JPH05327026A - 赤外発光ダイオード - Google Patents
赤外発光ダイオードInfo
- Publication number
- JPH05327026A JPH05327026A JP4130567A JP13056792A JPH05327026A JP H05327026 A JPH05327026 A JP H05327026A JP 4130567 A JP4130567 A JP 4130567A JP 13056792 A JP13056792 A JP 13056792A JP H05327026 A JPH05327026 A JP H05327026A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- emitting diode
- light emitting
- infrared light
- diode chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】パッケージを小型化且つ薄型化しながらもパッ
ケージセンターから約±３０°の領域において放射強度
が一様にピーク値を示すような指向特性を有する赤外発
光ダイオードを提供する。 【構成】赤外発光ダイオードチップ１およびこれを取着
したリードフレーム４を、光散乱効果を有するフィラー
６を含有した透光性樹脂５により被覆する。この透光性
樹脂を矩形状の小型で薄型のパッケージ構造に形成す
る。赤外発光ダイオードチップからの発光がフィラーに
より散乱されてチップの電極に対向するパッケージセン
ター部に回り込む。この光散乱効果により、略矩形状の
バッケージコーナー部におけるレンズ効果および空気と
樹脂との境界面での反射光が各々著しく低減する。従っ
て、パッケージセンターから約±３０°の指向角の領域
において放射強度が一様にピーク値となる。
ケージセンターから約±３０°の領域において放射強度
が一様にピーク値を示すような指向特性を有する赤外発
光ダイオードを提供する。 【構成】赤外発光ダイオードチップ１およびこれを取着
したリードフレーム４を、光散乱効果を有するフィラー
６を含有した透光性樹脂５により被覆する。この透光性
樹脂を矩形状の小型で薄型のパッケージ構造に形成す
る。赤外発光ダイオードチップからの発光がフィラーに
より散乱されてチップの電極に対向するパッケージセン
ター部に回り込む。この光散乱効果により、略矩形状の
バッケージコーナー部におけるレンズ効果および空気と
樹脂との境界面での反射光が各々著しく低減する。従っ
て、パッケージセンターから約±３０°の指向角の領域
において放射強度が一様にピーク値となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主として各種電子機器
に用いられる光半導体装置、特に広指向性を必要とする
エンコーダ等に用いて顕著な効果を得られる赤外発光ダ
イオードに関するものである。
に用いられる光半導体装置、特に広指向性を必要とする
エンコーダ等に用いて顕著な効果を得られる赤外発光ダ
イオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】斯かる従来の広指向性赤外発光ダイオー
ドのパッケージ構造は、図３に示すように、赤外発光ダ
イオードチップ（１）をリードフレーム（４）のヘッダ
ー部上にボンディング等により取り付け、一般に透光性
樹脂（３）を用いてトランスファモールド或いは注型に
より赤外発光ダイオードチップ（１）等の周囲に集光レ
ンズを形成するよう略半球形状に被覆し、パッケージを
形成した構成になっている。このような赤外発光ダイオ
ードの放射強度の指向特性は、図４に示すように、金ワ
イヤ等によりリードフレーム（４）のリード端子に接続
される赤外発光ダイオードチップ（１）のアノード電極
（２）部分の影響により、このアノード電極（２）に対
向するパッケージセンター付近の放射強度が大きく低下
するとともに、パッケージセンター付近に対し±４０°
〜５０°の指向角付近に放射強度のピーク値を有する指
向性となる傾向にある。
ドのパッケージ構造は、図３に示すように、赤外発光ダ
イオードチップ（１）をリードフレーム（４）のヘッダ
ー部上にボンディング等により取り付け、一般に透光性
樹脂（３）を用いてトランスファモールド或いは注型に
より赤外発光ダイオードチップ（１）等の周囲に集光レ
ンズを形成するよう略半球形状に被覆し、パッケージを
形成した構成になっている。このような赤外発光ダイオ
ードの放射強度の指向特性は、図４に示すように、金ワ
イヤ等によりリードフレーム（４）のリード端子に接続
される赤外発光ダイオードチップ（１）のアノード電極
（２）部分の影響により、このアノード電極（２）に対
向するパッケージセンター付近の放射強度が大きく低下
するとともに、パッケージセンター付近に対し±４０°
〜５０°の指向角付近に放射強度のピーク値を有する指
向性となる傾向にある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の赤
外発光ダイオードの主な用途であるエンコーダ等におい
ては、センター付近から約±３０°の領域において放射
強度が一様となるような指向特性を有する赤外発光ダイ
オードを用いるのが理想的である。然し乍ら、従来の広
指向性赤外発光ダイオードは、前述のようにパッケージ
センター付近の放射強度が大きく低下し且つセンター付
近に対し±４０°〜５０°の指向角付近に放射強度のピ
ーク値を有しているために、高精度のエンコーダ等を得
られない問題がある。また、図５のような略半球状のパ
ッケージ構造であるために、光学系の曲率等によって近
年のデバイスの小型化および薄型化の要望に対して自ず
と限度がある。
外発光ダイオードの主な用途であるエンコーダ等におい
ては、センター付近から約±３０°の領域において放射
強度が一様となるような指向特性を有する赤外発光ダイ
オードを用いるのが理想的である。然し乍ら、従来の広
指向性赤外発光ダイオードは、前述のようにパッケージ
センター付近の放射強度が大きく低下し且つセンター付
近に対し±４０°〜５０°の指向角付近に放射強度のピ
ーク値を有しているために、高精度のエンコーダ等を得
られない問題がある。また、図５のような略半球状のパ
ッケージ構造であるために、光学系の曲率等によって近
年のデバイスの小型化および薄型化の要望に対して自ず
と限度がある。
【０００４】また、小型化且つ薄型化を図るために、透
光性樹脂（４）によるパッケージ構造を図５に示すよう
に略矩形状のフラットな形状にした場合には、赤外発光
ダイオードチップ（１）のアノード電極（２）部分の影
響と、空気と樹脂（３）との境界面での反射光（Ｌ１）
が赤外発光ダイオードチップ（１）の裏側に回り込むこ
ととにより、これの指向特性を示した図６のように、バ
ッケージセンター付近の放射強度が大きく低下するとと
もに、赤外発光ダイオードチップ（１）に対し約±５０
°方向に位置するパッケージコーナー部（３１）による
レンズ効果により光（Ｌ２）が集光されるために、パッ
ケージセンターに対し約±５０°の指向角に放射強度の
ピーク値が存在する。従って、指向特性が悪くなってエ
ンコーダ等には到底適用できないものとなる。
光性樹脂（４）によるパッケージ構造を図５に示すよう
に略矩形状のフラットな形状にした場合には、赤外発光
ダイオードチップ（１）のアノード電極（２）部分の影
響と、空気と樹脂（３）との境界面での反射光（Ｌ１）
が赤外発光ダイオードチップ（１）の裏側に回り込むこ
ととにより、これの指向特性を示した図６のように、バ
ッケージセンター付近の放射強度が大きく低下するとと
もに、赤外発光ダイオードチップ（１）に対し約±５０
°方向に位置するパッケージコーナー部（３１）による
レンズ効果により光（Ｌ２）が集光されるために、パッ
ケージセンターに対し約±５０°の指向角に放射強度の
ピーク値が存在する。従って、指向特性が悪くなってエ
ンコーダ等には到底適用できないものとなる。
【０００５】そこで本発明は、パッケージを小型化且つ
薄型化しながらもパッケージセンターから約±３０°の
領域において放射強度が一様にピーク値を示すような指
向特性を有する赤外発光ダイオードを提供することを技
術的課題とする。
薄型化しながらもパッケージセンターから約±３０°の
領域において放射強度が一様にピーク値を示すような指
向特性を有する赤外発光ダイオードを提供することを技
術的課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記した課題
を達成するための技術的手段として、赤外発光ダイオー
ドを次のように構成した。即ち、赤外発光ダイオードチ
ップおよびこれを取着したリードフレームを透光性樹脂
により被覆してなる赤外発光ダイオードにおいて、前記
透光性樹脂に、光散乱効果を有するフィラーを含有し、
該透光性樹脂を略矩形のパッケージ構造に形成したこと
を特徴として構成されている。
を達成するための技術的手段として、赤外発光ダイオー
ドを次のように構成した。即ち、赤外発光ダイオードチ
ップおよびこれを取着したリードフレームを透光性樹脂
により被覆してなる赤外発光ダイオードにおいて、前記
透光性樹脂に、光散乱効果を有するフィラーを含有し、
該透光性樹脂を略矩形のパッケージ構造に形成したこと
を特徴として構成されている。
【０００７】
【作用】赤外発光ダイオードチップから発する光は、透
光性樹脂内に含有する光散乱効果を有するフィラーによ
り散乱されるので、この散乱光が赤外発光ダイオードチ
ップのアノード電極に対向するパッケージセンター付近
へも回り込み、また、略矩形状のパッケージ構造とした
透光性樹脂によるパッケージコーナー部において、光散
乱効果により集光現象が発生しない。従って、略矩形状
の小型化且つ薄型化したパッケージ構造を備えながらも
パッケージセンターから約±３０°の領域において放射
強度が一様ににピーク値となる高放射強度で広指向特性
を有する赤外発光ダイオードを得られる。
光性樹脂内に含有する光散乱効果を有するフィラーによ
