JP2008227456A - 高出力ｌｅｄパッケージおよびその製造方法 - Google Patents
高出力ｌｅｄパッケージおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008227456A JP2008227456A JP2007329051A JP2007329051A JP2008227456A JP 2008227456 A JP2008227456 A JP 2008227456A JP 2007329051 A JP2007329051 A JP 2007329051A JP 2007329051 A JP2007329051 A JP 2007329051A JP 2008227456 A JP2008227456 A JP 2008227456A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent resin
- led package
- concavo
- groove
- liquid phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 137
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 137
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 32
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 23
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 239000003921 oil Substances 0.000 claims description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 5
- -1 silane compound Chemical class 0.000 claims description 5
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000154870 Viola adunca Species 0.000 description 1
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 1
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 1
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【課題】超薄型製品に適し、光効率を向上させることのできる高出力ＬＥＤパッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】高出力ＬＥＤパッケージの製造方法は、凹凸パターンを有する型取り枠を準備するステップと、型取り枠を用いて、表面に凹凸パターンを有する透明樹脂固形物を形成るステップと、透明樹脂固形物の、凹凸パターンを含む部分を切断して凹凸フィルム２７０を準備するステップと、溝部を有し、溝部にＬＥＤチップ２２５が搭載されたＬＥＤパッケージ構造体２２１を準備するステップと、ＬＥＤチップ２２５が搭載された溝部に液相透明樹脂２２８を充填するステップと、液相透明樹脂２２８上に溝部の上方の所定の高さに達する凹凸フィルム２７０を搭載するステップと、凹凸フィルム２７０が搭載された液相透明樹脂２２８を硬化させるステップとを含む。
【選択図】図３ｉ
【解決手段】高出力ＬＥＤパッケージの製造方法は、凹凸パターンを有する型取り枠を準備するステップと、型取り枠を用いて、表面に凹凸パターンを有する透明樹脂固形物を形成るステップと、透明樹脂固形物の、凹凸パターンを含む部分を切断して凹凸フィルム２７０を準備するステップと、溝部を有し、溝部にＬＥＤチップ２２５が搭載されたＬＥＤパッケージ構造体２２１を準備するステップと、ＬＥＤチップ２２５が搭載された溝部に液相透明樹脂２２８を充填するステップと、液相透明樹脂２２８上に溝部の上方の所定の高さに達する凹凸フィルム２７０を搭載するステップと、凹凸フィルム２７０が搭載された液相透明樹脂２２８を硬化させるステップとを含む。
【選択図】図３ｉ
Description
本発明は、ＬＥＤパッケージおよびその製造方法に関し、より詳しくは、照明などとして用いられる高出力ＬＥＤパッケージおよびその製造方法に関するものである。
一般的に発光ダイオード（ＬＥＤ）は電流が流れる時に光を出す半導体発光素子であり、ＧａＡｓ、ＧａＮ光半導体からなるＰＮ接合ダイオードでエネルギを光エネルギに変えるものである。
このようなＬＥＤから出る光の波長領域は、レッド（６３０ｎｍ〜７００ｎｍ）からブルーバイオレット（４００ｎｍ）までで、ブルー、グリーンおよびホワイトまでも含んでおり、ＬＥＤは白熱電球や蛍光灯のような既存の光源に比べて、低電力消費、高効率、長時間動作寿命などの長所を有しており、その需要が持続的に増加している実状にある。
近年、ＬＥＤはモバイル端末機の小型照明から室内外の一般照明、自動車照明、大型ＬＣＤ用のバックライトとしてその適用範囲が順次拡大している。
ＬＥＤは、使用目的および要求される形態に応じたパッケージの形態で提供される。一般に、ＬＥＤパッケージは、ＬＥＤチップを電極パターンが形成された基板またはリードフレーム上に搭載した後に、チップの端子と電極パターン（またはリード）を電気的に接続し、その上部にエポキシ、シリコンまたはその組合せなどを用いて、樹脂封止部を形成することにより製造される。
図１ａおよび図１ｂは、従来の高出力ＬＥＤパッケージの一例を示したものであり、図１ａは断面図で、図１ｂは概略的な斜視図である。
これらの図に示すように、従来の高出力ＬＥＤパッケージ１０は、円錐形の溝部が形成された上部パッケージ基板１１ａとリードフレーム１２ａ，１２ｂを備える下部パッケージ基板１１ｂとを含んでいる。
下部パッケージ基板１１上には、各リードフレーム１２ａ，１２ｂに接続するようにＬＥＤチップ１５が搭載されており、ＬＥＤチップ１５の一方の電極はワイヤーを介してリードフレーム１２ｂに接続されている。この時、フリップチップボンディング形態での実装が可能である。
また、上部パッケージ基板１１ａの溝部の側壁には円錐形の反射板１３が備えられ、溝部の内部にはＬＥＤチップ１５とワイヤーを保護しながら、ＬＥＤチップ１５から発光する光をそのまま放射するように透明な樹脂によって構成された樹脂封止部１８が形成されている。
樹脂封止部１８上には、ＬＥＤチップ１５の発光時に発生する光を外部に広く発散させるレンズ３０が備えられている。
樹脂封止部１８は、ＬＥＤパッケージ１０の発光効率に影響を与える大変重要な要素となる。すなわち、ＬＥＤチップ１５から発光された光は、樹脂封止部１８の構成物質の光学的特性（特に、屈折率）およびその形状によって実質的に外部に抽出される量が大きく変わり得る。
特に、樹脂封止部１８を構成するエポキシ樹脂またはシリコン樹脂のような透明樹脂は、外部の大気より多少高い屈折率（例、エポキシ樹脂：１．５）を有するため、これによる光抽出臨界角によって、実質的に抽出される光量が制限される。
上記のように構成された従来のＬＥＤパッケージは、光抽出効率を上げるために図１ａ，１ｂに示すように、円錐形の反射板１３とドーム型のレンズ３０とを備えている。
しかし、超薄型製品を用いなければならないフラッシュやバックライト用のＬＥＤの場合には、平板型または高さの低いレンズ構造が用いられ、このような平板型構造では、レンズと大気との境界において全反射が増加し、フレネル反射損失のために相当な光抽出量の減少を招くことになる。
したがって、本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、平板型構造のレンズを用いた場合におけるような光抽出量の減少を抑制して、光効率を向上させることのできる高出力ＬＥＤパッケージおよびその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、超薄型製品に適した高出力ＬＥＤパッケージおよびその製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、凹凸パターンを有する型取り枠を準備するステップと、型取り枠を用いて、表面に凹凸パターンを有する透明樹脂固形物を形成するステップと、透明樹脂固形物の、凹凸パターンを含む部分を切断して凹凸フィルムを準備するステップと、溝部を有し、溝部にＬＥＤチップが搭載されたＬＥＤパッケージ構造体を準備するステップと、ＬＥＤチップが搭載された溝部に液相透明樹脂を充填するステップと、液相透明樹脂上に溝部の上方の所定の高さに達するように凹凸フィルムを搭載するステップと、凹凸フィルムが搭載された液相透明樹脂を硬化させるステップとを含む、凹凸フィルムの凹凸パターンが溝部の上方の所定の高さに達する高出力ＬＥＤパッケージの製造方法を提供する。
凹凸パターンを有する型取り枠を準備するステップは、基板を準備するステップと、基板上にフォトレジストパターンを形成するステップと、フォトレジストパターンをマスクとして、基板をエッチングするステップと、基板上に残存するフォトレジストパターンを除去するステップとを含んでいてよい。
そして、型取り枠を用いて、表面に凹凸パターンを有する透明樹脂固形物を形成するステップは、型取り枠上に液相透明樹脂を満たすステップと、液相透明樹脂を硬化させ、固形の透明樹脂を形成するステップと、型取り枠から固形の透明樹脂を分離させて、透明樹脂固形物を形成するステップとを含んでいてよい。
また、透明樹脂固形物の、凹凸パターンを含む部分を切断して凹凸フィルムを準備するステップは、透明樹脂固形物の、凹凸パターンが形成された表面部分を所定の厚さに切断するステップを含んでいてよい。
そして、高出力ＬＥＤパッケージの製造方法は、型取り枠の凹凸パターンの表面にＵＶ処理を実施するステップと、型取り枠の、ＵＶ処理された凹凸パターンの表面に離型剤を塗布するステップをさらに含むことができ、離型剤としては、トリクロロシランを含むシラン系化合物またはシリコンオイルを用いることができる。
溝部を有し、溝部にＬＥＤチップが搭載されたＬＥＤパッケージ構造体を準備するステップは、上面に溝部が形成され、少なくとも溝部の底面に電極構造が形成されたカップ型パッケージ構造体を形成するステップと、溝部の側壁に反射板を形成するステップと、ＬＥＤチップの端子が電極構造に電気的に接続するように、ＬＥＤチップを溝部の底面に実装するステップとを含んでいてよい。
ＬＥＤチップが搭載された溝部に液相透明樹脂を充填するステップでは、溝部の高さいっぱいまで液相透明樹脂を充填することができる。
また、本発明は、基板を準備するステップと、基板上にフォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ工程を介して基板上に凹凸パターンを形成するステップと、凹凸パターンが形成された基板からなる型取り枠を準備するステップと、型取り枠上に第１液相透明樹脂を満たすステップと、第１液相透明樹脂を硬化させ、固形の透明樹脂を形成するステップと、型取り枠から固形の透明樹脂を分離して、表面に凹凸パターンが形成された透明樹脂固形物を形成するステップと、透明樹脂固形物から、凹凸パターンを含む部分を所定の厚さに切断し、ＬＥＤパッケージ構造体の大きさに合うように切断して凹凸フィルムを形成するステップと、ＬＥＤチップが実装されたＬＥＤパッケージ構造体の溝の内部に第２液相透明樹脂を溝の上面まで満たすステップと、第２液相透明樹脂を１次硬化させるステップと、１次硬化した第２液相透明樹脂上に溝の上方に達するように凹凸フィルムを搭載するステップと、凹凸フィルムが搭載された第２液相透明樹脂を２次硬化させるステップとを含む高出力ＬＥＤパッケージの製造方法を提供する。
この時、ＬＥＤチップが実装されたＬＥＤパッケージ構造体の溝の内部に第２液相透明樹脂を満たすステップでは、溝部の高さいっぱいまで液相透明樹脂を充填することが好ましく、１次硬化した第２液相透明樹脂上に凹凸フィルムを搭載するステップは、凹凸フィルムの凹凸パターンの表面がＬＥＤパッケージ構造体の表面から突出するように搭載することが好ましい。
そして、高出力ＬＥＤパッケージの製造方法は、基板の凹凸パターンの表面に離型剤処理を実施するステップをさらに含むことができ、離型剤処理を実施するステップは、基板の凹凸パターンの表面にＵＶ処理を実施するステップと、基板の、ＵＶ処理された凹凸パターンの表面に離型剤を塗布するステップとを含んでいてよい。この時、離型剤としては、トリクロロシランを含むシラン系化合物またはシリコンオイルを用いることができる。
また、第１液相透明樹脂および第２液相透明樹脂としては、互いに同一の物質を用いることが好ましい。
また、本発明は、上面に溝部が形成され、少なくとも溝部の底面に電極構造が形成されたＬＥＤパッケージ構造体と、溝部に、電極構造に電気的に接続するように実装されたＬＥＤチップと、ＬＥＤチップが実装された溝部の内部にＬＥＤチップを封止し、表面に凹凸パターンを有し、凹凸パターンがＬＥＤパッケージ構造体の表面から突出するように形成された透明樹脂封止部を含む高出力ＬＥＤパッケージを提供する。
透明樹脂封止部は、ＬＥＤチップを封止し、溝部の高さいっぱいまで形成された第１透明樹脂と、第１透明樹脂上に形成され、表面に凹凸パターンを有する第２透明樹脂とを含んでいてよい。
上記のように、本発明は、凹凸フィルムを予め製作して、ＬＥＤチップを封止する樹脂封止部上に、凹凸フィルムを搭載する方法によって、凹凸パターンを有するＬＥＤチップの樹脂封止部を形成することで、微細な凹凸パターンの形成を可能にし、工程を簡素化することができる。
本発明によれば、高出力ＬＥＤパッケージ製造の際に、レンズを形成せずに、樹脂封止部の表面に凹凸を形成することによって、超薄型製品に適し、光抽出効率を向上させることができる高出力ＬＥＤパッケージを提供することができる。
特に、凹凸パターンの形成時、凹凸フィルムを予め形成した後、予め満たされた透明樹脂上に凹凸フィルムを搭載する方法を用いることによって製造費用を節減し、工程の簡素化を図ることができる。
以下、添付する図面を参照して、本発明に係る高出力ＬＥＤパッケージおよびその製造方法の実施形態について詳細に説明する。
図２ａ〜図２ｅは、本発明の一例の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法を示した工程断面図である。
まず、図２ａに示すように、電極パターン１２２ａ，１２２ｂを有する下部基板１２１ｂと、溝部（ｃａｖｉｔｙ）１２０を有する上部基板１２１ａからなる形態の、カップ型のＬＥＤパッケージ構造体１２１を形成する。ここで、電極パターン１２２ｂはリードフレームとすることができる。
次に、図２ｂに示すように、ＬＥＤチップ１２５を溝部１２０の底面に搭載した後に、ワイヤー１２７を介してＬＥＤチップ１２５の端子（図示せず）と電極パターン１２２ｂを電気的に接続させた後、溝部１２０の側壁に反射板１３０を形成する。
次に、図２ｃに示すように、ＬＥＤパッケージ構造体１２１の溝部１２０に液相透明樹脂１２６を充填する。
本工程において液相透明樹脂１２６の充填量は、溝部１２０の高さより多少高く形成することが、後述するスタンプ１２９の大きさに関わらず所望する凹凸パターンを形成するために好ましい。より好ましくは、液相透明樹脂１２６が、望まない領域に流れることなく、表面張力によって盛り上がった状態に維持される程度の量に充填する。
以後、図２ｄに示すように液相透明樹脂１２６が硬化する前に、各ＬＥＤチップ１２５の液相透明樹脂１２６に対応する位置に凹凸パターンを有するスタンプ１２９を用いて、各液相透明樹脂１２６の表面に所望する凹凸パターンのインプリンティング（またはスタンピング）を行う。この時、スタンプ１２９は平板構造であることが好ましく、平板構造のスタンプ１２９を用いることによって、液相透明樹脂１２６の湿潤性によって発生する曲面を平坦にして不都合な光学的影響の発生を抑制することができる。
スタンプ１２９を当てた状態で、液相透明樹脂１２６を硬化させることによって、ＬＥＤパッケージ構造体１２１の樹脂封止部１２８が形成される。
最後に、スタンプ１２９を樹脂封止部１２８から分離することによって、図２ｅに示すように、樹脂封止部１２８の表面に均一な凹凸パターンＰが形成される。
上記のような実施形態によるＬＥＤパッケージの製造方法によれば、樹脂封止部の表面にレンズの代りに凹凸パターンを形成することによって、光抽出効率を増大させることができるだけでなく、インプリンティング方式によって光抽出用凹凸パターンを形成することによって、従来の平板レンズを用いなくとも超薄型の構造を実現することができる。また、平面レンズを用いないために、フレネル反射損失による光抽出の減少を回避できるという利点がある。
しかし、上記の実施形態に係る、ＬＥＤパッケージの製造方法は、樹脂封止部表面に凹凸パターンを形成するために用いられるスタンプの使用回数が約１０回程度と有限であるため、スタンプ製作のために製造費用が上昇するという問題を招くことになる。
また、液相透明樹脂上にスタンプを当てて、透明樹脂上に凹凸パターンを転写するうちに、透明樹脂が溝部の外に流出して、上部パッケージ基板上の、溝部以外の部分に透明樹脂が付着し、これを除去する煩わしさが発生することになる。
したがって、特に、上記のような問題を回避するために、本発明の他の実施形態では、スタンプを用いなくとも凹凸パターンを形成できるだけでなく、凹凸パターンが形成されたフィルムを透明樹脂上に搭載することによって、凹凸パターンが溝部以外の領域に形成されることを防止できる高出力ＬＥＤパッケージの製造方法を提供する。
図３ａ〜３ｊは、本発明の他の実施形態に係るＬＥＤパッケージの製造方法を示したものであり、特に、前の実施形態（図２ａ〜図２ｅ）で発生し得る問題点を回避できるＬＥＤパッケージの製造方法の各工程を示した断面図である。
まず、図３ａに示すように、基板を準備した後、基板の表面に凹凸パターンＰを形成して型取り枠２００を作製する。
この時、基板としては、シリコン基板を用いることができ、凹凸パターンＰはフォトリソグラフィ工程を介して形成することができる。フォトリソグラフィ工程は、シリコン基板上にＰＲ（フォトレジスト）を塗布した後、ＰＲを露光してＰＲパターンを形成し、そのＰＲパターンをマスクとしてエッチングを行う一連の工程からなる。
次に、図３ｂに示すように、型取り枠２００上に液相透明樹脂２４０を注ぎ、硬化させることによって、図３ｃに示すように透明樹脂固形物２５０を形成する。この時、液相透明樹脂２４０としては、シリコン樹脂、エポキシ樹脂またはその混合樹脂などの透明樹脂を用いることができる。
また、後述する固形の透明樹脂分離工程において、型取り枠２００の凹凸パターンの表面に離型剤処理を実施することも可能であり、離型剤処理工程は液相透明樹脂２４０を満たす前に行われる。
離型剤処理工程は、凹凸パターンＰの表面上にＵＶ処理を施して、ボンディングを除去した後、ＵＶ処理が形成された凹凸パターンＰの表面に離型剤を塗布する過程を介して行われ、離型剤としては、トリクロロシラン（Ｔｒｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ：Ｈｅｐｔａｄｅｃａｆｌｕｏｒｏ−１、１、２、２−ｔｅｔｒａ−ｈｙｄｒｏｄｅｃｙｌ）を含むシラン系化合物またはシリコンオイルなどを用いることができる。
続いて、図３ｄおよび図３ｅに示すように、型取り枠２００から透明樹脂固形物２５０を分離することによって、その表面に凹凸パターンＰが形成される。
次に、図３ｆに示すように、型取り枠２００から分離した透明樹脂固形物２５０の、凹凸パターンＰを含む部分を所定の厚さに切断して、透明樹脂固形物２５０からこれを分離する。
一般に、高出力ＬＥＤパッケージは、上部パッケージ基板の溝部が円形に形成されているため、図３ｇに示すような、ＬＥＤパッケージ基板に形成された樹脂封止部の形状に合うように円形に切断して、凹凸パターンＰを有する凹凸フィルム２７０を形成する。
この時、凹凸フィルム２７０は、円形の型取り枠を予め準備して、透明樹脂固形物２５０から分離する過程で、円形に切断する過程を省略することもできる。すなわち、予め高出力ＬＥＤパッケージの形状に合わせて型取り枠を製作し、型取り枠から円形形状の透明樹脂固形物を形成することによって、透明樹脂固形物から、凹凸パターンを含む部分を所定の厚さで分離する過程とは別に円形に切断する工程を省略することができる。
本発明で、凹凸フィルム２７０の凹凸パターンＰは型取り枠２００のパターンに応じて多様なパターンに形成され、凹凸フィルム２７０の凹凸パターン形状だけでなく、各凹凸パターンの大きさを変化させることによって、光抽出効率の改善程度を変化させることもできる。例えば、断面が三角形である凸構造において、その三角形の断面の底辺ｄの長さ、または三角形の高さｈを適切に選択することによって、光抽出の効率を効果的に制御することが可能である。
図３ａ〜図３ｇの過程を介して製作された凹凸フィルム２７０は、ＬＥＤチップが実装されたＬＥＤパッケージ基板の溝部上に載せられることになるが、図３ｈ〜図３ｊによってこれを詳細に説明することにする。
まず、図３ｈに示すように、上面に溝部２２０が形成され、少なくとも溝部２２０の底面に電極パターン２２２ａ，２２２ｂが設けられた、カップ型のＬＥＤパッケージ構造体２２１を形成する。
ＬＥＤパッケージ構造体２２１は、電極パターン２２２ａ，２２２ｂを有する下部基板２２１ｂと、溝部２２０を有する上部基板２２１ａからなる形態で例示されているが、これに限定されるものではなく、ＬＥＤパッケージ構造体２２１はチップ実装のためのカップ構造を有する他の高出力ＬＥＤパッケージ用の基板であってもよい。
