃的氮气环境下回流焊30s。
9.如权利要求6-8任一项所述的倒装芯片LED结构的制作方法,其特征在于,步骤S3之后,步骤S4之前,还包括,采用耐高温硅树脂将荧光片贴在所述LED芯片上,并在150℃的条件下烘烤3-4H。
10.如权利要求9所述的倒装芯片LED结构的制作方法,其特征在于,所述步骤S4中,所述绝缘反射胶包括白胶,利用点胶设备在所述荧光片及所述LED支架周围喷涂一层白胶,在43℃的环境中静置1-2H所述倒装芯片LED结构,使得所述白胶流入所述LED芯片底部;或,通过离心机离心沉降所述白胶,使得所述白胶流入所述LED芯片底部;当所述白胶完全填充所述LED芯片底部时,将倒装芯片LED结构置于150℃的环境中烘烤3-4H,固化所述白胶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910565759.7A CN112151643A (zh) | 2019-06-27 | 2019-06-27 | 一种倒装led芯片结构及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910565759.7A CN112151643A (zh) | 2019-06-27 | 2019-06-27 | 一种倒装led芯片结构及其制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112151643A true CN112151643A (zh) | 2020-12-29 |
Family
ID=73868651
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910565759.7A Pending CN112151643A (zh) | 2019-06-27 | 2019-06-27 | 一种倒装led芯片结构及其制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112151643A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115079469A (zh) * | 2022-07-21 | 2022-09-20 | 华引芯(武汉)科技有限公司 | 光源、光源模组和显示装置 |
-
2019
- 2019-06-27 CN CN201910565759.7A patent/CN112151643A/zh active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115079469A (zh) * | 2022-07-21 | 2022-09-20 | 华引芯(武汉)科技有限公司 | 光源、光源模组和显示装置 |
CN115079469B (zh) * | 2022-07-21 | 2022-12-13 | 华引芯(武汉)科技有限公司 | 光源、光源模组和显示装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10062809B2 (en) | Light emitting device package, backlight unit, lighting device and its manufacturing method | |
CN101533884B (zh) | 发光二极管封装结构及其制作方法 | |
CN101375392B (zh) | 发光二极管的封装件及其制造方法 | |
US20080017963A1 (en) | Si-substrate and structure of opto-electronic package having the same | |
CN102738367A (zh) | 发光设备 | |
CN210429875U (zh) | 一种led封装结构和背光模组 | |
CN111785710B (zh) | Led灯珠及其制备方法 | |
JP2007123576A (ja) | 発光装置および照明装置 | |
KR100699161B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 | |
CN102447044B (zh) | 绝缘底板发光芯片封装结构 | |
CN102683546B (zh) | 半导体封装结构与其制造方法 | |
KR100865835B1 (ko) | 발광다이오드 반사 커버 성형 방법, 그 구조, 및 상기 반사커버를 이용한 발광다이오드 적재장치 | |
CN112151643A (zh) | 一种倒装led芯片结构及其制作方法 | |
CN112242473A (zh) | 一种led灯丝光源及其制作方法、灯具 | |
US11171260B2 (en) | Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device | |
CN112216684A (zh) | 迷你led封装器件及其制造方法 | |
CN210167381U (zh) | 一种倒装led芯片结构 | |
JP2019134052A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
CN101504938A (zh) | 发光二极管封装结构与发光二极管封装方法 | |
CN210956720U (zh) | 一种led支架、倒装led芯片封装体 | |
CN210489647U (zh) | 一种具有多层结构芯片的led灯 | |
CN114007342A (zh) | 一种背光源的制备方法 | |
CN111640847A (zh) | Led显示器件及其制备方法、显示设备 | |
KR101849712B1 (ko) | 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치 | |
CN101996984B (zh) | 成形填充式凸透镜的发光二极管封装结构及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |