JPH11204840A - 発光素子 - Google Patents

発光素子

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JPH11204840A JP2030298A JP2030298A JPH11204840A JP H11204840 A JPH11204840 A JP H11204840A JP 2030298 A JP2030298 A JP 2030298A JP 2030298 A JP2030298 A JP 2030298A JP H11204840 A JPH11204840 A JP H11204840A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光した光の取り出し効率を高くできかつ素
子寿命を長くできる発光素子を提供する。 【解決手段】 半導体チップが設けられた支持体と、上
記半導体チップを覆うようにかつ表面が略平面になるよ
うに設けられた透光性封止樹脂とを備え、該透光性封止
樹脂の上記表面から光を出力する発光素子であって、上
記透光性封止樹脂の上記表面のうちの、上記半導体チッ
プの上方に位置する中央部を平滑表面としかつ該平滑表
面を除く周辺部分を粗面とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子に関す
る。
【0002】
【従来の技術】発光ダイオードは、各種電子機器におい
て、ディスプレイ等に広く使用されている。また最近で
は、小型で表面実装型の発光ダイオードも各種製品化さ
れますますその応用製品を拡大しつつある。例えば、従
来の表面実装型の発光ダイオードは、セラミック等から
なり正負の外部接続電極が形成されたパッケージ内に半
導体チップが設けられ、半導体チップの発光面側に透光
性封止樹脂が充填されてなり、該透光性封止樹脂を介し
て発光した光を放射する。この従来例の表面実装型の発
光ダイオードにおいて、透光性封止樹脂は表面が平面で
かつ平滑面になるように充填される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
の発光ダイオードでは、図3に示すように半導体チップ
2から放射された光が透光性封止樹脂103の表面10
3aに臨界角以上の角度β(入射角β)で到達すると、
表面103aで全反射され、さらにパッケージ1の表面
で反射される。従って、従来例の発光ダイオードは、表
面103aで反射された光は、透光性封止樹脂103及
び支持体で累積的に吸収されることになるので、光の取
り出し効率が悪化するという問題点があった。また、透
光性封止樹脂3が吸収する光の量が多くなるとその吸収
される光のエネルギーが透光性封止樹脂103を劣化さ
せるので素子の寿命が短くなるという問題点があった。
また、最近では、特に表面実装型の素子においては、さ
らなる薄型化が要求されているが、素子を薄型化すれば
するほど、透光性封止樹脂103の表面103aに臨界
角以上で入射される光の量は多くなるので、透光性封止
樹脂103に吸収される光の量が多くなり、上述の問題
はさらに深刻である。
【0004】そこで、本発明の目的は、上述の従来例の
持つ問題点を解決して、発光した光の取り出し効率を高
くできかつ素子寿命を長くできる発光素子を提供するこ
とにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の問題点
を解決するために、透光性封止樹脂の表面において、周
辺部を粗化することにより、粗化された表面からは臨界
角に拘わらず光が出力されることを見いだして完成させ
たものである。すなわち、本発明に係る発光素子は、半
導体チップが設けられた支持体と、上記半導体チップを
覆うようにかつ表面が略平面になるように設けられた透
光性封止樹脂とを備え、該透光性封止樹脂の上記表面か
ら光を出力する発光素子であって、上記透光性封止樹脂
の上記表面のうちの、上記半導体チップの上方に位置す
る中央部を平滑表面としかつ該平滑表面を除く周辺部分
を粗面としたことを特徴とする。これによって、上記透
光性封止樹脂の上記表面のうち粗面とした部分から効果
的に光を出力することができる。
【0006】また、本発明の発光素子では、さらに効率
的に光を出力するために、上記半導体チップの発光面の
中心部から出力された光の上記平滑表面への入射角が臨
界角以下になる範囲に、上記平滑表面が形成されている
ことが好ましい。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る実施の形態について説明する。図1は、本発明に係る
実施形態の発光ダイオードの構成を模式的に示す断面図
であり、実施形態の発光ダイオードは、支持体1に銀又
は金等の膜により外部接続電極1a,1bを備えた表面
実装型の発光ダイオードである。以下、実施形態の発光
ダイオードについてさらに詳細に説明する。
【0008】本実施形態の発光ダイオードにおいて、支
持体1は、例えばセラミック又は液晶ポリマーからな
り、一方の主面に半導体チップ2を搭載するための凹部
1cが形成される。尚、支持体1において、外部接続電
極1a,1bは、凹部1cの底面から支持体1の他方の
主面(裏面)に連続して形成される。半導体チップ2
は、支持体1の凹部1cの底面の中央部にダイボンド固
着され、電極1a,1bと例えばワイヤボンディングで
接続される。そして、半導体チップ2を覆うように、例
えばエポキシ、シリコーンあるいは変性アクリレート樹
脂等の透光性封止樹脂3が充填される。
【0009】ここで、本実施形態の発光ダイオードにお
いて、透光性封止樹脂3の表面は、半導体チップ2上に
位置する中央部が平滑な平面(以下、平滑表面31とい
う。)となるようにかつ該中央部(平滑表面31)を除
く周辺部が粗面(以下、粗面表面32という。)となる
ように形成されていることを特徴とし、光の取り出し効
率を向上させている。尚、図1では粗面表面32を、規
則的な溝で描いているが、本発明はこのように規則的な
溝に限定されるものではない。ここで、本実施形態で
は、半導体チップ2の発光面の中心2aから出力される
光の平滑表面31への入射角がちょうど臨界角θとなる
点の軌跡を、平滑平面31と粗面表面32との境界3c
としている。これによって、半導体チップ2の発光面の
ほぼ中央部から出力された光は、平滑平面31に臨界角
θより小さい角度で入射するので、平滑平面31で反射
されることなく外部に出力される。尚、臨界角θは、透
光性封止樹脂3の屈折率をn1とし、外部空間の屈折率
をn2としたとき、次の数1で与えられる。
【0010】
【数1】θ=sin-1(n2/n1
【0011】以上のように構成された実施形態の発光ダ
イオードにおいて、例えば、半導体チップ2の発光面中
心aから平滑表面31に向けて出力された光は、平滑表
面31に臨界角θより小さい角度で入射されるので、該
表面31で反射されることなく出力される。また、半導
体チップ2の発光面中心aから粗面表面32に向けて出
力された光は、粗面表面32で以下のように透過又は反
射される。すなわち、粗面表面32は種々の方向を有す
る多数の表面片の集合と考えることができるので、粗面
表面32において、各表面片を入射した光が透過するか
どうかは、各表面片に対する光の入射角よる。例えば、
図2に示すように、表面片32aに入射する光L1は入
射角α1が臨界角θより小さいと表面片32aを透過し
て外部に出力される。また、例えば表面片32bに入射
する光L2は入射角α2が臨界角θより小さいと表面片
32aを透過して外部に出力される。尚、以上の説明
は、半導体チップ2の発光面中心2aから出射された光
についておこなったが、半導体チップ2の発光面の面積
は、透光性封止樹脂3の表面の面積に比べて十分小さい
ので、実際には半導体チップ2の発光面が一定の広がり
を持つことを考慮しても、上記説明とほぼ同様に考える
ことができる。
【0012】本発明者らは、本実施形態の光取り出し効
果を確認するために、透光性封止樹脂の表面が全て平滑
面である従来形態のものを作成して光の出力を測定し、
次にその測定したその素子にて、本実施形態に示したよ
うに外周部分を表面粗さ50Z程度の粗面に追加工した
もので出力を測定し、従来のものと比較したところ、粗
面加工後の方が出力が約50%高く、本発明による効果
が確認された。尚、本発明では、粗面表面32の表面粗
さには限定されるものではない。
【0013】以上のように本実施形態の発光ダイオード
によれば、透光性封止樹脂3の表面の外周部に粗面表面
32を形成することにより、半導体チップから放射され
た光の該粗面表面32における支持体1の凹部1c内部
に向かう反射を小さくできるので、光の取り出し効率を
高くすることができる。また、光の取り出し効率を高く
できることにより、表面で反射された光が透光性封止樹
脂及び支持体1の凹部1cの内面で吸収される量を少な
くでき、透光性封止樹脂3の劣化を少なくできるので、
発光ダイオードの寿命を長くできる。
【0014】また、本実施形態の発光ダイオードでは、
上述のように粗面表面32を設けているので、比較的広
い範囲に発光した光を放射でき、視野角を広くできる。
また、本実施形態の発光ダイオードでは、粗面表面3
2を設けているので、粗面表面32により外部の光を乱
反射させることができ、コントラスト比を高くすること
ができる。ここで、コントラスト比とは、発光ダイオー
ドのオフ状態の時の明るさに対する点灯させた時の明る
さの比である。
【0015】またさらに、本実施形態の発光素子は、透
光性封止樹脂3の厚さを薄くしても、上記粗面表面を形
成することにより、光の反射を増加させることがないの
で、効果的な光の取り出しを確保することができる。ま
たこのように、透光性封止樹脂3を薄くすると、透過性
封止樹脂による光の吸収を小さくすることができるの
で、さらに発生した光を効率的に取り出すことができ
る。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の発光素子
は、上記透光性封止樹脂の上記表面のうちの、上記半導
体チップの上方に位置する中央部を平滑表面としかつ該
平滑表面を除く周辺部分を粗面としているので、上記透
光性封止樹脂の上記表面のうち粗面とした部分から効果
的に光を出力することができる。従って、本発明によれ
ば、発光した光の取り出し効率を高くできかつ素子寿命
を長くできる発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る実施形態の発光ダイオードの構
成を示す断面図である。
【図2】 本発明における光の取り出しを説明するため
の図である。
【図3】 従来例における光の内部反射を示す図であ
る。
【符号の説明】
1…支持体、 1c…凹部、 1a,1b…外部接続電極、 2…半導体チップ、 2a…発光面中心、 3…透光性封止樹脂、 31…平滑平面、 32…粗面表面。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップが設けられた支持体と、上
    記半導体チップを覆うようにかつ表面が略平面になるよ
    うに設けられた透光性封止樹脂とを備え、該透光性封止
    樹脂の上記表面から光を出力する発光素子であって、 上記透光性封止樹脂の上記表面のうちの、上記半導体チ
    ップの上方に位置する中央部を平滑表面としかつ該平滑
    表面を除く周辺部分を粗面とした発光素子。
  2. 【請求項2】 上記半導体チップの発光面の中心部から
    出力された光の上記平滑表面への入射角が臨界角以下に
    なる範囲に、上記平滑表面が形成されている請求項1記
    載の発光素子。
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Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002368289A (ja) * 2001-06-12 2002-12-20 Sony Corp 樹脂形成素子、画像表示装置及び照明装置とその製造方法
EP1271665A2 (en) * 2001-06-25 2003-01-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
JP2004186488A (ja) * 2002-12-04 2004-07-02 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置、発光装置の製造方法および発光装置の色度調整方法
US6803606B2 (en) 2002-03-20 2004-10-12 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2005203737A (ja) * 2003-12-19 2005-07-28 Nitto Denko Corp 半導体発光素子の製造方法
JP2005210042A (ja) * 2003-09-11 2005-08-04 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2006237264A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2006332189A (ja) * 2005-05-24 2006-12-07 Sony Corp 半導体発光素子
JP2007003805A (ja) * 2005-06-23 2007-01-11 Hitachi Displays Ltd 照明装置及びこれを備えた表示装置
JP2007173635A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Matsushita Electric Works Ltd 照明装置
JP2007180203A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2007294963A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Samsung Electro Mech Co Ltd 表面実装型発光ダイオード素子
EP1962350A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-27 LEXEDIS Lighting GmbH Emitting surface of light emitting diode packages
JP2008227456A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Samsung Electro Mech Co Ltd 高出力ledパッケージおよびその製造方法
EP2219242A2 (en) 2009-02-17 2010-08-18 Nitto Denko Corporation Sheet for photosemiconductor encapsulation
CN102110749A (zh) * 2010-11-15 2011-06-29 山东大学 基于激光器的SiC衬底LED大面积可控表面粗化刻蚀方法
DE10353604B4 (de) * 2003-08-27 2012-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP2012151466A (ja) * 2010-12-28 2012-08-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2013030600A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 発熱デバイス
JP2016162932A (ja) * 2015-03-03 2016-09-05 シチズン電子株式会社 Led光源装置
JP2018190861A (ja) * 2017-05-09 2018-11-29 ローム株式会社 光学装置

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002368289A (ja) * 2001-06-12 2002-12-20 Sony Corp 樹脂形成素子、画像表示装置及び照明装置とその製造方法
JP4734770B2 (ja) * 2001-06-12 2011-07-27 ソニー株式会社 樹脂形成素子の製造方法、画像表示装置の製造方法、および照明装置の製造方法
EP1271665A2 (en) * 2001-06-25 2003-01-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
EP1271665A3 (en) * 2001-06-25 2003-10-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
US6900473B2 (en) 2001-06-25 2005-05-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface-emitting semiconductor light device
US6803606B2 (en) 2002-03-20 2004-10-12 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2004186488A (ja) * 2002-12-04 2004-07-02 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置、発光装置の製造方法および発光装置の色度調整方法
DE10353604B4 (de) * 2003-08-27 2012-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP2005210042A (ja) * 2003-09-11 2005-08-04 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2005203737A (ja) * 2003-12-19 2005-07-28 Nitto Denko Corp 半導体発光素子の製造方法
JP2006237264A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2006332189A (ja) * 2005-05-24 2006-12-07 Sony Corp 半導体発光素子
JP4692075B2 (ja) * 2005-05-24 2011-06-01 ソニー株式会社 半導体発光素子
JP2007003805A (ja) * 2005-06-23 2007-01-11 Hitachi Displays Ltd 照明装置及びこれを備えた表示装置
JP2007173635A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Matsushita Electric Works Ltd 照明装置
JP2007180203A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP4727617B2 (ja) * 2006-04-21 2011-07-20 サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド. 表面実装型発光ダイオード素子
JP2007294963A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Samsung Electro Mech Co Ltd 表面実装型発光ダイオード素子
EP1962350A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-27 LEXEDIS Lighting GmbH Emitting surface of light emitting diode packages
JP2008227456A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Samsung Electro Mech Co Ltd 高出力ledパッケージおよびその製造方法
EP2219242A2 (en) 2009-02-17 2010-08-18 Nitto Denko Corporation Sheet for photosemiconductor encapsulation
CN102110749A (zh) * 2010-11-15 2011-06-29 山东大学 基于激光器的SiC衬底LED大面积可控表面粗化刻蚀方法
JP2012151466A (ja) * 2010-12-28 2012-08-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US9231175B2 (en) 2010-12-28 2016-01-05 Nichia Corporation Light emitting device with sealing member containing filler particles
JP2013030600A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 発熱デバイス
JP2016162932A (ja) * 2015-03-03 2016-09-05 シチズン電子株式会社 Led光源装置
JP2018190861A (ja) * 2017-05-09 2018-11-29 ローム株式会社 光学装置

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