また、電極パターン２２２ａ，２２２ｂは、導電性ビアを介して背面電極に接続された電極構造とすることもでき、電極構造としては、リードフレームなどの公知の多様な構造を採用することができる。
次に、ＬＥＤチップ２２５を溝部２２０の底面に搭載した後、ワイヤー２２７を介してＬＥＤチップ２２５の端子（図示せず）と電極パターン２２２ａ，２２２ｂを電気的に接続する。また、フリップチップ方式によって接続することもできる。
ＬＥＤチップ２２５はサブマウント基板と、その上面に搭載されたＬＥＤ素子を含む構造を有することができ、ＬＥＤチップ２２５は銀エポキシ（Ａｇ ｅｐｏｘｙ）や共晶はんだ（ｅｕｔｅｃｔｉｃ ｓｏｌｄｅｒ）のような接着手段２２４によって下部基板２２１ｂ上に固定してもよい。
続いて、溝部２２０の内側壁に反射板２３０を形成した後、反射板２３０を含むＬＥＤパッケージ構造体２２１の溝部２２０に液相透明樹脂２２８を、液相透明樹脂２２８が溝内部を完全に満たすように充填する。
液相透明樹脂２２８としては、前述の凹凸フィルム２７０用の透明樹脂と同一の物質を用い、その充填方法としては、ディスペンサを用いた工程（ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ）のなどの公知の工程を利用することができる。
さらに、液相透明樹脂２２８から気泡が除去されるように脱泡工程を実施することができる。ここで、脱泡工程は一定の時間の硬化工程を含み、液相透明樹脂２２８は一定時間硬化が進んで半硬化状態となる（１次硬化）。
次に、図３ｉに示すように、半硬化した液相透明樹脂２２８上に、先に製作された凹凸フィルム２７０を搭載する。この時、半硬化した液相透明樹脂２２８が溝部２２０をすべて満たしているため、溝部２２０の底面から、搭載された凹凸フィルム２７０の凹凸パターンの表面までの高さは、溝部２２０の高さより高くなる。
そして、凹凸フィルム２７０が搭載された半硬化した透明樹脂２２８を完全に硬化（２次硬化）させて固形透明樹脂とすることによって、図３ｊに示すように、その表面に凹凸パターンＰを有する樹脂封止部２８０が形成される。
したがって、上記工程を介して、本発明は、溝部にＬＥＤチップが実装されて、ＬＥＤチップを保護し、光効率の向上のためにその表面に凹凸パターンを有する高出力ＬＥＤパッケージを提供することができる。
上記のように、本実施形態では、スタンプを用いずに凹凸パターンを形成することによって、スタンプの使用によって製造費用が上昇するという前の実施形態の問題点を解決することができる。
さらに、本実施形態では、凹凸フィルムを別に製作して、予め満たされた透明樹脂上に搭載する方法によって封止樹脂部を形成するため、前の実施形態におけるＬＥＤパッケージ構造体の溝部の液相透明樹脂上にスタンプを当てて凹凸パターンを形成するうちに、透明樹脂が溝部以外の領域に流出し、これを除去しなければならないという煩わしさを回避することができる。
本発明は、上述した実施形態および添付する図面によって限定されるものではなく、添付する特許請求の範囲によって規定されるものである。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、当技術分野の通常の知識を有する者によって、様々な形態の置換、変形および変更が可能であり、これらもまた本発明の範囲に属するものである。
１２０、２２０ 溝部
１２１、２２１ ＬＥＤパッケージ構造体
１２１ａ、２２１ａ 上部パッケージ基板
１２１ｂ、２２１ｂ 下部パッケージ基板
１２５、２２５ ＬＥＤチップ
１２６、２２８、２４０ 液相透明樹脂
１２８、２８０ 封止樹脂部
１２９ スタンプ
２００ 型取り枠
２５０ 透明樹脂固形物
２７０ 凹凸フィルム
Ｐ 凹凸パターン
１２１、２２１ ＬＥＤパッケージ構造体
１２１ａ、２２１ａ 上部パッケージ基板
１２１ｂ、２２１ｂ 下部パッケージ基板
１２５、２２５ ＬＥＤチップ
１２６、２２８、２４０ 液相透明樹脂
１２８、２８０ 封止樹脂部
１２９ スタンプ
２００ 型取り枠
２５０ 透明樹脂固形物
２７０ 凹凸フィルム
Ｐ 凹凸パターン
Claims (17)
- 凹凸パターンを有する型取り枠を準備するステップと、
前記型取り枠を用いて、表面に凹凸パターンを有する透明樹脂固形物を形成するステップと、
前記透明樹脂固形物の、凹凸パターンを含む部分を切断して凹凸フィルムを準備するステップと、
溝部を有し、該溝部にＬＥＤチップが搭載されたＬＥＤパッケージ構造体を準備するステップと、
前記ＬＥＤチップが搭載された溝部に液相透明樹脂を充填するステップと、
前記液相透明樹脂上に前記溝部の上方の所定の高さに達するように前記凹凸フィルムを搭載するステップと、
前記凹凸フィルムが搭載された液相透明樹脂を硬化させるステップと、
を含む、前記凹凸フィルムの凹凸パターンが前記溝部の上方の所定の高さに達する高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。 - 凹凸パターンを有する前記型取り枠を準備する前記ステップは、
基板を準備するステップと、
前記基板上にフォトレジストパターンを形成するステップと、
前記フォトレジストパターンをマスクとして、前記基板をエッチングするステップと、
前記基板上に残存するフォトレジストパターンを除去するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。 - 前記型取り枠を用いて、表面に凹凸パターンを有する前記透明樹脂固形物を形成する前記ステップは、
前記型取り枠上に液相透明樹脂を満たすステップと、
前記液相透明樹脂を硬化させ、固形の透明樹脂を形成するステップと、
前記型取り枠から前記固形の透明樹脂を分離させて、透明樹脂固形物を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。 - 前記透明樹脂固形物の、凹凸パターンを含む部分を切断して前記凹凸フィルムを準備する前記ステップは、
前記透明樹脂固形物の、凹凸パターンが形成された表面部分を所定の厚さに切断するステップを含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。 - 前記型取り枠の凹凸パターンの表面にＵＶ処理を実施するステップと、
前記型取り枠の、ＵＶ処理された凹凸パターンの表面に離型剤を塗布するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。 - 前記離型剤として、トリクロロシランを含むシラン系化合物またはシリコンオイルを用いることを特徴とする請求項５に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
- 前記溝部を有し、該溝部に前記ＬＥＤチップが搭載された前記ＬＥＤパッケージ構造体を準備する前記ステップは、
上面に前記溝部が形成され、少なくとも該溝部の底面に電極構造が形成されたカップ型パッケージ構造体を形成するステップと、
前記溝部の側壁に反射板を形成するステップと、