り散乱されるので、この散乱光が赤外発光ダイオードチ
ップのアノード電極に対向するパッケージセンター付近
へも回り込み、また、略矩形状のパッケージ構造とした
透光性樹脂によるパッケージコーナー部において、光散
乱効果により集光現象が発生しない。従って、略矩形状
の小型化且つ薄型化したパッケージ構造を備えながらも
パッケージセンターから約±３０°の領域において放射
強度が一様ににピーク値となる高放射強度で広指向特性
を有する赤外発光ダイオードを得られる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の好適な一実施例について図面
を参照しながら詳述する。図１は本発明の一実施例を示
し、同図において図３および図５と同一若しくは同等の
ものには同一の符号を付してその説明を省略する。そし
て、透光性樹脂（５）に、光散乱効果を有するフィラー
（６）を含有させ、このフィラー（６）を含有した透光
性樹脂（５）を略矩形のパッケージ構造に形成してリー
ドフレーム（４）および赤外発光ダイオードチップ
（１）を被覆封止した構成となっている。
を参照しながら詳述する。図１は本発明の一実施例を示
し、同図において図３および図５と同一若しくは同等の
ものには同一の符号を付してその説明を省略する。そし
て、透光性樹脂（５）に、光散乱効果を有するフィラー
（６）を含有させ、このフィラー（６）を含有した透光
性樹脂（５）を略矩形のパッケージ構造に形成してリー
ドフレーム（４）および赤外発光ダイオードチップ
（１）を被覆封止した構成となっている。
【０００９】従って、赤外発光ダイオードチップ（１）
からの発光は、透光性樹脂（５）内に含有する光散乱効
果を有するフィラー（６）により散乱されるので、この
散乱光が赤外発光ダイオードチップ（１）のアノード電
極（２）に対向するパッケージセンター付近にも回り込
んで出射し、また、略矩形状のパッケージ構造とした透
光性樹脂（５）によるパッケージコーナー部におけるレ
ンズ効果も光散乱効果により著しく低減されて集光現象
が殆ど発生しない。更に、空気と樹脂（５）との境界面
での反射光も光散乱効果により格段に低減する。従っ
て、略矩形状の小型化且つ薄型化したパッケージ構造を
備えながらも、これの指向特性を示した図２の実線の特
性曲線のように、パッケージセンターから約±３０°の
領域において放射強度が略一様にピーク値となる高放射
強度で広指向特性を有するものとなる。図２には、比較
のために、前記実施例の赤外発光ダイオードの指向特性
のピーク放射強度を１００パーセンとした時の図３およ
び図５の各赤外発光ダイオードの各々の指向特性を１線
鎖線および２点鎖線でそれぞれ示してある。この比較か
ら明らかなように、パッケージセンターから±３０°の
領域の放射強度が格段に大きくなり、特にエンコーダ等
に最適のものとなる。
からの発光は、透光性樹脂（５）内に含有する光散乱効
果を有するフィラー（６）により散乱されるので、この
散乱光が赤外発光ダイオードチップ（１）のアノード電
極（２）に対向するパッケージセンター付近にも回り込
んで出射し、また、略矩形状のパッケージ構造とした透
光性樹脂（５）によるパッケージコーナー部におけるレ
ンズ効果も光散乱効果により著しく低減されて集光現象
が殆ど発生しない。更に、空気と樹脂（５）との境界面
での反射光も光散乱効果により格段に低減する。従っ
て、略矩形状の小型化且つ薄型化したパッケージ構造を
備えながらも、これの指向特性を示した図２の実線の特
性曲線のように、パッケージセンターから約±３０°の
領域において放射強度が略一様にピーク値となる高放射
強度で広指向特性を有するものとなる。図２には、比較
のために、前記実施例の赤外発光ダイオードの指向特性
のピーク放射強度を１００パーセンとした時の図３およ
び図５の各赤外発光ダイオードの各々の指向特性を１線
鎖線および２点鎖線でそれぞれ示してある。この比較か
ら明らかなように、パッケージセンターから±３０°の
領域の放射強度が格段に大きくなり、特にエンコーダ等
に最適のものとなる。
【００１０】
【発明の効果】以上のように本発明の赤外発光ダイオー
ドによると、パッケージを構成する透光性樹脂に光散乱
効果を有するフィラーを含有するのみの簡単な構成によ
り、パッケージ構造を略矩形状として小型化且つ薄型化
を図りながらも、パッケージセンターから約±３０°の
指向角の領域において放射強度が略一様にピーク値とな
る指向特性を有し、特に、エンコーダ等に適用して最適
のものとなる。
ドによると、パッケージを構成する透光性樹脂に光散乱
効果を有するフィラーを含有するのみの簡単な構成によ
り、パッケージ構造を略矩形状として小型化且つ薄型化
を図りながらも、パッケージセンターから約±３０°の
指向角の領域において放射強度が略一様にピーク値とな
る指向特性を有し、特に、エンコーダ等に適用して最適
のものとなる。
【図１】本発明の一実施例の縦断面図である。
【図２】同上の指向特性図である。
【図３】従来の広指向性赤外発光ダイオードの縦断面図
である。
である。
【図４】同上の指向特性図である。