前記ＬＥＤチップの端子が前記電極構造に電気的に接続するように、前記ＬＥＤチップを前記溝部の底面に実装するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか１つに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。 - 前記ＬＥＤチップが搭載された前記溝部に前記液相透明樹脂を充填する前記ステップでは、
前記溝部の内部を完全に満たすように前記液相透明樹脂を充填することを特徴とする請求項１から７のいずれか１つに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。 - 基板を準備するステップと、
前記基板上にフォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ工程を介して前記基板上に凹凸パターンを形成するステップと、
凹凸パターンが形成された前記基板からなる型取り枠を準備するステップと、
前記型取り枠上に第１液相透明樹脂を満たすステップと、
前記第１液相透明樹脂を硬化させ、固形の透明樹脂を形成するステップと、
前記型取り枠から前記固形の透明樹脂を分離して、表面に凹凸パターンが形成された透明樹脂固形物を形成するステップと、
前記透明樹脂固形物から、凹凸パターンを含む部分を所定の厚さに切断し、ＬＥＤパッケージ構造体の大きさに合うように切断して凹凸フィルムを形成するステップと、
ＬＥＤチップが実装された前記ＬＥＤパッケージ構造体の溝の内部に第２液相透明樹脂を満たすステップと、
前記第２液相透明樹脂を１次硬化させるステップと、
１次硬化した前記第２液相透明樹脂上に前記溝の上方に達するように前記凹凸フィルムを搭載するステップと、
前記凹凸フィルムが搭載された前記第２液相透明樹脂を２次硬化させるステップと、
を含む高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。 - 前記ＬＥＤチップが実装された前記ＬＥＤパッケージ構造体の前記溝の内部に前記第２液相透明樹脂を満たす前記ステップは、
前記溝部の内部に前記第２液相透明樹脂を完全に満たすステップからなることを特徴とする請求項９に記載の高出力ＬＥＤパッケージ製造方法。 - １次硬化した前記第２液相透明樹脂上に前記凹凸フィルムを搭載する前記ステップは、
前記凹凸フィルムの凹凸パターンの表面が前記ＬＥＤパッケージ構造体の表面から突出するように搭載することを特徴とする請求項９または１０に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。 - 前記基板の凹凸パターンの表面に離型剤処理を実施するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９から１１のいずれか１つに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
- 前記離型剤処理を実施する前記ステップは、
前記基板の凹凸パターンの表面にＵＶ処理を実施するステップと、
前記基板の、ＵＶ処理された凹凸パターンの表面に離型剤を塗布するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１２に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。 - 前記離型剤として、トリクロロシランを含むシラン系化合物またはシリコンオイルを用いることを特徴とする請求項１３に記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
- 前記第１液相透明樹脂および前記第２液相透明樹脂として、互いに同一の物質を用いることを特徴とする請求項９から１４のいずれか１つに記載の高出力ＬＥＤパッケージの製造方法。
- 上面に溝部が形成され、少なくとも該溝部の底面に電極構造が形成されたＬＥＤパッケージ構造体と、
前記溝部の側壁に沿って形成された反射板と、
前記溝部に前記電極構造に電気的に接続するように実装されたＬＥＤチップと、
前記ＬＥＤチップが実装された前記溝部の内部に前記ＬＥＤチップを封止し、表面に凹凸パターンを有し、凹凸パターンが前記ＬＥＤパッケージ構造体の表面から突出するように形成された透明樹脂封止部と、
を含むことを特徴とする高出力ＬＥＤパッケージ。 - 前記透明樹脂封止部は、
前記ＬＥＤチップを封止し、前記溝部の内部に完全に満たされるように形成された第１透明樹脂と、
前記第１透明樹脂上に形成され、表面に凹凸パターンを有する第２透明樹脂と、
を含んでいることを特徴とする請求項１６に記載の高出力ＬＥＤパッケージ。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070024536A KR100890741B1 (ko) | 2007-03-13 | 2007-03-13 | 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008227456A true JP2008227456A (ja) | 2008-09-25 |
Family
ID=39761749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007329051A Pending JP2008227456A (ja) | 2007-03-13 | 2007-12-20 | 高出力ｌｅｄパッケージおよびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080224160A1 (ja) |
| JP (1) | JP2008227456A (ja) |
| KR (1) | KR100890741B1 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010079812A1 (ja) | 2009-01-08 | 2010-07-15 | 旭硝子株式会社 | 離型フィルムおよび発光ダイオードの製造方法 |
| JP2011129790A (ja) * | 2009-12-19 | 2011-06-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｌｅｄ発光装置の製造方法 |
| CN102290522A (zh) * | 2011-09-16 | 2011-12-21 | 陆学中 | 无线led封装结构及其制造方法 |
| JP2015111626A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-18 | シャープ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| JP2015122333A (ja) * | 2009-03-18 | 2015-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 照明装置 |
| WO2015133045A1 (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-11 | 京セラコネクタプロダクツ株式会社 | 照明器具 |