【図５】従来の他の広指向性赤外発光ダイオードの縦断
面図である。
面図である。
【図６】同上の指向特性図である。
１ 赤外発光ダイオードチップ ４ リードフレーム ５ 透光性樹脂 ６ フィラー
Claims (1)
- 【請求項１】 赤外発光ダイオードチップおよびこれを
取着したリードフレームを透光性樹脂により被覆してな
る赤外発光ダイオードにおいて、前記透光性樹脂に、光
散乱効果を有するフィラーを含有し、該透光性樹脂を略
矩形のパッケージ構造に形成したことを特徴とする赤外
発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4130567A JPH05327026A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 赤外発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4130567A JPH05327026A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 赤外発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05327026A true JPH05327026A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15037343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4130567A Pending JPH05327026A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 赤外発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05327026A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997004509A2 (de) * | 1995-07-19 | 1997-02-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterlaserchip und infrarot-emitter-bauelement |
| WO2001073860A2 (en) * | 2000-03-24 | 2001-10-04 | Ledcorp | Illumination apparatus and light emitting diode and method of use |
| KR20040031882A (ko) * | 2002-10-07 | 2004-04-14 | 울트라스타 리미티드 | 표면장착 ｌｅｄ의 패키지 구조와 그 제조방법 |
| WO2017131361A3 (ko) * | 2016-01-29 | 2018-08-02 | 주식회사 효성 | 희토류 금속 산화물 입자가 포함된 적외선 ｌｅｄ 패키지 |
-
1992
- 1992-05-22 JP JP4130567A patent/JPH05327026A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997004509A2 (de) * | 1995-07-19 | 1997-02-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterlaserchip und infrarot-emitter-bauelement |
| WO1997004509A3 (de) * | 1995-07-19 | 2002-02-14 | Siemens Ag | Halbleiterlaserchip und infrarot-emitter-bauelement |
| WO2001073860A2 (en) * | 2000-03-24 | 2001-10-04 | Ledcorp | Illumination apparatus and light emitting diode and method of use |
| WO2001073860A3 (en) * | 2000-03-24 | 2002-01-31 | Ledcorp | Illumination apparatus and light emitting diode and method of use |
| KR20040031882A (ko) * | 2002-10-07 | 2004-04-14 | 울트라스타 리미티드 | 표면장착 ｌｅｄ의 패키지 구조와 그 제조방법 |
| WO2017131361A3 (ko) * | 2016-01-29 | 2018-08-02 | 주식회사 효성 | 희토류 금속 산화물 입자가 포함된 적외선 ｌｅｄ 패키지 |
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