| JP2016109932A (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-20 | 三菱電機株式会社 | 表示ユニット、映像表示装置及び表示ユニットの製造方法 |
| US9992877B2 (en) | 2012-08-30 | 2018-06-05 | Hyundai Motor Company | Manufacturing method for a lighting apparatus for a vehicle |
| US11398582B2 (en) | 2017-11-20 | 2022-07-26 | Sony Corporation | Semiconductor light-emitting element and electronic apparatus |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100978571B1 (ko) * | 2008-10-27 | 2010-08-27 | 삼성엘이디 주식회사 | Ｌｅｄ 패키지 |
| US8704257B2 (en) * | 2009-03-31 | 2014-04-22 | Epistar Corporation | Light-emitting element and the manufacturing method thereof |
| KR100999684B1 (ko) * | 2009-10-21 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
| TWI387137B (zh) * | 2010-01-13 | 2013-02-21 | Formosa Epitaxy Inc | 製作發光二極體結構的方法 |
| KR100986571B1 (ko) * | 2010-02-04 | 2010-10-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| KR101125335B1 (ko) * | 2010-04-15 | 2012-03-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지 |
| KR101653684B1 (ko) | 2010-05-28 | 2016-09-02 | 삼성전자 주식회사 | 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법 |
| KR101054769B1 (ko) * | 2010-09-24 | 2011-08-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그를 이용한 조명장치 |
| TWI517452B (zh) * | 2011-03-02 | 2016-01-11 | 建準電機工業股份有限公司 | 發光晶體之多晶封裝結構 |
| CN103000768A (zh) * | 2011-09-09 | 2013-03-27 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构的制造方法 |
| CN103199186A (zh) * | 2013-04-27 | 2013-07-10 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种盖帽表面粗化结构的光电器件 |
| CN103915426A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-07-09 | 深圳市新光台电子科技有限公司 | 高透光性彩色led灯封装结构 |
| KR102252994B1 (ko) * | 2014-12-18 | 2021-05-20 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지용 파장 변환 필름 |
| US10539730B2 (en) | 2015-09-29 | 2020-01-21 | Signify Holding B.V. | Light source with diffractive outcoupling |
| JP6773063B2 (ja) * | 2018-02-22 | 2020-10-21 | 日亜化学工業株式会社 | 透光性部材の形成方法 |
| CN108682732B (zh) * | 2018-07-23 | 2024-05-24 | 深圳市奥拓电子股份有限公司 | Led封装结构及led芯片封装方法 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0562254A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-12 | Hitachi Ltd | 光デイスクの製造方法 |
| JPH09123206A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-13 | Towa Kk | 電子部品の樹脂封止成形装置 |
| JPH11204840A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子 |
| JP2000108137A (ja) * | 1998-10-01 | 2000-04-18 | Nippon Zeon Co Ltd | 成形体の製造方法および樹脂型 |
| JP2000301545A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂モールド金型の離型剤 |
| JP2002134535A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Towa Corp | 半導体樹脂封止成形方法 |
| JP2003234509A (ja) * | 2002-02-08 | 2003-08-22 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2004327505A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-18 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
| JP2006054396A (ja) * | 2004-08-16 | 2006-02-23 | Toshiba Discrete Technology Kk | 発光装置 |
| JP2006093399A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | 発光装置およびその製造方法ならびに照明装置 |
| JP2006237264A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Kyocera Corp | 発光装置および照明装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5740530A (en) * | 1980-08-26 | 1982-03-06 | Toshiba Corp | Plastic molded article |
| JPS624380A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-10 | Toshiba Corp | 発光ダイオ−ド装置 |
| US6998281B2 (en) * | 2000-10-12 | 2006-02-14 | General Electric Company | Solid state lighting device with reduced form factor including LED with directional emission and package with microoptics |
| US6598998B2 (en) * | 2001-05-04 | 2003-07-29 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Side emitting light emitting device |
| US6610598B2 (en) * | 2001-11-14 | 2003-08-26 | Solidlite Corporation | Surface-mounted devices of light-emitting diodes with small lens |
| US7517728B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-04-14 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element |
| US20060105483A1 (en) * | 2004-11-18 | 2006-05-18 | Leatherdale Catherine A | Encapsulated light emitting diodes and methods of making |
| KR100610699B1 (ko) * | 2004-11-19 | 2006-08-09 | 알티전자 주식회사 | 발광증폭 구조를 가진 백색발광다이오드 및 그의 제조방법 |
| KR100610278B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2006-08-09 | 알티전자 주식회사 | 고휘도 백색발광다이오드 및 그의 제조방법 |
| KR100665219B1 (ko) * | 2005-07-14 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 파장변환형 발광다이오드 패키지 |
-
2007
- 2007-03-13 KR KR1020070024536A patent/KR100890741B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-12-20 JP JP2007329051A patent/JP2008227456A/ja active Pending
- 2007-12-21 US US12/003,275 patent/US20080224160A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0562254A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-12 | Hitachi Ltd | 光デイスクの製造方法 |
| JPH09123206A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-13 | Towa Kk | 電子部品の樹脂封止成形装置 |
| JPH11204840A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子 |
| JP2000108137A (ja) * | 1998-10-01 | 2000-04-18 | Nippon Zeon Co Ltd | 成形体の製造方法および樹脂型 |
| JP2000301545A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂モールド金型の離型剤 |
| JP2002134535A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Towa Corp | 半導体樹脂封止成形方法 |
| JP2003234509A (ja) * | 2002-02-08 | 2003-08-22 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2004327505A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-18 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
| JP2006054396A (ja) * | 2004-08-16 | 2006-02-23 | Toshiba Discrete Technology Kk | 発光装置 |
| JP2006093399A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | 発光装置およびその製造方法ならびに照明装置 |
| JP2006237264A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Kyocera Corp | 発光装置および照明装置 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010079812A1 (ja) | 2009-01-08 | 2010-07-15 | 旭硝子株式会社 | 離型フィルムおよび発光ダイオードの製造方法 |
| KR20110112291A (ko) | 2009-01-08 | 2011-10-12 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 이형 필름 및 발광 다이오드의 제조 방법 |
| JP5691523B2 (ja) * | 2009-01-08 | 2015-04-01 | 旭硝子株式会社 | 離型フィルム、発光素子の封止方法および発光ダイオードの製造方法 |
| KR101581069B1 (ko) * | 2009-01-08 | 2015-12-30 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 이형 필름 및 발광 다이오드의 제조 방법 |
| JP2015122333A (ja) * | 2009-03-18 | 2015-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 照明装置 |
| JP2011129790A (ja) * | 2009-12-19 | 2011-06-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｌｅｄ発光装置の製造方法 |
| CN102290522A (zh) * | 2011-09-16 | 2011-12-21 | 陆学中 | 无线led封装结构及其制造方法 |
| US9992877B2 (en) | 2012-08-30 | 2018-06-05 | Hyundai Motor Company | Manufacturing method for a lighting apparatus for a vehicle |
| JP2015111626A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-18 | シャープ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| WO2015133045A1 (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-11 | 京セラコネクタプロダクツ株式会社 | 照明器具 |
| JP2016109932A (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-20 | 三菱電機株式会社 | 表示ユニット、映像表示装置及び表示ユニットの製造方法 |
| US11398582B2 (en) | 2017-11-20 | 2022-07-26 | Sony Corporation | Semiconductor light-emitting element and electronic apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080083832A (ko) | 2008-09-19 |
| KR100890741B1 (ko) | 2009-03-26 |
| US20080224160A1 (en) | 2008-09-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2008227456A (ja) | 高出力ｌｅｄパッケージおよびその製造方法 | |
| TWI393841B (zh) | 背光用發光二極體之寬發光透鏡 | |
| JP5154155B2 (ja) | 固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法 | |
| KR101278361B1 (ko) | 발광소자의 패키징 방법 및 패키징된 발광소자 | |
| TWI502778B (zh) | 包含塑模反射型側壁塗層的發光二極體 | |
| JP5646799B2 (ja) | Ｌｅｄダイ上のオーバーモールドレンズ | |
| KR101111256B1 (ko) | Ｌｅｄ 리드 프레임 패키지, 이를 이용한 ｌｅｄ 패키지 및 상기 ｌｅｄ 패키지의 제조 방법 | |
| US20080142822A1 (en) | Light emitting diode package and method of manufacturing the same | |
| JP2007227919A (ja) | 発光ダイオードパッケージの製造方法 | |
| KR100691440B1 (ko) | Ｌｅｄ 패키지 | |
| US8624280B2 (en) | Light emitting device package and method for fabricating the same | |
| JP2013191872A (ja) | 発光素子パッケージ | |
| KR101476771B1 (ko) | 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
| JP2003234511A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| TW201101456A (en) | LED package structure for increasing light-emitting efficiency and controlling light-projecting angle and method for manufacturing the same | |
| KR20150107086A (ko) | 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
| JP6212989B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| CN208315595U (zh) | Csp led的封装结构 | |
| KR101724703B1 (ko) | 렌즈 패턴이 형성된 화이트 발광용 칩 패키지 | |
| CN210110833U (zh) | 一种大功率led发光器件封装结构 | |
| US20090230418A1 (en) | Light emitting diode package and method of manufacturing the same | |
| KR100849819B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 제조방법 | |
| KR102051478B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 | |
| TWI384646B (zh) | 發光元件及其製作方法 | |
| KR100809207B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091126 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100107 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100108 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100714 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100827 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110308 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110608 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110616 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110622 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120327 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120904 |